WO2020060106A1 - Device and method for forming glass pattern - Google Patents

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WO2020060106A1
WO2020060106A1 PCT/KR2019/011822 KR2019011822W WO2020060106A1 WO 2020060106 A1 WO2020060106 A1 WO 2020060106A1 KR 2019011822 W KR2019011822 W KR 2019011822W WO 2020060106 A1 WO2020060106 A1 WO 2020060106A1
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WO
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glass
mask
pattern
pattern forming
sand
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Application number
PCT/KR2019/011822
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French (fr)
Korean (ko)
Inventor
조형식
김정겸
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크루셜텍(주)
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    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
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    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Definitions

  • the present invention relates to a glass pattern forming device and a glass pattern forming method, and more particularly, to a glass pattern forming device and a glass pattern forming method for etching glass in an area covered by a mask.
  • Glass is widely used in buildings and automobiles. In addition, glass may be used for display devices and portable electronic devices. Glass (glass) can have a variety of transparency, and because it has electrical insulation, it can be usefully applied to electronic devices.
  • the optical properties of the glass can be greatly affected by the surface state of the glass.
  • the roughness of the surface of the glass may have an inverse relationship with the reflectivity of the glass.
  • the roughness of the glass surface may have a positive correlation with the degree of diffuse reflection of the glass. Accordingly, research has been conducted to set and implement various degrees of roughness of the surface of the glass according to the location.
  • a method using, for example, etching may be considered.
  • a mask can be attached to the glass.
  • the mask may be in close contact with the glass.
  • the roughness of the glass surface may correspond to a pattern of holes formed in the mask (hereinafter “mask pattern”).
  • the masked region may hardly receive the effect of etching.
  • a boundary corresponding to the boundary of the mask pattern may be formed on the glass. That is, a gradation effect may not appear in the glass pattern formed on the glass according to the roughness of the glass surface. Since the glass pattern having a gradation may play a key role in realizing the optical properties of the glass, a process of implementing a glass pattern having a gradation on the glass surface may be required.
  • the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for forming a glass pattern in which particles are sprayed by spaced apart masks at a predetermined interval in a process of forming a pattern on the surface of the glass.
  • the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a glass pattern forming method for forming a glass pattern having a gradient on the glass surface.
  • the present invention a frame for mounting a glass (glass); A holder supporting a mask forming a plurality of holes; An actuator unit coupled to at least one of the frame and the holder to provide a driving force to determine the position of the holder relative to the frame; A control unit electrically connected to the actuator unit and the particle injection device; And it is electrically connected to the control unit, and includes a sensor unit for acquiring the positional information of the holder with respect to the frame, one surface of the mask facing the glass, and the control unit, wherein the particle injection device is the other surface of the mask
  • a glass pattern forming device that controls to provide particles toward the surface and drives the actuator portion so that the holder is spaced at a predetermined interval with respect to the frame.
  • control unit may drive the actuator unit to periodically change the position of the holder with respect to the frame.
  • the sensor unit may generate a first signal including the relative position information of the holder with respect to the frame and provide it to the control unit.
  • control unit may generate an output signal based on the first signal and a preset algorithm, and provide the output signal to the actuator unit.
  • the actuator unit when receiving the output signal, may perform an operation corresponding to the output signal.
  • the relative position of the mask with respect to the glass may periodically change.
  • the mask in the spraying step S200, may periodically move in a horizontal direction and a vertical direction with respect to the glass.
  • the plurality of holes formed in the mask may have different sizes according to positions.
  • a plurality of holes formed in the mask may have different water densities depending on positions.
  • the spraying step S200 may include a step of spraying particles toward the mask from the top of the mask to etch the glass (S201).
  • the spraying step S200 may include spraying particles toward the mask from the top of the mask to deposit the particles on the glass (S202). have.
  • particles may be sprayed by spacing the mask at a predetermined interval.
  • the glass pattern forming method according to an embodiment of the present invention may form a glass pattern having a gradient on the glass surface.
  • FIG. 1 is a view showing a surface treatment process of a glass according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the glass and mask shown in FIG. 1 taken along A-A.
  • 3 is a view showing an example of a mask.
  • FIG. 4 is a block diagram of a glass pattern forming device according to an embodiment of the present invention.
  • 5 and 6 are flow charts showing a glass pattern forming process according to an embodiment of the present invention.
  • the glass 100 according to an embodiment of the present invention may have a shape of a plate.
  • the glass 100 has a shape of a plate, but the shape of the glass 100 may not be limited thereto.
  • the glass 100 may have a curved shape.
  • the glass 100 may be located on a horizontal surface. That is, the lower surface of the glass 100 can face the horizontal surface.
  • the mask 200 may be disposed on the top surface of the glass 100.
  • the mask 200 may include a mask body 210.
  • the mask body 210 may form a skeleton of the mask 200.
  • the outer circumference of the mask body 210 may correspond to the glass 100.
  • the mask body 210 may have rigidity.
  • the mask body 210 may include metal.
  • the mask pattern 220 may be formed on the mask body 210.
  • the mask pattern 220 may include a plurality of holes or openings.
  • the mask pattern 220 may be referred to as “hole” or “opening”.
  • the plurality of holes 220 may have a profile.
  • the profile of the mask pattern 220 may be determined by the number density of the holes 220.
  • the profile of the mask pattern 220 may be determined by the size of the hole 220.
  • the profile of the mask pattern 220 may be determined by the size and number density of the hole 220.
  • the size of the hole 220 may vary depending on the location. For example, as it goes from the center of the mask body 210 to one edge, the size of the hole 220 may be reduced. For example, as the distance from the center of the mask body 210 to the opposite edge increases, the size of the hole 220 may decrease.
  • the other side of the mask body 210 may be located opposite to one side of the mask body 210.
  • the sand blast device 300 may be positioned on the top of the mask 200.
  • the sand blast apparatus 300 may provide a sand blow 400 on the top surface of the mask 200.
  • the sand blow 400 may be a flow of small particles.
  • the sand blow 400 may be a flow of at least one of sand particles, metal grains, and mineral grains.
  • the sand blow 400 may be referred to as “particle blow” or “grain blow”.
  • the sand blasting device 300 may be referred to as a “particle spraying device”.
  • the sand blow 400 may be, for example, a flow of particles deposited on the glass 100.
  • the sand blast apparatus 300 may be referred to as a “deposition apparatus”.
  • particles forming the sand blow 400 may be deposited on the glass 100.
  • the particles forming the sand blow 400 may include the same or similar molecules as the material forming the glass 100.
  • the pattern formed on the glass 100 may vary depending on the amount of particles deposited on the glass 100.
  • the sand blow 400 may be a flow of fluid that can etch the glass 100.
  • the sand blow 400 may be referred to as “fluid blow” or “fluid flow”.
  • the sand blast device 300 may be referred to as a “fluid injection device”.
  • the sand blow 400 may be a flow of plasma.
  • the sand blow 400 may be a flow of etchant.
  • the etchant may be provided in the form of a mist.
  • the sand blow 400 may be applied to the glass 100 through the mask pattern 220.
  • the sand blow 400 When the sand blow 400 is applied to the upper surface of the glass 100, the upper surface of the glass 100 may form a pattern.
  • the pattern formed on the glass 100 may be referred to as a “glass pattern”. That is, the sand blow 400 may form a glass pattern.
  • the mask 200 can be removed from the glass 100.
  • the upper surface of the glass 100 may be roughened by a sand blow 400. That is, the surface state of the upper surface of the glass 100 may be changed by the sand blow 400.
  • the sand blow 400 may correspond to the size of the mask pattern 220 and may be applied to the glass 100.
  • the sand blow 400 may be applied to the center of the top surface of the glass 100 relatively, for example.
  • the sand blow 400 may be applied relatively little to both sides (one side and the other side) of the upper surface of the glass 100, for example.
  • the surface state of the upper surface of the glass 100 may correspond to the mask pattern 220.
  • the center-side surface of the top surface of the glass 100 may be relatively rough.
  • the surfaces on both sides (one side and the other side) of the upper surface of the glass 100 may be relatively less rough. Therefore, the glass pattern formed on the top surface of the glass 100 may correspond to the mask pattern 220 to form a gradation.
  • the roughness of the top surface of the glass 100 may have a negative correlation with the slippery degree or slip of the glass 100.
  • the roughness of the surface of the glass 100 may provide an effect on the grip of the device.
  • the optical properties of the top surface of the glass 100 may correspond to a glass pattern.
  • the reflectivity of the center of the top surface of the glass 100 may be smaller than the reflectivity of portions adjacent to both sides of the top surface of the glass 100. That is, the center portion of the upper surface of the glass 100 may be less dazzling than the portions adjacent to both sides of the upper surface of the glass 100.
  • the degree to which light is diffusely reflected from the center of the top surface of the glass 100 may be greater than the degree to which light is diffusely reflected from portions adjacent to both sides of the top surface of the glass 100. That is, the degree to which light is distributed in the center of the top surface of the glass 100 may be greater than information in which light is dispersed in portions adjacent to both sides of the top surface of the glass 100.
  • the glass pattern formed on the upper surface of the glass 100 may be substantially the same as the mask pattern 220. That is, since the portion of the mask body 210 between adjacent holes 220 can protect the glass 100 from the sand blow 400, the mask pattern formed on the upper surface of the glass 100 is the shape of the mask body 210 Can have Therefore, the glass pattern formed on the upper surface of the glass 100 may correspond to the shape of the mask body 210.
  • the mask 200 may be disposed spaced apart from the top surface of the glass 100.
  • the glass located below the portion of the mask body 210 between adjacent holes 220 Sand blow 400 may be applied to the region of (100).
  • the glass pattern formed on the upper surface of the glass 100 is the mask pattern 220. It may correspond to a profile.
  • 2 is a view showing a cross-section of the glass 100 and the mask 200 shown in FIG. 1 along A-A.
  • 2 (a) may indicate the arrangement of the mask 200 and the size of the hole 220.
  • 2 (b) may show the glass 100 affected by the mask 200.
  • the mask 200 may be spaced apart from the glass 100.
  • the mask 200 may be spaced apart from the glass 100 by a first height h1.
  • the mask 200 may form a thickness.
  • the thickness of the mask 200 may be the first thickness t1.
  • the size of the hole 220 may be the first size r1.
  • the first size r1 may vary depending on the location (point, ⁇ ) of the glass 100 (see FIG. 1).
  • one surface (for example, an upper surface) of the glass 100 may include a first area 101 and a second area 103.
  • the first region 101 may correspond to the hole 220.
  • the first region 101 may face the hole 220.
  • the second region 103 may correspond to the mask body 210.
  • the second region 103 may face the mask body 210.
  • the state in which the mask 200 comes into contact with the glass 100 may be considered.
  • the sand blow 400 (see FIG. 1) is applied to the mask 200 while the mask 200 is in contact with the glass 100, the sand blow 400 (see FIG. 1) may be applied to the first region 101. have. However, the second region 103 may be covered by the mask body 210 and thus may not be affected by the sand blow 400 (see FIG. 1).
  • a state in which the mask 200 is spaced apart from the glass 100 may be considered.
  • the sand blow 400 see FIG. 1
  • the sand blow 400 may be directly applied to the first region 101.
  • the sand blow 400 may be applied to the second region 103 through the spaced apart space of the glass 100 and the mask 200. Therefore, the second region 103 may be affected by the sand blow 400 (see FIG. 1).
  • the glass pattern may have a gradient. That is, the roughness of the second region 103 may be changed by the sand blow 400 (see FIG. 1).
  • the mechanical or / and optical properties of the surface of the glass 100 may be gradually changed depending on the position of the surface of the glass 100.
  • the roughness of the surface of the glass 100 may have a smoothing effect based on the position of the surface of the glass 100.
  • the degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 may include at least one of the first size r1, the first thickness t1, and the first height h1, or the like. It can be by combination.
  • the degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1) may have a positive correlation with the first size r1.
  • the degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1) may have a positive correlation with the first height h1.
  • the degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1) may have a negative correlation with the first thickness t1.
  • the first height h1 may be varied. That is, while the sand blasting device 300 is operating, the distance between the mask 200 and the glass 100 may be changed. For example, while the sand blasting device 300 is operated and the sand blow 400 is applied to the mask 200, the distance between the mask 200 and the glass 100 may be reduced and increased. That is, the mask 200 may move vertically (or move) with respect to the glass 100.
  • the mask 200 may move horizontally (or move) with respect to the glass 100.
  • the mask 200 is fixed and the glass 100 can move horizontally (or move).
  • the glass 100 is fixed and the mask 200 may move horizontally (or move).
  • the glass 100 and the mask 200 may simultaneously move (or move).
  • the first region 101 and the second region 103 may be changed.
  • the first region 101 becomes the second region 103 and the second region 103 becomes the first region 101.
  • the second region 103 corresponding to the mask body 210 can be effectively affected by the sand blow 400.
  • the vertical or / or horizontal movement of the mask 200 with respect to the glass 100 may be similar to the movement of the pendulum.
  • vertical or / or horizontal movement of the mask 200 with respect to the glass 100 may correspond to movement of a simple pendulum.
  • 3 is a diagram showing an embodiment of the mask 200. 3 is a view showing an upper surface of the mask pattern 220. Referring to (a) of FIG. 3, the mask pattern 220 may be smaller as it moves away from the center of the mask 200. The mask pattern 220 may have a profile having a lower density as it moves radially away from the center of the mask 200.
  • the mask pattern 220 may have a narrowing width from one side to the other side.
  • the other side of the mask 200 may be located opposite to one side of the mask 200.
  • the mask pattern 220 may have a profile having a lower density from one side of the mask 200 to the other side.
  • the mask pattern 220 may have various size patterns and density patterns.
  • a mask pattern 220 having an “X” shape as a whole may be formed.
  • a mask pattern 220 having a wave pattern as a whole may be formed.
  • FIGS. 1 and 2 are block diagrams of a glass pattern forming device 500 according to an embodiment of the present invention.
  • the glass pattern forming device 500 may form a pattern on the glass 100 (see FIGS. 1 and 2) together with the sand blasting apparatus 300.
  • the glass pattern forming device 500 may include a frame 510.
  • the frame 510 can accommodate the glass 100 (see FIGS. 1 and 2). That is, the glass 100 (see FIGS. 1 and 2) may be seated on the frame 510.
  • the glass pattern forming device 500 may include a holder 520.
  • the holder 520 may support the mask 200 (see FIGS. 1 to 3).
  • the holder 520 may determine the relative position of the mask 200 (see FIGS. 1 to 3) with respect to the glass 100 (see FIGS. 1 and 2).
  • the glass pattern forming device 500 may include a sensor unit 530.
  • the sensor unit 530 may generate the first signal S1.
  • the sensor unit 530 may acquire relative position (or speed) information of the holder 520 with respect to the frame 510.
  • the first signal S1 may include relative position (or speed) information of the holder 520 with respect to the frame 510.
  • the sensor unit 530 may acquire the relative position (or velocity) information of the mask 200 (see FIGS. 1 to 3) with respect to the glass 100 (see FIGS. 1 and 2).
  • the first signal S1 may include relative position (or velocity) information of the mask 200 (see FIGS. 1 to 3) with respect to the glass 100 (see FIGS. 1 and 2).
  • the glass pattern forming device 500 may include a control unit 540.
  • the control unit 540 may receive the first signal S1.
  • the controller 540 may generate the second signal S2, the third signal S3, and the fourth signal S4 based on the first signal S1 and a preset algorithm.
  • the output signals S2, S3, and S4 may mean at least one of the second signal S2, the third signal S3, and the fourth signal S4.
  • the actuator signals S3 and S4 may mean at least one of the third signal S3 and the fourth signal S4.
  • the control unit 540 may provide the second signal S2 to the sand blast device 300.
  • the second signal S2 may include information regarding the operation of the sand blast device 300.
  • the sand blast device 300 may start or end the operation according to the second signal S2.
  • the glass pattern forming device 500 may include an actuator unit 550.
  • the actuator unit 550 may be coupled to the frame 510 or to the holder 520. Alternatively, the actuator unit 550 may be coupled to the frame 510 and the holder 520. The actuator unit 550 may change the relative position of the holder 520 with respect to the frame 510.
  • the actuator unit 550 may include a first actuator 551 and a second actuator 553.
  • the movement direction of the holder 520 by the first actuator 551 relative to the frame 510 may be a first direction.
  • the direction of movement of the holder 520 by the second actuator 553 relative to the frame 510 may be the second direction.
  • the first direction may be different from the second direction.
  • the first direction may be a horizontal direction.
  • the second direction may be a vertical direction.
  • the first actuator 551 may receive the third signal S3 from the control unit 540.
  • the third signal S3 may include information regarding the operation of the first actuator 551.
  • the first actuator 551 may be operated according to the third signal S3.
  • the second actuator 553 may receive the fourth signal S4 from the control unit 540.
  • the fourth signal S4 may include information regarding the operation of the second actuator 553.
  • the second actuator 553 may be operated according to the fourth signal S4.
  • the controller 540 may communicate with an external device.
  • the control unit 540 may include a communication module.
  • the controller 540 may include a wired communication module (eg, RS-232 method).
  • the control unit 540 may include a wireless communication module (for example, a Wi-Fi method or a Bluetooth method).
  • FIG. 5 is a flow chart showing a glass pattern forming method (S10) according to an embodiment of the present invention.
  • the glass pattern forming method S10 may be referred to as a “glass pattern forming process” or a “glass gradient forming method” or a “glass gradient forming process”. 5 can be described in conjunction with FIGS. 1 to 4.
  • the glass pattern forming method (S10) may include a step (S100) of placing the mask 200 on the glass 100.
  • This step (S100) may be referred to as a “mask installation step”.
  • the mask 200 may be disposed spaced apart from the glass 100.
  • the mask 200 may be spaced apart from the glass 100 by a first height h1.
  • the glass 100 is seated on the frame 510, the mask 200 may be coupled to the holder 520.
  • the control unit 540 may receive the first signal S1 from the sensor unit 530. In this step (S100), the control unit 540 may obtain the relative position information of the mask 200 with respect to the glass 100 from the first signal (S1). When the relative position of the mask 200 with respect to the glass 100 is different from predetermined position information, the control unit 540 operates the actuator unit 550 to adjust the relative position of the mask 200 with respect to the glass 100. You can.
  • the glass pattern forming method (S10) may include a step (S200) of spraying particles onto the glass 100.
  • the sand blasting device 300 may spray particles toward the mask 200 from the top of the mask 200.
  • This step S200 may be referred to as an “injection step”.
  • the controller 540 may provide the second signal S2 to the sand blast device 300.
  • the sand blast apparatus 300 may provide the sand blow 400 to the mask 200.
  • the controller 540 may provide the third signal S3 or / and the fourth signal S4 to the actuator unit 550.
  • the actuator unit 550 may receive the third signal S3 or / and the fourth signal S4.
  • the actuator unit 550 may adjust the relative position of the mask 200 with respect to the glass 100 according to the third signal S3 or / and the fourth signal S4.
  • the step of spraying particles (S200) may include a step of etching the glass 100 (S201).
  • This step S201 may be referred to as an “etching step” or an “etching step”.
  • the sand blasting apparatus 300 may provide the sand blow 400 to etch the glass 100.
  • the step of spraying particles (S200) may include the step of depositing particles (S202) on the glass 100.
  • This step S202 may be referred to as a “deposition step”.
  • the sand blasting apparatus 300 may provide particles to deposit particles on the surface of the glass 100.
  • the glass pattern forming method S10 may include a step S300 of separating the mask 200 from the glass 100.
  • This step S300 may be referred to as a “mask separation step”.
  • the mask 200 may be separated from the glass 100.
  • the glass pattern forming method S10 may include washing the glass 100 (S400).
  • This step S400 may be referred to as a “washing step” or a “washing step” or a “washing step”.
  • the glass 100 may be cleaned.
  • the spraying step (S200) may include a step (S210) of initiating spraying of the sand blasting device 300.
  • This step S210 may be referred to as a “starting step”.
  • the operation of the sand blasting device 300 may be started.
  • a sand blow 400 may be applied to the mask 200.
  • the mask 200 may be moved horizontally and / or vertically with respect to the glass 100.
  • the mask 200 may start a pendulum motion (movement) with respect to the glass 100.
  • the control unit 540 may control the actuator unit 550 to periodically move the mask 200 with respect to the glass 100.
  • the injection step (S200) may include a step (S220) of determining the reason for the termination.
  • the control unit 540 may determine whether the reason for the termination of the injection step (S200) has occurred. For example, the control unit 540 may obtain a signal including termination command information from the outside.
  • the injection step (S200) may include the step (S230) of ending the injection of the sand blasting device 300. If it is determined that the reason for the termination of the injection step (S200) has occurred, the controller 540 may perform this step (S230). In this step (S230), the control unit 540 may end the sand blasting apparatus 300 and end the operation of the actuator unit 550.
  • the controller 540 may perform the step S220 of determining the reason for the termination. If it is not determined that the reason for the termination of the injection step S200 has occurred, the control unit 540 may continuously operate the sand blast device 300 and the actuator unit 550.
  • particles can be sprayed by spaced apart masks at regular intervals, and a glass pattern having a gradation can be formed on the glass surface.

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Abstract

The present invention relates to a device and method for forming a glass pattern and, more specifically, to a device and method for forming a glass pattern, which etch glass in a region covered by a mask.

Description

글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법Glass pattern forming device and glass pattern forming method
본 발명은 글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 마스크에 가려진 영역의 글라스를 에칭하는 글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a glass pattern forming device and a glass pattern forming method, and more particularly, to a glass pattern forming device and a glass pattern forming method for etching glass in an area covered by a mask.
글라스는 건물 및 자동차에 많이 사용되고 있다. 또한 디스플레이 장치 및 휴대용 전자 기기 등에 글라스가 사용될 수 있다. 글라스(glass)는, 다양한 투명한 정도를 가질 수 있으며, 전기적으로 절연성을 가지므로, 전자 기기 등에 유용하게 적용될 수 있다.Glass is widely used in buildings and automobiles. In addition, glass may be used for display devices and portable electronic devices. Glass (glass) can have a variety of transparency, and because it has electrical insulation, it can be usefully applied to electronic devices.
한편 글라스의 광학적 성질은, 글라스의 표면 상태에 크게 영향 받을 수 있다. 예를 들어 글라스의 표면의 거친 정도는 글라스의 반사도와 반비례 관계를 가질 수 있다. 예를 들어 글라스 표면의 거친 정도는 글라스의 난반사 정도와 양의 상관관계를 가질 수 있다. 이에 글라스의 표면의 거친 정도를 위치에 따라 다양하게 설정하고 구현하는 연구가 진행되고 있다.On the other hand, the optical properties of the glass can be greatly affected by the surface state of the glass. For example, the roughness of the surface of the glass may have an inverse relationship with the reflectivity of the glass. For example, the roughness of the glass surface may have a positive correlation with the degree of diffuse reflection of the glass. Accordingly, research has been conducted to set and implement various degrees of roughness of the surface of the glass according to the location.
글라스 표면의 거친 정도를 위치에 따라 다양하게 구현하는 방법으로서, 예를 들어 에칭(etching)을 이용하는 방안이 고려될 수 있다. 글라스를 에칭하기 위하여, 글라스에 마스크(mask)를 결합시킬 수 있다. 글라스에 마스크를 결합시키고 글라스를 에칭하는 공정의 경우, 마스크는 글라스에 밀착될 수 있다. 이 경우, 글라스 표면의 거친 정도는, 마스크에 형성된 홀(hole)의 패턴(이하 “마스크 패턴”)에 대응될 수 있다.As a method of variously implementing the roughness of the glass surface depending on the location, a method using, for example, etching may be considered. To etch the glass, a mask can be attached to the glass. In the case of the process of bonding the mask to the glass and etching the glass, the mask may be in close contact with the glass. In this case, the roughness of the glass surface may correspond to a pattern of holes formed in the mask (hereinafter “mask pattern”).
그런데 글라스가 마스크에 밀착되는 경우, 마스크에 가려진 영역은 에칭의 효과를 거의 받지 못하게 될 수 있다. 이렇게 되면, 마스크 패턴의 경계에 대응된 경계가 글라스에 형성될 수 있다. 즉 글라스 표면의 거친 정도에 따라 글라스에 형성되는 글라스 패턴에 그라데이션(gradation) 효과가 나타나지 않을 수 있다. 그라데이션을 가지는 글라스 패턴은, 글라스의 광학적 성질을 구현하는 데 있어서 핵심적인 역할을 할 수 있으므로, 글라스 표면에 그라데이션을 가지는 글라스 패턴을 구현하는 공정이 요구될 수 있다.However, when the glass is in close contact with the mask, the masked region may hardly receive the effect of etching. In this case, a boundary corresponding to the boundary of the mask pattern may be formed on the glass. That is, a gradation effect may not appear in the glass pattern formed on the glass according to the roughness of the glass surface. Since the glass pattern having a gradation may play a key role in realizing the optical properties of the glass, a process of implementing a glass pattern having a gradation on the glass surface may be required.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 글라스의 표면에 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 상기 글라스에 마스크를 일정 간격 이격시켜 입자를 분사하는 글라스 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for forming a glass pattern in which particles are sprayed by spaced apart masks at a predetermined interval in a process of forming a pattern on the surface of the glass.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상기 글라스 표면에 그라데이션을 가지는 글라스 패턴을 형성시키는 글라스 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a glass pattern forming method for forming a glass pattern having a gradient on the glass surface.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면(an aspect)에 따르면, 본 발명은, 글라스(glass)를 안착하는 프레임; 복수 개의 홀을 형성하는 마스크를 지지하는 홀더; 상기 프레임과 홀더 중 적어도 하나에 결합되어 구동력을 제공하여, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 위치를 결정하는 액추에이터부; 상기 액추에이터부와 입자 분사 장치에 전기적으로 연결된 제어부; 그리고 상기 제어부에 전기적으로 연결되며, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 위치 정보를 획득하는 센서부를 포함하고, 상기 마스크의 일면은 상기 글라스를 마주하며, 상기 제어부는, 상기 입자 분사 장치가 상기 마스크의 타면을 향하여 입자를 제공하도록 제어하고, 상기 프레임에 대하여 상기 홀더가 소정 간격으로 이격되도록 상기 액추에이터부를 구동시키는, 글라스 패턴 형성 디바이스를 제공할 수 있다.In order to achieve the above technical problem, according to an aspect of the present invention, the present invention, a frame for mounting a glass (glass); A holder supporting a mask forming a plurality of holes; An actuator unit coupled to at least one of the frame and the holder to provide a driving force to determine the position of the holder relative to the frame; A control unit electrically connected to the actuator unit and the particle injection device; And it is electrically connected to the control unit, and includes a sensor unit for acquiring the positional information of the holder with respect to the frame, one surface of the mask facing the glass, and the control unit, wherein the particle injection device is the other surface of the mask It is possible to provide a glass pattern forming device that controls to provide particles toward the surface and drives the actuator portion so that the holder is spaced at a predetermined interval with respect to the frame.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 제어부는, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 위치가 주기적으로 변환되도록 상기 액추에이터부를 구동시킬 수 있다.According to another aspect of the present invention, the control unit may drive the actuator unit to periodically change the position of the holder with respect to the frame.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 센서부는, 상기 프레임에 대한 상기 홀더의 상대적 위치 정보를 포함하는 제1 신호를 생성하여 상기 제어부에 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the sensor unit may generate a first signal including the relative position information of the holder with respect to the frame and provide it to the control unit.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 제어부는, 상기 제1 신호와 기 설정된 알고리즘에 기초하여, 출력 신호를 생성하고, 상기 출력 신호를 상기 액추에이터부에 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the control unit may generate an output signal based on the first signal and a preset algorithm, and provide the output signal to the actuator unit.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 액추에이터부는, 상기 출력 신호를 수신하면, 상기 출력 신호에 대응된 작동을 수행할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the actuator unit, when receiving the output signal, may perform an operation corresponding to the output signal.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 복수 개의 홀(hole)을 형성하는 마스크를 글라스의 상면에 이격되도록 배치하는 단계(S100); 상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하는 단계(S200); 상기 마스크를 상기 글라스에서 분리시키는 단계(S300); 그리고 상기 글라스를 세정하는 단계(S400)를 포함하는, 글라스 패턴 형성 방법(S10)을 제공할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the step of disposing a mask forming a plurality of holes (hole) to be spaced apart from the upper surface of the glass (S100); Spraying particles toward the mask from the top of the mask (S200); Separating the mask from the glass (S300); And it may provide a glass pattern forming method (S10), including the step of cleaning the glass (S400).
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)에서, 상기 마스크의 상기 글라스에 대한 상대적 위치는 주기적으로 변화할 수 있다.According to another aspect of the present invention, in the spraying step S200, the relative position of the mask with respect to the glass may periodically change.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)에서, 상기 마스크는, 상기 글라스에 대하여, 수평 방향과 수직 방향으로 주기적으로 이동할 수 있다.According to another aspect of the present invention, in the spraying step S200, the mask may periodically move in a horizontal direction and a vertical direction with respect to the glass.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은, 위치에 따라 다른 크기를 가질 수 있다.According to another aspect of the present invention, the plurality of holes formed in the mask may have different sizes according to positions.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은, 위치에 따라 다른 수밀도를 가질 수 있다.According to another aspect of the present invention, a plurality of holes formed in the mask may have different water densities depending on positions.
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)는, 상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하여, 상기 글라스를 에칭하는 단계(S201)를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the spraying step S200 may include a step of spraying particles toward the mask from the top of the mask to etch the glass (S201).
본 발명의 다른 측면(another aspect)에 따르면, 상기 분사 단계(S200)는, 상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하여, 상기 입자를 상기 글라스에 증착시키는 단계(S202)를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the spraying step S200 may include spraying particles toward the mask from the top of the mask to deposit the particles on the glass (S202). have.
본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 방법은, 상기 글라스에 마스크를 일정 간격 이격시켜 입자를 분사할 수 있다.In the glass pattern method according to an embodiment of the present invention, particles may be sprayed by spacing the mask at a predetermined interval.
본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 방법은, 상기 글라스 표면에 그라데이션을 가지는 글라스 패턴을 형성시킬 수 있다.The glass pattern forming method according to an embodiment of the present invention may form a glass pattern having a gradient on the glass surface.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스의 표면 처리 과정을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a surface treatment process of a glass according to an embodiment of the present invention.
도 2는, 도 1에 도시된 글라스와 마스크를 A-A를 따라 자른 단면을 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the glass and mask shown in FIG. 1 taken along A-A.
도 3은, 마스크의 실시예를 나타낸 도면이다.3 is a view showing an example of a mask.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 디바이스의 블록도이다.4 is a block diagram of a glass pattern forming device according to an embodiment of the present invention.
도 5 및 6은, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 공정을 나타낸 플로우 차트이다.5 and 6 are flow charts showing a glass pattern forming process according to an embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be implemented in various different forms, and thus is not limited to the embodiments described herein. In addition, in order to clearly describe the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals are assigned to similar parts throughout the specification.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(접속, 접촉, 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is "connected (connected, contacted, coupled)" to another part, this is not only when it is "directly connected", but also "indirectly" with another member in between. "It also includes the case where it is. Also, when a part is said to “include” a certain component, this means that other components may be further provided instead of excluding the other component unless otherwise stated.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this specification are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this specification, terms such as “include” or “have” are intended to indicate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, and that one or more other features are present. It should be understood that the existence or addition possibilities of fields or numbers, steps, operations, components, parts or combinations thereof are not excluded in advance.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스(glass, 100)의 표면 처리 과정이 나타날 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스(100)는 판(板)의 형상을 가질 수 있다. 도 1에서 글라스(100)는 플레이트(plate)의 형상을 가지나, 글라스(100)의 형상이 이에 국한되지 않을 수 있다. 예를 들어 글라스(100)는 곡면의 형상을 가질 수 있다. 도 1에서, 설명의 편의를 위해서, 글라스(100)는 수평면에 위치할 수 있다. 즉, 글라스(100)의 하면(下面)은, 수평면을 마주할 수 있다.Referring to FIG. 1, a surface treatment process of glass 100 according to an embodiment of the present invention may be shown. The glass 100 according to an embodiment of the present invention may have a shape of a plate. In FIG. 1, the glass 100 has a shape of a plate, but the shape of the glass 100 may not be limited thereto. For example, the glass 100 may have a curved shape. In FIG. 1, for convenience of description, the glass 100 may be located on a horizontal surface. That is, the lower surface of the glass 100 can face the horizontal surface.
글라스(100)의 상면(上面)에 마스크(200)가 배치될 수 있다. 마스크(200)는, 마스크 바디(210)를 포함할 수 있다. 마스크 바디(210)는, 마스크(200)의 골격을 형성할 수 있다. 마스크 바디(210)의 외주(outer circumference)는 글라스(100)에 대응될 수 있다. 마스크 바디(210)는 강성을 가질 수 있다. 예를 들어 마스크 바디(210)는 금속을 포함할 수 있다.The mask 200 may be disposed on the top surface of the glass 100. The mask 200 may include a mask body 210. The mask body 210 may form a skeleton of the mask 200. The outer circumference of the mask body 210 may correspond to the glass 100. The mask body 210 may have rigidity. For example, the mask body 210 may include metal.
마스크 패턴(220)이 마스크 바디(210)에 형성될 수 있다. 마스크 패턴(220)은, 복수 개의 홀(hole) 또는 개구(opening)를 포함할 수 있다. 마스크 패턴(220)은, “홀” 또는 “개구”라 칭할 수 있다. 복수 개의 홀(220)은, 프로파일(profile)을 가질 수 있다. 마스크 패턴(220)의 프로파일은, 홀(220)의 수밀도에 의해 결정될 수 있다. 또는 마스크 패턴(220)의 프로파일은, 홀(220)의 크기에 의해 결정될 수 있다. 또는 마스크 패턴(220)의 프로파일은, 홀(220)의 크기와 수밀도에 의해 결정될 수 있다.The mask pattern 220 may be formed on the mask body 210. The mask pattern 220 may include a plurality of holes or openings. The mask pattern 220 may be referred to as “hole” or “opening”. The plurality of holes 220 may have a profile. The profile of the mask pattern 220 may be determined by the number density of the holes 220. Alternatively, the profile of the mask pattern 220 may be determined by the size of the hole 220. Alternatively, the profile of the mask pattern 220 may be determined by the size and number density of the hole 220.
예를 들어 홀(220)의 크기는, 위치에 따라 다를 수 있다. 예를 들어 마스크 바디(210)의 중심에서 일변(an edge)으로 갈수록, 홀(220)의 크기는 작아질 수 있다. 예를 들어 마스크 바디(210)의 중심에서 타변(opposite edge)으로 갈수록, 홀(220)의 크기는 작아질 수 있다. 마스크 바디(210)의 타변은, 마스크 바디(210)의 일변의 맞은편에 위치할 수 있다.For example, the size of the hole 220 may vary depending on the location. For example, as it goes from the center of the mask body 210 to one edge, the size of the hole 220 may be reduced. For example, as the distance from the center of the mask body 210 to the opposite edge increases, the size of the hole 220 may decrease. The other side of the mask body 210 may be located opposite to one side of the mask body 210.
글라스(100)에 마스크(200)가 배치된 상태에서, 마스크(200)의 상부에 샌드 블라스트 장치(300)가 위치할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(sand blast apparatus, 300)는, 마스크(200)의 상면에 샌드 블로우(400)를 제공할 수 있다.In the state in which the mask 200 is disposed on the glass 100, the sand blast device 300 may be positioned on the top of the mask 200. The sand blast apparatus 300 may provide a sand blow 400 on the top surface of the mask 200.
샌드 블로우(400)는, 작은 입자의 흐름(flow)일 수 있다. 예를 들어 샌드 블로우(400)는, 모래 입자, 금속 알갱이, 그리고 광물 알갱이 중 적어도 하나의 흐름일 수 있다. 샌드 블로우(400)는, “입자 블로우” 또는 “알갱이 블로우”라 칭할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, “입자 분사 장치”라 칭할 수 있다.The sand blow 400 may be a flow of small particles. For example, the sand blow 400 may be a flow of at least one of sand particles, metal grains, and mineral grains. The sand blow 400 may be referred to as “particle blow” or “grain blow”. The sand blasting device 300 may be referred to as a “particle spraying device”.
샌드 블로우(400)는, 예를 들어 글라스(100)에 증착되는 입자의 흐름일 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, “증착 장치”라 칭할 수 있다. 샌드 블로우(400)가 글라스(100)에 가해지면, 샌드 블로우(400)를 형성하는 입자가 글라스(100)에 증착될 수 있다. 샌드 블로우(400)를 형성하는 입자는, 글라스(100)를 형성하는 재질과 동일하거나 유사한 분자를 포함할 수 있다. 글라스(100)에 형성된 패턴은, 글라스(100)에 증착되는 입자의 양에 따라 달라질 수 있다.The sand blow 400 may be, for example, a flow of particles deposited on the glass 100. The sand blast apparatus 300 may be referred to as a “deposition apparatus”. When the sand blow 400 is applied to the glass 100, particles forming the sand blow 400 may be deposited on the glass 100. The particles forming the sand blow 400 may include the same or similar molecules as the material forming the glass 100. The pattern formed on the glass 100 may vary depending on the amount of particles deposited on the glass 100.
다른 예를 들어 샌드 블로우(400)는, 글라스(100)를 식각할 수 있는 유체(fluid)의 흐름일 수 있다. 샌드 블로우(400)는, “유체 블로우” 또는 “유체 흐름”이라 칭할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, “유체 분사 장치”라 칭할 수 있다.For another example, the sand blow 400 may be a flow of fluid that can etch the glass 100. The sand blow 400 may be referred to as “fluid blow” or “fluid flow”. The sand blast device 300 may be referred to as a “fluid injection device”.
예를 들어 샌드 블로우(400)는, 플라즈마(plasma)의 흐름일 수 있다. 예를 들어 샌드 블로우(400)는, 식각액의 흐름일 수 있다. 식각액은, 미스트(mist)의 형태로 제공될 수 있다.For example, the sand blow 400 may be a flow of plasma. For example, the sand blow 400 may be a flow of etchant. The etchant may be provided in the form of a mist.
샌드 블로우(400)는, 마스크 패턴(220)을 통과하여 글라스(100)에 가해질 수 있다. 샌드 블로우(400)가 글라스(100)의 상면에 가해지면, 글라스(100)의 상면은 패턴(pattern)을 형성할 수 있다. 글라스(100)에 형성된 패턴은, “글라스 패턴”이라 칭할 수 있다. 즉 샌드 블로우(400)는, 글라스 패턴을 형성할 수 있다.The sand blow 400 may be applied to the glass 100 through the mask pattern 220. When the sand blow 400 is applied to the upper surface of the glass 100, the upper surface of the glass 100 may form a pattern. The pattern formed on the glass 100 may be referred to as a “glass pattern”. That is, the sand blow 400 may form a glass pattern.
샌드 블라스트 장치(300)가 작동된 이후에, 마스크(200)가 글라스(100)에서 제거될 수 있다. 글라스(100)의 상면(上面)은, 샌드 블로우(400)에 의해 거칠어질 수 있다. 즉 글라스(100) 상면의 표면 상태는, 샌드 블로우(400)에 의해 달라질 수 있다.After the sandblasting device 300 is operated, the mask 200 can be removed from the glass 100. The upper surface of the glass 100 may be roughened by a sand blow 400. That is, the surface state of the upper surface of the glass 100 may be changed by the sand blow 400.
샌드 블로우(400)는, 마스크 패턴(220)의 크기에 대응되어, 글라스(100)에 가해질 수 있다. 샌드 블로우(400)는, 예를 들어 글라스(100) 상면의 중심부에, 상대적으로 많이 가해질 수 있다. 샌드 블로우(400)는, 예를 들어 글라스(100) 상면의 양 변(일변 및 타변)에 상대적으로 적게 가해질 수 있다.The sand blow 400 may correspond to the size of the mask pattern 220 and may be applied to the glass 100. The sand blow 400 may be applied to the center of the top surface of the glass 100 relatively, for example. The sand blow 400 may be applied relatively little to both sides (one side and the other side) of the upper surface of the glass 100, for example.
글라스(100) 상면의 표면 상태는, 마스크 패턴(220)에 대응될 수 있다. 예를 들어 글라스(100) 상면의 중심부측 표면은, 상대적으로 많이 거칠어질 수 있다. 예를 들어 글라스(100) 상면의 양 변(일변 및 타변)측 표면은, 상대적으로 적게 거칠어질 수 있다. 따라서 글라스(100) 상면에 형성된 글라스 패턴은, 마스크 패턴(220)에 대응되어, 그라데이션(gradation)을 형성할 수 있다.The surface state of the upper surface of the glass 100 may correspond to the mask pattern 220. For example, the center-side surface of the top surface of the glass 100 may be relatively rough. For example, the surfaces on both sides (one side and the other side) of the upper surface of the glass 100 may be relatively less rough. Therefore, the glass pattern formed on the top surface of the glass 100 may correspond to the mask pattern 220 to form a gradation.
글라스(100) 상면의 거친 정도는, 글라스(100)의 미끄러운 정도(slippery degree or slip)와 음의 상관관계를 가질 수 있다. 글라스(100)가 이동 단말기 또는 휴대용 전자 기기에 적용되는 경우, 글라스(100) 표면의 거친 정도는 해당 기기의 그립감에 영향을 제공할 수 있다.The roughness of the top surface of the glass 100 may have a negative correlation with the slippery degree or slip of the glass 100. When the glass 100 is applied to a mobile terminal or a portable electronic device, the roughness of the surface of the glass 100 may provide an effect on the grip of the device.
글라스(100) 상면의 광학적 성질은, 글라스 패턴에 대응될 수 있다. 예를 들어 글라스(100) 상면 중심부의 반사도(反射度)는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분의 반사도 보다 작을 수 있다. 즉 글라스(100) 상면 중심부는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분에 비하여, 덜 눈부실 수 있다. 또는 글라스(100) 상면 중심부에서 빛이 난반사되는 정도는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분에서 빛이 난반사되는 정도에 비하여, 클 수 있다. 즉 글라스(100) 상면 중심부에서 빛이 분산되는 정도는, 글라스(100) 상면 양 변에 인접한 부분에서 빛이 분산되는 정보에 비하여, 클 수 있다.The optical properties of the top surface of the glass 100 may correspond to a glass pattern. For example, the reflectivity of the center of the top surface of the glass 100 may be smaller than the reflectivity of portions adjacent to both sides of the top surface of the glass 100. That is, the center portion of the upper surface of the glass 100 may be less dazzling than the portions adjacent to both sides of the upper surface of the glass 100. Alternatively, the degree to which light is diffusely reflected from the center of the top surface of the glass 100 may be greater than the degree to which light is diffusely reflected from portions adjacent to both sides of the top surface of the glass 100. That is, the degree to which light is distributed in the center of the top surface of the glass 100 may be greater than information in which light is dispersed in portions adjacent to both sides of the top surface of the glass 100.
마스크(200)가 글라스(100)에 밀착된 상태에서 샌드 블라스트 장치(300)가 가동되면, 글라스(100)의 상면에 형성된 글라스 패턴은, 마스크 패턴(220)과 실질적으로 동일할 수 있다. 즉 인접한 홀(220) 사이의 마스크 바디(210) 부분은, 샌드 블로우(400)로부터 글라스(100)를 보호할 수 있으므로, 글라스(100)의 상면에 형성된 마스크 패턴은 마스크 바디(210)의 형상을 가질 수 있다. 따라서 글라스(100)의 상면에 형성된 글라스 패턴은, 마스크 바디(210)의 형상에 대응될 수 있다.When the sand blasting device 300 is operated while the mask 200 is in close contact with the glass 100, the glass pattern formed on the upper surface of the glass 100 may be substantially the same as the mask pattern 220. That is, since the portion of the mask body 210 between adjacent holes 220 can protect the glass 100 from the sand blow 400, the mask pattern formed on the upper surface of the glass 100 is the shape of the mask body 210 Can have Therefore, the glass pattern formed on the upper surface of the glass 100 may correspond to the shape of the mask body 210.
마스크(200)가 글라스(100)의 상면에서 이격되어 배치될 수 있다. 마스크(200)가 글라스(100)의 상면에서 이격되어 배치된 상태에서 샌드 블로우(400)가 마스크(200)에 가해지면, 인접한 홀(220) 사이의 마스크 바디(210) 부분의 아래에 위치한 글라스(100)의 영역에 샌드 블로우(400)가 가해질 수 있다. 인접한 홀(220) 사이의 마스크 바디(210) 부분의 아래에 위치한 글라스(100)의 영역에 샌드 블로우(400)가 가해지면, 글라스(100)의 상면에 형성된 글라스 패턴이 마스크 패턴(220)의 프로파일에 대응될 수 있다.The mask 200 may be disposed spaced apart from the top surface of the glass 100. When the sand blow 400 is applied to the mask 200 in a state in which the mask 200 is spaced apart from the upper surface of the glass 100, the glass located below the portion of the mask body 210 between adjacent holes 220 Sand blow 400 may be applied to the region of (100). When the sand blow 400 is applied to the region of the glass 100 located below the portion of the mask body 210 between the adjacent holes 220, the glass pattern formed on the upper surface of the glass 100 is the mask pattern 220. It may correspond to a profile.
도 2는, 도 1에 도시된 글라스(100)와 마스크(200)를 A-A를 따라 자른 단면을 나타낸 도면이다. 도 2의 (a)는, 마스크(200)의 배치 및 홀(220)의 크기를 나타낼 수 있다. 도 2의 (b)는, 마스크(200)에 의해 영향을 받는 글라스(100)를 나타낼 수 있다.2 is a view showing a cross-section of the glass 100 and the mask 200 shown in FIG. 1 along A-A. 2 (a) may indicate the arrangement of the mask 200 and the size of the hole 220. 2 (b) may show the glass 100 affected by the mask 200.
도 2의 (a)를 참조하면, 마스크(200)는 글라스(100)로부터 이격될 수 있다. 예를 들어 마스크(200)는, 글라스(100)로부터 제1 높이(h1) 만큼 이격될 수 있다. 마스크(200)는, 두께를 형성할 수 있다. 예를 들어 마스크(200)의 두께는, 제1 두께(t1)일 수 있다. 홀(220)의 크기는, 제1 크기(r1)일 수 있다. 제1 크기(r1)는, 글라스(100, 도 1 참조)의 위치(지점, 地點)에 따라 달라질 수 있다. 2 (a), the mask 200 may be spaced apart from the glass 100. For example, the mask 200 may be spaced apart from the glass 100 by a first height h1. The mask 200 may form a thickness. For example, the thickness of the mask 200 may be the first thickness t1. The size of the hole 220 may be the first size r1. The first size r1 may vary depending on the location (point, 地點) of the glass 100 (see FIG. 1).
도 2의 (b)를 참조하면, 글라스(100)의 일면(예를 들어 상면)은, 제1 영역(101)과 제2 영역(103)을 포함할 수 있다. 제1 영역(101)은, 홀(220)에 대응될 수 있다. 제1 영역(101)은, 홀(220)을 마주할 수 있다. 제2 영역(103)은, 마스크 바디(210)에 대응될 수 있다. 제2 영역(103)은, 마스크 바디(210)를 마주할 수 있다.Referring to FIG. 2B, one surface (for example, an upper surface) of the glass 100 may include a first area 101 and a second area 103. The first region 101 may correspond to the hole 220. The first region 101 may face the hole 220. The second region 103 may correspond to the mask body 210. The second region 103 may face the mask body 210.
마스크(200)가 글라스(100)에 접하는 상태가 고려될 수 있다. 마스크(200)가 글라스(100)에 접한 상태에서 샌드 블로우(400, 도 1 참조)가 마스크(200)에 가해지면, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)는 제1 영역(101)에 가해질 수 있다. 그러나 제2 영역(103)은, 마스크 바디(210)에 가려져서, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)의 영향을 받지 않을 수 있다.The state in which the mask 200 comes into contact with the glass 100 may be considered. When the sand blow 400 (see FIG. 1) is applied to the mask 200 while the mask 200 is in contact with the glass 100, the sand blow 400 (see FIG. 1) may be applied to the first region 101. have. However, the second region 103 may be covered by the mask body 210 and thus may not be affected by the sand blow 400 (see FIG. 1).
도 1 및 2에 도시된 바와 같이 마스크(200)가 글라스(100)에서 이격된 상태가 고려될 수 있다. 샌드 블로우(400, 도 1 참조)가 마스크(200)에 가려지면, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)는 제1 영역(101)에 직접적으로 가해질 수 있다. 또한 샌드 블로우(400, 도 1 참조)는, 글라스(100)와 마스크(200)의 이격된 공간을 통해, 제2 영역(103)에 가해질 수 있다. 따라서 제2 영역(103)은, 샌드 블로우(400, 도 1 참조)의 영향을 받을 수 있다.As illustrated in FIGS. 1 and 2, a state in which the mask 200 is spaced apart from the glass 100 may be considered. When the sand blow 400 (see FIG. 1) is covered by the mask 200, the sand blow 400 (see FIG. 1) may be directly applied to the first region 101. Also, the sand blow 400 (see FIG. 1) may be applied to the second region 103 through the spaced apart space of the glass 100 and the mask 200. Therefore, the second region 103 may be affected by the sand blow 400 (see FIG. 1).
제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)의 영향을 받으면, 글라스 패턴은 그라데이션을 가질 수 있다. 즉 제2 영역(103)의 거친 정도가 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 달라질 수 있다. 이로써, 글라스(100) 표면의 기계적 또는/및 광학적 성질은, 글라스(100) 표면의 위치에 따라 점진적으로 변화할 수 있다. 달리 말하면, 글라스(100) 표면의 거친 정도는, 글라스(100) 표면의 위치를 기준으로, 스무딩 효과(smoothing effect)를 가질 수 있다.When the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1), the glass pattern may have a gradient. That is, the roughness of the second region 103 may be changed by the sand blow 400 (see FIG. 1). Thus, the mechanical or / and optical properties of the surface of the glass 100 may be gradually changed depending on the position of the surface of the glass 100. In other words, the roughness of the surface of the glass 100 may have a smoothing effect based on the position of the surface of the glass 100.
제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 크기(r1), 제1 두께(t1), 그리고 제1 높이(h1) 중 적어도 하나 또는 그 조합에 의할 수 있다. 예를 들어 제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 크기(r1)와 양의 상관관계(positive correlation)을 가질 수 있다. 예를 들어 제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 높이(h1)와 양의 상관관계를 가질 수 있다. 예를 들어 제2 영역(103)이 샌드 블로우(400, 도 1 참조)에 의해 영향을 받는 정도는, 제1 두께(t1)와 음의 상관관계(negative correlation)을 가질 수 있다.The degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1) may include at least one of the first size r1, the first thickness t1, and the first height h1, or the like. It can be by combination. For example, the degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1) may have a positive correlation with the first size r1. For example, the degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1) may have a positive correlation with the first height h1. For example, the degree to which the second region 103 is affected by the sand blow 400 (see FIG. 1) may have a negative correlation with the first thickness t1.
도 1 및 2를 참조하면, 샌드 블라스트 장치(300)가 작동되는 동안, 제1 높이(h1)가 변화(varying)될 수 있다. 즉 샌드 블라스트 장치(300)가 작동되는 동안, 마스크(200)와 글라스(100) 사이의 거리는 변화될 수 있다. 예를 들어 샌드 블라스트 장치(300)가 작동되어 샌드 블로우(400)가 마스크(200)에 가해지는 동안, 마스크(200)와 글라스(100) 사이의 거리는, 작아짐과 커짐을 반복할 수 있다. 즉 마스크(200)는 글라스(100)에 대하여 수직 이동(또는 운동)을 할 수 있다.1 and 2, while the sand blasting device 300 is operated, the first height h1 may be varied. That is, while the sand blasting device 300 is operating, the distance between the mask 200 and the glass 100 may be changed. For example, while the sand blasting device 300 is operated and the sand blow 400 is applied to the mask 200, the distance between the mask 200 and the glass 100 may be reduced and increased. That is, the mask 200 may move vertically (or move) with respect to the glass 100.
샌드 블라스트 장치(300)가 작동되는 동안, 마스크(200)는, 글라스(100)에 대하여 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다. 마스크(200)는 고정되고 글라스(100)가 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다. 또는 글라스(100)가 고정되고 마스크(200)가 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다. 또는 글라스(100)와 마스크(200)가 동시에 수평 이동(또는 운동)을 할 수 있다.While the sandblasting device 300 is operating, the mask 200 may move horizontally (or move) with respect to the glass 100. The mask 200 is fixed and the glass 100 can move horizontally (or move). Alternatively, the glass 100 is fixed and the mask 200 may move horizontally (or move). Alternatively, the glass 100 and the mask 200 may simultaneously move (or move).
마스크(200)가 글라스(100)에 대하여 수평 방향으로 이동하면, 제1 영역(101)과 제2 영역(103)은, 변화될 수 있다. 예를 들어, 마스크(200)가 글라스(100)에 대하여 수평 방향으로 이동하면, 제1 영역(101)은 제2 영역(103)이 되고 제2 영역(103)은 제1 영역(101)이 될 수 있다.When the mask 200 moves in a horizontal direction with respect to the glass 100, the first region 101 and the second region 103 may be changed. For example, when the mask 200 moves in a horizontal direction with respect to the glass 100, the first region 101 becomes the second region 103 and the second region 103 becomes the first region 101. Can be.
마스크(200)가 글라스(100)에 대하여 수직 방향 또는/및 수평 방향으로 이동함으로써, 마스크 바디(210)에 대응된 제2 영역(103)이 효과적으로 샌드 블로우(400)의 영향을 받을 수 있다. 마스크(200)의 글라스(100)에 대한 수직 방향 또는/및 수평 방향 이동은, 진자(pendulum)의 이동과 유사할 수 있다. 예를 들어 마스크(200)의 글라스(100)에 대한 수직 방향 또는/및 수평 방향 이동은, 단진자(simple pendulum)의 운동에 대응될 수 있다.As the mask 200 moves in the vertical direction and / or the horizontal direction with respect to the glass 100, the second region 103 corresponding to the mask body 210 can be effectively affected by the sand blow 400. The vertical or / or horizontal movement of the mask 200 with respect to the glass 100 may be similar to the movement of the pendulum. For example, vertical or / or horizontal movement of the mask 200 with respect to the glass 100 may correspond to movement of a simple pendulum.
도 3은, 마스크(200)의 실시예를 나타낸 도면이다. 도 3은, 마스크 패턴(220)의 상면을 나타낸 도면이다. 도 3의 (a)를 참조하면, 마스크 패턴(220)은, 마스크(200)의 중심부에서 멀어질수록 작아질 수 있다. 마스크 패턴(220)은, 마스크(200)의 중심에서 방사상으로 멀어질수록 낮은 밀도를 가지는 프로파일을 가질 수 있다.3 is a diagram showing an embodiment of the mask 200. 3 is a view showing an upper surface of the mask pattern 220. Referring to (a) of FIG. 3, the mask pattern 220 may be smaller as it moves away from the center of the mask 200. The mask pattern 220 may have a profile having a lower density as it moves radially away from the center of the mask 200.
도 3의 (b)를 참조하면, 마스크 패턴(220)은 일변(一邊)에서 타변(他邊)으로 갈수록 좁아지는 폭을 가질 수 있다. 마스크(200)의 타변은, 마스크(200)의 일변의 맞은편에 위치할 수 있다. 마스크 패턴(220)은, 마스크(200)의 일변에서 타변으로 갈수록 낮은 밀도를 가지는 프로파일을 가질 수 있다.Referring to FIG. 3B, the mask pattern 220 may have a narrowing width from one side to the other side. The other side of the mask 200 may be located opposite to one side of the mask 200. The mask pattern 220 may have a profile having a lower density from one side of the mask 200 to the other side.
도 1 내지 3에서 나타난 마스크 패턴(220) 이외에, 마스크 패턴(220)은 다양한 크기 패턴 및 밀도 패턴을 가질 수 있다. 예를 들어 전체적으로 “X” 형상을 가지는 마스크 패턴(220)이 형성될 수 있다. 예를 들어 전체적으로 물결 무늬를 가지는 마스크 패턴(220)이 형성될 수 있다.In addition to the mask pattern 220 shown in FIGS. 1 to 3, the mask pattern 220 may have various size patterns and density patterns. For example, a mask pattern 220 having an “X” shape as a whole may be formed. For example, a mask pattern 220 having a wave pattern as a whole may be formed.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 디바이스(500)의 블록도를 나타낸 도면이다. 글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 샌드 블라스트 장치(300)와 함께, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 패턴을 형성할 수 있다.4 is a block diagram of a glass pattern forming device 500 according to an embodiment of the present invention. The glass pattern forming device 500 may form a pattern on the glass 100 (see FIGS. 1 and 2) together with the sand blasting apparatus 300.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 프레임(510)을 포함할 수 있다. 프레임(510)은, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)를 수용할 수 있다. 즉 글라스(100, 도 1 및 2 참조)는 프레임(510)에 안착될 수 있다.The glass pattern forming device 500 may include a frame 510. The frame 510 can accommodate the glass 100 (see FIGS. 1 and 2). That is, the glass 100 (see FIGS. 1 and 2) may be seated on the frame 510.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 홀더(520)를 포함할 수 있다. 홀더(520)는, 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)를 지지할 수 있다. 홀더(520)는, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 대한 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)의 상대적 위치를 결정할 수 있다.The glass pattern forming device 500 may include a holder 520. The holder 520 may support the mask 200 (see FIGS. 1 to 3). The holder 520 may determine the relative position of the mask 200 (see FIGS. 1 to 3) with respect to the glass 100 (see FIGS. 1 and 2).
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 센서부(530)를 포함할 수 있다. 센서부(530)는, 제1 신호(S1)를 생성할 수 있다. 센서부(530)는, 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 상대적 위치(또는 속도) 정보를 획득할 수 있다. 제1 신호(S1)는, 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 상대적 위치(또는 속도) 정보를 포함할 수 있다. 또는 센서부(530)는, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 대한 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)의 상대적 위치(또는 속도) 정보를 획득할 수 있다. 제1 신호(S1)는, 글라스(100, 도 1 및 2 참조)에 대한 마스크(200, 도 1 내지 3 참조)의 상대적 위치(또는 속도) 정보를 포함할 수 있다.The glass pattern forming device 500 may include a sensor unit 530. The sensor unit 530 may generate the first signal S1. The sensor unit 530 may acquire relative position (or speed) information of the holder 520 with respect to the frame 510. The first signal S1 may include relative position (or speed) information of the holder 520 with respect to the frame 510. Alternatively, the sensor unit 530 may acquire the relative position (or velocity) information of the mask 200 (see FIGS. 1 to 3) with respect to the glass 100 (see FIGS. 1 and 2). The first signal S1 may include relative position (or velocity) information of the mask 200 (see FIGS. 1 to 3) with respect to the glass 100 (see FIGS. 1 and 2).
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 제어부(540)를 포함할 수 있다. 제어부(540)는, 제1 신호(S1)를 수신할 수 있다. 제어부(540)는, 제1 신호(S1) 및 기 설정된 알고리즘에 기초하여, 제2 신호(S2), 제3 신호(S3), 그리고 제4 신호(S4)를 생성할 수 있다. 출력 신호(S2, S3, S4)는, 제2 신호(S2), 제3 신호(S3), 그리고 제4 신호(S4) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다. 액추에이터 신호(S3, S4)는, 제3 신호(S3)와 제4 신호(S4) 중 적어도 하나를 의미할 수 있다.The glass pattern forming device 500 may include a control unit 540. The control unit 540 may receive the first signal S1. The controller 540 may generate the second signal S2, the third signal S3, and the fourth signal S4 based on the first signal S1 and a preset algorithm. The output signals S2, S3, and S4 may mean at least one of the second signal S2, the third signal S3, and the fourth signal S4. The actuator signals S3 and S4 may mean at least one of the third signal S3 and the fourth signal S4.
제어부(540)는, 제2 신호(S2)를 샌드 블라스트 장치(300)에 제공할 수 있다. 제2 신호(S2)는, 샌드 블라스트 장치(300)의 작동에 관한 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어 샌드 블라스트 장치(300)는, 제2 신호(S2)에 따라, 작동을 개시하거나 종료할 수 있다.The control unit 540 may provide the second signal S2 to the sand blast device 300. The second signal S2 may include information regarding the operation of the sand blast device 300. For example, the sand blast device 300 may start or end the operation according to the second signal S2.
글라스 패턴 형성 디바이스(500)는, 액추에이터부(550)를 포함할 수 있다. 액추에이터부(550)는, 프레임(510)에 결합되거나 홀더(520)에 결합될 수 있다. 또는 액추에이터부(550)는, 프레임(510)과 홀더(520)에 결합될 수 있다. 액추에이터부(550)는, 프레임(510)에 대한 홀더(520)의 상대적 위치를 변화시킬 수 있다.The glass pattern forming device 500 may include an actuator unit 550. The actuator unit 550 may be coupled to the frame 510 or to the holder 520. Alternatively, the actuator unit 550 may be coupled to the frame 510 and the holder 520. The actuator unit 550 may change the relative position of the holder 520 with respect to the frame 510.
액추에이터부(550)는, 제1 액추에이터(551)와 제2 액추에이터(553)를 포함할 수 있다. 제1 액추에이터(551)에 의한 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 이동 방향은, 제1 방향일 수 있다. 제2 액추에이터(553)에 의한 홀더(520)의 프레임(510)에 대한 이동 방향은 제2 방향일 수 있다. 제1 방향은, 제2 방향과 다를 수 있다. 예를 들어 제1 방향은, 수평 방향일 수 있다. 예를 들어 제2 방향은, 수직 방향일 수 있다.The actuator unit 550 may include a first actuator 551 and a second actuator 553. The movement direction of the holder 520 by the first actuator 551 relative to the frame 510 may be a first direction. The direction of movement of the holder 520 by the second actuator 553 relative to the frame 510 may be the second direction. The first direction may be different from the second direction. For example, the first direction may be a horizontal direction. For example, the second direction may be a vertical direction.
제1 액추에이터(551)는, 제어부(540)로부터 제3 신호(S3)를 수신할 수 있다. 제3 신호(S3)는, 제1 액추에이터(551)의 작동에 관한 정보를 포함할 수 있다. 제1 액추에이터(551)는, 제3 신호(S3)에 따라 작동될 수 있다.The first actuator 551 may receive the third signal S3 from the control unit 540. The third signal S3 may include information regarding the operation of the first actuator 551. The first actuator 551 may be operated according to the third signal S3.
제2 액추에이터(553)는, 제어부(540)로부터 제4 신호(S4)를 수신할 수 있다. 제4 신호(S4)는, 제2 액추에이터(553)의 작동에 관한 정보를 포함할 수 있다. 제2 액추에이터(553)는, 제4 신호(S4)에 따라 작동될 수 있다.The second actuator 553 may receive the fourth signal S4 from the control unit 540. The fourth signal S4 may include information regarding the operation of the second actuator 553. The second actuator 553 may be operated according to the fourth signal S4.
제어부(540)는 외부 기기와 통신할 수 있다. 제어부(540)는 통신 모듈을 포함할 수 있다. 예를 들어 제어부(540)는, 유선 통신 모듈(예를 들어 RS-232 방식)을 포함할 수 있다. 예를 들어 제어부(540)는, 무선 통신 모듈(예를 들어Wi-Fi 방식 또는 Bluetooth 방식)을 포함할 수 있다.The controller 540 may communicate with an external device. The control unit 540 may include a communication module. For example, the controller 540 may include a wired communication module (eg, RS-232 method). For example, the control unit 540 may include a wireless communication module (for example, a Wi-Fi method or a Bluetooth method).
도 5는, 본 발명의 일 실시예에 따른 글라스 패턴 형성 방법(S10)을 나타낸 플로우 차트이다. 글라스 패턴 형성 방법(S10)은, “글라스 패턴 형성 공정” 또는 “글라스 그라데이션 형성 방법” 또는 “글라스 그라데이션 형성 공정”이라 칭할 수 있다. 도 5는, 도 1 내지 4와 함께 설명될 수 있다.5 is a flow chart showing a glass pattern forming method (S10) according to an embodiment of the present invention. The glass pattern forming method S10 may be referred to as a “glass pattern forming process” or a “glass gradient forming method” or a “glass gradient forming process”. 5 can be described in conjunction with FIGS. 1 to 4.
도 5를 참조하면, 글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 마스크(200)를 글라스(100)에 배치하는 단계(S100)를 포함할 수 있다. 이 단계(S100)는, “마스크 설치 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S100)에서, 마스크(200)는, 글라스(100)에 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어 이 단계(S100)에서, 마스크(200)는 글라스(100)에 제1 높이(h1) 만큼 이격될 수 있다. 이 단계(S100)에서, 글라스(100)는 프레임(510)에 안착되고, 마스크(200)는 홀더(520)에 결합될 수 있다.Referring to FIG. 5, the glass pattern forming method (S10) may include a step (S100) of placing the mask 200 on the glass 100. This step (S100) may be referred to as a “mask installation step”. In this step (S100), the mask 200 may be disposed spaced apart from the glass 100. For example, in this step S100, the mask 200 may be spaced apart from the glass 100 by a first height h1. In this step (S100), the glass 100 is seated on the frame 510, the mask 200 may be coupled to the holder 520.
이 단계(S100)에서, 제어부(540)는 센서부(530)로부터 제1 신호(S1)를 수신할 수 있다. 이 단계(S100)에서, 제어부(540)는 제1 신호(S1)로부터 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치 정보를 획득할 수 있다. 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치가 기설정된 위치 정보와 다를 경우, 제어부(540)는 액추에이터부(550)를 작동시켜서 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치를 조정할 수 있다.In this step S100, the control unit 540 may receive the first signal S1 from the sensor unit 530. In this step (S100), the control unit 540 may obtain the relative position information of the mask 200 with respect to the glass 100 from the first signal (S1). When the relative position of the mask 200 with respect to the glass 100 is different from predetermined position information, the control unit 540 operates the actuator unit 550 to adjust the relative position of the mask 200 with respect to the glass 100. You can.
글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 글라스(100)에 입자를 분사하는 단계(S200)를 포함할 수 있다. 이 단계(S200)에서, 샌드 블라스트 장치(300)는, 마스크(200)의 상부에서 마스크(200)를 향하여 입자를 분사할 수 있다. 이 단계(S200)는, “분사 단계”라 칭할 수 있다.The glass pattern forming method (S10) may include a step (S200) of spraying particles onto the glass 100. In this step (S200), the sand blasting device 300 may spray particles toward the mask 200 from the top of the mask 200. This step S200 may be referred to as an “injection step”.
이 단계(S200)에서, 제어부(540)는 제2 신호(S2)를 샌드 블라스트 장치(300)에 제공할 수 있다. 샌드 블라스트 장치(300)는, 제2 신호(S2)를 수신하면, 샌드 블로우(400)를 마스크(200)에 제공할 수 있다.In this step S200, the controller 540 may provide the second signal S2 to the sand blast device 300. When the second blast signal S2 is received, the sand blast apparatus 300 may provide the sand blow 400 to the mask 200.
이 단계(S200)에서, 제어부(540)는, 제3 신호(S3) 또는/및 제4 신호(S4)를, 액추에이터부(550)에 제공할 수 있다. 액추에이터부(550)는, 제3 신호(S3) 또는/및 제4 신호(S4)를 수신할 수 있다. 액추에이터부(550)는, 제3 신호(S3) 또는/및 제4 신호(S4)에 따라, 글라스(100)에 대한 마스크(200)의 상대적 위치를 조정할 수 있다.In this step S200, the controller 540 may provide the third signal S3 or / and the fourth signal S4 to the actuator unit 550. The actuator unit 550 may receive the third signal S3 or / and the fourth signal S4. The actuator unit 550 may adjust the relative position of the mask 200 with respect to the glass 100 according to the third signal S3 or / and the fourth signal S4.
입자를 분사하는 단계(S200)는, 글라스(100)를 에칭(etching)하는 단계(S201)를 포함할 수 있다. 이 단계(S201)는, “에칭 단계” 또는 “식각 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S201)에서, 샌드 블라스트 장치(300)는, 샌드 블로우(400)를 제공하여 글라스(100)를 에칭할 수 있다.The step of spraying particles (S200) may include a step of etching the glass 100 (S201). This step S201 may be referred to as an “etching step” or an “etching step”. In this step (S201), the sand blasting apparatus 300 may provide the sand blow 400 to etch the glass 100.
입자를 분사하는 단계(S200)는, 글라스(100)에 입자를 증착시키는 단계(S202)를 포함할 수 있다. 이 단계(S202)는, “증착 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S202)에서, 샌드 블라스트 장치(300)는 입자를 제공하여 글라스(100) 표면에 입자를 증착시킬 수 있다.The step of spraying particles (S200) may include the step of depositing particles (S202) on the glass 100. This step S202 may be referred to as a “deposition step”. In this step (S202), the sand blasting apparatus 300 may provide particles to deposit particles on the surface of the glass 100.
글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 글라스(100)로부터 마스크(200)를 분리하는 단계(S300)를 포함할 수 있다. 이 단계(S300)는, “마스크 분리 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S300)에서, 마스크(200)는 글라스(100)로부터 분리될 수 있다.The glass pattern forming method S10 may include a step S300 of separating the mask 200 from the glass 100. This step S300 may be referred to as a “mask separation step”. In this step (S300), the mask 200 may be separated from the glass 100.
글라스 패턴 형성 방법(S10)은, 글라스(100)를 워싱(washing)하는 단계(S400)를 포함할 수 있다. 이 단계(S400)는, “워싱 단계” 또는 “세척 단계” 또는 “세정 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S400)에서, 글라스(100)는 세정될 수 있다.The glass pattern forming method S10 may include washing the glass 100 (S400). This step S400 may be referred to as a “washing step” or a “washing step” or a “washing step”. In this step (S400), the glass 100 may be cleaned.
도 6은 에칭 단계를 나타낸 플로우 차트이다. 도 6은, 도 1 내지 5와 함께 설명될 수 있다. 도 6을 참조하면, 분사 단계(S200)는, 샌드 블라스트 장치(300)의 분사를 개시하는 단계(S210)를 포함할 수 있다. 이 단계(S210)는, “개시 단계”라 칭할 수 있다. 이 단계(S210)에서, 샌드 블라스트 장치(300)의 작동이 개시될 수 있다. 이 단계(S210)에서, 샌드 블로우(400)가 마스크(200)에 가해질 수 있다.6 is a flow chart showing an etching step. 6 can be described in conjunction with FIGS. 1 to 5. Referring to FIG. 6, the spraying step (S200) may include a step (S210) of initiating spraying of the sand blasting device 300. This step S210 may be referred to as a “starting step”. In this step (S210), the operation of the sand blasting device 300 may be started. In this step (S210), a sand blow 400 may be applied to the mask 200.
이 단계(S210)에서, 마스크(200)는 글라스(100)에 대하여 수평 이동 또는/및 수직 이동할 수 있다. 예를 들어 이 단계(S210)에서, 마스크(200)는 글라스(100)에 대하여 진자 운동(이동)을 시작할 수 있다. 이 단계(S210)에서, 제어부(540)는 액추에이터부(550)를 제어하여, 마스크(200)를 글라스(100)에 대하여 주기적으로 이동하도록 할 수 있다.In this step (S210), the mask 200 may be moved horizontally and / or vertically with respect to the glass 100. For example, in this step (S210), the mask 200 may start a pendulum motion (movement) with respect to the glass 100. In this step (S210), the control unit 540 may control the actuator unit 550 to periodically move the mask 200 with respect to the glass 100.
분사 단계(S200)는, 종료 사유 발생을 판단하는 단계(S220)를 포함할 수 있다. 이 단계(S220)에서, 제어부(540)는, 분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생했는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어 제어부(540)는 외부로부터 종료 명령 정보를 포함하는 신호를 획득할 수 있다.The injection step (S200) may include a step (S220) of determining the reason for the termination. In this step (S220), the control unit 540 may determine whether the reason for the termination of the injection step (S200) has occurred. For example, the control unit 540 may obtain a signal including termination command information from the outside.
분사 단계(S200)는, 샌드 블라스트 장치(300)의 분사를 종료하는 단계(S230)를 포함할 수 있다. 분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생된 것으로 판단되면, 제어부(540)는 이 단계(S230)를 수행할 수 있다. 이 단계(S230)에서, 제어부(540)는, 샌드 블라스트 장치(300)를 종료시키고 액추에이터부(550)의 작동을 종료시킬 수 있다.The injection step (S200) may include the step (S230) of ending the injection of the sand blasting device 300. If it is determined that the reason for the termination of the injection step (S200) has occurred, the controller 540 may perform this step (S230). In this step (S230), the control unit 540 may end the sand blasting apparatus 300 and end the operation of the actuator unit 550.
분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생된 것으로 판단되지 않으면, 제어부(540)는 종료 사유 발생을 판단하는 단계(S220)를 수행할 수 있다. 분사 단계(S200)의 종료 사유가 발생된 것으로 판단되지 않으면, 제어부(540)는, 샌드 블라스트 장치(300)와 액추에이터부(550)를 지속적으로 작동시킬 수 있다.If it is not determined that the reason for the termination of the injection step S200 has occurred, the controller 540 may perform the step S220 of determining the reason for the termination. If it is not determined that the reason for the termination of the injection step S200 has occurred, the control unit 540 may continuously operate the sand blast device 300 and the actuator unit 550.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present invention is for illustration only, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be interpreted to be included in the scope of the present invention.
발명의 실시를 위한 형태는 위의 발명의 실시를 위한 최선의 형태에서 함께 기술되었다.Forms for carrying out the invention have been described together in the best mode for carrying out the invention above.
본 발명의 글라스 패턴 형성 디바이스 및 글라스 패턴 형성 방법에 따르면 글라스에 마스크를 일정 간격 이격시켜 입자를 분사할 수 있고, 상기 글라스 표면에 그라데이션을 가지는 글라스 패턴을 형성시킬 수 있다.According to the glass pattern forming device and the glass pattern forming method of the present invention, particles can be sprayed by spaced apart masks at regular intervals, and a glass pattern having a gradation can be formed on the glass surface.

Claims (7)

  1. 복수 개의 홀(hole)이 형성된 마스크를 글라스의 상면에 이격되도록 배치하는 단계(S100);Disposing a mask in which a plurality of holes are formed to be spaced apart from the upper surface of the glass (S100);
    상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하는 단계(S200);Spraying particles toward the mask from the top of the mask (S200);
    상기 마스크를 상기 글라스에서 분리시키는 단계(S300); 그리고Separating the mask from the glass (S300); And
    상기 글라스를 세정하는 단계(S400)를 포함하는,Comprising the step of cleaning the glass (S400),
    글라스 패턴 형성 방법(S10).Glass pattern forming method (S10).
  2. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 분사 단계(S200)에서,In the injection step (S200),
    상기 마스크의 상기 글라스에 대한 상대적 위치는 주기적으로 변화하는,The position of the mask relative to the glass changes periodically,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).Glass pattern forming method (S10).
  3. 제2 항에 있어서,According to claim 2,
    상기 분사 단계(S200)에서,In the injection step (S200),
    상기 마스크는,The mask,
    상기 글라스에 대하여, 수평 방향과 수직 방향으로 주기적으로 이동하는,With respect to the glass, periodically moving in the horizontal direction and the vertical direction,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).Glass pattern forming method (S10).
  4. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은,The plurality of holes formed in the mask,
    위치에 따라 다른 크기를 가지는,Different sizes depending on the location,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).Glass pattern forming method (S10).
  5. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 마스크에 형성된 복수 개의 홀은, The plurality of holes formed in the mask,
    위치에 따라 다른 수밀도를 가지는,Different water density depending on the location,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).Glass pattern forming method (S10).
  6. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 분사 단계(S200)는,The injection step (S200),
    상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하여, 상기 글라스를 에칭하는 단계(S201)를 포함하는,Including the step (S201) of etching the glass by spraying particles toward the mask from the top of the mask,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).Glass pattern forming method (S10).
  7. 제1 항에 있어서,According to claim 1,
    상기 분사 단계(S200)는,The injection step (S200),
    상기 마스크의 상부에서 상기 마스크를 향하여 입자를 분사하여, 상기 글라스에 상기 입자를 상기 글라스에 증착시키는 단계(S202)를 포함하는,Including the step (S202) of depositing the particles on the glass by spraying particles from the top of the mask toward the mask,
    글라스 패턴 형성 방법(S10).Glass pattern forming method (S10).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05285835A (en) * 1992-04-07 1993-11-02 Sony Corp Free grinding grain injection processing method and fluid bearing processed by the same method
JP2004212317A (en) * 2003-01-08 2004-07-29 Toppan Printing Co Ltd Method for forming micropore having smooth inside in glass substrate
KR20130081980A (en) * 2012-01-10 2013-07-18 한국산업기술대학교산학협력단 Apparatus and method for fine processing
KR20140085410A (en) * 2011-12-01 2014-07-07 주식회사 엘지화학 Mask
KR20180007227A (en) * 2016-07-12 2018-01-22 주식회사 원익아이피에스 Apparatus and method for processing substrate

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101567731B1 (en) 2014-10-14 2015-11-09 변인수 Method for forming micro pattern on glass by etching

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05285835A (en) * 1992-04-07 1993-11-02 Sony Corp Free grinding grain injection processing method and fluid bearing processed by the same method
JP2004212317A (en) * 2003-01-08 2004-07-29 Toppan Printing Co Ltd Method for forming micropore having smooth inside in glass substrate
KR20140085410A (en) * 2011-12-01 2014-07-07 주식회사 엘지화학 Mask
KR20130081980A (en) * 2012-01-10 2013-07-18 한국산업기술대학교산학협력단 Apparatus and method for fine processing
KR20180007227A (en) * 2016-07-12 2018-01-22 주식회사 원익아이피에스 Apparatus and method for processing substrate

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