WO2020049966A1

WO2020049966A1 - 表示装置

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Publication number: WO2020049966A1
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Inventors: 幸次朗池田; 奥山　健太郎; 正章加邉
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Abstract

本発明は、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能であって、表示画像の視認性を向上できる表示装置を提供することを目的とする。　本発明の表示装置は、第１透光性基板と第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第１透光性基板の側面及び第２透光性基板の側面の少なくとも１つに対向し、フィールドシーケンシャル方式で、第１～４色（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ）のいずれかで発光する発光部（３１，３１Ａ）と、入力される第１入力信号（ＶＳ）に含まれ、各画素に表示させる第１～３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のＲＧＢ信号に基づいて、前記第１～３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）及び第４色（Ｗ）のそれぞれの階調値を含む第２入力信号（ＶＣＳ）に変換する駆動部（４）とを含む。

Description

表示装置

　本開示は、表示装置に関する。

　特許文献１には、光変調層と光源とを有している表示装置が記載されている。光変調層は、一対の透明基板の間に配置され、所定の屈折率異方性を有するとともに、透明基板に設けられた電極によって生じる電場に対する応答性が異なる複数の光変調素子を備える。光源は、光変調層の側面から光変調層に所定の色の光を入射する。この光変調層は、電場が生じていないときは光源から入射した入射光を透過し、電場が生じているときは入射光を散乱して透明基板に射出する。

特開２０１６－８５４５２号公報

　特許文献１に記載されている表示装置では、表示の視認性を向上させようとすると、光の散乱割合を大きくする必要がある。このため、光の散乱割合を大きくするには、画素電極へ印加する電圧を高める必要がある。しかしながら、駆動回路の出力範囲の制約により、画素電極へ印加する電圧には上限がある。

　本発明の目的は、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能であって、表示パネルに表示する画像の視認性を向上できる表示装置を提供することにある。

　一態様に係る表示装置は、第１透光性基板と、前記第１透光性基板と対向する第２透光性基板と、前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、前記第１透光性基板の側面及び前記第２透光性基板の側面の少なくとも１つに対向する少なくとも１つの発光部と、前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極を備え、フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、第１色、第２色、第３色及び第４色のいずれかが発光し、入力される第１入力信号に含まれ、各画素に表示させる前記第１色、前記第２色及び前記第３色のＲＧＢ信号に基づいて、前記第１色、前記第２色、前記第３色及び前記第４色のそれぞれの階調値を含む第２入力信号に変換する駆動回路と、を含む。

図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図２は、実施形態１の表示装置を表すブロック図である。図３は、実施形態１のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。図１０は、画素を示す平面図である。図１１は、図１０のＢ１－Ｂ２の断面図である。図１２は、本実施形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。図１３は、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。図１４は、入力信号値から出力信号値への信号処理による輝度増加を説明する図である。図１５は、彩度の変化に対して伸長係数が常に一定で変化しない例を示す図である。図１６は、実施形態１の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図１７は、彩度の変化に対して伸長係数が変化する例を示す図である。図１８は、実施形態２の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図１９は、実施形態３の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図２０は、実施形態４の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図２１は、実施形態５の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部の発光強度の一例である。図２２は、実施形態６において、発光体の温度特性の一例である。図２３は、実施形態６の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図２４は、実施形態７の表示装置を表すブロック図である。図２５は、実施形態８のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。図２６は、実施形態８の変形例１のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。図２７は、実施形態８の変形例２のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。図２８は、実施形態８の変形例３のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。図２９は、実施形態９の表示装置を表すブロック図である。図３０は、実施形態１０のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。図３１は、実施形態１０において、入力信号値から出力信号値への信号処理による輝度増加を説明する図である。図３２は、実施形態１０の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図３３は、実施形態１０の変形例１の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図３４は、実施形態１０の変形例２の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図３５は、実施形態１０の変形例３の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図３６は、実施形態１０の変形例４の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。

　本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
　図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図２は、図１の表示装置を表すブロック図である。図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

　図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、サイド光源装置３と、駆動回路４と、外光設定部６１とを有する。ここで、表示パネル２の平面の一方向がＰＸ方向とされ、ＰＸ方向と直交する方向がＰＹ方向とされ、ＰＸ－ＰＹ平面に直交する方向がＰＺ方向とされている。

　表示パネル２は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０（図５参照）とを備えている。第２透光性基板２０は、第１透光性基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向する。液晶層５０（図５参照）は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、封止部１９とで、後述する高分子分散型液晶が封止されている。

　図１に示すように、表示パネル２において、封止部１９の内側が、表示領域ＡＡとなる。表示領域ＡＡには、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるｍ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｎ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線１２が行毎に配線され、複数の信号線１３が列毎に配線されている。

　サイド光源装置３は、複数の発光部３１を備えている。図２に示すように、光源制御部３２は、駆動回路４に含まれる。なお、光源制御部３２は、駆動回路４の回路とは別の回路にしてもよい。発光部３１と、光源制御部３２とは、第１透光性基板１０内の配線で電気的に接続されている。

　例えば、外光設定部６１は可視光センサであり、可視光センサが例えば、外部光源Ｑの外光６９を検出し、外光６９を波長に従って分光して得た三刺激値の情報を外光情報の信号ＥＬＶとして生成する。外光設定部６１は生成した外光情報の信号ＥＬＶを駆動回路４へ伝送する。外光設定部６１は、第１透光性基板１０の表面に固定されている。外光設定部６１は、表示パネル２の周囲の外光６９を検出できれば、固定される位置は問わない。

　例えば、外光設定部６１は、可視光センサに限られず、外光の設定スイッチであってもよい。外光の設定スイッチは、観察者により外光６９の可視光に応じて予め設定された外光情報の設定値に基づいて、外光情報の信号ＥＬＶを生成する。例えば、外光の設定スイッチは、太陽光晴天モード（第１環境モード）、太陽光曇天モード（第２環境モード）、屋内使用モード（第３環境モード）、夜間使用モード（第４環境モード）などの複数の環境モード毎に、外光情報である外光三刺激値の設定値が定められている。外光設定部６１は生成した外光情報の信号ＥＬＶを駆動回路４へ伝送する。外光設定部６１が外光の設定スイッチである場合は、外光の設定スイッチの固定される位置は、外光情報の信号ＥＬＶが駆動回路４に伝送可能な位置であれば、制限されない。

　図１に示すように、駆動回路４は、第１透光性基板１０の表面に固定されている。図２に示すように、駆動回路４は、解析部４１、画素制御部４２、ゲート駆動部４３、ソース駆動部４４及び共通電位駆動部４５を備えている。第１透光性基板１０は、第２透光性基板２０よりもＸＹ平面の面積が大きく、第２透光性基板２０から露出した第１透光性基板１０の張り出し部分に、駆動回路４が設けられる。

　解析部４１には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から、フレキシブル基板９２を介して、入力信号（ＲＧＢ信号など）ＶＳが入力される。

　解析部４１は、入力信号解析部４１１と、記憶部４１２と、信号調整部４１３とを備える。入力信号解析部４１１は、外部から入力された第１入力信号ＶＳに基づいて第２入力信号ＶＣＳを生成する。

　第２入力信号ＶＣＳは、第１入力信号ＶＳに基づいて、表示パネル２の各画素Ｐｉｘにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第２入力信号ＶＣＳは、各画素Ｐｉｘの階調値に関する階調情報を含む信号である。

　入力信号解析部４１１には、上述した外光設定部６１からの外光情報の信号ＥＬＶが入力される。入力信号解析部４１１は、後述するように外光情報の信号ＥＬＶに応じた第２入力信号ＶＣＳを生成する。

　信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。信号調整部４１３は、第３入力信号ＶＣＳＡを画素制御部４２へ送出し、光源制御信号ＬＣＳＡを光源制御部３２へ送出する。光源制御信号ＬＣＳＡは、例えば、画素Ｐｉｘへの入力階調値に応じて設定される発光部３１の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部３１の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部３１の光量は大きく設定される。

　そして、画素制御部４２は、第３入力信号ＶＣＳＡに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが発光部３１が発光可能な色毎に生成される。

　ゲート駆動部４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネル２の走査線１２を順次選択する。走査線１２の選択の順番は任意である。

　ソース駆動部４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネル２の各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号を供給する。

　本実施形態において、表示パネル２はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視でＰＹ方向に延在する信号（ソース）線１３及びＰＸ方向に延在する走査（ゲート）線１２を有し、信号線１３と走査線１２との交差部にスイッチング素子Ｔｒを有する。

　スイッチング素子Ｔｒとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Ｔｒとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線１３に接続され、ゲート電極は走査線１２に接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は液晶の容量ＬＣの一端に接続されている。液晶の容量ＬＣは、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極１６を介して接続され、他端が共通電極２２を介してコモン電位ＣＯＭに接続されている。コモン電位ＣＯＭは、共通電位駆動部４５より供給される。

　発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３３Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３３Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３３Ｂを備えている。光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。

　図３に示すように、第１サブフレーム（第１所定時間）ＲＦにおいて、第１色の発光期間ＲＯＮで第１色の発光体３３Ｒが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第１色の発光期間ＲＯＮにおいて第１色のみ点灯している。

　次に、第２サブフレーム（第２所定時間）ＧＦにおいて、第２色の発光期間ＧＯＮで第２色の発光体３３Ｇが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第２色の発光期間ＧＯＮにおいて第２色のみ点灯している。

　さらに、第３サブフレーム（第３所定時間）ＢＦにおいて、第３色の発光期間ＢＯＮで第３色の発光体３３Ｂが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第３色の発光期間ＢＯＮにおいて第３色のみ点灯している。

　さらに、第４サブフレーム（第４所定時間）ＷＦにおいて、第４色の発光期間ＷＯＮで第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂが同時発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第４色の発光期間ＷＯＮにおいて第４色のみ点灯している。このように、表示装置１において、１つのフレーム期間において、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の期間ＷＯＮが順に処理される。

　人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、１フレーム（１Ｆ）の期間に４色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第１色、第２色、第３色毎に画素Ｐｉｘを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよいので、解像度を高めることが容易となる。

　図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図５は、図６のＶ－Ｖ’断面である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

　１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極１６への印加電圧が変わる。画素電極１６への印加電圧が変わると、画素電極１６と、共通電極２２との間の電圧が変化する。そして、図４に示すように、画素電極１６への印加電圧に応じて、画素Ｐｉｘ毎の液晶層５０の散乱状態が制御され、画素Ｐｉｘ内の散乱割合が変化する。

　図４に示すように、画素電極１６への印加電圧が飽和電圧Ｖｓａｔ以上となると、画素Ｐｉｘ内の散乱割合の変化が小さくなる。そこで、駆動回路４は、飽和電圧Ｖｓａｔよりも低い電圧範囲Ｖｄｒにおいて、垂直駆動信号ＶＤＳに応じた画素電極１６への印加電圧を変化させる。

　図５及び図６に示すように、第１透光性基板１０は、第１主面１０Ａ、第２主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、第３側面１０Ｅ及び第４側面１０Ｆを備える。第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとは、平行な平面である。また、第１側面１０Ｃと第２側面１０Ｄとは、平行な平面である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆとは、平行な平面である。

　図５及び図６に示すように、第２透光性基板２０は、第１主面２０Ａ、第２主面２０Ｂ、第１側面２０Ｃ、第２側面２０Ｄ、第３側面２０Ｅ及び第４側面２０Ｆを備える。第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとは、平行な平面である。第１側面２０Ｃと第２側面２０Ｄとは、平行な平面である。第３側面２０Ｅと第４側面２０Ｆとは、平行な平面である。

　図５及び図６に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄに対向する。図５に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄは、光入射面となる。

　図５に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向に伝播する。第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部へ光源光Ｌが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Ｌが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Ｌが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで全反射する。

　図５に示すように、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａがそれぞれ第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから外部に放射される。第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａからそれぞれ外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。以下、図７から図９を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。

　図７に示すように、第１透光性基板１０には、第１配向膜５５が設けられている。第２透光性基板２０には、第２配向膜５６が設けられている。第１配向膜５５及び第２配向膜５６は、例えば、垂直配向膜である。

　液晶とモノマーを含む溶液が第１透光性基板１０と第２透光性基板２０との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第１配向膜５５及び第２配向膜５６によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク５１を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型の液晶を有する液晶層５０が形成される。

　このように、液晶層５０は、高分子によって形成されたバルク５１と、バルク５１内に分散された複数の微粒子５２と、を有する。微粒子５２は、液晶によって形成されている。バルク５１及び微粒子５２は、それぞれ光学異方性を有している。

　微粒子５２に含まれる液晶の配向は、画素電極１６と共通電極２２との間の電圧差によって制御される。画素電極１６への印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Ｐｉｘを通過する光の散乱の度合いが変化する。

　例えば、図８に示すように、画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態では、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しい。微粒子５２の光軸Ａｘ２は、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無に関わらず、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。

　バルク５１と微粒子５２の常光屈折率は互いに等しい。画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク５１と微粒子５２との間の屈折率差がゼロになる。液晶層５０は、光源光Ｌを散乱しない非散乱状態となる。光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、発光部３１から遠ざかる方向に伝播する。液晶層５０が光源光Ｌを散乱しない非散乱状態であると、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

　図９に示すように、電圧が印加された画素電極１６と共通電極２２との間では、微粒子５２の光軸Ａｘ２は、画素電極１６と共通電極２２との間に発生する電界によって傾くことになる。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極１６がある画素Ｐｉｘにおいて、光源光Ｌが散乱される。上述したように散乱された光源光Ｌの一部が第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された光は、観察者に観察される。

　電圧が印加されていない画素電極１６がある画素Ｐｉｘでは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置１は、画像出力部９１から第１入力信号ＶＳが入力されると、画像が表示される画素Ｐｉｘの画素電極１６に電圧が印加され、第３入力信号ＶＣＳＡに基づく画像が背景とともに視認される。

　電圧が印加された画素電極１６がある画素Ｐｉｘにおいて光源光Ｌが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。

　図１０は、画素を示す平面図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ’の断面図である。図１、図２及び図１０に示すように、第１透光性基板１０には、複数の信号線１３と複数の走査線１２とが平面視において格子状に設けられている。隣り合う走査線１２と隣り合う信号線１３とで囲まれる領域が、画素Ｐｉｘである。画素Ｐｉｘには、画素電極１６とスイッチング素子Ｔｒとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Ｔｒは、走査線１２と電気的に接続されているゲート電極１２Ｇと平面視において重畳する半導体層１５を有する。

　走査線１２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線であり、信号線１３は、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。

　半導体層１５は、平面視において、ゲート電極１２Ｇからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極１２Ｇ側から半導体層１５に向かう光源光Ｌが反射され、半導体層１５に光リークが生じにくくなる。

　図１０に示すように、信号線１３と電気的に接続するソース電極１３Ｓは、平面視において、半導体層１５の一端部と重畳している。

　図１０に示すように、平面視において、半導体層１５の中央部を挟んでソース電極１３Ｓと隣り合う位置には、ドレイン電極１４Ｄが設けられている。ドレイン電極１４Ｄは、平面視において、半導体層１５の他端部と重畳している。ソース電極１３Ｓ及びドレイン電極１４Ｄと重畳しない部分は、スイッチング素子Ｔｒのチャネルとして機能する。図１１に示すように、ドレイン電極１４Ｄと接続される導電性配線１４は、スルーホールＳＨで画素電極１６と電気的に接続されている。

　図１１に示すように、第１透光性基板１０は、例えばガラスで形成された第１基材１１を有している。第１基材１１は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第１基材１１上には、第１絶縁層１７ａが設けられ、第１絶縁層１７ａ上に走査線１２及びゲート電極１２Ｇが設けられる。また、走査線１２を覆って第２絶縁層１７ｂが設けられている。第１絶縁層１７ａ、第２絶縁層１７ｂは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。

　第２絶縁層１７ｂ上には、半導体層１５が積層されている。半導体層１５は、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。

　第２絶縁層１７ｂ上には、半導体層１５の一部を覆うソース電極１３Ｓ及び信号線１３と、半導体層１５の一部を覆うドレイン電極１４Ｄと、導電性配線１４とが設けられている。ドレイン電極１４Ｄは、信号線１３と同じ材料で形成されている。半導体層１５、信号線１３及びドレイン電極１４Ｄ上には、第３絶縁層１７ｃが設けられている。第３絶縁層１７ｃは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。

　第３絶縁層１７ｃ上には、画素電極１６が設けられている。画素電極１６は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電部材によって形成されている。画素電極１６は、第３絶縁層１７ｃに設けられたコンタクトホールを介して導電性配線１４及びドレイン電極１４Ｄと電気的に接続されている。画素電極１６の上には、第１配向膜５５が設けられている。

　第２透光性基板２０は、例えばガラスで形成された第２基材２１を有している。第２基材２１は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第２基材２１には、共通電極２２が設けられている。共通電極２２は、ＩＴＯなどの透光性導電部材によって形成されている。共通電極２２の表面には、第２配向膜５６が設けられている。

　図１２は、本実施形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。図１３は、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。入力信号解析部４１１は、外部から表示する画像の情報である第１入力信号ＶＳが入力される。第１入力信号ＶＳは、各画素に対して、その位置で表示する画像（色）の情報を第１入力信号ＶＳに含んでいる。

　図２に示す入力信号解析部４１１は、第１入力信号ＶＳを処理することで、ＲＧＢＷ信号を生成し、信号調整部４１３に出力する。

　表示装置１は、第４色の発光期間ＷＯＮを備えることで、図１２に示すＨＳＶ色空間（再現ＨＳＶ色空間）における明度のダイナミックレンジを広げることができる。信号調整部４１３は、外光情報の信号ＥＬＶに応じた伸長係数Ｚを記憶部４１２から読み出す。実施形態１において、伸長係数Ｚは、後述するように１以上の係数である。

　図１４に示すように、入力信号解析部４１１において、図２に示す第１入力信号ＶＳが含む各画素ＰｉｘのＲＧＢ信号［Ｒ_ｉ，Ｇ_ｉ，Ｂ_ｉ］をＨＳＶ変換し、求めた彩度Ｓ及び伸長係数Ｚに基づいて、各画素のＲＧＢＷ信号［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］を算出する。

　具体的には、入力信号解析部４１１は、彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）として、Ｓ＝（Ｍａｘ－Ｍｉｎ）／Ｍａｘ及びＶ（Ｓ）＝Ｍａｘで演算する。彩度Ｓは０から１までの値をとることができ、明度Ｖ（Ｓ）は０から（２^ｎ－１）までの値をとることができ、ｎは表示階調ビット数である。

　ここで、Ｍａｘは、第１入力信号ＶＳに含まれ、１つの画素Ｐｉｘに表示させる、第１色の階調値Ｒ_ｉ、第２色の階調値Ｇ_ｉ及び第３色の階調値Ｂ_ｉのうち、最大値である。例えば、図１４において、第２色の階調値Ｇ_ｉがＭａｘとなる。

　また、Ｍｉｎは、第１入力信号ＶＳに含まれ、１つの画素Ｐｉｘに表示させる、第１色の階調値Ｒ_ｉ、第２色の階調値Ｇ_ｉ及び第３色の階調値Ｂ_ｉのうち、最小値である。例えば、図１４において、第３色の階調値Ｂ_ｉがＭｉｎとなる。

　色相Ｈは、図１３に示すように０°から３６０°で表される。０°から３６０°に向かって、赤（Ｒｅｄ）、黄色（Ｙｅｌｌｏｗ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、シアン（Ｃｙａｎ）、青（Ｂｌｕｅ）、マゼンダ（Ｍａｇｅｎｔａ）、赤となる。

　実施形態１では、伸長係数Ｚは、記憶部４１２に記憶されている。上述したように、外光情報の信号ＥＬＶが閾値以上である場合、又は、太陽光晴天モード（第１環境モード）、太陽光曇天モード（第２環境モード）、屋内使用モード（第３環境モード）のいずれか１つである場合に、伸長係数Ｚは、１より大きく、彩度Ｓの大きさに関わらず一定の値である。例えば、図１５に示すように、彩度Ｓの大きさに関わらず伸長係数Ｚは２となる。

　外光情報の信号ＥＬＶが閾値より小さい場合、又は、夜間使用モード（第４環境モード）である場合に、伸長係数Ｚは、１である。

　これにより、外光６９の影響が大きい場合又は外光６９の影響が大きいと設定されている場合、伸長係数Ｚは、１より大きくなる。

　記憶部４１２には、発光部３１における第４色の輝度増加比χが記憶されている。輝度増加比χは、所定のＰＷＭデューティ比において、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂを同時駆動した輝度を、同じＰＷＭデューティ比において、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂのそれぞれが単独駆動した各輝度の平均で割った値である。

　入力信号解析部４１１は、χを表示装置に依存した定数としたとき、各画素のＲＧＢＷ信号［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］を、次に示す式（１）～式（４）から求める。
Ｒ_０＝Ｚ・Ｒ_ｉ－χ・Ｗ_０・・・（１）
Ｇ_０＝Ｚ・Ｇ_ｉ－χ・Ｗ_０・・・（２）
Ｂ_０＝Ｚ・Ｂ_ｉ－χ・Ｗ_０・・・（３）
Ｗ_０＝Ｍｉｎ・Ｚ／χ・・・（４）

　このように、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、第１色の階調値Ｒ_０、第２色の階調値Ｇ_０、及び第３色の階調値Ｂ_０は、１以上の伸長係数Ｚと、第１入力信号ＶＳに含まれる、第１色の階調値Ｒ_ｉ、第２色の階調値Ｇ_ｉ、及び第３色の階調値Ｂ_ｉの関数に基づいて求められる。

　第２入力信号ＶＣＳに含まれる第４色の階調値Ｗ_０は、伸長係数Ｚと、発光部３１における第４色の輝度増加比χと、第１入力信号ＶＳに含まれる第１色の階調値Ｒ_ｉ、第２色の階調値Ｇ_ｉ、及び第３色の階調値Ｂ_ｉのうちの最小値Ｍｉｎとの関数に基づいて求められる。

　伸長係数Ｚにより、第１色の階調値Ｒ_０、第２色の階調値Ｇ_０、及び第３色の階調値Ｂ_０は、第４色の階調値Ｗ_０があるため、第１色の階調値Ｒ_ｉ、第２色の階調値Ｇ_ｉ、及び第３色の階調値Ｂ_ｉをそのまま表示するよりも、視認しやすくなる。

　なお、ＨＳＶ変換せず、入力信号解析部４１１は、図２に示す第１入力信号ＶＳが含む各画素のＲＧＢ信号［Ｒ_ｉ，Ｇ_ｉ，Ｂ_ｉ］を伸長係数Ｚに基づいて、各画素のＲＧＢＷ信号［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］を算出するようにしてもよい。

　信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。第３入力信号ＶＣＳＡは、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］にそれぞれ比例する階調値［Ｒ_１，Ｇ_１，Ｂ_１，Ｗ_１］とする。

　図１６に示すように、実施形態１の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。図１６に示すように、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮの発光部３１のＰＷＭデューティ比は同じになる。

　ここで、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第１色、第２色、第３色のうちの最大階調は、階調値Ｇ_１である。階調値Ｇ_１による画素電極１６の印加電圧は、印加電圧の増加に応じて当該画素Ｐｉｘの散乱割合の変化が小さくなる飽和電圧Ｖｓａｔよりも小さい。このため、駆動回路４は、出力範囲に制約されず、駆動回路４は、上限以下で、画素電極１６に電圧を印加できる。

　また、信号調整部４１３は、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。この光源制御信号ＬＣＳＡの階調値［ＬＲ_１，ＬＧ_１，ＬＢ_１，ＬＷ_１］に基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３ＢをＰＷＭデューティ比１００％で駆動する。

　第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮの画素電極の印加電圧は、第１色の階調値Ｒ_０、第２色の階調値Ｇ_０、第３色の階調値Ｂ_０及び第４色の階調値Ｗに比例している。

　以上説明したように、フィールドシーケンシャル方式により、発光部３１において、第１色、第２色、第３色及び第４色のいずれかが発光する。駆動回路４は、入力される第１入力信号ＶＳに含まれ、各画素に表示させる第１色、第２色及び第３色のＲＧＢ信号［Ｒ_ｉ，Ｇ_ｉ，Ｂ_ｉ］に基づいて、第２入力信号ＶＣＳに変換する。第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］は、第１色、第２色、第３色及び第４色のそれぞれの階調値である。

　これにより、第１色、第２色、及び第３色よりも輝度の高い第４色が発光するので、表示装置１は、視認性が向上する。

（実施形態１の変形例）
　図１７は、彩度の変化に対して伸長係数が変化する例を示す図である。図１７に示すように、彩度Ｓが大きい信号値に対しては伸長係数Ｚを小さく、彩度Ｓの小さい信号値に対しては伸長係数Ｚ大きくするようにした。すなわち、彩度Ｓの増加にしたがって、伸長係数Ｚは小さくなっている。

　Ｚ（Ｓ）＝Ｖｍａｘ（Ｓ）／Ｖ（Ｓ）・・・（５）
　ここで、入力信号解析部４１１は、図１３に示す彩度及び色相の座標（値）における明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）の値を記憶部４１２に記憶している。彩度Ｓは、下記式（６）で演算される。明度Ｖ（Ｓ）は、下記式（７）で演算される。
　Ｓ＝２５５・（１－Ｍｉｎ／Ｍａｘ）・・・（６）
　Ｖ（Ｓ）＝（Ｍａｘ／２５５）^２．２・・・（７）

　実施形態１の変形例において、表示装置１及びその駆動方法は、下記式（５）に示すように、伸長係数Ｚを入力信号のＭａｘ、Ｍｉｎの関数とすることによって、画質劣化を抑えつつ、輝度の向上が可能となる。

（実施形態２）
　図１８は、実施形態２の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　記憶部４１２には、発光部３１における第４色の輝度増加比χが記憶されている。実施形態２において、輝度増加比χは、所定のＰＷＭデューティ比において、第４色の発光体３３Ｗの輝度を、同じＰＷＭデューティ比において、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂのそれぞれが単独駆動した各輝度の平均で割った値である。

　図１２に示すような、第４の色を加えることによって拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）が、例えば、記憶部４１２に一種のルック・アップ・テ－ブルとして記憶されている。あるいは、拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）は、都度、入力信号解析部４１１において求められる。

（第１工程）
　まず、入力信号解析部４１１は、画素Ｐｉｘの第１入力信号ＶＳに基づき、画素Ｐｉｘにおける彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）を求める。入力信号解析部４１１は、この処理を、全ての画素Ｐｉｘに対して行う。

（第２工程）
　次いで、入力信号解析部４１１は、下記式（８）に基づいて、各画素Ｐｉｘにおいて求められたＶｍａｘ（Ｓ）／Ｖ（Ｓ）に基づき伸長係数α（Ｓ）を求める。

　α（Ｓ）＝Ｖｍａｘ（Ｓ）／Ｖ（Ｓ）・・・（８）

　記憶部４１２には、予め限界値β（Ｌｉｍｉｔ値）が記憶されている。明度Ｖ（Ｓ）と伸長係数α（Ｓ）の積から求められた伸長された明度の値が最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）を超える画素の全画素に対する割合が限界値β（Ｌｉｍｉｔ値）以下となるような伸長係数α（Ｓ）を伸長係数Ｚとして決定する。

（第３工程）
　次に、入力信号解析部４１１は、上述した式（４）に基づいて、階調値Ｗ_０を求める。入力信号解析部４１１は、全ての画素Ｐｉｘにおいて階調値Ｗ_０を求める。

（第４工程）
　その後、入力信号解析部４１１は、各画素Ｐｉｘにおける階調値Ｒ_０、Ｇ_０及びＢ_０を、上述した式（１）、式（２）、式（３）に基づいて、求める。

　ここで、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮの発光部３１のＰＷＭデューティ比を（１／Ｚ）倍とする。

　実施形態２において、（１／Ｚ）倍がＰＷＭデューティ比７０％となるように、信号調整部４１３は、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。この光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_２，ＬＧ_２，ＬＢ_２，ＬＷ_２］に基づいて、駆動回路４は、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３ＢをＰＷＭデューティ比７０％で駆動する。

　信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。第３入力信号ＶＣＳＡにおいて、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］は、階調値［Ｒ_２，Ｇ_２，Ｂ_２，Ｗ_２］と等しい。

　発光部３１は、伸長係数Ｚの逆数に比例するＰＷＭデューティ比で駆動される。このように、駆動回路４は、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂを一律に下げて駆動するので、低消費電力となる。

（実施形態３）
　図１９は、実施形態３の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図１９に示すように、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮの発光部３１のＰＷＭデューティ比は異なる。

　信号調整部４１３は、階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］のうち、０でなく、かつ最小の階調値を特定して基準値とする。実施形態３では、階調値Ｂ_０が基準値である。次に、信号調整部４１３は、下記式（９）に示すように、第３入力信号ＶＣＳＡの階調値［Ｒ_３，Ｇ_３，Ｂ_３，Ｗ_３］を以下の値となるように演算する。
Ｒ_３＝Ｇ_３＝Ｂ_３＝Ｗ_３＝Ｂ_０・・・（９）

　次に、信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］に基づいて、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。基準のＰＷＭディーティ比ＬＳとすると、光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_３，ＬＧ_３，ＬＢ_３，ＬＷ_３］は、信号値［ＬＳ×Ｒ_０／Ｂ_０，ＬＳ×Ｇ_０／Ｂ_０，ＬＳ×Ｂ_０／Ｂ_０，ＬＳ×Ｗ_０／Ｂ_０］となる。

　以上説明したように、駆動回路４又は解析部４１は、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第１色、第２色、第３色のうちの１つの階調値を基準値として選択する。そして、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮにおいて、上述した基準値の階調値Ｂ_０に基づいて、一定の第１電極である画素電極１６の印加電圧が印加される。

　第１色の発光期間ＲＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第１色の階調値Ｒ_０が基準値の階調値Ｂ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

　第２色の発光期間ＧＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第２色の階調値Ｇ_０が基準値の階調値Ｂ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

　第３色の発光期間ＢＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第３色の階調値Ｂ_０が基準値の階調値Ｂ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

　第４色の発光期間ＷＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第４色の階調値Ｗ_０が基準値の階調値Ｂ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

　これにより、１フレームの間、画素電極１６の印加電圧が一定となるので、画素電極１６の印加電圧の駆動周波数を下げることができる。

（実施形態４）
　図２０は、実施形態４の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図２０に示すように、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮの発光部３１のＰＷＭデューティ比は異なる。

　信号調整部４１３は、階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］のうち、０でなく、かつ２番目の階調値（中間階調値）を特定して基準値とする。実施形態４では、階調値Ｒ_０が基準値である。次に、信号調整部４１３は、下記式（１０）に示すように、第３入力信号ＶＣＳＡの階調値［Ｒ_４，Ｇ_４，Ｂ_４，Ｗ_４］を以下の値となるように演算する。
Ｒ_４＝Ｇ_４＝Ｂ_４＝Ｗ_４＝Ｒ_０・・・（１０）

　次に、信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］に基づいて、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。基準のＰＷＭディーティ比ＬＳとすると、光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_４，ＬＧ_４，ＬＢ_４，ＬＷ_４］は、信号値［ＬＳ×Ｒ_０／Ｒ_０，ＬＳ×Ｇ_０／Ｒ_０，ＬＳ×Ｂ_０／Ｒ_０，ＬＳ×Ｗ_０／Ｒ_０］となる。

　以上説明したように、駆動回路４又は解析部４１は、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第１色、第２色、第３色のうちの１つの階調値を基準値として選択する。そして、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮにおいて、上述した基準値の階調値Ｒ_０に基づいて、一定の第１電極である画素電極１６の印加電圧が印加される。

　第１色の発光期間ＲＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第１色の階調値Ｒ_０が基準値の階調値Ｒ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

　第２色の発光期間ＧＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第２色の階調値Ｇ_０が基準値の階調値Ｒ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

　第３色の発光期間ＢＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第３色の階調値Ｂ_０が基準値の階調値Ｒ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

　第４色の発光期間ＷＯＮでは、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第４色の階調値Ｗ_０が基準値の階調値Ｒ_０で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で、発光部３１が制御される。

（実施形態５）
　図２１は、実施形態５の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部の発光強度の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図２１に示すように、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮの発光部３１のＰＷＭデューティ比は１００％であり、いずれの発光強度も７０％で同じになる。

　信号調整部４１３は、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。この光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_２，ＬＧ_２，ＬＢ_２，ＬＷ_２］に基づいて、駆動回路４は、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３ＢをＰＷＭデューティ比７０％で駆動する。

　信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。第３入力信号ＶＣＳＡは、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］にそれぞれ比例する階調値［Ｒ_５，Ｇ_５，Ｂ_５，Ｗ_５］とする。階調値［Ｒ_５，Ｇ_５，Ｂ_５，Ｗ_５］は、階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］の１００／７０倍である。

　第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮ及び第４色の発光期間ＷＯＮの画素電極の印加電圧は、第１色の階調値Ｒ_０、第２色の階調値Ｇ_０、第３色の階調値Ｂ_０及び第４色の階調値Ｗoに比例している。

（実施形態６）
　図２２は、実施形態６において、発光体の温度特性の一例である。図２３は、実施形態６の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図２２に示すように、第１色の発光体３３Ｒは、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂと温度特性が異なる。第１色の発光体３３Ｒの主な材料は、アルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＩｎＧａＰ）であるのに対し、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂの主な材料は、窒化ガリウム（ＧａＮ）であるからである。

　信号調整部４１３は、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。この光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_６，ＬＧ_６，ＬＢ_６，ＬＷ_６］に基づいて、駆動回路４は、第１色の発光体３３Ｒを、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３ＢよりもＰＷＭデューティ比が小さい値で駆動する。例えば、駆動回路４は、第１色の発光体３３ＲをＰＷＭデューティ比７０％で駆動し、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３ＢをＰＷＭデューティ比１００％で駆動する。

　信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。第３入力信号ＶＣＳＡは、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］に対して、下記式（１１）から式（１４）の関係を有する階調値［Ｒ_６，Ｇ_６，Ｂ_６，Ｗ_６］とする。
Ｒ_６＝１００／７０×Ｒ_０・・・（１１）
Ｇ_６＝Ｇ_０・・・（１２）
Ｂ_６＝Ｂ_０・・・（１３）
Ｗ_６＝Ｗ_０・・・（１４）

　第１色の階調値Ｒ_６が、第１色の階調値Ｒ_０よりも大きくなるので、第１色の発光体３３ＲのＰＷＭデューティ比が小さく設定される。第１色の発光体３３Ｒは、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂよりも発熱温度Ｔａの増加に対して相対光度が低下する温度特性を有する。第１色の発光体３３Ｒは、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂよりも、ＰＷＭデューティ比に小さい係数が乗算された状態で、駆動される。これにより、第１色の発光体３３Ｒの発熱が抑制され、温度上昇による相対光度の低下が抑制される。

（実施形態７）
　図２４は、実施形態７の表示装置を表すブロック図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図２４に示すように、発光部３１は、第１色の発光体３３Ｒと、第２色の発光体３３Ｇと、第３色の発光体３３Ｂと、第４（例えば、白色）の発光体３３Ｗとを備えている。

　図３に示すように、第４サブフレーム（第４所定時間）ＷＦにおいて、第４色の発光期間ＷＯＮで第４色の発光体３３Ｗが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第４色の発光期間ＷＯＮにおいて第４色のみ点灯している。

　光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ、第３色の発光体３３Ｂ及び第４色の発光体３３Ｗのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ、第３色の発光体３３Ｂ及び第４色の発光体３３Ｗは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。

　実施形態７の表示装置は、上述した実施形態１から実施形態６にも適用できる。また、実施形態７の表示装置は、後述する他の実施形態にも適用できる。

（実施形態８）
　図２５は、実施形態８のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　図２５に示すように、Ｎフレームの期間（第１のフレーム期間）と、Ｎフレームの期間の次のＮ＋１フレームの期間（第２のフレーム期間）とが交互に繰り替えされる。Ｎフレームの期間では、第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ及び第３サブフレームＢＦが順に処理される。第３サブフレームＢＦでは、Ｎフレームの期間とＮ＋１フレームの期間における階調値Ｂ_０の平均値に基づいて、処理される。

　Ｎ＋１フレームの期間では、第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ及び第４サブフレームＷＦが順に処理される。これにより、第４サブフレームＷＦが２つのフレームの期間で１つとなり、輝度が向上する。また、図３に示す処理に比べて、１フレームにおける第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ又は第３サブフレームＢＦの割合を増える。その結果、第１色、第２色、第３色の発色がよくなり、視認性が向上する。

（実施形態８の変形例１）
　図２６は、実施形態８の変形例１のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　図２６に示すように、Ｎフレームの期間と、Ｎ＋１フレームの期間とが交互に繰り返し処理される。Ｎフレームの期間では、第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ及び第３サブフレームＢＦが順に処理される。

　Ｎ＋１フレームの期間では、第４サブフレームＷＦ、第１サブフレームＲＦ及び第２サブフレームＧＦが順に処理される。これにより、第４サブフレームＷＦが２つのフレームの期間で１つとなり、輝度が向上する。また、図３に示す処理に比べて、１フレームにおける第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ又は第３サブフレームＢＦの割合を増える。その結果、第１色、第２色、第３色の発色がよくなり、視認性が向上する。

（実施形態８の変形例２）
　図２７は、実施形態８の変形例２のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　図２７に示すように、Ｎフレームの期間（第１のフレーム期間）と、Ｎ＋１フレームの期間（第２のフレーム期間）、Ｎ＋２フレームの期間（第３のフレーム期間）、及びＮ＋３フレームの期間（第４のフレーム期間）が処理され、繰り返し処理される。Ｎフレームの期間では、第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ及び第３サブフレームＢＦが順に処理される。

　Ｎ＋１フレームの期間では、第４サブフレームＷＦ、第１サブフレームＲＦ及び第２サブフレームＧＦが順に処理される。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　Ｎ＋２フレームの期間では、第３サブフレームＢＦ、第４サブフレームＷＦ及び第１サブフレームＲＦが順に処理される。Ｎ＋３フレームの期間では、第３サブフレームＢＦ、第４サブフレームＷＦ及び第１サブフレームＲＦが順に処理される。これにより、第４サブフレームＷＦが４つのフレームの期間で３つとなり、表示装置１の輝度が向上する。また、図３に示す処理に比べて、１フレームにおける第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ又は第３サブフレームＢＦの割合が増える。その結果、第１色、第２色、第３色の発色がよくなり、視認性が向上する。

（実施形態８の変形例３）
　図２８は、実施形態８の変形例３のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　図２６に示すように、Ｎフレームの期間（第１のフレーム期間）と、Ｎフレームの期間の次のＮ＋１フレームの期間（第２のフレーム）とが交互に繰り返し処理される。Ｎフレームの期間では、第１サブフレームＲＦ、及び第２サブフレームＧＦが順に処理される。

　Ｎ＋１フレームの期間では、第３サブフレームＢＦ及び第４サブフレームＷＦが順に処理される。これにより、第４サブフレームＷＦが２つのフレームの期間で１つとなり、輝度が向上する。また、図３に示す処理に比べて、１フレームにおける第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ又は第３サブフレームＢＦの割合を増やすことができる。その結果、第１色、第２色、第３色の発色がよくなり、視認性が向上する。

（実施形態９）
　図２９は、実施形態９の表示装置を表すブロック図である。図２９に示すように、発光部３１と、発光部３１Ａとが交互に並べられている。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　発光部３１は、第１色の発光体３３Ｒと、第２色の発光体３３Ｇと、第３色の発光体３３Ｂと、を備えている。発光部３１Ａは、第１色の発光体３３Ｒと、第２色の発光体３３Ｇと、第４色の発光体３３Ｗとを備えている。

　実施形態９の表示装置は、上述した実施形態１から実施形態８にも適用できる。

（実施形態１０）
　図３０は、実施形態１０のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。実施形態１０の表示装置は、実施形態１の表示装置と同じである。図３１は、実施形態１０において、入力信号値から出力信号値への信号処理による輝度増加を説明する図である。図３２は、実施形態１０の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　図３０に示すように、表示装置１は、Ｎフレームの期間を繰り返し処理する。Ｎフレームの期間では、第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ及び第３サブフレームＢＦが順に処理され、繰り返し処理される。

　図３に示す信号調整部４１３は、図３１に示すように、外光情報の信号ＥＬＶに応じた伸長係数Ｚを記憶部４１２から読み出す。実施形態１０において、伸長係数Ｚは、１以上の係数である。

　実施形態１０では、伸長係数Ｚは、記憶部４１２に記憶されている。上述したように、外光情報の信号ＥＬＶが閾値以上である場合、又は、太陽光晴天モード（第１環境モード）、太陽光曇天モード（第２環境モード）、屋内使用モード（第３環境モード）のいずれか１つである場合に、伸長係数Ｚは、１より大きく、彩度Ｓの大きさに関わらず一定の値である。例えば、図１５に示すように、彩度Ｓの大きさに関わらず伸長係数Ｚは２となる。

　入力信号解析部４１１は、第２入力信号ＶＣＳにおける各画素のＲＧＢ信号［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］を、次に示す式（１５）から式（１７）から求める。
Ｒ_０＝Ｚ・Ｒ_ｉ・・・（１５）
Ｇ_０＝Ｚ・Ｇ_ｉ・・・（１６）
Ｂ_０＝Ｚ・Ｂ_ｉ・・・（１７）

　信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。第３入力信号ＶＣＳＡは、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］にと同じ階調値［Ｒ_１１，Ｇ_１１，Ｂ_１１］とする。

　また、信号調整部４１３は、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。この光源制御信号ＬＣＳＡの階調値［ＬＲ_１１，ＬＧ_１１，ＬＢ_１１］に基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３ＢをＰＷＭデューティ比１００％で駆動する。

　以上説明したように、フィールドシーケンシャル方式により、発光部３１において、第１色、第２色、第３色及び第４色のいずれかが発光する。駆動回路４は、入力される第１入力信号ＶＳに含まれ、各画素に表示させる第１色、第２色及び第３色のＲＧＢ信号［Ｒ_ｉ，Ｇ_ｉ，Ｂ_ｉ］に基づいて、第２入力信号ＶＣＳに変換する。第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０，Ｗ_０］は、第１色、第２色、第３色のＲＧＢ信号［Ｒ_ｉ，Ｇ_ｉ，Ｂ_ｉ］に１以上の伸長係数を乗じており、表示装置１は、第２入力信号ＶＣＳに基づいた表示をすることで、視認性が向上する。

（実施形態１０の変形例１）
　図３３は、実施形態１０の変形例１の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　実施形態１０の変形例１において、入力信号解析部４１１は、実施形態２で説明したように、伸長係数Ｚを求める。求めた伸長係数Ｚと、上述した式（８）～式（１０）から第２入力信号ＶＣＳにおける各画素のＲＧＢ信号［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］を求める。

　実施形態１０の変形例１において、（１／Ｚ）倍がＰＷＭデューティ比７０％となるように、信号調整部４１３は、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。この光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_１２，ＬＧ_１２，ＬＢ_１２］に基づいて、駆動回路４は、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３ＢをＰＷＭデューティ比７０％で駆動する。

　信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。第３入力信号ＶＣＳＡにおいて、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］は、階調値［Ｒ_１２，Ｇ_１２，Ｂ_１２］と等しい。

（実施形態１０の変形例２）
　図３４は、実施形態１０の変形例２の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　信号調整部４１３は、階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］のうち、０でなく、かつ最小の階調値を特定して基準値とする。実施形態１０の変形例２では、階調値Ｂ_０が基準値である。次に、信号調整部４１３は、第３入力信号ＶＣＳＡの階調値［Ｒ_３，Ｇ_３，Ｂ_３］を以下の値となるように演算する。
Ｒ_１３＝Ｇ_１３＝Ｂ_１３＝Ｂ_０

　次に、信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］に基づいて、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。基準のＰＷＭディーティ比ＬＳとすると、光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_１３，ＬＧ_１３，ＬＢ_１３，ＬＷ_１３］は、信号値［ＬＳ×Ｒ_０／Ｂ_０，ＬＳ×Ｇ_０／Ｂ_０，ＬＳ×Ｂ_０／Ｂ_０］となる。

　以上説明したように、駆動回路４又は解析部４１は、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第１色、第２色、第３色のうちの１つの階調値を基準値として選択する。そして、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮにおいて、上述した基準値の階調値Ｂ_０に基づいて、一定の第１電極である画素電極１６の印加電圧が印加される。

（実施形態１０の変形例３）
　図３５は、実施形態１０の変形例３の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　信号調整部４１３は、階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］のうち、０でなく、かつ２番目の階調値を特定して基準値とする。実施形態１０の変形例３では、階調値Ｒ_０が基準値である。次に、信号調整部４１３は、第３入力信号ＶＣＳＡの階調値［Ｒ_１４，Ｇ_１４，Ｂ_１４］を以下の値となるように演算する。
Ｒ_１４＝Ｇ_１４＝Ｂ_１４＝Ｗ_１４＝Ｒ_０

　次に、信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳの階調値［Ｒ_０，Ｇ_０，Ｂ_０］に基づいて、光源制御信号ＬＣＳＡを生成する。基準のＰＷＭディーティ比ＬＳとすると、光源制御信号ＬＣＳＡの信号値［ＬＲ_１４，ＬＧ_１４，ＬＢ_１４，ＬＷ_１４］は、信号値［ＬＳ×Ｒ_０／Ｒ_０，ＬＳ×Ｇ_０／Ｒ_０，ＬＳ×Ｂ_０／Ｒ_０，ＬＳ×Ｗ_０／Ｒ_０］となる。

　以上説明したように、駆動回路４又は解析部４１は、第２入力信号ＶＣＳに含まれる、１つの画素Ｐｉｘに表示させる第１色、第２色、第３色のうちの１つの階調値を基準値として選択する。そして、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ、第３色の発光期間ＢＯＮにおいて、上述した基準値の階調値Ｒ_０に基づいて、一定の第１電極である画素電極１６の印加電圧が印加される。

（実施形態１０の変形例４）
　図３６は、実施形態１０の変形例４の１画素において、１フレームの期間の画素電極の印加電圧及び発光部のＰＷＭデューティ比の一例である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

　図３６に示すように、Ｎフレームの期間、Ｎ＋１フレームの期間及びＮ＋２フレームの期間が順に処理され、繰り返し処理される。Ｎフレームの期間では、第１サブフレームＲＦ、及び第２サブフレームＧＦが順に処理される。

　Ｎ＋１フレームの期間では、第３サブフレームＢＦ及び第１サブフレームＲＦが順に処理される。

　Ｎ＋２フレームの期間では、第２サブフレームＧＦ及び第３サブフレームＢＦが順に処理される。図３２に示す処理に比べて、１フレームにおける第１サブフレームＲＦ、第２サブフレームＧＦ又は第３サブフレームＢＦの割合を増える。その結果、第１色、第２色、第３色の発色がよくなり、視認性が向上する。

　以上、本開示の好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。上述した開示を基にして当業者が適宜設計変更して実施しうる全ての技術も、本開示の要旨を包含する限り、本開示の技術的範囲に属する。

　例えば、表示パネル２は、スイッチング素子を有しないパッシブマトリクス型パネルであってもよい。パッシブマトリクスパネル型パネルには、平面視でＰＸ方向に延在する第１電極及びＰＹ方向に延在する第２電極及び第１電極又は第２電極に電気的に接続された配線を有する。第１電極、第２電極及び配線は、例えばＩＴＯなどで形成される。例えば、上述した第１電極を有した第１透光性基板１０と、第２電極を有した第２透光性基板２０とが液晶層５０を挟んで、互いに対向する。

　また、第１配向膜５５及び第２配向膜５６が垂直配向膜である例について述べたが、第１配向膜５５及び第２配向膜５６はそれぞれ水平配向膜であってもよい。第１配向膜５５及び第２配向膜５６は、モノマーを高分子化する際に、モノマーを所定の方向に配向させる機能を有していればよい。これにより、モノマーは、所定の方向に配向した状態で高分子化したポリマーとなる。第１配向膜５５及び第２配向膜５６が水平配向膜の場合は、画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態で、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しく、ＰＺ方向と直交する方向となる。当該ＰＺ方向と垂直な方向とは、平面視で第１透光性基板１０の辺に沿ったＰＸ方向又はＰＹ方向に該当する。

　本開示は、以下の態様もとることができる。
（１）
　第１透光性基板と、
　前記第１透光性基板と対向する第２透光性基板と、
　前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、
　前記第１透光性基板の側面及び前記第２透光性基板の側面の少なくとも１つに対向する少なくとも１つの発光部と、
　前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極を備え、
　フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、第１色、第２色、及び第３色のいずれかが発光し、
　入力される第１入力信号に含まれ、各画素に表示させる前記第１色、前記第２色及び前記第３色のそれぞれの階調値に１以上の伸長係数を乗じた第２入力信号を求める駆動回路と、を含む表示装置。
（２）
　前記第１透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
　前記第２透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
　前記高分子分散型液晶が非散乱状態である場合、前記第１透光性基板の第１主面から前記第２透光性基板の第１主面側の背景が視認され、又は前記第２透光性基板の第１主面から前記第１透光性基板の第１主面側の背景が視認される、上記（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記伸長係数の逆数に比例し、かつ前記第１色、前記第２色、及び前記第３色が同じパルス幅変調のデューティ比となるように前記発光部が制御され、
　前記第２入力信号に含まれる、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色のそれぞれの階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を印加する、上記（１）又は（２）項に記載の表示装置。
（４）
　前記伸長係数の逆数に比例し、かつ前記第１色、前記第２色、及び前記第３色が同じ発光強度となるように前記発光部が制御され、
　前記第２入力信号に含まれる、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色のそれぞれの階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を印加する、上記（１）又は（２）に記載の表示装置。
（５）
　前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの最大階調に基づく前記第１電極の印加電圧は、前記第１電極の印加電圧の増加に応じて当該画素の散乱割合の変化が小さくなる飽和電圧よりも小さい、上記（３）又は（４）に記載の表示装置。
（６）
　前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの１つの階調値を基準値として選択し、
　前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間、及び前記第３色の発光期間において、前記基準値の階調に基づいて、一定の前記第１電極の印加電圧が印加される、上記（１）又は（２）に記載の表示装置。
（７）
　前記第１色の発光期間では、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色の階調値が前記基準値で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で前記発光部が制御され、
　前記第２色の発光期間では、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第２色の階調値が前記基準値で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で前記発光部が制御され、
　前記第３色の発光期間では、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第３色の階調値が前記基準値で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で前記発光部が制御される、上記（６）に記載の表示装置。
（８）
　前記基準値は、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの最小階調値である、上記（６）又は（７）に記載の表示装置。
（９）
　前記基準値は、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの中間階調値である、上記（６）又は（７）に記載の表示装置。
（１０）
　１つのフレーム期間において、前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間、及び前記第３色の発光期間が順に処理される、上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
　第１のフレーム期間において、前記第１色の発光期間、及び前記第２色の発光期間が順に処理され、
　前記第１のフレーム期間の次の第２のフレーム期間において、前記第３色の発光期間及び前記第１色の期間が順に処理され、
　前記第２のフレーム期間の次の第３のフレーム期間において、前記第２色の発光期間及び前記第３色の期間が順に処理される、上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の表示装置。

１　表示装置
２　表示パネル
３　サイド光源装置
４　駆動回路
９　上位制御部
１０Ａ　第１主面
１０Ｂ　第２主面
１０Ｃ　第１側面
１０Ｄ　第２側面
１０Ｅ　第３側面
１０Ｆ　第４側面
１０　第１透光性基板
１２　走査線
１２Ｇ　ゲート電極
１３Ｓ　ソース電極
１３　信号線
１４Ｄ　ドレイン電極
１４　導電性配線
１５　半導体層
１６　画素電極
１９　封止部
２０　第２透光性基板
２０Ａ　第１主面
２０Ｂ　第２主面
２０Ｃ　第１側面
２０Ｄ　第２側面
２０Ｅ　第３側面
２０Ｆ　第４側面
２２　共通電極
３１　発光部
３２　光源制御部
３３Ｒ　発光体
３３Ｇ　発光体
３３Ｂ　発光体
４１　解析部
４２　画素制御部
４３　ゲート駆動部
４４　ソース駆動部
４５　共通電位駆動部
５０　液晶層
５１　バルク
５２　微粒子
５５　第１配向膜
５６　第２配向膜
６１　外光設定部
９１　画像出力部
９２　フレキシブル基板

Claims

　第１透光性基板と、
　前記第１透光性基板と対向する第２透光性基板と、
　前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、
　前記第１透光性基板の側面及び前記第２透光性基板の側面の少なくとも１つに対向する少なくとも１つの発光部と、
　前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極を備え、
　フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、第１色、第２色、第３色及び第４色のいずれかが発光し、
　入力される第１入力信号に含まれ、各画素に表示させる前記第１色、前記第２色及び前記第３色のＲＧＢ信号に基づいて、前記第１色、前記第２色、前記第３色及び前記第４色のそれぞれの階調値を含む第２入力信号に変換する駆動回路と、を含む表示装置。
　前記第１透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
　前記第２透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
　前記高分子分散型液晶が非散乱状態である場合、前記第１透光性基板の第１主面から前記第２透光性基板の第１主面側の背景が視認され、又は前記第２透光性基板の第１主面から前記第１透光性基板の第１主面側の背景が視認される、請求項１に記載の表示装置。
　前記発光部は、前記第１色を発光する第１発光体と、前記第２色を発光する第２発光体と、前記第３色を発光する第３発光体と、を備え、
　前記第４色が発光する第４発光期間において、前記第１発光体、前記第２発光体及び前記第３発光体が同時発光する、請求項１又は２に記載の表示装置。
　前記発光部は、前記第１色を発光する第１発光体と、前記第２色を発光する第２発光体と、前記第３色を発光する第３発光体と、前記第４色を発光する第４発光体と、を備える、請求項１又は２に記載の表示装置。
　前記第１発光体は、前記第２発光体及び前記第３発光体よりも発熱温度の増加に対して相対光度が低下する温度特性を有し、
　前記第１発光体は、前記第２発光体及び前記第３発光体よりも、パルス幅変調のデューティ比に小さい係数が乗算された状態で、駆動される請求項３又は４に記載の表示装置。
　前記第１色、前記第２色、前記第３色及び前記第４色が同じパルス幅変調のデューティ比となるように前記発光部が制御され、
　前記第２入力信号に含まれる、前記第１色、前記第２色、前記第３色及び前記第４色のそれぞれの階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を印加する、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記第１色、前記第２色、前記第３色及び前記第４色が同じ発光強度となるように前記発光部が制御され、
　前記第２入力信号に含まれる、前記第１色、前記第２色、前記第３色及び前記第４色のそれぞれの階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を印加する、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの最大階調に基づく前記第１電極の印加電圧は、前記第１電極の印加電圧の増加に応じて当該画素の散乱割合の変化が小さくなる飽和電圧よりも小さい、請求項６又は７に記載の表示装置。
　前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの１つの階調値を基準値として選択し、
　前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間、前記第３色の発光期間及び前記第４色の発光期間において、前記基準値の階調に基づいて、一定の前記第１電極の印加電圧が印加される、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記第１色の発光期間では、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色の階調値が前記基準値で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で前記発光部が制御され、
　前記第２色の発光期間では、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第２色の階調値が前記基準値で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で前記発光部が制御され、
　前記第３色の発光期間では、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第３色の階調値が前記基準値で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で前記発光部が制御され、
　前記第４色の発光期間では、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第４色の階調値が前記基準値で除算された係数に比例するパルス幅変調のデューティ比で前記発光部が制御される、請求項９に記載の表示装置。
　前記基準値は、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの最小階調値である、請求項９又は１０に記載の表示装置。
　前記基準値は、前記第２入力信号に含まれる、１つの前記画素に表示させる前記第１色、前記第２色、前記第３色のうちの中間階調値である、請求項９又は１０に記載の表示装置。
　１つのフレーム期間において、前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間、前記第３色の発光期間及び前記第４色の期間が順に処理される、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。
　第１のフレーム期間において、前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間及び前記第３色の発光期間が順に処理され、
　前記第１のフレーム期間の次の第２のフレーム期間において、前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間及び前記第４色の期間が順に処理される、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。
　第１のフレーム期間において、前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間及び前記第３色の発光期間が順に処理され、
　前記第１のフレーム期間の次の第２のフレーム期間において、前記第４色の発光期間、前記第１色の発光期間及び前記第２色の期間が順に処理される、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。
　第１のフレーム期間において、前記第１色の発光期間、前記第２色の発光期間及び前記第３色の発光期間が順に処理され、
　前記第１のフレーム期間の次の第２のフレーム期間において、前記第４色の発光期間、前記第１色の発光期間及び前記第２色の期間が順に処理され、
　前記第２のフレーム期間の次の第３のフレーム期間において、前記第３色の発光期間、前記第４色の発光期間及び前記第１色の期間が順に処理され、
　前記第３のフレーム期間の次の第４のフレーム期間において、前記第２色の発光期間、前記第３色の発光期間及び前記第４色の期間が順に処理される、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。
　第１のフレーム期間において、前記第１色の発光期間、及び前記第２色の発光期間が順に処理され、
　前記第１のフレーム期間の次の第２のフレーム期間において、前記第３色の発光期間及び前記第４色の期間が順に処理される、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記第２入力信号に含まれる、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色のそれぞれの階調値は、１以上の伸長係数と、前記第１入力信号に含まれる、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色のそれぞれの階調値の関数に基づいて求められる、請求項１から１７のいずれか１項に記載の表示装置。
　前記第２入力信号に含まれる前記第４色の階調値は、前記伸長係数と、前記発光部における前記第４色の輝度増加比と、前記第１入力信号に含まれる前記第１色の階調値、前記第２色の階調値及び前記第３色の階調値のうちの最小値との関数に基づいて求められる、請求項１８に記載の表示装置。
　前記発光部は、前記伸長係数の逆数に比例するパルス幅変調のデューティ比で駆動される、請求項１８又は１９に記載の表示装置。