WO2020043568A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements Download PDF

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Definitions

  • the optoelectronic semiconductor component is in particular a radiation-emitting optoelectronic
  • Radiation for example light, is emitted.
  • One task to be solved is to specify an optoelectronic semiconductor component, the one
  • Radiation exit surface has a predetermined shape.
  • Another problem to be solved is a method for producing an optoelectronic
  • Radiation exit surface has a predetermined shape.
  • this comprises
  • optoelectronic semiconductor component a semiconductor body with an active region which is used to generate
  • the active region preferably comprises a pn junction, a
  • Double heterostructure a single quantum well structure (SQW, Single Quantum Well) or, particularly preferred, one
  • the semiconductor body can also have further regions which in particular have grown epitaxially on the semiconductor body. Furthermore, the Semiconductor body on a main surface that runs parallel to a main extension plane of the semiconductor body.
  • the optoelectronic semiconductor component on a contact surface, which is arranged on a side of the main surface facing away from the active region and is provided for electrical contacting of the semiconductor body.
  • the contact area is formed with an electrically conductive material and preferably laterally adjoins an edge of the main area.
  • optoelectronic semiconductor component has a reflection layer which is arranged on the side of the main surface facing away from the active region and which at least partially reflects the electromagnetic radiation generated in the active region in the direction of the active region.
  • Reflective layer is formed with a material that is suitable for the electromagnetic generated in the active area
  • Radiation has a high degree of reflection.
  • the electromagnetic radiation generated in the active region cannot therefore penetrate completely through the reflection layer.
  • part of the main surface forms a radiation coupling-out surface which is at least partially delimited laterally by the reflection layer.
  • the lateral direction extends in particular parallel to the main extension plane of the semiconductor body.
  • Radiation coupling-out area is the area from which at least part of those generated in the active area
  • Reflection layer at least partially limits the radiation decoupling surface.
  • the Reflection layer borders at least in some areas directly on the radiation decoupling surface.
  • the area of the radiation decoupling surface can be adapted easily and within wide limits to predetermined shapes and areas by means of an appropriately shaped reflection layer.
  • the contact surface and the reflection layer are arranged next to one another.
  • Side by side means side by side in particular.
  • the contact surface and the reflection layer are at least partially in a common plane.
  • this comprises
  • a contact area which is arranged on a side of the main area facing away from the active area and is provided for electrical contacting of the semiconductor body
  • a reflection layer which is arranged on the side of the main surface facing away from the active region and which at least partially reflects the electromagnetic radiation generated in the active region back in the direction of the active region,
  • a part of the main area forms a radiation decoupling area
  • the radiation decoupling surface is at least partially limited laterally by the reflection layer, and - The contact surface and the reflection layer are arranged side by side.
  • Semiconductor devices include the following:
  • a radiation decoupling surface for example in accordance with the specifications of an optically acting component. Both the shape and the area of the radiation decoupling surface can be important. Furthermore, it is advantageous to design the structure and in particular the lateral dimensions of the semiconductor body as far as possible even with a changed radiation coupling-out area
  • Semiconductor bodies require an adaptation of the manufacturing process and thus disadvantageously increase the manufacturing costs.
  • the optoelectronic semiconductor component described here makes use of the idea, among others, of a
  • Reflection layer which is applied laterally on the main surface of a semiconductor body
  • Electromagnetic radiation which is in the area of the reflection layer from the
  • Semiconductor component can be emitted by the
  • Reflecting layer is reflected back into the semiconductor body, for example scattered there and coupled out at another point on the radiation decoupling surface. Since the application of a reflection layer on the top layer of the semiconductor body, the structure of the underlying
  • Radiation decoupling surface is therefore advantageously simple and can be adapted to a corresponding specification within wide limits.
  • a lateral expansion of the reflection layer on the radiation coupling-out surface corresponds to a lateral expansion of the contact surface.
  • the extent of the reflection layer is preferably equal to the lateral extent of the contact area.
  • Expansion is in particular an edge length of an area delimited by straight lines.
  • Radiation decoupling surface which is at the same lateral extent of the reflection layer and the
  • Contact area results is in particular a rectangular shape.
  • the reflection layer extends in the lateral direction beyond an edge of the semiconductor body. If the reflective layer over the
  • a lateral extension of the reflection layer can thereby also be larger than a lateral one
  • the radiation decoupling surface has a rectangular, in particular square, shape.
  • the radiation decoupling surface can be a reflection layer
  • a square radiation decoupling surface can do that Attach subsequent optical components easier. For example, in the case of one
  • the radiation decoupling surface can also be produced in many other forms. For example, a circular, a polygonal or other, for example
  • a wavelength conversion layer is arranged between the reflection layer and the semiconductor body.
  • the wavelength conversion layer converts at least a part of the incident on it
  • Wavelength conversion layer to emit mixed radiation, for example to produce a white color impression on an observer.
  • the wavelength conversion layer can comprise a matrix material which is formed with silicone, epoxy resin or a ceramic, in which scattering particles and a wavelength conversion material are preferably embedded.
  • Scattering effect of the wavelength conversion layer can increase the coupling-out efficiency of electromagnetic radiation which is reflected back by the reflection layer.
  • the reflection layer contains
  • Titanium dioxide is advantageous high reflectivity over a large spectral range, in particular that visible to humans
  • the reflection layer can also be formed with another highly reflective material, such as a metal or a metal alloy.
  • the reflection layer can be formed with silver.
  • the reflection layer has above all a high thermal resistance, as well as a resistance to the electromagnetic radiation generated in the active region during operation.
  • the reflection layer has a thickness in a range from at least 10 ⁇ m to at most 400 ⁇ m, preferably from at least 50 ⁇ m to at most 200 ⁇ m.
  • the thickness denotes a maximum extension of the
  • Reflective layer in a direction parallel to one
  • Reflective layer A small thickness of the reflection layer is advantageous since less installation space is required for the entire optoelectronic semiconductor component. A reflection layer that is too thick could also make it more difficult or impossible to contact the semiconductor body via the contact surface. If the reflection layer is too thin, in turn, it may already be partially transparent to the electromagnetic radiation incident on it and may allow undesired coupling of the electromagnetic radiation.
  • the optoelectronic semiconductor component the
  • Semiconductor body a radiation-transparent, preferably transparent or translucent encapsulation layer
  • the encapsulation layer is, for example, with Clear silicone is formed and preferably has the same or a greater thickness than the reflection layer.
  • Encapsulation layer causes a planarization of the
  • the encapsulation layer can have the shape of a lens in order to couple the radiation out of the optoelectronic
  • Optoelectronic semiconductor device are manufactured. That means all for the optoelectronic
  • the method comprises the following steps:
  • Main surface is arranged and is provided for electrical contacting of the semiconductor body.
  • the substrate is in particular a ceramic substrate and can be both mechanical stabilization of the optoelectronic semiconductor component, as well as an efficient one
  • Reflection layer laterally limited and the contact surface and the reflection layer are arranged side by side.
  • a step is carried out between step B) and step C)
  • the bonding wire is preferably made of a metal or a metal alloy
  • the reflection layer serves to reflect back the electromagnetic radiation generated in the active region in the direction of the active region. This results in an increased chance of being coupled out of the radiation decoupling area for the electromagnetic radiation generated.
  • the semiconductor body is arranged with a side opposite the main surface on the substrate by means of adhesive bonding, sintering or a eutectic soldering process.
  • method steps A, B and C are carried out in succession in the order given here.
  • Method step C) a wavelength conversion layer applied to the main surface of the semiconductor body by means of spray coating or layer transfer.
  • Wavelength conversion layer generated As a result, the application of further layers on the
  • Wavelength conversion layer facilitated.
  • Spray coating results in a higher surface roughness of the wavelength conversion layer, which can adversely affect the further arrangement of subsequent layers.
  • a spray coating process is advantageous compared to one
  • a radiation-transmissive preferably transparent or translucent, is applied to the semiconductor body
  • Encapsulation layer applied by means of a compression molding process An encapsulation layer with, for example, clear silicone can be formed by compression molding. Furthermore, the clear silicone can also be filled with scattering particles or a wavelength conversion material. According to at least one embodiment of the method for producing an optoelectronic semiconductor component, a limitation in a lateral direction is predefined for the radiation decoupling surface and a tool for applying the reflection layer is moved laterally following a course of this limitation. For example, the reflection layer is applied with a
  • the reflection layer is applied in such a way that a lateral extent of the reflection layer is greater than a lateral extent of the contact area.
  • the reflection layer projects in particular beyond the lateral boundary of the main surface of the semiconductor body. This advantageously reduces the requirement for a minimal expansion of the reflection layer.
  • Figure 1A is a schematic plan view of a here
  • Figure 1B is a schematic plan view of a here
  • Figure 2 is a schematic cross section of a here
  • FIG. 1A shows a schematic plan view of an optoelectronic semiconductor component 1 described here in accordance with a first exemplary embodiment.
  • the optoelectronic semiconductor component 1 comprises a substrate 60, onto which a semiconductor body 10 is applied by means of a solder layer 70
  • the substrate 60 is a ceramic substrate which has a high thermal conductivity and is used for the mechanical stabilization of the optoelectronic semiconductor component 1.
  • the solder layer 70 is formed with a eutectic metal alloy, which enables a material connection between the substrate 60 and the semiconductor body 10.
  • the semiconductor body 10 comprises several epitaxially
  • the semiconductor body 10 comprises a plurality of plated-through holes 200 and a main area 10A, which is parallel to one
  • Main extension plane of the semiconductor body 10 is arranged.
  • the vias 200 enable one
  • the main surface 10A of the semiconductor body 10 is one
  • the contact surface 20 and a wavelength conversion layer 40 arranged.
  • the contact surface 20 is for electrical
  • the contact surface 20 is preferably formed with gold.
  • Wavelength conversion layer 40 comprises a transparent matrix material into which a plurality of
  • Wavelength conversion particles is embedded.
  • Wavelength conversion particles can convert electromagnetic radiation of a first wavelength into electromagnetic radiation of a second wavelength.
  • a reflection layer 30 is arranged laterally next to the contact surface 20 on the wavelength conversion layer 40.
  • the main surface 10A is thereby at least partially limited in its lateral extent by the reflection layer 30, so that a radiation coupling-out surface 100A is formed.
  • the reflection layer 30 is formed with titanium dioxide, which is high over a large spectral range
  • the reflection layer 30 is impermeable to the electromagnetic radiation emitted from the semiconductor body 10.
  • Radiation decoupling surface 100A corresponds to the lateral one
  • Radiation coupling surface 100A is coupled out of the optoelectronic semiconductor component 1.
  • FIG. 1B shows a schematic plan view of an optoelectronic semiconductor component 1 described here in accordance with a second exemplary embodiment.
  • the basic structure corresponds to the exemplary embodiment shown in FIG. 1A. In contrast to this, the one in FIG. 1B extends
  • the reflection layer 30 extends beyond the lateral boundaries of the semiconductor body 10 and projects beyond the semiconductor body 10
  • Adjustment accuracy is required, which facilitates the application of the reflection layer 30. Furthermore, a requirement for a minimum width of the reflection layer 30 is advantageously reduced. In other words, a reflective layer 30 that has a greater lateral extent than that
  • Has contact surface 20 can be used.
  • FIG. 2 shows a schematic cross section through an optoelectronic semiconductor component 1 described here along the section line A shown in FIG. 1A according to the first exemplary embodiment.
  • the semiconductor body 10 has an active region 100 and is the same with it Main surface 10A facing away from a substrate 60 attached.
  • a wavelength conversion layer 40 is arranged on the main surface 10A of the semiconductor body 10. The wavelength conversion layer 40 in
  • Reflection layer 30 which has a thickness Dl.
  • the maximum thickness D1 of the reflection layer 30 is here
  • a contact surface is located laterally next to the reflection layer 30
  • the contact surface 20 is formed with a metal or a metal alloy and is arranged on the main surface 10A of the semiconductor body.
  • the contact surface 20 forms an ohmic contact to the semiconductor body 10 and is set up to energize the semiconductor body 10.
  • the reflection layer 30 and the contact surface 20 are completely covered by means of an encapsulation layer 50.
  • Encapsulation layer 50 is formed with a transparent silicone and serves primarily to mechanically stabilize a bonding wire 21 which is arranged on the contact surface 20.
  • the bond wire 21 is formed with gold and is on the contact area 20 by means of a wire bond process
  • the contact surface 20 is by means of the bond wire
  • the thickness D1 of the reflection layer 30 is less than or equal to the thickness D2 of the contact surface 20 and the bonding wire 21 applied thereon. As a result, the entire thickness of the optoelectronic semiconductor component 1 is advantageously not increased by the reflection layer 30.
  • the thickness D2 of the contact surface 20 and of the bonding wire 21 is the maximum extension of that of the contact surface 20 and
  • the reflection layer 30 contains titanium dioxide and has a high reflectivity for the electromagnetic radiation generated in the active region 100.

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen aktiven Bereich (100) umfasst, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, wobei der Halbleiterkörper (10) eine Hauptfläche (10A) aufweist, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers(10) verläuft. Ferner umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement (1) eine Kontaktfläche (20), die auf einer dem aktiven Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A) angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (10) vorgesehen ist und eine Reflexionsschicht (30), die auf der dem aktiven Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A) angeordnet ist und die in dem aktiven Bereich (100) erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest zum Teil in Richtung des aktiven Bereichs (100) zurück reflektiert. Weitergehend bildet ein Teil der Hauptfläche (10A) eine Strahlungsauskoppelfläche (100A) die zumindest teilweise von der Reflexionsschicht (30) lateral begrenzt ist. Ferner sind die Kontaktfläche (20) und die Reflexionsschicht (30) nebeneinander angeordnet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) angegeben.

Description

Beschreibung
OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements angegeben. Bei dem optoelektronischen Halbleiterbauelement handelt es sich insbesondere um ein strahlungsemittierendes optoelektronisches
Halbleiterbauelement, das im Betrieb elektromagnetische
Strahlung, zum Beispiel Licht, emittiert.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, das eine
Strahlungsaustrittsfläche einer vorgegebenen Form aufweist.
Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements anzugeben, das eine
Strahlungsaustrittsfläche einer vorgegebenen Form aufweist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Halbleiterbauelement einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bereich, der zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Der aktive Bereich umfasst bevorzugt einen pn-Übergang, eine
Doppelheterostruktur, eine EinfachquantentopfStruktur (SQW, Single Quantum Well) oder, besonders bevorzugt, eine
MehrfachquantentopfStruktur (MQW, Multi Quantum Well) zur Strahlungserzeugung. Der Halbleiterkörper kann noch weitere Bereiche aufweisen, die insbesondere epitaktisch auf dem Halbleiterkörper aufgewachsen sind. Ferner weist der Halbleiterkörper eine Hauptfläche auf, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers verläuft.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
optoelektronische Halbleiterbauelement eine Kontaktfläche auf, die auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Hauptfläche angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers vorgesehen ist. Die Kontaktfläche ist mit einem elektrisch leitenden Material gebildet und grenzt bevorzugt lateral an einen Rand der Hauptfläche an.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
optoelektronische Halbleiterbauelement eine Reflexionsschicht auf, die auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Hauptfläche angeordnet ist und die in dem aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest zum Teil in Richtung des aktiven Bereichs zurück reflektiert. Die
Reflexionsschicht ist mit einem Material gebildet, das für die in dem aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische
Strahlung einen hohen Reflexionsgrad aufweist. Die in dem aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung kann die Reflexionsschicht somit nicht vollständig durchdringen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bildet ein Teil der Hauptfläche eine Strahlungsauskoppelfläche, die zumindest teilweise von der Reflexionsschicht lateral begrenzt ist. Die laterale Richtung erstreckt sich insbesondere parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers. Die
Strahlungsauskoppelfläche ist die Fläche, aus der zumindest ein Teil der in dem aktiven Bereich erzeugten
elektromagnetischen Strahlung ausgekoppelt wird. Die
Reflexionsschicht begrenzt die Strahlungsauskoppelfläche zumindest teilweise. Mit anderen Worten, die Reflexionsschicht grenzt zumindest bereichsweise direkt an die Strahlungsauskoppelfläche an. Die Form und der
Flächeninhalt der Strahlungsauskoppelfläche können durch eine entsprechend geformte Reflexionsschicht einfach und in weiten Grenzen an vorgegebene Formen und Flächeninhalte angepasst werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Kontaktfläche und die Reflexionsschicht nebeneinander angeordnet.
Nebeneinander meint insbesondere lateral nebeneinander.
Die Kontaktfläche und die Reflexionsschicht befinden sich zumindest teilweise in einer gemeinsamen Ebene.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Halbleiterbauelement
- einen Halbleiterkörper mit einem aktiven Bereich, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, wobei der Halbleiterkörper eine Hauptfläche aufweist, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des
Halbleiterkörpers verläuft,
- eine Kontaktfläche, die auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Hauptfläche angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers vorgesehen ist,
- eine Reflexionsschicht, die auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Hauptfläche angeordnet ist und die in dem aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest zum Teil in Richtung des aktiven Bereichs zurück reflektiert, wobei
- ein Teil der Hauptfläche eine Strahlungsauskoppelfläche bildet,
- die Strahlungsauskoppelfläche zumindest teilweise von der Reflexionsschicht lateral begrenzt ist, und - die Kontaktflache und die Reflexionsschicht nebeneinander angeordnet sind.
Einem hier beschriebenen optoelektronischen
Halbleiterbauelement liegen unter anderem die folgenden
Überlegungen zugrunde: Bei vielen Anwendungen ist es
wünschenswert, die Ausformung einer Strahlungsauskoppelfläche beispielsweise gemäß den Vorgaben eines optisch wirkenden Bauelements zu gestalten. Dabei kann sowohl die Form als auch der Flächeninhalt der Strahlungsauskoppelfläche von Bedeutung sein. Ferner ist es vorteilhaft, den Aufbau und insbesondere die lateralen Ausdehnungen des Halbleiterkörpers auch bei einer veränderten Strahlungsauskoppelfläche möglichst
unverändert zu lassen. Insbesondere in der Massenfertigung kann eine Modifikation der lateralen Ausdehnung der
Halbleiterkörper eine Anpassung des Fertigungsprozesses erfordern und somit die Fertigungskosten nachteilig erhöhen.
Das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement macht unter anderem von der Idee Gebrauch, durch eine
Reflexionsschicht, welche lateral auf der Hauptfläche eines Halbleiterkörpers aufgebracht ist, die
Strahlungsauskoppelfläche in ihrer lateralen Ausdehnung beliebig zu begrenzen. Elektromagnetische Strahlung, welche in dem Bereich der Reflexionsschicht von dem
Halbleiterbauelement emittiert wird, kann durch die
Reflexionsschicht in den Halbleiterkörper zurück reflektiert, dort beispielsweise gestreut und an einer anderen Stelle der Strahlungsauskoppelfläche ausgekoppelt werden. Da durch das Aufbringen einer Reflexionsschicht auf der obersten Schicht des Halbleiterkörpers der Aufbau des darunterliegenden
Halbleiterkörpers nicht berührt wird, ist die Strahlungsauskoppelfläche somit vorteilhaft einfach und in weiten Grenzen an eine entsprechende Vorgabe anpassbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements entspricht eine laterale Ausdehnung der Reflexionsschicht auf der Strahlungsauskoppelfläche einer lateralen Ausdehnung der Kontaktfläche . Die laterale
Ausdehnung der Reflexionsschicht ist bevorzugt gleich der lateralen Ausdehnung der Kontaktfläche . Eine laterale
Ausdehnung ist insbesondere eine Kantenlänge einer durch Geraden begrenzten Fläche. Die Form der
Strahlungsauskoppelfläche, die sich bei einer gleichen lateralen Ausdehnung der Reflexionsschicht und der
Kontaktfläche ergibt, ist insbesondere eine rechteckige Form.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements erstreckt sich die Reflexionsschicht in lateraler Richtung über einen Rand des Halbleiterkörpers hinaus. Wenn die Reflexionsschicht über die
Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterkörpers hinausgeht, ist somit vorteilhaft die Anforderung an eine
Justagegenauigkeit beim Aufbringen der Reflexionsschicht reduziert. Ferner kann dadurch eine laterale Ausdehnung der Reflexionsschicht auch größer sein als eine laterale
Ausdehnung der Kontaktfläche .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist die Strahlungsauskoppelfläche eine rechteckige, insbesondere quadratische Form auf. Durch eine geeignete Wahl der lateralen Ausdehnung der
Reflexionsschicht kann die Strahlungsauskoppelfläche
rechteckig und insbesondere quadratisch ausgebildet sein.
Eine quadratische Strahlungsauskoppelfläche kann das Anbringen von nachfolgenden optischen Bauelementen erleichtern. So ist beispielsweise im Falle einer dem
Halbleiterbauelement nachgeordneten Linse eine quadratische Form der Strahlungsauskoppelfläche vorteilhaft für eine homogene Strahlungsverteilung nach dem Durchlaufen der Linse. Insbesondere ist die Strahlungsauskoppelfläche auch in vielen anderen Formen herstellbar. So kann beispielsweise auch eine kreisförmige, eine polygonale oder anderweitige, etwa
zusammengesetzte vorgegebene Form der
Strahlungsauskoppelfläche hergestellt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist zwischen der Reflexionsschicht und dem Halbleiterkörper eine Wellenlängenkonversionsschicht angeordnet. Die Wellenlängenkonversionsschicht konvertiert zumindest einen Teil der auf sie eintreffenden
elektromagnetischen Strahlung einer ersten Wellenlänge zu einer elektromagnetischen Strahlung einer zweiten
Wellenlänge. Insbesondere dient die
Wellenlängenkonversionsschicht dazu, eine Mischstrahlung zu emittieren, um beispielsweise einen weißen Farbeindruck bei einem Betrachter hervorzurufen. Die
Wellenlängenkonversionsschicht kann ein Matrixmaterial umfassen, das mit Silikon, Epoxidharz oder einer Keramik gebildet ist, in welches bevorzugt Streupartikel und ein Wellenlängenkonversionsmaterial eingebettet sind. Die
streuende Wirkung der Wellenlängenkonversionsschicht kann die Auskoppeleffizienz von elektromagnetischer Strahlung, die von der Reflexionsschicht zurück reflektiert wird, erhöhen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements enthält die Reflexionsschicht
Titandioxid. Titandioxid zeichnet sich durch eine vorteilhaft hohe Reflektivität über einen großen spektralen Bereich aus, der insbesondere auch den für den Menschen sichtbaren
spektralen Bereich umfasst. Die Reflexionsschicht kann auch mit einem weiteren hochreflektiven Material gebildet sein, wie beispielsweise einem Metall oder einer Metalllegierung. Insbesondere kann die Reflexionsschicht kann mit Silber gebildet sein. Die Reflexionsschicht weist vor allem eine hohe thermische Beständigkeit, sowie eine Beständigkeit gegenüber der in dem aktiven Bereich im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements weist die Reflexionsschicht eine Dicke in einem Bereich von mindestens 10 ym bis höchstens 400 ym, vorzugsweise von mindestens 50 ym bis höchstens 200 ym auf. Die Dicke bezeichnet eine maximale Ausdehnung der
Reflexionsschicht in einer Richtung parallel zu einem
Normalenvektor der Haupterstreckungsebene der
Reflexionsschicht. Eine geringe Dicke der Reflexionsschicht ist vorteilhaft, da so weniger Bauraum für das gesamte optoelektronische Halbleiterbauelement erforderlich ist. Eine zu dicke Reflexionsschicht könnte zudem die Kontaktierung des Halbleiterkörpers über die Kontaktfläche erschweren oder verhindern. Eine zu dünne Reflexionsschicht wiederum kann für die auf sie eintreffende elektromagnetische Strahlung bereits teilweise durchlässig sein und eine unerwünschte Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung erlauben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauelements ist auf der Hauptfläche des
Halbleiterkörpers eine strahlungsdurchlässige, vorzugsweise transparente oder transluzente Verkapselungsschicht
angeordnet. Die Verkapselungsschicht ist beispielsweise mit Klarsilikon gebildet und weist bevorzugt eine gleiche oder eine größere Dicke als die Reflexionsschicht auf. Die
Verkapselungsschicht bewirkt eine Planarisierung der
Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements und schützt alle darunter liegenden Bereiche vor äußeren
Umwelteinflüssen und mechanischen Beschädigungen. Ferner kann die Verkapselungsschicht die Form einer Linse aufweisen, um die Strahlungsauskopplung aus dem optoelektronischen
Halbleiterbauelement zu verbessern.
Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Mit dem Verfahren kann insbesondere ein hier beschriebenes
optoelektronisches Halbleiterbauelement hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für das optoelektronische
Halbleiterbauelement offenbarten Merkmale sind auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements umfasst das Verfahren folgende Schritte:
A) Bereitstellen eines Halbleiterkörpers, der einen aktiven Bereich umfasst, der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, wobei der Halbleiterkörper eine Hauptfläche aufweist, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers verläuft, und einer Kontaktfläche, die auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der
Hauptfläche angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers vorgesehen ist.
B) Anordnen des Halbleiterkörpers mit einer der Hauptfläche gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat. Das Substrat ist insbesondere ein Keramiksubstrat und kann sowohl der mechanischen Stabilisierung des optoelektronischen Halbleiterbauelements, als auch einer effizienten
Wärmeableitung dienen.
C) Aufbringen einer Reflexionsschicht auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Hauptfläche mittels Aufspritzen (Jetting) oder Nadeldosieren, wobei ein Teil der Hauptfläche eine Strahlungsauskoppelfläche bildet. Ferner ist die
Strahlungsauskoppelfläche zumindest teilweise von der
Reflexionsschicht lateral begrenzt und die Kontaktfläche und die Reflexionsschicht sind nebeneinander angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements erfolgt zwischen dem Schritt B) und dem Schritt C) ein
Wirebond-Prozess , bei dem die Kontaktfläche elektrisch leitend mit einem Bonddraht verbunden wird. Der Bonddraht ist bevorzugt mit einem Metall oder einer Metalllegierung
gebildet und zur elektrischen Kontaktierung des
optoelektronischen Halbleiterbauelements vorgesehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements dient die Reflexionsschicht einer Rückreflexion der in dem aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung in Richtung des aktiven Bereichs. Dadurch ergibt sich eine erhöhte Chance, für die erzeugte elektromagnetische Strahlung aus dem Strahlungsauskoppelbereich ausgekoppelt zu werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements erfolgt das Anordnen des Halbleiterkörpers mit einer der Hauptfläche gegenüberliegenden Seite auf dem Substrat mittels Kleben, Sintern oder einem eutektischen Lötprozess. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements werden die Verfahrensschritte A, B und C in der hier angegebenen Reihenfolge nacheinander ausgeführt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wird zwischen dem Verfahrensschritt B) und dem
Verfahrensschritt C) eine Wellenlängenkonversionsschicht mittels Sprühbeschichten oder Schichtübertragung auf die Hauptfläche des Halbleiterkörpers aufgebracht. Die
Schichtübertragung (Layer Transfer Process) ist dabei bevorzugt, da sie eine glattere Oberfläche der
Wellenlängenkonversionsschicht erzeugt. Dadurch ist das Aufbringen von weiteren Schichten auf der
Wellenlängenkonversionsschicht erleichtert. Bei einem
Sprühbeschichten (Spray Coating) ergibt sich eine höhere Oberflächenrauheit der Wellenlängenkonversionsschicht, was das weitere Anordnen von nachfolgenden Schichten nachteilig beeinflussen kann. Vorteilhaft bei einem Prozess mittels Sprühbeschichtens ist eine im Vergleich zu einer
Schichtübertragung kürzere Bearbeitungszeit.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wird auf dem Halbleiterkörper eine strahlungsdurchlässige, vorzugsweise transparente oder transluzente
Verkapselungsschicht mittels eines Formpressverfahrens aufgebracht. Durch Formpressen (Compression Molding) kann eine Verkapselungsschicht mit beispielsweise Klarsilikon gebildet werden. Ferner kann das Klarsilikon auch mit Streupartikeln oder einem Wellenlängenkonversionsmaterial gefüllt sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements ist für die Strahlungsauskoppelfläche eine Begrenzung in einer lateralen Richtung vorgegeben und ein Werkzeug zum Aufbringen der Reflexionsschicht wird einem Verlauf dieser Begrenzung folgend lateral verfahren. Beispielsweise erfolgt das Aufbringen der Reflexionsschicht mit einem
Nadeldosierwerkzeug entlang einer gedachten Begrenzungslinie der Strahlungsauskoppelfläche auf der Hauptfläche des
Halbleiterkörpers .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements wird die Reflexionsschicht derart aufgebracht, dass eine laterale Ausdehnung der Reflexionsschicht größer ist als eine laterale Ausdehnung der Kontaktfläche . Die Reflexionsschicht ragt dabei insbesondere über die laterale Begrenzung der Hauptfläche des Halbleiterkörpers hinaus. Dadurch ist eine Anforderung an eine minimale Ausdehnung der Reflexionsschicht vorteilhaft reduziert.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen des optoelektronischen Halbleiterbauelements ergeben sich aus den folgenden, in Zusammenhang mit den in den Figuren dargestellten, Ausführungsbeispielen.
Es zeigen:
Figur 1A eine schematische Draufsicht auf ein hier
beschriebenes optoelektronisches
Halbleiterbauelement gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel , Figur 1B eine schematische Draufsicht auf ein hier
beschriebenes optoelektronisches
Halbleiterbauelement gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, und
Figur 2 einen schematischen Querschnitt eines hier
beschriebenen optoelektronischen
Halbleiterbauelements gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel .
Gleiche, gleichartige oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Figur 1A zeigt eine schematische Draufsicht auf ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 1 umfasst ein Substrat 60, auf das mittels einer Lotschicht 70 ein Halbleiterkörper 10
aufgebracht ist. Bei dem Substrat 60 handelt es sich um ein Keramiksubstrat, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist und zur mechanischen Stabilisierung des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 dient. Die Lotschicht 70 ist mit einer eutektischen Metalllegierung gebildet, die eine stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Substrat 60 und dem Halbleiterkörper 10 ermöglicht.
Der Halbleiterkörper 10 umfasst mehrere epitaktisch
abgeschiedene Schichten eines Halbleitermaterials, die einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung
eingerichteten aktiven Bereich 100 umfassen. Ferner umfasst der Halbleiterkörper 10 mehrere Durchkontaktierungen 200 und eine Hauptfläche 10A, die parallel zu einer
Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers 10 angeordnet ist. Die Durchkontaktierungen 200 ermöglichen eine
elektrische Kontaktierung einer Halbleiterschicht des
Halbleiterkörpers 10.
Auf der dem Halbleiterkörper 10 abgewandten Seite der
Hauptfläche 10A des Halbleiterkörpers 10 sind eine
Kontaktfläche 20 und eine Wellenlängenkonversionsschicht 40 angeordnet. Die Kontaktfläche 20 ist zur elektrischen
Kontaktierung des Halbleiterkörpers 10 vorgesehen und mit einem elektrisch gut leitenden Metall gebildet. Bevorzugt ist die Kontaktfläche 20 mit Gold gebildet. Die
Wellenlängenkonversionsschicht 40 umfasst ein transparentes Matrixmaterial, in das eine Vielzahl von
Wellenlängenkonversionspartikeln eingebettet ist. Die
Wellenlängenkonversionspartikel können elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge in eine elektromagnetische Strahlung einer zweiten Wellenlänge konvertieren.
Lateral neben der Kontaktfläche 20 ist eine Reflexionsschicht 30 auf der Wellenlängenkonversionsschicht 40 angeordnet. Die Hauptfläche 10A ist dadurch zumindest teilweise durch die Reflexionsschicht 30 in ihrer lateralen Ausdehnung begrenzt, sodass sich eine Strahlungsauskoppelfläche 100A ausbildet.
Die Reflexionsschicht 30 ist mit Titandioxid gebildet, das über einen großen spektralen Bereich einen hohen
Reflexionsgrad aufweist. Zumindest ein Teil der aus dem
Halbleiterkörper 10 emittierten elektromagnetischen Strahlung wird von der Reflexionsschicht 30 wieder zurück in die Wellenlängenkonversionsschicht 40 reflektiert. Die Reflexionsschicht 30 ist für die aus dem Halbleiterkörper 10 emittierte elektromagnetische Strahlung undurchlässig. Die laterale Ausdehnung der Reflexionsschicht 30 auf der
Strahlungsauskoppelfläche 100A entspricht der lateralen
Ausdehnung der Kontaktfläche 20. Somit ergibt sich eine rechteckige Strahlungsauskoppelfläche 100A. Zumindest ein Teil der in dem aktiven Bereich 100 erzeugten
elektromagnetischen Strahlung wird durch die
Strahlungsauskoppelfläche 100A aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 1 ausgekoppelt.
Figur 1B zeigt eine schematische Draufsicht auf ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Der grundsätzliche Aufbau entspricht dem in Figur 1A gezeigten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu erstreckt sich bei dem in Figur 1B
gezeigten Ausführungsbeispiel die Reflexionsschicht 30 über die lateralen Grenzen des Halbleiterkörpers 10 hinaus und überragt den Halbleiterkörper 10. Dadurch ist bei einem
Aufbringen der Reflexionsschicht 30 eine geringere
Justagegenauigkeit erforderlich, was das Aufbringen der Reflexionsschicht 30 erleichtert. Ferner ist eine Anforderung an eine minimale Breite der Reflexionsschicht 30 vorteilhaft erniedrigt. Mit anderen Worten, auch eine Reflexionsschicht 30, die eine größere laterale Ausdehnung als die
Kontaktfläche 20 aufweist kann verwendet werden.
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauelement 1 entlang der in Figur 1A gezeigten Schnittlinie A gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel. Der Halbleiterkörper 10 weist einen aktiven Bereich 100 auf und ist mit seiner der Hauptfläche 10A abgewandten Seite auf einem Substrat 60 angebracht. Auf der Hauptfläche 10A des Halbleiterkörpers 10 ist eine Wellenlängenkonversionsschicht 40 angeordnet. Der Wellenlängenkonversionsschicht 40 in
Strahlungsauskoppelrichtung nachgeordnet ist eine
Reflexionsschicht 30, die eine Dicke Dl aufweist. Als Dicke Dl der Reflexionsschicht 30 wird hierbei die maximale
Ausdehnung in der Richtung parallel zu einem Normalenvektor der Haupterstreckungsebene der Reflexionsschicht 30
angesehen .
Lateral neben der Reflexionsschicht 30 ist eine Kontaktfläche
20 angeordnet. Die Kontaktfläche 20 ist mit einem Metall oder einer Metalllegierung gebildet und auf der Hauptfläche 10A des Halbleiterkörpers angeordnet. Die Kontaktfläche 20 bildet einen ohmschen Kontakt zum Halbleiterkörper 10 aus und ist zur Bestromung des Halbleiterkörpers 10 eingerichtet. Die Reflexionsschicht 30 und die Kontaktfläche 20 sind mittels einer Verkapselungsschicht 50 vollständig bedeckt. Die
Verkapselungsschicht 50 ist mit einem transparenten Silikon gebildet und dient vor allem der mechanischen Stabilisierung eines Bonddrahtes 21, der auf der Kontaktfläche 20 angeordnet ist. Der Bonddraht 21 ist mit Gold gebildet und ist mittels eines Wirebond-Prozesses auf der Kontaktfläche 20
aufgebracht. Die Kontaktfläche 20 ist mittels des Bonddrahtes
21 bestromt. Die Dicke Dl der Reflexionsschicht 30 ist kleiner oder gleich der Dicke D2 der Kontaktfläche 20 und des darauf aufgebrachten Bonddrahtes 21. Dadurch ist die gesamte Dicke des optoelektronischen Halbleiterbauelements 1 durch die Reflexionsschicht 30 vorteilhaft nicht erhöht. Als Dicke D2 der Kontaktfläche 20 und des Bonddrahtes 21 wird dabei die maximale Ausdehnung des der Kontaktfläche 20 und des
Bonddrahtes 21 in der Richtung parallel zu einem Normalenvektor der Haupterstreckungsebene der Kontaktflache 20 angesehen. Die Reflexionsschicht 30 beinhaltet Titandioxid und weist eine hohe Reflektivität für die in dem aktiven Bereich 100 erzeugte elektromagnetische Strahlung auf.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von
Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102018121334.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
1 optoelektronisches Halbleiterbauelement 10 Halbleiterkörper
20 Kontaktflache
21 Bonddraht
30 Reflexionsschicht
40 WellenlängenkonversionsSchicht
50 Verkapselungsschicht
60 Substrat
70 Lotschicht
100 aktiver Bereich
200 Durchkontaktierungen
10A Hauptfläche
100A Strahlungsauskoppelfläche
A Schnittlinie
Dl Dicke der Reflexionsschicht
D2 Dicke der Kontaktfläche und des Bonddrahtes

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit
- einem Halbleiterkörper (10) mit einem aktiven Bereich
(100), der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, wobei der Halbleiterkörper (10) eine
Hauptfläche (10A) aufweist, die parallel zu einer
Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers (10) verläuft,
- einer Kontaktfläche (20), die auf einer dem aktiven Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A) angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (10) vorgesehen ist,
- einer Reflexionsschicht (30), die auf der dem aktiven
Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A)
angeordnet ist und die in dem aktiven Bereich (100) erzeugte elektromagnetische Strahlung zumindest zum Teil in Richtung des aktiven Bereichs (100) zurück reflektiert, wobei
- ein Teil der Hauptfläche (10A) eine
Strahlungsauskoppelfläche (100A) bildet,
- die Strahlungsauskoppelfläche (100A) zumindest teilweise von der Reflexionsschicht (30) lateral begrenzt ist,
- die Kontaktfläche (20) und die Reflexionsschicht (30) nebeneinander angeordnet sind, und
- eine laterale Ausdehnung der Reflexionsschicht (30) auf der Strahlungsauskoppelfläche (100A) einer lateralen Ausdehnung der Kontaktfläche (20) entspricht.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, bei dem sich die Reflexionsschicht (30) in lateraler Richtung über einen Rand des
Halbleiterkörpers (10) hinaus erstreckt.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die
Strahlungsauskoppelfläche (100A) eine rechteckige,
insbesondere quadratische Form aufweist.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der
Reflexionsschicht (30) und dem Halbleiterkörper (10) eine Wellenlängenkonversionsschicht (40) angeordnet ist.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Reflexionsschicht (30) Titandioxid enthält.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Reflexionsschicht (30) eine Dicke (Dl) in einem Bereich von mindestens 10 ym bis höchstens 400 ym, vorzugsweise von mindestens 50 ym bis höchstens 200 ym aufweist.
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem auf der Hauptfläche (10A) des Halbleiterkörpers (10) eine strahlungsdurchlässige, vorzugsweise transparente oder transluzente
Verkapselungsschicht (50) angeordnet ist.
8. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements (1) umfassend die folgenden Schritte:
A) Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (10), der einen aktiven Bereich (100) umfasst, der zur Erzeugung von
elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, wobei der
Halbleiterkörper (10) eine Hauptfläche (10A) aufweist, die parallel zur Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers (10) verläuft, und einer Kontaktflache (20), die auf einer dem aktiven Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A) angeordnet ist und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (10) vorgesehen ist,
B) Anordnen des Halbleiterkörpers (10) mit einer der
Hauptfläche (10A) gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat (60) ,
C) Aufbringen einer Reflexionsschicht (30), auf der dem aktiven Bereich (100) abgewandten Seite der Hauptfläche (10A) mittels Aufspritzen oder Nadeldosieren, wobei ein Teil der Hauptfläche (10A) eine Strahlungsauskoppelfläche (100A) bildet, die Strahlungsauskoppelfläche (100A) zumindest teilweise von der Reflexionsschicht (30) lateral begrenzt ist, und
die Kontaktfläche (20) und die Reflexionsschicht (30)
nebeneinander angeordnet sind.
9. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements (1) gemäß dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Anordnen des Halbleiterkörpers (10) mit einer der Hauptfläche (10A) gegenüberliegenden Seite auf einem Substrat (60) mittels Kleben, Sintern oder einem eutektischen
Lötprozess erfolgt.
10. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge ausgeführt werden.
11. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei, zwischen dem Verfahrensschritt B) und dem Verfahrensschritt C) eine Wellenlängenkonversionsschicht (40) mittels Sprühbeschichtens oder Schichtübertragung auf die Hauptfläche (10A) des Halbleiterkörpers (10) aufgebracht wird .
12. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf dem Halbleiterkörper (10) eine
strahlungsdurchlässige, vorzugsweise transparente oder transluzente Verkapselungsschicht (50) mittels eines
Formpressverfahrens aufgebracht wird.
13. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei für die Strahlungsauskoppelfläche (100A) eine Begrenzung in einer lateralen Richtung vorgegeben ist, und ein Werkzeug zum Aufbringen der Reflexionsschicht (30) einem Verlauf der Begrenzung folgend lateral verfahren wird.
14. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Reflexionsschicht (30) derart
aufgebracht wird, dass eine laterale Ausdehnung der
Reflexionsschicht (30) größer ist als eine laterale
Ausdehnung der Kontaktfläche (20).
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