WO2019220948A1 - 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents

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Definitions

  • the present disclosure relates to a display device, a method for manufacturing the display device, and an electronic device.
  • organic EL display devices using electroluminescence (EL) of organic materials have attracted attention as display devices that can replace liquid crystal display devices.
  • the organic EL display device is being applied not only to a direct-view display such as a monitor but also to an ultra-small display that requires a fine pixel pitch of about several microns.
  • the organic EL display device as a method for realizing color display, for example, there is a method in which a plurality of colors of organic EL material layers such as red light emission, green light emission, and blue light emission are formed for each pixel using a mask.
  • a white light emitting organic EL material layer is formed in common for all pixels and a color filter is arranged for each pixel.
  • This method has an advantage that alignment is not required for forming the organic EL material layer.
  • a white light emitting organic EL material layer and a color filter are combined, the light emission efficiency is lowered because white light is color-separated by the color filter. For this reason, a technique is known in which a resonator structure that emphasizes light of a specific wavelength by a resonance effect is formed to improve luminous efficiency and color reproducibility.
  • Patent Document 1 discloses a technique in which an optical path length adjusting layer is provided on a transparent electrode as an upper electrode, and a transflective film is formed thereon.
  • an object of the present disclosure is to provide a display device having a structure capable of setting the optical distance of the resonator structure with high accuracy without using an optical path length adjusting layer, an electronic apparatus including the display device, and An object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a display device.
  • a display device includes: The reflective film and the semi-transmissive reflective film are arranged at different distances for each emission color of the pixel, Between the reflective film and the transflective film, an organic layer including a light emitting layer and a transparent cathode electrode are laminated, The transflective film is formed on the cathode electrode, The thickness of the cathode electrode is different for each emission color. It is a display device.
  • a method for manufacturing a display device for achieving the above-described object is as follows.
  • the reflective film and the semi-transmissive reflective film are arranged at different distances for each luminescent color of the pixel, and an organic layer including a light-emitting layer and a transparent cathode electrode are laminated between the reflective film and the semi-transmissive reflective film.
  • the transflective film is formed on the cathode electrode, and the film thickness of the cathode electrode is a method for manufacturing a display device formed differently for each emission color, Forming a cathode electrode on the entire surface including on the organic layer; A step of processing the thickness of the cathode electrode differently for each emission color; Having It is a manufacturing method of a display device.
  • an electronic device is: The reflective film and the semi-transmissive reflective film are arranged at different distances for each emission color of the pixel, Between the reflective film and the transflective film, an organic layer including a light emitting layer and a transparent cathode electrode are laminated, The transflective film is formed on the cathode electrode, The thickness of the cathode electrode is different for each emission color.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of the display device according to the first embodiment.
  • 3A and 3B are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 3B.
  • FIG. 5 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG.
  • FIG. 6 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 5.
  • FIG. 7 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 6.
  • FIG. 8 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 7.
  • FIG. 9 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment, following FIG. 8.
  • FIG. 10 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. 10.
  • FIG. 12 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. 11.
  • FIG. 13 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the third embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 15 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 16 is a schematic partial end view for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment, following FIG. 15.
  • 17A and 17B are external views of a single-lens reflex digital still camera with interchangeable lenses.
  • FIG. 17A shows a front view thereof, and
  • FIG. 17B shows a rear view thereof.
  • FIG. 18 is an external view of a head mounted display.
  • FIG. 19 is an external view of a see-through head mounted display.
  • the display device according to the present disclosure the display device used in the electronic apparatus according to the present disclosure, and the display device obtained by the method for manufacturing the display device according to the present disclosure (hereinafter simply referred to as “display device of the present disclosure”)
  • the reflective film may have a function of an anode electrode.
  • the reflective film can be formed using a light reflective material such as aluminum (Al), aluminum alloy, platinum (Pt), gold (Au), chromium (Cr), tungsten (W), and the like.
  • the thickness of the reflective film is preferably set in the range of 100 to 300 nanometers, for example.
  • the anode electrode can be formed using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the anode electrode may be disposed between the reflective film and the organic layer.
  • the cathode electrode can be formed using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). Indium zinc oxide (IZO) is preferably used.
  • the cathode electrode can be formed by a film forming method such as sputtering.
  • the film formation temperature of indium zinc oxide (IZO) is lower than the film formation temperature of indium tin oxide (ITO). Since the cathode electrode is formed on the organic layer, it is preferable to select indium zinc oxide (IZO) that can lower the film formation temperature of the cathode electrode in consideration of the influence on the organic layer.
  • the cathode electrode is formed as an electrode common to each pixel, and the cathode electrode portion corresponding to the reflective film is provided with a recess. be able to. In this case, the depth of the recess can be different for each emission color.
  • the cathode electrode film thickness is processed differently for each emission color by forming a recess in the cathode electrode corresponding to the reflective film. be able to. In this case, it is preferable to process the cathode electrode using a dry etching technique.
  • the optical distance between the reflective film and the semi-transmissive reflective film is such that the film thickness of the cathode electrode is different for each emission color.
  • the optical distance can be set in accordance with the display color of the pixel.
  • the phase shift of the reflected light generated in the transflective film and the reflective film is denoted by ⁇
  • the optical distance between the reflective film and the transflective film is denoted by L
  • the peak wavelength of the spectrum of the light extracted from the pixel is denoted by
  • the transflective film can be formed of a metal material having good light transmittance and light reflectivity, such as silver (Ag), gold (Au), Examples thereof include metals such as copper (Cu), aluminum (Al), magnesium (Mg), and alloys thereof.
  • the transflective film is preferably made of silver or an alloy containing silver. The thickness of the transflective film is set in the range of 5 to 40 nanometers, for example.
  • the light emitting layer may be formed in common over the pixels.
  • the light emitting layer can be configured to emit white light.
  • the organic layer is provided on the entire surface including the reflective film as a common continuous film.
  • the organic layer emits light when a voltage is applied.
  • the organic layer can be constituted, for example, by a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially laminated from the reflective film side.
  • the hole transport material, hole transport material, electron transport material, and organic light emitting material constituting the organic layer are not particularly limited, and well-known materials can be used.
  • the organic layer may have a so-called tandem structure in which a plurality of light emitting layers are connected via a charge generation layer or an intermediate electrode.
  • a light-emitting layer that emits white light can be formed by stacking red, green, and blue light-emitting layers, or by stacking yellow and blue light-emitting layers.
  • the light emitting layer can be formed for each pixel.
  • the light emitting layer can be configured to emit light of a color corresponding to the light emission color of the pixel.
  • the layers other than the light emitting layer can be provided on the entire surface including the reflective film as a common continuous film.
  • one pixel includes a plurality of sub-pixels. Specifically, one pixel includes a red display sub-pixel, a green display sub-pixel, and a blue display sub-pixel. A configuration including two sub-pixels can be adopted. Furthermore, a set of these three types of sub-pixels plus one or more types of sub-pixels (for example, a set of sub-pixels that emit white light to improve brightness, a color reproduction range) A set of sub-pixels that emit complementary colors for enlargement, a set of sub-pixels that emit yellow for expanding the color reproduction range, and yellow and cyan for expanding the color reproduction range It can also be composed of a set of subpixels).
  • VGA 640, 480
  • S-VGA 800, 600
  • XGA 1024, 768
  • APRC 1152, 900
  • S-XGA 1280, 1024
  • U-XGA 1600,1200
  • HD-TV (1920,1080)
  • Q-XGA (2048,1536), (1920,1035), (720,480), (1280,960), etc.
  • the present invention is not limited to these values.
  • An insulating film or the like used for the display device can be formed using a material appropriately selected from known inorganic materials and organic materials.
  • a physical vapor deposition method for example, a vacuum evaporation method or a sputtering method ( PVD method) and various chemical vapor deposition methods (CVD method) can be used to form the film.
  • PVD method vacuum evaporation method
  • CVD method chemical vapor deposition methods
  • it can carry out by the combination of well-known patterning methods, such as an etching method and a lift-off method.
  • the configuration of the drive circuit that controls the light emission of the light emitting unit is not particularly limited.
  • the light emitting unit may be formed in a certain plane on the circuit board and may be disposed above a drive circuit that drives the light emitting unit via an interlayer insulating layer, for example.
  • the configuration of the transistors constituting the drive circuit It may be a p-channel field effect transistor or an n-channel field effect transistor.
  • a semiconductor material, a glass material, or a plastic material can be exemplified.
  • the drive circuit is constituted by a transistor formed on a semiconductor substrate
  • a well region may be provided in a semiconductor substrate made of silicon and a transistor may be formed in the well.
  • the driving circuit is constituted by a thin film transistor or the like
  • a driving circuit can be formed by forming a semiconductor thin film on a substrate made of a glass material or a plastic material.
  • Various wirings can have known configurations and structures.
  • FIG. 2 described later shows a cross-sectional structure of the display device, but does not show the ratio of width, height, thickness, and the like.
  • the first embodiment relates to a display device, a method for manufacturing the display device, and an electronic apparatus according to the first aspect of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • a pixel 10 including a light emitting unit ELP and a driving circuit that drives the light emitting unit ELP extends in a scanning line SCL extending in a row direction (X direction in FIG. 1) and in a column direction (Y direction in FIG. 1).
  • a data driver 102 for supplying a signal voltage to the data line DTL.
  • FIG. 1 shows the connection relationship for one pixel 10, more specifically, the (q, p) th pixel 10 described later.
  • the display device 1 further includes a common power supply line PS2 connected to all the pixels 10 in common.
  • a predetermined drive voltage is supplied from the power supply unit 100 to the power supply line PS1, and a common voltage (for example, ground potential) is supplied to the common power supply line PS2.
  • Q pixels in the row direction, P pixels in the column direction, and a total of Q ⁇ P pixels (display elements) 10 are arranged in a two-dimensional matrix.
  • the number of rows of pixels 10 in the display area is P, and the number of pixels 10 constituting each row is Q.
  • the number of scanning lines SCL and feeder lines PS1 is P.
  • the number of data lines DTL is Q.
  • the display device 1 is, for example, a color display device.
  • One pixel 10 constitutes one subpixel.
  • the display device 1 is line-sequentially scanned in units of rows by the scanning signal from the scanning unit 101.
  • the pixel 10 located in the p-th row and the q-th column is hereinafter referred to as a (q, p) -th pixel 10 or a (q, p) -th pixel 10.
  • Q pixels 10 arranged in the p-th row are driven simultaneously.
  • the light emission / non-light emission timing is controlled in units of rows to which they belong.
  • FR times / second
  • a scanning period (so-called horizontal scanning period) per row when the display device 1 is line-sequentially scanned in units of rows is (1 / FR).
  • the pixel 10 includes a light emitting unit ELP and a drive circuit that drives the light emitting unit ELP.
  • the light emitting part ELP is composed of an organic electroluminescence light emitting part.
  • the drive circuit includes a write transistor TR W , a drive transistor TR D , and a capacitor C 1 . When a current flows through the light emitting section ELP through the driving transistor TR D, the light emitting section ELP emits light.
  • Each transistor is composed of a p-channel field effect transistor.
  • one source / drain region of the driving transistor TR D is connected to one end of the capacitor C 1 and the feeder line PS1, the other source / drain region, one end of the light emitting portion ELP (specifically Is connected to an anode electrode).
  • the gate electrode of the drive transistor TR D is connected to the other source / drain region of the write transistor TR W and is connected to the other end of the capacitor C 1 .
  • the write transistor TR W one of the source / drain regions is connected to the data line DTL, the gate electrode is connected to the scan line SCL.
  • the other end (specifically, the cathode electrode) of the light emitting unit ELP is connected to the common power supply line PS2.
  • a predetermined cathode voltage V Cat is supplied to the common power supply line PS2.
  • the capacitance of the light emitting unit ELP is represented by the symbol C EL .
  • the configuration of the drive circuit that controls the light emission of the pixel 10 is not particularly limited. Therefore, the configuration shown in FIG. 1 is merely an example, and the display device according to the present embodiment can have various configurations.
  • FIG. 2 is a schematic partial cross-sectional view of the display device according to the first embodiment.
  • the reflective film 31 has a function of an anode electrode.
  • the reflective film 31 may be referred to as a reflective film (anode electrode) 31.
  • the reflective film 31 and the semi-transmissive reflective film 60 are arranged at different distances for each emission color of the pixel 10. Between the reflective film 31 and the semi-transmissive reflective film 60, an organic layer 40 including a light emitting layer and a transparent cathode electrode 50 are stacked.
  • the semi-transmissive reflective film 60 is formed on the cathode electrode 50, and the film thickness of the cathode electrode 50 is formed to be different for each emission color.
  • the light emitting unit ELP is configured by laminating a reflective film 31, an organic layer 40, and a cathode electrode 50. Note that a light emitting unit that emits red light is represented by a symbol ELP R , a light emitting unit that emits green light by a symbol ELP G , and a light emitting unit that emits blue light by a symbol ELP B.
  • a reflective film (anode electrode) 31 is provided for each light emitting portion ELP, and a partition wall portion 32 as an inter-pixel insulating film is formed between adjacent reflective films 31.
  • the organic layer 40 and the cathode electrode 50 are stacked on the entire surface including the reflective film 31 and the partition wall 32. Further, a transflective film 60 is provided on the cathode electrode 50, and a protective film 70 is disposed thereon.
  • the reflective film 31 is formed on the interlayer insulating film 27.
  • a resonator structure is formed between the light reflecting surface of the reflecting film 31 and the semi-transmissive reflecting film 60 (portion indicated by an arrow in the drawing).
  • the cathode electrode 50 is formed as an electrode common to each pixel 10.
  • a concave portion is provided in the cathode electrode 50 corresponding to the reflective film (anode electrode) 31.
  • the depth of the recess differs for each emission color.
  • the optical distance between the reflective film 31 and the semi-transmissive reflective film 60 is such that the film thickness of the cathode electrode 50 is different for each emission color by providing these concave portions.
  • the optical distance is set according to the display color.
  • the phase shift of the reflected light generated in the reflective film 31 and the semi-transmissive reflective film 60 is denoted by ⁇
  • the optical distance between the reflective film 31 and the semi-transmissive reflective film 60 is denoted by L
  • the circuit board 20 includes a base material 21, a gate electrode 22. Formed on the gate insulating film 23 formed to cover the entire surface including the gate electrode 22, the semiconductor material layer 24, the interlayer insulating film 25 formed to cover the entire surface including the semiconductor material layer 24, and the semiconductor material layer 24.
  • the circuit board 20 includes a drive circuit configured to include the above-described transistors and the like for driving the pixels 10.
  • the reflective film (anode electrode) 31 and the drive circuit are electrically connected. More specifically, the reflective film (anode electrode) 31 is connected to the source / drain electrode 26 of the transistor formed in the semiconductor material layer 24 via the contact plug 28.
  • the contact plug 28 is made of, for example, a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy, and is formed in an opening provided in the planarizing film 27.
  • the base material 21 can be made of, for example, a glass material, a semiconductor material, or a plastic material.
  • a driving circuit including a thin film transistor that controls light emission of the light emitting unit ELP is formed on the base material 21.
  • the gate electrodes 22 of various transistors constituting the drive circuit can be formed using, for example, a metal such as aluminum (Al), polysilicon, or the like.
  • the gate insulating film 23 is provided on the entire surface of the base material 21 so as to cover the gate electrode 22.
  • the gate insulating film 23 can be formed using, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or the like.
  • the semiconductor material layer 24 can be formed on the gate insulating film 23 using, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, or an oxide semiconductor. Further, a part of the semiconductor material layer 24 is doped with impurities to form source / drain regions. Further, the region of the semiconductor material layer 24 located between one source / drain region and the other source / drain region and above the gate electrode 22 forms a channel region. Thus, a bottom gate type thin film transistor is provided on the substrate 21. In FIG. 2, the source / drain region and the channel region are not shown.
  • the interlayer insulating film 25 is provided on the semiconductor material layer 24.
  • the interlayer insulating film 25 is made of, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), or the like.
  • the source / drain electrode 26 is connected to the semiconductor material layer 24 through a contact hole provided in the interlayer insulating film 25.
  • the source / drain electrode 26 is made of a metal such as aluminum (Al), for example.
  • the planarization film 27 is formed to cover and planarize the drive circuit and the like.
  • the planarizing film 27 is, for example, an organic insulating film such as polyimide resin, acrylic resin, or novolac resin, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or silicon oxynitride (SiO 2).
  • x N y can be formed using an inorganic insulating film such.
  • the contact plug 28 is made of, for example, a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy, and is formed in an opening provided in the planarizing film 27.
  • the reflection film (anode electrode) 31 and the source / drain electrode 26 of the driving transistor are electrically connected by a contact plug 28.
  • the reflective film 31 is formed on the planarizing film 27.
  • the reflective film 31 is made of a light reflecting material such as aluminum (Al).
  • the thickness of the reflective film is preferably set in the range of 100 to 300 nanometers, for example.
  • the transparent conductive material and the above-described light reflecting material may be laminated.
  • the organic layer 40 is formed on the entire surface including the reflective film 31 and the partition wall 32.
  • the light emitting layer of the organic layer 40 is formed in common over each pixel 10 and emits white light.
  • the organic layer 40 has a structure in which a hole injection layer made of an organic material, a hole transport layer, a red light emitting layer, a light emitting separation layer, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially laminated. Can do.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, an electron transport layer, a charge generation layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a yellow light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially stacked from the lower layer. It can also be a structure.
  • the organic layer 40 has a multilayer structure, but is shown as a single layer in the figure.
  • the transparent cathode electrode 50 is formed on the entire surface including the organic layer 40.
  • the cathode electrode 50 is made of a material having good light transmittance and a small work function.
  • the cathode electrode is made of indium zinc oxide (IZO).
  • the thickness of the cathode electrode is set to a film thickness that satisfies the resonance condition corresponding to the pixel color, and is set to a range of 10 to 200 nanometers, for example.
  • the transflective film 60 is for enhancing the microcavity effect, and is formed on the cathode electrode 50.
  • the description will be made assuming that the transflective film 60 is made of silver or an alloy containing silver.
  • the thickness of the transflective film 60 is set in the range of 5 to 40 nanometers, for example.
  • the protective film 70 is formed on the entire surface including the transflective film 60.
  • the protective film 70 is for preventing moisture from entering the organic layer 40, and is formed with a thickness of about 1 to 8 micrometers using a material having low water permeability.
  • silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), aluminum oxide (AlO x ), titanium oxide (TiO x ), or a combination thereof is used as a material of the protective film 70.
  • a counter substrate on which a color filter or the like is further formed may be disposed on the protective film 70.
  • the counter substrate can be disposed on the protective film 70 by bonding using an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin.
  • the display device 1 can be manufactured as follows.
  • the manufacturing method of the display device 1 is as follows: Forming a cathode electrode on the entire surface including on the organic layer; A step of processing the thickness of the cathode electrode differently for each emission color; Have The same applies to other embodiments described later.
  • 3 to 9 are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the first embodiment.
  • Step-100 (see FIG. 3A) First, a circuit board 20 on which a drive circuit is formed is prepared. A substrate 21 is prepared, and a drive circuit including a thin film transistor is formed on the substrate 21 through a predetermined film formation and patterning process. Subsequently, a planarizing film 27 is formed on the entire surface of the drive circuit by a spin coating method, a slit coating method, a sputtering method, a CVD method, or the like. Next, after forming an opening in the planarizing film 27, a contact plug 28 is formed in the opening, and then a reflective film 31 is formed, whereby the circuit board 20 shown in FIG. 3A can be obtained.
  • a partition wall 32 as an inter-pixel insulating film is formed between the reflective film 31 and the reflective film 31.
  • An inorganic insulating film such as silicon oxynitride is formed on the entire surface including the reflective film 31 by sputtering or CVD.
  • the partition wall portion 32 can be formed by patterning the pixel opening so that the formed inorganic insulating film has a predetermined concave structure by lithography and dry etching.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer, a light emitting separation layer, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially formed on the entire surface including the reflective film 31 to emit white light.
  • the organic layer 40 is formed.
  • the cathode electrode 50 is formed on the entire surface of the organic layer 40.
  • the cathode electrode 50 can be obtained by forming a film made of indium zinc oxide (IZO) over the entire surface by sputtering.
  • IZO indium zinc oxide
  • the film thickness of the cathode electrode 50 is adjusted according to the emission color.
  • the emission color is formed on the cathode electrode 50 a mask having an opening corresponding to the pixel 10 is blue, forming a recess OP B on the cathode electrode 50 is subjected to dry etching (see FIG. 5).
  • the emission color is a mask having an opening corresponding to the pixel 10 is green is formed on the cathode electrode 50, to form a recess OP G to the cathode electrode 50 is subjected to dry etching (see FIG. 6).
  • a transflective film 60 is formed on the entire surface of the cathode electrode 50.
  • the transflective film 60 can be formed using, for example, a vapor deposition method.
  • Step-150 (see FIG. 9) Thereafter, the protective film 70 is formed on the entire surface of the transflective film 60 by using, for example, a CVD method. Next, a counter substrate or the like is attached as necessary.
  • the display device 1 can be obtained through the above steps.
  • a resonator structure is formed between the reflective film 31 and the semi-transmissive reflective film 60.
  • the distance of this portion is defined by the thickness of the organic layer 40 and the cathode electrode 50.
  • the film thickness can be adjusted by providing a concave portion in the cathode electrode 50 formed thick, a film forming process of forming the optical path length adjusting layer as an extremely thin layer is not required. Therefore, it has the advantage that it is excellent in manufacturability.
  • the second embodiment is a modification of the first embodiment.
  • the main difference from the first embodiment is that the cathode electrode has a laminated structure of layers having different compositions.
  • FIG. 10 is a schematic partial cross-sectional view of the display device according to the second embodiment. In addition, what is necessary is just to read the display apparatus 1 for the display apparatus 2 in FIG.
  • the configuration of the cathode electrode 250 is different from that of the display device 1.
  • the cathode electrode 250 is composed of four layers including a first layer 250A, a second layer 250B, a third layer 250C, and a fourth layer 250D from the organic layer 40 side. These are layers made of, for example, indium tin oxide (ITO), but are formed so that the selectivity to the etchant is different by changing the film forming conditions when forming the film by sputtering or the like. Yes.
  • ITO indium tin oxide
  • the cathode electrode 250 is formed as an electrode common to the pixels 10.
  • a concave portion is provided in the cathode electrode 250 corresponding to the reflective film (anode electrode) 31.
  • the depth of the recess differs for each emission color. More specifically, the recess corresponding to the pixel 10 having the red emission color is formed using the third layer 250C as a stop layer, and the recess corresponding to the pixel 10 having the green emission color is defined as the second layer 250B.
  • the recesses corresponding to the blue light emitting pixels 10 are formed so that the first layer 250A is the stop layer.
  • each layer constituting the cathode electrode 250 is such that the optical distance between the reflective film 31 and the semi-transmissive reflective film 60 is an optical distance corresponding to the display color of the pixel 10 by forming the above-described recess. It is set to become.
  • the detailed structure of the display device 2 has been described above.
  • the display device 2 can be manufactured as follows.
  • FIG. 11 and FIG. 12 are schematic partial end views for explaining the manufacturing method of the display device according to the second embodiment.
  • Step-200 First, steps similar to those described in [Step-100] and [Step-110] described above are performed to form the partition wall 32 and the organic layer 40 on the circuit board 20 (see FIG. 3B).
  • the cathode electrode 250 is formed on the entire surface of the organic layer 40.
  • a cathode made of a first layer 250A, a second layer 250B, a third layer 250C, and a fourth layer 250D is formed by stacking layers made of indium zinc oxide (IZO) by sputtering, with different film formation conditions.
  • An electrode 250 is formed.
  • the thickness of the cathode electrode 250 is adjusted in accordance with the emission color.
  • the emission color is a mask having an opening corresponding to the pixel 10 is blue is formed on the cathode electrode 250, to form a recess OP B on the cathode electrode 250 is subjected to dry etching.
  • the emission color is a mask having an opening corresponding to the pixel 10 is green is formed on the cathode electrode 250, to form a recess OP G to the cathode electrode 250 is subjected to dry etching.
  • a recess OP R in the cathode electrode 50 is subjected to dry etching.
  • the depth of the recess has a relationship of OP B > OP G > OP R.
  • the distance between the reflective film 31 and the transflective film 60 is defined by the thickness of each layer constituting the organic layer 40 and the cathode electrode 250. These can be controlled with high accuracy in the process of forming them. Therefore, since the optical distance of the resonator structure can be set with high accuracy, it is possible to suppress variations in light emission efficiency and emission color caused by variations in the resonator structure.
  • the third embodiment is also a modification of the first embodiment.
  • the light emitting layer differs from the first embodiment in that it is formed for each pixel, and the light emitting layer mainly emits light of a color corresponding to the light emission color of the pixel.
  • FIG. 13 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the third embodiment. In addition, what is necessary is just to replace the display apparatus 1 with the display apparatus 3 in FIG.
  • the organic layer 340 includes layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer, a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and an electron transport layer made of an organic material. Similar to the first embodiment, layers other than the light emitting layer, such as a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer, are provided as a common continuous film on the entire surface including the reflective film. On the other hand, the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer are formed for each pixel according to the light emission color of the pixel 10.
  • reference numeral 341 R indicates a red light emitting layer
  • reference numeral 341 G indicates a green light emitting layer
  • reference numeral 341 B indicates a blue light emitting layer.
  • the color separation is only the light emitting layer, and the other functional layers are the common layer, so that the alignment is relatively easy. Further, since the light emitting layer emits light in a color corresponding to the pixel 10, there is an advantage that color purity and luminance can be improved.
  • the detailed structure of the display device 3 has been described above.
  • the display device 3 can be manufactured by a manufacturing method similar to the manufacturing method described in the first embodiment, except that the light-emitting layer is separately applied to each pixel.
  • the fourth embodiment is also a modification of the first embodiment.
  • the difference from the first embodiment is that the formation of the recesses can be omitted for some of the pixels.
  • FIG. 14 is a schematic partial cross-sectional view of a display device according to the fourth embodiment. In addition, what is necessary is just to replace the display apparatus 1 with the display apparatus 4 in FIG.
  • the cathode electrode 450 is formed as an electrode common to each pixel 10.
  • a concave portion is provided in the cathode electrode 50 corresponding to the reflective film (anode electrode) 31.
  • the cathode electrode 450 is formed with a thickness that provides a resonance state suitable for red without forming a recess. Therefore, the concave portion of the cathode electrode 450 is formed corresponding to only the green display pixel 10 and the blue display pixel 10.
  • the detailed structure of the display device 4 has been described above.
  • the display device 4 can be manufactured as follows.
  • 15 and 16 are schematic partial end views for explaining a method for manufacturing a display device according to the fourth embodiment.
  • Step-400 First, steps similar to those described in [Step-100] and [Step-110] described above are performed to form the partition wall 32 and the organic layer 40 on the circuit board 20 (see FIG. 3B).
  • the cathode electrode 450 is formed on the entire surface of the organic layer 40. As described above, the cathode electrode 450 is formed with a thickness that provides a resonance state suitable for red.
  • the thickness of the cathode electrode 450 is adjusted in accordance with the emission color.
  • the emission color is a mask having an opening corresponding to the pixel 10 is blue is formed on the cathode electrode 450, to form a recess OP B on the cathode electrode 250 is subjected to dry etching.
  • the emission color is a mask having an opening corresponding to the pixel 10 is green is formed on the cathode electrode 450, to form a recess OP G to the cathode electrode 250 is subjected to dry etching.
  • the advantages described in the first embodiment can be provided, and the processing steps of the cathode electrode can be further reduced. Therefore, it has the advantage of being superior in manufacturability.
  • an organic layer including a light emitting layer and a transparent cathode electrode are laminated between a reflective film and a semi-transmissive reflective film,
  • the cathode electrode is formed so that the thickness of the cathode electrode is different for each emission color.
  • the optical distance of the resonator structure can be set with high accuracy by appropriately setting the film thickness of the cathode electrode.
  • the display device of the present disclosure described above is a display unit (display device) of an electronic device in any field that displays a video signal input to the electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or video.
  • a display unit such as a television set, a digital still camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, a video camera, a head mounted display (head mounted display), and the like.
  • the display device of the present disclosure also includes a module-shaped one with a sealed configuration.
  • a display module formed by attaching a facing portion such as transparent glass to the pixel array portion is applicable.
  • the display module may be provided with a circuit unit for inputting / outputting signals from the outside to the pixel array unit, a flexible printed circuit (FPC), and the like.
  • FPC flexible printed circuit
  • a digital still camera and a head mounted display will be exemplified as specific examples of the electronic apparatus using the display device of the present disclosure.
  • the specific example illustrated here is only an example and is not limited thereto.
  • 17A and 17B are external views of a single-lens reflex digital still camera with interchangeable lenses.
  • FIG. 17A shows a front view thereof
  • FIG. 17B shows a rear view thereof.
  • the interchangeable-lens single-lens reflex digital still camera has, for example, an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 412 on the front right side of the camera body (camera body) 411, and is photographed by the photographer on the front left side.
  • a grip portion 413 is provided.
  • a monitor 414 is provided in the approximate center of the back of the camera body 411.
  • a viewfinder (eyepiece window) 415 is provided on the monitor 414. The photographer can look at the viewfinder 415 and visually determine the light image of the subject guided from the photographing lens unit 412 to determine the composition.
  • the display device of the present disclosure can be used as the viewfinder 415. That is, the interchangeable lens single-lens reflex digital still camera according to this example is manufactured by using the display device of the present disclosure as the viewfinder 415.
  • FIG. 18 is an external view of a head mounted display.
  • the head-mounted display has, for example, ear hooks 512 for wearing on the user's head on both sides of a glasses-shaped display unit 511.
  • the display device of the present disclosure can be used as the display unit 511. That is, the head mounted display according to the present example is manufactured by using the display device of the present disclosure as the display unit 511.
  • FIG. 19 is an external view of a see-through head mounted display.
  • the see-through head mounted display 611 includes a main body 612, an arm 613, and a lens barrel 614.
  • the main body 612 is connected to the arm 613 and the glasses 600. Specifically, the end of the main body 612 in the long side direction is coupled to the arm 613, and one side of the side surface of the main body 612 is connected to the glasses 600 via a connection member.
  • the main body 612 may be directly attached to the head of a human body.
  • the main body unit 612 incorporates a control board for controlling the operation of the see-through head mounted display 611 and a display unit.
  • the arm 613 connects the main body 612 and the lens barrel 614 to support the lens barrel 614. Specifically, the arm 613 is coupled to the end of the main body 612 and the end of the lens barrel 614 to fix the lens barrel 614.
  • the arm 613 includes a signal line for communicating data related to an image provided from the main body 612 to the lens barrel 614.
  • the lens barrel 614 projects image light provided from the main body 612 via the arm 613 toward the eyes of the user wearing the see-through head mounted display 611 through the eyepiece.
  • the display device of the present disclosure can be used for the display unit of the main body unit 612.
  • the reflective film and the semi-transmissive reflective film are arranged at different distances for each emission color of the pixel, Between the reflective film and the transflective film, an organic layer including a light emitting layer and a transparent cathode electrode are laminated, The transflective film is formed on the cathode electrode, The thickness of the cathode electrode is different for each emission color.
  • Display device. [A2] The reflective film has the function of an anode electrode, The display device according to [A1].
  • the cathode electrode is made of indium zinc oxide (IZO). The display device according to [A1] or [A2].
  • the cathode electrode is formed as an electrode common to each pixel, A portion of the cathode electrode corresponding to the reflective film is provided with a recess, The display device according to any one of [A1] to [A3].
  • the depth of the recess differs for each emission color, The display device according to [A4].
  • the optical distance between the reflective film and the semi-transmissive reflective film is set to be an optical distance corresponding to the display color of the pixel by forming the cathode electrode with a different film thickness for each emission color. Set, The display device according to any one of [A1] to [A5].
  • the light emitting layer emits white light, The display device according to [A9].
  • the light emitting layer is formed for each pixel.
  • the light emitting layer emits light of a color corresponding to the emission color of the pixel.
  • the reflective film and the semi-transmissive reflective film are arranged at different distances for each luminescent color of the pixel, and an organic layer including a light-emitting layer and a transparent cathode electrode are laminated between the reflective film and the semi-transmissive reflective film.
  • the transflective film is formed on the cathode electrode, and the film thickness of the cathode electrode is a method for manufacturing a display device formed differently for each emission color, Forming a cathode electrode on the entire surface including on the organic layer; A step of processing the thickness of the cathode electrode differently for each emission color; Having Manufacturing method of display device.
  • the thickness of the cathode electrode is processed differently for each emission color.
  • the manufacturing method of the display apparatus as described in said [B1].
  • the reflective film has the function of an anode electrode, The method for manufacturing a display device according to [B1] or [B2].
  • the cathode electrode is made of indium zinc oxide (IZO). The method for manufacturing a display device according to any one of [B1] to [B4].
  • the cathode electrode is formed as an electrode common to each pixel, A portion of the cathode electrode corresponding to the reflective film is provided with a recess, The method for manufacturing a display device according to any one of [B1] to [B5].
  • the depth of the recess differs for each emission color, The manufacturing method of the display apparatus as described in said [B5].
  • the optical distance between the reflective film and the semi-transmissive reflective film is set to be an optical distance corresponding to the display color of the pixel by forming the thickness of the cathode electrode to be different for each emission color. Set, The method for manufacturing a display device according to any one of [B1] to [B6].
  • the phase shift of the semi-transmissive reflective film and the reflected light generated by the reflective film is denoted by ⁇
  • the optical distance between the reflective film and the semi-transmissive reflective film is denoted by L
  • the peak wavelength of the spectrum of light extracted from the pixel is denoted by ⁇ .
  • the transflective film is made of silver or an alloy containing silver, The method for manufacturing a display device according to any one of [B1] to [B8].
  • the light emitting layer is formed in common for each pixel.
  • the method for manufacturing a display device according to any one of [B1] to [B9].
  • the light emitting layer emits white light, The manufacturing method of the display apparatus as described in said [B10].
  • the light emitting layer is formed for each pixel.
  • the method for manufacturing a display device according to any one of [B1] to [B9].
  • the light emitting layer emits light of a color corresponding to the emission color of the pixel.
  • the reflective film and the semi-transmissive reflective film are arranged at different distances for each emission color of the pixel, Between the reflective film and the transflective film, an organic layer including a light emitting layer and a transparent cathode electrode are laminated, The transflective film is formed on the cathode electrode, The thickness of the cathode electrode is different for each emission color.
  • the reflective film has the function of an anode electrode, The electronic device according to [C1] above.
  • the cathode electrode is made of indium zinc oxide (IZO). The electronic device according to [C1] or [C2].
  • the cathode electrode is formed as an electrode common to each pixel, A portion of the cathode electrode corresponding to the reflective film is provided with a recess, The electronic device according to any one of [C1] to [C3].
  • the depth of the recess differs for each emission color, The electronic device according to [C4] above.
  • the optical distance between the reflective film and the semi-transmissive reflective film is set to be an optical distance corresponding to the display color of the pixel by forming the thickness of the cathode electrode to be different for each emission color. Set, The electronic device according to any one of [C1] to [C5].
  • the electronic device according to any one of [C1] to [C8].
  • the light emitting layer emits white light, The electronic device according to [C9] above.
  • the light emitting layer is formed for each pixel.
  • the electronic device according to any one of [C1] to [C8].
  • the light emitting layer emits light of a color corresponding to the emission color of the pixel.
  • the electronic device according to [C11] above.
  • fourth layer 60 ... transflective film, 70 ... Protective film, 100 ... Power supply unit, 101 ... Scanning unit, 102 ... Data driver, 411 ... Camera body unit, 412... Photographic lens unit, 413... Grip unit, 414... Monitor, 415... Viewfinder, 511. 600 ... Eyewear (eyewear), 611 ... See-through head mounted display, 612 ... Main body, 613 ... Arm, 614 ... Lens barrel

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Abstract

表示装置にあっては、画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置されており、反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている。

Description

表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
　本開示は、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）を利用した有機ＥＬ表示装置が注目されている。そして、有機ＥＬ表示装置は、モニタなどの直視型ディスプレイの他、数ミクロン程度の微細な画素ピッチが要求される超小型ディスプレイにも適用されつつある。
　有機ＥＬ表示装置には、カラー表示を実現する方式として、例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光といった複数色の有機ＥＬ材料層を、マスクを利用して画素毎に形成するといった方式がある。また、上述の方式とは別に、白色発光の有機ＥＬ材料層を全ての画素に共通に形成すると共に画素毎にカラーフィルタを配置するといった方式がある。この方法は、有機ＥＬ材料層の形成に位置あわせが不要といった利点を備えている。しかしながら、白色発光の有機ＥＬ材料層とカラーフィルタとを組み合わせる方式にあっては、白色光をカラーフィルタで色分解するため発光効率は低下する。このため、共振効果によって特定の波長の光を強調する共振器構造を形成し、発光効率や色再現性の向上を図るといった技術が知られている。
　共振効果によって特定の波長の光を強調するためには、反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離を、波長に応じて調整する必要がある。特許文献１には、上部電極としての透明電極上に光路長調整層を設けその上に半透過反射膜を形成するといった技術が開示されている。
特開２００９－２７２１５０号公報
　上部電極としての透明電極上に光路長調整層を設けその上に半透過反射膜を形成するといった構成にあっては、通常、光路長調整層を極めて薄い層として形成する必要がある。このため、高精度に膜厚を制御するといったことが難しく、製造し難いといった問題がある。
　従って、本開示の目的は、光路長調整層を用いることなく、共振器構造の光学的距離を高精度に設定することが可能な構造の表示装置、係る表示装置を備えた電子機器、および、係る表示装置の製造方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置は、
　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、
　反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、
　半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、
　カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている、
表示装置である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る表示装置の製造方法は、
　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている表示装置の製造方法であって、
　有機層上を含む全面にカソード電極を形成する工程と、
　カソード電極の膜厚を、発光色毎に異なるように加工する工程と、
を有する、
表示装置の製造方法である。
　上記の目的を達成するための本開示に係る電子機器は、
　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、
　反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、
　半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、
　カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている、
表示装置を有する電子機器である。
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。 図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図３Ａおよび図３Ｂは、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図４は、図３Ｂに引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図５は、図４に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図６は、図５に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図７は、図６に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図８は、図７に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図９は、図８に引き続き、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１０は、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図１１は、図１０に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１２は、図１１に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１３は、第３の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図１４は、第４の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図１５は、第４の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。 図１６は、図１５に引き続き、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。 図１７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１７Ａにその正面図を示し、図１７Ｂにその背面図を示す。 図１８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図１９は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。
　以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
　１．本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明
　２．第１の実施形態
　３．第２の実施形態
　４．第３の実施形態
　５．第４の実施形態
　６．電子機器の説明、その他
［本開示の表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器、全般に関する説明］
　本開示に係る表示装置、本開示に係る電子機器に用いられる表示装置、及び、本開示に係る表示装置の製造方法によって得られる表示装置（以下、単に、これらを「本開示の表示装置」と呼ぶ場合がある。）において、反射膜は、アノード電極の機能を有する構成とすることができる。
　反射膜は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などの光反射材料を用いて形成することができる。反射膜の厚さは、例えば１００～３００ナノメートルの範囲に設定されていることが好ましい。
　尚、反射膜とアノード電極とを別個に形成する場合、アノード電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。この場合、アノード電極は、反射膜と有機層との間に配置すればよい。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、カソード電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができるが、中でも、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いて形成することが好ましい。カソード電極は、例えばスパッタリング法などの成膜方法によって形成することができる。
　インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）の成膜温度は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）の成膜温度よりも低い。カソード電極は有機層上に成膜されるので、有機層に与える影響を考慮すると、カソード電極の成膜温度を低くすることができるインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を選択することが好ましい。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、カソード電極は各画素に共通する電極として形成されており、反射膜に対応するカソード電極の部分には凹部が設けられている構成とすることができる。この場合において、凹部の深さは発光色毎に異なる構成とすることができる。また、本開示の表示装置の製造方法にあっては、反射膜に対応するカソード電極の部分に凹部を形成することによって、カソード電極の膜厚を発光色毎に異なるように加工する構成とすることができる。この場合、ドライエッチング技術を用いてカソード電極を加工することが好ましい。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離は、カソード電極の膜厚が発光色毎に異なるように形成されていることによって、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている構成とすることができる。この場合において、半透過反射膜および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす構成とすることができる。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、半透過反射膜は、光透過性、光反射性が良好な金属材料により形成することができ、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）といった金属やそれらの合金を例示することができる。光透過性や光反射性の観点からは、半透過反射膜は銀または銀を含む合金から成る構成とすることが好ましい。半透過反射膜の厚さは、例えば５～４０ナノメートルの範囲に設定される。
　上述した各種の好ましい構成を含む本開示の表示装置において、発光層は各画素に亙って共通に形成されている構成とすることができる。この場合において、発光層は、白色光を発光する構成とすることができる。
　この構成において、有機層は、共通の連続膜として、反射膜上を含む全面に設けられる。有機層は、電圧が印加されることによって発光する。有機層は、例えば、反射膜側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および、電子注入層を順に積層した構造で構成することができる。有機層を構成する正孔輸送材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、有機発光材料は特に限定するものではなく、周知の材料を用いることができる。
　有機層は、複数の発光層を電荷発生層または中間電極を介して接続した、いわゆるタンデム型構造で構成されていてもよい。例えば、赤色発光、緑色発光、青色発光の発光層を積層することによって、あるいは又、黄色発光、青色発光の発光層を積層することによって、白色で発光する発光層を構成することができる。
　あるいは又、発光層は画素毎に形成されている構成とすることができる。この場合において、発光層は、画素の発光色に応じた色の光を発光する構成とすることができる。この場合においても、有機層を構成する各層のうち、発光層以外の層は、共通の連続膜として、反射膜上を含む全面に設けることができる。
　カラー表示の構成とする場合には、１つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、１つの画素は、赤色表示副画素、緑色表示副画素、及び、青色表示副画素の３つの副画素から成る構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。
　表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ－ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ－ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ－ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ－ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ－ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
　表示装置に用いられる絶縁膜などは、公知の無機材料や有機材料から適宜選択した材料を用いて形成することができ、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法に例示される物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などの周知の成膜方法で形成することができる。また、これらをパターニングする場合には、エッチング法やリフトオフ法などの周知のパターニング法の組み合わせによって行うことができる。
　本開示に係る表示装置において、発光部の発光を制御する駆動回路などの構成は特に限定するものではない。発光部は、例えば、回路基板上の或る平面内に形成され、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に配置されているといった構成とすることができる。駆動回路を構成するトランジスタの構成は、特に限定するものではない。ｐチャネル型の電界効果トランジスタであってもよいし、ｎチャネル型の電界効果トランジスタであってもよい。
　回路基板の構成材料として、半導体材料、ガラス材料、あるいは、プラスチック材料を例示することができる。駆動回路を半導体基板に形成されたトランジスタによって構成するといった場合、例えばシリコンから成る半導体基板にウェル領域を設け、ウェル内にトランジスタを形成するといった構成とすればよい。一方、駆動回路を薄膜トランジスタなどによって構成するといった場合は、ガラス材料やプラスチック材料から成る基板を用いてその上に半導体薄膜を形成し駆動回路を形成することができる。各種の配線は、周知の構成や構造とすることができる。
　本明細書における各種の式に示す条件は、式が数学的に厳密に成立する場合の他、式が実質的に成立する場合にも満たされる。式の成立に関し、表示素子や表示装パネル等の設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、以下の説明で用いる図は模式的なものである。例えば、後述する図２は表示装置の断面構造を示すが、幅、高さ、厚さなどの割合を示すものではない。
［第１の実施形態］
　第１の実施形態は、本開示の第１の態様に係る、表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器に関する。
　図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。表示装置１は、発光部ＥＬＰと発光部ＥＬＰを駆動する駆動回路とを含む画素１０が、行方向（図１においてＸ方向）に延びる走査線ＳＣＬと列方向（図１においてＹ方向）に延びるデータ線ＤＴＬとに接続された状態で２次元マトリクス状に配列して形成されている表示領域１１、給電線ＰＳ１に電圧を供給する電源部１００、走査線ＳＣＬに走査信号を供給する走査部１０１、データ線ＤＴＬに信号電圧を供給するデータドライバ１０２を備えている。尚、図示の都合上、図１においては、１つの画素１０、より具体的には、後述する第（ｑ，ｐ）番目の画素１０についての結線関係を示した。
　表示装置１は、更に、全ての画素１０に共通に接続される共通給電線ＰＳ２を備えている。給電線ＰＳ１には、電源部１００から所定の駆動電圧が供給され、共通給電線ＰＳ２には、共通の電圧（例えば接地電位）が供給される。
　図１では図示されていないが、表示領域１１には、行方向にＱ個、列方向にＰ個、合計Ｑ×Ｐ個の画素（表示素子）１０が、２次元マトリクス状に配列されている。表示領域における画素１０の行数はＰであり、各行を構成する画素１０の数はＱである。
　また、走査線ＳＣＬ及び給電線ＰＳ１の本数はそれぞれＰ本である。第ｐ行目（但し、ｐ＝１，２・・・，Ｐ）の画素１０は、第ｐ番目の走査線ＳＣＬp、第ｐ番目の給電線ＰＳ１pに接続されており、１つの表示素子行を構成する。尚、図１では、走査線ＳＣＬp及び給電線ＰＳ１pのみが示されている。
　また、データ線ＤＴＬの本数はＱ本である。第ｑ列目（但し、ｑ＝１，２・・・，Ｑ）の画素１０は、第ｑ番目のデータ線ＤＴＬqに接続されている。尚、図１では、データ線ＤＴＬqのみが示されている。
　表示装置１は、例えばカラー表示の表示装置である。１つの画素１０は、１つのサブピクセルを構成する。走査部１０１からの走査信号によって、表示装置１は行単位で線順次走査される。第ｐ行、第ｑ列目に位置する画素１０を、以下、第（ｑ，ｐ）番目の画素１０あるいは第（ｑ，ｐ）番目の画素１０と呼ぶ。
　表示装置１にあっては、第ｐ行目に配列されたＱ個の画素１０が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＱ個の画素１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｐ）秒未満である。
　画素１０は、発光部ＥＬＰとこれを駆動する駆動回路とから成る。発光部ＥＬＰは有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る。駆動回路は、書込みトランジスタＴＲW、及び、駆動トランジスタＴＲD、並びに、容量部Ｃ1から構成されている。駆動トランジスタＴＲDを介して発光部ＥＬＰに電流が流れると、発光部ＥＬＰは発光する。各トランジスタは、ｐチャネル型の電界効果トランジスタから構成されている。
　画素１０において、駆動トランジスタＴＲDの一方のソース／ドレイン領域は、容量部Ｃ1の一端と給電線ＰＳ１とに接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰの一端（具体的には、アノード電極）に接続されている。駆動トランジスタＴＲDのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲWの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ1の他端に接続されている。
　また、書込みトランジスタＴＲWにおいて、一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。
　発光部ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）は、共通給電線ＰＳ２に接続されている。共通給電線ＰＳ２には所定のカソード電圧ＶCatが供給される。尚、発光部ＥＬＰの容量を符号ＣELで表す。
　画素１０の駆動の概要について説明する。データドライバ１０２からデータ線ＤＴＬに、表示すべき画像の輝度に応じた電圧が供給された状態で、走査部１０１からの走査信号により書込みトランジスタＴＲWが導通状態とされると、容量部Ｃ1に表示すべき画像の輝度に応じた電圧が書き込まれる。書込みトランジスタＴＲWが非導通状態とされた後、容量部Ｃ1に保持された電圧に応じて駆動トランジスタＴＲDに電流が流れることによって発光部ＥＬＰが発光する。
　尚、本開示において、画素１０の発光を制御する駆動回路の構成は特に限定するものではない。従って、図１に示す構成は一例に過ぎず、本実施形態に係る表示装置にあっては種々の構成を取り得る。
　引き続き、表示装置１の詳しい構造について説明する。
　　図２は、第１の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。
　表示装置１において、反射膜３１は、アノード電極の機能を有する。以下、反射膜３１を反射膜（アノード電極）３１と記載する場合がある。画素１０の発光色毎に反射膜３１と半透過反射膜６０とが異なる距離で配置されている。反射膜３１と半透過反射膜６０との間に、発光層を含む有機層４０と透明なカソード電極５０とが積層されている。半透過反射膜６０は、カソード電極５０の上に形成されており、カソード電極５０の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている。
　発光部ＥＬＰは、反射膜３１と有機層４０とカソード電極５０とが積層されて構成されている。尚、赤色を発光する発光部を符号ＥＬＰR、緑色を発光する発光部を符号ＥＬＰG、青色を発光する発光部を符号ＥＬＰBと表した。
　反射膜（アノード電極）３１は発光部ＥＬＰごとに設けられていると共に、隣接する反射膜３１の間には画素間絶縁膜としての隔壁部３２が形成されている。そして、反射膜３１上と隔壁部３２上を含む全面に、有機層４０とカソード電極５０とが積層されている。さらに、カソード電極５０上に半透過反射膜６０が設けられ、その上に、保護膜７０が配置されている。
　反射膜３１は、層間絶縁膜２７の上に形成されている。反射膜３１の光反射面と半透過反射膜６０との間（図において矢印で示す部分）が共振器構造を形成する。
　カソード電極５０は各画素１０に共通する電極として形成されている。そして、反射膜（アノード電極）３１に対応するカソード電極５０の部分には凹部が設けられている。凹部の深さは発光色毎に異なる。
　反射膜３１と半透過反射膜６０との間の光学的距離は、これらの凹部が設けられることでカソード電極５０の膜厚が発光色毎に異なるように形成されていることによって、画素１０の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている。反射膜３１および半透過反射膜６０で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、反射膜３１と半透過反射膜６０との間の光学的距離を符号Ｌ、画素１０から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たすように設定されている。
　以下、図２を参照して、各種構成要素について詳しく説明する。
　回路基板２０は、基材２１、基材２１上に形成されたゲート電極２２．ゲート電極２２上を含む全面を覆うように形成されたゲート絶縁膜２３、半導体材料層２４、半導体材料層２４上を含む全面を覆うように形成された層間絶縁膜２５、半導体材料層２４に形成されたトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されたソース／ドレイン電極２６、ソース／ドレイン電極２６上を含む全面を覆うように形成された平坦化膜２７から成る。
　回路基板２０は、上述したトランジスタ等によって構成された、画素１０を駆動するための駆動回路を備えている。そして、反射膜（アノード電極）３１と駆動回路とは電気的に接続されている。より具体的には、反射膜（アノード電極）３１は、コンタクトプラグ２８を介して、半導体材料層２４に形成されたトランジスタのソース／ドレイン電極２６に接続されている。コンタクトプラグ２８は、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金などの金属材料から成り、平坦化膜２７に設けられた開口部内に形成されている。
　基材２１は、例えば、ガラス材料、半導体材料、あるいは、プラスチック材料などから構成することができる。この基材２１上に、発光部ＥＬＰの発光を制御する薄膜トランジスタを含む駆動回路が形成されている。
　駆動回路を構成する各種トランジスタのゲート電極２２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）などの金属、またはポリシリコンなどを用いて形成することができる。ゲート絶縁膜２３は、ゲート電極２２を覆うように基材２１の全面に設けられる。ゲート絶縁膜２３は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）やシリコン窒化物（ＳｉＮx）などを用いて形成することができる。
　半導体材料層２４は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、または酸化物半導体などを用いて、ゲート絶縁膜２３上に形成することができる。また、半導体材料層２４の一部領域は、不純物がドープされ、ソース／ドレイン領域を形成する。更に、一方のソース／ドレイン領域と他方のソース／ドレイン領域との間に位置し、かつ、ゲート電極２２の上方に位置する半導体材料層２４の領域は、チャネル領域を形成する。これらによって、基材２１上に、ボトムゲート型の薄膜トランジスタが設けられる。尚、図２においては、ソース／ドレイン領域やチャネル領域の表示は省略されている。
　層間絶縁膜２５は、半導体材料層２４上に設けられる。層間絶縁膜２５は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などから形成されている。ソース／ドレイン電極２６は、層間絶縁膜２５に設けられたコンタクトホールを介して半導体材料層２４に接続されている。ソース／ドレイン電極２６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）といった金属から形成されている。
　平坦化膜２７は、駆動回路等を被覆し平坦化するために形成される。平坦化膜２７は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、もしくはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜、またはシリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、もしくはシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などの無機絶縁膜を用いて形成することができる。
　コンタクトプラグ２８は、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金などの金属材料から成り、平坦化膜２７に設けられた開口部内に形成されている。反射膜（アノード電極）３１と駆動トランジスタのソース／ドレイン電極２６とは、コンタクトプラグ２８によって、電気的に接続されている。
　反射膜３１は、平坦化膜２７の上に形成されている。反射膜３１は、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射材料から構成されている。反射膜の厚さは、例えば１００～３００ナノメートルの範囲に設定されていることが好ましい。尚、場合によっては、透明導電材料と上述した光反射材料とが積層されて構成されていてもよい。
　有機層４０は、反射膜３１上と隔壁部３２上を含む全面に形成されている。有機層４０の発光層は各画素１０に亙って共通に形成されており、白色光を発光する。
　具体的には、有機層４０は、有機材料から成るホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層が順次積層された構造とすることができる。あるいは又、有機層４０は、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、電子輸送層、電荷発生層、ホール注入層、ホール輸送層、黄色発光層、電子輸送層が下層から順次積層された構造とすることもできる。尚、有機層４０は多層構造であるが、図では一層として表した。
　透明なカソード電極５０は、有機層４０上を含む全面に形成されている。カソード電極５０は、光透過性が良好で仕事関数が小さい材料から構成されている。ここでは、カソード電極はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成るとして説明する。カソード電極の厚さは、画素色に応じた共振条件を満たすような膜厚に設定されており、例えば、１０～２００ナノメートルの範囲に設定される。
　半透過反射膜６０は、マイクロキャビティ効果を高めるためのものであって、カソード電極５０の上に形成されている。ここでは、半透過反射膜６０は銀または銀を含む合金から成るとして説明する。半透過反射膜６０の厚さは、例えば５～４０ナノメートルの範囲に設定される。
　保護膜７０は、半透過反射膜６０上を含む全面に形成されている。保護膜７０は、有機層４０への水分の侵入を防止するためのものであって、透水性の低い材料を用いて厚さ１～８マイクロメートル程度で形成される。保護膜７０の材料としては、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、アルミニウム酸化物（ＡｌＯx）、チタン酸化物（ＴｉＯx）、またはこれらの組み合わせが用いられる。
　尚、保護膜７０上に、更に、カラーフィルタなどが形成された対向基板が配置されてもよい。対向基板は、保護膜７０の上に、紫外線硬化樹脂や熱硬化性樹脂などを用いて貼り合わすことによって配置することができる。
　以上、表示装置１の詳しい構造について説明した。上記の表示装置１は、次のようにして製造することができる。
　引き続き、上記の表示装置１の製造方法について説明する。表示装置１の製造方法は、
　有機層上を含む全面にカソード電極を形成する工程と、
　カソード電極の膜厚を、発光色毎に異なるように加工する工程と、
を有する。後述する他の実施形態においても同様である。
　図３ないし図９は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。
　以下、これらの図を参照して、表示装置１の製造方法について詳しく説明する。
　　［工程－１００］（図３Ａ参照）
　先ず、駆動回路が形成された回路基板２０を準備する。基材２１を用意し、基材２１上に所定の成膜およびパターニングプロセスを経ることにより、薄膜トランジスタを含む駆動回路を形成する。続いて、駆動回路上の全面に平坦化膜２７をスピンコート法、スリットコート法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより形成する。次いで、平坦化膜２７に開口部を形成した後、開口部にコンタクトプラグ２８を形成し、次いで、反射膜３１を形成することによって、図３Ａに示す回路基板２０を得ることができる。
　　［工程－１１０］（図３Ｂ参照）
　次いで、反射膜３１と反射膜３１との間に、画素間絶縁膜としての隔壁部３２を形成する。反射膜３１を含む全面にシリコン酸窒化物などの無機絶縁膜をスパッタリング法またはＣＶＤ法などによって成膜する。続いて、成膜した無機絶縁膜をリソグラフィ法およびドライエッチング法によって所定の凹構造となるように画素開口部をパターニングすることによって、隔壁部３２を形成することができる。その後、反射膜３１上を含む全面に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、発光分離層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層を順次成膜し、白色で発光する有機層４０を形成する。
　　［工程－１２０］（図４参照）
　次いで、有機層４０上の全面に、カソード電極５０を形成する。例えば、スパッタリング法によってインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成る膜を全面に亘って形成することによって、カソード電極５０を得ることができる。
　　［工程－１３０］（図５、図６、図７参照）
　次いで、発光色に合わせてカソード電極５０の膜厚を調整する。先ず、発光色が青色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極５０に凹部ＯＰBを形成する（図５参照）。次いで、発光色が緑色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極５０に凹部ＯＰGを形成する（図６参照）。その後、発光色が赤色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極５０に凹部ＯＰRを形成する（図７参照）。凹部の深さは、ＯＰB＞ＯＰG＞ＯＰRといった関係にある。
　　［工程－１４０］（図８参照）
　次いで、カソード電極５０上の全面に、半透過反射膜６０を形成する。半透過反射膜６０は、例えば蒸着法を用いて形成することができる。
　　［工程－１５０］（図９参照）
　その後、半透過反射膜６０上の全面に、例えばＣＶＤ法を用いて保護膜７０を形成する。次いで、必要に応じて対向基板などを貼りあわせる。以上の工程によって表示装置１を得ることができる。
　図２を参照して説明したように、反射膜３１と半透過反射膜６０との間に共振器構造が形成される。この部分の距離は、有機層４０およびカソード電極５０の厚さによって規定される。これらは、それらを形成するプロセス上、高精度な制御が可能である。したがって、共振器構造の光学的距離を高精度に設定することができるので、共振器構造のばらつきに起因する発光効率や発光色のばらつきを抑制することができる。
　そして、厚く形成したカソード電極５０に凹部を設けることによって膜厚を調整することができるので、光路長調整層を極めて薄い層として形成するといった成膜プロセスを必要としない。従って、製造性に優れているといった利点を備えている。
［第２の実施形態］
　第２の実施形態は、第１の実施形態の変形である。第１の実施形態に対して、カソード電極が組成の異なる層の積層構造である点が、主に相違する。
　図１０は、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。尚、第２の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図は、図１において、表示装置１を表示装置２と読み替えればよい。
　表示装置２にあっては、カソード電極２５０の構成が、表示装置１と相違する。
　カソード電極２５０は、有機層４０側から、第１層２５０Ａ、第２層２５０Ｂ、第３層２５０Ｃ、第４層２５０Ｄといった４層から構成されている。これらは、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から成る層であるが、スパッタリング法などで成膜する際に、成膜条件を異にすることによって、エッチャントに対する選択性が相違するように形成されている。
　第１の実施形態と同様に、カソード電極２５０は各画素１０に共通する電極として形成されている。そして、反射膜（アノード電極）３１に対応するカソード電極２５０の部分には凹部が設けられている。凹部の深さは発光色毎に異なる。より具体的には、赤色の発光色の画素１０に対応した凹部は、第３層２５０Ｃをストップ層とするように形成され、緑色の発光色の画素１０に対応した凹部は、第２層２５０Ｂをストップ層とするように形成され、青色の発光色の画素１０に対応した凹部は、第１層２５０Ａをストップ層とするように形成されている。
　カソード電極２５０を構成する各層の厚さは、上述した凹部を形成することによって、反射膜３１と半透過反射膜６０との間の光学的距離が、画素１０の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている。
　以上、表示装置２の詳しい構造について説明した。上記の表示装置２は、次のようにして製造することができる。
　図１１および図１２は、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。
　　［工程－２００］
　先ず、上述した［工程－１００］と［工程－１１０］で説明したと同様の工程を行い、回路基板２０上に、隔壁部３２と有機層４０を形成する（図３Ｂ参照）。
　　［工程－２１０］（図１１参照）
　次いで、有機層４０上の全面に、カソード電極２５０を形成する。例えば、成膜条件を異にして、スパッタリング法によってインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成る層を積層して、第１層２５０Ａ、第２層２５０Ｂ、第３層２５０Ｃ、第４層２５０Ｄから成るカソード電極２５０を形成する。
　　［工程－２２０］（図１２参照）
　次いで、発光色に合わせてカソード電極２５０の膜厚を調整する。先ず、発光色が青色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極２５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極２５０に凹部ＯＰBを形成する。次いで、発光色が緑色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極２５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極２５０に凹部ＯＰGを形成する。その後、発光色が赤色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極２５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極５０に凹部ＯＰRを形成する。凹部の深さは、ＯＰB＞ＯＰG＞ＯＰRといった関係にある。
　　［工程－２３０］
　その後、上述した［工程－１４０］と［工程－１５０］で説明したと同様の工程を行う。以上の工程によって表示装置２を得ることができる。
　反射膜３１と半透過反射膜６０との間の距離は、有機層４０、および、カソード電極２５０を構成する各層の厚さによって規定される。これらは、それらを形成するプロセス上、高精度な制御が可能である。したがって、共振器構造の光学的距離を高精度に設定することができるので、共振器構造のばらつきに起因する発光効率や発光色のばらつきを抑制することができる。
［第３の実施形態］
　第３の実施形態も、第１の実施形態の変形である。第１の実施形態に対して、発光層は画素毎に形成されており、また、発光層は画素の発光色に応じた色の光を発光する点が、主に相違する。
　図１３は、第３の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。尚、第３の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図は、図１において、表示装置１を表示装置３と読み替えればよい。
　表示装置３においても、有機層３４０は、有機材料から成るホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層、青色発光層、緑色発光層、電子輸送層といった層を備える。ホール注入層、ホール輸送層、及び、電子輸送層といった、発光層以外の層は、第１の実施形態と同様に、共通の連続膜として、反射膜上を含む全面に設けられている。これに対して、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層は、画素１０の発光色に応じて画素毎に形成されている。図１３において、符号３４１Rは赤色発光層、符号３４１Gは緑色発光層、符号３４１Bは青色発光層を示す。
　この構成によれば、塗り分けは発光層のみであって、他の機能層は共通層であるので、位置合わせは比較的容易となる。また、発光層が画素１０に応じた色で発光するので、色純度や輝度の向上を図ることができるといった利点を備えている。
　以上、表示装置３の詳しい構造について説明した。上記の表示装置３は、発光層を画素毎に塗り分けるといった点が相違する他、第１の実施形態において説明した製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。
［第４の実施形態］
　第４の実施形態も、第１の実施形態の変形である。第１の実施形態に対して、一部の画素について凹部の形成を省略することができるといった点が相違する。
　図１４は、第４の実施形態に係る表示装置の模式的な一部断面図である。尚、第４の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図は、図１において、表示装置１を表示装置４と読み替えればよい。
　表示装置４においても、カソード電極４５０は各画素１０に共通する電極として形成されている。そして、反射膜（アノード電極）３１に対応するカソード電極５０の部分には凹部が設けられている。但し、カソード電極４５０は、第１の実施形態とは異なり、凹部を形成しない状態で、赤色に適した共振状態が得られる厚さで形成されている。このため、カソード電極４５０の凹部は、緑色表示の画素１０と、青色表示の画素１０にのみ対応して形成されている。
　以上、表示装置４の詳しい構造について説明した。上記の表示装置４は、次のようにして製造することができる。
　図１５および図１６は、第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的な一部端面図である。
　　［工程－４００］
　先ず、上述した［工程－１００］と［工程－１１０］で説明したと同様の工程を行い、回路基板２０上に、隔壁部３２と有機層４０を形成する（図３Ｂ参照）。
　　［工程－４１０］（図１５参照）
　次いで、有機層４０上の全面に、カソード電極４５０を形成する。上述したように、カソード電極４５０は、赤色に適した共振状態が得られる厚さで形成する。
　　［工程－４２０］（図１６参照）
　次いで、発光色に合わせてカソード電極４５０の膜厚を調整する。先ず、発光色が青色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極４５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極２５０に凹部ＯＰBを形成する。次いで、発光色が緑色である画素１０に対応した開口を有するマスクをカソード電極４５０上に形成し、ドライエッチングを施してカソード電極２５０に凹部ＯＰGを形成する。
　　［工程－２３０］
　その後、上述した［工程－１４０］と［工程－１５０］で説明したと同様の工程を行う。以上の工程によって表示装置４を得ることができる。
　第４の実施形態にあっては、第１の実施形態において説明した利点を備えるとともに、更に、カソード電極の加工工程を削減することができる。従って、製造性により優れているといった利点を備えている。
　以上説明した本開示に係る各種の表示装置によれば、反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている。このように、カソード電極の膜厚を適宜設定することによって、共振器構造の光学的距離を高精度に設定することができる。
［電子機器］
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。
　本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。
（具体例１）
　図１７は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図１７Ａにその正面図を示し、図１７Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。
　そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ４１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
（具体例２）
　図１８は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部５１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部５１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部５１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
（具体例３）
　図１９は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１は、本体部６１２、アーム６１３および鏡筒６１４で構成される。
　本体部６１２は、アーム６１３および眼鏡６００と接続される。具体的には、本体部６１２の長辺方向の端部はアーム６１３と結合され、本体部６１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡６００と連結される。なお、本体部６１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部６１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム６１３は、本体部６１２と鏡筒６１４とを接続させ、鏡筒６１４を支える。具体的には、アーム６１３は、本体部６１２の端部および鏡筒６１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒６１４を固定する。また、アーム６１３は、本体部６１２から鏡筒６１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。
　鏡筒６１４は、本体部６１２からアーム６１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ６１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ６１１において、本体部６１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。
［その他］
　なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［Ａ１］
　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、
　反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、
　半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、
　カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている、
表示装置。
［Ａ２］
　反射膜はアノード電極の機能を有する、
上記［Ａ１］に記載の表示装置。
［Ａ３］
　カソード電極はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成る、
上記［Ａ１］または［Ａ２］に記載の表示装置。
［Ａ４］
　カソード電極は各画素に共通する電極として形成されており、
　反射膜に対応するカソード電極の部分には凹部が設けられている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ３］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ５］
　凹部の深さは発光色毎に異なる、
上記［Ａ４］に記載の表示装置。
［Ａ６］
　反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離は、カソード電極の膜厚が発光色毎に異なるように形成されていることによって、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ５］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ７］
　半透過反射膜および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす、
上記［Ａ６］に記載の表示装置。
［Ａ８］
　半透過反射膜は銀または銀を含む合金から成る、
上記［Ａ１］ないし［Ａ７］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ９］
　発光層は各画素に亙って共通に形成されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ８］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１０］
　発光層は、白色光を発光する、
上記［Ａ９］に記載の表示装置。
［Ａ１１］
　発光層は画素毎に形成されている、
上記［Ａ１］ないし［Ａ８］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ１２］
　発光層は、画素の発光色に応じた色の光を発光する、
上記［Ａ１１］に記載の表示装置。
［Ｂ１］
　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている表示装置の製造方法であって、
　有機層上を含む全面にカソード電極を形成する工程と、
　カソード電極の膜厚を、発光色毎に異なるように加工する工程と、
を有する、
表示装置の製造方法。
［Ｂ２］
　反射膜に対応するカソード電極の部分に凹部を形成することによって、カソード電極の膜厚を発光色毎に異なるように加工する、
上記［Ｂ１］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ３］
　反射膜はアノード電極の機能を有する、
上記［Ｂ１］または［Ｂ２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ４］
　カソード電極はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ４］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ５］
　カソード電極は各画素に共通する電極として形成されており、
　反射膜に対応するカソード電極の部分には凹部が設けられている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ５］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ６］
　凹部の深さは発光色毎に異なる、
上記［Ｂ５］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ７］
　反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離は、カソード電極の膜厚が発光色毎に異なるように形成されていることによって、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ６］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ８］
　半透過反射膜および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす、
上記［Ｂ７］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ９］
　半透過反射膜は銀または銀を含む合金から成る、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ８］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１０］
　発光層は各画素に亙って共通に形成されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ９］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１１］
　発光層は、白色光を発光する、
上記［Ｂ１０］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１２］
　発光層は画素毎に形成されている、
上記［Ｂ１］ないし［Ｂ９］のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
［Ｂ１３］
　発光層は、画素の発光色に応じた色の光を発光する、
上記［Ｂ１２］に記載の表示装置の製造方法。
［Ｃ１］
　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、
　反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、
　半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、
　カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｃ２］
　反射膜はアノード電極の機能を有する、
上記［Ｃ１］に記載の電子機器。
［Ｃ３］
　カソード電極はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成る、
上記［Ｃ１］または［Ｃ２］に記載の電子機器。
［Ｃ４］
　カソード電極は各画素に共通する電極として形成されており、
　反射膜に対応するカソード電極の部分には凹部が設けられている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ３］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ５］
　凹部の深さは発光色毎に異なる、
上記［Ｃ４］に記載の電子機器。
［Ｃ６］
　反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離は、カソード電極の膜厚が発光色毎に異なるように形成されていることによって、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ５］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ７］
　半透過反射膜および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
の条件を満たす、
上記［Ｃ６］に記載の電子機器。
［Ｃ８］
　半透過反射膜は銀または銀を含む合金から成る、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ９］
　発光層は各画素に亙って共通に形成されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ８］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ１０］
　発光層は、白色光を発光する、
上記［Ｃ９］に記載の電子機器。
［Ｃ１１］
　発光層は画素毎に形成されている、
上記［Ｃ１］ないし［Ｃ８］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｃ１２］
　発光層は、画素の発光色に応じた色の光を発光する、
上記［Ｃ１１］に記載の電子機器。
１，２，３，４・・・表示装置、１０・・・画素、１１・・・表示領域、２０・・・回路基板、２１・・・基材、２２・・・ゲート電極、２３・・・ゲート絶縁膜、２４・・・半導体材料層、２５・・・平坦化膜、２６・・・ソース／ドレイン電極、２７・・・平坦化膜、２８・・・コンタクトプラグ、３１・・・反射膜（アノード電極）、３２・・・隔壁部、４０・・・有機層、３４１R・・・赤色発光層、３４１G・・・緑色発光層、３４１B・・・青色発光層、５０，２５０，４５０・・・カソード電極、２５０Ａ・・・第１層、２５０Ｂ・・・第２層、２５０Ｃ・・・第３層、２５０Ｄ・・・第４層、６０・・・半透過反射膜、７０・・・保護膜、１００・・・電源部、１０１・・・走査部、１０２・・・データドライバ、４１１・・・カメラ本体部、４１２・・・撮影レンズユニット、４１３・・・グリップ部、４１４・・・モニタ、４１５・・・ビューファインダ、５１１・・・眼鏡形の表示部、５１２・・・耳掛け部、６００・・・眼鏡（アイウェア）、６１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、６１２・・・本体部、６１３・・・アーム、６１４・・・鏡筒

Claims (15)

  1. 　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、
    　反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、
    　半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、
    　カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている、
    表示装置。
  2. 　反射膜はアノード電極の機能を有する、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 　カソード電極はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）から成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  4. 　カソード電極は各画素に共通する電極として形成されており、
    　反射膜に対応するカソード電極の部分には凹部が設けられている、
    請求項１に記載の表示装置。
  5. 　凹部の深さは発光色毎に異なる、
    請求項４に記載の表示装置。
  6. 　反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離は、カソード電極の膜厚が発光色毎に異なるように形成されていることによって、画素の表示色に応じた光学的距離となるように設定されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  7. 　半透過反射膜および反射膜で生じる反射光の位相シフトを符号Φ、反射膜と半透過反射膜との間の光学的距離を符号Ｌ、画素から取り出す光のスペクトルのピーク波長を符号λで表すとき、光学的距離Ｌは、
    ２Ｌ／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）
    の条件を満たす、
    請求項６に記載の表示装置。
  8. 　半透過反射膜は銀または銀を含む合金から成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  9. 　発光層は各画素に亙って共通に形成されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  10. 　発光層は、白色光を発光する、
    請求項９に記載の表示装置。
  11. 　発光層は画素毎に形成されている、
    請求項１に記載の表示装置。
  12. 　発光層は、画素の発光色に応じた色の光を発光する、
    請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている表示装置の製造方法であって、
    　有機層上を含む全面にカソード電極を形成する工程と、
    　カソード電極の膜厚を、発光色毎に異なるように加工する工程と、
    を有する、
    表示装置の製造方法。
  14. 　反射膜に対応するカソード電極の部分に凹部を形成することによって、カソード電極の膜厚を発光色毎に異なるように加工する、
    請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
  15. 　画素の発光色毎に反射膜と半透過反射膜とが異なる距離で配置され、
    　反射膜と半透過反射膜との間に、発光層を含む有機層と透明なカソード電極とが積層されており、
    　半透過反射膜は、カソード電極の上に形成されており、
    　カソード電極の膜厚は、発光色毎に異なるように形成されている、
    表示装置を有する電子機器。
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