WO2019091824A1 - Battery storage system - Google Patents

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WO2019091824A1
WO2019091824A1 PCT/EP2018/079684 EP2018079684W WO2019091824A1 WO 2019091824 A1 WO2019091824 A1 WO 2019091824A1 EP 2018079684 W EP2018079684 W EP 2018079684W WO 2019091824 A1 WO2019091824 A1 WO 2019091824A1
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WO
WIPO (PCT)
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storage system
battery storage
memory module
series
memory modules
Prior art date
Application number
PCT/EP2018/079684
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German (de)
French (fr)
Inventor
Tim Müller
Lars FALLANT
Manfred Liebscher
Lars MADEMANN
Original Assignee
Belectric Gmbh
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/0013Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries acting upon several batteries simultaneously or sequentially
    • H02J7/0014Circuits for equalisation of charge between batteries
    • H02J7/0016Circuits for equalisation of charge between batteries using shunting, discharge or bypass circuits
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J1/00Circuit arrangements for dc mains or dc distribution networks
    • H02J1/001Hot plugging or unplugging of load or power modules to or from power distribution networks
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J3/00Circuit arrangements for ac mains or ac distribution networks
    • H02J3/28Arrangements for balancing of the load in a network by storage of energy
    • H02J3/32Arrangements for balancing of the load in a network by storage of energy using batteries with converting means
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02JCIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries

Definitions

  • the invention relates to a battery storage system having at least one series train, wherein in each series train at least a first memory module and a second memory module are provided, which are electrically connected in series with each other, wherein the
  • Serial train is electrically connected to a converter that is on its
  • AC side is connected to an AC mains.
  • a battery storage system for power plants in particular for solar power plants is known, which has a plurality of memory modules.
  • the memory modules can come from, among other things, the automotive sector.
  • the battery storage system comprises several series trains, each with two
  • Memory modules are provided.
  • the memory modules of a series train are electrically connected in series.
  • the series trains are electrically connected in parallel with each other.
  • the series strings are electrically connected to a converter, which on its AC side with a
  • the battery storage system itself is operated with a DC system voltage.
  • the memory modules which preferably originate from the automotive sector, have a plurality of components, such as semiconductor elements, in particular
  • a critical state is especially present when switching elements of the memory module, which are used for switching on and off of the memory module, are in the open state and applied to the series strand a nominal voltage.
  • the (nominal) voltage applied to the series train mentioned above can already be parallel
  • the invention is therefore based on the object to provide a battery storage system, which in a cost effective manner reliable and safe operation
  • Symmetry resistance an overvoltage of the memory modules is advantageously prevented, whereby a safe and reliable battery storage system is provided.
  • This arrangement ensures that the voltage applied to the memory module voltage below a predetermined limit, in particular a
  • Threshold voltage of the memory module remains. This prevents the
  • the battery storage system can be reliably put into operation when the respective memory module has at least two switching elements, wherein the first
  • the respective memory module comprises a heating element and / or a measuring and / or load circuit and / or a semiconductor, in particular a semiconductor switch, which are preferably arranged in a closed metallic housing, wherein the respective memory module an equivalent resistance, in particular a
  • Klemmersatzwiderstand which is formed by the resistors of the heating element and / or the measuring and / or load circuit and / or the semiconductor, in particular the semiconductor switch, when at least one switching element has an open state, in particular when the first switching element and the second switching element have an open state.
  • Type-specific properties of the memory module in particular after
  • Memory module assigned equivalent resistance is formed.
  • the battery storage system can work safely and reliably if that
  • Battery storage system has a working voltage range of preferably 600V-840V and a memory module has a working voltage range of preferably 300- 420V, wherein the DC system voltage is preferably substantially twice as large is like a terminal voltage, which lies in the working voltage range of the memory module.
  • the battery storage system can be provided when the memory modules are designed as previously used memory modules and / or as first-life memory modules.
  • Used memory modules are memory modules that have already been used in one or more other systems and may suffer from power loss, such as memory modules previously used in electric cars.
  • First-life memory modules are memory modules that have not previously been used, and where essentially none
  • the use of used memory modules has the advantage that they are available on the market at low cost.
  • the first-life memory modules offer the advantage that the storage capacity is very high. So it can make sense
  • Form battery storage systems both with used memory modules, as well as with first-life memory modules It could offer a ratio of 90/10, the use of 90% used memory modules and 10% First Life memory modules, or the use of 10% used memory modules and 90% First Life memory modules. Depending on the selection, a low-cost and / or highly efficient battery storage system can be provided.
  • the battery storage system can be provided that all first and all second switching elements of the battery storage system are open when the inverter is inactive and the DC system voltage has 0V. In this case, the battery storage system is in a shutdown state.
  • the first equivalent resistance of the first memory module is formed high-impedance or low-impedance than the second equivalent resistance of the second memory module of the respective series strand.
  • Communication interface which is arranged in or on the housing of the memory module, are switchable.
  • the communication interface can be designed as a CAN bus or else as a wireless connection, such as W-Lan.
  • a safe start of the battery storage system can be ensured when take in operation of the battery storage system in a first step, a DC circuit is charged to a default voltage and thereafter by switching on the switching elements of the memory module, these are continuously switchable, the battery storage system only after the connection all series trains can be operated at full power.
  • the DC circuit is the electrical connection of the series strands with each other at their respective
  • the individual series strands are interconnected in parallel.
  • the number of symmetry resistors can advantageously be reduced if at least one first memory module system and one second memory module system are connected in series with at least one first memory module being connected in parallel and / or at least in the first memory module system at least in the second
  • Memory module at least two second memory modules are connected in parallel to each other, wherein the first memory modules and / or to the second
  • FIG. 1 shows a circuit diagram of a battery storage system according to the invention according to a first embodiment
  • Figure 2 is a circuit diagram of a battery storage system according to the invention according to a second embodiment.
  • FIG. 1 shows a battery storage system 1, for example for a solar power plant.
  • the battery storage system 1 may also be connected to other power plants, such as hydropower plants, wind power plants, and the like.
  • the battery storage system 1 has a working voltage range of preferably 600V-840V and a memory module (6, 6 ', 6 ", 7, T, 7") has a working voltage range of preferably 300-420V, the DC system voltage preferably in
  • the present battery storage system 1 has a converter 2, which comprises a positive pole and a negative pole and is electrically connected via lines with at least three series strands 3, 4 and 5.
  • the series strands 3, 4, 5 are interconnected in parallel, as can be seen from the figure.
  • the inverter 2 is on his
  • the other series strands 4, 5 are substantially similar to the structure and function of the series strand 3.
  • the memory modules 6, 7 of the series train 3 are preferably designed as high-voltage storage, which are used for example in the automotive industry in electric vehicles. These may be used memory modules, which were previously used in electric vehicles, but also so-called first-live memory modules that were not yet in use.
  • the memory modules 6, 7 are essentially the same in construction.
  • the memory module 6 of the first series strand 3 comprises a heating element and / or a measuring and / or load circuit and / or a semiconductor, in particular a semiconductor switch, which are preferably arranged in a closed metallic housing, the memory module 6 having an equivalent resistance 8, in particular a clamping replacement resistor, which is formed by the resistors of the heating element and / or the measuring and / or load circuit and / or the semiconductor, in particular of the semiconductor switch, when a first switching element 9 and a second switching element 10 have an open state.
  • the memory module 6 comprises the at least two switching elements 9, 10, wherein the first switching element 9 behind a first terminal point, which has the positive potential is disposed, and the second switching element 10 in front of a second negative terminal point, which has a negative potential is disposed ,
  • the second memory module 7 also includes an equivalent resistor 11, a first switching element 12 and a second switching element 13.
  • the switching elements 9, 10, 12, 13 are switchable via a communication interface, which is arranged in or on the housing of the memory module 6 and 7, respectively ,
  • each storage module 6, 7 of the series strand 3 is one each
  • Symmetry resistance 14, 15 connected in parallel.
  • the symmetry resistor 14 has a lower impedance than the equivalent resistance 8 and in the second memory module 7 the symmetrical resistor 15 has a lower impedance than the equivalent resistor 11.
  • the first equivalent resistance 8 of the first memory module 6 is higher-impedance or lower-resistance than the second one
  • Substitute resistor 11 of the second memory module 7 of the series strand 3 is formed.
  • the resistance values of the equivalent resistors 8 and 11 are in most cases unequal, since this with the construction and the nature of the memory modules 6, 7 and their
  • the replacement resistors 8, 11 are not to be regarded as static, but can, in particular at startup of the
  • the operation of the battery storage system 1 will be described below.
  • all the switching elements of the battery storage system 1, in particular the switching elements 9, 10, 12, 13 in an open state and the inverter 2 is inactive, wherein the DC system voltage is then OV.
  • the equivalent resistors 8 and 11 have different resistance values, in particular the equivalent resistance 8 is smaller, or even smaller, than the equivalent resistance 11. Without the symmetry resistors 14, 15, it could then happen that a voltage of, for example 600V is formed and the memory module 7, for example, a voltage of 200V is formed when the DC system voltage is 800V. For example, if the allowed
  • Limit voltage of the memory module 6 is 550V, then a voltage applied by 600V could lead to damage of the memory modules 6 and possibly 7.
  • Symmetry resistors 14, 15 for which, after detection and measurement of the respective equivalent resistors 8, 11 have been dimensioned accordingly, that the voltage drop U6, U7 to the memory modules 6, 7, in particular to the equivalent resistors 8, 11 is preferably in the range of the desired 400V.
  • dimensioned symmetry resistors 14, 15 is advantageously ensured that when starting the battery storage system 1 damage to the memory modules 6, 7 and possibly further memory modules is prevented.
  • Switching elements 9,10 and 12, 13 turned on.
  • the battery storage system 1 is ready.
  • the memory modules 6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7" in particular the memory modules 6, 7 loaded or unloaded or remain in the idle state.
  • the power supply is stopped, the switching elements of all memory modules open, the inverter 2 then the series strands 3, 4, 5 discharges.
  • the symmetry resistors are designed as variable resistors. These can preferably be used in measurements of the battery storage system 1.
  • FIG. 2 is a second embodiment of the invention
  • the memory modules 6, 6 ', 6 "and 7, 7', 7" are connected in parallel in their respective memory module systems 16, 17.
  • Memory modules in a memory module system 16, 17 can be selected arbitrarily high. Thus, it is also conceivable that in the first memory module system 16, three memory modules 6, 6 ', 6 "and in the second memory module system 17, a single memory module 7 or even a plurality of memory modules arranged.
  • At least one symmetry resistor 14 or 15 is connected in parallel to at least each memory module 6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7" of the series strand 3. Compared to the first embodiment, however, the number of
  • Symmetry resistors 14, 15 per memory module 6, 6 ', 6 “, 7, 7', 7” are reduced, because a plurality of memory modules 6, 6 ', 6 “, 7, 7', 7" are connected in parallel. It is likewise conceivable to use further series trains in the battery storage module 1 according to FIG. 2

Abstract

A battery storage system (1) having at least one series-connected string (3, 4, 5), wherein at least one first storage module (6, 6', 6") and one second storage module (7, 7', 7") are provided in each series-connected string (3, 4, 5), which modules are electrically connected to each other in series, wherein the series-connected string (3, 4, 5) is electrically connected to an inverter (2), which is connected on the alternating voltage side to an AC network, wherein at least one symmetry resistance (14, 15) is connected in parallel at least to each storage module (6, 6', 6", 7, 7', 7") of the series-connected string (3, 4, 5).

Description

Batteriespeichersystem  Battery storage system
Die Erfindung betrifft ein Batteriespeichersystem mit mindestens einem Serienstrang, wobei in jedem Serienstrang mindestens ein erstes Speichermodul und ein zweites Speichermodul vorgesehen sind, welche in Serie elektrisch miteinander verschaltet sind, wobei der The invention relates to a battery storage system having at least one series train, wherein in each series train at least a first memory module and a second memory module are provided, which are electrically connected in series with each other, wherein the
Serienstrang mit einem Umrichter elektrisch verbunden ist, der auf seiner Serial train is electrically connected to a converter that is on its
Wechselspannungsseite mit einem Wechselstromnetz verbunden ist. AC side is connected to an AC mains.
Aus dem Stand der Technik ist ein Batteriespeichersystem für Kraftwerke, insbesondere für Solarkraftwerke bekannt, welches eine Vielzahl von Speichermodulen aufweist. Dabei können die Speichermodule unter anderem aus dem Automotivbereich stammen. Das Batteriespeichersystem umfasst mehrere Serienstränge, die jeweils mit zwei From the prior art, a battery storage system for power plants, in particular for solar power plants is known, which has a plurality of memory modules. The memory modules can come from, among other things, the automotive sector. The battery storage system comprises several series trains, each with two
Speichermodulen versehen sind. Die Speichermodule eines Serienstrangs sind dabei elektrisch in Reihe miteinander verbunden. Bei einer Vielzahl von Seriensträngen sind die Serienstränge parallel miteinander elektrisch verbunden. Die Serienstränge sind mit einem Umrichter elektrisch verbunden, der auf seiner Wechselspannungsseite mit einem Memory modules are provided. The memory modules of a series train are electrically connected in series. In a large number of series production runs, the series trains are electrically connected in parallel with each other. The series strings are electrically connected to a converter, which on its AC side with a
Wechselstromnetz verbunden ist. Das Batteriespeichersystem selbst wird mit einer DC- Systemspannung betrieben. AC power is connected. The battery storage system itself is operated with a DC system voltage.
Die Speichermodule, welche vorzugsweise aus dem Automotivbereich stammen, weisen mehrere Komponenten auf, wie beispielsweise Halbleiterelemente, insbesondere  The memory modules, which preferably originate from the automotive sector, have a plurality of components, such as semiconductor elements, in particular
Halbleiterschalter, welche durch einen Ersatzwiderstand beschrieben werden können. Es hat sich gezeigt, dass die Ersatzwiderstände der einzelnen Speichermodule stark schwanken können. Folglich weisen bei einem Serienstrang mit zwei in Reihe geschalteten Semiconductor switches, which can be described by an equivalent resistor. It has been shown that the equivalent resistances of the individual memory modules can vary greatly. Consequently, in a series train with two series connected
Speichermodulen diese unterschiedliche Ersatzwiderstände auf. Im Ergebnis teilt sich die DC- Systemspannung im gleichen Verhältnis wie die Ersatzwiderstände auf. Memory modules to these different substitute resistances. As a result, the DC system voltage splits in the same proportion as the equivalent resistance.
Ein kritischer Zustand liegt vor allem dann vor, wenn Schaltelemente des Speichermoduls, welche zum Anschalten und Abschalten des Speichermoduls dienen, sich im geöffneten Zustand befinden und an dem Serienstrang eine Nennspannung anliegt. Die an dem oben genannten Serienstrang anliegende (Nenn-)Spannung kann durch bereits parallel A critical state is especially present when switching elements of the memory module, which are used for switching on and off of the memory module, are in the open state and applied to the series strand a nominal voltage. The (nominal) voltage applied to the series train mentioned above can already be parallel
zugeschaltete Serienstränge oder auch durch den Umrichter selbst aufgeprägt werden. Übersteigt nun eine an einem Speichermodul anliegende Teilspannung einen zulässigen Grenzwert eines Speichermoduls in dem Serienstrang, so kann dies zur Beschädigung des Speichermoduls und /oder der anderen in dem Serienstrang angeordneten Speichermodule oder sogar des kompletten Batteriespeichersystems führen. connected series strands or be impressed by the inverter itself. If a partial voltage applied to a memory module now exceeds a permissible limit value of a memory module in the series train, this can result in damage to the memory module and / or the other memory modules or even the complete battery memory system arranged in the series train.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Batteriespeichersystem bereitzustellen, welches in kostengünstig Art und Weise einen zuverlässigen und sicheren Betrieb The invention is therefore based on the object to provide a battery storage system, which in a cost effective manner reliable and safe operation
gewährleistet. guaranteed.
Die Aufgabe wird gelöst durch den Patentanspruch 1, insbesondere durch den The object is solved by the patent claim 1, in particular by the
kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1. Dabei ist vorgesehen, dass zumindest zu jedem Speichermodul des Serienstrangs jeweils mindestens ein Symmetriewiderstand parallel geschaltet ist. Mit Hilfe des characterizing part of patent claim 1. It is provided that in each case at least one memory module of the series strand at least one symmetry resistor is connected in parallel. With the help of
Symmetriewiderstands wird eine Überspannung der Speichermodule in vorteilhafterweise verhindert, wodurch ein sicheres und zuverlässiges Batteriespeichersystem bereitgestellt wird. Durch diese Anordnung wird sichergestellt, dass die an dem Speichermodul anliegende Spannung unterhalb eines vorbestimmten Grenzwerts, insbesondere einer Symmetry resistance, an overvoltage of the memory modules is advantageously prevented, whereby a safe and reliable battery storage system is provided. This arrangement ensures that the voltage applied to the memory module voltage below a predetermined limit, in particular a
Grenzwertspannung des Speichermoduls bleibt. Somit wird verhindert, dass die Threshold voltage of the memory module remains. This prevents the
Speichermodule zerstört werden. Memory modules are destroyed.
Das Batteriespeichersystem kann zuverlässig in Betrieb genommen werden, wenn das jeweilige Speichermodul mindestens zwei Schaltelemente aufweist, wobei das erste The battery storage system can be reliably put into operation when the respective memory module has at least two switching elements, wherein the first
Schaltelement hinter einer ersten Klemmstelle, welche das positive Potential aufweist, angeordnet ist und das zweite Schaltelement vor einer zweiten negativen Klemmstelle, welche ein negatives Potential aufweist, angeordnet ist. Switching element behind a first terminal point, which has the positive potential, is arranged and the second switching element in front of a second negative terminal point, which has a negative potential, is arranged.
Nach einer bevorzugten Ausführung des Batteriespeichersystems kann vorgesehen sein, dass das das jeweilige Speichermodul ein Heizelement und/oder einen Mess- und/oder Lastkreis und/oder einen Halbleiter, insbesondere einen Halbleiterschalter, umfasst, welche vorzugsweise in einem geschlossenen metallischen Gehäuse angeordnet sind, wobei das jeweilige Speichermodul einen Ersatzwiderstand, insbesondere einen According to a preferred embodiment of the battery storage system can be provided that the respective memory module comprises a heating element and / or a measuring and / or load circuit and / or a semiconductor, in particular a semiconductor switch, which are preferably arranged in a closed metallic housing, wherein the respective memory module an equivalent resistance, in particular a
Klemmersatzwiderstand, aufweist, welcher durch die Widerstände des Heizelements und/oder des Mess- und/oder Lastkreises und/oder des Halbleiters, insbesondere des Halbleiterschalters ausgebildet ist, wenn mindestens ein Schaltelement einen geöffneten Zustand aufweist, insbesondere wenn das erste Schaltelement und das zweite Schaltelement einen geöffneten Zustand aufweisen. Klemmersatzwiderstand, which is formed by the resistors of the heating element and / or the measuring and / or load circuit and / or the semiconductor, in particular the semiconductor switch, when at least one switching element has an open state, in particular when the first switching element and the second switching element have an open state.
Die Dimensionierung des Symmetriewiderstands erfolgt in Abhängigkeit von den  The dimensioning of the symmetry resistance is dependent on the
typspezifischen Eigenschaften des Speichermoduls, insbesondere nach dem Type-specific properties of the memory module, in particular after
Ersatzwiderstand des Speichermoduls sowie in Abhängigkeit von den Toleranzen des Speichermoduls. Replacement resistance of the memory module and as a function of the tolerances of the memory module.
Für das Batteriespeichersystem kann es sehr vorteilhaft sein, wenn der einem For the battery storage system, it can be very beneficial if the one
Speichermodul zugeordnete Symmetriewiderstand niederohmiger als der dem Memory module associated with symmetry resistance of lower resistance than the
Speichermodul zugeordnete Ersatzwiderstand ausgebildet ist. Durch diese Maßnahme gelingt es, dass ein Gesamtwiderstand des Speichermoduls, welcher durch den Memory module assigned equivalent resistance is formed. By this measure, it is possible that a total resistance of the memory module, which by the
Symmetriewiderstand und dem Ersatzwiderstand gebildet wird, durch den Symmetry resistance and the equivalent resistance is formed by the
Symmetriewiderstand beeinflusst wird. Symmetry resistance is affected.
Das Batteriespeichersystem kann sicher und zuverlässig arbeiten, wenn das The battery storage system can work safely and reliably if that
Batteriespeichersystem einen Arbeitsspannungsbereich von vorzugsweise 600V-840V aufweist und ein Speichermodul einen Arbeitsspannungsbereich von vorzugsweise 300- 420V aufweist, wobei die DC-Systemspannung vorzugsweise im Wesentlichen doppelt so groß ist wie eine Klemmenspannung, welche im Arbeitsspannungsbereich des Speichermoduls liegt. Battery storage system has a working voltage range of preferably 600V-840V and a memory module has a working voltage range of preferably 300- 420V, wherein the DC system voltage is preferably substantially twice as large is like a terminal voltage, which lies in the working voltage range of the memory module.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführung des Batteriespeichersystems kann vorgesehen sein, wenn die Speichermodule als zuvor gebrauchte Speichermodule und/oder als First-Life- Speichermodule ausgebildet sind. Bei gebrauchten Speichermodulen handelt es sich um Speichermodule, die bereits in einem oder mehreren anderen Systemen eingesetzt wurden und gegebenenfalls einen Leistungsverlust aufweisen, wie beispielsweise Speichermodule, die zuvor in Elektroautos eingesetzt wurden. First-Life-Speichermodule sind Speichermodule, die zuvor noch nicht verwendet wurden und bei denen im Wesentlichen keine According to a further preferred embodiment of the battery storage system can be provided when the memory modules are designed as previously used memory modules and / or as first-life memory modules. Used memory modules are memory modules that have already been used in one or more other systems and may suffer from power loss, such as memory modules previously used in electric cars. First-life memory modules are memory modules that have not previously been used, and where essentially none
Leistungsverluste auftreten. Der Einsatz von gebrauchten Speichermodulen weist den Vorteil auf, dass diese kostengünstig am Markt erhältlich sind. Die First-Life-Speichermodule bieten den Vorteil, dass die Speicherkapazität sehr hoch ist. Daher kann es Sinn machen, Power losses occur. The use of used memory modules has the advantage that they are available on the market at low cost. The first-life memory modules offer the advantage that the storage capacity is very high. So it can make sense
Batteriespeichersysteme sowohl mit gebrauchten Speichermodulen, als auch mit First-Life- Speichermodulen auszubilden. Dabei könnte sich ein Verhältnis von 90/10 anbieten, und zwar die Verwendung von 90% gebrauchter Speichermodule und 10% First-Life- Speichermodule, oder die Verwendung von 10% gebrauchter Speichermodule und 90% First- Life-Speichermodule. Je nach Auswahl kann ein kostengünstiges und/oder hocheffizientes Batteriespeichersystem bereitgestellt werden. Form battery storage systems both with used memory modules, as well as with first-life memory modules. It could offer a ratio of 90/10, the use of 90% used memory modules and 10% First Life memory modules, or the use of 10% used memory modules and 90% First Life memory modules. Depending on the selection, a low-cost and / or highly efficient battery storage system can be provided.
Nach einer bevorzugten Ausführung des Batteriespeichersystems kann vorgesehen sein, dass alle ersten und alle zweiten Schaltelemente des Batteriespeichersystems geöffnet sind, wenn der Umrichter inaktiv ist und die DC-Systemspannung 0V aufweist. In diesem Fall befindet sich das Batteriespeichersystem in einem abgeschalteten Zustand. According to a preferred embodiment of the battery storage system can be provided that all first and all second switching elements of the battery storage system are open when the inverter is inactive and the DC system voltage has 0V. In this case, the battery storage system is in a shutdown state.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführung des Batteriespeichersystems kann vorgesehen sein, dass der erste Ersatzwiderstand des ersten Speichermoduls hochohmiger oder niederohmiger als der zweite Ersatzwiderstand des zweiten Speichermoduls des jeweiligen Serienstrangs ausgebildet ist. According to a further preferred embodiment of the battery storage system can be provided that the first equivalent resistance of the first memory module is formed high-impedance or low-impedance than the second equivalent resistance of the second memory module of the respective series strand.
Die Bedienung für den Benutzer des Batteriespeichersystems kann in vorteilhafterweise vereinfacht werden, wenn die Schaltelement des Batteriespeichersystems über eine The operation for the user of the battery storage system can be advantageously simplified if the switching element of the battery storage system via a
Kommunikationsschnittstelle, welche im oder am Gehäuse des Speichermoduls angeordnet ist, schaltbar sind. Die Kommunikationsschnittstelle kann dabei als CAN-Bus oder aber auch als eine drahtlose Verbindung ausgebildet sein, wie beispielsweise W-Lan. Communication interface, which is arranged in or on the housing of the memory module, are switchable. The communication interface can be designed as a CAN bus or else as a wireless connection, such as W-Lan.
Ein sicherer Anlauf des Batteriespeichersystem kann gewährleistet werden, wenn beim in Betrieb nehmen des Batteriespeichersystems in einem ersten Schritt ein DC-Kreis auf eine Vorgabespannung aufgeladen wird und danach durch das Einschalten der Schaltelemente des Speichermoduls diese kontinuierlich zuschaltbar sind, wobei das Batteriespeichersystem erst nach dem Zuschalten aller Serienstränge mit voller Leistung betreibbar ist. Der DC-Kreis ist die elektrische Verbindung der Serienstränge untereinander an deren jeweiligen A safe start of the battery storage system can be ensured when take in operation of the battery storage system in a first step, a DC circuit is charged to a default voltage and thereafter by switching on the switching elements of the memory module, these are continuously switchable, the battery storage system only after the connection all series trains can be operated at full power. The DC circuit is the electrical connection of the series strands with each other at their respective
Pluspolen und an deren jeweiligen Minuspolen und bildet die Verbindung zum Umrichter. Um die Leistung des Batteriespeichersystems zu verbessern, kann vorgesehen sein, dass bei einer Anordnung von mehr als einem Serienstrang in dem Batteriespeichersystem, die einzelnen Serienstränge miteinander parallel verschaltbar sind. Plus poles and their respective negative poles and forms the connection to the inverter. In order to improve the performance of the battery storage system, it may be provided that in an arrangement of more than one series strand in the battery storage system, the individual series strands are interconnected in parallel.
Die Anzahl der Symmetriewiderstände kann in vorteilhafterweise reduziert werden, wenn in mindestens einem Serienstrang mindestens ein erstes Speichermodulsystem und ein zweites Speichermodulsystem angeordnet sind, die in Serie miteinander verbunden sind, wobei zumindest in dem ersten Speichermodulsystem mindestens zwei erste Speichermodule parallel zueinander geschaltet sind und/oder zumindest in dem zweiten The number of symmetry resistors can advantageously be reduced if at least one first memory module system and one second memory module system are connected in series with at least one first memory module being connected in parallel and / or at least in the first memory module system at least in the second
Speichermodulsystem mindestens zwei zweite Speichermodule parallel zueinander geschaltet sind, wobei zu den ersten Speichermodulen und/oder zu den zweiten Memory module at least two second memory modules are connected in parallel to each other, wherein the first memory modules and / or to the second
Speichermodulen jeweils mindestens ein Symmetriewiderstand parallel geschaltet ist. Memory modules in each case at least one symmetry resistor is connected in parallel.
Das erfindungsgemäße Batteriesystem wird anhand von zwei Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Die Figuren zeigen: The battery system according to the invention will be described in more detail with reference to two exemplary embodiments. The figures show:
Figur 1 einen Schaltplan eines erfindungsgemäßen Batteriespeichersystems gemäß einer ersten Ausführungsform, und 1 shows a circuit diagram of a battery storage system according to the invention according to a first embodiment, and
Figur 2 einen Schaltplan eines erfindungsgemäßen Batteriespeichersystems gemäß einer zweiten Ausführungsform. Figure 2 is a circuit diagram of a battery storage system according to the invention according to a second embodiment.
In der Figur 1 ist ein Batteriespeichersystem 1 beispielsweise für ein Solarkraftwerk dargestellt. Das Batteriespeichersystem 1 kann auch mit anderen Kraftwerken verbunden werden, wie beispielsweise Wasserkraftwerke, Windkraftwerke und dergleichen. Das Batteriespeichersystem 1 weist einen Arbeitsspannungsbereich von vorzugsweise 600V- 840V auf und ein Speichermodul (6, 6', 6", 7, T, 7") weist einen Arbeitsspannungsbereich von vorzugsweise 300-420V auf, wobei die DC-Systemspannung vorzugsweise im FIG. 1 shows a battery storage system 1, for example for a solar power plant. The battery storage system 1 may also be connected to other power plants, such as hydropower plants, wind power plants, and the like. The battery storage system 1 has a working voltage range of preferably 600V-840V and a memory module (6, 6 ', 6 ", 7, T, 7") has a working voltage range of preferably 300-420V, the DC system voltage preferably in
Wesentlichen doppelt so groß ist wie eine Klemmenspannung, welche im Essentially twice as large as a terminal voltage, which in the
Arbeitsspannungsbereich des Speichermoduls liegt. Working voltage range of the memory module is located.
Das hier vorliegende Batteriespeichersystem 1 weist einen Umrichter 2 auf, der einen Pluspol und einen Minuspol umfasst und über Leitungen mit mindestens drei Seriensträngen 3, 4 und 5 elektrisch verbunden ist. Die Serienstränge 3, 4, 5 sind miteinander parallel verschaltet, wie dies anhand der Figur ersichtlich ist. Der Umrichter 2 ist auf seiner The present battery storage system 1 has a converter 2, which comprises a positive pole and a negative pole and is electrically connected via lines with at least three series strands 3, 4 and 5. The series strands 3, 4, 5 are interconnected in parallel, as can be seen from the figure. The inverter 2 is on his
Wechselspannungsseite mit einem Wechselstromnetz verbunden. AC side connected to an AC mains.
Die Serienstränge 3, 4, 5 weisen jeweils zwei in Reihe miteinander verbundene The series strands 3, 4, 5 each have two connected in series
Speichermodule 6, 6', 6", 7, 7',7" auf. Memory modules 6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7" on.
Im nachfolgenden wird die Funktionsweise des ersten Serienstrangs 3 beschrieben. Die anderen Serienstränge 4, 5 gleichen im Wesentlichen dem Aufbau und der Funktion des Serienstrangs 3. Die Speichermodule 6, 7 des Serienstranges 3 sind vorzugsweise als Hochvoltspeicher ausgebildet, welche beispielsweise in der Automotivbranche in Elektrofahrzeugen verwendet werden. Dabei kann es sich um gebrauchte Speichermodule handeln, welche zuvor bereits in Elektrofahrzeugen verwendet wurden, aber auch um sogenannte First-Live- Speichermodule, die noch nicht im Einsatz waren. In the following, the mode of operation of the first series train 3 will be described. The other series strands 4, 5 are substantially similar to the structure and function of the series strand 3. The memory modules 6, 7 of the series train 3 are preferably designed as high-voltage storage, which are used for example in the automotive industry in electric vehicles. These may be used memory modules, which were previously used in electric vehicles, but also so-called first-live memory modules that were not yet in use.
Die Speichermodule 6, 7 sind vom Aufbau im Wesentlichen gleich. So umfasst beispielsweise das Speichermodul 6 des ersten Serienstrangs 3 ein Heizelement und/oder einen Mess- und/oder Lastkreis und/oder einen Halbleiter, insbesondere einen Halbleiterschalter, welche vorzugsweise in einem geschlossenen metallischen Gehäuse angeordnet sind, wobei das Speichermodul 6 einen Ersatzwiderstand 8, insbesondere einen Klemmersatzwiderstand, aufweist, welcher durch die Widerstände des Heizelements und/oder des Mess- und/oder Lastkreises und/oder des Halbleiters, insbesondere des Halbleiterschalters ausgebildet ist, wenn ein erstes Schaltelement 9 und ein zweites Schaltelement 10 einen geöffneten Zustand aufweisen. Alternativ würde es auch ausreichen, wenn mindestens ein Schaltelement 9 bzw. 10 einen geöffneten Zustand aufweist. Daher umfasst das Speichermodul 6 die mindestens zwei Schaltelemente 9, 10, wobei das erste Schaltelement 9 hinter einer ersten Klemmstelle, welche das positive Potential aufweist, angeordnet ist und das zweite Schaltelement 10 vor einer zweiten negativen Klemmstelle, welche ein negatives Potential aufweist, angeordnet ist. The memory modules 6, 7 are essentially the same in construction. For example, the memory module 6 of the first series strand 3 comprises a heating element and / or a measuring and / or load circuit and / or a semiconductor, in particular a semiconductor switch, which are preferably arranged in a closed metallic housing, the memory module 6 having an equivalent resistance 8, in particular a clamping replacement resistor, which is formed by the resistors of the heating element and / or the measuring and / or load circuit and / or the semiconductor, in particular of the semiconductor switch, when a first switching element 9 and a second switching element 10 have an open state. Alternatively, it would also be sufficient if at least one switching element 9 or 10 has an opened state. Therefore, the memory module 6 comprises the at least two switching elements 9, 10, wherein the first switching element 9 behind a first terminal point, which has the positive potential is disposed, and the second switching element 10 in front of a second negative terminal point, which has a negative potential is disposed ,
Dementsprechend umfasst das zweite Speichermodul 7 ebenfalls einen Ersatzwiderstand 11, ein erstes Schaltelement 12 und ein zweites Schaltelement 13. Die Schaltelemente 9, 10, 12, 13 sind über eine Kommunikationsschnittstelle, welche im oder am Gehäuse des Speichermoduls 6 bzw. 7 angeordnet ist, schaltbar. Accordingly, the second memory module 7 also includes an equivalent resistor 11, a first switching element 12 and a second switching element 13. The switching elements 9, 10, 12, 13 are switchable via a communication interface, which is arranged in or on the housing of the memory module 6 and 7, respectively ,
Des Weiteren ist zu jedem Speichermodul 6, 7 des Serienstrangs 3 jeweils ein Furthermore, each storage module 6, 7 of the series strand 3 is one each
Symmetriewiderstand 14, 15 parallel geschaltet. Grundsätzlich ist im ersten Speichermodul 6 der Symmetriewiderstand 14 niederohmiger als der Ersatzwiderstand 8 und im zweiten Speichermodul 7 der Symmetriewiderstand 15 niederohmiger als der Ersatzwiderstand 11 ausgebildet. Ferner ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel der erste Ersatzwiderstand 8 des ersten Speichermoduls 6 hochohmiger oder niederohmiger als der zweite Symmetry resistance 14, 15 connected in parallel. Basically, in the first memory module 6, the symmetry resistor 14 has a lower impedance than the equivalent resistance 8 and in the second memory module 7 the symmetrical resistor 15 has a lower impedance than the equivalent resistor 11. Furthermore, in the present exemplary embodiment, the first equivalent resistance 8 of the first memory module 6 is higher-impedance or lower-resistance than the second one
Ersatzwiderstand 11 des zweiten Speichermoduls 7 des Serienstrangs 3 ausgebildet. Die Widerstandswerte der Ersatzwiderstände 8 und 11 sind in den meisten Fällen ungleich, da dies mit der Bauweise und der Beschaffenheit der Speichermodule 6, 7 und deren Substitute resistor 11 of the second memory module 7 of the series strand 3 is formed. The resistance values of the equivalent resistors 8 and 11 are in most cases unequal, since this with the construction and the nature of the memory modules 6, 7 and their
Fertigungstoleranzen zusammenhängt. Die Ersatzwiderstände 8, 11 sind nicht als statisch zu betrachten, sondern können sich, insbesondere beim Hochfahren des Manufacturing tolerances related. The replacement resistors 8, 11 are not to be regarded as static, but can, in particular at startup of the
Batteriespeichersystems 1 verändern. Insbesondere die Widerstandswerte der Halbleiter können erheblich in den Speichermodulen 6, 7 variieren. Change battery storage system 1. In particular, the resistance values of the semiconductors can vary considerably in the memory modules 6, 7.
Nachfolgend wird der Betrieb des Batteriespeichersystem 1 beschrieben. Im abgeschalteten Zustand des Batteriespeichersystem 1 sind alle Schaltelemente des Batteriespeichersystem 1, insbesondere die Schaltelemente 9, 10, 12, 13 in einem geöffneten Zustand und der Umrichter 2 ist inaktiv, wobei die DC-Systemspannung dann OV beträgt. The operation of the battery storage system 1 will be described below. In the switched-off state of the battery storage system 1, all the switching elements of the battery storage system 1, in particular the switching elements 9, 10, 12, 13 in an open state and the inverter 2 is inactive, wherein the DC system voltage is then OV.
Beim Anfahren des Batteriespeichersystem 1 wird eine DC-Systemspannung von When starting the battery storage system 1, a DC system voltage of
beispielsweise 800V angelegt. Wie zuvor beschrieben, weisen die Ersatzwiderstände 8 und 11 unterschiedliche Widerstandswerte auf, insbesondere der Ersatzwiderstand 8 ist kleiner, oder sogar viel kleiner, als der Ersatzwiderstand 11. Ohne die Symmetriewiderstände 14, 15 könnte es passieren, dass am Speichermodul 6 dann eine Spannung von beispielsweise 600V entsteht und am Speichermodul 7 beispielsweise eine Spannung von 200V entsteht, wenn die DC-Systemspannung 800V beträgt. Wenn beispielsweise die zulässige for example 800V. As described above, the equivalent resistors 8 and 11 have different resistance values, in particular the equivalent resistance 8 is smaller, or even smaller, than the equivalent resistance 11. Without the symmetry resistors 14, 15, it could then happen that a voltage of, for example 600V is formed and the memory module 7, for example, a voltage of 200V is formed when the DC system voltage is 800V. For example, if the allowed
Grenzwertspannung des Speichermoduls 6 550V beträgt, dann könnte eine von 600V anliegende Spannung zu einer Beschädigung der Speichermodule 6 und ggf. 7 führen. Limit voltage of the memory module 6 is 550V, then a voltage applied by 600V could lead to damage of the memory modules 6 and possibly 7.
Im erfindungsgemäßen Batteriespeichersystem 1 hingegen sorgen die In the battery storage system 1 according to the invention, however, provide the
Symmetriewiderstände 14, 15 dafür, welche nach Erfassung und Messung der jeweiligen Ersatzwiderstände 8, 11 dementsprechend dimensioniert wurden, dass der Spannungsabfall U6, U7 an den Speichermodulen 6, 7, insbesondere an den Ersatzwiderständen 8, 11 vorzugsweise im Bereich der gewünschten 400V liegt. Durch die Anordnung der Symmetry resistors 14, 15 for which, after detection and measurement of the respective equivalent resistors 8, 11 have been dimensioned accordingly, that the voltage drop U6, U7 to the memory modules 6, 7, in particular to the equivalent resistors 8, 11 is preferably in the range of the desired 400V. By the arrangement of
dimensionierten Symmetriewiderstände 14, 15 wird in vorteilhafterweise sichergestellt, dass beim Anfahren des Batteriespeichersystem 1 eine Beschädigung der Speichermodule 6, 7 und ggf. weiterer Speichermodule verhindert wird. dimensioned symmetry resistors 14, 15 is advantageously ensured that when starting the battery storage system 1 damage to the memory modules 6, 7 and possibly further memory modules is prevented.
Nach der Aufladung der einzelnen Serienstränge 3, 4, 5 werden über die After charging the individual series strands 3, 4, 5 are on the
Kommunikationsschnittstelle die einzelnen Speichermodule über Ihre jeweiligen Communication interface the individual memory modules on their respective
Schaltelemente, insbesondere bei den Speichermodulen 6, 7 über ihre jeweiligen Switching elements, in particular in the memory modules 6, 7 via their respective
Schaltelemente 9,10 bzw. 12, 13 angeschaltet. Wenn alle Serienstränge 3, 4, 5 zugeschaltet sind, ist das Batteriespeichersystem 1 betriebsbereit. Im Betrieb werden je nach Vorgabe die Speichermodule 6, 6', 6", 7, 7', 7", insbesondere die Speichermodule 6, 7 be- oder entladen oder verbleiben im Ruhezustand. Beim Herunterfahren des Batteriespeichersystems 1 wird der Leistungszufluss gestoppt, die Schaltelemente aller Speichermodule geöffnet, wobei der Umrichter 2 dann die Serienstränge 3, 4, 5 entlädt. Switching elements 9,10 and 12, 13 turned on. When all series 3, 4, 5 are switched on, the battery storage system 1 is ready. In operation, depending on the specification, the memory modules 6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7", in particular the memory modules 6, 7 loaded or unloaded or remain in the idle state. When shutting down the battery storage system 1, the power supply is stopped, the switching elements of all memory modules open, the inverter 2 then the series strands 3, 4, 5 discharges.
Es sei angemerkt, dass wie in der Figur durch die gepunkteten Leitungen angedeutet eine Vielzahl von Seriensträngen hinter dem Serienstrang 5 angeordnet werden können. It should be noted that as indicated in the figure by the dotted lines, a plurality of series trains behind the series strand 5 can be arranged.
Ebenfalls ist es denkbar, dass die Symmetriewiderstände als veränderbare Widerstände ausgebildet sind. Diese können vorzugsweise bei Messungen des Batteriespeichersystem 1 eingesetzt werden. It is also conceivable that the symmetry resistors are designed as variable resistors. These can preferably be used in measurements of the battery storage system 1.
Aus Gründen der Vereinfachung wurde auf einige Bezugszeichen in den Serienstränge 4, 5 verzichtet. Wie bereits erwähnt, weisen die Serienstränge einen im Wesentlichen gleichen Aufbau auf. Die Serienstränge 3, 4 ,5 können sich insbesondere hinsichtlich der For reasons of simplification, a few reference signs in the series strands 4, 5 have been dispensed with. As already mentioned, the series strands have a substantially identical structure. The series strands 3, 4, 5, in particular with regard to
Widerstandswerte der Ersatzwiderstände unterscheiden, weil die verschiedene Resistance values of the equivalent resistors differ because the different ones
Speichermodule, insbesondere deren einzelne Bauteile Toleranzen aufweisen. In der Figur 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Memory modules, in particular their individual components have tolerances. In the figure 2 is a second embodiment of the invention
Batteriespeichersystems 1 visualisiert. In der Figur 2 bilden die Speichermulde 6, 6', 6" das erste Speichermodulsystem 16 und die zweiten Speichermodule 7, 7', 7" das zweite Battery storage system 1 visualized. In FIG. 2, the storage well 6, 6 ', 6 "form the first storage module system 16 and the second storage modules 7, 7', 7" form the second
Speichermodulsystem 17. Die Speichermodule 6, 6', 6" bzw. 7, 7', 7" sind in ihren jeweiligen Speichermodulsystemen 16, 17 parallel zueinander geschaltet. Die Anzahl der Memory Module System 17. The memory modules 6, 6 ', 6 "and 7, 7', 7" are connected in parallel in their respective memory module systems 16, 17. The number of
Speichermodule in einem Speichermodulsystem 16, 17 kann beliebig hoch gewählt werden. So ist es auch denkbar, dass in dem ersten Speichermodulsystem 16 drei Speichermodule 6, 6', 6" und in dem zweiten Speichermodulsystem 17 ein einziges Speichermodul 7 oder auch mehrere Speichermodule angeordnet ein können. Memory modules in a memory module system 16, 17 can be selected arbitrarily high. Thus, it is also conceivable that in the first memory module system 16, three memory modules 6, 6 ', 6 "and in the second memory module system 17, a single memory module 7 or even a plurality of memory modules arranged.
Wie bereits im ersten Ausführungsbeispiel ist zumindest zu jedem Speichermodul 6, 6', 6", 7, 7', 7" des Serienstrangs 3 jeweils mindestens ein Symmetriewiderstand 14 bzw. 15 parallel geschaltet. Im Vergleich zum ersten Ausführungsbeispiel kann jedoch die Anzahl der As in the first exemplary embodiment, at least one symmetry resistor 14 or 15 is connected in parallel to at least each memory module 6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7" of the series strand 3. Compared to the first embodiment, however, the number of
Symmetriewiderstände 14, 15 pro Speichermodul 6, 6', 6", 7, 7', 7" reduziert werden, weil mehrere Speichermodule 6, 6', 6", 7, 7', 7" parallel zueinander geschaltet sind. Ebenfalls ist es denkbar, weitere Serienstränge in dem Batteriespeichermodul 1 gemäß Figur 2 Symmetry resistors 14, 15 per memory module 6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7" are reduced, because a plurality of memory modules 6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7" are connected in parallel. It is likewise conceivable to use further series trains in the battery storage module 1 according to FIG. 2
anzuordnen, welche einen ähnlichen oder denselben Aufbau aufweisen wie der erste Serienstrang 3. to arrange, which have a similar or the same structure as the first series strand. 3

Claims

Patentansprüche claims
1. Batteriespeichersystem (1) mit mindestens einem Serienstrang (3, 4, 5), wobei in jedem Serienstrang (3, 4, 5) mindestens ein erstes Speichermodul (6, 6', 6") und ein zweites Speichermodul (7, 7', 7") vorgesehen sind, welche in Serie elektrisch miteinander verschaltet sind, wobei der Serienstrang (3, 4, 5) mit einem Umrichter (2) elektrisch verbunden ist, der auf seiner Wechselspannungsseite mit einem Wechselstromnetz verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zu jedem Speichermodul (6, 6', 6", 7, 7', 7") des Serienstrangs (3, 4, 5) jeweils mindestens ein Symmetriewiderstand (14, 15) parallel geschaltet ist. 1. Battery storage system (1) with at least one series train (3, 4, 5), wherein in each series train (3, 4, 5) at least a first memory module (6, 6 ', 6 ") and a second memory module (7, 7 ', 7 ") are provided, which are electrically connected in series with each other, wherein the series train (3, 4, 5) is electrically connected to an inverter (2), which is connected on its AC side to an AC mains, characterized in that at least to each memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7") of the series strand (3, 4, 5) in each case at least one symmetry resistor (14, 15) is connected in parallel.
2. Batteriespeichersystem (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das 2. Battery storage system (1) according to claim 1, characterized in that the
jeweilige Speichermodul (6, 6', 6", 7, 7', 7") mindestens zwei Schaltelemente (9, 10, 12, 13) aufweist, wobei das erste Schaltelement (9, 12) hinter einer ersten  respective memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7") at least two switching elements (9, 10, 12, 13), wherein the first switching element (9, 12) behind a first
Klemmstelle, welche das positive Potential aufweist, angeordnet ist, und das zweite Schaltelement (10, 13) vor einer zweiten negativen Klemmstelle, welche ein negatives Potential aufweist, angeordnet ist.  Clamping point, which has the positive potential, is arranged, and the second switching element (10, 13) before a second negative terminal point, which has a negative potential, is arranged.
3. Batteriespeichersystem (1) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das jeweilige Speichermodul (6, 6', 6", 7, 7', 7") ein Heizelement und/oder einen Mess- und/oder Lastkreis und/oder einen Halbleiter, insbesondere einen 3. Battery storage system (1) according to claim 1 or 2, characterized in that the respective memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7") is a heating element and / or a measuring and / or load circuit and / or a semiconductor, in particular a
Halbleiterschalter, umfasst, welche vorzugsweise in einem geschlossenen  Semiconductor switch, which preferably in a closed
metallischen Gehäuse angeordnet sind, wobei das jeweilige Speichermodul (6, 6', 6", 7, 7', 7") einen Ersatzwiderstand (8, 11), insbesondere einen  metallic housing are arranged, wherein the respective memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7") an equivalent resistor (8, 11), in particular a
Klemmersatzwiderstand, aufweist, welcher durch die Widerstände des Heizelements und/oder des Mess- und/oder Lastkreises und/oder des Halbleiters, insbesondere des Halbleiterschalters ausgebildet ist, wenn mindestens ein Schaltelement (9, 10, 12, 13) einen geöffneten Zustand aufweist, insbesondere wenn das erste  Klemmersatzwiderstand, which is formed by the resistors of the heating element and / or the measuring and / or load circuit and / or the semiconductor, in particular of the semiconductor switch, when at least one switching element (9, 10, 12, 13) has an open state, especially if the first
Schaltelement (9, 12)und das zweite Schaltelement (10, 13) einen geöffneten Zustand aufweisen.  Switching element (9, 12) and the second switching element (10, 13) have an open state.
4. Batteriespeichersystem (1) mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch 4. Battery storage system (1) at least one of claims 1 to 3, characterized
gekennzeichnet, dass der einem Speichermodul (6, 6', 6", 7, 7', 7") zugeordnete Symmetriewiderstand (14, 15) niederohmiger als der dem Speichermodul (6, 6', 6", 7, 7', 7") zugeordnete Ersatzwiderstand (8, 11) ausgebildet ist.  in that the symmetry resistance (14, 15) assigned to a memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7") has a lower resistance than that of the memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7 ") assigned equivalent resistance (8, 11) is formed.
5. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Batteriespeichersystem (1) einen Arbeitsspannungsbereich von vorzugsweise 600V-840V aufweist und ein Speichermodul (6, 6', 6", 7, 7', 7") einen Arbeitsspannungsbereich von vorzugsweise 300-420V aufweist, wobei die DC- Systemspannung vorzugsweise im Wesentlichen doppelt so groß ist wie eine 5. Battery storage system (1) according to at least one of claims 1 to 4, characterized in that the battery storage system (1) has a working voltage range of preferably 600V-840V and a memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7 ) has a working voltage range of preferably 300-420V, wherein the DC system voltage is preferably substantially twice as large as one
Klemmenspannung, welche im Arbeitsspannungsbereich des Speichermoduls liegt. Terminal voltage, which lies in the working voltage range of the memory module.
6. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Speichermodule (6, 6', 6", 7, 7', 7") als zuvor gebrauchte Speichermodule und/oder als First-Life-Speichermodule ausgebildet sind. 6. Battery storage system (1) according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that the memory modules (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7") as previously used memory modules and / or as first-life Memory modules are formed.
7. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass alle ersten (9, 12) und alle zweiten Schaltelemente (10, 13) des Batteriespeichersystems (1) geöffnet sind, wenn der Umrichter (2) inaktiv ist und die DC-Systemspannung 0V aufweist. 7. Battery storage system (1) according to at least one of claims 2 to 6, characterized in that all first (9, 12) and all second switching elements (10, 13) of the battery storage system (1) are open when the inverter (2) inactive is and the DC system voltage has 0V.
8. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Ersatzwiderstand (8) des ersten Speichermoduls (6) hochohmiger oder niederohmiger als der zweite Ersatzwiderstand (11) des zweiten Speichermoduls (7) des jeweiligen Serienstrangs ausgebildet ist. 8. Battery storage system (1) according to at least one of claims 1 to 7, characterized in that the first equivalent resistance (8) of the first memory module (6) high impedance or low impedance than the second equivalent resistance (11) of the second memory module (7) of the respective series strand is trained.
9. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass beim in Betrieb nehmen des Batteriespeichersystems (1) in einem ersten Schritt ein DC-Kreis auf eine Vorgabespannung aufgeladen wird und danach durch das Einschalten der Schaltelemente (9, 10, 12, 13) des Speichermoduls (6, 7) diese kontinuierlich zuschaltbar sind, wobei das Batteriespeichersystem(l) erst nach dem Zuschalten aller Serienstränge (3, 4, 5) mit voller Leistung betreibbar ist. 9. battery storage system (1) according to at least one of claims 1 to 8, characterized in that take in operation of the battery storage system (1) in a first step, a DC circuit is charged to a default voltage and thereafter by turning on the switching elements (9 , 10, 12, 13) of the memory module (6, 7) are continuously connectable, wherein the battery storage system (l) only after the connection of all series strands (3, 4, 5) is operated at full power.
10. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltelemente (9, 10, 12, 13) des Batteriespeichersystems (1) über eine Kommunikationsschnittstelle, welche im oder am Gehäuse des 10. Battery storage system (1) according to at least one of claims 1 to 9, characterized in that the switching elements (9, 10, 12, 13) of the battery storage system (1) via a communication interface, which in or on the housing of the
Speichermoduls (6, 6', 6", 7, 7', 7") angeordnet ist, schaltbar sind.  Memory module (6, 6 ', 6 ", 7, 7', 7") is arranged, are switchable.
11. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass bei einer Anordnung von mehr als einem Serienstrang in dem Batteriespeichersystem (1), die einzelnen Serienstränge (3, 4, 5) miteinander parallel verschaltbar sind. 11. Battery storage system (1) according to at least one of claims 1 to 10, characterized in that in an arrangement of more than one series train in the battery storage system (1), the individual series strands (3, 4, 5) are interconnected in parallel.
12. Batteriespeichersystem (1) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass in mindestens einem Serienstrang (3, 4, 5) mindestens ein erstes Speichermodulsystem (16) und ein zweites Speichermodulsystem (17) angeordnet sind, die in Serie miteinander verbunden sind, wobei zumindest in dem ersten Speichermodulsystem (16) mindestens zwei erste Speichermodule (6, 6', 6") parallel zueinander geschaltet sind und/oder zumindest in dem zweiten 12. Battery storage system (1) according to at least one of claims 1 to 11, characterized in that in at least one series train (3, 4, 5) at least a first memory module system (16) and a second memory module system (17) are arranged in series at least in the first memory module system (16) at least two first memory modules (6, 6 ', 6 ") are connected in parallel to each other and / or at least in the second
Speichermodulsystem (17) mindestens zwei zweite Speichermodule (7, 7', 7") parallel zueinander geschaltet sind, wobei zu den ersten Speichermodulen (6, 6', 6") und/oder zu den zweiten Speichermodulen (7, T, 7") jeweils mindestens ein  Memory module system (17) at least two second memory modules (7, 7 ', 7 ") are connected in parallel to each other, wherein the first memory modules (6, 6', 6") and / or to the second memory modules (7, T, 7 " ) at least one each
Symmetriewiderstand (14, 15) parallel geschaltet ist.  Symmetry resistor (14, 15) is connected in parallel.
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