WO2018145952A1 - Verfahren zur herstellung eines auskoppelelements für ein optoelektronisches bauelement und auskoppelelement - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines auskoppelelements für ein optoelektronisches bauelement und auskoppelelement Download PDF

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WO2018145952A1
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Georg DIRSCHERL
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing a decoupling element for an optoelectronic component.
  • the invention relates to a decoupling element
  • semiconductor chips emitting red or IR wavelength radiation and having InGaAlP and / or GaAs based materials exhibiting a high refractive index of n> 3.
  • Semiconductor chips are typically in a matrix material, such as silicone or epoxy with a
  • Matrix material as a barrier against environmental influences and can be formed as a lens to the emitted from the semiconductor chip radiation from the device efficiently
  • nanoparticles such as zirconia or titanium dioxide, as a high-refractive additive for
  • Zirconium oxide and / or titanium dioxide and polymer matrix material have the disadvantage that they are only can be applied as thin film materials and thus can not be formed as a lens.
  • Organically charged zirconia nanoparticles which have been investigated hitherto also yellow under blue light and temperature tests per se or else in a matrix material, for example of silicone.
  • the photonic energy of the wavelengths to be hit of> 600 nm is insufficient to cleave bonds of typical matrix materials, in particular thermally oxidized species thereof.
  • Decoupling element which is matrix-free and transparent to radiation from the red and / or IR range.
  • the method comprises a step A), providing quantum dots.
  • the quantum dots each have a core of one
  • the semiconductor material may be selected from a group consisting of gallium phosphide (GaP),
  • InP Indium phosphide
  • GaAs gallium arsenide
  • Indium gallium aluminum phosphide InGaAlP.
  • Indium phosphide nanoparticles are more accessible than
  • Gallium phosphide nanoparticles Indiumphosphidquanten. Indiumphosphidquanten, would therefore be limited to the use of IR diodes with a wavelength of 950 nm.
  • the object of the invention is therefore in particular, a
  • gallium phosphide having a refractive index of 3.314 at 633 nm
  • the quantum dots are integers.
  • Nanoparticles that is particles with a size in the
  • the quantum dots comprise a core, that is to say a semiconductor core, which has wavelength-converting properties in the
  • corresponding wavelength range may have.
  • Wavelengths for example, of> 500 nm, that is, for example, in the red or IR wavelength range, the core has no significant influence on the transparency of the
  • the semiconductor core or the core may be coated by one or more layers as a coating. This coating can be inorganic or organic.
  • the semiconductor core may be a monocrystalline or polycrystalline agglomerate.
  • Quantum dots have an average diameter of 3 nm to 10 nm, more preferably from 3 nm to 5 nm.
  • the quantum dots can be spherical or rod-shaped
  • the values here mean in particular the average diameter of the core, that is without
  • Suspension includes quantum dots and at least one
  • the suspension consists of
  • the quantum dots are particularly concentrated in the suspension. By this is meant that the proportion of quantum dots in the suspension is between 10E-6 to 0.05 mol / l.
  • the suspension has an amide as suspending agent.
  • the amide is an n, n-dimethylformamide (DMF).
  • DMF is used in the suspension for pure and dry gallium or indium phosphide particles. This can be a very thin
  • evaporation Layer by evaporation (evaporation), for example at 160 ° C, for optical applications are generated.
  • Suspension here means in particular a heterogeneous one
  • Gallium phosphide can be generated from gallium halide and an alkali phosphide. In particular, a gallium halide is used
  • Gallium chloride used.
  • a sodium phosphide is used as alkali phosphide.
  • gallium chloride can be mixed with sodium phosphide in the same ratio.
  • Benzene can be used as suspending agent.
  • the mixture can be boiled under argon reflux at 75 ° C for two hours. This results in gallium phosphide and sodium chloride.
  • the gallium phosphide can be dried and stored under argon.
  • the sodium chloride can be extracted by means of water.
  • indium phosphide can be produced.
  • indium chloride and sodium phosphide can be reacted in the same ratio 1: 1 in xylene under argon reflux at 90 ° to indium phosphide and sodium chloride.
  • the indium phosphide can be dried and stored under argon.
  • Sodium chloride can in turn be extracted by means of water.
  • gallium phosphide and indium phosphide is known to a person skilled in the art and can, for example, the
  • the method has a step C): direct application of the suspension to a surface of the optoelectronic component.
  • Conversion element has phosphors, for example, those of a semiconductor chip
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V
  • the semiconductor material is, for example, a nitride compound semiconductor material such as Al n In ⁇ n _ m Ga m N or a
  • the semiconductor layer sequence may have dopants and additional constituents.
  • the essential constituents of the crystal lattice of the semiconductor layer sequence ie Al, As, Ga, In, N or P, are given, even if these can be partially replaced and / or supplemented by small amounts of further substances.
  • the semiconductor layer sequence comprises one or more active layers.
  • the at least one active layer is for
  • the active layer contains at least one pn junction or at least one quantum well structure.
  • ultraviolet, visible and / or near-infrared radiation is generated in the active layer during operation of the semiconductor device.
  • the radiation generated in the active layer has a major wavelength.
  • Main wavelength English peak wavelength, is the wavelength at which the maximum radiation intensity is generated during normal operation.
  • the optoelectronic component is a light emitting diode.
  • an additional step B1) is carried out before step C), centrifuging the suspension produced in step B). This can be quantum dots
  • aggregates or agglomerates with a diameter of> 500 nm or> 100 nm are separated.
  • the suspension is applied directly to the surface of a carrier.
  • Carrier can serve here, for example, an epitaxial substrate (wafer).
  • the method comprises a step D): removal of the suspending agent to produce the decoupling element.
  • the decoupling element is in particular matrix-free. By this is meant here and below that the quantum dots are not embedded in any matrix material such as silicone or epoxy.
  • the decoupling element preferably consists exclusively of the quantum dots. Existence here means that
  • Decoupling element is formed exclusively from the quantum dots and optionally small amount
  • the suspension medium can be removed, for example, by evaporation by means of pressure and / or heat.
  • the decoupling element is transparent to radiation from the red and / or IR range. Radiation from the red region here and below means a wavelength of approximately 600 nm to 780 nm, for example a wavelength of 660 nm or 730 nm.
  • the gallium phosphide nanoparticles are due to their absorption or
  • Transparency also infinitely variable for example green (about 540 nm) and / or yellow (about 590 nm) or all relevant color shades.
  • Radiation from the IR range here and in the following means a wavelength of 750 nm to 2000 nm, in particular between 800 nm to 950 nm. According to at least one embodiment, this is
  • Decoupling element formed as a lens.
  • the decoupling element is formed as a layer.
  • the layer of the decoupling element preferably has a layer thickness between 0.1 and 1 mm.
  • step C) takes place by means of spin coating, spray coatings and / or wet chemical deposition.
  • the suspension is applied directly to the surface of the carrier.
  • the suspending agent is removed so that the decoupling element is produced directly on the surface of the carrier.
  • It may be another suspension, having quantum dots, as a layer on the surface of the carrier.
  • the further suspension may have the same characteristics as the suspension.
  • the suspension and the further suspension have the same quantum dots.
  • the suspension and the further suspension have the same quantum dots.
  • the suspending agent in the suspension or in the further suspension may be the same or different.
  • the layer which is applied to the surface of the optoelectronic component may have a layer thickness of 10 to 100 ⁇ m.
  • the surface of the carrier is non-stick coated. This is advantageous because it allows the decoupling element can be easily removed from the carrier.
  • the decoupling element can be easily removed from the carrier.
  • step D) takes place by means of annealing.
  • the carrier and / or the component is thermally baked.
  • the carrier can
  • the heating can be done by means of an external heater, which can generate a temperature of ⁇ 200 ° C.
  • a cured decoupling element can be produced as a thin layer or as a lens.
  • the suspending agent can
  • the suspending agent can be removed by means of a heater to produce the decoupling element.
  • an optoelectronic component can be provided which has an increased output, for example from the semiconductor layer sequence and / or from the conversion element.
  • the decoupling element is shaped matrix-free, thus preferably has only the quantum dots.
  • the decoupling element is high-refractive and can easily on a surface of an optoelectronic device, in particular a
  • the invention further relates to a coupling-out element for an optoelectronic component.
  • the coupling-out element for an optoelectronic component.
  • Decoupling element thus consists of quantum dots and is matrix-free.
  • the decoupling element is transparent to
  • Decoupling element can be free of matrix, has quantum dots and a suspending agent, and is transparent to
  • FIGS. 2A to 2C, 4A to 4C and 5A to 5C each show a method for producing an outcoupling element for an optoelectronic component
  • FIGS. 3A to 3E each show an optoelectronic component with a coupling-out element according to an embodiment.
  • Gallium phosphide can be dried and stored under argon.
  • Sodium chloride can be made by means of water
  • Sodium phosphide are produced.
  • too other gallium or indium halides are used to make gallium or indium phosphide.
  • alkali metal phosphides can also be used to produce gallium or indium phosphide. Indium phosphide is used at higher temperatures
  • Suspending agent can then be evaporated
  • FIGS. 2A to 2C show the production of a
  • Optoelectronic device 100 according to a
  • the decoupling element 1 is formed as a lens.
  • a carrier 6 is shown, the
  • a concentrated as possible quantum dot suspension for example, from gallium phosphide, are applied in DMF as a suspending agent.
  • the suspending agent can be removed by evaporation and subsequent drying, for example at ⁇ 200 ° C.
  • the result is a decoupling element 1, the
  • FIG. 2C shows the application of the decoupling element 1 on a layer 7, which likewise has quantum dots, for example of gallium phosphide.
  • the thin layer 7 was also by means of another suspension
  • the layer 7 may, for example, on a substrate 12 of an optoelectronic component 100 and / or on a
  • Semiconductor layer sequence 9 may be applied. Subsequently, the decoupling element 1 can be applied to the further suspension 7 or the layer 7. This can do that
  • optoelectronic component 100 are applied.
  • molded, is virtually solvent-free and can be baked together with the other suspension or layer 7.
  • the baking can be done for example by heating.
  • the layer 7 can be produced before the application of the decoupling element 1. Alternatively, the layer 7 is produced after application of the decoupling element 1. This will be the
  • Decoupling element 1 is applied to the further suspension 7 and then carried out the removal of the suspension medium from the further suspension 7 to produce the layer. 7
  • Figures 4A to 4C show the production of a
  • Optoelectronic device 100 according to a
  • the lens 1 is applied together with the carrier 6 on the layer 7. Subsequently, the carrier 6 can be removed again.
  • the thin layer 7, for example a GaP suspension is applied to the substrate 12 and the semiconductor layer sequence 9. Subsequently, the quasi solvent-free decoupling element. 1
  • the carrier 6, which may be a hollow lens, is used only for forming. A relatively large light scattering at the lens of GaP nanoparticles is to be expected.
  • the carrier 6, for example, a hollow lens finally remain on the device 100 to the quantum dots 2, in particular InP or GaP nanoparticles, and the necessary suspending agent 5, in particular xylene or
  • DMF to include.
  • a certain amount of suspending agent 5 is necessary, in particular, so that the quantum dots 2 do not agglomerate and precipitate out of the solution (FIGS. 5A to 5C).
  • the carrier 6 and the substrate 12 are joined together, for example glued.
  • the suspension 4 is hermetically enclosed between the carrier 6 and the substrate 12.
  • the suspension 4 was in particular concentrated or evaporated.
  • the suspension has quantum dots 2, in particular GaP or InP, and a suspending agent 5, such as xylene or DMF.
  • FIGS. 3A to 3E each show an optoelectronic component 100 with a decoupling element 1 in accordance with FIG.
  • Semiconductor layer sequence 9 may be at least partially (not shown here) or completely surrounded by the decoupling element 1 material and / or positive fit. In this way, the coupling-out efficiency can be increased by the radiation emitted by the semiconductor layer sequence 9.
  • FIG. 3B shows a semiconductor layer sequence 9, which is arranged downstream of a conversion element 11.
  • Conversion element 11 is the decoupling element. 1
  • FIG. 3C differs from FIG. 3B in that the decoupling element 1 is formed here as a lens and is applied directly to the conversion element 11.
  • FIG. 3D shows a substrate 12, for example a printed circuit board or wafer, on which a
  • Semiconductor layer sequence 9 is applied.
  • Semiconductor layer sequence 9 is preferably parallel to the growth direction.
  • FIG. 3E shows a substrate 12 on which the
  • semiconductor layer sequence 9 is applied.
  • the optoelectronic component 100 of FIG. 3E has the outcoupling element 1, which has both the

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements (1) für ein optoelektronisches Bauelement (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen von Quantenpunkten (2) mit jeweils einem Kern (3), der ein Halbleitermaterial aufweist, B) Erzeugen einer Suspension (4), die die Quantenpunkte (2) in einem Suspensionsmittel (5) aufweist, C) direktes Aufbringen der Suspension (4) auf eine Oberfläche (1001) des optoelektronischen Bauelements (100) und/oder auf eine Oberfläche (61) eines Trägers (6), und D) Entfernen des Suspensionsmittels (5) zur Erzeugung des Auskoppelelements (1), das matrixfrei ist und transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich ist.

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES AUSKOPPELELEMENTS FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND AUSKOPPELELEMENT
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein optoelektronisches Bauelement.
Ferner betrifft die Erfindung ein Auskoppelelement,
insbesondere für ein optoelektronisches Bauelement.
Bisher beschriebene Auskoppelelemente weisen eine
unzureichende Auskopplung von in einem Halbleiterchip eines optoelektronischen Bauelements erzeugtem Licht auf, da große Brechungsindizesunterschiede an der Grenzfläche zwischen der Halbleiterchipoberfläche und dessen Umgebung vorhanden ist.
Dieses Problem ist insbesondere relevant für Halbleiterchips, welche Strahlung aus dem roten oder IR-Wellenlängenbereich emittieren und InGaAlP- und/oder GaAs-basierte Materialien aufweisen, die einen hohen Brechungsindex von n > 3 zeigen. Halbleiterchips sind typischerweise in einem Matrixmaterial, beispielsweise aus Silikon oder Epoxy mit einem
Brechungsindex von 1,4 bis 1,55, eingebettet. Dies erhöht die Auskopplung des von dem Halbleiterchip emittierten Lichts verglichen mit einem Halbleiterchip, der von Luft mit einem Brechungsindex n = 1 umgeben ist. Ferner wirkt das
Matrixmaterial als Barriere gegen Umwelteinflüsse und kann als Linse ausgeformt werden, um die von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung aus dem Bauelement effizient
auszukoppeln. Bisher sind Nanopartikel , wie Zirconiumoxid oder Titandioxid, als hochbrechendes Additiv für
Auskoppelmaterialien bekannt. Solche Nanokomposite aus
Zirconiumoxid oder/oder Titandioxid und Polymer- Matrixmaterial weisen den Nachteil auf, dass diese lediglich als Dünnfilmmaterialien aufgebracht werden können und damit nicht als Linse ausgeformt werden können. Bisher untersuchte organisch beladene Zirconiumoxidnanopartikel vergilben ferner unter Blaulicht und Temperaturtests an sich oder auch in einem Matrixmaterial, beispielsweise aus Silikon. Im Falle von InGaAlP/GaAs reicht die photonische Energie der zu treffenden Wellenlängen von > 600 nm nicht aus, um Bindungen von typischen Matrixmaterialien, insbesondere thermooxidierte Spezies, davon zu spalten.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur
Herstellung eines Auskoppelelements für ein
optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das effizient und einfach ein effizientes Auskoppelelement erzeugt. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, ein Auskoppelelement für ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen.
Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein optoelektronisches Bauelement gemäß dem unabhängigen Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte
Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Ferner werden diese Aufgaben durch ein Auskoppelelement gemäß dem Anspruch 17 gelöst .
In zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein
optoelektronisches Bauelement die Schritte auf:
A) Bereitstellen von Quantenpunkten mit jeweils einem Kern, der ein Halbleitermaterial aufweist, B) Erzeugen einer Suspension, die die Quantenpunkte in einem Suspensionsmittel aufweist,
C) direktes Aufbringen der Suspension auf einer Oberfläche des optoelektronischen Bauelements und/oder auf einer
Oberfläche eines Trägers, und
D) Entfernen des Suspensionsmittels zur Erzeugung des
Auskoppelelements, das matrixfrei ist und transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist Schritt D)
optional . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt A) auf, Bereitstellen von Quantenpunkten. Die Quantenpunkte weisen jeweils einen Kern aus einem
Halbleitermaterial auf. Das Halbleitermaterial kann aus einer Gruppe ausgewählt sein, die Galliumphosphid (GaP) ,
Indiumphosphid (InP), Galliumarsenid (GaAs) und
Indiumgalliumaluminiumphosphid (InGaAlP) umfasst.
Vorzugsweise ist das Halbleitermaterial Galliumphosphid oder Indiumphosphid, besonders bevorzugt Galliumphosphid. Die Quantenpunkte sind insbesondere transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Wellenlängenbereich . Galliumphosphid weist beispielsweise bei Wellenlängen > 500 nm eine
Transparenz mit einem Absorptionskoeffizient k = 0 auf.
Indiumphosphid weist bei einer Wellenlänge von 850 nm einen Absorptionskoeffizienten k = 0,15 und bei 953,7 nm einen Absorptionskoeffizienten k = 0 auf.
Indiumphosphidnanopartikel sind leichter zugänglich als
Galliumphosphidnanopartikel . Indiumphosphidquantenpunkte wären daher limitiert für den Einsatz von IR-Dioden mit einer Wellenlänge von 950 nm.
Aufgabe der Erfindung ist es daher insbesondere, eine
signifikante Erhöhung der Brechzahl durch Verwendung
beispielsweise von Galliumphosphid mit einem Brechungsindex von 3,314 bei 633 nm oder Indiumphosphid mit einem
Brechungsindex von 3,536 bei 633 nm in einem Auskoppelelement zu erreichen.
Bevorzugt handelt es sich bei den Quantenpunkten um
Nanopartikel , das heißt Teilchen mit einer Größe im
Nanometerbereich mit einem Partikeldurchmesser d5Q zum
Beispiel zwischen wenigstens 1 nm und höchstens 1000 nm.
Idealerweise sollte der Partikeldurchmesser zirka 1/10 der Wellenlänge, also bei beispielsweise 600 nm, einen
Partikeldurchmesser von in etwa 60 nm nicht überschreiten, so dass die Nanopartikel möglichst keinen negativen Einfluss auf die Transparenz des Gesamtsystems Nanokomposit haben. Die Quantenpunkte umfassen einen Kern, also einen Halbleiterkern, der wellenlängenkonvertierende Eigenschaften im
entsprechenden Wellenlängenbereich aufweisen kann. Bei
Wellenlängen beispielsweise von > 500 nm, also beispielsweise im roten oder IR-Wellenlängenbereich, weist der Kern keinen signifikanten Einfluss auf die Transparenz des
Auskoppelelements auf. Transparent meint hier und im
Folgenden eine Transmission von größer 90 oder 95 % zumindest für die von einem Halbleiterchip emittierte Strahlung. Der Halbleiterkern oder der Kern kann von einer oder mehreren Schichten als Beschichtung ummantelt sein. Diese Beschichtung kann anorganisch oder organisch sein. Der Halbleiterkern kann ein einkristallines oder polykristallines Agglomerat sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die
Quantenpunkte einen durchschnittlichen Durchmesser von 3 nm bis 10 nm, besonders bevorzugt von 3 nm bis 5 nm, auf. Die Quantenpunkte können kugelförmig oder stäbchenförmig
ausgeformt sein. Die Werte meinen hier insbesondere den durchschnittlichen Durchmesser des Kerns, also ohne
Beschichtung .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt B) auf: Erzeugen einer Suspension. Die
Suspension umfasst Quantenpunkte und zumindest ein
Suspensionsmittel. Vorzugsweise besteht die Suspension aus
Qantenpunkten und einem Suspensionsmittel oder einer Mischung von zumindest zwei Suspensionsmitteln. Die Quantenpunkte liegen insbesondere in der Suspension hoch konzentriert vor. Damit ist gemeint, dass der Anteil der Quantenpunkte in der Suspension zwischen 10E-6 bis 0,05 mol/1 ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Suspension ein Amid als Suspensionsmittel auf. Vorzugsweise ist das Amid ein n, n-Dimethylformamid (DMF) . Insbesondere wird DMF in der Suspension für reine und trockene Gallium- oder Indium- Phosphid-Partikel verwendet. Damit kann eine sehr dünne
Schicht durch Verdampfung (Evaporation) , beispielsweise bei 160 °C, für optische Anwendungen erzeugt werden. Suspension meint hier insbesondere ein heterogenes
Stoffgemisch aus dem Suspensionsmittel und darin fein
verteilten Partikeln, den Quantenpunkten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das
Halbleitermaterial Galliumphosphid (GaP) . Galliumphosphid kann aus Galliumhalogenid und einem Alkaliphosphid erzeugt werden. Insbesondere wird als Galliumhalogenid ein
Galliumchlorid verwendet. Alternativ oder zusätzlich wird als Alkaliphosphid ein Natriumphosphid verwendet.
Dabei kann beispielsweise kommerzielles Galliumchlorid mit Natriumphosphid im gleichen Verhältnis vermischt werden. Als Suspensionsmittel kann Benzol verwendet werden. Das Gemisch kann unter Argonrückfluss bei 75 °C für zwei Stunden gekocht werden. Es resultieren Galliumphosphid und Natriumchlorid. Das Galliumphosphid kann getrocknet werden und unter Argon gelagert werden. Das Natriumchlorid kann mittels Wasser extrahiert werden.
Ähnlich kann auch Indiumphosphid erzeugt werden. Dazu können Indiumchlorid und Natriumphosphid im gleichen Verhältnis 1:1 in Xylen unter Argonrückfluss bei 90° zu Indiumphosphid und Natriumchlorid reagiert werden. Das Indiumphosphid kann getrocknet werden und unter Argon gelagert werden. Das
Natriumchlorid kann wiederum mittels Wasser extrahiert werden . Die Herstellung von Galliumphosphid und Indiumphosphid ist einem Fachmann bekannt und kann beispielsweise den
Druckschriften Science in China Series A: Mathematics, Mai 2002, Vol. 45, Issue 5, Seiten 661 - 665; Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 2000, 40, Seiten 145 - 151; Z. Zhang, B. Wang, Part. Part. Syst. Char. 26, 2009, Seite 53 oder Solid State Sciences 12, 2010, Seiten 1188-1191, "Fabrication and optical properties of gallium phosphide nanoparticulate thin film" entnommen werden. Deren Offenbarungsgehalt für die Herstellung der Suspensionen wird hiermit durch Rückbezug aufgenommen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt C) auf: direktes Aufbringen der Suspension auf eine Oberfläche des optoelektronischen Bauelements.
Alternativ oder zusätzlich kann die Suspension auch direkt auf eine Oberfläche eines Trägers aufgebracht werden. Direkt meint hier, dass die Suspension unmittelbar auf die
Oberfläche des Bauelements und/oder Trägers aufgebracht wird. Mit anderen Worten ist eine zusätzliche Klebeschicht zwischen der Oberfläche des Bauelements und/oder Trägers und dem späteren Auskoppelelement nicht erforderlich.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Oberfläche des optoelektronischen Bauelements eine Oberfläche eines
Konversionselements. Konversionselemente weisen Leuchtstoffe auf, die beispielsweise die von einem Halbleiterchip
emittierte Strahlung in eine Strahlung mit veränderter, meist längerer Wellenlänge umwandelt. Alternativ oder zusätzlich ist die Oberfläche des optoelektronischen Bauelements die Oberfläche einer Halbleiterschichtenfolge eines
Halbleiterchips .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
optoelektronische Bauelement eine oder mehrere
Halbleiterschichtenfolgen auf. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-
Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn__n_mGamN oder um ein
Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn__n_mGamAs , wobei jeweils 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n + m -S 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können .
Die Halbleiterschichtenfolge umfasst eine oder mehrere aktive Schichten. Die mindestens eine aktive Schicht ist zur
Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet. Beispielsweise beinhaltet die aktive Schicht wenigstens einen pn-Übergang oder mindestens eine Quantentopfstruktur .
Insbesondere wird in der aktiven Schicht ultraviolette, sichtbare und/oder nahinfrarote Strahlung im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugt. Die in der aktiven Schicht erzeugte Strahlung weist eine Hauptwellenlänge auf. Die
Hauptwellenlänge, englisch peak wavelength, ist diejenige Wellenlänge, bei der im bestimmungsgemäßen Betrieb die größte Strahlungsintensität erzeugt wird.
Gemäß zumindest ist das optoelektronische Bauelement eine Leuchtdiode . Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt vor Schritt C) ein zusätzlicher Schritt Bl) Zentrifugieren der in Schritt B) erzeugten Suspension. Damit können Quantenpunkte
unterschiedlicher Größe separiert werden. Insbesondere werden Aggregate oder Agglomerate mit einem Durchmesser von > 500 nm oder auch > 100 nm abgetrennt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Suspension direkt auf die Oberfläche eines Trägers aufgebracht. Als Träger kann hier beispielsweise ein Epitaxiesubstrat (Wafer) dienen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren einen Schritt D) auf: Entfernen des Suspensionsmittels zur Erzeugung des Auskoppelelements. Das Auskoppelelement ist insbesondere matrixfrei. Damit ist hier und im Folgenden gemeint, dass die Quantenpunkte in keinem Matrixmaterial, wie beispielsweise Silikon oder Epoxy, eingebettet sind.
Vorzugsweise besteht das Auskoppelelement ausschließlich aus den Quantenpunkten. Bestehen meint hier, dass das
Auskoppelelement ausschließlich aus den Quantenpunkten geformt ist und gegebenenfalls geringe Menge an
Verunreinigungen, insbesondere im ppm-Bereich, aufweist. Das Entfernen des Suspensionsmittels kann beispielsweise durch Verdampfung mittels Druck und/oder Hitze erfolgen.
Zusätzlich ist das Auskoppelelement transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich. Strahlung aus dem roten Bereich meint hier und im Folgenden eine Wellenlänge von zirka 600 nm bis 780 nm, beispielsweise eine Wellenlänge von 660 nm oder 730 nm. Darüber hinaus sind die Galliumphosphid- Nanopartikel aufgrund ihrer Absorption beziehungsweise
Transparenz auch stufenlos einsetzbar für beispielsweise Grün (zirka 540 nm) und/oder Gelb (zirka 590 nm) beziehungsweise alle relevanten Farbnuancen. Strahlung aus dem IR-Bereich meint hier und im Folgenden eine Wellenlänge von 750 nm bis 2000 nm, insbesondere zwischen 800 nm bis 950 nm. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das
Auskoppelelement als Linse ausgeformt. Alternativ oder zusätzlich ist das Auskoppelelement als Schicht ausgeformt. Die Schicht des Auskoppelelements weist vorzugsweise eine Schichtdicke zwischen 0,1 und 1 mm auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt Schritt C) mittels Spin-Coating, Spray-Coatings und/oder nasschemischer Abscheidung .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Suspension direkt auf die Oberfläche des Trägers aufgebracht.
Anschließend wird das Suspensionsmittel entfernt, sodass das Auskoppelelement direkt auf der Oberfläche des Trägers erzeugt wird. Es kann eine weitere Suspension, aufweisend Quantenpunkte, als Schicht auf die Oberfläche des
optoelektronischen Bauelements erzeugt werden, wobei
anschließend der Träger von dem Auskoppelelement entfernt wird und das Auskoppelelement auf die Schicht aus
Quantenpunkten aufgebracht wird. Die weitere Suspension kann die gleichen Merkmale wie die Suspension aufweisen.
Vorzugsweise weisen die Suspension und die weitere Suspension gleiche Quantenpunkte auf. Alternativ können auch
unterschiedliche Quantenpunkte in der Suspension und der weiteren Suspension vorhanden sein. Das Suspensionsmittel in der Suspension oder in der weiteren Suspension kann gleich oder verschieden sein. Die Schicht, welche auf die Oberfläche des optoelektronischen Bauelements aufgebracht wird, kann eine Schichtdicke von 10 bis 100 pm aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Oberfläche des Trägers antihaftbeschichtet . Dies ist von Vorteil, denn dadurch kann das Auskoppelelement leicht von dem Träger entfernt werden. Alternativ oder zusätzlich ist die
Oberfläche des optoelektronischen Bauelements
antihaftbeschichtet . Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt Schritt D) mittels Ausheizen. Beispielsweise wird der Träger und/oder das Bauelement thermisch ausgeheizt. Der Träger kann
beispielsweise ein Saphirwafer oder ein Siliziumwafer sein. Das Ausheizen kann mittels eines externen Heizers erfolgen, der eine Temperatur von < 200 °C generieren kann. Dadurch kann ein ausgehärtetes Auskoppelelement als Dünnschicht oder als Linse erzeugt werden. Das Suspensionsmittel kann
verdampft werden, beispielsweise wenn die Suspension auf die Oberfläche des optoelektronischen Bauelements aufgebracht wird. Das Suspensionsmittel kann mittels eines Heizers entfernt werden, um das Auskoppelelement zu erzeugen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das
Auskoppelelement kleberfrei auf die Oberfläche des
optoelektronischen Bauelements aufgebracht. Alternativ zusätzlich wird das Auskoppelelement kleberfrei auf die Oberfläche des Trägers aufgebracht.
Der Erfinder hat erkannt, dass durch die Verwendung eines hier beschriebenen Auskoppelelements ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt werden kann, das eine erhöhte Auskopplung, beispielsweise aus der Halbleiterschichtenfolge und/oder aus dem Konversionselement, aufweist. Dabei ist das Auskoppelelement matrixfrei geformt, weist also vorzugsweise ausschließlich die Quantenpunkte auf. Das Auskoppelelement ist hochbrechend und kann leicht auf eine Oberfläche eines optoelektronischen Bauelements, insbesondere einer
Leuchtdiode, appliziert werden.
Die Erfindung betrifft ferner ein Auskoppelelement für ein optoelektronisches Bauelement. Vorzugsweise wird das
Auskoppelelement mit einem hier beschriebenen Verfahren erzeugt. Dabei gelten alle bisher gemachten Ausführungen und Definitionen für das Verfahren auch für das Auskoppelelement und umgekehrt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das
Auskoppelelement lediglich Quantenpunkte auf. Das
Auskoppelelement besteht also aus Quantenpunkten und ist matrixfrei. Das Auskoppelelement ist transparent für
Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich. ndest ein
lung eine
ktronisch
A) Bereitstellen von Quantenpunkten mit jeweils einem Kern, der ein Halbleitermaterial aufweist,
B) Erzeugen einer Suspension, die die Quantenpunkte in einem Suspensionsmittel aufweist,
C) direktes Anordnen der Suspension zwischen einer Oberfläche des optoelektronischen Bauelements und einer Oberfläche eines Trägers zur Erzeugung des Auskoppelelements. Das
Auskoppelelement kann matrixfrei sein, weist Quantenpunkte und ein Suspensionsmittel auf, und ist transparent für
Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich ist
Weitere Vorteile, vorteilhafte Ausführungsformen und
Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in
Verbindung mit den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispielen . Es zeigen:
Figuren 1A und 1B jeweils ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements gemäß einer Ausführungsform,
Figuren 2A bis 2C, 4A bis 4C und 5A bis 5C zeigen jeweils ein Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein optoelektronisches Bauelement, und Figuren 3A bis 3E jeweils ein optoelektronisches Bauelement mit einem Auskoppelelement gemäß einer Ausführungsform.
In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche, gleichartige und gleich wirkende Elemente jeweils mit
denselben Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne Elemente wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt werden.
Die Figur 1A zeigt eine mögliche Synthese zur Herstellung eines Auskoppelelements gemäß einer Ausführungsform. Es kann beispielsweise Galliumchlorid, das käuflich erwerblich ist, im gleichen Verhältnis mit Natriumphosphid bei 75 °C für zwei Stunden in Benzol unter Argonrückfluss gekocht werden, bis Galliumphosphid und Natriumchlorid erzeugt werden. Das
Galliumphosphid kann getrocknet werden und unter Argon gelagert werden. Natriumchlorid kann mittels Wasser
extrahiert werden. Entsprechend kann, wie in Figur 1B
gezeigt, auch Indiumphosphid aus Indiumchlorid und
Natriumphosphid hergestellt werden. Alternativ können auch andere Gallium- oder Indiumhalogenide zur Herstellung von Gallium- oder Indiumphosphid verwendet werden.
Alternativ können auch andere Alkaliphosphide zur Herstellung von Gallium- beziehungsweise Indiumphosphid verwendet werden. Indiumphosphid wird bei höheren Temperaturen von
beispielsweise 90 °C in Xylen unter Argonrückfluss gekocht.
Als Suspensionsmittel kann alternativ statt Benzol oder Xylen auch Dimethylformamid (DMF) verwendet werden. Das
Suspensionsmittel kann anschließend verdampft werden,
beispielsweise bei 160 °C und damit ein optisches Element, also ein Auskoppelelement, erzeugt werden. Die Figuren 2A bis 2C zeigen die Herstellung eines
optoelektronischen Bauelements 100 gemäß einer
Ausführungsform. Hier wird das Auskoppelelement 1 als Linse ausgeformt. In Figur 2A ist ein Träger 6 gezeigt, der
vorzugsweise U-förmig geformt ist, um eine konvexe Linse zu erzeugen. Auf den Träger kann eine möglichst aufkonzentrierte QuantenpunktSuspension, beispielsweise aus Galliumphosphid, in DMF als Suspensionsmittel aufgebracht werden.
Anschließend kann das Suspensionsmittel durch Verdampfung und anschließender Trocknung entfernt werden, beispielsweise bei < 200 °C. Es resultiert ein Auskoppelelement 1, das
vorzugsweise aus den Quantenpunkten besteht, matrixfrei ist und transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR- Bereich ist (Figur 2B) .
Die Figur 2C zeigt das Aufbringen des Auskoppelelements 1 auf einer Schicht 7, die ebenfalls Quantenpunkte, beispielsweise aus Galliumphosphid, aufweist. Die dünne Schicht 7 wurde ebenfalls mittels einer weiteren Suspension aus
Quantenpunkten und Suspensionsmittel und anschließendem
Entfernen des Suspensionsmittels und Trocknen erzeugt. Die Schicht 7 kann beispielsweise auf einem Substrat 12 eines optoelektronischen Bauelements 100 und/oder auf einer
Halbleiterschichtenfolge 9 aufgebracht sein. Anschließend kann das Auskoppelelement 1 auf die weitere Suspension 7 oder die Schicht 7 aufgebracht werden. Damit kann das
Auskoppelelement 1 kleberfrei, also beispielsweise frei von Silikon oder Epoxy, auf die Oberflächen 1001 eines
optoelektronischen Bauelements 100 aufgebracht werden. Das Aufbringen des Auskoppelelements 1, hier als Linse
ausgeformt, ist quasi lösungsmittelfrei und kann gemeinsam mit der weiteren Suspension oder Schicht 7 verbacken werden. Das Verbacken kann beispielsweise durch Aufheizen erfolgen.
Die Schicht 7 kann vor dem Aufbringen des Auskoppelelements 1 erzeugt werden. Alternativ kann die Schicht 7 nach Aufbringen des Auskoppelelements 1 erzeugt wird. Dazu wird das
Auskoppelelement 1 auf die weitere Suspension 7 aufgebracht und anschließend erfolgt das Entfernen des Suspensionsmittels aus der weiteren Suspension 7 zur Erzeugung der Schicht 7.
Die Figuren 4A bis 4C zeigen die Herstellung eines
optoelektronischen Bauelements 100 gemäß einer
Ausführungsform. Das Verfahren der Figuren 4A bis 4C
unterscheidet sich von dem Verfahren der Figuren 2A bis 2C dadurch, dass die Linse 1 zusammen mit dem Träger 6 auf die Schicht 7 aufgebracht wird. Anschließend kann der Träger 6 wieder entfernt werden. Es wird also zuerst die dünne Schicht 7, beispielsweise eine GaP-Suspension, auf das Substrat 12 und die Halbleiterschichtenfolge 9 applziert. Anschließend kann das quasi lösungsmittelfreie Auskoppelelement 1
aufgesetzt und gemeinsam mit der Schicht 7 durch einen Heizschritt verbacken werden. In diesem Ausführungsbeispiel wird der Träger 6, der eine Hohllinse sein kann, nur zur Formgebung verwendet. Eine relativ große LichtStreuung an der Linse aus GaP-Nanopartikel ist zu erwarten.
Alternantiv zu den Verfahren der Figuren 2A bis 2C
beziehungsweise 4A bis 4C kann der Träger 6, beispielsweise eine Hohllinse, final auf dem Bauelement 100 verbleiben, um die Quantenpunkte 2, insbesondere InP- oder GaP-Nanopartikel , und das nötige Suspensionsmittel 5, insbeondere Xylol oder
DMF, einzuschließen. Eine gewisse Menge an Suspensionsmittel 5 ist insbesondere nötig, damit die Quantenpunkte 2 nicht agglomerieren und aus der Lösung ausfallen (Figuren 5A bis 5C) . Wie in Figur 5B gezeigt, werden der Träger 6 und das Substrat 12 zusammengefügt, beispielsweise geklebt. Wie in
Figur 5C gezeigt, ist die Suspension 4 zwischen Träger 6 und Substrat 12 hermetisch eingeschlossen. Die Suspension 4 wurde insbesondere aufkonzentriert oder eingedampft. Die Suspension weist Quantenpunkte 2, insbesondere GaP oder InP, und ein Suspensionsmittel 5, wie Xylol oder DMF, auf.
Die Figuren 3A bis 3E zeigen jeweils ein optoelektronisches Bauelement 100 mit einem Auskoppelelement 1 gemäß einer
Ausführungsform.
Das optoelektronische Bauelement 100 der Figur 3A weist eine Halbleiterschichtenfolge 9 auf, die in einer Ausnehmung 8 eines Gehäuses 10 angeordnet ist. Die Oberfläche der
Halbleiterschichtenfolge 9 kann zumindest teilweise (hier nicht gezeigt) oder vollständig von dem Auskoppelelement 1 Stoff- und/oder formschlüssig umgeben sein. Damit kann die Auskoppeleffizienz die von der Halbleiterschichtenfolge 9 emittierte Strahlung erhöht werden. Die Figur 3B zeigt eine Halbleiterschichtenfolge 9, der ein Konversionselement 11 nachgeordnet ist. Dem
Konversionselement 11 ist das Auskoppelelement 1
nachgeordnet. Das Auskoppelelement 1 ist hier als Schicht ausgeformt. Das Auskoppelelement 1 kann beispielsweise eine Schichtdicke von 1 bis 50 pm ausweisen.
Die Figur 3C unterscheidet sich von Figur 3B dadurch, dass das Auskoppelelement 1 hier als Linse ausgeformt wird und direkt auf das Konversionselement 11 appliziert wird.
Die Figur 3D zeigt ein Substrat 12, beispielsweise eine Leiterplatte oder Wafer, auf dem eine
Halbleiterschichtenfolge 9 aufgebracht ist. Vorzugsweise ist ausschließlich die Strahlungsaustrittsfläche 91 mit einer
Hauptemissionsrichtung der Halbleiterschichtenfolge 9 mit dem Auskoppelelement 1 bedeckt. Die Seitenflächen 92 der
Halbleiterschichtenfolge 9 sind also frei von dem
Auskoppelelement 1. Die Hauptemissionsrichtung der
Halbleiterschichtenfolge 9 liegt bevorzugt parallel zu der Wachstumsrichtung .
Die Figur 3E zeigt ein Substrat 12, auf dem die
Halbleiterschichtenfolge 9 aufgebracht ist. Im Unterschied zur Figur 3D weist das optoelektronische Bauelement 100 der Figur 3E das Auskoppelelement 1 auf, das sowohl die
Strahlungsaustrittsfläche als auch die Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge 9 vollständig bedeckt. Damit kann sowohl die Auskopplung über die
HauptStrahlungsaustrittsfläche 91 als auch über die
Seitenflächen 92 erhöht werden. Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen
Ausführungsbeispiele und deren Merkmale können gemäß weiterer Ausführungsbeispiele auch miteinander kombiniert werden, auch wenn solche Kombinationen nicht explizit in den Figuren gezeigt sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den
Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele zusätzliche oder alternative Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2017 102 477.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugszeichenliste
100 optoelektronisches Bauelement
1001 Oberfläche des optoelektronischen Bauelements
1 Auskoppelelement
2 Quantenpunkte
3 Kern der Quantenpunkte
4 Suspension
5 Suspensionsmittel
6 Träger
61 Oberfläche des Trägers
7 (weitere) Suspension oder (weitere) Schicht
8 Ausnehmung
9 Halbleiterschichtenfolge der Halbleiterschichtenfolge
91 Strahlungsaustrittsfläche
92 Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge
10 Gehäuse
11 Konversionselement
12 Substrat

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements (1) für ein optoelektronisches Bauelement (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen von Quantenpunkten (2) mit jeweils einem
Kern (3) , der ein Halbleitermaterial aufweist,
B) Erzeugen einer Suspension (4), die die Quantenpunkte (2) in einem Suspensionsmittel (5) aufweist,
C) direktes Aufbringen der Suspension (4) auf eine Oberfläche (1001) des optoelektronischen Bauelements (100) und/oder auf eine Oberfläche (61) eines Trägers (6), und
D) Entfernen des Suspensionsmittels (5) zur Erzeugung des
Auskoppelelements (1), das matrixfrei ist und transparent für Strahlung aus dem roten und/oder IR-Bereich ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
wobei das Halbleitermaterial aus einer Gruppe ausgewählt ist, die GaP, InP, GaAs und InGaAlP umfasst.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Auskoppelelement (1) aus den Quantenpunkten (2) besteht .
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halbleitermaterial GaP oder InP ist.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Auskoppelelement (1) als Linse ausgeformt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Suspension (4) direkt auf die Oberfläche des
Trägers aufgebracht wird, und anschließend das
Suspensionsmittel (5) entfernt wird, so dass das Auskoppelelement (5) direkt auf der Oberfläche (61) des Trägers (6) erzeugt wird,
wobei eine weitere Suspension (7) aufweisend Quantenpunkte (2) als Schicht auf die Oberfläche (1001) des
optoelektronischen Bauelements (100) erzeugt wird, wobei anschließend der Träger (6) von dem Auskoppelelement (1) entfernt wird und das Auskoppelelement (1) auf die Schicht aus Quantenpunkten (2) aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Oberfläche (1001) des optoelektronischen
Bauelements (100) eine Oberfläche eines Konversionselements oder einer Halbleiterschichtenfolge ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Oberfläche (61) des Trägers (6) antihaftbeschichtet ist .
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Auskoppelelement (1) kleberfrei auf die Oberfläche (1001) des optoelektronischen Bauelements (100) aufgebracht wird .
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Auskoppelelement (1) kleberfrei auf die Oberfläche (61) des Trägers (6) aufgebracht wird.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halbleitermaterial GaP ist und aus Galliumhalogenid und einem Alkaliphosphid erzeugt wird.
12. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
wobei das Galliumhalogenid ein Galliumchlorid ist.
13. Verfahren nach Anspruch 11,
wobei das Alkaliphosphid ein Natriumphosphid ist.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Schritt C) mittels Spin-Coating, Spray-Coating oder nasschemischer Abscheidung erfolgt.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Suspension (4) ein Amid als Suspensionsmittel (5) aufweist .
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Suspensionsmittel (5) N, -Dimethylformamid ist.
17. Auskoppelelement (1) für ein optoelektronisches
Bauelement (100), das nach einem der Ansprüche 1 bis 16 erzeugt ist.
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