WO2018099741A1 - High-conversion-gain charge-amplifier circuit - Google Patents

High-conversion-gain charge-amplifier circuit Download PDF

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voltage divider
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    • H03G2201/502—Gain control characterized by the means of gain control by switching impedance in feedback loop

Definitions

  • the invention is in the field of photon count X-ray matrix detectors, and is more particularly concerned with charge amplifiers for such detectors.
  • U.S. Patent 6,054,705 to Carroll has a device that amplifies the pulses produced by photon detection.
  • the amplification circuit comprises a non-inverting unity gain pre-amplifier stage, for integrating the load on the capacitance of the detector. Since the charge / voltage conversion gain of this configuration is low when the capacitance of the detector is large, it is not suitable for detecting small charges.
  • U.S. Patent Application 2013/0256542 A1 to Soh et al. discloses alternative circuit implementations for adjusting the gain of conversion of a charge amplifier, variants based on the use of one to several capacitors in parallel and controlled by switches.
  • Fowler Boyd US Patent Application 2002/066848 A1 proposes a photon detector charge amplifier circuit, based on the establishment of a feedback loop consisting of a network of several capacitors whose arrangement and value allow you to define the gain of the amplifier.
  • each pixel of the matrix of the photon detector can be provided with a charge amplifier. Due to technological dispersions of manufacture, this results in a dispersion of the conversion gain through the matrix, because the exact value of the feedback capacity varies from one pixel to another.
  • the feedback capacitance is fixed, it defines the gain and detection dynamics of the pixels statically and fixed.
  • An object of the present invention is to provide a very high charge / voltage gain charge amplifier circuit whose gain value is controllable and reproducible with high precision.
  • An advantageous use of the circuit of the invention is that of photon count X-ray matrix detectors.
  • the circuit of the invention will find applications in the areas of medical imaging, visible imaging, synchrotron applications, the field of security or the sorting of industrial products.
  • the proposed solution can be used in any field requiring the use of a high sensitivity charge amplifier, such as cell phone sensors or medical sensors.
  • a charge amplifier device comprises:
  • a voltage amplifier which receives an input voltage 'Vin' and delivers an output voltage 'Vout'; coupled to
  • the feedback loop includes a first capacitor connected in series with a voltage divider circuit, the first capacitor having a first terminal connected to the input of the amplifier and a second terminal defining an intermediate voltage point connected to a first terminal of the amplifier.
  • voltage divider circuit A second terminal of the voltage divider circuit is connected to the output of the amplifier, and includes capacitive elements arranged so that the intermediate point voltage is lower than the output voltage of the amplifier.
  • the device is characterized in that the voltage divider comprises at least one variable capacitor connected between the intermediate voltage point and a variable bias voltage.
  • the voltage divider circuit comprises two capacitors connected in series between the output of the amplifier and the ground, the midpoint of the two capacitors being connected to the intermediate point of voltage, one of the two capacitors being said capacitance. variable.
  • the voltage divider includes a third capacitor connected between the intermediate voltage point and a variable bias voltage, the third capacitance being a variable capacitance.
  • the third capacity of the voltage divider is a diode in reverse bias.
  • the first capacitance is a variable capacitance whose value is determined by the bias voltage applied to its terminals.
  • variable bias voltage is defined by a programmable memory.
  • one or more of the capabilities of the feedback loop are variable capabilities.
  • the variable capacities are MOS-type varactors.
  • the capabilities of the device are in CMOS technology.
  • the voltage divider further includes a switch for enabling or disabling the capacitance connected between the intermediate voltage point and ground.
  • the voltage divider may comprise a capability arrangement combining the different claimed variants.
  • the device may include a second voltage divider connected in series with the first voltage divider.
  • the invention also covers a photon counting matrix detector comprising at least one device as claimed.
  • Figure 1 is an example of a known charge amplifier circuit
  • FIG. 2 is an example of a circuit for amplifying the conversion gain of the known charge amplifier of FIG. 1;
  • Figure 3 schematically illustrates the principle of the high conversion gain charge amplifier circuit of the invention;
  • FIG. 4 illustrates a first embodiment of the circuit of the invention
  • FIGS. 5a to 5f illustrate variants of the voltage divider of FIG. 4;
  • Figure 6 illustrates a second embodiment of the invention
  • Figures 7a and 7b illustrate the uniformization of the gain obtained by an embodiment of the circuit of the invention
  • Fig. 8 illustrates an embodiment of a programmable circuit
  • Figure 9 illustrates another embodiment of a programmable circuit
  • Figure 10 illustrates the gain / dynamics variability
  • Figure 1 1 illustrates a pixel programming chessboard.
  • Fig. 1 is an example of a known charge amplifier circuit 100.
  • a capacitor 104 is connected between the input Vin and the output Vout to produce the effect of a negative feedback.
  • the input of the amplifier is considered a virtual mass, and any charge 'Qin' created at the input of the amplifier, following the detection of a photon for example , is then integrated on the capacity Cf.
  • FIG. 2 illustrates an example of a circuit 200 making it possible to amplify the conversion gain of a charge amplifier 102 like that of FIG. 1. For reasons of simplification, the identical elements between the figures bear the same references.
  • the feedback capacitance 204 consists of a plurality of capacitors (Ci, Cn) connected in series. Capacities are standard capabilities of minimal value.
  • the nodes that exist between each capacity are so-called floating nodes, there are then 'N-1' floating nodes for 'N' standard capacitors connected in series.
  • the floating nodes are easily contaminated by the coupling noise coming from neighboring signals, thus bringing an additional disadvantage to this type of solution.
  • FIG. 3 schematically illustrates the general principle of the invention which consists of arranging several elements in a feedback loop which will produce the effect of a single equivalent feedback capability of very low value.
  • the circuit comprises a voltage amplifier 102, receiving an input voltage Vin and delivering an output voltage Vout.
  • a feedback loop 300 is connected between the output and the input of the amplifier, and comprises in series combination, a first capacitance 'C1' (302) coupled to a capacitive arrangement 304.
  • the capacitive arrangement operates as a divider or attenuator Of voltage.
  • the capacitive components are chosen such that the voltage V at the intermediate node between the first capacitor 302 and the voltage attenuator circuit 304 is less than the output voltage Vout according to equation (3):
  • the output voltage 'Vout' can then be expressed as a function of the input load 'Qin', and the conversion gain 'Gc' be defined according to the equation ( 5) next: vout 1 1
  • the voltage amplifier 102 can be replaced by a transconductance amplifier, where the output of the amplifier is a current and not a voltage.
  • the amplifier may be a differential amplifier, and the feedback is applied to the negative input of the amplifier, the positive input being connected to a fixed voltage.
  • FIG. 4 illustrates a first embodiment of the circuit of the invention wherein the voltage divider circuit 404 consists of two serial capacitors (406, 408) whose midpoint is connected to the first capacitor 402 at the intermediate node V-i.
  • the other terminals of the second 2 'and third 3' capacitors (406, 408) of the voltage divider are respectively connected to the output of the amplifier for 'C2' and to ground for 3 '.
  • the output voltage 'Vout' can then be expressed as a function of the input load 'Qin', and the conversion gain 'Gc' be defined according to the equation ( 8) next:
  • the third capacity 3 ' being represented in equation (9) only to the denominator, it is possible to increase its value in order to decrease the total value of the equivalent capacity' Ceq '.
  • each capacitor has an easily reproducible value, thus offering stability to the circuit of the invention.
  • FIGS. 5a to 5f illustrate variants of the voltage divider of FIG. 4 according to embodiments of the circuit of the invention.
  • the voltage divider furthermore comprises a variable capacitance 'C4' connected between the intermediate point and a variable 'V4' bias voltage, thus making it possible to adjust the voltage. value of the conversion gain.
  • the value of the equivalent capacity of the feedback is then:
  • the capacitance 'C4' of FIG. 5a is replaced by a diode 4 'in reverse polarization, for polarizing the intermediate point which is normally floating. It is the value 'C D4 ' of the capacity of the diode which enters into the calculation of the equivalent capacity of the feedback, which is then equal to:
  • FIG. 5d shows the circuit of FIG. 5b in which the capacitance 'C2' of the voltage divider is a variable capacitance whose value is determined as a function of the voltage at its terminals.
  • FIG. 5e shows the circuit of FIG. 4, where the capacitance 'C3' of the voltage divider is a variable capacitance.
  • the feedback loop is seen as a circuit comprising three capacitors (C1, C2, C3) arranged in a T-shape.
  • the first and second capacitors 'C1' and 'C2' are connected in series between the first and second capacitors. input and output of the amplifier, and the third capacitor 'C3' forming the vertical foot of the T is a variable capacitance. It is connected by a terminal to the intermediate point of the first and second capacitors (502, 506) and by the other terminal to a voltage generator capable of delivering a variable voltage 'V3'.
  • variable capacity of the different variants is of the MOS type, and is also called MOS-Cap or 'MOS varactor' (for acronym for "variable reactor").
  • MOS varactor is a component of CMOS technology, the capacity of which varies according to the applied voltage. It has the particularity of behaving like a capacitor whose value of the capacitance varies with the voltage applied to its terminals.
  • the variable capacity can be a Varicap diode.
  • the embodiments with variable capacity make it possible to modulate the conversion gain by means of a controlled voltage.
  • These embodiments make it possible to optimize the gain of the amplifier for a given application.
  • the adjustment of the voltage across the varactor can be made per pixel for the matrix of pixels of the same detector, thus making it possible to correct the gain dispersion from one pixel to the other, and result in a more uniform matrix response.
  • the circuit of FIG. 5e makes it possible to set the conversion gain pixel by pixel, independently.
  • each variable capacitance 'C3' By coupling each variable capacitance 'C3' to a programmable memory, it is possible to define a value for the voltage 'V3' and thus adjust a value for the variable capacitance 'C3'. Therefore, the programmed value of the capacitance 'C3' determines the conversion gain of the corresponding pixel.
  • the device of the invention makes it possible to reduce the effects of dispersion on an amplifier. matrix of pixels as illustrated in Fig. 7a, to obtain a uniform gain across the pixel array, as shown in Fig. 7b.
  • the programmable memory can be implemented in the form of a DAC "Digital to Analog Converter".
  • the DAC is programmed on a number 'N' of bits which define the value of the voltage V3.
  • Each DAC can be programmed differently to have the desired gain for each individual pixel.
  • the programmable memory may be an analog memory made in the form of a 'CMem' capacitor and a ⁇ 1 'switch.
  • the switch is on, and an external voltage value 'Vext' is applied to the 'CMem' capability.
  • the value of the capacitance 'CMem' is much greater than that of the variable capacitance 'C3' to allow its memory function, without disturbance by the operation of the circuit.
  • the switch '11 ' is blocked and the value' Vext 'remains stored on the capacity' CMem '.
  • each pixel detects a different photon energy range.
  • Figure 10 illustrates the variability that can be sought between gain and dynamics.
  • the circuit of the invention allows this dual adaptability for the same circuit and offers a range of values 'gain-dynamic' which is continuously as opposed to existing solutions which propose only discrete values and / or require to completely change the circuit according to the sought application.
  • FIG. 11 illustrates an embodiment of a programming of the pixels of a matrix, called chessboard. Other programming variants can be adopted according to the same principles.
  • FIG. 5f shows an alternative embodiment of the voltage divider of FIG. 4, in which a switch 51 1 is inserted in series with the third capacitor 3 '.
  • This configuration makes it possible to define two conversion gains, depending on whether the switch is blocked or switched on.
  • the equivalent capacity of the feedback loop corresponds to that of the circuit of FIG. 4 in equation (9).
  • FIG. 6 illustrates an embodiment of the invention for which the equivalent feedback capability is obtained by a total arrangement of five capacitors.
  • a first capacitance 'C1' (602) is connected by a first terminal to the input 'Vin' of the amplifier 102 and by a second terminal to a terminal of a divider circuit of voltage 604, by an intermediate point 'V1'.
  • the other terminal of the voltage divider circuit is connected to the output 'Vout' of the amplifier 102.
  • the voltage divider 604 comprises four capacitors 2 to C5 'arranged in pairs (C2, C3) and (C4 , C5), each pair creating a voltage divider similar to that of FIG. 4.
  • the first pair (606, 608) is connected between the intermediate point 'V1' and a second intermediate point 'V2', and the second pair (607, 609) is connected between the second intermediate point 'V2' and the output 'Vout' of the amplifier 102.
  • this configuration offers the advantage of obtaining a low-value equivalent capacity to occupy less area.
  • the total area 'S1' occupied by the five capacitors is:
  • the total area 'S2' occupied by the three capacitors is:
  • the 5-capacitance architecture allows a surface saving of 44% compared to the 3-capacitance architecture for the example chosen.
  • the negative feedback circuit of the invention can be used in other architectures than for charge amplifiers.
  • it can be used for example for voltage amplifiers, voltage integrators or filters.

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Abstract

The present invention relates to a high-conversion-gain charge-amplifier device that comprises a voltage amplifier and a feedback loop between the output and input of the amplifier, such that the feedback loop consists of a capacitor connected in series with a voltage divider, the voltage divider comprising at least one variable capacitor connected between an intermediate voltage point and a variable bias voltage and being arranged so that the voltage at the intermediate point is lower than the output voltage of the amplifier.

Description

Circuit amplificateur de charges à gain de conversion élevé  High conversion gain charge amplifier circuit
Domaine de l'invention L'invention se situe dans le domaine des détecteurs matriciels de rayons X à comptage de photons, et s'intéresse plus particulièrement aux amplificateurs de charges pour de tels détecteurs. Field of the Invention The invention is in the field of photon count X-ray matrix detectors, and is more particularly concerned with charge amplifiers for such detectors.
Etat de la Technique II est connu qu'un photon qui est absorbé dans un matériau semiconducteur crée une quantité de charges qui est proportionnelle à l'énergie du photon. Chaque pixel d'une matrice d'un détecteur de photons est doté d'un amplificateur de charges qui produit en sortie une tension proportionnelle à la charge incidente. Les signaux issus de la détection de photons doivent être suffisamment amplifiés par l'amplificateur de charge pour être traités. STATE OF THE ART It is known that a photon which is absorbed in a semiconductor material creates a quantity of charges which is proportional to the energy of the photon. Each pixel of a matrix of a photon detector is provided with a charge amplifier which outputs a voltage proportional to the incident charge. The signals from the photon detection must be sufficiently amplified by the charge amplifier to be processed.
Il existe des dispositifs qui permettent d'amplifier des signaux issus de la détection de photons.  There are devices that can amplify signals from the detection of photons.
Le brevet U.S. 6,054,705 de Carroll présente un dispositif qui amplifie les impulsions produites par la détection de photons. Le circuit d'amplification comprend un étage pré-amplificateur de gain unitaire non- inverseur, permettant d'intégrer la charge sur la capacité du détecteur. Le gain de conversion charge/tension de cette configuration étant faible quand la capacité du détecteur est importante, elle ne convient pas à la détection de petites charges.  U.S. Patent 6,054,705 to Carroll has a device that amplifies the pulses produced by photon detection. The amplification circuit comprises a non-inverting unity gain pre-amplifier stage, for integrating the load on the capacitance of the detector. Since the charge / voltage conversion gain of this configuration is low when the capacitance of the detector is large, it is not suitable for detecting small charges.
Or il est nécessaire que l'amplificateur de charges ait un gain de conversion charge/tension très élevé pour permettre la détection de photons de faible énergie. Il est connu des solutions permettant d'augmenter le gain de conversion des amplificateurs. However, it is necessary for the charge amplifier to have a very high charge / voltage conversion gain to enable the detection of low energy photons. There are known solutions for increasing the conversion gain of the amplifiers.
La demande de brevet U.S. 2013/0256542 A1 de Soh et al. présente des variantes d'implémentation de circuits permettant d'ajuster le gain de conversion d'un amplificateur de charge, variantes basées sur l'utilisation de une à plusieurs capacités mises en parallèle et commandées par interrupteurs.  U.S. Patent Application 2013/0256542 A1 to Soh et al. discloses alternative circuit implementations for adjusting the gain of conversion of a charge amplifier, variants based on the use of one to several capacitors in parallel and controlled by switches.
Cependant, une amplification élevée du gain de conversion doit être maîtrisable avec une précision fine,  However, a high amplification of the conversion gain must be controllable with fine precision,
La demande de brevet U.S. 2002/066848 A1 de Fowler Boyd propose un circuit amplificateur de charges pour détecteur de photons, basé sur la mise en place d'une boucle de rétroaction constitué d'un réseau de plusieurs capacités dont l'agencement et la valeur permettent de définir le gain de l'amplificateur.  Fowler Boyd US Patent Application 2002/066848 A1 proposes a photon detector charge amplifier circuit, based on the establishment of a feedback loop consisting of a network of several capacitors whose arrangement and value allow you to define the gain of the amplifier.
Or, dans un détecteur matriciel, chaque pixel de la matrice du détecteur de photons peut être doté d'un amplificateur de charge. A cause de dispersions technologiques de fabrication, il en résulte une dispersion du gain de conversion à travers la matrice, du fait que la valeur exacte de la capacité de contre-réaction varie d'un pixel à l'autre.  However, in a matrix detector, each pixel of the matrix of the photon detector can be provided with a charge amplifier. Due to technological dispersions of manufacture, this results in a dispersion of the conversion gain through the matrix, because the exact value of the feedback capacity varies from one pixel to another.
Par ailleurs, la capacité de contre-réaction étant fixe, elle définit de manière statique et fixée le gain et la dynamique de détection des pixels. Furthermore, since the feedback capacitance is fixed, it defines the gain and detection dynamics of the pixels statically and fixed.
Des solutions possibles pour contrôler le gain et la dynamique d'un amplificateur sont proposées dans les demandes de brevet U.S.Possible solutions for controlling the gain and dynamics of an amplifier are provided in U.S. patent applications.
2007/007438 A1 et U.S. 2013/0256542 A1 . Il est possible de choisir un ou plusieurs gains correspondant à différentes dynamiques en activant une ou plusieurs capacités par l'intermédiaire d'un ou plusieurs interrupteurs.2007/007438 A1 and U.S. 2013/0256542 A1. It is possible to choose one or more gains corresponding to different dynamics by activating one or more capacities via one or more switches.
La limite de ces approches reste que pour rendre le circuit plus adaptatif, il faut rajouter autant de capacités et d'interrupteurs, ce qui est coûteux en termes de surface, et impose un ajustement du gain par paliers discrets. Par ailleurs, les valeurs de gain obtenues étant des valeurs discrètes, un choix d'implémentation capacités/interrupteurs permet d'obtenir une valeur de gain qui va être au mieux la plus proche d'une application visée, mais sans être une valeur optimale. The limit of these approaches remains that to make the circuit more adaptive, it is necessary to add as many capacitors and switches, which is expensive in terms of surface, and imposes a gain adjustment in discrete steps. Moreover, since the gain values obtained are discrete values, a choice of capacitance / switch implementation makes it possible to obtain a gain value that will be at best the closest to a targeted application, but without being an optimal value.
Ainsi, il n'existe pas de solution connue offrant à la fois une maîtrise pour obtenir une grande amplification de petites charges, de l'ordre de quelques centaines d'électrons, pour uniformiser le gain de conversion pour toute une matrice de pixels, et pour adapter de manière fine le gain et la dynamique de détection selon une application visée.  Thus, there is no known solution offering both a control to obtain a large amplification of small charges, of the order of a few hundred electrons, to standardize the conversion gain for an entire matrix of pixels, and to fine-tune the gain and detection dynamics according to a targeted application.
La présente invention répond à ce besoin. Résumé de l'invention  The present invention meets this need. Summary of the invention
Un objet de la présente invention est de proposer un circuit amplificateur de charges à gain charge/tension très élevé dont la valeur du gain est maîtrisable et reproductible avec une haute précision. Une utilisation avantageuse du circuit de l'invention est celle des détecteurs matriciels de rayons X à comptage de photons. Ainsi, le circuit de l'invention trouvera des applications dans les secteurs de l'imagerie médicale, l'imagerie visible, les applications de synchrotron, le domaine de la sécurité ou encore le tri de produits industriels. An object of the present invention is to provide a very high charge / voltage gain charge amplifier circuit whose gain value is controllable and reproducible with high precision. An advantageous use of the circuit of the invention is that of photon count X-ray matrix detectors. Thus, the circuit of the invention will find applications in the areas of medical imaging, visible imaging, synchrotron applications, the field of security or the sorting of industrial products.
Plus généralement, la solution proposée peut être utilisée dans tout domaine nécessitant l'usage d'un amplificateur de charges à haute sensibilité, comme par exemple les capteurs de téléphones portables ou les capteurs médicaux. More generally, the proposed solution can be used in any field requiring the use of a high sensitivity charge amplifier, such as cell phone sensors or medical sensors.
Dans un mode de réalisation préférentiel, un dispositif amplificateur de charges comprend : In a preferred embodiment, a charge amplifier device comprises:
- un amplificateur en tension qui reçoit une tension d'entrée 'Vin' et délivre une tension de sortie 'Vout'; couplé à  a voltage amplifier which receives an input voltage 'Vin' and delivers an output voltage 'Vout'; coupled to
- une boucle de rétroaction qui est connectée entre la sortie et l'entrée de l'amplificateur. La boucle de rétroaction comprend une première capacité connectée en série avec un circuit diviseur de tension, la première capacité ayant une première borne connectée à l'entrée de l'amplificateur et une deuxième borne définissant un point intermédiaire de tension connectée à une première borne du circuit diviseur de tension. Une deuxième borne du circuit diviseur de tension est connectée à la sortie de l'amplificateur, et comprend des éléments capacitifs agencés pour que la tension au point intermédiaire soit inférieure à la tension de sortie de l'amplificateur. Le dispositif est caractérisé en ce que le diviseur de tension comprend au moins une capacité variable connectée entre le point intermédiaire de tension et une tension de polarisation variable. a feedback loop which is connected between the output and the input of the amplifier. The feedback loop includes a first capacitor connected in series with a voltage divider circuit, the first capacitor having a first terminal connected to the input of the amplifier and a second terminal defining an intermediate voltage point connected to a first terminal of the amplifier. voltage divider circuit. A second terminal of the voltage divider circuit is connected to the output of the amplifier, and includes capacitive elements arranged so that the intermediate point voltage is lower than the output voltage of the amplifier. The device is characterized in that the voltage divider comprises at least one variable capacitor connected between the intermediate voltage point and a variable bias voltage.
Dans un mode réalisation, le circuit diviseur de tension comprend deux capacités connectées en série entre la sortie de l'amplificateur et la masse, le point milieu des deux capacités étant connecté au point intermédiaire de tension, l'une des deux capacités étant ladite capacité variable. In one embodiment, the voltage divider circuit comprises two capacitors connected in series between the output of the amplifier and the ground, the midpoint of the two capacitors being connected to the intermediate point of voltage, one of the two capacitors being said capacitance. variable.
Dans une implémentation, le diviseur de tension comprend une troisième capacité connectée entre le point intermédiaire de tension et une tension de polarisation variable, la troisième capacité étant une capacité variable. In one implementation, the voltage divider includes a third capacitor connected between the intermediate voltage point and a variable bias voltage, the third capacitance being a variable capacitance.
Dans une variante de réalisation, la troisième capacité du diviseur de tension est une diode en polarisation inverse. In an alternative embodiment, the third capacity of the voltage divider is a diode in reverse bias.
Selon les réalisations, la première capacité est une capacité variable, dont la valeur est déterminée par la tension de polarisation appliquée à ses bornes. According to the embodiments, the first capacitance is a variable capacitance whose value is determined by the bias voltage applied to its terminals.
Dans une variante de réalisation, la tension de polarisation variable est définie par une mémoire programmable. In an alternative embodiment, the variable bias voltage is defined by a programmable memory.
Avantageusement, une ou plusieurs des capacités de la boucle de rétroaction sont des capacités variables. Avantageusement, les capacités variables sont des varactors de type MOS. Les capacités du dispositif sont en technologie CMOS. Advantageously, one or more of the capabilities of the feedback loop are variable capabilities. Advantageously, the variable capacities are MOS-type varactors. The capabilities of the device are in CMOS technology.
Selon une implémentation, le diviseur de tension comprend de plus un interrupteur pour activer ou désactiver la capacité connectée entre le point intermédiaire de tension et la masse. In one implementation, the voltage divider further includes a switch for enabling or disabling the capacitance connected between the intermediate voltage point and ground.
Le diviseur de tension peut comprendre un agencement de capacités combinant les différentes variantes revendiquées. Le dispositif peut comprendre un deuxième diviseur de tension connecté en série au premier diviseur de tension. The voltage divider may comprise a capability arrangement combining the different claimed variants. The device may include a second voltage divider connected in series with the first voltage divider.
L'invention couvre aussi un détecteur matriciel à comptage de photons comprenant au moins un dispositif tel que revendiqué. The invention also covers a photon counting matrix detector comprising at least one device as claimed.
Description des figures Description of figures
Différents aspects et avantages de l'invention vont apparaître en appui de la description d'un mode préféré d'implémentation de l'invention mais non limitatif, avec référence aux figures ci-dessous : Various aspects and advantages of the invention will appear in support of the description of a preferred embodiment of the invention, but not limiting, with reference to the figures below:
La figure 1 est un exemple d'un circuit amplificateur de charges connu ; Figure 1 is an example of a known charge amplifier circuit;
La figure 2 est un exemple d'un circuit permettant d'amplifier le gain de conversion de l'amplificateur de charges connu de la figure 1 ; La figure 3 illustre schématiquement le principe du circuit amplificateur de charges à gain de conversion élevé de l'invention; FIG. 2 is an example of a circuit for amplifying the conversion gain of the known charge amplifier of FIG. 1; Figure 3 schematically illustrates the principle of the high conversion gain charge amplifier circuit of the invention;
La figure 4 illustre un premier mode de réalisation du circuit de l'invention ; Les figures 5a à 5f illustrent des variantes du diviseur de tension de la figure 4; FIG. 4 illustrates a first embodiment of the circuit of the invention; FIGS. 5a to 5f illustrate variants of the voltage divider of FIG. 4;
La figure 6 illustre un second mode de réalisation de l'invention ; Figure 6 illustrates a second embodiment of the invention;
Les figures 7a et 7b illustrent l'uniformisation du gain obtenue par un mode de réalisation du circuit de l'invention ; La figure 8 illustre un mode de réalisation d'un circuit programmable ; Figures 7a and 7b illustrate the uniformization of the gain obtained by an embodiment of the circuit of the invention; Fig. 8 illustrates an embodiment of a programmable circuit;
La figure 9 illustre un autre mode de réalisation d'un circuit programmable ; Figure 9 illustrates another embodiment of a programmable circuit;
La figure 10 illustre la variabilité gain/dynamique ; La figure 1 1 illustre une programmation de pixels en échiquier. Figure 10 illustrates the gain / dynamics variability; Figure 1 1 illustrates a pixel programming chessboard.
Description détaillée de l'invention Detailed description of the invention
La figure 1 est un exemple d'un circuit 100 amplificateur de charges connu. L'exemple est pris pour un amplificateur de tension inverseur 102 à contre-réaction négative, dont le gain intrinsèque en tension 'G' (noté - IGI sur la figure) est donné par l'équation 'G = Vout/Vin' où Vout est la tension en sortie du circuit et Vin la tension appliquée en entrée. Fig. 1 is an example of a known charge amplifier circuit 100. The example is taken for a negative feedback inverter voltage amplifier 102, whose intrinsic voltage gain 'G' (noted - IGI in the figure) is given by the equation 'G = Vout / Vin' where Vout is the voltage at the output of the circuit and Vin the voltage applied at the input.
Une capacité 104, notée 'Cf est connectée entre l'entrée Vin et la sortie Vout pour produire l'effet d'une contre-réaction négative. Sous l'effet de la contre-réaction négative, l'entrée de l'amplificateur est considérée comme une masse virtuelle, et toute charge 'Qin' créée à l'entrée de l'amplificateur, suite à la détection d'un photon par exemple, est alors intégrée sur la capacité Cf. A capacitor 104, denoted by Cf, is connected between the input Vin and the output Vout to produce the effect of a negative feedback. Under the effect of the negative feedback, the input of the amplifier is considered a virtual mass, and any charge 'Qin' created at the input of the amplifier, following the detection of a photon for example , is then integrated on the capacity Cf.
En prenant pour hypothèse que le gain intrinsèque en tension de l'amplificateur est infini, le gain de conversion 'Gc' est calculé selon l'équation (1 ) suivante :
Figure imgf000009_0001
Assuming that the intrinsic voltage gain of the amplifier is infinite, the conversion gain 'Gc' is calculated according to the following equation (1):
Figure imgf000009_0001
Ainsi, le gain de conversion charge/tension d'un tel amplificateur est entièrement défini par la capacité de contre-réaction 'Cf. En se basant sur l'équation (1 ), il ressort que pour augmenter le gain de conversion, il faut réduire la capacité de contre-réaction 'Cf.  Thus, the charge / voltage conversion gain of such an amplifier is entirely defined by the feedback capacitance Cf. Based on equation (1), it appears that to increase the conversion gain, it is necessary to reduce the feedback capacity.
Les technologies CMOS actuelles offrant des capacités métalliques minimales de l'ordre de 10 fF, le gain conversion qui peut être obtenu, calculé selon 'équation (2) suivante, peut être de l'ordre de 16 mV/ke" :
Figure imgf000009_0002
Current CMOS technologies with minimum metal capabilities of the order of 10 fF, the conversion gain that can be obtained, calculated according to 'equation (2) below, can be of the order of 16 mV / ke ' :
Figure imgf000009_0002
où 'q' est la charge élémentaire. where 'q' is the elementary charge.
Or, pour les applications nécessitant de détecter de petites charges, de l'ordre de quelques centaines d'électrons, tel que cela se produit dans les détecteurs de rayons X, le gain de conversion doit être très élevé, au moins 10 fois supérieur à cette valeur, soit un gain requis de l'ordre de 160 m V/ke". Ce type de circuit n'est alors pas applicable pour les applications recherchées. Pour diminuer la valeur de la capacité de contre-réaction, il est possible de créer une capacité de contre-réaction uniquement à partir de capacités parasites. Une capacité parasite peut être celle se créant entre deux métaux, ou bien entre les terminaux d'un transistor. Un inconvénient de cette solution est qu'il n'est pas possible de maîtriser la valeur absolue de cette capacité parasite, qui peut varier considérablement d'un pixel à l'autre, d'un lot de fabrication à un autre, ou encore d'une technologie à une autre. La figure 2 illustre un exemple d'un circuit 200 permettant d'amplifier le gain de conversion d'un amplificateur de charges 102 comme celui de la figure 1 . Pour des raisons de simplification, les éléments identiques entre les figures portent les mêmes références. However, for applications requiring the detection of small charges, of the order of a few hundred electrons, as happens in X-ray detectors, the conversion gain must be very high, at least 10 times greater than this value is a gain of the order of 160 m V / ke " .This type of circuit is not applicable for the desired applications.To decrease the value of the feedback capacity, it is possible to create a feedback capacity only from parasitic capacitances A parasitic capacitance can be that created between two metals, or between the terminals of a transistor A disadvantage of this solution is that it is not possible to control the absolute value this parasitic capacitance, which can vary considerably from one pixel to another, from one manufacturing batch to another, or from one technology to another. FIG. 2 illustrates an example of a circuit 200 making it possible to amplify the conversion gain of a charge amplifier 102 like that of FIG. 1. For reasons of simplification, the identical elements between the figures bear the same references.
Dans l'exemple de la figure 2, la capacité de contre-réaction 204 est constituée d'une pluralité de capacités (Ci, Cn) connectées en série. Les capacités sont des capacités standard de valeur minimale.  In the example of FIG. 2, the feedback capacitance 204 consists of a plurality of capacitors (Ci, Cn) connected in series. Capacities are standard capabilities of minimal value.
Pour obtenir une capacité de contre-réaction effective de 1 f F, conduisant à un gain de l'ordre de 1 60 m V/ke", l'homme du métier comprend qu'il faut connecter en série 10 capacités standard d'une valeur 10 fF chacune. Ces capacités occupent une surface importante, et ce pour chaque amplificateur qui est utilisé dans un détecteur. Il ressort donc un inconvénient de cette solution qui est qu'elle est consommatrice de surface car elle requière un grand nombre de capacités à coupler en série pour obtenir un gain très élevé pour les applications visées. In order to obtain an effective feedback capacitance of 1 f F, resulting in a gain of the order of 1 60 m V / ke " , the person skilled in the art understands that it is necessary to connect in series 10 standard capacitors of a These capacitors occupy a large area for each amplifier that is used in a detector, so there is a disadvantage of this solution, which is that it consumes the surface because it requires a large number of capacitors to couple in series to obtain a very high gain for the targeted applications.
De plus, les nœuds qui existent entre chaque capacité sont des nœuds dits flottants, il y a alors 'N-1 ' nœuds flottants pour 'N' capacités standards connectées en série. Or les nœuds flottants sont facilement contaminés par le bruit de couplage venant de signaux voisins, amenant ainsi un inconvénient supplémentaire à ce type de solution.  In addition, the nodes that exist between each capacity are so-called floating nodes, there are then 'N-1' floating nodes for 'N' standard capacitors connected in series. However, the floating nodes are easily contaminated by the coupling noise coming from neighboring signals, thus bringing an additional disadvantage to this type of solution.
La figure 3 illustre schématiquement le principe général de l'invention qui consiste à agencer plusieurs éléments dans une boucle de rétroaction qui vont produire l'effet d'une seule capacité de rétroaction équivalente de très faible valeur. Le circuit comprend un amplificateur en tension 102, recevant une tension d'entrée Vin et délivrant une tension de sortie Vout. Une boucle de rétroaction 300 est connectée entre la sortie et l'entrée de l'amplificateur, et comprend en combinaison série, une première capacité 'C1 ' (302) couplée à un agencement capacitif 304. L'agencement capacitif opère comme diviseur ou atténuateur de tension. Les composants capacitifs sont choisis tels que la tension V au nœud intermédiaire entre la première capacité 302 et le circuit atténuateur de tension 304, est inférieure à la tension de sortie Vout, selon l'équation (3) : Figure 3 schematically illustrates the general principle of the invention which consists of arranging several elements in a feedback loop which will produce the effect of a single equivalent feedback capability of very low value. The circuit comprises a voltage amplifier 102, receiving an input voltage Vin and delivering an output voltage Vout. A feedback loop 300 is connected between the output and the input of the amplifier, and comprises in series combination, a first capacitance 'C1' (302) coupled to a capacitive arrangement 304. The capacitive arrangement operates as a divider or attenuator Of voltage. The capacitive components are chosen such that the voltage V at the intermediate node between the first capacitor 302 and the voltage attenuator circuit 304 is less than the output voltage Vout according to equation (3):
^ O UT ^ O UT
Vi = (3), où 'A' est un coefficient strictement supérieur à  Vi = (3), where 'A' is a coefficient strictly greater than
1 , et est déterminé par l'agencement des capacités du circuit diviseur de tension. 1, and is determined by the arrangement of the capacitances of the voltage divider circuit.
En reprenant l'hypothèse précédente que le gain en tension de l'amplificateur est infini, la charge 'Qin' reçue en entrée de l'amplificateur est alors intégrée sur la capacité C1 , et la tension intermédiaire V1 au nœud intermédiaire s'exprime selon l'équation (4) suivante :
Figure imgf000011_0001
By assuming the previous assumption that the voltage gain of the amplifier is infinite, the charge 'Qin' received at the input of the amplifier is then integrated on the capacitor C1, and the intermediate voltage V1 at the intermediate node is expressed according to the following equation (4):
Figure imgf000011_0001
A partir des équations (3) et (4), la tension de sortie 'Vout' peut alors s'exprimer en fonction de la charge en entrée 'Qin', et le gain de conversion 'Gc' se définir selon l'équation (5) suivante: vout 1 1 From equations (3) and (4), the output voltage 'Vout' can then be expressed as a function of the input load 'Qin', and the conversion gain 'Gc' be defined according to the equation ( 5) next: vout 1 1
Gr = = — X A = — (5)  Gr = = - X A = - (5)
' in  'in
où l'ensemble formé par la première capacité 302 et le diviseur de tension 304 est ramené à une capacité équivalente 'Ceq' : where the assembly formed by the first capacitor 302 and the voltage divider 304 is reduced to an equivalent capacitance 'Ceq':
Ceq = ¾- (6)- La solution proposée permet ainsi de réaliser une capacité de contre-réaction de très faible valeur, en utilisant un nombre limité de capacités, pour obtenir avec maîtrise un gain d'amplification très élevé. Le circuit de l'invention qui permet une grande amplification de petites charges est particulièrement adapté à la détection de faibles signaux, comme les photons de faibles énergies. Ceq = ¾- (6) - The proposed solution thus makes it possible to achieve a very low value feedback capacitance, by using a limited number of capacitors, to obtain with control a very high gain of amplification. The circuit of the invention which allows a large amplification of small charges is particularly suitable for the detection of weak signals, such as low energy photons.
Sans départir du principe de l'invention, l'amplificateur de tension 102 peut être remplacé par un amplificateur transconductance, où la sortie de l'amplificateur est un courant et non une tension. Dans une variante de réalisation, l'amplificateur peut être un amplificateur différentiel, et la contre-réaction est appliquée à l'entrée négative de l'amplificateur, l'entrée positive étant reliée à une tension fixe.  Without departing from the principle of the invention, the voltage amplifier 102 can be replaced by a transconductance amplifier, where the output of the amplifier is a current and not a voltage. In an alternative embodiment, the amplifier may be a differential amplifier, and the feedback is applied to the negative input of the amplifier, the positive input being connected to a fixed voltage.
Selon les implémentations, les charges qui sont intégrées sur la capacité équivalente de contre-réaction peuvent être évacuées par l'intermédiaire d'une résistance ou d'une source de courant par exemple, mise en parallèle du circuit de contre-réaction. L'homme du métier comprend que ces exemples ne sont pas limitatifs et que d'autres techniques peuvent être implémentées pour l'évacuation des charges. La figure 4 illustre un premier mode de réalisation du circuit de l'invention où le circuit diviseur de tension 404 est constitué de deux capacités en série (406, 408) dont le point milieu est connecté à la première capacité 402 au nœud intermédiaire V-i. Les autres bornes des deuxième 2' et troisième 3' capacités (406, 408) du diviseur de tension sont respectivement connectées à la sortie de l'amplificateur pour 'C2' et à la masse pour 3'.  Depending on the implementation, the charges that are integrated on the equivalent feedback capacity can be evacuated via a resistor or a current source, for example, paralleling the feedback circuit. Those skilled in the art understand that these examples are not limiting and that other techniques can be implemented for the evacuation of loads. FIG. 4 illustrates a first embodiment of the circuit of the invention wherein the voltage divider circuit 404 consists of two serial capacitors (406, 408) whose midpoint is connected to the first capacitor 402 at the intermediate node V-i. The other terminals of the second 2 'and third 3' capacitors (406, 408) of the voltage divider are respectively connected to the output of the amplifier for 'C2' and to ground for 3 '.
La tension 'Vin' en entrée de l'amplificateur se comportant comme une masse virtuelle, il existe un circuit diviseur de potentiel entre la tension de sortie 'Vout' et la tension 'V1 ' du point intermédiaire commun au trois capacités. La tension intermédiaire s'exprime selon l'équation (7) suivante : ont (7) Since the voltage 'Vin' at the input of the amplifier behaves like a virtual ground, there is a potential divider circuit between the output voltage 'Vout' and the voltage 'V1' of the intermediate point common to the three capacitors. The intermediate voltage is expressed according to the following equation (7): have (7)
A partir des équations (3) et (4), la tension de sortie 'Vout' peut alors s'exprimer en fonction de la charge en entrée 'Qin', et le gain de conversion 'Gc' se définir selon l'équation (8) suivante:
Figure imgf000013_0001
From equations (3) and (4), the output voltage 'Vout' can then be expressed as a function of the input load 'Qin', and the conversion gain 'Gc' be defined according to the equation ( 8) next:
Figure imgf000013_0001
où l'ensemble des trois capacités, de par leur agencement particulier en T est ramené à une capacité équivalente 'Ceq' qui se définit selon l'équation (9) suivante : where the set of three capacities, by their particular arrangement in T is brought back to an equivalent capacity 'Ceq' which is defined according to the following equation (9):
Cea =C ea =
q C ! 1 " (9) q C! 1 " (9)
e + C2 + C3 ' e + C 2 + C 3 '
Avantageusement, la troisième capacité 3' étant représentée dans l'équation (9) seulement au dénominateur, il est possible d'augmenter sa valeur afin de diminuer la valeur totale de la capacité équivalente 'Ceq'.  Advantageously, the third capacity 3 'being represented in equation (9) only to the denominator, it is possible to increase its value in order to decrease the total value of the equivalent capacity' Ceq '.
Ainsi, à titre d'exemple non limitatif, pour avoir une capacité équivalente 'Ceq' égale à 1 fF, les capacités 'C1 ' et 'C2' peuvent être égales chacune à 10 fF et la capacité 'C3' être égale à 80 fF. L'homme du métier peut décliner d'autres combinaisons des trois capacités selon le gain de conversion souhaité. Avantageusement, chaque capacité a une valeur facilement reproductible, offrant ainsi une stabilité au circuit de l'invention.  Thus, by way of nonlimiting example, to have an equivalent capacitance 'Ceq' equal to 1 fF, the capacitors 'C1' and 'C2' can each be equal to 10 fF and the capacitance 'C3' be equal to 80 fF . Those skilled in the art may decline other combinations of the three capacities depending on the desired conversion gain. Advantageously, each capacitor has an easily reproducible value, thus offering stability to the circuit of the invention.
Les figures 5a à 5f illustrent des variantes du diviseur de tension de la figure 4 selon des modes de réalisation du circuit de l'invention. FIGS. 5a to 5f illustrate variants of the voltage divider of FIG. 4 according to embodiments of the circuit of the invention.
Dans la variante de la figure 5a, le diviseur de tension comprend de plus une capacité 'C4' variable connectée entre le point intermédiaire et une tension de polarisation 'V4' variable permettant ainsi d'ajuster la valeur du gain de conversion. La valeur de la capacité équivalente de la contre-réaction est alors : In the variant of FIG. 5a, the voltage divider furthermore comprises a variable capacitance 'C4' connected between the intermediate point and a variable 'V4' bias voltage, thus making it possible to adjust the voltage. value of the conversion gain. The value of the equivalent capacity of the feedback is then:
Cea = 1 " (10). C e a = 1 " (10).
eq C ! + C2 + C3 +C4 ' e q C! + C 2 + C3 + C4 '
Dans la variante de la figure 5b, la capacité 'C4' de la figure 5a est remplacée par une diode 4' en polarisation inverse, pour polariser le point intermédiaire qui est normalement flottant. C'est la valeur 'CD4' de la capacité de la diode qui entre dans le calcul de la capacité équivalente de la contre-réaction, qui est alors égale à : In the variant of FIG. 5b, the capacitance 'C4' of FIG. 5a is replaced by a diode 4 'in reverse polarization, for polarizing the intermediate point which is normally floating. It is the value 'C D4 ' of the capacity of the diode which enters into the calculation of the equivalent capacity of the feedback, which is then equal to:
Cea = 1 " (1 1 )- eQ C 1 + C2 + C3 +CD4 ' La variante de la figure 5c reprend le diviseur de tension de la figure 5a ou 5b, mais la première capacité 'C1 ' extérieure au diviseur de tension est remplacée par une capacité variable. La valeur de la capacité variable est déterminée en fonction de la tension à ses bornes. C ea = 1 "(1 1) - eQ C 1 + C 2 + C 3 + C D4 'The variant of Figure 5c shows the voltage divider of Figure 5a or 5b, but the first capacitor C1 external to voltage divider is replaced by a variable capacitance The value of the variable capacitance is determined according to the voltage at its terminals.
La variante de la figure 5d reprend le circuit de la figure 5b dans lequel la capacité 'C2' du diviseur de tension est une capacité variable dont la valeur est déterminée en fonction de la tension à ses bornes. The variant of FIG. 5d shows the circuit of FIG. 5b in which the capacitance 'C2' of the voltage divider is a variable capacitance whose value is determined as a function of the voltage at its terminals.
La variante de la figure 5e reprend le circuit de la figure 4, où la capacité 'C3' du diviseur de tension est une capacité variable. Dans cette variante d'implémentation, la boucle de rétroaction est vue comme un circuit comprenant trois capacités (C1 , C2, C3) agencées en forme de T. Les première et deuxième capacités 'C1 ' et 'C2' sont connectées en série entre l'entrée et la sortie de l'amplificateur, et la troisième capacité 'C3' formant le pied vertical du T est une capacité variable. Elle est connectée par une borne au point intermédiaire des première et deuxième capacités (502, 506) et par l'autre borne à un générateur de tension pouvant délivrer une tension variable 'V3'. Dans un mode d'implémentation préférentielle, la capacité variable des différentes variantes est de type MOS, et est aussi nommée MOS- Cap ou 'MOS varactor' (pour acronyme de « variable reactor »). Un MOS varactor est un composant de la technologie CMOS, dont la capacité varie selon la tension appliquée. Il présente la particularité de se comporter comme un condensateur dont la valeur de la capacité varie avec la tension appliquée à ses bornes. Alternativement, la capacité variable peut être une diode Varicap. The variant of FIG. 5e shows the circuit of FIG. 4, where the capacitance 'C3' of the voltage divider is a variable capacitance. In this implementation variant, the feedback loop is seen as a circuit comprising three capacitors (C1, C2, C3) arranged in a T-shape. The first and second capacitors 'C1' and 'C2' are connected in series between the first and second capacitors. input and output of the amplifier, and the third capacitor 'C3' forming the vertical foot of the T is a variable capacitance. It is connected by a terminal to the intermediate point of the first and second capacitors (502, 506) and by the other terminal to a voltage generator capable of delivering a variable voltage 'V3'. In a preferred implementation mode, the variable capacity of the different variants is of the MOS type, and is also called MOS-Cap or 'MOS varactor' (for acronym for "variable reactor"). An MOS varactor is a component of CMOS technology, the capacity of which varies according to the applied voltage. It has the particularity of behaving like a capacitor whose value of the capacitance varies with the voltage applied to its terminals. Alternatively, the variable capacity can be a Varicap diode.
En fonctionnement, en faisant varier la tension 'V3' ou 'V4' selon les variantes d'implémentation, la capacité 'C3' ou 'C4' varie et la capacité équivalente 'Ceq' varie. Il en résulte que le gain de conversion 'Gc' de l'amplificateur varie. In operation, by varying the voltage 'V3' or 'V4' according to the implementation variants, the capacity 'C3' or 'C4' varies and the equivalent capacity 'Ceq' varies. As a result, the conversion gain 'Gc' of the amplifier varies.
Avantageusement, les modes de réalisation avec capacité variable permettent de moduler le gain de conversion par l'intermédiaire d'une tension contrôlée. Ces modes de réalisation permettent d'optimiser le gain de l'amplificateur pour une application donnée. Advantageously, the embodiments with variable capacity make it possible to modulate the conversion gain by means of a controlled voltage. These embodiments make it possible to optimize the gain of the amplifier for a given application.
Dans une variante d'implémentation, l'ajustement de la tension aux bornes du varactor peut être réalisé par pixel pour la matrice de pixels d'un même détecteur, permettant alors de corriger la dispersion de gain d'un pixel à l'autre, et aboutir à une réponse matricielle plus uniforme.  In an implementation variant, the adjustment of the voltage across the varactor can be made per pixel for the matrix of pixels of the same detector, thus making it possible to correct the gain dispersion from one pixel to the other, and result in a more uniform matrix response.
Avantageusement, pour les détecteurs matriciels où chaque pixel est doté d'un amplificateur de charge, le circuit de la figure 5e permet de fixer le gain de conversion pixel par pixel, de manière indépendante. En couplant chaque capacité variable 'C3' à une mémoire programmable, il est possible de définir une valeur pour la tension 'V3' et ainsi ajuster une valeur pour la capacité variable 'C3'. Par conséquent, la valeur programmée de la capacité 'C3' détermine le gain de conversion du pixel correspondant. Ainsi en calibrant la valeur du gain pixel par pixel et en programmant chaque mémoire associée à un circuit amplificateur, le dispositif de l'invention permet de réduire les effets de dispersion sur une matrice de pixels tels qu'illustré sur la figure 7a, pour obtenir un gain uniforme à travers la matrice de pixels, tel qu'illustré sur la figure 7b. Advantageously, for the matrix detectors where each pixel is provided with a charge amplifier, the circuit of FIG. 5e makes it possible to set the conversion gain pixel by pixel, independently. By coupling each variable capacitance 'C3' to a programmable memory, it is possible to define a value for the voltage 'V3' and thus adjust a value for the variable capacitance 'C3'. Therefore, the programmed value of the capacitance 'C3' determines the conversion gain of the corresponding pixel. Thus, by calibrating the value of the pixel-by-pixel gain and programming each memory associated with an amplifier circuit, the device of the invention makes it possible to reduce the effects of dispersion on an amplifier. matrix of pixels as illustrated in Fig. 7a, to obtain a uniform gain across the pixel array, as shown in Fig. 7b.
Dans un mode de réalisation montré sur la figure 8, la mémoire programmable peut être réalisée sous la forme d'un DAC « Digital to Analog Converter ». Le DAC est programmé sur un certain nombre 'N' de bits qui définissent la valeur de la tension V3. Chaque DAC peut être programmé différemment pour avoir le gain souhaité pour chaque pixel individuellement. In an embodiment shown in FIG. 8, the programmable memory can be implemented in the form of a DAC "Digital to Analog Converter". The DAC is programmed on a number 'N' of bits which define the value of the voltage V3. Each DAC can be programmed differently to have the desired gain for each individual pixel.
Dans un autre mode de réalisation montré sur la figure 9, la mémoire programmable peut être une mémoire analogique réalisée sous la forme d'une capacité 'CMem' et d'un interrupteur Ί1 '. Dans la phase de programmation, l'interrupteur est passant, et une valeur de tension externe 'Vext' est appliquée à la capacité 'CMem'. De manière préférentielle, la valeur de la capacité 'CMem' est très supérieure à celle de la capacité variable 'C3' pour permettre sa fonction de mémoire, sans perturbation par le fonctionnement du circuit. Après programmation, l'interrupteur '11 ' est bloqué et la valeur 'Vext' reste mémorisée sur la capacité 'CMem'.  In another embodiment shown in FIG. 9, the programmable memory may be an analog memory made in the form of a 'CMem' capacitor and a Ί1 'switch. In the programming phase, the switch is on, and an external voltage value 'Vext' is applied to the 'CMem' capability. Preferably, the value of the capacitance 'CMem' is much greater than that of the variable capacitance 'C3' to allow its memory function, without disturbance by the operation of the circuit. After programming, the switch '11 'is blocked and the value' Vext 'remains stored on the capacity' CMem '.
Dans une autre variante, il est possible de faire varier le gain de conversion d'un pixel à l'autre. Ainsi, pour un même seuil de détection, chaque pixel détecte une gamme d'énergie de photon différente. In another variant, it is possible to vary the conversion gain from one pixel to another. Thus, for the same detection threshold, each pixel detects a different photon energy range.
Pour certaines applications, il est nécessaire de pouvoir adapter le gain et la dynamique. Il est alors intéressant de pouvoir changer la valeur moyenne du gain à travers la matrice de pixels, pour adapter le gain et la dynamique du détecteur à une application donnée, de manière optimale. La figure 10 permet d'illustrer la variabilité qui peut être recherchée entre gain et dynamique.  For some applications, it is necessary to be able to adapt the gain and the dynamics. It is then interesting to be able to change the average value of the gain through the matrix of pixels, to adapt the gain and the dynamics of the detector to a given application, optimally. Figure 10 illustrates the variability that can be sought between gain and dynamics.
Avantageusement, le circuit de l'invention permet cette double adaptabilité pour un même circuit et offre une gamme de valeurs 'gain- dynamique' qui est en continu par opposition aux solutions existantes qui proposent uniquement des valeurs discrètes et/ou nécessitent de changer totalement le circuit en fonction de l'application recherchée. Dans ce contexte, il est possible de programmer chaque pixel d'une même matrice indépendamment, certains pixels pouvant avoir un gain fort et donc une forte sensibilité, et d'autres pixels pouvant avoir une dynamique de détection étendue. La figure 1 1 illustre une réalisation d'une programmation des pixels d'une matrice, dite en échiquier. D'autres variantes de programmation peuvent être déclinées selon les mêmes principes. Advantageously, the circuit of the invention allows this dual adaptability for the same circuit and offers a range of values 'gain-dynamic' which is continuously as opposed to existing solutions which propose only discrete values and / or require to completely change the circuit according to the sought application. In this context, it is possible to program each pixel of the same matrix independently, some pixels may have a high gain and therefore a high sensitivity, and other pixels may have an extended detection dynamic. FIG. 11 illustrates an embodiment of a programming of the pixels of a matrix, called chessboard. Other programming variants can be adopted according to the same principles.
La figure 5f présente une variante de réalisation du diviseur de tension de la figure 4, dans laquelle un interrupteur 51 1 est inséré en série avec la troisième capacité 3'. Cette configuration permet de définir deux gains de conversion, selon que l'interrupteur est bloqué ou passant. Dans l'état passant de l'interrupteur, la capacité équivalente de la boucle de contre-réaction correspond à celle du circuit de la figure 4 dans l'équation (9). Dans l'état bloqué de l'interrupteur, la capacité 3' est déconnectée et la capacité équivalente de la boucle de contre-réaction est égale à : Ceq = (12). FIG. 5f shows an alternative embodiment of the voltage divider of FIG. 4, in which a switch 51 1 is inserted in series with the third capacitor 3 '. This configuration makes it possible to define two conversion gains, depending on whether the switch is blocked or switched on. In the switched state of the switch, the equivalent capacity of the feedback loop corresponds to that of the circuit of FIG. 4 in equation (9). In the off state of the switch, the capacitance 3 'is disconnected and the equivalent capacitance of the feedback loop is equal to: C eq = (12).
La figure 6 illustre un mode de réalisation de l'invention pour lequel la capacité de contre-réaction équivalente est obtenue par un agencement total de cinq capacités. Selon le principe général de l'invention, une première capacité 'C1 ' (602) est connectée par une première borne à l'entrée 'Vin' de l'amplificateur 102 et par une seconde borne à une borne d'un circuit diviseur de tension 604, par un point intermédiaire 'V1 '. L'autre borne du circuit diviseur de tension est connectée à la sortie 'Vout' de l'amplificateur 102. Dans cette configuration, le diviseur de tension 604 comprend quatre capacités 2 à C5' agencées par paire (C2, C3) et (C4, C5), chaque paire créant un diviseur de tension semblable à celui de la figure 4. La première paire (606, 608) est connectée entre le point intermédiaire 'V1 ' et un second point intermédiaire 'V2', et la deuxième paire (607, 609) est connectée entre le deuxième point intermédiaire 'V2' et la sortie 'Vout' de l'amplificateur 102. FIG. 6 illustrates an embodiment of the invention for which the equivalent feedback capability is obtained by a total arrangement of five capacitors. According to the general principle of the invention, a first capacitance 'C1' (602) is connected by a first terminal to the input 'Vin' of the amplifier 102 and by a second terminal to a terminal of a divider circuit of voltage 604, by an intermediate point 'V1'. The other terminal of the voltage divider circuit is connected to the output 'Vout' of the amplifier 102. In this configuration, the voltage divider 604 comprises four capacitors 2 to C5 'arranged in pairs (C2, C3) and (C4 , C5), each pair creating a voltage divider similar to that of FIG. 4. The first pair (606, 608) is connected between the intermediate point 'V1' and a second intermediate point 'V2', and the second pair (607, 609) is connected between the second intermediate point 'V2' and the output 'Vout' of the amplifier 102.
En reprenant pour hypothèse que le gain de l'amplificateur est infini, la valeur de la capacité équivalente s'obtient par le calcul suivant : y — ^ ί et Y — Y — AVEC Assuming that the gain of the amplifier is infinite, the value of the equivalent capacitance is obtained by the following calculation: y - ^ ί and Y - Y - WITH
1 Ci 1 z c1+c2+c3 1 Ci 1 z c 1 + c 2 + c 3
2 — ont C4 +C5 +Cx 2 - have C4 + C5 + Cx
_ C2(d + C3) _ C 2 (d + C 3 )
x ct + c2 + c3 xc t + c 2 + c 3
De ces équations, on obtient :  From these equations, we obtain:
Vout C4 +C5 +Cx C1 +C2 +C3 1 1 Vout C 4 + C 5 + C x C 1 + C 2 + C 3 1 1
= X X— =— d'où la valeur de la = X X- = - hence the value of the
Qin Q C2 Ci Ceq Qin QC 2 Ci C eq
capacité équivalente est :
Figure imgf000018_0001
equivalent capacity is:
Figure imgf000018_0001
Bien que requérant plus de capacités que la configuration de base à trois capacités, cette configuration offre l'avantage pour obtenir une capacité équivalente de faible valeur d'occuper moins de surface.  Although requiring more capacity than the basic three-capacity configuration, this configuration offers the advantage of obtaining a low-value equivalent capacity to occupy less area.
En effet, en prenant pour exemple d'obtenir une capacité équivalente de 1 fF, il est possible de choisir les valeurs suivantes :  Indeed, taking as an example to obtain an equivalent capacity of 1 fF, it is possible to choose the following values:
- C1 = C2 = C3 = C4 = 10 f F, et C5 = 1 6,6 fF.  C1 = C2 = C3 = C4 = 10fF, and C5 = 16.6fF.
En utilisant l'architecture principale à 3 capacités en forme de T, la même valeur de capacité équivalente est obtenue pour les valeurs suivantes :  Using the T-shaped 3-capacitance master architecture, the same equivalent capacity value is obtained for the following values:
- C1 = C2 = 10 fF et C3 = 80 fF. En considérant que pour une capacité métallique, la valeur de la capacité est proportionnelle à la surface, si une capacité de 10 fF occupe S0 de surface, alors une capacité de 100 fF occupera 10 x S0 de surface. - C1 = C2 = 10 fF and C 3 = 80 fF. Considering that for a metal capacitance, the value of the capacitance is proportional to the surface, if a capacitance of 10 fF occupies S 0 of surface, then a capacity of 100 fF will occupy 10 x S 0 of surface.
Dans l'exemple à double diviseur de tension, la surface totale 'S1 ' occupée par les cinq capacités est de :  In the dual voltage divider example, the total area 'S1' occupied by the five capacitors is:
51 = So + So + So + So + 1.6 So = 5.6 So 51 = So + So + So + So + 1.6 So = 5.6 So
Dans l'exemple à un seul diviseur de tension, la surface totale 'S2' occupée par les trois capacités est de :
Figure imgf000019_0001
In the example with a single voltage divider, the total area 'S2' occupied by the three capacitors is:
Figure imgf000019_0001
Ainsi, l'architecture à 5 capacités permet une économie en surface de 44% par rapport à l'architecture à 3 capacités pour l'exemple choisi. Thus, the 5-capacitance architecture allows a surface saving of 44% compared to the 3-capacitance architecture for the example chosen.
La présente description illustre différentes implémentations non limitatives de l'invention. Les exemples ont été choisis pour permettre une bonne compréhension des principes de l'invention, mais ne sont en rien exhaustifs et doivent permettre à l'homme du métier d'apporter des modifications et des variantes d'implémentation tout en conservant les mêmes principes, par exemple sur le nombre et les valeurs des capacités, sur la combinaison des agencements de capacités fixes et variables pour la première capacité et le diviseur de tension. The present description illustrates various non-limiting implementations of the invention. The examples have been chosen to allow a good understanding of the principles of the invention, but are in no way exhaustive and should allow the skilled person to make modifications and implementation variants while retaining the same principles, for example on the number and the values of the capacities, on the combination of fixed and variable capacity arrangements for the first capacity and the voltage divider.
De plus, le circuit de contre-réaction négative de l'invention peut être utilisé dans d'autres architectures que pour des amplificateurs de charge. Ainsi, il peut être utilisé par exemple pour des amplificateurs de tension, des intégrateurs de tension ou encore des filtres.  In addition, the negative feedback circuit of the invention can be used in other architectures than for charge amplifiers. Thus, it can be used for example for voltage amplifiers, voltage integrators or filters.

Claims

Revendications  claims
Un dispositif amplificateur de charges comprenant : A charge amplifier device comprising:
- un amplificateur en tension (102), recevant une tension d'entrée 'Vin' et délivrant une tension de sortie 'Vout'; et une boucle de rétroaction (300) connectée entre la sortie 'Vout' et l'entrée 'Vin' de l'amplificateur, la boucle de rétroaction comprenant une première capacité (502) connectée en série avec un circuit diviseur de tension (504), la première capacité ayant une première borne connectée à l'entrée 'Vin' de l'amplificateur et une deuxième borne définissant un point intermédiaire de tension 'V1 ' connectée à une première borne du circuit diviseur de tension, une deuxième borne du circuit diviseur de tension étant connectée à la sortie 'Vout' de l'amplificateur, le circuit diviseur de tension comprenant des éléments capacitifs agencés pour que la tension 'V1 ' au point intermédiaire soit inférieure à la tension de sortie 'Vout' de l'amplificateur, le dispositif étant caractérisé en ce que le diviseur de tension (504) comprend au moins une capacité variable (508) connectée entre le point intermédiaire de tension 'V1 ' et une tension de polarisation variable 'V3'.  a voltage amplifier (102) receiving an 'Vin' input voltage and delivering an 'Vout' output voltage; and a feedback loop (300) connected between the 'Vout' output and the 'Vin' input of the amplifier, the feedback loop comprising a first capacitor (502) connected in series with a voltage divider circuit (504) , the first capacitor having a first terminal connected to the 'Vin' input of the amplifier and a second terminal defining an intermediate voltage point 'V1' connected to a first terminal of the voltage divider circuit, a second terminal of the divider circuit voltage converter being connected to the output 'Vout' of the amplifier, the voltage divider circuit comprising capacitive elements arranged so that the voltage 'V1' at the intermediate point is lower than the output voltage 'Vout' of the amplifier, the device being characterized in that the voltage divider (504) comprises at least one variable capacitance (508) connected between the intermediate voltage point 'V1' and a bias voltage varying between ble 'V3'.
Le dispositif selon la revendication 1 dans lequel le circuit diviseur de tension (404) comprend deux capacités (406, 408) connectées en série entre la sortie de l'amplificateur et la masse, le point milieu des deux capacités étant connecté au point intermédiaire de tension 'V1 ', l'une des deux capacités étant ladite capacité variable. The device of claim 1 wherein the voltage divider circuit (404) comprises two capacitors (406, 408) connected in series between the amplifier output and the ground, the midpoint of the two capacitors being connected to the intermediate point of the amplifier. voltage 'V1', one of the two capacitances being said variable capacitance.
3. Le dispositif selon la revendication 1 ou 2 dans lequel le diviseur de tension (504) comprend une troisième capacité (510) connectée entre le point intermédiaire de tension 'V1 ' et une tension de polarisation variable 'V4', la troisième capacité étant une capacité variable. 3. The device according to claim 1 or 2 wherein the voltage divider (504) comprises a third capacitance (510) connected between the voltage intermediate point 'V1' and a variable bias voltage 'V4', the third capacitance being a variable capacitance.
4. Le dispositif selon la revendication 3 dans lequel la troisième capacité du diviseur de tension est une diode 4' en polarisation inverse. 4. The device of claim 3 wherein the third capacity of the voltage divider is a diode 4 'in reverse bias.
Le dispositif selon les revendications 3 ou 4 dans lequel la première capacité (302, 402, 502) est une capacité variable, dont la valeur est déterminée par la tension de polarisation appliquée à ses bornes. The device of claims 3 or 4 wherein the first capacitance (302, 402, 502) is a variable capacitance, the value of which is determined by the bias voltage applied across it.
Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 dans lequel la tension de polarisation variable 'V3' est définie par une mémoire programmable. The device according to any one of claims 1 to 5 wherein the variable bias voltage 'V3' is defined by a programmable memory.
Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 dans lequel une ou plusieurs des capacités de la boucle de rétroaction sont des capacités variables. The device of any one of claims 1 to 6 wherein one or more of the capabilities of the feedback loop are variable capabilities.
Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 dans lequel les capacités variables sont des varactors de type MOS. The device of any one of claims 1 to 7 wherein the variable capabilities are MOS type varactors.
9. Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 dans lequel le diviseur de tension comprend de plus un interrupteur (51 1 ) pour activer ou désactiver la capacité (408, 508) connectée entre le point intermédiaire de tension et la masse. 9. The device according to any one of claims 1 to 8 wherein the voltage divider further comprises a switch (51 1) for enabling or disabling the capacitance (408, 508) connected between the intermediate voltage point and ground.
10. Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 dans lequel les capacités sont en technologie CMOS. The device of any one of claims 1 to 9 wherein the capabilities are in CMOS technology.
1 1 . Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 comprenant un deuxième diviseur de tension connecté en série au premier diviseur de tension. 1 1. The device of any of claims 1 to 10 including a second voltage divider connected in series with the first voltage divider.
12. Le dispositif selon la revendication 1 1 dans lequel les diviseurs de tension sont agencés selon l'une quelconque des revendications 1 à 10. 12. The device of claim 1 1 wherein the voltage dividers are arranged according to any one of claims 1 to 10.
13. Un détecteur matriciel à comptage de photons comprenant au moins un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12. 13. A photon counting matrix detector comprising at least one device according to any one of claims 1 to 12.
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