WO2017209447A1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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WO2017209447A1
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light emitting
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organic light
hole
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이창희
한종석
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Seoul National University R&DB Foundation
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the present invention relates to an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same.
  • a cathode ray tube (CRT) has been replaced by a liquid crystal display (LCD).
  • LCD liquid crystal display
  • a liquid crystal display device requires not only a separate backlight as a light emitting device, but also has limitations in response speed and viewing angle.
  • organic light emitting display devices which have the advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response time as self-luminous display devices, have attracted great attention. I am getting it.
  • the organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode for emitting light, and the organic light emitting diode combines electrons injected from one electrode and holes injected from another electrode in the emission layer to excite excitons. And excitons emit light while releasing energy.
  • a white organic light emitting diode display is a display device that emits light of various colors while simultaneously emitting light in different light emitting layers, thereby realizing white light.
  • White light is realized by using various kinds of light emitting layers.
  • the present invention provides an organic light emitting display that can simplify the manufacturing process through a manufacturing process of forming a yellow light emitting layer on an entire surface of an organic light emitting display and additionally forming a blue light emitting layer on at least one surface of the yellow light emitting layer and its It is intended to provide a manufacturing method.
  • a substrate a plurality of thin film transistors positioned on the substrate, and a first organic light emitting device electrically connected to the thin film transistors
  • the first organic light emitting device Is a hole layer including a first electrode, a hole injection layer and a hole transport layer on the first electrode, a yellow light emitting layer on the hole layer, a blocking layer on the yellow light emitting layer, a blue light emitting layer on the blocking layer And an electron layer including an electron transport layer on the blue light emitting layer and an electron injection layer, and a second electrode on the electron layer, wherein the blocking layer is formed of the same material as the hole transport layer. do.
  • a second organic light emitting device electrically connected to the thin film transistor, wherein the second organic light emitting device comprises a first electrode, a hole layer including a hole injection layer and a hole transport layer on the first electrode,
  • the light emitting layer may include a yellow light emitting layer on the hole layer, an electron layer including an electron transporting layer and an electron injection layer on the yellow light emitting layer, and a second electrode on the electron layer.
  • the hole transport layer and the blocking layer are TAPC (1,1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane), TCTA (tris (4-carbazoyl-9-ylphenyl) amine), NPB (N, N'- Di (1-naphthyl)-N, N'-diphenyl Benzidine), CBP (4,4'-bis (9-carbazelyl) -biphenyl), PVK (poly (9-vinylcarbazole), TFB (poly [2,7- (9,9-di-n-octylfluorene) -co- (1,4-pheynylene [(4-sec-butylphenyl) imino] -1,4-phenylene)]), NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -
  • a substrate, a plurality of thin film transistors positioned on the substrate, and a first organic light emitting device electrically connected to the thin film transistor may include a first electrode, A hole layer including a hole injection layer and a hole transport layer on the first electrode, a blue light emitting layer on the hole layer, a blocking layer on the blue light emitting layer, a yellow light emitting layer on the blocking layer, and a yellow light emitting layer
  • An organic light emitting display device includes an electron layer including an electron transport layer and an electron injection layer, and a second electrode on the electron layer, and the blocking layer is formed of the same material as the electron transport layer.
  • the electron transport layer and the blocking layer are TPBi (2,2 ', 2 ′′-(1,3,5-benxenetriyl) tris- [1-phenyl-1H-benzimidazole]), Bphen (4,7-diphenyl-1, 10-phenanthroline), TmPyPB (1,3,5-tri [(3-pyridyl) -phen-3-yl] benzene), 3TPYMB (Tris (2,4,6-triMethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane), B3PyPB (3,5,3 '', 5 ''-tetra-3-pyridyl- [1,1 ';3', 1 '] terphenyl), B3PYMPM (4,6-Bis (3 , 5-di (pyridin-3-yl) phenyl) -2-MethylpyriMidine), Bepp 2 , (Bis [2- (2-hydroxyphenyl)
  • forming a first electrode on the first pixel and the second pixel on the substrate respectively, forming a hole injection layer and a hole transport layer on the first electrode, on the hole transport layer Forming a yellow light emitting layer, sequentially forming a blocking layer and a blue light emitting layer in the first pixel by using a mask in which a region corresponding to the first pixel is opened, the blue light emitting layer and the second of the first pixel Forming an electron transport layer and an electron injection layer on the yellow light emitting layer of the pixel, and forming a second electrode on the electron injection layer, wherein the blocking layer is formed of the same material as the hole transport layer.
  • forming a first electrode on the first pixel and the second pixel on the substrate respectively, forming a hole injection layer and a hole transport layer on the first electrode, the first Sequentially forming a blue light emitting layer and a blocking layer in the first pixel by using a mask having an opening corresponding to the pixel, and forming a yellow light emitting layer on the blocking layer of the first pixel and the hole transporting layer of the second pixel.
  • the manufacturing process may be simplified through a manufacturing process of forming a yellow light emitting layer on the entire surface of the organic light emitting display and further forming a blue light emitting layer on at least one surface of the yellow light emitting layer.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged partial cross-sectional view of a portion of the first organic light emitting device X in FIG. 1.
  • FIG. 3 is an enlarged partial cross-sectional view of a portion of the second organic light emitting element Y in FIG. 1.
  • 4 to 6 are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an enlarged partial cross-sectional view of a first organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a graph illustrating a result of measuring luminance according to a voltage of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment and a comparative example.
  • FIG. 9 is a graph illustrating a result of measuring emission wavelengths of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment and a comparative example.
  • the structure of the organic light emitting diode display includes a structure of a driving thin film transistor and a light emitting layer.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of an enlarged portion of the first organic light emitting diode X in FIG. 1
  • FIG. 2 is a partial sectional view in which a part of the organic light emitting element Y is enlarged.
  • an organic light emitting diode display includes a substrate 123, a thin film transistor 130, a first electrode 160, a first organic light emitting element LDa,
  • the first pixel including the second electrode 180 and the second including the substrate 123, the thin film transistor 130, the first electrode 160, the second organic light emitting element LDb, and the second electrode 180. It includes a pixel.
  • a plurality of such first and second pixels may be repeatedly arranged in the column direction and the row direction of the display device.
  • the organic light emitting element LD may include hole layers 171 and 172 and electron layers 174 and 175, respectively.
  • the hole layers 171 and 172 may include the hole injection layer 171 and the hole transport layer 172.
  • the electron layers 174 and 175 may include an electron transport layer 174 and an electron injection layer 175.
  • the first electrode 160 may be an anode electrode, and the second electrode 180 may be a cathode electrode. In contrast, the first electrode 160 is a cathode electrode and the second electrode 180 is an anode electrode. Can be.
  • the substrate 123 may be an insulating substrate made of glass, quartz, ceramic, plastic, or the like.
  • the substrate 123 may be a metallic substrate made of stainless steel, and the like, and may be polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, or polyether.
  • Organic materials such as sulfones, polyimides or combinations thereof, silicon wafers and the like.
  • the substrate buffer layer 126 is positioned on the substrate 123.
  • the substrate buffer layer 126 prevents the penetration of impurities and serves to planarize the surface.
  • the substrate buffer layer 126 may be formed of various materials capable of performing a function of planarizing the surface while preventing the infiltration of impurities.
  • the substrate buffer layer 126 may be any one of a silicon nitride (SiNx) film, a silicon oxide (SiOy) film, and a silicon oxynitride (SiOxNy) film.
  • SiNx silicon nitride
  • SiOy silicon oxide
  • SiOxNy silicon oxynitride
  • the substrate buffer layer 126 is not necessarily a configuration and may be omitted depending on the type of substrate 123 and the process conditions.
  • the driving semiconductor layer 137 is formed on the substrate buffer layer 126.
  • the driving semiconductor layer 137 is formed of a polycrystalline silicon film.
  • the driving semiconductor layer 137 may include a channel region 135 that is not doped with impurities, a source region 134 and a drain region 136 formed by being doped to both sides of the channel region 135.
  • the doped ionic material is a P-type impurity such as boron (B), and mainly B 2 H 6 is used.
  • B boron
  • a gate wiring including the driving gate electrode 133 is formed on the gate insulating layer 127.
  • the driving gate electrode 133 is formed to overlap at least a portion of the driving semiconductor layer 137, particularly the channel region 135.
  • an interlayer insulating layer 128 covering the driving gate electrode 133 is formed on the gate insulating layer 127.
  • the gate insulating layer 127 and the interlayer insulating layer 128, a first contact hole 122a and a second contact hole 122b exposing the source region 134 and the drain region 136 of the driving semiconductor layer 137 are formed.
  • the interlayer insulating layer 128 may be made of a ceramic-based material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOy).
  • the data line including the driving source electrode 131 and the driving drain electrode 132 is formed on the interlayer insulating layer 128.
  • the driving source electrode 131 and the driving drain electrode 132 are respectively driven through the first contact hole 122a and the second contact hole 122b formed in the interlayer insulating film 128 and the gate insulating film 127. It is connected to the source region 134 and the drain region 136 of 137.
  • the driving thin film transistor 130 is formed including the driving semiconductor layer 137, the driving gate electrode 133, the driving source electrode 131, and the driving drain electrode 132.
  • the configuration of the driving thin film transistor 130 is not limited to the above-described example, and may be variously changed to a known configuration that can be easily implemented by those skilled in the art.
  • the planarization film 124 covering the data wirings is formed on the interlayer insulating film 128.
  • the flattening film 124 serves to eliminate the step difference and planarize in order to increase the luminous efficiency of the organic light emitting element to be formed thereon.
  • the planarization film 124 has a third contact hole 122c exposing a part of the drain electrode 132.
  • the planarization layer 124 may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. (unsaturated polyesters resin), poly phenylenethers (poly phenylenethers resin), poly phenylenesulfides (poly phenylenesulfides resin), and benzocyclobutene (benzocyclobutene (BCB)) may be made of one or more materials.
  • one embodiment according to the present invention is not limited to the above-described structure, and in some cases, any one of the planarization layer 124 and the interlayer insulating layer 128 may be omitted.
  • the first electrode 160 of the organic light emitting element LD is formed on the planarization layer 124.
  • the organic light emitting diode display includes a plurality of first electrodes 160 disposed for each of a plurality of pixels.
  • the plurality of first electrodes 160 are spaced apart from each other. That is, the first electrodes 160 respectively positioned in the first pixel and the second pixel are spaced apart from each other.
  • the first electrode 160 is connected to the drain electrode 132 through the third contact hole 122c of the planarization layer 124.
  • a pixel defining layer 125 having an opening exposing the first electrode 160 is formed on the planarization layer 124. That is, the pixel defining layer 125 has a plurality of openings formed for each pixel.
  • the light emitting device layer 170 may be formed in each opening formed by the pixel defining layer 125.
  • the pixel region in which each organic emission layer is formed may be defined by the pixel defining layer 125. That is, the first pixel and the second pixel area in which the first organic emission layer 170a and the second organic emission layer 170b are formed may be defined by the pixel defining layer 125.
  • the first electrode 160 is disposed to correspond to the opening of the pixel defining layer 125.
  • the first electrode 160 is not necessarily disposed only in the opening of the pixel defining layer 125, and a portion of the first electrode 160 is disposed under the pixel defining layer 125 so that a part of the first electrode 160 overlaps with the pixel defining layer 125. Can be deployed.
  • the pixel defining layer 125 may be made of a resin such as polyacrylates, polyimides, or silica-based inorganic materials.
  • the light emitting device layer 170 is formed on the first electrode 160.
  • the light emitting device layer 170 according to the embodiment of the present invention may include a first light emitting device layer 170a emitting blue light and a second light emitting device layer 170b emitting yellow light.
  • the structure of each light emitting device layer 170 will be described in detail below.
  • the second electrode 180 that is, the common electrode may be formed on the light emitting device layer 170.
  • the organic light emitting element LD including the first electrode 160, the light emitting element layer 170, and the second electrode 180 is formed.
  • the first electrode 160 and the second electrode 180 may be formed of a transparent conductive material or a transflective or reflective conductive material, respectively.
  • it may include indium tin oxide (ITO), silver nanowires, aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), and the like.
  • the organic light emitting diode display may be a top emission type, a bottom emission type, or a double emission type.
  • an overcoat 190 covering and protecting the second electrode 180 may be formed as an organic layer on the second electrode 180.
  • the thin film encapsulation layer 121 is formed on the overcoat 190.
  • the thin film encapsulation layer 121 seals and protects the organic light emitting element LD and the driving circuit formed on the substrate 123 from the outside.
  • the thin film encapsulation layer 121 includes encapsulation organic layers 121a and 121c and encapsulation inorganic layers 173 and 121d that are alternately stacked one by one.
  • encapsulation organic layers 121a and 121c and encapsulation inorganic layers 173 and 121d are alternately stacked one by one to form a thin film encapsulation layer 121, but the present invention is not limited thereto. .
  • a color filter (not shown) may be formed on the thin film encapsulation layer 121 to correspond to each pixel area as necessary.
  • the first organic light emitting element LDa (part X in FIG. 1) constitutes a first pixel emitting blue light, and includes the first electrode 160, the hole injection layer 171, the hole transport layer 172, and the yellow light emitting layer 173a. ), The blocking layer 200, the blue light emitting layer 173b, the electron transport layer 174, the electron injection layer 175, and the second electrode 180 are sequentially stacked.
  • the first light emitting device layer 170a of FIG. 1 includes the hole injection layer 171, the hole transport layer 172, the yellow light emitting layer 173a, the blocking layer 200, the blue light emitting layer 173b, and the electron transport layer of FIG. 2. 174 and the electron injection layer 175.
  • the first electrode 160 may include a material selected from materials having a high work function to facilitate hole injection.
  • the first electrode 160 is a transparent electrode, and indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or a combination thereof.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • SnO 2 tin oxide
  • ZnO zinc oxide
  • the same conductive oxide or metal such as gold (Au), aluminum (Al), silver (Ag), silver nanowires, and magnesium (Mg) may be formed to a thin thickness.
  • the first electrode 160 is not limited thereto and may be formed as a stacked structure of two or more layers of a conductive oxide and a metal material.
  • the hole injection layer 171 may be disposed on the first electrode 160.
  • the hole injection layer 171 is any layer that improves the injection of holes from the first electrode 160 to the hole transport layer 172.
  • the hole injection layer 171 includes V 2 O 5 (Vanadium oxide), MoO 3 (Molybdenum trioxide), HAT-CN (hexaazatriphenylene hexacarbonitrile), cupper phthalocyanine (CuPc), poly (3,4) -ethylenedioxythiophene (PEDOT), and PANI (polyaniline) and NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine) may include at least one, but is not limited thereto.
  • the hole transport layer 172 may be disposed on the hole injection layer 171.
  • the hole transport layer 172 may perform a function of smoothly transporting holes transferred from the hole injection layer 171.
  • the hole transport layer 172 may include TAPC (1,1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane), TCTA (tris (4-carbazoyl-9-ylphenyl) amine), NPB (N, N '-Di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl Benzidine), CBP (4,4'-bis (9-carbazelyl) -biphenyl), PVK (poly (9-vinylcarbazole), TFB (poly [2, 7- (9,9-di-n-octylfluorene) -co- (1,4-pheynylene [(4-sec-butylphenyl) imino] -1,4-phenylene)]),
  • the hole injection layer 171 may include a material having a P-type dopant applied to the same material as the material included in the hole transport layer 172 to reduce the driving voltage of the organic light emitting diode to improve hole injection characteristics. Can be.
  • the hole injection layer 171 and the hole transport layer 172 are described as being stacked. However, the present invention is not limited thereto, and the hole injection layer 171 and the hole transport layer 172 may be formed as a single layer. have.
  • the yellow light emitting layer 173a is formed on the hole transport layer 172.
  • the yellow light emitting layer 173a may include a light emitting material displaying yellow color, and may be formed using a phosphorescent or fluorescent material.
  • the yellow light emitting layer 173a may include, for example, rubrene, bis- (2-phenylquinoline) iridium acetylacetonate, PFO-based polymer, PPV-based polymer, and the like, but is not limited thereto.
  • the blocking layer 200 is formed on the yellow light emitting layer 173a.
  • the blocking layer 200 may prevent the electrons generated from the second electrode 180 and transferred through the electron transport layer 174 from being injected into the yellow light emitting layer 173a.
  • emission of the yellow light emitting layer 173a may be prevented by preventing electrons from being injected into the yellow light emitting layer 173a by the blocking layer 200.
  • the first organic light emitting element LDa may be a blue light emitting layer 173b. ), Only blue light can be generated.
  • the blocking layer 200 may be formed of the same material as the hole transport layer 172 to block electrons.
  • the blue light emitting layer 173b is formed on the blocking layer 200.
  • the blue light emitting layer 173b may include a light emitting material displaying blue color, and may be formed using a phosphorescent or fluorescent material.
  • the blue light emitting layer 173b includes a host material including, for example, CBP or mCP, and may be formed of a phosphor including a dopant material including (4,6-F2ppy) 2Irpic. Alternatively, it may include a fluorescent material including any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distilbenzene (DSB), distriarylene (DSA), PFO-based polymer and PPV-based polymer It is not limited to this.
  • the electron transport layer 174 may be disposed on the blue light emitting layer 173b.
  • the electron transport layer 174 may transfer electrons from the second electrode 180 to the blue light emitting layer 173b.
  • the electron transport layer 174 may prevent holes injected from the first electrode 160 from moving through the yellow light emitting layer 173a and the blue light emitting layer 173b to the second electrode 180. That is, the electron transport layer 174 serves as a hole blocking layer to assist the hole and the electron coupling in the blue light emitting layer 173b.
  • the electron transport layer 174 is TPBi (2,2 ', 2 ′′-(1,3,5-benxenetriyl) tris- [1-phenyl-1H-benzimidazole]), Bphen (4,7-diphenyl-1, 10-phenanthroline), TmPyPB (1,3,5-tri [(3-pyridyl) -phen-3-yl] benzene), 3TPYMB (Tris (2,4,6-triMethyl-3- (pyridin-3-yl ) phenyl) borane), B3PyPB (3,5,3 '', 5 ''-tetra-3-pyridyl- [1,1 ';3', 1 '] terphenyl), B3PYMPM (4,6-Bis (3 , 5-di (pyridin-3-yl) phenyl) -2-MethylpyriMidine), Bepp 2 , (Bis [2- (2-hydroxyphenyl
  • the electron injection layer 175 is formed on the electron transport layer 174.
  • the electron injection layer 175 may function to improve the injection of electrons from the second electrode 180 into the electron transport layer 174.
  • the electron injection layer 175 may include Liq, Rb 2 CO 3 , Cs 2 CO 3 , CsF, Alq 3, LiF, gallium mixture (Ga complex), PBD, etc., but is not limited thereto.
  • the second electrode 180 is formed on the electron transport layer 174.
  • the first electrode 160 is an anode, and the second electrode 180 may be a cathode.
  • the second electrode 180 is also a transparent electrode, and a conductive oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), or a combination thereof or aluminum (Al). It may be formed to a thin thickness using a metal such as silver (Ag) and magnesium (Mg).
  • the first electrode 160 is not limited thereto and may be formed as a stacked structure of two or more layers of a conductive oxide and a metal material.
  • the second organic light emitting element LDb illustrated in FIG. 3 has a configuration and arrangement of the blocking layer 200 and the arrangement of the yellow light emitting layer and the blue light emitting layers 173a and 173b as compared with the first organic light emitting element LDa of FIG. 2 described above. Except for the same description, duplicate descriptions are omitted.
  • the second organic light emitting element LDb (Y part of FIG. 1) constitutes a second pixel emitting yellow light, and includes the first electrode 160, the hole injection layer 171, the hole transport layer 172, and the yellow light emitting layer 173a. ), The electron transport layer 174, the electron injection layer 175, and the second electrode 180 are stacked in this order.
  • the second light emitting device layer 170b of FIG. 1 includes the hole injection layer 171, the hole transport layer 172, the yellow light emitting layer 173a, the electron transport layer 174, and the electron injection layer 175 of FIG. 3. do.
  • holes injected from the first electrode 160 and electrons injected from the second electrode 180 may be combined in the yellow light emitting layer 173a to express yellow light.
  • the blue light expressed from the first pixel illustrated in FIG. 2 and the yellow light expressed from the second pixel illustrated in FIG. 3 may be mixed, thereby realizing white light. .
  • 4 to 6 are cross-sectional views sequentially illustrating a manufacturing process of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • the first electrode 160, the hole injection layer 171, the hole transport layer 172, and the yellow light emitting layer 173a are sequentially formed in regions corresponding to the first pixel and the second pixel, respectively. do.
  • the blocking layer 200 and the blue emitting layer 173b which block electrons on the yellow emitting layer 173a positioned in the first pixel using a mask in which the first pixel region is opened. ) are stacked in order.
  • the electron transport layer 174, the electron injection layer 175, and the second electrode 180 are sequentially stacked on the blue light emitting layer 173b of the first pixel and the yellow light emitting layer 173a of the second pixel.
  • an organic light emitting diode is manufactured.
  • blue light is emitted by blocking the electrons generated from the second electrode 180 from being injected into the yellow light emitting layer 173a through the blocking layer 200 to emit only the blue light emitting layer 173b.
  • holes generated in the first electrode 160 and electrons generated in the second electrode 180 are combined with each other in the yellow light emitting layer 173a to express yellow light.
  • an organic light emitting display device including two light emitting layers
  • two mask processes must be performed to form blue and yellow light emitting layers, respectively.
  • only one mask process may be performed through a manufacturing process in which the yellow light emitting layer 173a is first formed on all pixels, and the blue light emitting layer 173b is additionally deposited using a mask.
  • the lifespan of the organic light emitting device may be increased by using the yellow light emitting layer as the common layer of all pixels rather than using the blue light emitting layer as the common layer of all pixels. Since the hole mobility of the yellow light emission is higher than the hole mobility of the light emitting layer, when the yellow light emitting layer is used as the common layer, the light emission efficiency of the first pixel is excellent.
  • FIG. 7 is an enlarged partial cross-sectional view of a first organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • An organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present invention according to FIG. 7 has been described above except for the arrangement of the blue light emitting layer 173b and the yellow light emitting layer 173a and the blocking layer 200 of the first organic light emitting device LDa. It is the same as the embodiment shown in FIG. 1 to FIG. 3 described, and the overlapping description is omitted.
  • the first organic light emitting diode of the organic light emitting diode forms a first pixel that emits blue light, and includes the first electrode 160, the hole injection layer 171, and the hole transport layer. 172, the blue light emitting layer 173b, the blocking layer 200, the yellow light emitting layer 173a, the electron transport layer 174, the electron injection layer 175, and the second electrode 180 are sequentially stacked.
  • a yellow light emitting layer 173a is disposed on the blue light emitting layer 173b unlike the embodiment of FIGS. 1 to 3.
  • the blocking layer 200 may serve to prevent the holes injected from the first electrode 160 from being injected into the yellow light emitting layer 173a.
  • the blocking layer 200 may prevent the hole from being injected into the yellow light emitting layer 173a to prevent light emission of the yellow light emitting layer 173a.
  • the first organic light emitting element LDa may be formed of the blue light emitting layer 173b. Only light emission can be achieved to express blue light.
  • the blocking layer 200 may be formed of the same material as the electron transport layer 174 to block holes.
  • the organic light emitting device may be manufactured by changing the order of forming the yellow light emitting layer and the blue light emitting layer in the manufacturing process of FIGS. 4 to 6 described above.
  • the first electrode 160, the hole injection layer 171, and the hole transport layer 172 are stacked on the first pixel and the second pixel, and the blue light emitting layer 173b is disposed on the hole transport layer positioned in the first pixel using a mask.
  • a blocking layer 200 that blocks holes, and then the electron transport layer 174 and the electron injection layer on the blocking layer 200 of the first pixel and the hole transport layer 172 of the second pixel.
  • An organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of FIG. 7 may be manufactured by stacking 175 and the second electrode in order.
  • FIG. 8 is a graph illustrating a result of measuring luminance according to a voltage of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment and a comparative example
  • FIG. 9 is an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment and a comparative example of the present invention. It is a graph which shows the result of measuring the light emission wavelength.
  • a first organic light emitting device including a yellow light emitting layer, a blocking layer, and a blue light emitting layer was used.
  • an organic light emitting device including only a blue light emitting layer was used.
  • the horizontal axis represents voltage and the vertical axis represents luminance.
  • the first organic light emitting diode according to the exemplary embodiment of the present invention has almost the same luminance according to voltage as the organic light emitting diode including only the blue light emitting layer.
  • FIG. 9 an experimental result of measuring emission wavelengths of the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment and the organic light emitting diode display according to the comparative example will be described.
  • a first organic light emitting diode including a yellow light emitting layer, a blocking layer, and a blue light emitting layer is used, and as a comparative example, an organic light emitting diode in which a blocking layer is omitted in a first organic light emitting diode. And an organic light emitting device including only a blue light emitting layer were used, respectively.
  • the horizontal axis represents wavelength and the vertical axis represents intensity of the wavelength.
  • the first organic light emitting device in which the blocking layer is omitted, a problem occurs in that both the yellow light emitting layer and the blue light emitting layer emit light, thereby causing mixed color, but according to an embodiment of the present invention, the first organic light emitting device In the case of it was confirmed that the same emission wavelength as the organic light emitting device including only the blue light emitting layer.
  • the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention can be replaced with the white organic light emitting diode display.
  • the manufacturing process may be simplified through a manufacturing process of forming a yellow light emitting layer on the entire surface of the organic light emitting display and further forming a blue light emitting layer on at least one surface of the yellow light emitting layer.

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 유기 발광 소자를 포함하며, 상기 제1 유기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층, 상기 정공층 위에 위치하는 황색 발광층, 상기 황색 발광층 위에 위치하는 차단층, 상기 차단층 위에 위치하는 청색 발광층, 상기 청색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층, 상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 차단층은 상기 정공 수송층과 동일한 물질로 형성된 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다. 그러나, 액정 표시 장치는 수발광 장치로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 한계가 있다.
최근 이러한 한계를 극복할 수 있는 표시 장치로서, 자발광형 표시소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답시간이 빠르다는 장점을 가진 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display device)가 커다란 주목을 받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 발광을 위한 유기 발광 소자를 포함하고, 이러한 유기 발광 소자는 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
유기 발광 표시 장치 중 백색 유기 발광 표시 장치는 각기 다른 발광층에서 동시에 발광이 일어나면서 여러 가지 색의 빛이 혼합되어 결과적으로 백색 광을 구현하는 표시 장치로서, 일반적으로 비용 절감을 위해 청색과 황색의 두 가지 종류 발광층을 이용하여 백색 광을 구현한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 유기 발광 표시 장치의 전면에 황색 발광층을 형성하고 황색 발광층의 적어도 일면에 청색 발광층을 추가로 형성하는 제조 공정을 통해 제조 공정을 단순화 할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 따르면, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 유기 발광 소자를 포함하며, 상기 제1 유기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층, 상기 정공층 위에 위치하는 황색 발광층, 상기 황색 발광층 위에 위치하는 차단층, 상기 차단층 위에 위치하는 청색 발광층, 상기 청색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층, 상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 차단층은 상기 정공 수송층과 동일한 물질로 형성된 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 유기 발광 소자를 더 포함하며, 상기 제2 유기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층, 상기 정공층 위에 위치하는 황색 발광층, 상기 황색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층, 상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 정공 수송층 및 상기 차단층은 TAPC(1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane), TCTA(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)- N,N'-diphenyl Benzidine), CBP(4,4’-bis(9-carbazelyl)-biphenyl), PVK(poly(9-vinylcarbazole), TFB(poly[2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-co-(1,4-pheynylene[(4-sec-butylphenyl)imino]-1,4-phenylene)]), NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 유기 발광 소자를 포함하며, 상기 제1 유기 발광 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층, 상기 정공층 위에 위치하는 청색 발광층, 상기 청색 발광층 위에 위치하는 차단층, 상기 차단층 위에 위치하는 황색 발광층, 상기 황색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층, 상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 차단층은 상기 전자 수송층과 동일한 물질로 형성된 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
상기 전자 수송층 및 상기 차단층은 TPBi(2,2’, 2″-(1,3,5-benxenetriyl)tris-[1-phenyl-1H-benzimidazole]), Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TmPyPB(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), 3TPYMB(Tris(2,4,6-triMethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane), B3PyPB(3,5,3'',5''-tetra-3-pyridyl-[1,1';3',1']terphenyl), B3PYMPM(4,6-Bis(3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl)-2-MethylpyriMidine), Bepp2,(Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-pyridine]beryllium), BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenantroline), Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 위의 제1 화소 및 제2 화소에 제1 전극을 각각 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하는 단계, 상기 정공 수송층 위에 황색 발광층을 형성하는 단계, 제1 화소에 대응되는 영역이 개구된 마스크를 이용하여 상기 제1 화소에 차단층 및 청색 발광층을 순서대로 형성하는 단계, 상기 제1 화소의 상기 청색 발광층 및 상기 제2 화소의 상기 황색 발광층 위에 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하는 단계, 및 상기 전자 주입층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 차단층은 상기 정공 수송층과 동일한 물질로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 기판 위의 제1 화소 및 제2 화소에 제1 전극을 각각 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하는 단계, 제1 화소에 대응되는 영역이 개구된 마스크를 이용하여 상기 제1 화소에 청색 발광층 및 차단층을 순서대로 형성하는 단계, 상기 제1 화소의 상기 차단층 및 상기 제2 화소의 정공 수송층 위에 황색 발광층을 형성하는 단계, 상기 황색 발광층 위에 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하는 단계, 및 상기 전자 주입층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 차단층은 상기 전자 수송층과 동일한 물질로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치의 전면에 황색 발광층을 형성하고 황색 발광층의 적어도 일면에 청색 발광층을 추가로 형성하는 제조 공정을 통해 제조 공정을 단순화 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에서 제1 유기 발광 소자(X)의 일부를 확대한 부분 단면도이다.
도 3은 도 1에서 제2 유기 발광 소자(Y)의 일부를 확대한 부분 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 공정을 순서대로 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 유기 발광 소자를 확대한 부분 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전압에 따른 휘도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 파장을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. 여기서, 유기 발광 표시 장치의 구조는 구동 박막 트랜지스터와 발광층에 대한 구조를 포함한다.
먼저 도 1 내지 도 3을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에서 제1 유기 발광 소자(X)의 일부를 확대한 부분 단면도이며, 도 3은 도 1에서 제2 유기 발광 소자(Y)의 일부를 확대한 부분 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(123), 박막 트랜지스터(130), 제1 전극(160), 제1 유기 발광 소자(LDa) 및 제2 전극(180)을 포함하는 제1 화소와 기판(123), 박막 트랜지스터(130), 제1 전극(160), 제2 유기 발광 소자(LDb) 및 제2 전극(180)을 포함하는 제2 화소를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 이와 같은 제1 화소 및 제2 화소가 표시 장치의 열 방향과 행 방향으로 복수 개가 반복적으로 배열될 수 있다.
유기 발광 소자(LD)는 각각 정공층(171, 172) 및 전자층(174, 175)을 포함할 수 있으며, 정공층(171, 172)은 정공 주입층(171) 및 정공 수송층(172)을 포함할 수 있고, 전자층(174, 175)은 전자 수송층(174) 및 전자 주입층(175)을 포함할 수 있다.
제1 전극(160)은 애노드(anode) 전극, 제2 전극(180)은 캐소드(cathode) 전극일 수 있으나, 이와 반대로 제1 전극(160)이 캐소드 전극이고 제2 전극(180)이 애노드 전극일 수 있다.
이 때, 기판(123)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판일 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고 기판(123)이 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판일 수 있으며, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리이미드 또는 이들의 조합과 같은 유기 물질, 실리콘웨이퍼 등으로 만들어질 수도 있다.
그리고 기판(123) 위에는 기판 버퍼층(126)이 위치한다. 기판 버퍼층(126)은 불순 원소의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
이 때, 기판 버퍼층(126)은 불순 원소의 침투를 방지하면서 표면을 평탄화하는 기능을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판 버퍼층(126)은 질화 규소(SiNx)막, 산화 규소(SiOy)막, 산질화 규소(SiOxNy)막 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 그러나, 기판 버퍼층(126)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(123)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
기판 버퍼층(126) 위에는 구동 반도체층(137)이 형성된다. 구동 반도체층(137)은 다결정 규소막으로 형성된다. 또한, 구동 반도체층(137)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135), 채널 영역(135)의 양 옆으로 도핑되어 형성된 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 포함한다. 이때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(137) 위에는 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOy) 따위로 형성된 게이트 절연막(127)이 형성된다. 게이트 절연막(127) 위에는 구동 게이트 전극(133)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. 그리고, 구동 게이트 전극(133)은 구동 반도체층(137)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)와 중첩되도록 형성된다.
한편, 게이트 절연막(127) 상에는 구동 게이트 전극(133)을 덮는 층간 절연막(128)이 형성된다. 게이트 절연막(127)과 층간 절연막(128)에는 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)을 드러내는 제1 접촉 구멍(122a) 및 제2 접촉 구멍(122b)이 형성된다. 층간 절연막(128)은, 게이트 절연막(127)과 마찬가지로, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOy) 등의 세라믹(ceramic) 계열의 소재를 사용하여 만들어질 수 있다.
그리고, 층간 절연막(128) 위에는 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 또한, 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)은 각각 층간 절연막(128) 및 게이트 절연막(127)에 형성된 제1 접촉 구멍(122a) 및 제2 접촉 구멍(122b)을 통해 구동 반도체층(137)의 소스 영역(134) 및 드레인 영역(136)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(137), 구동 게이트 전극(133), 구동 소스 전극(131) 및 구동 드레인 전극(132)을 포함하여 구동 박막 트랜지스터(130)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(130)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변경 가능하다.
그리고, 층간 절연막(128) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(124)이 형성된다. 평판화막(124)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(124)은 드레인 전극(132)의 일부를 노출시키는 제3 접촉 구멍(122c)을 갖는다.
평탄화막(124)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질 등으로 만들 수 있다.
여기에서, 본 발명에 따른 일 실시예는 전술한 구조에 한정되는 것은 아니며, 경우에 따라 평탄화막(124)과 층간 절연막(128) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.
이때, 평탄화막(124) 위에는 유기 발광 소자(LD)의 제 1 전극(160), 즉 화소 전극이 형성된다. 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들마다 각각 배치된 복수의 제1 전극(160)을 포함한다. 이때, 복수의 제1 전극(160)은 서로 이격 배치된다. 즉, 제1 화소 및 제2 화소에 각각 위치한 제1 전극(160)은 서로 이격 배치된다. 제1 전극(160)은 평탄화막(124)의 제3 접촉 구멍(122c)을 통해 드레인 전극(132)과 연결된다.
또한, 평탄화막(124) 위에는 제1 전극(160)을 드러내는 개구부를 갖는 화소 정의막(125)이 형성된다. 즉, 화소 정의막(125)은 각 화소마다 형성된 복수개의 개구부를 갖는다. 이때, 화소 정의막(125)에 의해 형성된 개구부마다 발광 소자층(170)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 화소 정의막(125)에 의해 각각의 유기 발광층이 형성되는 화소 영역이 정의될 수 있다. 즉, 화소 정의막(125)에 의해 제1 유기 발광층(170a) 및 제2 유기 발광층(170b)이 형성되는 제1 화소 및 제2 화소 영역이 정의될 수 있다.
이때, 제1 전극(160)은 화소 정의막(125)의 개구부에 대응하도록 배치된다. 그러나, 제1 전극(160)은 반드시 화소 정의막(125)의 개구부에만 배치되는 것은 아니며, 제1 전극(160)의 일부가 화소 정의막(125)과 중첩되도록 화소 정의막(125) 아래에 배치될 수 있다.
화소 정의막(125)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
한편, 제1 전극(160) 위에는 발광 소자층(170)이 형성된다. 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자층(170)은 청색을 발광하는 제1 발광 소자층(170a) 및 황색을 발광하는 제2 발광 소자층(170b)을 포함할 수 있다. 각 발광 소자층(170)의 구조에 대해서는 하기에서 상세히 설명하기로 한다.
그리고, 발광 소자층(170) 상에는 제2 전극(180), 즉 공통 전극이 형성될 수 있다. 이와 같이, 제1 전극(160), 발광 소자층(170) 및 제2 전극(180)을 포함하는 유기 발광 소자(LD)가 형성된다.
이때, 제1 전극(160) 및 제2 전극(180)은 각각 투명한 도전성 물질로 형성되거나 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, ITO(indium tin oxide), 은 나노와이어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등을 포함할 수 있다.
제1 전극(160) 및 제2 전극(180)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
한편, 제2 전극(180) 위에는 제2 전극(180)을 덮어 보호하는 덮개막(190)이 유기막으로 형성될 수 있다.
그리고, 덮개막(190) 위에는 박막 봉지층(121)이 형성되어 있다. 박막 봉지층(121)은 기판(123) 위에 형성되어 있는 유기 발광 소자(LD)와 구동 회로부를 외부로부터 밀봉시켜 보호한다.
박막 봉지층(121)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 봉지 유기막(121a, 121c)과 봉지 무기막(173, 121d)을 포함한다. 도 1에서는 일례로 2개의 봉지 유기막(121a, 121c)과 2개의 봉지 무기막(173, 121d)이 하나씩 교대로 적층되어 박막 봉지층(121)을 구성하는 경우를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.
박막 봉지층(121) 위에는 필요에 따라 각 화소 영역에 대응되게 위치하는 컬러 필터(도시하지 않음)가 형성되어 있을 수도 있다.
이제부터 도 2 및 도 3을 참고하여, 본 발명의 유기 발광 소자(LD)에 대해서 상세하게 설명한다.
먼저, 도 2에 나타낸 제1 화소를 이루는 제1 유기 발광 소자(LDa)에 대해서 설명한다.
제1 유기 발광 소자(LDa)(도 1의 X 부분)는 청색을 발광하는 제1 화소를 이루며, 제1 전극(160), 정공 주입층(171), 정공 수송층(172), 황색 발광층(173a), 차단층(200), 청색 발광층(173b), 전자 수송층(174), 전자 주입층(175) 및 제2 전극(180)이 순서대로 적층된 구조이다.
즉, 도 1의 제1 발광 소자층(170a)은 도 2의 정공 주입층(171), 정공 수송층(172), 황색 발광층(173a), 차단층(200), 청색 발광층(173b), 전자 수송층(174) 및 전자 주입층(175)을 포함한다.
제1 전극(160)이 애노드(anode)일 경우에는 정공 주입이 용이하도록 높은 일 함수를 갖는 물질 중에서 선택된 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극(160)은 투명 전극으로서, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 주석 산화물(SnO2), 아연 산화물(ZnO) 또는 이들의 조합과 같은 도전성 산화물 또는 금(Au), 알루미늄(Al), 은(Ag), 은 나노와이어, 마그네슘(Mg)과 같은 금속을 사용하여 얇은 두께로 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(160)은 이에 한정되지 않으며, 도전성 산화물과 금속 물질의 2층 이상의 적층 구조로 형성될 수도 있다.
정공 주입층(171)은 제1 전극(160) 위에 배치될 수 있다. 이때, 정공 주입층(171)은 제 1 전극(160)으로부터 정공 수송층(172)으로의 정공의 주입을 개선하는 임의의 층이다. 정공 주입층(171)은 V2O5(Vanadium oxide), MoO3(Molybdenum trioxide), HAT-CN(hexaazatriphenylene hexacarbonitrile), CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송층(172)은 정공 주입층(171) 상에 배치될 수 있다. 정공 수송층(172)은 정공 주입층(171)으로부터 전달되는 정공을 원활하게 수송하는 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 정공 수송층(172)은 TAPC(1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane), TCTA(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)- N,N'-diphenyl Benzidine), CBP(4,4’-bis(9-carbazelyl)-biphenyl), PVK(poly(9-vinylcarbazole), TFB(poly[2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-co-(1,4-pheynylene[(4-sec-butylphenyl)imino]-1,4-phenylene)]), NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 정공 주입층(171)은 정공 수송층(172)에 포함된 재료와 동일한 물질에 P타입의 도펀트(dopant)가 적용된 물질을 포함하여 유기 발광 소자의 구동 전압을 감소시켜 정공 주입 특성을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에서 정공 주입층(171)과 정공 수송층(172)이 적층된 구조를 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 정공 주입층(171) 및 정공 수송층(172)은 단일층으로 형성될 수도 있다.
정공 수송층(172) 위에는 황색 발광층(173a)이 형성된다. 황색 발광층(173a)은 황색을 표시하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광 물질 등을 이용하여 형성할 수 있다. 황색 발광층(173a)은 예를 들어, 루브렌(rubrene), 비스-(2-페닐퀴놀린) 이리듐 아세틸아세토네이트, PFO계 고분자, PPV계 고분자 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
황색 발광층(173a) 위에는 차단층(200)이 형성된다. 차단층(200)은 제2 전극(180)으로부터 발생하여 전자 수송층(174)을 통해 전달되는 전자가 황색 발광층(173a)으로 주입되는 것을 저지하는 역할을 할 수 있다.
즉, 차단층(200)에 의해 황색 발광층(173a)으로 전자가 주입되는 것을 저지하여 황색 발광층(173a)의 발광을 저지할 수 있으며, 이에 따라 제1 유기 발광 소자(LDa)는 청색 발광층(173b)의 발광만 이루어지도록 하여 청색 광을 발현할 수 있다.
차단층(200)은 전자를 차단하기 위해 정공 수송층(172)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
차단층(200) 위에는 청색 발광층(173b)이 형성된다. 청색 발광층(173b)은 청색을 표시하는 발광 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광 물질 등을 이용하여 형성할 수 있다. 청색 발광층(173b)은 예를 들어, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic 를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광 물질을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
한편, 청색 발광층(173b) 위에는 전자 수송층(174)이 배치될 수 있다. 이때, 전자 수송층(174)은 제2 전극(180)으로부터 청색 발광층(173b)으로 전자를 전달할 수 있다. 또한, 전자 수송층(174)은 제1 전극(160)으로부터 주입된 정공이 황색 발광층(173a) 및 청색 발광층(173b)을 통과하여 제2 전극(180)으로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 전자 수송층(174)은 정공 저지층의 역할을 하여, 청색 발광층(173b)에서 정공과 전자의 결합을 돕는다.
이때, 전자 수송층(174)은 TPBi(2,2’, 2″-(1,3,5-benxenetriyl)tris-[1-phenyl-1H-benzimidazole]), Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TmPyPB(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), 3TPYMB(Tris(2,4,6-triMethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane), B3PyPB(3,5,3'',5''-tetra-3-pyridyl-[1,1';3',1']terphenyl), B3PYMPM(4,6-Bis(3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl)-2-MethylpyriMidine), Bepp2,(Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-pyridine]beryllium), BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenantroline), Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
전자 수송층(174) 위에는 전자 주입층(175)이 형성되어 있다. 전자 주입층(175)은 제2 전극(180)으로부터 전자 수송층(174)으로의 전자의 주입을 개선하는 기능을 수행할 수 있다. 전자 주입층(175)은 Liq, Rb2CO3, Cs2CO3, CsF, Alq3, LiF, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송층(174) 위에는 제2 전극(180)이 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 전극(160)이 애노드(anode)인 경우로서, 제2 전극(180)은 캐소드(cathode)일 수 있다. 제2 전극(180) 역시 투명 전극으로서, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 주석 산화물(SnO2), 아연 산화물(ZnO) 또는 이들의 조합과 같은 도전성 산화물 또는 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg)과 같은 금속을 사용하여 얇은 두께로 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극(160)은 이에 한정되지 않으며, 도전성 산화물과 금속 물질의 2층 이상의 적층 구조로 형성될 수도 있다.
다음으로, 도 3에 나타낸 제2 화소를 이루는 제2 유기 발광 소자(LDb)에 대해서 설명한다.
도 3에 나타낸 제2 유기 발광 소자(LDb)는 앞서 설명한 도 2의 제1 유기 발광 소자(LDa)와 비교할 때, 황색 발광층 및 청색 발광층(173a, 173b)의 배치와 차단층(200)의 구성만을 제외하고는 동일한 바 중복되는 설명은 생략한다.
제2 유기 발광 소자(LDb)(도 1의 Y 부분)는 황색을 발광하는 제2 화소를 이루며, 제1 전극(160), 정공 주입층(171), 정공 수송층(172), 황색 발광층(173a), 전자 수송층(174), 전자 주입층(175) 및 제2 전극(180)이 순서대로 적층된 구조이다.
즉, 도 1의 제2 발광 소자층(170b)은 도 3의 정공 주입층(171), 정공 수송층(172), 황색 발광층(173a), 전자 수송층(174) 및 전자 주입층(175)을 포함한다.
제2 유기 발광 소자(LDb)에서는 제1 전극(160)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(180)으로부터 주입된 전자가 황색 발광층(173a)에서 결합하여 황색 광을 발현할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기한 도 2에 나타낸 제1 화소로부터 발현된 청색 광과 도 3에 나타낸 제2 화소로부터 발현된 황색 광이 혼합되어 결과적으로 백색 광을 구현할 수 있다.
그러면, 도 4 내지 도 6을 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 공정을 순서대로 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 4를 참고하면, 제1 화소 및 제2 화소에 대응되는 영역에 각각 제1 전극(160), 정공 주입층(171), 정공 수송층(172) 및 황색 발광층(173a)을 순서대로 형성한다.
그 후, 도 5를 참고하면, 제1 화소 영역이 개구되어 있는 마스크를 이용하여 제1 화소에 위치하는 황색 발광층(173a) 위에 전자를 차단하는 역할을 하는 차단층(200) 및 청색 발광층(173b)을 순서대로 적층한다.
다음으로, 제1 화소의 청색 발광층(173b) 및 제2 화소의 황색 발광층(173a) 위에 전자 수송층(174), 전자 주입층(175) 및 제2 전극(180)을 순서대로 적층하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자를 제조한다.
이렇게 제조된 유기 발광 소자의 제1 화소에서는 차단층(200)을 통해 제2 전극(180)에서 발생한 전자가 황색 발광층(173a)으로 주입되는 것을 차단하여 청색 발광층(173b)만 발광하도록 하여 청색 광을 발현하고, 제2 화소에서는 제1 전극(160)에서 발생한 정공과 제2 전극(180)에서 발생한 전자가 황색 발광층(173a)에서 서로 결합하여 황색 광을 발현할 수 있다.
일반적으로 두 색의 발광층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위해서는 청색과 황색 발광층을 각각 형성하기 위해 두 번의 마스크 공정을 수행하여야 하지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 공정에 따르면, 먼저 황색 발광층(173a)을 모든 화소에 형성하고, 청색 발광층(173b)을 마스크를 이용하여 추가 증착하는 제조 공정을 통해 한번의 마스크 공정만을 수행할 수 있다.
또한, 청색 발광층의 경우 황색 발광층에 비해 수명이 짧기 때문에, 청색 발광층을 모든 화소의 공통층으로 사용하기 보다는 황색 발광층을 모든 화소의 공통층으로 사용하여 유기 발광 소자의 수명을 증가시킬 수 있고, 청색 발광층의 정공 이동도에 비해 황색 발광의 정공 이동도가 높기 때문에 황색 발광층을 공통층으로 이용할 때 제1 화소에서의 발광 효율이 우수하다.
이하에서는, 도 7을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 대해서 설명한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 유기 발광 소자를 확대한 부분 단면도이다.
도 7에 따른 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자는 제1 유기 발광 소자(LDa)의 청색 발광층(173b) 및 황색 발광층(173a)의 배치와 차단층(200) 구성 만을 제외하고는 앞서 설명한 도 1 내지 도 3에 나타낸 실시예와 동일한 바, 중복되는 설명은 생략한다.
도 7을 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제1 유기 발광 소자는 청색을 발광하는 제1 화소를 이루며, 제1 전극(160), 정공 주입층(171), 정공 수송층(172), 청색 발광층(173b), 차단층(200), 황색 발광층(173a), 전자 수송층(174), 전자 주입층(175) 및 제2 전극(180)이 순서대로 적층된 구조이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제1 유기 발광 소자는 도 1 내지 도 3의 실시예와는 다르게 황색 발광층(173a)이 청색 발광층(173b) 위에 배치되어 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 차단층(200)은 제1 전극(160)으로부터 주입된 정공이 황색 발광층(173a)으로 주입되는 것을 저지하는 역할을 할 수 있다.
즉, 차단층(200)에 의해 정공이 황색 발광층(173a)으로 주입되는 것을 저지하여 황색 발광층(173a)의 발광을 저지할 수 있으며, 제1 유기 발광 소자(LDa)는 청색 발광층(173b)의 발광만 이루어져 청색 광을 발현할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 차단층(200)은 정공을 차단하기 위해 전자 수송층(174)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자는 앞서 설명한 도 4 내지 도 6의 제조 공정에서 황색 발광층과 청색 발광층의 형성 순서를 바꾸어 제조할 수 있을 것이다.
즉, 제1 화소 및 제2 화소에 제1 전극(160), 정공 주입층(171), 정공 수송층(172)을 적층하고, 마스크를 이용하여 제1 화소에 위치하는 정공 수송층 위에 청색 발광층(173b) 및 정공을 차단하는 역할을 하는 차단층(200)을 순서대로 적층한 후, 제1 화소의 차단층(200) 및 제2 화소의 정공 수송층(172) 위에 전자 수송층(174), 전자 주입층(175) 및 제2 전극을 순서대로 적층하여 도 7의 실시예에 따른 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
그러면, 도 8 및 도 9를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 휘도와 발광 파장에 대한 실험 결과에 대해서 살펴본다.
도 8은 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전압에 따른 휘도를 측정한 결과를 나타낸 그래프이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 파장을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
먼저, 도 8을 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전압에 따른 휘도를 측정한 실험 결과에 대해서 살펴본다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치로서 황색 발광층, 차단층 및 청색 발광층을 포함하는 제1 유기 발광 소자를 사용하였으며, 비교예로서 청색 발광층만을 포함하는 유기 발광 소자를 사용하였다.
도 8에서 가로축은 전압을, 세로축은 휘도를 나타낸다.
도 8에 나타난 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 유기 발광 소자는 청색 발광층만을 포함하는 유기 발광 소자와 전압에 따른 휘도가 거의 동일하게 나타나는 것을 확인할 수 있었다.
다음으로 도 9를 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 발광 파장을 측정한 실험 결과에 대해서 살펴본다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치로서 황색 발광층, 차단층 및 청색 발광층을 포함하는 제1 유기 발광 소자를 사용하였으며, 비교예로서 제1 유기 발광 소자에서 차단층이 생략된 유기 발광 소자와 청색 발광층만을 포함하는 유기 발광 소자를 각각 사용하였다.
도 9에서 가로축은 파장을, 세로축은 파장의 강도를 나타낸다.
도 9에 나타난 바와 같이, 차단층이 생략된 제1 유기 발광 소자의 경우 황색 발광층과 청색 발광층이 모두 발광하여 혼색이 발생하는 문제점이 발생하였으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 유기 발광 소자의 경우 청색 발광층만을 포함하는 유기 발광 소자와 동일한 발광 파장을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
이렇게 도 8 및 도 9에 따른 실험 결과를 통해 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기존에 적용되고 있는 백색 유기 발광 표시 장치를 대체할 수 있음을 확인할 수 있었다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치의 전면에 황색 발광층을 형성하고 황색 발광층의 적어도 일면에 청색 발광층을 추가로 형성하는 제조 공정을 통해 제조 공정을 단순화 할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (10)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 유기 발광 소자를 포함하며,
    상기 제1 유기 발광 소자는
    제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층,
    상기 정공층 위에 위치하는 황색 발광층,
    상기 황색 발광층 위에 위치하는 차단층,
    상기 차단층 위에 위치하는 청색 발광층,
    상기 청색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층,
    상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하며,
    상기 차단층은 상기 정공 수송층과 동일한 물질로 형성된 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 유기 발광 소자를 더 포함하며,
    상기 제2 유기 발광 소자는
    제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층,
    상기 정공층 위에 위치하는 황색 발광층,
    상기 황색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층,
    상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 정공 수송층 및 상기 차단층은 TAPC(1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane), TCTA(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)- N,N'-diphenyl Benzidine), CBP(4,4’-bis(9-carbazelyl)-biphenyl), PVK(poly(9-vinylcarbazole), TFB(poly[2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-co-(1,4-pheynylene[(4-sec-butylphenyl)imino]-1,4-phenylene)]), NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 복수의 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 유기 발광 소자를 포함하며,
    상기 제1 유기 발광 소자는
    제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층,
    상기 정공층 위에 위치하는 청색 발광층,
    상기 청색 발광층 위에 위치하는 차단층,
    상기 차단층 위에 위치하는 황색 발광층,
    상기 황색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층,
    상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하며,
    상기 차단층은 상기 전자 수송층과 동일한 물질로 형성된 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 유기 발광 소자를 더 포함하며,
    상기 제2 유기 발광 소자는
    제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하는 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하는 정공층,
    상기 정공층 위에 위치하는 황색 발광층,
    상기 황색 발광층 위에 위치하는 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 전자층,
    상기 전자층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 전자 수송층 및 상기 차단층은 TPBi(2,2’, 2″-(1,3,5-benxenetriyl)tris-[1-phenyl-1H-benzimidazole]), Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TmPyPB(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), 3TPYMB(Tris(2,4,6-triMethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane), B3PyPB(3,5,3'',5''-tetra-3-pyridyl-[1,1';3',1']terphenyl), B3PYMPM(4,6-Bis(3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl)-2-MethylpyriMidine), Bepp2,(Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-pyridine]beryllium), BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenantroline), Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 기판 위의 제1 화소 및 제2 화소에 제1 전극을 각각 형성하는 단계,
    상기 제1 전극 위에 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하는 단계,
    상기 정공 수송층 위에 황색 발광층을 형성하는 단계,
    제1 화소에 대응되는 영역이 개구된 마스크를 이용하여 상기 제1 화소에 차단층 및 청색 발광층을 순서대로 형성하는 단계,
    상기 제1 화소의 상기 청색 발광층 및 상기 제2 화소의 상기 황색 발광층 위에 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하는 단계, 및
    상기 전자 주입층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 차단층은 상기 정공 수송층과 동일한 물질로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 정공 수송층 및 상기 차단층은 TAPC(1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane), TCTA(tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine), NPB(N,N'-Di(1-naphthyl)- N,N'-diphenyl Benzidine), CBP(4,4’-bis(9-carbazelyl)-biphenyl), PVK(poly(9-vinylcarbazole), TFB(poly[2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-co-(1,4-pheynylene[(4-sec-butylphenyl)imino]-1,4-phenylene)]), NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  9. 기판 위의 제1 화소 및 제2 화소에 제1 전극을 각각 형성하는 단계,
    상기 제1 전극 위에 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성하는 단계,
    제1 화소에 대응되는 영역이 개구된 마스크를 이용하여 상기 제1 화소에 청색 발광층 및 차단층을 순서대로 형성하는 단계,
    상기 제1 화소의 상기 차단층 및 상기 제2 화소의 정공 수송층 위에 황색 발광층을 형성하는 단계,
    상기 황색 발광층 위에 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하는 단계, 및
    상기 전자 주입층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 차단층은 상기 전자 수송층과 동일한 물질로 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에서,
    상기 전자 수송층 및 상기 차단층은 TPBi(2,2’, 2″-(1,3,5-benxenetriyl)tris-[1-phenyl-1H-benzimidazole]), Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TmPyPB(1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), 3TPYMB(Tris(2,4,6-triMethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane), B3PyPB(3,5,3'',5''-tetra-3-pyridyl-[1,1';3',1']terphenyl), B3PYMPM(4,6-Bis(3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl)-2-MethylpyriMidine), Bepp2,(Bis[2-(2-hydroxyphenyl)-pyridine]beryllium), BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenantroline), Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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