WO2017183314A1 - BxNyCzOw FILM, METHOD FOR FORMING FILM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME - Google Patents

BxNyCzOw FILM, METHOD FOR FORMING FILM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME Download PDF

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阿部　浩二
利行 渡邊
裕康 関野
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Abstract

[Problem] To provide a BxNyCzOw film having a surface having a water contact angle of 50 ° or less. [Solution] One embodiment of the present invention is a BxNyCzOw film formed on a substrate, wherein x, y, z, and w in the BxNyCzOw film satisfy equations (1)-(5) below. (1) 0.4 < x < 0.6 (2) 0.4 < y < 0.6 (3) 0 ≤ z < 0.1 (4) 0 ≤ w < 0.1 (5) x + y + z + w = 1

Description

ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜、成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法BxNyCzOw film, film forming method, magnetic recording medium, and manufacturing method thereof
　本発明は、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜、成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a B x N y C z O w film, a film forming method, a magnetic recording medium, and a method for manufacturing the same.
　図６は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。
　まず、非磁性基板１０１の上に少なくとも磁性層１０２を形成した被成膜基板１００を用意し、この被成膜基板１００の上に膜厚３ｎｍのＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜１０３をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜する。次いで、このＤＬＣ膜１０３の上に厚さ１ｎｍのＣＮ膜１０４をスパッタリングにより成膜する。 FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing a magnetic recording medium.
First, a film formation substrate 100 in which at least a magnetic layer 102 is formed on a nonmagnetic substrate 101 is prepared, and a DLC (Diamond Like Carbon) film 103 having a thickness of 3 nm is formed on the film formation substrate 100 by plasma CVD ( Chemical vapor deposition) is used to form a film. Next, a CN film 104 having a thickness of 1 nm is formed on the DLC film 103 by sputtering.
　次いで、ＣＮ膜１０４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、ＣＮ膜１０４の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板１００を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、ＣＮ膜１０４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１０５が形成される。また、フッ化有機膜１０５の作製方法として蒸着法を用いることもあり、その場合の蒸着温度は１１０℃である。 Next, the fomblin oil is applied on the CN film 104 by dipping the CN film 104 into the fluorine-based fomblin oil. Next, the film formation substrate 100 is annealed at a temperature of 150 ° C. for 1 hour, whereby a 4 nm-thick fluorinated organic film 105 that functions as a solid lubricant is formed on the CN film 104. In addition, a vapor deposition method may be used as a method for forming the fluorinated organic film 105, and the vapor deposition temperature in that case is 110 ° C.
　上記の磁気記録媒体を使用する際にはフッ化有機膜１０５にメディアヘッド（図示せず）を接近させる必要があり、このメディアヘッドと磁性層１０２との距離をより短くすることが要求される。このため、ＤＬＣ膜１０３とＣＮ膜１０４とフッ化有機膜１０５の合計膜厚をより薄くすることが要求される。 When using the above magnetic recording medium, it is necessary to bring a media head (not shown) close to the fluorinated organic film 105, and it is required to shorten the distance between the media head and the magnetic layer 102. . For this reason, it is required to make the total film thickness of the DLC film 103, the CN film 104, and the fluorinated organic film 105 thinner.
　また、上記の磁気記録媒体においてＤＬＣ膜１０３をプラズマＣＶＤ法で成膜する理由は次のとおりである。
　ＤＬＣ膜をスパッタリングにより成膜し、その膜厚を８ｎｍ以下にすると、磁性層１０２からＣｏなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１０５に到達する（いわゆるコロージョン）という問題が発生する。そこで、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により成膜することで、スパッタリングに比べて高密度なＤＬＣ膜を成膜できるため、その膜厚を３ｎｍとしてもコロージョンを防ぐためのバリア性を十分に確保することができる。 The reason why the DLC film 103 is formed by the plasma CVD method in the above magnetic recording medium is as follows.
When the DLC film is formed by sputtering and the film thickness is 8 nm or less, impurities such as Co are dissolved from the magnetic layer 102 and reach the fluorinated organic film 105 (so-called corrosion). Therefore, by forming the DLC film by the plasma CVD method, it is possible to form a DLC film having a higher density than that of sputtering. Therefore, even when the film thickness is 3 nm, sufficient barrier properties to prevent corrosion are ensured. Can do.
　また、上記の磁気記録媒体においてＣＮ膜１０４を形成する理由は次のとおりである。
　ＤＬＣ膜１０３は水の接触角が８０°程度であるため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布するとＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性が悪い。このため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布することができない。そこで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との間に、水の接触角が３０°程度であるＣＮ膜１０４を形成することで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性を高めることができる。ただし、ＣＮ膜１０４はコロージョンを防ぐためのバリア性の機能を有していない。 The reason why the CN film 104 is formed in the magnetic recording medium is as follows.
Since the contact angle of water with the DLC film 103 is about 80 °, the adhesion between the DLC film 103 and the fluorinated organic film 105 is poor when the fluorinated organic film 105 is applied on the DLC film 103. For this reason, the fluorinated organic film 105 cannot be applied on the DLC film 103. Therefore, by forming a CN film 104 having a water contact angle of about 30 ° between the DLC film 103 and the fluorinated organic film 105, the adhesion between the DLC film 103 and the fluorinated organic film 105 is improved. be able to. However, the CN film 104 does not have a barrier function for preventing corrosion.
　本発明の一態様は、水の接触角が５０°以下の表面を有するＢｘＮｙＣｚＯｗ膜またはその成膜方法を提供することを課題とする。
　本発明の一態様は、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することを課題とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide a B x N y C z O w film having a surface with a contact angle of water of 50 ° or less or a film formation method thereof.
An object of one embodiment of the present invention is to provide a magnetic recording medium in which the thickness of a film between a magnetic layer and a fluorinated organic film is reduced, or a manufacturing method thereof.
　以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］基板上に成膜されたＢｘＮｙＣｚＯｗ膜であって、
　ｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とするＢｘＮｙＣｚＯｗ膜。
　（１）０．４＜ｘ＜０．６（好ましくは０．４２＜ｘ＜０．５８）
　（２）０．４＜ｙ＜０．６（好ましくは０．４２＜ｙ＜０．５８）
　（３）０≦ｚ＜０．１
　（４）０≦ｗ＜０．１
　（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１ Hereinafter, various aspects of the present invention will be described.
[1] A B x N y C z O w film formed on a substrate,
A B x N y C z O w film, wherein x, y, z, and w satisfy the following formulas (1) to (5).
(1) 0.4 <x <0.6 (preferably 0.42 <x <0.58)
(2) 0.4 <y <0.6 (preferably 0.42 <y <0.58)
(3) 0 ≦ z <0.1
(4) 0 ≦ w <0.1
(5) x + y + z + w = 1
　上記のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜では、式（１）～（５）を満たすことにより、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の表面の水の接触角を５０°以下（好ましくは、３０°以下、更に好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）とすることができる。 In the B x N y C z O w film, the water contact angle on the surface of the B x N y C z O w film is 50 ° or less (preferably, by satisfying the formulas (1) to (5)) 30 ° or less, more preferably 15 ° or less, and more preferably 5 ° or less.
［１－１］上記［１］において、
　前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜は水の接触角が５０°以下（好ましくは、３０°以下、更に好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）である表面を有することを特徴とするＢｘＮｙＣｚＯｗ膜。 [1-1] In the above [1],
The B x N y C z O w film has a surface with a water contact angle of 50 ° or less (preferably 30 ° or less, more preferably 15 ° or less, more preferably 5 ° or less). B x N y C z O w film.
［２］非磁性基板上に形成された磁性層と、
　前記磁性層上に形成された上記［１］または［１－１］に記載のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜と、
　前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜上に形成されたフッ化有機膜と、
を具備することを特徴とする磁気記録媒体。 [2] a magnetic layer formed on a nonmagnetic substrate;
The B x N y C z O w film according to the above [1] or [1-1] formed on the magnetic layer;
Said B x N y C z O w film fluorinated organic film formed on,
A magnetic recording medium comprising:
［３］上記［２］において、
　前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜と前記磁性層との間に形成されたＤＬＣ膜をさらに具備することを特徴とする磁気記録媒体。 [3] In the above [2],
A magnetic recording medium further comprising a DLC film formed between the B x N y C z O w film and the magnetic layer.
［４］上記［２］または［３］において、
　前記フッ化有機膜は、ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
　ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。 [4] In the above [2] or [3],
The fluorinated organic film includes a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b H d film, a C a F b O e film, a C a F b O e H d film, and a C a F b N c O e film and C a F b N c O e H d magnetic recording medium, which is a one of the membrane of the membrane.
However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
［５］上記［４］において、
　前記ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜それぞれはアモルファス膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
　ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。 [5] In the above [4],
C a F b film, C a F b N c film, C a F b H d film, C a F b O e film, C a F b O e H d film, C a F b N c O e film Each of the C a F b N c O e H d films is an amorphous film.
However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
［６］上記［４］または［５］において、
　前記いずれかの膜の厚さは３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 [6] In the above [4] or [5],
The thickness of any one of the films is 3 nm or less.
［７］被成膜基板上に、ボラジンを気化させたガス及び窒化剤を用いたＣＶＤ法によりＢｘＮｙＣｚＯｗ膜を成膜する方法であり、
　ｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とする成膜方法。
　（１）０．４＜ｘ＜０．６（好ましくは０．４２＜ｘ＜０．５８）
　（２）０．４＜ｙ＜０．６（好ましくは０．４２＜ｙ＜０．５８）
　（３）０≦ｚ＜０．１
　（４）０≦ｗ＜０．１
　（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１ [7] A method of forming a B x N y C z O w film on a deposition target substrate by a CVD method using a gas obtained by vaporizing borazine and a nitriding agent,
x, y, z, and w satisfy the following formulas (1) to (5).
(1) 0.4 <x <0.6 (preferably 0.42 <x <0.58)
(2) 0.4 <y <0.6 (preferably 0.42 <y <0.58)
(3) 0 ≦ z <0.1
(4) 0 ≦ w <0.1
(5) x + y + z + w = 1
［８］上記［７］において、
　前記窒化剤は、アンモニアまたは窒素であることを特徴とする成膜方法。 [8] In the above [7],
The film forming method, wherein the nitriding agent is ammonia or nitrogen.
［９］上記［７］または［８］に記載の成膜方法により成膜された前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
　前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 [9] A method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein a fluorinated organic film is formed on the B x N y C z O w film formed by the film forming method described in [7] or [8]. ,
The method for producing a magnetic recording medium, wherein the deposition target substrate is a nonmagnetic substrate having a magnetic layer formed thereon.
［１０］上記［９］において、
　前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜と前記磁性層との間にＤＬＣ膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 [10] In the above [9],
Manufacturing method of the B x N y C z O w film and magnetic recording medium and forming a DLC film between the magnetic layer.
［１１］上記［９］または［１０］において、
　前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたＣＶＤ法により形成されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であり、
　前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
　ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。 [11] In the above [9] or [10],
The fluorinated organic film includes a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b H d film, a C a F b O e film, a C a formed by a CVD method using a source gas. F b O e H d membrane is any membrane C a F b N c O e film and C a F b N c O e H d film,
The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the source gas includes an organic source gas containing carbon and fluorine.
However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
［１２］上記［１１］において、
　前記有機物原料ガスが３個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 [12] In the above [11],
The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the organic material gas contains three or more carbons.
［１３］上記［１１］または［１２］において、
　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有し、
　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂＮｃ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、
　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂＯｄ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有し、
　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂＮｃＯｄ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 [13] In the above [11] or [12],
When any one of the films is the C a F b film, the organic material gas is C 3 F 6 , C 4 F 6 , C 6 F 6 , C 6 F 12 , C 6 F 14 , C 7 F 8 , C 7 F 14 , C 7 F 16 , C 8 F 16 , C 8 F 18 , C 9 F 18 , C 9 F 20 , C 10 F 8 , C 10 F 18 , C 11 F 20 , C 12 F 10 , C 13 F 28 , C 15 F 32 , C 20 F 42 , and C 24 F 50 ,
When any one of the films is the C a F b N c film, the organic material gas is C 3 F 3 N 3 , C 3 F 9 N, C 5 F 5 N, C 6 F 4 N 2 , C 6 F 9 N 3, C 6 F 12 N 2, C 6 F 15 N, C 7 F 5 N, C 8 F 4 N 2, C 9 F 21 N, C 12 F 4 N 4, C 12 F 27 N, C 14 F 8 N 2 , C 15 F 33 N, C 24 F 45 N 3 , and triheptafluoropropylamine,
In the case where any of the films is the C a F b O d film, the organic material gas is C 3 F 6 O, C 4 F 6 O 3 , C 4 F 8 O, C 5 F 6 O 3 , C 6 F 4 O 2, C 6 F 10 O 3, C 8 F 4 O 3, C 8 F 8 O, C 8 F 8 O 2, C 8 F 14 O 3, C 13 F 10 O, C 13 F 10 O 3 and at least one of C 2 F 6 O (C 3 F 6 O) n (CF 2 O) m,
The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the organic material gas contains C 7 F 5 NO when any one of the films is the C a F b N c O d film.
［１４］上記［１１］乃至［１３］のいずれか一項において、
　前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 [14] In any one of [11] to [13] above,
A method for producing a magnetic recording medium, wherein perfluoroamines are used as the organic material gas.
［１５］上記［１１］乃至［１４］のいずれか一項において、
　前記原料ガスを用いたＣＶＤ法は、前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を＋１５０Ｖ～－１５０ＶとしたプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 [15] In any one of [11] to [14] above,
In the CVD method using the source gas, the B x N y C z O w film is held on a holding electrode, and the counter electrode facing the B x N y C z O w film held on the holding electrode is formed. A plasma CVD method in which a DC voltage or a DC voltage component when forming DC plasma or high-frequency plasma is + 150V to −150V when power is supplied to one of the holding electrode and the counter electrode to form DC plasma A method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein
　本発明の一態様によれば、水の接触角が５０°以下の表面を有するＢｘＮｙＣｚＯｗ膜またはその成膜方法を提供することができる。
　また、本発明の一態様によれば、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くした磁気記録媒体またはその製造方法を提供することができる。 According to one embodiment of the present invention, a B x N y C z O w film having a surface with a water contact angle of 50 ° or less or a film formation method thereof can be provided.
In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a magnetic recording medium in which the thickness of the film between the magnetic layer and the fluorinated organic film is reduced, or a manufacturing method thereof.
本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the magnetic-recording medium which concerns on 1 aspect of this invention. 図１に示すＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。The plasma CVD apparatus for forming the B x N y C z O w film 14 shown in FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing. 本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the magnetic-recording medium which concerns on 1 aspect of this invention. 本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the plasma CVD apparatus for forming the fluorinated organic film | membrane which concerns on 1 aspect of this invention. 実施例のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜をＸＰＳにより測定した結果を示す図である。The B x N y C z O w film of Example illustrates the results of measurement by XPS. 従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the conventional magnetic recording medium.
　以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it will be easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.
　（第１の実施形態）
　＜磁気記録媒体の製造方法＞
　図１は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。図２は、図１に示すＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。 (First embodiment)
<Method of manufacturing magnetic recording medium>
FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a magnetic recording medium according to one embodiment of the present invention. Figure 2 is a sectional view showing a plasma CVD apparatus for forming the B x N y C z O w film 14 shown in FIG. 1 schematically.
　まず、図１に示すように、非磁性基板１１の上に少なくとも磁性層１２を形成した被成膜基板２を用意する。なお、被成膜基板２は、例えばバードディスク基板、メディアヘッドなどである。 First, as shown in FIG. 1, a film formation substrate 2 in which at least a magnetic layer 12 is formed on a nonmagnetic substrate 11 is prepared. The deposition target substrate 2 is, for example, a bird disk substrate or a media head.
　次に、磁性層１２の上に膜厚２ｎｍ以下（好ましくは１．５ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以下、さらに好ましくは０．５ｎｍ）のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて成膜する。ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の表面の水の接触角は５０°以下（好ましくは３０°以下、より好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）となる。
　ｘ，ｙ，ｚ，ｗは、下記式（１）～（５）を満たし、好ましくは下記式（１'）～（２'）及び（３）～（５）を満たす。
　（１）０．４＜ｘ＜０．６
　（２）０．４＜ｙ＜０．６
　（３）０≦ｚ＜０．１
　（４）０≦ｗ＜０．１
　（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１
　（１'）０．４２＜ｘ＜０．５８
　（２'）０．４２＜ｙ＜０．５８ Next, a B x N y C z O w film 14 having a thickness of 2 nm or less (preferably 1.5 nm or less, more preferably 1 nm or less, and even more preferably 0.5 nm) on the magnetic layer 12 is shown in FIG. Film formation is performed using a plasma CVD apparatus. The contact angle of water on the surface of the B x N y C z O w film 14 is 50 ° or less (preferably 30 ° or less, more preferably 15 ° or less, more preferably 5 ° or less).
x, y, z, and w satisfy the following formulas (1) to (5), and preferably satisfy the following formulas (1 ′) to (2 ′) and (3) to (5).
(1) 0.4 <x <0.6
(2) 0.4 <y <0.6
(3) 0 ≦ z <0.1
(4) 0 ≦ w <0.1
(5) x + y + z + w = 1
(1 ′) 0.42 <x <0.58
(2 ′) 0.42 <y <0.58
　この後、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板１を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１５が形成される。なお、フッ化有機膜１５の作製方法として蒸着法を用いても良く、その場合の蒸着温度は１１０℃である。 Thereafter, the B x N y C z O w film 14 is dipped into the fluorine-based fomblin oil, so that the fomblin oil is applied on the B x N y C z O w film 14. Next, by annealing the deposition target substrate 1 at a temperature of 150 ° C. for 1 hour, a 4 nm-thick fluorinated organic film 15 functioning as a solid lubricant is formed on the B x N y C z O w film 14. It is formed. In addition, you may use a vapor deposition method as a preparation method of the fluorinated organic film 15, The vapor deposition temperature in that case is 110 degreeC.
　本実施形態によれば、上記の式（１）～（５）を満たすＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を成膜することにより、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の表面の水の接触角を５０°以下（好ましくは、３０°以下、更に好ましくは１５°以下、より好ましくは５°以下）とすることができる。このため、フッ化有機膜１５とＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜１５がＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４から剥離することを抑制できる。 According to the present embodiment, the water on the surface of the B x N y C z O w film 14 is formed by forming the B x N y C z O w film 14 satisfying the above formulas (1) to (5). The contact angle can be set to 50 ° or less (preferably 30 ° or less, more preferably 15 ° or less, more preferably 5 ° or less). For this reason, sufficient adhesion between the fluorinated organic film 15 and the B x N y C z O w film 14 can be secured, and the fluorinated organic film 15 is peeled off from the B x N y C z O w film 14. Can be suppressed.
　また、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４はほとんど水素を含有しないため、緻密な膜となり、磁性層１２から不純物が溶け出してフッ化有機膜１５に到達する（いわゆるコロージョン）を防ぐためのバリア性を持たせることができる。そのため、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間にＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を配置することにより、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。 Further, since the B x N y C z O w film 14 contains almost no hydrogen, the B x N y C z O w film 14 becomes a dense film to prevent impurities from dissolving out of the magnetic layer 12 and reaching the fluorinated organic film 15 (so-called corrosion). It can have a barrier property. Therefore, by arranging the B x N y C z O w film 14 between the magnetic layer 12 and the fluorinated organic film 15, the thickness of the film between the magnetic layer 12 and the fluorinated organic film 15 prior Can be thinner than the ones.
　また、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４はほとんど水素を含有しないため、耐熱性を向上させることができる。 Further, since the B x N y C z O w film 14 contains almost no hydrogen, the heat resistance can be improved.
　＜プラズマＣＶＤ装置＞
　図２に示すプラズマＣＶＤ装置について説明する。
　図２のプラズマＣＶＤ装置は被成膜基板（例えばディスク基板）１に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板１の両面に同時に成膜可能な装置である。 <Plasma CVD equipment>
The plasma CVD apparatus shown in FIG. 2 will be described.
The plasma CVD apparatus shown in FIG. 2 has a symmetrical structure with respect to the film formation substrate (for example, a disk substrate) 1 and can form films on both surfaces of the film formation substrate 1 simultaneously.
　プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２を有しており、このチャンバー１０２内には、例えばタンタルからなるフィラメント状の第１及び第２のカソード電極（第１及び第２のカソードフィラメント）１０３ａ，１０３ｂが形成されている。第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれの両端はチャンバー１０２の外部に位置する第１及び第２のカソード電源（第１及び第２の交流電源）１０５ａ，１０５ｂに電気的に接続されており、第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂはチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂとしては例えば０～５０Ｖ、１０～５０Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂの一端はアース１０６に電気的に接続されている。 The plasma CVD apparatus includes a chamber 102, and filament-shaped first and second cathode electrodes (first and second cathode filaments) 103a and 103b made of, for example, tantalum are formed in the chamber 102. ing. Both ends of each of the first and second cathode filaments 103a and 103b are electrically connected to first and second cathode power sources (first and second AC power sources) 105a and 105b located outside the chamber 102. The first and second cathode power supplies 105 a and 105 b are arranged in an insulated state with respect to the chamber 102. As the first and second cathode power supplies 105a and 105b, for example, power supplies of 0 to 50 V and 10 to 50 A (ampere) can be used. One ends of the first and second cathode power supplies 105 a and 105 b are electrically connected to the ground 106.
　チャンバー１０２内には、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれの周囲を囲むようにロート状の形状を有する第１及び第２のアノード電極（第１及び第２のアノードコーン）１０４ａ，１０４ｂが配置されており、第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれはスピーカーのような形状とされている。 In the chamber 102, first and second anode electrodes (first and second anode cones) 104a having funnel-like shapes so as to surround the first and second cathode filaments 103a and 103b, respectively. 104b is disposed, and each of the first and second anode cones 104a and 104b is shaped like a speaker.
　第１のアノードコーン１０４ａは第１のアノード電源（第１のＤＣ（直流）電源）１０７ａのプラス電位側に電気的に接続されており、第１のＤＣ電源１０７ａはチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。第１のＤＣ電源１０７ａのマイナス電位側はアース１０６に電気的に接続されている。 The first anode cone 104 a is electrically connected to the positive potential side of the first anode power source (first DC (direct current) power source) 107 a, and the first DC power source 107 a is insulated from the chamber 102. It is arranged in the state. The negative potential side of the first DC power source 107 a is electrically connected to the ground 106.
　第２のアノードコーン１０４ｂは第２のアノード電源（第２のＤＣ（直流）電源）１０７ｂのプラス電位側に電気的に接続されており、第２のＤＣ電源１０７ｂはチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。第２のＤＣ電源１０７ｂのマイナス電位側はアース１０６に電気的に接続されている。 The second anode cone 104 b is electrically connected to the positive potential side of the second anode power source (second DC (direct current) power source) 107 b, and the second DC power source 107 b is insulated from the chamber 102. It is arranged in the state. The negative potential side of the second DC power source 107 b is electrically connected to the ground 106.
　第１及び第２のＤＣ電源１０７ａ，１０７ｂとしては例えば０～５００Ｖ、０～７．５Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。 As the first and second DC power sources 107a and 107b, for example, power sources of 0 to 500 V and 0 to 7.5 A (ampere) can be used.
　チャンバー１０２内には被成膜基板１が配置されており、この被成膜基板１は第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂ及び第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂに対向するように配置されている。詳細には、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂは第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂの内周面の中央部付近で包囲されており、第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂは、その最大内径側を被成膜基板１に向けて配置されている。 A deposition target substrate 1 is disposed in the chamber 102, and this deposition target substrate 1 is opposed to the first and second cathode filaments 103a and 103b and the first and second anode cones 104a and 104b. Is arranged. Specifically, the first and second cathode filaments 103a and 103b are surrounded near the center of the inner peripheral surface of the first and second anode cones 104a and 104b, and the first and second anode cones 104a are surrounded. , 104b are arranged with the maximum inner diameter side facing the film formation substrate 1.
　被成膜基板１は、図示しないホルダー（保持部）および図示しないトランスファー装置（ハンドリングロボットあるいはロータリインデックスデーブル）により、図示の位置に、順次供給されるようになっている。 The deposition target substrate 1 is sequentially supplied to the positions shown by a holder (holding unit) not shown and a transfer device (handling robot or rotary index table) not shown.
　被成膜基板１はイオン加速用電源としてのバイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）１１２に電気的に接続されており、このＤＣ電源１１２はチャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。このＤＣ電源１１２のマイナス電位側が被成膜基板１に電気的に接続されており、ＤＣ電源１１２のプラス電位側がアース１０６に電気的に接続されている。ＤＣ電源１１２としては例えば０～１５００Ｖ、０～１００ｍＡ（ミリアンペア）の電源を用いることができる。 The deposition target substrate 1 is electrically connected to a bias power source (DC power source, DC power source) 112 as a power source for accelerating ions, and the DC power source 112 is arranged in an insulated state with respect to the chamber 102. . The negative potential side of the DC power source 112 is electrically connected to the deposition target substrate 1, and the positive potential side of the DC power source 112 is electrically connected to the ground 106. As the DC power source 112, for example, a power source of 0 to 1500 V and 0 to 100 mA (milliampere) can be used.
　チャンバー１０２内には、第１のカソードフィラメント１０３ａ及び第１のアノードコーン１０４ａそれぞれと被成膜基板１との間の空間を覆うように第１のプラズマウォール１０８ａが配置され、且つ第２のカソードフィラメント１０３ｂ及び第２のアノードコーン１０４ｂそれぞれと被成膜基板１との間の空間を覆うように第２のプラズマウォール１０８ｂが配置されている。 A first plasma wall 108 a is disposed in the chamber 102 so as to cover the space between the first cathode filament 103 a and the first anode cone 104 a and the deposition target substrate 1, and the second cathode A second plasma wall 108b is disposed so as to cover the space between each of the filament 103b and the second anode cone 104b and the deposition target substrate 1.
　第１及び第２のプラズマウォール１０８ａ，１０８ｂそれぞれは、フロート電位（図示せず）に電気的に接続されており、チャンバー１０２に対して絶縁された状態で配置されている。また、第１及び第２のプラズマウォール１０８ａ，１０８ｂは円筒形状又は多角形状を有している。 Each of the first and second plasma walls 108 a and 108 b is electrically connected to a float potential (not shown), and is disposed in an insulated state with respect to the chamber 102. The first and second plasma walls 108a and 108b have a cylindrical shape or a polygonal shape.
　第１及び第２のプラズマウォール１０８ａ，１０８ｂそれぞれの被成膜基板１側の端部には膜厚補正板１１８ａ，１１８ｂが設けられており、膜厚補正板１１８ａ，１１８ｂは前記フロート電位に電気的に接続されている。膜厚補正板１１８ａ，１１８ｂにより被成膜基板１の外周部分に成膜される膜の厚さを制御することができる。 Film thickness correction plates 118a and 118b are provided at the ends of the first and second plasma walls 108a and 108b on the film formation substrate 1 side, and the film thickness correction plates 118a and 118b are electrically connected to the float potential. Connected. The thickness of the film formed on the outer peripheral portion of the deposition target substrate 1 can be controlled by the film thickness correction plates 118a and 118b.
　チャンバー１０２の外側には第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂが配置されている。第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂは例えば円筒形状又は多角形状を有しており、円筒形又は多角形の内径の中心は磁石中心となり、この磁石中心は第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂの略中心及び被成膜基板１の略中心それぞれと対向するように位置している。第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂそれぞれは、その磁石中心の磁力が５０Ｇ（ガウス）以上２００Ｇ以下であることが好ましく、より好ましくは５０Ｇ以上１５０Ｇ以下である。磁石中心の磁力を２００Ｇ以下とする理由は、ネオジウム磁石では磁石中心の磁力を２００Ｇまで高めるのが製造上の限界であるからである。また、磁石中心の磁力を１５０Ｇ以下とするのがより好ましい理由は、磁石中心の磁力を１５０Ｇ超とすると磁石を作るコストが増大するからである。 First and second neodymium magnets 109a and 109b are disposed outside the chamber 102. The first and second neodymium magnets 109a and 109b have, for example, a cylindrical shape or a polygonal shape, and the center of the cylindrical or polygonal inner diameter is the magnet center, and the magnet center is the first and second cathode filaments. They are positioned so as to face the approximate centers of 103a and 103b and the approximate center of the deposition target substrate 1, respectively. Each of the first and second neodymium magnets 109a and 109b preferably has a magnetic force of 50G (Gauss) or more and 200G or less, more preferably 50G or more and 150G or less. The reason why the magnetic force at the magnet center is set to 200 G or less is that in the case of a neodymium magnet, it is a manufacturing limit to increase the magnetic force at the magnet center to 200 G. The reason why the magnetic force at the center of the magnet is preferably 150 G or less is that if the magnetic force at the center of the magnet exceeds 150 G, the cost of making the magnet increases.
　また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２内を真空排気する真空排気機構（図示せず）を有している。また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー１０２内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構（図示せず）を有している。このガス供給機構は、ボラジンを気化させたガスを供給するボラジン供給源及び窒化剤供給源を有する。ボラジン供給源より供給されるガスは、マスフローコントローラによって流量調整されてチャンバー１０２内に供給されるようになっている。窒化剤供給源により供給される窒化剤のガスは、マスフローコントローラによって流量調整されてチャンバー１０２内に供給されるようになっている。窒化剤としては、アンモニアまたは窒素を用いることが好ましい。 Further, the plasma CVD apparatus has an evacuation mechanism (not shown) for evacuating the chamber 102. In addition, the plasma CVD apparatus has a gas supply mechanism (not shown) for supplying a film forming material gas into the chamber 102. This gas supply mechanism has a borazine supply source and a nitriding agent supply source for supplying a gas obtained by vaporizing borazine. The gas supplied from the borazine supply source is adjusted in flow rate by the mass flow controller and supplied into the chamber 102. The flow rate of the nitriding agent gas supplied from the nitriding agent supply source is adjusted by a mass flow controller and supplied into the chamber 102. As the nitriding agent, it is preferable to use ammonia or nitrogen.
　＜成膜方法＞
　図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて被成膜基板１上にＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を成膜する方法について説明する。被成膜基板１には非磁性基板上に少なくとも磁性層が形成されている。 <Film formation method>
A method for forming the B x N y C z O w film 14 on the deposition target substrate 1 using the plasma CVD apparatus shown in FIG. 2 will be described. The deposition target substrate 1 has at least a magnetic layer formed on a nonmagnetic substrate.
　まず、被成膜基板１を保持部に保持させる。次いで、真空排気機構を起動させ、チャンバー１０２の内部を所定の真空状態とし、チャンバー１０２の内部にガス供給機構によってボラジン（Ｂ３Ｈ６Ｎ３）を気化したガス及び窒化剤である窒素ガスを導入する。チャンバー１０２内が所定の圧力になった後、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれに第１及び第２のカソード電源１０５ａ，１０５ｂによって交流電流を供給することにより第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂが加熱される。 First, the deposition target substrate 1 is held by a holding unit. Next, the evacuation mechanism is activated, the inside of the chamber 102 is brought into a predetermined vacuum state, and a gas obtained by vaporizing borazine (B 3 H 6 N 3 ) by the gas supply mechanism inside the chamber 102 and nitrogen gas as a nitriding agent are supplied. Introduce. After the chamber 102 reaches a predetermined pressure, the first and second cathode power sources 105a and 105b supply alternating currents to the first and second cathode filaments 103a and 103b, respectively. The cathode filaments 103a and 103b are heated.
　また、被成膜基板１にＤＣ電源１１２によって直流電流を供給する。また、第１及び第２のＤＣ電源１０７ａ，１０７ｂそれぞれから第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれに直流電流を供給する。 Further, a direct current is supplied to the film formation substrate 1 by a DC power source 112. Further, a direct current is supplied from the first and second DC power sources 107a and 107b to the first and second anode cones 104a and 104b, respectively.
　第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂの加熱によって、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれから第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれに向けて多量の電子が放出され、第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれと第１及び第２のアノードコーン１０４ａ，１０４ｂそれぞれとの間でグロー放電が開始される。多量の電子によってチャンバー１０２の内部のボラジンガス及び窒素ガスがイオン化され、プラズマ状態とされる。この際、第１及び第２のネオジウム磁石１０９ａ，１０９ｂそれぞれによって第１及び第２のカソードフィラメント１０３ａ，１０３ｂそれぞれの近傍に位置するボラジンガス及び窒素ガスをプラズマ化する領域に磁場が発生されているので、この磁場によってプラズマを高密度化することができ、イオン化効率を向上させることができる。そして、プラズマ状態の成膜原料分子は、被成膜基板１のマイナス電位によって直接に加速されて、被成膜基板１の方向に向かって飛走して、被成膜基板１の表面に付着される。これにより、被成膜基板１にはＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４が形成される。 By heating the first and second cathode filaments 103a and 103b, a large amount of electrons are emitted from the first and second cathode filaments 103a and 103b toward the first and second anode cones 104a and 104b, respectively. Glow discharge is started between each of the first and second cathode filaments 103a and 103b and each of the first and second anode cones 104a and 104b. The borazine gas and nitrogen gas inside the chamber 102 are ionized by a large amount of electrons to be in a plasma state. At this time, a magnetic field is generated by the first and second neodymium magnets 109a and 109b in the regions where the borazine gas and the nitrogen gas are converted into plasma in the vicinity of the first and second cathode filaments 103a and 103b, respectively. The plasma can be densified by this magnetic field, and ionization efficiency can be improved. The deposition raw material molecules in the plasma state are directly accelerated by the negative potential of the deposition target substrate 1, fly toward the deposition target substrate 1, and adhere to the surface of the deposition target substrate 1. Is done. Thereby, the B x N y C z O w film 14 is formed on the deposition target substrate 1.
　このＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４は、前述したように大部分がＢとＮであり、少量のＣとＯを含む。少量のＣとＯを含む理由は、原料ガスにはＣとＯが含まれていないが、チャンバー１０２の内部を真空排気してもチャンバー１０２内にＣとＯが少し残るためである。 The B x N y C z O w film 14 is mostly B and N as described above, and contains a small amount of C and O. The reason for containing a small amount of C and O is that although the source gas does not contain C and O, a little C and O remain in the chamber 102 even if the inside of the chamber 102 is evacuated.
　なお、本実施形態では、非磁性基板１１の上に少なくとも磁性層１２を形成した被成膜基板１を用意し、この被成膜基板１の上に成膜したＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を形成しているが、これに限定されず、他の基板上にＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を形成してもよい。この場合の他の基板は、種々の基板を用いることが可能であり、例えば電子デバイスを用いても良い。 In this embodiment, a film formation substrate 1 having at least a magnetic layer 12 formed on a nonmagnetic substrate 11 is prepared, and B x N y C z O w formed on the film formation substrate 1 is prepared. While forming a film 14 is not limited thereto and may be formed B x N y C z O w film 14 on another substrate. Various substrates can be used as the other substrate in this case, and for example, an electronic device may be used.
　また、本実施形態では、図２に示すプラズマＣＶＤ装置を用いてＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を成膜しているが、他のＣＶＤ装置を用いてもよい。 In the present embodiment, the B x N y C z O w film 14 is formed using the plasma CVD apparatus shown in FIG. 2, but other CVD apparatuses may be used.
　（第２の実施形態）
　＜磁気記録媒体の製造方法＞
　図３は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。 (Second Embodiment)
<Method of manufacturing magnetic recording medium>
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a magnetic recording medium according to an aspect of the present invention. The same reference numerals are given to the same parts as those in FIG. 1, and only different parts will be described.
　磁性層１２とＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４との間にＤＬＣ膜を形成する点以外は第１の実施形態と同様である。詳細には、被成膜基板１の上に膜厚１ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ）のＤＬＣ膜１３をＣＶＤ法により成膜する。次に、ＤＬＣ膜１３の上にＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を成膜する工程以降は第１の実施形態と同様である。 The second embodiment is the same as the first embodiment except that a DLC film is formed between the magnetic layer 12 and the B x N y C z O w film 14. Specifically, a DLC film 13 having a thickness of 1 nm (preferably 0.5 nm) is formed on the deposition target substrate 1 by a CVD method. Next, the steps after forming the B x N y C z O w film 14 on the DLC film 13 are the same as those in the first embodiment.
　本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
　また、本実施形態では、水素を含有せず高密度なＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４に、磁性層１２からＣｒなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１５に到達する（いわゆるコロージョン）のを防ぐためのバリア性を持たせることができるため、従来はＤＬＣ膜１３だけに持たせていたバリア性をＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４にも持たせることにより、ＤＬＣ膜１３を薄くしてもコロージョンを防ぐことが可能になる。その結果、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。なお、本実施形態では、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の膜厚を１ｎｍ（好ましくは０．５ｎｍ）とするとよい。 In this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
In the present embodiment, impurities such as Cr are dissolved from the magnetic layer 12 into the high-density B x N y C z O w film 14 that does not contain hydrogen and reach the fluorinated organic film 15 (so-called corrosion). Therefore, the B x N y C z O w film 14 also has the barrier property that was conventionally given only to the DLC film 13, so that the DLC film 13 Corrosion can be prevented even if the thickness is reduced. As a result, the thickness of the film between the magnetic layer 12 and the fluorinated organic film 15 can be made thinner than the conventional one. In the present embodiment, the film thickness of the B x N y C z O w film 14 may be 1 nm (preferably 0.5 nm).
　（第３の実施形態）
　本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法では、図１に示す磁性層１２上にＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４を形成するまでの工程は第１の実施形態と同様であるので説明を省略し、図４に示すプラズマＣＶＤ装置を用いてＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の上にフッ化有機膜１５を形成する工程から説明する。なお、本実施形態は、フッ化有機膜１５を形成する工程以外については第１の実施形態と同様である。 (Third embodiment)
In the method for manufacturing the magnetic recording medium according to the present embodiment, the steps until the B x N y C z O w film 14 is formed on the magnetic layer 12 shown in FIG. 1 are the same as those in the first embodiment. omitted, illustrating the step of forming a fluorinated organic film 15 on the B x N y C z O w film 14 by using the plasma CVD apparatus shown in FIG. This embodiment is the same as the first embodiment except for the step of forming the fluorinated organic film 15.
　図４は、本発明の一態様に係るフッ化有機膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。
　プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２を有しており、チャンバー２内の下方には被成膜基板１を保持する保持電極４が配置されている。 FIG. 4 is a cross-sectional view schematically illustrating a plasma CVD apparatus for forming a fluorinated organic film according to one embodiment of the present invention.
The plasma CVD apparatus has a chamber 2, and a holding electrode 4 that holds the deposition target substrate 1 is disposed below the chamber 2.
　保持電極４は例えば周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源６に電気的に接続されており、保持電極４はＲＦ印加電極としても作用する。保持電極４の周囲及び下部はアースシールド５によってシールドされている。なお、本実施形態では、高周波電源６を用いているが、他の電源、例えば直流電源又はマイクロ波電源を用いても良い。 The holding electrode 4 is electrically connected to a high frequency power source 6 having a frequency of 13.56 MHz, for example, and the holding electrode 4 also functions as an RF application electrode. The periphery and the lower part of the holding electrode 4 are shielded by an earth shield 5. In the present embodiment, the high frequency power source 6 is used, but another power source, for example, a DC power source or a microwave power source may be used.
　チャンバー２内の上方には、保持電極４に対向して平行の位置にガスシャワー電極（対向電極）７が配置されている。これらは一対の平行平板型電極である。ガスシャワー電極は接地電位に接続されている。なお、本実施形態では、保持電極４に電源を接続し、ガスシャワー電極に接地電位を接続しているが、保持電極４に接地電位を接続し、ガスシャワー電極に電源を接続しても良い。 In the upper part of the chamber 2, a gas shower electrode (counter electrode) 7 is disposed in a parallel position facing the holding electrode 4. These are a pair of parallel plate electrodes. The gas shower electrode is connected to the ground potential. In this embodiment, a power source is connected to the holding electrode 4 and a ground potential is connected to the gas shower electrode. However, a ground potential may be connected to the holding electrode 4 and a power source may be connected to the gas shower electrode. .
　ガスシャワー電極７の下面には、被成膜基板１のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４が形成された側（ガスシャワー電極７と保持電極４との間の空間）にシャワー状の原料ガスを供給する複数の供給口（図示せず）が形成されている。原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることができる。この有機物原料ガスは３個以上の炭素を含むことが好ましい。 On the lower surface of the gas shower electrode 7, a shower-like raw material is formed on the side where the B x N y C z O w film 14 of the deposition target substrate 1 is formed (the space between the gas shower electrode 7 and the holding electrode 4). A plurality of supply ports (not shown) for supplying gas are formed. As the source gas, one having an organic source gas containing carbon and fluorine can be used. This organic source gas preferably contains three or more carbons.
　ガスシャワー電極７の内部にはガス導入経路（図示せず）が設けられている。このガス導入経路の一方側は上記供給口に繋げられており、ガス導入経路の他方側は原料ガスの供給機構３に接続されている。また、チャンバー２には、チャンバー２の内部を真空排気する排気口が設けられている。この排気口は排気ポンプ（図示せず）に接続されている。 A gas introduction path (not shown) is provided inside the gas shower electrode 7. One side of the gas introduction path is connected to the supply port, and the other side of the gas introduction path is connected to the source gas supply mechanism 3. The chamber 2 is provided with an exhaust port for evacuating the inside of the chamber 2. This exhaust port is connected to an exhaust pump (not shown).
　また、プラズマＣＶＤ装置は、高周波電源６、原料ガスの供給機構３、排気ポンプなどを制御する制御部（図示せず）を有しており、この制御部は後述するＣＶＤ成膜処理を行うようにプラズマＣＶＤ装置を制御するものである。 Further, the plasma CVD apparatus has a control unit (not shown) for controlling the high-frequency power source 6, the source gas supply mechanism 3, the exhaust pump, and the like, and this control unit performs a CVD film forming process to be described later. It controls the plasma CVD apparatus.
　次に、図４に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて図１に示すＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の上にフッ化有機膜１５を形成する工程について説明する。 Next, a step of forming fluorinated organic film 15 on the B x N y C z O w film 14 shown in FIG. 1 will be described with reference to a plasma CVD apparatus shown in FIG.
　本実施形態では、フッ化有機膜１５としてＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＯｄ膜及びＣａＦｂＮｃＯｄ膜のいずれかの膜を用いる。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。 In this embodiment, any one of a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b O d film, and a C a F b N c O d film is used as the fluorinated organic film 15. However, a, b, c, and d are natural numbers.
　以下にＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＯｄ膜及びＣａＦｂＮｃＯｄ膜のいずれかの膜の成膜について詳細に説明する。
　被成膜基板１を図４に示すチャンバー２内に挿入し、このチャンバー２内の保持電極４上に被成膜基板１を保持する。 Hereinafter, the film formation of any one of the C a F b film, the C a F b N c film, the C a F b O d film, and the C a F b N c O d film will be described in detail.
The deposition target substrate 1 is inserted into the chamber 2 shown in FIG. 4, and the deposition target substrate 1 is held on the holding electrode 4 in the chamber 2.
　次に、排気ポンプによってチャンバー２内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極７の供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー２内に導入して被成膜基板１の表面に供給する。この供給された原料ガスは、保持電極４とアースシールド５との間を通ってチャンバー２の外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー２内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源６により例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板１のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の上にＣａＦｂ膜１５を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が０．０１Ｐａ～大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が＋１５０Ｖ～－１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ～－５０Ｖ）である条件で行うことが好ましい。このように直流電圧成分を低く抑えることにより、フッ化有機膜１５より下層の膜へのプラズマダメージを抑制することができる。 Next, the inside of the chamber 2 is evacuated by an exhaust pump. Next, a shower-like source gas is introduced into the chamber 2 from the supply port of the gas shower electrode 7 and supplied to the surface of the deposition target substrate 1. The supplied source gas passes between the holding electrode 4 and the earth shield 5 and is exhausted to the outside of the chamber 2 by an exhaust pump. Then, by controlling the supply pressure of the source gas and the exhaust gas to a predetermined pressure and a source gas flow rate, the inside of the chamber 2 is made a source gas atmosphere, and a high frequency (RF) of 13.56 MHz, for example, is applied by the high frequency power source 6. Then, a C a F b film 15 is formed on the B x N y C z O w film 14 of the deposition target substrate 1 by generating plasma. The film forming conditions are such that the pressure is 0.01 Pa to atmospheric pressure, the processing temperature is room temperature, and the DC voltage component when forming the high frequency plasma is +150 V to −150 V (more preferably +50 V to −50 V). It is preferable to carry out with. By suppressing the DC voltage component in this way, plasma damage to the film below the fluorinated organic film 15 can be suppressed.
　なお、本実施形態では、保持電極４に高周波電力を供給し、ガスシャワー電極７にアースを供給しているが、ガスシャワー電極７に高周波電力を供給し、保持電極４にアースを供給してもよい。 In this embodiment, high-frequency power is supplied to the holding electrode 4 and ground is supplied to the gas shower electrode 7. However, high-frequency power is supplied to the gas shower electrode 7 and ground is supplied to the holding electrode 4. Also good.
　次いで、高周波電源６からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極７の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。 Next, the power supply from the high frequency power source 6 is stopped, the supply of the source gas from the supply port of the gas shower electrode 7 is stopped, and the film forming process is completed.
　上記の原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることが好ましい。 It is preferable to use a material having an organic material gas containing carbon and fluorine as the material gas.
　有機物原料ガスの具体例は、以下のとおりである。
　膜１５としてＣａＦｂ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有するものである。 Specific examples of the organic material gas are as follows.
The organic raw material gas for forming a C a F b film as the film 15 is C 3 F 6 , C 4 F 6 , C 6 F 6 , C 6 F 12 , C 6 F 14 , C 7 F 8 , C 7 F 14, C 7 F 16 , C 8 F 16, C 8 F 18, C 9 F 18, C 9 F 20, C 10 F 8, C 10 F 18, C 11 F 20, C 12 F 10, C It has at least one of 13 F 28 , C 15 F 32 , C 20 F 42 , and C 24 F 50 .
　また、膜１５としてＣａＦｂ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、パーフルオロアミン類のトリヘプタフルオロプロピルアミン（第３級アミン類）を用いてもよい。 In addition, as the organic material gas in forming a C a F b film as the film 15, triheptafluoropropylamine (tertiary amine) of perfluoroamines may be used.
　膜１５としてＣａＦｂＮｃ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有するものである。 The organic material gas used when forming a C a F b N c film as the film 15 is C 3 F 3 N 3 , C 3 F 9 N, C 5 F 5 N, C 6 F 4 N 2 , C 6 F 9 N 3 , C 6 F 12 N 2 , C 6 F 15 N, C 7 F 5 N, C 8 F 4 N 2 , C 9 F 21 N, C 12 F 4 N 4 , C 12 F 27 N, C It has at least one of 14 F 8 N 2 , C 15 F 33 N, C 24 F 45 N 3 , and triheptafluoropropylamine.
　膜１５としてＣａＦｂＯｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有するものである。 The organic raw material gas when forming a C a F b O d film as the film 15 is C 3 F 6 O, C 4 F 6 O 3 , C 4 F 8 O, C 5 F 6 O 3 , C 6 F 4 O 2 , C 6 F 10 O 3 , C 8 F 4 O 3 , C 8 F 8 O, C 8 F 8 O 2 , C 8 F 14 O 3 , C 13 F 10 O, C 13 F 10 O 3 , And C 2 F 6 O (C 3 F 6 O) n (CF 2 O) m.
　膜１５としてＣａＦｂＮｃＯｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有するものである。 The organic source gas in the case where a C a F b N c O d film is formed as the film 15 has C 7 F 5 NO.
　なお、本実施形態では、高周波電源６を用いているが、直流電源またはマイクロ波電源を用いても良い。このように直流電源を用いることで直流プラズマを形成する際の直流電圧は、＋１５０Ｖ～－１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ～－５０Ｖ）であることが好ましい。 In this embodiment, the high frequency power supply 6 is used, but a DC power supply or a microwave power supply may be used. In this way, the DC voltage at the time of forming DC plasma by using a DC power source is preferably +150 V to −150 V (more preferably +50 V to −50 V).
　このようにして被成膜基板１のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜１４の上に成膜されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜１５は、その膜厚が３ｎｍ以下（より好ましくは１ｎｍ以下）であり、水の接触角が大きく撥水性であり、固体潤滑剤として機能する。この膜１５はアモルファス膜であることが好ましい。また、膜１５のヤング率は０．１～３０ＧＰａであることが好ましい。 The C a F b film, the C a F b N c film, the C a F b H d film, and the C film formed on the B x N y C z O w film 14 of the deposition target substrate 1 in this way. a F b O e film, C a F b O e H d film, C a F b N c O e film and C a F b N c O e H d either film 15 of the film is the film thickness It is 3 nm or less (more preferably 1 nm or less), has a large water contact angle and water repellency, and functions as a solid lubricant. This film 15 is preferably an amorphous film. The Young's modulus of the film 15 is preferably 0.1 to 30 GPa.
　なお、上記第１乃至第３の実施形態を互いに組み合わせて実施することも可能である。 It should be noted that the first to third embodiments can be combined with each other.
　下記の成膜条件により基板上にＢｘＮｙＣｚＯｗ膜を成膜し、このＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の構成元素をＸＰＳ (X-ray Photoelectron Spectroscopy)（ａｔ％）により測定した。その測定結果を図５に示す。 A B x N y C z O w film was formed on the substrate under the following film forming conditions, and the constituent elements of this B x N y C z O w film were measured by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) (at%). It was measured. The measurement results are shown in FIG.
（ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の成膜条件）
　基板　：　磁性層／ガラスディスク（ガラス製ディスク表面に磁性層がスパッタされた基板）
　基板温度　：　４００℃
　成膜装置　：　図２に示すプラズマＣＶＤ装置
　原料ガス　：　ボラジン＋窒素
　ボラジンガス流量　：　２．０ｓｃｃｍ（トルエン用マスフローを使用）
　窒素ガス流量　：　６．０ｓｃｃｍ
　圧力　：　０．２Ｐａ
　ホットカソード１０３ａ，１０３ｂ　：　タンタルフィラメント
　交流電源１０５ａ，１０５ｂの出力　：　１８０Ｗ
　ＤＣ電源１０７ａ，１０７ｂの電流　：　１６５０ｍＡ
　ＤＣ電源１１２の電圧　：　２５０Ｖ
　外部磁場　：　５０Ｇ
　成膜時間　：　９９．９ｓｅｃ (B x N y C z O w film deposition conditions)
Substrate: Magnetic layer / glass disk (substrate with magnetic layer sputtered on glass disk surface)
Substrate temperature: 400 ° C
Film forming apparatus: Plasma CVD apparatus shown in FIG. 2 Raw material gas: Borazine + Nitrogen Borazine gas flow rate: 2.0 sccm (using mass flow for toluene)
Nitrogen gas flow rate: 6.0 sccm
Pressure: 0.2Pa
Hot cathodes 103a and 103b: Tantalum filaments Outputs of AC power supplies 105a and 105b: 180W
Current of DC power supplies 107a and 107b: 1650 mA
Voltage of the DC power source 112: 250V
External magnetic field: 50G
Deposition time: 99.9 sec
（ＸＰＳ測定）
　装置　：　ＵＬＶＡＣ　Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ
　　　　　　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｘ－ｒａｙ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ
　加速電圧　：　３ｋＶ
　エミッション電流　：　２０μＡ (XPS measurement)
Equipment: ULVAC Quantera SXM
Scanning X-ray Microscopy
Acceleration voltage: 3 kV
Emission current: 20μA
　図５に示すように、本実施例のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜にはＢが４２．３％、Ｎが４２．７％、Ｃが５．２％、Ｏが９．８％含まれていた。従って、本実施例のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜は、第１の実施形態におけるＢｘＮｙＣｚＯｗ膜のｘ，ｙ，ｚ，ｗの範囲に入っている。 As shown in FIG. 5, the B x N y C z O w film of this example contains 42.3% B, 42.7% N, 5.2% C, and 9.8% O. It was. Thus, B x N y C z O w film of this embodiment, B x N y C z O w film of x of the first embodiment, y, z, it is in the range of w.
　次に、本実施例のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の水の接触角を以下の方法で測定した。
（水の接触角の測定）
　装置　：　協和界面株式会社製接触角計ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ３００
　測定方法　：　液滴法
　解析方法　：　θ／２法
　液量　：　１μｌ Next, the water contact angle of the B x N y C z O w film of this example was measured by the following method.
(Measurement of water contact angle)
Apparatus: Contact angle meter DropMaster300 manufactured by Kyowa Interface Co., Ltd.
Measurement method: Droplet method Analysis method: θ / 2 method Liquid volume: 1 μl
　上記の測定結果によれば、ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜の水の接触角は１．５°であった。従って、フッ化有機膜とＢｘＮｙＣｚＯｗ膜との密着力を十分に確保できることが確認された。 According to the above measurement results, the water contact angle of the B x N y C z O w film was 1.5 °. Therefore, it was confirmed that sufficient adhesion between the fluorinated organic film and the B x N y C z O w film can be secured.
　１，１００…被成膜基板
　２…チャンバー
　３…原料ガスの供給機構
　４…保持電極
　５…アースシールド
　６…高周波電源
　７…ガスシャワー電極（対向電極）
　１１，１０１…非磁性基板
　１２，１０２…磁性層
　１３，１０３…ＤＬＣ膜
　１４…ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜
　１５…フッ化有機膜、ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜
１０２　　チャンバー
１０３ａ　第１のカソード電極（第１のカソードフィラメント）
１０３ｂ　第２のカソード電極（第２のカソードフィラメント）
１０４…ＣＮ膜
１０４ａ　第１のアノード電極（第１のアノードコーン）
１０４ｂ　第２のアノード電極（第２のアノードコーン）
１０５…フッ化有機膜
１０５ａ　第１のカソード電源（第１の交流電源）
１０５ｂ　第２のカソード電源（第２の交流電源）
１０６　　アース電源
１０７ａ　第１のアノード電源（第１のＤＣ（直流）電源）
１０７ｂ　第２のアノード電源（第２のＤＣ（直流）電源）
１０８ａ　第１のプラズマウォール
１０８ｂ　第２のプラズマウォール
１０９ａ　第１のネオジウム磁石
１０９ｂ　第２のネオジウム磁石
１１２　　バイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）
１１８ａ，１１８ｂ　膜厚補正板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 ... Film-forming substrate 2 ... Chamber 3 ... Source gas supply mechanism 4 ... Holding electrode 5 ... Earth shield 6 ... High frequency power supply 7 ... Gas shower electrode (counter electrode)
11 and 101 ... non-magnetic substrate 12 and 102 ... magnetic layer 13,103 ... DLC film 14 ... B x N y C z O w film 15 ... fluorinated organic film, C a F b film, C a F b N c film C a F b H d film, C a F b O e film, C a F b O e H d film, C a F b N c O e film, and C a F b N c O e H d film Film 102 chamber 103a first cathode electrode (first cathode filament)
103b Second cathode electrode (second cathode filament)
104: CN film 104a First anode electrode (first anode cone)
104b Second anode electrode (second anode cone)
105 ... Fluorinated organic film 105a First cathode power source (first AC power source)
105b Second cathode power source (second AC power source)
106 Ground power source 107a First anode power source (first DC (direct current) power source)
107b Second anode power source (second DC (direct current) power source)
108a First plasma wall 108b Second plasma wall 109a First neodymium magnet 109b Second neodymium magnet 112 Bias power source (DC power source, DC power source)
118a, 118b Film thickness correction plate

Claims (15)

  1. 　基板上に成膜されたＢｘＮｙＣｚＯｗ膜であって、
    　ｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とするＢｘＮｙＣｚＯｗ膜。
    　（１）０．４＜ｘ＜０．６
    　（２）０．４＜ｙ＜０．６
    　（３）０≦ｚ＜０．１
    　（４）０≦ｗ＜０．１
    　（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１     A B x N y C z O w film formed on a substrate,
    A B x N y C z O w film, wherein x, y, z, and w satisfy the following formulas (1) to (5).
    (1) 0.4 <x <0.6
    (2) 0.4 <y <0.6
    (3) 0 ≦ z <0.1
    (4) 0 ≦ w <0.1
    (5) x + y + z + w = 1
  2. 　非磁性基板上に形成された磁性層と、
    　前記磁性層上に形成された請求項１に記載のＢｘＮｙＣｚＯｗ膜と、
    　前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜上に形成されたフッ化有機膜と、
    を具備することを特徴とする磁気記録媒体。     A magnetic layer formed on a non-magnetic substrate;
    And B x N y C z O w film of claim 1 formed on the magnetic layer,
    Said B x N y C z O w film fluorinated organic film formed on,
    A magnetic recording medium comprising:
  3. 　請求項２において、
    　前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜と前記磁性層との間に形成されたＤＬＣ膜をさらに具備することを特徴とする磁気記録媒体。     In claim 2,
    A magnetic recording medium further comprising a DLC film formed between the B x N y C z O w film and the magnetic layer.
  4. 　請求項２または３において、
    　前記フッ化有機膜は、ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
    　ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。     In claim 2 or 3,
    The fluorinated organic film includes a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b H d film, a C a F b O e film, a C a F b O e H d film, and a C a F b N c O e film and C a F b N c O e H d magnetic recording medium, which is a one of the membrane of the membrane.
    However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
  5. 　請求項４において、
    　前記ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜それぞれはアモルファス膜であることを特徴とする磁気記録媒体。
    　ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。     In claim 4,
    C a F b film, C a F b N c film, C a F b H d film, C a F b O e film, C a F b O e H d film, C a F b N c O e film Each of the C a F b N c O e H d films is an amorphous film.
    However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
  6. 　請求項４または５において、
    　前記いずれかの膜の厚さは３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。     In claim 4 or 5,
    The thickness of any one of the films is 3 nm or less.
  7. 　被成膜基板上に、ボラジンを気化させたガス及び窒化剤を用いたＣＶＤ法によりＢｘＮｙＣｚＯｗ膜を成膜する方法であり、
    　ｘ，ｙ，ｚ，ｗは下記式（１）～（５）を満たすことを特徴とする成膜方法。
    　（１）０．４＜ｘ＜０．６
    　（２）０．４＜ｙ＜０．６
    　（３）０≦ｚ＜０．１
    　（４）０≦ｗ＜０．１
    　（５）ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１     A method of forming a B x N y C z O w film on a deposition target substrate by a CVD method using a gas obtained by vaporizing borazine and a nitriding agent,
    x, y, z, and w satisfy the following formulas (1) to (5).
    (1) 0.4 <x <0.6
    (2) 0.4 <y <0.6
    (3) 0 ≦ z <0.1
    (4) 0 ≦ w <0.1
    (5) x + y + z + w = 1
  8. 　請求項７において、
    　前記窒化剤は、アンモニアまたは窒素であることを特徴とする成膜方法。     In claim 7,
    The film forming method, wherein the nitriding agent is ammonia or nitrogen.
  9. 　請求項７または８に記載の成膜方法により成膜された前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜上にフッ化有機膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
    　前記被成膜基板は、非磁性基板上に磁性層を形成したものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。     A method for manufacturing a magnetic recording medium, comprising: forming a fluorinated organic film on the B x N y C z O w film formed by the film forming method according to claim 7 or 8;
    The method for producing a magnetic recording medium, wherein the deposition target substrate is a nonmagnetic substrate having a magnetic layer formed thereon.
  10. 　請求項９において、
    　前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜と前記磁性層との間にＤＬＣ膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。     In claim 9,
    Manufacturing method of the B x N y C z O w film and magnetic recording medium and forming a DLC film between the magnetic layer.
  11. 　請求項９または１０において、
    　前記フッ化有機膜は、原料ガスを用いたＣＶＤ法により形成されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であり、
    　前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
    　ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。     In claim 9 or 10,
    The fluorinated organic film includes a C a F b film, a C a F b N c film, a C a F b H d film, a C a F b O e film, a C a formed by a CVD method using a source gas. F b O e H d membrane is any membrane C a F b N c O e film and C a F b N c O e H d film,
    The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the source gas includes an organic source gas containing carbon and fluorine.
    However, a, b, c, d, and e are natural numbers.
  12. 　請求項１１において、
    　前記有機物原料ガスが３個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。     In claim 11,
    The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the organic material gas contains three or more carbons.
  13. 　請求項１１または１２において、
    　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有し、
    　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂＮｃ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、
    　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂＯｄ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有し、
    　前記いずれかの膜が前記ＣａＦｂＮｃＯｄ膜である場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。     In claim 11 or 12,
    When any one of the films is the C a F b film, the organic material gas is C 3 F 6 , C 4 F 6 , C 6 F 6 , C 6 F 12 , C 6 F 14 , C 7 F 8 , C 7 F 14 , C 7 F 16 , C 8 F 16 , C 8 F 18 , C 9 F 18 , C 9 F 20 , C 10 F 8 , C 10 F 18 , C 11 F 20 , C 12 F 10 , C 13 F 28 , C 15 F 32 , C 20 F 42 , and C 24 F 50 ,
    When any one of the films is the C a F b N c film, the organic material gas is C 3 F 3 N 3 , C 3 F 9 N, C 5 F 5 N, C 6 F 4 N 2 , C 6 F 9 N 3, C 6 F 12 N 2, C 6 F 15 N, C 7 F 5 N, C 8 F 4 N 2, C 9 F 21 N, C 12 F 4 N 4, C 12 F 27 N, C 14 F 8 N 2 , C 15 F 33 N, C 24 F 45 N 3 , and triheptafluoropropylamine,
    In the case where any of the films is the C a F b O d film, the organic material gas is C 3 F 6 O, C 4 F 6 O 3 , C 4 F 8 O, C 5 F 6 O 3 , C 6 F 4 O 2, C 6 F 10 O 3, C 8 F 4 O 3, C 8 F 8 O, C 8 F 8 O 2, C 8 F 14 O 3, C 13 F 10 O, C 13 F 10 O 3 and at least one of C 2 F 6 O (C 3 F 6 O) n (CF 2 O) m,
    The method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein the organic material gas contains C 7 F 5 NO when any one of the films is the C a F b N c O d film.
  14. 　請求項１１乃至１３のいずれか一項において、
    　前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。     In any one of claims 11 to 13,
    A method for producing a magnetic recording medium, wherein perfluoroamines are used as the organic material gas.
  15. 　請求項１１乃至１４のいずれか一項において、
    　前記原料ガスを用いたＣＶＤ法は、前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記ＢｘＮｙＣｚＯｗ膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を＋１５０Ｖ～－１５０ＶとしたプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。     In any one of Claims 11 thru | or 14,
    In the CVD method using the source gas, the B x N y C z O w film is held on a holding electrode, and the counter electrode facing the B x N y C z O w film held on the holding electrode is formed. A plasma CVD method in which a DC voltage or a DC voltage component when forming DC plasma or high-frequency plasma is + 150V to −150V when power is supplied to one of the holding electrode and the counter electrode to form DC plasma A method of manufacturing a magnetic recording medium, wherein
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0562169A (en) * 1991-09-06 1993-03-12 Hitachi Metals Ltd Amorphous boron nitride film
JPH10198944A (en) * 1997-01-09 1998-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd Magnetic recording disk
JP2015004085A (en) * 2013-06-19 2015-01-08 富士電機株式会社 Method of manufacturing laminate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0562169A (en) * 1991-09-06 1993-03-12 Hitachi Metals Ltd Amorphous boron nitride film
JPH10198944A (en) * 1997-01-09 1998-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd Magnetic recording disk
JP2015004085A (en) * 2013-06-19 2015-01-08 富士電機株式会社 Method of manufacturing laminate

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