WO2016198577A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement und dessen herstellungsverfahren - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement und dessen herstellungsverfahren Download PDF

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Matthias Sperl
Michael Wittmann
David Racz
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Definitions

  • the invention relates to a method according to claim 1 and an arrangement according to claim 10.
  • the semiconductor device is provided with a layer
  • An improved method of fabricating an array is provided by providing an optoelectronic semiconductor device on a substrate, applying a first layer of matrix material, and scattering particles to an upper surface of the substrate.
  • a centrifugal force or gravity of the ⁇ art is applied to the at ⁇ order that the scattering particles are moved in the first layer at least partially in the direction of the carrier and increasing the concentration of the scattering particles is achieved in the first layer in the vicinity of the wearer.
  • a loss of light is reduced at a side-emission from the optoelectronic semiconductor component on soflä ⁇ surfaces of the optoelectronic semiconductor component in Wesent ⁇ union or avoided so that the optical elec- tronic semiconductor device can be particularly good to emit light and hence the arrangement is particularly light and a high color homogeneity having. Furthermore, an influence on an age-related degeneration of the wearer on a performance of the arrangement, for. As a browning, reduced or avoided.
  • the centrifugal force or gravity is applied in such a way that, starting from the region of increased concentration, the concentration of the scattering particles decreases with increasing distance to the carrier.
  • a concentration gradient is made between see a region adjacent to the support first concentration range of scattering particles in the first layer and spaced from the support disposed second Konzentrationsbe ⁇ rich generated by scattering particles in the first layer by means of the centrifugal force or gravity.
  • the first layer is to a top surface of the optoelectronic Halbleiterbauele ⁇ ments filled, the top of the optoelectronic semiconductor device is kept free. This will si ⁇ cherego that the scattering particles do not cover the top of the optoelectronic semiconductor device and thus emission of light from the optoelectronic semiconductor component by the scattering particles upper side verhin ⁇ is changed.
  • a second layer with a second matrix material is applied to the first layer on a side facing away from the carrier.
  • the second layer is filled up to a housing upper side of a housing in which the carrier is arranged. Thereby, a uniform appearance of the arrangement can be achieved.
  • the second layer is applied to the first layer in time after the action of centrifugal force or gravity on the device. This avoids that the second layer can emerge from the housing interior when starting a centrifuge to provide the centrifugal force. Furthermore, the first layer and the second layer are prevented from mixing.
  • the first layer when applied to the support a mass concentration of scattering particles having a value, where the value Be ⁇ ranging from 10 to 40 percent, more preferably in a range of 15 to 25 percent, is in a.
  • the centrifugal force or gravity acts on the scattering particles for a period of 5 to 15 minutes, preferably for 10 minutes.
  • the first layer has a thickness which is less than or equal to a thickness of the opto-electronic semiconductor component.
  • the concentration of the scattering particles on the first layer in the direction from the carrier takes away at least 5 percent, preferably 10 percent to 15 percent ⁇ particular, from.
  • the optoelectronic semiconductor component has at least one side surface. The side surface is substantially perpendicular or oblique to the top of the carrier. The side surface is covered by the first layer.
  • the scattering particles are formed from at least one of the following materials: aluminum oxide (Al 2 O 3), titanium oxide (T 2 O 2), zirconium oxide (ZrC> 2), Printex, carbon black having a particle size (d 50) of 20 nm to 20 ⁇ m.
  • the arrangement has a second layer.
  • the second layer has another matrix material.
  • the second layer covers the first layer on a side facing away from the carrier.
  • the matrix material of the first layer and / or the white ⁇ ter matrix material of the second layer as a material silicone.
  • the second layer is substantially free of scattering particles. As a result, an abstraction of light is not hindered by the optoelectronic semiconductor component upwards.
  • the optoelectronic semiconductor component is covered on the upper side by the second layer.
  • the optoelectronic semiconductor component is designed as an LED chip.
  • the optical elec- tronic semiconductor device is preferably designed as Volu ⁇ menem itter.
  • FIG. 2 shows a detail of the arrangement shown in FIG. 1;
  • FIG. 3 shows a diagram of the distance a plotted against the mass concentration ⁇
  • FIG. 4 is a flowchart of a method for producing the arrangement shown in FIGS. 1 and 2;
  • FIG. 5 shows a sectional view of the arrangement according to a fourth method step
  • FIG. 6 shows a sectional view of the arrangement according to a fifth method step
  • FIG. 7 shows a sectional view of the arrangement according to a sixth method step.
  • Figure 8 shows a sectional view through a development of the arrangement shown in Figures 1 and 2 show.
  • FIG. 1 shows a sectional view through an arrangement 10.
  • the arrangement 10 has a housing 15.
  • the housing 15 may be transparent, semi-transparent or opaque. In this case, in particular as a material for the housing 15 is a plastic.
  • the housing 15 has a first side wall 20, arranged against ⁇ opposite to the first side wall 20 second Be ⁇ tenwand 25 and a housing bottom 30.
  • the housing bottom 30 connects the first side wall 20 with the second side wall 25.
  • the side walls 20, 25 extend in the same direction away from the housing bottom 30.
  • the first side wall 20 has a first side wall inner surface 31 and the second side tenwand one of the first side wall inner surface 32.
  • the first and the second side wall inner surface 31, 32 are arranged obliquely to the housing bottom 30.
  • the Be ⁇ tenwandinnen vom 31, 32 extend such that the sowandinnen- surfaces 31, 32 are spaced at an increasing distance a from the housing bottom 30 next to each other.
  • the side wall inner surfaces 31, 32 together with the housing bottom 30 delimit a housing interior 35.
  • the side walls 20, 25 have a housing top side 33 on the top side.
  • the housing top 33 is flat and directed parallel to the housing bottom 30 from ⁇ .
  • the arrangement 10 comprises a carrier 40 with a first carrier section 45 and a second carrier section 50.
  • the first carrier section 45 is arranged at a distance from the second carrier section 50.
  • the first support portion 45 and the second support portion 50 are inserted ⁇ blank in the housing base 30 and connected to the housing bottom 30th
  • the housing bottom 30 electrically insulates the first support portion 45 from the second support portion 50.
  • the support portion 45, 50 may be stepped.
  • the assembly 10 comprises an optoelectronic semiconductor ⁇ device 55 and a protection diode 60.
  • the optoelectronic semiconductor device 55 has, for example a rechteckför--shaped cross-section.
  • the optoelectronic semiconductor component 55 has an upper side 65 and a lower side 70.
  • the bottom surface 70 is on a first Anlagenab cut ⁇ 45 facing side of the optoelectronic semiconductor terbauelements 55 is arranged.
  • the upper side 65 is arranged on a side facing away from the first support portion 45 side of the opto ⁇ electronic semiconductor device 55.
  • the optoelectronic Halbleiterbau ⁇ element 55 is mechanically and optionally electrically connected to an upper side 75 of the first support portion 45 via the bottom 70.
  • the optoelectronic semiconductor component 55 comprises a first side surface 80 and a second side surface 80. 85.
  • the first side surface 80 is arranged opposite the second side surface 85 of the optoelectronic semiconductor component 55.
  • the first side surface 80 and the second side surface 85 connect the underside 70 of the optoelectronic semiconductor component 55 with the
  • the side surface 80, 85 of the optoelectronic semiconductor component 55 is arranged perpendicular to the upper side 65 and lower side 70 of the optoelectronic semiconductor component 55 and to the upper side 75 of the first carrier section 45.
  • the Side surface 80, 85 obliquely to the top 65 and / or the bottom 70 of the optoelectronic semiconductor device 55 and / or the top 75 of the first Suab- section 45 is arranged.
  • the optoelectronic semiconductor component 55 has a first electrical connection 90 and a second electrical connection 95 on the upper side 65.
  • the first electrical connector 90 is disposed at a distance from the second electrical circuit at ⁇ 95th
  • the first electrical connection 90 of the optoelectronic semiconductor component 55 is connected to the first carrier section 45 via a first electrical connection 125.
  • the second electrical terminal 95 of the optoelectronic semiconductor ⁇ circuit device 55 is connected via a second electrical Verbin ⁇ extension 125 with the first carrier section 45th Even ⁇ course can be dispensed with 125 also bonds to one of the two electrical encryption 120.
  • the electrical connec ⁇ tion 120, 125 may be formed as a bonding wire.
  • the first carrier section 45 may, for example, be electrically connected to a first pole of a current source and the second carrier section 50 may be electrically connected to a second pole of the current source.
  • the optoelectronic semiconductor device 55 is in the off ⁇ guide die formed as an LED chip, for example as SiC LED, sapphire LED or flip-chip.
  • the opto electronic semiconductor device 55 may be formed as a volume emitter ⁇ .
  • ESD electrostatic discharge
  • the protective diode 60 is electrically and mechanically connected to a lower side 100 with an upper side 105 of the second carrier section 50.
  • the Schutzdio ⁇ de 60 can be electrically connected to the optoelectronic semiconductor component 55th
  • a first layer 130 is provided adjacent to the Sparab ⁇ sections 45, 50 and the housing bottom 30.
  • the first layer 130 extends transversely between the first housing inner wall surface 31 and the second housing inner wall surface 32.
  • the first layer 130 covers the optical system adjacent to the optoelectronic semiconductor component
  • the first layer 130 also covers the housing bottom 30 on a side facing the housing interior 35 side.
  • the first layer 130 has a thickness di which essentially corresponds to a thickness d of the optoelectronic semiconductor component 55.
  • the thickness di of the first layer 130 may be smaller than the thickness d of the optoelectronic semiconductor device 55.
  • the first layer 130 adjacent to the side surfaces 80, 85 of the optoelectronic semiconductor device 55 and covers these substantially fully ⁇ constantly.
  • the upper side 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 is free.
  • the thickness di can for example have ei ⁇ NEN value ym in a range of 100 to 200 ym, preferably in a range of 130 ym to 150 ym, is located.
  • the first layer 130 completely covers the protection diode 60 because it has a smaller thickness d 2 than the first layer 130 and the optoelectronic semiconductor device 55.
  • the first layer 130 comprises a first matrix material 135 and scattering particles 140.
  • the first matrix material 135 may comprise silicon as the material.
  • the scattering particles 140 are formed from at least one of the following materials: alumina (Al 2 O 3), titania (T 1 O 2), zirconia (ZrC> 2),
  • Printex carbon black with a particle size (d50) of 20 nm to 20 ⁇ .
  • a second layer 145 is disposed on the first layer 130th
  • the second layer 145 extends transversely between the first housing wall inner surface 31 and the second housing wall inner surface 32.
  • the second layer 145 is thicker than the first layer 130 in the embodiment.
  • the second layer 145 may also be thinner or equal in thickness compared to the first layer 130.
  • the second layer 145 extends substantially Zvi ⁇ rule the upper surface 65 of the optoelectronic semiconductor assembly ⁇ elements 55 to the height of the housing top 33 of the sides ⁇ wall 20, 25 of the housing 15 inside the housing 35.
  • the second layer 145 has, for example, a thickness d 3 with a value, the value lying in a range of 100 ⁇ m to 300 ⁇ m, in particular in a range of 180 ⁇ m to 220 ⁇ m.
  • the second layer 145 has a second matrix material 146.
  • the second matrix material 146 has silicon as the material.
  • the second matrix material 146 may correspond to the first Mat ⁇ rixmaterial 135 of the first layer 130th
  • the two ⁇ te matrix material 146 may also be different from the first matrix material 135th
  • the second layer 145 is in the Essentially free of scattering particles.
  • the second layer serves to pass and the light and emitted through the top surface 65 of the optoelectronic semiconductor ⁇ circuit device 55, the coming out of the first layer 130 of light radiating toward the top.
  • the second layer 145 covers the upper case ⁇ page 65 of the optoelectronic semiconductor component 55th
  • FIG. 2 shows a detail of the arrangement 10 shown in FIG.
  • the first layer 130 will carry with a uniform distribution of the scattering particles 140 in the first matrix material 135 positioned ⁇ .
  • the scattering particles 140 have a different mass concentration ⁇ as a function of the distance a via the first layer 130.
  • the mass concentration ⁇ is a mass of scattering particles 140 in a predefined volume segment.
  • the first layer 130 has a first Konzentrationsbe rich ⁇ 150, a second concentration range of 155, and optionally a transition area 156.
  • the first concentration region 150 is disposed adjacent to the upper surface 75 of the first support portion 45 and formed in a layered manner.
  • the second concentration region 155 is arranged at a distance from the upper side 75 of the first carrier section 45. Zvi ⁇ rule the first concentration range 150 and the second concentration region 155 is arranged a transition region 156th
  • FIG. 3 shows a diagram of the distance a plotted against the mass concentration ⁇ .
  • the mass concentration ⁇ is substantially constant over the distance a and greater than a first limit value j ⁇ .
  • the mass concentration ration ⁇ concentration in the first region 150 with increasing distance a from the top 75 of the first Sub ⁇ section 45 decreases.
  • the mass concentration ⁇ drops from the first limit value j ⁇ as the distance a from the top side of the first carrier section 45 increases towards a second limit value j2.
  • the second concentration range 155 which is disposed adjacent to the second layer 145, is the Massenkonzentrati ⁇ on ⁇ of the scattering particles 140 substantially over the distance a constant and smaller than the second threshold J2
  • the second limit j2 is less than the first threshold ⁇ , It is particularly advantageous if the second limit j2 a
  • the mass concentration ⁇ in the second concentration range 155 decreases with increasing distance a from the upper side 75 of the first carrier section 45.
  • FIG. 4 shows a flowchart of a method for producing the arrangement 10 shown in FIGS. 1 and 2.
  • FIG. 5 shows a sectional view of the arrangement 10 to be produced after a fourth method step 215.
  • FIG. 6 shows a sectional view of the arrangement 10 after a fifth method step 220 .
  • Figure 7 shows a sectional view of the assembly 10 according to a sixth method step 225.
  • the first step 200 is the first Susb ⁇ section 45 and the second support portion 50 of the support 40 introduced in the housing floor 30. This can be done, for example, by using the injection molding process of the first te support portion 45 and the second support portion 50 are coated with material for the production of the housing 15.
  • the optoelectronic semiconductor component ⁇ half 55 is arranged on the first support portion 45 attached ⁇ and mechanically ver ⁇ connected to the first support portion 45th It is additionally conceivable that the underside 70 of the optoelectronic semiconductor component 55 also
  • a third method step 210 which follows the second method step 205, the protective diode 60 is arranged on the second carrier section 50 and the protective diode 60 is electrically and mechanically connected to its underside 100 with the upper side 105 of the second carrier section 50.
  • a fourth method step 215 the first elekt ⁇ generic terminal 90 of the optoelectronic Halbleiterbauele ⁇ ment 55 is electrically connected by the first electrical connection 120 to the upper surface 75 of the first support portion 45th
  • the second electrical connection 95 is electrically connected to the upper side 75 of the first carrier section 45 by means of the second electrical connection 125.
  • a fifth method step 220 following the fourth method step 215, the first layer 130 is in the housing interior 35 to at least the upper surface 75 of the first support portion 45, advantageously on the housing bottom 30 and the upper ⁇ page 105 of the second support portion 50, is applied .
  • the first layer 130 has a constant mass concentration ⁇ of scattering particles 140 in the first matrix material 135 over the entire thickness di of the first layer 130.
  • the mass concentration ⁇ of scattering particles 140 has a value, wherein the value is in a range of 10 to 40 percent, in particular in a range of 15 to 25 percent.
  • the first layer 130 is applied in such a way that the upper side 65 of the optoelectronic semiconductor component 55 remains free.
  • the upper side 110 of the protective diode 60 may be covered by the first layer 130.
  • the upper side 110 of the protective diode 60 as well as the upper side 65 of the opto ⁇ electronic semiconductor device 55 may be free and not covered by the first layer 130.
  • the assembly 10 is centrifuged before and / or during the curing of the first matrix material 135 in a centrifuge, so that on the Anord ⁇ tion 10 and in particular on the first layer 130 a Zent - Rifugal force F z acts.
  • the centrifugal force F z is perpendicular to the top surface 75 of the first support portion 45 in Rich ⁇ of the upper face 75 of the first support portion 45 court ⁇ tet.
  • a gravitational force F G acts on the first layer 130.
  • the gravitational force F G is directed perpendicular to the top side 75 of the first carrier section 45 in the direction of the top side 75 of the first carrier section 45.
  • the centrifugal force F z or gravity F G causes at least a portion of the scattering particles 140 in the first matrix material 135 to move in the direction of the top side 75 of the first carrier section 45 before and / or during the curing of the first matrix material 135 of the first layer 130.
  • the centrifugal force F z or gravity F G decreases the mass concentration of the scattering particles 140 via the first layer 130 in the direction away from the carrier 40 from.
  • the centrifugal force F z which acts on the scattering article 140 corresponds to a product of 1 to 4000 times the gravitational acceleration g and a mass of the scattering article 140.
  • the centrifugal force F z or the gravity F G acts on the arrangement 10 and here in particular on the scattering particles 140 for 5 to 15 minutes, in particular 10 minutes.
  • a seventh method step 230 following the sixth step 225 the second layer is applied on the side opposite to the top side 75, 105 of the side Suab ⁇ section 45, 50 145th
  • the second layer 145 is filled to the housing top 33, so that the upper ⁇ side 147 of the second layer 145 and the housing top 33 extend in a common plane.
  • the above-described method steps 200, 205, 210, 215, 220, 225, 230 also take place in a ner other order can be executed.
  • the fifth method step 220 takes place with the application of the first layer 130 prior to the provision of the centrifugal force F z or the gravitational force F G in the sixth method step 225.
  • the seventh method step 230 such or gravity F G he follows ⁇ with the application of the second layer 145 on the first layer 130 by providing ⁇ position of the centrifugal force F, so a possible confusion of the first layer 130 and the second layer 135 when starting the centrifuge or leakage of the second layer 145 from the housing interior 35 to avoid.
  • the side surfaces 80, 85 may be covered by the first layer 130 and so good light leakage from the optoelectronic semiconductor device 55 via the transition region 156 and the second concentration range 155 is ensured.
  • the formation of the first concentration region 150 adjacent to the upper side 75, 105 and to the housing bottom 30 ensures a reliable radiation of light from the optoelectronic semiconductor component 55 via the side surfaces 80, 85. Furthermore, it is ensured by the first concentration region 150 that the light can be emitted from the housing bottom 30 and from the carrier 40 at the top out of the arrangement 10.
  • the scattering particles 140 of titanium oxide (Ti0 2) have ⁇
  • the first concentration range 150 to a substantially uniform color white embodiment.
  • the optical appearance of the arrangement 10 can be improved, in particular in one embodiment of the housing 15 with a transparent and / or semitransparent material.
  • a loss of light via the side surfaces 80, 85 of the optoelectronic semiconductor component 15 can be avoided so that the arrangement 10 has a particularly high light emission.
  • age-related discoloration of the carrier 25 is covered by the first concentration area 150.
  • FIG. 8 shows a sectional view through a development of the arrangement 10 shown in FIGS. 1 and 2, which is produced by means of the method described in FIG.
  • the assembly 10 differs from the effect to the embodiment shown in Figu ⁇ ren 1 and 2, assembly 10, the housing 15 comprises a material which is designed to be opaque and black.
  • the scattering particles 140 have a black color. This is achieved in particular in that the scattering particles 140 made of carbon black are formed as material.
  • the centrifugal force F z or the gravitational force F G to the scattering particles 140, a layer-like configuration of the first concentration region 150 on the upper side 75, 105 of the carrier 40 is ensured.
  • a radiation of light is ensured via the side surfaces 80, 85 of the optoelectronic semiconductor component 55.
  • an increase in contrast of the arrangement 10 is achieved.

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung, wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf einem Träger bereitgestellt wird, wobei eine erste Schicht mit einem Matrixmaterial und Streupartikel auf eine Oberseite des Trägers aufgetragen wird, wobei auf die Anordnung eine Zentrifugalkraft oder eine Schwerkraft derart ausgeübt wird, dass die Streupartikel in der ersten Schicht zumindest teilweise in Richtung des Trägers bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel in der ersten Schicht in der Nähe des Trägers erreicht wird.

Description

OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND
DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN
BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und eine Anordnung gemäß Patentanspruch 10.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2015 109 324.3, deren Offenbarungsge- halt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Es ist eine Anordnung, aufweisend einen Träger und ein opto¬ elektronisches Halbleiterbauelement, bekannt, wobei das opto¬ elektronische Halbleiterbauelement auf dem Träger angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement ist mit einer Schicht mit
Streupartikeln bedeckt.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Anordnung und eine verbesserte Anordnung bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und mit der Anordnung gemäß Patentanspruch 10 gelöst. Ausführungsformen des Verfahren und der Anordnung sind in den ab- hängigen Ansprüchen angegeben.
Ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Anordnung wird dadurch bereitgestellt, dass ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf einem Träger bereitgestellt wird, eine erste Schicht mit einem Matrixmaterial und Streupartikel auf eine Oberseite des Trägers aufgetragen wird. Auf die An¬ ordnung wird eine Zentrifugalkraft oder eine Schwerkraft der¬ art ausgeübt, dass die Streupartikel in der ersten Schicht zumindest teilweise in Richtung des Trägers bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentration der Streupartikel in der ersten Schicht in der Nähe des Trägers erreicht wird. Dadurch wird ein Lichtverlust bei einer Seitenemission aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement über Seitenflä¬ chen des optoelektronischen Halbleiterbauelements im Wesent¬ lichen reduziert oder ganz vermieden, so dass das optoelekt- ronische Halbleiterbauelement besonders gut Licht emittieren kann und somit die Anordnung besonders hell ist sowie eine hohe Farbhomogenität aufweist. Des Weiteren wird ein Einfluss auf eine altersbedingte Degeneration des Trägers auf eine Performance der Anordnung, z. B. eine Verbräunung, reduziert oder vermieden.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Zentrifugalkraft oder die Schwerkraft in der Weise ausgeübt, dass ausgehend von dem Bereich der erhöhten Konzentration die Konzentration der Streupartikel mit zunehmenden Abstand zum Träger abnimmt.
In einer weiteren Ausführungsform wird mittels der Zentrifugalkraft oder der Schwerkraft ein Konzentrationsgefälle zwi- sehen einem an den Träger angrenzenden ersten Konzentrationsbereich von Streupartikel in der ersten Schicht und einem von dem Träger beabstandet angeordneten zweiten Konzentrationsbe¬ reich von Streupartikel in der ersten Schicht erzeugt.
Dadurch wird eine zuverlässige Abstrahlung des optoelektroni- sehen Halbleiterbauelements, insbesondere bei einer Ausge¬ staltung als Volumenemitter, über seine Seitenflächen sichergestellt.
In einer weiteren Ausführungsform wird die erste Schicht bis zu einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauele¬ ments aufgefüllt, wobei die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements frei gehalten wird. Dadurch wird si¬ chergestellt, dass die Streupartikel nicht die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements bedecken und somit eine Abstrahlung von Licht aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement durch die Streupartikel oberseitig verhin¬ dert wird. In einer weiteren Ausführungsform wird eine zweite Schicht mit einem zweiten Matrixmaterial auf einer zum Träger abgewandten Seite auf die erste Schicht aufgetragen. In einer weiteren Ausführungsform wird die zweite Schicht bis zu einer Gehäuseoberseite eines Gehäuses, in dem der Träger angeordnet ist, aufgefüllt. Dadurch kann ein einheitliches Aussehen der Anordnung erzielt werden. In einer weiteren Ausführungsform wird die zweite Schicht zeitlich nach Wirken der Zentrifugalkraft oder der Schwerkraft auf die Anordnung auf die erste Schicht aufgebracht. Dadurch wird vermieden, dass die zweite Schicht beim Anfahren einer Zentrifuge zur Bereitstellung der Zentrifugalkraft aus dem Gehäuseinnenraum austreten kann. Ferner wird verhindert, dass sich die erste Schicht und die zweite Schicht vermengen.
In einer weiteren Ausführungsform weist die erste Schicht beim Auftragen auf den Träger eine Massenkonzentration von Streupartikel mit einem Wert auf, wobei der Wert in einem Be¬ reich von 10 bis 40 Prozent, insbesondere in einem Bereich von 15 bis 25 Prozent, liegt.
In einer weiteren Ausführungsform wirkt die Zentrifugalkraft oder die Schwerkraft für einen Zeitraum von 5 bis 15 Minuten, vorzugsweise für 10 Minuten, auf die Streupartikel.
In einer weiteren Ausführungsform weist die erste Schicht eine Dicke auf, die kleiner oder gleich einer Dicke des opto- elektronischen Halbleiterbauelements ist. Dadurch wird eine sichere Abstrahlung von Licht über eine Oberseite des opto¬ elektronischen Halbleiterbauelements nach oben hin sicherge¬ stellt. In einer weiteren Ausführungsform nimmt die Konzentration der Streupartikel über die erste Schicht in Richtung vom Träger weg um wenigstens 5 Prozent, vorzugsweise um 10 Prozent, ins¬ besondere um 15 Prozent, ab. In einer weiteren Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauelement wenigstens eine Seitenfläche auf. Die Seitenfläche ist im Wesentlichen senkrecht oder schräg zu der Oberseite des Trägers angeordnet. Die Seitenfläche ist von der ersten Schicht bedeckt.
In einer weiteren Ausführungsform sind die Streupartikel aus wenigstens einem der folgenden Materialien ausgebildet: Alu- miniumoxid (AI2O3) , Titanoxid (T1O2) , Zirkoniumoxid (ZrC>2) , Printex, Ruß mit einer Korngröße (d50) von 20 nm bis 20 μιη.
In einer weiteren Ausführungsform weist die Anordnung eine zweite Schicht auf. Die zweite Schicht weist ein weiteres Matrixmaterial auf. Die zweite Schicht bedeckt auf einer zum Träger abgewandten Seite die erste Schicht. Vorzugsweise weist das Matrixmaterial der ersten Schicht und/oder das wei¬ tere Matrixmaterial der zweiten Schicht als Werkstoff Silikon auf. Zusätzlich oder alternativ ist die zweite Schicht im We- sentlichen frei von Streupartikel. Dadurch wird eine Abstrah- lung von Licht durch das optoelektronische Halbleiterbauele¬ ment nach oben hin nicht behindert.
In einer weiteren Ausführungsform ist das optoelektronische Halbleiterbauelement oberseitig durch die zweite Schicht be¬ deckt .
In einer weiteren Ausführungsform ist das optoelektronische Halbleiterbauelement als LED-Chip ausgebildet. Das optoelekt- ronische Halbleiterbauelement ist vorzugsweise als Volu¬ menemitter ausgebildet.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei Figur 1 eine Schnittansicht durch eine Anordnung;
Figur 2 einen Ausschnitt der in Figur 1 gezeigten Anordnung;
Figur 3 ein Diagramm des Abstands a aufgetragen über der Massenkonzentration γ;
Figur 4 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Anordnung;
Figur 5 eine Schnittansicht der Anordnung nach einem vierten Verfahrensschritt ; Figur 6 eine Schnittansicht der Anordnung nach einem fünften Verfahrensschritt ;
Figur 7 eine Schnittansicht der Anordnung nach einem sechsten Verfahrensschritt; und
Figur 8 eine Schnittansicht durch eine Weiterbildung der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Anordnung zeigen .
Figur 1 zeigt eine Schnittansicht durch eine Anordnung 10. Die Anordnung 10 weist ein Gehäuse 15 auf. Das Gehäuse 15 kann transparent, halbtransparent oder lichtundurchlässig sein. Hierbei eignet sich insbesondere als Werkstoff für das Gehäuse 15 ein Kunststoff.
Das Gehäuse 15 weist eine erste Seitenwand 20, eine gegen¬ überliegend zur ersten Seitenwand 20 angeordnete zweite Sei¬ tenwand 25 und einen Gehäuseboden 30 auf. Der Gehäuseboden 30 verbindet die erste Seitenwand 20 mit der zweiten Seitenwand 25. Die Seitenwände 20, 25 erstrecken sich in die die gleiche Richtung weg vom Gehäuseboden 30. Die erste Seitenwand 20 weist eine erste Seitenwandinnenfläche 31 und die zweite Sei- tenwand eine der ersten Seitenwandinnenflache 32 auf. Die erste und die zweite Seitenwandinnenflache 31, 32 sind schräg zu dem Gehäuseboden 30 angeordnet. Dabei verlaufen die Sei¬ tenwandinnenflächen 31, 32 derart, dass die Seitenwandinnen- flächen 31, 32 mit einem zunehmenden Abstand a vom Gehäuseboden 30 weiter zueinander beabstandet sind. Die Seitenwandin- nenflächen 31, 32 begrenzen zusammen mit dem Gehäuseboden 30 einen Gehäuseinnenraum 35. Die Seitenwände 20, 25 weisen oberseitig eine Gehäuseoberseite 33 auf. Die Gehäuseoberseite 33 ist plan ausgebildet und parallel zum Gehäuseboden 30 aus¬ gerichtet .
Die Anordnung 10 umfasst einen Träger 40 mit einem ersten Trägerabschnitt 45 und einem zweiten Trägerabschnitt 50. Der erste Trägerabschnitt 45 ist zu dem zweiten Trägerabschnitt 50 beabstandet angeordnet. Der erste Trägerabschnitt 45 und der zweite Trägerabschnitt 50 sind im Gehäuseboden 30 einge¬ lassen und mit dem Gehäuseboden 30 verbunden. Der Gehäuseboden 30 isoliert elektrisch den ersten Trägerabschnitt 45 von dem zweiten Trägerabschnitt 50. Der Trägerabschnitt 45, 50 kann gestuft ausgebildet sein.
Die Anordnung 10 umfasst ein optoelektronisches Halbleiter¬ bauelement 55 und eine Schutzdiode 60. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 weist beispielhaft einen rechteckför- migen Querschnitt auf. Dabei weist das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 eine Oberseite 65 und eine Unterseite 70 auf. Die Unterseite 70 ist auf einer dem ersten Trägerab¬ schnitt 45 zugewandten Seite des optoelektronischen Halblei- terbauelements 55 angeordnet. Die Oberseite 65 ist auf einer zum ersten Trägerabschnitt 45 abgewandten Seite des opto¬ elektronischen Halbleiterbauelements 55 angeordnet. Dabei ist über die Unterseite 70 das optoelektronische Halbleiterbau¬ element 55 mechanisch und fakultativ elektrisch mit einer Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 verbunden.
Des Weiteren umfasst das optoelektronische Halbleiterbauele¬ ment 55 eine erste Seitenfläche 80 und eine zweite Seitenflä- che 85. Die erste Seitenfläche 80 ist gegenüberliegend zur zweiten Seitenfläche 85 seitlich des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 angeordnet. Dabei verbindet die erste Seitenfläche 80 und die zweite Seitenfläche 85 die Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 mit der
Oberseite 75 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55. In der Ausführungsform ist beispielhaft die Seitenfläche 80, 85 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 senkrecht zur Oberseite 65 und zur Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 angeordnet und zur Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45. Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Seitenfläche 80, 85 schräg zur Oberseite 65 und/oder zur Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 und/oder zur Oberseite 75 des ersten Trägerab- Schnitts 45 angeordnet ist.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 weist an der Oberseite 65 einen ersten elektrischen Anschluss 90 und einen zweiten elektrischen Anschluss 95 auf. Der erste elektrische Anschluss 90 ist beabstandet zu dem zweiten elektrischen An¬ schluss 95 angeordnet.
Der erste elektrische Anschluss 90 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 ist über eine erste elektrische Ver- bindung 125 mit dem ersten Trägerabschnitt 45 verbunden. Der zweite elektrische Anschluss 95 des optoelektronischen Halb¬ leiterbauelements 55 ist über eine zweite elektrische Verbin¬ dung 125 mit dem ersten Trägerabschnitt 45 verbunden. Selbst¬ verständlich kann auch auf eine der beiden elektrischen Ver- bindungen 120, 125 verzichtet werden. Die elektrische Verbin¬ dung 120, 125 kann als Bonddraht ausgebildet sein. Der erste Trägerabschnitt 45 kann beispielsweise mit einem ersten Pol einer Stromquelle und der zweite Trägerabschnitt 50 mit einem zweiten Pol der Stromquelle elektrisch verbunden sein.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 ist in der Aus¬ führungsform als LED-Chip, beispielsweise als SiC-LED, Saphir-LED oder Flip-Chip, ausgebildet. Dabei kann das opto- elektronische Halbleiterbauelement 55 als Volumenemitter aus¬ gebildet sein. Hierbei ist von besonderem Vorteil, wenn das optoelektronische Halbleiterbauelement 55 ausgebildet ist, sichtbares Licht, in einer Ausführungsform blaues Licht, mit zumindest einer Wellenlänge zu emittieren, die in einem Be¬ reich von 420 nm bis 480 nm liegt.
Die Schutzdiode 60 ist als ESD-Schutzdiode (ESD = electrosta- tic discharge) ausgebildet. Die Schutzdiode 60 ist mit einer Unterseite 100 elektrisch und mechanisch mit einer Oberseite 105 des zweiten Trägerabschnitts 50 verbunden. Die Schutzdio¬ de 60 kann elektrisch mit dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 55 verbunden sein. In dem Gehäuseinnenraum 35 ist angrenzend an die Trägerab¬ schnitte 45, 50 und dem Gehäuseboden 30 eine erste Schicht 130 vorgesehen. Die erste Schicht 130 erstreckt sich quer zwischen der ersten Gehäusewandinnenfläche 31 und der zweiten Gehäusewandinnenfläche 32. Die erste Schicht 130 bedeckt an- grenzend an das optoelektronische Halbleiterbauelement die
Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 und angrenzend an die Schutzdiode 60 die Oberseite 105 des zweiten Trägerab¬ schnitts 50. Zusätzlich bedeckt die erste Schicht 130 auch den Gehäuseboden 30 auf einer zum Gehäuseinnenraum 35 zuge- wandten Seite.
Die erste Schicht 130 weist beispielhaft eine Dicke di auf, die im Wesentlichen einer Dicke d des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 entspricht. Die Dicke di der ersten Schicht 130 kann kleiner der Dicke d des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 sein. Die erste Schicht 130 grenzt an die Seitenflächen 80, 85 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 an und bedeckt diese im Wesentlichen voll¬ ständig. Die Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiter- bauelements 55 ist frei. Die Dicke di kann beispielsweise ei¬ nen Wert aufweisen, der in einem Bereich von 100 ym bis 200 ym, insbesondere in einem Bereich von 130 ym bis 150 ym, liegt . Ferner bedeckt die erste Schicht 130 in der Ausführungsform vollständig die Schutzdiode 60, da diese eine geringere Dicke d2 aufweist als die erste Schicht 130 und das optoelektroni- sehe Halbleiterbauelement 55.
Die erste Schicht 130 weist ein erstes Matrixmaterial 135 und Streupartikel 140 auf. Das erste Matrixmaterial 135 kann als Werkstoff Silikon aufweisen. Die Streupartikel 140 sind aus wenigstens einem der folgenden Materialien gebildet: Aluminiumoxid (AI2O3) , Titanoxid (T1O2) , Zirkoniumoxid (ZrC>2) ,
Printex, Ruß mit einer Korngröße (d50) von 20 nm bis 20 μιη.
Auf der ersten Schicht 130 auf einer zum Träger 40 abgewand¬ ten Seite ist auf der ersten Schicht 130 eine zweite Schicht 145 angeordnet. Die zweite Schicht 145 erstreckt sich quer zwischen der ersten Gehäusewandinnenfläche 31 und der zweiten Gehäusewandinnenfläche 32. Die zweite Schicht 145 ist in der Ausführungsform dicker als die erste Schicht 130 ausgebildet. Die zweite Schicht 145 kann auch dünner oder gleich dick verglichen mit der ersten Schicht 130 ausgebildet sein. Dabei erstreckt sich die zweite Schicht 145 im Wesentlichen zwi¬ schen der Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbau¬ elements 55 bis auf Höhe der Gehäuseoberseite 33 der Seiten¬ wand 20, 25 des Gehäuses 15 im Gehäuseinnenraum 35. Eine Oberseite 147 der zweiten Schicht 145 ist dabei in einer Ebe¬ ne mit der Gehäuseoberseite 33 angeordnet, so dass die Anord¬ nung 10 oberseitig plan ausgebildet ist. Die zweite Schicht 145 weist beispielsweise eine Dicke d3 mit einem Wert auf, wobei der Wert in einem Bereich von 100 ym bis 300 ym, insbesondere in einem Bereich von 180 ym bis 220 ym, liegt.
Die zweite Schicht 145 weist ein zweites Matrixmaterial 146 auf. Das zweite Matrixmaterial 146 weist als Werkstoff Sili- kon auf. Das zweite Matrixmaterial 146 kann dem ersten Mat¬ rixmaterial 135 der ersten Schicht 130 entsprechen. Das zwei¬ te Matrixmaterial 146 kann auch unterschiedlich zu dem ersten Matrixmaterial 135 sein. Die zweite Schicht 145 ist dabei im Wesentlichen frei von Streupartikel. Die zweite Schicht dient dazu, das über die Oberseite 65 des optoelektronischen Halb¬ leiterbauelements 55 emittierte Licht und das aus der ersten Schicht 130 kommende Licht nach oben hin weiterzuleiten und abzustrahlen. Die zweite Schicht 145 bedeckt dabei die Ober¬ seite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55.
Figur 2 zeigt einen Ausschnitt der in Figur 1 gezeigten Anordnung 10.
Die erste Schicht 130 wird mit einer gleichmäßigen Verteilung der Streupartikel 140 in dem ersten Matrixmaterial 135 aufge¬ tragen. Durch das später in den Figuren 4 bis 7 beschriebene Verfahren zur Herstellung der Anordnung 10 weisen die Streu- partikel 140 in Abhängigkeit des Abstands a über die erste Schicht 130 eine unterschiedliche Massenkonzentration γ auf. Die Massenkonzentration γ ist dabei eine Masse von Streupartikel 140 in einem vordefinierten Volumensegment. Die erste Schicht 130 weist einen ersten Konzentrationsbe¬ reich 150, einen zweiten Konzentrationsbereich 155 und fakultativ einen Übergangsbereich 156 auf. Der erste Konzentrationsbereich 150 ist angrenzend an die Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 angeordnet und schichtartig ausgebildet. Der zweite Konzentrationsbereich 155 ist zu der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 beabstandet angeordnet. Zwi¬ schen dem ersten Konzentrationsbereich 150 und dem zweiten Konzentrationsbereich 155 ist ein Übergangsbereich 156 angeordnet .
Figur 3 zeigt ein Diagramm des Abstands a aufgetragen über der Massenkonzentration γ.
Im ersten Konzentrationsbereich 150, der angrenzend an die Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 angeordnet ist, ist die Massenkonzentration γ im Wesentlichen über den Abstand a konstant und größer als ein erster Grenzwert j\ .
Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Massenkonzent- ration γ bereits im ersten Konzentrationsbereich 150 mit zunehmendem Abstand a von der Oberseite 75 des ersten Trägerab¬ schnitts 45 abnimmt. Im Übergangsbereich 156 fällt die Massenkonzentration γ vom ersten Grenzwert j\ mit zunehmendem Abstand a zur Oberseite des ersten Trägerabschnitts 45 zu einem zweiten Grenzwert j2 hin ab. Im zweiten Konzentrationsbereich 155, der angrenzend an die zweite Schicht 145 angeordnet ist, ist die Massenkonzentrati¬ on γ der Streupartikel 140 im Wesentlichen über den Abstand a konstant und kleiner als der zweite Grenzwert j2- Der zweite Grenzwert j2 ist kleiner als der erste Grenzwert γι. Dabei ist von besonderem Vorteil, wenn der zweite Grenzwert j2 einen
Wert aufweist, der wenigstens um 5 Prozent, vorzugsweise we¬ nigstens 10 Prozent, insbesondere wenigstens 15 Prozent, be¬ sonders vorteilhafterweise wenigstens 30 Prozent, insbesonde¬ re wenigstens 50 Prozent kleiner ist als der erste Grenzwert
Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Massenkonzentration γ im zweiten Konzentrationsbereich 155 mit zunehmendem Abstand a von der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 abnimmt.
Figur 4 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Anordnung 10. Figur 5 zeigt eine Schnittansicht der herzustellenden Anord- nung 10 nach einem vierten Verfahrensschritt 215. Figur 6 zeigt eine Schnittansicht der Anordnung 10 nach einem fünften Verfahrensschritt 220. Figur 7 zeigt eine Schnittansicht der Anordnung 10 nach einem sechsten Verfahrensschritt 225. Im ersten Verfahrensschritt 200 wird der erste Trägerab¬ schnitt 45 und der zweite Trägerabschnitt 50 des Trägers 40 in den Gehäuseboden 30 eingebracht. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, indem in einem Spritzgussverfahren der ers- te Trägerabschnitt 45 und der zweite Trägerabschnitt 50 mit Material zur Herstellung des Gehäuses 15 umspritzt werden.
In einem zweiten Verfahrensschritt 205, der auf den ersten Verfahrensschritt 200 folgt, wird das optoelektronische Halb¬ leiterbauelement 55 auf dem ersten Trägerabschnitt 45 ange¬ ordnet und mechanisch mit dem ersten Trägerabschnitt 45 ver¬ bunden. Dabei ist zusätzlich denkbar, dass die Unterseite 70 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 auch
elektrisch mit der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 verbunden wird.
In einem dritten Verfahrensschritt 210, der auf den zweiten Verfahrensschritt 205 folgt, wird die Schutzdiode 60 auf dem zweiten Trägerabschnitt 50 angeordnet und die Schutzdiode 60 mit ihrer Unterseite 100 elektrisch und mechanisch mit der Oberseite 105 des zweiten Trägerabschnitt 50 verbunden.
Selbstverständlich ist auch denkbar, dass die Unterseite 100 der Schutzdiode 60 nur mechanisch mit dem zweiten Trägerab- schnitt 50 verbunden wird.
In einem vierten Verfahrensschritt 215 wird der erste elekt¬ rische Anschluss 90 des optoelektronischen Halbleiterbauele¬ ments 55 mittels der ersten elektrischen Verbindung 120 mit der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 elektrisch verbunden. Der zweite elektrische Anschluss 95 wird mittels der zweiten elektrischen Verbindung 125 mit der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 elektrisch verbunden. In einem fünften Verfahrensschritt 220, der auf den vierten Verfahrensschritt 215 folgt, wird im Gehäuseinnenraum 35 auf zumindest die Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45, vorteilhafterweise auch auf den Gehäuseboden 30 und die Ober¬ seite 105 des zweiten Trägerabschnitts 50, die erste Schicht 130 aufgebracht. Beim Aufbringen der ersten Schicht 130 weist die erste Schicht 130 eine konstante Massenkonzentration γ von Streupartikel 140 im ersten Matrixmaterial 135 über die gesamte Dicke di der ersten Schicht 130 auf. Besonders vor- teilhaft ist, wenn die Massenkonzentration γ von Streupartikel 140 einen Wert aufweist, wobei der Wert in einem Bereich von 10 bis 40 Prozent, insbesondere in einem Bereich von 15 bis 25 Prozent, liegt.
Die erste Schicht 130 wird dabei derart aufgetragen, dass die Oberseite 65 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 frei bleibt. Die Oberseite 110 der Schutzdiode 60 kann dabei durch die erste Schicht 130 bedeckt sein. Auch kann je nach geometrischer Ausgestaltung der Schutzdiode 60, die Oberseite 110 der Schutzdiode 60 ebenso wie die Oberseite 65 des opto¬ elektronischen Halbleiterbauelements 55 frei sein und nicht durch die erste Schicht 130 bedeckt sein. In einem sechsten Verfahrensschritt 225, der auf den fünften Verfahrensschritt 220 folgt, wird die Anordnung 10 vor und/oder während des Aushärtens des ersten Matrixmaterials 135 in einer Zentrifuge zentrifugiert , sodass auf die Anord¬ nung 10 und insbesondere auf die erste Schicht 130 eine Zent- rifugalkraft Fz wirkt. Die Zentrifugalkraft Fz ist senkrecht zu der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 in Rich¬ tung der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 gerich¬ tet. Zusätzlich oder alternativ zu der Zentrifugalkraft Fz wirkt auf die erste Schicht 130 eine Schwerkraft FG. Die Schwerkraft FG ist senkrecht zu der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 in Richtung der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 gerichtet.
Die Zentrifugalkraft Fz oder die Schwerkraft FG bewirkt, dass sich zumindest ein Teil der Streupartikel 140 in dem ersten Matrixmaterial 135 in Richtung der Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 vor und/oder während des Aushärtens des ersten Matrixmaterials 135 der ersten Schicht 130 bewegen. Je nach Erstreckungsbreite der ersten Schicht 130 in einer Rich- tung quer zur Oberseite 75 des ersten Trägerabschnitts 45 be¬ wegen sich ferner die Streupartikel 140 auch in Richtung des Gehäusebodens 30 des Gehäuses 15 und in Richtung der Obersei¬ te 105 des zweiten Trägerabschnitts 50. Durch das Bereitstel- len der Zentrifugalkraft Fz oder der Schwerkraft FG nimmt die Massenkonzentration der Streupartikel 140 über die erste Schicht 130 in Richtung vom Träger 40 weg ab. Durch das parallele Aushärten des ersten Matrixmaterials 135 lagern sich während des Wirkens der Zentrifugalkraft Fz oder der Schwerkraft FG auf die Streupartikel 140 die Streuparti¬ kel 140 in dem ersten Konzentrationsbereich 150 angrenzend an die Oberseite 75, 105 und den Gehäuseboden 30 schichtartig an. Da die Streupartikel 140 eine unterschiedliche Größe und/oder eine unterschiedliche Masse aufweisen können, können sich die Streupartikel 140, je nach Ursprungsposition nach dem Auftragen der ersten Schicht 130 in dem ersten Matrixmaterial 135 unterschiedlich weit in Richtung der Oberseite 75, 105 und dem Gehäuseboden 30 bewegen, sodass sich unter Einwirkung der Zentrifugalkraft Fz oder der Schwerkraft FG neben dem ersten Konzentrationsbereich 150 der Übergangsbereich 156 und der zweite Konzentrationsbereich 155 ausbilden, in dem ebenso noch Streupartikel 140 enthalten sind.
Dabei ist von besonderem Vorteil, wenn die Zentrifugalkraft Fz, die auf den Streupartikel 140 wirkt einem Produkt einer 1- bis 4000-fachen Erdbeschleunigung g und einer Masse des Streupartikels 140 entspricht. Insbesondere ist von Vorteil, wenn hierbei die Zentrifugalkraft Fz oder die Schwerkraft FG 5 bis 15 Minuten, insbesondere 10 Minuten, auf die Anordnung 10 und hierbei insbesondere auf die Streupartikel 140 wirkt.
In einem siebten Verfahrensschritt 230, der auf den sechsten Verfahrensschritt 225 folgt, wird die zweite Schicht 145 auf der zur Oberseite 75, 105 abgewandten Seite des Trägerab¬ schnitts 45, 50 aufgebracht. Dabei wird die zweite Schicht 145 bis zur Gehäuseoberseite 33 aufgefüllt, sodass die Ober¬ seite 147 der zweiten Schicht 145 und die Gehäuseoberseite 33 in einer gemeinsamen Ebene verlaufen.
Es wird darauf hingewiesen, dass die oben beschriebenen Verfahrensschritte 200, 205, 210, 215, 220, 225, 230 auch in ei- ner anderen Reihenfolge ausgeführt werden können. Wesentlich dabei ist jedoch, dass der fünfte Verfahrensschritt 220 mit dem Aufbringen der ersten Schicht 130 vor dem Bereitstellen der Zentrifugalkraft Fz oder der Schwerkraft FG im sechsten Verfahrensschritt 225 erfolgt. Auch ist hierbei von Vorteil, wenn der siebte Verfahrensschritt 230 mit dem Aufbringen der zweiten Schicht 145 auf die erste Schicht 130 nach Bereit¬ stellung der Zentrifugalkraft Fz oder der Schwerkraft FG er¬ folgt, um so eine mögliche Vermengung der ersten Schicht 130 und der zweiten Schicht 135 beim Anfahren der Zentrifuge oder ein Auslaufen der zweiten Schicht 145 aus dem Gehäuseinnenraum 35 zu vermeiden.
Durch das Wirken der Zentrifugalkraft Fz oder der Schwerkraft FG auf die Streupartikel 140 wird sichergestellt, dass zum einen die Seitenflächen 80, 85 durch die erste Schicht 130 bedeckt sein können und so eine gute Lichtausleitung aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 55 über den Übergangsbereich 156 und den zweiten Konzentrationsbereich 155 sichergestellt ist. Zum anderen wird durch die Ausbildung des ersten Konzentrationsbereichs 150 angrenzend an die Oberseite 75, 105 und an den Gehäuseboden 30 eine zuverlässige Abstrah- lung von Licht aus dem optoelektronischen Halbleiterbauelement 55 über die Seitenflächen 80, 85 sichergestellt wird. Ferner wird durch den ersten Konzentrationsbereich 150 sichergestellt, dass das Licht vom Gehäuseboden 30 und von dem Träger 40 nach oben hin aus der Anordnung 10 abgestrahlt werden kann. Insbesondere wenn die Streupartikel 140 Titanoxid (Ti02) auf¬ weisen, weist der erste Konzentrationsbereich 150 eine im Wesentlichen einheitliche farblich weiße Ausgestaltung auf. Dadurch kann das optische Erscheinungsbild der Anordnung 10 verbessert werden, insbesondere bei einer Ausgestaltung des Gehäuses 15 mit einem transparenten und/oder einen halbtransparenten Werkstoff. Ferner kann durch die Ausbildung des ersten Konzentrationsbereichs 150 ein Lichtverlust über die Seitenflächen 80, 85 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 15 vermieden werden, sodass die Anordnung 10 eine besonders hohe Lichtemission aufweist.
Des Weiteren wird durch die Anlagerung der Streupartikel 140 nahe zu der Oberseite 75, 105 des Trägers 40 und dem Gehäuse¬ boden 30 zur Ausbildung des ersten Konzentrationsbereichs 150 eine altersbedingte Degeneration des Trägers 40 vermieden.
Ferner sind altersbedingte Verfärbungen des Trägers 25 durch den ersten Konzentrationsbereich 150 abgedeckt.
Ferner wird eine vordefinierte Farbwiedergabe der Anordnung 10, insbesondere bei der Ausgestaltung des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 als Volumenemitter, sichergestellt. Auch wird sichergestellt, dass die Anordnung 10 eine verbes¬ serte Farbhomogenität (Farbe über Winkel) aufweist. Figur 8 zeigt eine Schnittansicht durch eine Weiterbildung der in den Figuren 1 und 2 gezeigten Anordnung 10, die mittels der in Figur 4 beschriebenen Verfahrens hergestellt wird. Die Anordnung 10 weicht dahingehend zu der in den Figu¬ ren 1 und 2 gezeigten Anordnung 10 ab, dass das Gehäuse 15 einen Werkstoff aufweist, der lichtundurchlässig und schwarz ausgebildet ist.
Ferner weisen die Streupartikel 140 eine schwarze Farbe auf. Dies wird insbesondere dadurch erreicht, dass die Streuparti- kel 140 aus Ruß als Material ausgebildet sind. Durch das Wir¬ ken der Zentrifugalkraft Fz oder der Schwerkraft FG auf die Streupartikel 140 wird eine schichtartige Ausgestaltung des ersten Konzentrationsbereichs 150 an der Oberseite 75, 105 des Trägers 40 gewährleistet. Dadurch wird eine Abstrahlung von Licht über die Seitenflächen 80, 85 des optoelektronischen Halbleiterbauelements 55 sichergestellt. Dadurch wird eine Kontrasterhöhung der Anordnung 10 erreicht. Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so is die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
10 Anordnung
15 Gehäuse
20 erste Seitenwand
25 zweite Seitenwand
30 Gehäuseboden
31 erste Seitenwandinnenfläche
32 zweite Seitenwandinnenfläche
33 Gehäuseoberseite
32 Oberfläche
35 Gehäuseinnenraum
40 Träger
45 erster Trägerabschnitt
50 zweiter Trägerabschnitt
55 optoelektronisches Halbleiterbauelement
60 Schutzdiode
65 Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements
70 Unterseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements 75 Oberseite des ersten Trägerabschnitts
80 erste Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterbau¬ elements
85 zweite Seitenfläche des optoelektronischen Halbleiterbauelements
90 erster elektrischer Anschluss
95 zweiter elektrischer Anschluss
100 Unterseite der Schutzdiode
105 Oberseite des zweiten Trägerabschnitts
110 Oberseite der Schutzdiode
120 erste elektrische Verbindung
125 zweite elektrische Verbindung
130 erste Schicht
135 erstes Matrixmaterial
140 Streupartikel
145 zweite Schicht
146 zweites Matrixmaterial
147 Oberseite der zweiten Schicht
150 erster Konzentrationsbereich
155 zweiter Konzentrationsbereich
156 Übergangsbereich 200 erster Verfahrensschritt
205 zweiter Verfahrensschritt
210 dritter Verfahrensschritt
215 vierter Verfahrensschritt
220 fünfter Verfahrensschritt
225 sechster Verfahrensschritt
230 siebter Verfahrensschritt
235 achter Verfahrensschritt di Dicke der ersten Schicht
d Dicke des optoelektronischen Halbleiterbauelements d2 Dicke der Schutzdiode
a Abstand
γ Massenkonzentration
Fz Zentrifugalkraft
FG Schwerkraft
g Erdbeschleunigung
γι erster Grenzwert
j2 zweiter Grenzwert

Claims

PATENTA S PRÜCHE
Verfahren zur Herstellung einer Anordnung (10),
- wobei ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
(55) auf einem Träger (40) bereitgestellt wird,
- wobei eine erste Schicht (130) mit einem Matrixmate¬ rial (135) und Streupartikel (140) auf eine Oberseite (75, 105) des Trägers (40) aufgetragen wird,
- wobei auf die Anordnung (10) eine Zentrifugalkraft (Fz) oder eine Schwerkraft (FG) derart ausgeübt wird, dass die Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) zumindest teilweise in Richtung des Trägers (40) bewegt werden und eine Erhöhung der Konzentrati¬ on der Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) in der Nähe des Trägers (40) erreicht wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Zentrifugalkraft oder die Schwerkraft (FG) in der Weise ausgeübt wird, dass ausgehend von dem Bereich der erhöhten Konzentrati¬ on die Konzentration der Streupartikel mit zunehmenden Abstand (a) zum Träger (40) abnimmt.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei mittels der Zentrifugalkraft (Fz) oder die Schwerkraft (FG) ein Kon¬ zentrationsgefälle zwischen einem an den Träger (40) angrenzenden ersten Konzentrationsbereich (150) von Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) und einem von dem Träger (40) beabstandet angeordneten zweiten Konzentrationsbereich (155) von Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) erzeugt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Schicht (130) bis zu einer Oberseite (65) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (55) aufgefüllt wird, wobei die Oberseite (65) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (55) freigehalten wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine zweite Schicht (145) mit einem weiteren Matrixmaterial auf die erste Schicht (130) aufgebracht wird. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die zweite Schicht (145) bis zu einer Gehäuseoberseite (33) eines Gehäuses (15), in dem der Träger (40) angeordnet ist, aufgefüllt wird .
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei die zweite Schicht (145) zeitlich nach dem Wirken der Zentrifugal¬ kraft (Fz) oder die Schwerkraft (FG) auf die Anordnung (10) auf die erste Schicht (130) aufgebracht wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
- wobei die erste Schicht (130) beim Auftragen auf den Träger (40) eine Massenkonzentration von Streupartikel (140) mit einem Wert aufweist,
- wobei der Wert in einem Bereich von 10 Prozent bis 40 Prozent, insbesondere in einem Bereich von 15 Prozent bis 25 Prozent, liegt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Zentrifugalkraft (Fz) oder die Schwerkraft (FG) für ei¬ nen Zeitraum von 5 bis 15 Minuten, vorzugsweise für 10 Minuten auf die Streupartikel (140) wirkt. 10. Anordnung (10)
- aufweisend einen Träger (40) und ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (55) ,
- wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) auf dem Träger (40) angeordnet ist,
- wobei der Träger (40) zumindest teilweise mit einer ersten Schicht (130) bedeckt ist,
- wobei die erste Schicht (130) auf dem Träger (40) und seitlich angrenzend an das optoelektronische Halblei¬ terbauelement (55) angeordnet ist,
- wobei die erste Schicht (130) ein Matrixmaterial
(135) und Streupartikel (140) aufweist,
- wobei eine Konzentration der Streupartikel (140) in der ersten Schicht (130) in der Nähe des Trägers (40) erhöht ist.
11. Anordnung nach Anspruch 10, wobei die erste Schicht (130) eine Abnahme einer Konzentration der Streupartikel (140) mit zunehmenden Abstand (a) von einer Oberseite (75, 105) des Trägers (40) weg aufweist.
12. Anordnung (10) nach Anspruch 10 oder 11, wobei die erste Schicht (130) eine Dicke (di) aufweist, die kleiner oder gleich einer Dicke (di) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (55) ist.
13. Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei die Konzentration der Streupartikel (140) über die erste Schicht (130) in Richtung vom Träger (40) weg um wenigstens 5 Prozent, vorzugsweise 10 Prozent, insbeson- dere 15 Prozent, abnimmt.
14. Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 13,
- wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) wenigstens eine Seitenfläche (80, 85) aufweist,
- wobei die Seitenfläche (80, 85) im Wesentlichen senk¬ recht oder schräg zu der Oberseite (75) des Trägers (40) angeordnet ist,
- wobei die Seitenfläche (80, 85) von der ersten
Schicht (130) bedeckt ist.
15. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 14,
- wobei die Streupartikel (140) aus wenigstens einem der folgenden Materialien gebildet sind: Aluminiumoxid (AI2O3) , Titanoxid (T1O2) , Zirkoniumoxid
(Zr02) , Printex, Ruß mit einer Korngröße (d50) von
20 nm bis 20 μιη.
16. Anordnung nach einem der Ansprüche 10 bis 15,
- aufweisend eine zweite Schicht (145),
- wobei die zweite Schicht (145) ein weiteres Matrixma¬ terial aufweist,
- wobei die zweite Schicht (145) auf einer zum Träger (40) abgewandten Seite die erste Schicht (130) be¬ deckt, - wobei vorzugsweise das Matrixmaterial (135) der ers¬ ten Schicht (130) und/oder das weitere Matrixmaterial (146) der zweiten Schicht (145) als Werkstoff Silikon aufweist
- und/oder
- wobei die zweite Schicht (145) im Wesentlichen frei von Streupartikel (140) ist.
17. Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 16, wo¬ bei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) oberseitig durch die zweite Schicht (145) bedeckt ist.
18. Anordnung (10) nach einem der Ansprüche 10 bis 17,
- wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) als LED-Chip ausgebildet ist,
- wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (55) vorzugsweise als Volumenemitter ausgebildet ist.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202016104778U1 (de) 2016-08-31 2017-12-04 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED Leuchteinheit mit mehrphasiger Schutzschicht
WO2019034737A1 (de) * 2017-08-18 2019-02-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung einer halbleitervorrichtung
DE102017130476A1 (de) * 2017-12-19 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
JP7534210B2 (ja) * 2020-12-22 2024-08-14 サンコール株式会社 紫外線ｌｅｄユニット

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009031084A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light output device
DE102010027253A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012206646A1 (de) * 2012-04-23 2013-10-24 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse
DE102013207579A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit hoher Lichtstromdichte
US20130329429A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Emitter package with integrated mixing chamber
DE102013222702A1 (de) * 2013-11-08 2015-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Anordnung, Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043625A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Koha Co Ltd Ｌｅｄ装置
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006059994A1 (de) * 2006-12-19 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102010003321A1 (de) * 2010-03-26 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
EP3716331B1 (de) * 2010-12-28 2023-06-28 Nichia Corporation Lichtemittierende vorrichtung
DE102012203180A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102014108377A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102014114914A1 (de) * 2014-10-14 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009031084A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light output device
DE102010027253A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012206646A1 (de) * 2012-04-23 2013-10-24 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse
DE102013207579A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit hoher Lichtstromdichte
US20130329429A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Emitter package with integrated mixing chamber
DE102013222702A1 (de) * 2013-11-08 2015-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Anordnung, Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

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