WO2016189231A1 - Detector and associated manufacturing method - Google Patents

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WO2016189231A1
WO2016189231A1 PCT/FR2016/051192 FR2016051192W WO2016189231A1 WO 2016189231 A1 WO2016189231 A1 WO 2016189231A1 FR 2016051192 W FR2016051192 W FR 2016051192W WO 2016189231 A1 WO2016189231 A1 WO 2016189231A1
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WO
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pins
support
housing
detector according
resistive element
Prior art date
Application number
PCT/FR2016/051192
Other languages
French (fr)
Inventor
Pierre MOUSSEAU
Pierre-Yves JOUAN
Christophe PLOT
Alain Sarda
Axel FERREC
Nadine ALLANIC
Rémi DETERRE
Original Assignee
Centre National De La Recherche Scientifique
Universite De Nantes
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre National De La Recherche Scientifique, Universite De Nantes filed Critical Centre National De La Recherche Scientifique
Publication of WO2016189231A1 publication Critical patent/WO2016189231A1/en

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08Protective devices, e.g. casings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/76Measuring, controlling or regulating
    • B29C45/77Measuring, controlling or regulating of velocity or pressure of moulding material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/76Measuring, controlling or regulating
    • B29C45/78Measuring, controlling or regulating of temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements

Definitions

  • the invention relates to a sensor sensitive, for example, to a variation in temperature and / or pressure and a polymer manufacturing mold comprising such a detector.
  • the known sensors or detectors can be classified into two large families.
  • the first relates to intrusive detectors, that is to say opening into the interior of the mold and non-intrusive detectors, that is to say not opening through the mold.
  • These detectors may be of the thermocouple type, with RTD denoting the acronym for resistance temperature detector or thermistor.
  • thermocouple sensors The non-intrusive sensors currently used are mainly thermocouple sensors. It is for example known from WO2014104077 to house three thermocouple junctions in a block of material integrated in a housing. These junctions are successively arranged one above the other. The outer surface of the housing is intended to come flush with the inner surface of a mold. This type of sensor allows temperature detection or heat flow inside the mold but remains imprecise because the junctions Thermocouples are not closer to the material. This type of sensor has a response time quite high due to the thermal inertia due to the housing and the block of material and does not measure a small amount of heat flow. The same difficulties arise in document US2008170600A1.
  • sensors are known that use thin layers in order to have information that is as close to the material as possible.
  • thermoelectric elements that allow the measurement of a temperature difference between them. These elements are integrated in a capsule that has a thermal conductivity identical to that of the medium.
  • the sensitive elements are metal alloys (Chromel and Alumel) and relatively large thicknesses and of the order of one millimeter implying a high response time. Sensor sensitivity also remains low, similar to that of conventional thermocouples.
  • the invention aims in particular to provide a simple, effective and economical solution to the problems of the prior art described above.
  • a detector sensitive to a variation of temperature comprising a housing defining a tubular cavity open at one end of said housing in which is arranged a support of electrically and thermally insulating material and having a coefficient of thermal conduction lower than the coefficient of thermal conduction of the housing, at least a first pair of pins made of electrically conductive material being housed in the support and having first ends which are flush with an outer face of said support, said ends of said first pair of pins being connected by a first resistive element whose impedance varies with the temperature.
  • the configuration of the detector or sensor according to the invention makes it possible to have at least one first element sensitive to the surface of a support.
  • This support can be integrated so that its outer surface is flush with the inner face of a mold.
  • the sensor according to the invention which could be considered as intrusive since the sensitive element is intended to be arranged in the mold, can in practice be considered as a non-intrusive sensor because of the very small thickness of the sensitive element intended to be arranged in the mold.
  • the direct contact of the resistive element with the medium makes it possible to reduce the reaction time of the whole measurement acquisition chain and makes it possible to increase considerably the sensitivity of the detector with respect to non-emerging sensitive element detectors.
  • the resistive element is not housed in a cavity, intended to protect the resistive element, as in some documents of the prior art.
  • the sealing integration of the pins in a support makes it possible to avoid material leaks in the support.
  • the use of a support having a low coefficient of thermal conduction and less than that of the housing makes it possible to limit the conduction of heat towards the housing.
  • the housing surrounding the support ensures a good mechanical strength to the support and pin assembly when it is integrated into the wall of a mold.
  • Said at least one resistive element preferably has a thickness less than 10 ⁇ , more preferably less than 2 ⁇ and even more preferably between 500 nm and 2 ⁇ .
  • the device comprises a second pair of pins connected by a second resistive element whose impedance varies with a second physical parameter.
  • the first physical parameter being for example the temperature and the second physical parameter being the pressure
  • the first element is measured a temperature variation and with the second element of measure a variation of pressure. It is also possible with this device to decouple the influence of the first physical parameter on the measurement of the impedance of the second element which is a function of the second physical parameter and vice versa.
  • first element and the second element may be arranged on said face of the support so as to be substantially parallel to each other.
  • This configuration makes it possible to have measurements by the first and second elements that are made in the same operating plane.
  • This arrangement makes it possible to have a symmetry of the active face of the detector.
  • the first physical parameter and the second physical parameter are identical and the first element and the second element are carried by the external face of the support so that the first element is arranged according to the axis of the housing between the outer face of the support and the second element and separated from the second element by an insulating layer.
  • the first and the second physical parameters are temperature, for example, it is possible with such an arrangement to measure a heat flux between the first element and the second element.
  • the thickness of the insulating layer is determined in relation to the thickness of each of the first and second elements so as to have a significant and quantifiable difference in impedance. between said two first and second elements.
  • the first resistive element and the second resistive element are each oriented in a given direction substantially perpendicular to the axis of the housing, which directions are perpendicular to each other.
  • the overlap zone of the first and second elements can thus be considered as representative of the measurement point.
  • the use of such an arrangement of the first and second elements makes it easier to pass the first and second pins in a small support, particularly small diameter when it is circular section.
  • An electrical protection layer preferably covers said at least first resistive element.
  • the protective layer is preferably a passivation layer, made for example of silicon nitride or aluminum nitride. It also protects the first element of contact with oxygen, to prevent oxidation.
  • the protective layer preferably has a thickness of the order of a few hundred nanometers.
  • the housing comprises an internal shoulder on which the support is mounted in support.
  • This shoulder is intended to allow a good mechanical support of the support on the shoulder of the housing which is it intended to be fixed on a wall of a mold.
  • the pins of said at least first pair are preferably of identical geometries and arranged symmetrically with respect to the axis of the housing.
  • the pins may have a diameter less than one millimeter.
  • the tubular housing may have a cylindrical outer face provided with a thread for fixing it in an opening of a mold.
  • Said at least first element can be made in one of the following materials: a metallic material, an oxide in particular oxide nickel, a semiconductor material or a metal alloy.
  • Said at least a first pair of pins is made of a metallic material.
  • the pins of the first pair may include second ends opposite the first ends and connected to terminals of an electrical circuit so that the sensor forms one of the components of a Weatstone bridge electrical circuit.
  • the electrical circuit can be connected to synchronous detection means.
  • the invention also relates to a mold for manufacturing polymer parts comprising a closed chamber intended to receive a polymer material and a wall of the chamber of which is traversed by at least one detector as described above, the external face of the detector located on the outside. side of the first ends of the pins being arranged to be flush with an inner surface of the enclosure.
  • the invention also relates to a method for producing a detector of the type described above, consisting of:
  • the deposition of said at least first element can be achieved by sputtering.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view of a detector according to the invention.
  • FIG. 2 is a schematic view from above of the detector of FIG. 1;
  • FIG. 3 is a schematic perspective view of a second embodiment of the invention.
  • FIG. 4 is a schematic view from above of the second embodiment of the invention.
  • FIG. 5 is a schematic top view of a detector according to a third embodiment of the invention.
  • FIGS. 6 and 7 are diagrammatic representations of two types of connection of the pins to a conductive element in a detector according to the invention.
  • FIG. 8 is a schematic view of the steps of the method for producing the detector of FIGS. 1 to 3;
  • FIG. 9 is a schematic view of the steps of the method for producing the detector of FIG. 4;
  • FIG. 10 is a schematic view of the steps of the method for producing the detector of FIG. 5;
  • FIG. 1 1 is a schematic view of a detection circuit Wheatstone bridge resistive circuit incorporating a detector according to the invention
  • FIG. 12 is a diagrammatic view of a capacitive-capacitance Wheatstone bridge detection circuit incorporating a detector according to the invention.
  • FIG. 13 is a schematic representation of a Wheatstone bridge circuit comprising first and second resistive elements responsive to a temperature change
  • FIG. 14 is a schematic representation of the integration of a detector according to the invention in a mold.
  • FIG. 1 represents a detector 10 according to the invention comprising a tubular housing 12, preferably of cylindrical shape, defining internally a cavity 14 between a first end 16 and a second end 18 and in which is mounted a support block 20 of electrically insulating material and preferably having a coefficient of thermal conduction lower than the coefficient of thermal conduction of the housing 12.
  • the support block 20 has a cylindrical shape and comprises along the axis 47 a first end 22 and a second end 24 and is mounted from the first end 18 of the housing 12 so as to bear axially on an internal radial annular shoulder 26 of the housing 12.
  • the support 20 houses a first pair of pins 28 made of an electrically conductive material.
  • first pins 28 each comprise a first end 30 flush with the outer surface 32 of the support 20, which itself is flush with the annular edge of the first end 18 of the cylindrical housing 12.
  • the first pins 28 also each comprise a second end 34 opposite to the first end 30 and projecting from a face 35 of the so-called internal support 20 which is opposite to the outer face 32.
  • face / outer surface of the support designates the face / surface of the support which is the outside of the case.
  • the support 20 is fully housed in the housing, when its outer / outer surface is flush with the annular edge of an end 18 of the housing, in this case the first end 18 of the housing as shown in FIGS.
  • chamfers 36 are formed at the outlets of the housing holes of the first pins 28 on the outer face 32.
  • chamfers 36 are formed on the support 20 and the housing 12 at the level of the first end 18 of the housing 12.
  • These chamfered areas are intended to allow a solder, for example by soldering the housing 12 and the support 20 and the first pins 28 with the support 20.
  • the parts fixing areas are not not formed protruding on the first face, that is to say the outer face 32 of the support 20, which allows easy polishing of the outer face 32 of the support 20 as will appear more clearly in relation to Figure 8 by example, describing a method of producing a detector according to the invention.
  • the solders are made so as to withstand up to a temperature of the order of 300 ° C.
  • FIGS. 3 and 4 show a second embodiment of a detector 39 according to the invention in which the support comprises a second pair of pins 40.
  • the first pins 40 are connected to one another by a first element 38 whose impedance can vary with a first physical parameter as previously described and the second pins 40 are connected to each other by a second substantially rectilinear element 42 whose impedance varies with a second physical parameter.
  • This second physical parameter can be temperature or pressure, for example.
  • the first physical parameter and the second physical parameter are different.
  • the first physical parameter is chosen to match the temperature and the second physical parameter is chosen to match the pressure.
  • a first element 38 makes it possible, by measuring its impedance, to determine the temperature of the physical environment in which it is immersed and a second element 42 makes it possible, by measuring its impedance, to determine the pressure of the physical environment. in which he is immersed.
  • the use of two elements 38, 42 sensitive to two different physical parameters makes it possible to decouple the effects of the first physical parameter on the measurement of the impedance of the second element 42 responsive to the second physical parameter and vice versa.
  • first member 38 is substantially parallel to the second member 42.
  • other orientations of the first member 38 relative to the second member 42 may be used.
  • FIG. 5 represents a third embodiment of a detector 43 according to the invention also comprising a first pair of pins 28 and a second pair of pins 40 and also a first element 44 of electrical connection of the first pins 28 and a second element
  • the first element 44 is arranged between the outer face 32 of the support 12 and the second element 46, the first element 44 and the second element 46 being separated by an insulating layer whose thickness is chosen. so that the first 44 and second 46 elements, made of the same material, have a significant and quantifiable impedance difference thus making it possible to determine a heat flux value.
  • first resistive element 44 and the second resistive element 46 are substantially perpendicular to the axis 47 of the housing 12 ( Figures 1 and 5).
  • first 44 and second 46 straight elements are substantially perpendicular to each other so as to have a central overlap area.
  • bevels 36 may also be made as described with reference to FIG.
  • the senor may comprise a number of pairs of pins greater than two as described with reference to FIGS. 3 to 5. It would thus be possible to make a detector comprising 3 or 4 pairs of pins, the limit of the number of pins being essentially a function of the external surface of the detector to arrange the resistive elements therein.
  • FIGS. 6 and 7 show two pin connection modes 48 to a resistive element 50.
  • this connection can be made in such a way that the ends of the resistive element 48 are in direct contact with the resistive elements. first ends 34 of the pins 48 ( Figure 6).
  • this connection can be made in such a way that the ends of the resistive element 51 are in direct contact with an insulating layer 52 of a thickness of the order of a few micrometers, which insulating layer 52 covers the first ends 30 of the pins 48 ( Figure 7).
  • an insulating layer is interposed between the ends of the resistive element 51 and the first ends 30 of the pins 48.
  • Figure 8 shows schematically the steps of a method of producing the detector of Figures 1 and 2.
  • the various constituent parts of the detector 10 are produced independently of one another.
  • the support 20 is inserted into the housing 12 through the first end thereof until the support abuts on the inner annular shoulder of the housing 12, the outer face of the support then flush with the first annular edge of the housing 12.
  • an operator brazes the support 20 on the housing 12, an insertion of the pins 28 in the tubular housing of the support 20 and a brazing of the first pins 28 in the support 20.
  • the pins 28 are dimensioned and inserted into the support so that the first ends 30 of the pins 28 are flush with the outer face of the support and the second ends 34 of the pins 28 project from the inner face 35.
  • a mask 54 is applied to the outer face of the support 20, this mask 54 comprising an opening of identical shape to the desired shape for the resistive element 38.
  • the method consists in producing a deposit, of a metallic or semiconductor material sensitive to a given first physical parameter, by reactive cathode sputtering such as a plasma-enhanced chemical vapor deposition on the mask 54, which leads to the formation a resistive element 38 of corresponding shape to the opening of the mask 54.
  • the method consists in forming a passivation layer 56 above the resistive element 38 so as to form a protective barrier electrical component of the resistive element 38.
  • FIG. 9 schematically represents the steps of a method for producing the detector of FIGS. 3 and 4.
  • the various constituent parts of the detector 39 are produced independently of each other, namely the first 28 and second 40 pins.
  • the support 20 comprising four holes of shapes adapted to receive by sliding the first 28 and 40 seconds pins, and the housing 12.
  • an operator after assembling the parts, proceeds to solder the first 28 and 40 seconds 40 pins 20 with the support 20 and the support 20 in the housing 12.
  • a first mask 56 having a rectilinear elongated opening is arranged on the support 20. A first vapor phase deposition of a sensitive material is then performed.
  • a second mask 58 having a rectilinear elongate opening is provided on the support.
  • the mask 58 is positioned on the support so that the rectilinear opening is substantially parallel to the first resistive element 38. It then proceeds to a sputtering deposition phase vapor on the second mask 58 of a pressure sensitive material which leads to the formation of a second resistive element 42 sensitive to the pressure on the support.
  • an operator deposes a passivation layer 60 in a manner similar to that described with reference to FIG. 8.
  • FIG. 10 schematically represents the steps of a method for producing the detector 43 of FIG. 5.
  • the steps I to V described are identical to those described with reference to FIG. 9.
  • the method in relation with FIG. of the method of Figure 9 in that it comprises an intermediate step 11 ll.
  • the vapor phase vapor deposited material in steps III and IV are identical so that the first element 44 and the second element 46 both have sensitivity to the same physical parameter which is the temperature here.
  • the first 62 and second 64 masks are shaped and positioned on the support so that the first 44 and second 46 resistive elements are perpendicular to each other.
  • Stage II 11 essentially consists in depositing an insulating layer 66 on the first resistive element 44, immediately after the first mask 62 has been removed. In this way, the second resistive element 46 is formed above the layer isolator 66 which thus separates the first resistive element 44 from the second resistive element 46.
  • the resistive element 38 When it is desired to make a point temperature measurement, it is desirable for the resistive element 38 to be in a semiconductor material, such as an oxide of nickel, magnesium or manganese whose resistivity varies exponentially with the temperature; which makes it possible to obtain a good accuracy of the temperature value.
  • a semiconductor material such as an oxide of nickel, magnesium or manganese whose resistivity varies exponentially with the temperature; which makes it possible to obtain a good accuracy of the temperature value.
  • This type of resistive element can be used in the embodiments shown in Figures 1 and 4.
  • the resistive element preferably has a length less than one centimeter. It would be possible with these materials to consider a quasi-punctual deposit of the resistive element.
  • This type of material can be used in connection with a direct connection pins to the resistive element 50 as with reference to Figure 6 or by indirect connection through an insulating layer as described with reference to Figure 7.
  • the resistive element 38 When it is desired to make a so-called “integrated" measurement of temperature on a surface, it is desirable for the resistive element 38 to be in a conductive material whose resistivity varies linearly with the temperature such as, for example, nickel whose linearity up to At 200 ° C is remarkable, platinum or gold whose linearity is also good over a wide temperature range and has good thermal stability. It would also be possible to use copper but its thermal stability is lower. To obtain the desired sensitivity, the resistive element should have a longer length, that is to say greater than or equal to 1 centimeter.
  • the resistive element may be in the form of a linear or circular coil.
  • metal alloys whose resistivity varies with a gauge factor. These metal alloys are for example: an alloy of nickel and copper, an alloy of nickel and chromium, an alloy of nickel, chromium, copper and iron or an alloy of platinum and tungsten.
  • the length of the resistive element is preferably greater than or equal to 1 cm. It would also be possible to envisage deposits in the form of linear or circular coils over a greater length of the outer face of the support to increase the sensitivity of the detector thus formed.
  • resistive element 44, 46 is preferably greater than or equal to 1 cm. It would also be possible to envisage deposits in the form of linear or circular coils over a greater length of the outer face of the support to increase the sensitivity of the detector thus formed.
  • the passivation protective layer intended to serve as an electrical insulator is, for example, SiO 2, Si 3 N 4, Al 2 O 3 or AlN.
  • the thickness is of the order of a few microns, typically between 1 and 4 ⁇ .
  • FIG. 11 represents a Wheatstone bridge electrical circuit 68 comprising two known resistors Rx1 and R1, a precision variable resistor Rz and a direct voltage source 70 or in harmonic regime and a resistive element 50 according to FIG.
  • the resistive element 50 is connected to the circuit 68 by its second ends 34 ( Figures 1 1 and 6).
  • the detector is arranged between the resistor R1 and the variable resistor Rx1.
  • the voltage source is connected on one side between the resistors Rx1 and R1 and between the resistor Rz and the resistive element 50.
  • the circuit 68 also comprises synchronous detection means 72 intended to be used with a harmonic power supply.
  • Wheatstone bridge based electrical mounting is initially balanced with external variable resistance to the system.
  • the variation of the impedance of the resistive element 38 with the temperature makes it possible to detect the event which induced this disturbance.
  • the function of the Wheatstone bridge is to change the nature of the electrical signal, linearize it over a temperature range and amplify it.
  • the combination of resistive mounting with synchronous detection allows signals to be separated at different frequencies to avoid measurement noise and to detect signals with smaller amplitudes.
  • a sensor in capacitive mounting as described with reference to Figure 7 can also be used in place of the resistive mounting detector ( Figure 12).
  • each resistive element 38, 42 can be connected to its own electrical Wheatstone bridge circuit.
  • the detector 43 shown in FIG. 5 it would be possible to use a Wheatstone bridge electrical circuit according to FIG. 13. This circuit is similar to that described with reference to FIG. However, the variable resistor is here replaced by the first resistive element 44. The second resistive element 46 here forms the fourth component of the Wheatstone bridge circuit. With this arrangement, it is thus possible to measure a flow of heat flowing between the first and second resistive elements.
  • FIG. 14 is a schematic perspective view of a portion of a mold 74 comprising two detectors 76 according to the invention which are fixed through a wall of the mold by means of a threading of the outer surface of the housing of each of the detectors screwed into a corresponding thread of an orifice of a wall of the mold. More precisely, the annular edge 18 and the outer face of the support of each detector 76 are flush with an inner face of the mold 74.
  • the housing can be made of titanium, the titanium pins and the alumina support.
  • the first resistive element and / or the second resistive have a thickness of less than 10 ⁇ , preferably less than 2 ⁇ and more preferably between 500 nm and 2 ⁇ .

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Abstract

The invention relates to a detector (10) comprising a housing (12) defining a tubular recess (14) open at one end of said housing (12) wherein a substrate (20) made of electrically and thermally insulating material and having a thermal conduction coefficient lower than the thermal conduction coefficient of the housing (12) is arranged, at least one first pair of pins (28) made of an electrically conductive material being inserted into the substrate (20) and having first ends (30) which are flush with an outer surface (32) of said substrate (20), said first ends of said first pair (28) being connected by a first resistive element in which the impedance varies with a first physical parameter.

Description

DETECTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE  DETECTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
L'invention concerne un détecteur sensible, par exemple, à une variation de température et/ou de pression ainsi qu'un moule de fabrication de polymères comprenant un tel détecteur. The invention relates to a sensor sensitive, for example, to a variation in temperature and / or pressure and a polymer manufacturing mold comprising such a detector.
Lors des opérations d'élaboration de pièces en polymères dans un moule, il est nécessaire de connaître en temps réel les conditions de température et de pression régnant dans le moule au plus près de la « pâte » polymère en transformation. En effet, la connaissance des paramètres de production, tels que la température et la pression permet de réaliser un contrôle et un suivi de la production de la matière polymère et au besoin permet d'ajuster les conditions d'élaboration du polymère en cours de formation.  During the operations of developing polymer parts in a mold, it is necessary to know in real time the temperature and pressure conditions prevailing in the mold as close to the polymer "paste" in transformation. In fact, knowledge of the production parameters, such as temperature and pressure makes it possible to control and monitor the production of the polymer material and, if necessary, to adjust the conditions for producing the polymer that is being formed. .
Pour cela, de nombreux capteurs sont disponibles mais sont toutefois limités par les conditions particulières de température et de pression régnant à l'intérieur du moule et par le manque de sensibilité de ces capteurs commerciaux.  For this, many sensors are available but are limited by the particular conditions of temperature and pressure inside the mold and the lack of sensitivity of these commercial sensors.
Les capteurs ou détecteurs connus peuvent être classés en deux grandes familles. La première concerne les détecteurs intrusifs, c'est-à-dire débouchant à l'intérieur du moule et les détecteurs non intrusifs, c'est-à- dire ne débouchant par à l'intérieur du moule. Ces détecteurs peuvent être du type thermocouple, RTD désignant l'acronyme anglais de Résistance Température Detector ou thermistance.  The known sensors or detectors can be classified into two large families. The first relates to intrusive detectors, that is to say opening into the interior of the mold and non-intrusive detectors, that is to say not opening through the mold. These detectors may be of the thermocouple type, with RTD denoting the acronym for resistance temperature detector or thermistor.
Les capteurs non intrusifs utilisés à l'heure actuelle sont principalement des capteurs à thermocouples. Il est par exemple connu du document WO2014104077 de loger trois jonctions thermocouples dans un bloc de matière intégré à un boîtier. Ces jonctions sont agencées successivement les unes aux dessus des autres. La surface externe du boîtier est destinée à venir affleurer la surface interne d'un moule. Ce type de capteur permet une détection de température ou d'un flux de chaleur à l'intérieur du moule mais qui reste imprécise du fait que les jonctions thermocouples ne sont pas au plus près de la matière. Ce type de capteur a un délai de réponse assez élevé du fait de l'inertie thermique dû au boîtier et au bloc de matière et ne permet pas de mesurer de faible quantité de flux thermique. Les mêmes difficultés se posent dans le document US2008170600A1 . The non-intrusive sensors currently used are mainly thermocouple sensors. It is for example known from WO2014104077 to house three thermocouple junctions in a block of material integrated in a housing. These junctions are successively arranged one above the other. The outer surface of the housing is intended to come flush with the inner surface of a mold. This type of sensor allows temperature detection or heat flow inside the mold but remains imprecise because the junctions Thermocouples are not closer to the material. This type of sensor has a response time quite high due to the thermal inertia due to the housing and the block of material and does not measure a small amount of heat flow. The same difficulties arise in document US2008170600A1.
Parmi les capteurs dits débouchants, on connaît des capteurs qui utilisent des couches minces afin d'avoir une information au plus près de la matière.  Among the so-called open-ended sensors, sensors are known that use thin layers in order to have information that is as close to the material as possible.
Les résistances déposées en couches minces permettent d'obtenir une mesure de température précise et localisée. Lichtenwalner et al. [D.J. Lichtenwalner et al. / Sensors and Actuators A 135 (2007) 593-597] ont ainsi mis au point un concept de capteur capable d'évaluer plusieurs grandeurs physiques différentes, à savoir la température et la contrainte. Ceci est rendu possible grâce à l'intégration d'éléments conçus à partir de deux matériaux : le platine et le Nickel-Chromium. Toutefois, la connexion des couches minces avec des fils de cuivre pour pouvoir récupérer le signal électrique est à l'origine de nombreux disfonctionnement (court-circuit, mauvais contact, oxydation,...).  The resistances deposited in thin layers make it possible to obtain a precise and localized temperature measurement. Lichtenwalner et al. [D.J. Lichtenwalner et al. Sensors and Actuators A 135 (2007) 593-597] have developed a sensor concept capable of evaluating several different physical quantities, namely temperature and stress. This is made possible by the integration of elements made from two materials: platinum and nickel-chromium. However, the connection of thin layers with copper son to be able to recover the electrical signal is at the origin of many malfunction (short circuit, bad contact, oxidation, ...).
Il est connu du document US4245500 d'intégrer dans un milieu solide un capteur constitué de deux éléments thermoélectriques superposés qui permettent la mesure d'un écart de température entre eux. Ces éléments sont intégrés dans une capsule qui a une conductivité thermique identique à celle du milieu. Les éléments sensibles sont en alliages métalliques (Chromel et Alumel) et d'épaisseurs relativement importantes et de l'ordre du millimètre impliquant un temps de réponse élevé. La sensibilité du capteur reste également faible, similaire à celle des thermocouples classiques.  It is known from US4245500 to integrate in a solid medium a sensor consisting of two superimposed thermoelectric elements that allow the measurement of a temperature difference between them. These elements are integrated in a capsule that has a thermal conductivity identical to that of the medium. The sensitive elements are metal alloys (Chromel and Alumel) and relatively large thicknesses and of the order of one millimeter implying a high response time. Sensor sensitivity also remains low, similar to that of conventional thermocouples.
L'invention a notamment pour but d'apporter une solution simple, efficace et économique aux problèmes de l'art antérieur décrit précédemment.  The invention aims in particular to provide a simple, effective and economical solution to the problems of the prior art described above.
A cette fin, elle propose un détecteur sensible à une variation de température, comprenant un boîtier définissant une cavité tubulaire ouverte à une extrémité dudit boîtier dans laquelle est agencé un support en matériau électriquement et thermiquement isolant et ayant un coefficient de conduction thermique inférieur au coefficient de conduction thermique du boîtier, au moins une première paire de broches réalisées en matériau électriquement conducteur étant logées dans le support et ayant des premières extrémités qui affleurent une face externe dudit support, lesdites extrémités de ladite première paire de broches étant reliées par un premier élément résistif dont l'impédance varie avec la température. For this purpose, it proposes a detector sensitive to a variation of temperature, comprising a housing defining a tubular cavity open at one end of said housing in which is arranged a support of electrically and thermally insulating material and having a coefficient of thermal conduction lower than the coefficient of thermal conduction of the housing, at least a first pair of pins made of electrically conductive material being housed in the support and having first ends which are flush with an outer face of said support, said ends of said first pair of pins being connected by a first resistive element whose impedance varies with the temperature.
La configuration du détecteur ou capteur selon l'invention permet d'avoir au moins un premier élément sensible à la surface d'un support. Ce support peut ainsi être intégré de manière à ce que sa surface externe affleure la face interne d'un moule. Le capteur selon l'invention, qui pourrait être considéré comme intrusif puisque l'élément sensible est destiné à être agencé dans le moule, peut en pratique être considéré comme un capteur non intrusif du fait de la très faible épaisseur de l'élément sensible destiné à être agencé dans le moule. Le contact direct de l'élément résistif avec le milieu permet de réduire le temps de réaction de l'ensemble de la chaîne d'acquisition de mesure et permet d'augmenter notablement la sensibilité du détecteur par rapport aux détecteurs à élément sensible non débouchant. Selon l'invention, l'élément résistif n'est pas logé dans une cavité, visant à protéger l'élément résistif, comme dans certains documents de la technique antérieure.  The configuration of the detector or sensor according to the invention makes it possible to have at least one first element sensitive to the surface of a support. This support can be integrated so that its outer surface is flush with the inner face of a mold. The sensor according to the invention, which could be considered as intrusive since the sensitive element is intended to be arranged in the mold, can in practice be considered as a non-intrusive sensor because of the very small thickness of the sensitive element intended to be arranged in the mold. The direct contact of the resistive element with the medium makes it possible to reduce the reaction time of the whole measurement acquisition chain and makes it possible to increase considerably the sensitivity of the detector with respect to non-emerging sensitive element detectors. According to the invention, the resistive element is not housed in a cavity, intended to protect the resistive element, as in some documents of the prior art.
L'intégration à étanchéité des broches dans un support permet d'éviter les fuites de matière dans le support. L'utilisation d'un support ayant un faible coefficient de conduction thermique et inférieur à celui du boîtier permet de limiter la conduction de chaleur vers le boîtier.  The sealing integration of the pins in a support makes it possible to avoid material leaks in the support. The use of a support having a low coefficient of thermal conduction and less than that of the housing makes it possible to limit the conduction of heat towards the housing.
Le boîtier entourant le support permet de garantir une bonne tenue mécanique à l'ensemble support et broches lorsque celui-ci est intégré dans la paroi d'un moule.  The housing surrounding the support ensures a good mechanical strength to the support and pin assembly when it is integrated into the wall of a mold.
Ledit au moins un élément résistif a, de préférence, une épaisseur inférieure à 10 μητι, plus préférentiellement inférieure à 2 μηη et encore plus préférentiellement comprise entre 500 nm et 2 μιτι. Said at least one resistive element preferably has a thickness less than 10 μητι, more preferably less than 2 μηη and even more preferably between 500 nm and 2 μιτι.
Selon une réalisation particulière de l'invention, le dispositif comprend une seconde paire de broches reliées par un second élément résistif dont l'impédance varie avec un second paramètre physique.  According to a particular embodiment of the invention, the device comprises a second pair of pins connected by a second resistive element whose impedance varies with a second physical parameter.
Lorsque le premier paramètre physique est différent du second paramètre physique, le premier paramètre physique étant par exemple la température et le second paramètre physique étant la pression, il est ainsi possible avec le premier élément de mesurer une variation de température et avec le second élément de mesurer une variation de pression. Il est également possible avec ce dispositif de découpler l'influence du premier paramètre physique sur la mesure de l'impédance du second élément qui est fonction du second paramètre physique et inversement.  When the first physical parameter is different from the second physical parameter, the first physical parameter being for example the temperature and the second physical parameter being the pressure, it is thus possible with the first element to measure a temperature variation and with the second element of measure a variation of pressure. It is also possible with this device to decouple the influence of the first physical parameter on the measurement of the impedance of the second element which is a function of the second physical parameter and vice versa.
Dans cette réalisation, le premier élément et le second élément peuvent être agencés sur ladite face du support de manière à être sensiblement parallèles l'un à l'autre. Cette configuration permet d'avoir des mesures par les premier et second éléments qui sont réalisées dans le même plan de fonctionnement. Ce montage permet d'avoir une symétrie de la face active du détecteur.  In this embodiment, the first element and the second element may be arranged on said face of the support so as to be substantially parallel to each other. This configuration makes it possible to have measurements by the first and second elements that are made in the same operating plane. This arrangement makes it possible to have a symmetry of the active face of the detector.
Selon une autre réalisation possible de l'invention, le premier paramètre physique et le second paramètre physique sont identiques et le premier élément et le second élément sont portés par la face externe du support de manière à ce que le premier élément soit agencé selon l'axe du boîtier entre la face externe du support et le second élément et séparé du second élément par une couche isolante.  According to another possible embodiment of the invention, the first physical parameter and the second physical parameter are identical and the first element and the second element are carried by the external face of the support so that the first element is arranged according to the axis of the housing between the outer face of the support and the second element and separated from the second element by an insulating layer.
Dans cette configuration, lorsque le premier et le second paramètres physiques sont la température, par exemple, il est possible avec un tel agencement de mesurer un flux de chaleur entre le premier élément et le second élément. L'épaisseur de la couche isolante est déterminée en relation avec l'épaisseur de chacun des premier et second éléments de manière à avoir une différence d'impédance significative et quantifiable entre lesdits deux premier et second éléments. In this configuration, when the first and the second physical parameters are temperature, for example, it is possible with such an arrangement to measure a heat flux between the first element and the second element. The thickness of the insulating layer is determined in relation to the thickness of each of the first and second elements so as to have a significant and quantifiable difference in impedance. between said two first and second elements.
Dans une réalisation pratique de ce mode de réalisation, le premier élément résistif et le second élément résistif sont chacun orienté dans une direction donnée sensiblement perpendiculaire à l'axe du boîtier, lesquelles directions étant perpendiculaires l'une à l'autre. La zone de recouvrement des premier et second éléments peut ainsi être considérée comme représentative du point de mesure. L'utilisation d'un tel agencement des premier et second éléments permet de faire passer plus facilement les premières et secondes broches dans un support de faible dimension, en particulier de faible diamètre lorsque celui-ci est à section circulaire.  In a practical embodiment of this embodiment, the first resistive element and the second resistive element are each oriented in a given direction substantially perpendicular to the axis of the housing, which directions are perpendicular to each other. The overlap zone of the first and second elements can thus be considered as representative of the measurement point. The use of such an arrangement of the first and second elements makes it easier to pass the first and second pins in a small support, particularly small diameter when it is circular section.
Une couche de protection électrique recouvre de préférence ledit au moins premier élément résistif. La couche de protection est de préférence une couche de passivation, réalisée par exemple en nitrure de silicium ou d'aluminium. Elle permet également de protéger le premier élément d'un contact avec l'oxygène, afin d'éviter son oxydation.  An electrical protection layer preferably covers said at least first resistive element. The protective layer is preferably a passivation layer, made for example of silicon nitride or aluminum nitride. It also protects the first element of contact with oxygen, to prevent oxidation.
La couche de protection a de préférence une épaisseur de l'ordre de quelques centaines de nanomètres.  The protective layer preferably has a thickness of the order of a few hundred nanometers.
Selon une autre caractéristique de l'invention, le boîtier comprend un épaulement interne sur lequel le support est monté en appui. Cet épaulement est destiné à permettre un bon appui mécanique du support sur l'épaulement du boîtier qui est lui destiné à venir se fixer sur une paroi d'un moule.  According to another characteristic of the invention, the housing comprises an internal shoulder on which the support is mounted in support. This shoulder is intended to allow a good mechanical support of the support on the shoulder of the housing which is it intended to be fixed on a wall of a mold.
Les broches de ladite au moins première paire sont de préférence de géométries identiques et agencées de manière symétrique par rapport à l'axe du boîtier. Les broches peuvent avoir un diamètre inférieur au millimètre.  The pins of said at least first pair are preferably of identical geometries and arranged symmetrically with respect to the axis of the housing. The pins may have a diameter less than one millimeter.
Le boîtier tubulaire peut avoir une face externe de forme cylindrique pourvue d'un filetage pour la fixation de celui-ci dans une ouverture d'un moule.  The tubular housing may have a cylindrical outer face provided with a thread for fixing it in an opening of a mold.
Ledit au moins premier l'élément peut être réalisé dans l'un des matériaux suivants : un matériau métallique, un oxyde en particulier oxyde de nickel, un matériau semi-conducteur ou un alliage métallique. Said at least first element can be made in one of the following materials: a metallic material, an oxide in particular oxide nickel, a semiconductor material or a metal alloy.
Ladite au moins une première paire de broches est réalisée dans un matériau métallique.  Said at least a first pair of pins is made of a metallic material.
Les broches de la première paire peuvent comprendre des secondes extrémités opposées aux premières extrémités et reliées à des bornes d'un circuit électrique de manière à ce que le capteur forme l'un des composants d'un montage électrique en pont de Weatstone. Le circuit électrique peut être relié à des moyens de détection synchrone.  The pins of the first pair may include second ends opposite the first ends and connected to terminals of an electrical circuit so that the sensor forms one of the components of a Weatstone bridge electrical circuit. The electrical circuit can be connected to synchronous detection means.
L'invention concerne également un moule de fabrication de pièces en polymère comprenant une enceinte fermée destinée à recevoir un matériau polymère et dont une paroi de l'enceinte est traversée par au moins un détecteur tel que décrit précédemment, la face externe du détecteur située du côté des premières extrémités des broches étant agencée de manière à affleurer une surface interne de l'enceinte.  The invention also relates to a mold for manufacturing polymer parts comprising a closed chamber intended to receive a polymer material and a wall of the chamber of which is traversed by at least one detector as described above, the external face of the detector located on the outside. side of the first ends of the pins being arranged to be flush with an inner surface of the enclosure.
L'invention concerne encore un procédé de réalisation d'un détecteur du type décrit ci-dessus, consistant à :  The invention also relates to a method for producing a detector of the type described above, consisting of:
- fournir un boîtier tubulaire,  - provide a tubular housing,
- fournir un support en matériau électriquement et thermiquement isolant et ayant un coefficient de coefficient de conduction thermique inférieur au coefficient de conduction thermique du boîtier,  provide a support of electrically and thermally insulating material and having a coefficient of thermal conduction coefficient lower than the coefficient of thermal conduction of the housing,
- insérer une première paire de broches dans le support de manière à ce que des premières extrémités des broches affleurent une surface externe du support et braser les broches dans le support,  inserting a first pair of pins in the support so that the first ends of the pins are flush with an external surface of the support and brazing the pins in the support,
- fixer le support dans le boîtier par brasure,  - fix the support in the housing by brazing,
- déposer au moins un premier élément résistif, dont l'impédance varie avec un premier paramètre physique, sur la surface externe du support de manière à relier lesdites deux premières extrémités de la première paire de broches,  depositing at least a first resistive element, whose impedance varies with a first physical parameter, on the outer surface of the support so as to connect said first two ends of the first pair of pins,
- déposer une couche de protection électrique au-dessus du premier élément et de la surface externe du support.  - Deposit an electrical protection layer over the first element and the outer surface of the support.
Le dépôt dudit au moins premier élément peut être réalisé par pulvérisation cathodique. The deposition of said at least first element can be achieved by sputtering.
D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante faite à titre d'exemple non limitatif et en référence aux dessins annexés dans lesquels :  Other advantages and characteristics of the invention will appear on reading the following description given by way of nonlimiting example and with reference to the appended drawings in which:
- la figure 1 est une vue schématique en coupe d'un détecteur selon l'invention ;  - Figure 1 is a schematic sectional view of a detector according to the invention;
- la figure 2 est une vue schématique du dessus du détecteur de la figure 1 ;  FIG. 2 is a schematic view from above of the detector of FIG. 1;
- la figure 3 est une vue schématique en perspective d'un second mode réalisation de l'invention ;  FIG. 3 is a schematic perspective view of a second embodiment of the invention;
- la figure 4 est une vue schématique du dessus du second mode réalisation de l'invention ;  FIG. 4 is a schematic view from above of the second embodiment of the invention;
- la figure 5 est une vue schématique du dessus d'un détecteur selon un troisième second mode réalisation de l'invention ;  - Figure 5 is a schematic top view of a detector according to a third embodiment of the invention;
- les figures 6 et 7 sont des représentations schématiques de deux types de liaison des broches à un élément conducteur dans un détecteur selon l'invention ;  FIGS. 6 and 7 are diagrammatic representations of two types of connection of the pins to a conductive element in a detector according to the invention;
- la figure 8 est une vue schématique des étapes du procédé de réalisation du détecteur des figures 1 à 3 ;  FIG. 8 is a schematic view of the steps of the method for producing the detector of FIGS. 1 to 3;
- la figure 9 est une vue schématique des étapes du procédé de réalisation du détecteur de la figure 4 ;  FIG. 9 is a schematic view of the steps of the method for producing the detector of FIG. 4;
- la figure 10 est une vue schématique des étapes du procédé de réalisation du détecteur de la figure 5 ;  FIG. 10 is a schematic view of the steps of the method for producing the detector of FIG. 5;
- la figure 1 1 est une vue schématique d'un circuit de détection à pont de Wheatstone en montage résistif intégrant un détecteur selon l'invention ; - Figure 1 1 is a schematic view of a detection circuit Wheatstone bridge resistive circuit incorporating a detector according to the invention;
- la figure 12 est une vue schématique d'un circuit de détection à pont de Wheatstone en montage capacitif intégrant un détecteur selon l'invention ; FIG. 12 is a diagrammatic view of a capacitive-capacitance Wheatstone bridge detection circuit incorporating a detector according to the invention;
- la figure 13 est une représentation schématique d'un circuit en pont de Wheatstone comprenant un premier et un second éléments résistifs sensibles à une variation de température ; FIG. 13 is a schematic representation of a Wheatstone bridge circuit comprising first and second resistive elements responsive to a temperature change;
- La figure 14 est une représentation schématique de l'intégration d'un détecteur selon l'invention dans un moule. FIG. 14 is a schematic representation of the integration of a detector according to the invention in a mold.
On se réfère tout d'abord à la figure 1 qui représente un détecteur 10 selon l'invention comprenant un boîtier 12 tubulaire, préférentiellement de forme cylindrique, définissant intérieurement une cavité 14 entre une première extrémité 16 et une seconde extrémité 18 et dans laquelle est monté un bloc support 20 en matériau électriquement isolant et ayant de préférence un coefficient de conduction thermique inférieur au coefficient de conduction thermique du boîtier 12. Le bloc support 20 présente une forme cylindrique et comprend selon l'axe 47 une première extrémité 22 et une seconde extrémité 24 et est monté depuis la première extrémité 18 du boîtier 12 de manière à venir en appui axial sur un épaulement annulaire 26 radial interne du boîtier 12. Le support 20 loge une première paire de broches 28 réalisées dans un matériau électriquement conducteur. Ces premières broches 28 comprennent chacune une première extrémité 30 affleurant la surface externe 32 du support 20, laquelle affleure elle-même le bord annulaire de la première extrémité 18 du boîtier cylindrique 12. Les premières broches 28 comprennent également chacune une seconde extrémité 34 opposée à la première extrémité 30 et qui est en saillie par rapport à une face 35 du support 20 dite interne qui est opposée à la face externe 32. On comprend que le terme face/surface externe du support désigne la face/surface du support qui est à l'extérieur du boîtier. Le support 20 est intégralement logé dans le boîtier, lorsque sa surface externe/extérieure affleure le bord annulaire d'une extrémité 18 du boîtier, en l'occurrence la première extrémité 18 du boîtier comme représenté aux figures.  Reference is first made to FIG. 1 which represents a detector 10 according to the invention comprising a tubular housing 12, preferably of cylindrical shape, defining internally a cavity 14 between a first end 16 and a second end 18 and in which is mounted a support block 20 of electrically insulating material and preferably having a coefficient of thermal conduction lower than the coefficient of thermal conduction of the housing 12. The support block 20 has a cylindrical shape and comprises along the axis 47 a first end 22 and a second end 24 and is mounted from the first end 18 of the housing 12 so as to bear axially on an internal radial annular shoulder 26 of the housing 12. The support 20 houses a first pair of pins 28 made of an electrically conductive material. These first pins 28 each comprise a first end 30 flush with the outer surface 32 of the support 20, which itself is flush with the annular edge of the first end 18 of the cylindrical housing 12. The first pins 28 also each comprise a second end 34 opposite to the first end 30 and projecting from a face 35 of the so-called internal support 20 which is opposite to the outer face 32. It is understood that the term face / outer surface of the support designates the face / surface of the support which is the outside of the case. The support 20 is fully housed in the housing, when its outer / outer surface is flush with the annular edge of an end 18 of the housing, in this case the first end 18 of the housing as shown in FIGS.
Comme cela est représenté sur les figures 1 et 2, des chanfreins 36 sont réalisés au niveau des débouchés des orifices de logement des premières broches 28 sur la face externe 32. De même, des chanfreins 36 sont réalisés sur le support 20 et le boîtier 12 au niveau de la première extrémité 18 du boîtier 12. Ces zones chanfreinées sont destinées à permettre une soudure, par brasure par exemple, du boîtier 12 et du support 20 et des premières broches 28 avec le support 20. De cette manière, les zones de fixation des pièces ne sont pas formées en saillie sur la première face, c'est-à-dire la face externe 32 du support 20, ce qui permet un polissage aisé de la face externe 32 du support 20 comme cela apparaîtra plus clairement en relation avec la figure 8 par exemple, décrivant un procédé de réalisation d'un détecteur selon l'invention. Les brasures sont effectuées de manière à pouvoir résister jusqu'à une température de l'ordre de 300°C. As shown in Figures 1 and 2, chamfers 36 are formed at the outlets of the housing holes of the first pins 28 on the outer face 32. Similarly, chamfers 36 are formed on the support 20 and the housing 12 at the level of the first end 18 of the housing 12. These chamfered areas are intended to allow a solder, for example by soldering the housing 12 and the support 20 and the first pins 28 with the support 20. In this way, the parts fixing areas are not not formed protruding on the first face, that is to say the outer face 32 of the support 20, which allows easy polishing of the outer face 32 of the support 20 as will appear more clearly in relation to Figure 8 by example, describing a method of producing a detector according to the invention. The solders are made so as to withstand up to a temperature of the order of 300 ° C.
Les premières extrémités 30 des premières broches 28 sont reliées l'une à l'autre par un premier élément résistif 38 sensiblement rectiligne dont l'impédance varie avec un premier paramètre physique (figure 2). Ce paramètre physique peut être par exemple la température ou la pression. Les figures 3 et 4 représentent un second mode de réalisation d'un détecteur 39 selon l'invention dans lequel le support comprend une seconde paire de broches 40. Les premières broches 40 sont reliées l'une à l'autre par un premier élément 38 dont l'impédance peut varier avec un premier paramètre physique comme décrit précédemment et les secondes broches 40 sont reliées l'une à l'autre par un second élément sensiblement rectiligne 42 dont l'impédance varie avec un second paramètre physique. Ce second paramètre physique peut être la température ou la pression par exemple.  The first ends 30 of the first pins 28 are connected to one another by a first substantially straight resistive element 38 whose impedance varies with a first physical parameter (FIG. 2). This physical parameter can be, for example, temperature or pressure. FIGS. 3 and 4 show a second embodiment of a detector 39 according to the invention in which the support comprises a second pair of pins 40. The first pins 40 are connected to one another by a first element 38 whose impedance can vary with a first physical parameter as previously described and the second pins 40 are connected to each other by a second substantially rectilinear element 42 whose impedance varies with a second physical parameter. This second physical parameter can be temperature or pressure, for example.
Dans ce second mode de réalisation de l'invention, le premier paramètre physique et le second paramètre physique sont différents. Le premier paramètre physique est choisi pour correspondre à la température et le second paramètre physique est choisi pour correspondre à la pression. De cette manière, un premier élément 38 permet par mesure de son impédance de déterminer la température de l'environnement physique dans lequel il est immergé et un second élément 42 permet par mesure de son impédance de déterminer la pression de l'environnement physique dans lequel il est immergé. L'utilisation de deux éléments 38, 42 sensibles à deux paramètres physiques différents permet de découpler les effets du premier paramètre physique sur la mesure de l'impédance du second élément 42 sensible au second paramètre physique et inversement. In this second embodiment of the invention, the first physical parameter and the second physical parameter are different. The first physical parameter is chosen to match the temperature and the second physical parameter is chosen to match the pressure. In this way, a first element 38 makes it possible, by measuring its impedance, to determine the temperature of the physical environment in which it is immersed and a second element 42 makes it possible, by measuring its impedance, to determine the pressure of the physical environment. in which he is immersed. The use of two elements 38, 42 sensitive to two different physical parameters makes it possible to decouple the effects of the first physical parameter on the measurement of the impedance of the second element 42 responsive to the second physical parameter and vice versa.
Dans cette réalisation, le premier élément 38 est sensiblement parallèle au second élément 42. Toutefois, d'autres orientations du premier 38 élément par rapport au second élément 42 peuvent être utilisées.  In this embodiment, the first member 38 is substantially parallel to the second member 42. However, other orientations of the first member 38 relative to the second member 42 may be used.
La figure 5 représente un troisième mode de réalisation d'un détecteur 43 selon l'invention comprenant également une première paire de broches 28 et une seconde paire de broches 40 et également un premier élément 44 de jonction électrique des premières broches 28 et un second élément 46 de jonction électrique des secondes broches 40. Le premier élément 44 est agencé entre la face externe 32 du support 12 et le second élément 46, le premier élément 44 et le second élément 46 étant séparés par une couche isolante dont l'épaisseur est choisie de manière à ce que le premier 44 et second 46 éléments, réalisés dans un même matériau, présentent une différence d'impédance significative et quantifiable permettant ainsi de procéder à une détermination d'une valeur de flux de chaleur.  FIG. 5 represents a third embodiment of a detector 43 according to the invention also comprising a first pair of pins 28 and a second pair of pins 40 and also a first element 44 of electrical connection of the first pins 28 and a second element The first element 44 is arranged between the outer face 32 of the support 12 and the second element 46, the first element 44 and the second element 46 being separated by an insulating layer whose thickness is chosen. so that the first 44 and second 46 elements, made of the same material, have a significant and quantifiable impedance difference thus making it possible to determine a heat flux value.
Dans cette réalisation, le premier élément résistif 44 et le second élément résistif 46 sont sensiblement perpendiculaire à l'axe 47 du boîtier 12 (figures 1 et 5). De plus, le premier 44 et le second 46 éléments rectilignes sont sensiblement perpendiculaires l'un à l'autre de manière à avoir une zone de recouvrement centrale.  In this embodiment, the first resistive element 44 and the second resistive element 46 are substantially perpendicular to the axis 47 of the housing 12 (Figures 1 and 5). In addition, the first 44 and second 46 straight elements are substantially perpendicular to each other so as to have a central overlap area.
Bien que cela ne soit pas représenté pour ce qui concerne les réalisations des figures 3 à 5, des chanfreins 36 peuvent également être réalisés comme cela a été décrit en référence à la figure 1 .  Although not shown with regard to the embodiments of FIGS. 3 to 5, bevels 36 may also be made as described with reference to FIG.
On comprend également que le capteur peut comprendre un nombre de paires de broches supérieur à deux comme décrit en référence aux figures 3 à 5. Il serait ainsi possible de réaliser un détecteur comprenant 3 ou 4 paires de broches, la limite du nombre de broches étant essentiellement fonction de la surface externe du détecteur pour y agencer les éléments résistifs. It is also understood that the sensor may comprise a number of pairs of pins greater than two as described with reference to FIGS. 3 to 5. It would thus be possible to make a detector comprising 3 or 4 pairs of pins, the limit of the number of pins being essentially a function of the external surface of the detector to arrange the resistive elements therein.
Les figures 6 et 7 représentent deux modes de liaison de broches 48 à un élément résistif 50. Ainsi, dans un premier mode, cette liaison peut être réalisée de manière à ce que les extrémités de l'élément résistif 48 soient directement en contact avec les premières extrémités 34 des broches 48 (figure 6). Dans un seconde mode, cette liaison peut être réalisée de manière à ce que les extrémités de l'élément résistif 51 soient directement en contact avec une couche isolante 52 d'une épaisseur de l'ordre de quelques micromètres, laquelle couche isolante 52 recouvre les premières extrémités 30 des broches 48 (figure 7). Dans ce second mode, une couche isolante est intercalée entre les extrémités de l'élément résistif 51 et les premières extrémités 30 des broches 48.  FIGS. 6 and 7 show two pin connection modes 48 to a resistive element 50. Thus, in a first mode, this connection can be made in such a way that the ends of the resistive element 48 are in direct contact with the resistive elements. first ends 34 of the pins 48 (Figure 6). In a second embodiment, this connection can be made in such a way that the ends of the resistive element 51 are in direct contact with an insulating layer 52 of a thickness of the order of a few micrometers, which insulating layer 52 covers the first ends 30 of the pins 48 (Figure 7). In this second mode, an insulating layer is interposed between the ends of the resistive element 51 and the first ends 30 of the pins 48.
On se réfère maintenant à la figure 8 qui représente schématiquement les étapes d'un procédé de réalisation du détecteur des figures 1 et 2.  Referring now to Figure 8 which shows schematically the steps of a method of producing the detector of Figures 1 and 2.
Tout d'abord, les différentes pièces constitutives du détecteur 10 sont réalisées indépendamment les unes des autres. Le support 20 est inséré dans le boîtier 12 par la première extrémité de celui-ci jusqu'à ce que le support vienne en butée sur l'épaulement annulaire interne du boîtier 12, la face externe du support affleurant alors le premier bord annulaire du boîtier 12. Dans une seconde étape II, un opérateur procède à un brasage du support 20 sur le boîtier 12, une insertion des broches 28 dans des logements tubulaires du support 20 et un brasage des premières broches 28 dans le support 20. Les broches 28 sont dimensionnées et insérées dans le support de manière à ce que les premières extrémités 30 des broches 28 affleurent la face externe du support et que les secondes extrémités 34 des broches 28 soient en saillie par rapport à la face interne 35. Dans une troisième étape III, un masque 54 est appliqué sur la face externe du support 20, ce masque 54 comprenant une ouverture de forme identique à la forme souhaitée pour l'élément résistif 38. Le procédé consiste à réaliser un dépôt, d'un matériau métallique ou semi-conducteur sensible à un premier paramètre physique donné, par pulvérisation cathodique réactive tel qu'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma sur le masque 54, ce qui conduit à la formation d'un élément résistif 38 de forme correspondante à l'ouverture du masque 54. Dans une quatrième étape IV, le procédé consiste à former une couche 56 de passivation au-dessus de l'élément résistif 38 de manière à former une barrière de protection électrique de l'élément résistif 38. Firstly, the various constituent parts of the detector 10 are produced independently of one another. The support 20 is inserted into the housing 12 through the first end thereof until the support abuts on the inner annular shoulder of the housing 12, the outer face of the support then flush with the first annular edge of the housing 12. In a second step II, an operator brazes the support 20 on the housing 12, an insertion of the pins 28 in the tubular housing of the support 20 and a brazing of the first pins 28 in the support 20. The pins 28 are dimensioned and inserted into the support so that the first ends 30 of the pins 28 are flush with the outer face of the support and the second ends 34 of the pins 28 project from the inner face 35. In a third step III, a mask 54 is applied to the outer face of the support 20, this mask 54 comprising an opening of identical shape to the desired shape for the resistive element 38. The method consists in producing a deposit, of a metallic or semiconductor material sensitive to a given first physical parameter, by reactive cathode sputtering such as a plasma-enhanced chemical vapor deposition on the mask 54, which leads to the formation a resistive element 38 of corresponding shape to the opening of the mask 54. In a fourth step IV, the method consists in forming a passivation layer 56 above the resistive element 38 so as to form a protective barrier electrical component of the resistive element 38.
Notons que lorsque que l'on souhaite réaliser une liaison entre les broches 28 et l'élément résistif 38 du type capacitif comme représenté en figure 7, on effectue alors une opération intermédiaire de dépôt d'une couche isolante 52 sur la surface externe du support 20 avant l'application d'un masque 54 et le dépôt en phase vapeur de l'élément résistif.  Note that when it is desired to make a connection between the pins 28 and the resistive element 38 of the capacitive type as shown in FIG. 7, an intermediate operation of deposition of an insulating layer 52 on the outer surface of the support is then performed. 20 before the application of a mask 54 and the vapor deposition of the resistive element.
La figure 9 représente schématiquement les étapes d'un procédé de réalisation du détecteur des figures 3 et 4. Tout d'abord, les différentes pièces constitutives du détecteur 39 sont réalisées indépendamment les unes des autres, à savoir les premières 28 et secondes 40 broches, le support 20 comportant quatre perçages de formes adaptées à recevoir par glissement les premières 28 et secondes 40 broches, et le boîtier 12. Dans une seconde étape II, un opérateur, après assemblage des pièces, procède au brasage des premières 28 et secondes 40 broches avec le support 20 et du support 20 dans le boîtier 12. Dans une troisième étape III, un premier masque 56 comportant une ouverture allongée rectiligne est agencée sur le support 20. On effectue ensuite un premier dépôt en phase vapeur d'un matériau sensible à la température sur le masque 56 ce qui conduit à la formation sur le support d'un premier élément résistif 38 de forme identique à celle de l'ouverture du premier masque 56. Dans une quatrième étape IV, un second masque 58 ayant une ouverture allongée rectiligne est agencé sur le support. Le masque 58 est positionné sur le support afin que l'ouverture rectiligne soit sensiblement parallèle au premier élément résistif 38. On procède ensuite à un dépôt par pulvérisation en phase vapeur sur le second masque 58 d'un matériau sensible à la pression ce qui conduit à la formation d'un second élément résistif 42 sensible à la pression sur le support. Enfin, dans une cinquième étape V, un opérateur procède à un dépôt d'une couche 60 de passivation de manière similaire à ce qui a été décrit en référence à la figure 8. FIG. 9 schematically represents the steps of a method for producing the detector of FIGS. 3 and 4. Firstly, the various constituent parts of the detector 39 are produced independently of each other, namely the first 28 and second 40 pins. , the support 20 comprising four holes of shapes adapted to receive by sliding the first 28 and 40 seconds pins, and the housing 12. In a second step II, an operator, after assembling the parts, proceeds to solder the first 28 and 40 seconds 40 pins 20 with the support 20 and the support 20 in the housing 12. In a third step III, a first mask 56 having a rectilinear elongated opening is arranged on the support 20. A first vapor phase deposition of a sensitive material is then performed. at the temperature on the mask 56 which leads to the formation on the support of a first resistive element 38 of identical shape to that of the open Opening the first mask 56. In a fourth step IV, a second mask 58 having a rectilinear elongate opening is provided on the support. The mask 58 is positioned on the support so that the rectilinear opening is substantially parallel to the first resistive element 38. It then proceeds to a sputtering deposition phase vapor on the second mask 58 of a pressure sensitive material which leads to the formation of a second resistive element 42 sensitive to the pressure on the support. Finally, in a fifth step V, an operator deposes a passivation layer 60 in a manner similar to that described with reference to FIG. 8.
La figure 10 représente schématiquement les étapes d'un procédé de réalisation du détecteur 43 de la figure 5. Les étapes I à V décrites sont identiques à celles décrites en référence à la figure 9. Toutefois, le procédé en relation avec la figure 10 diffère du procédé de la figure 9 en ce qu'il comprend une étape intermédiaire l l l-l . Egalement, le matériau déposé par pulvérisation en phase vapeur lors des étapes III et IV sont identiques de sorte que le premier élément 44 et le second élément 46 présentent tous les deux une sensibilité à un même paramètre physique qui est ici la température. De plus, les premier 62 et second 64 masques sont conformés et positionnés sur le support de manière à ce que les premier 44 et second 46 éléments résistifs soient perpendiculaires l'un à l'autre.  FIG. 10 schematically represents the steps of a method for producing the detector 43 of FIG. 5. The steps I to V described are identical to those described with reference to FIG. 9. However, the method in relation with FIG. of the method of Figure 9 in that it comprises an intermediate step 11 ll. Also, the vapor phase vapor deposited material in steps III and IV are identical so that the first element 44 and the second element 46 both have sensitivity to the same physical parameter which is the temperature here. In addition, the first 62 and second 64 masks are shaped and positioned on the support so that the first 44 and second 46 resistive elements are perpendicular to each other.
L'étape ll l-l consiste essentiellement à réaliser le dépôt d'une couche isolante 66 sur le premier élément résistif 44, immédiatement après avoir retiré le premier masque 62. De cette manière, le second élément résistif 46 est formé au-dessus de la couche isolante 66 qui sépare ainsi le premier élément résistif 44 du second élément résistif 46.  Stage II 11 essentially consists in depositing an insulating layer 66 on the first resistive element 44, immediately after the first mask 62 has been removed. In this way, the second resistive element 46 is formed above the layer isolator 66 which thus separates the first resistive element 44 from the second resistive element 46.
Lorsque l'on souhaite faire une mesure ponctuelle de température, il est souhaitable que l'élément résistif 38 soit dans un matériau semiconducteur, tel qu'un oxyde de nickel, de magnésium ou de manganèse dont la résistivité varie exponentiellement avec la température, ce qui permet d'obtenir une bonne précision de la valeur de température. Ce type d'élément résistif peut être utilisé dans les modes de réalisation représentée aux figures 1 et 4. L'élément résistif a de préférence une longueur inférieure au centimètre. Il serait possible avec ces matériaux d'envisager un dépôt quasi-ponctuel de l'élément résistif. Ce type de matériau peut être utilisé en relation avec un montage avec liaison directe des broches à l'élément résistif 50 comme en référence à la figure 6 ou par liaison indirecte par l'intermédiaire d'une couche isolante comme décrit en référence à la figure 7. When it is desired to make a point temperature measurement, it is desirable for the resistive element 38 to be in a semiconductor material, such as an oxide of nickel, magnesium or manganese whose resistivity varies exponentially with the temperature; which makes it possible to obtain a good accuracy of the temperature value. This type of resistive element can be used in the embodiments shown in Figures 1 and 4. The resistive element preferably has a length less than one centimeter. It would be possible with these materials to consider a quasi-punctual deposit of the resistive element. This type of material can be used in connection with a direct connection pins to the resistive element 50 as with reference to Figure 6 or by indirect connection through an insulating layer as described with reference to Figure 7.
Lorsque l'on souhaite faire une mesure dite « intégrée » de température sur une surface, il est souhaitable que l'élément résistif 38 soit dans un matériau conducteur dont la résistivité varie linéairement avec la température tel que par exemple du nickel dont la linéarité jusqu'à 200°C est remarquable, du platine ou de l'or dont la linéarité est également bonne sur une large plage de température et qui a une bonne stabilité thermique. Il serait également possible d'utiliser de du cuivre mais sa stabilité thermique est inférieure. Pour obtenir la sensibilité recherchée, l'élément résistif devrait avoir une longueur plus importante, c'est-à-dire supérieure ou égale à 1 centimètre. L'élément résistif peut avoir la forme d'un serpentin linéaire ou circulaire.  When it is desired to make a so-called "integrated" measurement of temperature on a surface, it is desirable for the resistive element 38 to be in a conductive material whose resistivity varies linearly with the temperature such as, for example, nickel whose linearity up to At 200 ° C is remarkable, platinum or gold whose linearity is also good over a wide temperature range and has good thermal stability. It would also be possible to use copper but its thermal stability is lower. To obtain the desired sensitivity, the resistive element should have a longer length, that is to say greater than or equal to 1 centimeter. The resistive element may be in the form of a linear or circular coil.
Pour réaliser une mesure de la pression, il est possible d'utiliser des alliages métalliques dont la résistivité varie avec un facteur de jauge. Ces alliages métalliques sont par exemple : un alliage de nickel et de cuivre, un alliage de nickel et de chrome, un alliage de nickel, de chrome, de cuivre et de fer ou un alliage de platine et de tungstène. La longueur de l'élément résistif est de préférence supérieur ou égale à 1 cm. Il serait également possible d'envisager des dépôts sous la forme de serpentins linéaires ou circulaires sur une longueur plus importante de la face externe du support pour augmenter la sensibilité du détecteur ainsi formé.  To make a measurement of the pressure, it is possible to use metal alloys whose resistivity varies with a gauge factor. These metal alloys are for example: an alloy of nickel and copper, an alloy of nickel and chromium, an alloy of nickel, chromium, copper and iron or an alloy of platinum and tungsten. The length of the resistive element is preferably greater than or equal to 1 cm. It would also be possible to envisage deposits in the form of linear or circular coils over a greater length of the outer face of the support to increase the sensitivity of the detector thus formed.
Lorsque l'on souhaite faire une mesure d'un flux de chaleur, il est possible d'utiliser des métaux dont la résistivité varie linéairement avec la température, tels que du nickel, du platine, de l'or ou du cuivre. Ce type d'élément résistif peut être utilisé dans le mode de réalisation représenté en figure 5. La longueur de l'élément résistif 44, 46 est de préférence supérieur ou égale à 1 cm. Il serait également possible d'envisager des dépôts sous la forme de serpentins linéaires ou circulaires sur une longueur plus importante de la face externe du support pour augmenter la sensibilité du détecteur ainsi formé. When it is desired to measure a heat flow, it is possible to use metals whose resistivity varies linearly with temperature, such as nickel, platinum, gold or copper. This type of resistive element can be used in the embodiment shown in FIG. 5. The length of the resistive element 44, 46 is preferably greater than or equal to 1 cm. It would also be possible to envisage deposits in the form of linear or circular coils over a greater length of the outer face of the support to increase the sensitivity of the detector thus formed.
La couche protectrice de passivation destinée à servir d'isolant électrique est par exemple en SiO2, SI3N4, AI2O3 ou AIN. L'épaisseur est de l'ordre de quelques microns, typiquement entre 1 et 4 μιτι.  The passivation protective layer intended to serve as an electrical insulator is, for example, SiO 2, Si 3 N 4, Al 2 O 3 or AlN. The thickness is of the order of a few microns, typically between 1 and 4 μιτι.
La figure 1 1 représente un circuit électrique 68 en pont de Wheatstone comprenant deux résistances connues Rx1 et R1 , une résistance variable de précision Rz et d'une source de tension continue 70 ou en régime harmonique et un élément résistif 50 conforme à la figure 6. L'élément résistif 50 est relié au circuit 68 par ses secondes extrémités 34 (figures 1 1 et 6). Le détecteur est agencé entre la résistance R1 et la résistance variable Rx1 . La source de tension est reliée d'un côté entre les résistances Rx1 et R1 et entre la résistance Rz et l'élément résistif 50.  FIG. 11 represents a Wheatstone bridge electrical circuit 68 comprising two known resistors Rx1 and R1, a precision variable resistor Rz and a direct voltage source 70 or in harmonic regime and a resistive element 50 according to FIG. The resistive element 50 is connected to the circuit 68 by its second ends 34 (Figures 1 1 and 6). The detector is arranged between the resistor R1 and the variable resistor Rx1. The voltage source is connected on one side between the resistors Rx1 and R1 and between the resistor Rz and the resistive element 50.
Le circuit 68 comprend également des moyens de détection synchrone 72 destinés à être utilisé avec une alimentation en régime harmonique.  The circuit 68 also comprises synchronous detection means 72 intended to be used with a harmonic power supply.
Le montage électrique basé sur un pont de Wheatstone est initialement équilibré avec la résistance variable externe au système. La variation de l'impédance de l'élément résistif 38 à la température permet de détecter l'événement qui a induit cette perturbation. La fonction du pont de Wheastone est de changer la nature du signal électrique, de le linéariser sur une gamme de température et de l'amplifier. L'association du montage résistif avec une détection synchrone permet de séparer les signaux à différentes fréquences afin d'éviter les bruits de mesure et détecter des signaux de plus faibles amplitudes.  Wheatstone bridge based electrical mounting is initially balanced with external variable resistance to the system. The variation of the impedance of the resistive element 38 with the temperature makes it possible to detect the event which induced this disturbance. The function of the Wheatstone bridge is to change the nature of the electrical signal, linearize it over a temperature range and amplify it. The combination of resistive mounting with synchronous detection allows signals to be separated at different frequencies to avoid measurement noise and to detect signals with smaller amplitudes.
Un détecteur en montage capacitif tel que décrit en référence à la figure 7 peut également être utilisé en lieu et place du détecteur en montage résistif (figure 12).  A sensor in capacitive mounting as described with reference to Figure 7 can also be used in place of the resistive mounting detector (Figure 12).
Dans le cas du détecteur 39 représenté en figure 4, comprenant un premier élément résistif 38 sensible à la température et un second élément 42 résistif sensible à la pression, chaque élément résistif 38, 42 peut être relié à son propre circuit électrique en pont de Wheatstone. Dans le cas du détecteur 43 représenté en figure 5, il serait possible d'utiliser un circuit électrique en pont de Wheatstone conforme à la figure 13. Ce circuit est similaire à celui décrit en référence à la figure 1 1 . Toutefois, la résistance variable est ici remplacée par le premier élément résistif 44. Le second élément résistif 46 forme ici le quatrième composant du circuit en pont de Wheatstone. Avec ce montage, il est ainsi possible de mesurer un flux de chaleur circulant entre les premier et second éléments résistifs. In the case of the detector 39 shown in FIG. 4, comprising a first resistive element 38 sensitive to temperature and a second resistive pressure sensitive element 42, each resistive element 38, 42 can be connected to its own electrical Wheatstone bridge circuit. . In the case of the detector 43 shown in FIG. 5, it would be possible to use a Wheatstone bridge electrical circuit according to FIG. 13. This circuit is similar to that described with reference to FIG. However, the variable resistor is here replaced by the first resistive element 44. The second resistive element 46 here forms the fourth component of the Wheatstone bridge circuit. With this arrangement, it is thus possible to measure a flow of heat flowing between the first and second resistive elements.
La figure 14 est une vue schématique en perspective d'une partie d'un moule 74 comprenant deux détecteurs 76 selon l'invention qui sont fixés au travers d'une paroi du moule grâce à un filetage de la surface externe du boîtier de chacun des détecteurs vissé dans un filetage correspondant d'un orifice d'une paroi du moule. Plus précisément, le bord annulaire 18 et la face externe du support de chaque détecteur 76 affleurent une face interne du moule 74.  FIG. 14 is a schematic perspective view of a portion of a mold 74 comprising two detectors 76 according to the invention which are fixed through a wall of the mold by means of a threading of the outer surface of the housing of each of the detectors screwed into a corresponding thread of an orifice of a wall of the mold. More precisely, the annular edge 18 and the outer face of the support of each detector 76 are flush with an inner face of the mold 74.
Le boîtier peut être en titane, les broches en titane et le support en alumine.  The housing can be made of titanium, the titanium pins and the alumina support.
Dans les réalisations représentées aux figures, le premier élément résistif et/ou le second résistif ont une épaisseur inférieure à 10 μιτι, préférentiel lement inférieure à 2 μιτι et plus préférentiellement comprise entre 500 nm et 2 μιτι.  In the embodiments shown in the figures, the first resistive element and / or the second resistive have a thickness of less than 10 μιτι, preferably less than 2 μιτι and more preferably between 500 nm and 2 μιτι.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Détecteur (10, 39, 43) comprenant un boîtier (12) définissant une cavité tubulaire (14) ouverte à une extrémité dudit boîtier (12) dans laquelle est agencé un support (20) en matériau électriquement et thermiquement isolant et ayant un coefficient de conduction thermique inférieur au coefficient de conduction thermique du boîtier (12), au moins une première paire de broches (28) réalisées en matériau électriquement conducteur étant logées dans le support (20) et ayant des premières extrémités (30) qui affleurent une face externe (32) dudit support (20), lesdites premières extrémités de ladite première paire (28) étant reliées par un premier élément résistif (38) dont l'impédance varie avec un premier paramètre physique. 1. A detector (10,39,43) comprising a housing (12) defining a tubular cavity (14) open at one end of said housing (12) in which a support (20) of electrically and thermally insulating material and having a thermal conduction lower than the thermal conduction coefficient of the housing (12), at least a first pair of pins (28) made of electrically conductive material being housed in the support (20) and having first ends (30) which are flush with an outer face (32) said carrier (20), said first ends of said first pair (28) being connected by a first resistive element (38) whose impedance varies with a first physical parameter.
2. Détecteur selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'il comprend une seconde paire de broches (40) reliées par un second élément résistif (42) dont l'impédance varie avec un second paramètre physique.  2. Detector according to claim 1, characterized in that it comprises a second pair of pins (40) connected by a second resistive element (42) whose impedance varies with a second physical parameter.
3. Détecteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier paramètre physique est différent du second paramètre physique, le premier paramètre physique étant par exemple la température et le second paramètre physique étant la pression.  3. Detector according to claim 2, characterized in that the first physical parameter is different from the second physical parameter, the first physical parameter being for example the temperature and the second physical parameter being the pressure.
4. Détecteur selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que le premier élément (38) et le second élément (42) sont agencés sur ladite face du support (20) de manière à être sensiblement parallèles l'un à l'autre.  4. Detector according to claim 2 or 3, characterized in that the first element (38) and the second element (42) are arranged on said face of the support (20) so as to be substantially parallel to each other .
5. Détecteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier paramètre physique et le second paramètre physique sont identiques et en ce que le premier élément (44) et le second élément (46) sont portés par la face externe (32) du support (20) de manière à ce que le premier élément (44) soit agencé selon l'axe (47) du boîtier (12) entre la face externe du support (12) et le second élément (46) et séparé du second élément (46) par une couche isolante (66). 5. Detector according to claim 2, characterized in that the first physical parameter and the second physical parameter are identical and in that the first element (44) and the second element (46) are carried by the outer face (32) of the support (20) so that the first element (44) is arranged along the axis (47) of the housing (12) between the outer face of the support (12) and the second element (46) and separated from the second element (46) by an insulating layer (66).
6. Détecteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le premier élément résistif (44) et le second élément résistif (46) sont chacun orienté dans une direction donnée sensiblement perpendiculaire à l'axe (47) du boîtier (12), lesquelles directions étant perpendiculaires l'une à l'autre. 6. Detector according to claim 5, characterized in that the first resistive element (44) and the second resistive element (46) are each oriented in a given direction substantially perpendicular to the axis (47) of the housing (12), which directions being perpendicular to each other.
7. Détecteur selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'une couche de protection électrique (56) recouvre ledit au moins premier élément résistif (38).  7. Detector according to one of claims 1 to 6, characterized in that an electrical protection layer (56) covers said at least first resistive element (38).
8. Détecteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche de protection (56) est une couche de passivation, réalisée par exemple en nitrure de silicium ou d'aluminium.  8. Detector according to claim 7, characterized in that the protective layer (56) is a passivation layer, made for example of silicon nitride or aluminum.
9. Détecteur selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que la couche de protection a une épaisseur de l'ordre de quelques centaines de nanomètres.  9. Detector according to claim 7 or 8, characterized in that the protective layer has a thickness of the order of a few hundred nanometers.
10. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit au moins un premier élément résistif (50, 51 ) est relié soit directement aux broches (48) soit par l'intermédiaire d'une couche électriquement isolante (52).  10. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that said at least one first resistive element (50, 51) is connected either directly to the pins (48) or via an electrically insulating layer (52). .
1 1 . Détecteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche isolante (52) a une épaisseur de l'ordre de quelques micromètres.  1 1. Detector according to claim 10, characterized in that the insulating layer (52) has a thickness of the order of a few micrometers.
12. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le boîtier (12) comprend un épaulement interne (22) sur lequel le support (20) est monté en appui.  12. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that the housing (12) comprises an inner shoulder (22) on which the support (20) is mounted in abutment.
13. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les broches (28) de ladite au moins première paire de broches (28) sont de géométries identiques et agencées de manière symétrique par rapport à l'axe (47) du boîtier (12).  13. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that the pins (28) of said at least first pair of pins (28) are of identical geometries and arranged symmetrically with respect to the axis (47) of the housing (12).
14. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le boîtier tubulaire (12) a une face externe de forme cylindrique pourvue d'un filetage pour la fixation de celui-ci dans une ouverture d'un moule. 14. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that the tubular housing (12) has a cylindrical outer face provided with a thread for fixing it in an opening of a mold.
15. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit au moins premier l'élément (38) est réalisé dans l'un des matériaux suivants : un matériau métallique, un oxyde en particulier oxyde de nickel, un matériau semi-conducteur ou un alliage métallique. 15. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that said at least first element (38) is made of one of the following materials: a metal material, an oxide in particular nickel oxide, a semi material -conductor or a metal alloy.
16. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite au moins une première paire de broches (28) est réalisée dans un matériau métallique.  16. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that said at least a first pair of pins (28) is made of a metallic material.
17. Détecteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit au moins premier élément résistif a une épaisseur inférieure à 10 μιτι, de préférence inférieure à 2 μιτι et avantageusement comprise entre 500 nm et 2 μιτι.  17. Detector according to one of the preceding claims, characterized in that said at least first resistive element has a thickness of less than 10 μιτι, preferably less than 2 μιτι and advantageously between 500 nm and 2 μιτι.
18. Dispositif de détection comprenant un détecteur selon l'une des revendications précédentes, les broches (28) de la première paire de broches comprenant des secondes extrémités (34) opposées aux premières extrémités (30) et reliées à des bornes d'un circuit électrique de manière à ce que le capteur forme l'un des composants d'un montage électrique en pont de Weatstone.  18. Detection device comprising a detector according to one of the preceding claims, the pins (28) of the first pair of pins comprising second ends (34) opposite the first ends (30) and connected to terminals of a circuit so that the sensor forms one of the components of a Weatstone bridge electrical circuit.
19. Dispositif selon la revendication 18, caractérisé en ce que le circuit électrique est reliés à des moyens de détection synchrone.  19. Device according to claim 18, characterized in that the electrical circuit is connected to synchronous detection means.
20. Moule (74) de fabrication de pièces en polymère comprenant une enceinte fermée destinée à recevoir un matériau polymère et dont une paroi de l'enceinte est traversée par au moins un détecteur (76) selon l'une des revendications précédentes 1 à 17, la face externe du détecteur située du côté des premières extrémités des broches étant agencée de manière à affleurer une surface interne de l'enceinte.  20. Mold (74) for manufacturing polymer parts comprising a closed chamber intended to receive a polymer material and a wall of the chamber of which is traversed by at least one detector (76) according to one of the preceding claims 1 to 17. , the outer face of the detector located on the side of the first ends of the pins being arranged to be flush with an inner surface of the enclosure.
21 . Procédé de réalisation d'un détecteur selon l'une des revendications 1 à 17, consistant à :  21. Process for producing a detector according to one of Claims 1 to 17, consisting of:
- fournir un boîtier tubulaire (12),  - provide a tubular housing (12),
- fournir un support (20) en matériau électriquement et thermiquement isolant et ayant un coefficient de coefficient de conduction thermique inférieur au coefficient de conduction thermique du boîtier (12), - insérer une première paire de broches (28) dans le support (20) de manière à ce que des premières extrémités (30) des broches (28) affleurent une surface externe (32) du support (20) et braser les broches (28) dans le support (20), - providing a support (20) of electrically and thermally insulating material and having a coefficient of thermal conduction coefficient lower than the coefficient of thermal conduction of the housing (12), inserting a first pair of pins (28) in the holder (20) so that first ends (30) of the pins (28) are flush with an outer surface (32) of the holder (20) and brazing the pins (28); ) in the support (20),
- fixer le support (20) dans le boîtier (12) par brasure,  - fix the support (20) in the housing (12) by brazing,
- déposer au moins un premier élément résistif (38), dont l'impédance varie avec un premier paramètre physique, sur la surface externe du support (20) de manière à relier lesdites deux premières extrémités de la première paire de broches (28),  depositing at least a first resistive element (38), whose impedance varies with a first physical parameter, on the outer surface of the support (20) so as to connect said two first ends of the first pair of pins (28),
- déposer une couche (56) de protection électrique au-dessus du premier élément (38) et de la surface externe du support (20).  depositing a layer (56) of electrical protection above the first element (38) and the outer surface of the support (20).
22. Procédé selon la revendication 21 , caractérisé en ce que le dépôt dudit au moins premier élément est réalisé par pulvérisation cathodique.  22. The method of claim 21, characterized in that the deposition of said at least first element is made by sputtering.
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