WO2016093519A1 - 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents

필름 터치 센서 및 이의 제조 방법 Download PDF

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WO2016093519A1
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polymer
protective layer
touch sensor
film
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French (fr)
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유병묵
윤억근
최용석
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Dongwoo Fine Chem Co Ltd
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Dongwoo Fine Chem Co Ltd
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    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Definitions

  • the present invention relates to a film touch sensor and a manufacturing method thereof.
  • an ultra-thin flexible display that achieves ultralight weight, low power, and improved portability has been attracting attention as a next generation display, and development of a touch sensor applicable to such a display has been required.
  • a flexible display means a display manufactured on a flexible substrate that can bend, bend, or roll without loss of properties, and technology development is in progress in the form of a flexible LCD, a flexible OLED, and an electronic paper.
  • a touch sensor having excellent bending and resilience and excellent flexibility and elasticity is required.
  • a wiring forming step of forming a metal wiring on the substrate a laminating step of applying and drying a transparent resin solution to cover the metal wiring to form a transparent resin substrate, and a peeling process of peeling the transparent resin substrate from the substrate.
  • an inorganic peeling material such as an organic peeling material such as a silicone resin or a fluororesin, a diamond like carbon thin film (DLC) thin film or a zirconium oxide thin film is applied to the surface of the substrate.
  • DLC diamond like carbon thin film
  • the method proposed in Korean Patent No. 10-1191865 includes a sacrificial layer, a metal wiring, and a metal layer, which may be removed by light or a solvent in the manufacturing of a flexible substrate having a metal wiring embedded therein. After the polymer material (flexible substrate) is formed on the substrate, the metal wiring and the polymer material (flexible substrate) are peeled off from the substrate by removing the sacrificial layer using light or a solvent.
  • An object of the present invention is to provide a film touch sensor and a method of manufacturing the same, in which a process proceeds on a carrier substrate to facilitate formation of a pattern layer or the like.
  • An object of the present invention is to provide a film touch sensor which is easily peeled from a carrier substrate and a method of manufacturing the same.
  • a first protective layer on the separation layer
  • an electrode pattern layer including a sensing electrode formed in the sensing region on the first protective layer and a pad electrode formed in the pad region.
  • the separation layer is a polyimide-based polymer, polyvinyl alcohol-based polymer, polyamic acid-based polymer, polyamide-based polymer, polyethylene (polyethylene) ) Polymer, polystylene polymer, polynorbornene polymer, phenylmaleimide copolymer polymer, polyazobenzene polymer, polyphenylenephthalamide Polymer, polyester polymer, polymethyl methacrylate polymer, polyarylate polymer, cinnamate polymer, coumarin polymer, phthalimidine ( It is made of a polymer selected from the group consisting of phthalimidine-based polymers, chalc (chalcone) -based polymers, aromatic acetylene-based polymers, the film touch sensor.
  • the film touch sensor In the above 1, wherein the separation layer is first formed on the carrier substrate and separated from it, the film touch sensor.
  • the film touch sensor In the above 3, wherein the separation layer has a peel force of less than 1N / 25mm to the carrier substrate, the film touch sensor.
  • the film touch sensor In the above 3, wherein the separation layer has a peel force of less than 0.1N / 25mm to the carrier substrate, the film touch sensor.
  • the film touch sensor 7. In the above 1, wherein the first protective layer covers at least a portion of the side of the separation layer, the film touch sensor.
  • the film touch sensor 8. In the above 1, wherein the pad electrode has a surface energy difference of 20 mN / m or less with the separation layer and the first protective layer, the film touch sensor.
  • the electrode pattern layer is formed of at least one material selected from the group consisting of metal oxides, metals, metal nanowires, carbon-based materials and conductive polymer materials, film touch sensor.
  • the electrode pattern layer further comprises a second protective layer located on the first protective layer, film touch sensor.
  • the first protective layer and the second protective layer has a modulus of elasticity difference of less than 300MPa at 25 °C, film touch sensor.
  • the second protective layer and the adhesive layer has a modulus of elasticity difference of less than 300MPa at 25 °C, the film touch sensor.
  • the touch sensor film is a polarizing plate or a transparent film.
  • the touch sensor of claim 1 further comprising a circuit board electrically connected to the pad electrode.
  • Touch screen panel comprising the film touch sensor of any one of the above 1 to 15.
  • the separation layer is a polyimide-based polymer, a polyvinyl alcohol-based polymer, a polyamic acid-based polymer, a polyamide-based polymer, polyethylene ) Polymer, polystylene polymer, polynorbornene polymer, phenylmaleimide copolymer polymer, polyazobenzene polymer, polyphenylenephthalamide Polymer, polyester polymer, polymethyl methacrylate polymer, polyarylate polymer, cinnamate polymer, coumarin polymer, phthalimidine (
  • the film touch sensor is formed of a polymer selected from the group consisting of a phthalimidine polymer, a chalcone polymer, and an aromatic acetylene polymer. Manufacturing method.
  • the anisotropic conductive film having a conductive ball in the pad area on the separation layer is placed and then heated and pressurized, so that the conductive ball is connected to the pad electrode through the separation layer, the circuit board is anisotropic.
  • the present invention proceeds a process such as forming a pattern layer for implementing a film touch sensor on the carrier substrate, and then attach the base film, thereby preventing heat damage of the base film.
  • the separation layer is also peeled from the carrier substrate at the time of peeling from the carrier substrate, so that the electrode pattern layer can be protected, and then the electrical connection of the circuit board is easy.
  • a region other than the pad electrode in the pad region on the first protective layer may be filled with the first protective layer material, thereby preventing damage due to exposure to an etchant of the separation layer.
  • FIG. 2 is a plan view of a pad electrode a formed according to the present invention and a pad electrode b otherwise.
  • FIG 3 is a cross-sectional view of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • 6 to 15 is a schematic process diagram of a method of manufacturing a film touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • the present invention is a separation layer; A first protective layer on the separation layer; And an electrode pattern layer including a sensing electrode formed in the sensing region on the first protective layer and a pad electrode formed in the pad region, wherein a region other than the pad electrode in the pad region on the first protective layer is a first protective layer.
  • the present invention relates to a film touch sensor and a method for manufacturing the same, which can prevent thermal damage to a base film, and can easily form a pattern layer, and prevent damage caused by exposure to an etchant of a separation layer.
  • Film touch sensor includes a separation layer, the first protective layer and the electrode pattern layer.
  • FIGS. 6 to 15 illustrate a process of manufacturing a film touch sensor.
  • the separation layer 20 is a layer formed for separation from the carrier substrate 10, and covers the electrode pattern layers 40 and 50 to protect the electrode pattern layers 40 and 50.
  • the separation layer 20 is easily peeled off from the carrier substrate 10, and the peeling force on the carrier substrate 10 of the material is 1 N so as not to be peeled off from the first protective layer 30 to be described later. It is preferable that the material is / 25 mm or less, more preferably, the material having a peel force of 0.1 N / 25 mm or less on the carrier substrate 10.
  • the carrier substrate 10 may be used without particular limitation as long as it provides a suitable strength so that it can be fixed without being easily bent or twisted during the process and has little effect on heat or chemical treatment.
  • glass, quartz, silicon wafers, sus etc. may be used, preferably glass may be used.
  • the first protective layer 30 is located on the separation layer 20.
  • the first protective layer 30 covers the electrode pattern layers 40 and 50 to be described later to protect the electrode pattern layers 40 and 50, and the manufacturing process of the film touch sensor of the present invention.
  • the separation layer 20 serves to prevent exposure to the etchant for forming the electrode pattern layers 40 and 50.
  • the first protective layer 30 a polymer known in the art may be used without limitation, and for example, may be made of an organic insulating layer.
  • the first passivation layer 30 may cover at least a portion of the side surface of the separation layer 20 so as to minimize the side surface of the separation layer 20 being exposed to an etchant during a process of patterning patterns to be described later.
  • the first protective layer 30 may preferably cover the entire side of the separation layer 20.
  • Electrode pattern layers 40 and 50 are disposed on the first passivation layer 30.
  • the electrode pattern layers 40 and 50 include the sensing electrode 50 and the pad electrode 40.
  • the sensing electrode 50 may be located in the sensing area on the first protective layer, and the pad electrode 40 may be located in the pad area on the first protective layer. However, since the sensing electrode 50 and the pad electrode 40 must be electrically connected, at least a part of the sensing electrode 50 may be located in the pad area, and at least a part of the pad electrode 40 is located in the sensing area. You may.
  • the electrode pattern layers 40 and 50 may be used without limitation as long as it is a conductive material.
  • the unit patterns of the electrode pattern layers 40 and 50 may be, for example, triangular, tetragonal, pentagonal, hexagonal, or polygonal polygonal patterns independently of each other.
  • the electrode pattern layers 40 and 50 may include a regular pattern.
  • a regular pattern means that the pattern form has regularity.
  • the unit patterns may include, independently of each other, a mesh shape such as a rectangle or a square, or a pattern like a hexagon.
  • the electrode pattern layers 40 and 50 may include irregular patterns. Irregular pattern means that the shape of the pattern does not have regularity.
  • the pad electrode 40 may be electrically connected to the circuit board 80 to be described later.
  • FIG. 2 is a plan view immediately after the pad electrode 40 is formed (a red rectangle means a pad area), as illustrated in FIG. 2A, the pad electrode in the pad area on the first protective layer 30. Regions other than 40 are filled with the first protective layer 30 material.
  • the pad electrode 40 may be formed by selectively patterning only a portion where the pad electrode 40 is to be formed in the pad region on the first protective layer 30, but is not limited thereto.
  • the pad area on the first passivation layer 30 is filled with the material of the first passivation layer 30, the pad area of the separation layer 20 is not exposed. Therefore, at the time of forming the electrode pattern layers 40 and 50, the pad region of the separation layer 20 is not exposed to the etchant. As a result, it is possible to obtain an excellent separation layer 20 in which problems such as cracking, peeling, and deterioration do not occur due to chemical impact caused by etchant.
  • the pad electrode 40 is formed by etching the entire pad region as shown in FIG. 2B, the pad region of the separation layer 20 is subsequently exposed to the etchant when the electrode pattern layers 40 and 50 are formed. do.
  • the pad electrode 40 has a surface energy difference of 20 from the separation layer 20 and the first protective layer 30, respectively. mN / m or less.
  • the pad electrode 40 is adjacent to the separation layer 20 and the first protective layer 30, and the separation layer 20 of the pad electrode 40 and
  • the surface energy difference from the first protective layer 30 is 20 mN / m or less (measured according to ASTM D7490)
  • the adhesion of the pad electrode 40 to the separation layer 20 and the first protective layer 30 is reduced. It is excellent and it can suppress that an etchant flows into a clearance gap.
  • the first protective layer 30 and the second protective layer 60 has a modulus of elasticity of 300 MPa or less at 25 ° C. It is preferable from the viewpoint of suppressing crack generation due to the difference in elastic modulus. Modulus of elasticity can be measured with a rheometer or a UTM device.
  • the base film 70 adheres onto the second protective layer 60, otherwise, through the adhesive layer on the second protective layer 60 as illustrated in FIG. 5. Can be.
  • the transparent film may be an isotropic film or a retardation film.
  • the thickness direction retardation (Rth, Rth [(nx + ny) / 2-nz] xd) is preferably -90 nm to +75 nm, preferably -80 nm to +60 nm, particularly -70 nm to +45 nm. desirable.
  • Retardation film is a film produced by the method of uniaxial stretching, biaxial stretching, polymer coating, liquid crystal coating of a polymer film, and is generally used for improving and adjusting optical properties such as viewing angle compensation, color reduction, light leakage improvement, and color control of a display. do.
  • the polarizing plate may be a polarizer protective film is attached to one side or both sides of the polyvinyl alcohol polarizer.
  • a protective film may be used as the base film 70.
  • the protective film may be a film including an adhesive layer on at least one surface of a film made of a polymer resin or a film having a self-adhesive property such as polypropylene, and may be used for protecting the touch sensor surface and improving process resolution.
  • the light transmittance of the base film 70 is preferably 85% or more, more preferably 90% or more. Moreover, it is preferable that the total haze value measured according to JISK7136 is 10% or less, and, as for the said base film 70, it is more preferable that it is 7% or less.
  • the thickness of the said base film 70 is not restrict
  • the film touch sensor of the present invention may further include a circuit board 80.
  • the circuit board 80 may be a flexible printed circuit board (FPCB).
  • FPCB flexible printed circuit board
  • the circuit board 80 may be electrically connected to the pad electrode.
  • the circuit board 80 may be connected to the pad electrode 40 through an anisotropic conductive film (ACF).
  • ACF anisotropic conductive film
  • the anisotropic conductive film may have a form in which conductive balls, which are conductive particles, are dispersed in the curable resin.
  • the conductive ball may be nickel, nickel, or a gold alloy
  • the curable resin may be an acrylic or epoxy resin, but is not limited thereto.
  • conductive balls include, for example, the TGP series of H & C High Tech.
  • the film touch sensor of the present invention as described above may be used as a film touch sensor after peeling from the carrier substrate 10.
  • the present invention provides a touch screen panel including the film touch sensor, and an image display device including the same.
  • the separation layer 20 is formed on the carrier substrate 10.
  • the carrier substrate 10 may be used without particular limitation as long as it provides a suitable strength so that it can be fixed without being easily bent or twisted during the process and has little effect on heat or chemical treatment.
  • glass, quartz, silicon wafers, sus etc. may be used, preferably glass may be used.
  • the formation method of the separation layer 20 is not specifically limited, Slit coating method, knife coating method, spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method To methods known in the art such as dip coating, spray coating, screen printing, gravure printing, flexographic printing, offset printing, inkjet coating, dispenser printing, nozzle coating, capillary coating, etc. You can.
  • the hardening method of the separation layer 20 is not specifically limited, either photocuring or thermosetting, or both methods can be used.
  • the order in which both photocuring and thermosetting are performed is not specifically limited.
  • the first protective layer 30 is formed on the separation layer 20.
  • the first protective layer 30 may be formed of the material described above, and the method of forming the first protective layer 30 is not particularly limited, and the same method as the method of forming the separation layer 20 may be used.
  • the first protective layer 30 may be formed to cover at least a part of the side of the separation layer 20 so as to minimize the side surface of the separation layer 20 exposed to an etchant during a process such as patterning patterns to be described later. have. In terms of completely blocking the exposure of the side of the separation layer 20, the first protective layer 30 may be formed to cover all of the side surfaces of the separation layer 20.
  • a pad electrode 40 is formed on the etched portion.
  • the pad electrode 40 may be formed of the above-described metal or metal oxide.
  • the method for forming the pad electrode 40 is not particularly limited, and physical vapor deposition, chemical vapor deposition, plasma deposition, plasma polymerization, thermal deposition, thermal oxidation, anodic oxidation, cluster ion beam deposition, screen printing, gravure printing, flexo It may be by a method known in the art, such as a printing method, an offset printing method, an inkjet coating method, a dispenser printing method.
  • the pad electrode 40 may be formed to have a wider width than the etching area, leaving the etching area, thereby forming the first protective layer 30. It may be formed to further cover some of the pad region of the image.
  • FIG. 11 is a view of the film touch sensor viewed from the pad region side after forming the pad electrode 40.
  • the film touch sensor is etched. You can more reliably prevent the etchant from flowing into the gap.
  • the sensing electrode 50 may be formed of the above-described metal oxides, metals, nanowires, carbon-based materials, polymer materials, and the like.
  • the photoetching method may be used.
  • Photoresist can be divided into positive type photoresist and negative type photoresist. Positive type photoresist is soluble to developer upon UV exposure, and negative type is insoluble to developer upon UV exposure. Photoresist.
  • Conditions for curing the photoresist are not particularly limited, and for example, UV of 0.01 to 10 J / cm 2 can be irradiated for 1 second to 500 seconds, and preferably UV of 0.05 to 1 J / cm 2 for 1 second to 120 seconds. You can investigate.
  • the present invention may further include forming a second protective layer 60 on the first protective layer 30 on which the sensing electrode 50 and the pad electrode 40 are formed.
  • the second protective layer 60 may itself serve as a substrate and a passivation layer.
  • corrosion of the electrode pattern layers 40 and 50 may be prevented, and the surface thereof may be planarized to suppress generation of micro bubbles during adhesion to the base film 70.
  • it may serve as an adhesive layer.
  • the second protective layer 60 may be formed of the aforementioned polymer or the aforementioned adhesive or adhesive.
  • the first protective layer 30 and the second protective layer 60 may have the aforementioned elastic modulus difference.
  • the present invention may further include attaching the base film 70 on the second protective layer 60 as shown in FIG. 14.
  • the base film 70 may be a film made of the aforementioned material, or a polarizing plate, a retardation film, or a protective film.
  • the polarizing plate may be a polarizer protective film is attached to one side or both sides of the polyvinyl alcohol polarizer.
  • the base film 70 may be attached onto the second protective layer 60 through the above-described thermosetting or photocurable adhesive.
  • the second protective layer 60 and the adhesive layer may have the above-described elastic modulus difference.
  • the corona treatment, the flame treatment, the plasma treatment, the ultraviolet ray are applied to the surface to which the base film 70 is attached.
  • Surface treatment such as irradiation, a primer application
  • the separation layer 20 is peeled off from the carrier substrate 10.
  • the separation layer 20 may remain on the side of the film touch sensor without being removed to serve as a coating to protect the electrode pattern layers 40 and 50.
  • the circuit board 80 may be attached to the pad region of the separation layer 20 as shown in FIG. 15.
  • the circuit board 80 is electrically connected to the pad electrode 40.
  • Electrical connection between the circuit board 80 and the pad electrode 40 may be performed through an anisotropic conductive film.
  • the conductive ball may be nickel, nickel, or a gold alloy
  • the curable resin may be an acrylic or epoxy resin, but is not limited thereto.
  • the electrical connection is performed by first placing an anisotropic conductive film having conductive balls in the pad region on the separation layer 20, and then heating and pressing. Then, the conductive ball penetrates through the separation layer 20 and is connected to the pad electrode 40. Then, the circuit board 80 can be electrically connected to the pad electrode 40 by connecting the circuit board 80 with the anisotropic conductive film.
  • the separation layer 20 may be removed from the carrier substrate 10, and then the separation layer 20 of the pad region may be chemically removed.
  • the chemical liquid used for the removal of the separation layer 20 can be used without limitation, the chemical liquid used in the removal of the polymer in the art, for example, basic chemicals such as KOH, TMAH, amines; Acidic chemicals such as phosphoric acid, acetic acid and nitric acid can be used. These can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the circuit board 80 may be attached to the first protective layer side to be electrically connected to the pad electrode 40.
  • the manufacturing method of the film touch sensor of the present invention including the above step proceeds with the process of forming a pattern layer for implementing the film touch sensor on the carrier substrate 10, and then attaches the base film 70, Heat damage of the base film 70 can be prevented.
  • the present invention is a carrier Since the pattern layer is formed on the substrate 10, the pattern layer can be easily formed without occurrence of such a problem.
  • the separation layer 20 also peels off from the carrier substrate 10 at the time of peeling from the carrier substrate 10, the electrode pattern layers 40 and 50 can be protected, and then the electrical circuit of the circuit board 80 is removed. Easy to connect
  • the pad electrode 40 is formed by selectively etching the pad region on the first passivation layer 30, damage due to exposure to an etchant of the separation layer 20 may be prevented.
  • sensing electrode 60 second protective layer

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Abstract

본 발명은 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분리층; 상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및 상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며, 상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워짐으로써, 기재 필름의 열 손상 등을 방지하고, 용이하게 패턴층의 형성이 가능하며, 분리층의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있는 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

필름 터치 센서 및 이의 제조 방법
본 발명은 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다
터치입력방식이 차세대 입력방식으로 각광받으면서 좀더 다양한 전자기기에 터치입력방식을 도입하려는 시도들이 이루어지고 있으며, 따라서 다양한 환경에 적용할 수 있고 정확한 터치인식이 가능한 터치센서에 대한 연구개발도 활발히 이루어지고 있다.
예를 들어, 터치 방식의 디스플레이를 갖는 전자기기의 경우 초경량, 저전력을 달성하고 휴대성이 향상된 초박막의 유연성 디스플레이가 차세대 디스플레이로 주목받으면서 이러한 디스플레이에 적용 가능한 터치센서의 개발이 요구되어 왔다.
유연성 디스플레이란 특성의 손실 없이 휘거나 구부리거나 말 수 있는 유연한 기판상에 제작된 디스플레이를 의미하며, 유연성 LCD, 유연성 OLED, 및 전자종이와 같은 형태로 기술개발이 진행중에 있다.
이러한 유연성 디스플레이에 터치입력방식을 적용하기 위해서는 휘어짐 및 복원력이 우수하고 유연성 및 신축성이 뛰어난 터치센서가 요구된다.
이와 같은 유연성 디스플레이 제조를 위한 필름 터치 센서에 관하여 투명 수지 기재 중에 매설된 배선을 포함하는 배선 기판이 제시되고 있다.
기판상에 금속배선을 형성하는 배선형성공정과, 상기 금속배선을 덮도록 투명 수지 용액을 도포 건조하여 투명 수지 기재를 형성하는 적층 공정 및 상기 기판으로부터 투명 수지 기재를 박리시키는 박리공정을 포함하는 것이다.
이와 같은 제조 방법에서는 박리공정을 원활하게 수행하기 위하여, 실리콘 수지나 불소수지와 같은 유기 박리재, 다이아몬드 라이크 카본(Diamond Like Carbon, DLC) 박막, 산화 지르코늄 박막 등의 무기 박리재를 기판의 표면에 미리 형성시키는 방법을 사용한다.
그러나 무기 박리재를 이용하는 경우, 기판으로부터 기재 및 금속 배선을 박리시킬 때, 배선 및 기재의 박리가 원활하게 진행되지 않아 기판 표면에 금속 배선 및 기재의 일부가 잔류하는 문제가 있으며, 박리재로 사용된 유기 물질이 배선 및 기재의 표면에 묻어나오는 문제가 있다.
즉, 박리재를 이용하더라도 배선기판의 금속배선을 기판으로부터 완벽하게 박리시킬 수 없는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 대한민국 등록특허 제10-1191865호에서 제시되고 있는 방법은, 금속배선이 매립된 형태의 유연기판을 제조하는 단계에서 빛이나 용매에 의해 제거될 수 있는 희생층, 금속배선 및 고분자 물질(유연기판)을 기판상에 형성시킨 후, 빛이나 용매를 이용하여 희생층을 제거함으로써 금속배선 및 고분자 물질(유연기판)을 기판으로부터 박리시킨다.
하지만, 이와 같은 방법은 대형 사이즈에서의 희생층 제거 공정이 어렵고, 고온공정이 불가능하여 다양한 필름기재를 사용할 수 없는 문제가 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
한국등록특허 제1191865호
본 발명은 캐리어 기판 상에서 공정이 진행되어, 패턴층 등의 형성이 용이한 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 캐리어 기판으로부터의 박리가 용이한 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 분리층;
상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및
상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며,
상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워진, 필름 터치 센서.
2. 위 1에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 제조된 것인, 필름 터치 센서.
3. 위 1에 있어서, 상기 분리층은, 먼저 캐리어 기판 상에 형성되고 이로부터 분리된 것인, 필름 터치 센서.
4. 위 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.
5. 위 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 0.1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.
6. 위 3에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서.
7. 위 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 분리층 측면의 적어도 일부를 덮는, 필름 터치 센서.
8. 위 1에 있어서, 상기 패드 전극은 분리층 및 제1 보호층과의 표면 에너지 차이가 20 mN/m 이하인, 필름 터치 센서.
9. 위 1에 있어서, 상기 전극 패턴층은 금속산화물류, 금속류, 금속 나노와이어, 탄소계 물질류 및 전도성 고분자 물질류로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 재료로 형성된 것인, 필름 터치 센서.
10. 위 1에 있어서, 상기 전극 패턴층이 형성된 제1 보호층 상에 위치한 제2 보호층을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
11. 위 10에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.
12. 위 10에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 부착된 기재 필름을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
13. 위 12에 있어서, 상기 기재 필름은 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착되고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.
14. 위 12에 있어서, 상기 기재 필름은 편광판 또는 투명 필름인, 필름 터치 센서.
15. 위 1에 있어서, 상기 패드 전극과 전기적으로 연결되는 회로기판을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
16. 위 1 내지 15 중 어느 한 항의 필름 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널.
17. 위 16의 터치 스크린 패널을 포함하는 화상 표시 장치.
18. 캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계;
상기 분리층 상에 제1 보호층을 형성하는 단계;
상기 제1 보호층 상의 패드 영역 중, 패드 전극이 형성될 부위만 선택적으로 에칭하는 단계; 및
상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 센싱 전극을 형성하고, 상기 에칭된 부위에 패드 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
19. 위 18에 있어서, 상기 센싱 전극 및 패드 전극이 형성된 제1 보호층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
20. 위 19에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
21. 위 19에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 기재 필름을 부착하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
22. 위 21에 있어서, 상기 기재 필름을 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착하고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
23. 위 18에 있어서, 상기 분리층을 캐리어 기판으로부터 박리하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
24. 위 18에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 형성되는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
25. 위 18에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
26. 위 18에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
27. 위 18에 있어서, 상기 제1 보호층을 분리층 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
28. 위 23에 있어서, 상기 박리 이후에 상기 분리층의 패드 영역 상에 회로기판을 부착하고, 상기 회로기판을 상기 패드 전극과 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
29. 위 28에 있어서, 분리층 상의 패드 영역에 도전볼을 갖는 이방도전성 필름을 위치시킨 다음 가열 및 가압하여, 상기 도전볼이 분리층을 관통하여 패드 전극과 접속되도록 하고, 상기 회로기판을 이방도전성 필름과 접속시키는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
본 발명은 캐리어 기판 상에서 필름 터치 센서를 구현하기 위한 패턴층 형성 등의 공정을 진행하고 이후에 기재 필름을 부착하므로, 기재 필름의 열 손상 등을 방지할 수 있다.
본 발명은 캐리어 기판이 충분한 지지 역할을 수행하여, 용이하게 패턴층을 형성할 수 있다.
본 발명은 캐리어 기판으로부터의 박리시에 분리층도 캐리어 기판으로부터 함께 박리하므로 전극 패턴층을 보호할 수 있고, 이후에 회로기판의 전기적 접속이 용이하다.
뿐만 아니라, 상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워짐으로써, 분리층의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따라 형성된 패드 전극(a) 및 그렇지 않은 경우의 패드 전극(b)의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도이다.
도 6 내지 도 15는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법의 개략적인 공정도이다.
본 발명은 분리층; 상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및 상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며, 상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워짐으로써, 기재 필름의 열 손상 등을 방지하고, 용이하게 패턴층의 형성이 가능하며, 분리층의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있는 필름 터치 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서는 분리층, 제1 보호층 및 전극 패턴층을 포함한다.
도 1 내지 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 단면도, 패드 전극의 평면도이고, 도 6 내지 15는 필름 터치 센서 제조 공정이 도시되어 있는데, 이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
분리층(20)은 캐리어 기판(10)과의 분리를 위해 형성되는 층이며, 전극 패턴층(40, 50)을 피복하여 전극 패턴층(40, 50)을 보호하는 층이 된다.
분리층(20)은 고분자 유기막일 수 있으며, 예를 들면 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자 등의 고분자로 제조된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 분리층(20)은 캐리어 기판(10)으로부터 용이하게 박리되며, 박리시에 후술할 제1 보호층(30)으로부터는 박리되지 않도록, 상기 소재 중 캐리어 기판(10)에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인 소재, 보다 바람직하게는 캐리어 기판(10)에 대한 박리력이 0.1N/25mm 이하인 소재로 제조되는 것이 바람직하다.
캐리어 기판(10)으로는 공정 중에 쉽게 휘거나 뒤틀리지 않고 고정될 수 있도록 적정 강도를 제공하며 열이나 화학 처리에 영향이 거의 없는 재료라면 특별한 제한이 없이 사용될 수 있다. 예를 들면 글라스, 석영, 실리콘 웨이퍼, 서스 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 글라스가 사용될 수 있다.
제1 보호층(30)은 상기 분리층(20) 상에 위치한다.
제1 보호층(30)은 상기 분리층(20)과 마찬가지로 후술할 전극 패턴층(40, 50)을 피복하여 전극 패턴층(40, 50)을 보호하며, 본 발명의 필름 터치 센서의 제조 공정 중에 분리층(20)이 전극 패턴층(40, 50) 형성을 위한 에천트에 노출되지 않도록 하는 역할을 한다.
제1 보호층(30)으로는 당분야에 공지된 고분자가 제한없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유기 절연막으로 제조된 것일 수 있다.
제1 보호층(30)은 후술할 패턴들의 패터닝 등의 공정 중에 분리층(20)의 측면이 에천트 등에 노출되는 것을 최소화 할 수 있도록 분리층(20) 측면의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 분리층(20) 측면의 노출을 완전히 차단한다는 측면에서 바람직하게는 제1 보호층(30)은 분리층(20) 측면 전부를 덮을 수 있다.
제1 보호층(30) 상에 전극 패턴층(40, 50)이 위치한다.
전극 패턴층(40, 50)은 센싱 전극(50) 및 패드 전극(40)을 포함한다.
센싱 전극(50)은 제1 보호층 상의 센싱 영역에, 패드 전극(40)은 제1 보호층 상의 패드 영역에 위치할 수 있다. 다만, 센싱 전극(50)과 패드 전극(40)은 전기적으로 연결되어야 하므로, 센싱 전극(50)의 적어도 일부가 패드 영역에 위치할 수도 있고, 패드 전극(40)의 적어도 일부가 센싱 영역에 위치할 수도 있다.
센싱 영역은 필름 터치 센서에서 터치가 수행되는 표시부에 대응되는 영역을 의미하고, 패드 영역은 패드부에 대응되는 영역을 의미한다. 즉, 제1 보호층 상의 센싱 영역은 제1 보호층 상에서 표시부에 대응되는 영역을 의미하고, 패드 영역은 제1 보호층 상에서 패드부에 대응되는 영역을 의미한다.
전극 패턴층(40, 50)으로는 전도성 물질이라면 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예를 들면 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 갈륨징크옥사이드(GZO), 플로린틴옥사이드(FTO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군에서 선택된 금속산화물류; 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 APC로 이루어진 군에서 선택된 금속류; 금, 은, 구리 및 납으로 이루어진 군에서 선택된 금속의 나노와이어; 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene)으로 이루어진 군에서 선택된 탄소계 물질류; 및 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 폴리아닐린(PANI)으로 이루어진 군에서 선택된 전도성 고분자 물질류에서 선택된 재료로 형성될 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
전극 패턴층(40, 50)의 단위 패턴들은 서로 독립적으로 예컨대 3각형, 4각형, 5각형, 6각형 또는 7각형 이상의 다각형 패턴일 수 있다.
또한, 전극 패턴층(40, 50)은 규칙 패턴을 포함할 수 있다. 규칙 패턴이란, 패턴의 형태가 규칙성을 갖는 것을 의미한다. 예컨대, 단위 패턴들은 서로 독립적으로 직사각형 또는 정사각형과 같은 메쉬 형태나, 육각형과 같은 형태의 패턴을 포함할 수 있다.
또한, 전극 패턴층(40, 50)은 불규칙 패턴을 포함할 수 있다. 불규칙 패턴이란 패턴의 형태가 규칙성을 갖지 아니한 것을 의미한다.
전극 패턴층(40, 50)이 금속 나노와이어, 탄소계 물질류, 고분자 물질류 등의 재료로 형성된 경우, 전극 패턴층(40, 50)은 망상 구조를 가질 수 있다.
망상 구조를 갖는 경우, 서로 접촉하여 인접하는 패턴들에 순차적으로 신호가 전달되므로, 높은 감도를 갖는 패턴을 실현할 수 있다.
패드 전극(40)은 후술할 회로기판(80)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 2는 패드 전극(40)을 형성한 직후의 평면도인데(붉은색 직사각형은 패드 영역을 의미), 도 2 (a)에 예시된 바와 같이 상기 제1 보호층(30) 상의 패드 영역에서 패드 전극(40) 이외의 영역은 제1 보호층(30) 소재로 채워진다.
이와 같은 패드 전극(40)은 제1 보호층(30) 상의 패드 영역에서 패드 전극(40)이 형성될 부위만 선택적으로 패터닝하여 형성된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2 (a)와 같이 제1 보호층(30) 상의 패드 영역에서 패드 전극(40) 이외의 영역은 제1 보호층(30) 소재로 채워진 경우, 분리층(20)의 패드 영역이 노출되지 않으므로 전극 패턴층(40, 50)의 형성시에 분리층(20)의 패드 영역이 에천트 등에 노출되지 않는다. 이에 따라 에천트 등에 의한 화학적 충격으로 인하여 크랙, 박리, 열화 등의 문제가 발생하지 않은, 우수한 분리층(20)을 얻을 수 있다.
그러나 도 2 (b)와 같이 패드 영역 전체를 에칭하여 패드 전극(40)을 형성하는 경우는, 이후 전극 패턴층(40, 50)의 형성시 분리층(20)의 패드 영역이 에천트에 노출된다.
분리층(20)의 패드 영역의 에천트에 대한 노출을 최소화한다는 측면에서 바람직하게는, 패드 전극(40)은 분리층(20) 및 제1 보호층(30)과의 표면 에너지 차이가 각각 20 mN/m 이하일 수 있다.
도 2(a) 및 도 10에 예시된 바와 같이, 패드 전극(40)은 분리층(20) 및 제1 보호층(30)과 인접하게 되는데, 패드 전극(40)의 분리층(20)및 제1 보호층(30)과의 표면 에너지 차이가 20 mN/m 이하(ASTM D7490에 따라 측정)인 경우 패드 전극(40)의 분리층(20) 및 제1 보호층(30)에 대한 밀착력이 우수하여, 빈틈으로 에천트가 흘러 들어가는 것을 억제할 수 있다.
도 3에 예시된 바와 같이, 본 발명의 필름 터치 센서는 상기 전극 패턴층(40, 50)이 형성된 제1 보호층 상에 위치한 제2 보호층(60)을 더 포함할 수 있다.
제2 보호층(60)은 그 자체로서 기재의 역할, 그리고 패시베이션층의 역할을 할 수 있다. 뿐만 아니라, 전극 패턴층(40, 50)의 부식을 막고, 표면을 평탄화하여 기재 필름(70)과의 접착시 미세기포의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 접착층의 역할을 할 수 있다.
제2 보호층(60)이 기재 또는 패시베이션층의 역할을 하는 경우, 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리오르가노실록산(POS) 등의 실리콘계 고분자; 폴리이미드계 고분자; 폴리우레탄계 고분자 등으로 제조된 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
제2 보호층(60)이 접착층의 역할을 하는 경우, 당 분야에 공지된 열경화 또는 광경화성 점착제 또는 접착제를 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 폴리에스테르계, 폴리에테르계, 우레탄계, 에폭시계, 실리콘계, 아크릴계 등의 열경화 또는 광경화성 점착제 또는 접착제를 사용할 수 있다.
제2 보호층(60)이 접착층의 역할을 하는 경우, 본 발명의 필름 터치 센서에 있어서, 상기 제1 보호층(30)과 제2 보호층(60)은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인 것이 탄성율 차에 의한 크랙 발생 억제의 측면에서 바람직하다. 탄성율은 레오미터 또는 UTM장비 등으로 측정될 수 있다.
도 4에 예시된 바와 같이, 본 발명의 필름 터치 센서는 상기 제2 보호층(60) 상에 부착된 기재 필름(70)을 더 포함할 수 있다.
제2 보호층(60)이 접착층인 경우 기재 필름(70)은 제2 보호층(60) 상에, 그렇지 않은 경우, 도 5에 예시된 바와 같이 제2 보호층(60) 상의 접착층을 통해 부착될 수 있다.
그러한 경우, 제2 보호충(60)과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인 것이 탄성율 차에 의한 크랙 발생 억제의 측면에서 바람직하다
기재 필름(70)으로는 당 분야에 널리 사용되는 소재로 제조된 투명 필름이 제한되지 않고 사용될 수 있으며, 예를 들면, 셀룰로오스 에스테르(예: 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 프로피오네이트, 셀룰로오스 부티레이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트, 및 니트로셀룰로오스), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에스테르(예: 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리-1,4-시클로헥산디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌 1,2-디페녹시에탄-4,4´-디카르복실레이트 및 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리스티렌(예: 신디오택틱(syndiotactic) 폴리스티렌), 폴리올레핀(예: 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 및 폴리메틸펜텐), 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리아릴레이트, 폴리에테르-이미드, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에테르 케톤, 폴리비닐알코올 및 폴리염화비닐로 이루어진 군으로부터 선택된 단독 또는 이들의 혼합물로 제조된 필름일 수 있다.
또한, 투명 필름은 등방성 필름 또는 위상차 필름일 수 있다.
등방성 필름일 경우 면내 위상차(Ro, Ro=[(nx-ny)xd], nx, ny는 필름 평면 내의 주굴절률, nz는 필름 두께 방향의 굴절률, d는 필름 두께이다) 가 40nm 이하이고, 15nm 이하가 바람직하며, 두께방향 위상차(Rth, Rth=[(nx+ny)/2-nz]xd) 가 -90nm 내지 +75nm이며, 바람직하게는 -80nm 내지 +60nm, 특히 -70nm 내지 +45nm가 바람직하다.
위상차 필름은 고분자필름의 일축 연신, 이축 연신, 고분자코팅, 액정코팅의 방법으로 제조된 필름이며, 일반적으로 디스플레이의 시야각보상, 색감개선, 빛샘개선, 색미조절 등의 광학특성 향상 및 조절을 위하여 사용된다.
또한, 기재 필름(70)으로 편광판을 사용할 수도 있다.
편광판은 폴리비닐알콜계 편광자의 일면 또는 양면에 편광자 보호필름이 부착된 것일 수 있다.
또한, 기재 필름(70)으로 보호필름을 사용할 수도 있다.
보호필름은 고분자 수지로 이루어진 필름의 적어도 일면에 점착층을 포함하는 필름이거나 폴리프로필렌 등의 자가점착성을 가진 필름일 수 있으며, 터치 센서 표면의 보호, 공정정 개선을 위하여 사용될 수 있다.
기재 필름(70)의 광투과율은 바람직하게는 85% 이상이며, 보다 바람직하게는 90% 이상일 수 있다. 또한, 상기 기재 필름(70)은 JIS K7136에 따라 측정되는 전체 헤이즈값이 10% 이하인 것이 바람직하고, 7% 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 기재 필름(70)의 두께는 제한되지 않지만 바람직하게는 30 내지 150㎛이며, 보다 바람직하게는 70 내지 120 ㎛이다.
또한, 본 발명의 필름 터치 센서는 회로기판(80)를 더 포함할 수 있다.
회로기판(80)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)일 수 있다.
회로기판(80)은 패드 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
분리층(20) 측에 부착되는 경우를 구체적으로 설명하면, 회로기판(80)은 이방도전성 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)을 통하여 패드 전극(40)과 연결될 수 있다.
이방도전성 필름은 경화성 수지에 전도성 입자인 도전볼이 분산된 형태를 가질 수 있다.
도전볼은 니켈 또는 니켈, 금 합금일 수 있으며, 경화성 수지는 아크릴계 또는 에폭시계 수지일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
시판되는 도전볼로는 예를 들면, H&C High Tech사의 TGP 시리즈를 들 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 필름 터치 센서는 캐리어 기판(10)으로부터 박리된 이후에 필름 터치 센서로서 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 필름 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널, 그리고 이를 포함하는 화상 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 터치 스크린 패널은 통상의 액정 표시 장치뿐만 아니라, 전계 발광 표시 장치, 플라스마 표시 장치, 전계 방출 표시 장치 등 각종 화상 표시 장치에 적용이 가능하다. 그리고, 플렉서블 특성을 갖는 화상 표시 장치에 대하여 특히 유용하게 적용될 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 필름 터치 센서의 제조 방법을 제공한다.
이하 본 발명의 일 구현예에 따른 필름 터치 센서의 제조 방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 필름 터치 센서의 제조 방법의 일 구현예에 따르면, 먼저, 도 6와 같이, 캐리어 기판(10) 상에 분리층(20)을 형성한다.
캐리어 기판(10)으로는 공정 중에 쉽게 휘거나 뒤틀리지 않고 고정될 수 있도록 적정 강도를 제공하며 열이나 화학 처리에 영향이 거의 없는 재료라면 특별한 제한이 없이 사용될 수 있다. 예를 들면 글라스, 석영, 실리콘 웨이퍼, 서스 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 글라스가 사용될 수 있다.
분리층(20)은 전술한 고분자 소재로 형성될 수 있다.
후술할 금속 소재로 형성되는 패드 전극(40)의 경우 캐리어 기판(10)으로부터의 박리가 어려울 수 있는데, 분리층(20)의 경우 캐리어 기판(10)으로부터의 잘 박리되므로, 분리층(20)을 형성하는 경우 캐리어 기판(10)으로부터 박리시에 필름 터치 센서에 가해지는 충격이 적어 전극 패턴층(40, 50) 손상 등의 문제를 줄일 수 있다.
상기 박리시 가해지는 물리적 손상을 최소화한다는 측면에서 바람직하게는 분리층(20)은 캐리어 기판(10)에 대한 박리력이 1N/25mm 이하, 바람직하게는 0.1N/25mm 이하일 수 있다.
분리층(20)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 슬릿 코팅법, 나이프 코팅법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 딥 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법, 노즐 코팅법, 모세관 코팅법 등의 당 분야에 공지된 방법에 의할 수 있다.
전술한 방법에 의해 분리층(20)을 형성한 이후에, 추가적인 경화 공정을 더 거칠 수 있다.
분리층(20)의 경화 방법은 특별히 한정되지 않고 광경화 또는 열경화에 의하거나, 상기 2가지 방법을 모두 사용 가능하다. 광경화 및 열경화를 모두 수행시 그 순서는 특별히 한정되지 않는다.
경화 조건으로는 구체적인 예를 들면, 열경화의 경우 50 내지 300℃에서 1분 내지 60분간 수행 가능하며, 바람직하게는 100 내지 200℃에서 5분 내지 30분간 수행 가능하다. 광경화의 경우 0.01 내지 10J/cm2의 UV를 1초 내지 500초간 조사할 수 있고, 바람직하게는 0.05 내지 1J/ cm2의 UV를 1초 내지 120초간 조사할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이후에, 도 7과 같이, 상기 분리층(20) 상에 제1 보호층(30)을 형성한다.
제1 보호층(30)은 전술한 소재로 형성될 수 있으며, 그 형성 방법도 특별히 한정되지 않고 분리층(20)의 형성 방법과 동일한 방법이 사용 가능하다.
제1 보호층(30)은 후술할 패턴들의 패터닝 등의 공정 중에 분리층(20)의 측면이 에천트 등에 노출되는 것을 최소화 할 수 있도록 분리층(20) 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성할 수 있다. 분리층(20) 측면의 노출을 완전히 차단한다는 측면에서 바람직하게는 제1 보호층(30)은 분리층(20) 측면 전부를 덮도록 형성할 수 있다.
다음으로, 도 8 및 도 2(a)와 같이, 상기 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 중 패드 전극(40)이 형성될 부위만 선택적으로 에칭한다.
도 2 (b)와 같이 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 전체를 에칭하는 경우 패드 전극(40) 형성시 또는 형성한 이후에도 분리층(20)의 패드 영역 일부가 노출된다. 이에 따라 분리층(20)의 노출 부위가 패드 전극(40) 형성시 또는 후술할 센싱 전극(50)의 형성시에 에천트, 스트리퍼 등의 화학약품에 노출되어 크랙, 박리, 열화되는 등의 문제가 발생할 수 있다.
그러나, 본 발명은 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 중 패드 전극(40)이 형성될 부위만 선택적으로 에칭하므로, 에칭 부위에 패드 전극(40)을 형성하고 나면 제1 보호층(30) 하부의 분리층(20)이 전혀 노출되지 않는다. 이에 따라 상기 에천트 등에 대한 노출 문제를 해결할 수 있다.
이후에, 도 9 및 도 10과 같이, 상기 에칭된 부위에 패드 전극(40)을 형성한다.
패드 전극(40)은 전술한 금속 또는 금속 산화물로 형성될 수 있다.
패드 전극(40)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 물리적 증착법, 화학적 증착법, 플라즈마 증착법, 플라즈마 중합법, 열 증착법, 열 산화법, 양극 산화법, 클러스터 이온빔 증착법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 코팅법, 디스펜서 인쇄법 등의 당 분야에 공지된 방법에 의할 수 있다.
상기 분리층(20)의 에천트 등에 대한 노출을 보다 확실히 방지한다는 측면에서 바람직하게는 패드 전극(40)은 상기 에칭 부위를 벗어나 에칭 부위보다 더 넓은 폭으로 형성되어, 제1 보호층(30) 상의 패드 영역 중 일부를 더 덮도록 형성될 수 있다.
도 11은 패드 전극(40)까지 형성한 이후에, 필름 터치 센서를 패드 영역측에서 바라본 도면으로, 이와 같이 패드 전극(40)의 폭이 에칭 부위보다 더 넓은 폭을 갖도록 형성하는 경우, 에칭된 틈으로 에천트가 흘러 들어가는 것을 보다 확실히 차단할 수 있다.
도 12 및 도 13과 같이, 상기 제1 보호층(30) 상의 센싱 영역에는 센싱 전극(50)을 형성한다.
센싱 전극(50)은 전술한 금속산화물류, 금속류, 나노와이어, 탄소계 물질류, 고분자 물질류 등으로 형성될 수 있다.
센싱 전극(50)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 패드 전극(40)의 형성 방법과 동일한 방법이 사용 가능하다.
센싱 전극(50) 및 패드 전극(40)의 단위 패턴의 형성의 경우 포토에칭법에 의할 수 있다.
포토에칭법이란 패터닝의 대상이 되는 층 상에 포토레지스트를 도포하고, 도포된 포토레지스트를 마스크를 이용하여 선택적으로 경화시키고, 경화되지 않은 포토레지스트를 현상시켜 제거한 다음, 에칭하여 패턴을 형성하고, 경화된 포토레지스트를 제거하는 당 분야에 공지된 일련의 공정을 거쳐 패턴을 형성하는 방법이다.
포토레지스트의 경우 포지티브형 포토레지스트와 네거티브형 포토레지스트로 구분될 수 있는데, 포지티브형의 경우 UV 노출시에 현상액에 대해 가용성으로 되는 포토레지스트이고, 네거티브형의 경우 UV 노출시에 현상액에 대해 불용성으로 되는 포토레지스트이다.
따라서, 포지티브형을 사용하는 경우 UV에 노출된 부분을 현상시키고, 이후 공정을 거쳐 패턴을 형성할 수 있고, 네거티브형의 경우 UV에 노출되지 않은 부분을 현상시키고, 이후 공정을 거쳐 패턴을 형성할 수 있다.
포토레지스트의 경화시의 조건은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 0.01 내지 10J/cm2의 UV를 1초 내지 500초간 조사할 수 있고, 바람직하게는 0.05 내지 1J/ cm2의 UV를 1초 내지 120초간 조사할 수 있다.
본 발명은 센싱 전극(50) 및 패드 전극(40)이 형성된 제1 보호층(30) 상에 제2 보호층(60)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제2 보호층(60)은 그 자체로서 기재의 역할, 그리고 패시베이션층의 역할을 할 수 있다. 뿐만 아니라, 전극 패턴층(40, 50)의 부식을 막고, 표면을 평탄화하여 기재 필름(70)과의 접착시 미세기포의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 접착층의 역할을 할 수 있다.
제2 보호층(60)은 전술한 고분자 또는 전술한 점착제 또는 접착제로 형성될 수 있다.
제2 보호층(60)이 접착층의 역할을 하는 경우, 제1 보호층(30)과 제2 보호층(60)은 전술한 탄성율 차를 가질 수 있다.
본 발명은 도 14와 같이 상기 제2 보호층(60) 상에 기재 필름(70)을 부착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기재 필름(70)은 전술한 소재로 제조된 필름, 또는 편광판, 위상차 필름, 또는 보호 필름일 수 있다.
편광판은 폴리비닐알콜계 편광자의 일면 또는 양면에 편광자 보호필름이 부착된 것일 수 있다.
제2 보호층(60)이 기재의 역할을 하는 경우, 기재 필름(70)은 전술한 열경화 또는 광경화성 접착제를 통해 제2 보호층(60) 상에 부착될 수 있다. 그러한 경우, 제2 보호층(60)과 접착층은 전술한 탄성율 차를 가질 수 있다.
기재 필름(70)은 가압 하에 부착될 수 있고, 가해지는 압력 범위는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 200Kg/cm2 바람직하게는 10 내지 100Kg/cm2일 수 있다.
기재 필름(70)의 부착시에, 기재 필름(70)과 제2 보호층(60) 간의 접착성을 향상시키기 위해 기재 필름(70)의 부착되는 면에 코로나 처리, 화염 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사, 프라이머 도포 처리, 비누화 처리 등의 표면 처리를 실시할 수 있다.
이후에, 상기 분리층(20)을 상기 캐리어 기판(10)으로부터 박리한다.
상기 박리 이후에도 분리층(20)은 제거되지 않고 필름 터치 센서측에 잔존하여, 전극 패턴층(40, 50)을 보호하는 피복의 역할을 할 수 있다.
상기 분리층(20)을 상기 캐리어 기판(10)으로부터 박리하고 나면, 도 15와 같이, 상기 분리층(20)의 패드 영역 상에 회로기판(80)을 부착할 수 있다.
회로기판(80)은 상기 패드 전극(40)과 전기적으로 연결된다.
회로기판(80)과 패드 전극(40)간의 전기적 연결은 이방도전성 필름을 통해 수행될 수 있다.
이방도전성 필름은 경화성 수지에 전도성 입자인 도전볼이 분산된 형태를 가질 수 있다.
도전볼은 니켈 또는 니켈, 금 합금일 수 있으며, 경화성 수지는 아크릴계 또는 에폭시계 수지일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 전기적 연결은 구체적으로, 먼저, 분리층(20) 상의 패드 영역에 도전볼을 갖는 이방도전성 필름을 위치시킨 다음 가열 및 가압한다. 그러면 상기 도전볼이 분리층(20)을 관통하여 패드 전극(40)과 접속된다. 그러고 나서, 회로기판(80)을 이방도전성 필름과 접속시킴으로써, 회로기판(80)이 패드 전극(40)과 전기적으로 연결되도록 할 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에 따르면, 분리층(20)을 캐리어 기판(10)으로부터 박리 후, 패드 영역의 분리층(20)을 화학적으로 제거할 수도 있다.
분리층(20)의 제거에 사용되는 약액으로는 당 분야에서 고분자의 제거에 사용되는 약액을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들면, KOH, TMAH, 아민류 등의 염기성 약액; 인산, 초산, 질산 등의 산성 약액을 사용할 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
분리층(20)을 제거하고 나면, 회로기판(80)을 제1 보호층 측에 부착하여 패드 전극(40)과 전기적으로 연결시킬 수 있다.
상기와 같은 단계를 포함하는 본 발명의 필름 터치 센서의 제조 방법은 캐리어 기판(10) 상에서 필름 터치 센서를 구현하기 위한 패턴층 형성 등의 공정을 진행하고 이후에 기재 필름(70)을 부착하므로, 기재 필름(70)의 열 손상 등을 방지할 수 있다.
그리고, 통상의 방법에 따라 기재 필름(70) 상에 패턴층을 형성한다면, 박막의 기재 필름(70)을 사용하는 경우 기재 필름(70)이 충분한 지지 역할을 하지 못할 수도 있으나, 본 발명은 캐리어 기판(10) 상에 패턴층을 형성하므로 그러한 문제의 발생 없이 용이하게 패턴층을 형성할 수 있다.
또한, 캐리어 기판(10)으로부터의 박리시에 분리층(20)도 캐리어 기판(10)으로부터 함께 박리하므로 전극 패턴층(40, 50)을 보호할 수 있고, 이후에 회로기판(80)의 전기적 접속이 용이하다.
뿐만 아니라, 제1 보호층(30) 상의 패드 영역을 선택적으로 에칭하여 패드 전극(40)을 형성하므로, 분리층(20)의 에천트 등에 노출에 의한 손상을 막을 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하였으나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
[부호의 설명]
10: 캐리어 기판 20: 분리층
30: 제1 보호층 40: 패드 전극
50: 센싱 전극 60: 제2 보호층
70: 기재 필름 80: 회로기판
90: 접착층

Claims (29)

  1. 분리층;
    상기 분리층 상에 위치한 제1 보호층; 및
    상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 형성된 센싱 전극 및 패드 영역에 형성된 패드 전극을 포함하는 전극 패턴층;을 포함하며,
    상기 제1 보호층 상의 패드 영역에서 패드 전극 이외의 영역은 제1 보호층 소재로 채워진, 필름 터치 센서.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 제조된 것인, 필름 터치 센서.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 분리층은, 먼저 캐리어 기판 상에 형성되고 이로부터 분리된 것인, 필름 터치 센서.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 0.1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서.
  6. 청구항 3에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 보호층은 분리층 측면의 적어도 일부를 덮는, 필름 터치 센서.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 패드 전극은 분리층 및 제1 보호층과의 표면 에너지 차이가 20 mN/m 이하인, 필름 터치 센서.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 전극 패턴층은 금속산화물류, 금속류, 금속 나노와이어, 탄소계 물질류 및 전도성 고분자 물질류로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 재료로 형성된 것인, 필름 터치 센서.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 전극 패턴층이 형성된 제1 보호층 상에 위치한 제2 보호층을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 부착된 기재 필름을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 기재 필름은 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착되고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 기재 필름은 편광판 또는 투명 필름인, 필름 터치 센서.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 패드 전극과 전기적으로 연결되는 회로기판을 더 포함하는, 필름 터치 센서.
  16. 청구항 1 내지 15 중 어느 한 항의 필름 터치 센서를 포함하는 터치 스크린 패널.
  17. 청구항 16의 터치 스크린 패널을 포함하는 화상 표시 장치.
  18. 캐리어 기판 상에 분리층을 형성하는 단계;
    상기 분리층 상에 제1 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제1 보호층 상의 패드 영역 중, 패드 전극이 형성될 부위만 선택적으로 에칭하는 단계; 및
    상기 제1 보호층 상의 센싱 영역에 센싱 전극을 형성하고, 상기 에칭된 부위에 패드 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 센싱 전극 및 패드 전극이 형성된 제1 보호층 상에 제2 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  20. 청구항 19에 있어서, 상기 제2 보호층은 접착층이고, 상기 제1 보호층과 제2 보호층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  21. 청구항 19에 있어서, 상기 제2 보호층 상에 기재 필름을 부착하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  22. 청구항 21에 있어서, 상기 기재 필름을 접착층을 통해 제2 보호층 상에 부착하고, 상기 제2 보호층과 접착층은 25℃에서의 탄성율차가 300MPa 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  23. 청구항 18에 있어서, 상기 분리층을 캐리어 기판으로부터 박리하는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  24. 청구항 18에 있어서, 상기 분리층은 폴리이미드(polyimide)계 고분자, 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol)계 고분자, 폴리아믹산(polyamic acid)계 고분자, 폴리아미드(polyamide)계 고분자, 폴리에틸렌(polyethylene)계 고분자, 폴리스타일렌(polystylene)계 고분자, 폴리노보넨(polynorbornene)계 고분자, 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer)계 고분자, 폴리아조벤젠(polyazobenzene)계 고분자, 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide)계 고분자, 폴리에스테르(polyester)계 고분자, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate)계 고분자, 폴리아릴레이트(polyarylate)계 고분자, 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자, 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 고분자로 형성되는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  25. 청구항 18에 있어서, 상기 분리층은 캐리어 기판에 대한 박리력이 1N/25mm 이하인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  26. 청구항 18에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글라스 기판인, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  27. 청구항 18에 있어서, 상기 제1 보호층을 분리층 측면의 적어도 일부를 덮도록 형성하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  28. 청구항 23에 있어서, 상기 박리 이후에 상기 분리층의 패드 영역 상에 회로기판을 부착하고, 상기 회로기판을 상기 패드 전극과 전기적으로 연결시키는 단계를 더 포함하는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
  29. 청구항 28에 있어서, 분리층 상의 패드 영역에 도전볼을 갖는 이방도전성 필름을 위치시킨 다음 가열 및 가압하여, 상기 도전볼이 분리층을 관통하여 패드 전극과 접속되도록 하고, 상기 회로기판을 이방도전성 필름과 접속시키는, 필름 터치 센서의 제조 방법.
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