WO2016031068A1 - Laser device - Google Patents

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WO2016031068A1
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sensor
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laser
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義明 黒澤
秀往 星野
川筋　康文
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ギガフォトン株式会社
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media

Definitions

  • FIG. 14 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit provided in the laser apparatus according to the modification of the second embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining the configuration of the laser apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining the operation of the laser apparatus of the third embodiment.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit provided in the laser apparatus of the third embodiment.
  • FIG. 18 is a block diagram illustrating a hardware environment of each control unit.
  • the control unit 330 calibrates the first measurement value of the first sensor 325 based on the second measurement value of the second sensor 326 that has a very small change in the sensitivity characteristic, so that the first measurement that occurs due to the change in the sensitivity characteristic. Value errors can be corrected.
  • the control unit 330 may determine the excitation intensity MOI set in the oscillator 310 based on the pulse energy command value Lt received in step S11. For example, as shown in FIG. 5, the controller 330 may store in advance a table indicating a correspondence relationship between the pulse energy command value Lt and the excitation intensity MOI. Then, the control unit 330 may determine the excitation intensity MOI set in the oscillator 310 by referring to the table and specifying the excitation intensity MOI corresponding to the pulse energy command value Lt received in step S11.
  • the ratio of the first measurement value Lmh and the second measurement value Lms can be obtained.
  • the controller 330 can use the ratio of the first measurement value Lmh and the second measurement value Lms as the correction value ⁇ used in step S164 of the next energy control process.
  • the control unit 330 corrects the first measurement value Lmh input in step S163 according to the ratio between the first measurement value Lmh and the second measurement value Lms. Can do.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the configuration of the laser device 3 of the second embodiment.
  • the laser apparatus 3 in FIG. 7 may include an oscillator 310, an energy monitor 320, a control unit 330, first to fourth amplifiers 351 to 354, and first to fourth amplifier power supplies 361 to 364.
  • the number of amplifiers included in the laser apparatus 3 is described as four units, ie, the first to fourth amplifiers 351 to 354 for convenience, but is not particularly limited, and one or a plurality of amplifiers are included. There may be.
  • the number of amplifier power supplies may be the same as the number of amplifiers.
  • the oscillator 310 and the first to fourth amplifiers 351 to 354 may constitute a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) system.
  • MOPA Master Oscillator Power Amplifier
  • Each of QCLs 311 to 314 may be a quantum cascade laser that oscillates at a wavelength in the gain region of the CO 2 gas laser.
  • Each of the QCLs 311 to 314 may output pulsed laser beams 30 having different wavelengths.
  • the excitation intensity of each of the QCLs 311 to 314 may be controlled according to the excitation current supplied to each of the QCLs 311 to 314.
  • the first to fourth amplifiers 351 to 354 may sequentially amplify the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310.
  • each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 includes each pulse laser beam 30 output from the preceding stage oscillator 310 or the first to third amplifiers 351 to 353 disposed on the upstream side. May be incident.
  • Each of the first to third amplifiers 351 to 353 may amplify each of the incident pulsed laser beams 30 and output the amplified pulse laser light 30 to the subsequent second to fourth amplifiers 352 to 354 arranged on the downstream side thereof.
  • the fourth amplifier 354 at the final stage may amplify the incident pulse laser light 30 and output the amplified pulse laser light 30 to the EUV light generation apparatus 1 via the energy monitor 320.
  • the control unit 330 may generate an excitation current setting signal corresponding to the excitation current value determined in step S23, and output it to each of the QCLs 311 to 314.
  • the excitation current value determined in step S23 can be set.
  • Each of the QCLs 311 to 314 can perform laser oscillation with an excitation intensity corresponding to the excitation current value and output the pulsed laser light 30.
  • the control unit 330 may determine whether or not the laser light output stop signal transmitted from the EUV light generation control unit 5 has been received.
  • the laser beam output stop signal may be a command signal including a control command for stopping the output of the pulse laser beam 31 from the laser device 3. If the control unit 330 has not received the laser light output stop signal, the control unit 330 may proceed to step S28. On the other hand, if the control unit 330 receives the laser light output stop signal, the control unit 330 may end the process.
  • the control unit 330 may update the correction value ⁇ based on the second measurement value Lms read in step S288.
  • the controller 330 may end the energy control process and proceed to step S29 in FIG.
  • the controller 330 can determine a new current setting value AMP4IC to be set in the fourth amplifier power supply 364 based on the calibrated first measurement value Lmh.
  • the control unit 330 can set the current set value AMP4IC determined based on the calibrated first measurement value Lmh in the fourth energy source 364 in step S286 of the next energy control process.
  • the fourth amplifier power supply 364 can supply a new discharge current corresponding to the current set value AMP4IC to the fourth amplifier 354 in the final stage.
  • the laser device 3 of the second embodiment changes the sensitivity characteristic of the first sensor 325 capable of measuring every pulse, and thereby changes the first of the first sensor 325. Errors that occur in measurement values can be corrected periodically. Thereby, the laser apparatus 3 of 2nd Embodiment can measure the pulse energy of the pulsed laser beam 30 correctly for every pulse, even if it is in the state of continuous operation at a high repetition frequency.
  • the control unit 330 may update the correction value ⁇ N corresponding to the current argument N based on the second measurement value LmsN read in step S501.
  • the control unit 330 may update the correction value ⁇ N by calculating as in the following equation.
  • ⁇ N f 3 (LmsN, LmhN)
  • the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can control the excitation intensity of each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 based on the calibrated first measurement values 1 to 4.
  • the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can control the pulse energy of the pulsed laser light 30 more accurately for each pulse even in a state of continuous operation at a high repetition frequency. Therefore, the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can output the pulsed laser light 31 with further excellent energy stability.
  • the EUV light generation apparatus 1 using the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can generate more stable EUV light.

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Abstract

This laser device may be provided with: an oscillator for outputting a laser beam at a first period; an energy monitor including a first sensor which uses a response time shorter than the first period to measure the energy of the laser beam, and a second sensor which uses a response time equal to or greater than the first period to measure the energy of the laser beam; and a control unit which corrects the measurement value of the first sensor on the basis of the measurement value of the second sensor.

Description

レーザ装置Laser equipment
　本開示は、レーザ装置に関する。 This disclosure relates to a laser device.
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成する極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系（Reduced Projection Reflective Optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。 In recent years, along with miniaturization of semiconductor processes, miniaturization of transfer patterns in optical lithography of semiconductor processes has been progressing rapidly. In the next generation, fine processing of 70 nm to 45 nm and further fine processing of 32 nm or less will be required. Therefore, for example, an extreme ultraviolet (EUV) light generation device that generates extreme ultraviolet (EUV) light with a wavelength of about 13 nm and a reduced projection reflection optical system (Reduced Projection Reflective Optics) are provided to meet the demand for fine processing of 32 nm or less. Development of a combined exposure apparatus is expected.
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。 As an EUV light generation device, an LPP (Laser Produced Plasma) type device using plasma generated by irradiating a target material with laser light, and a DPP (laser-excited plasma) DPP (plasma generated by electric discharge) are used. Three types of devices have been proposed: Discharge (Produced Plasma) system and SR (Synchrotron Radiation) system using orbital radiation.
特開２０１２－２１６７６８号JP 2012-216768 A 特開２０１２－２１６７６９号JP 2012-216769 A 特願２０１３－１３４７０号Japanese Patent Application No. 2013-13470 特願２０１２－１１３８３６号Japanese Patent Application No. 2012-113836
概要Overview
　本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、第１周期でレーザ光を出力する発振器と、前記第１周期未満の応答時間で前記レーザ光のエネルギを計測する第１センサと前記第１周期以上の応答時間で前記レーザ光のエネルギを計測する第２センサとを含むエネルギモニタと、前記第２センサの計測値に基づいて前記第１センサの計測値を第２周期毎に校正する制御部と、を備えてもよい。 A laser apparatus according to an aspect of the present disclosure includes an oscillator that outputs laser light in a first period, a first sensor that measures energy of the laser light with a response time less than the first period, and the first period or more. An energy monitor that includes a second sensor that measures the energy of the laser beam with a response time of, and a controller that calibrates the measurement value of the first sensor every second period based on the measurement value of the second sensor; , May be provided.
　本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、第１周期でレーザ光を出力する発振器と、前記第１周期未満の応答時間で前記レーザ光のエネルギを計測する第１センサと前記第１周期以上の応答時間で前記第１センサの温度を計測する温度センサとを含むエネルギモニタと、前記温度センサの計測値に基づいて前記第１センサの計測値を校正する制御部と、を備えてもよい。 A laser apparatus according to an aspect of the present disclosure includes an oscillator that outputs laser light in a first period, a first sensor that measures energy of the laser light with a response time less than the first period, and the first period or more. An energy monitor that includes a temperature sensor that measures the temperature of the first sensor with a response time, and a control unit that calibrates the measurement value of the first sensor based on the measurement value of the temperature sensor. .
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、レーザ加工機に用いられるレーザ装置の構成を説明するための図を示す。 図３は、第１実施形態のレーザ装置の構成を説明するための図を示す。 図４は、第１実施形態のレーザ装置の動作を説明するための図を示す。 図５は、パルスエネルギ指令値に対応付けられた発振器の励起強度を説明するための図を示す。 図６は、第１実施形態のレーザ装置に備えられた制御部のエネルギ制御処理を説明するための図である。 図７は、第２実施形態のレーザ装置の構成を説明するための図を示す。 図８は、第２実施形態のレーザ装置の動作を説明するための図を示す。 図９は、パルスエネルギ指令値に対応付けられた第１～第４増幅器電源の電流設定値を説明するための図を示す。 図１０は、第２実施形態のレーザ装置に備えられた制御部のエネルギ制御処理を説明するための図を示す。 図１１は、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置の構成を説明するための図を示す。 図１２は、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置の動作を説明するための図を示す。 図１３は、パルスエネルギ指令値に対応付けられた、第１～第４増幅器の目標パルスエネルギと第１～第４増幅器電源の電流設定値とを説明するための図を示す。 図１４は、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置に備えられた制御部のエネルギ制御処理を説明するための図を示す。 図１５は、第３実施形態のレーザ装置の構成を説明するための図を示す。 図１６は、第３実施形態のレーザ装置の動作を説明するための図を示す。 図１７は、第３実施形態のレーザ装置に備えられた制御部のエネルギ制御処理を説明するための図を示す。 図１８は、各制御部のハードウェア環境を示すブロック図を示す。 Several embodiments of the present disclosure are described below by way of example only and with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 schematically shows the configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system. FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of a laser device used in a laser processing machine. FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the laser apparatus according to the first embodiment. FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the laser apparatus of the first embodiment. FIG. 5 is a diagram for explaining the excitation intensity of the oscillator associated with the pulse energy command value. FIG. 6 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit provided in the laser apparatus of the first embodiment. FIG. 7 is a diagram for explaining the configuration of the laser apparatus of the second embodiment. FIG. 8 is a diagram for explaining the operation of the laser apparatus of the second embodiment. FIG. 9 is a diagram for explaining current setting values of the first to fourth amplifier power supplies associated with the pulse energy command values. FIG. 10 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit provided in the laser apparatus of the second embodiment. FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration of a laser apparatus according to a modification of the second embodiment. FIG. 12 is a diagram for explaining the operation of the laser apparatus according to the modification of the second embodiment. FIG. 13 is a diagram for explaining target pulse energies of the first to fourth amplifiers and current setting values of the first to fourth amplifier power sources associated with the pulse energy command values. FIG. 14 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit provided in the laser apparatus according to the modification of the second embodiment. FIG. 15 is a diagram for explaining the configuration of the laser apparatus according to the third embodiment. FIG. 16 is a diagram for explaining the operation of the laser apparatus of the third embodiment. FIG. 17 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit provided in the laser apparatus of the third embodiment. FIG. 18 is a block diagram illustrating a hardware environment of each control unit.
実施形態Embodiment
～内容～
　１．概要
　２．用語の説明
　３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
　　３．１　構成
　　３．２　動作
　４．レーザ加工機に用いられるレーザ装置
　　４．１　構成
　　４．２　動作
　５．課題
　６．第１実施形態のレーザ装置
　　６．１　構成
　　６．２　動作
　　６．３　作用
　７．第２実施形態のレーザ装置
　　７．１　構成
　　７．２　動作
　　７．３　作用
　８．第２実施形態の変形例に係るレーザ装置
　　８．１　構成
　　８．２　動作
　　８．３　作用
　９．第３実施形態のレーザ装置
　　９．１　構成
　　９．２　動作
　　９．３　作用
１０．その他
　１０．１　各制御部のハードウェア環境
　１０．２　その他の変形例 ~ Contents ~
1. Overview 2. 2. Explanation of terms 3. Overview of EUV light generation system 3.1 Configuration 3.2 Operation 4. 4. Laser apparatus used in laser processing machine 4.1 Configuration 4.2 Operation 5. Problem 6 6. Laser apparatus of first embodiment 6.1 Configuration 6.2 Operation 6.3 Action 7. Laser apparatus of second embodiment 7.1 Configuration 7.2 Operation 7.3 Action 8. 8. Laser apparatus according to modification of second embodiment 8.1 Configuration 8.2 Operation 8.3 Action 9. Laser Device of Third Embodiment 9.1 Configuration 9.2 Operation 9.3 Operation 10. Others 10.1 Hardware environment of each control unit 10.2 Other modifications
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. Embodiment described below shows some examples of this indication, and does not limit the contents of this indication. In addition, all the configurations and operations described in the embodiments are not necessarily essential as the configurations and operations of the present disclosure. In addition, the same referential mark is attached | subjected to the same component and the overlapping description is abbreviate | omitted.
［１．概要］
　本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。 [1. Overview]
The present disclosure may disclose at least the following embodiments.
　レーザ装置３は、第１周期でパルスレーザ光３０を出力する発振器３１０と、第１周期未満の応答時間でパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測する第１センサ３２５と第１周期以上の応答時間でパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測する第２センサ３２６とを含むエネルギモニタ３２０と、第２センサ３２６の第２計測値に基づいて第１センサ３２５の第１計測値を第２周期毎に校正する制御部３３０と、を備えてもよい。
　このような構成により、レーザ装置３は、エネルギ安定性に優れたパルスレーザ光３０を出力し得る。 The laser device 3 includes an oscillator 310 that outputs the pulse laser beam 30 in a first period, a first sensor 325 that measures the pulse energy of the pulse laser beam 30 in a response time less than the first period, and a response time that is greater than or equal to the first period. And an energy monitor 320 including a second sensor 326 that measures the pulse energy of the pulsed laser light 30 and a first measurement value of the first sensor 325 based on a second measurement value of the second sensor 326 for each second period. And a controller 330 that performs calibration.
With such a configuration, the laser device 3 can output the pulse laser beam 30 excellent in energy stability.
［２．用語の説明］
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されるターゲットの一形態である。
　「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
　「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれてもよい。
　「上流側」は、レーザ光の光路に沿ってレーザ光の発振器に近い側のことである。
　「下流側」は、レーザ光の光路に沿ってレーザ光の発振器から遠い側のことである。 [2. Explanation of terms]
The “target” is an object to be irradiated with laser light introduced into the chamber. The target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
A “droplet” is a form of target supplied into the chamber.
The “optical path axis” is an axis passing through the center of the beam cross section of the laser light along the traveling direction of the laser light.
The “optical path” is a path through which the laser light passes. The optical path may include an optical path axis.
The “upstream side” is a side close to the laser beam oscillator along the optical path of the laser beam.
The “downstream side” is a side far from the laser beam oscillator along the optical path of the laser beam.
［３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
　［３．１　構成］
　図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
　ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。 [3. Overview of EUV light generation system]
[3.1 Configuration]
FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
The EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3. In the present application, a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11. As shown in FIG. 1 and described in detail below, the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and a target supply unit 26. The chamber 2 may be sealable. The target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example. The material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンと、シリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。 The wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole. A window 21 may be provided in the through hole, and the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21. In the chamber 2, for example, an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed. The EUV collector mirror 23 may have first and second focal points. On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed. The EUV collector mirror 23 is preferably arranged such that, for example, the first focal point thereof is located in the plasma generation region 25 and the second focal point thereof is located at the intermediate focal point (IF) 292. A through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。 The EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5, a target sensor 4, and the like. The target sensor 4 may have an imaging function and may be configured to detect the presence, trajectory, position, speed, and the like of the target 27.
　また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。 Further, the EUV light generation apparatus 1 may include a connection unit 29 that allows the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6 to communicate with each other. A wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29. The wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
　更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。 Furthermore, the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like. The laser beam traveling direction control unit 34 may include an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
　［３．２　動作］
　図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。 [3.2 Operation]
Referring to FIG. 1, the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enter the chamber 2. The pulse laser beam 32 may travel through the chamber 2 along at least one laser beam path, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and be irradiated to the at least one target 27 as the pulse laser beam 33.
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が、他の波長の光の放射に伴って放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。 The target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2. The target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33. The target 27 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and EUV light 251 can be emitted from the plasma along with the emission of light of other wavelengths. The EUV light 251 may be selectively reflected by the EUV collector mirror 23. The EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be condensed at the intermediate condensing point 292 and output to the exposure apparatus 6. A single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング制御及びターゲット２７の出力方向等の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。更に、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の出力タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、パルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行ってもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。 The EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11. The EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4. In addition, the EUV light generation controller 5 may perform at least one of timing control for outputting the target 27 and control of the output direction of the target 27, for example. Further, the EUV light generation controller 5 performs at least one of, for example, control of the output timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulse laser light 32, and control of the focusing position of the pulse laser light 33. Also good. The various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
［４．レーザ加工機に用いられるレーザ装置］
　図２を用いて、レーザ加工機７に用いられるレーザ装置３について説明する。
　図２は、レーザ加工機７に用いられるレーザ装置３の構成を説明するための図を示す。 [4. Laser device used in laser processing machine]
The laser apparatus 3 used for the laser processing machine 7 will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the laser apparatus 3 used in the laser processing machine 7.
　レーザ加工機７は、加工対象となるワークＰにレーザ光を照射して、機械加工、マーキング加工、表面処理等の各種レーザ加工をワークＰに施すための装置であってもよい。
　レーザ加工機７は、半導体プロセスの光リソグラフィで用いる露光装置であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ加工機７の一態様であり得る。 The laser processing machine 7 may be a device for irradiating the workpiece P to be processed with laser light to perform various laser processing such as machining, marking, and surface treatment on the workpiece P.
The laser processing machine 7 may be an exposure apparatus used in photolithography of a semiconductor process. The EUV light generation apparatus 1 may be an aspect of the laser processing machine 7.
　図２に例示されたレーザ加工機７は、ワークＰにパルスレーザ光３０を照射して、ワークＰにレーザ加工を施してもよい。
　レーザ加工機７は、加工機制御部７１と、集光・走査光学系７２と、反射光学系７３とを備えてもよい。
　レーザ加工機７には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３０が入力されてもよい。レーザ加工機７は、入力されたパルスレーザ光３０を、反射光学系７３を介して集光・走査光学系７２に入射させてもよい。レーザ加工機７は、加工機制御部７１にて集光・走査光学系７２の位置及び姿勢を制御して、当該パルスレーザ光３０をワークＰに照射してもよい。
　レーザ加工機７の加工機制御部７１は、所望のパルスエネルギを有するパルスレーザ光３０がレーザ加工機７に入力されるよう、レーザ装置３の後述する制御部３３０に指令を出してもよい。
　なお、加工機制御部７１のハードウェア構成については、図１８を用いて後述する。 The laser beam machine 7 illustrated in FIG. 2 may perform laser processing on the workpiece P by irradiating the workpiece P with the pulse laser beam 30.
The laser processing machine 7 may include a processing machine control unit 71, a condensing / scanning optical system 72, and a reflection optical system 73.
The laser beam machine 30 may receive the pulse laser beam 30 output from the laser device 3. The laser beam machine 7 may cause the input pulsed laser beam 30 to enter the condensing / scanning optical system 72 via the reflection optical system 73. The laser processing machine 7 may irradiate the workpiece P with the pulsed laser light 30 by controlling the position and orientation of the condensing / scanning optical system 72 by the processing machine control unit 71.
The processing machine control unit 71 of the laser processing machine 7 may issue a command to the control unit 330 (to be described later) of the laser apparatus 3 so that the pulse laser beam 30 having a desired pulse energy is input to the laser processing machine 7.
The hardware configuration of the processing machine control unit 71 will be described later with reference to FIG.
　［４．１　構成］
　レーザ装置３は、レーザ加工機７に入力されるパルスレーザ光３０の光源であってもよい。
　レーザ装置３は、発振器３１０と、エネルギモニタ３２０と、制御部３３０とを備えてもよい。 [4.1 Configuration]
The laser device 3 may be a light source of pulsed laser light 30 input to the laser processing machine 7.
The laser apparatus 3 may include an oscillator 310, an energy monitor 320, and a control unit 330.
　発振器３１０は、レーザ発振を行ってパルスレーザ光３０を生成し出力するマスターオシレータであってもよい。
　発振器３１０は、赤外線の波長領域を有するパルスレーザ光３０を出力するマスターオシレータであってもよい。
　発振器３１０は、ガスレーザであってもよい。当該発振器３１０は、一対の放電電極、光共振器、及びＱスイッチを含み、ＣＯ２をレーザガスとするガスレーザであってもよい。
　或いは、発振器３１０は、半導体レーザであってもよい。当該発振器３１０は、ＣＯ２ガスレーザのゲイン領域の波長で発振する量子カスケードレーザ（Quantum-Cascade Laser：ＱＣＬ）であってもよい。 The oscillator 310 may be a master oscillator that generates and outputs pulsed laser light 30 by performing laser oscillation.
The oscillator 310 may be a master oscillator that outputs pulsed laser light 30 having an infrared wavelength region.
The oscillator 310 may be a gas laser. The oscillator 310 may be a gas laser including a pair of discharge electrodes, an optical resonator, and a Q switch and using CO 2 as a laser gas.
Alternatively, the oscillator 310 may be a semiconductor laser. The oscillator 310 may be a quantum cascade laser (Quantum-Cascade Laser: QCL) that oscillates at a wavelength in the gain region of the CO 2 gas laser.
　発振器３１０は、制御部３３０に接続されてもよい。発振器３１０は、制御部３３０からの制御によりレーザ発振を行って、パルスレーザ光３０を出力してもよい。発振器３１０は、所定の繰り返し周期でパルスレーザ光３０を出力するように制御されてもよい。
　発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０は、エネルギモニタ３２０に入射してもよい。
　なお、発振器３１０によって出力されるパルスレーザ光３０の繰り返し周期を「第１周期」ともいう。 The oscillator 310 may be connected to the control unit 330. The oscillator 310 may perform laser oscillation under the control of the control unit 330 and output the pulsed laser light 30. The oscillator 310 may be controlled to output the pulsed laser light 30 at a predetermined repetition period.
The pulsed laser light 30 output from the oscillator 310 may be incident on the energy monitor 320.
Note that the repetition period of the pulse laser beam 30 output by the oscillator 310 is also referred to as a “first period”.
　エネルギモニタ３２０は、発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測してもよい。
　エネルギモニタ３２０は、ビームスプリッタ３２１と、エネルギセンサ３２２とを含んでもよい。 The energy monitor 320 may measure the pulse energy of the pulse laser beam 30 output from the oscillator 310.
The energy monitor 320 may include a beam splitter 321 and an energy sensor 322.
　ビームスプリッタ３２１は、発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０の一部をサンプリングしてエネルギセンサ３２２に出力してもよい。
　ビームスプリッタ３２１は、発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　ビームスプリッタ３２１は、入射したパルスレーザ光３０の一部が４５°の反射角で反射され、エネルギセンサ３２２に入射するように配置されてもよい。加えて、ビームスプリッタ３２１は、入射したパルスレーザ光３０のその他の一部が透過してレーザ加工機７の反射光学系７３に入射するように配置されてもよい。 The beam splitter 321 may sample a part of the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310 and output it to the energy sensor 322.
The beam splitter 321 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310.
The beam splitter 321 may be arranged so that a part of the incident pulse laser beam 30 is reflected at a reflection angle of 45 ° and enters the energy sensor 322. In addition, the beam splitter 321 may be arranged so that the other part of the incident pulsed laser light 30 is transmitted and enters the reflection optical system 73 of the laser processing machine 7.
　エネルギセンサ３２２は、ビームスプリッタ３２１で反射されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測してもよい。
　エネルギセンサ３２２は、ビームスプリッタ３２１で反射されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　エネルギセンサ３２２は、制御部３３０に接続されてもよい。エネルギセンサ３２２は、パルスレーザ光３０のパルスエネルギの計測値に関する計測信号を制御部３３０に出力してもよい。 The energy sensor 322 may measure the pulse energy of the pulse laser beam 30 reflected by the beam splitter 321.
The energy sensor 322 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reflected by the beam splitter 321.
The energy sensor 322 may be connected to the control unit 330. The energy sensor 322 may output a measurement signal related to the measured value of the pulse energy of the pulsed laser light 30 to the control unit 330.
　エネルギセンサ３２２は、光起電力（Photovoltaic）型のエネルギセンサであってもよい。光起電力型のエネルギセンサ３２２は、入射したパルスレーザ光３０の光エネルギを検出素子内の電子に吸収させ、光起電力効果によって当該光エネルギを電気エネルギに直接変換するセンサであり得る。
　光起電力型のエネルギセンサ３２２は、赤外線が入射したときに検出素子に起電力が生じるセンサであってもよい。当該エネルギセンサ３２２は、赤外線の波長領域を有するパルスレーザ光３０に対して、パルスエネルギを計測可能な程度に高い感度を示し得る。 The energy sensor 322 may be a photovoltaic type energy sensor. The photovoltaic energy sensor 322 may be a sensor that absorbs light energy of the incident pulsed laser light 30 by electrons in the detection element and directly converts the light energy into electric energy by the photovoltaic effect.
The photovoltaic energy sensor 322 may be a sensor that generates an electromotive force in a detection element when infrared rays are incident. The energy sensor 322 can exhibit high sensitivity to the pulse laser beam 30 having the infrared wavelength region to such an extent that the pulse energy can be measured.
　或いは、エネルギセンサ３２２は、光伝導（Photoconductive）型のエネルギセンサであってもよい。光伝導型のエネルギセンサ３２２は、入射したパルスレーザ光３０が検出素子に照射すると当該検出素子の電気抵抗値が減少する現象を利用したセンサであり得る。
　光伝導型のエネルギセンサ３２２は、例えば、ＭＣＴ（Mercury Cadmium Telluride）センサで構成されてもよい。ＭＣＴセンサで構成されたエネルギセンサ３２２は、赤外線が入射したときに検出素子の電気抵抗値が減少し得る。当該エネルギセンサ３２２は、赤外線の波長領域を有するパルスレーザ光３０に対して、パルスエネルギを計測可能な程度に高い感度を示し得る。 Alternatively, the energy sensor 322 may be a photoconductive type energy sensor. The photoconductive energy sensor 322 may be a sensor that utilizes a phenomenon in which the electrical resistance value of the detection element decreases when incident pulsed laser light 30 is applied to the detection element.
The photoconductive energy sensor 322 may be configured by, for example, an MCT (Mercury Cadmium Telluride) sensor. In the energy sensor 322 configured by the MCT sensor, the electric resistance value of the detection element can be decreased when infrared rays are incident. The energy sensor 322 can exhibit high sensitivity to the pulse laser beam 30 having the infrared wavelength region to such an extent that the pulse energy can be measured.
　光起電力型のエネルギセンサ３２２又はＭＣＴセンサで構成されたエネルギセンサ３２２は、その応答時間が数ｎｓ未満であり、高い応答性能を有し得る。
　このため、当該エネルギセンサ３２２は、発振器３１０がパルスレーザ光３０を高繰り返し周波数で出力する場合でも、当該パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に計測し得る。言い換えると、当該エネルギセンサ３２２は、発振器３１０がパルスレーザ光３０を短い繰り返し周期で出力する場合でも、当該パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に計測し得る。
　なお、応答時間とは、パルスレーザ光３０がエネルギセンサ３２２に入射したタイミングから、当該パルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測するために必要な立ち上がりが完了し、当該エネルギセンサ３２２から出力される計測信号の立ち上がり時間が経過したタイミングまでの時間であってもよい。 The energy sensor 322 composed of the photovoltaic energy sensor 322 or the MCT sensor has a response time of less than a few ns, and may have high response performance.
For this reason, the energy sensor 322 can measure the pulse energy of the pulse laser beam 30 for each pulse even when the oscillator 310 outputs the pulse laser beam 30 at a high repetition frequency. In other words, the energy sensor 322 can measure the pulse energy of the pulse laser beam 30 for each pulse even when the oscillator 310 outputs the pulse laser beam 30 with a short repetition period.
Note that the response time is a measurement output from the energy sensor 322 after the rise necessary for measuring the pulse energy of the pulse laser beam 30 is completed from the timing when the pulse laser beam 30 enters the energy sensor 322. It may be the time until the timing when the signal rise time elapses.
　制御部３３０は、レーザ加工機７に設けられた加工機制御部７１からの制御指令に基づいて、レーザ装置３に含まれる各構成要素の動作を制御してもよい。
　制御部３３０には、レーザ加工機７に入力されるパルスレーザ光３０のパルスエネルギを指定するパルスエネルギ指令値に関するパルスエネルギ指令信号が、加工機制御部７１から送信されてもよい。
　制御部３３０には、エネルギセンサ３２２から出力されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギに関する計測信号が入力されてもよい。
　制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令信号及び当該計測信号に基づいて、発振器３１０のレーザ発振を制御するための制御信号を生成し発振器３１０に出力してもよい。当該制御信号は、発振器３１０の励起強度を設定する励起強度設定信号であってもよい。励起強度設定信号には、繰り返し周波数及び出力タイミングに関する設定値が含まれてもよい。
　なお、制御部３３０のハードウェア構成については、図１８を用いて後述する。 The control unit 330 may control the operation of each component included in the laser device 3 based on a control command from the processing machine control unit 71 provided in the laser processing machine 7.
A pulse energy command signal related to a pulse energy command value that specifies the pulse energy of the pulse laser beam 30 input to the laser processing machine 7 may be transmitted from the processing machine control unit 71 to the control unit 330.
A measurement signal related to the pulse energy of the pulsed laser light 30 output from the energy sensor 322 may be input to the control unit 330.
The controller 330 may generate a control signal for controlling the laser oscillation of the oscillator 310 based on the pulse energy command signal and the measurement signal, and output the control signal to the oscillator 310. The control signal may be an excitation intensity setting signal that sets the excitation intensity of the oscillator 310. The excitation intensity setting signal may include setting values related to the repetition frequency and the output timing.
The hardware configuration of the control unit 330 will be described later with reference to FIG.
　［４．２　動作］
　レーザ装置３のレーザ発振に係る動作の概要について説明する。
　制御部３３０は、励起強度設定信号を発振器３１０に出力して、発振器３１０に励起強度、繰り返し周波数、及び出力タイミングを設定してもよい。
　発振器３１０は、制御部３３０によって設定された励起強度、繰り返し周波数、及び出力タイミングに応じたパルスレーザ光３０を出力してもよい。 [4.2 Operation]
An outline of operations related to laser oscillation of the laser device 3 will be described.
The controller 330 may output an excitation intensity setting signal to the oscillator 310 and set the excitation intensity, repetition frequency, and output timing in the oscillator 310.
The oscillator 310 may output the pulsed laser light 30 corresponding to the excitation intensity, repetition frequency, and output timing set by the control unit 330.
　発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０の一部は、エネルギモニタ３２０のビームスプリッタ３２１で反射されエネルギセンサ３２２に入射し得る。
　エネルギセンサ３２２は、入射したパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測し、計測されたパルスエネルギに係る計測信号を制御部３３０に出力してもよい。 A part of the pulse laser beam 30 output from the oscillator 310 may be reflected by the beam splitter 321 of the energy monitor 320 and enter the energy sensor 322.
The energy sensor 322 may measure the pulse energy of the incident pulse laser light 30 and output a measurement signal related to the measured pulse energy to the control unit 330.
　発振器３１０から出力されビームスプリッタ３２１で反射されなかったパルスレーザ光３０の一部は、ビームスプリッタ３２１を透過してレーザ加工機７に入力され得る。
　レーザ加工機７は、入力されたパルスレーザ光３０を集光・走査光学系７２によって集光及び走査してワークＰに照射し得る。ワークＰにはレーザ加工が施され得る。
　また、レーザ加工機７の加工機制御部７１は、レーザ加工に必要なパルスエネルギの値を指定し、パルスエネルギ指令信号を制御部３３０に送信し得る。 A part of the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310 and not reflected by the beam splitter 321 can pass through the beam splitter 321 and be input to the laser processing machine 7.
The laser beam machine 7 can irradiate the workpiece P by condensing and scanning the input pulsed laser light 30 by the condensing / scanning optical system 72. The workpiece P can be subjected to laser processing.
Further, the processing machine control unit 71 of the laser processing machine 7 can designate a pulse energy value necessary for laser processing and transmit a pulse energy command signal to the control unit 330.
　制御部３３０には、エネルギセンサ３２２から出力されたパルスエネルギに係る計測信号が入力されてもよい。制御部３３０は、当該計測信号に含まれるパルスエネルギの計測値を取得してもよい。
　制御部３３０は、加工機制御部７１から送信されたパルスエネルギ指令信号を受信してもよい。制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令信号に含まれるパルスエネルギ指令値を取得してもよい。
　制御部３３０は、取得された当該計測値が当該パルスエネルギ指令値に近付くように、発振器３１０の励起強度を新たに決定してもよい。制御部３３０は、新たな励起強度に関する励起強度設定信号を発振器３１０に出力して、新たな励起強度を発振器３１０に設定してもよい。
　このように、制御部３３０は、エネルギセンサ３２２で計測されたパルスエネルギの計測値に基づいて、発振器３１０の励起強度を制御し得る。 A measurement signal related to pulse energy output from the energy sensor 322 may be input to the control unit 330. The controller 330 may acquire a measurement value of pulse energy included in the measurement signal.
The controller 330 may receive the pulse energy command signal transmitted from the processing machine controller 71. The controller 330 may acquire a pulse energy command value included in the pulse energy command signal.
The control unit 330 may newly determine the excitation intensity of the oscillator 310 so that the acquired measurement value approaches the pulse energy command value. The controller 330 may output an excitation intensity setting signal related to the new excitation intensity to the oscillator 310 and set the new excitation intensity in the oscillator 310.
As described above, the control unit 330 can control the excitation intensity of the oscillator 310 based on the measured value of the pulse energy measured by the energy sensor 322.
［５．課題］
　レーザ装置３のエネルギセンサ３２２は、上述のように、光起電力型又はＭＣＴセンサで構成されてもよい。このようなエネルギセンサ３２２は、高い応答性能を有するため、高繰り返し周波数で出力されるパルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に計測し得る。 [5. Task]
As described above, the energy sensor 322 of the laser device 3 may be configured by a photovoltaic type or an MCT sensor. Since such an energy sensor 322 has a high response performance, the pulse energy of the pulsed laser light 30 output at a high repetition frequency can be measured for each pulse.
　しかしながら、レーザ装置３を連続して運転する場合、このようなエネルギセンサ３２２の感度特性は、エネルギセンサ３２２の温度変化に対して大きく変化することがあり得る。例えば、エネルギセンサ３２２の感度特性は、単位温度当たり３％程度変化することがあり得る。このようにエネルギセンサ３２２の感度特性が大きく変化すると、エネルギセンサ３２２の計測値は、ドリフトしてしまうことがあり得る。
　すなわち、レーザ装置３のエネルギセンサ３２２は、発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に正確に計測できないことがあり得る。パルスエネルギの計測値が不正確であると、レーザ装置３の制御部３３０は、発振器３１０の励起強度を不適切な値に制御してしまうことがあり得る。それにより、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３０のパルスエネルギは、レーザ加工機７から指定されたパルスエネルギ指令値から大きくずれてしまうことがあり得る。その結果、レーザ加工機７では、所望の品質でレーザ加工を行うことができないことがあり得る。 However, when the laser device 3 is continuously operated, the sensitivity characteristic of the energy sensor 322 may greatly change with respect to the temperature change of the energy sensor 322. For example, the sensitivity characteristic of the energy sensor 322 may change by about 3% per unit temperature. Thus, when the sensitivity characteristic of the energy sensor 322 changes greatly, the measured value of the energy sensor 322 may drift.
That is, the energy sensor 322 of the laser device 3 may not be able to accurately measure the pulse energy of the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310 for each pulse. If the measured value of the pulse energy is inaccurate, the control unit 330 of the laser device 3 may control the excitation intensity of the oscillator 310 to an inappropriate value. As a result, the pulse energy of the pulsed laser light 30 output from the laser device 3 may be greatly deviated from the pulse energy command value specified by the laser processing machine 7. As a result, the laser processing machine 7 may not be able to perform laser processing with a desired quality.
　一方、エネルギセンサ３２２を、例えば熱起電力型の光センサであるサーモパイルによって構成することも考えられる。サーモパイルは、多数の熱電対の接点を検出素子の受光部に集中させ直列に接続した構造を有し得る。サーモパイルで構成されたエネルギセンサ３２２は、入射したパルスレーザ光３０の光エネルギによって検出素子内に温度勾配が生じる現象を利用して、ゼーベック効果によって当該光エネルギを電気エネルギに変換するセンサであり得る。
　サーモパイルで構成されたエネルギセンサ３２２は、赤外線の波長領域を有するパルスレーザ光３０に対して、パルスエネルギを計測可能な程度に高い感度を示し得る。そして、サーモパイルで構成されたエネルギセンサ３２２の感度特性は、単位温度当たり０．１％程度しか変化せず、エネルギセンサ３２２の温度変化に対して殆ど変化しないことがあり得る。
　しかしながら、サーモパイルで構成されたエネルギセンサ３２２は、その応答時間が数１０ｍｓ程度であり、その応答性能が十分に高くないことがあり得る。このため、サーモパイルで構成されたエネルギセンサ３２２は、高繰り返し周波数で出力されるパルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に計測できないことがあり得る。 On the other hand, the energy sensor 322 may be configured by a thermopile that is, for example, a thermoelectromotive force type optical sensor. The thermopile may have a structure in which the contacts of a number of thermocouples are concentrated on the light receiving portion of the detection element and connected in series. The energy sensor 322 composed of a thermopile can be a sensor that converts the light energy into electrical energy by the Seebeck effect using a phenomenon in which a temperature gradient is generated in the detection element due to the light energy of the incident pulsed laser light 30. .
The energy sensor 322 configured with a thermopile can exhibit high sensitivity to the pulse laser beam 30 having the infrared wavelength region to such an extent that the pulse energy can be measured. The sensitivity characteristic of the energy sensor 322 configured with a thermopile changes only about 0.1% per unit temperature, and may hardly change with respect to the temperature change of the energy sensor 322.
However, the energy sensor 322 configured with a thermopile has a response time of about several tens of ms, and the response performance may not be sufficiently high. For this reason, the energy sensor 322 composed of a thermopile may not be able to measure the pulse energy of the pulsed laser light 30 output at a high repetition frequency for each pulse.
　このようなことから、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に計測し且つその計測値を正確な値に校正することによって、当該パルスエネルギを１パルス毎に精度良く制御し得る技術が望まれている。 For this reason, there is a demand for a technique that can accurately control the pulse energy for each pulse by measuring the pulse energy of the pulse laser beam 30 for each pulse and calibrating the measured value to an accurate value. It is rare.
［６．第１実施形態のレーザ装置］
　図３～図６を用いて、第１実施形態のレーザ装置３について説明する。
　第１実施形態のレーザ装置３は、エネルギモニタ３２０及び制御部３３０の構成が、図２に示されたレーザ装置３と異なってもよい。
　第１実施形態のレーザ装置３の構成において、図２に示されたレーザ装置３と同様の構成については説明を省略する。 [6. Laser Device of First Embodiment]
The laser apparatus 3 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
In the laser device 3 of the first embodiment, the configurations of the energy monitor 320 and the control unit 330 may be different from those of the laser device 3 shown in FIG.
In the configuration of the laser apparatus 3 of the first embodiment, the description of the same configuration as the laser apparatus 3 shown in FIG. 2 is omitted.
　［６．１　構成］
　図３は、第１実施形態のレーザ装置３の構成を説明するための図を示す。
　図３のエネルギモニタ３２０は、ビームスプリッタ３２１と、ビームスプリッタ３２３と、高反射ミラー３２４と、第１センサ３２５と、第２センサ３２６と、を含んでもよい。 [6.1 Configuration]
FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the laser device 3 of the first embodiment.
The energy monitor 320 of FIG. 3 may include a beam splitter 321, a beam splitter 323, a high reflection mirror 324, a first sensor 325, and a second sensor 326.
　ビームスプリッタ３２３は、ビームスプリッタ３２１で反射されたパルスレーザ光３０が第１センサ３２５及び第２センサ３２６に入射するよう、当該パルスレーザ光３０を分岐してもよい。
　ビームスプリッタ３２３は、ビームスプリッタ３２１で反射されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　ビームスプリッタ３２３は、入射したパルスレーザ光３０の一部が４５°の反射角で反射され、高反射ミラー３２４に入射するように配置されてもよい。加えて、ビームスプリッタ３２３は、入射したパルスレーザ光３０のその他の一部が透過して第１センサ３２５に入射するように配置されてもよい。 The beam splitter 323 may branch the pulsed laser light 30 so that the pulsed laser light 30 reflected by the beam splitter 321 enters the first sensor 325 and the second sensor 326.
The beam splitter 323 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reflected by the beam splitter 321.
The beam splitter 323 may be arranged so that a part of the incident pulse laser beam 30 is reflected at a reflection angle of 45 ° and enters the high reflection mirror 324. In addition, the beam splitter 323 may be arranged so that the other part of the incident pulsed laser light 30 is transmitted and incident on the first sensor 325.
　高反射ミラー３２４は、ビームスプリッタ３２３で反射されたパルスレーザ光３０が第２センサ３２６に入射するよう、当該パルスレーザ光３０を反射してもよい。
　高反射ミラー３２４は、ビームスプリッタ３２３で反射されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　高反射ミラー３２４は、入射したパルスレーザ光３０が４５°の反射角で反射され、第２センサ３２６に入射するように配置されてもよい。 The high reflection mirror 324 may reflect the pulsed laser light 30 so that the pulsed laser light 30 reflected by the beam splitter 323 enters the second sensor 326.
The high reflection mirror 324 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reflected by the beam splitter 323.
The high reflection mirror 324 may be arranged so that the incident pulse laser beam 30 is reflected at a reflection angle of 45 ° and enters the second sensor 326.
　第１センサ３２５は、ビームスプリッタ３２３を透過したパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測してもよい。
　第１センサ３２５は、ビームスプリッタ３２３を透過したパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　第１センサ３２５は、制御部３３０に接続されてもよい。第１センサ３２５は、パルスレーザ光３０のパルスエネルギの計測値に関する計測信号を制御部３３０に出力してもよい。
　なお、第１センサ３２５によって計測されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギの計測値を、「第１計測値」ともいう。第１センサ３２５から制御部３３０に出力される第１計測値に関する計測信号を「第１計測信号」ともいう。 The first sensor 325 may measure the pulse energy of the pulsed laser light 30 that has passed through the beam splitter 323.
The first sensor 325 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 that has passed through the beam splitter 323.
The first sensor 325 may be connected to the control unit 330. The first sensor 325 may output a measurement signal related to the measured value of the pulse energy of the pulsed laser light 30 to the control unit 330.
Note that the measured value of the pulse energy of the pulse laser beam 30 measured by the first sensor 325 is also referred to as “first measured value”. The measurement signal related to the first measurement value output from the first sensor 325 to the control unit 330 is also referred to as a “first measurement signal”.
　第１センサ３２５は、図２に示されたエネルギセンサ３２２と同様に、光起電力型又はＭＣＴセンサで構成されたエネルギセンサであってもよい。
　すなわち、第１センサ３２５は、赤外線の波長領域を有するパルスレーザ光３０に対して、パルスエネルギを計測可能な程度に高い感度を示すエネルギセンサであってもよい。
　更に、第１センサ３２５は、発振器３１０がパルスレーザ光３０を高繰り返し周波数で出力する場合でも、当該パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に計測可能なエネルギセンサであってもよい。具体的には、第１センサ３２５は、その応答時間が、発振器３１０によって出力されるパルスレーザ光３０の繰り返し周期である第１周期未満であってもよい。 Similar to the energy sensor 322 shown in FIG. 2, the first sensor 325 may be an energy sensor composed of a photovoltaic type or an MCT sensor.
In other words, the first sensor 325 may be an energy sensor that exhibits high sensitivity to the pulsed laser light 30 having the infrared wavelength region so that pulse energy can be measured.
Further, the first sensor 325 may be an energy sensor that can measure the pulse energy of the pulsed laser light 30 for each pulse even when the oscillator 310 outputs the pulsed laser light 30 at a high repetition frequency. Specifically, the response time of the first sensor 325 may be less than the first period that is the repetition period of the pulsed laser light 30 output by the oscillator 310.
　第２センサ３２６は、高反射ミラー３２４で反射されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測してもよい。
　第２センサ３２６は、高反射ミラー３２４で反射されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　第２センサ３２６は、制御部３３０に接続されてもよい。第２センサ３２６は、パルスレーザ光３０のパルスエネルギの計測値に関する計測信号を制御部３３０に出力してもよい。
　なお、第２センサ３２６によって計測されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギの計測値を、「第２計測値」ともいう。第２センサ３２６から制御部３３０に出力される第２計測値に関する計測信号を「第２計測信号」ともいう。 The second sensor 326 may measure the pulse energy of the pulse laser beam 30 reflected by the high reflection mirror 324.
The second sensor 326 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 reflected by the high reflection mirror 324.
The second sensor 326 may be connected to the control unit 330. The second sensor 326 may output a measurement signal related to the measured value of the pulse energy of the pulsed laser light 30 to the control unit 330.
Note that the measured value of the pulse energy of the pulsed laser light 30 measured by the second sensor 326 is also referred to as a “second measured value”. The measurement signal related to the second measurement value output from the second sensor 326 to the control unit 330 is also referred to as a “second measurement signal”.
　第２センサ３２６は、熱起電力型の光センサである上述のサーモパイルによって構成されてもよい。
　すなわち、第２センサ３２６は、赤外線の波長領域を有するパルスレーザ光３０に対して、パルスエネルギを計測可能な程度に高い感度を示すエネルギセンサであってもよい。
　更に、第２センサ３２６は、第１センサ３２５よりも温度変化に対する感度変化が小さいエネルギセンサであってもよい。第２センサ３２６は、温度変化に対して感度特性が殆ど変化しないエネルギセンサであってもよい。
　また、第２センサ３２６は、その応答時間が、発振器３１０によって出力されるパルスレーザ光３０の繰り返し周期である第１周期以上であってもよい。 The second sensor 326 may be configured by the above-described thermopile that is a thermoelectromotive force type optical sensor.
In other words, the second sensor 326 may be an energy sensor that exhibits high sensitivity to the pulse laser beam 30 having the infrared wavelength region so that the pulse energy can be measured.
Further, the second sensor 326 may be an energy sensor that is less sensitive to temperature changes than the first sensor 325. The second sensor 326 may be an energy sensor whose sensitivity characteristics hardly change with respect to a temperature change.
Further, the response time of the second sensor 326 may be equal to or longer than the first period that is the repetition period of the pulsed laser light 30 output by the oscillator 310.
　制御部３３０は、図２に示された制御部３３０と同様に、レーザ加工機７の加工機制御部７１から送信されたパルスエネルギ指令信号を受信してもよい。
　制御部３３０には、第１センサ３２５から出力された第１計測信号が入力されてもよい。
　制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令信号及び当該第１計測信号に基づいて、励起強度設定信号を生成し発振器３１０に出力してもよい。 The control unit 330 may receive the pulse energy command signal transmitted from the processing machine control unit 71 of the laser processing machine 7 in the same manner as the control unit 330 shown in FIG.
The first measurement signal output from the first sensor 325 may be input to the control unit 330.
The controller 330 may generate an excitation intensity setting signal based on the pulse energy command signal and the first measurement signal and output the excitation intensity setting signal to the oscillator 310.
　制御部３３０には、第２センサ３２６から出力された第２計測信号が入力されてもよい。
　制御部３３０は、当該第２計測信号に含まれる第２計測値に基づいて、上記第１計測信号に含まれる第１計測値を校正してもよい。言い換えると、制御部３３０は、第２センサ３２６の計測値である第２計測値に基づいて、第１センサ３２５の計測値である第１計測値を校正してもよい。
　上述のように、第１センサ３２５は、１パルス毎にパルスエネルギを計測可能であるが温度変化に対する感度特性の変化が大きい。一方、第２センサ３２６は、温度変化に対する感度特性の変化が非常に小さい。
　制御部３３０は、感度特性の変化が非常に小さい第２センサ３２６の第２計測値に基づいて第１センサ３２５の第１計測値を校正することで、感度特性の変化により発生する第１計測値の誤差を補正し得る。 The second measurement signal output from the second sensor 326 may be input to the control unit 330.
The controller 330 may calibrate the first measurement value included in the first measurement signal based on the second measurement value included in the second measurement signal. In other words, the control unit 330 may calibrate the first measurement value that is the measurement value of the first sensor 325 based on the second measurement value that is the measurement value of the second sensor 326.
As described above, the first sensor 325 can measure the pulse energy for each pulse, but the sensitivity characteristic changes greatly with respect to the temperature change. On the other hand, the second sensor 326 has a very small change in sensitivity characteristic with respect to a temperature change.
The control unit 330 calibrates the first measurement value of the first sensor 325 based on the second measurement value of the second sensor 326 that has a very small change in the sensitivity characteristic, so that the first measurement that occurs due to the change in the sensitivity characteristic. Value errors can be corrected.
　制御部３３０は、所定の校正周期で第１センサ３２５の第１計測値を校正してもよい。
　制御部３３０は、当該校正周期が到来するタイミングを計るためのタイマ３３１を含んでもよい。
　第１センサ３２５の第１計測値を校正する周期である当該校正周期は、第１センサ３２５及び第２センサ３２６の温度変化に対する感度特性の変化を考慮して定めた周期であってもよい。
　当該校正周期は、発振器３１０によって出力されるパルスレーザ光３０の繰り返し周期である第１周期よりも長くてもよい。当該校正周期は、第２センサ３２６の応答時間以上であってもよい。当該校正周期は、例えば１ｓ程度であってもよい。
　当該校正周期は、レーザ装置３に含まれる図示しない記憶領域に予め記憶されてもよい。或いは、当該校正周期は、レーザ装置３に含まれない不揮発性の外部記憶媒体に記憶されていてもよく、外部機器やオペレータの操作によって制御部３３０に入力されてもよい。
　なお、第１センサ３２５の第１計測値を校正する周期である校正周期を「第２周期」ともいう。 The controller 330 may calibrate the first measurement value of the first sensor 325 at a predetermined calibration cycle.
The controller 330 may include a timer 331 for measuring the timing at which the calibration period arrives.
The calibration cycle, which is the cycle for calibrating the first measurement value of the first sensor 325, may be a cycle determined in consideration of changes in sensitivity characteristics with respect to temperature changes of the first sensor 325 and the second sensor 326.
The calibration cycle may be longer than the first cycle that is the repetition cycle of the pulsed laser light 30 output by the oscillator 310. The calibration cycle may be longer than the response time of the second sensor 326. The calibration cycle may be about 1 s, for example.
The calibration cycle may be stored in advance in a storage area (not shown) included in the laser device 3. Alternatively, the calibration cycle may be stored in a non-volatile external storage medium that is not included in the laser device 3, or may be input to the control unit 330 by an operation of an external device or an operator.
Note that a calibration cycle, which is a cycle for calibrating the first measurement value of the first sensor 325, is also referred to as a “second cycle”.
　制御部３３０は、タイマ３３１によって計時された時間が当該校正周期に到達した際に、第２センサ３２６の第２計測値に基づいて第１センサ３２５の第１計測値を校正してもよい。
　制御部３３０は、所定の校正周期で第１センサ３２５の第１計測値を校正することで、感度特性の変化により発生する第１計測値の誤差を定期的に補正し得る。 The controller 330 may calibrate the first measurement value of the first sensor 325 based on the second measurement value of the second sensor 326 when the time measured by the timer 331 reaches the calibration cycle.
The controller 330 can calibrate the first measurement value of the first sensor 325 at a predetermined calibration period, thereby periodically correcting the error of the first measurement value caused by the change in the sensitivity characteristic.
　なお、第１実施形態のレーザ装置３の他の構成については、図２に示されたレーザ装置３の構成と同様であってもよい。 In addition, about the other structure of the laser apparatus 3 of 1st Embodiment, it may be the same as that of the structure of the laser apparatus 3 shown by FIG.
　［６．２　動作］
　図４～図６を用いて、第１実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る動作について説明する。
　図４は、第１実施形態のレーザ装置３の動作を説明するための図を示す。図５は、パルスエネルギ指令値Ｌｔに対応付けられた発振器３１０の励起強度ＭＯＩを説明するための図を示す。
　制御部３３０は、レーザ装置３のレーザ発振に係る動作として、以下のような処理を行ってもよい。 [6.2 Operation]
The operation related to laser oscillation of the laser apparatus 3 of the first embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the laser device 3 of the first embodiment. FIG. 5 is a diagram for explaining the excitation intensity MOI of the oscillator 310 associated with the pulse energy command value Lt.
The control unit 330 may perform the following processing as an operation related to laser oscillation of the laser device 3.
　ステップＳ１１において、制御部３３０は、加工機制御部７１からパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、加工機制御部７１から送信されるパルスエネルギ指令信号を受信したか否かを判定してもよい。そして、制御部３３０は、受信されたパルスエネルギ指令信号にパルスエネルギ指令値Ｌｔが含まれているか否かを判定してもよい。それにより、制御部３３０は、加工機制御部７１からパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令値Ｌｔを受信していなければ、受信するまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したならば、ステップＳ１２に移行してもよい。 In step S <b> 11, the control unit 330 may determine whether or not the pulse energy command value Lt is received from the processing machine control unit 71.
The controller 330 may determine whether a pulse energy command signal transmitted from the processing machine controller 71 has been received. Then, the controller 330 may determine whether or not the received pulse energy command signal includes the pulse energy command value Lt. Thereby, the control unit 330 may determine whether or not the pulse energy command value Lt is received from the processing machine control unit 71.
If the control unit 330 has not received the pulse energy command value Lt, the control unit 330 may wait until it is received. On the other hand, if the control unit 330 receives the pulse energy command value Lt, the control unit 330 may move to step S12.
　ステップＳ１２において、制御部３３０は、修正値αを初期化すると共に校正周期Ｔｃを読み込んでもよい。
　修正値αは、第１センサ３２５の第１計測値を修正するための値であってもよい。修正値αの初期値は、例えばα＝１であってもよい。修正値αの初期値は、α＝１以外の予め定められた値であってもよい。修正値αは、所定の記憶領域に予め記憶されてもよい。
　校正周期Ｔｃは、上述のように、第１センサの第１計測値を校正する周期であってもよい。 In step S12, the control unit 330 may initialize the correction value α and read the calibration cycle Tc.
The correction value α may be a value for correcting the first measurement value of the first sensor 325. The initial value of the correction value α may be α = 1, for example. The initial value of the correction value α may be a predetermined value other than α = 1. The correction value α may be stored in advance in a predetermined storage area.
The calibration cycle Tc may be a cycle for calibrating the first measurement value of the first sensor as described above.
　ステップＳ１３において、制御部３３０は、ステップＳ１１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに基づいて、発振器３１０に設定する励起強度ＭＯＩを決定してもよい。
　制御部３３０は、例えば図５に示されるように、パルスエネルギ指令値Ｌｔと励起強度ＭＯＩとの対応関係を示すテーブルを予め記憶してもよい。そして、制御部３３０は、当該テーブルを参照し、ステップＳ１１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに対応する励起強度ＭＯＩを特定することによって、発振器３１０に設定する励起強度ＭＯＩを決定してもよい。
　或いは、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔを独立変数とし、励起強度ＭＯＩを従属変数とする関数を予め記憶しておき、当該関数を用いて発振器３１０に設定する励起強度ＭＯＩを計算してもよい。 In step S13, the control unit 330 may determine the excitation intensity MOI set in the oscillator 310 based on the pulse energy command value Lt received in step S11.
For example, as shown in FIG. 5, the controller 330 may store in advance a table indicating a correspondence relationship between the pulse energy command value Lt and the excitation intensity MOI. Then, the control unit 330 may determine the excitation intensity MOI set in the oscillator 310 by referring to the table and specifying the excitation intensity MOI corresponding to the pulse energy command value Lt received in step S11.
Alternatively, the controller 330 stores in advance a function having the pulse energy command value Lt as an independent variable and the excitation intensity MOI as a dependent variable, and calculates the excitation intensity MOI to be set in the oscillator 310 using the function. Also good.
　ステップＳ１４において、制御部３３０は、加工機制御部７１から送信されるレーザ光出力信号を受信したか否かを判定してもよい。
　レーザ光出力信号は、レーザ装置３からレーザ加工機７にパルスレーザ光３０を出力させるための制御指令を含む指令信号であってもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ光出力信号を受信していなければ、受信するまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、当該レーザ光出力信号を受信したならば、ステップＳ１５に移行してもよい。 In step S <b> 14, the control unit 330 may determine whether the laser beam output signal transmitted from the processing machine control unit 71 has been received.
The laser beam output signal may be a command signal including a control command for causing the laser processing machine 7 to output the pulse laser beam 30 from the laser device 3.
If the control unit 330 has not received the laser light output signal, the control unit 330 may wait until it is received. On the other hand, if the control part 330 receives the said laser beam output signal, you may transfer to step S15.
　ステップＳ１５において、制御部３３０は、ステップＳ１３で決定された励起強度ＭＯＩに応じた励起強度設定信号を生成し、発振器３１０に出力してもよい。
　発振器３１０には、ステップＳ１３で決定された励起強度ＭＯＩが設定され得る。発振器３１０は、当該励起強度ＭＯＩに応じてレーザ発振を行って、パルスレーザ光３０を出力し得る。 In step S15, the control unit 330 may generate an excitation intensity setting signal corresponding to the excitation intensity MOI determined in step S13 and output the excitation intensity setting signal to the oscillator 310.
The excitation intensity MOI determined in step S13 can be set in the oscillator 310. The oscillator 310 can perform laser oscillation according to the excitation intensity MOI and output the pulsed laser light 30.
　ステップＳ１６において、制御部３３０は、エネルギ制御処理を行ってもよい。
　エネルギ制御処理は、第１センサ３２５の第１計測値に基づいてパルスレーザ光３０のパルスエネルギを制御する処理であってもよい。
　なお、エネルギ制御処理の詳細については、図６を用いて後述する。 In step S16, the control unit 330 may perform energy control processing.
The energy control process may be a process of controlling the pulse energy of the pulsed laser light 30 based on the first measurement value of the first sensor 325.
The details of the energy control process will be described later with reference to FIG.
　ステップＳ１７において、制御部３３０は、加工機制御部７１から新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したならば、ステップＳ１３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信していなければ、ステップＳ１８に移行してもよい。 In step S <b> 17, the control unit 330 may determine whether or not a new pulse energy command value Lt is received from the processing machine control unit 71.
If the controller 330 receives a new pulse energy command value Lt, the controller 330 may move to step S13. On the other hand, if control unit 330 has not received a new pulse energy command value Lt, control unit 330 may proceed to step S18.
　ステップＳ１８において、制御部３３０は、加工機制御部７１から送信されるレーザ光出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい。
　レーザ光出力停止信号は、レーザ装置３からのパルスレーザ光３０の出力を停止させるための制御指令を含む指令信号であってもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ光出力停止信号を受信していなければ、ステップＳ１６に移行してもよい。一方、制御部３３０は、当該レーザ光出力停止信号を受信したならば、本処理を終了してもよい。 In step S <b> 18, the control unit 330 may determine whether a laser beam output stop signal transmitted from the processing machine control unit 71 has been received.
The laser beam output stop signal may be a command signal including a control command for stopping the output of the pulse laser beam 30 from the laser device 3.
If the control unit 330 has not received the laser light output stop signal, the control unit 330 may proceed to step S16. On the other hand, if the control unit 330 receives the laser light output stop signal, the control unit 330 may end the process.
　図６は、第１実施形態のレーザ装置３に備えられた制御部３３０のエネルギ制御処理を説明するための図である。
　制御部３３０は、図４のステップＳ１６で行うエネルギ制御処理の一例として、以下のような処理を行ってもよい。 FIG. 6 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit 330 provided in the laser device 3 of the first embodiment.
The control unit 330 may perform the following process as an example of the energy control process performed in step S16 of FIG.
　ステップＳ１６１において、制御部３３０は、タイマ３３１によって計時される時間である計時値Ｔｔを、Ｔｔ＝０として初期化してもよい。 In step S161, the controller 330 may initialize the time value Tt, which is the time measured by the timer 331, as Tt = 0.
　ステップＳ１６２において、制御部３３０は、タイマ３３１によって計時値Ｔｔの計時を開始してもよい。 In step S162, the controller 330 may start measuring the time value Tt by the timer 331.
　ステップＳ１６３において、制御部３３０は、第１センサ３２５から第１計測値Ｌｍｈが入力されたか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、第１センサ３２５から出力される第１計測信号が入力されたか否かを判定してもよい。そして、制御部３３０は、入力された第１計測信号に第１計測値Ｌｍｈが含まれているか否かを判定してもよい。それにより、制御部３３０は、第１センサ３２５から第１計測値Ｌｍｈが入力されたか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、当該第１計測値Ｌｍｈが入力されていなければ、入力されるまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、当該第１計測値Ｌｍｈが入力されたならば、ステップＳ１６４に移行してもよい。 In step S163, the control unit 330 may determine whether or not the first measurement value Lmh is input from the first sensor 325.
The controller 330 may determine whether the first measurement signal output from the first sensor 325 is input. And the control part 330 may determine whether the 1st measurement value Lmh is contained in the input 1st measurement signal. Accordingly, the control unit 330 may determine whether or not the first measurement value Lmh is input from the first sensor 325.
If the first measurement value Lmh is not input, the controller 330 may wait until it is input. On the other hand, if the first measurement value Lmh is input, the control unit 330 may proceed to step S164.
　ステップＳ１６４において、制御部３３０は、ステップＳ１６３で入力された第１計測値Ｌｍｈを、修正値αを用いて修正してもよい。
　修正値αは、第１センサ３２５の第１計測値Ｌｍｈを修正するために所定の記憶領域に予め記憶された係数であり得る。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、ステップＳ１６３で入力された第１計測値Ｌｍｈを修正してもよい。
　　Ｌｍｈ＝α・Ｌｍｈ In step S164, the controller 330 may correct the first measurement value Lmh input in step S163 using the correction value α.
The correction value α may be a coefficient stored in advance in a predetermined storage area in order to correct the first measurement value Lmh of the first sensor 325.
The control unit 330 may correct the first measurement value Lmh input in step S163 by performing the following calculation.
Lmh = α · Lmh
　ステップＳ１６５において、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔ及び第１計測値Ｌｍｈに基づいて、発振器３１０に設定する新たな励起強度ＭＯＩを決定してもよい。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、発振器３１０に設定する新たな励起強度ＭＯＩを決定してもよい。
　　ＭＯＩ＝ＭＯＩ＋ｇ１（Ｌｔ－Ｌｍｈ）
　上記右辺の（Ｌｔ－Ｌｍｈ）は、図４のステップＳ１１又はＳ１７で受信されたパルスエネルギ指令値Ｌｔと、ステップＳ１６４で修正された第１計測値Ｌｍｈとの差分であり得る。
　上記右辺の関数ｇ１は、パルスレーザ光３０のパルエネルギと発振器３１０の励起強度との関係を実験等により予め求めて取得された関数であってもよい。当該差分（Ｌｔ－Ｌｍｈ）＝０であるとき、関数ｇ１はｇ１（０）＝０であってもよい。
　上記式のような計算により、制御部３３０は、修正後の第１計測値Ｌｍｈがパルスエネルギ指令値Ｌｔに近付くよう、発振器３１０に設定する新たな励起強度ＭＯＩを決定し得る。制御部３３０は、修正後の第１計測値Ｌｍｈがパルスエネルギ指令値Ｌｔに一致する場合は、既に設定されている励起強度ＭＯＩを維持し得る。 In step S165, the control unit 330 may determine a new excitation intensity MOI to be set in the oscillator 310 based on the pulse energy command value Lt and the first measurement value Lmh.
The control unit 330 may determine a new excitation intensity MOI to be set in the oscillator 310 by calculating as in the following equation.
MOI = MOI + g 1 (Lt−Lmh)
(Lt−Lmh) on the right side may be a difference between the pulse energy command value Lt received in step S11 or S17 of FIG. 4 and the first measured value Lmh corrected in step S164.
The function g 1 on the right side may be a function obtained by obtaining in advance an experiment or the like the relationship between the pal energy of the pulse laser beam 30 and the excitation intensity of the oscillator 310. When the difference (Lt−Lmh) = 0, the function g 1 may be g 1 (0) = 0.
By calculation like the above formula, the control unit 330 can determine a new excitation intensity MOI to be set in the oscillator 310 so that the corrected first measurement value Lmh approaches the pulse energy command value Lt. When the corrected first measurement value Lmh matches the pulse energy command value Lt, the control unit 330 can maintain the excitation intensity MOI that has already been set.
　ステップＳ１６６において、制御部３３０は、ステップＳ１６５で決定された新たな励起強度ＭＯＩに応じた励起強度設定信号を生成し、発振器３１０に出力してもよい。
　発振器３１０には、ステップＳ１６５で決定された新たな励起強度ＭＯＩが設定され得る。発振器３１０は、当該励起強度ＭＯＩに応じてレーザ発振を行って、パルスエネルギ指令値Ｌｔに対応するパルスエネルギを有するパルスレーザ光３０を出力し得る。 In step S166, the control unit 330 may generate an excitation intensity setting signal corresponding to the new excitation intensity MOI determined in step S165 and output the excitation intensity setting signal to the oscillator 310.
The new excitation intensity MOI determined in step S165 can be set in the oscillator 310. The oscillator 310 can perform laser oscillation according to the excitation intensity MOI, and can output the pulse laser beam 30 having a pulse energy corresponding to the pulse energy command value Lt.
　ステップＳ１６７において、制御部３３０は、ステップＳ１６２で計時が開始されたタイマ３３１の計時値Ｔｔが、図４のステップＳ１２で読み込まれた校正周期Ｔｃに到達したか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、当該計時値Ｔｔが次式を満たすか否かを判定することによって、当該計時値Ｔｔが当該校正周期Ｔｃに到達したか否かを判定してもよい。
　　Ｔｔ≧Ｔｃ
　制御部３３０は、当該計時値Ｔｔが上記式を満たさないならば、第１計測値Ｌｍｈを校正するタイミングが到来していないと判断し、ステップＳ１６３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、当該計時値Ｔｔが上記式を満たすならば、第１計測値Ｌｍｈを校正するタイミングが到来したと判断し、ステップＳ１６８に移行してもよい。 In step S167, the control unit 330 may determine whether or not the measured value Tt of the timer 331 that has started measuring in step S162 has reached the calibration cycle Tc read in step S12 of FIG.
The controller 330 may determine whether or not the time value Tt has reached the calibration cycle Tc by determining whether or not the time value Tt satisfies the following equation.
Tt ≧ Tc
If the time count Tt does not satisfy the above equation, the control unit 330 may determine that the timing for calibrating the first measurement value Lmh has not arrived, and may proceed to step S163. On the other hand, the control unit 330 may determine that the timing for calibrating the first measurement value Lmh has arrived if the measured time value Tt satisfies the above equation, and may proceed to step S168.
　ステップＳ１６８において、制御部３３０は、第２センサ３２６から出力された第２計測値Ｌｍｓを読み込んでもよい。
　上述のように、校正周期Ｔｃは、第２センサ３２６の応答時間以上であってもよい。
　ステップＳ１６７で計時値Ｔｔが校正周期Ｔｃ以上であると判定された時点では、当該計時値Ｔｔが第２センサ３２６の応答時間経過後であり、第２計測値Ｌｍｓを含む第２計測信号が第２センサ３２６から出力された後であることを意味し得る。
　よって、制御部３３０は、第２センサ３２６から出力された第２計測信号に含まれる第２計測値Ｌｍｓを読み込み得る。 In step S168, the control unit 330 may read the second measurement value Lms output from the second sensor 326.
As described above, the calibration cycle Tc may be longer than the response time of the second sensor 326.
When it is determined in step S167 that the time value Tt is greater than or equal to the calibration cycle Tc, the time value Tt is after the response time of the second sensor 326 has elapsed, and the second measurement signal including the second measurement value Lms is the first time. 2 may mean after being output from the sensor 326.
Therefore, the control unit 330 can read the second measurement value Lms included in the second measurement signal output from the second sensor 326.
　ステップＳ１６９において、制御部３３０は、ステップＳ１６８で読み込まれた第２計測値Ｌｍｓに基づいて修正値αを更新してもよい。
　修正値αは、上述のように、ステップＳ１６４において第１センサ３２５の第１計測値Ｌｍｈを修正するための係数であり得る。修正値αを更新すると、当該修正値αを用いて修正される第１計測値Ｌｍｈは、間接的に校正され得る。すなわち、制御部３３０は、第２計測値Ｌｍｓに基づいて修正値αを更新することによって、第２計測値Ｌｍｓに基づいて第１計測値Ｌｍｈを校正し得る。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、修正値αを更新してもよい。
　　α＝ｆ１（Ｌｍｓ、Ｌｍｈ）
　上記右辺の関数ｆ１は、例えばｆ１（Ｌｍｓ、Ｌｍｈ）＝Ｌｍｓ／Ｌｍｈであってもよい。 In step S169, the control unit 330 may update the correction value α based on the second measurement value Lms read in step S168.
As described above, the correction value α may be a coefficient for correcting the first measurement value Lmh of the first sensor 325 in step S164. When the correction value α is updated, the first measurement value Lmh corrected using the correction value α can be calibrated indirectly. That is, the control unit 330 can calibrate the first measurement value Lmh based on the second measurement value Lms by updating the correction value α based on the second measurement value Lms.
The control unit 330 may update the correction value α by calculating as in the following equation.
α = f 1 (Lms, Lmh)
The function f 1 on the right side may be, for example, f 1 (Lms, Lmh) = Lms / Lmh.
　第１計測値Ｌｍｈが第２計測値Ｌｍｓと同じ値である場合、すなわち、第１センサ３２５の感度特性が変化していない場合には、修正値αは、その初期値と同じ値であるα＝１となり得る。
　この場合、次回のエネルギ制御処理のステップＳ１６４で用いられる修正値αは、α＝１となり得る。その結果、制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ１６４において、ステップＳ１６３で入力された第１計測値Ｌｍｈを、維持し得る。
　一方、第１計測値Ｌｍｈが第２計測値Ｌｍｓから乖離した値である場合、すなわち、第１センサ３２５の感度特性が変化している場合には、修正値αは、その乖離の度合いに応じた第１計測値Ｌｍｈと第２計測値Ｌｍｓとの比となり得る。
　この場合、制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ１６４で用いる修正値αは当該第１計測値Ｌｍｈと第２計測値Ｌｍｓとの比となり得る。その結果、制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ１６４において、ステップＳ１６３で入力された第１計測値Ｌｍｈを、当該第１計測値Ｌｍｈと第２計測値Ｌｍｓとの比に応じて修正し得る。
　このようにして、制御部３３０は、第２計測値Ｌｍｓに基づいて修正値αを更新することによって、第２計測値Ｌｍｓに基づいて第１計測値Ｌｍｈを校正し得る。
　なお、第１センサ３２５のセンサゲインと第２センサ３２６のセンサゲインとが異なる場合等は、上記式の関数ｆ１は、ｆ１（Ｌｍｓ、Ｌｍｈ）＝Ｌｍｓ／Ｌｍｈでなくてもよい。 When the first measurement value Lmh is the same value as the second measurement value Lms, that is, when the sensitivity characteristic of the first sensor 325 has not changed, the correction value α is the same value as the initial value α. = 1.
In this case, the correction value α used in step S164 of the next energy control process can be α = 1. As a result, the controller 330 can maintain the first measured value Lmh input in step S163 in step S164 of the next energy control process.
On the other hand, when the first measurement value Lmh is a value deviating from the second measurement value Lms, that is, when the sensitivity characteristic of the first sensor 325 is changing, the correction value α depends on the degree of the deviation. The ratio of the first measurement value Lmh and the second measurement value Lms can be obtained.
In this case, the controller 330 can use the ratio of the first measurement value Lmh and the second measurement value Lms as the correction value α used in step S164 of the next energy control process. As a result, in step S164 of the next energy control process, the control unit 330 corrects the first measurement value Lmh input in step S163 according to the ratio between the first measurement value Lmh and the second measurement value Lms. Can do.
In this way, the control unit 330 can calibrate the first measurement value Lmh based on the second measurement value Lms by updating the correction value α based on the second measurement value Lms.
Note that when the sensor gain of the first sensor 325 and the sensor gain of the second sensor 326 are different, the function f 1 of the above equation may not be f 1 (Lms, Lmh) = Lms / Lmh.
　ステップＳ１６９の後、制御部３３０は、エネルギ制御処理を終了して、図４のステップＳ１７に移行してもよい。
　制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ１６５において、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて、発振器３１０に設定する新たな励起強度ＭＯＩを決定し得る。そして、制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ１６６において、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて決定された当該励起強度ＭＯＩを、発振器３１０に設定し得る。
　このように、制御部３３０は、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて、発振器３１０の励起強度ＭＯＩを制御し得る。 After step S169, the controller 330 may end the energy control process and proceed to step S17 in FIG.
In step S165 of the next energy control process, the controller 330 can determine a new excitation intensity MOI to be set in the oscillator 310 based on the calibrated first measurement value Lmh. Then, the control unit 330 can set the excitation intensity MOI determined based on the calibrated first measurement value Lmh in the oscillator 310 in step S166 of the next energy control process.
Thus, the control unit 330 can control the excitation intensity MOI of the oscillator 310 based on the calibrated first measurement value Lmh.
　［６．３　作用］
　上述のように、第１実施形態のレーザ装置３は、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを、１パルス毎の計測が可能な第１センサ３２５によって計測し得る。加えて、第１実施形態のレーザ装置３は、温度変化による感度特性の変化が非常に小さい第２センサ３２６の第２計測値を用いて、当該第１センサ３２５の第１計測値を校正周期毎に校正し得る。
　このため、第１実施形態のレーザ装置３は、１パルス毎の計測が可能な第１センサ３２５の感度特性が変化することによって当該第１センサ３２５の第１計測値に発生する誤差を定期的に補正し得る。
　それにより、第１実施形態のレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に正確に計測し得る。 [6.3 Action]
As described above, the laser device 3 of the first embodiment can measure the pulse energy of the pulsed laser light 30 by the first sensor 325 that can measure every pulse. In addition, the laser device 3 according to the first embodiment uses the second measurement value of the second sensor 326, in which the change in the sensitivity characteristic due to the temperature change is very small, and the first measurement value of the first sensor 325 is calibrated. It can be calibrated every time.
For this reason, the laser apparatus 3 of the first embodiment periodically introduces an error that occurs in the first measurement value of the first sensor 325 when the sensitivity characteristic of the first sensor 325 capable of measuring every pulse changes. Can be corrected.
Thereby, the laser apparatus 3 of 1st Embodiment can measure the pulse energy of the pulsed laser beam 30 correctly for every pulse, even if it is in the state of continuous operation at a high repetition frequency.
　更に、第１実施形態のレーザ装置３は、校正された当該第１センサ３２５の第１計測値に基づいて、発振器３１０の励起強度を制御し得る。
　それにより、第１実施形態のレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に精度よく制御し得る。
　したがって、第１実施形態のレーザ装置３は、エネルギ安定性に優れたパルスレーザ光３０を出力することができる。
　その結果、第１実施形態のレーザ装置３を用いたレーザ加工機７は、安定的に所望の品質でレーザ加工を行い得る。 Furthermore, the laser apparatus 3 of the first embodiment can control the excitation intensity of the oscillator 310 based on the calibrated first measurement value of the first sensor 325.
Thereby, the laser device 3 of the first embodiment can accurately control the pulse energy of the pulsed laser light 30 for each pulse even in a state of continuous operation at a high repetition frequency.
Therefore, the laser device 3 of the first embodiment can output the pulsed laser light 30 having excellent energy stability.
As a result, the laser processing machine 7 using the laser device 3 of the first embodiment can stably perform laser processing with desired quality.
［７．第２実施形態のレーザ装置］
　図７～図１０を用いて、第２実施形態のレーザ装置３について説明する。
　第２実施形態のレーザ装置３は、レーザ加工機７の一態様であるＥＵＶ光生成装置１に適用されるレーザ装置３であってもよい。
　第２実施形態のレーザ装置３の構成において、図３～図６に示された第１実施形態のレーザ装置３と同様の構成については説明を省略する。 [7. Laser Device of Second Embodiment]
A laser device 3 according to the second embodiment will be described with reference to FIGS.
The laser apparatus 3 of the second embodiment may be a laser apparatus 3 that is applied to the EUV light generation apparatus 1 that is an aspect of the laser processing machine 7.
In the configuration of the laser device 3 of the second embodiment, the description of the same configuration as that of the laser device 3 of the first embodiment shown in FIGS. 3 to 6 is omitted.
　［７．１　構成］
　図７は、第２実施形態のレーザ装置３の構成を説明するための図を示す。
　図７のレーザ装置３は、発振器３１０と、エネルギモニタ３２０と、制御部３３０と、第１～第４増幅器３５１～３５４と、第１～第４増幅器電源３６１～３６４とを備えてもよい。
　本実施形態では、レーザ装置３が備える増幅器の台数は、便宜的に第１～第４増幅器３５１～３５４の４台であるとして説明されているが、特に限定されず、１又は複数の台数であってもよい。増幅器電源の台数は、増幅器の台数と同数であってもよい。
　発振器３１０と、第１～第４増幅器３５１～３５４とは、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）システムを構成してもよい。 [7.1 Configuration]
FIG. 7 is a diagram for explaining the configuration of the laser device 3 of the second embodiment.
The laser apparatus 3 in FIG. 7 may include an oscillator 310, an energy monitor 320, a control unit 330, first to fourth amplifiers 351 to 354, and first to fourth amplifier power supplies 361 to 364.
In the present embodiment, the number of amplifiers included in the laser apparatus 3 is described as four units, ie, the first to fourth amplifiers 351 to 354 for convenience, but is not particularly limited, and one or a plurality of amplifiers are included. There may be. The number of amplifier power supplies may be the same as the number of amplifiers.
The oscillator 310 and the first to fourth amplifiers 351 to 354 may constitute a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) system.
　発振器３１０は、ＭＯＰＡシステムを構成するマスターオシレータであってもよい。
　発振器３１０は、ＱＣＬ３１１～３１４と、光路調節器３１５とを含んでもよい。
　本実施形態では、発振器３１０に含まれるＱＣＬの台数は、便宜的にＱＣＬ３１１～３１４の４台であるとして説明されているが、特に限定されず、１又は複数の台数であってもよい。 The oscillator 310 may be a master oscillator constituting the MOPA system.
The oscillator 310 may include QCLs 311 to 314 and an optical path adjuster 315.
In the present embodiment, the number of QCLs included in the oscillator 310 is described as four QCLs 311 to 314 for convenience, but is not particularly limited, and may be one or more.
　ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、ＣＯ２ガスレーザのゲイン領域の波長で発振する量子カスケードレーザであってもよい。ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、互いに異なる波長のパルスレーザ光３０を出力してもよい。
　ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれの励起強度は、当該ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに供給される励起電流に応じて制御されてもよい。 Each of QCLs 311 to 314 may be a quantum cascade laser that oscillates at a wavelength in the gain region of the CO 2 gas laser. Each of the QCLs 311 to 314 may output pulsed laser beams 30 having different wavelengths.
The excitation intensity of each of the QCLs 311 to 314 may be controlled according to the excitation current supplied to each of the QCLs 311 to 314.
　ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、制御部３３０に接続されてもよい。ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、制御部３３０からの制御によりレーザ発振を行って、パルスレーザ光３０を出力してもよい。ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、図３に示された発振器３１０と同様の第１周期で、パルスレーザ光３０を出力するように制御されてもよい。
　ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光３０は、光路調節器３１５に入射してもよい。 Each of the QCLs 311 to 314 may be connected to the control unit 330. Each of the QCLs 311 to 314 may perform laser oscillation under the control of the control unit 330 and output the pulsed laser light 30. Each of the QCLs 311 to 314 may be controlled to output the pulsed laser light 30 in the same first period as the oscillator 310 shown in FIG.
The pulsed laser light 30 output from each of the QCLs 311 to 314 may enter the optical path adjuster 315.
　光路調節器３１５は、ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光３０の各光路を、実質的に１つの光路に重ね合せてもよい。
　光路調節器３１５は、図示しない光学系を含んでもよい。
　光路調節器３１５に含まれる光学系は、ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれから出力されたパルスレーザ光３０の光路上であって、ＱＣＬ３１１～３１４の下流側に設けられてもよい。
　光路調節器３１５によって１つの光路を通って出力されたパルスレーザ光３０は、第１～第４増幅器３５１～３５４に入射してもよい。 The optical path adjuster 315 may superimpose each optical path of the pulsed laser light 30 output from each of the QCLs 311 to 314 on substantially one optical path.
The optical path adjuster 315 may include an optical system (not shown).
The optical system included in the optical path adjuster 315 may be provided on the optical path of the pulsed laser light 30 output from each of the QCLs 311 to 314 and downstream of the QCLs 311 to 314.
The pulsed laser light 30 output through one optical path by the optical path adjuster 315 may be incident on the first to fourth amplifiers 351 to 354.
　第１～第４増幅器３５１～３５４は、ＭＯＰＡシステムを構成するパワーアンプリファイアであってもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、レーザ増幅器であってもよい。当該第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、一対の放電電極を含み、ＣＯ２をレーザガスとする炭酸ガスレーザ増幅器であってもよい。当該第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、３軸直交型増幅器や高速軸流型増幅器であってもよい。
　或いは、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、スラブ型増幅器であってもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれの励起強度は、当該第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給される放電電流に応じて制御されてもよい。 The first to fourth amplifiers 351 to 354 may be power amplifiers constituting the MOPA system.
Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be a laser amplifier. Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be a carbon dioxide laser amplifier that includes a pair of discharge electrodes and uses CO 2 as a laser gas. Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be a three-axis orthogonal amplifier or a high-speed axial flow amplifier.
Alternatively, each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be a slab type amplifier.
The excitation intensity of each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be controlled according to the discharge current supplied to each of the first to fourth amplifiers 351 to 354.
　第１～第４増幅器３５１～３５４は、発振器３１０の光路調節器３１５から出力されたパルスレーザ光３０の光路上に直列的に配置されてもよい。言い換えると、第１～第４増幅器３５１～３５４は、発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０の光路上に直列的に配置されてもよい。 The first to fourth amplifiers 351 to 354 may be arranged in series on the optical path of the pulsed laser light 30 output from the optical path adjuster 315 of the oscillator 310. In other words, the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be arranged in series on the optical path of the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310.
　第１～第４増幅器３５１～３５４は、発振器３１０から出力されたパルスレーザ光３０を順次増幅してもよい。
　具体的には、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれには、それぞれの上流側に配置された前段の発振器３１０又は第１～第３増幅器３５１～３５３から出力された各パルスレーザ光３０が入射してもよい。第１～第３増幅器３５１～３５３のそれぞれは、入射した各パルスレーザ光３０を増幅し、それぞれの下流側に配置された後段の第２～第４増幅器３５２～３５４に出力してもよい。最終段の第４増幅器３５４は、入射したパルスレーザ光３０を増幅し、増幅されたパルスレーザ光３０を、エネルギモニタ３２０を介してＥＵＶ光生成装置１に出力してもよい。 The first to fourth amplifiers 351 to 354 may sequentially amplify the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310.
Specifically, each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 includes each pulse laser beam 30 output from the preceding stage oscillator 310 or the first to third amplifiers 351 to 353 disposed on the upstream side. May be incident. Each of the first to third amplifiers 351 to 353 may amplify each of the incident pulsed laser beams 30 and output the amplified pulse laser light 30 to the subsequent second to fourth amplifiers 352 to 354 arranged on the downstream side thereof. The fourth amplifier 354 at the final stage may amplify the incident pulse laser light 30 and output the amplified pulse laser light 30 to the EUV light generation apparatus 1 via the energy monitor 320.
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれと接続されてもよい。
　第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれから供給された放電電流に応じて、入射した各パルスレーザ光３０を増幅してもよい。 Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may be connected to each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364.
Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 may amplify the incident pulsed laser light 30 in accordance with the discharge current supplied from each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364.
　第１～第４増幅器電源３６１～３６４は、第１～第４増幅器３５１～３５４に放電電流を供給する電源であってもよい。
　第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれは、制御部３３０に接続されてもよい。第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれは、制御部３３０からの制御により、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに放電電流を供給してもよい。 The first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 may be power supplies that supply a discharge current to the first to fourth amplifiers 351 to 354.
Each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 may be connected to the control unit 330. Each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 may supply a discharge current to each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 under the control of the control unit 330.
　エネルギモニタ３２０は、発振器３１０から出力され、第１～第４増幅器３５１～３５４で増幅されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測してもよい。
　エネルギモニタ３２０は、第１～第４増幅器３５１～３５４の最終段の増幅器である第４増幅器３５４の下流側に配置されてもよい。
　エネルギモニタ３２０のビームスプリッタ３２１は、最終段の増幅器である第４増幅器３５４から出力されたパルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　エネルギモニタ３２０の他の構成については、図３に示されたエネルギモニタ３２０の構成と同様であってもよい。 The energy monitor 320 may measure the pulse energy of the pulsed laser light 30 output from the oscillator 310 and amplified by the first to fourth amplifiers 351 to 354.
The energy monitor 320 may be arranged on the downstream side of the fourth amplifier 354 that is the final stage amplifier of the first to fourth amplifiers 351 to 354.
The beam splitter 321 of the energy monitor 320 may be disposed on the optical path of the pulsed laser light 30 output from the fourth amplifier 354 that is the final stage amplifier.
Other configurations of the energy monitor 320 may be the same as the configuration of the energy monitor 320 shown in FIG.
　制御部３３０は、発振器３１０のＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれのレーザ発振を制御するための励起電流設定信号を生成し、当該ＱＣＬ３１１～３１４に出力してもよい。励起電流設定信号は、ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに供給される励起電流の設定値である励起電流値が含まれていると共に、当該励起電流値に応じた励起電流にてＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれをレーザ発振させる制御信号であってもよい。励起電流設定信号には、図３に示された励起強度設定信号と同様に、繰り返し周波数及び出力タイミングに関する設定値が含まれてもよい。 The control unit 330 may generate an excitation current setting signal for controlling the laser oscillation of each of the QCLs 311 to 314 of the oscillator 310 and output it to the QCLs 311 to 314. The excitation current setting signal includes an excitation current value that is a set value of the excitation current supplied to each of the QCLs 311 to 314, and each of the QCLs 311 to 314 is laser-exposed with an excitation current corresponding to the excitation current value. It may be a control signal to oscillate. Similarly to the excitation intensity setting signal shown in FIG. 3, the excitation current setting signal may include setting values related to the repetition frequency and the output timing.
　制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から送信されたパルスエネルギ指令信号を受信してもよい。
　制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令信号に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給される各放電電流の設定値である各電流設定値を決定してもよい。
　制御部３３０は、決定された各電流設定値を含む各電流設定信号を第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれに出力して、決定された各電流設定値を第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれに設定してもよい。第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれは、入力された各電流設定信号に含まれる各電流設定値に応じた各放電電流を第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、供給された各放電電流に応じた各励起強度で、入射した各パルスレーザ光３０を増幅し得る。 The controller 330 may receive the pulse energy command signal transmitted from the EUV light generation controller 5.
Based on the pulse energy command signal, the controller 330 may determine each current setting value that is a setting value of each discharge current supplied to each of the first to fourth amplifiers 351 to 354.
The controller 330 outputs each current setting signal including each determined current setting value to each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364, and each determined current setting value is output to the first to fourth amplifiers. You may set to each of the power supplies 361-364. Each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 can supply each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 with a discharge current corresponding to each current setting value included in each of the input current setting signals. . Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 can amplify each of the incident pulsed laser beams 30 with each excitation intensity corresponding to each supplied discharge current.
　また、制御部３３０には、第１センサ３２５から出力された第１計測信号が入力されてもよい。
　制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から送信されたパルスエネルギ指令信号及び当該第１計測信号に基づいて、最終段の第４増幅器３５４に供給される放電電流の電流設定値を新たに決定してもよい。
　具体的には、制御部３３０は、当該第１計測信号に含まれる第１計測値が、当該パルスエネルギ指令信号に含まれるパルスエネルギ指令値に近付くように、最終段の第４増幅器３５４に供給される放電電流の電流設定値を新たに決定してもよい。
　制御部３３０は、新たな電流設定値を含む電流設定信号を第４増幅器電源３６４に出力して、新たな電流設定値を第４増幅器電源３６４に設定してもよい。第４増幅器電源３６４は、入力された電流設定信号に含まれる新たな電流設定値に応じた放電電流を最終段の第４増幅器３５４に供給し得る。最終段の第４増幅器３５４は、供給された放電電流に応じた励起強度で、入射したパルスレーザ光３０を増幅し得る。最終段の第４増幅器３５４で増幅されたパルスレーザ光３０は、エネルギモニタ３２０を介して、パルスレーザ光３１としてＥＵＶ光生成装置１に出力され得る。
　なお、制御部３３０の他の構成については、図３に示された制御部３３０と同様であってもよい。 In addition, the first measurement signal output from the first sensor 325 may be input to the control unit 330.
Based on the pulse energy command signal transmitted from the EUV light generation controller 5 and the first measurement signal, the controller 330 newly determines the current setting value of the discharge current supplied to the fourth amplifier 354 in the final stage. May be.
Specifically, the control unit 330 supplies the first measurement value included in the first measurement signal to the fourth amplifier 354 at the final stage so that the first measurement value approaches the pulse energy command value included in the pulse energy command signal. A current set value of the discharge current to be generated may be newly determined.
The control unit 330 may output a current setting signal including a new current setting value to the fourth amplifier power supply 364 and set a new current setting value in the fourth amplifier power supply 364. The fourth amplifier power supply 364 can supply a discharge current corresponding to a new current setting value included in the input current setting signal to the fourth amplifier 354 in the final stage. The fourth amplifier 354 at the final stage can amplify the incident pulsed laser light 30 with an excitation intensity corresponding to the supplied discharge current. The pulsed laser light 30 amplified by the fourth amplifier 354 at the final stage can be output to the EUV light generation apparatus 1 as the pulsed laser light 31 via the energy monitor 320.
In addition, about the other structure of the control part 330, it may be the same as that of the control part 330 shown by FIG.
　第２実施形態のレーザ装置３の他の構成については、図３～図６に示された第１実施形態のレーザ装置３の構成と同様であってもよい。 The other configuration of the laser device 3 of the second embodiment may be the same as the configuration of the laser device 3 of the first embodiment shown in FIGS.
　［７．２　動作］
　図８～図１０を用いて、第２実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る動作について説明する。
　図８は、第２実施形態のレーザ装置３の動作を説明するための図を示す。図９は、パルスエネルギ指令値Ｌｔに対応付けられた第１～第４増幅器電源３６１～３６４の電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを説明するための図を示す。
　第２実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る処理において、図４及び図６に示された第１実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る処理と同様の処理ついては説明を省略する。
　制御部３３０は、レーザ装置３のレーザ発振に係る動作として、以下のような処理を行ってもよい。 [7.2 Operation]
The operation related to the laser oscillation of the laser device 3 of the second embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is a diagram for explaining the operation of the laser device 3 of the second embodiment. FIG. 9 is a diagram for explaining the current setting values AMP1IC to AMP4IC of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 associated with the pulse energy command value Lt.
In the processing related to the laser oscillation of the laser device 3 of the second embodiment, the description of the processing similar to the processing related to the laser oscillation of the laser device 3 of the first embodiment shown in FIGS. 4 and 6 is omitted.
The control unit 330 may perform the following processing as an operation related to laser oscillation of the laser device 3.
　ステップＳ２１において、制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５からパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したか否かを判定してもよい。
　上述のように、ＥＵＶ光生成装置１に適用されるレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光集光光学系２２ａによってチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に集光され、当該プラズマ生成領域２５に供給されたターゲット２７を照射し得る。パルスレーザ光３３が照射されたターゲット２７は、プラズマ化してＥＵＶ光２５２を生成し得る。ＥＵＶ光センサ４２は、生成されたＥＵＶ光２５２のパルスエネルギを検出し、その検出信号をＥＵＶ光生成制御部５に出力し得る。ＥＵＶ光生成制御部５は、当該検出信号に基づいて、パルスエネルギ指令値Ｌｔを決定し、決定されたパルスエネルギ指令値Ｌｔを含むパルスエネルギ指令信号を制御部３３０に出力し得る。
　制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から出力されたパルスエネルギ指令信号を受信したか否かを判定してもよい。そして、制御部３３０は、受信されたパルスエネルギ指令信号にパルスエネルギ指令値Ｌｔが含まれているか否かを判定してもよい。それにより、制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５からパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令値Ｌｔを受信していなければ、受信するまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したならば、ステップＳ２２に移行してもよい。 In step S <b> 21, the control unit 330 may determine whether or not the pulse energy command value Lt is received from the EUV light generation control unit 5.
As described above, the pulsed laser light 31 output from the laser device 3 applied to the EUV light generation apparatus 1 is focused on the plasma generation region 25 in the chamber 2 by the laser light focusing optical system 22a, and the plasma The target 27 supplied to the generation region 25 can be irradiated. The target 27 irradiated with the pulse laser beam 33 can be turned into plasma to generate EUV light 252. The EUV light sensor 42 can detect the pulse energy of the generated EUV light 252 and output the detection signal to the EUV light generation controller 5. The EUV light generation controller 5 can determine the pulse energy command value Lt based on the detection signal, and can output a pulse energy command signal including the determined pulse energy command value Lt to the controller 330.
The controller 330 may determine whether or not the pulse energy command signal output from the EUV light generation controller 5 has been received. Then, the controller 330 may determine whether or not the received pulse energy command signal includes the pulse energy command value Lt. Thereby, the control unit 330 may determine whether or not the pulse energy command value Lt is received from the EUV light generation control unit 5.
If the control unit 330 has not received the pulse energy command value Lt, the control unit 330 may wait until it is received. On the other hand, if the control unit 330 receives the pulse energy command value Lt, the control unit 330 may move to step S22.
　ステップＳ２２において、制御部３３０は、修正値αを初期化すると共に校正周期Ｔｃを読み込んでもよい。
　修正値α及び校正周期Ｔｃは、図４のステップＳ１２で説明した修正値α及び校正周期Ｔｃと同様であってもよい。 In step S22, the control unit 330 may initialize the correction value α and read the calibration cycle Tc.
The correction value α and the calibration cycle Tc may be the same as the correction value α and the calibration cycle Tc described in step S12 of FIG.
　ステップＳ２３において、制御部３３０は、ＱＣＬ３１１～３１４に設定する励起電流値を決定してもよい。
　ＱＣＬ３１１～３１４に設定される各励起電流値は、それぞれ一定値であってもよい。 In step S23, the control unit 330 may determine an excitation current value to be set in the QCLs 311 to 314.
Each excitation current value set in the QCLs 311 to 314 may be a constant value.
　ステップＳ２４において、制御部３３０は、ステップＳ２１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに基づいて、第１～第４増幅器電源３６１～３６４に設定する電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　制御部３３０は、例えば図９に示されるように、パルスエネルギ指令値Ｌｔと電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣとの対応関係を示すテーブルを予め記憶してもよい。
　そして、制御部３３０は、当該テーブルを参照し、ステップＳ２１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに対応する電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを特定することによって、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　或いは、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔを独立変数とし、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを従属変数とする関数を予め記憶しておき、当該関数を用いて電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを計算してもよい。 In step S24, the control unit 330 may determine current setting values AMP1IC to AMP4IC to be set in the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 based on the pulse energy command value Lt received in step S21.
For example, as shown in FIG. 9, the controller 330 may store in advance a table indicating the correspondence relationship between the pulse energy command value Lt and the current setting values AMP1IC to AMP4IC.
Then, the control unit 330 may determine the current setting values AMP1IC to AMP4IC by referring to the table and specifying the current setting values AMP1IC to AMP4IC corresponding to the pulse energy command value Lt received in step S21. .
Alternatively, the control unit 330 stores in advance a function having the pulse energy command value Lt as an independent variable and the current setting values AMP1IC to AMP4IC as dependent variables, and calculates the current setting values AMP1IC to AMP4IC using the function. May be.
　ステップＳ２５において、制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から送信されるレーザ光出力信号を受信したか否かを判定してもよい。
　レーザ光出力信号は、レーザ装置３からＥＵＶ光生成装置１にパルスレーザ光３１を出力させるための制御指令を含む指令信号であってもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ光出力信号を受信していなければ、受信するまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、当該レーザ光出力信号を受信したならば、ステップＳ２６に移行してもよい。 In step S <b> 25, the controller 330 may determine whether or not the laser light output signal transmitted from the EUV light generation controller 5 has been received.
The laser beam output signal may be a command signal including a control command for causing the laser device 3 to output the pulsed laser beam 31 from the EUV light generation device 1.
If the control unit 330 has not received the laser light output signal, the control unit 330 may wait until it is received. On the other hand, if the control unit 330 receives the laser light output signal, the control unit 330 may proceed to step S26.
　ステップＳ２６において、制御部３３０は、ステップＳ２３で決定された励起電流値に応じた励起電流設定信号を生成し、ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれに出力してもよい。
　ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれには、ステップＳ２３で決定された励起電流値が設定され得る。ＱＣＬ３１１～３１４のそれぞれは、当該励起電流値に応じた励起強度でレーザ発振を行って、パルスレーザ光３０を出力し得る。 In step S26, the control unit 330 may generate an excitation current setting signal corresponding to the excitation current value determined in step S23, and output it to each of the QCLs 311 to 314.
In each of the QCLs 311 to 314, the excitation current value determined in step S23 can be set. Each of the QCLs 311 to 314 can perform laser oscillation with an excitation intensity corresponding to the excitation current value and output the pulsed laser light 30.
　ステップＳ２７において、制御部３３０は、ステップＳ２４で決定された電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣに応じた電流設定信号を生成し、第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれに出力してもよい。
　第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれには、ステップＳ２４で決定された電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣが設定され得る。第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれは、当該電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣに応じた放電電流を第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４は、供給された放電電流に応じた励起強度で、パルスレーザ光３０を増幅し得る。 In step S27, the control unit 330 may generate a current setting signal corresponding to the current setting values AMP1IC to AMP4IC determined in step S24, and output them to the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364, respectively.
The current setting values AMP1IC to AMP4IC determined in step S24 can be set in each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364. Each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 can supply a discharge current corresponding to the current set value AMP1IC to AMP4IC to each of the first to fourth amplifiers 351 to 354. The first to fourth amplifiers 351 to 354 can amplify the pulse laser beam 30 with the excitation intensity corresponding to the supplied discharge current.
　ステップＳ２８において、制御部３３０は、エネルギ制御処理を行ってもよい。
　エネルギ制御処理は、第１センサ３２５の第１計測値に基づいてパルスレーザ光３０のパルスエネルギを制御する処理であってもよい。
　なお、エネルギ制御処理の詳細については、図１０を用いて後述する。 In step S28, the control unit 330 may perform energy control processing.
The energy control process may be a process of controlling the pulse energy of the pulsed laser light 30 based on the first measurement value of the first sensor 325.
The details of the energy control process will be described later with reference to FIG.
　ステップＳ２９において、制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したならば、ステップＳ２３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信していなければ、ステップＳ３０に移行してもよい。 In step S29, the control unit 330 may determine whether or not a new pulse energy command value Lt is received from the EUV light generation control unit 5.
If the controller 330 receives a new pulse energy command value Lt, the controller 330 may move to step S23. On the other hand, if control unit 330 has not received new pulse energy command value Lt, control unit 330 may proceed to step S30.
　ステップＳ３０において、制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から送信されるレーザ光出力停止信号を受信したか否かを判定してもよい。
　レーザ光出力停止信号は、レーザ装置３からのパルスレーザ光３１の出力を停止させるための制御指令を含む指令信号であってもよい。
　制御部３３０は、当該レーザ光出力停止信号を受信していなければ、ステップＳ２８に移行してもよい。一方、制御部３３０は、当該レーザ光出力停止信号を受信したならば、本処理を終了してもよい。 In step S30, the control unit 330 may determine whether or not the laser light output stop signal transmitted from the EUV light generation control unit 5 has been received.
The laser beam output stop signal may be a command signal including a control command for stopping the output of the pulse laser beam 31 from the laser device 3.
If the control unit 330 has not received the laser light output stop signal, the control unit 330 may proceed to step S28. On the other hand, if the control unit 330 receives the laser light output stop signal, the control unit 330 may end the process.
　図１０は、第２実施形態のレーザ装置３に備えられた制御部３３０のエネルギ制御処理を説明するための図を示す。
　制御部３３０は、図８のステップＳ２８で行うエネルギ制御処理の一例として、以下のような処理を行ってもよい。 FIG. 10 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit 330 provided in the laser apparatus 3 of the second embodiment.
The control unit 330 may perform the following process as an example of the energy control process performed in step S28 of FIG.
　ステップＳ２８１～Ｓ２８４において、制御部３３０は、図６のステップＳ１６１～Ｓ１６４と同様の処理を行ってもよい。
　なお、ステップＳ２８３において、制御部３３０は、第１センサ３２５から第１計測値Ｌｍｈから入力されていなければ、入力されるまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、第１センサ３２５から第１計測値Ｌｍｈが入力されたならば、ステップＳ２８４に移行してもよい。 In steps S281 to S284, the control unit 330 may perform the same processing as in steps S161 to S164 of FIG.
In step S283, the control unit 330 may wait until it is input from the first sensor 325 if the first measurement value Lmh is not input. On the other hand, if the first measurement value Lmh is input from the first sensor 325, the control unit 330 may proceed to step S284.
　ステップＳ２８５において、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔ及び第１計測値Ｌｍｈに基づいて、第４増幅器電源３６４に設定する新たな電流設定値ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、第４増幅器電源３６４に設定する新たな電流設定値ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　　ＡＭＰ４ＩＣ＝ＡＭＰ４ＩＣ＋ｇ２（Ｌｔ－Ｌｍｈ）
　上記右辺の（Ｌｔ－Ｌｍｈ）は、図８のステップＳ２１又はＳ２９で受信されたパルスエネルギ指令値Ｌｔと、ステップＳ２８４で修正された第１計測値Ｌｍｈとの差分であり得る。
　上記右辺の関数ｇ２は、パルスレーザ光３０のパルエネルギと第４増幅器電源３６４の電流設定値との関係を実験等により予め求めて取得された関数であってもよい。当該差分（Ｌｔ－Ｌｍｈ）＝０であるとき、関数ｇ２はｇ２（０）＝０であってもよい。
　上記式のような計算により、制御部３３０は、修正後の第１計測値Ｌｍｈがパルスエネルギ指令値Ｌｔに近付くよう、第４増幅器電源３６４に設定する新たな電流設定値ＡＭＰ４ＩＣを決定し得る。制御部３３０は、修正後の第１計測値Ｌｍｈがパルスエネルギ指令値Ｌｔに一致する場合は、既に設定されている電流設定値ＡＭＰ４ＩＣを維持し得る。 In step S285, the control unit 330 may determine a new current set value AMP4IC to be set in the fourth amplifier power supply 364 based on the pulse energy command value Lt and the first measured value Lmh.
The control unit 330 may determine a new current set value AMP4IC to be set in the fourth amplifier power supply 364 by performing calculation as shown in the following equation.
AMP4IC = AMP4IC + g 2 (Lt−Lmh)
(Lt−Lmh) on the right side may be a difference between the pulse energy command value Lt received in step S21 or S29 in FIG. 8 and the first measured value Lmh corrected in step S284.
Function g 2 of the right side, may be a function obtained by previously obtained relation between the current set value of the pulse energy and the fourth amplifier power 364 of the pulsed laser beam 30 through experiments or the like. When the difference (Lt−Lmh) = 0, the function g 2 may be g 2 (0) = 0.
By calculation like the above formula, the control unit 330 can determine a new current set value AMP4IC to be set in the fourth amplifier power supply 364 so that the corrected first measured value Lmh approaches the pulse energy command value Lt. When the corrected first measurement value Lmh matches the pulse energy command value Lt, the controller 330 can maintain the current setting value AMP4IC that has already been set.
　ステップＳ２８６において、制御部３３０は、ステップＳ２８５で決定された新たな電流設定値ＡＭＰ４ＩＣに応じた電流設定信号を生成し、第４増幅器電源３６４に出力してもよい。
　第４増幅器電源３６４には、ステップＳ２８５で決定された新たな電流設定値ＡＭＰ４ＩＣが設定され得る。第４増幅器電源３６４は、当該電流設定値ＡＭＰ４ＩＣに応じた新たな放電電流を最終段の第４増幅器３５４に供給し得る。最終段の第４増幅器３５４は、供給された放電電流に応じた新たな励起強度で、入射したパルスレーザ光３０を増幅し得る。 In step S286, the control unit 330 may generate a current setting signal corresponding to the new current setting value AMP4IC determined in step S285 and output the current setting signal to the fourth amplifier power supply 364.
In the fourth amplifier power supply 364, the new current set value AMP4IC determined in step S285 can be set. The fourth amplifier power supply 364 can supply a new discharge current corresponding to the current set value AMP4IC to the fourth amplifier 354 at the final stage. The fourth amplifier 354 at the final stage can amplify the incident pulsed laser light 30 with a new excitation intensity corresponding to the supplied discharge current.
　ステップＳ２８７及びＳ２８８において、制御部３３０は、図６のステップＳ１６７及びＳ１６８と同様の処理を行ってもよい。
　なお、ステップＳ２８７において、制御部３３０は、計時値Ｔｔが校正周期Ｔｃ以上でなければ、第１計測値Ｌｍｈを校正するタイミングが到来していないと判断し、ステップＳ２８３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、計時値Ｔｔが校正周期Ｔｃ以上であれば、第１計測値Ｌｍｈを校正するタイミングが到来したと判断し、ステップＳ２８８に移行してもよい。 In steps S287 and S288, the control unit 330 may perform the same processing as steps S167 and S168 in FIG.
In step S287, the control unit 330 may determine that the timing for calibrating the first measurement value Lmh has not come unless the time measurement value Tt is equal to or greater than the calibration cycle Tc, and may proceed to step S283. On the other hand, if the time measured value Tt is equal to or greater than the calibration cycle Tc, the controller 330 may determine that the timing for calibrating the first measurement value Lmh has arrived, and may proceed to step S288.
　ステップＳ２８９において、制御部３３０は、ステップＳ２８８で読み込まれた第２計測値Ｌｍｓに基づいて修正値αを更新してもよい。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、修正値αを更新してもよい。
　　α＝ｆ２（Ｌｍｓ、Ｌｍｈ）
　上記右辺の関数ｆ２は、例えばｆ２（Ｌｍｓ、Ｌｍｈ）＝Ｌｍｓ／Ｌｍｈであってもよい。
　修正値αを更新すると当該修正値αを用いて修正される第１計測値Ｌｍｈは、間接的に校正され得る。このため、制御部３３０は、図６のステップＳ１６９で説明したように、第２計測値Ｌｍｓに基づいて修正値αを校正することによって、第２計測値Ｌｍｓに基づいて第１計測値Ｌｍｈを校正し得る。 In step S289, the control unit 330 may update the correction value α based on the second measurement value Lms read in step S288.
The control unit 330 may update the correction value α by calculating as in the following equation.
α = f 2 (Lms, Lmh)
The function f 2 on the right side may be, for example, f 2 (Lms, Lmh) = Lms / Lmh.
When the correction value α is updated, the first measurement value Lmh corrected using the correction value α can be indirectly calibrated. Therefore, as described in step S169 in FIG. 6, the control unit 330 calibrates the correction value α based on the second measurement value Lms, thereby obtaining the first measurement value Lmh based on the second measurement value Lms. Can be calibrated.
　ステップＳ２８９の後、制御部３３０は、エネルギ制御処理を終了して、図８のステップＳ２９に移行してもよい。
　制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ２８５において、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて、第４増幅器電源３６４に設定する新たな電流設定値ＡＭＰ４ＩＣを決定し得る。そして、制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ２８６において、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて決定された当該電流設定値ＡＭＰ４ＩＣを、第４増幅器電源３６４に設定し得る。すると、第４増幅器電源３６４は、当該電流設定値ＡＭＰ４ＩＣに応じた新たな放電電流を最終段の第４増幅器３５４に供給し得る。最終段の第４増幅器３５４は、供給された放電電流に応じた新たな励起強度で、パルスレーザ光３０を増幅し得る。
　このように、制御部３３０は、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて、最終段の第４増幅器３５４の励起強度を制御し得る。 After step S289, the controller 330 may end the energy control process and proceed to step S29 in FIG.
In step S285 of the next energy control process, the controller 330 can determine a new current setting value AMP4IC to be set in the fourth amplifier power supply 364 based on the calibrated first measurement value Lmh. Then, the control unit 330 can set the current set value AMP4IC determined based on the calibrated first measurement value Lmh in the fourth energy source 364 in step S286 of the next energy control process. Then, the fourth amplifier power supply 364 can supply a new discharge current corresponding to the current set value AMP4IC to the fourth amplifier 354 in the final stage. The fourth amplifier 354 at the final stage can amplify the pulsed laser light 30 with a new excitation intensity corresponding to the supplied discharge current.
As described above, the control unit 330 can control the excitation intensity of the fourth amplifier 354 at the final stage based on the calibrated first measurement value Lmh.
　［７．３　作用］
　第２実施形態のレーザ装置３は、第１実施形態のレーザ装置３と同様に、１パルス毎の計測が可能な第１センサ３２５の感度特性が変化したことによって当該第１センサ３２５の第１計測値に発生する誤差を定期的に補正し得る。
　それにより、第２実施形態のレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に正確に計測し得る。 [7.3 Action]
Similar to the laser device 3 of the first embodiment, the laser device 3 of the second embodiment changes the sensitivity characteristic of the first sensor 325 capable of measuring every pulse, and thereby changes the first of the first sensor 325. Errors that occur in measurement values can be corrected periodically.
Thereby, the laser apparatus 3 of 2nd Embodiment can measure the pulse energy of the pulsed laser beam 30 correctly for every pulse, even if it is in the state of continuous operation at a high repetition frequency.
　更に、第２実施形態のレーザ装置３は、校正された当該第１センサ３２５の第１計測値に基づいて、最終段の第４増幅器３５４の励起強度を制御し得る。
　それにより、第２実施形態のレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に精度よく制御し得る。
　したがって、第２実施形態のレーザ装置３は、エネルギ安定性に優れたパルスレーザ光３１を出力することができる。
　その結果、第２実施形態のレーザ装置３を用いたＥＵＶ光生成装置１は、安定したＥＵＶ光を生成し得る。 Furthermore, the laser apparatus 3 of the second embodiment can control the excitation intensity of the fourth amplifier 354 at the final stage based on the calibrated first measurement value of the first sensor 325.
Thereby, the laser device 3 of the second embodiment can accurately control the pulse energy of the pulsed laser light 30 for each pulse even in a state of continuous operation at a high repetition frequency.
Therefore, the laser device 3 of the second embodiment can output the pulse laser beam 31 having excellent energy stability.
As a result, the EUV light generation apparatus 1 using the laser device 3 of the second embodiment can generate stable EUV light.
［８．第２実施形態の変形例に係るレーザ装置］
　図１１～図１４を用いて、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３について説明する。
　第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、図７～図１０に示された第２実施形態のレーザ装置３に対して複数のエネルギモニタ３２０を追加した構成であってもよい。
　第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３の構成において、図７～図１０に示された第２実施形態のレーザ装置３と同様の構成については説明を省略する。 [8. Laser Device According to Modified Example of Second Embodiment]
A laser apparatus 3 according to a modification of the second embodiment will be described with reference to FIGS.
The laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment may have a configuration in which a plurality of energy monitors 320 are added to the laser apparatus 3 of the second embodiment shown in FIGS.
In the configuration of the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment, the description of the same configuration as the laser apparatus 3 of the second embodiment shown in FIGS. 7 to 10 is omitted.
　［８．１　構成］
　図１１は、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３の構成を説明するための図を示す。
　図１１のレーザ装置３は、発振器３１０と、エネルギモニタ３２０１～３２０４と、制御部３３０と、第１～第４増幅器３５１～３５４と、第１～第４増幅器電源３６１～３６４とを備えてもよい。
　図１１では、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３が備える複数のエネルギモニタ３２０は、エネルギモニタ３２０１～３２０４として示されている。 [8.1 Configuration]
FIG. 11 is a diagram for explaining the configuration of a laser apparatus 3 according to a modification of the second embodiment.
The laser apparatus 3 of FIG. 11 includes an oscillator 310, energy monitors 3201 to 3204, a control unit 330, first to fourth amplifiers 351 to 354, and first to fourth amplifier power supplies 361 to 364. Good.
In FIG. 11, the plurality of energy monitors 320 provided in the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment are shown as energy monitors 3201 to 3204.
　エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれは、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれで増幅されたパルスレーザ光３０のパルスエネルギを計測してもよい。
　エネルギモニタ３２０１～３２０４は、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれの下流側に配置されてもよい。
　エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれのビームスプリッタ３２１は、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれから出力された各パルスレーザ光３０の光路上に配置されてもよい。
　エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれの第１センサ３２５は、制御部３３０に接続されてもよい。エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれの第１センサ３２５は、第１計測信号を制御部３３０に出力してもよい。
　エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれの第２センサ３２６は、制御部３３０に接続されてもよい。エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれの第２センサ３２６は、第２計測信号を制御部３３０に出力してもよい。
　エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれの他の構成については、図７に示されたエネルギモニタ３２０と同じ構成であってもよい。 Each of the energy monitors 3201 to 3204 may measure the pulse energy of the pulse laser beam 30 amplified by each of the first to fourth amplifiers 351 to 354.
The energy monitors 3201 to 3204 may be arranged downstream of the first to fourth amplifiers 351 to 354, respectively.
The beam splitters 321 of the energy monitors 3201 to 3204 may be disposed on the optical paths of the pulsed laser beams 30 output from the first to fourth amplifiers 351 to 354, respectively.
The first sensors 325 of the energy monitors 3201 to 3204 may be connected to the control unit 330. The first sensors 325 of the energy monitors 3201 to 3204 may output the first measurement signal to the control unit 330.
Each second sensor 326 of the energy monitors 3201 to 3204 may be connected to the control unit 330. The second sensors 326 of the energy monitors 3201 to 3204 may output the second measurement signal to the control unit 330.
The other configuration of each of the energy monitors 3201 to 3204 may be the same as that of the energy monitor 320 shown in FIG.
　制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から送信されたパルスエネルギ指令信号を受信してもよい。
　制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令信号に含まれるパルスエネルギ指令値に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれで増幅される各パルスレーザ光３０の各目標パルスエネルギを決定してもよい。
　制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令信号に含まれるパルスエネルギ指令値に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給される各放電電流の設定値である各電流設定値を決定してもよい。
　制御部３３０は、決定された各電流設定値を含む各電流設定信号を第１～第４増幅器電源３６１～３６４に出力して、決定された各電流設定値を第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれに設定してもよい。第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれは、入力された各電流設定信号に含まれる各電流設定値に応じた各放電電流を第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、供給された各放電電流に応じた各励起強度で、入射した各パルスレーザ光３０を増幅し得る。 The controller 330 may receive the pulse energy command signal transmitted from the EUV light generation controller 5.
The control unit 330 determines each target pulse energy of each pulse laser beam 30 to be amplified by each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 based on the pulse energy command value included in the pulse energy command signal. Also good.
Based on the pulse energy command value included in the pulse energy command signal, the controller 330 determines each current set value that is a set value of each discharge current supplied to each of the first to fourth amplifiers 351 to 354. May be.
The controller 330 outputs each current setting signal including each determined current setting value to the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364, and the determined current setting value is output to the first to fourth amplifier power supplies 361. ˜364 may be set. Each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 can supply each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 with a discharge current corresponding to each current setting value included in each of the input current setting signals. . Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 can amplify each of the incident pulsed laser beams 30 with each excitation intensity corresponding to each supplied discharge current.
　また、制御部３３０には、エネルギモニタ３２０１～３２０４のそれぞれの第１センサ３２５から出力された各第１計測信号が入力されてもよい。
　制御部３３０は、ＥＵＶ光生成制御部５から送信されたパルスエネルギ指令信号及び当該各第１計測信号に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給される各放電電流の各電流設定値を新たに決定してもよい。
　具体的には、制御部３３０は、当該パルスエネルギ指令信号に含まれるパルスエネルギ指令値に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれで増幅された各パルスレーザ光３０の各目標パルスエネルギを新たに決定してもよい。そして、制御部３３０は、当該各第１計測信号に含まれる各第１計測値が、新たな各目標パルスエネルギに近付くように、当該各電流設定値を新たに決定してもよい。
　制御部３３０は、新たな各電流設定値を含む各電流設定信号を第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれに出力して、新たな各電流設定値を第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれに設定してもよい。第１～第４増幅器電源３６１～３６４のそれぞれは、入力された各電流設定信号に含まれる新たな各電流設定値に応じた各放電電流を第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれに供給し得る。第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれは、供給された各放電電流に応じた各励起強度で、入射した各パルスレーザ光３０を増幅し得る。
　なお、制御部３３０の他の構成については、図７に示された制御部３３０と同様であってもよい。 Further, each first measurement signal output from each first sensor 325 of the energy monitors 3201 to 3204 may be input to the control unit 330.
Based on the pulse energy command signal transmitted from the EUV light generation controller 5 and the first measurement signals, the controller 330 controls each of the discharge currents supplied to the first to fourth amplifiers 351 to 354, respectively. The current set value may be newly determined.
Specifically, the control unit 330 sets each target pulse of each pulse laser beam 30 amplified by each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 based on the pulse energy command value included in the pulse energy command signal. A new energy may be determined. Then, the control unit 330 may newly determine each current setting value so that each first measurement value included in each first measurement signal approaches each new target pulse energy.
The control unit 330 outputs each current setting signal including each new current setting value to each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364, and outputs each new current setting value to the first to fourth amplifier power supplies 361. ˜364 may be set. Each of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 supplies each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 with a discharge current corresponding to each new current setting value included in each input current setting signal. Can do. Each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 can amplify each of the incident pulsed laser beams 30 with each excitation intensity corresponding to each supplied discharge current.
Other configurations of the control unit 330 may be the same as those of the control unit 330 shown in FIG.
　第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３の他の構成については、図７～図１０に示された第２実施形態のレーザ装置３の構成と同様であってもよい。 The other configuration of the laser device 3 according to the modification of the second embodiment may be the same as the configuration of the laser device 3 of the second embodiment shown in FIGS.
　［８．２　動作］
　図１２～図１４を用いて、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３のレーザ発振に係る動作について説明する。
　図１２は、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３の動作を説明するための図を示す。図１３は、パルスエネルギ指令値Ｌｔに対応付けられた、第１～第４増幅器３５１～３５４の目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔと第１～第４増幅器電源３６１～３６４の電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣとを説明するための図を示す。
　第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３のレーザ発振に係る処理において、図８及び図１０に示された第２実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る処理と同様の処理ついては説明を省略する。
　制御部３３０は、レーザ装置３のレーザ発振に係る動作として、以下のような処理を行ってもよい。 [8.2 Operation]
The operation related to laser oscillation of the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 12 is a diagram for explaining the operation of the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment. FIG. 13 shows target pulse energies AMP1Lt to AMP4Lt of the first to fourth amplifiers 351 to 354 and current setting values AMP1IC to AMP4IC of the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364, which are associated with the pulse energy command value Lt. The figure for demonstrating is shown.
In the processing related to the laser oscillation of the laser device 3 according to the modification of the second embodiment, the same processing as the processing related to the laser oscillation of the laser device 3 of the second embodiment shown in FIGS. 8 and 10 will be described. Omitted.
The control unit 330 may perform the following processing as an operation related to laser oscillation of the laser device 3.
　ステップＳ４１において、制御部３３０は、図８のステップＳ２１と同様の処理を行ってもよい。 In step S41, the control unit 330 may perform the same processing as in step S21 of FIG.
　ステップＳ４２において、制御部３３０は、修正値α１～α４を初期化すると共に校正周期Ｔｃを読み込んでもよい。
　修正値α１～α４は、エネルギモニタ３２０１～３２０４に含まれる各第１センサ３２５の各第１計測値をそれぞれ修正するための値であってもよい。修正値α１～α４の各初期値は、例えば１であってもよい。修正値α１～α４の初期値は、１以外の予め定められた値であってもよい。修正値α１～α４は、所定の記憶領域に予め記憶されてもよい。
　校正周期Ｔｃは、当該各第１センサ３２５の各第１計測値を校正する周期であってもよく、当該各第１計測値で同じ値であってもよい。 In step S42, the control unit 330 may initialize the correction values α1 to α4 and read the calibration cycle Tc.
The correction values α1 to α4 may be values for correcting the first measurement values of the first sensors 325 included in the energy monitors 3201 to 3204, respectively. Each initial value of the correction values α1 to α4 may be 1, for example. The initial values of the correction values α1 to α4 may be predetermined values other than 1. The correction values α1 to α4 may be stored in advance in a predetermined storage area.
The calibration cycle Tc may be a cycle for calibrating each first measurement value of each first sensor 325, or may be the same value for each first measurement value.
　ステップＳ４３において、制御部３３０は、図８のステップＳ４２と同様の処理を行ってもよい。 In step S43, the control unit 330 may perform the same processing as in step S42 in FIG.
　ステップＳ４４において、制御部３３０は、ステップＳ４１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４で増幅される各パルスレーザ光３０の目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔを決定してもよい。
　制御部３３０は、例えば図１３に示されるように、パルスエネルギ指令値Ｌｔと目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔとの対応関係を示すテーブルを予め記憶してもよい。
　そして、制御部３３０は、当該テーブルを参照し、ステップＳ４１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに対応する目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔを特定することによって、目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔを決定してもよい。
　或いは、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔを独立変数とし、目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔを従属変数とする関数を予め記憶しておき、当該関数を用いて目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔを計算してもよい。 In step S44, the control unit 330 determines target pulse energies AMP1Lt to AMP4Lt of each pulse laser beam 30 to be amplified by the first to fourth amplifiers 351 to 354 based on the pulse energy command value Lt received in step S41. May be.
For example, as shown in FIG. 13, the controller 330 may store in advance a table indicating the correspondence between the pulse energy command value Lt and the target pulse energy AMP1Lt to AMP4Lt.
Then, the control unit 330 may determine the target pulse energy AMP1Lt to AMP4Lt by referring to the table and specifying the target pulse energy AMP1Lt to AMP4Lt corresponding to the pulse energy command value Lt received in step S41. .
Alternatively, the controller 330 stores in advance a function having the pulse energy command value Lt as an independent variable and the target pulse energy AMP1Lt to AMP4Lt as a dependent variable, and calculates the target pulse energy AMP1Lt to AMP4Lt using the function. May be.
　ステップＳ４５において、制御部３３０は、ステップＳ４１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに基づいて、第１～第４増幅器電源３６１～３６４に設定する電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　制御部３３０は、例えば図１３に示されるように、パルスエネルギ指令値Ｌｔと電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣとの対応関係を示すテーブルを予め記憶してもよい。
　そして、制御部３３０は、当該テーブルを参照し、ステップＳ４１で受信したパルスエネルギ指令値Ｌｔに対応する電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを特定することによって、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　或いは、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔを独立変数とし、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを従属変数とする関数を予め記憶しておき、当該関数を用いて電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを計算してもよい。 In step S45, the control unit 330 may determine the current setting values AMP1IC to AMP4IC to be set in the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364 based on the pulse energy command value Lt received in step S41.
For example, as shown in FIG. 13, the control unit 330 may store in advance a table indicating the correspondence between the pulse energy command value Lt and the current setting values AMP1IC to AMP4IC.
The control unit 330 may determine the current setting values AMP1IC to AMP4IC by referring to the table and specifying the current setting values AMP1IC to AMP4IC corresponding to the pulse energy command value Lt received in step S41. .
Alternatively, the control unit 330 stores in advance a function having the pulse energy command value Lt as an independent variable and the current setting values AMP1IC to AMP4IC as dependent variables, and calculates the current setting values AMP1IC to AMP4IC using the function. May be.
　なお、制御部３３０は、ステップＳ４１で受信したパルスエネルギ指令値ＬｔではなくステップＳ４４で決定された目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔに基づいて、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　制御部３３０は、上記と同様に、目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔと電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣとの対応関係を示すテーブルを用いることにより、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを決定してもよい。
　或いは、制御部３３０は、上記と同様に、目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ～ＡＭＰ４Ｌｔのそれぞれを独立変数とし、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを従属変数とする関数を用いることにより、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを計算してもよい。 Note that the controller 330 may determine the current setting values AMP1IC to AMP4IC based on the target pulse energies AMP1Lt to AMP4Lt determined in step S44 instead of the pulse energy command value Lt received in step S41.
Similarly to the above, the controller 330 may determine the current setting values AMP1IC to AMP4IC by using a table indicating the correspondence relationship between the target pulse energies AMP1Lt to AMP4Lt and the current setting values AMP1IC to AMP4IC.
Alternatively, similarly to the above, the control unit 330 calculates the current set values AMP1IC to AMP4IC by using a function having the target pulse energies AMP1Lt to AMP4Lt as independent variables and the current set values AMP1IC to AMP4IC as dependent variables. May be.
　ステップＳ４６～Ｓ４８において、制御部３３０は、図８のステップＳ２５～Ｓ２７と同様の処理を行ってもよい。
　なお、ステップＳ４６において、制御部３３０は、レーザ光出力信号を受信していなければ、受信するまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、レーザ光出力信号を受信したならば、ステップＳ４７に移行してもよい。 In steps S46 to S48, the control unit 330 may perform the same processing as steps S25 to S27 in FIG.
In step S46, the control unit 330 may stand by until a laser beam output signal is not received. On the other hand, if the controller 330 receives the laser beam output signal, the controller 330 may move to step S47.
　ステップＳ４９において、制御部３３０は、エネルギ制御処理を行ってもよい。
　なお、エネルギ制御処理の詳細については、図１４を用いて後述する。 In step S49, the control unit 330 may perform energy control processing.
Details of the energy control process will be described later with reference to FIG.
　ステップＳ５０及びＳ５１において、制御部３３０は、図８のステップＳ２９及びＳ３０と同様の処理を行ってもよい。
　なお、ステップＳ５０において、制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したならば、ステップＳ４３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信していなければ、ステップＳ５１に移行してもよい。
　また、ステップＳ５１において、制御部３３０は、レーザ光出力停止信号を受信していなければ、ステップＳ４９に移行してもよい。一方、制御部３３０は、レーザ光出力停止信号を受信したならば、本処理を終了してもよい。 In steps S50 and S51, the control unit 330 may perform the same processing as steps S29 and S30 in FIG.
In step S50, if control unit 330 receives a new pulse energy command value Lt, control unit 330 may proceed to step S43. On the other hand, if the control unit 330 has not received a new pulse energy command value Lt, the control unit 330 may proceed to step S51.
Moreover, in step S51, the control part 330 may transfer to step S49, if the laser beam output stop signal is not received. On the other hand, if the control unit 330 receives the laser beam output stop signal, the control unit 330 may end this process.
　図１４は、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３に備えられた制御部３３０のエネルギ制御処理を説明するための図を示す。
　制御部３３０は、図１２のステップＳ４９で行うエネルギ制御処理の一例として、以下のような処理を行ってもよい。 FIG. 14 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit 330 provided in the laser device 3 according to the modification of the second embodiment.
The control unit 330 may perform the following process as an example of the energy control process performed in step S49 of FIG.
　ステップＳ４９１において、制御部３３０は、タイマ３３１によって計時される時間である計時値Ｔｔを、Ｔｔ＝０として初期化してもよい。加えて、制御部３３０は、引数Ｎを、Ｎ＝１として初期化してもよい。
　引数Ｎは、第１～第４増幅器３５１～３５４、第１～第４増幅器電源３６１～３６４、及びエネルギモニタ３２０１～３２０４、並びに、これらの構成要素に含まれる内部構成、並びに、これらの構成要素に係る各種情報に対応付けられた番号であってもよい。引数Ｎは、これらの構成要素の上流側からの配置順番、すなわちパルスレーザ光３０が増幅される順番に従って１ずつ増加するように対応付けられた番号であってもよい。
　例えば、引数Ｎ＝１には、最上流側に配置された、第１増幅器３５１、第１増幅器電源３６１、及びエネルギモニタ３２０１が対応付けられてもよい。更に、引数Ｎ＝１には、第１計測値Ｌｍｈ１、第２計測値Ｌｍｓ１、電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ、目標パルスエネルギＡＭＰ１Ｌｔ、及び修正値α１等が対応付けられてもよい。引数Ｎ＝２～４についても同様であってもよい。 In step S491, the control unit 330 may initialize a time measurement value Tt, which is a time measured by the timer 331, as Tt = 0. In addition, the control unit 330 may initialize the argument N as N = 1.
The argument N is the first to fourth amplifiers 351 to 354, the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364, and the energy monitors 3201 to 3204, the internal configurations included in these components, and these components It may be a number associated with various types of information. The argument N may be a number associated with each component so as to increase by 1 in accordance with the arrangement order of these components from the upstream side, that is, the order in which the pulse laser beam 30 is amplified.
For example, the first amplifier 351, the first amplifier power supply 361, and the energy monitor 3201 that are arranged on the most upstream side may be associated with the argument N = 1. Further, the argument N = 1 may be associated with the first measurement value Lmh1, the second measurement value Lms1, the current set value AMP1IC, the target pulse energy AMP1Lt, the correction value α1, and the like. The same may be applied to the arguments N = 2 to 4.
　ステップＳ４９２において、制御部３３０は、制御部３３０は、タイマ３３１によって計時値Ｔｔの計時を開始してもよい。 In step S492, the control unit 330 may cause the control unit 330 to start measuring the time value Tt by the timer 331.
　ステップＳ４９３において、制御部３３０は、現在の引数Ｎに対応する第１センサ３２５から第１計測値ＬｍｈＮが入力されたか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、当該第１計測値ＬｍｈＮが入力されていなければ、入力されるまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、当該第１計測値ＬｍｈＮが入力されたならば、ステップＳ４９４に移行してもよい。 In step S493, the control unit 330 may determine whether or not the first measurement value LmhN is input from the first sensor 325 corresponding to the current argument N.
If the first measurement value LmhN is not input, the controller 330 may wait until it is input. On the other hand, if the first measurement value LmhN is input, the control unit 330 may move to step S494.
　ステップＳ４９４において、制御部３３０は、ステップＳ４９３で入力された第１計測値ＬｍｈＮを、現在の引数Ｎに対応する修正値αＮを用いて修正してもよい。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、ステップＳ４９３で入力された第１計測値ＬｍｈＮを修正してもよい。
　　ＬｍｈＮ＝αＮ・ＬｍｈＮ In step S494, the control unit 330 may correct the first measurement value LmhN input in step S493 using the correction value αN corresponding to the current argument N.
The control unit 330 may correct the first measurement value LmhN input in step S493 by performing the following calculation.
LmhN = αN · LmhN
　ステップＳ４９５において、制御部３３０は、現在の引数Ｎに対応する目標パルスエネルギＡＭＰＮＬｔ及び第１計測値ＬｍｈＮに基づいて、現在の引数Ｎに対応する第Ｎ増幅器電源に設定する新たな電流設定値ＡＭＰＮＩＣを決定してもよい。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、現在の引数Ｎに対応する第Ｎ増幅器電源に設定する新たな電流設定値ＡＭＰＮＩＣを決定してもよい。
　　ＡＭＰＮＩＣ＝ＡＭＰＮＩＣ＋ｇ３（ＡＭＰＮＬｔ－ＬｍｈＮ）
　上記右辺の（ＡＭＰＮＬｔ－ＬｍｈＮ）は、図１２のステップＳ４４で決定された目標パルスエネルギＡＭＰＮＬｔと、ステップＳ４９４で修正された第１計測値ＬｍｈＮとの差分であり得る。
　上記右辺の関数ｇ３は、パルスレーザ光３０のパルエネルギと現在の引数Ｎに対応する第Ｎ増幅器電源の電流設定値との関係を実験等により予め求めて取得された関数であってもよい。当該差分（ＡＭＰＮＬｔ－Ｌｍｈ）＝０であるとき、関数ｇ３はｇ３（０）＝０であってもよい。
　上記式のような計算により、制御部３３０は、修正後の第１計測値ＬｍｈＮが目標パルスエネルギＡＭＰＮＬｔに近付くよう、第Ｎ増幅器電源に設定する新たな電流設定値ＡＭＰＮＩＣを決定し得る。制御部３３０は、修正後の第１計測値ＬｍｈＮが目標パルスエネルギＡＭＰＮＬｔに一致する場合は、既に設定されている電流設定値ＡＭＰＮＩＣを維持し得る。 In step S495, the controller 330 sets a new current set value AMPNIC to be set for the Nth amplifier power supply corresponding to the current argument N based on the target pulse energy AMPNLt corresponding to the current argument N and the first measured value LmhN. May be determined.
The control unit 330 may determine a new current setting value AMPNIC to be set in the Nth amplifier power supply corresponding to the current argument N by performing a calculation such as the following equation.
AMPNIC = AMPNIC + g 3 (AMPNLt−LmhN)
(AMPNLt−LmhN) on the right side may be a difference between the target pulse energy AMPNLt determined in step S44 of FIG. 12 and the first measured value LmhN corrected in step S494.
Function g 3 of the right side, may be a function that is acquired in advance determined by experiments or the like the relationship between the current set value of the N amplifier power corresponding to pulse energy and current argument N of the pulse laser beam 30 . When the difference (AMPNLt−Lmh) = 0, the function g 3 may be g 3 (0) = 0.
By calculation like the above formula, the control unit 330 can determine a new current set value AMPNIC to be set for the Nth amplifier power supply so that the corrected first measured value LmhN approaches the target pulse energy AMPNLt. When the corrected first measurement value LmhN matches the target pulse energy AMPNLt, the control unit 330 can maintain the current setting value AMPNIC that has already been set.
　ステップＳ４９６において、制御部３３０は、ステップＳ４９５で決定された新たな電流設定値ＡＭＰＮＩＣに応じた電流設定信号を生成し、現在の引数Ｎに対応する第Ｎ増幅器電源に出力してもよい。
　第Ｎ増幅器電源には、ステップＳ４９５で決定された新たな電流設定値ＡＭＰＮＩＣが設定され得る。第Ｎ増幅器電源は、当該電流設定値ＡＭＰＮＩＣに応じた新たな放電電流を現在の引数Ｎに対応する第Ｎ増幅器に供給し得る。第Ｎ増幅器は、供給された放電電流に応じた新たな励起強度で、入射したパルスレーザ光３０を増幅し得る。 In step S496, the control unit 330 may generate a current setting signal corresponding to the new current setting value AMPNIC determined in step S495, and output the current setting signal to the Nth amplifier power supply corresponding to the current argument N.
A new current set value AMPNIC determined in step S495 can be set in the Nth amplifier power source. The Nth amplifier power supply can supply a new discharge current corresponding to the current set value AMPNIC to the Nth amplifier corresponding to the current argument N. The Nth amplifier can amplify the incident pulsed laser light 30 with a new excitation intensity corresponding to the supplied discharge current.
　ステップＳ４９７において、制御部３３０は、引数Ｎを更新してもよい。
　制御部３３０は、引数Ｎを次式のようにインクリメントすることによって更新してもよい。
　　Ｎ＝Ｎ＋１
　上記式のように更新することで、ステップＳ４９３～Ｓ４９６の処理は、最も上流側に配置されたエネルギモニタ３２０１の第１計測値Ｌｍｈ１や第１増幅器電源３６１の電流設定値ＡＭＰ１ＩＣから順番に行われ得る。すなわち、第１計測値ＬｍｈＮや電流設定値ＡＭＰＮＩＣは、パルスレーザ光３０が増幅される順番に従って修正され得る。それにより、制御部３３０は、第１計測値ＬｍｈＮや電流設定値ＡＭＰＮＩＣの修正量を抑制し得る。その結果、第１～第４増幅器３５１～３５４には、放電電流が効率的に供給され得ると共に、放電電流の供給量の変動が抑制され得る。 In step S497, the control unit 330 may update the argument N.
The control unit 330 may update the argument N by incrementing as in the following equation.
N = N + 1
By updating as in the above equation, the processing of steps S493 to S496 is performed in order from the first measured value Lmh1 of the energy monitor 3201 arranged on the most upstream side and the current set value AMP1IC of the first amplifier power supply 361. obtain. That is, the first measurement value LmhN and the current setting value AMPNIC can be corrected according to the order in which the pulse laser beam 30 is amplified. Thereby, the control part 330 can suppress the correction amount of the 1st measured value LmhN and the electric current setting value AMPNIC. As a result, a discharge current can be efficiently supplied to the first to fourth amplifiers 351 to 354, and fluctuations in the supply amount of the discharge current can be suppressed.
　ステップＳ４９８において、制御部３３０は、ステップＳ４９７で更新された引数ＮがＮ＝４であるか否かを判定してもよい。
　引数Ｎが、Ｎ＝４であるとは、第１計測値Ｌｍｈ１～Ｌｍｈ４や電流設定値ＡＭＰ１ＩＣ～ＡＭＰ４ＩＣを全て修正したことを意味し得る。
　制御部３３０は、当該引数Ｎが、Ｎ＝４でなければ、ステップＳ４９３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、当該引数Ｎが、Ｎ＝４であれば、ステップＳ４９９に移行してもよい。 In step S498, the control unit 330 may determine whether or not the argument N updated in step S497 is N = 4.
The argument N being N = 4 may mean that the first measurement values Lmh1 to Lmh4 and the current setting values AMP1IC to AMP4IC have all been corrected.
If the argument N is not N = 4, the control unit 330 may move to step S493. On the other hand, if the argument N is N = 4, the control unit 330 may move to step S499.
　ステップＳ４９９において、制御部３３０は、ステップＳ４９２で計時が開始されたタイマ３３１の計時値Ｔｔが、図１２のステップＳ４２で読み込まれた校正周期Ｔｃに到達したか否かを判定してもよい。
　制御部３３０は、当該計時値Ｔｔが次式を満たすか否かを判定することによって、当該計時値Ｔｔが当該校正周期Ｔｃに到達したか否かを判定してもよい。
　　Ｔｔ≧Ｔｃ
　制御部３３０は、当該計時値Ｔｔが上記式を満たさないならば、第１計測値ＬｍｈＮを校正するタイミングが到来していないと判断し、ステップＳ４９３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、当該計時値Ｔｔが上記式を満たすならば、第１計測値ＬｍｈＮを校正するタイミングが到来したと判断し、ステップＳ５００に移行してもよい。 In step S499, the control unit 330 may determine whether or not the measured value Tt of the timer 331, which has started counting in step S492, has reached the calibration cycle Tc read in step S42 of FIG.
The controller 330 may determine whether or not the time value Tt has reached the calibration cycle Tc by determining whether or not the time value Tt satisfies the following equation.
Tt ≧ Tc
If the time measured value Tt does not satisfy the above equation, the control unit 330 may determine that the timing for calibrating the first measured value LmhN has not arrived, and may proceed to step S493. On the other hand, the controller 330 may determine that the timing for calibrating the first measured value LmhN has arrived if the measured time value Tt satisfies the above equation, and may proceed to step S500.
　ステップＳ５００において、制御部３３０は、引数Ｎを、Ｎ＝１として初期化してもよい。 In step S500, the control unit 330 may initialize the argument N as N = 1.
　ステップＳ５０１において、制御部３３０は、現在の引数Ｎに対応する第２センサ３２６から出力された第２計測値ＬｍｓＮを読み込んでもよい。 In step S501, the control unit 330 may read the second measured value LmsN output from the second sensor 326 corresponding to the current argument N.
　ステップＳ５０２において、制御部３３０は、ステップＳ５０１で読み込まれた第２計測値ＬｍｓＮに基づいて、現在の引数Ｎに対応する修正値αＮを更新してもよい。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、修正値αＮを更新してもよい。
　　αＮ＝ｆ３（ＬｍｓＮ、ＬｍｈＮ）
　上記右辺の関数ｆ３は、例えばｆ３（ＬｍｓＮ、ＬｍｈＮ）＝ＬｍｓＮ／ＬｍｈＮであってもよい。
　修正値αＮを更新すると当該修正値αＮを用いて修正される第１計測値ＬｍｈＮは、間接的に校正され得る。このため、制御部３３０は、図６のステップＳ１６９で説明したように、第２計測値ＬｍｓＮに基づいて修正値αＮを更新することによって、第２計測値ＬｍｓＮに基づいて第１計測値ＬｍｈＮを校正し得る。 In step S502, the control unit 330 may update the correction value αN corresponding to the current argument N based on the second measurement value LmsN read in step S501.
The control unit 330 may update the correction value αN by calculating as in the following equation.
αN = f 3 (LmsN, LmhN)
The function f 3 on the right side may be, for example, f 3 (LmsN, LmhN) = LmsN / LmhN.
When the correction value αN is updated, the first measurement value LmhN corrected using the correction value αN can be calibrated indirectly. Therefore, as described in step S169 of FIG. 6, the control unit 330 updates the correction value αN based on the second measurement value LmsN, thereby obtaining the first measurement value LmhN based on the second measurement value LmsN. Can be calibrated.
　ステップＳ５０３において、制御部３３０は、引数Ｎを更新してもよい。
　制御部３３０は、ステップＳ４９７と同様に、引数Ｎを次式のようにインクリメントすることによって更新してもよい。
　　Ｎ＝Ｎ＋１
　上記式のように更新することで、ステップＳ５０１及びＳ５０２の処理は、最も上流側に配置されたエネルギモニタ３２０１の第２計測値Ｌｍｓ１や修正値α１から順番に行われ得る。すなわち、修正値αＮは、パルスレーザ光３０が増幅される順番に従って更新され、第１計測値ＬｍｈＮは、パルスレーザ光３０が増幅される順番に従って校正され得る。それにより、制御部３３０は、第１計測値ＬｍｈＮの校正量を抑制し得る。その結果、第１～第４増幅器３５１～３５４には、放電電流が効率的に供給され得ると共に、放電電流の供給量の変動が抑制され得る。 In step S503, the control unit 330 may update the argument N.
Similarly to step S497, the control unit 330 may update the argument N by incrementing as follows.
N = N + 1
By updating as in the above equation, the processing in steps S501 and S502 can be performed in order from the second measurement value Lms1 and the correction value α1 of the energy monitor 3201 arranged on the most upstream side. That is, the correction value αN can be updated according to the order in which the pulse laser light 30 is amplified, and the first measurement value LmhN can be calibrated according to the order in which the pulse laser light 30 is amplified. Thereby, the control part 330 can suppress the calibration amount of the 1st measured value LmhN. As a result, a discharge current can be efficiently supplied to the first to fourth amplifiers 351 to 354, and fluctuations in the supply amount of the discharge current can be suppressed.
　ステップＳ５０４において、制御部３３０は、ステップＳ５０３で更新された引数ＮがＮ＝４であるか否かを判定してもよい。
　引数Ｎが、Ｎ＝４であるとは、修正値αＮを全て更新したことを意味し得る。
　制御部３３０は、当該引数Ｎが、Ｎ＝４でなければ、ステップＳ５０１に移行してもよい。一方、制御部３３０は、当該引数Ｎが、Ｎ＝４であれば、本処理を終了してもよい。 In step S504, the control unit 330 may determine whether or not the argument N updated in step S503 is N = 4.
The argument N being N = 4 may mean that all the correction values αN have been updated.
If the argument N is not N = 4, the control unit 330 may move to step S501. On the other hand, if the argument N is N = 4, the control unit 330 may end the process.
　ステップＳ５０４の後、制御部３３０は、エネルギ制御処理を終了して、図１２のステップＳ５０に移行してもよい。
　制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ４９５において、校正された第１計測値ＬｍｈＮに基づいて、第Ｎ増幅器電源に設定する新たな電流設定値ＡＭＰＮＩＣを決定し得る。そして、制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ４９６において、校正された第１計測値ＬｍｈＮに基づいて決定された当該電流設定値ＡＭＰＮＩＣを、第Ｎ増幅器電源に設定し得る。すると、第Ｎ増幅器電源は、当該電流設定値ＡＭＰＮＩＣに応じた新たな放電電流を第Ｎ増幅器に供給し得る。第Ｎ増幅器は、供給された放電電流に応じた新たな励起強度で、パルスレーザ光３０を増幅し得る。
　このように、制御部３３０は、校正された第１計測値ＬｍｈＮに基づいて、第Ｎ増幅器の励起強度を制御し得る。言い換えると、制御部３３０は、校正された第１計測値１～４に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれの励起強度を制御し得る。 After step S504, the controller 330 may end the energy control process and proceed to step S50 in FIG.
In step S495 of the next energy control process, the control unit 330 can determine a new current setting value AMPNIC to be set for the Nth amplifier power supply based on the calibrated first measurement value LmhN. Then, in step S496 of the next energy control process, the controller 330 can set the current set value AMPNIC determined based on the calibrated first measurement value LmhN as the Nth amplifier power supply. Then, the Nth amplifier power supply can supply a new discharge current corresponding to the current set value AMPNIC to the Nth amplifier. The Nth amplifier can amplify the pulsed laser light 30 with a new excitation intensity corresponding to the supplied discharge current.
Thus, the control unit 330 can control the excitation intensity of the Nth amplifier based on the calibrated first measurement value LmhN. In other words, the control unit 330 can control the excitation intensity of each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 based on the calibrated first measurement values 1 to 4.
　［８．３　作用］
　第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、第２実施形態のレーザ装置３と同様に、１パルス毎の計測が可能な第１センサ３２５の感度特性が変化することによって当該第１センサ３２５の第１計測値に発生する誤差を定期的に補正し得る。
　それにより、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に正確に計測し得る。 [8.3 Action]
Similar to the laser device 3 of the second embodiment, the laser device 3 according to the modification of the second embodiment changes the sensitivity characteristic of the first sensor 325 that can measure every pulse, thereby changing the first sensor. An error occurring in the first measurement value of 325 can be periodically corrected.
Thereby, the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can accurately measure the pulse energy of the pulsed laser light 30 for each pulse even in a state of continuous operation at a high repetition frequency.
　更に、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、校正された第１計測値１～４に基づいて、第１～第４増幅器３５１～３５４のそれぞれの励起強度を制御し得る。
　それにより、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に更に精度よく制御し得る。
　したがって、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、更にエネルギ安定性に優れたパルスレーザ光３１を出力することができる。
　その結果、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３を用いたＥＵＶ光生成装置１は、更に安定したＥＵＶ光を生成し得る。 Furthermore, the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can control the excitation intensity of each of the first to fourth amplifiers 351 to 354 based on the calibrated first measurement values 1 to 4.
Thereby, the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can control the pulse energy of the pulsed laser light 30 more accurately for each pulse even in a state of continuous operation at a high repetition frequency.
Therefore, the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can output the pulsed laser light 31 with further excellent energy stability.
As a result, the EUV light generation apparatus 1 using the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can generate more stable EUV light.
　また、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、パルスレーザ光３０が増幅される順番に従って、第１～第４増幅器３５１～３５４の励起強度の制御や、第１計測値１～４の校正を行い得る。
　それにより、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、第１～第４増幅器３５１～３５４の励起強度の変動量や、第１計測値１～４の校正量を抑制し得る。それにより、第１～第４増幅器３５１～３５４には、放電電流が効率的に供給され得ると共に、放電電流の供給量の変動が抑制され得る。
　したがって、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３は、より一層エネルギ安定性に優れたパルスレーザ光３１を出力することができる。
　その結果、第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３を用いたＥＵＶ光生成装置１は、より一層安定したＥＵＶ光を生成し得る。 The laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment controls the excitation intensity of the first to fourth amplifiers 351 to 354 and the first measurement values 1 to 4 according to the order in which the pulsed laser light 30 is amplified. Can be calibrated.
Thereby, the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can suppress the fluctuation amount of the excitation intensity of the first to fourth amplifiers 351 to 354 and the calibration amount of the first measurement values 1 to 4. As a result, the first to fourth amplifiers 351 to 354 can be efficiently supplied with the discharge current, and fluctuations in the supply amount of the discharge current can be suppressed.
Therefore, the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment can output the pulsed laser light 31 with further excellent energy stability.
As a result, the EUV light generation apparatus 1 using the laser device 3 according to the modification of the second embodiment can generate more stable EUV light.
［９．第３実施形態のレーザ装置］
　図１５～図１７を用いて、第３実施形態のレーザ装置３について説明する。
　第３実施形態のレーザ装置３は、エネルギモニタ３２０及び制御部３３０の構成が、図３に示された第１実施形態のレーザ装置３と異なってもよい。
　第３実施形態のレーザ装置３の構成において、図３に示された第３実施形態のレーザ装置３と同様の構成については説明を省略する。 [9. Laser Device of Third Embodiment]
The laser apparatus 3 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
The laser device 3 of the third embodiment may be different from the laser device 3 of the first embodiment shown in FIG. 3 in the configuration of the energy monitor 320 and the control unit 330.
In the configuration of the laser device 3 of the third embodiment, the description of the same configuration as the laser device 3 of the third embodiment shown in FIG. 3 is omitted.
　［９．１　構成］
　図１５は、第３実施形態のレーザ装置３の構成を説明するための図を示す。
　第３実施形態のレーザ装置３は、第１センサ３２５の第１計測値を、第２センサ３２６の第２計測値に基づいて校正するのではく、第１センサ３２５の素子温度に基づいて校正してもよい。
　図１５のエネルギモニタ３２０は、ビームスプリッタ３２１と、第１センサ３２５と、温度センサ３２７とを含んでもよい。 [9.1 Configuration]
FIG. 15 is a diagram for explaining the configuration of the laser apparatus 3 according to the third embodiment.
The laser apparatus 3 according to the third embodiment calibrates the first measurement value of the first sensor 325 based on the element temperature of the first sensor 325 instead of calibrating the first measurement value of the first sensor 325 based on the second measurement value of the second sensor 326. May be.
The energy monitor 320 in FIG. 15 may include a beam splitter 321, a first sensor 325, and a temperature sensor 327.
　温度センサ３２７は、第１センサ３２５の素子温度を計測するためセンサであってもよい。温度センサ３２７は、例えば熱電対温度計、白金抵抗温度計、放射温度計、又は蛍光温度計によって構成されてもよい。
　温度センサ３２７は、制御部３３０に接続されてもよい。温度センサ３２７は、計測された第１センサ３２５の素子温度に関する温度計測信号を制御部３３０に出力してもよい。
　温度センサ３２７は、その応答時間が、発振器３１０によって出力されるパルスレーザ光３０の繰り返し周期である第１周期以上であってもよい。温度センサ３２７は、その応答時間が、発振器３１０によって出力されるパルスレーザ光３０の繰り返し周期である第１周期未満であってもよい。
　エネルギモニタ３２０の他の構成については、図３に示されたエネルギモニタ３２０の構成と同様であってもよい。 The temperature sensor 327 may be a sensor for measuring the element temperature of the first sensor 325. The temperature sensor 327 may be constituted by, for example, a thermocouple thermometer, a platinum resistance thermometer, a radiation thermometer, or a fluorescence thermometer.
The temperature sensor 327 may be connected to the control unit 330. The temperature sensor 327 may output a temperature measurement signal related to the measured element temperature of the first sensor 325 to the control unit 330.
The temperature sensor 327 may have a response time equal to or longer than a first period that is a repetition period of the pulsed laser light 30 output by the oscillator 310. The response time of the temperature sensor 327 may be less than a first period that is a repetition period of the pulsed laser light 30 output by the oscillator 310.
Other configurations of the energy monitor 320 may be the same as the configuration of the energy monitor 320 shown in FIG.
　制御部３３０には、図３に示された制御部３３０と同様に、第１センサ３２５から出力された第１計測信号が入力されてもよい。
　制御部３３０には、温度センサ３２７から出力された温度計測信号が入力されてもよい。
　制御部３３０は、当該温度計測信号に含まれる第１センサ３２５の素子温度に基づいて、当該第１計測信号に含まれる第１計測値を校正してもよい。言い換えると、制御部３３０は、温度センサ３２７の計測値である素子温度に基づいて、第１センサ３２５の計測値である第１計測値を校正してもよい。
　制御部３３０は、温度センサ３２７の応答時間が第１周期以上であれば、図３に示された制御部３３０と同様に、第１周期よりも長い所定の校正周期である第２周期で第１センサ３２５の第１計測値を校正してもよい。
　制御部３３０は、温度センサ３２７の応答時間が第１周期未満であれば、１パルス毎に第１センサ３２５の第１計測値を校正してもよい。
　制御部３３０の他の構成については、図３に示された制御部３３０の構成と同様であってもよい。 Similarly to the control unit 330 illustrated in FIG. 3, the first measurement signal output from the first sensor 325 may be input to the control unit 330.
A temperature measurement signal output from the temperature sensor 327 may be input to the control unit 330.
The control unit 330 may calibrate the first measurement value included in the first measurement signal based on the element temperature of the first sensor 325 included in the temperature measurement signal. In other words, the control unit 330 may calibrate the first measurement value that is the measurement value of the first sensor 325 based on the element temperature that is the measurement value of the temperature sensor 327.
If the response time of the temperature sensor 327 is equal to or longer than the first period, the control unit 330, in the second period, which is a predetermined calibration period longer than the first period, similarly to the control unit 330 shown in FIG. The first measurement value of one sensor 325 may be calibrated.
The control unit 330 may calibrate the first measurement value of the first sensor 325 for each pulse if the response time of the temperature sensor 327 is less than the first period.
Other configurations of the control unit 330 may be the same as the configuration of the control unit 330 illustrated in FIG. 3.
　なお、第３実施形態のレーザ装置３の他の構成については、図３に示された第１実施形態のレーザ装置３の構成と同様であってもよい。 In addition, about the other structure of the laser apparatus 3 of 3rd Embodiment, it may be the same as that of the structure of the laser apparatus 3 of 1st Embodiment shown by FIG.
　［９．２　動作］
　図１６及び図１７を用いて、第３実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る動作について説明する。
　図１６及び図１７では、第１センサ３２５の第１計測値を１パルス毎に校正する場合の制御部３３０の処理について説明する。
　図１６は、第３実施形態のレーザ装置３の動作を説明するための図を示す。
　第３実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る処理において、図４及び図６に示された第１実施形態のレーザ装置３のレーザ発振に係る処理と同様の処理ついては説明を省略する。
　制御部３３０は、レーザ装置３のレーザ発振に係る動作として、以下のような処理を行ってもよい。 [9.2 Operation]
The operation related to the laser oscillation of the laser device 3 according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
16 and 17, the process of the control unit 330 when the first measurement value of the first sensor 325 is calibrated for each pulse will be described.
FIG. 16 is a diagram for explaining the operation of the laser device 3 of the third embodiment.
In the processing related to the laser oscillation of the laser device 3 of the third embodiment, the description of the processing similar to the processing related to the laser oscillation of the laser device 3 of the first embodiment shown in FIGS. 4 and 6 is omitted.
The control unit 330 may perform the following processing as an operation related to laser oscillation of the laser device 3.
　ステップＳ６１において、制御部３３０は、図４のステップＳ１１と同様の処理を行ってもよい。
　なお、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔを受信していなければ、受信するまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、パルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したならば、ステップＳ６２に移行してもよい。 In step S61, the control unit 330 may perform the same process as in step S11 of FIG.
Note that the control unit 330 may stand by until the pulse energy command value Lt is not received. On the other hand, if the control unit 330 receives the pulse energy command value Lt, the control unit 330 may move to step S62.
　ステップＳ６２において、制御部３３０は、修正値αを、α＝１として初期化してもよい。
　第１計測値を１パルス毎に校正する処理では、制御部３３０は、校正周期Ｔｃを読み込まなくてもよい。 In step S62, the control unit 330 may initialize the correction value α as α = 1.
In the process of calibrating the first measurement value for each pulse, the control unit 330 may not read the calibration cycle Tc.
　ステップＳ６３～Ｓ６８において、制御部３３０は、図４のステップＳ１３～Ｓ１８と同様の処理を行ってもよい。
　なお、ステップＳ６４において、制御部３３０は、レーザ光出力信号を受信していなければ、受信するまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、レーザ光出力信号を受信したならば、ステップＳ６５に移行してもよい。
　また、ステップＳ６７において、制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信したならば、ステップＳ６３に移行してもよい。一方、制御部３３０は、新たなパルスエネルギ指令値Ｌｔを受信していなければ、ステップＳ６８に移行してもよい。
　また、ステップＳ６８において、制御部３３０は、レーザ光出力停止信号を受信していなければ、ステップＳ６６に移行してもよい。一方、制御部３３０は、レーザ光出力停止信号を受信したならば、本処理を終了してもよい。 In steps S63 to S68, the control unit 330 may perform the same processing as steps S13 to S18 in FIG.
In step S64, the control unit 330 may stand by until a laser beam output signal is not received. On the other hand, if the controller 330 receives the laser beam output signal, the controller 330 may move to step S65.
In Step S67, control part 330 may shift to Step S63, if new pulse energy command value Lt is received. On the other hand, if control unit 330 has not received a new pulse energy command value Lt, control unit 330 may proceed to step S68.
In step S68, if the control unit 330 has not received the laser light output stop signal, the control unit 330 may proceed to step S66. On the other hand, if the control unit 330 receives the laser beam output stop signal, the control unit 330 may end this process.
　図１７は、第３実施形態のレーザ装置３に備えられた制御部３３０のエネルギ制御処理を説明するための図を示す。
　制御部３３０は、図１６のステップＳ６６で行うエネルギ制御処理の一例として、以下のような処理を行ってもよい。 FIG. 17 is a diagram for explaining the energy control process of the control unit 330 provided in the laser apparatus 3 of the third embodiment.
The control unit 330 may perform the following process as an example of the energy control process performed in step S66 of FIG.
　ステップＳ６６１において、制御部３３０は、温度センサ３２７から出力された素子温度ｔｓを読み込んでもよい。
　制御部３３０は、１パルス毎に当該素子温度ｔｓを読み込んでもよい。 In step S661, the control unit 330 may read the element temperature ts output from the temperature sensor 327.
The controller 330 may read the element temperature ts for each pulse.
　ステップＳ６６２において、制御部３３０は、図６のステップＳ１６３と同様の処理を行ってもよい。
　なお、制御部３３０は、第１計測値Ｌｍｈが入力されていなければ、入力されるまで待機してもよい。一方、制御部３３０は、当該第１計測値Ｌｍｈが入力されたならば、ステップＳ６６３に移行してもよい。 In step S662, the control unit 330 may perform the same process as in step S163 of FIG.
If the first measurement value Lmh is not input, the control unit 330 may wait until the first measurement value Lmh is input. On the other hand, if the first measurement value Lmh is input, the control unit 330 may proceed to step S663.
　ステップＳ６６３において、制御部３３０は、ステップＳ６６１で読み込まれた素子温度ｔｓに基づいて修正値αを更新してもよい。
　修正値αを更新すると、当該修正値αを用いて修正される第１計測値Ｌｍｈは、間接的に校正され得る。すなわち、制御部３３０は、素子温度ｔｓに基づいて修正値αを更新することによって、素子温度ｔｓに基づいて第１計測値Ｌｍｈを校正し得る。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、修正値αを更新してもよい。
　　α＝ｈ（ｔｓ、Ｌｍｈ）
　上記右辺の関数ｈは、第１センサ３２５の素子温度ｔｓに対する第１センサ３２５の出力特性に基づいて決定された関数であってもよい。
　或いは、上記右辺の関数ｈは、素子温度ｔｓと第１計測値Ｌｍｈとの関係を実験等により予め求めて取得された関数であってもよい。 In step S663, the control unit 330 may update the correction value α based on the element temperature ts read in step S661.
When the correction value α is updated, the first measurement value Lmh corrected using the correction value α can be calibrated indirectly. That is, the control unit 330 can calibrate the first measurement value Lmh based on the element temperature ts by updating the correction value α based on the element temperature ts.
The control unit 330 may update the correction value α by calculating as in the following equation.
α = h (ts, Lmh)
The function h on the right side may be a function determined based on the output characteristics of the first sensor 325 with respect to the element temperature ts of the first sensor 325.
Alternatively, the function h on the right side may be a function obtained by previously obtaining the relationship between the element temperature ts and the first measured value Lmh by an experiment or the like.
　ステップＳ６６４において、制御部３３０は、ステップＳ６６２で入力された第１計測値Ｌｍｈを、ステップＳ６６３で更新された修正値αを用いて修正してもよい。
　制御部３３０は、次式のような計算をすることで、ステップＳ６６２で入力された第１計測値Ｌｍｈを修正してもよい。
　　Ｌｍｈ＝α・Ｌｍｈ In step S664, the control unit 330 may correct the first measurement value Lmh input in step S662 using the correction value α updated in step S663.
The control unit 330 may correct the first measurement value Lmh input in step S662 by performing a calculation like the following equation.
Lmh = α · Lmh
　ステップＳ６６５及びＳ６６６において、制御部３３０は、図６のステップＳ１６５及びＳ１６６と同様の処理を行ってもよい。 In steps S665 and S666, the control unit 330 may perform the same processing as in steps S165 and S166 of FIG.
　ステップＳ６６６の後、制御部３３０は、エネルギ制御処理を終了して、図１６のステップＳ６７に移行してもよい。
　制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ６６５において、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて、発振器３１０に設定する新たな励起強度ＭＯＩを決定し得る。そして、制御部３３０は、次回のエネルギ制御処理のステップＳ６６６において、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて決定された当該励起強度ＭＯＩを、発振器３１０に設定し得る。
　このように、制御部３３０は、校正された第１計測値Ｌｍｈに基づいて、発振器３１０の励起強度ＭＯＩを制御し得る。 After step S666, the control unit 330 may end the energy control process and proceed to step S67 in FIG.
In step S665 of the next energy control process, the control unit 330 can determine a new excitation intensity MOI to be set in the oscillator 310 based on the calibrated first measurement value Lmh. Then, the control unit 330 can set the excitation intensity MOI determined based on the calibrated first measurement value Lmh in the oscillator 310 in step S666 of the next energy control process.
Thus, the control unit 330 can control the excitation intensity MOI of the oscillator 310 based on the calibrated first measurement value Lmh.
　［９．３　作用］
　第３実施形態のレーザ装置３は、第１実施形態のレーザ装置３と同様に、１パルス毎の計測が可能な第１センサ３２５の感度特性が変化することによって当該第１センサ３２５の第１計測値に発生する誤差を補正し得る。
　しかも、第３実施形態のレーザ装置３は、温度センサ３２７という比較的簡単な構成で、第１センサ３２５の第１計測値に発生する誤差を補正し得る。
　それにより、第３実施形態のレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを、簡単な構成で１パルス毎に正確に計測し得る。 [9.3 Action]
Similarly to the laser device 3 of the first embodiment, the laser device 3 of the third embodiment changes the sensitivity characteristic of the first sensor 325 that can measure for each pulse, thereby changing the first of the first sensor 325. An error occurring in the measurement value can be corrected.
Moreover, the laser device 3 of the third embodiment can correct an error occurring in the first measurement value of the first sensor 325 with a relatively simple configuration of the temperature sensor 327.
Thereby, the laser apparatus 3 of 3rd Embodiment can measure the pulse energy of the pulsed laser beam 30 correctly for every pulse with a simple structure even in the state of continuous operation at a high repetition frequency.
　更に、第３実施形態のレーザ装置３は、第１実施形態のレーザ装置３と同様に、校正された当該第１センサ３２５の第１計測値に基づいて発振器３１０の励起強度を制御し得る。
　それにより、第３実施形態のレーザ装置３は、高繰り返し周波数で連続運転した状態であっても、パルスレーザ光３０のパルスエネルギを１パルス毎に精度よく制御し得る。
　したがって、第３実施形態のレーザ装置３は、エネルギ安定性に優れたパルスレーザ光３０を出力することができる。
　その結果、第３実施形態のレーザ装置３を用いたレーザ加工機７は、安定的に所望の品質でレーザ加工を行い得る。 Furthermore, the laser apparatus 3 of the third embodiment can control the excitation intensity of the oscillator 310 based on the calibrated first measurement value of the first sensor 325, similarly to the laser apparatus 3 of the first embodiment.
Thereby, the laser device 3 of the third embodiment can accurately control the pulse energy of the pulsed laser light 30 for each pulse even in a state of continuous operation at a high repetition frequency.
Therefore, the laser device 3 of the third embodiment can output the pulsed laser light 30 having excellent energy stability.
As a result, the laser processing machine 7 using the laser device 3 of the third embodiment can stably perform laser processing with desired quality.
［１０．その他］
　［１０．１　各制御部のハードウェア環境］
　当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。 [10. Others]
[10.1 Hardware environment of each control unit]
Those skilled in the art will appreciate that the subject matter described herein can be implemented by combining program modules or software applications with a general purpose computer or programmable controller. Generally, program modules include routines, programs, components, data structures, etc. that can perform the processes described in this disclosure.
　図１８は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウェア環境を示すブロック図である。図１８の例示的なハードウェア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウェア環境１００の構成は、これに限定されない。 FIG. 18 is a block diagram illustrating an example hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented. The exemplary hardware environment 100 of FIG. 18 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, D / A. Although the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。 The processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004. The memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM). The CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.
　図１８におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。 These components in FIG. 18 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい、また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラムおよびＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。 In operation, the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005, or the processing unit 1000 may read data together with the program from the storage unit 1005. The unit 1000 may write data to the storage unit 1005. The CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005. The memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001. The timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program. The GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、加工機制御部７１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及び制御部３３０等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、第１～第４増幅器電源３６１～３６４等の、処理ユニット１０００と通信可能なシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、温度センサ、圧力センサ、真空計各種センサ、ターゲットセンサ４、エネルギセンサ３２２、第１センサ３２５、第２センサ３２６、温度センサ３２７、及びＥＵＶ光センサ４２等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。 The parallel I / O controller 1020 is connected to parallel I / O devices that can communicate with the processing unit 1000, such as the processing machine controller 71, the EUV light generation controller 5, the laser beam traveling direction controller 34, and the controller 330. The communication between the processing unit 1000 and these parallel I / O devices may be controlled. The serial I / O controller 1030 may be connected to serial I / O devices that can communicate with the processing unit 1000, such as the first to fourth amplifier power supplies 361 to 364, and the processing unit 1000 and the serial I / O devices. You may control communication between. The A / D and D / A converter 1040 includes an analog port, a temperature sensor, a pressure sensor, various vacuum gauge sensors, a target sensor 4, an energy sensor 322, a first sensor 325, a second sensor 326, a temperature sensor 327, The communication unit 1000 may be connected to an analog device such as the EUV light sensor 42, and communication between the processing unit 1000 and the analog device may be controlled, or A / D and D / A conversion of communication content may be performed.
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。 The user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
　例示的なハードウェア環境１００は、本開示における加工機制御部７１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及び制御部３３０の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、加工機制御部７１、ＥＵＶ光生成制御部５、レーザ光進行方向制御部３４、及び制御部３３０は、イーサネットやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカルおよびリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。 The exemplary hardware environment 100 may be applied to the configuration of the processing machine controller 71, the EUV light generation controller 5, the laser beam traveling direction controller 34, and the controller 330 in the present disclosure. Those skilled in the art will appreciate that these controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network. In the present disclosure, the processing machine control unit 71, the EUV light generation control unit 5, the laser beam traveling direction control unit 34, and the control unit 330 may be connected to each other via a communication network such as Ethernet or the Internet. In a distributed computing environment, program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.
　［１０．２　その他の変形例］
　第２実施形態の変形例に係るレーザ装置３が備える制御部３３０は、パルスレーザ光３０が増幅される順番に従って、第１～第４増幅器３５１～３５４の励起強度の制御や、第１計測値１～４の校正を行わなくてもよい。当該制御部３３０は、任意の順番で、第１～第４増幅器３５１～３５４の励起強度の制御や、第１計測値１～４の校正を行ってもよい。 [10.2 Other Modifications]
The control unit 330 included in the laser apparatus 3 according to the modification of the second embodiment controls the excitation intensity of the first to fourth amplifiers 351 to 354 and the first measurement value according to the order in which the pulse laser beam 30 is amplified. Calibration of 1-4 is not necessary. The controller 330 may control the excitation intensity of the first to fourth amplifiers 351 to 354 and calibrate the first measurement values 1 to 4 in any order.
　上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。 It will be apparent to those skilled in the art that the embodiments described above can be applied to each other's techniques, including modifications.
　例えば、第３実施形態のレーザ装置３が備えるエネルギモニタ３２０の構成は、第２実施形態のレーザ装置３及びその変形例に係るレーザ装置３が備えるエネルギモニタ３２０及びエネルギモニタ３２０１～３２０４に適用されてもよい。 For example, the configuration of the energy monitor 320 included in the laser device 3 of the third embodiment is applied to the energy monitor 320 and the energy monitors 3201 to 3204 included in the laser device 3 of the second embodiment and the laser device 3 according to the modification. May be.
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。 The above description is intended to be illustrative only and not limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the embodiments of the present disclosure without departing from the scope of the appended claims.
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。 Terms used throughout this specification and the appended claims should be construed as "non-limiting" terms. For example, the terms “include” or “included” should be interpreted as “not limited to those described as included”. The term “comprising” should be interpreted as “not limited to what is described as having”. Also, the modifier “one” in the specification and the appended claims should be interpreted to mean “at least one” or “one or more”.
　１　　　　　　　　　…ＥＵＶ光生成装置
　３１０　　　　　　　…発振器
　３２０　　　　　　　…エネルギモニタ
　３２５　　　　　　　…第１センサ
　３２６　　　　　　　…第２センサ
　３３０　　　　　　　…制御部
　３３１　　　　　　　…タイマ
　３５１～３５４　　　…増幅器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... EUV light generation apparatus 310 ... Oscillator 320 ... Energy monitor 325 ... 1st sensor 326 ... 2nd sensor 330 ... Control part 331 ... Timer 351-354 ... Amplifier

Claims (11)

  1. 　第１周期でレーザ光を出力する発振器と、
    　前記第１周期未満の応答時間で前記レーザ光のエネルギを計測する第１センサと前記第１周期以上の応答時間で前記レーザ光のエネルギを計測する第２センサとを含むエネルギモニタと、
    　前記第２センサの計測値に基づいて前記第１センサの計測値を校正する制御部と、
    　を備えるレーザ装置。     An oscillator that outputs laser light in a first period;
    An energy monitor including a first sensor that measures the energy of the laser beam with a response time less than the first period, and a second sensor that measures the energy of the laser beam with a response time that is greater than or equal to the first period;
    A controller that calibrates the measurement value of the first sensor based on the measurement value of the second sensor;
    A laser apparatus comprising:
  2. 　第１周期でレーザ光を出力する発振器と、
    　前記第１周期未満の応答時間で前記レーザ光のエネルギを計測する第１センサと前記第１周期以上の応答時間で前記第１センサの温度を計測する温度センサとを含むエネルギモニタと、
    　前記温度センサの計測値に基づいて前記第１センサの計測値を校正する制御部と、
    　を備えるレーザ装置。     An oscillator that outputs laser light in a first period;
    An energy monitor including a first sensor that measures the energy of the laser beam with a response time less than the first period, and a temperature sensor that measures the temperature of the first sensor with a response time that is greater than or equal to the first period;
    A controller that calibrates the measurement value of the first sensor based on the measurement value of the temperature sensor;
    A laser apparatus comprising:
  3. 　前記第２センサは、前記第１センサよりも温度変化に対する感度変化が小さい
    　請求項１に記載のレーザ装置。     The laser device according to claim 1, wherein the second sensor has a smaller sensitivity change with respect to a temperature change than the first sensor.
  4. 　前記第１センサの計測値を校正する第２周期は、前記第１周期よりも長く、
    　前記制御部は、前記第２周期を計時するタイマを含む
    　請求項３に記載のレーザ装置。     The second period for calibrating the measurement value of the first sensor is longer than the first period,
    The laser device according to claim 3, wherein the control unit includes a timer for measuring the second period.
  5. 　前記発振器は、赤外線レーザ光を出力する
    　請求項１に記載のレーザ装置。     The laser device according to claim 1, wherein the oscillator outputs infrared laser light.
  6. 　前記発振器は、赤外線レーザ光を出力する
    　請求項２に記載のレーザ装置。     The laser device according to claim 2, wherein the oscillator outputs infrared laser light.
  7. 　前記発振器から出力された前記レーザ光を順次増幅する複数の増幅器を備え、
    　前記エネルギモニタは、前記複数の増幅器のうち最終段の増幅器で増幅された前記レーザ光のエネルギを計測する
    　請求項５に記載のレーザ装置。     A plurality of amplifiers for sequentially amplifying the laser light output from the oscillator;
    The laser apparatus according to claim 5, wherein the energy monitor measures energy of the laser light amplified by a final-stage amplifier among the plurality of amplifiers.
  8. 　前記制御部は、校正された前記第１センサの計測値に基づいて前記最終段の増幅器の励起強度を制御する
    　請求項７に記載のレーザ装置。     The laser device according to claim 7, wherein the control unit controls the excitation intensity of the final-stage amplifier based on the calibrated measurement value of the first sensor.
  9. 　前記発振器から出力された前記レーザ光を順次増幅する複数の増幅器と、
    　前記複数の増幅器のぞれぞれで増幅された前記レーザ光のエネルギを計測する複数の前記エネルギモニタと、
    　を備える請求項５に記載のレーザ装置。     A plurality of amplifiers for sequentially amplifying the laser light output from the oscillator;
    A plurality of energy monitors for measuring the energy of the laser light amplified by each of the plurality of amplifiers;
    The laser device according to claim 5.
  10. 　前記制御部は、前記複数のエネルギモニタのそれぞれに含まれる複数の前記第１センサのそれぞれの計測値を前記レーザ光の上流側から順次校正する
    　請求項９に記載のレーザ装置。     The laser device according to claim 9, wherein the control unit sequentially calibrates measured values of the plurality of first sensors included in each of the plurality of energy monitors from the upstream side of the laser light.
  11. 　前記制御部は、校正された前記複数の第１センサのそれぞれの計測値に基づいて前記複数の増幅器のそれぞれの励起強度を制御する
    　請求項９に記載のレーザ装置。     The laser device according to claim 9, wherein the control unit controls the excitation intensity of each of the plurality of amplifiers based on the measured value of each of the plurality of calibrated first sensors.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196789A (en) * 1992-12-24 1994-07-15 Canon Inc Pulse laser generator and device using same
JPH0922120A (en) * 1995-07-06 1997-01-21 Nikon Corp Aligner
JP2002190641A (en) * 2000-12-21 2002-07-05 Ricoh Co Ltd Image generator
JP2006128157A (en) * 2004-10-26 2006-05-18 Komatsu Ltd Driver laser system for extremely ultraviolet optical source apparatus
JP2008072068A (en) * 2006-09-15 2008-03-27 Ricoh Co Ltd Laser light emitting device and optical scanning device using the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196789A (en) * 1992-12-24 1994-07-15 Canon Inc Pulse laser generator and device using same
JPH0922120A (en) * 1995-07-06 1997-01-21 Nikon Corp Aligner
JP2002190641A (en) * 2000-12-21 2002-07-05 Ricoh Co Ltd Image generator
JP2006128157A (en) * 2004-10-26 2006-05-18 Komatsu Ltd Driver laser system for extremely ultraviolet optical source apparatus
JP2008072068A (en) * 2006-09-15 2008-03-27 Ricoh Co Ltd Laser light emitting device and optical scanning device using the same

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