WO2015160152A1 - Diode de redressement et son procédé de fabrication - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne une diode de redressement et son procédé de fabrication. La diode de redressement comprend : une couche d'isolant incluant un matériau d'isolant ; et une couche semi-conductrice située sur la couche d'isolant et incluant un semi-conducteur d'oxyde à base de ZnO de type n, une caractéristique de redressement étant présentée entre la couche d'isolant et la couche semi-conductrice. Ainsi, il est possible de réaliser une diode de redressement présentant une caractéristique électrique améliorée. En outre, en comparaison avec les diodes à oxyde classiques, la présente invention offre un plus grand choix de matériaux puisqu'un semi-conducteur d'oxyde de type p présentant de nombreuses restrictions est remplacé par la couche d'isolant. Ainsi, la plage de changements de caractéristique électrique de réglage peut aussi être étendue.
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