WO2015082687A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Download PDF

Info

Publication number
WO2015082687A1
WO2015082687A1 PCT/EP2014/076732 EP2014076732W WO2015082687A1 WO 2015082687 A1 WO2015082687 A1 WO 2015082687A1 EP 2014076732 W EP2014076732 W EP 2014076732W WO 2015082687 A1 WO2015082687 A1 WO 2015082687A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
optoelectronic component
electrode
adhesion
component according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2014/076732
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michael Popp
Dieter Musa
Stefan DECHAND
Christoph KEFES
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Oled GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled GmbH filed Critical Osram Oled GmbH
Publication of WO2015082687A1 publication Critical patent/WO2015082687A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic component having a radiation-emitting or radiation-absorbing layer sequence and to a method for producing an optoelectronic component.
  • OLEDs organic light emitting diodes
  • Oxygen For example, to protect against moisture and oxygen, OLEDs are extensively encapsulated with glass cavities which are glued onto the component.
  • Thin-film encapsulation applied which may for example consist of glass.
  • Thin-film encapsulation applied which may for example consist of glass.
  • Thin film encapsulation layer a silicon oxide, a
  • a nanolaminate of a metal oxide such as a titanium oxide or an aluminum oxide, may be applied to the layer comprising the above-mentioned silicon compounds.
  • the thin film encapsulation layer may be the same
  • An optoelectronic component comprises in particular a substrate, a first electrode on the substrate, a radiation-emitting or
  • Electrode a second electrode on the layer sequence, an encapsulation layer arranged on the second electrode and an arranged on the encapsulation layer
  • a layer or an element is arranged or applied "on” or “above” another layer or another element may mean here and below in that the one layer or the one element is arranged directly in direct mechanical and / or electrical contact with the other layer or the other element.
  • the one layer or the one element is arranged indirectly on or above the other layer or the other element.
  • the cover layer does not have to be formed homogeneously, but may, for example, be made up of a plurality of
  • the bonding layer does not have to be uninterrupted. Rather, certain areas of the surface of the bonding layer
  • Encapsulation layer may be present, which the
  • Adhesive layer not covered or with a thickness exceeding 3 nm, covered. At least 90% of the
  • the primer layer usually does not exhibit significant barrier to moisture and oxygen.
  • the very thinly formed adhesion-promoting layer due to the very thinly formed adhesion-promoting layer, a considerable increase in the adhesion between the encapsulation layer and the cover layer is achieved, regardless of the design of the component. At the same time, the formation of the adhesion-promoting layer requires
  • encapsulation layer refers to a layer which is suitable for forming a first barrier to atmospheric substances, in particular to moisture and oxygen
  • Encapsulation layer becomes the organic electronic
  • Encapsulation layer is formed such that it
  • Atmospheric substances such as water or oxygen can be penetrated at most to very small proportions or the air and moisture diffusion compared to previous
  • Encapsulation is significantly delayed.
  • the device already has a first through the encapsulation layer
  • the first electrode and / or the second electrode may be formed over a large area or particularly preferably over a large area. Large area can mean that the first
  • Electrode and / or the second electrode has an area greater than or equal to a few square millimeters, preferably greater than or equal to one square centimeter, and more preferably greater than or equal to one square decimeter
  • first electrode and / or the second electrode in first and second, respectively
  • first electrode in the form of parallel juxtaposed first electrode strips
  • first and second electrode strips can thus be considered as separate
  • first and / or the second electrode or electrode subregions are electrically conductively connected to first conductor tracks.
  • an electrode or an electrode part region for example, in a first
  • the encapsulation layer can cover the entire layer sequence with the electrodes. Furthermore, it may cover at least a part of the surface of the substrate on which the
  • the layer sequence comprises one or more functional layers of organic material.
  • the layer sequence comprises one or more functional layers of organic material.
  • Optoelectronic component may be formed as an organic light-emitting diode (OLED) or as an organic solar cell, depending on whether the layer sequence is formed radiation-emitting or radiation-absorbing.
  • OLED organic light-emitting diode
  • O solar cell organic solar cell
  • the functional layers can, for example, as
  • Layers and / or hole transport layers may be formed.
  • a second electrode may be applied over the functional layers.
  • the functional layers in an active region by electron and hole injection and - Recombination electromagnetic radiation with a
  • the functional layers may be organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or
  • the optoelectronic component can also as
  • Layer sequence comprise a semiconductor layer sequence.
  • Cover layer may be transparent, so that the optoelectronic component is designed as a so-called “top emitter.”
  • the optoelectronic component is designed as a so-called “top emitter.”
  • the optoelectronic component can be embodied both as a “top emitter” and as a “bottom emitter”.
  • the encapsulation layer is designed to protect the electrodes and the layer sequence from moisture and / or atmospheric oxygen.
  • the encapsulation layer is preferably a so-called thin-film encapsulation layer, which consists of one or more thin layers is formed.
  • the thin-film encapsulation layer has only "thin layers" with a thickness less than or equal to a few 100 nm, for example, the individual layers of the thin-film encapsulation may each have a thickness between one
  • Atomic layer and have about 1 ym. Overall, the
  • Thin-film encapsulation layer preferably has a thickness between 400 nm and 5 ⁇ m, in particular between 600 nm and 1.2 ⁇ m.
  • the thin-film encapsulation layer contains or consists of a silicon nitride.
  • the silicon nitride may be amorphous and stoichiometric
  • composition according to the formula SiN x , where x is 0 ⁇ x ⁇ 2.
  • the thin-film encapsulation layer contains or consists of a silicon oxide, for example S1O 2 .
  • the silica may be amorphous.
  • the thin-film encapsulation layer contains or consists of a silicon carbide.
  • any mixtures of silicon oxide, silicon nitride and silicon carbide are possible, wherein the materials mentioned different
  • compositions may have stoichiometric compositions.
  • the adhesion-promoting layer has a thickness of between 0.3 nm and 2 nm, preferably between 0.7 nm and 1.5 nm. According to a further embodiment, it is provided that the adhesion-promoting layer contains or consists of a metal oxide. According to a further embodiment, it is provided that the adhesion-promoting layer contains or consists of a titanium oxide, for example TiO 2 , or an aluminum oxide, for example Al 2 O 3 . According to a further embodiment, it is provided that a mediated by the adhesion-promoting layer
  • Encapsulation layer is so large that the cover layer at a mechanical load of the optoelectronic
  • Component sticks to the encapsulation layer.
  • the cover layer has an adhesive layer and one on the
  • Adhesive layer arranged cover substrate layer comprises.
  • the adhesive layer may consist of or contain liquid epoxy resin cured by UV irradiation.
  • the material of the adhesive layer is not limited to liquid adhesives.
  • a thickness of the adhesive layer is between 10 ⁇ m and 50 ⁇ m, particularly preferably between 15 ⁇ m and 40 ⁇ m.
  • the cover substrate layer may comprise, for example, one or more materials in the form of a layer, a plate, a foil or a laminate, which are selected from glass, quartz, plastic, metal and silicon wafers.
  • the top substrate layer comprises glass, for example in the form of a glass layer, glass sheet or glass plate, on or consists thereof. Furthermore, it is preferred that a thickness of the cover substrate layer is between 0.05 and 4 mm.
  • Adhesive layer and the adhesion-promoting layer is so large that the adhesive layer adheres to a mechanical stress of the optoelectronic device to the adhesion-promoting layer.
  • Primer layer is not damaged.
  • the entire adhesive layer adheres or adheres to the adhesion-promoting layer.
  • Encapsulation layer wherein the adhesion-promoting layer has a thickness of less than 3 nm
  • the adhesion-promoting layer is applied to the encapsulation layer by atomic layer deposition.
  • ALD atomic layer deposition
  • Starting compound is supplied to a volume in which a surface to be coated is provided so that the first gaseous compound can adsorb on the surface.
  • Output connection becomes the part of the first one
  • the second output connection is for it
  • the encapsulation layer is formed by means of a deposition method.
  • the deposition method may be a chemical vapor deposition method (Chemical Vapor
  • the gas phase separation method can be any gas phase separation method.
  • CVD Chemical Deposition
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • a plasma can be generated in a volume above and / or around the optoelectronic component.
  • the volume will be at least two gaseous
  • ammonia and silane may be added to the volume to form silicon nitride.
  • TEOS tetraethyl orthosilicate
  • 2 O tetraethyl orthosilicate
  • an adhesive layer is applied to the adhesion-promoting layer and a cover substrate layer is applied to the adhesive layer.
  • FIG. 2 shows a schematic layer structure in FIG.
  • FIG. 4 shows an optoelectronic component according to a first embodiment of the invention
  • FIG. 5 shows a schematic layer structure in the optoelectronic component according to the first embodiment
  • Figure 6 shows a schematic layer structure in a
  • FIG. 7 shows a test setup for measuring a mechanical
  • FIG. 1 shows a total of 100
  • FIG. 2 schematically shows a section from FIG.
  • a substrate layer 1 of glass On a substrate layer 1 of glass is a first
  • transparent electrode layer 2 is arranged. On the first electrode layer 2 is a radiation emitting
  • a second electrode layer 6 which contains a metal. So that's it
  • an optoelectronic component designed as an organic light emitting diode (OLED).
  • OLED organic light emitting diode
  • Thin-film encapsulation layer 8 applied, which the two electrode layers 2, 6 and the layer sequence 4 before
  • a laminating adhesive layer 10 is formed, which serves to fix a cover substrate layer 12 disposed directly on the laminating adhesive layer 10 to the thin film encapsulation layer 8.
  • the interface between the thin-film encapsulation layer 8 and the laminating adhesive layer 10 provides a mechanical in an edge region 9 of the optoelectronic device
  • Edge region 9 often a break apart of the layers, for example by an adhesion break. This can lead to damage of the thin film encapsulation layer 8 or at least to an externally visible delamination of the Deck substrate layer 12. It can be observed that the occurrence of the problem depends on the design of the
  • Component is and in particular occurs in corner areas, which form an angle of maximum 90 ° in plan view of the component (see edge region 9 in Figure 3a), while in blunt, i. no larger angles
  • FIG. 4 shows an optoelectronic component according to a first embodiment of the invention.
  • Figure 5 shows
  • Lamination adhesive layer 10 is a 1 nm thick
  • Bonding layer 11 formed of titanium dioxide, through which improved adhesion between the
  • Thin film encapsulation layer 8 and the laminating adhesive layer 10 is achieved.
  • the inventors have found that the formation of the adhesion-promoting layer 11, for example by
  • Atomic layer deposition requires a temporally sufficiently limited process step, if it has a thickness of 3 nm or less. In this case, the leads
  • Atomic layer deposition not at all or only insignificantly to a reduction in the life of the device.
  • other optoelectronic parameters such as
  • the additional adhesion-promoting layer 11 may be in the transmission electron microscope and / or by analytical methods such as secondary ion mass spectrometry (SIMS) and / or energy-dispersive
  • EDX X-ray spectroscopy
  • the thin film encapsulation layer 8 is made of silicon dioxide and has a thickness of about 800 nm.
  • FIG. 6 shows a schematic layer structure in an optoelectronic component according to a second embodiment
  • the thin-film encapsulation layer 8 in turn consists of one
  • FIG. 7 shows a test setup for measuring a mechanical stability of the optoelectronic component 100.
  • the optoelectronic component 100 is in its
  • a mechanical load 300 which may be up to 95 N, for example, applied.
  • Thin film encapsulation layer still at an interface between the thin film encapsulation layer and the
  • Thin film encapsulation layer 8 undamaged.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Substrat (1), eine erste Elektrode (2) auf dem Substrat, eine Strahlungsemittierende oder Strahlungsabsorbierende Schichtenfolge (4) auf der ersten Elektrode, eine zweite Elektrode (6) auf der Schichtenfolge, eine auf der zweiten Elektrode angeordnete Verkapselungsschicht (8), eine auf der Verkapselungsschicht angeordnete Abdeckungsschicht (24) und eine zwischen der Verkapselungsschicht und der Abdeckungsschicht angeordnete Haftvermittlungsschicht (11), welche eine Dicke von kleiner als 3 nm aufweist.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer Strahlungsemittierenden oder Strahlungsabsorbierenden Schichtenfolge und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102013113535.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Optoelektronische Bauelemente und insbesondere solche, die ein organisches funktionelles Material aufweisen, wie
beispielsweise organische Leuchtdioden (OLEDs) , sind
außerordentlich empfindlich gegenüber Feuchtigkeit und
Sauerstoff. Zum Schutz vor Feuchtigkeit und Sauerstoff werden OLEDs beispielsweise aufwändig mit Glaskavitäten verkapselt, die auf das Bauteil geklebt werden.
Weiterhin sind Dünnschichtverkapselungen mit dünnen Schichten bekannt, die das Bauelement gegen Feuchtigkeit und Sauerstoff abdichten. Zum mechanischen Schutz der Dünnfilmverkapselung wird oft eine zusätzliche Decksubstratschicht auf die
Dünnfilmverkapselung aufgebracht, welche beispielsweise aus Glas bestehen kann. Bei einer äußeren mechanischen Belastung des optoelektronischen Bauelements oder aufgrund von
mechanischen Verspannungen im Bauelement kann es zu einer Delamination der Decksubstratschicht kommen, wodurch die Dünnfilmverkapselung beschädigt und die Funktionsweise des optoelektronischen Bauelements beeinträchtigt werden kann. Oftmals ist die Delamination auf einen Adhäsionsbruch
zwischen der Dünnfilmverkapselung und einer auf dieser aufgebrachten Kleberschicht, welche die Dünnfilmverkapselung mit der Decksubstratschicht verbindet, zurückzuführen.
Hierbei kann beobachtet werden, dass das Auftreten des
Problems abhängig von dem Design des Bauelementes ist und insbesondere in Eckbereichen auftritt, welche in Draufsicht auf das Bauelement einen Winkel von maximal 90° ausbilden, während bei stumpferen, d.h. größeren Winkeln kein
Adhäsionsbruch erfolgt.
Es ist bekannt, dass ein guter Schutz gegen Feuchtigkeit und Sauerstoff dadurch erreicht wird, dass die
Dünnfilmverkapselungsschicht ein Siliziumoxid, ein
Siliziumnitrid oder ein Siliziumcarbid enthält oder aus einem oder mehreren dieser Materialien besteht. Durch Erhöhung der Dicke einer solchen Schicht wird zwar der Schutz vergrößert und somit eine Lagerbeständigkeit der Bauelemente verbessert, gleichzeitig weisen die Bauelemente jedoch größere innere mechanische Verspannungen auf. Des Weiteren sind längere Produktionszeiten erforderlich, um die
Dünnfilmverkapselungsschichten herzustellen.
Zur Dichtigkeitssteigerung kann auf der Schicht, welche die oben genannten Siliziumverbindungen aufweist, ein Nanolaminat aus einem Metalloxid, wie beispielsweise aus einem Titanoxid oder einem Aluminiumoxid, aufgebracht werden. In diesem Fall kann die Dünnfilmverkapselungsschicht bei gleicher
Schutzwirkung dünner ausgebildet werden. Ein Problem tritt jedoch dadurch auf, dass das Bauelement bei der Ausbildung des mindestens 10 nm dicken Nanolaminats , welches
typischerweise durch Atomlagenabscheidung erfolgt, über einen längeren Zeitraum auf Temperaturen gehalten werden muss, welche die organische Funktionsschicht beschädigen und hierdurch eine Reduzierung der Lebensdauer des Bauelements verursachen .
Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit einer
Strahlungsemittierenden oder Strahlungsabsorbierenden
Schichtenfolge anzugeben, bei welchem eine Beschädigung der Dünnfilmverkapselung in bestimmten Fällen reduziert oder vermieden wird.
Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung desselben mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte
Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands und des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.
Ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer Ausführungsform umfasst insbesondere ein Substrat, eine erste Elektrode auf dem Substrat, eine Strahlungsemittierende oder
strahlungsabsorbierende Schichtenfolge auf der ersten
Elektrode, eine zweite Elektrode auf der Schichtenfolge, eine auf der zweiten Elektrode angeordnete Verkapselungsschicht und eine auf der Verkapselungsschicht angeordnete
Abdeckungsschicht. Zwischen der Verkapselungsschicht und der Abdeckungsschicht ist eine Haftvermittlungsschicht
angeordnet, welche eine Dicke von kleiner als 3 nm aufweist.
Dass eine Schicht oder ein Element „auf" oder „über" einer anderen Schicht oder einem anderen Element angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar im direkten mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist.
Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist.
Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente
zwischen der einen und der anderen Schicht angeordnet sein.
Die Abdeckungsschicht muss nicht homogen ausgeformt sein, sondern kann beispielsweise aus einer Mehrzahl von
Einzelschichtelementen bestehen. Die Haftvermittlungsschicht muss nicht unterbrechungsfrei ausgebildet sein. Vielmehr können gewisse Bereiche der Oberfläche der
Verkapselungsschicht vorhanden sein, welche die
Haftvermittlungsschicht gar nicht oder mit einer Dicke, welche 3 nm übersteigt, bedeckt. Zumindest 90 % der
Oberfläche der Verkapselungsschicht werden jedoch durch
Bereiche der Haftvermittlungsschicht bedeckt, welche eine Dicke von weniger als 3 nm aufweisen.
Bei der beschriebenen Dicke von weniger als 3 nm entfaltet die Haftvermittlungsschicht gewöhnlich keine nennenswerte Barrierewirkung gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff. Durch die sehr dünn ausgebildete Haftvermittlungsschicht wird jedoch eine erhebliche Vergrößerung der Adhäsion zwischen der Verkapselungsschicht und der Abdeckungsschicht erreicht - auch unabhängig von dem Design des Bauelementes. Gleichzeitig erfordert die Ausbildung der Haftvermittlungsschicht
beispielsweise durch Atomlagenabscheidung einen zeitlich sehr begrenzten Verfahrensschritt, so dass die vorübergehende Temperaturerhöhung gar nicht oder nur unerheblich zu einer Reduzierung der Lebensdauer des Bauelements führt. Unter „Verkapselungsschicht" wird vorliegend eine Schicht bezeichnet, die dazu geeignet ist, eine erste Barriere gegenüber atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Feuchtigkeit und Sauerstoff, zu bilden. Durch die
Verkapselungsschicht wird das organische elektronische
Bauelement vorgekapselt. Mit anderen Worten ist die
Verkapselungsschicht derart ausgebildet, dass sie von
atmosphärischen Stoffen wie Wasser oder Sauerstoff höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann bzw. die Luft- und Feuchtediffusion gegenüber bisherigen
Verkapselungen deutlich verzögert wird. Das Bauelement besitzt durch die Verkapselungsschicht schon eine erste
Grunddichtigkeit gegenüber Umwelteinflüssen. Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode können flächig oder besonders bevorzugt großflächig ausgebildet sein. Großflächig kann dabei bedeuten, dass die erste
Elektrode und/oder die zweite Elektrode eine Fläche von größer oder gleich einigen Quadratmillimetern, bevorzugt größer oder gleich einem QuadratZentimeter und besonders bevorzugt größer oder gleich einem Quadratdezimeter
aufweisen .
Alternativ können die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode in erste beziehungsweise zweite
Elektrodenteilbereiche strukturiert ausgeführt sein.
Beispielsweise kann die erste Elektrode in Form parallel nebeneinander angeordneter erster Elektrodenstreifen
ausgeführt sein und die zweite Elektrode als bevorzugt senkrecht dazu verlaufende parallel nebeneinander angeordnete zweite Elektrodenstreifen. Überlappungen der ersten und zweiten Elektrodenstreifen können damit als separat
ansteuerbare Leuchtbereiche ausgeführt sein. Weiterhin können auch nur die erste oder nur die zweite Elektrode strukturiert sein. Besonders bevorzugt sind die erste und/oder die zweite Elektrode oder Elektrodenteilbereiche elektrisch leitend mit ersten Leiterbahnen verbunden. Dabei kann eine Elektrode oder ein Elektrodenteilbereich beispielsweise in eine erste
Leiterbahn übergehen oder getrennt von einer ersten
Leiterbahn ausgeführt und elektrisch leitend mit dieser verbunden sein. Die Verkapselungsschicht kann die gesamte Schichtenfolge mit den Elektroden bedecken. Weiterhin kann sie zumindest einen Teil der Oberfläche des Substrats bedecken, auf dem die
Schichtenfolge mit der ersten und zweiten Elektrode
angeordnet ist. Zusätzlich kann sie auch das gesamte Substrat umgeben.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Schichtenfolge eine oder mehrere funktionale Schichten aus organischem Material umfassen. Insbesondere kann das
optoelektronische Bauelement als organische lichtemittierende Diode (OLED) oder als organische Solarzelle ausgebildet sein, je nachdem, ob die Schichtenfolge Strahlungsemittierend bzw. strahlungsabsorbierend ausgebildet ist. Über der ersten Elektrode kann beispielsweise ein
funktionaler Bereich mit einer oder mehreren funktionalen Schichten aus organischen Materialien aufgebracht sein. Die funktionalen Schichten können dabei beispielsweise als
Elektronentransportschichten, elektrolumines zierende
Schichten und/oder Lochtransportschichten ausgebildet sein. Über den funktionalen Schichten kann eine zweite Elektrode aufgebracht sein. In den funktionalen Schichten kann in einem aktiven Bereich durch Elektronen- und Löcherinjektion und - rekombination elektromagnetische Strahlung mit einer
einzelnen Wellenlänge oder einem Bereich von Wellenlängen erzeugt werden. Die funktionalen Schichten können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules") oder
Kombinationen daraus aufweisen. Geeignete Materialien sowie Anordnungen und Strukturierungen der Materialien für
funktionale Schichten sind dem Fachmann bekannt und werden daher an dieser Stelle nicht weiter ausgeführt.
Das optoelektronische Bauelement kann aber auch als
Strahlungsemittierende oder Strahlungsabsorbierende
Schichtenfolge eine Halbleiterschichtenfolge aufweisen.
Die zweite Elektrode, die Verkapselungsschicht und die
Abdeckungsschicht können transparent ausgebildet sein, so dass das optoelektronische Bauelement als so genannter „top emitter" ausgeführt ist. Alternativ kann das
optoelektronische Bauelement als so genannter „bottom
emitter" ausgeführt sein, wenn das Substrat und die erste Elektrode transparent ausgebildet sind. Außerdem kann das optoelektronische Bauelement sowohl als „top emitter" als auch als „bottom emitter" ausgeführt sein.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Verkapselungsschicht dazu ausgebildet ist, die Elektroden und die Schichtenfolge vor Feuchtigkeit und/oder Luftsauerstoff zu schützen.
Die Verkapselungsschicht ist vorzugsweise eine sogenannte Dünnfilmverkapselungsschicht , die aus einer oder mehreren dünnen Schichten gebildet ist. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist die Dünnfilmverkapselungsschicht nur „dünne Schichten" mit einer Dicke kleiner oder gleich einige 100 nm auf. Die einzelnen Schichten der Dünnfilm-Verkapselung können zum Beispiel jeweils eine Dicke zwischen einer
Atomlage und etwa 1 ym aufweisen. Insgesamt weist die
Dünnfilmverkapselungsschicht bevorzugt eine Dicke zwischen 400 nm und 5 ym, insbesondere zwischen 600 nm und 1,2 ym auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Dünnfilmverkapselungsschicht ein Siliziumnitrid enthält oder daraus besteht. In verschiedenen Ausführungsformen kann das Siliziumnitrid amorph sein und eine stöchiometrische
Zusammensetzung gemäß der Formel SiNx aufweisen, wobei für x gilt 0 < x < 2.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Dünnfilmverkapselungsschicht ein Siliziumoxid, beispielsweise S1O2, enthält oder daraus besteht. In verschiedenen
Ausführungsformen kann das Siliziumdioxid amorph sein.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Dünnfilmverkapselungsschicht ein Siliziumcarbid enthält oder daraus besteht.
Gemäß weiterer Ausführungsformen sind beliebige Mischungen aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid und Siliziumcarbid möglich, wobei die genannten Materialien unterschiedliche
stöchiometrische Zusammensetzungen aufweisen können.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Haftvermittlungsschicht eine Dicke zwischen 0,3 nm und 2 nm, bevorzugt zwischen 0,7 nm und 1,5 nm, aufweist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Haftvermittlungsschicht ein Metalloxid enthält oder aus diesem besteht. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Haftvermittlungsschicht ein Titanoxid, beispielsweise Ti02, oder ein Aluminiumoxid, beispielsweise AI2O3, enthält oder aus diesem besteht. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine durch die Haftvermittlungsschicht vermittelte
Adhäsionskraft zwischen der Abdeckungsschicht und der
Verkapselungsschicht so groß ist, dass die Abdeckungsschicht bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen
Bauelements an der Verkapselungsschicht haften bleibt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Abdeckungsschicht eine Kleberschicht und eine auf der
Kleberschicht angeordnete Decksubstratschicht umfasst.
Die Kleberschicht kann aus flüssigem Epoxidharz, welcher durch UV-Bestrahlung ausgehärtet ist, bestehen oder dieses enthalten. Das Material der Kleberschicht ist allerdings nicht auf flüssige Klebstoffe beschränkt. Weiterhin ist bevorzugt, dass eine Dicke der Kleberschicht zwischen 10 ym und 50 ym, besonders bevorzugt zwischen 15 ym und 40 ym, beträgt .
Die Decksubstratschicht kann beispielsweise eines oder mehrere Materialien in Form einer Schicht, einer Platte, einer Folie oder einem Laminat aufweisen, die ausgewählt sind aus Glas, Quarz, Kunststoff, Metall und Siliziumwafer .
Besonders bevorzugt weist die Decksubstratschicht Glas, beispielsweise in Form einer Glasschicht, Glasfolie oder Glasplatte, auf oder besteht daraus. Weiterhin ist bevorzugt, dass eine Dicke der Decksubstratschicht zwischen 0,05 und 4 mm beträgt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Kleberschicht direkt auf der Haftvermittlungsschicht
angeordnet ist und eine Adhäsionskraft zwischen der
Kleberschicht und der Haftvermittlungsschicht so groß ist, dass die Kleberschicht bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen Bauelements an der Haftvermittlungsschicht haften bleibt.
Damit ist nicht notwendigerweise gemeint, dass die gesamte Kleberschicht an der Haftvermittlungsschicht haften bleibt. Vielmehr reicht es aus, dass zumindest eine Teilschicht der Kleberschicht, deren eine Hauptfläche mit der Grenzfläche zwischen Kleberschicht und Haftvermittlungsschicht
zusammenfällt, an der Haftvermittlungsschicht haften bleibt, so dass die Grenzfläche zwischen Kleberschicht und
Haftvermittlungsschicht nicht beschädigt wird.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass bei einer mechanischen Belastung die gesamte Kleberschicht an der Haftvermittlungsschicht haftet oder haften bleibt.
Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements gemäß einer Ausführungsform umfasst insbesondere die Verfahrensschritte:
- Bereitstellen eines Schichtenstapels umfassend ein
Substrat, eine erste Elektrode auf dem Substrat, eine
Strahlungsemittierende oder Strahlungsabsorbierende Schichtenfolge auf der ersten Elektrode, eine zweite
Elektrode auf der Schichtenfolge und eine auf der zweiten Elektrode angeordnete Verkapselungsschicht , - Auftragen einer Haftvermittlungsschicht auf die
Verkapselungsschicht, wobei die Haftvermittlungsschicht eine Dicke von kleiner als 3 nm aufweist, und
- Auftragen einer Abdeckungsschicht auf die
Haftvermittlungsschicht.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Haftvermittlungsschicht durch Atomlagenabscheidung auf die Verkapselungsschicht aufgetragen wird.
Mit „Atomlagenabscheidung" (ALD) ist vorliegend insbesondere ein Verfahren bezeichnet, bei dem eine erste gasförmige
Ausgangsverbindung einem Volumen zugeführt wird, in dem eine zu beschichtende Oberfläche bereitgestellt ist, so dass die erste gasförmige Verbindung auf der Oberfläche adsorbieren kann. Nach einer bevorzugt vollständigen oder nahezu
vollständigen Bedeckung der Oberfläche mit der ersten
Ausgangsverbindung wird der Teil der ersten
Ausgangsverbindung, der noch gasförmig und/oder nicht auf der Oberfläche adsorbiert vorliegt, in der Regel wieder aus dem Volumen entfernt und eine zweite Ausgangsverbindung
zugeführt. Die zweite Ausgangsverbindung ist dafür
vorgesehen, mit der an der Oberfläche adsorbierten, ersten Ausgangsverbindung unter Bildung einer festen ALD-Schicht chemisch zu reagieren.
Es sei an dieser Stelle darauf hingewiesen, dass bei der Atomlagenabscheidung auch mehr als zwei Ausgangsverbindungen zum Einsatz kommen können. Bei der Atomlagenabscheidung ist es in der Regel vorteilhaft, wenn die zu beschichtende
Oberfläche auf eine Temperatur über Raumtemperatur erhitzt wird. Dies führt jedoch auch zu den oben genannten Problemen bei der Abscheidung von Schichten aus Metalloxid, welche eine Dicke von größer als 10 nm aufweisen, da das Bauelement hierbei über einen längeren Zeitraum auf Temperaturen
gehalten werden muss, welche die organische Funktionsschicht beschädigen und hierdurch eine Reduzierung der Lebensdauer des Bauelements oder eine Verschlechterung bestimmter optoelektronischer Parameter, beispielsweise der Effizienz, verursachen .
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Verkapselungsschicht mittels eines Abscheideverfahrens gebildet wird. Beispielsweise kann das Abscheideverfahren ein chemisches Gasphasenabscheideverfahren (Chemical Vapor
Deposition (CVD) ) sein. In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Gasphasenabscheideverfahren ein
plasmaunterstütztes Gasphasenabscheideverfahren (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) sein.
Beispielsweise kann hierbei in einem Volumen über und/oder um das optoelektronische Bauelement herum ein Plasma erzeugt werden. Dem Volumen werden mindestens zwei gasförmige
Ausgangsverbindungen zugeführt und zur Reaktion miteinander angeregt. In einer Ausführungsform des Verfahrens kann dem Volumen Ammoniak und Silan zur Bildung von Siliziumnitrid zugeführt werden. In noch einer Ausführungsform des
Verfahrens kann dem Volumen Tetraethylorthosilikat (TEOS) oder 2O zur Bildung von Siliziumoxid zugeführt werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass eine Kleberschicht auf die Haftvermittlungsschicht und eine Decksubstratschicht auf die Kleberschicht aufgetragen wird. Das vorstehend beschriebene Verfahren ist für die Herstellung des oben beschriebenen optoelektronischen Bauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Verfahren
beschriebene Merkmale können daher auch für das
optoelektronische Bauelement herangezogen werden und
umgekehrt.
Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der
Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
Figur 1 ein optoelektronisches Bauelement gemäß dem Stand der Technik,
Figur 2 einen schematischen Schichtenaufbau in dem
optoelektronischen Bauelement gemäß dem Stand der
Technik, Figur 3a und 3b zwei verschiedene Ausführungen des
optoelektronischen Bauelements gemäß dem Stand der
Technik,
Figur 4 ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, Figur 5 einen schematischen Schichtenaufbau in dem optoelektronischen Bauelement gemäß der ersten
Ausführungsform der Erfindung, Figur 6 einen schematischen Schichtenaufbau in einem
optoelektronischen Bauelement gemäß einer zweiten
Ausführungsform der Erfindung,
Figur 7 einen Testaufbau zur Messung einer mechanischen
Stabilität des optoelektronischen Bauelements.
In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen
Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.
Figur 1 zeigt ein insgesamt mit 100 bezeichnetes
optoelektronisches Bauelement gemäß dem Stand der Technik. Figur 2 zeigt schematisch einen Ausschnitt aus der
Schichtenfolge des in Figur 1 gezeigten Bauelements.
Auf einer Substratsschicht 1 aus Glas ist eine erste
transparente Elektrodenschicht 2 angeordnet. Auf der ersten Elektrodenschicht 2 ist eine Strahlungsemittierende
Schichtenfolge 4 angeordnet, welche eine oder mehrere
funktionale Schichten aus organischem Material umfasst und in welcher durch diese ein aktiver Bereich ausgebildet ist, welcher im Betrieb elektromagnetische Strahlung abstrahlt. Auf der Schichtenfolge 4 ist eine zweite Elektrodenschicht 6 angeordnet, welche ein Metall enthält. Somit ist das
optoelektronische Bauelement als organische lichtemittierende Diode (OLED) ausgebildet. Unterhalb der Substratsschicht 1 kann eine zusätzliche funktionelle Auskoppelschicht 13 vorgesehen sein.
Auf der zweiten Elektrodenschicht 6 ist eine
Dünnfilmverkapselungsschicht 8 aufgebracht, welche die beiden Elektrodenschichten 2, 6 und die Schichtenfolge 4 vor
Feuchtigkeit und Luftsauerstoff schützt. Unmittelbar auf der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 ist eine Laminierkleberschicht 10 ausgebildet, welche dazu dient, eine unmittelbar auf der Laminierkleberschicht 10 angeordnete Decksubstratschicht 12 an der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 zu fixieren. Die
Laminierkleberschicht 10 ist mit der
Dünnfilmverkapselungsschicht 8 einerseits und mit der
Decksubstratschicht 12 andererseits stoffschlüssig verbunden. Die Laminierkleberschicht 10 und die Decksubstratschicht 12 bilden zusammen eine Abdeckungsschicht 24, welche einen mechanischen Schutz für die Dünnfilmverkapselungsschicht 8 zur Verfügung stellt.
Die Grenzfläche zwischen der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und der Laminierkleberschicht 10 stellt in einem Randbereich 9 des optoelektronischen Bauelements einen mechanischen
Schwachpunkt der Vorrichtung dar. Bei einer äußeren
mechanischen Belastung des optoelektronischen Bauelements oder aufgrund von inneren Verspannungen erfolgt in dem
Randbereich 9 oftmals ein Auseinanderbrechen der Schichten beispielsweise durch einen Adhäsionsbruch. Dies kann zu einer Beschädigung der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 führen oder zumindest zu einer von außen sichtbaren Delamination der Decksubstratschicht 12. Hierbei kann beobachtet werden, dass das Auftreten des Problems abhängig von dem Design des
Bauelementes ist und insbesondere in Eckbereichen auftritt, welche in Draufsicht auf das Bauelement einen Winkel von maximal 90° ausbilden (siehe Randbereich 9 in Figur 3a), während bei stumpferen, d.h. größeren Winkeln kein
Adhäsionsbruch erfolgt (siehe Randbereich 9 in Figur 3b) . Figur 4 zeigt ein optoelektronisches Bauelement gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Figur 5 zeigt
schematisch einen Ausschnitt aus der Schichtenfolge des in Figur 4 gezeigten Bauelements.
Zwischen der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und der
Laminierkleberschicht 10 ist eine 1 nm dicke
Haftvermittlungsschicht 11 aus Titandioxid ausgebildet, durch welche eine verbesserte Haftung zwischen der
Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und der Laminierkleberschicht 10 erreicht wird. Die Erfinder haben festgestellt, dass die Ausbildung der Haftvermittlungsschicht 11 beispielsweise durch
Atomlagenabscheidung einen zeitlich ausreichend begrenzten Verfahrensschritt erfordert, wenn sie eine Dicke von 3 nm oder weniger aufweist. In diesem Fall führt die
vorübergehende Temperaturerhöhung bei der
Atomlagenabscheidung gar nicht oder nur unerheblich zu einer Reduzierung der Lebensdauer des Bauelements. Insbesondere bleiben sonstige optoelektronische Parameter wie
beispielsweise eine Helligkeit oder Effizienz des Bauelements durch die Ausbildung der Haftvermittlungsschicht 11 praktisch unberührt. Außerdem führt letztere nur zu geringen
zusätzlichen Kosten bei gleicher oder sogar verlängerter Lagerbeständigkeit. Schließlich konnte beobachtet werden, dass die Haftung zwischen der Dünnfilmverkapselungsschicht 8 und der Laminierkleberschicht 10 selbst bei relativ großen Schwankungen der Kleberchargen, welche zu mitunter großen Variationen in der Schichtdicke der Laminierkleberschicht 10 führen, ausreicht, um ein Auseinanderbrechen des Bauelements zu verhindern. Die zusätzliche Haftvermittlungsschicht 11 kann im Transmissionselektronenmikroskop und/oder durch analytische Methoden wie beispielsweise Sekundärionen- Massenspektrometrie (SIMS) und/oder energiedispersive
Röntgenspektroskopie (EDX) nachgewiesen werden.
In dem in den Figuren 4 und 5 gezeigten Ausführungsbeispiel besteht die Dünnfilmverkapselungsschicht 8 beispielsweise aus Siliziumdioxid und weist eine Dicke von etwa 800 nm auf.
Figur 6 zeigt einen schematischen Schichtenaufbau in einem optoelektronischen Bauelement gemäß einer zweiten
Ausführungsform der Erfindung. Im Gegensatz zu dem in den Figuren 4 und 5 gezeigten Ausführungsbeispiel besteht die Dünnfilmverkapselungsschicht 8 ihrerseits aus einem
Schichtenstapel aus drei Teilschichten 8a, 8b und 8c, welche jeweils aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid und Siliziumcarbid bestehen . Figur 7 zeigt einen Testaufbau zur Messung einer mechanischen Stabilität des optoelektronischen Bauelements 100. Hierbei wird das optoelektronische Bauelement 100 in dessen
Randbereichen auf Stützelemente 200 aufgelegt und im
zentralen Bereich mit einer mechanischen Last 300, welche beispielsweise bis zu 95 N betragen kann, beaufschlagt. Beim Auftreten einer eine kritische Schwelle überschreitenden Zugspannung kann eine Trennung oder Ablösung von
Teilbereichen des optoelektronischen Bauelements voneinander auftreten. Durch die Wirkung der Haftvermittlungsschicht 11 erfolgt die Trennung oder Ablösung, wenn überhaupt, bei einer wesentlich höheren Last als bei vergleichbaren herkömmlichen Vorrichtungen. Sie tritt weder innerhalb der
Dünnfilmverkapselungsschicht noch an einer Grenzfläche zwischen der Dünnfilmverkapselungsschicht und der
Abdeckungsschicht, sondern entweder gar nicht oder zumindest nur in einem Bereich auf, welcher auf der der
Dünnfilmverkapselungsschicht 8 abgewandten Seite der
Grenzfläche angeordnet ist. Hierdurch bleibt die
Dünnfilmverkapselungsschicht 8 unbeschädigt.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement, umfassend
- ein Substrat (1),
- eine erste Elektrode (2) auf dem Substrat (1),
- eine Strahlungsemittierende oder strahlungsabsorbierende Schichtenfolge (4) auf der ersten Elektrode (2),
- eine zweite Elektrode (6) auf der Schichtenfolge (4),
- eine auf der zweiten Elektrode (6) angeordnete
Verkapselungsschicht (8),
- eine auf der Verkapselungsschicht (8) angeordnete
Abdeckungsschicht (24), und
- eine zwischen der Verkapselungsschicht (8) und der
Abdeckungsschicht (24) angeordnete Haftvermittlungsschicht (11), welche eine Dicke von kleiner als 3 nm aufweist.
2. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorangehenden
Anspruch, wobei die Schichtenfolge (4) eine oder mehrere funktionale Schichten aus organischem Material umfasst.
3. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Schichtenfolge (4) einen aktiven Bereich umfasst, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung
abstrahlt .
4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Verkapselungsschicht (8) dazu
ausgebildet ist, die Elektroden (2, 6) und die Schichtenfolge (4) vor Feuchtigkeit und/oder Luftsauerstoff zu schützen.
5. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Verkapselungsschicht (8) als eine Dünnfilmverkapselungsschicht ausgebildet ist, welche eine Dicke zwischen 400 nm und 3 ym aufweist.
6. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorangehenden
Anspruch, wobei die Dünnfilmverkapselungsschicht (8) ein Siliziumoxid, ein Siliziumnitrid oder ein Siliziumcarbid enthält oder aus einem oder mehreren dieser Materialien besteht .
7. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Haftvermittlungsschicht (11) eine Dicke zwischen 0,3 nm und 2 nm aufweist.
8. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Haftvermittlungsschicht (11) ein
Metalloxid enthält oder aus diesem besteht.
9. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorangehenden
Anspruch, wobei die Haftvermittlungsschicht (11) ein
Titanoxid oder ein Aluminiumoxid enthält oder aus diesem besteht .
10. Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorangehenden Ansprüche, wobei eine durch die
Haftvermittlungsschicht (11) vermittelte Adhäsion zwischen der Abdeckungsschicht (24) und der Verkapselungsschicht (8) so groß ist, dass die Abdeckungsschicht (24) bei einer mechanischen Belastung des optoelektronischen Bauelements an der Verkapselungsschicht (8) haften bleibt.
11. Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorangehenden Ansprüche, wobei die Abdeckungsschicht (24) eine Kleberschicht (10) und eine auf der Kleberschicht (10) angeordnete Decksubstratschicht (12) umfasst.
12. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorangehenden Anspruch, wobei die Kleberschicht (10) einen Epoxidkleber enthält und eine Dicke zwischen 10 ym und 50 ym aufweist.
13. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements nach einem der vorangehenden Ansprüche, umfassend die Verfahrensschritte:
- Bereitstellen eines Schichtenstapels umfassend ein Substrat
(I) , eine erste Elektrode (2) auf dem Substrat (1), eine Strahlungsemittierende oder Strahlungsabsorbierende
Schichtenfolge (4) auf der ersten Elektrode (2), eine zweite Elektrode (6) auf der Schichtenfolge (4) und eine auf der zweiten Elektrode (6) angeordnete Verkapselungsschicht (8),
- Auftragen einer Haftvermittlungsschicht (11) auf die
Verkapselungsschicht (8), wobei die Haftvermittlungsschicht
(II) eine Dicke von kleiner als 3 nm aufweist, und
- Auftragen einer Abdeckungsschicht (24) auf der
Haftvermittlungsschicht (11).
14. Verfahren nach dem vorangehenden Anspruch, wobei die Haftvermittlungsschicht (11) durch Atomlagenabscheidung auf die Verkapselungsschicht (8) aufgetragen wird.
15. Verfahren nach einem der beiden vorangehenden Ansprüche, wobei eine Kleberschicht (10) auf die Haftvermittlungsschicht (11) und eine Decksubstratschicht (12) auf die Kleberschicht (10) aufgetragen wird.
PCT/EP2014/076732 2013-12-05 2014-12-05 Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Ceased WO2015082687A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013113535.8A DE102013113535A1 (de) 2013-12-05 2013-12-05 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102013113535.8 2013-12-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015082687A1 true WO2015082687A1 (de) 2015-06-11

Family

ID=52007037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2014/076732 Ceased WO2015082687A1 (de) 2013-12-05 2014-12-05 Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102013113535A1 (de)
WO (1) WO2015082687A1 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011079160A1 (de) * 2011-07-14 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelements
US20130049580A1 (en) * 2010-04-12 2013-02-28 Tony Maindron Organic Optoelectronic Device and Method for Encapsulating Same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012220045A1 (de) * 2012-11-02 2014-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Betrieb eines organischen optoelektronischen Bauelements

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130049580A1 (en) * 2010-04-12 2013-02-28 Tony Maindron Organic Optoelectronic Device and Method for Encapsulating Same
DE102011079160A1 (de) * 2011-07-14 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
DE102013113535A1 (de) 2015-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011084276A1 (de) Verkapselung für ein organisches elektronisches bauelement, ein organisches elektronisches bauelement mit der verkapselung und ein verfahren zur herstellung eines organischen elektronischen bauelements mit der verkapselung
WO2013000797A1 (de) Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes
DE102009024411A1 (de) Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
DE102012109143B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
DE102014102565B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
WO2015000859A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2017178233A1 (de) Mehrschichtige verkapselung, verfahren zur verkapselung und optoelektronisches bauelement
WO2013007592A1 (de) Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelementes
DE102014111345A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013111422A1 (de) Optoelektronisches Bauelement, Kontaktiervorrichtung und optoelektronische Baugruppe
DE102008033017A1 (de) Verkapseltes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102011005612A1 (de) Organisches Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Optoelektronischen Bauelements
EP3017464B1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102011079160B4 (de) Verkapselungsstruktur für ein optoelektronisches bauelement und verfahren zum verkapseln eines optoelektronischen bauelements
WO2015082687A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112014002467B4 (de) Optoelektronisches Bauelement
WO2017068041A1 (de) Organisches optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines organischen optoelektronischen bauelements
WO2017191194A2 (de) Verfahren zum herstellen eines organischen optoelektronischen bauelements und organisches optoelektronisches bauelement
DE112015004174B4 (de) Organisches Bauelement
DE102017107707A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements und elektronisches Bauelement
WO2016102584A1 (de) Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe
WO2016124640A1 (de) Bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements
WO2016042042A1 (de) Optoelektronische baugruppe und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen baugruppe
DE102020200053A1 (de) Verkapselungssystem für ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens einer ersten Verkapselung und einer zweiten Verkapselung, optoelektronisches Bauelement mit einem solchen Verkapselungssystem
DE112013005382B4 (de) Element zur Stabilisierung eines optoelektronischen Bauelements, Verfahren zur Herstellung eines Elements und optoelektronisches Bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14806668

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14806668

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1