WO2015034280A1 - 전지셀 어셈블리 - Google Patents

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WO2015034280A1
WO2015034280A1 PCT/KR2014/008304 KR2014008304W WO2015034280A1 WO 2015034280 A1 WO2015034280 A1 WO 2015034280A1 KR 2014008304 W KR2014008304 W KR 2014008304W WO 2015034280 A1 WO2015034280 A1 WO 2015034280A1
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microprocessor
flexible plastic
plastic sheet
trace
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보버그레그
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주식회사 엘지화학
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Definitions

  • the present invention relates to a battery cell assembly.
  • the inventors of the present application have identified the need for a battery cell assembly that uses a thin profile sensor attached to the outer surface of the battery cell to determine operational parameter values associated with the battery cell.
  • a battery cell assembly includes a battery cell including a housing and first and second electrode terminals extending from the housing.
  • the battery cell assembly further includes a thin profile sensor including a flexible plastic sheet, a microprocessor, and a sensing circuit.
  • the microprocessor and the sense circuit are operatively connected together.
  • the microprocessor and the sensing circuit are connected to a flexible plastic sheet.
  • the flexible plastic sheet is connected to the outer surface of the housing of the battery cell.
  • the sensing circuitry is configured to generate a signal indicative of an operational parameter value of the battery cell.
  • the microprocessor is programmed to determine operating parameter values based on signals from the sense circuitry.
  • the microprocessor is further programmed to store the operating parameter value in a memory device.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a battery system including a battery cell assembly according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a schematic view of the battery cell assembly of Figure 1;
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a first side of a thin film profile sensor used in the battery cell assembly of FIG. 1;
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a first side of a thin film profile sensor used in the battery cell assembly of FIG. 1;
  • FIG. 4 is another schematic diagram of the thin film profile sensor of FIG. 3;
  • FIG. 5 is a sensing circuit, a reference voltage circuit, a data transmitting circuit, a data receiving circuit, and a heat generating circuit used in the thin film profile sensor of FIG. Is an electrical circuit diagram of;
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a second surface of the thin film profile sensor of FIG. 3;
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the thin film profile sensor according to line 7-7 of FIG. 3;
  • FIG. 8 is an enlarged view of a portion of the battery cell assembly of FIG. 1;
  • FIG. 9 is an enlarged side view of a portion of the battery cell assembly of FIG. 1;
  • 10 and 11 are flowcharts of a method of determining operating parameters associated with a battery cell assembly, and a method of controlling operating parameter values using the thin film profile sensor of FIG. 3;
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a portion of a thin film profile sensor according to another embodiment of the present invention.
  • a battery system 10 and a battery control module 30 including a battery cell assembly 20 according to an embodiment of the present invention are provided.
  • the battery cell assembly 20 includes a battery cell 40 and a thin film profile sensor 50.
  • An advantage of the battery cell assembly 20 is that the thin film profile sensor 50 is directly connected to the outer surface of the battery cell 40, determines an operating parameter value associated with the battery cell 40, and based on the operating parameter value To control the operating parameters of the cell 40.
  • thin film profile sensor 50 determines a temperature value associated with battery cell 40 using sensing circuit 100 and based on the temperature value, temperature of battery cell 40.
  • the heat generating circuit 108 is controlled to adjust the level.
  • trace herein means a thin electrically conductive member.
  • the battery cell 40 includes a housing 60 and electrode terminals 62 and 64 extending from the housing.
  • the housing 60 is configured to enclose an active element which generates a voltage between the electrode terminals 62, 64.
  • the battery cell 40 is a lithium-ion pouch-type battery cell.
  • the housing 60 is substantially rectangular-shaped and includes an outer surface 66 (see FIG. 9).
  • battery cell 40 is of another type, such as, for example, a nickel-metal-hydride battery cell or a nickel-cadmium battery cell. It may be a battery cell of.
  • the housing of the battery cell 40 may have another shape, such as, for example, a cylindrical shape.
  • battery cell 40 may be replaced with another type of energy storage cell.
  • battery cell 40 may be replaced with an ultracapacitor containing extended first and second electrode terminals, or a supercapacitor including extended first and second electrode terminals. Can be replaced with
  • the thin film profile sensor 50 is configured to determine an operating parameter value of the battery cell 40 and to control the operating parameter of the battery cell 40 based on the operating parameter value.
  • the thin film profile sensor 50 uses the sensing circuit 100 to determine the temperature value of the battery cell 40 and based on the temperature value of the battery cell 40
  • the heat generating circuit 108 is controlled to adjust the temperature level.
  • the thin film profile sensor 50 includes a flexible plastic sheet 80, a microprocessor 90, a sensing circuit 100, a reference voltage circuit 102, a data receiving circuit 104, Data transfer circuit 106, heat generating circuit 108, and leads 110, 112.
  • the microprocessor 90 is electrically connected to the sensing circuit 100, the data receiving circuit 104, the data transmission circuit 106, and the heat generating circuit 108.
  • the microprocessor 90, the sensing circuit 100, the data receiving circuit 104, the data transmission circuit 106, and the heat generating circuit 108 are connected to the first side of the flexible plastic sheet 80.
  • the flexible plastic sheet 80 is formed to secure the remaining components on top of the thin film profile sensor 50.
  • the flexible plastic sheet 80 includes a first side 130 and a second side 132.
  • the flexible plastic sheet 80 is substantially sized and shaped to cover the entire outer surface 66 on the first side of the battery cell 40 housing 80.
  • the flexible plastic sheet 80 is substantially rectangular.
  • the flexible plastic sheet 80 may be another shape that is configured to cover the outer surface of the battery cell.
  • microprocessor 90 determines operating parameter values (eg, temperature values) of battery cell 40, and It is programmed to control operating parameters (eg, temperature levels) of the battery cell 40 based on the operating parameter values.
  • the microprocessor 90 includes an analog-to-digital converter that includes a storage device 140, input / output (I / O) ports 150, 152, 154, 156, 158, 160, 162. 142, and an oscillator 170;
  • the microprocessor 90 is electrically connected to the electrode terminals 62 and 64 of the battery cell 40 through the leads 110 and 112.
  • the electrode terminals 62, 64 are configured to supply an operating voltage to the microprocessor 90.
  • the microprocessor 90 is directly connected to the first face 130 of the flexible plastic sheet 80 using adhesive or other attachment means. In yet another embodiment, the microprocessor 90 is directly connected to the circuit board 119 (see FIG. 12), and the circuit board 119 is a flexible plastic sheet 80 using adhesive or other attachment means. Is directly connected to the first side of the In another embodiment, the microprocessor 90 is located on the second side 132 of the flexible plastic sheet 80. The microprocessor 90 uses software instructions and / or data stored in the storage device 140 to perform at least some of the tasks described herein with respect to the microprocessor 90.
  • the sensing circuit 100 is configured to generate a signal indicative of operating parameter values (eg, temperature levels) of the battery cell 40.
  • the sensing circuit 100 is directly connected to the flexible plastic sheet 80.
  • at least some components of the sense circuit 100 may be located on a circuit board 119 (see FIG. 12) further connected to the flexible plastic sheet 80.
  • the sensing circuit 100 is directly connected to the first side 130 of the flexible plastic sheet 80.
  • the sensing circuit 100 may be directly connected to the second side 132 of the flexible plastic sheet 80.
  • the sense circuit 100 includes a transistor 190, resistors 194, 198, 202, 206, a resistive trace 210, and nodes 218, 222, 226. Doing.
  • the resistance trace 210 has a resistance level that changes based on the temperature level of the battery cell 40.
  • the resistor 190 includes a base B1, an emitter E1, and a collector C1.
  • Emitter E1 is electrically connected to node 218 which is further connected to an operating voltage on the positive terminal of battery cell 40.
  • Node 218 is further electrically connected to I / O port 150 of microprocessor 90.
  • Base B1 is further electrically connected to node 222.
  • Resistor 194 is electrically connected between node 222 and node 218.
  • resistor 198 is electrically connected between node 222 and I / O port 152.
  • Resistor 202 is electrically connected between collector C1 and node 226.
  • the resistance trace 210 is electrically connected between the node 226 and the negative terminal of the battery cell 40.
  • resistor 202 is electrically connected in series with resistor trace 210, and electrical node 226 is electrically connected therebetween.
  • the resistor 22 is further electrically connected to the operating voltage when the transistor 190 is turned on.
  • Resistor 206 is electrically connected between node 226 and I / O port 154.
  • the resistance trace 210 changes based on the temperature level of the battery cell 40, and the resistance used by the microprocessor 90 to determine the temperature level of the battery cell 40. Has a level.
  • the resistance trace 210 is located directly on the first side 130 of the flexible plastic sheet 80. In another embodiment, the resistance trace 210 is located directly on the second side 132 of the flexible plastic sheet 80.
  • Resistor traces 210 may comprise resistive trace portions (340, 342, 344, 346, 348, 350, 352, 354, 356, 358, 360, 362, 364, 366) that are electrically connected in series. It is included.
  • resistance trace 210 has a thickness of 0.33 to 1.0 millimeters. Of course, in another embodiment, the resistance trace 210 may have a thickness thicker than 1.0 millimeters. In one embodiment, resistance trace 210 is printed on flexible plastic sheet 80 and is made of graphite, nickel, tin, silver, copper, or at least two alloys of these materials. At least one selected from the group.
  • the resistive traces 210 may have other configurations on the flexible plastic sheet 80.
  • the resistance trace 210 may include a plurality of first trace portions extending in parallel to each other to provide a desired temperature sensing coverage of the battery cell 40. ), It may consist of a plurality of first trace portions, which are connected with one or more trace portions located substantially vertically in end regions.
  • resistance trace 210 may consist of another combination of trace portions extending in parallel and connected to one or more series trace portions to provide a desired temperature sensing range of battery cell 40. Can be.
  • the resistor trace 210 has a resistance that changes based on the temperature of the battery cell 40, when the transistor 190 is turned on, the voltage at the node 226 represents the temperature level of the battery cell 40. .
  • the voltage supplied to the I / O port 154 further indicates the temperature level of the battery cell 40.
  • microprocessor 90 is programmed to output a low logic level voltage that turns transistor 190 on I / O port 152. When transistor 190 is turned on, microprocessor 90 is programmed to measure the voltage (temperature_sense) on resistor 206 of I / O port 154. The microprocessor 90 is further programmed to determine a temperature value representing the temperature level of the battery cell 40 based on the voltage (temperature_sensing). In one embodiment, microprocessor 90 stores a plurality of voltage values (corresponding to a voltage level at I / O port 154) and a plurality of associated temperature levels of battery cell 40. The lookup table stored in the device 140 is used. The microprocessor 90 uses the measured voltage level corresponding to the temperature level of the battery cell 40 as an index to access the associated temperature value in the lookup table.
  • the microprocessor 90 is further programmed to measure the voltage on the I / O port 150 to determine whether the battery cell 40 is Vopen or Vload voltage. Specifically, the microprocessor 90 measures the voltage on the I / O port 150 corresponding to the V open voltage level of the battery cell 40 when the transistor 300 is turned off. In contrast, the microprocessor measures the voltage on I / O port 151 corresponding to the V load voltage level of battery cell 40 when transistor 300 is turned on.
  • the reference voltage circuit 102 is configured to input a reference voltage to the I / O port 156 of the microprocessor 90.
  • the reference voltage circuit 102 is directly connected to the flexible plastic sheet 80.
  • at least some components of the reference voltage circuit 102 may be located on a circuit board 119 (see FIG. 12) that is further connected to the flexible plastic sheet 80.
  • the reference voltage circuit 102 is directly connected to the first side 130 of the flexible plastic sheet 80.
  • the reference voltage circuit 102 may be directly connected to the second side 132 of the flexible plastic sheet 80.
  • Reference voltage circuit 102 includes a resistor 230, a diode 232, and a node 234.
  • the resistor 230 is electrically connected between the operating voltage and the node 234.
  • the diode 232 is electrically connected between the node 234 and the negative terminal of the battery cell 40. Node 234 is further electrically connected to I / O port 156.
  • the data receiving circuit 104 is formed such that the thin film profile sensor 50 receives data from the battery control module 30.
  • the data receiving circuit 104 is directly connected to the flexible plastic sheet 80.
  • at least some components of the data receiving circuit 104 may be located on a circuit board 119 (see FIG. 12) that is further connected to the flexible plastic sheet 80.
  • the data receiving circuit 104 is directly connected to the first side 130 of the flexible plastic sheet 80.
  • the data receiving circuit 104 may be directly connected to the second side 132 of the flexible plastic sheet 80.
  • the data receiving circuit 104 includes an infrared receiving transistor 242, a resistor 244, a voltage buffer 248, and a node 252.
  • Transistor 242 includes a base B2, a collector C2, and an emitter E2.
  • the collector C2 is electrically connected to the positive terminal of the battery cell 40.
  • Emitter E2 is electrically connected to node 252 further connected to resistor 244.
  • the resistor 244 is electrically connected between the node 252 and the negative terminal of the battery cell 40.
  • the voltage buffer 248 is electrically connected between the node 252 and the I / O port 158 of the microprocessor 90.
  • base B2 receives an infrared light having a threshold light level
  • transistor 242 When base B2 receives an infrared light having a threshold light level, transistor 242 is turned on and supplies voltage to I / O port 158 through voltage buffer 248.
  • the transistor 242 supplies a binary voltage message through the voltage buffer 248 to the I / O port 158. It turns on and off repeatedly.
  • the data receiving circuit 104 is configured to receive a signal including a binary message therein corresponding to a threshold operational parameter value associated with the battery cell 40.
  • the signal corresponds to an infrared signal.
  • the threshold operating parameter value corresponds to at least one threshold temperature value of the battery cell 40.
  • the data receiving circuit 104 may include a radio frequency (RF) receiver operatively coupled to the I / O port 158, and includes a binary message.
  • the received signal may correspond to an RF signal.
  • the threshold operating parameter value may correspond to another threshold parameter value associated with the battery cell 40.
  • the data receiving circuit 104 is further configured to output a voltage signal including the binary message in response to the received signal.
  • the binary message indicates the threshold operating parameter value of the battery cell 40 and is received by the microprocessor 90.
  • the binary message includes a threshold operating parameter value corresponding to at least one threshold temperature value of the battery cell.
  • the data transmission circuit 106 is formed such that the thin film profile sensor 50 transmits data to the battery control module 30.
  • the microprocessor 90 is configured to generate a control signal to induce the data transmission circuit 106 to transmit a signal containing therein a first binary message representing the measured operating parameter value of the battery cell 40. It is programmed.
  • the data transfer circuit 106 is directly connected to the flexible plastic sheet 80.
  • at least some components of the data transfer circuit 106 may be located on a circuit board 119 (see FIG. 12) that is further connected to the flexible plastic sheet 80.
  • the data transfer circuit 106 is directly connected to the first side 130 of the flexible plastic sheet 80.
  • the data transfer circuit 106 may be directly connected to the second side 132 of the flexible plastic sheet 80.
  • the data transmission circuit 106 includes an infrared transmitting diode 258, a transistor 260, resistors 264, 268, 272, diodes 276, 280, and a node 284.
  • Transistor 260 includes a base B3, a collector C3, and an emitter E.
  • the infrared transmission diode 258 is electrically connected between the collector C3 and the positive terminal of the battery cell 40.
  • the resistor 264 is electrically connected between the emitter E3 and the negative terminal of the battery cell 40.
  • the resistor 268 is electrically connected between the base B3 and the negative terminal of the battery cell 40.
  • Base B3 is further electrically connected to node 284.
  • the diodes 276 and 280 are electrically connected in series between the node 284 and the negative terminal of the battery cell 40.
  • Resistor 272 is electrically connected between node 284 and I / O port 160 of the microprocessor.
  • the microprocessor 90 When the microprocessor 90 instructs the I / O port 160 to output a high logic level voltage, the transistor 260 is turned on and the infrared transmission diode 258 emits infrared light. Thus, when the microprocessor 90 wishes to output a signal containing a binary message corresponding to the measured operating parameter value of the battery cell 40 therein, the microprocessor 90 may have an infrared light including the binary message therein. The voltage output is controlled by I / O port 160 to generate. In one embodiment, the binary message includes a measured operating parameter value corresponding to the measured temperature value of the battery cell 40.
  • the heat generating circuit 108 is formed to increase the temperature level of the battery cell 40 when the temperature level of the battery cell 40 is less than the threshold temperature level.
  • the heat generating circuit 108 is directly connected to the flexible plastic sheet 80.
  • at least some components of the heat generating circuit 108 may be located on a circuit board 119 (see FIG. 12) that is further connected to the flexible plastic sheet 80.
  • the heat generating circuit 108 is directly connected to the first side 130 of the flexible plastic sheet 80.
  • the heat generating circuit 108 may be directly connected to the second side 132 of the flexible plastic sheet.
  • the heat generating circuit 108 includes a transistor 300, a heating element trace 302, resistors 304, 308, 312, diodes 316, 320, nodes 324, 328, and A sense line 329 is included.
  • Transistor 300 includes base B4, collector C4, and emitter E4.
  • the heating element trace 302 is electrically connected between the collector C4 and the positive terminal of the battery cell 40.
  • the resistor 304 is connected between the emitter E4 and the negative terminal of the battery cell 40.
  • the sense line 329 is electrically connected between the emitter E4 and the I / O port 164 of the microprocessor 90.
  • Base B4 is electrically connected to node 328.
  • the diodes 316 and 320 are electrically connected in series between the node 328 and the negative terminal of the battery cell 40.
  • Resistor 312 is electrically connected between node 328 and I / O port 162 of microprocessor 90.
  • the heating element trace 302 is configured to generate heat when a voltage is supplied via the heating element trace 302.
  • the heating element trace 302 is a substantially serpentine-shaped heating element trace located directly on the flexible plastic sheet 80.
  • the heating element trace 302 includes heating element traces 400, 402, 404, 406, 408, 410, 412, 414, 416, 418, 420, 422, 424 connected in series with each other.
  • the heating element trace 302 is printed on the flexible plastic sheet 80 and selected from the group consisting of graphite, nickel, tin, silver, copper, or at least two alloys of these materials. Consists of at least one.
  • the heating element trace 302 may have other configurations on the flexible plastic sheet 80.
  • the heating element trace 302 may include a plurality of first heating element trace portions extending in parallel to each other to provide a desired heating range of the battery cell 40. As an end region, it may consist of a plurality of first heating element trace portions connected together to one or more heating element trace portions located substantially vertically.
  • the heating element trace 302 may be another combination of heating element trace portions extending in parallel and connected to one or more series heating trace traces to provide a desired heating range of the battery cell 40. It may be configured as.
  • the microprocessor 90 In operation, the microprocessor 90 generates the heat generating circuit 108 to supply current to the heating element trace 302 to generate heat when the temperature value of the battery cell 40 is below the first threshold temperature level. It is programmed to generate a control voltage for inducing transistor 300. In addition, the microprocessor 90 may apply a current to the heating element trace 302 to induce the heating element trace 302 to stop the heating when the temperature value of the battery cell 40 exceeds the second threshold temperature value. It is further programmed to stop the generation of the control voltage to induce the transistor 300 of the heat generating circuit 108 to stop the supply.
  • the microprocessor 90 is further programmed to determine the Iload current value by measuring the voltage at node 324 when transistor 300 is turned on.
  • the microprocessor 90 calculates the I load current value using the following equation.
  • I load known resistance value of voltage / resistor 304 at node 324
  • the adhesive portion 302 is configured to attach the flexible plastic sheet 80 to the outer surface of the housing 60 of the battery cell 40.
  • the adhesive 302 is located on the first side 130 in the peripheral region of the flexible plastic sheet 80. Specifically, the adhesive 302 surrounds the remaining components of the thin film profile sensor 50 and is located on the periphery of the flexible plastic sheet 82. When the first side 130 of the thin film profile sensor 50 is positioned on the outer surface 66 of the housing 60, the adhesive 302 connects the flexible plastic sheet 80 to the outer surface of the housing 60.
  • the microprocessor 90 Superposed between the flexible plastic sheet 80 and the outer surface 66 of the housing 60, the microprocessor 90, the sensing circuit 100, the reference voltage circuit 102, the data transmission circuit 106, the data reception Prevents dust, dirt, and other undesirable materials from contacting the circuit 104 and the heat generating circuit 108.
  • a flow chart of a method of determining operating parameter values associated with a battery cell 40 and a method of controlling operating parameters of the battery cell 40 based on the operating parameter values is shown. Will be depicted.
  • step 500 the operator forms a battery cell 40 that includes a housing 60 and first and second electrode terminals 62, 64 extending from the housing 60.
  • step 500 the method advances to step 502.
  • the operator includes a flexible plastic sheet 80, a microprocessor 90, a sensing circuit 100, a heat generating circuit 108, a data transmission circuit 106, and a data receiving circuit 104.
  • the thin film profile sensor 50 is formed.
  • the microprocessor 90 is electrically connected to the sensing circuit 100, the heat generating circuit 108, the data transmission circuit 106, and the data receiving circuit 104.
  • Microprocessor 90, sensing circuit 100, heat generating circuit 108, data transmission circuit 106, and data receiving circuit 104 are connected to a flexible plastic sheet 80.
  • the flexible plastic sheet 80 is connected to the outer surface 66 of the housing 60 of the battery cell 40.
  • the sense circuit 100 includes a resistance trace 210.
  • the resistance trace 210 includes a resistance level that changes based on the temperature level of the battery cell 40.
  • an external battery control module 30, along with the first binary message includes (i) a battery cell identifier value, (ii) a first temperature threshold value, and (iii) transmit a signal comprising a second temperature threshold.
  • the method advances to step 506.
  • step 506 the data receiving circuit 104 receives a signal containing the first binary message from the external battery control module 30 and receives the battery cell identifier value and the first received by the microprocessor 90. And a second temperature threshold values. After step 506, the method advances to step 508.
  • step 508 the microprocessor 90 determines whether the battery cell identifier value is the same as the stored battery cell identifier value associated with the battery cell 40.
  • the stored battery cell identifier value is stored in storage device 140 prior to step 508. If the value of step 508 is equal to "yes”, the method proceeds to step 510. Otherwise, the method proceeds to step 512.
  • step 510 the microprocessor 90 stores the first temperature threshold value and the second temperature threshold value in the storage device 140. After step 510, the method advances to step 520.
  • step 508 if the value of step 508 is "no", the method advances to step 512.
  • step 512 the microprocessor 90 checks the first temperature threshold and the second temperature threshold that were previously stored in the storage device 140. After step 512, the method advances to step 520.
  • step 520 the sensing circuit 100 generates a first voltage representing a temperature value of the battery cell 40.
  • the temperature value represents the temperature level of the battery cell 40.
  • the microprocessor 90 determines the temperature value of the battery cell 40 based on the first voltage from the sense circuit 100. Specifically, in one embodiment, the microprocessor 90 is stored in the storage device 140 to select the temperature value using the first voltage as an index to the lookup table, and the battery cell 40 Is connected to a lookup table that associates the plurality of temperature values of to a plurality of voltages from the sense circuit 100. After step 522, the method advances to step 524.
  • step 524 the microprocessor 90 stores the temperature value in the storage device 140. After step 524, the method advances to step 526.
  • step 526 the microprocessor 90 transmits a signal including a (i) battery cell identifier value, and (ii) battery cell 40 temperature value along with a second binary message. To generate a control signal for induction). After step 526, the method advances to step 528.
  • step 528 the external battery control module 30 receives a signal from the data transmission circuit 106 containing a second binary message.
  • step 530 the microprocessor determines whether the temperature value is less than a first threshold temperature value. If the value of step 530 is equal to "yes”, the method advances to step 532. Otherwise, the method proceeds to step 534.
  • step 532 the microprocessor 90 induces the heat generating circuit 108 to supply current to the heating element trace 302 to generate heat to increase the temperature level of the battery cell 40. To generate a control voltage.
  • microprocessor 90 determines whether the temperature value exceeds the second threshold temperature value.
  • the second threshold temperature value is greater than the first threshold temperature value. If the value of step 534 is equal to "yes”, the method advances to step 536. Otherwise, the method returns to step 520.
  • step 536 the microprocessor 90 controls voltage to induce the heat generating circuit 108 to stop supplying current to the heating element trace 302 to induce the heating element trace 302 to stop heating. Stop the occurrence of After step 536, the method returns to step 520.
  • the method depicted above may be at least partially included in one or more computer readable media containing computer-executable instructions for executing the method.
  • the computer-readable medium may be composed of one or more of the following hard drives, RAM, ROM, flash memory, and other computer reading media known in the art.
  • the computer-executable instructions are loaded, executed by one or more microprocessors, and the one or more microprocessors become an apparatus for executing the methods.
  • the battery cell assembly provides a substantial advantage over other assemblies. Specifically, the battery cell assembly determines the operating parameter value associated with the battery cell and provides the technical effect of using a thin film profile sensor connected to the outer surface of the battery cell to control the operating parameter of the battery cell based on the operating parameter value. do. Specifically, the thin film profile sensor uses a sensing circuit to determine a temperature value associated with the battery cell and to control the heat generating circuit to adjust the temperature level of the battery cell based on the temperature value.
  • the battery cell assembly determines the operating parameter value associated with the battery cell and provides a technical effect of using a thin film profile sensor connected to the outer surface of the battery cell to control the operating parameter of the battery cell based on the operating parameter value.
  • the thin film profile sensor uses a sensing circuit to determine a temperature value associated with the battery cell and to control the heat generating circuit to adjust the temperature level of the battery cell based on the temperature value.

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Abstract

전지셀 및 박막 프로파일 센서를 포함하고 있는 전지셀 어셈블리가 제공된다. 상기 전지셀은 하우징 및 그로부터 연장된 제 1 및 제 2 전극 단자들을 포함하고 있다. 박막 프로파일 센서는 유연한 플라스틱 시트, 마이크로프로세서, 및 감지 회로를 포함하고 있다. 상기 마이크로프로세서와 감지 회로는 상기 유연한 플라스틱 시트에 연결되어 있다. 상기 유연한 플라스틱 시트는 상기 전지셀의 하우징의 외면에 연결되어 있다. 감지 회로는 전지셀의 작동 파라미터 값을 나타내는 신호를 발생시킨다. 마이크로프로세서는 상기 감지 회로로부터의 신호에 기반하여 작동 파라미터 값을 결정한다.

Description

전지셀 어셈블리
본 발명은 전지셀 어셈블리에 관한 것이다.
전지셀과 연관된 온도 값을 정확하게 결정하고, 상기 온도 값에 기반하여 전지셀의 온도 수준을 조절하는데 어려움이 있다.
본 출원의 발명자는 전지셀과 관련된 작동 파라미터 값들(operational parameter values)을 결정하기 위해 전지셀의 외면에 부착되어 있는 박막 프로파일 센서(thin profile sensor)를 사용하는 전지셀 어셈블리의 필요성을 확인하였다.
실시예에 따른 전지셀 어셈블리가 제공된다. 상기 전지셀 어셈블리는 하우징 및 상기 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전극 단자들을 포함하고 있는 전지셀을 포함하고 있다. 상기 전지셀 어셈블리는 유연한 플라스틱 시트(flexible plastic sheet), 마이크로프로세서(microprocessor), 및 감지 회로(sensing circuit)를 포함하고 있는 박막 프로파일 센서(thin profile sensor)를 더 포함하고 있다. 상기 마이크로프로세서와 감지 회로는 함께 작동 가능하도록 연결되어 있다. 상기 마이크로프로세서와 감지회로는 유연한 플라스틱 시트에 연결되어 있다. 상기 유연한 플라스틱 시트는 전지셀의 하우징의 외면에 연결되어 있다. 상기 감지 회로는 전지셀의 작동 파라미터 값(operational parameter value)을 나타내는 신호를 발생하도록 구성되어 있다. 상기 마이크로프로세서는 감지 회로로부터의 신호에 기반하여 작동 파라미터 값을 결정하도록 프로그램 되어 있다. 상기 마이크로프로세서는 저장 장치(memory device) 내에 상기 작동 파라미터 값을 저장하도록 더 프로그램 되어 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 어셈블리를 포함하고있는 전지 시스템의 모식도이다;
도 2는 도 1의 전지셀 어셈블리의 모식도이다;
도 3은 도 1의 전지셀 어셈블리 내에 사용되는 박막 프로파일 센서의 제 1 면(side)의 모식도이다;
도 4는 도 3의 박막 프로파일 센서의 또 다른 모식도이다;
도 5는 도 3의 박막 프로파일 센서 내에 사용된 감지 회로, 기준 전압 회로(reference voltage circuit), 데이터 전송 회로(data transmitting circuit), 데이터 수신 회로(data receiving circuit), 및 열 발생 회로(heat generating circuit)의 전기 회로도이다;
도 6은 도 3의 박막 프로파일 센서의 제 2 면의 모식도이다;
도 7은 도 3의 선분 7-7에 따른 박막 프로파일 센서의 단면도이다;
도 8은 도 1의 전지셀 어셈블리의 일부분에 대한 확대도이다;
도 9는 도 1의 전지셀 어셈블리의 일부분에 대해 측면에서 바라본 확대도이다;
도 10 및 11은 전지셀 어셈블리와 연관된 작동 파라미터를 결정하는 방법, 및 도 3의 박막 프로파일 센서를 사용해 작동 파라미터 값을 제어하는 방법의 흐름도이다;
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 프로파일 센서의 일부분에 대한 모식도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 전지셀 어셈블리(20)를 포함하고 있는 전지 시스템(10)과 전지 제어 모듈(battery control module; 30)이 제공된다.
도 1, 3, 5 및 7을 참조하면, 전지셀 어셈블리(20)는 전지셀(40)과 박막 프로파일 센서(50)를 포함하고 있다. 전지셀 어셈블리(20)의 이점은 박막 프로파일 센서(50)가 전지셀(40)의 외면에 직접 연결되고, 전지셀(40)과 연관된 작동 파라미터 값을 결정하며, 상기 작동 파라미터 값에 기반하여 전지셀(40)의 작동 파라미터를 제어한다는 것이다. 구체적으로, 하나의 실시예에서, 박막 프로파일 센서(50)는 감지 회로(100)를 사용하는 전지셀(40)과 연관된 온도 값을 결정하고, 상기 온도 값에 기반하여 전지셀(40)의 온도 수준을 조절하기 위해 열 발생 회로(108)를 제어한다.
이해를 목적으로, 여기에서 "트레이스(trace)"의 용어는 박막 도전 부재(thin electrically conductive member)를 의미한다.
도 1 및 2를 참조하면, 전지셀(40)은 하우징(60) 및 상기 하우징으로부터 연장된 전극 단자들(62, 64)을 포함하고 있다. 하우징(60)은 전극 단자들(62, 64) 사이에서 전압을 발생시키는 활성 요소(active element)를 감싸도록 구성되어 있다. 하나의 실시예에서, 전지셀(40)은 리튬-이온 파우치형 전지셀(lithium-ion pouch-type battery cell)이다. 또한, 상기 실시예에서, 하우징(60)은 실질적으로 사각형(rectangular-shaped)이고, 외면(66; 도 9 참조)을 포함하고 있다. 또 다른 실시예에서, 전지셀(40)은, 예를 들어, 니켈-금속-하이브리드 전지셀(nickel-metal-hydride battery cell) 또는 니켈-카드뮴 전지셀(nickel-cadmium battery cell)과 같은 다른 유형의 전지셀일 수 있다. 또한, 또 다른 실시예에서, 전지셀(40)의 하우징은, 예를 들어, 원통형(cylindrical shape)과 같은 다른 형상을 가질 수 있다. 또한, 또 다른 실시예에서, 전지셀(40)은 다른 유형의 에너지 저장셀(energy storage cell)로 대체될 수 있다. 예를 들어, 전지셀(40)은 연장된 제 1 및 제 2 전극 단자들을 포함하고 있는 울트라 캐패시터(ultracapacitor)로 대체되거나, 연장된 제 1 및 제 2 전극 단자들을 포함하고 있는 슈퍼 캐패시터(supercapacitor)로 대체될 수 있다.
도 3 내지 7을 참조하면, 박막 프로파일 센서(50)는 전지셀(40)의 작동 파라미터 값을 결정하고, 상기 작동 파라미터 값에 기반하여 전지셀(40)의 작동 파라미터를 제어하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 하나의 실시예에서, 박막 프로파일 센서(50)는 전지셀(40)의 온도 값을 결정하기 위해 감지 회로(100)를 사용하고, 상기 온도 값에 기반하여 전지셀(40)의 온도 수준을 조절하기 위해 열 발생 회로(108)를 제어한다.
도 3, 5 및 7을 참조하면, 박막 프로파일 센서(50)는 유연한 플라스틱 시트(80), 마이크로프로세서(90), 감지 회로(100), 기준 전압 회로(102), 데이터 수신 회로(104), 데이터 전송 회로(106), 열 발생 회로(108), 및 리드들(leads; 110, 112)을 포함하고 있다. 마이크로프로세서(90)는 감지 회로(100), 데이터 수신 회로(104), 데이터 전송 회로(106), 및 열 발생 회로(108)에 작동 가능하도록 전기적으로 연결되어 있다. 마이크로프로세서(90), 감지회로(100), 데이터 수신 회로(104), 데이터 전송 회로(106), 및 열 발생 회로(108)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면에 연결되어 있다.
도 1, 3 및 6을 참조하면, 유연한 플라스틱 시트(80)는 박막 프로파일센서(50) 상부의 나머지 구성요소들을 고정하도록 형성된다. 유연한 플라스틱 시트(80)는 제 1 면(130)과 제 2 면(132)를 포함하고 있다. 유연한 플라스틱 시트(80)는 실질적으로 전지셀(40) 하우징(80)의 제 1 면 상의 전체 외면(66)을 덮는 크기 및 형상이다. 하나의 실시예에서, 유연한 플라스틱 시트(80)는 실질적으로 사각형이다. 또 다른 실시예에서, 유연한 플라스틱 시트(80)는 전지셀의 외면을 덮도록 구성되어 있는 또 다른 형상일 수 있다.
도 1, 3, 4 및 5를 참조하면, 이하에서 더욱 자세히 설명되어 있는 바와 같이, 마이크로프로세서(90)는 전지셀(40)의 작동 파라미터 값(예를들어, 온도 값)을 결정하고, 상기 작동 파라미터 값에 기반하여 전지셀(40)의 작동 파라미터(예를 들어, 온도 수준)를 제어하도록 프로그램 되어 있다. 마이크로프로세서(90)는 저장 장치(140), 입출력(I/O) 포트들(150, 152, 154, 156, 158, 160, 162)을 포함하고 있는 아날로그-디지털 컨버터(analog-to-digital converter; 142), 및 오실레이터(oscillator; 170)를 포함하고 있다. 마이크로프로세서(90)는 리드들(110, 112)을 통해 전지셀(40)의 전극 단자들(62, 64)에 전기적으로 연결되어 있다. 전극 단자들(62, 64)은 마이크로프로세서(90)에 작동 전압을 공급하도록 구성되어 있다. 하나의 실시예에서, 마이크로프로세서(90)는 접착 또는 또 다른 부착 수단들을 사용하여 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130)에 직접 연결되어 있다. 또 다른 실시예에서, 마이크로프로세서(90)는 회로 보드(119; 도 12 참조)에 직접 연결되어 있고, 회로 보드(circuit board; 119)는 접착 또는 또 다른 부착 수단들을 사용하여 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면에 직접 연결되어 있다. 또 다른 실시예에서, 마이크로프로세서(90)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 2 면(132) 상에 위치해 있다. 마이크로프로세서(90)는, 상기 마이크로프로세서(90)에 대해 여기에 묘사된 과제들의 적어도 일부를 수행하기 위해 소프트웨어 도구들(software instructions) 및/또는 저장 장치(140) 내에 저장된 데이터를 사용한다.
감지 회로(100)는 전지셀(40)의 작동 파라미터 값(예를 들어, 온도 수준)을 나타내는 신호를 발생하도록 구성되어 있다. 하나의 도시된 실시예에서, 감지 회로(100)는 유연한 플라스틱 시트(80)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 감지 회로(100)의 적어도 일부 구성요소들은 유연한 플라스틱 시트(80)에 더 연결된 회로 보드(119; 도 12 참조) 상에 위치할 수 있다. 또한, 상기 도시된 실시예에서, 감지 회로(100)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 감지 회로(100)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 2 면(132)에 직접 연결될 수 있다. 감지 회로(100)는 트랜지스터(transistor; 190), 저항기들(resistors; 194, 198, 202, 206), 저항 트레이스(resistive trace; 210), 및 노드들(nodes; 218, 222, 226)을 포함하고 있다. 저항 트레이스(210)는 전지셀(40)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 갖는다.
도 5를 참조하면, 저항기(190)는 베이스(base; B1), 에미터(emitter; E1), 및 콜렉터(collector; C1)를 포함하고 있다. 에미터(E1)는 전지셀(40)의 양극 단자 상의 작동 전압에 전기적으로 더 연결되어 있는 노드(218)에 전기적으로 연결되어 있다. 노드(218)는 마이크로프로세서(90)의 I/O 포트(150)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 베이스(B1)는 노드(222)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 저항기(194)는 노드(222)와 노드(218) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항기(198)은 노드(222)와 I/O 포트(152) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(202)는 콜렉터(C1)와 노드(226) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 저항 트레이스(210)는 노드(226)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 저항기(202)는 저항 트레이스(210)와 전기적으로 직렬 연결되어 있고, 전기 노드(electrical node; 226)는 이들 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(22)는 트랜지스터(190)가 켜질 때, 작동 전압에 전기적으로 더 연결된다. 저항기(206)는 노드(226)와 I/O 포트(154) 사이에 전기적으로 연결되어 있다.
도 3 및 5를 참조하면, 저항 트레이스(210)는 전지셀(40)의 온도 수준에 기반하여 변화하고, 전지셀(40)의 온도 수준을 결정하기 위해 마이크로프로세서(90)에 의해 사용되는 저항 수준을 갖는다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(210)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130) 상에 직접 위치해 있다. 또 다른 실시예에서, 저항 트레이스(210)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 2 면(132) 상에 직접 위치해 있다. 저항 트레이스(210)는 서로 전기적으로 직렬 연결되어 있는 저항 트레이스부들(resistive trace portions; 340, 342, 344, 346, 348, 350, 352, 354, 356, 358, 360, 362, 364, 366)을 포함하고 있다. 보이는 바와 같이, 저항 트레이스들(342, 346, 350, 354, 358, 362)은 서로 이격되어 있고, 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130)을 따라 길이 방향으로 실질적으로 서로 평행하다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(210)는 0.33 내지 1.0 밀리미터의 두께를 갖고 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 저항 트레이스(210)는 1.0 밀리미터보다 더 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 하나의 실시예에서, 저항 트레이스(210)는 유연한 플라스틱 시트(80) 상에 인쇄되어 있고, 흑연(graphite), 니켈, 주석(tin), 은, 구리, 또는 이들 소재들의 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나로 이루어져 있다.
또 다른 실시예에서, 저항 트레이스(210)는 유연한 플라스틱 시트(80) 상에 다른 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 저항 트레이스(210)는, 전지셀(40)의 소망하는 온도 감지 범위(temperature sensing coverage)를 제공하기 위해, 서로 평행하게 연장되어 있는 복수의 제 1 트레이스부들(first plurality of trace portions)로서, 단부 영역들(end regions)에서, 실질적으로 수직으로 위치해 있는 하나 이상의 트레이스부들과 함께 연결되어 있는, 복수의 제 1 트레이스부들로 구성될 수 있다. 또한, 예를 들어, 저항 트레이스(210)는 전지셀(40)의 소망하는 온도 감지 범위를 제공하기 위해, 평행하게 연장되어 하나 또는 그 이상의 직렬 트레이스부들에 연결된 트레이스부들의 또 다른 조합으로 구성될 수 있다.
저항 트레이스(210)는 전지셀(40)의 온도에 기반하여 변화하는 저항을 갖기 때문에, 트랜지스터(190)가 켜졌을 때, 노드(226)에서의 전압은 전지셀(40)의 온도 수준을 나타낸다. 또한, I/O 포트(154)에 공급된 전압은 전지셀(40)의 온도 수준을 더 나타낸다.
전지셀(40)의 온도 수준을 결정하기 위해, 마이크로프로세서(90)는 I/O 포트(152) 상에 트랜지스터(190)를 켜는 낮은 논리 수준 전압(logic level voltage)을 출력하도록 프로그램 되어 있다. 트랜지스터(190)가 켜졌을 때, 마이크로프로세서(90)는 I/O 포트(154)의 저항기(206) 상의 전압(온도_감지)을 측정하도록 프로그램 되어 있다. 마이크로프로세서(90)는 전압(온도_감지)에 기반하여 전지셀(40)의 온도 수준을 나타내는 온도 값을 결정하도록 더 프로그램 되어 있다. 하나의 실시예에서, 마이크로프로세서(90)는, (I/O 포트(154)에서 전압 수준에 대응되는) 복수의 전압 값들과, 전지셀(40)의 복수의 연관 온도 수준들을 포함하고 있는 저장 장치(140) 내에 저장된 검색 테이블(lookup table)을 사용한다. 마이크로프로세서(90)는 검색 테이블 내의 연관 온도 값에 접속하기 위한 색인(index)으로서, 전지셀(40)의 온도 수준에 대응하는 측정 전압 수준을 사용한다.
마이크로프로세서(90)는 전지셀(40)의 V열림(Vopen) 또는 V로드(Vload) 전압 여부를 결정하기 위해 I/O 포트(150) 상의 전압을 측정하도록 더 프로그램 되어 있다. 구체적으로, 마이크로프로세서(90)는 트랜지스터(300)가 꺼졌을 때, 전지셀(40)의 V열림 전압 수준에 대응하는 I/O 포트(150) 상의 전압을 측정한다. 반대로, 마이크로프로세서는 트랜지스터(300)가 켜졌을 때, 전지셀(40)의 V로드 전압 수준에 대응하는 I/O 포트(151) 상의 전압을 측정한다.
기준 전압 회로(102)는 마이크로프로세서(90)의 I/O 포트(156)에 기준 전압을 입력하도록 형성되어 있다. 도시된 실시예에서, 기준 전압 회로(102)는 유연한 플라스틱 시트(80)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 기준 전압 회로(102)의 적어도 일부 구성요소들은 유연한 플라스틱 시트(80)에 더 연결되어 있는 회로 보드(119; 도 12 참조) 상에 위치할 수 있다. 도시된 실시예에서, 기준 전압 회로(102)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 기준 전압 회로(102)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 2 면(132)에 직접 연결될 수 있다. 기준 전압 회로(102)는 저항기(230), 다이오드(232), 및 노드(234)를 포함하고 있다. 저항기(230)는 작동 전압과 노드(234) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 다이오드(232)는 노드(234)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 노드(234)는 I/O 포트(156)에 전기적으로 더 연결되어 있다.
도 1 및 5를 참조하면, 데이터 수신 회로(104)는 박막 프로파일 센서(50)가 전지 제어 모듈(30)로부터 데이터를 수신하도록 형성되어 있다. 도시된 실시예에서, 데이터 수신 회로(104)는 유연한 플라스틱 시트(80)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 데이터 수신 회로(104)의 적어도 일부 구성요소들은 유연한 플라스틱 시트(80)에 더 연결되어 있는 회로 보드(119; 도 12 참조) 상에 위치할 수 있다. 또한, 도시된 실시예에서, 데이터 수신 회로(104)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 데이터 수신 회로(104)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 2 면(132)에 직접 연결될 수 있다. 데이터 수신 회로(104)는 적외선 수신 트랜지스터(infrared receiving transistor; 242), 저항기(244), 전압 버퍼(voltage buffer; 248), 및 노드(252)를 포함하고 있다. 트랜지스터(242)는 베이스(B2), 콜렉터(C2), 및 에미터(E2)를 포함하고 있다. 콜렉터(C2)는 전지셀(40)의 양극 단자에 전기적으로 연결되어 있다. 에미터(E2)는 저항기(244)에 더 연결된 노드(252)에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(244)는 노드(252)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 전압 버퍼(248)는 노드(252)와 마이크로프로세서(90)의 I/O 포트(158) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 베이스(B2)가 임계 조명 수준(threshold light level)을 갖는 적외선을 수신할 때, 트랜지스터(242)가 켜지고, 전압 버퍼(248)를 통해 I/O 포트(158)로 전압을 공급한다. 따라서, 적외선이 내부에 바이너리 메시지(binary message)를 포함하고 있을 때, 트랜지스터(242)는 전압 버퍼(248)를 통해 I/O 포트(158)로 바이너리 전압 메시지(binary voltage message)를 공급하기 위해 반복적으로 켜지고 꺼진다.
데이터 수신 회로(104)는 전지셀(40)과 연관된 임계 작동 파라미터 값(threshold operational parameter value)에 대응하여 내부에 바이너리 메시지를 포함하는 신호를 수신하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 하나의 실시예에서, 상기 신호는 적외선 신호에 대응된다. 또한, 하나의 실시예에서, 임계 작동 파라미터 값은 전지셀(40)의 적어도 하나의 임계 온도 값에 대응된다. 물론, 또 다른 실시예에서, 데이터 수신 회로(104)는 I/O 포트(158)에 작동 가능하도록 연결된 무선 주파수 수신기(radio frequency (RF) receiver)를 포함할 수 있고, 바이너리 메시지를 포함하고 있는 수신 신호는 RF 신호에 대응될 수 있다. 또한, 또 다른 실시예에서, 임계 작동 파라미터 값은 전지셀(40)과 연관된 또 다른 임계 파라미터 값에 대응될 수 있다.
내부의 바이너리 메시지와 함께 신호를 수신한 이후에, 데이터 수신 회로(104)는 상기 수신된 신호에 대응하여 바이너리 메시지를 포함하는 전압 신호를 출력하도록 더 구성되어 있다. 상기 바이너리 메시지는 전지셀(40)의 임계 작동 파라미터 값을 나타내고, 마이크로프로세서(90)에 의해 수신된다. 하나의 실시예에서, 바이너리 메시지는 전지셀의 적어도 하나의 임계 온도 값에 대응되는 임계 작동 파라미터 값을 포함하고 있다.
데이터 전송 회로(106)는 박막 프로파일 센서(50)가 전지 제어 모듈(30)에 데이터를 전송하도록 형성되어 있다. 구체적으로, 마이크로프로세서(90)는 데이터 전송 회로(106)가 전지셀(40)의 측정된 작동 파라미터 값을 나타내는 제 1 바이너리 메시지를 내부에 포함하는 신호를 전송하도록 유도하기 위한 제어 신호를 발생하도록 프로그램 되어 있다. 도시된 실시예에서, 데이터 전송 회로(106)는 유연한 플라스틱 시트(80)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 데이터 전송 회로(106)의 적어도 일부 구성요소들은 유연한 플라스틱 시트(80)에 더 연결되어 있는 회로 보드(119; 도 12 참조) 상에 위치할 수 있다. 또한, 도시된 실시에에서, 데이터 전송 회로(106)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 데이터 전송 회로(106)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 2 면(132)에 직접 연결될 수 있다. 데이터 전송 회로(106)는 적외선 전송 다이오드(infrared transmitting diode 258), 트랜지스터(260), 저항기들(264, 268, 272), 다이오드들(276, 280), 및 노드(284)를 포함하고 있다.
트랜지스터(260)는 베이스(B3), 콜렉터(C3), 및 에미터(E)를 포함하고 있다. 적외선 전송 다이오드(258)은 콜렉터(C3)와 전지셀(40)의 양극 단자 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(264)는 에미터(E3)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(268)는 베이스(B3)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 베이스(B3)는 노드(284)에 전기적으로 더 연결되어 있다. 다이오드들(276, 280)은 노드(284)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 전기적으로 직렬로 연결되어 있다. 저항기(272)는 노드(284)와 마이크로프로세서의 I/O 포트(160) 사이에 전기적으로 연결되어 있다.
마이크로프로세서(90)가 I/O 포트(160)에 높은 논리 수준 전압을 출력하도록 지시할 때, 트랜지스터(260)가 켜지고, 적외선 전송 다이오드(258)는 적외선을 방출한다. 따라서, 마이크로프로세서(90)가 내부에 전지셀(40)의 측정된 작동 파라미터 값에 대응되는 바이너리 메시지를 포함하는 신호를 출력하고자 할 때, 마이크로프로세서(90)는 내부에 바이너리 메시지를 포함하는 적외선을 발생시키기 위해 I/O 포트(160)에 의해 전압 출력을 제어한다. 하나의 실시예에서, 상기 바이너리 메시지는 전지셀(40)의 측정 온도 값에 대응되는 측정된 작동 파라미터 값을 포함하고 있다.
도 3 및 5를 참조하면, 열 발생 회로(108)는 전지셀(40)의 온도 수준이 임계 온도 수준 미만일 때, 전지셀(40)의 온도 수준을 증가시키도록 형성되어 있다. 도시된 실시예에서, 열 발생 회로(108)는 유연한 플라스틱 시트(80)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 열 발생 회로(108)의 적어도 일부 구성요소들은 유연한 플라스틱 시트(80)에 더 연결되어 있는 회로 보드(119; 도 12 참조) 상에 위치할 수 있다. 또한, 도시된 실시예에서, 열 발생 회로(108)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 제 1 면(130)에 직접 연결되어 있다. 물론, 또 다른 실시예에서, 열 발생 회로(108)는 유연한 플라스틱 시트의 제 2 면(132)에 직접 연결될 수 있다. 열 발생 회로(108)는 트랜지스터(300), 발열 소자 트레이스(heating element trace; 302), 저항기들(304, 308, 312), 다이오드들(316, 320), 노드들(324, 328), 및 감지선(sense line 329)을 포함하고 있다.
트랜지스터(300)는 베이스(B4), 콜렉터(C4), 및 에미터(E4)를 포함하고 있다. 발열 소자 트레이스(302)는 콜렉터(C4)와 전지셀(40)의 양극 단자 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 저항기(304)는 에미터(E4)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 연결되어 있다. 감지선(329)는 에미터(E4)와 마이크로프로세서(90)의 I/O 포트(164) 사이에 전기적으로 연결되어 있다. 베이스(B4)는 노드(328)에 전기적으로 연결되어 있다. 다이오드들(316, 320)은 노드(328)와 전지셀(40)의 음극 단자 사이에 전기적으로 직렬로 연결되어 있다. 저항기(312)는 노드(328)와 마이크로프로세서(90)의 I/O 포트 (162) 사이에 전기적으로 연결되어 있다.
발열 소자 트레이스(302)는 전압이 발열 소자 트레이스(302)를 거쳐 공급될 때, 열을 발생시키도록 구성되어 있다. 도시된 실시예에서, 발열 소자 트레이스(302)는 유연한 플라스틱 시트(80) 상에 직접 위치해 있는 실질적으로 사형(serpentine-shaped)인 발열 소자 트레이스이다. 또한, 발열 소자 트레이스(302)는 서로 직렬로 연결되어 있는 발열 소자 트레이스부들(400, 402, 404, 406, 408, 410, 412, 414, 416, 418, 420, 422, 424)을 포함하고 있다. 또한, 하나의 실시예에서, 발열 소자 트레이스(302)는 유연한 플라스틱 시트(80) 상에 인쇄되어 있고, 흑연, 니켈, 주석, 은, 구리, 또는 이들 소재들의 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나로 이루어져 있다. 또 다른 실시예에서, 발열 소자 트레이스(302)는 유연한 플라스틱 시트(80) 상에 다른 구성을 가질 수 있다. 예를 들어, 발열 소자 트레이스(302)는, 전지셀(40)의 소망하는 발열 범위를 제공하기 위해, 서로 평행하게 연장되어 있는 복수의 제 1 발열 소자 트레이스부들(first plurality of heating element trace portions)로서, 단부 영역들에서, 실질적으로 수직으로 위치해 있는 하나 이상의 발열 소자 트레이스부들에 함께 연결되어 있는 복수의 제 1 발열 소자 트레이스부들로 구성될 수 있다. 또한, 예를 들어, 발열 소자 트레이스(302)는 전지셀(40)의 소망하는 발열 범위를 제공하기 위해, 평행하게 연장되어 하나 또는 그 이상의 직렬 발열 트레이스부들에 연결된 발열 소자 트레이스부들의 또 다른 조합으로 구성될 수 있다.
작동 과정에서, 마이크로프로세서(90)는, 전지셀(40)의 온도 값이 제 1 임계 온도 수준 미만일 경우, 열을 발생시키기 위해 발열 소자 트레이스(302)에 전류를 공급하도록 열 발생 회로(108)의 트랜지스터(300)를 유도하기 위한 제어 전압(control voltage)을 발생하도록 프로그램 되어 있다. 또한, 마이크로프로세서(90)는, 전지셀(40)의 온도 값이 제 2 임계 온도 값을 초과할 경우, 발열을 멈추도록 발열 소자 트레이스(302)를 유도하기 위해 발열 소자 트레이스(302)에 전류 공급을 중단하도록 열 발생 회로(108)의 트랜지스터(300)를 유도하기 위한 제어 전압의 발생을 중단하도록 더 프로그램 되어 있다.
마이크로프로세서(90)는 트랜지스터(300)가 켜졌을 때, 노드(324)에서의 전압을 측정함으로써, I로드(Iload) 전류 값을 결정하도록 더 프로그램 되어 있다. 마이크로프로세서(90)는 하기 식을 사용하여 I로드 전류 값을 계산한다.
I로드 = 노드(324)에서의 전압/저항기(304)의 공지 저항 값(known resistance value)
도 3, 4 및 9를 참조하면, 접착부(adhesive portion; 302)는 유연한 플라스틱 시트(80)를 전지셀(40)의 하우징(60)의 외면에 부착하도록 구성되어 있다. 접착부(302)는 유연한 플라스틱 시트(80)의 주변부(peripheral region)에서 제 1 면(130) 상에 위치해 있다. 구체적으로, 접착부(302)는 박막 프로파일 센서(50)의 나머지 구성요소들을 둘러싸며 유연한 플라스틱 시트(82)의 주변부 상에 위치해 있다. 박막 프로파일 센서(50)의 제 1 면(130)이 하우징(60)의 외면(66) 상에 위치할 때, 접착부(302)는 유연한 플라스틱 시트(80)를 하우징(60)의 외면에 연결하고, 유연한 플라스틱 시트(80)와 하우징(60)의 외면(66) 사이에 겹쳐져 위치해 있는 마이크로프로세서(90), 감지 회로(100), 기준 전압 회로(102), 데이터 전송 회로(106), 데이터 수신 회로(104), 및 열 발생 회로(108)에 먼지(dust), 오물(dirt), 및 기타 바람직하지 않은 물질들이 접촉하는 것을 방지한다.
도 1, 3, 5, 10 및 11을 참조하면, 전지셀(40)과 연관된 작동 파라미터 값을 결정하는 방법 및 작동 파라미터 값에 기반하여 전지셀(40)의 작동 파라미터를 제어하는 방법의 흐름도가 묘사될 것이다.
단계(500)에서, 조작자는 하우징(60)과 상기 하우징(60)으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전극 단자들(62, 64)을 포함하고 있는 전지셀(40)을 형성한다. 단계(500) 이후에, 방법은 단계(502)로 넘어간다.
단계(502)에서, 조작자는 유연한 플라스틱 시트(80), 마이크로프로세서(90), 감지 회로(100), 열 발생 회로(108), 데이터 전송 회로(106), 및 데이터 수신 회로(104)를 포함하고 있는 박막 프로파일 센서(50)를 형성한다. 마이크로프로세서(90)는 감지 회로(100), 열 발생 회로(108), 데이터 전송 회로(106), 및 데이터 수신 회로(104)에 작동 가능하도록 전기적으로 연결되어 있다. 마이크로프로세서(90), 감지 회로(100), 열 발생 회로(108), 데이터 전송 회로(106), 및 데이터 수신 회로(104)는 유연한 플라스틱 시트(80)에 연결되어 있다. 유연한 플라스틱 시트(80)는 전지셀(40)의 하우징(60)의 외면(66)에 연결되어 있다. 감지 회로(100)는 저항 트레이스(210)를 포함하고 있다. 저항 트레이스(210)는 전지셀(40)의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 포함하고 있다. 단계(402) 이후에, 방법은 단계(504)로 넘어간다.
단계(504)에서, 외부 전지 제어 모듈(external battery control module; 30)은 제 1 바이너리 메시지와 함께, (i) 전지셀 식별자 값(battery cell identifier value), (ii) 제 1 온도 임계 값, 및 (iii) 제 2 온도 임계 값을 포함하고 있는 신호를 전송한다. 단계(504) 이후에, 방법은 단계(506)로 넘어간다.
단계(506)에서, 데이터 수신 회로(104)는 제 1 바이너리 메시지를 포함하고 있는 신호를 외부 전지 제어 모듈(30)로부터 수신하고, 마이크로프로세서(90)에 의해 수신된 전지셀 식별자 값과 제 1 및 제 2 온도 임계 값들을 포함하고 있는 신호를 발생시킨다. 단계(506) 이후에, 방법은 단계(508)로 넘어간다.
단계(508)에서, 마이크로프로세서(90)는 전지셀 식별자 값이 전지셀(40)과 연관되어 저장된 전지셀 식별자 값과 동일한지 여부를 결정한다. 상기 저장된 전지셀 식별자 값은 단계(508)에 앞서, 저장 장치(140) 내에 저장된다. 만일, 단계 (508)의 값이 "예"와 동일할 경우, 방법은 단계(510)로 넘어간다. 그렇지 않다면, 방법은 단계(512)로 넘어간다.
단계(510)에서, 마이크로프로세서(90)는 제 1 온도 임계 값과 제 2 온도 임계 값을 저장 장치(140) 내에 저장한다. 단계(510) 이후에, 방법은 단계(520)로 넘어간다.
단계(508)에서, 만일, 단계(508)의 값이 "아니오"일 경우, 방법은 단계(512)로 넘어간다. 단계(512)에서, 마이크로프로세서(90)는 앞서 저장 장치(140) 내에 저장되었던 제 1 온도 임계 값과 제 2 온도 임계 값을 검사한다. 단계(512) 이후에, 방법은 단계(520)로 넘어간다.
단계(520)에서, 감지 회로(100)는 전지셀(40)의 온도 값을 나타내는 제 1 전압을 발생시킨다. 온도 값은 전지셀(40)의 온도 수준을 나타낸다. 단계(520) 이후에, 방법은 단계(522)로 넘어간다.
단계(522)에서, 마이크로프로세서(90)는 감지 회로(100)로부터의 제 1 전압에 기반하여 전지셀(40)의 온도 값을 결정한다. 구체적으로, 하나의 실시예에서, 마이크로프로세서(90)는, 검색 테이블에 대한 색인으로서 제 1 전압을 사용하여 온도 값을 선택하기 위해, 저장 장치(140) 내에 저장되어 있고, 전지셀(40)의 복수의 온도 값들을 감지 회로(100)로부터의 복수의 전압들에 연관짓는 검색 테이블에 접속한다. 단계(522) 이후에, 방법은 단계(524)로 넘어간다.
단계(524)에서, 마이크로프로세서(90)는 저장 장치(140) 내에 온도 값을 저장한다. 단계(524) 이후에, 방법은 단계(526)로 넘어간다.
단계(526)에서, 마이크로프로세서(90)는 제 2 바이너리 메시지와 함께 (i) 전지셀 식별자 값, 및 (ii) 전지셀(40) 온도 값을 포함하고 있는 신호를 전송하도록 데이터 전송 회로(106)를 유도하기 위한 제어 신호를 발생시킨다. 단계(526) 이후에, 방법은 단계(528)로 넘어간다.
단계(528)에서, 외부 전지 제어 모듈(30)은 제 2 바이너리 메시지를 포함하고 있는 신호를 데이터 전송 회로(106)로부터 수신한다.
단계(530)에서, 마이크로프로세서는 상기 온도 값이 제 1 임계 온도 값 미만인지 여부를 결정한다. 만일 단계(530)의 값이 "예"와 동일할 경우, 방법은 단계(532)로 넘어간다. 그렇지 않다면, 방법은 단계(534)로 넘어간다.
단계(532)에서, 마이크로프로세서(90)는 전지셀(40)의 온도 수준을 증가시키기 위한 열을 발생시키기 위해, 발열 소자 트레이스(302)에 전류를 공급하도록 열 발생 회로(108)를 유도하기 위한 제어 전압을 발생시킨다.
단계(534)에서, 마이크로프로세서(90)는 온도 값이 제 2 임계 온도 값을 초과하는지 여부를 결정한다. 제 2 임계 온도 값은 제 1 임계 온도 값보다 크다. 만일, 단계(534)의 값이 "예"와 동일할 경우, 방법은 단계(536)로 넘어간다. 그렇지 않다면, 방법은 단계(520)로 되돌아간다.
단계(536)에서, 마이크로프로세서(90)는 발열을 멈추도록 발열 소자 트레이스(302)를 유도하기 위해 발열 소자 트레이스(302)에 전류 공급을 중단하도록 열 발생 회로(108)를 유도하기 위한 제어 전압의 발생을 중단한다. 단계(536) 이후에, 방법은 단계(520)로 되돌아간다.
앞서 묘사된 방법은 상기 방법을 실행하기 위한 컴퓨터-실행 명령들을 포함하고 있는 하나 또는 그 이상의 컴퓨터-판독 매체(computer readable media) 내에 적어도 부분적으로 포함될 수 있다. 상기 컴퓨터-판독 매체는 하기 하드 드라이브들(hard drives), 램(RAM), 롬(ROM), 플래시 메모리(flash memory), 및 기타 당업계에 공지된 컴퓨터 판독 매체의 하나 또는 그 이상으로 구성될 수 있고, 상기 컴퓨터-실행 명령들은 로드 되고, 하나 또는 그 이상의 마이크로프로세서들에 의해 실행되며, 하나 또는 그 이상의 마이크로프로세서들은 방법들을 실행하기 위한 장치(apparatus)가 된다.
상기 전지셀 어셈블리는 다른 어셈블리들에 비해 실질적인 이점을 제공한다. 구체적으로, 전지셀 어셈블리는 전지셀과 연관된 작동 파라미터 값을 결정하고, 상기 작동 파라미터 값에 기반하여 전지셀의 작동 파라미터를 제어하기 위해 전지셀의 외면에 연결된 박막 프로파일 센서를 사용하는 기술적 효과를 제공한다. 구체적으로, 박막 프로파일 센서는 감지 회로를 사용해 전지셀과 연관된 온도 값을 결정하고, 상기 온도 값에 기반하여 전지셀의 온도 수준을 조절하기 위해 열 발생 회로를 제어한다.
비록 본 발명은 단지 제한된 수의 예시에만 관련하여 구체적으로 기술되었지만, 본 발명이 상기에 표현된 예시에만 한정되는 것은 아니라는 점을 인식해야 한다. 더 정확하게는, 본 발명은 변형, 변경, 교체 또는 여기에 표현된 것 뿐만 아니라 본 발명의 의도와 범주에 적합하도록 상응하는 조합으로 얼마든지 부합하도록 수정될 수 있다. 더욱이, 비록 본 발명의 다양한 예시들이 표현되었지만, 본 발명의 양상은 단지 표현된 예시의 일부만을 포함할 수 있다는 점을 인식해야 한다. 따라서, 본 발명은 상기 표현에 의해 한정되는 것은 아니다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 전지셀 어셈블리는 다른 전지셀 어셈블리들에 비해 상당한 이점을 제공한다. 구체적으로, 전지셀 어셈블리는 전지셀과 연관된 작동 파라미터 값을 결정하고, 상기 작동 파라미터 값에 기반하여 전지셀의 작동 파라미터를 제어하기 위해 전지셀의 외면에 연결된 박막 프로파일 센서를 사용하는 기술적 효과를 제공한다. 구체적으로, 박막 프로파일 센서는 감지 회로를 사용해 전지셀과 연관된 온도 값을 결정하고, 상기 온도 값에 기반하여 전지셀의 온도 수준을 조절하기 위해 열 발생 회로를 제어한다.

Claims (19)

  1. 하우징 및 상기 하우징으로부터 연장된 제 1 및 제 2 전극 단자들을 포함하고 있는 전지셀;
    유연한 플라스틱 시트(flexible plastic sheet), 마이크로프로세서(microprocessor), 및 감지 회로(sensing circuit)를 포함하고 있는 박막 프로파일 센서(thin profile sensor)로서, 상기 마이크로프로세서와 감지 회로는 함께 작동 가능하도록 연결되어 있으며, 상기 마이크로프로세서와 감지 회로는 유연한 플라스틱 시트에 연결되어 있고, 상기 유연한 플라스틱 시트는 전지셀의 하우징의 외면에 연결되어 있으며, 상기 감지 회로는 전지셀의 작동 파라미터 값(operational parameter value)을 나타내는 신호를 발생하도록 구성되어 있는 박막 프로파일 센서;
    를 포함하고 있고,
    상기 마이크로프로세서는 감지 회로로부터의 신호에 기반하여 작동 파라미터 값을 결정하도록 프로그램 되어 있으며,
    상기 마이크로프로세서는 저장 장치(memory device) 내에 상기 작동 파라미터 값을 저장하도록 더 프로그램 되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 감지 회로는 전지셀의 온도 수준에 기반하여 변화하는 저항 수준을 갖는 저항 트레이스(resistive trace)를 포함하고 있고,
    상기 작동 파라미터 값은 전지셀의 온도 수준에 대응하는 온도 값을 포함하며, 상기 신호는 신호 회로 상에 제 1 전압을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 유연한 플라스틱 시트는 제 1 면(side)과 제 2 면을 포함하고 있고, 상기 마이크로프로세서와 저항 트레이스는 상기 제 1 면 상에 위치해 있으며, 상기 유연한 플라스틱 시트는 상기 유연한 플라스틱 시트의 주변부(peripheral region)에서 제 1 면 상에 위치한 접착부(adhesive portion)를 더 포함하고 있고, 상기 접착부는 유연한 플라스틱 시트의 제 1 면을 전지셀의 하우징의 외면에 부착하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 감지 회로는 제 1 및 제 2 저항기들을 더 포함하고 있고, 상기 제 1 저항기는 저항 트레이스 및 이들 사이의 전기 노드(an electrical node)와 직렬로 연결되어 있으며, 상기 제 1 저항기는 작동 전압에 전기적으로 더 연결되어 있고, 상기 제 2 저항기는 전기 노드와 마이크로프로세서 사이에 연결되어 있으며, 상기 마이크로프로세서는 제 2 저항기 상의 제 1 전압을 측정하도록 더 프로그램 되어 있고, 상기 마이크로프로세서는 상기 제 1 전압에 기반한 전지셀의 온도 수준을 나타내는 온도 값을 결정하도록 더 프로그램 되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 저항 트레이스는 0.33 내지 1.0 밀리미터의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 저항 트레이스는 유연한 플라스틱 시트의 제 1 면 상에 직접 위치해 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 저항 트레이스는, 서로 이격되어 있고 실질적으로 서로 평행한 적어도 제 1, 제 2 및 제 3 저항 트레이스부들(resistive trace portions)을 포함하고 있으며, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 저항 트레이스부들은 서로 전기적으로 직렬 연결되어 있고 유연한 플라스틱 시트의 제 1 면을 따라 길이 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 저항 트레이스는 흑연(graphite), 니켈, 주석(tin), 은, 구리, 또는 이들 소재들의 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 박막 프로파일 센서는 유연한 플라스틱 시트 상에 위치한 발열 소자 트레이스(heating element trace)를 가지고 있는 열 발생 회로(heat generating circuit)를 더 포함하고 있고, 상기 발열 소자 트레이스는 마이크로프로세서에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 발열 소자 트레이스는 유연한 플라스틱 시트 상에 직접 위치해 있는 실질적으로 사형(serpentine-shaped)의 발열 소자 트레이스(heating element trace)인 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 발열 소자 트레이스는 흑연, 니켈, 주석, 은, 구리, 또는 이들 소재들의 적어도 둘 이상의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는, 전지셀의 온도 값이 제 1 임계 온도 수준 미만일 경우, 열을 발생시키기 위해 발열 소자 트레이스에 전류를 공급하도록 열 발생 회로를 유도하기 위한 제어 전압(control voltage)을 발생하도록 더 프로그램 되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는, 전지셀의 온도 값이 제 2 임계 온도 값을 초과할 경우, 발열을 멈추도록 발열 소자 트레이스를 유도하기 위해 발열 소자 트레이스에 전류 공급을 중단하도록 열 발생 회로를 유도하기 위한 제어 전압의 발생을 중단하도록 더 프로그램 되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 전지셀의 제 1 및 제 2 전극 단자들에 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제 1 및 제 2 전극 단자들은 마이크로프로세서에 작동 전압을 공급하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 유연한 플라스틱 시트의 제 1 면 상에 직접 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 회로 보드(circuit board)에 직접 연결되어 있고, 상기 회로 보드는 유연한 플라스틱 시트의 제 1 면에 직접 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 박막 프로파일 센서는 유연한 플라스틱 시트에 연결되어 있는 데이터 전송 회로(data transmitting circuit)를 더 포함하고, 마이크로프로세서는 상기 데이터 전송 회로가 전지셀의 작동 파라미터 값을 나타내는 제 1 바이너리 메시지(binary message)를 내부에 포함하는 제 1 신호를 전송하도록 유도하기 위한 제어 신호를 발생하도록 더 프로그램 되어 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 박막 프로파일 센서는 유연한 플라스틱 시트에 연결된 데이터 수신 회로(data receiving circuit)를 더 포함하고, 상기 데이터 수신 회로는 내부에 제 2 바이너리 메시지를 포함하는 제 2 신호를 수신하며, 수신된 제 2 신호에 대응하여 제 2 바이너리 메시지를 포함하는 전압 신호를 출력 하도록 구성되어 있고, 상기 제 2 바이너리 메시지는 작동 파리미터 임계 값(operational parameter threshold value)을 포함하며, 마이크로프로세서에 의해 수신되는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리.
  19. 제 1 항에 있어서, 상기 작동 파리미터 임계 값은 전지셀의 온도 임계 값(temperature threshold value)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 전지셀 어셈블리
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