WO2014192511A1 - 冷却システム、冷却方法、および基板処理装置 - Google Patents

冷却システム、冷却方法、および基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2014192511A1
WO2014192511A1 PCT/JP2014/062335 JP2014062335W WO2014192511A1 WO 2014192511 A1 WO2014192511 A1 WO 2014192511A1 JP 2014062335 W JP2014062335 W JP 2014062335W WO 2014192511 A1 WO2014192511 A1 WO 2014192511A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cooling
line
cooling medium
substrate processing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2014/062335
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
仁彦 出道
範芳 小浜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Sharp Corp
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Sharp Corp filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of WO2014192511A1 publication Critical patent/WO2014192511A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment

Definitions

  • the present invention relates to a cooling system and a cooling method for cooling an object to be cooled with a gaseous cooling medium in an apparatus having the object to be cooled, and a substrate processing apparatus using the cooling system.
  • a film forming process for forming a predetermined film and a dry etching process.
  • a heater and a cooling medium flow path are provided on the substrate mounting table, and heating with the heater is performed.
  • the temperature of the substrate is controlled by cooling with a cooling medium (for example, Patent Document 1).
  • Liquid and gaseous cooling media can be used for cooling, but when gaseous cooling media are used, nitrogen gas from a batch supply line such as factory equipment is usually used. To do.
  • a multi-chamber type processing apparatus including a plurality of processing units (processing chambers) is known as an apparatus for efficiently performing such film formation processing and dry etching processing (for example, Patent Document 2).
  • the temperature of the substrate mounting table is controlled for each processing chamber, and when nitrogen gas from a batch supply line such as factory equipment is used as a gaseous cooling medium, Nitrogen gas is supplied from the batch supply line to each processing chamber.
  • JP 2011-190519 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-31727
  • An object of the present invention is to provide a cooling system and a cooling method capable of stably supplying a gaseous cooling medium without providing a large buffer tank with a stable cooling capacity, and such a cooling system. It is to provide a substrate processing apparatus.
  • a cooling system for cooling the cooling target with a gaseous cooling medium the circulation line through which the gaseous cooling medium circulates,
  • a cooling line connected to the circulation line and supplying the cooling medium to the object to be cooled, a compressor provided in the circulation line for compressing and circulating the cooling medium, and provided in the circulation line and supplied to the cooling line
  • a cooling mechanism for cooling the cooling medium to a predetermined temperature a cooling mechanism for cooling the cooling medium to a predetermined temperature.
  • the first aspect may include a bypass line connected to the cooling line and bypassing the cooling target, and a switching mechanism that switches a flow path of the cooling medium between the cooling target and the bypass line.
  • a flow rate adjusting mechanism that adjusts the flow rate of the cooling medium in the bypass line to adjust the conductance of the bypass line to the conductance of the cooling target may be provided.
  • the cooling mechanism may be configured to have a rear cooler provided in the rear stage of the compressor, and the cooling mechanism may be configured to have a front stage cooler provided in the front stage of the compressor. Further, nitrogen gas can be used as the cooling medium.
  • a cooling method for cooling an object to be cooled with a gaseous cooling medium in an apparatus having the object to be cooled wherein the cooling line for supplying the cooling medium to the object to be cooled is a circulation line.
  • a cooling method comprising: flowing the cooled cooling medium through the cooling line and supplying the cooling medium to the cooling object.
  • a plurality of the cooling objects and the cooling lines are provided, and the plurality of cooling lines are connected to the circulation line in parallel.
  • a substrate mounting table provided in each of the substrate processing units of the multi-chamber type substrate processing apparatus can be applied as the cooling target.
  • a bypass line that bypasses the cooling target is connected to the cooling line, and the cooling medium flow path is switched to the bypass line by a switching mechanism for the cooling target that is not cooled. Also good.
  • the flow rate of the cooling medium in the bypass line may be adjusted so that the conductance of the bypass line matches the conductance of the cooling target.
  • a substrate processing apparatus having a plurality of substrate processing units and performing a predetermined substrate processing by the substrate processing unit, wherein each substrate processing unit is a substrate on which a substrate is placed.
  • cooling It provided a substrate processing apparatus and a that cooling mechanism.
  • a main circulation line is provided, a gaseous cooling medium is circulated through the circulation line by a compressor, the cooling medium is cooled to a predetermined temperature by a cooling mechanism, and the cooled cooling medium is provided in the circulation line.
  • the cooling target is cooled and supplied to the object to be cooled.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a cooling system according to an embodiment of the present invention.
  • the cooling system 100 according to the present embodiment has a plurality of film forming units mounted on a multi-chamber type film forming apparatus that performs a film forming process on a substrate. N 2 gas).
  • the cooling system 100 includes a main circulation line 11, a compressor 12 provided in the circulation line 11, front and rear coolers 13 and 14 provided before and after the compressor 12 in the circulation line 11, and N in the circulation line 11. a gas supply line 15 for supplying 2 gas, a gas discharge line 16 for discharging the N 2 gas from the circulation line 11, provided corresponding to the plurality of film deposition unit 21, each connected to a circulation line 11 in parallel A cooling line 17, a bypass line 18 that bypasses the object to be cooled, and a control unit 19.
  • N 2 gas which is a gaseous cooling medium is circulated.
  • the circulation line 11 includes a front half part 11a on the downstream side of the rear-stage cooler 14 having a supply port 28 for supplying N 2 gas to each film forming unit 21, and an exhaust port through which the N 2 gas is discharged from each film forming unit 21. 29 and the latter half part 11b.
  • the compressor 12 is for increasing the pressure of the N 2 gas in the circulation line 11 and circulating it in the circulation line 11.
  • the pre-cooler 13 is for cooling the N 2 gas whose temperature has been increased by heat exchange in each film forming processing unit 21, and that the high-temperature N 2 gas is introduced into the compressor 12. It has a function to prevent.
  • the rear-stage cooler 14 cools the N 2 gas compressed by the compressor 12 to a predetermined temperature, and adjusts the N 2 gas supplied to each film forming unit 21 to a predetermined temperature. It has a function.
  • the front-stage cooler 13 and the rear-stage cooler 14 incorporate a bent pipe through which a cooling medium such as cooling water flows, and the supplied N 2 gas is cooled by the cooling medium.
  • the cooling line 17 corresponding to each film forming unit 21 is connected to the circulation line 11.
  • the cooling line 17 includes a supply unit 17 a that supplies N 2 gas from a supply port 28 of the front stage unit 11 a of the circulation line 11 to a substrate mounting table (described later) in the film forming unit 21.
  • the supply portion 17a is provided with a needle valve 22 and an opening / closing valve 23 for adjusting the flow rate in order from the supply port 28 side.
  • the discharge portion 17b is provided with an opening / closing valve 24.
  • the bypass line 18 is provided so as to connect the supply unit 17a and the discharge unit 17b of the cooling line 17 and is provided so as to bypass the substrate mounting table to be cooled.
  • the bypass line 18 is provided with an open / close valve 25 and a needle valve 26 for adjusting the flow rate in order from the supply part 17a side of the cooling line 17.
  • the bypass line 18 is not used when the substrate mounting table is cooled in the corresponding film forming processing unit 21, and is used when the substrate forming table is not cooled in the corresponding film forming processing unit 21. That is, when the substrate deposition table is cooled by the corresponding film formation processing unit 21, the opening / closing valves 23 and 24 are opened, the opening / closing valve 25 is closed, and the N 2 gas flows into the gas flow path 17c. If the substrate mounting table is not cooled in the corresponding film formation processing unit, the open / close valves 23 and 24 are closed, the open / close valve 25 is opened, and N 2 gas flows through the bypass line 18.
  • the flow rate of the bypass line 18 is adjusted by the needle valve 26, and the conductance when flowing through the bypass line 18 can be matched with the conductance when flowing through the gas flow path 17c in the substrate mounting table.
  • the conductance may be controlled based on the flow rate of N 2 gas measured by a flow meter and based on the measured value, or based on the rotational speed of the compressor 12.
  • a conductance valve (not shown) may be provided in the circulation line 11.
  • the control unit 19 includes a computer (microprocessor), and controls each component, for example, the compressor 12, the front cooler 13, the rear cooler 14, the needle valves 22, 26, the open / close valves 23, 24, 25, and the like. It has become.
  • the control unit 19 is configured to execute a predetermined processing recipe based on a command from an overall control unit (not shown) of the multi-chamber type film forming apparatus, and stores control parameters and recipes necessary for that purpose.
  • a storage unit, input means, and a display are provided.
  • the multi-chamber type film forming apparatus has a common transfer chamber (not shown) having a polygonal shape, and a plurality of film forming units 21 are connected to the transfer chamber via gate valves (not shown). It is connected. Then, while the transfer chamber is kept in a vacuum state, a transfer device (not shown) provided therein can carry the substrate into and out of each film forming unit 21 with the gate valve opened. It has become.
  • a transfer device not shown
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a film forming unit.
  • the film formation processing unit 21 performs a film formation process on a plurality of substrates at a time, and includes a chamber 31 that accommodates the plurality of substrates.
  • the chamber 31 has a plurality of substrate mounting tables 32 on which the substrates S are mounted. These substrate mounting tables 32 are arranged at predetermined intervals along the vertical direction.
  • the substrate mounting table 32 is supported by the chamber 31 by a support member 33.
  • the substrate mounting table 32 has a rectangular shape corresponding to the substrate S in plan view. Inside the substrate mounting table 32, the above-described gas flow path 17 c of the cooling line 17 for cooling the substrate mounting table 32 and a heater 34 for heating the substrate mounting table 32 are provided.
  • the supply unit 17a and the discharge unit 17b of the cooling line 17 are vertically inserted into the chamber 31 from above, and are provided so as to face each other with the plurality of substrate mounting tables 32 interposed therebetween.
  • a supply side connection pipe 17d and a discharge side connection pipe 17e connected to the gas flow path 17c of each substrate mounting table 32 extend from the supply part 17a and the discharge part 17b, respectively.
  • the heater 34 is supplied with power from a heater power source (not shown) and generates heat. Power supply to the heater power supply is controlled by a heater control unit (not shown).
  • control unit 19 of the cooling system 100 controls the flow rate of N 2 gas, and the heater control unit controls the output of the heater power supply. By doing so, the temperature of the substrate mounting table 32 is controlled.
  • a gas inlet 41 is formed in the top wall of the chamber 31, and a gas supply pipe 42 is connected to the gas inlet 41.
  • a film forming gas used for film formation is supplied from the film forming gas supply system 43 to the gas supply pipe 42, and the film forming gas is introduced into the chamber 31 through the gas inlet 41.
  • the film forming gas include a source gas containing a material of a film to be formed, a reaction gas that reacts with the source gas, and the like.
  • An exhaust port 51 for exhausting the inside of the chamber 31 is provided on the bottom side of the chamber 31, and an exhaust pipe 52 is connected to the exhaust port 51.
  • the exhaust pipe 52 is provided with an automatic pressure control valve (APC) 53 and a vacuum pump 54.
  • the vacuum pump 54 evacuates the chamber 31 while controlling the pressure in the chamber 31 by the automatic pressure control valve (APC) 53. Then, the inside is made a predetermined degree of vacuum.
  • a film forming gas for example, source gas and reaction gas
  • a film forming gas supply system 43 supplies from the film forming gas supply system 43 to the chamber 31 through the gas supply pipe 42 and the gas inlet 41.
  • a predetermined film is formed on the substrate S by CVD (Chemical Vapor Deposition) while the substrate S is brought to a predetermined temperature by the temperature-controlled substrate mounting table 32.
  • the film forming gas may be converted into plasma by an appropriate plasma generating means and the film forming process may be performed by plasma CVD.
  • the temperature and flow rate of the N 2 gas supplied as a cooling medium from the cooling system 100 are controlled, and the current supplied to the heater 34 is controlled.
  • the temperature of the substrate mounting table 32 is controlled to set the temperature of the substrate S thereon to a predetermined temperature, and an appropriate film forming gas is introduced into the chamber 31 from the film forming gas supply system 43 to form a predetermined film on the substrate S. Is deposited.
  • the temperature of the N 2 gas supplied to the substrate mounting table 32 is set to 30 to 50 ° C., and the temperature of the substrate mounting table 32 is controlled to 150 to 200 ° C.
  • the compressor 12 circulates the N 2 gas, which is a cooling medium, in the main circulation line 11 at a predetermined flow rate, and the N 2 gas that has been compressed by the compressor 12 and whose temperature has increased is a subsequent cooler 14.
  • N 2 gas cooled to a predetermined temperature from the supply port 28 of the front half portion 11a of the circulation line 11, incorporated into cooling line 17 corresponding to the plurality of film deposition unit 21, N 2 gas after being subjected to cooling Is discharged from the cooling line 17 through the discharge port 29 to the second half part 11 b of the circulation line 11.
  • N 2 gas cooled to a predetermined temperature is supplied from the supply port 28 of the first half part 11a to the supply part 17a of the cooling line 17, and each film is formed through the supply side connection pipe 17d (FIG. 2).
  • the gas flows through the gas flow paths 17 c formed in the plurality of substrate platforms 32 of the processing unit 21, and each substrate platform 32 is cooled.
  • the temperature of the N 2 gas flowing through the gas flow path 17c of the substrate mounting table 32 is raised, the N 2 gas temperature rises, reaches the discharge section 17b through the discharge side connecting pipe 17e, the discharge portion It is discharged from 17 b through the discharge port 29 to the second half 11 b of the circulation line 11.
  • the N 2 gas that has flowed through the second half 11 b returns to the compressor 12.
  • the compressor 12 since the N 2 gas whose temperature has increased flows in the second half 11 b of the circulation line 11, if it returns directly to the compressor 12, the compressor 12 may be adversely affected. Therefore, the N 2 gas whose temperature has risen is cooled by the front cooler 13 provided in the front stage of the compressor 12 and then supplied to the compressor 12. However, if the temperature of the N 2 gas supplied to the compressor 12 is an allowable temperature in the compressor 12, it is not necessary to provide the pre-cooler 13.
  • the cooling system 100 having the main circulation line 11 is provided corresponding to one multi-chamber type film forming apparatus, and the circulation line 11 is filled with a gaseous cooling medium.
  • a certain N 2 gas is circulated by the compressor 12, and the temperature of the N 2 gas is cooled to a predetermined temperature by a rear cooler 14 provided at the rear stage of the compressor 12, and then the cooled N 2 gas is supplied to each film forming processing unit. 21 to the substrate mounting table 32.
  • N 2 gas which is a gaseous cooling medium.
  • N 2 gas is supplied as a cooling medium from a batch supply line of factory equipment or the like, if the flow rate of N 2 gas decreases by 10% due to the influence of operating conditions of other apparatuses, the film forming processing unit The cooling capacity at 21 is reduced by 10%, and the temperature of the substrate mounting table 32 cannot be maintained at a desired temperature.
  • the N 2 gas is stably supplied without such fluctuation. can do.
  • the cooling lines 17 that supply N 2 gas to the plurality of film forming units 21 are respectively connected in parallel to the circulation line 11, the substrate mounting table 32 that is the cooling target of each film forming unit 21 is provided. N 2 gas having substantially the same temperature can be supplied, and the temperature of the substrate mounting tables 32 of the plurality of film forming units 21 can be cooled uniformly. Further, by providing the bypass line 18 and operating the on-off valves 23, 24, and 25, the N 2 gas can be caused to flow to the bypass line 18 in the film forming unit 21 that does not require cooling. Based on the processing recipe, the presence or absence of cooling of the substrate platform 23 in the plurality of film forming units 21 can be switched for each processing step.
  • the flow rate is adjusted by the needle valve 26 for flow rate control, and the conductance when flowing through the bypass line 18 is matched with the conductance when flowing through the cooling line 17 (gas flow path 17c in the substrate mounting table).
  • the bypass line is not used, if the number of film forming units that supply N 2 gas, which is a cooling medium, fluctuates, the cooling capacity fluctuates and the rotation speed of the compressor fluctuates. In order to achieve this, a buffer tank is required, but by providing such a bypass line, the buffer tank becomes unnecessary.
  • the cooling medium is used.
  • a certain N 2 gas is supplied to four film forming units 21, and the cooling capacity per one film forming unit varies by 1.25 times.
  • bypass line 18 is provided, and the needle valve 26 bypasses the bypass line 18 so that the conductance when the N 2 gas flows through the bypass line 18 is equal to the conductance when the N 2 gas flows through the gas flow path 17c.
  • the load fluctuation can be reduced by adjusting the flow rate. For this reason, even when N 2 gas as a cooling medium is not supplied to some of the film forming units 21, stable operation can be ensured without using a buffer tank, and fluctuations in cooling capacity occur. Absent.
  • the present invention is not limited to the above embodiment and can be variously modified.
  • the cooling line 17 ( Alternatively, the bypass line 18) may be configured to constitute a part of the circulation line 11.
  • the cooling system of the present invention is applied to the multi-chamber type film forming apparatus.
  • the present invention is not limited to this, and dry etching can be used as long as a gaseous cooling medium can be used for cooling the substrate mounting table.
  • the present invention can be applied to other substrate processing apparatuses such as an apparatus.
  • the film processing unit illustrated as one that processes a plurality of substrates at once a single wafer type may be used.
  • the present invention is not limited to the substrate processing apparatus, and can be applied to any apparatus having a cooling target that can be cooled by a gaseous cooling medium.
  • the number of cooling targets may be one.
  • an example of using the N 2 gas as a gaseous cooling medium it is also possible to use another gas such as Ar gas.
  • the cooler was provided in the front

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

　冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システム（１００）は、気体状の冷却媒体が循環する循環ライン（１１）と、循環ライン（１１）に接続され、冷却対象に冷却媒体を供給する冷却ライン（１７）と、循環ライン（１１）に設けられ、冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサ（１２）と、循環ライン（１１）に設けられ、冷却ライン（１７）に供給される冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構（１４）とを具備する。

Description

冷却システム、冷却方法、および基板処理装置
　本発明は、冷却対象を有する装置おいて、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システムおよび冷却方法、ならびに冷却システムを用いた基板処理装置に関する。
　ＦＰＤや太陽電池等の基板の製造過程においては、所定の膜を成膜する成膜処理やドライエッチング処理が存在する。このような成膜処理やドライエッチング処理を行う場合、基板が所定の温度になるように温度制御を行う必要があり、そのために基板載置台にヒーターおよび冷却媒体流路を設けてヒーターによる加熱および冷却媒体による冷却により基板の温度制御を行っている（例えば特許文献１）。
　冷却のための冷却媒体としては液体状のものおよび気体状のものを用いることができるが、気体状の冷却媒体を用いる場合には、通常、工場設備等の一括供給ラインからの窒素ガスを使用する。
　一方、このような成膜処理やドライエッチング処理を効率的に行うための装置として、複数の処理部（処理チャンバ）を備えたマルチチャンバ型処理装置が知られている（例えば特許文献２）。このようなマルチチャンバ型処理装置では、処理チャンバごとに、基板載置台の温度制御を行っており、気体状の冷却媒体として工場設備等の一括供給ラインからの窒素ガスを使用する場合には、一括供給ラインから各処理チャンバに窒素ガスが供給される。
特開２０１１－１９０５１９号公報 特開平１１－３１２７２７号公報
　しかし、気体状の冷却媒体として工場設備等の一括供給ラインの窒素ガスを使用する場合、他の装置の使用状況などにより流量が変動し、安定した冷却能力を得ることが困難である。また、コンプレッサ等で気体冷媒を循環させる場合、装置側の使用状況の変化により負荷変動が起きると、運転状態が不安定になり供給能力が変動してしまうおそれがある。これを解消するためには、設備側に大型のバッファタンクを設けることが有効であるが、バッファタンクを設けると、設備負担が大きくなってしまう。また、バッファタンクを設置するスペースを確保できない工場では、供給能力の変動を解消することが困難である。
　本発明の課題は、冷却能力が安定し、かつ大型のバッファタンクを設けることなく気体状の冷却媒体を安定して供給することができる冷却システムおよび冷却方法、ならびにそのような冷却システムを用いた基板処理装置を提供することにある。
　すなわち、本発明の第１の観点によれば、冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システムであって、気体状の冷却媒体が循環する循環ラインと、前記循環ラインに接続され、前記冷却対象に前記冷却媒体を供給する冷却ラインと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構とを具備する、冷却システムが提供される。
　上記第１の観点において、前記冷却ラインに接続され、前記冷却対象をバイパスするバイパスラインと、前記冷却媒体の流路を前記冷却対象と前記バイパスラインとで切り替える切替機構とを具備してもよい。この場合に、前記バイパスラインの前記冷却媒体の流量を調節して前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせる流量調節機構を具備してもよい。
　前記冷却機構は、前記コンプレッサの後段に設けられた後段クーラーを有する構成とすることができ、また、前記冷却機構は、前記コンプレッサの前段に設けられた前段クーラーを有する構成であってもよい。また、前記冷却媒体としては窒素ガスを用いることができる。
　本発明の第２の観点によれば、冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却方法であって、前記冷却対象に前記冷却媒体を供給する冷却ラインを循環ラインに設けることと、コンプレッサにより前記循環ライン内に気体状の冷却媒体を循環させることと、冷却機構により前記循環ライン内を循環する冷却媒体を所定の温度に冷却することと、前記冷却機構で冷却された冷却媒体を前記冷却ラインに流して、前記冷却対象に供給することにより前記冷却対象を冷却することとを含む、冷却方法が提供される。
　上記第１の観点および第２の観点において、前記冷却対象および前記冷却ラインを複数有し、複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されていることが好ましい。また、前記冷却対象として、マルチチャンバ型基板処理装置の基板処理部にそれぞれ設けられた基板載置台を適用することができる。
　上記第２の観点において、前記冷却対象をバイパスするバイパスラインを前記冷却ラインに接続して設け、冷却を行わない冷却対象について、切替機構により冷却媒体の流路を前記バイパスラインに切り替えるようにしてもよい。この場合、前記バイパスラインに前記冷却媒体を流す際に、前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせるように、前記バイパスラインにおける前記冷却媒体の流量を調節してもよい。
　本発明の第３の観点によれば、複数の基板処理部を有し、前記基板処理部により所定の基板処理を行う基板処理装置であって、各基板処理部は、基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に載置された基板に対して所定の処理を行う処理機構とを有し、前記基板処理装置は、前記複数の基板処理部の各基板載置台に気体状の冷却媒体を供給して冷却する冷却システムを具備し、前記冷却システムは、前記冷却媒体が循環する循環ラインと、前記循環ラインに接続され、複数の前記基板処理部の前記基板載置台にそれぞれ前記冷却媒体を供給する複数の冷却ラインと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構とを有する基板処理装置を提供される。
　本発明においては、メインの循環ラインを設け、この循環ラインにコンプレッサにより気体状の冷却媒体を循環させ、冷却機構により冷却媒体を所定の温度に冷却し、冷却された冷却媒体を循環ラインに設けられた冷却ラインに流して冷却対象に供給し、冷却対象を冷却する。これにより、従来のように、他の装置の使用状況により気体状の冷却媒体の流量不足が生じるおそれがなく、設備側に大型のバッファタンクを設けなくても、安定して気体状の冷却媒体を供給することができる。
本発明の一実施形態に係る冷却システムを示す断面図である。 冷却システムで冷却される基板載置台を有する成膜処理部の一例を示す断面図である。 図１の冷却システムの変形例を示す断面図である。
　以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る冷却システムを示す模式図である。
　本実施形態の冷却システム１００は、基板に対して成膜処理を行うマルチチャンバ型成膜処理装置に搭載された複数の成膜処理部に、個別的に気体状の冷却媒体である窒素ガス（Ｎ２ガス）を供給するものである。
　この冷却システム１００は、メインの循環ライン１１と、循環ライン１１に設けられたコンプレッサ１２と、循環ライン１１におけるコンプレッサ１２の前後に設けられた前段クーラー１３および後段クーラー１４と、循環ライン１１にＮ２ガスを供給するガス供給ライン１５と、循環ライン１１からＮ２ガスを排出するガス排出ライン１６と、複数の成膜処理部２１に対応して設けられ、各々並列に循環ライン１１に接続された冷却ライン１７と、冷却対象をバイパスするバイパスライン１８と、制御部１９とを有する。
　メインの循環ライン１１は、気体状の冷却媒体であるＮ２ガスが循環される。循環ライン１１は、各成膜処理部２１にＮ２ガスを供給する供給口２８を有する後段クーラー１４下流側の前半部１１ａと、各成膜処理部２１からＮ２ガスが排出される排出口２９を有する後半部１１ｂとを有している。
　コンプレッサ１２は循環ライン１１のＮ２ガスを昇圧して循環ライン１１中を循環させるためのものである。また、前段クーラー１３は、各成膜処理部２１内で熱交換することにより温度が上昇したＮ２ガスを冷却するためのものであり、コンプレッサ１２に高温のＮ２ガスが導入されることを防止する機能を有している。また、後段クーラー１４は、コンプレッサ１２により圧縮されて温度が上昇したＮ２ガスを所定温度に冷却するものであり、各成膜処理部２１に供給されるＮ２ガスを所定の温度に調整する機能を有する。前段クーラー１３および後段クーラー１４は、冷却水等の冷却媒体が流れる屈曲したパイプを内蔵しており、供給されたＮ２ガスが冷却媒体により冷却される。
　各成膜処理部２１に対応する冷却ライン１７は循環ライン１１に接続されている。具体的には、冷却ライン１７は、循環ライン１１の前段部１１ａの供給口２８から成膜処理部２１内の冷却対象である基板載置台（後述）にＮ２ガスを供給する供給部１７ａと、その基板載置台から循環ライン１１の後段部１１ｂの排出口２９へＮ２ガスを排出する排出部１７ｂと、基板載置台内のガス流路１７ｃとを有する。供給部１７ａには供給口２８側から順に流量調節のためのニードルバルブ２２と開閉バルブ２３が設けられている。また排出部１７ｂには開閉バルブ２４が設けられている。
　バイパスライン１８は、冷却ライン１７の供給部１７ａと排出部１７ｂとを繋ぐように設けられ、冷却対象である基板載置台をバイパスするように設けられている。バイパスライン１８には、冷却ライン１７の供給部１７ａ側から順に開閉バルブ２５と流量調節のためのニードルバルブ２６とが設けられている。
　バイパスライン１８は、対応する成膜処理部２１において基板載置台の冷却を行う場合には使用されず、対応する成膜処理部２１で基板載置台の冷却を行わない場合に使用される。すなわち、対応する成膜処理部２１で基板載置台の冷却を行う場合には、開閉バルブ２３および２４を開成し、開閉バルブ２５を閉成してＮ２ガスがガス流路１７ｃに流れるようにされ、対応する成膜処理部で基板載置台の冷却を行わない場合には、開閉バルブ２３および２４を閉成し、開閉バルブ２５を開成してバイパスライン１８にＮ２ガスが流れるようにされる。このとき、ニードルバルブ２６によりバイパスライン１８の流量を調節し、バイパスライン１８を流れた場合のコンダクタンスを、基板載置台内のガス流路１７ｃを流れた場合のコンダクタンスに合わせることができるようになっている。コンダクタンスの制御は、流量計によりＮ２ガスの流量を測定し、その値に基づいて行ってもよいし、コンプレッサ１２の回転数に基づいて行ってもよい。
　なお、循環ライン１１に不図示のコンダクタンスバルブを設けてもよい。
　制御部１９は、コンピュータ（マイクロプロセッサ）を備えており、各構成部、例えば、コンプレッサ１２、前段クーラー１３、後段クーラー１４、ニードルバルブ２２，２６、開閉バルブ２３，２４，２５等を制御するようになっている。制御部１９は、マルチチャンバ型成膜処理装置の全体制御部（図示せず）の指令に基づいて所定の処理レシピを実行するようになっており、そのために必要な制御パラメータやレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイを備えている。
　マルチチャンバ型成膜処理装置は、多角形をなす共通の搬送室（図示せず）を有しており、複数の成膜処理部２１は、ゲートバルブ（図示せず）を介して搬送室に接続されている。そして、搬送室を真空状態に保ったまま、その中に設けられた搬送装置（図示せず）により、ゲートバルブを開放した状態で各成膜処理部２１に対する基板の搬入および搬出が行えるようになっている。基板には特に制限はないが、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板や太陽電池用基板等の矩形基板が例示される。
　次に、成膜処理部２１の具体的な構成例について説明する。
　図２は成膜処理部の一例を示す断面図である。成膜処理部２１は、複数の基板に対して一括して成膜処理を行うものであり、複数の基板を収容するチャンバ３１を有している。チャンバ３１内には、それぞれ基板Ｓを載置する複数の基板載置台３２を有している。これら基板載置台３２は、鉛直方向に沿って所定の間隔をおいて配置されている。基板載置台３２は支持部材３３によりチャンバ３１に支持されている。
　基板載置台３２は、平面形状が基板Ｓに対応する矩形状をなしている。基板載置台３２の内部には、基板載置台３２を冷却するための上述した冷却ライン１７のガス流路１７ｃと、基板載置台３２を加熱するためのヒーター３４が設けられている。
　冷却ライン１７の供給部１７ａおよび排出部１７ｂは、上方からチャンバ３１内に垂直に挿入されており、複数の基板載置台３２を挟んで対向するように設けられている。供給部１７ａおよび排出部１７ｂからは、それぞれ各基板載置台３２のガス流路１７ｃに接続される供給側接続配管１７ｄおよび排出側接続配管１７ｅが延びている。
　ヒーター３４はヒーター電源（図示せず）から給電されて発熱するようになっている。ヒーター電源への給電はヒーター制御部（図示せず）により制御される。
　そして、上述したマルチチャンバ型成膜処理装置の全体制御部からの指令に基づいて、冷却システム１００の制御部１９によりＮ２ガスの流量を制御するとともに、ヒーター制御部によりヒーター電源の出力を制御することによって、基板載置台３２の温度が制御される。
　チャンバ３１の天壁にはガス導入口４１が形成されており、ガス導入口４１にはガス供給配管４２が接続されている。このガス供給配管４２には、成膜ガス供給系４３から成膜のために用いられる成膜ガスが供給され、成膜ガスはガス導入口４１を経てチャンバ３１内に導入される。成膜ガスとしては、成膜しようとする膜の材料を含む原料ガス、原料ガスと反応する反応ガス等を挙げることができる。
　チャンバ３１の底側にはチャンバ３１内を排気するための排気口５１が設けられており、この排気口５１には排気配管５２が接続されている。排気配管５２には自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）５３と真空ポンプ５４が設けられており、自動圧力制御バルブ（ＡＰＣ）５３によりチャンバ３１内の圧力を制御しつつ真空ポンプ５４によりチャンバ３１内を排気して、その中が所定の真空度にされる。
　そして、チャンバ３１内を所定の真空度にした状態で、成膜ガス供給系４３からガス供給配管４２およびガス導入口４１を経て、チャンバ３１内に成膜ガス（例えば原料ガスおよび反応ガス）を導入して、温度制御されている基板載置台３２によって基板Ｓを所定温度にしつつ、基板Ｓ上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により所定の膜を成膜する。この際に、適宜のプラズマ生成手段により成膜ガスをプラズマ化してプラズマＣＶＤで成膜処理を行ってもよい。
　以上のような成膜処理部２１で成膜処理を行う場合には、冷却システム１００から冷却媒体として供給されるＮ２ガスの温度と流量を制御するとともに、ヒーター３４へ供給する電流を制御して、基板載置台３２の温度制御を行いその上の基板Ｓの温度を所定温度にし、成膜ガス供給系４３から適宜の成膜ガスをチャンバ３１内に導入して基板Ｓ上に所定の膜を成膜する。例えば、基板載置台３２に供給されるＮ２ガスの温度を３０～５０℃とし、基板載置台３２の温度を１５０～２００℃に制御する。
　このとき、冷却システム１００においては、コンプレッサ１２により冷却媒体であるＮ２ガスを所定流量でメインの循環ライン１１内で循環させ、コンプレッサ１２により圧縮されて温度が上昇したＮ２ガスを後段クーラー１４によって所定温度に冷却する。所定温度に冷却されたＮ２ガスは循環ライン１１の前半部１１ａの供給口２８から、複数の成膜処理部２１に対応する冷却ライン１７に取り入れられ、冷却に供された後のＮ２ガスは冷却ライン１７から排出口２９を経て循環ライン１１の後半部１１ｂに排出される。具体的には、前半部１１ａの供給口２８から、所定温度に冷却されたＮ２ガスが、冷却ライン１７の供給部１７ａに供給され、供給側接続配管１７ｄ（図２）を経て各成膜処理部２１の複数の基板載置台３２内に形成されたガス流路１７ｃに流れ、各基板載置台３２を冷却する。これにより、各基板載置台３２内のガス流路１７ｃを流れたＮ２ガスの温度は上昇し、温度が上昇したＮ２ガスは、排出側接続配管１７ｅを経て排出部１７ｂに至り、排出部１７ｂから排出口２９を経て循環ライン１１の後半部１１ｂに排出される。そして、後半部１１ｂを流れたＮ２ガスはコンプレッサ１２に戻る。
　このとき、循環ライン１１の後半部１１ｂには温度が上昇したＮ２ガスが流れるので、それが直接コンプレッサ１２に戻るとコンプレッサ１２に悪影響を及ぼすおそれがある。そのため、コンプレッサ１２の前段に設けられた前段クーラー１３により温度が上昇したＮ２ガスを冷却してからコンプレッサ１２に供給する。ただし、コンプレッサ１２に供給されるＮ２ガスの温度がコンプレッサ１２において許容される温度であれば、前段クーラー１３は設ける必要はない。
　循環ライン１１内を流れるＮ２ガスを入れ替える場合は、ガス排出ライン１６からＮ２ガスを排出した後、ガス供給ライン１５から新しいＮ２ガスを供給する。また、Ｎ２ガスの入れ替え以外でも、循環ライン１１から僅かにＮ２ガスがリークした場合等には、ガス供給ライン１５から循環ライン１１にＮ２ガスを補充することができる。
　以上のように、本実施形態によれば、メインの循環ライン１１を有する冷却システム１００を、一つのマルチチャンバ型成膜処理装置に対応して設け、この循環ライン１１に気体状の冷却媒体であるＮ２ガスをコンプレッサ１２により循環させるとともに、コンプレッサ１２の後段に設けられた後段クーラー１４によりＮ２ガスの温度を所定温度に冷却した後に、その冷却されたＮ２ガスを各成膜処理部２１の基板載置台３２に供給する。このため、従来のように、工場設備等の一括供給ラインの窒素ガスを使用する場合とは異なり、他の装置の使用状況により窒素ガスの流量不足が生じるおそれがなく、設備側に大型のバッファタンクを設けなくても、安定して気体状の冷却媒体であるＮ２ガスを供給することができる。例えば工場設備等の一括供給ラインから冷却媒体としてＮ２ガスの供給を受ける場合、他の装置の運転状況の影響を受けてＮ２ガスの流量が１０％低下してしまうと、成膜処理部２１での冷却能力が１０％低下し、基板載置台３２の温度を所望の温度に保つことができなくなるが、本実施形態の場合にはそのような変動がなく安定してＮ２ガスを供給することができる。
　また、複数の成膜処理部２１にそれぞれＮ２ガスを供給する冷却ライン１７を各々並列に循環ライン１１に接続しているため、各成膜処理部２１の冷却対象である基板載置台３２にほぼ同じ温度のＮ２ガスを供給することができ、複数の成膜処理部２１の基板載置台３２を温度を均一に冷却することができる。また、バイパスライン１８を設け、開閉バルブ２３，２４，２５を操作することにより、冷却が必要のない成膜処理部２１においてはＮ２ガスをバイパスライン１８に流すことができ、制御部１９によって処理レシピに基づいて、処理ステップごとに複数の成膜処理部２１における基板載置台２３の冷却の有無を切り替えることができる。このとき、流量制御用のニードルバルブ２６により流量調節して、バイパスライン１８を流れた場合のコンダクタンスを、冷却ライン１７（基板載置台内のガス流路１７ｃ）を流れた場合のコンダクタンスに合わせることにより、Ｎ２ガスを供給している他の成膜処理部２１への影響を最小限に抑えることができる。バイパスラインを用いない場合には、冷却媒体であるＮ２ガスを供給する成膜処理部の数が変動した場合、冷却能力が変動したり、コンプレッサの回転数が変動したりし、これらを抑制するためにはバッファタンクが必要であるが、このようなバイパスラインを設けることによりバッファタンクが不要となる。
　例えば、マルチチャンバ型成膜処理装置が５台の成膜処理部２１を有する構成の場合、バイパスラインを用いずに一つの成膜処理部２１に対応する冷却ライン１７を閉じると、冷却媒体であるＮ２ガスを４台の成膜処理部２１に供給することになり、成膜処理部１台当たりの冷却能力が１．２５倍に変動してしまう。また、このような負荷変動によりコンプレッサ１２の運転が不安定になって回転数が変動する場合があり、例えば１０％変動した場合、それにともなってＮ２ガスの流量（＝冷却能力）も変動してしまう。これに対して、バイパスライン１８を設け、Ｎ２ガスがバイパスライン１８を流れた際のコンダクタンスが、ガス流路１７ｃを流れた際のコンダクタンスと同等となるように、ニードルバルブ２６によりバイパスライン１８の流量を調節することにより、負荷変動を小さくすることができる。このため、一部の成膜処理部２１に冷却媒体であるＮ２ガスを供給しない場合であっても、バッファタンクを用いることなく安定した運転を確保することができ、冷却能力の変動は生じない。
　なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、全ての冷却ライン１７を各々並列に循環ライン１１に接続した例を示したが、例えば、図３に示すように、最後段の成膜処理部２１の冷却ライン１７（またはバイパスライン１８）が、循環ライン１１の一部を構成するように構成してもよい。
　また、上記実施形態では、本発明の冷却システムをマルチチャンバ型成膜処理装置に適用したが、これに限らず、基板載置台の冷却に気体状の冷却媒体を使用可能であれば、ドライエッチング装置等の他の基板処理装置に適用することができる。また、成膜処理部として複数の基板を一括して処理するものを例示したが、枚葉式のものであってもよい。さらに、基板処理装置に限らず、気体状の冷却媒体により冷却可能な冷却対象を有する装置であれば適用可能である。
　また、上記実施形態では、冷却対象である成膜処理部を複数設けた場合について示したが、冷却対象は一つであってもよい。また、上記実施形態では、気体状の冷却媒体としてＮ２ガスを用いた例を示したが、Ａｒガス等の他のガスを用いることもできる。さらに、上記実施形態では、コンプレッサの前段および後段にクーラーを設けたが、冷却対象に所望の温度の冷却媒体を供給できればこれに限るものではない。
　１１；循環ライン、１１ａ；前半部、１１ｂ；後半部、１２；コンプレッサ、１３；前段クーラー、１４；後段クーラー、１５；ガス供給ライン、１６；ガス排出ライン、１７；冷却ライン、１７ａ；供給部、１７ｂ；排出部、１７ｃ；ガス流路、１８；バイパスライン、１９；制御部、２１；成膜処理部、２２，２６；ニードルバルブ、２３，２４，２５；開閉バルブ、２８；供給口、２９；排出口、１００；冷却システム

Claims (20)

  1. 　冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システムであって、
    　気体状の冷却媒体が循環する循環ラインと、
    　前記循環ラインに接続され、前記冷却対象に前記冷却媒体を供給する冷却ラインと、
    　前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、
    　前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構と
    を具備する、冷却システム。
  2. 　前記冷却対象および前記冷却ラインを複数有し、複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されている、請求項１に記載の冷却システム。
  3. 　前記冷却対象は、マルチチャンバ型基板処理装置の基板処理部にそれぞれ設けられた基板載置台である、請求項１に記載の冷却システム。
  4. 　前記冷却ラインに接続され、前記冷却対象をバイパスするバイパスラインと、前記冷却媒体の流路を前記冷却対象と前記バイパスラインとで切り替える切替機構とを具備する、請求項１に記載の冷却システム。
  5. 　前記バイパスラインの前記冷却媒体の流量を調節して前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせる流量調節機構を具備する、請求項４に記載の冷却システム。
  6. 　前記冷却機構は、前記コンプレッサの後段に設けられた後段クーラーを有する、請求項１に記載の冷却システム。
  7. 　前記冷却機構は、前記コンプレッサの前段に設けられた前段クーラーを有する、請求項６に記載の冷却システム。
  8. 　前記冷却媒体は窒素ガスである、請求項１に記載の冷却システム。
  9. 　冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却方法であって、
    　前記冷却対象に前記冷却媒体を供給する冷却ラインを循環ラインに設けることと、
    　コンプレッサにより前記循環ライン内に気体状の冷却媒体を循環させることと、
    　冷却機構により前記循環ライン内を循環する冷却媒体を所定の温度に冷却することと、
    　前記冷却機構で冷却された冷却媒体を前記冷却ラインに流して、前記冷却対象に供給することにより前記冷却対象を冷却することと
    を含む、冷却方法。
  10. 　前記冷却対象および前記冷却ラインを複数有し、複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されている、請求項９に記載の冷却方法。
  11. 　前記冷却対象は、マルチチャンバ型基板処理装置の基板処理部にそれぞれ設けられた基板載置台である、請求項９に記載の冷却方法。
  12. 　前記冷却対象をバイパスするバイパスラインを前記冷却ラインに接続して設け、冷却を行わない冷却対象について、切替機構により冷却媒体の流路を前記バイパスラインに切り替える、請求項９に記載の冷却方法。
  13. 　前記バイパスラインに前記冷却媒体を流す際に、前記バイパスラインのコンダクタンスを前記冷却対象のコンダクタンスに合わせるように、前記バイパスラインにおける前記冷却媒体の流量を調節する、請求項１２に記載の冷却方法。
  14. 　複数の基板処理部を有し、前記基板処理部により所定の基板処理を行う基板処理装置であって、
    　各基板処理部は、基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に載置された基板に対して所定の処理を行う処理機構とを有し、
    　前記基板処理装置は、前記複数の基板処理部の各基板載置台に気体状の冷却媒体を供給して冷却する冷却システムを具備し、
    　前記冷却システムは、
    　前記冷却媒体が循環する循環ラインと、
    　前記循環ラインに接続され、複数の前記基板処理部の前記基板載置台にそれぞれ前記冷却媒体を供給する複数の冷却ラインと、
    　前記循環ラインに設けられ、前記冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサと、
    　前記循環ラインに設けられ、前記冷却ラインに供給される前記冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構と
    を有する、基板処理装置。
  15. 　複数の前記冷却ラインは、各々並列に前記循環ラインに接続されている、請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 　前記冷却ラインに接続され、前記基板載置台をバイパスするバイパスラインと、前記冷却媒体の流路を前記基板載置台と前記バイパスラインとで切り替える切替機構とを具備する、請求項１４に記載の基板処理装置。
  17. 　前記バイパスラインの前記冷却媒体の流量を調節して前記バイパスラインのコンダクタンスを前記基板載置台のコンダクタンスに合わせる流量調節機構を具備する、請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 　前記冷却機構は、前記コンプレッサの後段に設けられた後段クーラーを有する、請求項１４に記載の基板処理装置。
  19. 　前記冷却機構は、前記コンプレッサの前段に設けられた前段クーラーを有する、請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 　前記冷却媒体は窒素ガスである、請求項１４に記載の基板処理装置。
PCT/JP2014/062335 2013-05-31 2014-05-08 冷却システム、冷却方法、および基板処理装置 Ceased WO2014192511A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013115599A JP2014236060A (ja) 2013-05-31 2013-05-31 冷却システム、冷却方法、および基板処理装置
JP2013-115599 2013-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014192511A1 true WO2014192511A1 (ja) 2014-12-04

Family

ID=51988549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/062335 Ceased WO2014192511A1 (ja) 2013-05-31 2014-05-08 冷却システム、冷却方法、および基板処理装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2014236060A (ja)
WO (1) WO2014192511A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03192644A (ja) * 1989-12-21 1991-08-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
WO2011136974A2 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Process chambers having shared resources and methods of use thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03192644A (ja) * 1989-12-21 1991-08-22 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
WO2011136974A2 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Process chambers having shared resources and methods of use thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014236060A (ja) 2014-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11124873B2 (en) Substrate processing apparatus
KR101880516B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20200135928A (ko) 어닐링 시스템 및 방법
US20210092798A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Gas Box
US20080271471A1 (en) Temperature Controlling Method for Substrate Processing System and Substrate Processing System
CN102057476B (zh) 快速衬底支撑件温度控制
US20260011580A1 (en) Substrate processing apparatus, method of processing substrate, and method of manufacturing semiconductor device
US12512339B2 (en) Temperature control device and substrate processing apparatus
TW201338006A (zh) 快速反應流體溫度控制系統
US10690011B2 (en) Power generation system, management device, and semiconductor manufacturing apparatus
JP2023098068A (ja) 温度制御システム、半導体製造装置および温度制御方法
WO2014192511A1 (ja) 冷却システム、冷却方法、および基板処理装置
US11459657B2 (en) Gas supply unit and gas supply method
KR101729728B1 (ko) 순환 냉각 유닛 및 이를 구비하는 열처리 장치
CN119446957B (zh) 一种基座温度控制系统、控制方法及半导体处理设备
US20230352320A1 (en) Gas supply system, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
CN109196140B (zh) 双回路基座温度控制系统
CN115132559A (zh) 温度控制装置、基片处理装置和压力控制方法
JP2014078596A (ja) 基板支持部材温調装置及びその基板加熱方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14803884

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14803884

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1