WO2014139893A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements Download PDF

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deflecting
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Lorenzo Zini
Tobias Meyer
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • Component is designed to emit electromagnetic radiation, preferably light.
  • the device emits during operation infrared radiation, UV radiation, colored or white light.
  • the component has at least one semiconductor chip.
  • the device may also include more than one semiconductor chip,
  • the semiconductor chip is preferably on a III-V semiconductor material, in particular on a A nitride compound semiconductor material or a phosphide compound semiconductor material or an arsenide compound semiconductor material, based semiconductor chip.
  • the semiconductor chip is a light emitting diode (LED) chip.
  • the semiconductor chip has, for example, a small thickness, that is to say a small vertical extent.
  • the substrateless semiconductor chip has a thickness of less than 15 ⁇ , preferably less than 7 ⁇ , for example, 5 ⁇ or 6 ⁇ on.
  • the semiconductor chip may, for example, be a thin-film chip in which a growth substrate is removed.
  • the semiconductor chip is then a surface emitter in which a majority of the radiation emerging from the chip is transmitted through a main surface of the chip
  • the semiconductor chip may be a
  • semiconductor chip with growth substrate in particular act with a radiation-transparent sapphire substrate.
  • the semiconductor chip may be a
  • Volume emitter act in which a significant proportion of the exiting radiation through side surfaces which extend perpendicular or transverse to the main surfaces of the chip exits.
  • the semiconductor chip has an active zone for generating electromagnetic radiation, in particular of light.
  • the semiconductor chip preferably has one
  • Main emission direction for example, perpendicular to an emission surface of the semiconductor chip.
  • main emission direction more than 50% of the generated Radiation, preferably more than 70% of the radiation generated by the semiconductor chip radiated.
  • the main radiation direction applies in particular to semiconductor chips, which are surface emitters.
  • the main emission direction is defined by the direction parallel to
  • Proportion of radiation emitted in this direction This definition of the main emission direction applies in particular to semiconductor chips which are volume emitters.
  • the semiconductor chip has at least one side surface.
  • the side surface preferably extends circumferentially around the semiconductor chip and limits it in the lateral
  • the side surface extends transversely or
  • Semiconductor chip also has an upper and a lower side. Top and bottom extend transversely or perpendicular to the side surface of the semiconductor chip. Top and bottom extend parallel to the lateral
  • the device may further comprise a carrier.
  • Semiconductor chip is then arranged on the carrier.
  • the underside of the semiconductor chip is fastened on the carrier, for example soldered.
  • the carrier serves for the mechanical stabilization of the semiconductor chip.
  • a part of the electromagnetic radiation generated by the semiconductor chip emerges through the side surface of the semiconductor chip during operation of the semiconductor chip. In other words, a part of the radiation is not in the main emission direction, perpendicular to the lateral main extension direction,
  • the generated radiation exits through the side surface.
  • the remaining part of the radiation that is to say preferably up to 80% of the radiation, for example 60% or 70% of the radiation emitted by the semiconductor chip during operation, exits through the upper side of the semiconductor chip.
  • the component further has at least one deflection element.
  • the deflecting element is preferably formed in one piece.
  • the deflecting element can be formed from a homogeneous material. In other words, the mechanical, electrical and / or optical properties, in particular the
  • Refractive index of the material of the deflecting element are the same at different points of the deflecting element.
  • the deflection element has no layer structure.
  • the deflecting element is therefore not formed in this embodiment, for example, with layers having different refractive indices, but is formed for example by a single, thick layer of a homogeneous material.
  • the deflecting element may be formed as a deflecting layer.
  • a lateral extent of the deflecting element is preferably smaller than a lateral extent of the
  • a vertical extension of the deflecting element corresponds approximately to or equal to the vertical extent of the semiconductor chip.
  • the deflection element is designed for deflecting the radiation generated by the semiconductor chip, which emerges from the side surface of the semiconductor chip.
  • Deflection element completely covers the side surfaces of the semiconductor chip, for example.
  • the deflecting element is designed to be transparent to radiation.
  • the deflection element is designed such that the radiation emerging laterally from the semiconductor chip, which is generated in operation in the semiconductor chip, the
  • the deflecting element and the semiconductor chip are arranged next to one another.
  • the deflection element is arranged on the side surface of the semiconductor chip. In this case, the deflecting element only on a part of the side surface of the
  • the deflecting element can also be arranged on the complete side surface of the semiconductor chip.
  • the deflecting element can be arranged circumferentially around the semiconductor chip. In this case, the deflecting element
  • the deflecting element comprises a material whose
  • Refractive index is greater than an average refractive index of the semiconductor material of the semiconductor chip, to which the deflecting element adjoins.
  • the middle one is greater than an average refractive index of the semiconductor material of the semiconductor chip, to which the deflecting element adjoins.
  • the average refractive index of the material of the deflecting element is at a predetermined wavelength more than 10%, for example by 15% or 20%, greater than the average refractive index of the semiconductor material of the semiconductor chip. Due to the high refractive index of the deflecting element and the associated refractive index jump between semiconductor and deflecting element, a portion of the radiation generated by the semiconductor chip, which is at the side surface of the
  • Semiconductor chips exits, deflected by the deflecting element in the direction of the main emission of the semiconductor chip. Part of the radiation that is on a side surface of the
  • the deflecting element may increase the probability of a deflection of the radiation leaving the semiconductor chip through its side face in the direction of the main emission direction independently of the angle of incidence of the laterally emerging radiation.
  • the angle of incidence can here and below be given by the angle at which the
  • the radiation is only partially reflected.
  • the degree of this Reflection can be increased by attaching the deflecting element.
  • the side surfaces of the deflection element run, for example, parallel to the side surfaces of the semiconductor chip on the side of the deflection element facing away from the semiconductor chip.
  • the deflection element has a first side surface facing the side surface of the semiconductor chip.
  • the deflecting element further comprises a second side disposed opposite the first side surface
  • First side surface and second side surface are arranged parallel to each other. First side surface and second side surface perpendicular to
  • the first side surface of the deflecting element forms a
  • Radiation entrance area is / are the
  • Radiation entrance surface is an interface between the semiconductor chip and the deflection element. Die
  • Radiation entrance surface or first side surface is preferably planar or planar.
  • the Radiation entrance surface is preferably arranged parallel and opposite to the side surface of the semiconductor chip.
  • the second side surface of the deflecting element is preferably planar or planar.
  • the deflecting element is designed and arranged in such a way that an emergence of the occurred in the deflecting element
  • Radiation from the second side surface of the deflecting element is reduced or prevented. For example, less than 10%, for example 5% or 2%, enter the
  • Mirror reflection are, which may be, for example, a reflective metal layer, which is applied to the deflection element on the second side surface in particular directly.
  • total reflection is understood to mean that the angle at which the radiation strikes a point of the second side surface with respect to a
  • the deflecting element has an upper side facing away from the carrier.
  • the upper surface extends perpendicularly or transversely to the first and the second side surface of the deflecting element.
  • the upper side extends substantially parallel to the lateral main extension direction of the component.
  • the deflecting element is designed and arranged such that the emitted from the semiconductor chip and in the
  • the upper side of the deflecting element has a structuring for this purpose.
  • the structuring of the upper side facilitates the decoupling of the radiation in the forward direction.
  • the top of the deflecting element can be roughened, for example.
  • the upper side of the deflecting element can be etched, brushed, ground or sandblasted.
  • the side surfaces of the deflecting element are made smoother than the top side.
  • the total reflected radiation Preferably, 90% or more of the total reflected radiation, more preferably more than 95%, for example, 98% of the total reflected radiation at the top of the
  • Disconnected deflecting element This increases the luminous efficacy of the component. Radiation losses by laterally emerging from the semiconductor chip and / or the deflecting radiation are avoided.
  • the semiconductor chip on a carrier facing away from the top.
  • the semiconductor chip is designed such that a further part of the radiation emitted by the semiconductor chip,
  • the radiation emitted by the semiconductor chip in the main emission direction is coupled out at the top side of the semiconductor chip.
  • the top of the semiconductor chip is coupled out at the top side of the semiconductor chip.
  • the upper side of the semiconductor chip can be roughened by means of etching, brushing, grinding or sandblasting, for example.
  • the upper side is in particular rougher than the lower side and the side surface of the semiconductor chip.
  • 80%, 90% or more, more preferably 95%, 98% or 99% of the radiation that does not exit through the side surface of the semiconductor chip is coupled out of the semiconductor chip at the top side of the semiconductor chip.
  • the component has at least one wavelength conversion element.
  • Wavelength conversion element is at least partially Conversion of the top of the semiconductor chip
  • Wavelength conversion element for at least partial conversion of the top of the deflecting element
  • the wavelength conversion element is arranged downstream of the deflecting element and the semiconductor chip in the direction of radiation.
  • the wavelength conversion element may be arranged at a distance from the deflection element and the semiconductor chip.
  • the wavelength conversion element can also be arranged directly or directly adjacent to the deflecting element and the semiconductor chip.
  • a lateral extension of the wavelength conversion element preferably corresponds to a total lateral extent of deflecting element and semiconductor chip together.
  • Led deflecting element up to the top also light, which would normally be lost laterally, contribute to the conversion. Additional, arranged in extension of the side surface of the semiconductor chip
  • Wavelength conversion elements are superfluous.
  • the deflecting element is directly adjacent to the side surface of the semiconductor chip
  • connection layer Deflection element and the semiconductor chip arranged a connection layer.
  • the first side surface of the deflection element in this case directly adjoins the connection layer.
  • the side surface of the semiconductor chip also directly adjoins the connection layer.
  • the bonding layer may be, for example, an adhesive layer.
  • the connection layer serves to firmly and preferably permanently connect the deflection element and the semiconductor chip. Thus, a very stable device can be provided.
  • the bonding layer comprises a material whose
  • the bonding layer may be, for example, at least one of the following
  • Materials may be formed or any of the following
  • Materials include: low-breaking silicone adhesive, Si0 2 , A10N, A1 2 0 3 , A1N, SiN, ZnO, Zr0 2 .
  • the refractive index of the material of the connecting layer is preferably smaller than the refractive index of the material of the deflecting element.
  • the refractive index of the material the bonding layer be larger, smaller or equal to that of the adjacent material of the semiconductor chip. If the refractive index of the bonding layer is approximately equal to the refractive index of the adjacent material of
  • Total reflection on the second side surface increased and the efficiency of the device further increased. Furthermore, by the connecting layer, the reflection probability at the second side surface can be further increased, even for an angle of incidence which is smaller than the critical angle of total reflection.
  • the deflecting element has a underside facing a carrier. Between the underside of the deflecting element and the carrier is a
  • the mirror layer is arranged.
  • the mirror layer is
  • the mirror layer may additionally or alternatively also be located on the second side surface of the deflecting element.
  • the mirror layer may then extend, for example, along the entire underside and the entire second side surface of the deflecting element.
  • the mirror layer serves to scatter light, which impinges on the underside of the deflecting element, to the second
  • the deflecting element may, for example, titanium dioxide (TiC ⁇ ), tellurium dioxide, high refractive index silicon or indium gallium nitride (InGaN)
  • Deflection element to a very high refractive index, which in each case is higher than the particular for a given value for the wavelength of the emitted radiation
  • Refractive index of GaN Due to the differences in the refractive indices of the materials of deflection element and
  • a lateral coupling of the radiation emitted by the semiconductor chip radiation can be reduced or prevented.
  • the semiconductor component produced thereby preferably corresponds to the semiconductor component described here. All disclosed for the device features are therefore also disclosed for the process and vice versa.
  • the method comprises the following steps: First, a carrier is provided.
  • the carrier is suitable as a carrier structure for the semiconductor chip and the deflection element.
  • the carrier serves as a stabilizing element for the semiconductor chip and the deflection element.
  • the semiconductor chip is a semiconductor chip.
  • this will be at least one
  • Deflecting element provided.
  • the material of the deflection element has a greater refractive index than the material of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip and the deflection element are arranged such that the first side surface of the deflection element faces the side surface of the semiconductor chip.
  • the carrier can be removed again.
  • Wavelength conversion element downstream of the deflecting element and the semiconductor chip in the emission direction is arranged below the upper side of deflecting element and semiconductor chip. Due to the special arrangement and design of
  • Deflection deflected and at the top of the Deflection element are coupled out of the deflection.
  • a majority of the radiation emitted by the semiconductor chip preferably more than 90%, particularly preferably more than 95%, for example 98% of the radiation, impinges on the wavelength conversion element and can therefore be used for
  • the deflecting element is designed in the shape of a frame. In particular, this surrounds
  • the semiconductor chip preferably completely.
  • the semiconductor chip and the deflecting element are firmly connected, preferably permanently.
  • Deflecting element and semiconductor chip Connecting materials between the deflecting element and the semiconductor chip are superfluous. Thus, the above-described semiconductor device is easily manufactured.
  • the semiconductor chip into the deflection element
  • Deflection element and semiconductor chip is arranged, for
  • connection layer can first be applied to the first side surface of the deflection element and / or the side surface of the semiconductor chip before the semiconductor chip enters the deflection element
  • the semiconductor chip Also first be introduced into the deflection and the connection layer only later between semiconductor chip and deflector arranged, for example injected, are. In this way, a very stable connection between the semiconductor chip and the deflecting element is produced and thus a very stable component is provided.
  • the deflecting element is produced by means of a lithography method. This is the
  • Deflection element during the production of the semiconductor chip by a coating method such as sputtering, CVD or the like applied and then, for example
  • FIG. 1 shows a side view of a component from the prior art.
  • FIG. 2 shows a side view of a component
  • FIG. 3 shows a side view of a component according to a further exemplary embodiment.
  • FIG. 4 shows exemplary reflection probabilities on the side surfaces of a further exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described here.
  • the same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals.
  • the figures and the proportions in the figures are provided in the figures with the same reference numerals.
  • Component has a semiconductor chip 1, for example an LED chip.
  • the semiconductor chip 1 has a
  • Semiconductor material such as GaN on.
  • Semiconductor chip 1 has an active zone (not explicitly shown) for the emission of electromagnetic
  • the semiconductor chip 1 emits colored, for example blue, light.
  • the semiconductor chip 1 has a side surface 4 which extends circumferentially around the semiconductor chip 1.
  • side surfaces 4 of the semiconductor chip 1 can also be used in this context if the respective side surface 4 is not considered to be circumferential.
  • the side surface 4 is perpendicular to
  • the semiconductor chip 1 further has an upper side 2 and a lower side 3, which are arranged opposite one another.
  • the upper side 2 of the semiconductor chip 1 is thereby
  • the upper side 2 represents the primary outcoupling surface of the semiconductor chip 1.
  • the upper side 2 is structured, for example roughened. This can be achieved by etching, sandblasting, brushing or grinding the top 2.
  • the top 2 is
  • the structuring helps to improve the light extraction from the semiconductor chip 1.
  • the semiconductor chip 1 radiates predominantly, that is to say to at least 50%, preferably to 80% or more,
  • the semiconductor chip 1 also radiates a portion of the radiation 6 in the lateral direction, so that this part of the radiation 6 exits through the side surface 4 of the semiconductor chip 1.
  • the semiconductor chip 1 emits 50% or less, for example 20% or 30% of the radiation 6, laterally.
  • the side surface 4 represents a secondary outcoupling surface of the semiconductor chip 1.
  • Optical elements for example a
  • Wavelength conversion element 5 which are arranged downstream of the semiconductor chip 1 in the primary emission direction, can not however be illuminated by the laterally emitted radiation in conventional components, such as the component shown in FIG.
  • the radiation 6 emerging from the side surface 4 of the semiconductor chip 1 does not contribute to the conversion in the case of ordinary components. Only the radiation 6 coupled out from the upper side 2 can contribute to the conversion (see FIG. 1).
  • the laterally emerging from the semiconductor chip 1 radiation carries
  • the deflecting element 7 is designed and arranged to be the part of the semiconductor chip 1
  • Semiconductor chips 1 exits, deflect and in particular back to the primary radiation direction (forward direction) of the semiconductor chip 1 to direct. In this way, the radiation 6, which has emerged laterally from the semiconductor chip 1, can be applied to a subsequently arranged optical element
  • Wavelength conversion element 5 (Wavelength conversion element 5) are directed and thus contributes to the luminous efficiency of the device.
  • Deflection element 7 and semiconductor chip 1 can on a
  • the deflecting element 7 is at least partially
  • the deflecting element 7 has a first side surface 8A and a second side surface 8B, which are arranged opposite one another. First and second side surfaces 8A, 8B are arranged parallel to the side surface 4 of the semiconductor chip 1. First and second
  • the deflecting element 7 also has an upper side 9. The top 9 is opposite to the
  • Wavelength conversion element 5 is formed.
  • the top 9 has a structuring.
  • the top 9 is roughened.
  • the upper side 9 is rougher than the side surfaces 8A, 8B and as a lower side of the deflecting element 7.
  • the upper side 9 may be sandblasted, etched, brushed and / or ground.
  • the deflecting element 7 and the semiconductor chip 1 are identical.
  • deflection element 7 and semiconductor chip 1 are arranged directly adjacent to each other. In other words, the first
  • Side surface 8A of the deflection element 7 directly adjoins the side surface of the semiconductor chip 1. In particular, there is no bonding material between deflection element 7 and semiconductor chip 1.
  • the deflection element 7 is formed in one piece.
  • Deflection element 7 may be formed only on a part of the side surface 4.
  • the first side surface 8A only adjoins a part of the side surface 4 of the semiconductor chip 1. This is especially true for the case
  • the radiation 6 exits predominantly only on a part of the side surface 4 of the semiconductor chip 1.
  • the deflecting element 7 is formed like a frame.
  • the deflecting element 7 is also in this embodiment in one piece
  • the deflecting element 7 surrounds the semiconductor chip 1 completely.
  • any emerging from the side surface 4 of the semiconductor chip 1 radiation 6 can thus be deflected by the deflection element 7.
  • the deflecting element 7 is of high refractive design.
  • the deflecting element 7 has a material whose refractive index is greater than the middle one
  • the deflecting element 1O2, Te02 or InGaN as a material.
  • Each of these materials has at a given wavelength (for example 400 nm) the
  • emitted radiation 6 has a larger refractive index than the material of the semiconductor chip 1, for example GaN.
  • the radiation 6 emitted from the side surface 4 enters the deflection element 7 in the first side surface 8A of the deflection element 7.
  • the radiation 6 is refracted towards the incidence solder.
  • the radiation 6 then impinges at a point 10 on the second side surface 8B of the
  • the angle at which the radiation 6 strikes the point 10 of the second side surface 8B of the deflecting element 7 is with respect to a tangent normal through the point 10, greater than the critical angle of total reflection at the point 10. In other words, the radiation 6 is totally reflected at the point 10 where it meets the second side surface 8B.
  • the radiation 6 is in the point 10 in the direction of
  • the underside of the deflecting element 7 below (that is, for example, between the deflecting element 7 and the carrier 11) may further comprise a mirror element or a
  • Mirror layer 100 may be arranged.
  • the mirror layer 100 serves to on the underside of the deflection element. 7
  • the emerging from the top 9 of the deflecting element 7 6 radiation can now, just like the radiation emitted from the top 2 of the semiconductor chip 1 radiation 6, on a
  • Wavelength conversion element 5 is arranged opposite the upper side 2 of the semiconductor chip 1. Thus also emerging from the top 9 of the deflecting element 7
  • Radiation 6 can hit the wavelength conversion element 5, the wavelength conversion element 5 must also hit
  • a width or horizontal extent of the wavelength conversion element 5 must correspond approximately to the total width of the semiconductor chip 1 and deflecting element 7, as can be seen from FIG.
  • Semiconductor chip 1 generated radiation 6 for conversion
  • Semiconductor chip 1 emerging radiation are reduced or avoided altogether.
  • the relevant component is therefore particularly efficient.
  • FIG. 3 shows a side view of a component according to a further exemplary embodiment.
  • the deflecting element 7 is not directly adjacent to the semiconductor chip 1.
  • the first side surface 8A does not directly adjoin the
  • connection layer 12 is arranged.
  • the connection layer 12 serves to firmly or permanently connect the deflecting element 7 to the semiconductor chip 1.
  • the connection layer 12 may be, for example, an adhesive layer which is formed between the deflection element 7 and the semiconductor chip 1.
  • connection layer 12 comprises a material whose refractive index is less than or equal to the refractive index of the material of the semiconductor chip 1 (for example, GaN).
  • the refractive index of the material is the
  • Connecting layer 12 is smaller than the refractive index of the material of the deflecting element 7, so that the radiation 6 on entering the deflecting element 7 in turn passes from an optically thinner into a more optically denser medium, as was already the case in the component in Figure 2.
  • the radiation from the semiconductor chip 1 When the radiation from the semiconductor chip 1 is transferred into the connection layer 12, the radiation is not broken off, or if at all, by the incidence solder because of the same refractive index of the materials or because of the smaller refractive index of the connection layer 12.
  • the radiation from the connecting layer 12 into the deflecting element 7 When the radiation from the connecting layer 12 into the deflecting element 7 is transferred, the radiation 6 is broken again to the incidence solder during the transition into the optically denser medium. The angle at which the radiation 6 entering the deflecting element 7 then impinges on the second side face 8B in the point 10 becomes through the connecting layer 12 arranged between deflecting element 7 and semiconductor chip 1
  • the degree of total reflection at point 10 on the second side surface 8B is thus increased, thereby increasing the efficiency of the device. Furthermore, it is possible that the reflection probability at the second side surface is increased.
  • the aforementioned carrier is provided.
  • the carrier 11 is used for mechanical
  • Wavelength conversion element 5 is provided.
  • Wavelength conversion element 5 is designed to at least partially convert the radiation 6 emitted by the semiconductor chip 1 and deflecting element 7 into a further radiation having a different wavelength from the emitted radiation 6.
  • a further optical element for example a lens (not explicitly shown), which may be configured to focus the radiation emitted by deflecting element 7 and semiconductor chip 1.
  • the semiconductor chip 1 and the deflecting element 7 are arranged on the carrier 11 or arranged relative to one another. The arrangement is such that the first side surface 8A of the deflecting element 7 faces the side surface 4 of the semiconductor chip 1.
  • the semiconductor chip 1 can be introduced into the frame-shaped deflecting element 7 in order to form a positive connection between deflecting element 7 and
  • connection layer 12 may, for example, prior to insertion or insertion of the
  • Side surface 8A of the deflecting element 7 or on the side surface 4 of the semiconductor chip 1 are attached.
  • connection layer 12 can also after the introduction of the semiconductor chip 1 in the
  • Deflection element 7 between semiconductor chip 1 and deflecting element 7 are introduced.
  • the deflecting element 7 is not formed frame-shaped, the deflecting element 7 with the aid of
  • Connection layer 12 are attached to the semiconductor chip 1 by the connecting layer 12 on the first
  • Wavelength conversion element 5 arranged so that it faces the upper side 9 of the deflecting element 7 and the upper side 2 of the semiconductor chip 1.
  • a first and a second are calculated
  • the first reflection probability 611 is calculated for an exemplary embodiment of an optoelectronic semiconductor component described in conjunction with FIG. 1 and the second reflection probability 622 for an exemplary embodiment described in conjunction with FIG. Accordingly, the first reflection probability 611 shows the probability of a deflection of laterally exiting radiation 6 on the side surface 4 of a semiconductor chip 1, in which no deflecting element 7 is provided.
  • the second reflection probability 622 shows the probability of a deflection of laterally exiting radiation 6 on the side surface 4 of a semiconductor chip 1, in which no deflecting element 7 is provided.
  • Reflection probability 622 shows the probability of deflection laterally emerging radiation 6 on the side surface 8B of a deflection element 7.
  • the laterally emerging radiation 6 thus experiences only two Refractive index jumps, wherein the first refractive index jump occurs at the interface of the semiconductor chip 1 to the deflection element 7, which is formed by the side surface 4 of the semiconductor chip 1, and the second refractive index jump at the interface of the deflection element 7 to the surrounding air passing through the side surface 8B of the deflecting element 7 is formed. Furthermore, it was assumed for the calculation that the materials used are dielectrics in which there is essentially no absorption of the
  • n 2.6
  • Incidence angle is only up to a value of 23 °
  • Both reflection probabilities 611, 622 exhibit the typical course of the reflection probability at the interfaces between two dielectrics.
  • the reflection probability 622 is always greater than the first reflection probability 611.
  • the first reflection probability 611 is small
  • the higher second reflection probability 622 is probably explained as follows. In the case that no deflecting element 7 is present, laterally emerging radiation 7, which is at an angle of incidence which is smaller than the critical angle of the total reflection, on the
  • the laterally emerging radiation 6 can again on the side surface
  • the deflecting element 7 is formed of a material having a greater refractive index than the material of the semiconductor chip 1, one by the now lower

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Abstract

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben aufweisend wenigstens einen Halbleiterchip (1) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung(6), wobei der Halbleiterchip (1) wenigstens eine Seitenfläche (4) aufweist und wobei ein Teil der elektromagnetischen Strahlung (6) im Betrieb des Halbleiterchips (1) durch die Seitenfläche (4) austritt. Das Halbleiterbauelement weist ferner wenigstens ein Umlenkelement (7) auf, wobei das Umlenkelement (7) strahlungsdurchlässig ausgebildet ist. Das Umlenkelement (7) und der Halbleiterchip (1) sind nebeneinander (11) angeordnet, das Umlenkelement (7) ist an der Seitenfläche (4) des Halbleiterchips (1) angeordnet und das Umlenkelement (7) weist ein Material auf,dessen Brechungsindex größer ist als ein mittlerer Brechungsindex eines Halbleitermaterials des Halbleiterchips (1). Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Die Druckschriften WO 2011/015449 AI und US 8,148,734 B2 beschreiben ein optoelektronisches Halbleiterbauelement.
Es ist eine zu lösende Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, kurz Bauelement, anzugeben, das besonders effizient ist und insbesondere eine sehr hohe Lichtauskopplung aufweist. Ferner ist es eine zu lösende Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, ein einfaches Verfahren zur Herstellung eines besonders effizienten
optoelektronischen Halbleiterbauelements anzugeben.
Gemäß einem Aspekt wird ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement, kurz Bauelement, angegeben. Das
Bauelement ist zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung, vorzugsweise von Licht, ausgebildet. Das Bauelement strahlt im Betrieb Infrarotstrahlung, UV-Strahlung, farbiges oder weißes Licht ab.
Das Bauelement weist wenigstens einen Halbleiterchip auf. Das Bauelement kann auch mehr als einen Halbleiterchip,
beispielsweise zwei oder mehr Halbleiterchips aufweisen.
Bei dem Halbleiterchip handelt es sich vorzugsweise um auf einem III-V-Halbleitermaterial, insbesondere auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial oder einem Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial oder einem Arsenid- Verbindungshalbleitermaterial , basierenden Halbleiterchip. Vorzugsweise ist der Halbleiterchip ein Leuchtdioden- (LED) Chip.
Der Halbleiterchip weist zum Beispiel eine geringe Dicke, also eine geringe vertikale Ausdehnung auf. Vorzugsweise weist der substratlose Halbleiterchip eine Dicke von weniger als 15 μιη, vorzugsweise weniger als 7 μιτι, zum Beispiel 5 μιη oder 6 μιη auf.
Bei dem Halbleiterchip kann es sich zum Beispiel um einen Dünnfilm-Chip handeln, bei dem ein Aufwachssubstrat entfernt ist. Bei dem Halbleiterchip handelt es sich dann um einen Oberflächenemitter, bei dem ein Großteil der aus dem Chip austretenden Strahlung durch eine Hauptfläche des
Halbleiterchips austritt. Ferner kann es sich bei dem Halbleiterchip um einen
Halbleiterchip mit Aufwachssubstrat , insbesondere mit einem strahlungsdurchlässigen Saphir-Substrat handeln. In diesem Fall kann es sich bei dem Halbleiterchip um einen
Volumenemitter handeln, bei dem ein erheblicher Anteil der austretenden Strahlung durch Seitenflächen, die senkrecht oder quer zu den Hauptflächen des Chips verlaufen, austritt.
Der Halbleiterchip weist eine aktive Zone zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere von Licht, auf. Der Halbleiterchip weist vorzugsweise eine
Hauptemissionsrichtung auf, die zum Beispiel senkrecht zu einer Emissionsfläche des Halbleiterchips verläuft. In die Hauptemissionsrichtung können mehr als 50 % der erzeugten Strahlung, vorzugsweise mehr als 70 % der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung abgestrahlt. Diese Definition der
Hauptabstrahlrichtung trifft insbesondere auf Halbleiterchips zu, bei denen es sich um Oberflächenemitter handelt.
Ferner ist es möglich, dass die Hauptemissionsrichtung durch die Richtung definiert ist, die parallel zur
Wachstumsrichtung der epitaktisch abgeschiedenen Schichten des Halbleiterchips verläuft, unabhängig davon, welcher
Anteil der Strahlung in diese Richtung emittiert wird. Diese Definition der Hauptabstrahlrichtung trifft insbesondere auf Halbleiterchips zu, bei denen es sich um Volumenemitter handelt . Der Halbleiterchip weist wenigstens eine Seitenfläche auf.
Die Seitenfläche erstreckt sich vorzugsweise umlaufend um den Halbleiterchip und begrenzt diesen in den lateralen
Richtungen. Die Seitenfläche erstreckt sich quer oder
senkrecht zu einer lateralen Haupterstreckungsrichtung des Bauelements beziehungsweise des Halbleiterchips. Der
Halbleiterchip weist ferner eine Ober- und eine Unterseite auf. Ober- und Unterseite erstrecken sich quer oder senkrecht zu der Seitenfläche des Halbleiterchips. Ober- und Unterseite erstrecken sich parallel zu der lateralen
Haupterstreckungsrichtung des Bauelements beziehungsweise des Halbleiterchips .
Das Bauelement kann ferner einen Träger aufweisen. Der
Halbleiterchip ist dann auf dem Träger angeordnet.
Insbesondere ist die Unterseite des Halbleiterchips auf dem Träger befestigt, beispielsweise angelötet. Der Träger dient zur mechanischen Stabilisierung des Halbleiterchips. Ein Teil der vom Halbleiterchip erzeugten elektromagnetischen Strahlung tritt im Betrieb des Halbleiterchips durch die Seitenfläche des Halbleiterchips aus. Mit anderen Worten, ein Teil der Strahlung wird nicht in die Hauptemissionsrichtung, senkrecht zur lateralen Haupterstreckungsrichtung,
abgestrahlt. Beispielsweise treten bis zu 50 % der erzeugten Strahlung durch die Seitenfläche aus. Vorzugsweise treten 20 % bis 30 %, beispielsweise 25 % der von dem Halbleiterchip im Betrieb abgestrahlten Strahlung durch die Seitenfläche des Halbleiterchips aus. Der übrige Teil der Strahlung, also vorzugsweise bis zu 80 % der Strahlung, beispielsweise 60 % oder 70 % der von dem Halbleiterchip im Betrieb abgestrahlten Strahlung, treten durch die Oberseite des Halbleiterchips aus .
Das Bauelement weist ferner wenigstens ein Umlenkelement auf. Das Umlenkelement ist vorzugsweise einstückig ausgebildet. Das Umlenkelement kann aus einem homogenen Material gebildet sein. Mit anderen Worten, die mechanischen, elektrischen und/oder optischen Eigenschaften, insbesondere der
Brechungsindex, des Materials des Umlenkelements sind an unterschiedlichen Stellen des Umlenkelements gleich.
Insbesondere ist es dann möglich, dass das Umlenkelement keinen Schichtaufbau aufweist. Das Umlenkelement ist in dieser Ausführungsform also zum Beispiel nicht mit Schichten mit unterschiedlichem Brechungsindex gebildet, sondern ist beispielsweise durch eine einzige, dicke Schicht aus einem homogenen Material gebildet. Das Umlenkelement kann als Umlenkschicht ausgebildet sein.
Insbesondere ist eine laterale Ausdehnung des Umlenkelements vorzugsweise kleiner als eine laterale Ausdehnung des
Halbleiterchips. Eine vertikale Ausdehnung des Umlenkelements entspricht in etwa oder gleich der vertikalen Ausdehnung des Halbleiterchips. Das Umlenkelement ist zur Umlenkung der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung ausgebildet, welche aus der Seitenfläche des Halbleiterchips austritt. Das
Umlenkelement bedeckt die Seitenflächen des Halbleiterchips beispielsweise vollständig.
Das Umlenkelement ist strahlungsdurchlässig ausgebildet.
Insbesondere ist das Umlenkelement derart ausgebildet, dass die seitlich aus dem Halbleiterchip austretende Strahlung, die im Betrieb im Halbleiterchip erzeugt wird, das
Umlenkelement vollständig oder zumindest teilweise
durchdringen kann. Das Umlenkelement und der Halbleiterchip sind nebeneinander angeordnet. Das Umlenkelement ist an der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet. Dabei kann das Umlenkelement nur an einem Teil der Seitenfläche des
Halbleiterchips angeordnet sein. Alternativ dazu kann das Umlenkelement aber auch an der kompletten Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet sein. Mit anderen Worten, das Umlenkelement kann umlaufend um den Halbleiterchip herum angeordnet sein. In diesem Fall ist das Umlenkelement
vorzugsweise rahmenförmig ausgebildet.
Das Umlenkelement weist ein Material auf, dessen
Brechungsindex größer ist als ein mittlerer Brechungsindex des Halbleitermaterials des Halbleiterchips, an das das Umlenkelement grenzt. Beispielsweise ist der mittlere
Brechungsindex des Materials des Umlenkelements bei einer vorgegebenen Wellenlänge der erzeugten Strahlung
(beispielsweise bei 450 nm) um 2 %, insbesondere um 10 % größer als der mittlere Brechungsindex des
Halbleitermaterials des Halbleiterchips. Vorzugsweise ist der mittlere Brechungsindex des Materials des Umlenkelements bei einer vorgegebenen Wellenlänge mehr als 10 %, beispielsweise um 15 % oder 20 %, größer als der mittlere Brechungsindex des Halbleitermaterials des Halbleiterchips. Auf Grund des hohen Brechungsindex des Umlenkelements und dem damit verbundenen Brechungsindexsprung zwischen Halbleiter und Umlenkelement wird ein Teil der vom Halbleiterchip erzeugten Strahlung, die an der Seitenfläche des
Halbleiterchips austritt, durch das Umlenkelement in Richtung der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips abgelenkt. Ein Teil der Strahlung, der auf eine Seitenfläche des
Umlenkelements tritt, wird totalreflektiert und in Richtung der Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips umgelenkt. In dem Fall, dass keine Totalreflexion stattfindet, das heißt, in dem Fall, dass der Einfallswinkel der seitlich austretenden Strahlung kleiner ist als der Grenzwinkel der Totalreflexion, ist es ferner möglich, dass die
Reflexionswahrscheinlichkeit der seitlich austretenden
Strahlung an der Seitenfläche erhöht ist. Mit anderen Worten, durch das Umlenkelement kann die Wahrscheinlichkeit für eine Ablenkung der Strahlung, die den Halbleiterchip durch dessen Seitenfläche verlässt, in Richtung der Hauptabstrahlrichtung unabhängig von dem Einfallswinkel der seitlich austretenden Strahlung erhöht sein. Der Einfallswinkel kann hierbei und im Folgenden durch den Winkel gegeben sein, unter dem die
Strahlung auf einen Punkt der Seitenfläche des
Halbleiterchips und/oder des Umlenkelements trifft, bezogen auf eine Tangentennormalen auf die Seitenfläche des
Halbleiterchips und/oder des Umlenkelements durch diesen
Punkt. Für Einfallswinkel die kleiner als der Grenzwinkel der Totalreflexion an der jeweiligen Seitenfläche sind wird die Strahlung nur teilweise reflektiert. Der Grad dieser Reflexion kann durch das Anbringen des Umlenkelements erhöht werden .
Die Seitenflächen des Umlenkelements verlaufen beispielsweise parallel zu den Seitenflächen des Halbleiterchips an der dem Halbleiterchip abgewandten Seite des Umlenkelements.
Strahlungsverluste durch Strahlung, welche den Halbleiterchip durch die Seitenfläche verlässt, können somit verringert oder ganz vermieden werden. Die Lichtauskopplung des Bauelements wird dadurch erhöht. Somit wird ein sehr effizientes
Bauelement zur Verfügung gestellt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Umlenkelement eine der Seitenfläche des Halbleiterchips zugewandte erste Seitenfläche auf. Das Umlenkelement weist ferner eine der ersten Seitenfläche gegenüberliegend angeordnete zweite
Seitenfläche auf. Erste Seitenfläche und zweite Seitenfläche sind zueinander parallel angeordnet. Erste Seitenfläche und zweite Seitenfläche verlaufen senkrecht zur
Haupterstreckungsrichtung des Bauelements.
Die erste Seitenfläche des Umlenkelements bildet eine
Strahlungseintrittsfläche. Insbesondere ist/sind der
Halbleiterchip und/oder das Umlenkelement derart ausgebildet, dass der aus der Seitenfläche des Halbleiterchips
ausgetretene Teil der Strahlung über die erste Seitenfläche des Umlenkelements in das Umlenkelement eintritt.
Die erste Seitenfläche beziehungsweise die
Strahlungseintrittsfläche stellt eine Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem Umlenkelement dar. Die
Strahlungseintrittsfläche beziehungsweise erste Seitenfläche ist bevorzugt eben oder planar ausgebildet. Die Strahlungseintrittsfläche ist vorzugsweise parallel und gegenüberliegend zu der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet. Auch die zweite Seitenfläche des Umlenkelements ist vorzugsweise eben oder planar ausgebildet.
Das Umlenkelement ist derart ausgebildet und angeordnet, dass ein Austreten der in das Umlenkelement eingetretenen
Strahlung aus der zweiten Seitenfläche des Umlenkelements vermindert oder verhindert ist. Beispielsweise treten weniger als 10 %, beispielswe.LSG 5 % oder 2 %, der in das
Umlenkelement eingetretenen Strahlung an der zweiten
Seitenfläche des Umlenkelements wieder aus. Vorzugsweise wird ein Großteil der in das Umlenkelement eingetretenen
Strahlung, beispielsweise 90 % oder mehr, an der zweiten Seitenfläche des Umlenkelements totalreflektiert. Besonders bevorzugt werden 95 % oder mehr, beispielswe.LSG 98 % oder 99 % der in das Umlenkelement eingetretenen Strahlung an der zweiten Seitenfläche totalreflektiert. Zusätzlich kann sich an der zweiten Seitenfläche des Umlenkelements eine
Verspiegelung befinden, bei der es sich beispielsweise um eine reflektierende Metallschicht handeln kann, die an der zweiten Seitenfläche auf das Umlenkelement insbesondere direkt aufgebracht ist. Unter Totalreflexion wird in diesem Zusammenhang verstanden, dass der Winkel, unter dem die Strahlung auf einen Punkt der zweiten Seitenfläche trifft, bezüglich einer
Tangentennormalen durch diesen Punkt größer ist als der
Grenzwinkel der Totalreflexion in dem jeweiligen umgebenden Medium in diesem Punkt. Für die Bemessung dieses Grenzwinkels ist jeweils die Tangentennormale in dem genannten Punkt maßgeblich . Durch den hohen Brechungsindex des Materials des Umlenkelements und die planare Ausgestaltung der zweiten Seitenfläche wird ein seitliches Austreten der Strahlung aus dem Umlenkelement somit erheblich verringert oder sogar ganz verhindert. Die aus der Seitenfläche des Halbleiterchips ausgetretene und in das Umlenkelement eingetretene Strahlung kann folglich kaum oder gar nicht seitlich verloren gehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Umlenkelement eine einem Träger abgewandte Oberseite auf. Die Oberseite erstreckt sich senkrecht oder quer zu der ersten und der zweiten Seitenfläche des Umlenkelements. Die Oberseite erstreckt sich im Wesentlichen parallel zu der lateralen Haupterstreckungsrichtung des Bauelements.
Das Umlenkelement ist derart ausgebildet und angeordnet, dass die von dem Halbleiterchip emittierte und in das
Umlenkelement eingetretene Strahlung an der Oberseite des Umlenkelements ausgekoppelt wird. Beispielsweise weist die Oberseite des Umlenkelements dafür eine Strukturierung auf. Durch die Strukturierung der Oberseite wird die Auskopplung der Strahlung in Vorwärtsrichtung erleichtert. Die Oberseite des Umlenkelements kann zum Beispiel aufgeraut sein. Zu diesem Zweck kann die Oberseite des Umlenkelements angeätzt, gebürstet, geschliffen oder sandgestrahlt sein. Insbesondere sind die Seitenflächen des Umlenkelements glatter ausgebildet als die Oberseite.
Durch die spezielle Ausgestaltung der Seitenflächen und der Oberfläche des Umlenkelements wird die an der zweiten
Seitenfläche des Umlenkelements totalreflektierte Strahlung nach oben hin zur Oberseite des Umlenkelements abgelenkt und dort aus dem Umlenkelement ausgekoppelt. Mit anderen Worten, die Strahlung wird vom dem Umlenkelement in der
Hauptemissionsrichtung des Halbleiterchips ausgekoppelt.
Vorzugsweise werden 90 % oder mehr der totalreflektierten Strahlung, besonders bevorzugt mehr als 95 %, zum Beispiel 98 % der totalreflektierten Strahlung an der Oberseite des
Umlenkelements ausgekoppelt. Damit wird die Lichtausbeute des Bauelements gesteigert. Strahlungsverluste durch seitlich aus dem Halbleiterchip und/oder dem Umlenkelement austretende Strahlung werden vermieden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterchip eine einem Träger abgewandte Oberseite auf. Der Halbleiterchip ist derart ausgebildet, dass ein weiterer Teil der vom Halbleiterchip emittierten Strahlung,
insbesondere die in Hauptemissionsrichtung vom Halbleiterchip abgestrahlte Strahlung, an der Oberseite des Halbleiterchips ausgekoppelt wird. Vorzugsweise weist die Oberseite des
Halbleiterchips eine Strukturierung auf. Die Oberseite des Halbleiterchips kann beispielsweise mittels Ätzen, Bürsten, Schleifen oder Sandstrahlen aufgeraut sein. Die Oberseite ist insbesondere rauer als die Unterseite und die Seitenfläche des Halbleiterchips.
Vorzugsweise werden 80 %, 90 % oder mehr, besonders bevorzugt 95 %, 98 % oder 99 % der Strahlung, welche nicht durch die Seitenfläche des Halbleiterchips austritt, an der Oberseite des Halbleiterchips aus dem Halbleiterchip ausgekoppelt.
Dadurch wird ein besonders effizientes Bauelement
bereitgestellt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Bauelement wenigstens ein Wellenlängenkonversionselement auf. Das
Wellenlängenkonversionselement ist zur zumindest teilweisen Umwandlung der aus der Oberseite des Halbleiterchips
austretenden Strahlung in eine elektromagnetische
Sekundärstrahlung ausgebildet. Ferner ist das
Wellenlängenkonversionselement zur zumindest teilweisen Umwandlung der aus der Oberseite des Umlenkelements
austretenden Strahlung in eine elektromagnetische
Sekundärstrahlung ausgebildet und angeordnet.
Das Wellenlängenkonversionselement ist dem Umlenkelement und dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung nachgeordnet. Das Wellenlängenkonversionselement kann zu dem Umlenkelement und dem Halbleiterchip dabei beabstandet angeordnet sein.
Alternativ dazu kann das Wellenlängenkonversionselement aber auch direkt beziehungsweise unmittelbar angrenzend zu dem Umlenkelement und dem Halbleiterchip angeordnet sein.
Eine laterale Ausdehnung des Wellenlängenkonversionselements entspricht vorzugsweise einer gesamten lateralen Ausdehnung von Umlenkelement und Halbleiterchip zusammen. Somit kann sämtliche aus der Oberseite des Umlenkelements und der
Oberseite des Halbleiterchips austretende Strahlung auf das Wellenlängenkonversionselement treffen und durch dieses in die Sekundärstrahlung umgewandelt werden. Dadurch, dass die von dem Halbleiterchip emittierte und durch die Seitenfläche ausgetretene Strahlung mit Hilfe des
Umlenkelements nach oben zur Oberseite geleitet wird, kann auch Licht, welches normalerweise seitlich verlorengegangen wäre, zur Konversion beitragen. Zusätzliche, in Verlängerung der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnete
Wellenlängenkonversionselemente sind überflüssig. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Umlenkelement unmittelbar an die Seitenfläche des Halbleiterchips
angrenzend angeordnet. Mit anderen Worten, die erste
Seitenfläche des Umlenkelements ist direkt angrenzend zu der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet. In diesem Fall befinden sich kein Verbindungsmaterial und vorzugsweise auch kein Luftspalt zwischen dem Umlenkelement und dem
Halbleiterchip. Strahlungsverluste durch Grenzflächenbrechung können damit vermieden und der Aufbau des Bauelements sehr einfach gehalten werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen dem
Umlenkelement und dem Halbleiterchip eine Verbindungsschicht angeordnet. Die erste Seitenfläche des Umlenkelements grenzt in diesem Fall direkt an die Verbindungsschicht an. Ferner grenzt auch die Seitenfläche des Halbleiterchips direkt an die Verbindungsschicht an. Die Verbindungsschicht kann beispielsweise eine Klebeschicht sein. Die Verbindungsschicht dient dazu, das Umlenkelement und den Halbleiterchip fest und vorzugsweise permanent zu verbinden. Damit kann ein sehr stabiles Bauelement bereitgestellt werden.
Die Verbindungsschicht weist ein Material auf, dessen
Brechungsindex kleiner oder gleich zu dem Brechungsindex des Materials des Halbleiterchips ist. Die Verbindungsschicht kann beispielsweise mit zumindest einem der folgenden
Materialien gebildet sein oder aus einem der folgenden
Materialien bestehen: niedrig brechender Silikon-Kleber, Si02, A10N, A1203, A1N, SiN, ZnO, Zr02.
Der Brechungsindex des Materials der Verbindungsschicht ist vorzugsweise kleiner als der Brechungsindex des Materials des Umlenkelements. Weiter kann der Brechungsindex des Materials der Verbindungsschicht größer, kleiner oder gleich dem des angrenzenden Materials des Halbleiterchips sein. Ist der Brechungsindex der Verbindungsschicht in etwa gleich dem Brechungsindex des angrenzenden Materials des
Halbleiterchips, so wird beim Übergang der Strahlung von dem Halbleiterchip in die Verbindungsschicht die Strahlung wegen des annähernd gleichen Brechungsindex der Materialien nicht gebrochen, beziehungsweise vom Einfallslot weggebrochen. Beim Übergang der Strahlung von der Verbindungsschicht in das Umlenkelement wird die Strahlung zum Einfallslot hin
gebrochen. Der Winkel, unter dem die in das Umlenkelement eintretende Strahlung auf die zweite Seitenfläche auftritt, wird dadurch vergrößert. Somit wird der Grad der
Totalreflexion an der zweiten Seitenfläche gesteigert und die Effizienz des Bauelements weiter erhöht. Ferner kann durch die Verbindungsschicht die Reflexionswahrscheinlichkeit an der zweiten Seitenfläche nochmals erhöht werden, auch für einen Einfallswinkel der kleiner als der Grenzwinkel der Totalreflexion ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Umlenkelement eine einem Träger zugewandte Unterseite auf. Zwischen der Unterseite des Umlenkelements und dem Träger ist eine
Spiegelschicht angeordnet. Die Spiegelschicht ist
vorzugsweise auf dem Träger und/oder dem Umlenkelement aufgeklebt und/oder aufgedampft und/oder aufgesputtert . Die Spiegelschicht kann sich zusätzlich oder alternativ auch an der zweiten Seitenfläche des Umlenkelements befinden. Die Spiegelschicht kann sich dann zum Beispiel entlang der gesamten Unterseite und der gesamten zweiten Seitenfläche des Umlenkelements erstrecken. Die Spiegelschicht dient dazu, Streulicht, das auf der Unterseite des Umlenkelements auftrifft, zur zweiten
Seitenfläche oder zur Oberseite des Umlenkelements hin zu reflektieren und damit die Lichtausbeute des Bauelements zu erhöhen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterchip Galliumnitrid (GaN) auf. Das Umlenkelement kann beispielsweise Titandioxid (TiC^), Tellurdioxid, hoch brechendes Silikon oder Indiumgalliumnitrid (InGaN)
aufweisen .
Diese Materialien zeichnen sich durch eine hohe mechanische Stabilität auf. Ferner weisen die Materialien für das
Umlenkelement einen sehr hohen Brechungsindex auf, der insbesondere für einen vorgegebenen Wert für die Wellenlänge der emittierten Strahlung jeweils höher ist, als der
Brechungsindex von GaN. Auf Grund der Unterschiede in den Brechungsindizes der Materialien von Umlenkelement und
Halbleiterchip kann eine seitliche Auskopplung der durch den Halbleiterchip emittierten Strahlung verringert oder verhindert werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt wird ein Verfahren zur
Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements, vorzugsweise des oben beschriebenen optoelektronischen
Halbleiterbauelements, beschrieben. Insbesondere entspricht das dabei hergestellte Halbleiterbauelement vorzugsweise dem hier beschriebenen Halbleiterbauelement. Sämtliche für das Bauelement offenbarten Merkmale sind demnach auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Zunächst wird ein Träger bereitgestellt. Der Träger ist als Trägerstruktur für den Halbleiterchip und das Umlenkelement geeignet. Der Träger dient als Stabilisierungselement für den Halbleiterchip und das Umlenkelement.
In einem weiteren Schritt wird der wenigstens eine
Halbleiterchip bereitgestellt. Der Halbleitchip ist
vorzugsweise ein LED-Chip. In einem weiteren Schritt wird das wenigstens eine
Umlenkelement bereitgestellt. Das Material des Umlenkelements weist einen größeren Brechungsindex auf als das Material des Halbleiterchips . In einem weiteren Schritt werden der Halbleiterchip und das Umlenkelement derart angeordnet, dass die erste Seitenfläche des Umlenkelements der Seitenfläche des Halbleiterchips zugewandt ist. In einem weiteren, optionalen, Schritt kann der Träger wieder entfernt werden.
In einem weiteren Schritt wird das
Wellenlängenkonversionselement dem Umlenkelement und dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung nachgeordnet. Mit anderen Worten, das Wellenlängenkonversionselement wird der Oberseite von Umlenkelement und Halbleiterchip nachfolgend angeordnet . Durch die spezielle Anordnung und Ausgestaltung von
Halbleiterchip und Umlenkelement kann die Strahlung, die aus der Seitenfläche des Halbleiterchips austritt, von dem
Umlenkelement umgelenkt und an der Oberseite des Umlenkelements aus dem Umlenkelement ausgekoppelt werden. Somit trifft ein Großteil der vom Halbleiterchip emittierten Strahlung, vorzugsweise mehr als 90 %, besonders bevorzugt mehr als 95 %, beispielswe.LSG 98 % der Strahlung, auf das Wellenlängenkonversionselement auf und kann damit zur
Konversion beitragen. Strahlungsverluste werden auf diese Art verringert oder ganz vermieden. Somit wird ein besonders effizientes Bauelement bereitgestellt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Umlenkelement rahmenförmig ausgebildet. Insbesondere umgibt das
Umlenkelement den Halbleiterchip vorzugsweise vollständig. Der Halbleiterchip und das Umlenkelement werden fest, vorzugsweise permanent, miteinander verbunden.
Zur Verbindung von Halbleiterchip und Umlenkelement wird der Halbleiterchip in das Umlenkelement eingebracht zur
Herstellung einer formschlüssigen Verbindung zwischen
Umlenkelement und Halbleiterchip. Verbindungsmaterialien zwischen dem Umlenkelement und dem Halbleiterchip sind hierbei überflüssig. Somit wird auf einfache Weise das oben beschriebene Halbleiterbauelement hergestellt.
Alternativ dazu wird zur Verbindung von Halbleiterchip und Umlenkelement der Halbleiterchip in das Umlenkelement
eingebracht, wobei die Verbindungsschicht zwischen
Umlenkelement und Halbleiterchip angeordnet wird, zur
Herstellung einer stoffschlüssigen Verbindung zwischen
Umlenkelement und Halbleiterchip. Die Verbindungsschicht kann dabei zunächst auf der ersten Seitenfläche des Umlenkelements und/oder der Seitenfläche des Halbleiterchips angebracht werden, bevor der Halbleiterchip in das Umlenkelement
eingebracht wird. Alternativ dazu kann der Halbleiterchip auch zuerst in das Umlenkelement eingebracht werden und die Verbindungsschicht erst nachträglich zwischen Halbleiterchip und Umlenkelement angeordnet, zum Beispiel eingespritzt, werden. Auf diese Weise wird eine sehr stabile Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem Umlenkelement erzeugt und somit ein sehr stabiles Bauelement bereitgestellt.
Ferner ist es möglich, dass das Umlenkelement mittels eines Lithographienverfahrens erzeugt wird. Dabei wird das
Umlenkelement während der Herstellung des Halbleiterchips durch ein Beschichtungsverfahren wie Sputtern, CVD oder ähnliches aufgebracht und anschließend, zum Beispiel
gemeinsam mit der Strahlungsaustrittsfläche des
Halbleiterchips, strukturiert. Auf diese Weise ergibt sich eine direkte und besonders feste Verbindung zwischen dem Umlenkelement und dem Halbleiterchip.
Im Folgenden werden das Bauelement und das Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.
Die Figur 1 zeigt eine Seitenansicht eines Bauelements aus dem Stand der Technik, Die Figur 2 zeigt eine Seitenansicht eines Bauelements,
Die Figur 3 zeigt eine Seitenansicht eines Bauelements gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels. Die Figur 4 zeigt beispielhafte Reflexionswahrscheinlichkeiten an den Seitenflächen eines weiteren Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements . Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein. In der Figur 2 ist ein optoelektronisches
Halbleiterbauelement, kurz Bauelement, dargestellt. Das
Bauelement weist einen Halbleiterchip 1, beispielsweise einen LED-Chip auf. Der Halbleiterchip 1 weist ein
Halbleitermaterial, beispielsweise GaN, auf. Der
Halbleiterchip 1 weist eine aktive Zone (nicht explizit dargestellt) zur Abstrahlung von elektromagnetischer
Strahlung 6 auf. Vorzugsweise strahlt der Halbleiterchip 1 farbiges, beispielsweise blaues, Licht ab. Der Halbleiterchip 1 weist eine Seitenfläche 4 auf, die sich umlaufend um den Halbleiterchip 1 erstreckt.
Selbstverständlich kann in diesem Zusammenhang auch von vier Seitenflächen 4 des Halbleiterchips 1 ausgegangen werden, wenn man die jeweilige Seitenfläche 4 nicht als umlaufend erachtet. Die Seitenfläche 4 verläuft senkrecht zur
Haupterstreckungsrichtung des Bauelements beziehungsweise des Halbleiterchips 1.
Der Halbleiterchip 1 weist ferner eine Oberseite 2 und eine Unterseite 3 auf, die einander gegenüberliegend angeordnet sind. Die Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 ist dabei
diejenige Seitenfläche des Halbleiterchips, in deren Richtung elektromagnetische Strahlung 6 primär beziehungsweise überwiegend vom Halbleiterchip 1 emittiert wird. Mit anderen Worten, die Oberseite 2 stellt die primäre Auskoppelfläche des Halbleiterchips 1 dar. Die Oberseite 2 ist strukturiert, beispielsweise aufgeraut. Dies kann durch Ätzen, Sandstrahlen, Bürsten oder Schleifen der Oberseite 2 erreicht werden. Die Oberseite 2 ist
insbesondere rauer als die Unterseite 3 und die Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1. Die Strukturierung hilft dabei, die Lichtauskopplung aus dem Halbleiterchip 1 zu verbessern.
Insbesondere kann auf Grund der strukturierten Oberseite 2 die Strahlung 6 leichter aus der Oberseite 2 des
Halbleiterchips 1 austreten. Der Halbleiterchip 1 strahlt überwiegend, das heißt zu mindestens 50 %, vorzugsweise zu 80 % oder mehr,
beispielsweise zu 90 %, Strahlung 6 in Richtung der Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 ab. Der Halbleiterchip 1 strahlt ferner einen Teil der Strahlung 6 in seitliche Richtung ab, so dass dieser Teil der Strahlung 6 durch die Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 austritt. Beispielsweise strahlt der Halbleiterchip 1 50 % oder weniger, beispielsweise 20 % oder 30 % der Strahlung 6 seitlich ab. Die Seitenfläche 4 stellt eine sekundäre Auskoppelfläche des Halbleiterchips 1 dar.
Optische Elemente, beispielsweise ein
Wellenlängenkonversionselement 5, welche dem Halbleiterchip 1 in primärer Abstrahlungsrichtung nachgeordnet sind, können bei gängigen Bauelementen, wie das in Figur 1 dargestellte Bauelement, von der seitlich emittierten Strahlung jedoch nicht angestrahlt werden. Mit anderen Worten, die aus der Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 austretende Strahlung 6 trägt bei gewöhnlichen Bauelementen nicht zur Konversion bei. Lediglich die aus der Oberseite 2 ausgekoppelte Strahlung 6 kann zur Konversion beitragen (siehe Figur 1) . Die seitlich aus dem Halbleiterchip 1 austretende Strahlung trägt
insbesondere auch nicht zur Lichtausbeute eines gewöhnlichen Bauelements bei. Dies hat eine verringerte Effizienz des in der Figur 1 (Stand der Technik) gezeigten Bauelements zur Folge .
Um Strahlungsverluste durch die seitlich aus dem
Halbleiterchip 1 austretende Strahlung 6 zu verringern oder zu verhindern, weist das Bauelement in Figur 2 ein
Umlenkelement 7 auf. Das Umlenkelement 7 ist dazu ausgebildet und angeordnet, den Teil der von dem Halbleiterchip 1
erzeugten Strahlung 6, der durch die Seitenfläche 4 des
Halbleiterchips 1 austritt, umzulenken und insbesondere zurück in die primäre Abstrahlungsrichtung (Vorwärtsrichtung) des Halbleiterchips 1 zu lenken. Auf diese Weise kann die seitlich aus dem Halbleiterchip 1 ausgetretene Strahlung 6 auf ein nachfolgend angeordnetes optisches Element
(Wellenlängenkonversionselement 5) gelenkt werden und trägt somit zur Lichtausbeute des Bauelements bei.
Umlenkelement 7 und Halbleiterchip 1 können auf einem
stabilisierenden Träger 11 angeordnet sein (siehe Figur 3) . Das Umlenkelement 7 ist zumindest teilweise
strahlungsdurchlässig ausgebildet. Das Umlenkelement 7 weist eine erste Seitenfläche 8A und eine zweite Seitenfläche 8B auf, die einander gegenüberliegend angeordnet sind. Erste und zweite Seitenfläche 8A, 8B sind parallel zur Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 angeordnet. Erste und zweite
Seitenfläche 8A, 8B verlaufen senkrecht zur
Haupterstreckungsrichtung des Bauelements beziehungsweise Halbleiterchips 1. Das Umlenkelement 7 weist ferner eine Oberseite 9 auf. Die Oberseite 9 ist gegenüberliegend zu dem
Wellenlängenkonversionselement 5 ausgebildet. Die Oberseite 9 weist eine Strukturierung auf. Die Oberseite 9 ist aufgeraut. Insbesondere ist die Oberseite 9 rauer als die Seitenflächen 8A, 8B und als eine Unterseite des Umlenkelements 7. Die Oberseite 9 kann sandgestrahlt, angeätzt, gebürstet und/oder geschliffen sein.
Das Umlenkelement 7 und der Halbleiterchip 1 sind
nebeneinander angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel sind Umlenkelement 7 und Halbleiterchip 1 direkt aneinander angrenzend angeordnet. Mit anderen Worten, die erste
Seitenfläche 8A des Umlenkelements 7 grenzt unmittelbar an die Seitenfläche des Halbleiterchips 1 an. Insbesondere befindet sich kein Verbindungsmaterial zwischen Umlenkelement 7 und Halbleiterchip 1. Das Umlenkelement 7 ist einstückig ausgebildet. Das
Umlenkelement 7 kann nur an einem Teil der Seitenfläche 4 ausgebildet sein. Insbesondere grenzt die erste Seitenfläche 8A in diesem Fall nur an einen Teil der Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1. Dies ist besonders für den Fall
zweckmäßig, wenn die Strahlung 6 vorwiegend nur an einem Teil der Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 austritt.
In einem alternativen Ausführungsbeispiel (aus
Übersichtlichkeitsgründen nicht explizit dargestellt) ist das Umlenkelement 7 rahmenförmig ausgebildet. Das Umlenkelement 7 ist auch in diesem Ausführungsbeispiel einstückig
ausgebildet. In diesem Fall umgibt das Umlenkelement 7 den Halbleiterchip 1 vollständig. Insbesondere ist der Halbleiterchip 1 in das Umlenkelement 7 eingebracht
beziehungsweise eingesteckt. Jegliche aus der Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 austretende Strahlung 6 kann damit von dem Umlenkelement 7 umgelenkt werden.
Das Umlenkelement 7 ist hochbrechend ausgebildet.
Insbesondere weist das Umlenkelement 7 ein Material auf, dessen Brechungsindex größer ist als der mittlere
Brechungsindex des Materials des Halbleiterchips 1.
Beispielsweise weist das Umlenkelement 1O2, Te02 oder InGaN als Material auf. Jedes dieser Materialien hat bei einer vorgegebenen Wellenlänge (zum Beispiel 400 nm) der
emittierten Strahlung 6 einen größeren Brechungsindex, als das Material des Halbleiterchips 1, zum Beispiel GaN.
Auf Grund des hohen Brechungsindex des Materials des
Umlenkelements 7, der glatten zweiten Seitenfläche 8B sowie der strukturierten Oberseite 9, wird Strahlung 6, die durch die Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 austritt, von dem Umlenkelement 7 in Vorwärtsrichtung abgelenkt, wie im
Folgenden erläutert wird:
Insbesondere tritt die aus der Seitenfläche 4 emittierte Strahlung 6 in die erste Seitenfläche 8A des Umlenkelements 7 in das Umlenkelement 7 ein. Beim Übergang von dem optisch dünneren Medium (Halbleiterchip 1) in das optisch dichtere Medium (Umlenkelement 7) wird die Strahlung 6 zum Einfallslot hin gebrochen. Die Strahlung 6 trifft im Folgenden dann in einem Punkt 10 auf die zweite Seitenfläche 8B des
Umlenkelements 7.
Der Winkel, unter dem die Strahlung 6 auf den Punkt 10 der zweiten Seitenfläche 8B des Umlenkelements 7 trifft, ist, bezüglich einer Tangentennormalen durch den Punkt 10, größer als der Grenzwinkel der Totalreflexion in dem Punkt 10. Mit anderen Worten, die Strahlung 6 wird an dem Punkt 10, an dem sie auf die zweite Seitenfläche 8B trifft, totalreflektiert. Vorzugsweise werden 90 % oder mehr der auf die zweite
Seitenfläche 8B auftreffenden Strahlung totalreflektiert. Ein Austreten der in das Umlenkelement 7 eingetretenen Strahlung 6 an der zweiten Seitenfläche 8B wird somit weitgehend verhindert .
Die Strahlung 6 wird in dem Punkt 10 in Richtung der
Oberseite 9 des Umlenkelements 7 reflektiert. Auf Grund der Strukturierung der Oberseite 9 tritt ein Großteil der totalreflektierten Strahlung aus der Oberseite 9 des
Umlenkelements 7 aus. Die Oberseite 9 stellt also die
Auskoppelfläche des Umlenkelements 7 dar. Vorzugsweise tritt 90 % oder mehr, beispielsweise 95 %, 98 %, oder 99 % der totalreflektierten Strahlung aus der Oberseite 9 des
Umlenkelements 7 aus.
Der Unterseite des Umlenkelements 7 nachfolgend (also beispielsweise zwischen dem Umlenkelement 7 und dem Träger 11) kann ferner ein Spiegelelement beziehungsweise eine
Spiegelschicht 100 angeordnet sein. Die Spiegelschicht 100 dient dazu, auf die Unterseite des Umlenkelements 7
auftreffende Strahlung 6 zu reflektieren und so in Richtung der Oberseite 9 des Umlenkelements 7 zu lenken.
Die aus der Oberseite 9 des Umlenkelements 7 austretende Strahlung 6 kann nunmehr, genau wie die aus der Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 emittierte Strahlung 6, auf ein
entsprechend ausgestaltetes Wellenlängenkonversionselement 5 treffen, welches dem Halbleiterchip 1 in primärer Abstrahlungsrichtung nachgeordnet ist. Das
Wellenlängenkonversionselement 5 ist der Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 gegenüberliegend angeordnet. Damit auch die aus der Oberseite 9 des Umlenkelements 7 austretende
Strahlung 6 auf das Wellenlängenkonversionselement 5 treffen kann, muss das Wellenlängenkonversionselement 5 auch
gegenüberliegend zur Oberseite 9 des Umlenkelements 7 angeordnet sein. Eine Breite oder horizontale Ausdehnung des Wellenlängenkonversionselements 5 muss demnach in etwa der Gesamtbreite von Halbleiterchip 1 und Umlenkelement 7 entsprechen, wie aus Figur 2 ersichtlich ist.
Mit Hilfe des Umlenkelements 7 kann ein Großteil,
beispielsweise 90 %, 95 % oder 99 % der von dem
Halbleiterchip 1 erzeugten Strahlung 6 zur Konversion
beitragen. Strahlungsverluste durch seitlich aus dem
Halbleiterchip 1 austretende Strahlung werden verringert oder ganz vermieden. Das betreffende Bauelement ist folglich besonders effizient.
Die Figur 3 zeigt eine Seitenansicht eines Bauelements gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels. In Bezug auf die
allgemeinen Merkmale des Bauelements und insbesondere des Halbleiterchips 1 und des Umlenkelements 7 wird dabei weitgehend auf die Beschreibung zur Figur 2 verwiesen.
Im Gegensatz zu dem in Figur 2 dargestellten
Ausführungsbeispiels grenzt vorliegend das Umlenkelement 7 nicht unmittelbar an den Halbleiterchip 1 an. Insbesondere grenzt die erste Seitenfläche 8A nicht direkt an die
Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1. Vielmehr ist zwischen dem Halbleiterchip 1 und dem Umlenkelement 7 eine
Verbindungsschicht 12 angeordnet. Die Verbindungsschicht 12 dient dazu, das Umlenkelement 7 fest beziehungsweise permanent mit dem Halbleiterchip 1 zu verbinden. Die Verbindungsschicht 12 kann beispielsweise eine Klebeschicht sein, die zwischen dem Umlenkelement 7 und dem Halbleiterchip 1 ausgebildet ist.
Die Verbindungsschicht 12 weist ein Material auf, dessen Brechungsindex kleiner oder gleich zu dem Brechungsindex des Materials des Halbleiterchips 1 (zum Beispiel GaN) ist.
Ferner ist der Brechungsindex des Materials der
Verbindungsschicht 12 kleiner als der Brechungsindex des Materials des Umlenkelements 7, so dass die Strahlung 6 beim Eintritt in das Umlenkelement 7 wiederum von einem optisch dünneren in ein optisch dichteres Medium übergeht, wie dies bei dem Bauelement in Figur 2 bereits der Fall war.
Beim Übergang der Strahlung von dem Halbleiterchip 1 in die Verbindungsschicht 12 wird die Strahlung wegen des gleichen Brechungsindex der Materialien beziehungsweise wegen des kleineren Brechungsindex der Verbindungsschicht 12 nicht, oder falls überhaupt, vom Einfallslot weggebrochen. Beim Übergang der Strahlung von der Verbindungsschicht 12 in das Umlenkelement 7 wird die Strahlung 6 beim Übergang in das optisch dichtere Medium wieder zum Einfallslot hingebrochen. Der Winkel, unter dem die in das Umlenkelement 7 eintretende Strahlung 6 dann in dem Punkt 10 auf die zweite Seitenfläche 8B auftrifft, wird durch die zwischen Umlenkelement 7 und Halbleiterchip 1 angeordnete Verbindungsschicht 12
vergrößert. Der Grad der Totalreflexion im Punkt 10 an der zweiten Seitenfläche 8B wird somit gesteigert und dadurch die Effizienz des Bauelements erhöht. Ferner ist es möglich, dass die Reflexionswahrscheinlichkeit an der zweiten Seitenfläche erhöht wird.
Das oben beschriebene Bauelement wird wie folgt hergestellt (siehe hierzu insbesondere die Figuren 2 und 3) :
In einem ersten Schritt wird der vorher erwähnte Träger bereitgestellt. Der Träger 11 dient zur mechanischen
Stabilisierung von Halbleiterchip 1 und Umlenkelement 7. Der Träger 11 kann nachträglich wieder entfernt werden.
In einem weiteren Schritt wird der oben beschriebene
Halbleiterchip 1 bereitgestellt. In einem nächsten Schritt wird das oben beschriebene Umlenkelement 7 bereitgestellt.
In einem nächsten Schritt wird das oben beschriebene
Wellenlängenkonversionselement 5 bereitgestellt. Das
Wellenlängenkonversionselement 5 ist dazu ausgebildet, die vom Halbleiterchip 1 und Umlenkelement 7 emittierte Strahlung 6 zumindest teilweise in eine weitere Strahlung mit einer von der emittierten Strahlung 6 unterschiedlichen Wellenlänge zu konvertieren .
Ferner kann auch noch ein weiteres optisches Element, beispielsweise eine Linse (nicht explizit dargestellt) bereitgestellt werden, die dazu ausgebildet sein kann, die von Umlenkelement 7 und Halbleiterchip 1 emittierte Strahlung zu bündeln. In einem weiteren Schritt werden der Halbleiterchip 1 und das Umlenkelement 7 auf dem Träger 11 angeordnet beziehungsweise zueinander angeordnet. Die Anordnung erfolgt derart, dass die erste Seitenfläche 8A des Umlenkelements 7 der Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 zugewandt ist.
Zu diesem Zweck kann der Halbleiterchip 1 in das rahmenförmig ausgebildete Umlenkelement 7 eingebracht werden, um eine formschlüssige Verbindung zwischen Umlenkelement 7 und
Halbleiterchip 1 auszubilden. In diesem Fall ist die
Verwendung eines Verbindungsmittels, beispielsweise eines Klebstoffs, überflüssig.
Alternativ dazu kann der Halbleiterchip 1 in das
rahmenförmige Umlenkelement 7 eingebracht werden, wobei die Verbindungsschicht 12 zwischen Umlenkelement 7 und
Halbleiterchip 1 angeordnet wird, um eine Stoffschlüssige Verbindung zwischen Umlenkelement 7 und Halbleiterchip 1 auszubilden. Die Verbindungsschicht 12 kann beispielsweise vor dem Einstecken beziehungsweise Einbringen des
Halbleiterchips 1 in das Umlenkelement 7 an der ersten
Seitenfläche 8A des Umlenkelements 7 oder an der Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 angebracht werden. Beispielsweise kann die jeweilige Seitenfläche 8A, 4 mit Klebstoff
bestrichen werden. Die Verbindungsschicht 12 kann aber auch nach dem Einbringen des Halbleiterchips 1 in das
Umlenkelement 7 zwischen Halbleiterchip 1 und Umlenkelement 7 eingebracht werden.
Alternativ dazu, falls das Umlenkelement 7 nicht rahmenförmig ausgebildet ist, kann das Umlenkelement 7 mit Hilfe der
Verbindungsschicht 12 an dem Halbleiterchip 1 befestigt werden, indem die Verbindungsschicht 12 auf der ersten
Seitenfläche 8A und/oder Teilbereichen der Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 angebracht wird. Danach werden die
Seitenflächen 8A, 4 miteinander in Kontakt gebracht. In einem weiteren Schritt wird das
Wellenlängenkonversionselement 5 im Strahlengang der vom Halbleiterchip 1 und dem Umlenkelement 7 emittierten
Strahlung 6 angeordnet. Insbesondere wird das
Wellenlängenkonversionselement 5 so angeordnet, dass es der Oberseite 9 des Umlenkelements 7 und der Oberseite 2 des Halbleiterchips 1 zugewandt ist. In der Figur 4 sind eine erste und eine zweite berechnete
Reflexionswahrscheinlichkeit 611, 622 erster Ordnung an der Grenzfläche zur das optoelektronische Halbleiterbauelement umgebenden Luft für zwei beispielhafte Ausführungsformen eines hier beschriebenen optoelektronischen
Halbleiterbauelements als Funktion des Einfallswinkels an der Seitenfläche des Halbleiterchips dargestellt. Die erste Reflexionswahrscheinlichkeit 611 ist für ein in Verbindung mit der Figur 1 beschriebenes Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauteils errechnet und die zweite Reflexionswahrscheinlichkeit 622 für ein in Verbindung mit der Figur 2 beschriebenes Ausführungsbeispiel. Die erste Reflexionswahrscheinlichkeit 611 zeigt dementsprechend die Wahrscheinlichkeit für eine Umlenkung seitlich austretender Strahlung 6 an der Seitenfläche 4 eines Halbleiterchips 1, bei dem kein Umlenkelement 7 vorgesehen ist. Die zweite
Reflexionswahrscheinlichkeit 622 zeigt die Wahrscheinlichkeit für eine Umlenkung seitlich austretender Strahlung 6 an der Seitenfläche 8B eines Umlenkelements 7. Für die Berechnung der zweiten Reflexionswahrscheinlichkeit 622 wurde angenommen, dass keine Spiegelschicht an der
Seitenfläche 8B des Umlenkelements 7 angeordnet ist. Die seitlich austretende Strahlung 6 erfährt somit lediglich zwei Brechungsindex-Sprünge, wobei der erste Brechungsindexsprung an der Grenzfläche von dem Halbleiterchip 1 zum Umlenkelement 7, die durch die Seitenfläche 4 des Halbleiterchips 1 gebildet ist, erfolgt und der zweite Brechungsindexsprung an der Grenzfläche von dem Umlenkelement 7 zur umgebenden Luft, die durch die Seitenfläche 8B des Umlenkelements 7 gebildet ist. Ferner wurde für die Berechnung angenommen, dass es sich bei den verwendeten Materialien um Dielektrika handelt, bei denen im Wesentlichen keine Absorption der
elektromagnetischen Strahlung auftritt. Als Brechungsindex für das Material des Halbleiterchips 1 wurde n=2,6
angenommen, während der Brechungsindex des Materials des Umlenkelements 7 um 10 % größer gewählt wurde. Der
Einfallswinkel ist nur bis zu einem Wert von 23°
aufgetragen, da bei einem Brechungsindex von n=2,6 am
Übergang zu Luft eine Totalreflexion ab einem Einfallswinkel =23,58° auftritt. Für Einfallswinkel oberhalb dieses
Wertes ist die Reflexionswahrscheinlichkeit 611, 622 somit 100 %. Die Berechnungen erfolgten nur in erster Ordnung. Dies bedeutet, dass Effekte, die durch eine mehrfache Reflektion der seitlich austretenden Strahlung 6 an der Seitenfläche 8B des Umlenkelements 7 und/oder der Seitenfläche 4 des
Halbleiterchips 1 auftreten, nicht berücksichtigt wurden. Solche Effekte würden das Ergebnis im Wesentlichen nicht beeinflussen.
Beide Reflexionswahrscheinlichkeiten 611, 622 weisen den typischen Verlauf der Reflexionswahrscheinlichkeit an den Grenzflächen zwischen zwei Dielektrika auf. Die zweite
Reflexionswahrscheinlichkeit 622 ist jedoch stets größer als die erste Reflexionswahrscheinlichkeit 611. Hierbei ist die erste Reflexionswahrscheinlichkeit 611 bei kleinen
Einfallswinkeln bis zu 40 % im Vergleich zur zweiten Reflexionswahrscheinlichkeit 622 um bis zu 40 % erhöht. Durch eine andere Wahl der Brechungsindizes der Materialien des Umlenkelements 7 und/oder des Halbleiterchips 1 kann diese Erhöhung jedoch deutlich über diesem berechneten Wert liegen.
Die höhere zweite Reflexionswahrscheinlichkeit 622 ist vermutlich wie folgt zu erklären. In dem Fall, dass kein Umlenkelement 7 vorhanden ist, kann seitlich austretende Strahlung 7, die unter einem Einfallswinkel , der kleiner als der Grenzwinkel der Totalreflektion ist, auf die
Seitenfläche 4 trifft, an der Seitenfläche reflektiert und transmittiert werden, wobei transmittierte seitlich
austretende Strahlung 6 nicht weiter genutzt werden kann. Im dem Fall, dass ein Umlenkelements 7 vorhanden ist, kann die seitlich austretende Strahlung nochmals an der Seitenfläche
8B des Umlenkelements 7 reflektiert werden. Dadurch, dass das Umlenkelement 7 aus einem Material gebildet ist, das einen größeren Brechungsindex als das Material des Halbleiterchips 1 aufweist, wird eine durch den nun niedrigeren
Brechungsindexsprung an der Seitenfläche 4 des
Halbleiterchips 1 bedingte reduzierte
Reflexionswahrscheinlichkeit an der Seitenfläche 4 des
Halbleiterchips 1 durch die erhöhte
Reflexionswahrscheinlichkeit an der Seitenfläche 8B des
Umlenkelements 7 ausgeglichen.
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Anmeldung DE 102013102621.4, deren
Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement aufweisend
- wenigstens einen Halbleiterchip (1) zur Abstrahlung
elektromagnetischer Strahlung (6), wobei der Halbleiterchip (1) wenigstens eine Seitenfläche (4) aufweist und wobei ein Teil der elektromagnetischen Strahlung (6) im Betrieb des Halbleiterchips (1) durch die Seitenfläche (4) austritt,
- wenigstens ein Umlenkelement (7), wobei das Umlenkelement (7) strahlungsdurchlässig ausgebildet ist, wobei
- das Umlenkelement (7) und der Halbleiterchip (1)
nebeneinander angeordnet sind,
- das Umlenkelement (7) an der Seitenfläche (4) des
Halbleiterchips (1) angeordnet ist und
- das Umlenkelement (7) ein Material aufweist, dessen
Brechungsindex größer ist als ein mittlerer Brechungsindex eines Halbleitermaterials des Halbleiterchips (1).
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Umlenkelement (7) einstückig ausgebildet ist und wobei das Umlenkelement (7) umlaufend an der Seitenfläche (4) des Halbleiterchips (1) angeordnet ist.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2,
wobei das Umlenkelement (7) eine der Seitenfläche (4) des Halbleiterchips (1) zugewandte erste Seitenfläche (8A) und eine der ersten Seitenfläche (8A) gegenüberliegend
angeordnete zweite Seitenfläche (8B) aufweist und wobei der Halbleiterchip (1) derart ausgebildet ist, dass der aus der Seitenfläche (4) des Halbleiterchips (1) ausgetretene Teil der Strahlung (6) über die erste Seitenfläche (8A) des
Umlenkelements (7) in das Umlenkelement (7) eintritt.
4. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, wobei das Umlenkelement (7) derart ausgebildet und angeordnet ist, dass ein Austreten der in das Umlenkelement (7)
eingetretenen Strahlung (6) aus der zweiten Seitenfläche (8B) des Umlenkelements (7) vermindert oder verhindert ist.
5. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 3 oder 4,
wobei das Umlenkelement (7) eine einem Träger (11) abgewandte Oberseite (9) aufweist und wobei das Umlenkelement (7) derart ausgebildet und angeordnet ist, dass die von dem
Halbleiterchip (1) emittierte und in das Umlenkelement (7) eingetretene Strahlung (6) an der Oberseite (9) des
Umlenkelements (7) ausgekoppelt wird.
6. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, wobei die Oberseite (9) des Umlenkelements (7) eine
Strukturierung aufweist und wobei die Seitenflächen (8A, 8B) des Umlenkelements (7) glatter ausgebildet sind als die
Oberseite ( 9) .
7. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 6,
wobei der Halbleiterchip (1) eine einem Träger (11)
abgewandte Oberseite (2) aufweist und wobei der
Halbleiterchip (1) derart ausgebildet ist, dass ein weiterer Teil der vom Halbleiterchip (1) emittierten Strahlung (6) an der Oberseite (2) des Halbleiterchips (1) ausgekoppelt wird und wobei die Oberseite (2) des Halbleiterchips (1) eine Strukturierung aufweist.
8. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, ferner aufweisend wenigstens ein
Wellenlängenkonversionselement (5) , wobei das
Wellenlängenkonversionselement (5) zur zumindest teilweisen Umwandlung der aus der Oberseite (2) des Halbleiterchips (1) austretenden Strahlung (6) und der aus der Oberseite (9) des Umlenkelements (7) austretenden Strahlung (6) in eine
elektromagnetische Sekundärstrahlung ausgebildet und
angeordnet ist.
9. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei das Umlenkelement (7) unmittelbar an die Seitenfläche (4) des Halbleiterchips (1) angrenzend angeordnet ist.
10. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei zwischen dem Umlenkelement (7) und dem Halbleiterchip
(I) eine Verbindungsschicht (12) angeordnet ist und wobei die Verbindungsschicht (12) ein Material aufweist, dessen
Brechungsindex kleiner oder gleich dem Brechungsindex des Materials des Halbleiterchips (1) ist und wobei der
Brechungsindex des Materials der Verbindungsschicht (12) kleiner ist als der Brechungsindex des Materials des
Umlenkelements (7) .
11. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei das Umlenkelement (7) eine einem Träger (11) zugewandte Unterseite aufweist und wobei eine Spiegelschicht (100) zwischen der Unterseite des Umlenkelements (7) und dem Träger
(II) und/oder an der zweite Seitenfläche (8B) des
Umlenkelements (7) angeordnet ist.
12. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche,
wobei der Halbleiterchip (1) GaN aufweist und wobei das
Umlenkelement (7) T1O2, T<e02 oder InGaN aufweist.
13. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 12 aufweisend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines Trägers (11),
- Bereitstellen des Halbleiterchips (1),
- Bereitstellen des Umlenkelements (7),
- Anordnen des Halbleiterchips (1) und des Umlenkelements (7) auf dem Träger (11) derart, dass die erste Seitenfläche (8A) des Umlenkelements (7) der Seitenfläche (4) des
Halbleiterchips (1) zugewandt ist.
14. Verfahren nach Anspruch 13,
wobei das Umlenkelement (7) rahmenförmig ausgebildet ist, und
i) wobei der Halbleiterchip (1) in das Umlenkelement (7) eingebracht wird zur Herstellung einer formschlüssigen
Verbindung zwischen Umlenkelement (7) und Halbleiterchip (1), oder
ii) wobei der Halbleiterchip (1) in das Umlenkelement (7) eingebracht wird und wobei die Verbindungsschicht (12) zwischen dem Umlenkelement (7) und dem Halbleiterchip (1) angeordnet wird, zur Herstellung einer stoffschlüssigen
Verbindung zwischen Umlenkelement (7) und Halbleiterchip (1).
15. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das Umlenkelement (7) mittels eines
Beschichtungsverfahrens direkt an die Seitenfläche (4) des Halbleiterchips (1) aufgebracht wird.
PCT/EP2014/054479 2013-03-14 2014-03-07 Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements Ceased WO2014139893A1 (de)

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