WO2013129366A1

WO2013129366A1 - 表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法

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Publication number: WO2013129366A1
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Authority: WO
Inventors: 杉原　利典; 圭太井上; 田中　恵一
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Priority date: 2012-02-28
Filing date: 2013-02-26
Publication date: 2013-09-06
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Abstract

　導電膜（２４）の一部には表示装置本体の一面を露出させる欠陥部（２４ａ）が存在しており、導電膜（２４）は、欠陥部（２４ａ）の周囲に位置する第１領域（ＡＲ１）と第１領域（ＡＲ１）の外側に位置する第２領域（ＡＲ２）とを有し、第２領域（ＡＲ２）における導電膜（２４）の表面反射率が略一定であり、第１領域（ＡＲ１）における導電膜（２４）の表面反射率が基板の表面反射率と第２領域（ＡＲ２）における導電膜（２４）の表面反射率との間であり、かつ前記第１領域（ＡＲ１）内において一定でない。

Description

表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法

　本発明は、表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法に関するものである。
　本願は、２０１２年２月２８日に、日本に出願された特願２０１２－０４１７５６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　近年、テレビ、パーソナルコンピューター、情報端末機器などに搭載されるディスプレイの高性能化の要求が高まっている。ブラウン管ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイなど様々なタイプの表示装置の研究開発が進められている。

　このような表示装置においては、不要輻射を低減させるため、あるいは表示装置の性能特性を向上させるための保護膜が表示装置本体の一面に設けられている。中でも、外部からの静電気をシールドするための導電膜が表示装置の表示ムラを抑制するための保護膜として広く用いられている。

　ところで、表示装置の製造工程において、導電膜の一部に表示装置本体の一面を露出させる欠陥部（ピンホール欠陥）が形成される場合がある。このような欠陥部の表面反射率は、当該欠陥部の周囲の導電膜の表面反射率と異なる場合がある。その場合、欠陥部が導電部の不良部分として認識されることがある。

　例えば、表示装置における導電膜の成膜面に光を斜めから当てて反射光を検査する目視検査を行う場合を考える。この場合、欠陥部の表面反射率が導電膜の表面反射率よりも小さいと、欠陥部が周囲の導電膜よりも暗く見える。そこで、導電膜の一部に欠陥部が存在している場合において当該欠陥部を補修するための技術の要求が高まっている。

　この要求に対して、例えば特許文献１では、皮膜層の一部にピンホール欠陥が存在している場合、皮膜層の上に封止材を塗工してピンホール欠陥を封止材で充填し、当該封止材を硬化させて硬化層を形成し、当該硬化層のうちピンホール欠陥からはみ出た余剰部分を除去する方法が開示されている。

特開２０１１－２６７０４号公報

　このような方法によれば、ピンホール欠陥が不良部分として認識されにくくなると記載されている。そのためには、皮膜層上における硬化層の余剰部分をきれいに除去する必要がある。皮膜層上において硬化層の余剰部分が残存していると、硬化層の余剰部分が不良部分として認識されてしまうからである。しかしながら、硬化層の余剰部分をきれいに除去することは、非常に精密な研磨を要するため容易ではない。
　また、ピンホール欠陥を封止材で充填したり硬化層の余剰部分を除去したりするといった加工には手間がかかる。さらに、封止材の材料費等のコストがかかるという問題もある。

　本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、欠陥部を不良部分として認識されにくくすることが可能な表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。また、この他にも、簡単な方法でかつ高コスト化を抑制することが可能な表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

　上記の目的を達成するために、本発明の表示装置用基板は、第１面と第２面とを有する基板と、前記基板の前記第１面の上に形成された波長変換層と、前記基板の前記第２面に形成された導電膜と、を含み、前記導電膜は前記基板の前記第２面を露出させる欠陥部を有しており、前記導電膜は、前記欠陥部の周囲に位置する第１領域と前記第１領域の外側に位置する第２領域とを有し、前記第２領域における前記導電膜の表面反射率が略一定であり、前記第１領域における前記導電膜の表面反射率が前記基板の表面反射率と前記第２領域における前記導電膜の表面反射率との間であり、前記導電膜の表面反射率が前記第１領域内において一定でないことを特徴とする。

　本発明の表示装置用基板は、前記第２領域における前記導電膜の厚みが略一定であり、前記第１領域における前記導電膜の厚みが０より大きく前記第２領域における前記導電膜の厚みより小さく、前記導電膜の厚みが前記第１領域内において一定でないことを特徴とする。

　本発明の表示装置用基板は、前記第２領域における前記導電膜の厚みをｄ、前記導電膜と前記欠陥部との境界部分から前記第１領域と前記第２領域との境界部分までの距離をＬとしたとき、下記の（１）式を満たすことを特徴とする。
　８×１０^－６＜（ｄ／Ｌ）＜２×１０^－４　・・・（１）

　本発明の表示装置用基板は、前記第２領域における前記導電膜の厚みをｄ、前記導電膜と前記欠陥部との境界部分から前記第１領域と前記第２領域との境界部分までの距離をＬとしたとき、下記の（２）式を満たすことを特徴とする。
　１×１０^－５＜（ｄ／Ｌ）＜１×１０^－４　・・・（２）

　本発明の表示装置用基板は、前記導電膜の屈折率をｎ、前記第２領域における前記導電膜の厚みをｄ、外部から前記導電膜に入射する光の波長をλとしたとき、下記の（３）式を満たすことを特徴とする。
　２ｎｄ＜λ／２　・・・（３）

　本発明の表示装置用基板は、前記導電膜がシールド導電膜であることを特徴とする。

　本発明の表示装置用基板は、前記導電膜が透明導電膜であることを特徴とする。

　本発明の表示装置用基板は、前記導電膜がインジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物であることを特徴とする。

　本発明の表示装置用基板は、前記導電膜がインジウム錫酸化物であるとき、前記第２領域における前記導電膜の表面反射率と前記基板の表面反射率との差が約３．８％であることを特徴とする。

　本発明の表示装置用基板は、前記導電膜がインジウム亜鉛酸化物であるとき、前記第２領域における前記導電膜の表面反射率と前記基板の表面反射率との差が約３．５％であることを特徴とする。

　本発明の表示装置用基板は、前記波長変換層がカラーフィルターであることを特徴とする。

　本発明の表示装置は、前記表示装置用基板を含むことを特徴とする。

　本発明の表示装置は、前記表示装置用基板からなる第１の基板と、前記表示装置用基板の前記波長変換層に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、を含むことを特徴とする。

　本発明の表示装置は、前記第２の基板の前記表示装置用基板と対向する面の上に、前記液晶層に電界を生じさせる第１電極と第２電極とが設けられていることを特徴とする。

　本発明の表示装置は、前記表示装置用基板の前記導電膜の側に、情報入力装置が設けられていることを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、表示装置本体の一面に導電膜を成膜する第１の工程と、前記導電膜において前記表示装置本体の前記一面を露出させる欠陥部が存在しているか否かを検査する第２の工程と、前記欠陥部が存在しているときに、前記導電膜の前記欠陥部の周囲の第１領域において前記導電膜を研磨し、前記第１領域における前記導電膜の表面反射率を前記基板の表面反射率と前記第２領域における前記導電膜の表面反射率との間で変化させる第３の工程と、を有することを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、前記第３の工程において、前記導電膜の前記欠陥部に研磨剤を塗布し、回転部材の先端を前記欠陥部に押し当てつつ回転させることにより前記導電膜を研磨することを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、前記第３の工程において、前記研磨剤としてプラスチック用コンパウンドを用いることを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、前記第３の工程において、前記導電膜の前記欠陥部と前記回転部材の先端との間に、綿またはウレタンを配置することを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、母材から複数の前記表示装置本体を切り出すことを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、前記第１の工程において、切り出された個々の前記表示装置本体の一面に前記導電膜を成膜することを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、前記母材から前記複数の表示装置本体を切り出す前後で、前記導電膜において前記欠陥部が存在しているか否かを検査することを特徴とする。

　本発明の表示装置の製造方法は、前記表示装置が液晶表示装置であることを特徴とする。

　本発明によれば、欠陥部を不良部分として認識されにくくすることが可能な表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法を提供することができる。簡単な方法でかつ高コスト化を抑制することが可能な表示装置用基板、表示装置および表示装置の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。液晶パネルの断面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置本体の一面に成膜された導電膜の平面模式図である。本発明の一実施形態に係る表示装置本体の一面に成膜された導電膜の断面模式図である。比較例に係る表示装置本体の一面に成膜された導電膜の平面模式図である。比較例に係る表示装置本体の一面に成膜された導電膜の断面模式図である。スパッタリング法により導電膜を成膜する際の成膜工程の一例を示す図である。スパッタリング法により導電膜を成膜する際の成膜工程の一例を示す図である。スパッタリング法により導電膜を成膜する際の成膜工程の一例を示す図である。図５Ｃに続く成膜工程の一例を示す図である。図５Ｃに続く成膜工程の一例を示す図である。図５Ｃに続く成膜工程の一例を示す図である。本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造工程を示すフローチャートである。図７に続く液晶表示装置の製造工程を示すフローチャートである。本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図である。液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図である。液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図である。液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図である。液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図である。液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図である。液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図である。本発明の一実施形態に係る欠陥部の研磨プロセスを示す工程図である。本発明の一実施形態に係る欠陥部の研磨プロセスを示す工程図である。本発明の一実施形態に係る欠陥部の研磨プロセスを示す工程図である。本発明の一実施形態に係る研磨器の模式図である。導電膜の厚みと導電膜の表面反射率との関係を示す図である。導電膜の厚みと導電膜の表面反射率との関係を示す図である。外光が導電膜に垂直に入射する様子を示す図である。比較例における導電膜の欠陥部を撮像した写真である。本発明の一実施形態における導電膜の欠陥部を撮像した写真である。欠陥部の変形例を示す断面図である。欠陥部の変形例を示す断面図である。欠陥部の変形例を示す断面図である。電子機器の一例を示す模式図である。電子機器の一例を示す模式図である。電子機器の一例を示す模式図である。

　以下、本発明の一実施形態について、図１、図２を用いて説明する。
　本実施形態では、表示装置として透過型の液晶パネルを備えた液晶表示装置の例を挙げて説明する。
　なお、以下の全ての図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。

　図１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置１（表示装置）の断面図である。
　本実施形態の液晶表示装置１は、図１に示すように、バックライト２と、液晶パネル３と、タッチパネル４（情報入力装置）と、を備えている。

　なお、図１では、液晶パネル３を構成する電極等の図示を省略しているが、その詳細な構造については後述する。観察者は、タッチパネル４が配置された図１における液晶表示装置１の上側から表示を見ることになる。よって、以下の説明では、タッチパネル４が配置された側を視認側と称し、バックライト２が配置された側を背面側と称する。

　本実施形態の液晶表示装置１においては、バックライト２から射出された光を液晶パネル３で変調し、変調した光によって所定の画像や文字等を表示する。

　以下、液晶パネル３の具体的な構成について説明する。
　ここでは、アクティブマトリクス方式の透過型液晶パネルを一例に挙げて説明するが、本発明に適用可能な液晶パネルはアクティブマトリクス方式の透過型液晶パネルに限るものではない。本発明に適用可能な液晶パネルは、例えば半透過型（透過・反射兼用型）液晶パネルであっても良く、更には、各画素がスイッチング用薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，以下、ＴＦＴと略記する）を備えていない単純マトリクス方式の液晶パネルであっても良い。

　図２は、液晶パネル３の断面図である。
　液晶パネル３は、図２に示すように、スイッチング素子基板としてのＴＦＴアレイ基板１０（第２の基板）と、ＴＦＴアレイ基板１０に対向して配置されたカラーフィルター基板２０（第１の基板、表示装置用基板）と、ＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィルター基板２０との間に挟持された液晶層３０と、偏光子として機能する一対の偏光板３１，３２と、を備えている。

　なお、液晶層３０は、ＴＦＴアレイ基板１０と、カラーフィルター基板２０と、ＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィルター基板２０とを所定の間隔をおいて貼り合わせる枠状のシール部材（図示略）と、によって囲まれた空間内に封入されている。

　また、第１偏光板３１は、液晶パネル３の背面側（ＴＦＴアレイ基板１０の側）に配置されている。一方、第２偏光板３２は、液晶パネル３の視認側（カラーフィルター基板２０の側）に配置されている。

　本実施形態の液晶パネル３は、例えばＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードで表示を行うものである。ＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィルター基板２０との間には、これら基板間の間隔を一定に保持するための球状のスペーサー（図示略）が配置されている。なお、表示モードについては、上記のＩＰＳモードに限らず、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ，垂直配向）モード等を用いることができる。

　ＴＦＴアレイ基板１０は、第１基板１１と、ゲート絶縁膜１２と、第１電極１３と、第２電極１４と、配向膜１５と、を備えている。

　第１基板１１は、例えばガラス等からなる。第１電極１３は、ソースメタルにより形成されている。第１電極１３は、ゲート絶縁膜１２上に形成されている。一方、第２電極１４は、ゲートメタルにより形成されている。第２電極１４は、ゲート絶縁膜１２内に形成されている。第１電極１３及び第２電極１４は、櫛歯状の電極である。櫛歯状の電極は、間隔を空けて互いに平行に配置された複数の電極部と、複数の電極部を連結する連結部と、を有している。

　配向膜１５は、第１電極１３上およびゲート絶縁膜１２上に形成されている。

　ＴＦＴアレイ基板１０において、第１電極１３と第２電極１４とは、交互に配置されている。このような構成により、液晶表示装置１では、第１電極１３と第２電極１４との間で生じる電界が液晶層３０に付与されるようになっている。すなわち、第１基板１１の表面と概ね平行な横電界が発生する。

　カラーフィルター基板２０は、第２基板２１（基板）と、ブラックマトリクス２２と、カラーフィルター２３（波長変換層）と、導電膜２４と、平坦化膜２５と、配向膜２６と、を備えている。

　第２基板２１は、例えばガラス等からなる。ブラックマトリクス２２は、例えば、樹脂中にカーボンを分散して構成されている。ブラックマトリクス２２は、第２基板２１のＴＦＴアレイ基板１０と対向する面（第１面２１Ｓ１）上に設けられている。ブラックマトリクス２２の厚みを調節することで、黒色度（遮光度）を上げたり抵抗値を下げたりすることができる。

　カラーフィルター２３は、第２基板２１の第１面２１Ｓ１上においてブラックマトリクス２２によって区画された領域に設けられている。カラーフィルター２３は、例えば、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター及び青色カラーフィルターを備えている。バックライト２から射出され、液晶層３０を透過してカラーフィルター基板２０に概ね垂直に入射した光は、赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター及び青色カラーフィルターを透過して各色光の波長スペクトルの光が透過される。そして、赤色光、緑色光および青色光がカラーフィルター基板２０から外部に射出される。これにより、フルカラー表示が行われる。

　導電膜２４は、第２基板２１の第１面２１Ｓ１とは反対側の面２１Ｓ２（第２面）に形成されている。導電膜２４は、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ，以下ＩＴＯと称する）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ，以下ＩＺＯと称する）、ＺｎＯ等の透明導電膜材料により形成されていることが好ましい。導電膜２４を透明導電膜材料で形成することにより、透過率が損なわれることを抑制することができるからである。本実施形態の導電膜２４はＩＴＯにより形成されている。

　導電膜２４は、液晶パネル３からタッチパネル４への電磁波や外部からの静電気が液晶パネル３に影響することを遮蔽するシールド導電膜として機能する。例えば、導電膜２４の電位をグランド電位、つまり、電圧無印加状態における第１電極１３及び第２電極１４と同じ電位にする。これにより、液晶分子の帯電により液晶分子の配向に乱れが生じることを抑制し、輝度の変動が生じることを抑制することができる。

　仮に、ＩＰＳモードで表示を行う液晶パネルにおいて、カラーフィルター基板に導電膜が設けられていない場合を考える。この場合、静電気が液晶パネル内に影響し、静電気に液晶分子が応答してしまい、輝度の変動が生じることがある。例えば、静電気を帯びた物体を液晶パネルに接触させると、特に黒表示時に光漏れが発生し、コントラストの低下といった表示不良が発生することがある。

　これに対し、本実施形態においては、導電膜２４がカラーフィルター基板２０に設けられているため、上記のような問題が発生することを抑制することができる。

　なお、導電膜２４は、液晶表示装置１において表示に寄与する領域全体に形成されていることが好ましい。これにより、より顕著なシールド効果を得ることができる。言い換えれば、導電膜２４は、液晶表示装置１において表示に寄与しない領域には形成されていなくてもよい。

　平坦化膜２５は、ブラックマトリクス２２とカラーフィルター２３とを覆って形成されている。配向膜２６は、平坦化膜２５上に形成されている。

　図３Ａ及び図３Ｂは、本実施形態の液晶表示装置１を構成する表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに成膜された導電膜２４の模式図である。図３Ａは、平面図である。図３Ｂは、断面図である。

　図３Ａ、図３Ｂに示すように、導電膜２４の一部には表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳを露出させる欠陥部２４ａが存在している。なお、本明細書で言う「欠陥部」とは、基板表面が必ず露出したものを言うこととする。それ以外のものは欠陥部とは言わない。例えば、導電膜の厚みが局所的に薄くなっているものは欠陥部とは言わない。

　導電膜２４は、欠陥部２４ａの周囲に位置する第１領域ＡＲ１と当該第１領域ＡＲ１の外側に位置する第２領域ＡＲ２とを有している。第２領域ＡＲ２における導電膜２４の厚みｄは、略一定となっている。第１領域ＡＲ１における導電膜２４の厚みｄｒは、表示装置本体２０Ａと第２領域ＡＲ２における導電膜２４との間で変化している。

　本実施形態における欠陥部２４ａと第１領域ＡＲ１とを含む領域（以下、領域ＡＲと称する）の形状は、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに平行な平面で切断したときの断面積が表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳと遠い側（タッチパネル４側）で大きく、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに近づく（タッチパネル４から離れる）に従って漸次小さくなる形状となっている。すなわち、領域ＡＲは、表示装置本体２０Ａの側から見たとき、いわゆる順テーパ状の錐台状の形状を有している。

　すなわち、本実施形態においては、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の傾斜部分の断面形状が直線形状となっている。言い換えると、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の傾斜部分の傾きが一定となっている。このような傾斜部分を有する導電膜２４は、後述する研磨方法によって作製することができる。

　図１に戻り、バックライト２は、例えば、発光ダイオード、冷陰極管等の光源（図示略）と、光源から射出された光の内部反射を利用して液晶パネル３に向けて光を射出させる導光板（図示略）と、を有している。なお、バックライト２は、光源が導光体の端面に配置されたエッジライト型でも良く、光源が液晶パネル３の直下に配置された直下型でも良い。

　タッチパネル４は、例えば両面テープ等の接着材５によって第２偏光板３２の上に貼り付けられている。タッチパネル４は、カラーフィルター基板２０の導電膜２４が配置された側、言い換えると液晶パネル３の視認側に配置されている。

　タッチパネル４は、基材４１と位置検出用電極４２とを備えている。基材４１は、例えばガラス等からなる。位置検出用電極４２は、例えばＩＴＯ、ＡＴＯ（Antimony-doped Tin Oxide：アンチモンがドープされた錫酸化物）等の透明電極材料からなる。位置検出用電極４２は、ＩＴＯ、ＡＴＯ等のスパッタリングにより形成されたものであり、数百～２ｋΩ／□程度の一様なシート抵抗を有している。

　本実施形態では、静電容量方式のタッチパネル４を採用している。静電容量方式のタッチパネル４では、例えばタッチパネル４を平面視したときの位置検出用電極４２の４つの角部に微小な電圧が印加されている。位置検出用電極４２上方の任意の位置に指を触れると、指を触れた点が人体の静電容量を介して接地される。これにより、接地点と４つの角部との間の抵抗値に応じて各角部での電圧が変化する。位置検出回路がこの電圧変化を電流変化として計測し、その計測値から接地点、すなわち指が触れた位置を検出する。

　なお、本実施形態に適用可能なタッチパネルは静電容量方式に限ることはなく、抵抗膜方式、超音波方式、光学方式等、任意のタッチパネルが適用可能である。

　以下、本実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法について具体的に説明する。その前に、液晶表示装置の製造プロセスにおける問題点について、図面を用いて説明する。

　図４Ａ及び図４Ｂは、液晶表示装置を構成する表示装置本体１０２０Ａの一面１０２０ＡＳに成膜された導電膜１０２４の模式図である。図４Ａは、平面図である。図４Ｂは、断面図である。

　図４Ａ、図４Ｂに示すように、導電膜１０２４の一部には欠陥部１０２４ａが存在している。このような欠陥部１０２４ａは、例えば、液晶表示装置の製造工程において導電膜１０２４を成膜する際に、表示装置本体１０２０Ａの一面１０２０ＡＳに異物が付着することにより生じる。

　以下、導電膜の一部に欠陥部が形成されるまでの過程について、図面を用いて説明する。

　導電膜の成膜方法としては、スパッタリング法、蒸着が例示できる。例えば、スパッタリング法により導電膜を成膜する場合を考える。

　図５Ａ～図５Ｃ、図６Ａ～図６Ｃは、スパッタリング法により導電膜１０２４を成膜する際の成膜工程の一例を示す図である。

　先ず、図５Ａに示すように、チャンバー１０５０の内部に、導電膜１０２４を成膜する成膜対象である表示装置本体１０２０Ａ及び導電膜１０２４の形成材料からなるターゲット１０２４Ａを所定の間隔を空けて対向して配置する。次に、チャンバー１０５０の内部を真空状態にして、表示装置本体１０２０Ａとターゲット１０２４Ａとの間に電圧をかける。

　すると、図５Ｂに示すように、電子やイオン１０５１が高速移動しターゲット１０２４Ａに衝突する。ターゲット１０２４Ａに衝突したイオン１０５１は、ターゲット１０２４Ａの表面の原子１０５２をはじき飛ばす（スパッタリング現象）。

　そして、図５Ｃに示すように、はじき飛ばされた原子１０５２が表示装置本体１０２０Ａに衝突し付着する。このようにして、表示装置本体１０２０Ａの一面に導電膜１０２４が成膜される。

　ところで、ターゲット１０２４Ａの表面からはじき飛ばされた原子１０５２は、表示装置本体１０２０Ａに衝突し付着するだけでなく、チャンバー１０５０の内壁に衝突し付着することもある。そのため、導電膜１０２４の成膜工程を繰り返して行うと、ターゲット１０２４Ａの表面からはじき飛ばされた原子１０５２がチャンバー１０５０の内壁に蓄積されていく。チャンバー１０５０の内壁に蓄積されたものは、何らかの原因により剥がれることがある。

　図６Ａに示すように、このようにして剥がれたものの一部は、膜状の不定形状の塊１０５３（異物）となって、表示装置本体１０２０Ａの一面１０２０ＡＳに落下し付着する。なお、異物１０５３としては、他にもチャンバー１０５０の内外部に存在する塵埃などの多様なバリエーションが存在する。

　図６Ｂに示すように、表示装置本体１０２０Ａの一面１０２０ＡＳに異物１０５３が付着した状態で導電膜１０２４を成膜する場合を考える。この場合、スパッタリング法は異方性を有しているため、異物１０５３の側壁には導電膜１０２４が成膜されにくい。
そのため、導電膜１０２４は、異物１０５３が付着した部分において異物１０５３の高さの分だけ浮き上がった状態で成膜される。その結果、導電膜１０２４は異物とともに剥がれ落ちることとなる。

　導電膜１０２４において浮き上がった部分（突出部分）は、異物１０５３とともに自然に剥がれる場合がある。この場合、図６Ｃに示すように、導電膜１０２４の一部にピンホール欠陥等の欠陥部１０２４ａが生じる。

　欠陥部１０２４ａの形状は、表示装置本体１０２０Ａの一面１０２０ＡＳに付着した異物１０５３の形状に倣った形状となる。例えば、異物１０５３の形状が不定形状である場合、欠陥部１０２４ａの形状も不定形状となる。

　例えば、欠陥部１０２４ａは、図４Ａ、図４Ｂ、図６Ｃに示すように、針状の空洞（ピンホール欠陥）となっている。

　このような欠陥部１０２４ａの表面反射率（導電膜１０２４から露出した表示装置本体１０２０Ａの表面反射率）が当該欠陥部１０２４ａの周囲の導電膜１０２４の表面反射率と異なっていると、欠陥部１０２４ａが導電膜１０２４の不良部分として認識されることがある。このような欠陥部１０２４ａは、バックライトが点灯しているときにはほとんど目立たないが、バックライトが消灯しているときに目立つようになる。

　例えば、バックライトの消灯時に、液晶表示装置における導電膜１０２４の成膜面に光を斜めから当てて反射光を検査する目視検査（斜光検査）を行う場合を考える。この場合、欠陥部１０２４ａの表面反射率が導電膜１０２４の表面反射率よりも小さいと、欠陥部１０２４ａが周囲の導電膜１０２４よりも暗く見える。特に、欠陥部１０２４ａの表面反射率と導電膜１０２４の表面反射率との差が欠陥部１０２４ａと導電膜１０２４との境界部分において急峻に変化していると、欠陥部１０２４ａが周囲の導電膜１０２４よりも暗く見える度合いが大きくなる。表面反射率の差が急峻に変化している箇所は人間の眼に認識されやすいからである。その結果、欠陥部１０２４ａが導電膜１０２４の不良部分として認識されてしまう。

　一方、欠陥部が導電膜の不良部分として認識された場合、当該欠陥部を有する表示装置を製造ラインから抜き取り、欠陥品として廃棄することも考えられる。しかしながら、表示装置を廃棄することは歩留まりの低下につながるため好ましくない。

　そこで、本実施形態においては、導電膜に欠陥部が存在しているときに、導電膜の欠陥部の周囲の所定領域において導電膜を研磨することにより、欠陥部を不良部分として認識されにくくする方法を採用している。

　以下、本実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法について具体的に説明する。なお、液晶表示装置１の製造方法は、これに限定されるものではない。

（液晶表示装置の製造方法）
　次に、上記のように構成された液晶表示装置１の製造方法について説明する。
　図７、図８は、液晶表示装置１の製造工程を示すフローチャートである。
　図９～図１１Ｃは、液晶表示装置１の製造プロセスを順に示す工程図である。

　図７、図８に示すように、本発明の液晶表示装置１の製造方法は、「第１母材基板作製工程」（ステップＳ１）と、「第２母材基板形成工程」（ステップＳ２）と、「シール材形成工程」（ステップＳ３）と、「液晶滴下工程」（ステップＳ４）と、「第１基板貼り合わせ体作製工程」（ステップＳ５）と、「第２基板貼り合わせ体作製工程」（ステップＳ６）と、「導電膜成膜工程（第１の工程）」（ステップＳ７）と、「第１欠陥検査工程（第２の工程）」（ステップＳ８、Ｓ９）と、「第１マーキング工程」（ステップＳ１０）と、「第３基板貼り合わせ体作製工程」（ステップＳ１１）と、「第２欠陥検査工程（第２の工程）」（ステップＳ１２、Ｓ１３）と、「第２マーキング工程」（ステップＳ１４）と、「研磨工程（第３の工程）」（ステップＳ１５）と、「洗浄工程」（ステップＳ１６）と、「偏光板貼付工程」（ステップＳ１７）と、「ドライバーＩＣ実装工程」（ステップＳ１８）と、「バックライト取付工程」（ステップＳ１９）、「タッチパネル取付工程」（ステップＳ２０）と、を有する。なお、本発明の液晶表示装置１の製造方法は、複数個のパネルを大判のマザーガラスから一括して作製する方法である。

　先ず、第１母材基板１１０を作製（準備）する（第１母材基板作製工程、図７中のステップＳ１）。第１母材基板１１０は、ガラス基板上にＴＦＴや配線、ゲート絶縁膜、櫛歯電極、及び配向膜等を形成して作製されたものである。この第１母材基板１１０は、複数のＴＦＴアレイ基板形成領域（ＴＦＴアレイ基板１０が形成される領域）１１０Ａを有している（図９参照）。なお、図示はしないが、第１母材基板１１０上には、ＴＦＴや配線、ゲート絶縁膜、櫛歯電極、及び配向膜が形成されている。

　一方、第２母材基板１２０を作製（準備）する（第２母材基板形成工程、図７中のステップＳ２）。第２母材基板１２０は、ガラス基板上にブラックマトリクス、カラーフィルター、平坦化膜、及び配向膜等を形成して作製されたものである。この第２母材基板１２０は、複数のカラーフィルター基板形成領域１２０Ａ（カラーフィルター基板２０が形成される領域）を有している（図９参照）。

　次に、図９に示すように、第１母材基板１１０の各ＴＦＴアレイ基板形成領域１１０Ａに閉じた環状のシール材１７を形成する（シール材形成工程、図７中のステップＳ３）。
シール材１７には、球状のスペーサーが含まれている。スペーサーの直径は基板のセルギャップと略同じ寸法になっている。

　なお、本実施形態に係るシール材形成工程では、第１母材基板１１０上に閉環状のシール材１７を形成しているが、これに限らない。例えば、第１母材基板１１０に代えて第２母材基板１２０上に閉環状のシール材１７を形成してもよい。つまり、第１母材基板１１０または第２母材基板１２０のいずれか一方の基板上に閉環状のシール材１７を形成すればよい。

　次に、図示しないディスペンサーから液晶３０ａを吐出、滴下して、図９に示すように、第１母材基板１１０上のシール材１７に囲まれた領域に液晶３０ａを配置する（液晶滴下工程、図７中のステップＳ４）。本実施形態の液晶表示装置１の製造方法は、ＯＤＦ（Ｏｎｅ　Ｄｒｏｐ　Ｆｉｌｌ）方式を用いる。

　なお、本実施形態に係る液晶滴下工程では、シール材１７が形成されている基板側に液晶３０ａを滴下しているが、これに限らない。例えば、シール材１７が形成されている基板とは反対側の基板に液晶３０ａを滴下してもよい。つまり、液晶３０ａは、シール材１７に囲まれた領域に対応させて滴下すればよく、滴下する側は、シール材１７が形成されている基板側、或いはシール材１７が形成されていない基板側、のどちらでもよい。

　次に、図１０Ａに示すように、第１母材基板１１０と第２母材基板１２０とを貼り合わせて第１基板貼り合わせ体１３０を作製する（第１基板貼り合わせ体作製工程、図７中のステップＳ５）。この第１基板貼り合わせ体１３０は、複数の表示装置本体形成領域（表示装置本体２０Ａが形成される領域）１３０Ａを有している。

　次に、第１基板貼り合わせ体１３０を分断し、第２基板貼り合わせ体１４０を作製する（第２基板貼り合わせ体作製工程、図７中のステップＳ６）。

　例えば、図１０Ｂに示すように、第１基板貼り合わせ体１３０の外面から隣り合うシール材１７の間（図中破線部）に切り込み１３０ＳＬ（スクライブライン）を形成する。そして、この切り込み１３０ＳＬに機械的応力または熱的応力を加えることにより、第１基板貼り合わせ体１３０を分断する（スクライブ・ブレーク法）。

　これにより、図１０Ｃに示すように、複数の第２基板貼り合わせ体１４０が作製される。例えば、第１基板貼り合わせ体１３０を、短冊状に分断して、４つの第２基板貼り合わせ体１４０を得る。これら第２基板貼り合わせ体１４０は、それぞれ複数の表示装置本体形成領域（表示装置本体２０Ａが形成される領域）１４０Ａを有している。

　なお、本実施形態においては、第１基板貼り合わせ体１３０を短冊状に分断して第２基板貼り合わせ体１４０を作製しているが、これに限らない。例えば、第１基板貼り合わせ体１３０を十字状に分断してもよいし、格子状に分断してもよい。

　また、本実施形態においては、第１基板貼り合わせ体１３０を４つの第２基板貼り合わせ体１４０に分断しているが、これに限らない。例えば、第２基板貼り合わせ体に分断する際の分断数は２つ、３つ、もしくは５つ以上の複数であってもよい。

　次に、図１１Ａに示すように、第２基板貼り合わせ体１４０の一面（第２母材基板１２０の外面）に導電膜１４１を成膜する（導電膜成膜工程、図７中のステップＳ７）。

　例えば、第２基板貼り合わせ体１４０を、図示しない成膜装置（チャンバー）の内部に投入する。第２基板貼り合わせ体１４０は、第２母材基板１２０の外面に導電膜１４１が成膜されるよう第１母材基板１１０をチャンバーの座面側に配置する。導電膜１４１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の形成材料を用いて、蒸着やスパッタリング法により成膜する。

　本実施形態では、第１基板貼り合わせ体１３０から切り出された個々の第２基板貼り合わせ体１４０の一面に導電膜１４１を成膜している。つまり、成膜対象となる第２基板貼り合わせ体１４０の大きさ（平面視サイズ）は第１基板貼り合わせ体１３０の大きさよりも小さくなっている。よって、第２基板貼り合わせ体１４０をチャンバーの内部に投入する際の取り回しが容易となる。

　なお、本実施形態では、第１基板貼り合わせ体１３０を分断しているが、これに限らない。例えば、第１基板貼り合わせ体１３０を分断せずに、導電膜成膜工程において第１基板貼り合わせ体１３０の一面に導電膜を成膜してもよい。

　本実施形態では、基板貼り合わせ体の一面に導電膜を成膜している。その理由は、第１基板貼り合わせ体を作製する前の第２母材基板の外面に導電膜を成膜する場合、第２母材基板のカラーフィルターが形成された側をチャンバーの座面側に配置する必要があり、カラーフィルターに傷が付いてしまうからである。

　次に、導電膜１４１において欠陥部が存在しているか否かを検査する（第１欠陥検査工程、図７中のステップＳ８）。

　欠陥部の検査は、第２基板貼り合わせ体１４０における導電膜１４１の成膜面に光を斜めから当てて反射光を検査する目視検査（斜光検査）により行う。

　なお、斜光検査において、図６（Ｂ）に示したように、導電膜において浮き上がった部分（突出部分）が異物とともに剥がれずに存在している場合には、突出部分を異物とともに所定の方法により除去する。このような突出部分も、斜光検査において導電膜の不良部分として認識されてしまうからである。このような突出部分を異物とともに除去する方法としては、レーザー照射による方法が例示できる。また、他の方法としては、ブラシを用いたブラシ洗浄、有機溶剤による洗浄が例示できる。

　斜光検査の結果、導電膜１４１に欠陥部が存在している場合は（図７中のステップＳ９「Ｙｅｓ」）、欠陥箇所をマーキングする（第１マーキング工程、図７中のステップＳ１０）。

　欠陥箇所のマーキングは、例えば、マーカー等のペンを用いて、導電膜１４１における欠陥部の周囲を丸で囲むなどして行う。これにより、後述する研磨工程の際に、欠陥箇所が目視で認識できるようになる。

　一方、斜光検査の結果、導電膜１４１に欠陥部が存在していない場合は（図７中のステップＳ９「Ｎｏ」）、第１マーキング工程を経ることなく次工程（第３基板貼り合わせ体作製工程）に移る。

　次に、導電膜１４１が成膜された第２基板貼り合わせ体１４０を分断（個片化）し、第３基板貼り合わせ体１５０を作製する（第３基板貼り合わせ体作製工程、図７中のステップＳ１１）。

　例えば、図１１Ｂに示すように、導電膜１４１が成膜された第２基板貼り合わせ体１４０の外面（本実施形態では導電膜１４１の外面）から隣り合うシール材１７の間（図中破線部）に切り込み１４０ＳＬ（スクライブライン）を形成する。そして、この切り込み１４０ＳＬに機械的応力または熱的応力を加えることにより、導電膜１４１が成膜された第２基板貼り合わせ体１４０を分断する（スクライブ・ブレーク法）。

　これにより、図１１Ｃに示すように、複数の第３基板貼り合わせ体１５０が作製される。このようにして、導電膜１４１が分断されると、複数の導電膜２４となる。また、第２基板貼り合わせ体１４０が分断されると、複数の表示装置本体２０Ａとなる。

　次に、導電膜２４において欠陥部が存在しているか否かを検査する（第２欠陥検査工程、図８中のステップＳ１２）。

　欠陥部の検査は、表示装置本体２０Ａにおける導電膜２４の成膜面に光を斜めから当てて反射光を検査する目視検査（斜光検査）により行う。

　本実施形態では、第２基板貼り合わせ体１４０から複数の第３基板貼り合わせ体１５０を切り出す前後で、導電膜において欠陥部が存在しているか否かを検査している。すなわち、第２基板貼り合わせ体１４０について欠陥検査を行うこと（第１欠陥検査工程）に加え、第２基板貼り合わせ体１４０が個片化された第３基板貼り合わせ体１５０についても欠陥検査を行っている（第２欠陥検査工程）。そのため、欠陥部の検査精度を向上させることができる。

　なお、本実施形態では、第１欠陥検査工程及び第２欠陥検査工程においてそれぞれ欠陥検査を行い、欠陥検査の回数は計２回としているが、これに限らない。例えば、欠陥検査の回数は１回でもよいし、３回以上でもよい。

　斜光検査の結果、導電膜２４に欠陥部が存在している場合は（図８中のステップＳ１３「Ｙｅｓ」）、欠陥箇所をマーキングする（第２マーキング工程、図８中のステップＳ１４）。

　一方、斜光検査の結果、導電膜２４に欠陥部が存在していない場合は（図８中のステップＳ１３「Ｎｏ」）、偏光板貼付工程に移る。

　第２マーキング工程を経て、欠陥箇所にマーキングがされている場合（導電膜２４に欠陥部が存在している場合）は、欠陥箇所を研磨する（図８中のステップＳ１５）。

　図１２Ａ～図１２Ｃは、欠陥部の研磨プロセスを順に示す工程図である。
　図１２Ａに示すように、導電膜２４の一部には、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳを露出させるピンホール欠陥等の欠陥部２４ａが存在している。

　この場合、図１２Ｂに示すように、導電膜２４の欠陥部２４ａに研磨剤６０を塗布し、研磨器７０の先端を欠陥部２４ａに押し当てつつ回転させることにより導電膜２４を研磨する。

　研磨器７０としては、例えば、市販のハンディルーターを用いることができる。これにより、小型、軽量であるため、取り回しが容易となり、研磨時の作業性を向上させることができる。

　例えば、導電膜を研磨する際には、研磨対象をステージ（図示略）に載置して水平に配置し、研磨器７０の先端を上方から研磨対象に対して垂直に当てることにより行う。

　なお、研磨対象の配置方向は水平に配置することに限らない。例えば、研磨対象を壁に立てかけるなどして垂直に配置してもよいし、斜めに傾けて配置してもよい。研磨対象の配置方向は、種々の方向に設定することができる。

　また、研磨器７０の先端を上方から研磨対象に対して垂直に当てることに限らない。例えば、研磨対象を反転させて作業位置よりも上方に配置し、研磨器７０の先端を下方から研磨対象に対して垂直に当てることで行ってもよい。

　例えば、研磨対象が大きいと、導電膜の欠陥部が作業者の位置から遠くなり、研磨器７０の先端を欠陥部に当てることが困難となる場合がある。このような場合に、研磨対象を反転させて作業位置よりも上方に配置すれば、研磨器７０の先端を下方から研磨対象に対して垂直に当てることができる。そのため、研磨器７０を用いた研磨処理を容易に行うことができる。

　本実施形態では、第３基板貼り合わせ体作製工程において第２基板貼り合わせ体１４０を個片化して第３基板貼り合わせ体１５０を作製している。そのため、研磨対象として第３基板貼り合わせ体１５０を用いることにより、研磨時の取り回しが容易となる。

　例えば、研磨対象となる第３基板貼り合わせ体１５０の大きさが手のひらサイズであれば、作業者が第３基板貼り合わせ体１５０を片手で持つことができる。このため、研磨器７０を用いた研磨処理を容易に行うことができる。

　なお、本実施形態では、第３基板貼り合わせ体作製工程において第２基板貼り合わせ体１４０を個片化しているが、これに限らない。例えば、第２基板貼り合わせ体１４０を個片化せずに、研磨工程において第２基板貼り合わせ体１４０の導電膜の欠陥部を研磨してもよい。

　また、第２基板貼り合わせ体作製工程において第１基板貼り合わせ体１３０を分断せずに導電膜成膜工程において第１基板貼り合わせ体１３０の一面に導電膜を成膜した場合には、研磨工程において第１基板貼り合わせ体１３０の導電膜の欠陥部を研磨してもよい。

　このように、研磨対象の大きさ（平面視サイズ）が液晶表示装置１の大きさ（平面視サイズ）よりも大きい場合においても、本発明を適用することができる。

　なお、本実施形態では作業者が導電膜を研磨する例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、導電膜を研磨する際には、研磨装置を用いてもよい。

　図１３は、研磨器７０の模式図である。
　図１３に示すように、研磨器７０は、本体部７１と、回転部材７２と、電源部７３と、回転数調整部７４と、を備えている。

　本体部７１は、手で握る部分となるグリップ部である。回転部材７２は、本体部７１の先端に設けられている。電源部７３は、本体部７１の基端に設けられている。回転数調整部７４は、本体部７１の基端側に設けられている。回転数調整部７４により、回転部材７２に取り付ける部材や研磨対象（導電膜２４）の条件に合わせた最適な回転数の調整が可能である。

　導電膜２４の研磨は、例えば、以下の条件で行うことができる。研磨器７０の回転部材７２の回転数を２０００ｒｐｍ～５０００ｒｐｍの範囲内に設定する。導電膜２４に負荷する荷重を７０ｇ～１００ｇの範囲内に設定する。研磨時間を５秒～３０秒の範囲内に設定する。

　導電膜２４を研磨する際には、導電膜２４の欠陥部２４ａと研磨器７０の先端との間に綿またはウレタンのような柔軟な部材を配置して行うことが好ましい。本実施形態においては、図１２Ｂに示すように、研磨器７０の回転部材７２に球状に丸めた綿７５を取り付けた状態で導電膜２４を研磨する。綿７５の直径は欠陥部２４ａの大きさに合わせて２．５ｍｍ～５．０ｍｍ程度となっている。

　仮に、導電膜２４よりも硬い部材を研磨器７０の回転部材７２に取り付けて導電膜２４を研磨すると、導電膜２４は前記硬い部材の表面形状に倣って削り取られることとなる。
そのため、欠陥部２４ａの周囲の導電膜２４の形状を所望の形状にすることが困難となる。

　これに対し、本実施形態では、研磨器７０の回転部材７２に取り付ける部材として導電膜２４よりも柔軟な綿７５を用いている。綿７５は研磨時に押し潰れてちょうどよい曲率となる。よって、欠陥部２４ａの周囲の導電膜の形状を所望の形状にすることが容易となる。

　なお、欠陥部の形状は不定形状が多いが、欠陥部の平面視における面積は１ｍｍ^２程度以下のものがほとんどである。そのため、直径２．５ｍｍ～５．０ｍｍ程度の球状の綿７５を研磨器７０の回転部材７２に取り付けた状態で研磨すれば、多種多様な形状の欠陥部であっても当該欠陥部の周囲の導電膜をなだらかに研磨することができる。

　また、綿７５として、例えば、身近にある綿棒を用いれば、ほとんどコストがかからない。また、綿７５は何回も繰り返して使用することができるため好適である。

　研磨剤６０としては、例えば、市販の鏡面仕上げ用のプラスチック用コンパウンドを用いることができる。これにより、研磨剤６０の粒子が小さいため、導電膜２４に研磨傷を残さずに導電膜２４を鏡面にすることができる。

　導電膜２４を研磨する際には、表示装置本体２０Ａの表面も一緒に研磨される場合がある。この場合、表示装置本体２０Ａの表面も導電膜２４と同様に鏡面に仕上がる。よって、表示装置本体２０Ａの表面が研磨されても視認上の問題はない。

　これにより、図１２Ｃに示すように、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の厚みｄｒを、表示装置本体２０Ａと第２領域ＡＲ２における導電膜２４との間でなだらかに変化させることができる。

　次に、研磨箇所を洗浄する（洗浄工程、図８中に示すステップＳ１６）。例えば、研磨後に残ったコンパウンドや研磨粉等を水で洗い流す。

　次に、導電膜２４が成膜された表示装置本体２０Ａに、一対の偏光板３１，３２を貼り付ける（偏光板貼付工程、図８中に示すステップＳ１７）。本実施形態においては、第１偏光板３１を当該表示装置本体２０Ａの背面側に貼り付ける。一方、第２偏光板３２を当該表示装置本体２０Ａの視認側に貼り付ける。これにより、液晶パネル３が作製される。

　次に、液晶パネル３に、図示しないドライバーＩＣを実装する（ドライバーＩＣ実装工程、図８中に示すステップＳ１８）。

　次に、ドライバーＩＣが実装された液晶パネル３に、バックライト２を取り付ける（バックライト取付工程、図８中に示すステップＳ１９）。バックライト２は、当該液晶パネル３の背面側に取り付ける。

　そして、バックライト２が取り付けられた液晶パネル３に、例えば両面テープ等の接着材５を用いてタッチパネル４を取り付ける（タッチパネル取付工程、図８中に示すステップＳ２０）。タッチパネル４は、当該液晶パネル３の視認側に取り付ける。
　以上の工程により、本実施形態の液晶表示装置１を製造することができる。

　図１４Ａ及び図１４Ｂは、導電膜の厚みと導電膜の表面反射率との関係を示す図である。
　図１４Ａは、比較例における導電膜１０２４の厚みと導電膜１０２４の表面反射率との関係を示す図である。
　図１４Ｂは、本実施形態における導電膜２４の厚みと導電膜２４の表面反射率との関係を示す図である。

　図１４Ａ、図１４Ｂのそれぞれにおいて、上段は、導電膜の欠陥部の表面反射率と欠陥部の周囲の導電膜の表面反射率とを示したグラフである。下段は、表示装置本体の一面に成膜された導電膜の断面図である。なお、上段のグラフにおいて、横軸は表示装置本体の一面の面内方向に平行な軸上の位置を示す。縦軸は表面反射率を示す。

　図１４Ａに示すように、導電膜１０２４の厚みと導電膜１０２４の表面反射率との間には一定の対応関係がある。比較例においては、欠陥部１０２４ａの周囲の導電膜１０２４の厚みｄＸが略一定となっている。また、当該導電膜１０２４の表面反射率も略一定となっている。また、欠陥部１０２４ａの表面反射率と導電膜１０２４の表面反射率との差が欠陥部１０２４ａと導電膜１０２４との境界部分において側壁がほぼ垂直に変化している。そのため、比較例においては、斜光検査において、欠陥部１０２４ａが周囲の導電膜１０２４よりも暗く見える度合いが大きくなる。

　これに対し、本実施形態の導電膜２４は、図１４Ｂに示すように、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率が略一定である点、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の表面反射率が表示装置本体２０Ａ（基板）の表面反射率と第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率との間で変化している点、において比較例の導電膜と異なる。言い換えれば、本実施形態の導電膜２４の表面反射率は、表示装置本体２０Ａ（基板）の表面反射率と第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率との間であり、かつ第１領域ＡＲ１内において一定でない。

　本実施形態においても、導電膜２４の厚みと導電膜２４の表面反射率との間には一定の関係がある。本実施形態においては、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の厚みｄが略一定となっている。また、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の厚みｄｒが０から第２領域ＡＲ２における導電膜２４との間で変化している。言い換えれば、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の厚みｄｒは、０より大きく第２領域ＡＲ２における導電膜２４の厚みより小さく、かつ前記第１領域ＡＲ１内において一定でない。

　本願発明者は、鋭意研究の結果、前記研磨処理を行った場合に、欠陥部２４ａが導電膜２４における不良部分として認識される度合いと、厚みｄの距離Ｌに対する比の値（ｄ／Ｌ）との間には、一定の関係があることを見出した。ここで、厚みｄは、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の厚みである。距離Ｌは、導電膜２４と欠陥部２４ａとの境界部分から第１領域ＡＲ１と第２領域ＡＲ２との境界部分までの距離である。
　以下、本発明者が見出した当該関係について、表１を用いて説明する。

　使用したサンプルは、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに、スパッタリング法により、導電膜２４（厚み２０ｎｍ）が成膜されたものを用いた。導電膜２４の一部には欠陥部２４ａが存在しており、導電膜２４の欠陥部２４ａの周囲の第１領域ＡＲ１において導電膜２４を研磨した。導電膜２４の研磨は、導電膜２４の欠陥部２４ａに研磨剤６０を塗布し、研磨器７０の先端を欠陥部２４ａに押し当てつつ回転させることにより行った。

　研磨剤６０としては、市販の鏡面仕上げ用のプラスチック用コンパウンドを用いた。研磨器７０としては、市販のハンディルーターを用いた。導電膜２４の研磨は、研磨器７０の回転部材７２に直径２．５ｍｍ～５．０ｍｍ程度の球状に丸めた綿７５を取り付けた状態で行った。

　研磨条件は、以下のように設定した。回転部材の回転部の回転数を２０００ｒｐｍ～５０００ｒｐｍの範囲内に設定した。導電膜に負荷する荷重を７０ｇ～１００ｇの範囲内に設定した。研磨時間を５秒～３０秒の範囲内に設定した。

　各サンプルについて前記距離Ｌを異ならせて欠陥部を研磨し、それぞれにおいて斜光検査を行った。その結果を[表１]に示す。

　表１において、「判定」の欄では、斜光検査において、欠陥部２４ａが周囲の導電膜２４と判別できない場合、つまり周囲の適度なぼやけにより欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識されない場合を「○」、周囲のぼやけがやや適度ではないが、欠陥部２４ａがぼやけて見えるため導電膜２４の不良部分として認識されない場合を「△」、欠陥部２４ａが周囲の導電膜２４よりも暗く見えるため導電膜２４の不良部分として認識される場合を「×」で示している。

　表１に示すように、サンプル（１）における距離Ｌは０．１ｍｍ以下であった。サンプル（１）では、斜光検査において欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識される結果となった。この理由は、以下によるものと考えられる。

　距離Ｌを短くしすぎると、第１領域ＡＲ１が狭くなりすぎてしまう。すなわち、欠陥部２４ａの表面反射率（表示装置本体２０Ａの表面反射率）と導電膜２４の表面反射率との差が欠陥部２４ａと導電膜２４との境界部分において急峻に変化することとなる。そのため、斜光検査において欠陥部２４ａが周囲の導電膜２４よりも暗く見える度合いが大きくなり、欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識されてしまう。

　したがって、斜光検査において欠陥部２４ａが不良部分として認識されることを回避するための距離Ｌの下限値は０．１ｍｍとなる。

　サンプル（２）における距離Ｌは０．１ｍｍよりも大きく０．２ｍｍ以下の範囲内であった。サンプル（２）では、斜光検査において欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識されにくい結果となった。

　サンプル（３）における距離Ｌは０．２ｍｍよりも大きく２．０ｍｍ未満の範囲内であった。サンプル（３）では、斜光検査において欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識されない結果となった。

　サンプル（４）における距離Ｌは２．０ｍｍ以上２．５ｍｍ未満の範囲内であった。サンプル（４）では、斜光検査において欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識されにくい結果となった。

　サンプル（５）における距離Ｌは２．５ｍｍ以上であった。サンプル（５）では、斜光検査において欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識される結果となった。この理由は、以下によるものと考えられる。

　第１領域ＡＲ１における導電膜２４の表面反射率を欠陥部２４ａの表面反射率と第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率との間でなだらかに変化させるためには、距離Ｌを長くすることが効果的である。しかしながら、距離Ｌを長くしすぎると、第１領域ＡＲ１が広くなりすぎてしまう。すなわち、導電膜２４において表面反射率が小さくなる領域が広くなりすぎてしまう。そのため、第１領域ＡＲ１における導電膜２４が相対的に暗く見えるようになり、導電膜２４の不良部分と認識されてしまう。

　したがって、第１領域ＡＲ１における導電膜２４が不良部分として認識されないための距離Ｌの上限値は２．５ｍｍとなる。

　よって、斜光検査において欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識されにくくするためには、下記の（１ａ）式に示す関係を満たす必要がある。
　０．１＜Ｌ＜２．５　・・・（１ａ）

　したがって、上記（１ａ）式と厚みｄ（ｄ＝２０ｎｍ）から、下記の（１）式に示す関係が成り立つ。
　８×１０^－６＜（ｄ／Ｌ）＜２×１０^－４　・・・（１）

　なお、斜光検査において欠陥部２４ａが導電膜２４の不良部分として認識されないために、さらに好ましくは、下記の（２ａ）式に示す関係を満たす必要がある。
　０．２＜Ｌ＜２．０　・・・（２ａ）

　したがって、上記（２ａ）式と厚みｄ（ｄ＝２０ｎｍ）から、下記の（２）式に示す関係が成り立つ。
　１×１０^－５＜（ｄ／Ｌ）＜１×１０^－４　・・・（２）

　このように、前記研磨処理を行った場合に、欠陥部２４ａが導電膜２４における不良部分として認識される度合いと、厚みｄの距離Ｌに対する比の値（ｄ／Ｌ）との間には、一定の関係があることが分かった。

　なお、導電膜２４の厚みは、光の多重反射による干渉の発生を抑制する観点から設定することが好ましい。そのためには、導電膜２４の屈折率をｎ、第２領域における導電膜２４の厚みをｄ、外部から導電膜に入射する光の波長をλとしたとき、下記の（３）式を満たすことが好ましい。
　２ｎｄ＜λ／２　・・・（３）

　以下、上記の（３）式を導出するに至った過程について説明する。

　例えば、太陽光や照明光などの様々な波長を含んだ光（外光）が導電膜２４に垂直に入射する場合を考える。

　図１５は、外光が導電膜２４に垂直に入射する様子を示す図である。
　なお、図１５においては、便宜上、複数の光線束を含む外光のうち２つの光線束（導電膜２４の上面で反射する光Ｌ１、導電膜２４の下面で反射する光Ｌ２）を示している。

　図１５に示すように、導電膜２４に垂直に入射する光は、導電膜２４の上面で反射する光Ｌ１と導電膜２４の下面で反射する光Ｌ２とに分かれる。これらの反射光を導電膜２４の真上から観察すると、上面で反射した光Ｌ１と下面で反射した光Ｌ２とが干渉しあって明るく見えたり暗く見えたりする。つまり、干渉縞が見える。

　明るく見える場合というのは、上面で反射した光Ｌ１と下面で反射した光Ｌ２の位相が一致して強め合っている場合である。屈折率の小さい媒質（空気）の中を進んでいって屈折率の大きい媒質（導電膜）に当たって反射した光は、位相がπずれている。このため、上面で反射した光Ｌ１と下面で反射した光Ｌ２との光路差が（ｍ＋１／２）λのときに波が強めあう。ｍ（ｍ＝０，１，２，３，・・・）は自然数である。ここで、導電膜２４の屈折率をｎとすると、上面で反射した光Ｌ１と下面で反射した光Ｌ２との光路差は２ｎｄとなる。つまり、下記の（３ａ）式を満たすときに、上面で反射した光Ｌ１と下面で反射した光Ｌ２とが干渉しあって明るく見える。
　２ｎｄ＝（ｍ＋１／２）λ　・・・（３ａ）

　光の多重反射による干渉の発生を抑制するためには、上記の（３ａ）式でｍ＝０の時に満足しないようにすることが必要である。また、導電膜２４の厚みを薄くすることが効果的である。よって、上記の（３ａ）式から下記の（３）式が導出される。
　２ｎｄ＜λ／２　・・・（３）

　仮に、上記の（３ａ）式を満たしており、導電膜の厚みが厚くなっていると、導電膜に外光が入射する場合、光の多重反射による干渉が発生してしまう。当該干渉が発生すると、色づきが生じ、斜光検査において不良部分と認識されてしまう。

　本実施形態において、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の厚みｄは２０ｎｍ程度である。導電膜２４（ＩＴＯ）の屈折率ｎは２．２程度である。また、外光を可視光線とした場合、可視光線の波長は、３８０ｎｍ～７８０ｎｍの範囲内である。よって、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の厚みｄが２０ｎｍ程度であるとき、上記の（３）式を満たす。

　なお、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の厚みｄは２０ｎｍ程度に限ることは無く、上記の（３）式を満たす範囲内で適宜調整することができる。

　導電膜２４がＩＴＯであるとき、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差は約３．８％である。

　波長が５５０ｎｍの光を第２領域ＡＲ２における導電膜２４（ＩＴＯ）に当てた場合、第２領域ＡＲ２における導電膜２４（ＩＴＯ）の表面反射率は約７．８％である。同様に波長が５５０ｎｍの光を欠陥部２４ａ（ガラス表面）に当てた場合、欠陥部２４ａの表面反射率は約４％である。このように、導電膜２４がＩＴＯであるとき、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差は約３．８％となる。

　ここで、「約３．８％」とは、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差の誤差を含む概念である。当該誤差としては、例えば、導電膜２４の製造プロセス等に起因して生じる誤差が挙げられる。例えば、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差は、３．５％以上４．１％以下の範囲を含む。

　なお、本実施形態においては導電膜２４がＩＴＯである例を挙げて説明しているが、導電膜２４がＩＺＯである場合においても同様の効果が得られる。

　導電膜２４がＩＺＯであるとき、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差は約３．５％である。

　波長が５５０ｎｍの光を第２領域における導電膜２４（ＩＺＯ）に当てる場合、第２領域における導電膜２４（ＩＺＯ）の表面反射率は約７．５％である。同様に波長が５５０ｎｍの光を欠陥部２４ａ（ガラス表面）に当てる場合、欠陥部２４ａの表面反射率は約４％である。このように、導電膜２４がＩＺＯであるとき、第２領域における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差は約３．５％となる。

　ここで、「約３．５％」とは第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差の誤差を含む概念である。当該誤差としては、例えば、導電膜２４の製造プロセス等に起因して生じる誤差が挙げられる。例えば、第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率と欠陥部２４ａの表面反射率との差は、３．２％以上３．８％以下の範囲を含む。

　図１６Ａ及び図１６Ｂは、導電膜の欠陥部を撮像した写真である。
　図１６Ａは、比較例における導電膜１０２４の欠陥部１０２４ａを撮像した写真である。
　図１６Ｂは、本実施形態における導電膜２４の欠陥部２４ａを撮像した写真である。

　図１６Ａ、図１６Ｂのそれぞれにおいて、符号ＳＴは、表示装置本体を載置するためのステージである。符号ＭＫは、欠陥部の周りを囲んで描かれたマーキングである。

　図１６Ａに示すように、比較例における導電膜１０２４においては、欠陥部１０２４ａが周囲の導電膜１０２４よりもはっきりと暗く見えることが確認される。これは、欠陥部１０２４ａの表面反射率と導電膜１０２４の表面反射率との差が欠陥部１０２４ａと導電膜１０２４との境界部分において急峻に変化していることに起因すると考えられる。

　これに対し、図１６Ｂに示すように、本実施形態における導電膜２４においては、欠陥部２４ａが周囲の導電膜２４の暗さの度合いとほとんど変わらない。そのため、欠陥部２４ａが周囲の導電膜２４と判別しにくい。その理由は、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の表面反射率が、欠陥部２４ａの表面反射率（表示装置本体２０Ａの表面反射率）と第２領域ＡＲ２における導電膜２４の表面反射率との間でなだらかに変化していることによると考えられる。

　つまり、本実施形態における導電膜２４においては、上述の式（１）～（３）を満たすことで、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の厚みｄｒが表示装置本体２０Ａと第２領域ＡＲ２における導電膜２４との間でなだらかに変化している。そのため、撮像画像のように欠陥部２４ａの周囲がぼやける。これにより、欠陥部２４ａが周囲の導電膜２４と判別しにくくなる。このように、本実施形態によれば、欠陥部２４ａを不良部分として認識されにくくすることができる。

　また、本実施形態によれば、特許文献１のように欠陥部を封止材で充填したり硬化層の余剰部分を除去したりする必要がなく、加工に手間がかからない。さらに、封止材の材料費等のコストがかかるという問題もない。よって、簡単な方法でかつ高コスト化を抑制することができる。

（欠陥部の変形例）
　以下、上記実施形態の液晶表示装置における導電膜の欠陥部の変形例について、図１７Ａ乃至図１７Ｃを参照して説明する。

（第１変形例）
　図１７Ａは、欠陥部の第１変形例を示す断面図である。
　上記実施形態では、領域ＡＲは、表示装置本体２０Ａの側から見たとき、順テーパ状の錐台状の形状を有していた。つまり、第１領域ＡＲ１における導電膜２４の傾斜部分の断面形状が直線形状となっていた。これに対して、本変形例の領域ＡＲは、図１７Ａに示すように、第１領域ＡＲ１における導電膜１２４の傾斜部分の形状が凹をなす曲線形状となっている。言い換えると、第１領域ＡＲ１における導電膜１２４の傾斜部分の勾配が、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳから離れるに従って漸次大きくなっている。

　本変形例の領域ＡＲの形状は、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに平行な平面で切断したときの断面積が表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳと遠い側で大きく、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに近づくに従って漸次小さくなる形状となっている。

　本変形例の構成においても、欠陥部１２４ａを不良部分として認識されにくくすることができる。

（第２変形例）
　図１７Ｂは、欠陥部の第２変形例を示す断面図である。
　本変形例の領域ＡＲは、図１７Ｂに示すように、第１領域ＡＲ１における導電膜１２４Ａの傾斜部分の形状が凸をなす曲線形状となっている。言い換えると、第１領域ＡＲ１における導電膜１２４Ａの傾斜部分の勾配が、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳから離れるに従って漸次小さくなっている。

　本変形例において、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに平行な平面で切断したときの第１領域ＡＲ１の断面積は、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳと遠い側で小さく、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに近づくに従って漸次大きくなる形状となっている。

　本変形例の構成においても、欠陥部１２４Ａａを不良部分として認識されにくくすることができる。

（第３変形例）
　図１７Ｃは、欠陥部の第３変形例を示す断面図である。
　本変形例の領域ＡＲは、図１７Ｃに示すように、第１領域ＡＲ１における導電膜１２４の傾斜部分の形状が複数の凹凸を含む形状となっている。

　本変形例において、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに平行な平面で切断したときの第１領域ＡＲ１の断面積は、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳと遠い側で最も小さい。また、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳに平行な平面で切断したときの第１領域ＡＲ１の断面積は、表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳと遠い側と表示装置本体２０Ａの一面２０ＡＳとの間で変化している。

　本変形例の構成においても、欠陥部１２４Ｂａを不良部分として認識されにくくすることができる。

　なお、領域ＡＲの形状は、上記変形例で示した形状に限らず、種々の形状を採用することができる。

「電子機器」
　上記実施形態の液晶表示装置は、各種電子機器に適用することができる。
　以下、前記液晶表示装置を備えた電子機器について、図１８～２０を用いて説明する。

　前記液晶表示装置は、例えば、図１８に示す携帯電話に適用できる。
　図１８に示す携帯電話２４０は、音声入力部２４１、音声出力部２４２、アンテナ２４３、操作スイッチ２４４、表示部２４５および筐体２４６等を備えている。そして、表示部２４５として上記液晶示装置を好適に適用できる。前記液晶表示装置を計携帯帯電話２４０の表示部２４５に適用することによって、見栄えに優れた高品質なものとすることができる。

　また、前記液晶表示装置は、例えば、図１９に示す携帯型ゲーム機に適用できる。
　図１９に示す携帯型ゲーム機２６０は、操作ボタン２６１、２６２、外部接続端子２６３、表示部２６４および筐体２６５等を備えている。
　そして、表示部２６４として前記液晶表示装置を好適に適用できる。前記液晶表示装置を携帯型ゲーム機２６０の表示部２６４に適用することによって、見栄えに優れた高品質なものとすることができる。

　さらに、前記液晶表示装置は、例えば、図２０に示すタブレット端末に適用できる。
　図２０に示すタブレット端末２８０は、表示部（タッチパネル）２８１、カメラ２８２および筐体２８３等を備えている。
　　そして、表示部２８１として前記液晶表示装置を好適に適用できる。前記液晶表示装置をタブレット端末２８０の表示部２８１に適用することによって、見栄えに優れた高品質なものとすることができる。

　以上、図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されないことは言うまでもない。上記の実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
　その他、表示装置用基板、表示装置、の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上記の実施形態に限定されることなく、適宜変更が可能である。

　本発明は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、ＭＥＭＳディスプレイ等の各種表示装置に利用可能である。

１…液晶表示装置（表示装置）、４…タッチパネル（情報入力装置）、１０…ＴＦＴアレイ基板（第２の基板）、１３…第１電極、１４…第２電極、２０…カラーフィルター基板（第１の基板、表示装置用基板）、２０Ａ…表示装置本体、２０ＡＳ…表示装置本体の一面、２１…第２基板（基板）、２１Ｓ１…第１面、２１Ｓ２…第２面、２３…カラーフィルター（波長変換層）、２４…導電膜、２４ａ…欠陥部、３０…液晶層、６０…研磨剤、７２…回転部材、７５…綿、１４０…第２基板貼り合わせ体（母材）、ＡＲ１…第１領域、ＡＲ２…第２領域、Ｌ…導電膜と欠陥部との境界領域から第１領域と第２領域との境界部分までの距離、ｄ…第２領域における導電膜の厚み、ｄｒ…第１領域における導電膜の厚み

Claims

　第１面と第２面とを有する基板と、
　前記基板の前記第１面の上に形成された波長変換層と、
　前記基板の前記第２面に形成された導電膜と、を含み、
　前記導電膜は前記基板の前記第２面を露出させる欠陥部を有しており、
　前記導電膜は、前記欠陥部の周囲に位置する第１領域と前記第１領域の外側に位置する第２領域とを有し、
　前記第２領域における前記導電膜の表面反射率が略一定であり、
　前記第１領域における前記導電膜の表面反射率が前記基板の表面反射率と前記第２領域における前記導電膜の表面反射率との間であり、
　前記導電膜の表面反射率が前記第１領域内において一定でない表示装置用基板。
　前記第２領域における前記導電膜の厚みが略一定であり、
　前記第１領域における前記導電膜の厚みが０より大きく前記第２領域における前記導電膜の厚みより小さく、
　前記導電膜の厚みが前記第１領域内において一定でない請求項１に記載の表示装置用基板。
　前記第２領域における前記導電膜の厚みをｄ、前記導電膜と前記欠陥部との境界部分から前記第１領域と前記第２領域との境界部分までの距離をＬとしたとき、下記の（１）式を満たす請求項２に記載の表示装置用基板。
　８×１０^－６＜（ｄ／Ｌ）＜２×１０^－４　・・・（１）
　前記第２領域における前記導電膜の厚みをｄ、前記導電膜と前記欠陥部との境界部分から前記第１領域と前記第２領域との境界部分までの距離をＬとしたとき、下記の（２）式を満たす請求項３に記載の表示装置用基板。
　１×１０^－５＜（ｄ／Ｌ）＜１×１０^－４　・・・（２）
　前記導電膜の屈折率をｎ、前記第２領域における前記導電膜の厚みをｄ、外部から前記導電膜に入射する光の波長をλとしたとき、下記の（３）式を満たす請求項２ないし４のいずれか一項に記載の表示装置用基板。
　２ｎｄ＜λ／２　・・・（３）
　前記導電膜がシールド導電膜である請求項１ないし５のいずれか一項に記載の表示装置用基板。
　前記導電膜が透明導電膜である請求項１ないし６のいずれか一項に記載の表示装置用基板。
　前記導電膜がインジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物である請求項７に記載の表示装置用基板。
　前記導電膜がインジウム錫酸化物であるとき、前記第２領域における前記導電膜の表面反射率と前記基板の表面反射率との差が約３．８％である請求項８に記載の表示装置用基板。
　前記導電膜がインジウム亜鉛酸化物であるとき、前記第２領域における前記導電膜の表面反射率と前記基板の表面反射率との差が約３．５％である請求項８に記載の表示装置用基板。
　前記波長変換層がカラーフィルターである請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の表示装置用基板。
　請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の表示装置用基板を含む表示装置。
　前記表示装置用基板からなる第１の基板と、
　前記表示装置用基板の前記波長変換層に対向して配置された第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶層と、
　を含む請求項１２に記載の表示装置。
　前記第２の基板の前記表示装置用基板と対向する面の上に、前記液晶層に電界を生じさせる第１電極と第２電極とが設けられている請求項１３に記載の表示装置。
　前記表示装置用基板の前記導電膜の側に、情報入力装置が設けられている請求項１２ないし１４のいずれか一項に記載の表示装置。
　表示装置本体の一面に導電膜を成膜する第１の工程と、
　前記導電膜において前記表示装置本体の前記一面を露出させる欠陥部が存在しているか否かを検査する第２の工程と、
　前記欠陥部が存在しているときに、前記導電膜の前記欠陥部の周囲の第１領域において前記導電膜を研磨し、前記第１領域における前記導電膜の表面反射率を前記基板の表面反射率と前記第２領域における前記導電膜の表面反射率との間で変化させる第３の工程と、
　を有する表示装置の製造方法。
　前記第３の工程において、前記導電膜の前記欠陥部に研磨剤を塗布し、回転部材の先端を前記欠陥部に押し当てつつ回転させることにより前記導電膜を研磨する請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
　前記第３の工程において、前記研磨剤としてプラスチック用コンパウンドを用いる請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
　前記第３の工程において、前記導電膜の前記欠陥部と前記回転部材の先端との間に、綿またはウレタンを配置する請求項１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
　母材から複数の前記表示装置本体を切り出す請求項１６ないし１９のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
　前記第１の工程において、切り出された個々の前記表示装置本体の一面に前記導電膜を成膜する請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
　前記母材から前記複数の表示装置本体を切り出す前後で、前記導電膜において前記欠陥部が存在しているか否かを検査する請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
　前記表示装置が液晶表示装置である請求項１６ないし２２のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。