WO2013109037A1 - 다중 모드 플라즈마 발생 장치 - Google Patents

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plasma generator
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Definitions

  • the present invention relates to a plasma generating apparatus for supplying plasma to a semiconductor processing chamber.
  • Many plasmas are used in a semiconductor manufacturing process, and there exists a plasma supply apparatus which supplies a plasma to a process chamber.
  • a plasma supply apparatus which supplies a plasma to a process chamber.
  • the gas may be converted into plasma in the process chamber.
  • the plasma supply apparatus is generally used only for a specific process, and another plasma supply apparatus must be used for another process.
  • the plasma supply apparatus used for the etching process and the plasma supply apparatus used for the cleaning process were different. Therefore, there is a disadvantage in that the process efficiency is poor.
  • a single source plasma source has low efficiency, such as decomposition rate and ionization rate, and is generally unstable according to the type and flow of gas during initial generation of plasma, and thus a spark plug such as a high voltage plug had to be installed.
  • the multi-mode plasma generating apparatus for supplying a plasma to the process chamber includes a first plasma generating unit; And a second plasma generator connected in series with the first plasma generator.
  • the gas is converted into plasma by a magnetic field generated by the first plasma generator and the second plasma generator, the first plasma generator is operated by a low frequency power source, the second plasma generator is a high frequency power source It works by
  • a multi-mode plasma generating apparatus for supplying plasma to a process chamber. And a second plasma generator connected in series with the first plasma generator.
  • the gas is converted into plasma by the magnetic field generated by the first plasma generating unit and the second plasma generating unit, and the use pressure of the first plasma generating unit and the use pressure of the second plasma generating unit are different.
  • a multi-mode plasma generating apparatus for supplying plasma to a process chamber.
  • a first plasma generator ; And a second plasma generator connected in series with the first plasma generator.
  • the gas is converted into plasma by a magnetic field generated by the first plasma generator and the second plasma generator, and the first plasma generator is wound around an induction coil in a ferrite core in an intermediate portion of the plasma chamber.
  • the second plasma generating unit is realized in a form in which an induction coil is wound around a plastic tube at an end portion of the plasma chamber.
  • a multi-mode plasma generating apparatus for supplying plasma to a process chamber.
  • a first plasma generator ;
  • a second plasma generator connected in series with the first plasma generator.
  • the gas is converted into plasma by the magnetic field generated by the first plasma generator and the second plasma generator, and is generated by a power source applied to the second plasma generator when the plasma generator is ignited.
  • Plasma is diffused into the plasma chamber, plasma generation by the first plasma generator is activated by the diffused plasma, and no ignition element exists for the first plasma generator.
  • the multi-mode plasma generating apparatus can smoothly supply a plasma suitable for a plurality of processes by using the plasma generating units used at different frequencies or working pressures in series.
  • plasma generated by providing a high frequency power to the second plasma generator when the plasma generator is ignited is diffused into the plasma chamber, plasma generation by the first plasma generator is activated. No separate ignition element is required.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a semiconductor processing system using plasma according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view showing a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a view showing a matching unit according to an embodiment of the present invention.
  • process chamber 102 plasma generator
  • supply pipe 110 first plasma generating unit
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a semiconductor processing system using plasma according to an embodiment of the present invention.
  • a semiconductor process system performs various processes such as a chemical vapor deposition (CVD) process, an etching process, and a cleaning process, and generates a process chamber 100 and a plasma.
  • CVD chemical vapor deposition
  • etching process etching process
  • cleaning process a cleaning process
  • the plasma generated from the plasma generator 102 is supplied to the process chamber 100 through the supply pipe 108, and the wafer on the support 104 is used by using the supplied plasma. Specific layers may be deposited or etched in the.
  • the plasma may be supplied from the plasma generator 102 to the process chamber 100 to perform a cleaning process. That is, the plasma generating apparatus 102 of the present invention may process a plasma capable of performing at least two processes among a plurality of processes such as a film forming process, an etching process, and a cleaning process in the same process chamber 100. ).
  • the gas converted into plasma may be different for each process.
  • the gas may be NH 3 , N 2 , O 2 , H 2 , SiO 2, or the like.
  • the plasma generator 102 may include a first plasma generator 110 and a second plasma generator 112 as shown in FIG. 1B.
  • the first plasma generator 110 may operate with a low frequency power source
  • the second plasma generator 112 may operate with a high frequency power source.
  • the plasma generator 102 may include three or more plasma generators. However, at least one of the operating conditions, the frequency, and the pressure of the plasma generators 110 and 112 is designed to be different. That is, the plasma generating device 102 is a multi-mode plasma generating source.
  • the first plasma generating unit 110 may use a ferrite core induction method using a low frequency power source that may be used in a working pressure range of several Torr, and the second plasma generating unit 112 may be used.
  • the inductively coupled plasma method using a high frequency power source that can be used in the working pressure range of several mTorr to several hundred mTorr can be used.
  • the first plasma generating unit 110 is impossible to use in the operating pressure range of several mTorr to several hundred mTorr and the second plasma generating unit 112 cannot be used in the high pressure range of several Torr to several tens Torr.
  • the plasma generating apparatus 102 may generate plasma in a wide use pressure range of several mTorr to several tens Torr using the plasma generators 110 and 112 having different operating characteristics. Therefore, the plasma generating device 102 may be used in a plurality of processes, such as a film forming process, an etching process, and a cleaning process having different process conditions.
  • the plasma generating unit 110 or 112 is a capacitively coupled plasma (CCP) -reactive ion etching (RIE) method, in which a wafer is arranged at a point where an RF voltage is applied, in a plasma space by deformation of RIE method.
  • CCP capacitively coupled plasma
  • RIE reactive ion etching
  • CCP-MERIE Magnetically-enhanced RIE
  • ECR Electrotron cyclotron resonance
  • RF coil A helical plasma using a TCP (Transformer coupled plasma) method where the coil is wound only on the upper part of the process chamber, an ICP (Inductively coupled plama) method where the coil is wound on the side of the process chamber, and a helical plasma using an RF coil Helical plasma method, HDP (High density plasma) method where the part generating plasma and the part controlling ion energy are controlled independently of each other Etc. can also be used.
  • TCP Transformer coupled plasma
  • ICP Inductively coupled plama
  • HDP High density plasma
  • the supply gas is converted into plasma in the plasma chamber by the magnetic fields generated in the first plasma generator 100 and the second plasma generator 112.
  • FIG. 2 is a view showing a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the plasma generator 102 includes a plasma chamber 200, a first plasma generator 110, a second plasma generator 112, a first power supply 210, and a second power supply. 212 and a matching unit 214.
  • spaces 202 are formed through which the gases 204 and 206 and plasma can pass.
  • the beginning and middle portions of the space 202 are circular and have a circular shape, and the last portion has a straight structure.
  • An end of the space 202 is physically coupled to the supply conduit 108 of the process chamber 100, so that plasma is supplied to the process chamber 100 through the supply conduit 108.
  • the inlet 204 for injecting the gas 204 and the inlet 206 for injecting the gas 206 may be formed separately as shown in FIG. 2, and the inlet 206 does not exist and only the inlet 204 is present. May exist Here, the gases 204 and 206 may preferably be identical.
  • the first plasma generating unit 110 is formed in the middle portion of the plasma chamber 200 as shown in FIG. 2, and generates a magnetic field to change the gas flowing through the space 202 into a high density plasma.
  • the first plasma generator 110 may use a ferrite core induction method, and a low frequency power source, for example, 100 kHz to 600 kHz is provided.
  • the first plasma generating unit 110 is realized by winding the ferrite core 220 with the induction coil 222 and arranging the insulator 224 around. Meanwhile, the first plasma generator 110 may not use separate matching means and ignition means.
  • the output of the first plasma generator 110 may be a mixture of plasma and gas, and the plasma and gas flow toward the second plasma generator 112.
  • the second plasma generator 112 is formed at the rear end of the plasma chamber 200 as shown in FIG. 2, and generates a magnetic field to change the gas flowing through the space 202 into a high density plasma.
  • the second plasma generating unit 112 may use an inductively coupled plasma method, and a high frequency power, for example, a frequency range of 2 MHz to 13.56 MHz may be provided.
  • the second plasma generator 112 is realized by winding the plasma tube 230 with the induction coil 232.
  • the plasma generating units 110 and 112 are installed in series as described above, even if one plasma generating unit 110 or 112 has a small change rate for changing a specific gas into plasma, the other plasma generating units 112 or 110 may use the gas. Can be changed as desired with plasma. Therefore, the plasma generating apparatus 102 can be used for both the film forming process, the etching process, the cleaning process, etc. using another gas.
  • the matching unit 214 is a device for matching the plasma tube 230 and the matching network so that the power output from the power supply unit 212 is transmitted to the second plasma generating unit 112 as much as possible.
  • the matching unit 214 may match 50 ⁇ .
  • the plasma chamber 200 does not have a fixed impedance because the RF signal of the high frequency has the same characteristics as the light and the reflected wave exists, and the reflected wave lowers the power transmission efficiency.
  • the matching unit 214 is designed to match both phase and magnitude as described below in order to improve power transmission efficiency, and may use a variable element.
  • the plasma generating apparatus 102 of the present invention provides the plasma generators 110 and 112 in series to generate the plasma in duplicate, that is, the dual mode plasma generation source.
  • the plasma generating apparatus 102 may be applied to all of a film forming process, an etching process, and a cleaning process by installing plasma generating units 110 and 112 that can be applied to high and low frequencies, respectively.
  • the plasma generating apparatus 102 includes two plasma generating units, but may also include three or more plasma generating units.
  • the plasma generating device 102 preferably includes two plasma generating units.
  • the plasma is initially generated by the second plasma generator 112 operating at a high frequency, and the initially generated plasma is diffused into the plasma chamber 200, thereby causing the first plasma generator (
  • the plasma generation by 110 may be smoothly performed. That is, even if the first plasma generator 110 uses a method in which plasma generation is not easy at first, a separate device (high voltage plug, etc.) for ignition of the first plasma generator 110 is not required. Conventionally, when using a method in which the initial plasma is not generated well, a separate ignition element is required for the plasma generator, but the ignition element is provided in the first plasma generator 110 of the plasma generator 102 of the present invention. It is not necessary. Meanwhile, initial ignition may be realized by applying a high frequency RF signal to the second plasma generator 112.
  • FIG 3 is a view showing a matching unit according to an embodiment of the present invention.
  • the matching unit 214 of the present embodiment includes a control unit 300, a sensing unit 302, an inductor L, and two variable capacitors C1 and C2.
  • the sensing unit 302 detects an RF signal provided from the power supply unit 212, in particular, detects a phase and a magnitude, and then transmits a detection result to the control unit 300.
  • the controller 300 adjusts the capacitors C1 and C2 such that the impedance of the output RF signal output from the matching unit 214 matches the impedance of the plasma chamber 200 according to the transmitted detection result.
  • the capacitor C1 connected in parallel with the inductor L serves to match the phase
  • the capacitor C2 connected in series with the inductor L serves to match the size.
  • the matching unit 214 of the present embodiment adjusts the capacitances of the capacitors C1 and C2 according to the impedance of the plasma chamber 200 to match the impedance.

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Abstract

본 발명은 공정 효율을 향상시킬 수 있도록 복수의 공정에 플라즈마를 공급할 수 있는 다중 모드 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다. 상기 플라즈마 발생 장치는 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함한다. 여기서, 가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부는 저주파 전원에 의해 동작하며, 상기 제 2 플라즈마 발생부는 고주파 전원에 의해 동작한다.

Description

다중 모드 플라즈마 발생 장치
본 발명은 반도체 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에는 많은 플라즈마가 사용되며, 공정 챔버에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 공급 장치가 존재한다. 물론, 가스를 공정 챔버로 공급한 후 상기 공정 챔버에서 가스가 플라즈마로 변화될 수도 있다.
상기 플라즈마 공급 장치는 일반적으로 특정 공정에만 사용되며, 다른 공정을 위해서는 다른 플라즈마 공급 장치가 사용되어야 한다. 예를 들어, 에칭 공정에 사용되는 플라즈마 공급 장치와 세정 공정에 사용되는 플라즈마 공급 장치가 달랐다. 따라서, 공정 효율이 떨어지는 단점이 있었다.
또한, 단일 원리의 플라즈마 소스는 분해율 및 이온화율과 같은 효율이 낮았으며, 일반적으로 플라즈마 초기 생성시 가스의 종류 및 흐름에 따라 불안정하여 고전압 플러그와 같은 점화 플러그가 설치되어야만 했다.
본 발명은 공정 효율을 향상시킬 수 있도록 복수의 공정에 플라즈마를 공급할 수 있는 다중 모드 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치는 제 1 플라즈마 발생부; 및 상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함한다. 여기서, 가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부는 저주파 전원에 의해 동작하며, 상기 제 2 플라즈마 발생부는 고주파 전원에 의해 동작한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치는 제 1 플라즈마 발생부; 및 상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함한다. 여기서, 가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부의 사용 압력과 상기 제 2 플라즈마 발생부의 사용 압력이 다르다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치는 플라즈마 챔버; 제 1 플라즈마 발생부; 및 상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함한다. 여기서, 가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 챔버의 중간 부분에서 페라이트 코어에 유도 코일이 감긴 형태로 실현되며, 상기 제 2 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 챔버의 종단 부분에서 플라스틱 튜브에 유도 코일이 감긴 형태로 실현된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치는 플라즈마 챔버; 제 1 플라즈마 발생부; 및 상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함한다. 여기서, 가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 플라즈마 발생 장치를 점화시킬 때 상기 제 2 플라즈마 발생부로 인가되는 전원에 의해 생성된 플라즈마가 상기 플라즈마 챔버 내부로 확산되며, 상기 확산된 플라즈마에 의해 상기 제 1 플라즈마 발생부에 의한 플라즈마 발생이 활성화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부를 위한 점화 소자가 존재하지 않는다.
본 발명에 따른 다중 모드 플라즈마 발생 장치는 다른 주파수 또는 사용 압력에서 사용하는 플라즈마 발생부들을 직렬로 사용하여 복수의 공정들에 적합한 플라즈마를 원활하게 공급할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 발생 장치 점화시 제 2 플라즈마 발생부로 고주파 전원을 제공함에 의해 발생된 플라즈마가 플라즈마 챔버 내부로 확산됨에 의해 제 1 플라즈마 발생부에 의한 플라즈마 생성이 활성화되므로, 상기 제 1 플라즈마 발생부를 위한 별도의 점화 소자가 요구되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 반도체 공정 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 매칭부를 도시한 도면이다.
[부호의 설명]
100 : 공정 챔버 102 : 플라즈마 발생 장치
104 : 지지 부재 106 : 웨이퍼
108 : 공급관 110 : 제 1 플라즈마 발생부
112 : 제 2 플라즈마 발생부 200 : 플라즈마 챔버
204, 206 : 입구 210 : 제 1 전원부
212 : 제 2 전원부 214 : 매칭부
220 : 페라이트 코어 222 : 유도 코일
224 : 절연체 230 : 플라즈마 튜브
232 : 유도 코일
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 반도체 공정 시스템을 도시한 도면이다.
도 1(A)를 참조하면, 반도체 공정 시스템은 성막(Chemical Vapor Deposition, CVD) 공정, 식각(Etching) 공정, 세정(Cleaning) 공정 등의 다양한 공정을 수행하며, 공정 챔버(100) 및 플라즈마 발생 장치(102)를 포함한다.
성막 공정 및 식각 공정 시에는 플라즈마 발생 장치(102)로부터 발생된 플라즈마가 공급관(108)을 통하여 공정 챔버(100)로 공급되고, 상기 공급된 플라즈마를 이용함에 의해 지지부(104) 상의 웨이퍼(Wafer)에 특정 층이 증착되거나 에칭될 수 있다. 또한, 플라즈마 발생 장치(102)로부터 플라즈마가 공정 챔버(100)로 공급되어 세정 공정이 이루어질 수 있다. 즉, 본 발명의 플라즈마 발생 장치(102)는 동일한 공정 챔버(100) 내에서 성막 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등과 같은 복수의 공정들 중 적어도 2개의 공정들을 수행할 수 있는 플라즈마를 공정 챔버(100)로 공급한다. 물론, 각 공정마다 플라즈마로 변화되는 가스는 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 가스는 NH3, N2, O2, H2, SiO2 등일 수 있다.
종래의 반도체 공정 시스템은 공정들마다 다른 플라즈마 발생 장치를 사용하여 수행하는 반면에, 본 발명의 반도체 공정 시스템은 복수의 공정들을 동일한 플라즈마 발생 장치(102)를 통하여 수행할 수 있다. 따라서, 본 발명의 반도체 공정 시스템의 활용도가 향상될 수 있고 공정 비용이 절감될 수 있다.
플라즈마 발생 장치(102)는 도 1(B)에 도시된 바와 같이 제 1 플라즈마 발생부(110) 및 제 2 플라즈마 발생부(112)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 플라즈마 발생부(110)는 저주파 전원으로 동작하고, 제 2 플라즈마 발생부(112)는 고주파 전원으로 동작할 수 있다. 또한, 플라즈마 발생 장치(102)는 세 개 이상의 플라즈마 발생부들을 포함할 수도 있다. 다만, 플라즈마 발생부들(110 및 112)의 동작 조건, 주파수, 압력 중 적어도 하나는 다르도록 설계된다. 즉, 플라즈마 발생 장치(102)는 다중 모드 플라즈마 발생 소스이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 플라즈마 발생부(110)는 수 Torr 정도의 사용 압력 범위에서 사용할 수 있는 저주파 전원을 이용하는 페라이트 코어 유도 방식을 이용할 수 있고, 제 2 플라즈마 발생부(112)는 수 mTorr ~ 수 백 mTorr의 사용 압력 범위에서 사용할 수 있는 고주파 전원을 이용하는 유도 결합 플라즈마 방식을 사용할 수 있다. 특히, 제 1 플라즈마 발생부(110)가 수 mTorr ~ 수 백 mTorr의 사용 압력 범위에서 사용이 불가능하고 제 2 플라즈마 발생부(112)가 수 Torr ~ 수 십 Torr의 높은 압력 범위에서 사용이 불가능한 플라즈마 발생 방식들을 사용할 지라도 플라즈마 발생 장치(102)는 각기 다른 동작 특성을 가지는 플라즈마 발생부들(110 및 112)을 이용하여 수 mTorr에서 수 십 Torr까지의 넓은 사용 압력 범위에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 따라서, 플라즈마 발생 장치(102)는 서로 다른 공정 조건을 가지는 성막 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등의 복수의 공정들에 사용될 수 있다. 물론, 플라즈마 발생부(110 또는 112)는 RF 전압이 가해지는 지점에 웨이퍼가 배열되는 용량성 결합 플라즈마(Capacitively coupled plasma, CCP)-RIE(Reactive ion etching) 방식, RIE 방식의 변형으로 플라즈마 공간에 자장을 인가하여 이온 발생 확률을 높여서 에칭하는 CCP-MERIE(Magnetically-enhanced RIE) 방식, 마이크로웨이브 주파수를 입사시켜 공명을 발생시켜서 중성입자들을 이온화시키는 ECR(Electron cyclotron resonance) 방식, RF 코일을 사용하되 코일이 공정 챔버의 상부에만 감기는 TCP(Transformer coupled plasma) 방식, RF 코일을 사용하되 코일이 공정 챔버의 측면에 감기는 ICP(Inductively coupled plama) 방식, 나선형 형태로 RF 코일을 사용하는 헬리컬 플라즈마(Helical plasma) 방식, 플라즈마를 생성하는 부분과 이온 에너지를 조절하는 부분이 서로 독립적으로 제어되는 HDP(High density plasma) 방식 등을 사용할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 공급 가스는 제 1 플라즈마 발생부(100) 및 제 2 플라즈마 발생부(112)에 발생된 자기장에 의해 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마로 변화된다.
이하, 본 발명의 플라즈마 발생 장치(102)의 구체적인 구조를 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예의 플라즈마 발생 장치(102)는 플라즈마 챔버(200), 제 1 플라즈마 발생부(110), 제 2 플라즈마 발생부(112), 제 1 전원부(210), 제 2 전원부(212) 및 매칭부(214)를 포함할 수 있다.
플라즈마 챔버(200) 내에는 가스(204 및 206) 및 플라즈마가 통과할 수 있는 공간(202)이 형성된다. 공간(202) 중 시작 및 중간 부분은 원형의 형태를 가지면서 순환 가능하도록 구현되며, 마지막 부분은 일자형 구조를 가진다. 공간(202)의 종단은 공정 챔버(100)의 공급관(108)과 물리적으로 결합되어 있으며, 그 결과 플라즈마가 공급관(108)을 통하여 공정 챔버(100)로 공급된다.
가스(204)를 투입하는 입구(204)와 가스(206)를 투입하는 입구(206)가 도 2에 도시된 바와 같이 별도로 형성될 수도 있고, 입구(206)는 존재하지 않고 입구(204)만이 존재할 수도 있다. 여기서, 가스들(204 및 206)은 바람직하게는 동일할 수 있다.
제 1 플라즈마 발생부(110)는 도 2에 도시된 바와 같이 플라즈마 챔버(200)의 중간 부분에 형성되며, 자기장을 발생시켜서 공간(202)을 통하여 흐르는 가스를 고밀도 플라즈마로 변화시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 플라즈마 발생부(110)는 페라이트 코어 유도 방식을 사용할 수 있으며, 저주파, 예를 들어 100㎑ 내지 600㎑ 주파수 범위의 전원이 제공된다. 구체적으로는, 제 1 플라즈마 발생부(110)는 페라이트 코어(220)를 유도 코일(222)로 감고 절연체(224)를 주변에 배열하여 실현한다. 한편, 제 1 플라즈마 발생부(110)는 별도의 매칭 수단 및 점화 수단을 사용하지 않을 수 있다.
제 1 플라즈마 발생부(110)의 출력은 플라즈마와 가스가 혼합된 형태일 수 있으며, 플라즈마와 가스가 제 2 플라즈마 발생부(112) 방향으로 흐른다.
제 2 플라즈마 발생부(112)는 2에 도시된 바와 같이 플라즈마 챔버(200)의 후단 부분에 형성되며, 자기장을 발생시켜서 공간(202)을 통하여 흐르는 가스를 고밀도 플라즈마로 변화시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 2 플라즈마 발생부(112)는 유도 결합 플라즈마 방식을 사용할 수 있으며, 고주파, 예를 들어 2㎒ 내지 13.56㎒ 주파수 범위의 전원이 제공될 수 있다. 제 2 플라즈마 발생부(112)는 플라즈마 튜브(230)를 유도 코일(232)로 감음에 의해 실현된다.
위와 같이 플라즈마 발생부들(110 및 112)을 직렬로 설치하면, 하나의 플라즈마 발생부(110 또는 112)가 특정 가스를 플라즈마로 변화시키는 변화율이 작을지라도 다른 플라즈마 발생부(112 또는 110)가 상기 가스를 플라즈마로 원하는 만큼 변화시킬 수 있다. 따라서, 플라즈마 발생 장치(102)는 다른 가스를 사용하는 성막 공정, 에칭 공정 및 세정 공정 등에 모두 사용할 수 있다.
매칭부(214)는 전원부(212)로부터 출력된 전원이 제 2 플라즈마 발생부(112)로 최대한 전달되도록 플라즈마 튜브(230)와 매칭 네트워크를 정합시키는 장치로서, 예를 들어 50Ω으로 정합시킬 수 있다. 특히, 플라즈마 챔버(200)는 고주파의 RF 신호가 빛과 같은 특성을 가져서 반사파가 존재하기 때문에 고정된 임피던스를 가지지 못하며, 이러한 반사파는 전력 전달 효율을 저하시킨다. 매칭부(214)는 전력 전달 효율을 향상시키기 위하여 후술하는 바와 같이 위상 및 크기를 모두 정합시키도록 설계되며, 가변 소자를 사용할 수 있다.
정리하면, 본 발명의 플라즈마 발생 장치(102)는 직렬로 플라즈마 발생부들(110 및 112)을 설치하여 이중으로 플라즈마를 발생시키며, 즉 이중 모드 플라즈마 발생 소스이다. 특히, 플라즈마 발생 장치(102)는 고주파 및 저주파에 각기 적용될 수 있는 플라즈마 발생부들(110 및 112)을 설치하여 성막 공정, 에칭 공정 및 세정 공정 등에 모두 적용할 수 있다. 다만, 본 실시예에서는 플라즈마 발생 장치(102)가 2개의 플라즈마 발생부들을 포함하였으나, 3개 이상의 플라즈마 발생부들을 포함할 수도 있다. 그러나, 플라즈마 발생 장치(102)의 사이즈를 고려하면 플라즈마 발생 장치(102)가 2개의 플라즈마 발생부들을 포함하는 것이 바람직하다.
위에서 설명하지는 않았지만, 고주파에서 동작하는 제 2 플라즈마 발생부(112)에 의해 초기에 플라즈마가 생성되고, 초기 생성된 플라즈마가 플라즈마 챔버(200)의 내부로 확산되며, 이로 인하여 제 1 플라즈마 발생부(110)에 의한 플라즈마 생성이 원활하게 이루어질 수 있다. 즉, 제 1 플라즈마 발생부(110)가 초기에 플라즈마 생성이 용이하지 않은 방식을 사용할지라도 제 1 플라즈마 발생부(110)의 점화를 위한 별도의 장치(고전압 플러그 등)가 필요없게 된다. 종래에는 초기 플라즈마가 잘 발생되지 않는 방식을 사용하는 경우에는 플라즈마 발생 장치를 위한 별도의 점화 소자가 필요하였으나, 본 발명의 플라즈마 발생 장치(102)의 제 1 플라즈마 발생부(110)에는 점화 소자가 필요치 않다. 한편, 초기 점화는 고주파 RF 신호를 제 2 플라즈마 발생부(112)로 인가함에 의해 실현될 수 있다.
이하, 본 발명의 매칭부(214)를 첨부된 도면을 참조하여 상술하겠다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 매칭부를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예의 매칭부(214)는 제어부(300), 센싱부(302), 인덕터(L) 및 2개의 가변 캐패시터들(C1 및 C2)을 포함한다.
센싱부(302)는 전원부(212)로부터 제공된 RF 신호를 감지하고, 특히 위상 및 크기를 감지하고, 그런 후 감지 결과를 제어부(300)로 전송한다.
제어부(300)는 상기 전송된 감지 결과에 따라 매칭부(214)로부터 출력되는 출력 RF 신호의 임피던스가 플라즈마 챔버(200)의 임피던스와 정합되도록 캐패시터들(C1 및 C2)을 조절한다. 여기서, 인덕터(L)와 병렬로 연결된 캐패시터(C1)는 위상을 정합시키는 역할을 수행하고, 인덕터(L)와 직렬로 연결된 캐패시터(C2)는 크기를 정합시키는 역할을 수행한다.
정리하면, 본 실시예의 매칭부(214)는 플라즈마 챔버(200)의 임피던스가 고정적이지 않으므로 플라즈마 챔버(200)의 임피던스에 따라 캐패시터들(C1 및 C2)의 캐패시턴스들을 조정하여 임피던스를 정합시킨다.
상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (13)

  1. 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 장치에 있어서,
    제 1 플라즈마 발생부; 및
    상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함하되,
    가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부는 저주파 전원에 의해 동작하며, 상기 제 2 플라즈마 발생부는 고주파 전원에 의해 동작하는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1 플라즈마 발생부의 사용 압력은 상기 제 2 플라즈마 발생부의 사용 압력보다 높으며, 상기 플라즈마 발생 장치는 성막 공정, 에칭 공정 및 세정 공정 중 적어도 2개의 공정을 위한 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 장치는,
    내부로 상기 가스 및 상기 플라즈마가 흐르는 플라즈마 챔버;
    상기 제 1 플라즈마 발생부로 전원을 제공하는 제 1 전원부;
    상기 제 2 플라즈마 발생부로 전원을 공급하는 제 2 전원부; 및
    상기 제 2 전원부와 상기 제 2 플라즈마 발생부 사이의 임피던스를 정합시키는 매칭부를 더 포함하되,
    상기 매칭부는 상기 제 2 플라즈마 발생부로 제공되는 전원(RF 신호)의 위상을 매칭시키는 제 1 캐패시터 및 상기 제 2 플라즈마 발생부로 제공되는 전원의 크기를 매칭시키는 제 2 캐패시터를 포함하며, 상기 제 1 캐패시터 및 상기 제 2 캐패시터는 인덕터를 기준으로 상호 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제 2 플라즈마 발생부로 고주파 전원을 제공함에 의해 점화되고, 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 생성된 플라즈마가 상기 플라즈마 챔버의 내부로 확산되며, 상기 확산된 플라즈마에 의해 상기 제 1 플라즈마 발생부의 플라즈마 생성이 활성화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부를 위한 별도의 점화 소자가 상기 플라즈마 발생 장치에 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버의 임피던스는 일정하지 않으며, 상기 매칭부는 상기 플라즈마 챔버의 임피던스를 고려하여 상기 캐패시터들의 캐패시턴스들을 결정하는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 장치는,
    플라즈마 챔버를 더 포함하되,
    상기 제 1 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 챔버의 중간 부분에서 페라이트 코어에 유도 코일이 감긴 형태로 실현되고, 상기 제 2 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 챔버의 종단 부분에서 플라스틱 튜브에 유도 코일이 감긴 형태로 실현되는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버의 공간 중 상기 제 1 플라즈마 발생부에 해당하는 부분은 원형 형상의 공간이고, 상기 공간 중 상기 제 2 플라즈마 발생부에 해당하는 부분은 직선 형상의 공간이며, 상기 제 2 플라즈마 발생부의 후단은 상기 공정 챔버의 공급관으로 연결되는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  8. 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 장치에 있어서,
    제 1 플라즈마 발생부; 및
    상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함하되,
    가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부의 사용 압력과 상기 제 2 플라즈마 발생부의 사용 압력이 다른 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 장치는,
    내부로 상기 가스 및 상기 플라즈마가 흐르는 플라즈마 챔버;
    상기 제 1 플라즈마 발생부로 전원을 제공하는 제 1 전원부;
    상기 제 2 플라즈마 발생부로 전원을 공급하는 제 2 전원부; 및
    상기 제 2 전원부와 상기 제 2 플라즈마 발생부 사이의 임피던스를 정합시키는 매칭부를 더 포함하되,
    상기 매칭부는 상기 제 2 플라즈마 발생부로 제공되는 전원의 위상을 매칭시키는 제 1 캐패시터 및 상기 제 2 플라즈마 발생부로 제공되는 전원의 크기를 매칭시키는 제 2 캐패시터를 포함하며, 상기 제 1 캐패시터 및 상기 제 2 캐패시터는 인덕터를 기준으로 상호 병렬로 연결되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부는 저주파 전원에 의해 동작하며, 상기 제 2 플라즈마 발생부는 고주파 전원에 의해 동작하고, 상기 플라즈마 발생 장치는 성막 공정, 에칭 공정 및 클리닝 공정 중 적어도 2개의 공정을 위한 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  10. 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 장치에 있어서,
    플라즈마 챔버;
    제 1 플라즈마 발생부; 및
    상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함하되,
    가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 챔버의 중간 부분에서 페라이트 코어에 유도 코일이 감긴 형태로 실현되며, 상기 제 2 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 챔버의 종단 부분에서 플라스틱 튜브에 유도 코일이 감긴 형태로 실현되는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제 1 플라즈마 발생부에는 저주파 전원이 인가되고, 상기 제 2 플라즈마 발생부에는 고주파 전원이 인가되며, 상기 제 2 플라즈마 발생부와 상기 고주파 전원을 공급하는 전원부 사이에 매칭부가 존재하되,
    상기 매칭부의 캐패시터는 상기 플라즈마 챔버의 임피던스에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  12. 공정 챔버로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생 장치에 있어서,
    플라즈마 챔버;
    제 1 플라즈마 발생부; 및
    상기 제 1 플라즈마 발생부에 직렬로 연결된 제 2 플라즈마 발생부를 포함하되,
    가스는 상기 제 1 플라즈마 발생부 및 상기 제 2 플라즈마 발생부에 의해 발생된 자기장에 의해 플라즈마로 변화되고, 상기 플라즈마 발생 장치를 점화시킬 때 상기 제 2 플라즈마 발생부로 인가되는 전원에 의해 생성된 플라즈마가 상기 플라즈마 챔버 내부로 확산되며, 상기 확산된 플라즈마에 의해 상기 제 1 플라즈마 발생부에 의한 플라즈마 발생이 활성화되고, 상기 제 1 플라즈마 발생부를 위한 점화 소자가 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제 1 플라즈마 발생부에는 저주파 전원이 인가되고, 상기 제 2 플라즈마 발생부에는 고주파 전원이 인가되며, 상기 제 2 플라즈마 발생부와 상기 고주파 전원을 공급하는 전원부 사이에 매칭부가 존재하되,
    상기 매칭부의 캐패시터는 상기 플라즈마 챔버의 임피던스에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 다중 모드 플라즈마 발생 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101570171B1 (ko) * 2014-07-25 2015-11-20 세메스 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
US10431654B2 (en) * 2015-06-25 2019-10-01 International Business Machines Corporation Extrinsic base doping for bipolar junction transistors
US10987735B2 (en) 2015-12-16 2021-04-27 6K Inc. Spheroidal titanium metallic powders with custom microstructures
AU2016370962B2 (en) 2015-12-16 2020-09-24 6K Inc. Spheroidal dehydrogenated metals and metal alloy particles
KR101977702B1 (ko) * 2016-12-09 2019-05-14 에스케이하이닉스 주식회사 이온 소스 헤드 및 이를 포함하는 이온 주입 장치
EP3810358A1 (en) 2018-06-19 2021-04-28 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
KR102644961B1 (ko) 2019-04-30 2024-03-11 6케이 인크. 리튬 란타넘 지르코늄 산화물(llzo) 분말
WO2020223358A1 (en) 2019-04-30 2020-11-05 6K Inc. Mechanically alloyed powder feedstock
WO2021118762A1 (en) 2019-11-18 2021-06-17 6K Inc. Unique feedstocks for spherical powders and methods of manufacturing
US11590568B2 (en) 2019-12-19 2023-02-28 6K Inc. Process for producing spheroidized powder from feedstock materials
JP2023532457A (ja) 2020-06-25 2023-07-28 シックスケー インコーポレイテッド 微細複合合金構造体
CN116547068A (zh) 2020-09-24 2023-08-04 6K有限公司 用于启动等离子体的系统、装置及方法
KR20230095080A (ko) 2020-10-30 2023-06-28 6케이 인크. 구상화 금속 분말을 합성하는 시스템 및 방법
US20230187214A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-15 Tokyo Electron Limited Remote source pulsing with advanced pulse control

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1116696A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Seiko Epson Corp 大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
KR20020079300A (ko) * 2001-04-12 2002-10-19 (주)울텍 고밀도 플라즈마 발생원 및 방법
KR20090005763A (ko) * 2007-07-10 2009-01-14 삼성전자주식회사 플라즈마 발생장치
KR100890630B1 (ko) * 2001-10-05 2009-03-27 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드 고체 전원장치를 위한 다중-코일 유도 플라즈마 토치
US7732759B2 (en) * 2008-05-23 2010-06-08 Tokyo Electron Limited Multi-plasma neutral beam source and method of operating

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200248563Y1 (ko) * 1998-07-24 2001-12-17 최대규 자동정합장치
CN1241316C (zh) * 1999-07-13 2006-02-08 东京电子株式会社 产生感性耦合的等离子的射频电源
DE10024883A1 (de) * 2000-05-19 2001-11-29 Bosch Gmbh Robert Plasmaätzanlage
US6418874B1 (en) * 2000-05-25 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Toroidal plasma source for plasma processing
JP2002130117A (ja) * 2000-10-18 2002-05-09 Mikuni Corp 電磁駆動型プランジャポンプ
US6755150B2 (en) * 2001-04-20 2004-06-29 Applied Materials Inc. Multi-core transformer plasma source
KR100751535B1 (ko) * 2005-12-12 2007-08-23 위순임 다중 주파수 유도 코일을 갖는 페라이트 코어를 구비한플라즈마 발생기 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치
US20080060706A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 Elkhart Brass Manufacturing Company, Inc. Fire fighting fluid delivery device with sensor
WO2010004997A1 (ja) * 2008-07-11 2010-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20120021146A1 (en) * 2010-07-21 2012-01-26 Linda Leeming Schneider Decorative Winged Insects and Methods of Making Decorative Winged Insects

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1116696A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Seiko Epson Corp 大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
KR20020079300A (ko) * 2001-04-12 2002-10-19 (주)울텍 고밀도 플라즈마 발생원 및 방법
KR100890630B1 (ko) * 2001-10-05 2009-03-27 테크나 플라즈마 시스템 인코포레이티드 고체 전원장치를 위한 다중-코일 유도 플라즈마 토치
KR20090005763A (ko) * 2007-07-10 2009-01-14 삼성전자주식회사 플라즈마 발생장치
US7732759B2 (en) * 2008-05-23 2010-06-08 Tokyo Electron Limited Multi-plasma neutral beam source and method of operating

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