WO2013095013A1 - 2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발전 소자 - Google Patents

2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발전 소자 Download PDF

Info

Publication number
WO2013095013A1
WO2013095013A1 PCT/KR2012/011189 KR2012011189W WO2013095013A1 WO 2013095013 A1 WO2013095013 A1 WO 2013095013A1 KR 2012011189 W KR2012011189 W KR 2012011189W WO 2013095013 A1 WO2013095013 A1 WO 2013095013A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
zinc oxide
substrate
aluminum
deposited
generation device
Prior art date
Application number
PCT/KR2012/011189
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김상우
김권호
이주혁
이근영
승완철
Original Assignee
성균관대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 성균관대학교 산학협력단 filed Critical 성균관대학교 산학협력단
Priority to US14/367,540 priority Critical patent/US20150179922A1/en
Publication of WO2013095013A1 publication Critical patent/WO2013095013A1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82BNANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/07Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/07Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • H10N30/077Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/308Membrane type
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/85Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853Ceramic compositions
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making

Definitions

  • the present invention relates to a two-dimensional zinc oxide nanosheet-based piezoelectric energy generation device, and to a mechanically stable and high-power piezoelectric energy generation device using the two-dimensional zinc oxide nanosheets.
  • the present invention is "large-area energy harvesting based on piezoelectric nano-power generation device" (total research period: 2010.05.01 ⁇ 2013.04.30, the year research period: 2011.05.01 ⁇ 2012.04.30, organizer: Ministry of Education, Science and Technology (Korea Research Foundation), Task No.: 2010-00297) 50%, "Development of monolithic flexible energy harvesting device through nano structure control” (Total research period: 2009.05.01 ⁇ 2012.04.30, Research year: 2011.05.01 ⁇ 2012.04.30, Organizer: Ministry of Education, Science and Technology (Korea Research Foundation), Project No.: 2009-0077682) 40%, and "Sensor Research for Type Conversion Information Input" (Total Research Period: 2009.09.01 ⁇ 2016.02.29, The research period of the current year: 2011.03.01 ⁇ 2012.02.28, Host organization: Ministry of Education, Science and Technology (Korea Research Foundation), task number: 2011-0006273) It is the result of 10% of tasks.
  • Piezoelectric energy generation device using such a one-dimensional zinc oxide nanorod is disclosed in Korean Patent No. 10-0851499.
  • Piezoelectric energy generating devices using one-dimensional zinc oxide nanorods have the advantage of being able to be manufactured in large quantities, but these piezoelectric devices have the disadvantage that they are vulnerable to mechanical forces given a large mechanical force, and also have a low output. Also have.
  • the present invention is to provide a piezoelectric energy generating device using a piezoelectric material that converts physical energy into electrical energy, and to provide a mechanically stable and high-power piezoelectric energy generating device using a two-dimensional zinc oxide nanosheets.
  • Electrodes such as tube (CNT) and graphene are deposited, transferred; Attaching a substrate, such as a deposited, transferred plastic, paper, glass, or the like, onto the zinc oxide nanosheets to fabricate a nanopower generator device, wherein the two-dimensional zinc oxide nano
  • a substrate such as a deposited, transferred plastic, paper, glass, or the like
  • the wet growth of the zinc oxide nanosheets may include zinc nitrate hexahydrate (Zn (NO 3 ) 2 6H 2 O) and hexamethylenetetramine (C). 6 H 12 N 4 ) is dissolved in deionized water to prepare a growth solution or zinc nitrate hexahydrate (Zn (NO 3 ) 2 .6H 2 O), aluminum nitrate nonahydrate (Al (NO 3 ) Prepare a growth solution by dissolving 3 ⁇ 9H 2 O) in deionized water.In this case, NaOH and HNO 3 are used for pH control, and a plastic substrate with aluminum attached to one side is added to the growth solution. Put it to grow.
  • a step of providing a substrate such as plastic, paper, glass, sapphire, etc., on which aluminum is deposited, or growing a substrate such as plastic, paper, glass, etc., on which aluminum foil is attached to one surface, in a growth solution. Is carried out at 1 atm, 95 ° C. for 3 hours.
  • a two-dimensional zinc oxide nanosheet piezoelectric energy generating device providing a substrate such as plastic, paper, glass, sapphire, etc., aluminum deposited on one surface or a plastic with aluminum foil on one surface, Substrates such as paper and glass; Zinc oxide nanosheets wet-grown on one surface of the substrate on which the aluminum is deposited or attached; And gold on one side, the plastic substrate deposited thereon, wherein the gold-deposited surface is disposed so as to contact the zinc oxide nanosheets, and includes a plastic substrate on which gold is deposited, piezoelectric energy generation.
  • a substrate such as plastic, paper, glass, sapphire, etc., aluminum deposited on one surface or a plastic with aluminum foil on one surface, Substrates such as paper and glass; Zinc oxide nanosheets wet-grown on one surface of the substrate on which the aluminum is deposited or attached; And gold on one side, the plastic substrate deposited thereon, wherein the gold-deposited surface is disposed so as to contact the zinc oxide nanosheets, and includes a
  • FIG. 1 is a flow chart of a method for manufacturing a two-dimensional zinc oxide nanosheets-based piezoelectric energy generating device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view of a plastic substrate with aluminum attached thereto.
  • FIG. 3A is a schematic view of a zinc oxide nanosheet grown on a substrate
  • FIG. 3B is an actual surface image of the zinc oxide nanosheet thus grown.
  • FIG. 4 is a schematic of a gold deposited plastic substrate.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a two-dimensional zinc oxide nanosheet based piezoelectric energy generating device according to the present invention.
  • 6A-6D are graphs showing the mechanical stability and the output of the nanorod-based piezoelectric energy generator and the nanosheet-based piezoelectric energy generator, and SEM images.
  • FIG. 1 is a flow chart of a method for manufacturing a two-dimensional zinc oxide nanosheets-based piezoelectric energy generating device according to the present invention.
  • step 110 providing a substrate with aluminum attached to one surface (step 110), wet-growing zinc oxide nanosheets on one surface of the substrate with aluminum attached (step 120), and preparing a substrate on which one electrode is deposited (step 120).
  • step 130 the plastic substrate on which the electrode is deposited is attached onto the zinc oxide nanosheet (step 140) such that one surface of the substrate on which the electrode is deposited is in contact with the zinc oxide nanosheet.
  • step 110 (1) providing a substrate with aluminum attached to one surface (step 110)
  • the substrate on which the ZnO nanosheets are to be grown is prepared by depositing or attaching aluminum foil on the substrate as shown in FIG. 2.
  • the substrate may be made of any one or more of plastic, paper, glass, and sapphire.
  • the zinc oxide nanosheets are wet-grown on the aluminum-attached surface of the aluminum-attached substrate prepared in step 110.
  • the wet growth is deionized water of zinc nitrate hexahydrate (Zn (NO 3 ) 2 6H 2 O) and hexamethylenetetramine (C 6 H 12 N 4 ).
  • Growth solution by dissolving in water or dissolving zinc nitrate hexahydrate (Zn (NO 3 ) 2 .6H 2 O), aluminum nitrate nonahydrate (Al (NO 3 ) 3 .9H 2 O) in deionized water.
  • the plastic substrate is grown in a growth solution.
  • NaOH and HNO 3 are used to adjust the pH.
  • a growth solution was prepared by dissolving 1.86 g of Zn (NO 3 ) 2 6H 2 O and 0.87 g of C 6 H 12 N 4 in 250 mL of DI-water, and prepared a substrate having aluminum foil on one side. It was added to the growth solution and grown for 3 hours at 1 atmosphere, 95 °C.
  • FIG. 3A is a schematic view of a zinc oxide nanosheet grown on a substrate
  • FIG. 3B is an actual surface image of the zinc oxide nanosheet thus grown.
  • the substrate may be made of any one or more of plastic, paper, glass, and sapphire.
  • the electrode is gold (Au), platinum (Pt), palladium (Pd), palladium-gold alloy (PdAu), nickel (Ni), nickel-gold alloy (NiAu), ruthenium (Ru), silver (Ag), Copper (Cu), zinc (Zn), titanium (Ti), titanium-gold alloy (TiAu), aluminum (Al), tin oxide (ITO), fluorine-containing tin oxide (FTO), gallium zinc oxide (GZO), It may be made of any one or more of carbon nanotubes (CNT) and graphene (graphene).
  • CNT carbon nanotubes
  • graphene graphene
  • the gold-deposited substrate prepared in step 130 is physically attached to the gold-deposited surface on the nanosheet of FIG. 3A to be in contact with the nanosheet to complete the piezoelectric energy generating device. Then, the conductive wires are connected to Au as the upper electrode and Al as the lower electrode using silver paste.
  • FIG. 5 is a schematic view of a two-dimensional zinc oxide nanosheets based power generation device according to the present invention.
  • the zinc oxide nanosheet-based piezoelectric energy generating device is capable of wet growth and is networked with each other as shown in FIG. 3b, and thus can withstand much larger mechanical energy than the one-dimensional structure of zinc oxide nanorods.
  • the two-dimensional zinc oxide nanosheet-based piezoelectric energy generating device has an output voltage and an output current density three to four times higher than those of the conventional one-dimensional zinc oxide nanorod-based piezoelectric energy generating device. Can be seen in FIG. 6.
  • Figure 6b is a data analysis of the mechanical properties of the nanorods and nanosheets, the arrow points represent the strain critical load of the nanorods and nanosheets, if the cross over the critical load, the nanorods are broken and the nanosheets are networked structure Not broken and deformable but can support each other. This appearance can be confirmed through the FE-SEM picture of the nanorods broken in FIG. 6C and the FE-SEM picture of the nanosheets modified but not broken in FIG. 6D.
  • Table 1 below shows that the nanorods are easily broken because the nanorods have high elastic modulus and low strain energy compared to the nanosheets when calculated based on the data of FIG. 6.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자에 관한 것으로서, 이러한 2차원 산화아연 나노시트를 이용한 기계적으로 안정하고 고출력의 압전 에너지 발전 소자에 관한 것이다.

Description

2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발전 소자
본 발명은 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자에 관한 것으로서, 이러한 2차원 산화아연 나노시트를 이용한 기계적으로 안정하고 고출력의 압전 에너지 발전 소자에 관한 것이다.
본 발명은 "압전 나노전력발전소자 기반 대면적 에너지 하베스팅"(총연구기간 : 2010.05.01~2013.04.30, 당해년도연구기간 : 2011.05.01~2012.04.30, 주관기관 : 교육과학기술부 (한국연구재단), 과제번호 : 2010-00297) 50%, "나노구조 제어를 통한 monolithic 플렉서블 에너지 하베스팅 소자 개발"(총 연구기간 : 2009.05.01~2012.04.30, 당해년도연구기간 : 2011.05.01~2012.04.30, 주관기관 : 교육과학기술부 (한국연구재단), 과제번호 : 2009-0077682) 40%, 및 "형태변환형 정보 입력용 센서연구"(총 연구기간 : 2009.09.01~2016.02.29, 당해년도연구기간 : 2011.03.01~2012.02.28, 주관기관 : 교육과학기술부 (한국연구재단), 과제번호 : 2011-0006273) 10%의 과제를 통해 나온 결과물이다.
최근 유연한 폴리머 기판 위에 1차원 산화 아연 나노로드(nanorod)를 이용한 압전 에너지 발전 소자에 대해 개발되었다.
이러한 1차원 산화 아연 나노로드를 이용한 압전 에너지 발전 소자는 대한민국 등록특허 제 10-0851499호에서 개시되어 있다. 1차원 산화아연 나노로드를 이용한 압전 에너지 발전 소자는 대량으로 제조가 가능하다는 장점을 갖고 있지만, 이러한 압전 소자는 큰 기계적 힘이 주어질 경우 기계적 힘에 취약하다는 단점을 갖고 있으며, 또한 출력이 낮다는 단점도 갖고 있다.
이러한 1차원 산화아연 나노로드의 취약한 기계적 성질을 보완하고 고출력을 가진 압전 에너지 발전 소자에 대해 항상 요구가 있어왔고, 본 발명은 이러한 단점들을 개선한 압전 에너지 발전 소자에 관한 것이다.
본 발명은 물리적 에너지를 전기적 에너지로 전환시켜주는 압전 물질을 이용한 압전 에너지 발전 소자를 제공하고, 이때 2차원 산화아연 나노시트를 이용하여 기계적으로 안정하고 고출력의 압전 에너지 발전 소자를 제공하고자 함이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 일면에 알루미늄이 증착된 플라스틱, 종이, 유리 등과 같은 기판을 제공 또는 일면에 알루미늄 호일이 부착된 플라스틱, 종이, 유리 등과 같은 기판을 제공 하는 단계; 상기 알루미늄이 증착 또는 부착된 기판의 일면 상에 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계; 일면에 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 니켈 (Ni), 니켈-금 합금 (NiAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 티타늄-금 합금(TiAu), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 불소 함유 산화주석(FTO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene) 같은 전극이 증착, 전사된 플라스틱, 종이, 유리등과 같은 기판을 제공하는 단계; 나노전력발전소자를 제작하기 위해서 상기에서 언급된 전극 물질 중 1개 이상이 증착, 전사된 플라스틱, 종이, 유리등과 같은 기판을 상기 산화아연 나노시트 위에 부착하는 단계를 포함하는, 2차원 산화아연 나노시트 압전 에너지 발전 소자를 제작하는 방법을 제공한다.
본 발명의 추가적인 실시예에 따르면, 상기 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계는, 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시켜 성장 용액을 준비 또는 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(Zn(NO3)2 ·6H2O), 알루미늄 니트레이트 노나하이드레이트 (Al(NO3)3 ·9H2O)를 탈이온화된 물에 용해시켜 성장용액을 준비하고, 이 경우에는 pH조절을 위해서 NaOH and HNO3를 이용하며, 상기 일면에 알루미늄이 부착된 플라스틱 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시킨다.
본 발명에 따르면, 상기 일면에 알루미늄이 증착된 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어등과 같은 기판을 제공 또는 일면에 알루미늄 호일이 부착된 플라스틱, 종이, 유리등과 같은 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계는 1기압, 95℃에서 3시간 동안 이루어진다.
본 발명의 추가적인 실시예에 따르면, 2차원 산화아연 나노시트 압전 에너지 발전 소자로서, 일면에 알루미늄이 증착된 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어등과 같은 기판을 제공 또는 일면에 알루미늄 호일이 부착된 플라스틱, 종이, 유리등과 같은 기판; 상기 알루미늄이 증착 또는 부착된 기판의 일면 상에 습식 성장된 산화아연 나노시트; 및 일면에 금, 이 증착된 플라스틱 기판으로서, 금이 증착된 면이 상기 산화아연 나노시트와 접하도록 배치된, 일면에 금이 증착된 플라스틱 기판을 포함하는, 2차원 산화아연 나노시트 압전 에너지 발전 소자를 제공한다.
1차원 산화아연 나노로드의 취약한 기계적 성질을 보완하고 고출력을 가진 압전 에너지 발전 소자를 제공할 수 있어, 기계적으로 안정하고 고출력을 얻을 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자의 제조 방법의 순서도이다.
도 2는 알루미늄이 부착된 플라스틱 기판의 개략도이다.
도 3a는 기판 위에 산화아연 나노시트가 성장된 개략적인 모습이고, 도 3b는 이렇게 성장된 산화아연 나노시트의 실제 표면 이미지이다.
도 4는 금이 증착된 플라스틱 기판의 개략도이다.
도 5는 본 발명에 따른 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자의 개략도이다.
도 6a-6d은 나노로드 기반 압전 에너지 발전 소자와 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자의 기계적 안정성 및 출력을 나타내는 그래프, 그리고 SEM 사진이다.
하기 설명은 본 발명의 실시예에 대한 기본적인 이해를 제공하기 위해서 하나 이상의 실시예들의 간략화된 설명을 제공한다. 본 섹션은 모든 가능한 실시예들에 대한 포괄적인 개요는 아니며, 모든 엘리먼트들 중 핵심 엘리먼트를 식별하거나, 모든 실시예의 범위를 커버하고자 할 의도도 아니다. 그 유일한 목적은 후에 제시되는 상세한 설명에 대한 도입부로서 간략화된 형태로 하나 이상의 실시예들의 개념을 제공하기 위함이다.
도 1은 본 발명에 따른 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자의 제조 방법의 순서도이다.
먼저 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 제공(단계 110)하고, 알루미늄이 부착된 기판의 일면 상에 산화아연 나노시트를 습식 성장시키며(단계 120), 또한 일면에 전극이 증착된 기판을 준비하고(단계 130), 이렇게 전극이 증착된 기판의 전극이 증착된 일면이 산화아연 나노시트와 접하도록 전극이 증착된 플라스틱 기판을 산화아연 나노시트 위에 부착(단계 140)하게 된다. 이하에서는 각 단계별로 구체적으로 설명하도록 하겠다.
(1) 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 제공하는 단계 (단계 110)
ZnO 나노시트를 성장시킬 기판은 도 2와 같이 기판 위에 알루미늄 호일을 증착 또는 부착시켜 준비한다. 이 경우 기판은 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
(2) 나노시트를 습식 성장시키는 단계 (단계 120)
단계 110에서 준비된 알루미늄이 부착된 기판의 알루미늄이 부착된 일면 상에 산화아연 나노시트를 습식 성장시킨다.
이 경우 습식 성장은, 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시키거나 또는 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(Zn(NO3)2 ·6H2O), 알루미늄 니트레이트 노나하이드레이트 (Al(NO3)3 ·9H2O)를 탈이온화된 물에 용해시켜 성장 용액을 준비하고, 플라스틱 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키게 된다.
한편, 이 경우 pH를 조절하기 위해서 NaOH 및 HNO3를 이용한다.
예를 들어, Zn(NO3)26H2O 1.86g과 C6H12N4 0.87g을 DI-water 250mL에 용해시켜 성장 용액을 준비하였고, 미리 준비되어 있는 알루미늄 호일이 일면에 부착된 기판을 성장 용액에 넣어서 1기압, 95℃에서 3시간 동안 성장시켰다.
도 3a는 기판 위에 산화아연 나노시트가 성장된 개략적인 모습이고, 도 3b는 이렇게 성장된 산화아연 나노시트의 실제 표면 이미지이다.
(3) 전극이 증착된 기판을 준비하는 단계 (단계 130)
나노전력 발전 소자의 제작을 위해 도 4와 같이 유연한 플라스틱 기판 위에 열적 증발기(thermal evaporator)를 이용해 압전 에너지 발전 소자의 전극으로 이용 가능한 금(gold)을 100nm 증착시켰다.
이 경우 기판은 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
한편, 전극은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 니켈 (Ni), 니켈-금 합금 (NiAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 티타늄-금 합금(TiAu), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 불소 함유 산화주석(FTO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene) 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.
(4) 전극이 증착된 기판을 산화아연 나노시트 위에 부착하는 단계 (단계 140)
단계 130에서 준비된 금이 증착된 기판을 도 3a의 나노시트 위에 금이 증착된 면이 나노시트와 접하도록 물리적으로 부착시켜서 압전 에너지 발전 소자를 완성하게 된다. 이후 도 5에서 상부 전극인 Au 및 하부 전극인 Al에 실버페이스트 등을 이용해 도선을 연결한다.
도 5는 본 발명에 따른 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자의 개략도이다.
본 발명에 따른 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자는 습식 성장이 가능하며 도 3b에서 보는 것처럼 서로 네트워크되어 있어 1차원 구조인 산화아연 나노로드에 비해 훨씬 큰 기계적 에너지를 견딜 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자는 기존의 1차원 산화아연 나노로드 기반의 압전 에너지 발전 소자에 비해 3~4배 높은 출력 전압과 출력 전류 밀도를 가지며, 이러한 결과는 도 6에서 살펴볼 수 있다.
도 6a에서 보는 것처럼, 낮은 힘(1kgf)에서도 본 발명에 따른 2차원 산화아연 나노시트 기반 압전 에너지 발전 소자가 높은 출력을 보이며, 이후 가해지는 힘을 증가함에 따라 지속적으로 전류밀도가 증가함을 확인할 수 있다. 그러나, 나노로드 기반 압전 에너지 발전 소자의 경우에는 가해주는 힘이 증가함에 따라 지속적으로 전류 밀도가 감소하게 되는데, 그 이유는 힘이 커짐에 따라 나노로드가 기계적 힘을 견디지 못하고 파괴되기 때문이다.
도 6b는 나노로드와 나노시트의 기계적 특성을 분석한 데이터로서, 화살표 지점이 나노로드와 나노시트의 변형 임계 하중을 나타내며, 임계하중을 넘어갈 경우 나노로드는 부러지며 나노시트는 네트워크된 구조이기 때문에 부러지지 아니하고 변형은 있지만 서로 지탱할 수 있다. 이러한 모습은 도 6c에서 나노로드가 부서진 FE-SEM 사진과 도 6d에서 나노시트가 변형은 있지만 부서지지 않은 FE-SEM 사진을 통해 확인할 수 있다.
아래의 표는 도 6의 데이터를 바탕으로 계산을 하였을 때 나노로드는 탄성계수가 높은 반면 나노시트에 비해서 낮은 변형 에너지를 갖기 때문에 쉽게 부러짐을 알 수 있음을 나타내는 표 1이다.
표 1
나노시트 나노로드
임계 하중(N) 5.56E-5 1.17E-4
길이(m) 3.00E-6 2.00E-6
면적(m2) 3.83E-14 5.02E-13
변형 에너지(J) 9.50E-12 8.05E-12
변형 에너지 밀도(J/m3) 7.90E+7 7.50E+6
탄성 계수; 영스 모듈러스(Pa) 1.35E+10 1.18E+11
제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 제공하는 단계;
    상기 알루미늄이 부착된 기판의 일면 상에 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계;
    일면에 전극이 증착된 기판을 제공하는 단계;
    상기 전극이 증착된 기판의 전극이 증착된 일면이 상기 산화아연 나노시트와 접하도록 상기 전극이 증착된 기판을 상기 산화아연 나노시트 위에 부착하는 단계를 포함하는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계는,
    징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시키거나 또는 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(Zn(NO3)2 ·6H2O), 알루미늄 니트레이트 노나하이드레이트 (Al(NO3)3 ·9H2O)를 탈이온화된 물에 용해시켜 성장 용액을 준비하는 단계; 및
    상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계를 포함하는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 성장 용액을 준비하는 단계에서, pH 조절을 위해 NaOH 및 HNO3를 이용하는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계는 1기압, 95℃에서 3시간 동안 이루어지는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어 중 어느 하나 이상으로 이루어지고,
    상기 전극은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 니켈 (Ni), 니켈-금 합금 (NiAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 티타늄-금 합금(TiAu), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 불소 함유 산화주석(FTO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene) 중 어느 하나 이상으로 이루어진,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법.
  6. 일면에 알루미늄이 부착된 플라스틱 기판을 제공하는 단계;
    상기 알루미늄이 부착된 기판의 일면 상에 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계로서, 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시켜 성장 용액을 준비하는 단계; 및 상기 일면에 알루미늄이 부착된 플라스틱 기판을 성장 용액 안에 넣어 1기압, 95℃에서 3시간 동안 성장시키는 단계를 포함하는, 산화아연 나노시트를 습식 성장시키는 단계;
    일면에 금이 증착된 플라스틱 기판을 제공하는 단계;
    상기 금이 증착된 플라스틱 기판의 금이 증착된 일면이 상기 산화아연 나노시트와 접하도록 상기 금이 증착된 플라스틱 기판을 상기 산화아연 나노시트 위에 부착하는 단계를 포함하는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자를 제작하는 방법.
  7. 2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자로서,
    일면에 알루미늄이 부착된 기판;
    상기 알루미늄이 부착된 기판의 일면 상에 습식 성장된 산화아연 나노시트; 및
    일면에 전극이 증착된 기판으로서, 전극이 증착된 면이 상기 산화아연 나노시트와 접하도록 배치된, 일면에 전극이 증착된 기판을 포함하는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 산화아연 나노시트의 습식 성장은,
    징크 니트레이트 헥사하이드레이트(zinc nitrate hexahydrate, Zn(NO3)26H2O)와 헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine, C6H12N4)을 탈이온화된 물(Deionized Water)에 용해시키거나 또는 징크 니트레이트 헥사하이드레이트(Zn(NO3)2 ·6H2O), 알루미늄 니트레이트 노나하이드레이트 (Al(NO3)3 ·9H2O)를 탈이온화된 물에 용해시켜 성장 용액을 준비하는 단계; 및
    상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계에 의해 이루어지는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 성장 용액을 준비하는 단계에서, pH 조절을 위해 NaOH 및 HNO3를 이용하는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 일면에 알루미늄이 부착된 기판을 성장 용액 안에 넣어 성장시키는 단계는 1기압, 95℃에서 3시간 동안 이루어지는,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 플라스틱, 종이, 유리, 사파이어 중 어느 하나 이상으로 이루어지고,
    상기 전극은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 팔라듐-금 합금(PdAu), 니켈 (Ni), 니켈-금 합금 (NiAu), 루테늄(Ru), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 티타늄-금 합금(TiAu), 알루미늄(Al), 인주석 산화물(ITO), 불소 함유 산화주석(FTO), 갈륨아연산화물(GZO), 탄소나노튜브(CNT) 및 그래핀 (graphene) 중 어느 하나 이상으로 이루어진,
    2차원 산화아연 나노시트 기반 발전 소자.
PCT/KR2012/011189 2011-12-23 2012-12-20 2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발전 소자 WO2013095013A1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/367,540 US20150179922A1 (en) 2011-12-23 2012-12-20 Two-dimensional zinc-oxide nanosheet-based power generation device and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0141104 2011-12-23
KR1020110141104A KR101360839B1 (ko) 2011-12-23 2011-12-23 2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발전 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013095013A1 true WO2013095013A1 (ko) 2013-06-27

Family

ID=48668820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2012/011189 WO2013095013A1 (ko) 2011-12-23 2012-12-20 2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발전 소자

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150179922A1 (ko)
KR (1) KR101360839B1 (ko)
WO (1) WO2013095013A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160062463A1 (en) * 2014-08-13 2016-03-03 The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University Nanowire enabled paper based haptic interfaces
KR101573652B1 (ko) 2014-10-23 2015-12-01 성균관대학교산학협력단 산화아연 나노시트 구조물 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화아연 나노시트 구조물을 포함하는 전자장치와 터치센서장치
US10298152B2 (en) * 2015-04-20 2019-05-21 Lawrence Livermore National Security, Llc Harvesting mechanical and thermal energy by combining nanowires and phase change materials
KR101684947B1 (ko) 2015-05-08 2016-12-09 울산과학기술원 태양전지의 비반사막 제조방법
GB2555835B (en) * 2016-11-11 2018-11-28 Novosound Ltd Ultrasound transducer
TWI626775B (zh) * 2017-08-22 2018-06-11 研能科技股份有限公司 致動器
KR102124975B1 (ko) * 2017-11-16 2020-06-22 성균관대학교 산학협력단 층상형 ZnBi, ZnBi 나노시트 및 이들의 제조방법
CN109261155B (zh) * 2018-09-25 2021-05-07 中南大学 一种碳纳米管/铜锌合金复合材料及其制备方法和应用
CN111913173B (zh) * 2020-08-03 2023-07-28 鹤岗市振金石墨烯新材料研究院 8mm波段参数可调太赫兹辐射源

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070036499A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 재단법인서울대학교산학협력재단 나노 구조체의 제조 방법
KR100852684B1 (ko) * 2007-04-26 2008-08-19 연세대학교 산학협력단 선택적 산화아연 나노선의 제조방법
KR20100073972A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 삼성전자주식회사 전기 에너지 발생 장치 및 그 제조 방법
KR20110011167A (ko) * 2009-07-28 2011-02-08 성균관대학교산학협력단 나노월을 포함하는 산화아연계 2차원 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 산화아연계 2차원 나노 구조체
KR20110021637A (ko) * 2009-08-25 2011-03-04 삼성전자주식회사 전기 에너지 발생 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6979489B2 (en) * 2002-05-15 2005-12-27 Rutgers, The State University Of New Jersey Zinc oxide nanotip and fabricating method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070036499A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 재단법인서울대학교산학협력재단 나노 구조체의 제조 방법
KR100852684B1 (ko) * 2007-04-26 2008-08-19 연세대학교 산학협력단 선택적 산화아연 나노선의 제조방법
KR20100073972A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 삼성전자주식회사 전기 에너지 발생 장치 및 그 제조 방법
KR20110011167A (ko) * 2009-07-28 2011-02-08 성균관대학교산학협력단 나노월을 포함하는 산화아연계 2차원 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 산화아연계 2차원 나노 구조체
KR20110021637A (ko) * 2009-08-25 2011-03-04 삼성전자주식회사 전기 에너지 발생 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101360839B1 (ko) 2014-02-12
US20150179922A1 (en) 2015-06-25
KR20130073323A (ko) 2013-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013095013A1 (ko) 2차원 산화아연 나노시트 기반 나노전력발전소자의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발전 소자
Kim et al. Fully stretchable optoelectronic sensors based on colloidal quantum dots for sensing photoplethysmographic signals
US8829767B2 (en) Large-scale fabrication of vertically aligned ZnO nanowire arrays
Kaushik et al. Textile-based electronic components for energy applications: principles, problems, and perspective
Choi et al. Nanoscale networked single-walled carbon-nanotube electrodes for transparent flexible nanogenerators
US10034382B2 (en) Method of manufacturing a flexible and/or stretchable electronic device
US20130127299A1 (en) Piezoelectric device of polymer
US9368710B2 (en) Transparent flexible nanogenerator as self-powered sensor for transportation monitoring
CN109323781A (zh) 一种制备柔性自供能集成压力传感阵列的方法
Hou et al. Prospects and challenges of flexible stretchable electrodes for electronics
EP1432050A3 (en) Large organic devices and methods of fabricating large organic devices
KR101449746B1 (ko) 압전 소자층을 포함하는 하이브리드 태양전지 및 이의 제조방법
CN108333227B (zh) 一种柔性气体传感器及其制备方法
Jheng et al. Conductive films based on sandwich structures of carbon nanotubes/silver nanowires for stretchable interconnects
KR20240060767A (ko) 도전체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
Park et al. Piezoelectric BaTiO3 microclusters and embossed ZnSnO3 microspheres-based monolayer for highly-efficient and flexible composite generator
KR101743221B1 (ko) 투명하고 신축성 있는 동작 센서 제조 방법
Bai et al. An intrinsically stretchable aqueous Zn-MnO2 battery based on microcracked electrodes for self-powering wearable electronics
Tang et al. Flexible perovskite solar cells: Materials and devices
Kar et al. Nature-driven biocompatible epidermal electronic skin for real-time wireless monitoring of human physiological signals
US10215164B2 (en) Fabric-based piezoelectric energy harvesting
Tran et al. Copper nanowire-sealed titanium dioxide/poly (dimethylsiloxane) electrode with an in-plane wavy structure for a stretchable capacitive strain sensor
KR101524069B1 (ko) 나노 물질층을 포함하는 적층형 투명 전극
Zeng et al. Highly conductive carbon-based e-textile for gesture recognition
Sun et al. Synchronously improved reliability, figure of merit and adhesion of flexible copper nanowire networks by chitosan transition

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12860256

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14367540

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12860256

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1