WO2013092098A1 - Circuit carrier with a separate rf circuit and method for populating such a circuit carrier - Google Patents

Circuit carrier with a separate rf circuit and method for populating such a circuit carrier Download PDF

Info

Publication number
WO2013092098A1
WO2013092098A1 PCT/EP2012/073329 EP2012073329W WO2013092098A1 WO 2013092098 A1 WO2013092098 A1 WO 2013092098A1 EP 2012073329 W EP2012073329 W EP 2012073329W WO 2013092098 A1 WO2013092098 A1 WO 2013092098A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
circuit
layer
component
circuit carrier
substrate
Prior art date
Application number
PCT/EP2012/073329
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Florian Poprawa
Christina Schindler
Jörg ZAPF
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Publication of WO2013092098A1 publication Critical patent/WO2013092098A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6688—Mixed frequency adaptations, i.e. for operation at different frequencies

Definitions

  • the invention relates to a circuit carrier having at least one component and an RF circuit, wherein the RF circuit is mounted separately from the at least one component on egg ⁇ nem HF-capable substrate. Furthermore, the invention relates to a method for populating a circuit carrier having at least one component and an HF circuit, in which the RF circuit is mounted separately from the component on an HF-compatible substrate. Scarf ⁇ tion carrier of this type are known. These are often equipped with electronic components, which are not in the
  • HF high frequency range
  • These components can be used on comparatively low ⁇ cost circuit carriers, such.
  • DIE se circuit carrier for a building ei ⁇ ner RF circuit.
  • HF-compatible substrates must be used, which cause higher initial costs.
  • the implemented RF circuit may optionally consist of assembled RF components or RF components that can not be finished, but for example in
  • HF-compatible substrate be used on which the HF circuit is realized. This can then be equipped as a component on ei ⁇ nem more cost-effective circuit substrate on which also other components can be placed, which are not operated as an RF circuit.
  • RF circuits should be understood as circuits operated at frequencies greater than 3 MHz.
  • RF-compatible substrates are substrates in which Ver ⁇ losses can be kept low in the substrate during operation of the RF circuit.
  • RF circuits are used in particular in mobile radio, radio, television, radar and satellite technology when it comes to the transmission of
  • the RF circuits are responsible for signal generation, transmission and reception of signals and signal processing.
  • the object of the invention is to provide a Heidelbergungsträ ⁇ carrier with an RF circuit and a method for producing such a circuit substrate with an RF circuit in which the manufacturing cost is comparatively small.
  • the RF-compatible substrate is designed as located on the circuit substrate dielectric base layer of a composite layer, wherein the composite layer has an RF component consisting of a structured metal layer on the base layer ,
  • the Ba ⁇ sislage used insofar as the substrate for the RF circuit, as this can be built up on the dielectric base layer.
  • the base layer separates the HF circuit from the remaining circuit carrier, so that the conditions for mounting the HF circuit are created by suitable choice of the material of the base layer.
  • the remaining circuit carrier but consist of relatively inexpensive material.
  • the RF component which is part of the RF circuit, according OF INVENTION ⁇ dung also generated in layer technology on the base sheet.
  • an inexpensive method is advantageously available for producing the HF component, for example an antenna.
  • Such components are often produced anyway in layer technology, the Prozes ⁇ tion now takes place directly on the circuit substrate, so that in the stratification technology of the circuit substrate, for example, for the production of the tracks and the Base layer and the structured metal layer of the Schichtverbun ⁇ can be made for the RF circuit.
  • the RF circuit is mounted separately from the at least one device on an RF-capable substrate is to be understood in that the at least one device (typically the multiple devices) and the RF circuitry have separate components on the RF device Form circuit carrier.
  • the invention provides that the RF circuit is located on the base layer and the at least one
  • the min ⁇ least one component is located directly on the circuit carrier, wel ⁇ ches is made of an inexpensive, non-HF-compatible material.
  • the metal layer has a metallic reinforcing layer.
  • the ⁇ not manoeuvrable for producing the RF component metallic material may thus be applied in two process steps ⁇ .
  • a first process step can be carried out in a deposition of a comparatively thin layer on the base layer, for example by deposition methods such as PVD method or CVD method. This results in a starting layer, which can then advantageously be used by a much more cost-effective electrochemical coating process for a further application of material in the form of the reinforcing layer.
  • the base layer passages for electrical Kontak- ttechnik with the circuit substrate is provided in the base layer passages for electrical Kontak- ttechnik with the circuit substrate.
  • the HF circuit is contacted in a simple manner with printed conductors, which are located on the circuit carrier, with short paths through the passages.
  • an HF component is integrated in the layer composite which is electrically contacted with the HF component.
  • the electrical contact can be made at least partially by the structured metal layer available. A suitable structuring of the metal layer is required in this case.
  • the contacting of the RF component with an RF component thus allows components for signal ⁇ processing and signal generation of the RF signals can be integrated into the RF circuit. These are placed on the layers of the laminar composite at a suitable time and electrically contacted. Then can possibly take place a white ⁇ tere production of layers of the layer composite, which may also be above the installed RF component.
  • the HF components themselves are equipped by conventional assembly procedures of the electronics assembly.
  • the electrical contact between the RF component and the RF component is at least partially formed by the structured metal layer.
  • the RF component can, for. B. are mounted on contact surfaces, which are provided by the structured metal layer.
  • the structuring of the necessary for contacting conductive paths may then advantageously in the same manufacturing step ⁇ SUC gene, which is also used for making the HF component.
  • a structured metallization on ⁇ comprises forming an electrical Shir ⁇ mung below the base layer.
  • the metallization can be ge ⁇ takes advantage of the remaining components on the circuitry shield the carrier from a disturbing influence of the RF circuit.
  • the shielding can be produced without much effort by processing additional layers of the layer composite to be produced. It is advantageous to only a small extra effort.
  • a dielectric separating layer and an electrically conductive shielding layer are provided on the HF component. These generate the already mentioned shielding effect on the side facing away from the circuit board side. As a result, an extensive shielding of the RF circuit in all directions can advantageously be realized. Also, the additional expenditure for the production of the dielectric separating layer and the conductive Schirmungslage is comparatively low, as well as the walls ⁇ ren components are already prepared in layer technology.
  • the dielectric separating layer it is also possible to additionally provide shielding layers, for example, so that the HF components provided in different superimposed metal layers are screened against one another.
  • the structure in several over- Overlying metal layers has the advantage that a particularly space-saving RF circuit can be constructed.
  • the above-mentioned object is achieved with the loading already-mentioned method according to the invention in that a base layer is applied to the scarf ⁇ tung carrier and structured as an RF-compatible substrate.
  • a metal layer is placed ⁇ placed on the base sheet and patterned to form the RF component.
  • the advantage of this method is primarily a possibility of producing the circuit substrate in a comparatively cost-effective way, as has already been explained in detail above.
  • contacts for the HF circuit are produced on the circuit carrier by structuring the base layer or by structuring a sacrificial layer applied to the base layer.
  • the base layer is structured, breakthroughs in the base layer can be produced, which can then be filled with conductive material. As a result, the base layer is bridged electrically conductive. If a sacrificial layer is used, the areas which are to remain uncoated in the subsequent production of the base layer are preserved by structuring the sacrificial layer in order to enable electrical bridging. After the base layer has been produced, the sacrificial layer can be removed from these areas, so that the openings are formed and can then be filled with electrically conductive material.
  • Figure 1 is a plan view of the mounting side of an exemplary embodiment of the invention scarf ⁇ tion carrier and
  • FIG. 1 shows a circuit carrier 11 as a top view, on which components 12 are fitted.
  • the circuit carrier is a standard printed circuit board made of FR4-based material.
  • the components are placed on Kon ⁇ tact surfaces 13.
  • the circuit carrier 11 has a layer composite 14, in which an RF circuit 15 is integrated.
  • This RF circuit consists of an RF component 16 and a wide ⁇ ren RF component 17 in the form of an antenna.
  • the layer composite 14 is spatially separated from the components 12, which are not RF components.
  • the RF circuit 15 is constructed separately from the components 12. This causes a region formed on the circuit substrate 11 through the layer composite, which is reserved exclusively for the RF circuit and a separate region outside the Schichtver ⁇ nationwide arise where the only structural elements are placed, which are not operated at high frequency, so no RF components are.
  • FIG. 2 it can be seen that the circuit carrier 11 is provided on its rear side 18 with a metal layer 19, which can be used as ground potential.
  • 11 passages 20 provided for are hen in the circuit substrate, through which a metallization 21 in the form of a located on the mounting side 22 of the circuit substrate 11 metal ⁇ location in the region of the laminate 14 located in formation electrically connected to the metal layer 19 on the back 18 is contacted.
  • the metallization is suitably structured in order to electrically and spatially separate the layer composite 14 from the contact surfaces 13.
  • a base layer 23 is applied to the metallization 21 in the region of the layered composite 14 which is being formed and to the HF component 16.
  • This can be made of a high frequency ⁇ suitable paint, z. As epoxy, which can be sprayed using a suitable mask.
  • the thickness of the base layer 23, which is made electrically insulating, is 10 - 500 ym.
  • the passages can also be generated by laser ablation as an alternative to the photostructuring.
  • the layer composite 14, as Darge ⁇ represents in Figure 3, supplemented by a metal layer 25, the gas phase senabscheidung means (sputtering or vapor deposition) is applied.
  • a copper-clad foil can also be applied by lamination.
  • the thickness of the metal layer 25 be ⁇ carries between 100 nm and 5 ym. This metal layer is at ⁇ closing through a metallic reinforcement layer 26 it ⁇ supplemented. This has a layer thickness of 10 - 50 ym and is applied by a more cost-effective compared to the vapor deposition electrochemical process.
  • al ⁇ lerdings is the application of a seed layer ( ⁇ said metal layer 25) necessary, as an electrochemical deposition dung on the electrically insulating base sheet 23 is not possible.
  • electrochemical coating process for example, electroless metallization by means of copper or a galvanic deposition into consideration.
  • 26 or on the Me ⁇ talllage 23
  • the metal layer 25 and the reinforcing layer 26 are subsequently structured.
  • the contacting of this HF component 17 with the passage 24 was ensured, since this passage was filled with the coating material and in this way a direct electrical contact with a non-illustrated contact surface of the RF component 16 was carried out.
  • FIG. 4 further shows that a separating layer 27 which is complementary to the layer composite 14 can be applied to the HF component 17 from the material of the base layer 23. This is electrically insulating and additionally causes the
  • a corrosion protection Function of a corrosion protection.
  • On the separating layer 27 can then be applied for the purpose of electrical shielding a metallic shielding layer 28.
  • a kind of metallic cage around the RF circuit 15 around is then generated, so that this area does not have a RF-related influence on the separate of him rest area 29 of the circuit carrier.
  • the entire circuit ger can be additionally provided with a seal 30.

Abstract

The invention relates to a circuit carrier (11), on which customary (non-RF-suitable) components (12) can be combined with an RF circuit (15). The RF circuit (15) consists of RF components (16, 17) produced at least partly using layer technology. According to the invention, the RF circuit (15) is embodied as a layer composite assembly (14), wherein a dielectric base layer (23) serves as an RF-suitable substrate. Therefore, the circuit carrier (11) can be produced from a cost-effective, non-RF-suitable material, as a result of which material costs and production costs are advantageously saved. Alongside the circuit carrier, a method for producing it is also afforded protection.

Description

Beschreibung description
Schaltungsträger mit einer separaten HF-Schaltung und Verfahren zum Bestücken eines solchen Schaltungsträgers Circuit carrier with a separate RF circuit and method for assembling such a circuit carrier
Die Erfindung betrifft einen Schaltungsträger mit mindestens einem Bauelement und einer HF-Schaltung, wobei die HF- Schaltung separat von dem mindestens einem Bauelement auf ei¬ nem HF-tauglichen Substrat montiert ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Bestücken eines Schaltungsträgers mit mindestens einem Bauelement und einer HF- Schaltung, bei dem die HF-Schaltung separat von dem Bauelement auf einem HF-tauglichen Substrat montiert wird. Schal¬ tungsträger dieser Art sind bekannt. Diese werden vielfach mit elektronischen Bauelementen bestückt, welche nicht imThe invention relates to a circuit carrier having at least one component and an RF circuit, wherein the RF circuit is mounted separately from the at least one component on egg ¬ nem HF-capable substrate. Furthermore, the invention relates to a method for populating a circuit carrier having at least one component and an HF circuit, in which the RF circuit is mounted separately from the component on an HF-compatible substrate. Scarf ¬ tion carrier of this type are known. These are often equipped with electronic components, which are not in the
Hochfrequenzbereich betrieben werden (HF steht für Hochfrequenz) . Diese Bauelemente können auf vergleichsweise kosten¬ günstigen Schaltungsträgern, wie z. B. Standard-Leiterplatten (FR4-basiert ) aufgebaut werden. Andererseits eignen sich die- se Schaltungsträger allerdings nicht für einen Aufbau von ei¬ ner HF-Schaltung. Hierzu müssen HF-taugliche Substrate zum Einsatz kommen, die höhere Anschaffungskosten verursachen. Die realisierte HF-Schaltung kann wahlweise aus bestückten HF-Bauelementen bestehen oder aus HF-Komponenten, die nicht fertig bezogen werden können, sondern beispielsweise in High frequency range are operated (HF stands for high frequency). These components can be used on comparatively low ¬ cost circuit carriers, such. B. standard printed circuit boards (FR4-based) are constructed. On the other hand, however, are not suitable DIE se circuit carrier for a building ei ¬ ner RF circuit. For this purpose, HF-compatible substrates must be used, which cause higher initial costs. The implemented RF circuit may optionally consist of assembled RF components or RF components that can not be finished, but for example in
Schichttechnologie direkt auf dem HF-tauglichen Substrat her¬ gestellt werden. Layer technology directly on the HF-compatible substrate forth ¬ made.
Um eine wirtschaftliche Lösung zur Verfügung zu stellen, wird gemäß der DE 199 51 371 AI vorgeschlagen, dass ein HF- taugliches Substrat verwendet wird, auf dem die HF-Schaltung realisiert wird. Dieses kann dann wie ein Bauelement auf ei¬ nem kostengünstigeren Schaltungsträger bestückt werden, auf dem außerdem weitere Bauelemente platziert werden können, die nicht als HF-Schaltung betrieben werden. Als HF-Schaltungen sollen Schaltungen verstanden werden, die mit Frequenzen von mehr als 3 MHz betrieben werden. Als HF-taugliche Substrate dienen Substrate, bei denen Ver¬ luste in dem Substrat während des Betriebs der HF-Schaltung gering gehalten werden können. HF-Schaltungen werden insbesondere in der Mobilfunk-, Radio-, Fernseh-, Radar- und Sa- tellitentechnik verwendet, wenn es um die Übertragung vonIn order to provide an economical solution, DE 199 51 371 A1 proposes that an HF-compatible substrate be used on which the HF circuit is realized. This can then be equipped as a component on ei ¬ nem more cost-effective circuit substrate on which also other components can be placed, which are not operated as an RF circuit. RF circuits should be understood as circuits operated at frequencies greater than 3 MHz. As an RF-compatible substrates are substrates in which Ver ¬ losses can be kept low in the substrate during operation of the RF circuit. RF circuits are used in particular in mobile radio, radio, television, radar and satellite technology when it comes to the transmission of
Funksignalen geht. Die HF-Schaltungen sind dabei zur Signal- generierung dem Senden und Empfangen von Signalen und der SignalVerarbeitung verantwortlich . Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Schaltungsträ¬ ger mit einer HF-Schaltung bzw. ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Schaltungsträgers mit einer HF-Schaltung anzugeben, bei dem der Herstellungsaufwand vergleichsweise klein ist. Radio signals goes. The RF circuits are responsible for signal generation, transmission and reception of signals and signal processing. The object of the invention is to provide a Schaltungsträ ¬ carrier with an RF circuit and a method for producing such a circuit substrate with an RF circuit in which the manufacturing cost is comparatively small.
Diese Aufgabe wird mit dem eingangs angegebenen Schaltungs¬ träger erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das HF-taugliche Substrat als auf dem Schaltungsträger befindliche dielektrische Basislage eines Schichtverbundes ausgeführt ist, wobei der Schichtverbund eine HF-Komponente aufweist, die aus einer strukturierten Metalllage auf der Basislage besteht. Die Ba¬ sislage dient insofern als Substrat für die HF-Schaltung, als diese auf der dielektrischen Basislage aufgebaut werden kann. Dadurch trennt nach Herstellung des Schaltungsträgers die Ba- sislage die HF-Schaltung von dem restlichen Schaltungsträger, so dass durch geeignete Wahl des Materials der Basislage die Voraussetzungen für die Montage der HF-Schaltung geschaffen werden. Vorteilhaft kann der restliche Schaltungsträger aber aus vergleichsweise kostengünstigem Material bestehen. Die HF-Komponente, die Teil der HF-Schaltung ist, wird erfin¬ dungsgemäß ebenfalls in Schichttechnologie auf der Basislage erzeugt. Hierdurch steht vorteilhaft ein kostengünstiges Ver¬ fahren zur Verfügung, um die HF-Komponente, beispielsweise eine Antenne, herzustellen. Derartige Bauteile werden häufig ohnehin in Schichttechnologie hergestellt, wobei die Prozes¬ sierung nun direkt auf dem Schaltungsträger erfolgt, so dass bei der schichttechnologischen Bearbeitung des Schaltungsträgers beispielsweise zur Herstellung der Leiterbahnen auch die Basislage und die strukturierte Metalllage des Schichtverbun¬ des für die HF-Schaltung hergestellt werden kann. This object is achieved with the circuit ¬ specified carrier according to the invention that the RF-compatible substrate is designed as located on the circuit substrate dielectric base layer of a composite layer, wherein the composite layer has an RF component consisting of a structured metal layer on the base layer , The Ba ¬ sislage used insofar as the substrate for the RF circuit, as this can be built up on the dielectric base layer. As a result, after production of the circuit carrier, the base layer separates the HF circuit from the remaining circuit carrier, so that the conditions for mounting the HF circuit are created by suitable choice of the material of the base layer. Advantageously, the remaining circuit carrier but consist of relatively inexpensive material. The RF component which is part of the RF circuit, according OF INVENTION ¬ dung also generated in layer technology on the base sheet. As a result, an inexpensive method is advantageously available for producing the HF component, for example an antenna. Such components are often produced anyway in layer technology, the Prozes ¬ tion now takes place directly on the circuit substrate, so that in the stratification technology of the circuit substrate, for example, for the production of the tracks and the Base layer and the structured metal layer of the Schichtverbun ¬ can be made for the RF circuit.
Die Tatsache, dass die HF-Schaltung separat von dem mindes- tens einen Bauelement auf einem HF-tauglichen Substrat montiert ist, ist dahingehend zu verstehen, dass das mindestens eine Bauelement (typischerweise die mehreren Bauelemente) und die HF-Schaltung separate Baugruppen auf dem Schaltungsträger bilden. Hierbei ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass die HF- Schaltung auf der Basislage liegt und das mindestens eineThe fact that the RF circuit is mounted separately from the at least one device on an RF-capable substrate is to be understood in that the at least one device (typically the multiple devices) and the RF circuitry have separate components on the RF device Form circuit carrier. In this case, the invention provides that the RF circuit is located on the base layer and the at least one
Bauelement, welches der HF-Schaltung nicht angehört, separat hiervon außerhalb der Basislage. Insbesondere liegt das min¬ destens eine Bauelement direkt auf dem Schaltungsträger, wel¬ ches aus einem kostengünstigen, nicht HF-tauglichen Material hergestellt ist. Component, which does not belong to the RF circuit, separately from it outside the base position. In particular, the min ¬ least one component is located directly on the circuit carrier, wel ¬ ches is made of an inexpensive, non-HF-compatible material.
Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Metalllage eine metallische Verstärkungslage aufweist. Hierdurch wird die Herstellung der HF-Komponente weiterhin vereinfacht. Das für die Herstellung der HF-Komponente not¬ wendige metallische Material kann damit in zwei Prozess¬ schritten aufgebracht werden. Ein erster Prozessschritt kann in einer Aufbringung einer vergleichsweise dünnen Lage auf die Basislage beispielsweise durch Abscheideverfahren wie PVD-Verfahren oder CVD-Verfahren erfolgen. Hierdurch entsteht eine Startschicht, die vorteilhaft anschließend durch einen sehr viel kostengünstigeren elektrochemischen Beschichtungs- prozess für einen weiteren Materialauftrag in Form der Verstärkungslage genutzt werden kann. According to one embodiment of the invention, it is provided that the metal layer has a metallic reinforcing layer. As a result, the production of the HF component is further simplified. The ¬ not manoeuvrable for producing the RF component metallic material may thus be applied in two process steps ¬. A first process step can be carried out in a deposition of a comparatively thin layer on the base layer, for example by deposition methods such as PVD method or CVD method. This results in a starting layer, which can then advantageously be used by a much more cost-effective electrochemical coating process for a further application of material in the form of the reinforcing layer.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, in der Basislage Durchgänge für eine elektrische Kontak- tierung mit dem Schaltungsträger vorzusehen. Hierdurch wird es vorteilhaft möglich, dass die HF-Schaltung mit kurzen We- gen durch die Durchgänge auf einfache Weise mit Leiterbahnen kontaktiert werden kann, die sich auf dem Schaltungsträger befinden. Hierdurch ist zum einen die Herstellung vereinfacht, zum anderen entfallen längere elektrische Leitpfade, die im Hochfrequenzbereich betrieben werden und auf diese Weise Störungen der auf dem Schaltungsträger realisierten Gesamtschaltung bewirken könnten. Weiterhin kann vorteilhaft vorgesehen werden, dass ein HF- Bauelement in den Schichtverbund integriert ist, das mit der HF-Komponente elektrisch kontaktiert ist. Hierbei kann die elektrische Kontaktierung zumindest teilweise auch durch die strukturierte Metalllage zur Verfügung gestellt werden. Eine geeignete Strukturierung der Metalllage ist in diesem Fall erforderlich. Die Kontaktierung der HF-Komponente mit einem HF-Bauelement ermöglicht damit, dass Bauelemente zur Signal¬ verarbeitung und Signalgenerierung der HF-Signale in die HF- Schaltung integriert werden können. Diese werden zu geeigne- ter Zeit auf die Lagen des Schichtverbundes aufgesetzt und elektrisch kontaktiert. Anschließend kann eventuell eine wei¬ tere Herstellung von Lagen des Schichtverbundes erfolgen, die auch oberhalb des verbauten HF-Bauelementes liegen können. Die HF-Bauelemente selbst werden durch übliche Montageverfah- ren der Elektronikmontage bestückt. According to another embodiment of the invention is provided in the base layer passages for electrical Kontak- tierung with the circuit substrate. This advantageously makes it possible for the HF circuit to be contacted in a simple manner with printed conductors, which are located on the circuit carrier, with short paths through the passages. As a result, on the one hand simplifies the production, on the other hand eliminates longer electrical conductive paths, which are operated in the high frequency range and could cause disturbances in the overall circuit realized on the circuit carrier in this way. Furthermore, it can advantageously be provided that an HF component is integrated in the layer composite which is electrically contacted with the HF component. In this case, the electrical contact can be made at least partially by the structured metal layer available. A suitable structuring of the metal layer is required in this case. The contacting of the RF component with an RF component thus allows components for signal ¬ processing and signal generation of the RF signals can be integrated into the RF circuit. These are placed on the layers of the laminar composite at a suitable time and electrically contacted. Then can possibly take place a white ¬ tere production of layers of the layer composite, which may also be above the installed RF component. The HF components themselves are equipped by conventional assembly procedures of the electronics assembly.
Weiterhin kann vorteilhaft vorgesehen werden, dass die elektrische Kontaktierung zwischen der HF-Komponente und dem HF- Bauelement zumindest teilweise durch die strukturierte Me- talllage gebildet ist. Hierdurch kann vorteilhaft weiterer Fertigungsaufwand eingespart werden. Das HF-Bauelement kann z. B. auf Kontaktflächen montiert werden, die durch die strukturierte Metalllage zur Verfügung gestellt werden. Die Strukturierung der zur Kontaktierung notwendigen Leitpfade kann dann vorteilhaft in demselben Fertigungsschritt erfol¬ gen, welcher auch zur Herstellung der HF-Komponente genutzt wird . Furthermore, it can be advantageously provided that the electrical contact between the RF component and the RF component is at least partially formed by the structured metal layer. This can advantageously be saved further manufacturing effort. The RF component can, for. B. are mounted on contact surfaces, which are provided by the structured metal layer. The structuring of the necessary for contacting conductive paths may then advantageously in the same manufacturing step ¬ SUC gene, which is also used for making the HF component.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgese- hen, dass das Substrat eine strukturierte Metallisierung auf¬ weist, welche unterhalb der Basislage eine elektrische Schir¬ mung bildet. Hierbei kann vorteilhaft die Metallisierung ge¬ nutzt werden, die restlichen Bauelemente auf dem Schaltungs- träger von einem störenden Einfluss der HF-Schaltung abzuschirmen. Die Schirmung lässt sich ohne großen Aufwand durch Prozessieren zusätzlicher Lagen des herzustellenden Schichtverbundes erzeugen. Dabei fällt vorteilhaft nur ein geringer Mehraufwand an. According to another embodiment of the invention Provision is made for the substrate, a structured metallization on ¬ comprises forming an electrical Shir ¬ mung below the base layer. Here, the metallization can be ge ¬ takes advantage of the remaining components on the circuitry shield the carrier from a disturbing influence of the RF circuit. The shielding can be produced without much effort by processing additional layers of the layer composite to be produced. It is advantageous to only a small extra effort.
Erfindungsgemäß kann noch vorgesehen werden, dass auf der HF- Komponente eine dielektrische Trennlage und eine elektrisch leitfähige Schirmungslage vorgesehen sind. Diese erzeugen die bereits angesprochene Schirmungswirkung auch auf der von dem Schaltungsträger abgewandten Seite. Hierdurch kann vorteilhaft eine weitgehende Schirmung der HF-Schaltung in allen Richtungen verwirklicht werden. Auch der Mehraufwand für die Herstellung der dielektrischen Trennlage und der leitfähigen Schirmungslage ist vergleichsweise gering, da auch die ande¬ ren Komponenten bereits in Schichttechnologie hergestellt werden . According to the invention, it can also be provided that a dielectric separating layer and an electrically conductive shielding layer are provided on the HF component. These generate the already mentioned shielding effect on the side facing away from the circuit board side. As a result, an extensive shielding of the RF circuit in all directions can advantageously be realized. Also, the additional expenditure for the production of the dielectric separating layer and the conductive Schirmungslage is comparatively low, as well as the walls ¬ ren components are already prepared in layer technology.
Vorteilhaft ist es, wenn die Basislage und/oder die Trennlage aus einer laminierten Teflonfolie oder einer Epoxidlage be¬ stehen. Hierbei handelt es sich um Erzeugungsverfahren für einzelne Schichtlagen, die weitgehend erprobt sind und eine hohe Prozesssicherheit gewährleisten. Außerdem ist es vorteilhaft, wenn die HF-Komponente mit einer metallischen Korrosionsschutzschicht versehen ist. Hierdurch wird die Funktion des Schaltungsträgers auch über längere Zeiträume und in korrosiven Umgebungen gewährleistet. Dies vergrößert vorteilhaft die Zuverlässigkeit des Schaltungsträ- gers . Außerdem ist es vorteilhaft, wenn mehrere HF- Komponenten in übereinander liegenden Metalllagen vorgesehen sind, die jeweils zumindest durch eine dielektrische Trennla¬ ge voneinander getrennt sind. Zusätzlich zu der dielektrischen Trennlage können beispielsweise auch Schirmungslagen zusätzlich vorgesehen werden, damit die in unterschiedlichen übereinanderliegenden Metalllagen vorgesehenen HF-Komponenten gegeneinander geschirmt werden. Der Aufbau in mehreren über- einanderliegenden Metalllagen hat den Vorteil, dass eine besonders platzsparende HF-Schaltung aufgebaut werden kann. , When the base layer and / or the separating layer of a laminated Teflon film or a Epoxidlage are be ¬ is advantageous. These are production methods for individual layers which have been largely tested and ensure high process reliability. Moreover, it is advantageous if the HF component is provided with a metallic corrosion protection layer. As a result, the function of the circuit substrate is ensured over longer periods and in corrosive environments. This advantageously increases the reliability of the circuit carrier. In addition, it is advantageous if a plurality of RF components are provided in superimposed metal layers, which are each separated at least by a dielectric Trennla ¬ ge. In addition to the dielectric separating layer, it is also possible to additionally provide shielding layers, for example, so that the HF components provided in different superimposed metal layers are screened against one another. The structure in several over- Overlying metal layers has the advantage that a particularly space-saving RF circuit can be constructed.
Weiterhin wird die eingangs angegebene Aufgabe mit dem be- reits erwähnten Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass als HF-taugliches Substrat eine Basislage auf dem Schal¬ tungsträger aufgebracht und strukturiert wird. In einem fol¬ genden Schritt wird eine Metalllage auf der Basislage aufge¬ bracht und unter Ausbildung der HF-Komponente strukturiert. Der Vorteil dieses Verfahrens ist vorrangig eine Möglichkeit der Herstellung des Schaltungsträgers auf vergleichsweise kostengünstigem Wege, wie dieses obenstehend schon eingehend erläutert wurde. Gemäß einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist überdies vorgesehen, dass Kontakte für die HF-Schaltung auf dem Schaltungsträger durch Strukturieren der Basislage oder durch Strukturieren einer auf der Basislage aufgebrachten Opferlage hergestellt werden. Hierbei werden grundsätz- lieh zwei Möglichkeiten zur Kontaktierung der HF-Schaltung mit dem Schaltungsträger zur Verfügung gestellt. Wird die Basislage strukturiert, so können Durchbrüche in der Basislage erzeugt werden, die anschließend mit leitfähigem Material aufgefüllt werden können. Hierdurch wird die Basislage elekt- risch leitend überbrückt. Wird eine Opferlage verwendet, so bleiben durch Strukturieren der Opferlage die Bereiche, die bei der nachfolgenden Herstellung der Basislage unbeschichtet bleiben sollen, erhalten, um eine elektrische Überbrückung zu ermöglichen. Nach Herstellung der Basislage kann die Opferla- ge aus diesen Bereichen entfernt werden, so dass die Durchbrüche entstehen und anschließend mit elektrisch leitfähigem Material ausgefüllt werden können. Furthermore, the above-mentioned object is achieved with the loading already-mentioned method according to the invention in that a base layer is applied to the scarf ¬ tung carrier and structured as an RF-compatible substrate. In a fol ¬ constricting step, a metal layer is placed ¬ placed on the base sheet and patterned to form the RF component. The advantage of this method is primarily a possibility of producing the circuit substrate in a comparatively cost-effective way, as has already been explained in detail above. According to one embodiment of the method according to the invention, it is additionally provided that contacts for the HF circuit are produced on the circuit carrier by structuring the base layer or by structuring a sacrificial layer applied to the base layer. In principle, two possibilities for contacting the RF circuit with the circuit carrier are made available. If the base layer is structured, breakthroughs in the base layer can be produced, which can then be filled with conductive material. As a result, the base layer is bridged electrically conductive. If a sacrificial layer is used, the areas which are to remain uncoated in the subsequent production of the base layer are preserved by structuring the sacrificial layer in order to enable electrical bridging. After the base layer has been produced, the sacrificial layer can be removed from these areas, so that the openings are formed and can then be filled with electrically conductive material.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben. Gleiche oder sich entsprechendeFurther details of the invention are described below with reference to the drawing. Same or appropriate
Zeichnungselemente sind in den einzelnen Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nur insoweit mehrfach erläutert, wie sich Unterschiede zwischen den einzelnen Figuren ergeben. Es zeigen: Drawing elements are each provided with the same reference numerals in the individual figures and are only insofar explained several times, how differences arise between the individual figures. Show it:
Figur 1 eine Aufsicht auf die Montageseite eines Aus- führungsbeispiels des erfindungsgemäßen Schal¬ tungsträgers und Figure 1 is a plan view of the mounting side of an exemplary embodiment of the invention scarf ¬ tion carrier and
Figur 2 bis 4 ausgewählte Schritte eines Ausführungsbei¬ spiels des erfindungsgemäßen Fertigungsverfah- rens, bei dem ein Schaltungsträger gemäß FigurFigure 2 to 4 selected steps of a Ausführungsbei ¬ game of the manufacturing process according to the invention, in which a circuit carrier according to FIG
1 hergestellt wird, im Schnitt. 1 is produced, on average.
In Figur 1 ist ein Schaltungsträger 11 als Aufsicht dargestellt, auf dem Bauelemente 12 bestückt sind. Bei dem Schal- tungsträger handelt es sich um eine Standard-Leiterplatte aus einem FR4-basierten Material. Die Bauelemente sind auf Kon¬ taktflächen 13 aufgesetzt. FIG. 1 shows a circuit carrier 11 as a top view, on which components 12 are fitted. The circuit carrier is a standard printed circuit board made of FR4-based material. The components are placed on Kon ¬ tact surfaces 13.
Außerdem weist der Schaltungsträger 11 einen Schichtverbund 14 auf, in den eine HF-Schaltung 15 integriert ist. Diese HF- Schaltung besteht aus einem HF-Bauelement 16 und einer weite¬ ren HF-Komponente 17 in Form einer Antenne. Der Schichtverbund 14 ist räumlich getrennt von den Bauelementen 12, die keine HF-Bauelemente sind. Hierdurch ist die HF-Schaltung 15 separat von den Bauelementen 12 aufgebaut. Dies bewirkt, dass auf dem Schaltungsträger 11 durch den Schichtverbund eine Region entsteht, die ausschließlich für die HF-Schaltung reserviert ist und eine separate Region außerhalb des Schichtver¬ bundes entsteht, in der ausschließlich Bauelemente platziert sind, die nicht hochfrequent betrieben werden, also keine HF- Bauelemente sind. In addition, the circuit carrier 11 has a layer composite 14, in which an RF circuit 15 is integrated. This RF circuit consists of an RF component 16 and a wide ¬ ren RF component 17 in the form of an antenna. The layer composite 14 is spatially separated from the components 12, which are not RF components. As a result, the RF circuit 15 is constructed separately from the components 12. This causes a region formed on the circuit substrate 11 through the layer composite, which is reserved exclusively for the RF circuit and a separate region outside the Schichtver ¬ nationwide arise where the only structural elements are placed, which are not operated at high frequency, so no RF components are.
Den Figuren 2 bis 4 kann einerseits der Aufbau des Schal¬ tungsträgers 11 gemäß Figur 1 entnommen werden. Außerdem kann anhand der Figuren 2 bis 4 ein Verfahren erläutert werden, mit dem der Schaltungsträger gemäß Figur 1 hergestellt und durch weitere Komponenten ergänzt werden kann. In Figur 2 ist zu erkennen, dass der Schaltungsträger 11 auf seiner Rückseite 18 mit einer Metallschicht 19 versehen ist, welche als Massepotential genutzt werden kann. Zu diesem Zweck sind in dem Schaltungsträger 11 Durchgänge 20 vorgese- hen, durch die eine Metallisierung 21 in Form einer auf der Montageseite 22 des Schaltungsträgers 11 befindlichen Metall¬ lage im Bereich des in Entstehung befindlichen Schichtverbundes 14 elektrisch mit der Metallschicht 19 auf der Rückseite 18 kontaktiert ist. Die Metallisierung ist geeignet struktu- riert, um den Schichtverbund 14 von den Kontaktflächen 13 elektrisch und räumlich zu trennen. Figures 2 to 4, the structure of the sound processing ¬ carrier on the one hand be 11 removed in FIG. 1 In addition, with reference to FIGS. 2 to 4, a method can be explained with which the circuit carrier according to FIG. 1 can be produced and supplemented by further components. In FIG. 2 it can be seen that the circuit carrier 11 is provided on its rear side 18 with a metal layer 19, which can be used as ground potential. For this purpose 11 passages 20 provided for are hen in the circuit substrate, through which a metallization 21 in the form of a located on the mounting side 22 of the circuit substrate 11 metal ¬ location in the region of the laminate 14 located in formation electrically connected to the metal layer 19 on the back 18 is contacted. The metallization is suitably structured in order to electrically and spatially separate the layer composite 14 from the contact surfaces 13.
Auf der strukturierten Metallisierung 21 werden auf die Kontaktflächen 13 in einem ersten Montageschritt die Bauelemente 12 sowie das HF-Bauelement 16 aufgesetzt. Anschließend wird eine Basislage 23 auf die Metallisierung 21 im Bereich des in Entstehung befindlichen Schichtverbundes 14 und auf das HF- Bauelement 16 aufgebracht. Diese kann aus einem hochfrequenz¬ tauglichen Lack, z. B. Epoxid bestehen, der unter Verwendung einer geeigneten Maske aufgespritzt werden kann. Alternativ kann eine Isolationsfolie, z. B. aus Teflon auflaminiert wer¬ den. Ist das Material fotosensitiv, kann dieses anschließend fotochemisch strukturiert werden. Auf diesem Weg lässt sich ein Durchgang 24 erzeugen, der in der Basislage liegt, und eine spätere Kontaktierung des HF-Bauelements 16 erlaubt. Die Dicke der Basislage 23, die elektrisch isolierend ausgeführt ist, liegt bei 10 - 500 ym. Die Durchgänge können alternativ zur Fotostrukturierung auch durch Laserablation erzeugt werden . On the structured metallization 21, the components 12 and the HF component 16 are placed on the contact surfaces 13 in a first assembly step. Subsequently, a base layer 23 is applied to the metallization 21 in the region of the layered composite 14 which is being formed and to the HF component 16. This can be made of a high frequency ¬ suitable paint, z. As epoxy, which can be sprayed using a suitable mask. Alternatively, an insulation film, for. B. laminated from Teflon ¬ who. If the material is photosensitive, this can then be photochemically structured. In this way, a passage 24 can be generated, which lies in the base position, and allows later contacting of the HF component 16. The thickness of the base layer 23, which is made electrically insulating, is 10 - 500 ym. The passages can also be generated by laser ablation as an alternative to the photostructuring.
Nachfolgend wird der Schichtverbund 14, wie in Figur 3 darge¬ stellt, durch eine Metalllage 25 ergänzt, die mittels Gaspha- senabscheidung (Sputtern oder Aufdampfen) aufgebracht wird. Alternativ kann auch eine kupferkaschierte Folie durch Lami- nation aufgebracht werden. Die Dicke der Metalllage 25 be¬ trägt zwischen 100 nm und 5 ym. Diese Metalllage wird an¬ schließend durch eine metallische Verstärkungslage 26 er¬ gänzt. Diese hat eine Schichtdicke von 10 - 50 ym und wird durch ein im Vergleich zur Gasphasenabscheidung kostengünstigeres elektrochemisches Verfahren aufgebracht. Hierzu ist al¬ lerdings die Aufbringung einer Startschicht (besagte Metall¬ schicht 25) erforderlich, da eine elektrochemische Abschei- dung auf der elektrisch isolierenden Basislage 23 nicht möglich ist. Als elektrochemische Beschichtungsverfahren kommen beispielsweise eine stromlose Metallisierung mittels Kupfer oder eine galvanische Abscheidung in Betracht. Zusätzlich kann auf die Verstärkungslage 26 (oder auf die Me¬ talllage 23) eine Korrosionsschutzschicht aufgebracht werden (in Figur 3 nicht dargestellt) . Diese kann ebenfalls metal¬ lisch sein und aus einem unedleren Metall als die Verstärkungslage 26 und/oder die Metalllage 23 bestehen. Hierdurch entsteht ein anodischer Korrosionsschutz. Subsequently, the layer composite 14, as Darge ¬ represents in Figure 3, supplemented by a metal layer 25, the gas phase senabscheidung means (sputtering or vapor deposition) is applied. Alternatively, a copper-clad foil can also be applied by lamination. The thickness of the metal layer 25 be ¬ carries between 100 nm and 5 ym. This metal layer is at ¬ closing through a metallic reinforcement layer 26 it ¬ supplemented. This has a layer thickness of 10 - 50 ym and is applied by a more cost-effective compared to the vapor deposition electrochemical process. For this purpose al ¬ lerdings is the application of a seed layer (¬ said metal layer 25) necessary, as an electrochemical deposition dung on the electrically insulating base sheet 23 is not possible. As electrochemical coating process, for example, electroless metallization by means of copper or a galvanic deposition into consideration. In addition, 26 (or on the Me ¬ talllage 23) has a corrosion protective coating to be applied (not shown in Figure 3) on the reinforcing layer. This may also be metal ¬ lisch and consist of a less noble metal than the reinforcement layer 26 and / or the metal layer 23rd This results in anodic corrosion protection.
Wie Figur 4 zu entnehmen ist, wird die Metalllage 25 sowie die Verstärkungslage 26 anschließend strukturiert. Hierdurch entsteht die in Figur 1 dargestellte HF-Komponente 17. Wäh- rend des Beschichtens wurde auch die Kontaktierung dieser HF- Komponente 17 durch den Durchgang 24 (vgl. Figur 2) sichergestellt, da dieser Durchgang mit dem Beschichtungsmaterial ausgefüllt wurde und auf diesem Wege eine direkte elektrische Kontaktierung mit einer nicht näher dargestellten Kontaktflä- che des HF-Bauelementes 16 erfolgte. As can be seen from FIG. 4, the metal layer 25 and the reinforcing layer 26 are subsequently structured. This results in the HF component 17 illustrated in FIG. 1. During the coating, the contacting of this HF component 17 with the passage 24 (see FIG. 2) was ensured, since this passage was filled with the coating material and in this way a direct electrical contact with a non-illustrated contact surface of the RF component 16 was carried out.
Figur 4 ist weiterhin zu entnehmen, dass auf die HF- Komponente 17 eine den Schichtverbund 14 ergänzende Trennlage 27 aus dem Material der Basislage 23 aufgebracht werden kann. Diese ist elektrisch isolierend und bewirkt zusätzlich dieFIG. 4 further shows that a separating layer 27 which is complementary to the layer composite 14 can be applied to the HF component 17 from the material of the base layer 23. This is electrically insulating and additionally causes the
Funktion eines Korrosionsschutzes. Auf der Trennlage 27 kann dann zum Zwecke der elektrischen Schirmung eine metallische Schirmungslage 28 aufgebracht werden. Zusammen mit der Metal¬ lisierung 21 wird dann eine Art metallischer Käfig um die HF- Schaltung 15 herum erzeugt, so dass dieser Bereich auf den von ihm getrennten Restbereich 29 des Schaltungsträgers 11 keinen HF-bedingten Einfluss hat. Der gesamte Schaltungsträ- ger kann zusätzlich mit einer Versiegelung 30 versehen werden . Function of a corrosion protection. On the separating layer 27 can then be applied for the purpose of electrical shielding a metallic shielding layer 28. Together with the metal ¬ capitalization 21 a kind of metallic cage around the RF circuit 15 around is then generated, so that this area does not have a RF-related influence on the separate of him rest area 29 of the circuit carrier. 11 The entire circuit ger can be additionally provided with a seal 30.

Claims

Patentansprüche claims
1. Schaltungsträger mit mindestens einem Bauelement (12) und einer HF-Schaltung (15), wobei die HF-Schaltung separat von dem mindestens einen Bauelement (12) auf einem HF-tauglichen Substrat montiert ist, 1. circuit carrier having at least one component (12) and an HF circuit (15), wherein the RF circuit is mounted separately from the at least one component (12) on an HF-capable substrate,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass d a d u r c h e c e n c i n e s that
das HF-taugliche Substrat als auf dem Schaltungsträger be¬ findliche dielektrische Basislage (23) eines Schichtverbundes (14) ausgeführt ist, wobei der Schichtverbund eine HF- Komponente (17) aufweist, die aus einer strukturierten Me¬ talllage (25) auf der Basislage besteht. the RF-compatible substrate and on the circuit substrate be ¬-sensitive dielectric base layer (23) of a layer composite (14) is carried out, wherein the layer composite has an RF component (17) consisting of a structured Me ¬ talllage (25) on the base sheet consists.
2. Schaltungsträger nach Anspruch 1, 2. circuit carrier according to claim 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass d a d u r c h e c e n c i n e s that
die Metalllage (25) eine metallische Verstärkungslage (26) aufweist . the metal layer (25) has a metallic reinforcement layer (26).
3. Schaltungsträger nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass 3. The circuit carrier according to one of the preceding claims, characterized in that a
in der Basislage (23) Durchgänge (24) für eine elektrische Kontaktierung mit dem Schaltungsträger vorgesehen sind. in the base layer (23) passages (24) are provided for electrical contacting with the circuit carrier.
4. Schaltungsträger nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass 4. The circuit carrier according to one of the preceding claims, characterized in that a
ein HF-Bauelement (16) in den Schichtverbund (14) integriert ist, das mit der HF-Komponente (17) elektrisch kontaktiert ist . an RF component (16) is integrated in the layer composite (14), which is electrically contacted with the RF component (17).
5. Schaltungsträger nach Anspruch 4, 5. circuit carrier according to claim 4,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass d a d u r c h e c e n c i n e s that
die elektrische Kontaktierung zwischen der HF-Komponente (17) und dem HF-Bauelement (16) zumindest teilweise durch die strukturierte Metalllage (25) gebildet ist. the electrical contact between the RF component (17) and the RF component (16) is at least partially formed by the structured metal layer (25).
6. Schaltungsträger nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass das Substrat eine strukturierte Metallisierung (21) aufweist, welche unterhalb der Basislage (23) eine elektrische Schir¬ mung bildet. 6. circuit carrier according to one of the preceding claims, characterized in that the substrate having a structured metallization (21) forming beneath the base layer (23) has an electrical Shir ¬ determination.
7. Schaltungsträger nach einem der voranstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass 7. The circuit carrier according to one of the preceding claims, characterized in that a
auf der HF-Komponente (17) eine dielektrische Trennlage (27) und eine elektrisch leitfähige Schirmungslage (28) vorgesehen sind . a dielectric separation layer (27) and an electrically conductive shielding layer (28) are provided on the HF component (17).
8. Schaltungsträger nach einem der voranstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass 8. The circuit carrier according to one of the preceding claims, characterized in that a
die Basislage (23) und/oder die Trennlage (27) aus einer la¬ minierten Teflonfolie oder einem Epoxid-Lack bestehen. the base layer (23) and / or the separating layer (27) consist of a la ¬ minierten Teflon film or an epoxy paint.
9. Schaltungsträger nach einem der voranstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass 9. The circuit carrier according to one of the preceding claims, characterized in that a
die HF-Komponente (17) mit einer metallischen Korrosions- Schutzschicht versehen ist. the HF component (17) is provided with a metallic corrosion protection layer.
10. Schaltungsträger nach einem der voranstehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass 10. The circuit carrier according to one of the preceding claims, characterized in that a
mehrere HF-Komponenten in übereinanderliegenden Metalllagen vorgesehen sind, die jeweils zumindest durch eine dielektri- sehe Trennlage voneinander getrennt sind. a plurality of RF components are provided in superimposed metal layers, which are each separated from each other at least by a dielectric separation layer.
11. Verfahren zum Bestücken eines Schaltungsträgers mit mindestens einem Bauelement (12) und einer HF-Schaltung (15), bei dem die HF-Schaltung (15) separat von dem Bauelement (12) auf einem HF-tauglichen Substrat montiert wird, 11. A method for populating a circuit carrier having at least one component (12) and an HF circuit (15), in which the HF circuit (15) is mounted separately from the component (12) on an HF-compatible substrate,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass d a d u r c h e c e n c i n e s that
- als HF-taugliches Substrat eine Basislage (23) auf dem Schaltungsträger aufgebracht und strukturiert wird und - As RF-suitable substrate, a base layer (23) is applied to the circuit substrate and structured and
- eine Metalllage (25) auf die Basislage (23) aufgebracht und unter Ausbildung der HF-Komponente (17) strukturiert wird . - Applied a metal layer (25) on the base layer (23) and structured to form the HF component (17).
12. Verfahren nach Anspruch 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass 12. The method according to claim 11, characterized in that
Kontakte für die HF-Schaltung auf dem Schaltungsträger durch Strukturieren der Basislage oder durch Strukturieren einer vor der Basislage aufgebrachten Opferlage hergestellt werden. Contacts for the RF circuit can be made on the circuit carrier by structuring the base layer or by structuring a sacrificial layer applied in front of the base layer.
PCT/EP2012/073329 2011-12-22 2012-11-22 Circuit carrier with a separate rf circuit and method for populating such a circuit carrier WO2013092098A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011089639A DE102011089639A1 (en) 2011-12-22 2011-12-22 Circuit carrier with a separate RF circuit and method for assembling such a circuit carrier
DE102011089639.2 2011-12-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013092098A1 true WO2013092098A1 (en) 2013-06-27

Family

ID=47358107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2012/073329 WO2013092098A1 (en) 2011-12-22 2012-11-22 Circuit carrier with a separate rf circuit and method for populating such a circuit carrier

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102011089639A1 (en)
WO (1) WO2013092098A1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19951371A1 (en) 1999-10-26 2001-05-03 Nokia Mobile Phones Ltd High-frequency circuit with a connector for a printed antenna
US20030148739A1 (en) * 2001-05-07 2003-08-07 Takahiko Kosemura High-frequency module device
EP1443809A2 (en) * 2003-02-03 2004-08-04 Alps Electric Co., Ltd. Electronic circuit unit and method for manufacturing the same
US20060267135A1 (en) * 2003-07-31 2006-11-30 Eckhard Wolfgang Circuit arrangement placed on a substrate and method for producing the same
EP2284888A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-16 Sony Corporation Interposer, module and electronics device including the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2021484A1 (en) * 1968-10-24 1970-07-24 Inst Halvledarfors
GB0108655D0 (en) * 2001-04-06 2001-05-30 Koninkl Philips Electronics Nv Microwave circuit
GB2378582B (en) * 2001-08-11 2005-03-16 Ubinetics Ltd A method of providing radio frequency screening for electronic components
US7324043B2 (en) * 2005-09-02 2008-01-29 Delphi Technologies, Inc. Phase shifters deposited en masse for an electronically scanned antenna
US20100327406A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Forming Inductor Over Insulating Material Filled Trench In Substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19951371A1 (en) 1999-10-26 2001-05-03 Nokia Mobile Phones Ltd High-frequency circuit with a connector for a printed antenna
US20030148739A1 (en) * 2001-05-07 2003-08-07 Takahiko Kosemura High-frequency module device
EP1443809A2 (en) * 2003-02-03 2004-08-04 Alps Electric Co., Ltd. Electronic circuit unit and method for manufacturing the same
US20060267135A1 (en) * 2003-07-31 2006-11-30 Eckhard Wolfgang Circuit arrangement placed on a substrate and method for producing the same
EP2284888A2 (en) * 2009-08-07 2011-02-16 Sony Corporation Interposer, module and electronics device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011089639A1 (en) 2013-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2911620C2 (en) Method of making conductive through holes in circuit boards
DE19645854A1 (en) High structure density circuit board production
DE112015005566T5 (en) Encapsulated circuit module and manufacturing method therefor
DE112005000952T5 (en) Electronic module and method of making the same
AT12319U1 (en) METHOD FOR PRODUCING A PCB CONTAINING AT LEAST TWO PCB SURFACES AND PCB
WO2010072516A2 (en) Circuit board having wax-applied metal layer in a flexible zone
EP0620702B1 (en) Core for electrical interconnection substrates and electrical interconnection substrates with core, and method for manufacturing the same
DE102013102541A1 (en) Electronic component, method for its production and printed circuit board with electronic component
DE102016216308B4 (en) Circuit board and method for its manufacture
EP0451541B1 (en) Fabrication of multilayer circuit boards with increased conductor density
WO2012016898A2 (en) Method for producing a plurality of electronic devices having electromagnetic shielding and in particular having heat dissipation and electronic device having electromagnetic shielding and in particular having dissipation
DE102009027530A1 (en) circuit board
DE102009058764A1 (en) Method for producing an electronic assembly and electronic assembly
DE10333840B4 (en) Semiconductor component with a plastic housing, which has a Umverdrahrungsstruktur and method for their preparation
DE102013103578B4 (en) Housing assembly and method of making the same
WO2013092098A1 (en) Circuit carrier with a separate rf circuit and method for populating such a circuit carrier
DE102004030800B4 (en) Process for producing a ceramic printed circuit board
WO2013092127A2 (en) Circuit carrier having a conducting path and an electric shield, and method for producing said circuit carrier
DE102019132852B4 (en) Method for producing a conductor structure element and conductor structure element
DE19961675A1 (en) Component with thin-film circuit with trimmable capacitor
EP3187029A1 (en) Method for producing a multi-layer substrate and multi-layer substrate
DE102004012979B4 (en) Coupling substrate for semiconductor devices, arrangements with the coupling substrate, coupling substrate strip, method for producing these objects and method for producing a semiconductor module
WO2016034174A1 (en) Rolling bearing comprising an electric circuit, and method for producing an electric circuit for a rolling bearing
DE10144464C2 (en) Electronic component with an induction coil for high-frequency applications and method for producing the same
WO2004086497A2 (en) Method for producing chip stacks

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12801482

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12801482

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1