WO2012165405A1 - 表示パネルおよびフーリエ変換赤外分光法によるシール剤の硬化状態の検査方法 - Google Patents

表示パネルおよびフーリエ変換赤外分光法によるシール剤の硬化状態の検査方法 Download PDF

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WO2012165405A1
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
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    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing

Definitions

  • the present invention relates to a display panel and a method for inspecting a cured state of a sealant in a manufacturing process of the display panel.
  • a display panel of a flat display generally has a display medium between a pair of substrates.
  • the pair of substrates are bonded to each other by a curable resin called a sealant, and a display medium (for example, a liquid crystal layer or an electrophoretic layer) is sealed and held in a gap between the pair of substrates.
  • a display medium for example, a liquid crystal layer or an electrophoretic layer
  • the element portion including the organic EL layer is protected from the environment by adopting a structure in which the element portion is sealed between a pair of substrates.
  • the liquid crystal display panel 200 includes, for example, a TFT substrate 12, a counter substrate 22, and a liquid crystal layer 32 formed between the TFT substrate 12 and the counter substrate 22.
  • the TFT substrate 12 and the counter substrate 22 are bonded to each other by a seal portion 42 formed by curing a sealant.
  • the seal portion 42 is formed so as to substantially surround the liquid crystal layer 32.
  • the sealant is a mixture of a photocurable resin (for example, an ultraviolet curable acrylic resin) and, if necessary, a filler, a granular spacer, and / or conductive particles.
  • the sealing agent is drawn in a predetermined pattern on the TFT substrate 12 using a dispenser.
  • the sealing agent is a TFT substrate so as to completely surround the pixel formation region (referred to as a TFT substrate region 10D of the liquid crystal display panel) 12D of the TFT substrate 12.
  • the sealing agent is applied to the TFT substrate 12 so as to form an injection hole.
  • the injection hole is closed by the sealing resin after the TFT substrate 12 and the counter substrate 22 are bonded together, the sealant is cured, and a liquid crystal material is injected between the TFT substrate 12 and the counter substrate 22.
  • the seal portion of the liquid crystal display panel includes not only a portion formed by a sealing agent but also a portion formed by a sealing resin that closes the injection hole.
  • the area facing the counter substrate 22 (including the pixel formation area 12 ⁇ / b> D) is referred to as a counter area 12 c, and the exposed area not facing the counter substrate 22 is referred to as the end area 12 p.
  • a terminal region 13 is formed in the end region 12p of the TFT substrate 12.
  • a driving IC is mounted on the terminal region 13. The names of these areas are also used in the description of the present invention.
  • a display defect region 10p (for example, a region with low luminance) is observed near the seal portion 42 in the display region 10D. This is considered to be due to the fact that the uncured component in the sealant is dissolved in the liquid crystal material, and the voltage that is effectively applied to the liquid crystal layer is reduced due to interfacial polarization caused by ionic impurities. As time passes, ionic impurities diffuse and the display failure region 10p expands.
  • the cured state of the sealant is not directly inspected, but by visual observation of the display unevenness in the lighting inspection of the display panel. That is, in the lighting inspection, when the above-described display unevenness is observed, information that the display unevenness has occurred is transmitted to the substrate bonding process (including the sealing agent curing process). Changes are made.
  • Patent Document 1 discloses a method of inspecting a sealant pattern drawn on a substrate by an optical method, but this method cannot inspect the cured state of the sealant.
  • an object of the present invention is to provide a method that can be easily introduced into a mass production process of a display panel and can inspect a cured state of a sealant in a nondestructive manner, and a display panel that enables such an inspection.
  • a display panel includes a first substrate having an end region and a pixel formation region, and is disposed so as to face the first substrate and to expose the end region of the first substrate.
  • the second substrate formed, the display medium layer formed between the first substrate and the second substrate, the first substrate and the second substrate are bonded together, and the pixel formation region is A sealing portion that surrounds, and an additional sealing portion formed of the same material as the sealing portion in the end region of the first substrate, wherein the first substrate has a metal layer under the additional sealing portion. Also have.
  • the first substrate has a plurality of wirings and a plurality of electrodes, and the metal layer is separated from the plurality of wirings and the plurality of electrodes.
  • the metal layer is formed of the same material as any of the plurality of wirings and the plurality of electrodes.
  • the additional seal portion is in direct contact with the metal layer.
  • the seal portion is made of an ultraviolet curable acrylic resin.
  • An inspection method includes a step of forming the seal portion and the additional seal portion by curing a sealant.
  • the process a which acquires the reflected infrared absorption spectrum of a part,
  • the process b which evaluates the hardening state of the said sealing agent based on the acquired said reflected infrared absorption spectrum of the said additional seal
  • the step b includes a step b1 of comparing a reflection infrared absorption spectrum of the sealing agent prepared in advance in a well-cured state with the reflection infrared absorption spectrum of the additional seal portion.
  • the embodiment of the present invention it is possible to directly inspect the cured state of the sealing agent as early as possible before the lighting inspection of the display panel, and the method for inspecting the cured state of the display panel and the sealing agent. Is provided.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view near an end region 12p of the liquid crystal display panel 100A.
  • A) And (b) is a schematic diagram which shows the structure of the apparatus which acquires the reflected infrared absorption spectrum of an additional seal
  • A) and (b) show the reflected infrared absorption spectrum (OK) of the sealant in a well-cured state and the reflected infrared absorption spectrum (NG) of the sealant in a poorly cured state.
  • (A) to (c) are schematic plan views of liquid crystal display panels 100B, 100C, and 100D according to other embodiments of the present invention.
  • (A) And (b) is a figure for demonstrating the problem resulting from the hardening defect of the sealing agent in the conventional liquid crystal display panel 200.
  • FIG. 1A and 1B schematically show the structure of a liquid crystal display panel 100A according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a schematic plan view of the liquid crystal display panel 100A
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view in the vicinity of the end region 12p of the liquid crystal display panel 100A.
  • the liquid crystal display panel 100 ⁇ / b> A includes a first substrate 12, a second substrate 22, and a display medium layer 32 formed between the first substrate 12 and the second substrate 22.
  • the first substrate 12 is the TFT substrate 12
  • the second substrate 22 is the counter substrate 22
  • the display medium layer 32 is the liquid crystal layer 32.
  • Each of the TFT substrate 12 and the counter substrate 22 has a glass substrate and necessary components formed on the glass substrate.
  • the TFT substrate 12 has a plurality of TFTs, a plurality of wirings connected to the plurality of TFTs, and a plurality of pixel electrodes.
  • the counter substrate has a color filter layer and a black matrix (light shielding layer). Since these structures are well known, description thereof is omitted.
  • the TFT substrate 12 has an end region 12p and a pixel formation region 12D.
  • a terminal region 13a is formed in the end region 12p of the TFT substrate 12, and the pixel formation region 12D becomes the display region 10D of the liquid crystal display panel 100A.
  • the counter substrate 22 is disposed so as to face the counter region 12 c of the TFT substrate 12 and expose the end region 12 p of the TFT substrate 12.
  • the TFT substrate 12 and the counter substrate 22 are bonded to each other by a seal portion 42a formed so as to surround the pixel formation region 12D.
  • the TFT substrate 12 further includes an additional seal portion 44a formed of the same material as the seal portion 42a in the end region 12p, and a metal layer 14a under the additional seal portion 44a.
  • the liquid crystal display panel 100A is a liquid crystal display panel manufactured by a dropping injection method, and the liquid crystal layer 32 is formed in an area (display area 10D) surrounded by the seal portion 42a.
  • the metal layer 14a and the additional seal portion 44a formed on the metal layer 14a are formed in the end region 12p of the TFT substrate 12. Therefore, when infrared rays (IR) are irradiated from the counter substrate 22 of the liquid crystal display panel 100A, the infrared rays are directly incident on the additional seal portion 44a and pass through the additional seal portion 44a, as indicated by the dashed arrow, and then the metal Reflected at the interface between the layer 14a and the additional seal 44a. By analyzing the reflected infrared absorption spectrum, it is possible to inspect the cured state of the sealing agent forming the additional seal portion 44a.
  • IR infrared rays
  • the curing state of the sealant forming the additional seal portion 44a can be inspected by so-called reflection FT-IR (Fourier transform infrared spectroscopy).
  • reflection FT-IR Fastier transform infrared spectroscopy
  • the glass substrate which the counter substrate 22 has absorbs infrared rays strongly when it passes through a glass substrate, the intensity
  • a plastic substrate is used instead of the glass substrate.
  • the configuration of a spectroscope used for the reflection FT-IR method will be described later.
  • the metal layer 14a forms, for example, any of a plurality of wirings (for example, a gate bus line and a source bus line) and a plurality of electrodes (a gate electrode, a source electrode, and terminal electrodes thereof) included in the TFT substrate 12. It can be formed of the same metal material as the metal material. However, the metal layer 14a is preferably separated from the wiring and electrodes (including the wiring and electrodes of the terminal region 13a) of the TFT substrate 12. Since the metal layer 14a is only covered with the additional seal portion 44a, it may not be sufficiently insulated. Therefore, if the wiring or the like is connected to the metal layer 14a, the wiring or the like may not be sufficiently insulated.
  • the material for forming the metal layer 14a is, for example, tantalum (Ta), molybdenum (Mo), titanium (Ti), copper (Cu), or aluminum (Al). These metals have a sufficiently high reflectance for infrared rays.
  • the metal layer 14a may have a single layer structure or a laminated structure.
  • the metal layer 14a can be formed by the same process as the wiring and the like included in the TFT substrate 12. Therefore, the metal layer 14a can be formed only by changing the pattern of a mask for forming a certain wiring in the current manufacturing process, for example.
  • the thickness of the metal layer 14a is not particularly limited. When the metal layer 14a is formed by the same process as the wiring or the like, it may have the same thickness as the wiring or the like.
  • the thickness of the metal layer 14a is, for example, 100 nm to 500 nm.
  • the size of the metal layer 14a depends on the detection optical system and the FT-IR spectrometer (the size of the detector). ⁇ 50 ⁇ m.
  • a wiring or the like is covered with an insulating layer (for example, a gate insulating layer, a passivation layer, and / or an interlayer insulating layer).
  • the metal layer 14a is preferably in direct contact with the additional seal portion 44a. If an insulating layer (for example, a SiN x layer, a SiO 2 layer, or an organic insulating layer) is present between the metal layer 14a and the additional seal portion 44a, infrared rays are transmitted through the insulating layer. The infrared absorption spectrum of the insulating layer is superimposed on the spectrum.
  • the infrared absorption spectrum of the insulating layer becomes a noise for the infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a, and the infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a may not be analyzed with high accuracy. Therefore, the insulating layer formed after forming the metal layer 14a is preferably patterned so as to have an opening or the like that exposes the metal layer 14a. Even if a natural oxide film is formed on the surface of the metal layer 14a, it does not adversely affect the analysis of the infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a if it is sufficiently thin. When forming the alignment film on the TFT substrate 12, it is preferable not to form the alignment film on the metal layer 14a.
  • the additional seal portion 44a can be formed by the same process using the same sealant as the seal portion 42a.
  • the seal portion is formed by applying a sealant to a predetermined position on a certain substrate using a dispenser or the like, and then bonding the other sealant to the other substrate and curing the sealant.
  • the continuous application of the sealing agent to a predetermined position on the substrate sometimes means drawing a seal pattern using the sealing agent.
  • the seal part 42a and the additional seal part 44a are formed as follows, for example.
  • a seal pattern (which will later become the seal portion 42a) is drawn so as to surround the pixel formation region 12D. Continuously, before or after this, a seal pattern (including a portion that will later become an additional seal portion 44a) is drawn so as to cover the metal layer 14a of the end region 12p.
  • FIG. 1A shows an example in which the seal portion 42a and the additional seal portion 44a are connected, the present invention is not limited to this. That is, the additional seal part 44a may be separated from the seal part 42a.
  • the seal pattern is preferably continuous so that the amount of the sealant discharged from the dispenser per unit time is constant (so that the width of the seal pattern is constant).
  • a liquid crystal material is dropped on the pixel formation region 12D of the TFT substrate 12 on which a predetermined seal pattern is drawn. Thereafter, after the TFT substrate 12 and the counter substrate 22 separately manufactured are bonded together, for example, a sealant containing an ultraviolet curable acrylic resin is irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays. On the contrary, the liquid crystal material may be dropped on the region of the counter substrate 22 that faces the pixel formation region 12D of the TFT substrate 12. Instead of evaluating the cured state of the seal portion 42a, the cured state of the additional seal portion 44a is evaluated, so the additional seal portion 44a is formed by the same process and conditions as the seal portion 42a.
  • the reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a is obtained from the counter substrate 22 side using the metal layer 14a, and the cured state of the sealant is obtained based on the obtained reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a.
  • FIG. 2A and 2 (b) are schematic diagrams showing the configuration of an apparatus that acquires the reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a.
  • the reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a of the liquid crystal display panel 100A is measured using an FT-IR spectrometer 51.
  • Infrared light emitted from the FT-IR spectroscope 51 is condensed on the metal layer 14a (see FIG. 2B) of the liquid crystal display panel 100A via the plane mirror 52, the concave mirror 53, the plane mirror 54, and the Cassegrain mirror 55.
  • the Cassegrain mirror 55 has a plurality of concave mirrors, plane mirrors, and apertures, and the infrared rays reflected by the metal layer 14a are detected by the detector of the FT-IR spectrometer 51 ( For example, it leads to an MCT (mercury-cadmium-tellurium) detector 51D.
  • MCT linear-cadmium-tellurium
  • a Cassegrain mirror 55 having a magnification of 32 times is used.
  • the diameter of the infrared beam emitted from the FT-IR spectrometer 51 is about 7 to 8 mm, for example, and the light receiving surface of the detector 51D has an area of, for example, 250 ⁇ m ⁇ 250 ⁇ m.
  • the 32 ⁇ Cassegrain mirror 55 is used, reflected infrared light from the 46 ⁇ m ⁇ 46 ⁇ m area of the metal layer 14a enters the entire light receiving surface of the detector 51D.
  • the size of the metal layer 14a may be about 50 ⁇ m ⁇ about 50 ⁇ m.
  • the reflected infrared absorption spectrum acquired by the FT-IR spectrometer 51 is analyzed by the computer 56.
  • a monitor 57 and a storage device 58 are connected to the computer 56, and the reflected infrared absorption spectrum is displayed on the monitor 57 and stored in the storage device 58.
  • the cured state of the sealing agent is performed, for example, by comparing the infrared absorption spectrum of a well-cured sealing agent prepared in advance with the acquired reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a.
  • the infrared absorption spectrum of the well-cured sealant is stored in the storage device 58, and is compared with the acquired reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a by the computer 56.
  • the comparison result can be calculated, for example, by the computer 56 as a match rate of the acquired reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a with the infrared absorption spectrum of the well-cured sealant. Further, the obtained reflected infrared absorption spectrum of the additional seal portion 44a and the infrared absorption spectrum of the well-cured sealant may be displayed on the monitor 57 and judged visually. Or you may display the difference spectrum of the reflected infrared absorption spectrum of the additional seal
  • the FT-IR spectrometer 51 As the FT-IR spectrometer 51, Avatar 370 manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd. was used.
  • the detector 51D is an MCT detector having a light receiving area of 250 ⁇ m ⁇ 250 ⁇ m.
  • the measurement wavelength region was a mid-infrared wavelength region (2.5 ⁇ m to 15 ⁇ m, wave number region: 4000 cm ⁇ 1 to 650 cm ⁇ 1 ).
  • the resolution during measurement was 4 cm ⁇ 1 and the number of integrations was 64 times.
  • the intensity of infrared rays was an interferogram and was 5 V or more.
  • the size of the metal layer 14a was 50 ⁇ m ⁇ 50 ⁇ m, and a Cassegrain mirror 55 having a magnification of 32 times was used.
  • the metal layer 14a was formed of the same material (for example, titanium (Ti)) as the source bus line of the TFT substrate 12 at the same time as the source bus line.
  • an ultraviolet curable acrylic resin for example, Sekisui Chemical Co., Ltd., product number: SD-28 was used.
  • 3 (a) and 3 (b) show the reflected infrared absorption spectrum (OK) of the well-cured sealing agent and the reflected infrared absorption spectrum (NG) of the poorly cured sealing agent.
  • the main component is the same and is an acrylic resin (cured product) regardless of whether the cured state is good (OK) or defective (NG).
  • the spectra are almost the same. Focusing on wavenumber range of expanded 900 cm -1 ⁇ 740 cm -1 in FIG. 3 (b), the difference between the good state of cure and (OK) and bad (NG) is clearly observed.
  • the characteristic absorption peak A that appears in the vicinity of 810 cm ⁇ 1 is attributed to the CH out-of-plane bending vibration of the vinyl group of the acrylate sealant.
  • the coincidence ratio of the reflected infrared absorption spectrum (NG) of the poorly cured sealant exemplified here to the reflected infrared absorption spectrum (OK) of the well cured sealant was 91%.
  • the coincidence rate was obtained by software “OMNIC” attached to Avatar 370 of Thermo Fisher Scientific Co., Ltd.
  • the wave number range for obtaining the coincidence rate was set to 4000 cm ⁇ 1 to 650 cm ⁇ 1 .
  • the wave number range (wavelength range) for obtaining the coincidence rate can be appropriately set according to the type of the sealing agent.
  • the quality of the effect state can be determined based on the numerical value of the match rate.
  • the coincidence rate to be determined as good may be set in advance by examining the presence or absence of display unevenness for samples with different curing states. For example, a good determination is made when the match rate is 95% or more.
  • absorption intensity is determined as the peak height from the baseline.
  • the value (ratio) of the intensity of the absorption peak A / the intensity of the absorption peak B was 0.24 in the good cure state (OK) and 0.51 in the poor cure state (NG). It can be seen that as the value of the intensity of absorption peak A / the intensity of absorption peak B is closer to 0.24, curing proceeds. For example, this value of 0.26 or less can be determined as good.
  • the cured state of the sealing agent can be inspected immediately after the curing step (ultraviolet irradiation step) of the sealing agent is finished.
  • the process immediately returns to the curing process of the sealing agent, and an additional curing process (additional ultraviolet irradiation) can be performed.
  • additional curing process additional ultraviolet irradiation
  • the non-defective product rate can be improved.
  • the yield rate can be improved.
  • the above inspection method can be easily introduced into a mass production line, and is easy to maintain and manage. Therefore, by improving the non-defective product rate, it is possible to sufficiently absorb the cost of introducing, maintaining, and managing inspection equipment.
  • the inspection method of the sealing agent according to the embodiment of the present invention can be discriminated by the above method not only when the sealing agent is cured but also when impurities are mixed in the sealing agent.
  • FIG. 5 shows a reflection infrared absorption spectrum of a case where a sealant mixed with grease is cured (NG), a well-cured state where no impurities are mixed (OK), and a grease (impurities) mixed in the sealant.
  • the absorption spectrum of NG stretching vibration derived from grease increases in the absorption spectrum of NG.
  • the coincidence rate of the absorption spectrum of NG was 68%.
  • the presence or absence of impurities may be determined before the sealing agent is cured. Although it is difficult to rework after the sealant is cured, it can be easily reworked before the sealant is cured.
  • 6A to 6C are schematic plan views of liquid crystal display panels 100B, 100C, and 100D according to other embodiments of the present invention.
  • the metal layers 14b1 and 14b2 are formed at two locations in the end region 12p of the TFT substrate 12, and the additional seal portions 44b1 and 44b2 covering the metal layers 14b1 and 14b2 are formed. It may be provided.
  • the additional seal portions 44b1 and 44b2 are preferably formed continuously with the seal portion 42b.
  • the metal layers 14b1 and 14b2 are preferably separated from the wiring and electrodes (including the wiring and electrodes of the terminal region 13b) of the TFT substrate 12.
  • the metal layers 14c1, 14c2, and 14c3 are formed at three locations in the end region 12p of the TFT substrate 12 to cover the metal layers 14c1, 14c2, and 14c3. Seal portions 44c1, 44c2, and 44c3 may be provided. The additional seal portions 44c1, 44c2, and 44c3 are preferably formed continuously with the seal portion 42c. The metal layers 14c1, 14c2, and 14c3 are preferably separated from the wiring and electrodes (including the wiring and electrodes of the terminal region 13c) of the TFT substrate 12.
  • a metal layer 14d1 is formed in the end region 12p1, and the end region 12p1 is formed.
  • the metal layer 14d2 may be formed in the partial region 12p2, and additional seal portions 44d1 and 44d2 that cover the metal layers 14d1 and 14d2 may be provided.
  • the additional seal portions 44d1 and 44d2 are preferably formed continuously with the seal portion 42d.
  • the metal layers 14d1 and 14d2 are preferably separated from the wiring and electrodes (including the wiring and electrodes of the terminal region 13d) of the TFT substrate 12.
  • the liquid crystal display panel according to the embodiment of the present invention is not limited to the illustrated one, and can be applied to various liquid crystal display panels.
  • the embodiment of the present invention has been described by taking a liquid crystal display panel manufactured by a drop injection method as an example, but the present invention is not limited to this, and can be applied to a liquid crystal display panel manufactured by a vacuum injection method. It can also be applied to other display panels.
  • the present invention can be applied to a display panel such as a liquid crystal display panel, an electrophoretic display panel or an organic EL display panel, and an inspection of a cured state of a sealant in a manufacturing process thereof.
  • Display area 12 First substrate (TFT substrate) 12c Counter area 12D Pixel formation area 12p End area 13a Terminal area 14a, 14b1, 14b2, 14c1, 14c2, 14c3, 14d1, 14d2 Metal layer 22 Second substrate (counter substrate) 32 Display media layer (liquid crystal layer) 42a, 42b, 42c, 42d Seal part 44a, 44b1, 44b2, 44c1, 44c2, 44c3, 44d1, 44d2 Additional seal part 100A, 100B, 100C, 100D, 200 Liquid crystal display panel

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Abstract

　本発明の実施形態による表示パネル（１００Ａ）は、端部領域（１２ｐ）と画素形成領域（１２Ｄ）とを有する第１基板（１２）と、第１基板（１２）と対向し、かつ、第１基板（１２）の端部領域（１２ｐ）を露出するように配置された第２基板（２２）と、第１基板（１２）と第２基板（２２）との間に形成された表示媒体層（３２）と、第１基板（１２）と第２基板（２２）とを互いに接着し、且つ、画素形成領域（１２Ｄ）を包囲するシール部（４２ａ）と、第１基板（１２）の端部領域（１２ｐ）にシール部（４２ａ）と同じ材料で形成された追加シール部（４４ａ）とを有し、第１基板（１２）は、追加シール部（４４ａ）の下に金属層（１４ａ）をさらに有する。表示パネル（１００Ａ）では、追加シール部（４４ａ）のシール剤の硬化状態をフーリエ変換赤外分光法によって評価することができる。

Description

表示パネルおよびフーリエ変換赤外分光法によるシール剤の硬化状態の検査方法
　本発明は、表示パネルおよび表示パネルの製造プロセスにおいてシール剤の硬化状態を検査する方法に関する。
　近年、液晶表示装置に代表されるフラットディスプレイが広く用いられている。フラットディスプレイの表示パネルは、一般に、一対の基板の間に表示媒体を有する。一対の基板は、シール剤と呼ばれる硬化性樹脂によって互いに接着され、一対の基板間の間隙に表示媒体（例えば、液晶層、電気泳動層）が密閉・保持される。有機ＥＬ表示パネルでは、有機ＥＬ層を含む素子部が一対の基板間で密閉された構造を採用することによって、環境から保護している。
　これらの表示パネルにおいて、シール剤の硬化が十分でないと、表示品位の低下や、信頼性の低下をもたらすことがある。
　図７（ａ）および（ｂ）を参照して、従来の液晶表示パネル２００におけるシール剤の硬化不良に起因する問題を説明する。
　液晶表示パネル２００は、例えば、ＴＦＴ基板１２と、対向基板２２と、ＴＦＴ基板１２と対向基板２２との間に形成された液晶層３２とを有する。ＴＦＴ基板１２と対向基板２２とは、シール剤を硬化することによって形成されたシール部４２によって互いに接着されている。シール部４２は、液晶層３２を実質的に包囲するように形成されている。
　シール剤は、光硬化性樹脂（例えば、紫外線硬化性アクリル樹脂）と、必要に応じて、充填剤、粒状スペーサおよび／または導電性粒子が混合される。シール剤は、例えばＴＦＴ基板１２に、ディスペンサーを用いて所定のパターンに描画される。滴下注入法で液晶材料を注入する場合、シール剤は、ＴＦＴ基板１２の画素形成領域（液晶表示パネルの表示領域１０ＤとなるＴＦＴ基板の領域をいう。）１２Ｄを完全に包囲するようにＴＦＴ基板１２に付与される。一方、真空注入法で液晶材料を注入する場合、シール剤は、注入孔を形成するようにＴＦＴ基板１２に付与される。注入孔は、ＴＦＴ基板１２と対向基板２２とを貼り合せ、シール剤を硬化し、ＴＦＴ基板１２と対向基板２２との間に液晶材料を注入した後で、封止樹脂によって塞がれる。本明細書において、液晶表示パネルのシール部とは、シール剤によって形成された部分だけでなく、封止樹脂によって形成された、注入孔を塞ぐ部分を含むものとする。
　ＴＦＴ基板１２の領域の内、対向基板２２と対向する領域（画素形成領域１２Ｄを含む）を対向領域１２ｃと呼び、対向基板２２と対向せず、露出されている領域を端部領域１２ｐということにする。ＴＦＴ基板１２の端部領域１２ｐには、例えば、端子領域１３が形成される。端子領域１３には、例えば、駆動用ＩＣが実装される。これらの領域の名称は、本発明の説明にも用いる。
　なお、以下では、滴下注入法を用いて液晶材料の注入が行われる液晶表示パネルを例に、従来技術の課題を説明する。滴下注入法では、真空注入法よりもシール剤に起因する不良が発生しやすい。主な理由は、以下の２つである。
　（１）シール剤を硬化する前に、シール剤が液晶材料と接触するので、シール剤からの不純物が液晶材料中に溶出しやすい。また、（２）液晶材料を注入した後でシール剤を硬化させるので、シール剤を硬化させる条件を十分に安全側に設定する（例えば紫外線の光量を十二分に増やす）ことが難しい。
　液晶表示パネル２００において、シール部４２を形成するシール剤の硬化が不十分であると、表示むらが発生することがある。具体的には、図７（ｂ）に示すように、表示領域１０Ｄ内のシール部４２の近傍に、表示不良領域１０ｐ（例えば輝度が低い領域）が観察される。これは、シール剤中の未硬化成分が液晶材料中に溶け出し、イオン性不純物に起因する界面分極等によって、液晶層に実効的に印加される電圧が低下することによると考えられている。時間の経過とともに、イオン性不純物が拡散し、表示不良領域１０ｐが拡大する。
　現在、表示パネルの製造プロセスにおいて、シール剤の硬化状態を直接的に検査することはなされておらず、表示パネルの点灯検査における上記表示むらの目視観察によっている。すなわち、点灯検査において、上記の表示むらが観察された場合、基板の貼り合せ工程（シール剤の硬化工程を含む）に、表示むらが発生したという情報が伝達され、例えば、シール剤の硬化条件の変更が行われる。
　現行のプロセスでは、貼り合せが終わってから、点灯検査の結果が、基板の貼り合せ工程にフィードバックされるまでに時間を要する。その結果、フィードバックされた情報を得て、例えばシール剤の硬化条件が変更されるまでの間に、従前の硬化条件で貼り合せ工程を経る基板が出てしまうという問題がある。従って、表示パネルの点灯検査よりも前に、シール剤の硬化状態を直接的に検査することが望ましい。
　しかしながら、そのような方法は知られていない。例えば、特許文献１には、基板上に描画したシール剤のパターンを光学的な方法で検査する方法が開示されているが、この方法では、シール剤の硬化状態を検査することはできない。
特開平１０－１７０２４２号公報
　本発明は、表示パネルの点灯検査よりも前に、シール剤の硬化状態を直接的に検査することを可能にするためになされたものである。特に、本発明は、表示パネルの量産プロセスに導入が容易で、非破壊でシール剤の硬化状態を検査できる方法および、そのような検査を可能とする表示パネルを提供することを目的とする。
　本発明の実施形態による表示パネルは、端部領域と画素形成領域とを有する第１基板と、前記第１基板と対向し、かつ、前記第１基板の前記端部領域を露出するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された表示媒体層と、前記第１基板と前記第２基板とを互いに接着し、且つ、前記画素形成領域を包囲するシール部と、前記第１基板の前記端部領域に前記シール部と同じ材料で形成された追加シール部とを有し、前記第１基板は、前記追加シール部の下に金属層をさらに有する。
　ある実施形態において、前記第１基板は複数の配線および複数の電極を有し、前記金属層は前記複数の配線および前記複数の電極から分離されている。
　ある実施形態において、前記金属層は、前記複数の配線および前記複数の電極のいずれかと同じ材料で形成されている。
　ある実施形態において、前記追加シール部は、前記金属層と直接接触している。
　ある実施形態において、前記シール部は、紫外線硬化性アクリル樹脂から形成されている。
　本発明の実施形態による検査方法は、シール剤を硬化することによって、前記シール部および前記追加シール部を形成する工程を包含する、上記のいずれかの表示パネルの製造プロセスにおいてフーリエ変換赤外分光法によって前記シール剤の硬化状態を検査する方法であって、前記シール部および前記追加シール部を形成する工程の後で、前記第２基板側から、前記金属層を利用して、前記追加シール部の反射赤外線吸収スペクトルを取得する工程ａと、取得した前記追加シール部の前記反射赤外線吸収スペクトルに基づいて、前記シール剤の硬化状態を評価する工程ｂとを包含する。
　ある実施形態において、前記工程ｂは、予め用意された良硬化状態の前記シール剤の反射赤外線吸収スペクトルと、前記追加シール部の前記反射赤外線吸収スペクトルとを比較する工程ｂ１を包含する。
　本発明の実施形態によると、表示パネルの点灯検査よりも前のできるだけ早い段階で、シール剤の硬化状態を直接的に検査することを可能とする、表示パネルおよびシール剤の硬化状態の検査方法が提供される。
（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態による液晶表示パネル１００Ａの構造を模式的に示す図であり、（ａ）は液晶表示パネル１００Ａの模式的な平面図であり、（ｂ）は液晶表示パネル１００Ａの端部領域１２ｐ付近の模式的な断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、追加シール部の反射赤外線吸収スペクトルを取得する装置の構成を示す模式図である。 （ａ）および（ｂ）は、良硬化状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＯＫ）および硬化不良状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＮＧ）を示す。 硬化不良状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＮＧ）および良硬化状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＯＫ）について、硬化状態を定量的に判定するための他の方法を説明するための図である。 グリースが混入したシール剤を硬化した場合（ＮＧ）、不純物の混入の無い良硬化状態（ＯＫ）、およびシール剤に混入したグリース（不純物）の反射赤外線吸収スペクトルを示す図である。 （ａ）～（ｃ）は、本発明の他の実施形態による液晶表示パネル１００Ｂ、１００Ｃ、および１００Ｄの模式的な平面図である。 （ａ）および（ｂ）は、従来の液晶表示パネル２００におけるシール剤の硬化不良に起因する問題を説明するための図である。
　以下、図面を参照して、本発明の実施形態による表示パネルおよびそのような表示パネルの製造プロセスにおいてシール剤の硬化状態を検査する方法を説明する。以下では、液晶表示パネルおよびその製造プロセスを例示するが、本発明は、例示する実施形態に限られない。
　図１（ａ）および（ｂ）に、本発明の実施形態による液晶表示パネル１００Ａの構造を模式的に示す。図１（ａ）は液晶表示パネル１００Ａの模式的な平面図であり、図１（ｂ）は液晶表示パネル１００Ａの端部領域１２ｐ付近の模式的な断面図である。
　液晶表示パネル１００Ａは、第１基板１２と、第２基板２２と、第１基板１２と第２基板２２との間に形成された表示媒体層３２とを有する。ここでは、第１基板１２はＴＦＴ基板１２であり、第２基板２２は対向基板２２であり、表示媒体層３２は液晶層３２である。ＴＦＴ基板１２および対向基板２２はそれぞれ、ガラス基板と、ガラス基板上に形成された必要な構成要素とを有している。ＴＦＴ基板１２は、複数のＴＦＴと、複数のＴＦＴに接続された複数の配線および複数の画素電極を有し、対向基板は、カラーフィルタ層やブラックマトリクス（遮光層）を有している。これらの構造はよく知られているので説明を省略する。
　ＴＦＴ基板１２は、端部領域１２ｐと画素形成領域１２Ｄとを有する。ＴＦＴ基板１２の端部領域１２ｐには端子領域１３ａが形成されており、画素形成領域１２Ｄは、液晶表示パネル１００Ａの表示領域１０Ｄとなる。対向基板２２は、ＴＦＴ基板１２の対向領域１２ｃと対向し、かつ、ＴＦＴ基板１２の端部領域１２ｐを露出するように配置されている。ＴＦＴ基板１２と対向基板２２とは、画素形成領域１２Ｄを包囲するように形成されたシール部４２ａによって互いに接着されている。ＴＦＴ基板１２は、さらに、端部領域１２ｐにシール部４２ａと同じ材料で形成された追加シール部４４ａと、追加シール部４４ａの下に金属層１４ａを有する。液晶表示パネル１００Ａは、滴下注入法によって製造される液晶表示パネルであり、シール部４２ａで包囲された領域（表示領域１０Ｄ）内に液晶層３２が形成される。
　図１（ｂ）に示すように、金属層１４ａおよび金属層１４ａ上に形成された追加シール部４４ａは、ＴＦＴ基板１２の端部領域１２ｐに形成されている。従って、液晶表示パネル１００Ａの対向基板２２から、赤外線（ＩＲ）を照射すると、赤外線は、破線の矢印で示すように、追加シール部４４ａに直接入射し、追加シール部４４ａを通過した後、金属層１４ａと追加シール部４４ａとの界面で反射される。反射された赤外線吸収スペクトルを分析することによって、追加シール部４４ａを形成するシール剤の硬化状態を検査することができる。すなわち、いわゆる反射ＦＴ－ＩＲ（フーリエ変換赤外分光）法で、追加シール部４４ａを形成するシール剤の硬化状態を検査することができる。なお、対向基板２２が有するガラス基板は赤外線を強く吸収するので、ガラス基板を介すると、赤外線吸収スペクトルの強度が著しく低下し、分析精度の低下を招く。これを防止するために、追加シール部４４ａは、対向基板２２が存在しない端部領域１２ｐに設けることが好ましい。ガラス基板に代えてプラスチック基板を用いる場合も同様である。反射ＦＴ－ＩＲ法に用いられる分光器などの構成については後述する。
　金属層１４ａは、例えば、ＴＦＴ基板１２が有する複数の配線（例えば、ゲートバスライン、ソースバスライン）および複数の電極（ゲート電極、ソース電極、およびこれらの端子電極など）のいずれかを形成する金属材料と同じ金属材料で形成され得る。但し、金属層１４ａは、ＴＦＴ基板１２が有する配線や電極（端子領域１３ａの配線や電極を含む）から分離されていることが好ましい。金属層１４ａは追加シール部４４ａに覆われているだけなので、十分に絶縁されていないことがある。従って、配線等が金属層１４ａと接続されていると、配線等が十分に絶縁されないおそれがある。
　金属層１４ａを形成する材料は、例えば、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）である。これらの金属は、赤外線に対して十分に高い反射率を有している。金属層１４ａは、単層構造または積層構造を有し得る。金属層１４ａはＴＦＴ基板１２が有する配線等と同じプロセスで形成され得る。従って、金属層１４ａは、現行の製造プロセスにおいて、例えば、ある配線を形成するためのマスクのパターンを変更するだけで形成できる。金属層１４ａの厚さは特に限定されない。金属層１４ａを配線等と同じプロセスで形成する場合は、配線等と同じ厚さであってよい。金属層１４ａの厚さは、例えば、１００ｎｍ～５００ｎｍである。金属層１４ａの大きさ（ＴＦＴ基板１２の法線方向から見たときの大きさ）は、検出光学系やＦＴ－ＩＲ分光器（検出器の大きさ）によるが、後述するように、例えば５０μｍ×５０μｍである。
　一般に、配線等は、絶縁層（例えば、ゲート絶縁層、パッシベーション層、および／または層間絶縁層）で覆われる。しかしながら、金属層１４ａは、追加シール部４４ａと直接接触することが好ましい。金属層１４ａと追加シール部４４ａとの間に、絶縁層（例えば、ＳｉＮx層、ＳｉＯ2層や有機絶縁層）が存在すると、赤外線が絶縁層を透過するので、追加シール部４４ａの赤外線吸収スペクトルに絶縁層の赤外線吸収スペクトルが重畳することになる。すなわち、絶縁層の赤外線吸収スペクトルは、追加シール部４４ａの赤外線吸収スペクトルにとってノイズとなるので、追加シール部４４ａの赤外線吸収スペクトルを高い精度で解析できなくなることがある。従って、金属層１４ａを形成した後に形成される絶縁層は、金属層１４ａを露出する開口部等を有するようにパターニングされることが好ましい。なお、金属層１４ａの表面に自然酸化膜が形成されても、十分に薄ければ、追加シール部４４ａの赤外線吸収スペクトルの解析に悪影響を及ぼすことはない。ＴＦＴ基板１２に配向膜を形成する場合、金属層１４ａ上には配向膜を形成しないことが好ましい。
　追加シール部４４ａは、シール部４２ａと同じシール剤を用いて、同じプロセスで形成され得る。一般に、シール部は、ある基板上の所定の位置に、ディスペンサー等を用いてシール剤を付与した後、他の基板と貼り合せ、シール剤を硬化させることによって形成される。このように、シール剤を基板上の所定の位置に連続的に付与することを、シール剤を用いてシールパターンを描画するということがある。
　シール部４２ａおよび追加シール部４４ａは例えば以下のようにして形成される。
　金属層１４ａおよび配線等を有するＴＦＴ基板１２の対向領域１２ｃに、画素形成領域１２Ｄを包囲するようにシールパターン（後にシール部４２ａとなる。）を描画する。これと連続して、これより前または後に、端部領域１２ｐの金属層１４ａを覆うようにシールパターン（後に追加シール部４４ａとなる部分を含む。）を描画する。図１（ａ）では、シール部４２ａと追加シール部４４ａとが繋がっている例を示したが、これに限られない。すなわち、追加シール部４４ａは、シール部４２ａから分離されてもよい。但し、ディスペンサーから単位時間当たりに吐出されるシール剤の量が一定するように（シールパターンの幅が一定するように）、シールパターンは連続していることが好ましい。
　所定のシールパターンが描画されたＴＦＴ基板１２の画素形成領域１２Ｄ上に液晶材料を滴下する。その後、ＴＦＴ基板１２と別途作製された対向基板２２とを貼り合せた後、例えば、紫外線硬化性アクリル樹脂を含むシール剤に、所定の光量の紫外線を照射する。これとは逆に、ＴＦＴ基板１２の画素形成領域１２Ｄに対向する、対向基板２２の領域に液晶材料を滴下してもよい。シール部４２ａの硬化状態を評価する代わりに、追加シール部４４ａの硬化状態を評価するので、追加シール部４４ａはシール部４２ａと同じプロセス・条件で形成される。
　この後、対向基板２２側から、金属層１４ａを利用して、追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルを取得し、取得した追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルに基づいて、シール剤の硬化状態を評価する。
　図２（ａ）および（ｂ）を参照して、液晶表示パネル１００Ａの追加シール部４４ａ（図２では不図示）の反射赤外線吸収スペクトルを取得する方法および反射赤外線吸収スペクトルに基づいて、シール剤の硬化状態を評価する方法を説明する。
　図２（ａ）および（ｂ）は、追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルを取得する装置の構成を示す模式図である。図２（ａ）に模式的に示すように、ＦＴ－ＩＲ分光器５１を用いて、液晶表示パネル１００Ａの追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルを測定する。
　ＦＴ－ＩＲ分光器５１から出射された赤外線は、平面鏡５２、凹面鏡５３、平面鏡５４、カセグレン鏡５５を介して、液晶表示パネル１００Ａの金属層１４ａ（図２（ｂ）参照）に集光される。カセグレン鏡５５は、図２（ｂ）に模式的に示すように、複数の凹面鏡、平面鏡およびアパーチャを有しており、金属層１４ａで反射された赤外線をＦＴ－ＩＲ分光器５１の検出器（例えばＭＣＴ（水銀-カドミウム-テルル）検出器）５１Ｄに導く。カセグレン鏡５５を用いると、微小な領域からの反射赤外線スペクトルを効率よく取得することができる。このような方式はマスキング方式と呼ばれることがある。
　カセグレン鏡５５として、例えば、倍率が３２倍のものを用いる。ＦＴ－ＩＲ分光器５１から出射される赤外線のビーム径は例えば約７～８ｍｍで、検出器５１Ｄの受光面は例えば２５０μｍ×２５０μｍの面積を有する。このとき、３２倍のカセグレン鏡５５を用いると、金属層１４ａの４６μｍ×４６μｍの面積からの反射赤外光が、検出器５１Ｄの受光面の全体に入射することになる。従って、この場合、金属層１４ａの大きさは、約５０μｍ×約５０μｍであればよい。
　ＦＴ－ＩＲ分光器５１で取得された反射赤外線吸収スペクトルは、コンピュータ５６によって解析される。コンピュータ５６には、モニター５７および記憶装置５８が接続されており、反射赤外線吸収スペクトルは、モニター５７に表示され、また、記憶装置５８に格納される。シール剤の硬化状態は、例えば、予め用意された良硬化状態のシール剤の赤外線吸収スペクトルと、取得した追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルとを比較することによって行われる。良硬化状態のシール剤の赤外線吸収スペクトルは、記憶装置５８に格納されており、コンピュータ５６によって、取得した追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルと比較される。比較結果は、例えば、コンピュータ５６によって、取得した追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルの、良硬化状態のシール剤の赤外線吸収スペクトルに対する合致率として算出され得る。また、モニター５７に、取得した追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルと、良硬化状態のシール剤の赤外線吸収スペクトルとを表示し、目視によって判断してもよい。あるいは、コンピュータ５６によって求めた、取得した追加シール部４４ａの反射赤外線吸収スペクトルと、良硬化状態のシール剤の赤外線吸収スペクトルとの差スペクトルを表示させてもよい。
　以下に、具体例を示す。
　ＦＴ－ＩＲ分光器５１として、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社のＡｖａｔａｒ３７０を用いた。検出器５１Ｄは、受光面積が２５０μｍ×２５０μｍのＭＣＴ検出器である。測定波長領域は、中赤外波長領域（２．５μｍ～１５μｍ、波数域：４０００ｃｍ-1～６５０ｃｍ-1）とした。良く知られているように、この波長域には、Ｏ－Ｈ、Ｃ－Ｈ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ－Ｏ、ベンゼン環など各振動が吸収ピークとして現れる。測定時の分解能は４ｃｍ-1、積算回数は６４回とした。赤外線の強度はインターフェログラムで、５Ｖ以上とした。
　金属層１４ａの大きさは、５０μｍ×５０μｍで、倍率が３２倍のカセグレン鏡５５を用いた。金属層１４ａは、ＴＦＴ基板１２のソースバスラインと同じ材料（例えばチタン（Ｔｉ））でソースバスラインと同時に形成した。シール剤としては、紫外線硬化性アクリル樹脂（例えば、積水化学工業株式会社製、品番：ＳＤ－２８）を用いた。
　図３（ａ）および（ｂ）に、良硬化状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＯＫ）および硬化不良状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＮＧ）を示す。
　図３（ａ）に示すように、４０００ｃｍ-1～６５０ｃｍ-1の波数域では、硬化状態の良（ＯＫ）、不良（ＮＧ）にかかわらず、主成分は同じでアクリル樹脂（硬化物）なので、スペクトルはほぼ同じである。図３（ｂ）に拡大した９００ｃｍ-1～７４０ｃｍ-1の波数域に着目すると、硬化状態の良（ＯＫ）と不良（ＮＧ）との差が明確に認められる。８１０ｃｍ-1付近に現れる特徴的な吸収ピークＡは、アクリレート系シール剤のビニル基のＣ－Ｈ面外変角振動に帰属される。紫外線硬化性アクリル樹脂は、紫外線の照射によって重合開始剤から発生するフリーラジカルにより連鎖重合反応が引き起こされ、硬化反応過程においてＣ＝Ｃ結合、および面外のＣ－Ｈ結合が減少する。しかしながら、Ｃ＝Ｃ結合に帰属される１６４０ｃｍ-1～１６２０ｃｍ-1付近の波数域は、重合反応によって生成する化学結合の吸収ピークや、雰囲気中の水蒸気の吸収がバックグランドに重畳することがあるので、比較的バックグランドの変化の少ない８１０ｃｍ-1付近の吸収ピークを指標として選んだ。
　なお、ここで例示した硬化不良状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＮＧ）の、良硬化状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＯＫ）に対する合致率は、９１％であった。合致率は、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社のＡｖａｔａｒ３７０に付属のソフトウェア「ＯＭＮＩＣ」で求めた。合致率を求める波数範囲は、４０００ｃｍ-1～６５０ｃｍ-1に設定した。合致率を求める波数範囲（波長範囲）は、シール剤の種類に応じて適宜設定し得る。
　この合致率の数値に基づいて、効果状態の良否を判定することができる。良と判定する合致率は、予め硬化状態が異なる試料について、表示むらの発生の有無を調べるなどして、設定しておけばよい。例えば、合致率が９５％以上を良判定とする。
　なお、目視で判断する際は、図３（ｂ）に示したように、９００ｃｍ-1～７４０ｃｍ-1付近を拡大すればよい。もちろん、シール剤の種類に応じて指標とする吸収ピーク（注目する波数域）は適宜変更され得る。
　次に、図４を参照して、硬化不良状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＮＧ）および良硬化状態のシール剤の反射赤外線吸収スペクトル（ＯＫ）について、硬化状態を定量的に判定するための他の方法を説明する。
　図４に示すように、吸収ピークＡ：８１０ｃｍ-1（Ｃ－Ｈ面外変角振動）と、吸収ピークＢ：８３０ｃｍ-1（ベンゼン環面外変角振動）について、それぞれの吸収強度を求める。吸収強度は、ベースラインからのピークの高さとして求める。吸収ピークＡの強度／吸収ピークＢの強度の値（比率）は、良硬化状態（ＯＫ）が０．２４で、不良硬化状態（ＮＧ）が０．５１であった。吸収ピークＡの強度／吸収ピークＢの強度の値が、０．２４に近いほど硬化が進んでいることがわかる。例えば、この値が０．２６以下を良判定とすることができる。
　このように、本発明の実施形態によると、シール剤の硬化状態の良否を非破壊で、迅速に評価することができる。すなわち、本発明の実施形態によると、シール剤の硬化工程（紫外線照射工程）が終わった直後に、シール剤の硬化状態を検査することができる。硬化不良と判定された場合には、直ちに、シール剤の硬化工程に戻し、追加の硬化処理（追加の紫外線照射）を行うことができる。追加の硬化処理によって、良品が得られれば、良品率を向上させることができる。また、硬化条件の変更等を即座に行うことが可能なので、良品率を向上させることができる。さらに、上記の検査方法は、量産ラインに容易に導入することが可能で、且つ、維持・管理も容易である。従って、良品率を向上することによって、検査用の装置の導入および維持・管理のコストを十分に吸収できる。
　また、シール剤を変更する際に、従来は表示パネルの点灯評価によって、良否を判断していたのに対し、本発明の実施形態によるシール剤の検査方法を用いると、その必要がなく、最適な硬化条件などを効率よく決定することができる。
　なお、本発明の実施形態によるシール剤の検査方法は、シール剤の硬化状態だけでなく、シール剤に不純物が混在した場合にも、上記の方法で判別することができる。
　図５を参照して、シールパターンを描画する工程で、シール剤にグリースが混入した場合について説明する。
　図５は、グリースが混入したシール剤を硬化した場合（ＮＧ）、不純物の混入の無い良硬化状態（ＯＫ）、およびシール剤に混入したグリース（不純物）の反射赤外線吸収スペクトルを示す。
　図５の反射赤外線吸収スペクトルを比較すると明らかなように、ＮＧの吸収スペクトルには、グリースに由来するＣ－Ｈ伸縮振動等の吸収ピークが増大している。ＮＧの吸収スペクトルの合致率は６８％であった。なお、不純物の混入の有無はシール剤を硬化する前に判定するようにしてもよい。シール剤を硬化した後は、リワークが難しいが、シール剤を硬化する前であれば容易にリワークすることができる。
　上述したように、本発明の実施形態によると、シール剤の硬化状態の良否や不純物の混入の有無を非破壊で、迅速に評価することができる。
　図６（ａ）～（ｃ）に、本発明の他の実施形態による液晶表示パネル１００Ｂ、１００Ｃ、および１００Ｄの模式的な平面図を示す。
　図６（ａ）に示す液晶表示パネル１００Ｂのように、ＴＦＴ基板１２の端部領域１２ｐの２箇所に金属層１４ｂ１および１４ｂ２を形成し、金属層１４ｂ１および１４ｂ２を覆う追加シール部４４ｂ１および４４ｂ２を設けてもよい。追加シール部４４ｂ１および４４ｂ２は、シール部４２ｂと連続して形成されることが好ましい。金属層１４ｂ１および１４ｂ２は、ＴＦＴ基板１２が有する配線や電極（端子領域１３ｂの配線や電極を含む）から分離されていることが好ましい。
　また、図６（ｂ）に示す液晶表示パネル１００Ｃのように、ＴＦＴ基板１２の端部領域１２ｐの３箇所に金属層１４ｃ１、１４ｃ２および１４ｃ３を形成し、金属層１４ｃ１、１４ｃ２および１４ｃ３を覆う追加シール部４４ｃ１、４４ｃ２および４４ｃ３を設けてもよい。追加シール部４４ｃ１、４４ｃ２および４４ｃ３は、シール部４２ｃと連続して形成されることが好ましい。金属層１４ｃ１、１４ｃ２および１４ｃ３は、ＴＦＴ基板１２が有する配線や電極（端子領域１３ｃの配線や電極を含む）から分離されていることが好ましい。
　さらに、図６（ｃ）に示す液晶表示パネル１００Ｄのように、ＴＦＴ基板１２が直交する２つの辺に端部領域１２ｐ１および１２ｐ２を有する場合、端部領域１２ｐ１に金属層１４ｄ１を形成し、端部領域１２ｐ２に金属層１４ｄ２を形成し、金属層１４ｄ１および１４ｄ２を覆う追加シール部４４ｄ１および４４ｄ２を設けてもよい。追加シール部４４ｄ１および４４ｄ２は、シール部４２ｄと連続して形成されることが好ましい。金属層１４ｄ１および１４ｄ２は、ＴＦＴ基板１２が有する配線や電極（端子領域１３ｄの配線や電極を含む）から分離されていることが好ましい。
　本発明の実施形態による液晶表示パネルは例示したものに限られず、種々の液晶表示パネルに適用され得る。ここでは、滴下注入法によって製造される液晶表示パネルを例に、本発明の実施形態を説明したが、本発明はこれに限られず、真空注入法によって製造される液晶表示パネルにも適用できるし、他の表示パネルにも適用できる。
　本発明は、液晶表示パネル、電気泳動表示パネルや有機ＥＬ表示パネルなどの表示パネルおよびその製造プロセスにおけるシール剤の硬化状態の検査に適用することができる。
　１０Ｄ　表示領域
　１２　　第１基板（ＴＦＴ基板）
　１２ｃ　　対向領域
　１２Ｄ　　画素形成領域
　１２ｐ　　端部領域
　１３ａ　　端子領域
　１４ａ、１４ｂ１、１４ｂ２、１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｄ１、１４ｄ２　　金属層
　２２　　　第２基板（対向基板）
　３２　　　表示媒体層（液晶層）
　４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ　　シール部
　４４ａ、４４ｂ１、４４ｂ２、４４ｃ１、４４ｃ２、４４ｃ３、４４ｄ１、４４ｄ２　追加シール部
　１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、２００　液晶表示パネル

Claims (7)

  1. 　端部領域と画素形成領域とを有する第１基板と、
    　前記第１基板と対向し、かつ、前記第１基板の前記端部領域を露出するように配置された第２基板と、
    　前記第１基板と前記第２基板との間に形成された表示媒体層と、
    　前記第１基板と前記第２基板とを互いに接着し、且つ、前記画素形成領域を包囲するシール部と、
    　前記第１基板の前記端部領域に前記シール部と同じ材料で形成された追加シール部と
    を有し、
    　前記第１基板は、前記追加シール部の下に金属層をさらに有する、表示パネル。
  2. 　前記第１基板は複数の配線および複数の電極を有し、前記金属層は前記複数の配線および前記複数の電極から分離されている、請求項１に記載の表示パネル。
  3. 　前記金属層は、前記複数の配線および前記複数の電極のいずれかと同じ材料で形成されている、請求項２に記載の表示パネル。
  4. 　前記追加シール部は、前記金属層と直接接触している、請求項１から３のいずれかに記載の表示パネル。
  5. 　前記シール部は、紫外線硬化性アクリル樹脂から形成されている、請求項１から４のいずれかに記載の表示パネル。
  6. 　シール剤を硬化することによって、前記シール部および前記追加シール部を形成する工程を包含する、請求項１から５のいずれかに記載の表示パネルの製造プロセスにおいてフーリエ変換赤外分光法によって前記シール剤の硬化状態を検査する方法であって、
    　前記シール部および前記追加シール部を形成する工程の後で、前記第２基板側から、前記金属層を利用して、前記追加シール部の反射赤外線吸収スペクトルを取得する工程ａと、
    　取得した前記追加シール部の前記反射赤外線吸収スペクトルに基づいて、前記シール剤の硬化状態を評価する工程ｂと
    を包含する、検査方法。
  7. 　前記工程ｂは、予め用意された良硬化状態の前記シール剤の反射赤外線吸収スペクトルと、前記追加シール部の前記反射赤外線吸収スペクトルとを比較する工程ｂ１を包含する、請求項６に記載の検査方法。
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