WO2012162966A1 - 脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法 - Google Patents

脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012162966A1
WO2012162966A1 PCT/CN2011/079039 CN2011079039W WO2012162966A1 WO 2012162966 A1 WO2012162966 A1 WO 2012162966A1 CN 2011079039 W CN2011079039 W CN 2011079039W WO 2012162966 A1 WO2012162966 A1 WO 2012162966A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
terahertz
pulse
terahertz quantum
cascade laser
quantum cascade
Prior art date
Application number
PCT/CN2011/079039
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
谭智勇
曹俊诚
韩英军
陈镇
Original Assignee
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 filed Critical 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Priority to US13/641,777 priority Critical patent/US8749225B2/en
Publication of WO2012162966A1 publication Critical patent/WO2012162966A1/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3401—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers
    • H01S5/3402—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers intersubband lasers, e.g. transitions within the conduction or valence bands

Definitions

  • the invention belongs to the technical field of terahertz and relates to a power measuring device and method for a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser. Background technique
  • the frequency band is an electromagnetic wave region with a wide spectral range between millimeter wave and infrared light, and its frequency range is 100 GHz-10 THz.
  • THz waves have achieved rapid development in information and communication technology, national security, biomedicine, non-destructive testing, quality control of food and agricultural products, and global environmental monitoring. It has great application prospects and application value in the above fields.
  • THz field has developed rapidly, and the Terahertz Quantum Cascade Laser (THz QCL), which is an important radiation source in the THz band, has been extensively and deeply researched and made important progress.
  • THz QCL features high energy conversion efficiency, fast response, small size, easy integration and long life.
  • the maximum operating temperature of THz QCL in pulse mode is 186 K, and the maximum output power of the device can reach 248 mW under optimal operating conditions.
  • the current pulse mode is THz.
  • the operating temperature of QCL has reached 1.9 h ⁇ /k B (where ⁇ is the laser's lasing frequency), and it is expected to further improve the structure to achieve room temperature lasing.
  • the current operating frequency of THz QCL is 1.2 ⁇ . With magnetic field assistance up to 0.68 THz.
  • THz QCLs have been successfully applied to THz application technologies such as local oscillator sources for heterodyne reception, THz wireless communication, and THz real-time imaging.
  • THz QCL in pulse mode the peak power of a single pulse is much larger than that of a continuous mode device due to its small amount of cooling, which makes it more advantageous in THz detection and imaging applications.
  • Output power is an important performance indicator for device applications.
  • the output power of the device directly determines the field of application and scope. Therefore, how to accurately measure the effective output power of the device is the application process of the device.
  • the key link Since the repetition frequency of the output laser of a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser is usually about 2 kHz (corresponding to 0.5 ms), and the time constant of a common heat detector (such as Golay Cell) is usually about 20 ms, it is usually used.
  • the heat detector to measure the power of the pulsed lasing type terahertz quantum cascade laser output laser is difficult to achieve.
  • the international measurement of the output power of a pulse lasing terahertz quantum cascade laser is mainly carried out by using a liquid helium dewar cooled bolometer detector, which integrates the thermal response waveform generated by a single THz pulse on the sensitive surface of the detector. , Estimate the energy of a single THz pulse, and then get the peak power of a single THz pulse.
  • the terahertz quantum-well photodetector (THz QWP) is a semiconductor detector that closely matches the THz QCL operating frequency range. The device's response rate to THz light in the detectable range is up to GHz.
  • the THz QWP is used to measure the output power of the pulse lasing THz QCL without the above integration process. It can directly respond to the THz QWP response to the pulsed THz light and its response at the THz QCL lasing frequency. Rate, the peak power of the pulsed THz light output from the THz QCL.
  • the technical problem to be solved by the present invention is to provide a power measurement method for a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser, which can obtain the peak power of the laser lasing pulse very intuitively, and avoids the adoption of the traditional measurement method. Integral calculation to estimate the peak power of the lasing pulse;
  • the present invention provides a power measuring device for a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser.
  • the present invention adopts the following technical solutions.
  • a power measuring device for a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser comprising a light source portion, an optical path portion and a detecting portion;
  • the light source portion includes a first cold head, a first heat sink mounted in the first cold head, a terahertz quantum cascade laser mounted on the first heat sink, and connected to the terahertz quantum cascade laser a pulsed power source, a first polyethylene window mounted on the first cold head; wherein the terahertz light emitted by the terahertz quantum cascade laser is emitted through the first polyethylene window;
  • the optical path portion includes a first off-axis parabolic mirror and a second off-axis parabolic mirror; the first off-axis parabolic mirror Collecting terahertz light emitted through the first polyethylene window and reflecting the terahertz light to a second off-axis parabolic mirror; the second off-axis parabolic mirror receiving reflection through the first off-axis parabolic mirror The terahertz light coming in and reflecting the terahertz light to the detecting portion;
  • the detecting portion includes a second cold head, a second polyethylene window mounted on the second cold head, a second heat sink installed in the second cold head, and a terahertz quantum well mounted on the second heat sink a detector, a signal processing circuit coupled to the terahertz quantum well detector, and an oscilloscope coupled to the signal processing circuit; wherein the second polyethylene window reflects the second off-axis parabolic mirror Terahertz light enters the second cold head and reaches the sensitive surface of the terahertz quantum well detector; the terahertz quantum well detector is configured to receive the terahertz reflected by the second off-axis parabolic mirror Light, and generating a corresponding current signal; the signal processing circuit extracts the current signal as a voltage signal and performs amplification; the oscilloscope is configured to read and display the amplified voltage signal of the signal processing circuit, The amplitude of the voltage signal is obtained.
  • the lasing frequency range of the terahertz quantum cascade laser can cover 1.2-5.0 THz
  • the operating frequency range of the terahertz quantum well detector can cover 2.0-10.0 THz.
  • the terahertz quantum well detector is a photoconductive low-dimensional semiconductor detector, and the operating frequency range can cover 2.0-10.0 THz, and the active region thereof passes through the semi-insulating GaAs substrate.
  • the GaAs layer and the AlGaAs layer are alternately grown to form.
  • the active region of the terahertz quantum well detector includes 23 periodic structures, each of which includes an alternately grown GaAs layer and an Al Q15 G a 985 A S layer. Floor.
  • the peak detection frequency of the terahertz quantum well detector is 3.22 THz, and the full width at half maximum of the detector optical response spectrum is 1.63 THz (corresponding to a normalized optical response amplitude of 50%) Frequency range: 3.08-4.71 THz).
  • the terahertz quantum cascade laser may have a lasing frequency range covering 1.2-5.0 THz, and an active region thereof is formed by alternately growing a GaAs layer and an AlGaAs layer on a semi-insulating GaAs substrate. The way it is formed.
  • the active region of the terahertz quantum cascade laser is a quad well Phonon resonator structure, comprising a periodic structure 178, comprising a GaAs layer and AlQ grown alternately in each period structure. 15 Ga 85 A S layers of the four layers.
  • the specific lasing frequency range of the terahertz quantum cascade laser is 4.02-4.13 THzo
  • the first polyethylene window and the second polyethylene window are each made of a high strength polyethylene material.
  • the first polyethylene window and the second polyethylene window are both cut, ground and polished by casting a high strength polyethylene cylindrical material.
  • the reflecting surfaces of the first off-axis parabolic mirror and the second off-axis parabolic mirror are gold-plated off-axis paraboloids.
  • the pulse power source is a programmable pulse power source, and includes two power supply modes, a positive bias voltage and a reverse bias voltage.
  • the pulse power supply has an output current range of 0 - ⁇ 5 A (corresponding output voltage range is 0 - ⁇ 250 V), and the pulse width adjustment range is 50 ns - 5 ⁇ 8
  • the output pulse repetition frequency ranges from 1-10 kHz and the pulse has a maximum duty cycle of 1%.
  • the signal processing circuit includes a voltage amplifier, a power supply battery section, a voltage dividing resistor, and a plurality of circuit connection lines, wherein the power supply battery, the voltage dividing resistor, and the terahertz quantum well detector
  • the series is a closed loop, and a voltage amplifier is used to extract the voltage across the voltage dividing resistor.
  • the oscilloscope is a digital oscilloscope.
  • the oscilloscope includes four measurable channels; the oscilloscope has a measurement bandwidth of 500 MHz, a sampling rate of 4 Gsa/s, and a memory depth of 8 Mpts.
  • a power measurement method for a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser based on the above power measuring device comprises the following steps: Step 1: applying a periodic pulse driving voltage to a terahertz quantum cascade laser by using a pulse power source It radiates periodic pulsed terahertz light, and the periodic pulsed terahertz light passes through the first polyethylene window to reach the first off-axis parabolic mirror; Step two, the first off-axis parabolic mirror receives periodic pulsed terahertz light emitted through the first polyethylene window, and reflects the periodic pulse terahertz light to a second off-axis parabolic mirror; a second off-axis parabolic mirror receives periodic pulsed terahertz light reflected by the first off-axis parabolic mirror, and reflects the periodic pulsed terahertz light to the detecting portion, via the second off-axis parabola The periodic pulsed terahertz light reflected by the mirror passes through the second polyethylene window
  • Step 3 the detecting portion of the terahertz quantum well detector generates a corresponding periodic pulse current signal after responding to the incident periodic pulse terahertz light, and the signal processing circuit is used to extract the current signal into a voltage signal. And amplifying the voltage signal and inputting into the oscilloscope, the oscilloscope reading and displaying the voltage signal to obtain an amplitude of the voltage signal, and the magnitude of the voltage signal reflects a terahertz quantum well detector The strength of the response to terahertz light;
  • Step 4 Calculating the terahertz light reaching the sensitive surface of the terahertz quantum well detector according to the voltage signal amplitude displayed in the oscilloscope and the response rate of the terahertz quantum well detector at the lasing frequency of the terahertz quantum cascade laser Power, and then calculate the terahertz optical power radiated from the first polyethylene window by the terahertz quantum cascade laser according to the collection efficiency of the entire measuring device, thereby completing the output of the pulse lasing terahertz quantum cascade laser Power measurement.
  • the present invention adopts a terahertz quantum well detector whose operating frequency range is matched with the lasing frequency range of the terahertz quantum cascade laser as a receiving end, and the detection effect of the pulse terahertz light is very good;
  • the terahertz quantum well detector has a fast response to terahertz light, which can convert the pulsed terahertz optical signal into a corresponding pulse electrical signal, and the pulse can be well obtained by the signal processing circuit and the oscilloscope.
  • the amplitude of the electrical signal in turn, can be obtained intuitively to obtain the peak power of the laser lasing pulse, avoiding the integral estimation process used in the conventional method;
  • the power measuring device of the pulse lasing type terahertz quantum cascade laser of the present invention has good reflection (or transmission) characteristics in the terahertz frequency band, and can make the measuring device achieve the largest possible terahertz light collection. effectiveness.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser power measuring device according to the present invention
  • Figure 2 shows the transmission spectrum measurements of polyethylene windows with thicknesses of 1.8 mm and 5.0 mm in the 2.0-6.0 THz optical band;
  • Figure 3 shows the transmission spectrum measurement and calculation results of the atmosphere in the 3.0-5.0 THz optical band
  • Figure 4 is a comparison of the optical response spectrum of a terahertz quantum well detector with the laser emission spectrum of a terahertz quantum cascade laser;
  • Figure 5 is a comparison of the pulsed bias signal waveform of the terahertz quantum cascade laser read by the oscilloscope and the pulsed terahertz optical response signal waveform of the terahertz quantum well detector.
  • the illustration is a partial enlarged view of the box. .
  • A the light source part
  • B the light path part
  • the invention discloses a device for measuring the output laser power of a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser and a power measuring method thereof, comprising: a light source part (pulse power supply, a first cold head, and being installed in the first cold head) a first heat sink, a terahertz quantum cascade laser mounted on the first heat sink, a first polyethylene window mounted on the first cold head), an optical path portion (two off-axis parabolic mirrors and atmosphere), and detection a portion (a second cold head, a second polyethylene window mounted on the second cold head, a second heat sink mounted in the second cold head, A terahertz quantum well detector, signal processing circuit, and oscilloscope mounted on a second heat sink).
  • a light source part pulse power supply, a first cold head, and being installed in the first cold head
  • a terahertz quantum cascade laser mounted on the first heat sink
  • a first polyethylene window mounted on the first cold head
  • an optical path portion two off-axi
  • the invention has the advantages that: a terahertz quantum well detector with fast response capability and a working frequency range matched with a lasing frequency range of a terahertz quantum cascade laser is used as a receiving end, and the pulse terahertz optical signal can be well It is converted into the corresponding pulse electrical signal, and the amplitude of the pulse electrical signal is well obtained by the signal processing circuit and the oscilloscope, so that the peak power of the lasing pulse of the terahertz quantum cascade laser can be obtained intuitively, and the traditional method is adopted.
  • the integral estimation process Embodiment 1
  • This embodiment provides a power measuring device for a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser, as shown in FIG.
  • the apparatus includes a light source portion A, an optical path portion B, and a detecting portion C.
  • the light source portion A includes: a pulse power source 1, a first cold head 2, a first heat sink 3 installed in the first cold head 2, a terahertz quantum cascade laser mounted on the first heat sink 3, and a first a polyethylene window 4; the first polyethylene window 4 is mounted on the first cold head 2 to emit terahertz light emitted by the terahertz quantum cascade laser through the first polyethylene window 4 .
  • the pulse power supply 1 is a programmable pulse power supply, and includes two power supply modes: a positive bias voltage and a reverse bias voltage.
  • the output current range of the pulse power supply 1 is 0_ ⁇ 5 A (the corresponding output voltage range is The output voltage range is 0- ⁇ 250 V), the pulse width adjustment range is 50 ns-5 ⁇ 8 , the output pulse repetition frequency range is 1-10 kHz, and the pulse has a maximum duty cycle of 1%.
  • the first heat sink 3 is a copper material, and is often used as a heat conductor of a micro device in the field of low temperature technology.
  • the active region of the terahertz quantum cascade laser is a "four-well resonant phonon" structure, and a GaAs layer and an Al Q .
  • 15 Ga 85 A S layer are alternately grown on a semi-insulating GaAs substrate by a molecular beam epitaxy method.
  • the active region has a total of 178 periodic structures, each of which contains an alternately grown GaAs layer and Al Q.
  • Each of the 15 Ga 85 A S layers has a device size of 1 mm ⁇ 40 ⁇ m ⁇ (long ⁇ width)
  • the lasing frequency ranges from 4.02-4.13 ⁇ .
  • the lasing frequency of the laser is preferably 4.13 ⁇
  • the temperature at which the device operates is 10 ⁇ .
  • the first cold head 2 providing a low temperature environment is part of a closed cycle mechanical refrigeration system, the minimum temperature of which can reach 9 ⁇ ;
  • the first polyethylene window 4 is High-strength polyethylene (HDPE) material, the window is cut, ground and polished by the filled HDPE cylindrical material.
  • the window diameter is 60 mm and the thickness is 5.0 mm. Its transmittance to 4.13 THz electromagnetic wave. 56%, as shown in Figure 2.
  • the optical path portion B includes: a first off-axis parabolic mirror 5 and a second off-axis parabolic mirror 6 and an atmosphere through which the terahertz light passes; the first off-axis parabolic mirror 5 is received through the first polyethylene window 4 Terahertz light, and reflecting the terahertz light to the second off-axis parabolic mirror 6; the second off-axis parabolic mirror 6 receives terahertz light reflected by the first off-axis parabolic mirror 5 and The terahertz light is reflected to the detecting portion C.
  • the first off-axis parabolic mirror 5 and the second off-axis parabolic mirror 6 have a focal length of 101.6 mm, and the reflecting surfaces are all gold-plated off-axis paraboloids, and the reflectance to the 4.13 THz electromagnetic wave is 98%; the above terahertz light
  • the atmospheric distance traveled is 1000 mm, based on the same relative humidity (RH47%), the measurement of the atmospheric transmittance (T) at 1480 mm thickness, and the relationship between the transmittance and the dielectric thickness (L) ( ⁇ _, a is the absorption coefficient), and the transmittance of the atmosphere of 1000 mm thickness to the 4.13 THz electromagnetic wave is calculated to be 63%, as shown in Fig. 3.
  • the detecting portion C includes: a second cold head 7, a second polyethylene window 8 mounted on the second cold head 7, a second heat sink 9 installed in the second cold head 7, and a second heat sink 9 a terahertz quantum well detector, a signal processing circuit 10, and an oscilloscope 11; terahertz light reflected by the second off-axis parabolic mirror 6 passes through the second polyethylene window 8 and converges on the second On the sensitive surface of the terahertz quantum well detector on the heat sink 9, the terahertz quantum well detector responds rapidly to the terahertz light to generate a corresponding current signal, and the signal processing circuit 10 extracts the current signal into a voltage. a signal, and the voltage signal is amplified and input to the oscilloscope 11. The oscilloscope 11 reads and displays the voltage signal to obtain the amplitude of the voltage signal, and the magnitude of the voltage signal reflects the terahertz quantum well. The strength of the detector's response to terahertz light.
  • the second heat sink 9 is a copper material, and is often used as a heat conductor of a micro device in the field of low temperature technology.
  • the terahertz quantum well detector is a photoconductive low-dimensional semiconductor detector, and the active area thereof is divided into Alternating beam epitaxial growth on a semi-insulating GaAs substrate and a GaAs layer Al Q15 Ga 985 As layer is formed, a total of 23 active Chief periodic structure comprising alternate GaAs and Al layer in the structure of each growth cycle. . . . 15 Ga.
  • Each layer of the 985 As layer has a device size of 800 ⁇ m ⁇ 800 ⁇ m ⁇ (long ⁇ width), the peak detection frequency of the device is 3.22 ⁇ , and the full width at half maximum of the detector photo response spectrum is 1.63 ⁇ (normalized light response amplitude)
  • the 50% corresponds to the frequency range: 3.08-4.71 ⁇ ), which has a normalized light response amplitude of 67% at 4.13 ( (see Figure 4), the device operates at 4.2 ⁇ , and the applied bias voltage is -48 mV. .
  • the second cold head 7 providing a low temperature environment is part of a closed cycle mechanical refrigeration system with a minimum temperature of 3 K;
  • the second polyethylene window 8 is a high strength polyethylene (HDPE) material, and the window passes through the paired HDPE.
  • the cylindrical material is cut, ground and polished.
  • the window has a diameter of 35 mm and a thickness of 1.8 mm. Its transmittance to 4.13 THz electromagnetic waves is 75% (see Figure 2).
  • the signal processing circuit 10 includes a voltage amplifier, a power supply battery section, a voltage dividing resistor, and a plurality of circuit connection lines.
  • the power supply battery, the voltage dividing resistor and the terahertz quantum well detector are connected in series as a closed loop, and a voltage amplifier is used to extract the voltage across the voltage dividing resistor.
  • the coupling mode of the voltage amplifier is DC coupling, and the amplification factor is 2 times.
  • the power supply battery used is the No. 5 dry battery, and the resistance of the voltage divider resistor is 5 ⁇ .
  • the oscilloscope 11 is a digital oscilloscope, and its main parameters are: 4 measurable channels, 500 MHz measurement bandwidth, 4 Gsa/s sampling rate, and a standard 8 Mpts memory depth.
  • the device is used for measuring the output power of a pulse lasing type terahertz band laser, specifically for measuring the output power of a terahertz quantum cascade laser, and a terahertz quantum well detector having a fast response capability to terahertz light is used in the measuring device.
  • a detecting device a polyethylene material with a weak terahertz light absorption is used as a window, and a gold-plated off-axis parabolic mirror with a high terahertz light reflectance is used as a collecting and reflecting device for terahertz light.
  • This embodiment describes the measurement method of the measuring device according to the first embodiment, and includes the following steps: Step 1: using a pulse power supply to apply a amplitude of 12.4 to the terahertz quantum cascade laser mounted on the first heat sink of the light source portion.
  • the terahertz quantum cascade laser emits pulsed terahertz light with a period of 500 ⁇ 5 (corresponding to a repetition rate of 2 kHz) and a pulse width of 5 ⁇ 5 (laser frequency is 4.13 ⁇ ), the pulse is too
  • the Hertz light passes through the first polyethylene window and reaches the first off-axis parabolic mirror;
  • the first off-axis parabolic mirror receives the pulsed terahertz light emitted by the first polyethylene window, and reflects the pulsed terahertz light to the second off-axis parabolic mirror;
  • the second off-axis The parabolic mirror receives the pulsed terahertz light reflected by the first off-axis parabolic mirror and reflects the pulsed terahertz light to the detecting portion;
  • the pulsed terahertz light reflected by the second off-axis parabolic mirror Passing through the second polyethylene window to reach the sensitive surface of the terahertz quantum well detector on the second heat sink of the detecting portion;
  • Step 3 the detecting portion of the terahertz quantum well detector rapidly responds to the pulsed terahertz light reflected by the second off-axis parabolic mirror to generate a corresponding pulse current signal, and the signal processing circuit is used to
  • the pulse current signal is extracted as a pulse voltage signal (with a period of 500 ⁇ 5 and a pulse width of 5 ⁇ 8 ), and the pulse voltage signal is amplified and input into the oscilloscope for reading and display, and the result is shown in FIG. 5 ( In order to make the contrast effect obvious, the response signal of the detector in the figure is normalized.
  • the amplitude of the pulse voltage signal can be obtained, and the amplitude of the pulse voltage signal reflects the magnitude of the pulse signal.
  • the collection efficiency is calculated terahertz quantum cascade laser emitted from the first polyethylene sheet at a window terahertz pulse light power, thereby completing the measurement of the terahertz pulsed lasing type quantum cascade laser output power.
  • the response rate of the terahertz quantum well detector is calibrated by a standard blackbody radiation source.
  • the standard blackbody radiation source illuminates the sensitive surface of the terahertz quantum well detector
  • the detector will generate a photo-generated current, causing its resistance to change due to The voltage applied across the detector and the voltage dividing resistor is fixed.
  • the voltage across the voltage dividing resistor changes.
  • the photogenerated current generated by the detector under the standard blackbody radiation source can calculate the response rate of the detector at different frequencies within the detectable frequency range according to the output power of the standard blackbody radiation source and the photocurrent spectrum of the detector.
  • the response rate of the terahertz quantum well detector The collection efficiency of the entire measuring device is the transmission rate of the terahertz light at the lasing frequency of the terahertz quantum cascade laser in the entire measuring device, that is, the transmission of the terahertz light by the first polyethylene window. Rate, transmittance of the second polyethylene window to the terahertz light, collection efficiency of the first off-axis parabolic mirror to the terahertz light emitted from the first polyethylene window, first off-axis parabolic mirror and second separation The efficiency of the reflection of the terahertz light by the parabolic objective and the transmittance of the atmosphere to the terahertz light in the entire optical path.
  • Embodiment 3 Embodiment 3
  • the collection efficiency of the measuring device described in the first embodiment is detected, and the content to be detected has five parts:
  • the first off-axis parabolic mirror has a collection efficiency of 10.13 THz light of 10%;
  • the embodiment also provides a calculation method for the output power of a pulse lasing type terahertz quantum cascade laser, and the main contents of the method are as follows:
  • the terahertz quantum well estimator is calculated.
  • the optical power of the pulsed terahertz light emitted by the pulse lasing type terahertz quantum cascade laser from the first polyethylene window of the first cold head is calculated according to the collection efficiency of the terahertz light by the entire measuring device, thereby obtaining The output power of a pulse lasing terahertz quantum cascade laser.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

公开了一种脉冲型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法。装置包括光源部分（A）、光路部分（B）和探测部分（C）。太赫兹量子级联激光器发出的太赫兹光到达太赫兹量子阱探测器，产生相应的电流信号。信号处理电路（10）将电流信号变换为电压信号并放大，然后输入示波器（11）中进行读取和显示，根据太赫兹量子阱探测器在激光器激射频率处的响应率，计算得到脉冲型太赫兹量子级联激光器的输出功率。避免了采用热探测器测量脉冲工作模式下的积分计算，可直接根据探测器相应脉冲的幅度得到激光器输出脉冲的功率。

Description

技术领域
本发明属于太赫兹技术领域，涉及一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的 功率测量装置及方法。 背景技术
太赫兹 （ΤΗζ，
Figure imgf000003_0001
Ηζ) 频段是介于毫米波与红外光之间频谱范围相 当宽的一段电磁波区域， 其频率范围为 100 GHz- 10 THz。 随着光子学和纳米技 术领域的不断革新， THz波在信息通信技术、 国家安全、 生物医学、 无损检测、 食品和农产品的质量控制、全球性环境监测等方面取得了较快发展， 并被认为在 上述领域中具有重大的应用前景和应用价值。近年来， THz领域发展迅速， 作为 THz 频段重要辐射源的太赫兹量子级联激光器 （Terahertz Quantum Cascade Laser, THz QCL) 得到了广泛而深入的研究， 并取得了重要的进展。 THz QCL 具有能量转换效率高、 响应速度快、 体积小、 易集成以及使用寿命长等特点。 到 目前为止， 脉冲工作模式下 THz QCL的最高工作温度为 186 K， 在最优的工作 条件下器件的最高输出功率可达 248 mW; 通过器件有源区结构的改进， 目前脉 冲工作模式下 THz QCL的工作温度已经达到 1.9 hω/kB (其中 ω为激光器的激射 频率） ， 并有望进一步改进结构使器件实现室温激射； 在激射频率方面， 目前 THz QCL的最低工作频率为 1.2 ΤΗζ， 在磁场辅助下可达 0.68 THz。 随着上述器 件工作性能的快速发展， 上述器件的应用也倍受关注。 目前 THz QCLs已经成功 应用于外差接收的局域振荡源、 THz无线通信、 THz实时成像等 THz应用技术 中。 而脉冲工作模式下的 THz QCL， 由于其所需制冷量小， 单个脉冲的峰值功 率比连续工作模式器件的输出功率值大很多， 使其在 THz探测与成像应用中更 具优势。
输出功率是器件应用的重要性能指标，器件输出功率的大小直接决定了其应 用领域和范围。因此， 如何精确地测量出器件的有效输出功率是器件应用过程的 关键环节。 由于脉冲激射型太赫兹量子级联激光器输出激光的重复频率通常为 2 kHz (对应为 0.5 ms) 左右， 而普通热探测器 （如 Golay Cell) 的时间常数通常 为 20 ms左右，因此采用普通的热探测器来测量脉冲激射型太赫兹量子级联激光 器输出激光的功率很难实现。 目前， 国际上对脉冲激射型太赫兹量子级联激光器 输出功率的测量主要采用液氦杜瓦冷却的 bolometer探测器，通过对单个 THz脉 冲照射在探测器敏感面上产生的热响应波形进行积分， 估算出单个 THz脉冲的 能量， 进而得到单个 THz 脉冲的峰值功率。 太赫兹量子阱探测器 （terahertz quantum-well photodetector, THz QWP) 是一种与 THz QCL工作频率范围非常匹 配的半导体探测器，器件对可探测范围内的 THz光的响应速率可达 GHz量级（ns 量级） ， 因此采用 THz QWP测量脉冲激射型 THz QCL的输出功率时不需要上 述积分过程， 可直接根据 THz QWP对脉冲 THz光的响应信号幅度及其在 THz QCL激射频率处的响应率， 得到 THz QCL输出的脉冲 THz光的峰值功率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器 的功率测量方法， 该测量方法可以非常直观地得到激光器激射脉冲的峰值功率， 避免了传统测量方法中通过积分计算来估算激射脉冲峰值功率的步骤；
此外， 本发明还提供一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装 置。
为解决上述技术问题， 本发明采用如下技术方案。
一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，包括光源部分、光 路部分和探测部分；
所述光源部分包括第一冷头、安装于所述第一冷头内的第一热沉、安装于第 一热沉上的太赫兹量子级联激光器、与所述太赫兹量子级联激光器连接的脉冲电 源、安装于第一冷头上的第一聚乙烯窗片； 其中， 所述太赫兹量子级联激光器发 射出的太赫兹光通过第一聚乙烯窗片射出；
所述光路部分包括第一离轴抛物镜和第二离轴抛物镜；所述第一离轴抛物镜 收集经所述第一聚乙烯窗片射出的太赫兹光，并使该太赫兹光反射至第二离轴抛 物镜； 所述第二离轴抛物镜接收经所述第一离轴抛物镜反射过来的太赫兹光， 并 使该太赫兹光反射至所述探测部分；
所述探测部分包括第二冷头、安装于第二冷头上的第二聚乙烯窗片、安装于 第二冷头内的第二热沉、安装于第二热沉上的太赫兹量子阱探测器、与所述太赫 兹量子阱探测器连接的信号处理电路以及与所述信号处理电路连接的示波器；其 中，所述第二聚乙烯窗片使所述第二离轴抛物镜反射过来的太赫兹光进入所述第 二冷头内， 并到达所述太赫兹量子阱探测器的敏感面上； 所述太赫兹量子阱探测 器用以接收所述第二离轴抛物镜反射过来的太赫兹光， 并产生相应的电流信号； 所述信号处理电路将所述电流信号提取为电压信号， 并进行放大； 所述示波器用 以对所述信号处理电路放大后的电压信号进行读取和显示，得到所述电压信号的 幅度。
作为本发明的一种优选方案，所述太赫兹量子级联激光器的激射频率范围可 覆盖 1.2-5.0 THz,所述太赫兹量子阱探测器的工作频率范围可覆盖 2.0-10.0 THz。
作为本发明的一种优选方案，所述太赫兹量子阱探测器为光电导型低维半导 体探测器， 工作频率范围可覆盖 2.0-10.0 THz, 其有源区为通过在半绝缘 GaAs 衬底上交替生长 GaAs层和 AlGaAs层的方式形成。
作为本发明的再一种优选方案， 所述太赫兹量子阱探测器的有源区包括 23 个周期结构， 每个周期结构内包含交替生长的 GaAs层和 Al Q15Ga 985AS层各一 层。
作为本发明的再一种优选方案，所述太赫兹量子阱探测器的峰值探测频率为 3.22 THz, 探测器光响应谱的半高宽为 1.63 THz (归一化光响应幅度 50%所对 应的频率范围： 3.08-4.71 THz) 。
作为本发明的另一种优选方案，所述太赫兹量子级联激光器的激射频率范围 可覆盖 1.2-5.0 THz, 其有源区是通过在半绝缘 GaAs衬底上交替生长 GaAs层和 AlGaAs层的方式形成的。
作为本发明的再一种优选方案，所述太赫兹量子级联激光器的有源区为四阱 共振声子结构， 其包括 178个周期结构， 每个周期结构内包含交替生长的 GaAs 层和 AlQ.15Ga 85AS层各四层。
作为本发明的再一种优选方案，所述太赫兹量子级联激光器的具体激射频率 范围为 4.02-4.13 THzo
作为本发明的再一种优选方案，所述第一聚乙烯窗片和第二聚乙烯窗片均采 用高强度聚乙烯材料。
作为本发明的再一种优选方案，所述第一聚乙烯窗片和第二聚乙烯窗片均通 过将灌制的高强度聚乙烯圆柱形材料进行切割、 研磨和抛光而成。
作为本发明的再一种优选方案，所述第一离轴抛物镜和第二离轴抛物镜的反 射面均为镀金离轴抛物面。
作为本发明的再一种优选方案， 所述脉冲电源为可编程脉冲式电源， 包括正 偏压和反偏压两种供电模式。
作为本发明的进一步的优选方案， 所述脉冲电源的可输出电流范围为 0- ± 5 A (对应的可输出电压范围为 0 - ±250 V), 脉宽调节范围为 50 ns-5 μ8, 输出脉 冲重复频率范围为 1-10 kHz, 脉冲的最大占空比为 1%。
作为本发明的再一种优选方案， 所述信号处理电路包括电压放大器一个， 供 电电池一节， 分压电阻一个， 电路连接线若干， 其中， 供电电池、 分压电阻与太 赫兹量子阱探测器串联为闭合回路， 并采用电压放大器提取分压电阻两端的电 压。
作为本发明的再一种优选方案， 所述示波器为数字示波器。
作为本发明的进一步的优选方案， 所述示波器包括 4个可测量通道； 所述示 波器的测量带宽为 500 MHz, 采样速率为 4 Gsa/s, 存储深度为 8 Mpts。
一种基于上述功率测量装置的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测 量方法， 包括以下步骤： 步骤一，采用脉冲电源给太赫兹量子级联激光器施加一个周期性的脉冲驱动 电压， 使其辐射出周期性的脉冲太赫兹光，所述周期性的脉冲太赫兹光经过第一 聚乙烯窗片后到达第一离轴抛物镜上； 步骤二， 所述第一离轴抛物镜接收经所述第一聚乙烯窗片射出的周期性脉 冲太赫兹光， 并使该周期性脉冲太赫兹光反射至第二离轴抛物镜； 所述第二离 轴抛物镜接收经所述第一离轴抛物镜反射过来的周期性脉冲太赫兹光， 并使该 周期性脉冲太赫兹光反射至所述探测部分， 经所述第二离轴抛物镜反射过来的 周期性脉冲太赫兹光透过所述探测部分的第二聚乙烯窗片后到达所述第二热沉 上的太赫兹量子阱探测器的敏感面上；
步骤三， 所述探测部分的太赫兹量子阱探测器对入射的周期性脉冲太赫兹 光响应后产生相应的周期性脉冲电流信号， 采用所述信号处理电路将所述电流 信号提取为电压信号， 并将所述电压信号放大后输入所述示波器中， 所述示波 器对所述电压信号进行读取和显示， 得到所述电压信号的幅度， 该电压信号幅 度的大小反映了太赫兹量子阱探测器对太赫兹光响应的强弱；
步骤四， 根据所述示波器中显示的电压信号幅度和太赫兹量子阱探测器在 太赫兹量子级联激光器激射频率处的响应率， 计算得到到达太赫兹量子阱探测 器敏感面的太赫兹光功率， 再根据整个测量装置的收集效率计算出太赫兹量子 级联激光器从所述第一聚乙烯窗片处辐射出的太赫兹光功率， 进而完成对脉冲 激射型太赫兹量子级联激光器输出功率的测量。
本发明的有益效果在于：
( 1 ) 本发明采用了工作频率范围与太赫兹量子级联激光器激射频率范围相 匹配的太赫兹量子阱探测器作为接收端， 对脉冲太赫兹光的探测效果非常良好；
(2) 太赫兹量子阱探测器对太赫兹光具有快速的响应能力， 可以很好地将 脉冲太赫兹光信号转换成对应的脉冲电信号，再通过信号处理电路和示波器可以 很好地得到脉冲电信号的幅度，进而可以很直观地得到激光器激射脉冲的峰值功 率， 避免了传统方法中采用的积分估算过程；
( 3 ) 本发明所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置在太 赫兹频段有很好的反射 (或透射)特性， 可以使测量装置达到尽可能大的太赫兹光 收集效率。 附图说明
图 1 为本发明所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器功率测量装置的结 构示意图；
图 2为厚度分别为 1.8 mm和 5.0 mm的聚乙烯窗片在 2.0-6.0 THz光频段的 透射谱测量结果；
图 3为大气在 3.0-5.0 THz光频段的透射谱测量与推算结果；
图 4 为太赫兹量子阱探测器的光响应谱与太赫兹量子级联激光器激光发射 谱的对比图；
图 5 为采用示波器读取的太赫兹量子级联激光器外加脉冲偏压信号波形和 太赫兹量子阱探测器对脉冲太赫兹光响应信号波形的对比图，其中插图为方框范 围内的局部放大图。
主要组件符号说明：
A、 光源部分； B、 光路部分；
C、 探测部分； I、 脉冲电源
2、 第一冷头； 3、 第一热沉；
4、 第一聚乙烯窗片; 5、 第一离轴抛物镜;
6、 第二离轴抛物镜; 7、 第二冷头；
8、 第二聚乙烯窗片; 9、 第二热沉
10、 信号处理电路； I I、 示波器。 具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细说明。
本发明公开了一种测量脉冲激射型太赫兹量子级联激光器输出激光功率的 装置及其功率测量方法， 其包括： 光源部分（脉冲电源、 第一冷头、 安装于第一 冷头内的第一热沉、安装于第一热沉上的太赫兹量子级联激光器、安装于第一冷 头上的第一聚乙烯窗片） 、 光路部分（两个离轴抛物镜和大气）和探测部分（第 二冷头、 安装于第二冷头上的第二聚乙烯窗片、 安装于第二冷头内的第二热沉、 安装于第二热沉上的太赫兹量子阱探测器、信号处理电路和示波器）。本发明的 优点在于： 采用了具有快速响应能力、工作频率范围与太赫兹量子级联激光器激 射频率范围相匹配的太赫兹量子阱探测器作为接收端，可以很好地将脉冲太赫兹 光信号转换成对应的脉冲电信号，再通过信号处理电路和示波器很好地得到脉冲 电信号的幅度，进而可以很直观地得到太赫兹量子级联激光器激射脉冲的峰值功 率， 避免了传统方法中采用的积分估算过程。 实施例一
本实施例提供一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，如图 1所示。
该装置包括光源部分 A、 光路部分 B和探测部分 C。
【光源部分 A】
光源部分 A包括： 脉冲电源 1、 第一冷头 2、 安装于所述第一冷头 2内的第 一热沉 3、 安装于第一热沉 3上的太赫兹量子级联激光器， 以及第一聚乙烯窗片 4； 所述第一聚乙烯窗片 4安装于所述第一冷头 2上使所述太赫兹量子级联激光 器发射出的太赫兹光通过第一聚乙烯窗片 4射出。
其中，所述脉冲电源 1为可编程脉冲式电源， 包括正偏压和反偏压两种供电 模式， 所述脉冲电源 1的可输出电流范围为 0_± 5 A (对应的可输出电压范围为 可输出电压范围为 0-±250 V)，脉宽调节范围为 50 ns-5 μ8,输出脉冲重复频率范 围为 1-10 kHz, 脉冲的最大占空比为 1%。 所述的第一热沉 3为铜质材料， 在低 温技术领域常作为微型器件的导热体。 所述太赫兹量子级联激光器的有源区为 "四阱共振声子"结构， 通过分子束外延方法在半绝缘的 GaAs 衬底上交替生长 GaAs层和 AlQ.15Ga 85AS层的方式形成， 有源区总共有 178个周期结构， 每个周 期结构内包含交替生长的 GaAs层和 AlQ.15Ga 85AS层各四层，器件尺寸为 1 mm χ 40 μιη (长 χ宽）， 可激射频率范围为 4.02-4.13 ΤΗζ， 本实施例中激光器的激射频 率优选为 4.13 ΤΗζ, 器件工作时的温度为 10 Κ。 提供低温环境的第一冷头 2为 闭循环机械制冷系统的一部分， 其最低温度可以达到 9 Κ; 第一聚乙烯窗片 4为 高强度聚乙烯 （HDPE) 材料， 窗片通过对灌制的 HDPE圆柱形材料进行切割、 研磨和抛光而成， 窗片直径为 60 mm， 厚度为 5.0 mm， 其对 4.13 THz电磁波的 透过率为 56%， 如图 2所示。
【光路部分 B】
光路部分 B包括： 第一离轴抛物镜 5和第二离轴抛物镜 6以及太赫兹光所 经过的大气；所述第一离轴抛物镜 5接收经所述第一聚乙烯窗片 4射出的太赫兹 光， 并使该太赫兹光反射至第二离轴抛物镜 6; 所述第二离轴抛物镜 6接收经所 述第一离轴抛物镜 5反射过来的太赫兹光，并使该太赫兹光反射至所述探测部分 C。
其中， 第一离轴抛物镜 5和第二离轴抛物镜 6的焦距均为 101.6 mm, 反射 面均为镀金离轴抛物面， 其对 4.13 THz电磁波的反射率均为 98%; 上述太赫兹 光所经过的大气距离为 1000 mm, 根据相同相对湿度 （RH47%) 下对 1480 mm 厚度大气透过率（T)的测量结果， 以及透过率与介质厚度（L)的关系（Το^_ ， a为吸收系数）， 计算得到 1000 mm厚度的大气对 4.13 THz电磁波的透过率为 63%, 如图 3所示。
【探测部分 C】
探测部分 C包括： 第二冷头 7、 安装于第二冷头 7上的第二聚乙烯窗片 8、 安装于第二冷头 7内的第二热沉 9、安装于第二热沉 9上的太赫兹量子阱探测器、 信号处理电路 10和示波器 11 ; 经所述第二离轴抛物镜 6反射的太赫兹光透过所 述第二聚乙烯窗片 8后会聚于所述第二热沉 9上的太赫兹量子阱探测器的敏感面 上，太赫兹量子阱探测器对太赫兹光进行快速响应后产生相应的电流信号，所述 信号处理电路 10将所述电流信号提取为电压信号， 并将所述电压信号放大后输 入所述示波器 11， 所述示波器 11对该电压信号进行读取和显示后可得到该电压 信号的幅度，该电压信号幅度的大小反映了太赫兹量子阱探测器对太赫兹光响应 的强弱。
其中，所述的第二热沉 9为铜质材料，在低温技术领域常作为微型器件的导 热体。所述太赫兹量子阱探测器为光电导型低维半导体探测器，其有源区采用分 子束外延方法在半绝缘的 GaAs衬底上交替生长 GaAs层和 Al Q15Ga 985As层而 形成， 有源区总共有 23个周期结构， 每个周期结构内包含交替生长的 GaAs层 和 Al。.。15Ga。.985As层各一层， 器件尺寸为 800 μιη χ 800 μιη (长 χ宽）， 器件的峰 值探测频率为 3.22 ΤΗζ，探测器光响应谱的半高宽为 1.63 ΤΗζ (归一化光响应幅 度 50%所对应的频率范围： 3.08-4.71 ΤΗζ)， 其在 4.13 ΤΗζ处的归一化光响应 幅度为 67% (见图 4)， 器件的工作温度为 4.2 Κ， 外加偏压为 -48 mV。 提供低温 环境的第二冷头 7为闭循环机械制冷系统的一部分， 其最低温度可以达到 3 K; 第二聚乙烯窗片 8为高强度聚乙烯 （HDPE) 材料， 窗片通过对灌制的 HDPE圆 柱形材料进行切割、 研磨和抛光而成， 窗片直径为 35 mm， 厚度为 1.8 mm， 其 对 4.13 THz电磁波的透过率为 75% (见图 2) 。 所述信号处理电路 10包括电压 放大器一个， 供电电池一节， 分压电阻一个， 电路连接线若干。 供电电池、 分压 电阻与太赫兹量子阱探测器串联为闭合回路，并采用电压放大器提取分压电阻两 端的电压。其中电压放大器的耦合方式为直流耦合， 放大倍数为 2倍， 所用供电 电池为 5号干电池， 分压电阻的阻值为 5 ΜΩ。 所述示波器 11为数字示波器， 其主要参数为： 4个可测量通道， 500 MHz测量带宽， 4 Gsa/s采样速率以及标准 的 8 Mpts存储深度。
本装置用于脉冲激射型太赫兹频段激光器输出功率的测量，具体为太赫兹量 子级联激光器输出功率的测量，测量装置中采用了对太赫兹光具有快速响应能力 的太赫兹量子阱探测器作为探测装置，采用了对太赫兹光吸收较弱的聚乙烯材料 作为窗片，采用了对太赫兹光反射率较高的镀金离轴抛物镜作为太赫兹光的收集 和反射装置。 实施例二
本实施例描述的是实施例一所述的测量装置的测量方法， 包括如下步骤： 步骤一，采用脉冲电源给安装于光源部分的第一热沉上的太赫兹量子级联激 光器施加幅度为 12.4 V、 周期为 500 μ5 (对应重复频率为 2 kHz) 、 脉冲宽度为 5 μ5的电压脉冲信号后 （见图 5， 为使对比效果明显， 图中激光器的驱动信号被 归一化）， 所述太赫兹量子级联激光器辐射出周期为 500 μ5 (对应重复频率为 2 kHz) 、 脉冲宽度为 5 μ5的脉冲太赫兹光 （激光频率为 4.13 ΤΗζ) ， 脉冲太赫兹 光经过第一聚乙烯窗片后到达第一离轴抛物镜上；
步骤二，所述第一离轴抛物镜接收经所述第一聚乙烯窗片射出的脉冲太赫兹 光， 并将该脉冲太赫兹光反射至第二离轴抛物镜； 所述第二离轴抛物镜接收经所 述第一离轴抛物镜反射过来的脉冲太赫兹光，并将该脉冲太赫兹光反射至所述探 测部分；经所述第二离轴抛物镜反射过来的脉冲太赫兹光透过所述第二聚乙烯窗 片后到达探测部分的第二热沉上的太赫兹量子阱探测器的敏感面上；
步骤三，所述探测部分的太赫兹量子阱探测器对所述第二离轴抛物镜反射过 来的脉冲太赫兹光进行快速响应后产生相应的脉冲电流信号，采用所述信号处理 电路将所述脉冲电流信号提取为脉冲电压信号 （周期为 500 μ5、 脉冲宽度为 5 μ8)， 并将该脉冲电压信号放大后输入所述示波器中进行读取和显示， 显示结果 如图 5所示（为使对比效果明显， 图中探测器的响应信号被归一化），所述示波 器对该脉冲电压信号进行读取和显示后可得到该脉冲电压信号的幅度，该脉冲电 压信号幅度的大小反映了太赫兹量子阱探测器对脉冲太赫兹光响应的强弱； 步骤四，根据所述示波器中显示的脉冲电压信号幅度和太赫兹量子阱探测器 在太赫兹量子级联激光器激射频率处的响应率，计算得到到达太赫兹量子阱探测 器敏感面上的脉冲太赫兹光的功率，再根据整个测量装置的收集效率计算出太赫 兹量子级联激光器从所述第一聚乙烯窗片处辐射出的脉冲太赫兹光的功率，进而 完成对脉冲激射型太赫兹量子级联激光器输出功率的测量。
其中，太赫兹量子阱探测器的响应率采用标准黑体辐射源来标定， 当标准黑 体辐射源照射太赫兹量子阱探测器的敏感面时，探测器将产生光生电流，致使其 电阻发生变化， 由于加在探测器和分压电阻两端的电压固定，此时分压电阻两端 的电压发生改变，根据分压电阻两端的电压变化值及其与太赫兹量子阱探测器的 串联关系，可精确计算得到标准黑体辐射源照射下探测器产生的光生电流，根据 标准黑体辐射源的输出功率和探测器的光电流谱，可计算得到探测器在其可探测 频率范围内不同频率下的响应率， 进而完成对太赫兹量子阱探测器响应率的标 定；整个测量装置的收集效率为所述太赫兹量子级联激光器激射频率下的太赫兹 光在整个测量装置中传输的通过率， 即第一聚乙烯窗片对该太赫兹光的透过率、 第二聚乙烯窗片对该太赫兹光的透过率、第一离轴抛物镜对第一聚乙烯窗片处出 射太赫兹光的收集效率、第一离轴抛物镜和第二离轴抛物镜对该太赫兹光的反射 效率、 以及整个光路中的大气对该太赫兹光的透过率的乘积。 实施例三
本实施例对实施例一所述的测量装置的收集效率进行了检测，需要检测的内 容有五个部分：
( 1 ) 第一冷头的第一聚乙烯窗片对 4.13 THz光的透过率；
(2) 第二冷头的第二聚乙烯窗片对 4.13 THz光的透过率；
(3 ) 第一离轴抛物镜对第一聚乙烯窗片处出射太赫兹光的收集效率；
(4) 第一离轴抛物镜和第二离轴抛物镜对 4.13 THz光的反射效率；
( 5 ) 整个光路中的大气对 4.13 THz光的透过率。
以对 4.13 THz光的收集效率为例获得的实验测量结果如下：
( 1 ) 安装于第一冷头上的第一聚乙烯窗片的透过率为 56%;
(2) 安装于第二冷头上的第二聚乙烯窗片的透过率为 75%;
(3 ) 第一离轴抛物镜对 4.13 THz光的收集效率为 10%;
(4) 两个离轴抛物镜组合起来对 4.13 THz光的反射率为 96%;
( 5 ) 整个光路部分 （1000 mm距离） 对 4.13 THz光的透过率为 63%; 因此， 整个测量装置对 4.13 THz光的收集效率为 2.54% 。
此外，本实施例还提供了脉冲激射型太赫兹量子级联激光器出射功率的计算 方法， 该方法的主要内容为：
首先，根据示波器中显示的与太赫兹量子阱探测器响应信号相对应的电压信 号的幅度和探测器在激光器激射频率处的响应率，计算得到到达太赫兹量子阱探 测器敏感面上的脉冲太赫兹光的光功率值；
然后，根据整个测量装置对太赫兹光的收集效率计算得到脉冲激射型太赫兹 量子级联激光器从第一冷头的第一聚乙烯窗片处出射的脉冲太赫兹光的光功率， 从而得到了脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的输出功率。
本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例 中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人 员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。 本领域技术人员应该清楚的 是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其他形式、结构、 布置、 比例， 以及用其他元件、 材料和部件来实现。

Claims

权利要求书
1、 一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于： 包括光源 部分 （A) 、 光路部分 （B) 和探测部分 （C) ；
所述光源部分 （A) 包括第一冷头 （2) 、 安装于所述第一冷头 （2) 内的第一热 沉 （3) 、 安装于所述第一热沉（3) 上的太赫兹量子级联激光器、 与所述太赫兹量子 级联激光器连接的脉冲电源 （1 ) 、 安装于所述第一冷头上的第一聚乙烯窗片 （4) ； 其中， 所述太赫兹量子级联激光器发射出的太赫兹光通过第一聚乙烯窗片 （4)射出； 所述光路部分 （B) 包括第一离轴抛物镜 （5) 和第二离轴抛物镜 （6) ； 所述第 一离轴抛物镜 （5) 收集经所述第一聚乙烯窗片 （4)射出的太赫兹光， 并使该太赫兹 光反射至第二离轴抛物镜 （6) ； 所述第二离轴抛物镜 （6)接收经所述第一离轴抛物 镜 （5) 反射过来的太赫兹光， 并使该太赫兹光反射至所述探测部分 （C) ；
所述探测部分 （C) 包括第二冷头 （7) 、 安装于所述第二冷头 （7) 上的第二聚 乙烯窗片 （8) 、 安装于所述第二冷头 （7 ) 内的第二热沉 （9) 、 安装于所述第二热 沉 （9) 上的太赫兹量子阱探测器、 与所述太赫兹量子阱探测器连接的信号处理电路 ( 10) 以及与所述信号处理电路 （10)连接的示波器 （11 ) ； 其中， 所述第二聚乙烯 窗片 （8) 使所述第二离轴抛物镜 （6) 反射过来的太赫兹光进入所述第二冷头 （7 ) 内， 并到达所述太赫兹量子阱探测器的敏感面上； 所述太赫兹量子阱探测器用以接收 所述第二离轴抛物镜 （6) 反射过来的太赫兹光， 并产生相应的电流信号； 所述信号 处理电路 （10)将所述电流信号提取为电压信号， 并进行放大； 所述示波器 （11 )用 以对所述信号处理电路（10)放大后的电压信号进行读取和显示， 得到所述电压信号 的幅度。
2、 根据权利要求 1所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述太赫兹量子级联激光器的激射频率范围可覆盖 1.2-5.0 ΤΗζ, 所述太赫兹 量子阱探测器的工作频率范围可覆盖 2.0-10.0 ΤΗζ。
3、 根据权利要求 2所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述太赫兹量子阱探测器为光电导型低维半导体探测器， 其有源区为通过在 半绝缘 GaAs衬底上交替生长 GaAs层和 AlGaAs层的方式形成。
4、 根据权利要求 3所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述太赫兹量子阱探测器的有源区包括 23个周期结构， 每个周期结构内包 含交替生长的 GaAs层和 AlaQ15Gaa985AS层各一层。
5、 根据权利要求 4所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述太赫兹量子阱探测器的峰值探测频率为 3.22 THz， 探测器光响应谱的半 高宽为 1.63 THz (归一化光响应幅度 50%所对应的频率范围： 3.08-4.71 THz) 。
6、 根据权利要求 2所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述太赫兹量子级联激光器的有源区是通过在半绝缘 GaAs 衬底上交替生 长 GaAs层和 AlGaAs层的方式形成的。
7、 根据权利要求 6所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述太赫兹量子级联激光器的有源区为四阱共振声子结构， 包括 178个周期 结构， 每个周期结构内包含交替生长的 GaAs层和 Ala15Gaa85AS层各四层。
8、 根据权利要求 7所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述太赫兹量子级联激光器的激射频率范围为 4.02-4.13 THz。
9、 根据权利要求 1所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置，其特 征在于： 所述第一聚乙烯窗片（4)和第二聚乙烯窗片（8)均采用高强度聚乙烯材料。
10、 根据权利要求 9所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于： 所述第一聚乙烯窗片 （4)和第二聚乙烯窗片 （8)均通过将灌制的高强 度聚乙烯圆柱形材料进行切割、 研磨和抛光而成。
11、 根据权利要求 1所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于： 所述第一离轴抛物镜 （5)和第二离轴抛物镜 （6) 的反射面均为镀金离 轴抛物面。
12、 根据权利要求 1所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于： 所述脉冲电源 （1 ) 为可编程脉冲式电源。
13、 根据权利要求 12所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于：所述脉冲电源（1 )的可输出电流范围为 0- ±5 A，脉宽调节范围为 50 ns-5 μ8 , 输出脉冲重复频率范围为 1-10 kHz, 脉冲的最大占空比为 1%。
14、 根据权利要求 1所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于： 所述信号处理电路（10)包括电压放大器一个， 供电电池一节， 分压电 阻一个， 电路连接线若干， 其中， 供电电池、 分压电阻与太赫兹量子阱探测器串联为 闭合回路， 并采用电压放大器提取分压电阻两端的电压。
15、 根据权利要求 1所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于： 所述示波器 （11 ) 为数字示波器。
16、 根据权利要求 15所述的脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置， 其特征在于： 所述示波器 （11 ) 包括 4个可测量通道； 所述示波器 （11 ) 的测量带宽 为 500 MHz, 采样速率为 4 Gsa/s， 存储深度为 8 Mpts。
17、 一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量方法， 其特征在于， 包括 以下步骤：
步骤一， 采用脉冲电源 （1 ) 给太赫兹量子级联激光器施加一个周期性的脉冲驱 动电压， 使其辐射出周期性的脉冲太赫兹光， 所述周期性脉冲太赫兹光经过第一聚乙 烯窗片 （4) 后到达第一离轴抛物镜 （5) 上；
步骤二， 所述第一离轴抛物镜 （5) 接收经所述第一聚乙烯窗片 （4) 射出的周 期性脉冲太赫兹光， 并使该周期性脉冲太赫兹光反射至第二离轴抛物镜 （6) ； 所述 第二离轴抛物镜 （6) 接收经所述第一离轴抛物镜 （5) 反射过来的周期性脉冲太赫 兹光， 并使该周期性脉冲太赫兹光反射至所述探测部分（C) ， 经所述第二离轴抛物 镜 （6) 反射过来的周期性脉冲太赫兹光透过所述探测部分 （C) 的第二聚乙烯窗片 ( 8) 后到达所述第二热沉 （9) 上的太赫兹量子阱探测器的敏感面上；
步骤三， 所述探测部分（C)的太赫兹量子阱探测器对入射的周期性脉冲太赫兹 光响应后产生相应的周期性脉冲电流信号， 采用所述信号处理电路 （10) 将所述电 流信号提取为电压信号， 并将所述电压信号放大后输入所述示波器 （11 ) 中， 所述 示波器 （11 ) 对所述电压信号进行读取和显示， 得到所述电压信号的幅度， 该电压 信号幅度的大小反映了太赫兹量子阱探测器对太赫兹光响应的强弱；
步骤四， 根据所述示波器 （11 ) 中显示的电压信号幅度和太赫兹量子阱探测器 在太赫兹量子级联激光器激射频率处的响应率， 计算得到到达太赫兹量子阱探测器 敏感面的太赫兹光功率， 再根据整个测量装置的收集效率计算出太赫兹量子级联激 光器从所述第一聚乙烯窗片 （4)处辐射出的太赫兹光功率， 进而完成对脉冲激射型 太赫兹量子级联激光器输出功率的测量。
PCT/CN2011/079039 2011-05-30 2011-08-29 脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法 WO2012162966A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/641,777 US8749225B2 (en) 2011-05-30 2011-08-29 Apparatus and method of power measurement for pulsed terahertz quantum-cascade laser

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110142266.6 2011-05-30
CN201110142266.6A CN102323040B (zh) 2011-05-30 2011-05-30 脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012162966A1 true WO2012162966A1 (zh) 2012-12-06

Family

ID=45450829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2011/079039 WO2012162966A1 (zh) 2011-05-30 2011-08-29 脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8749225B2 (zh)
CN (1) CN102323040B (zh)
WO (1) WO2012162966A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114034395A (zh) * 2021-10-13 2022-02-11 北京遥测技术研究所 一种太赫兹焦平面成像探测器、成像系统及成像方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102589699B (zh) * 2012-02-22 2014-03-26 南京科远自动化集团股份有限公司 一种用于燃烧检测系统的校直对准系统及校直对准方法
CN102636269A (zh) * 2012-05-15 2012-08-15 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 脉冲太赫兹辐射源输出波束场形的测量装置及方法
CN102680091B (zh) * 2012-06-12 2014-03-12 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种太赫兹波的高速探测方法及装置
CN103323401B (zh) * 2013-06-07 2015-10-21 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于光学参量上转换的太赫兹波实时成像方法及装置
CN103776547B (zh) * 2014-02-26 2016-04-13 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种太赫兹量子阱探测器绝对响应率的标定方法及装置
CN105203499A (zh) * 2015-09-18 2015-12-30 国家电网公司 一种sf6气体成分在线实时监测的装置及方法
CN105425387B (zh) * 2015-12-24 2018-03-23 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 太赫兹激光的偏振调制调解装置及其实现方法
CN106442394B (zh) * 2016-09-28 2019-05-31 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种太赫兹近场成像系统及方法
US10598814B2 (en) * 2017-12-22 2020-03-24 Saudi Arabian Oil Company Measuring source rock potential using terahertz analysis
CN112082737B (zh) * 2020-08-24 2022-06-24 中国电子科技集团公司第四十一研究所 一种太赫兹脉冲激光能量校准装置与方法
CN112763817B (zh) * 2020-12-17 2022-05-17 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种高功率毫米波输出窗测试及老炼装置及方法
CN113608175B (zh) * 2021-08-03 2023-09-19 上海无线电设备研究所 一种基于量子级联的rcs测量收发系统
CN114325084B (zh) * 2022-01-06 2023-04-28 中国科学院国家空间科学中心 一种高功率脉冲测量装置及其测量方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101713687A (zh) * 2009-11-17 2010-05-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种太赫兹波段的无线发射接收装置及其发射接收方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1258874B1 (en) * 1994-09-27 2006-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Production process of optical information recording medium
SG99872A1 (en) * 1999-10-26 2003-11-27 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Method and apparatus for laser analysis of dioxins
IL137907A0 (en) * 2000-08-16 2001-10-31 Ophir Optronics Ltd Fast response optical power meter
CN201159674Y (zh) * 2008-02-05 2008-12-03 上海奥通激光技术有限公司 用于医疗仪器的脉冲激光能量检测装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101713687A (zh) * 2009-11-17 2010-05-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种太赫兹波段的无线发射接收装置及其发射接收方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
TAN, ZHIYONG ET AL.: "Emission spectra of terahertz quantum-cascade lasers based on the terahertz quantum-well photodetectors", ACTA PHYSICA SINICA, vol. 59, no. 4, April 2010 (2010-04-01), pages 2391 - 2395 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114034395A (zh) * 2021-10-13 2022-02-11 北京遥测技术研究所 一种太赫兹焦平面成像探测器、成像系统及成像方法
CN114034395B (zh) * 2021-10-13 2024-02-09 北京遥测技术研究所 一种太赫兹焦平面成像探测器、成像系统及成像方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102323040A (zh) 2012-01-18
US8749225B2 (en) 2014-06-10
US20140103904A1 (en) 2014-04-17
CN102323040B (zh) 2014-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012162966A1 (zh) 脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法
US8619832B2 (en) Lens coupled quantum cascade laser
JP4481946B2 (ja) 検出素子及び画像形成装置
JP5546789B2 (ja) 統合デュアルレーザモジュールを備えた、テラヘルツ周波数領域分光計
US8649414B2 (en) Frequency tunable terahertz transceivers and method of manufacturing dual wavelength laser
US6518562B1 (en) Apparatus and method of remote gas trace detection
WO2013053168A1 (zh) 基于太赫兹量子器件的透射成像装置及成像方法
Valavanis et al. Self-mixing interferometry with terahertz quantum cascade lasers
US8274058B1 (en) Integrated heterodyne terahertz transceiver
Kuusela et al. Photoacoustic gas detection using a cantilever microphone and III–V mid-IR LEDs
WO2015127715A1 (zh) 一种太赫兹量子阱探测器绝对响应率的标定方法及装置
Joint et al. Compact and sensitive heterodyne receiver at 2.7 THz exploiting a quasi-optical HEB-QCL coupling scheme
CN110954497A (zh) 一种基于频率转换的太赫兹波单光子探测与成像系统
Bjarnason et al. Sensitivity measurement and analysis of an ErAs: GaAs coherent photomixing transceiver
JP2017147428A (ja) 量子カスケード検出器
Klos et al. Photoconductive antennas based on low temperature grown GaAs on silicon substrates for broadband terahertz generation and detection
Berg et al. Stability of HEB receivers at THz frequencies
Feng et al. A fire warning method using tunable diode laser absorption spectroscopy
JP3922463B2 (ja) 赤外光放射装置および赤外光検出装置ならびに時系列変換パルス分光計測装置
CN109244822B (zh) 用于测量太赫兹量子级联激光器增益的器件及测量方法
Lu et al. Optoelectronic-based high-efficiency quasi-CW terahertz imaging
Ramaswamy et al. 2DEG GaN hot electron microbolometers and quantum cascade lasers for THz heterodyne sensing
Cibella et al. THz fast detectors and THz metadevices based on type-II superconductors
Brown All solid-state photomixing THz transmitter
Behnken Real-time terahertz imaging using a quantum cascade laser and uncooled microbolometer focal plane array

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13641777

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11866546

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11866546

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1