WO2012146753A1 - Micropompe a debitmetre et son procede de realisation - Google Patents

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WO2012146753A1
WO2012146753A1 PCT/EP2012/057852 EP2012057852W WO2012146753A1 WO 2012146753 A1 WO2012146753 A1 WO 2012146753A1 EP 2012057852 W EP2012057852 W EP 2012057852W WO 2012146753 A1 WO2012146753 A1 WO 2012146753A1
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chamber
membrane
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micropump
deformable membrane
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PCT/EP2012/057852
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Yves Fouillet
Olivier Fuchs
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Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
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    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49229—Prime mover or fluid pump making

Definitions

  • the present invention relates to the general field of microfluidics, and relates to a method for manufacturing a deformable membrane micropump equipped with a deformable membrane flow meter, as well as a deformable membrane micropump equipped with a flowmeter.
  • Micropumps make it possible to ensure the controlled flow of a fluid in a microchannel. They can be used in many microfluidic systems such as, for example, lab-on-a-chip, injection systems for medical substances or electronic circuits for cooling electronic chips.
  • the flow of the fluid can be obtained in different ways, depending on whether one acts mechanically or not on the fluid of interest.
  • a presentation of the different techniques can be found in the article by Nguyen et al. entitled “MEMS-Micropumps: A Review", 2002, J. Fluid. Eng., Vol. 124, 384-392.
  • the deformable membrane micropumps belong to the first category of micropumps in which a mechanical action is applied to the fluid via said membrane, so as to cause the displacement of the fluid in the microchannel.
  • Document US2005 / 0123420 describes an example of such a micropump comprising three deformable membranes, including a central pumping membrane and two upstream and downstream secondary membranes.
  • this micropump comprises a first substrate 110 and a second substrate 120 assembled to one another so as to form a microchannel.
  • the first substrate 110 has three cavities 112-1, 112-2, 112-3 formed in the upper face 111S of the substrate and connected in series.
  • the second substrate 120 comprises three deformable membranes 122-1, 122-2, 122-3 arranged opposite said cavities. It should be noted that the second substrate 120 is formed in one piece, the deformable membranes then being a part of said substrate and not patches.
  • the central membrane 122-2 and the corresponding cavity 112-2 together define the pumping chamber of the micropump.
  • the upstream membranes 122-1 and downstream 122-3 form, with their corresponding cavities 112-1 and 112-3, active valves.
  • the deformation of the membranes is obtained using piezoelectric pellets 131 disposed on the upper face 121S of the membranes.
  • the flow of the fluid of interest in the microchannel of the micropump is obtained by controlled deformation of the membrane which increases or decreases the volume of the pumping chamber, in conjunction with the action of upstream and downstream valves. It turns out that for some applications, we try to measure the flow of the pump. This is the case, for example, implantable drug delivery pumps.
  • One method is to use two pressure sensors arranged consecutively in a fluid passage and separated by a fluidic restriction.
  • the pressure difference (called pressure drop) induced by the viscous dissipation in the fluidic restriction is measured by the two pressure sensors.
  • the measurement of the pressure difference makes it possible to determine the flow rate.
  • FIG. 2 An example of a flowmeter formed of two distinct pressure sensors is illustrated in FIG. 2 and is described in the documents US6446513B1, US20050204828A1 and in the article by RE Oosterbroek et al., Published in Sensor Actuat a-Phys 77, 167 (1999 ).
  • the fluid passes through a central channel 156 after entering through an inlet opening 152 arranged in the lower part of the device. It emerges through an outlet opening 154, also disposed in the lower part of the device.
  • Piezoresistive sensors 158, 160 make it possible to measure the pressure variations, firstly in the inlet part, upstream of the channel 156, and secondly in the outlet part, downstream of the channel 156.
  • the device is made using two substrates 162, 164, the inlet and outlet channels 152 and 154 being made in the lower substrate 162, while the central channel is formed in the lower part of the upper substrate 164, which two through channels allow access to the piezoresistive sensors, respectively on the input side and the output side of the device.
  • pumps based on MEMS technologies that integrate sensors measuring the pressure or the flow rate of the flow and no diaphragm pump, in particular made in MEMS technology, which integrates a reliable and accurate flowmeter.
  • a deformable membrane micro pump comprising:
  • a pumping chamber whose wall comprises a first deformable membrane and means for actuating this first membrane portion
  • a second chamber provided with a second deformable membrane, or second portion of membrane deformable membrane, or third deformable membrane portion, the second chamber and the third chamber being interconnected by a first channel, at least one of which is connected by a second channel to the first chamber.
  • Each of the second chamber and the third chamber comprises detection means - for example in the form of at least one detection gauge - for detecting a deformation of the corresponding portion of the membrane under the action of a fluid circulating in the micropump, but does not have any means of activation.
  • a diaphragm pump is thus described, for example made in MEMS technology, comprising on the one hand at least one pumping chamber and, on the other hand, at least two chambers dedicated to measuring the flow rate, each comprising detection means. for example at least one gauge, these two chambers being separated by a fixed geometry pressure drop.
  • each of the second chamber and third chamber is provided with 4 gauges forming a Wheatstone bridge
  • each of the second chamber and third chamber is equipped with 2 gauges, these 4 gauges forming a Wheatstone bridge; it is then sought, preferably, that the four gauges of the Wheatstone bridge are not all parallel to each other, and / or the two gauges of the bridge and the same membrane are not parallel to each other, and / or that the Wheastone bridge has two successive gauges parallel to each other.
  • Each of the second chamber and third chamber may be provided with two gauges, these four gauges forming a Wheatstone bridge and having identical nominal values.
  • the second chamber and the third chamber may both be located on the same side of the first chamber, one of them only being connected by the second channel to the first chamber,
  • the second chamber and the third chamber may be located on either side of the first chamber, each being connected by a channel to the first chamber.
  • This device may further comprise at least a fourth chamber, connected to one of the other chambers and provided with a fourth deformable membrane and means for actuating this fourth membrane.
  • the fourth chamber, its deformable membrane portion and its actuating means can form a valve.
  • the device comprises a fifth chamber, connected to one of the other chambers, and provided with a fifth deformable membrane and means for actuating this fifth membrane.
  • the fifth chamber, its deformable membrane portion and its actuating means can form a valve.
  • the first, fourth and fifth membranes are actuated so as to generate a peristaltic effect between the inlet and the outlet of the chamber, as described, for example, in the application FR09 57995, not published at the time of filing. the present application; in other words, the flow of the fluid of interest in the micropump is obtained by controlled deformation of the l st, 4 th and 5 th membrane, deformation which increases or decreases the volume of the corresponding chamber.
  • the fourth chamber may be called the inlet chamber and the fifth chamber may be called the outlet chamber.
  • the pumped fluid passes successively through the fourth chamber, the first chamber and the fifth chamber.
  • the second and third chambers are then arranged between the fourth chamber and the fifth chamber.
  • a conduit opens into the interior of the fourth chamber, and / or the fifth chamber, through an opening bordered by a lip projecting inside said fourth chamber parallel to said fourth deformable membrane and / or 5 th deformable membrane.
  • the different deformable membranes may be portions of the same membrane whose thickness is, for example between 10 pm and 300 pm.
  • Each membrane covers the chamber to which it is bound or associated or of which it forms one of the walls or at least a part of one of its walls, the connection being performed according to a so-called embedding area.
  • Each of the second and third membranes comprises a means for measuring the deformation of the membrane.
  • This means can be a strain gauge, or strain gauge, piezoelectric or piezoresistive.
  • each gauge is placed at the location of the membrane where it is possible to measure a maximum deformation, that is to say at the level of the embedding zone.
  • each of the third and fourth membranes comprise four Wheatstone bridge-mounted strain gauges.
  • the gauges disposed on the same membrane are arranged parallel to each other.
  • the third and fourth membranes each comprise two gauges, arranged perpendicularly to one another, one being oriented tangentially to the recess.
  • the four gauges, formed on the third and fourth membranes, are then mounted on the same Wheatstone bridge.
  • the gauges may be arranged and / or have one and / or any of the following characteristics:
  • each of the gauges is located in the vicinity of the recess or the edge of the membrane corresponding to the chamber to which this gauge is associated, each of the gauges has a width of between 1 ⁇ m and 10 ⁇ m and a length of between 10 ⁇ m and 100 ⁇ m.
  • a method for producing a flowmeter comprising at least the following steps:
  • At least one actuating means is formed on the first diaphragm.
  • the deformable membrane may be made by thinning the second substrate from the upper face thereof, by mechanical polishing, or by chemical mechanical polishing and / or etching.
  • the second substrate may be of SOI type, comprising a semiconductor substrate, a dielectric layer and a layer of semiconductor material, the dielectric layer being able to serve as a stop layer during the thinning of the second substrate.
  • Such a method may further comprise: a step of producing a fourth chamber, connected to one of the other chambers and provided with a fourth deformable membrane, and a step of producing means for actuating this fourth membrane,
  • Such a method may comprise, in addition:
  • the inlet and outlet ducts can first be made blind in the first substrate, then being passed through, by thinning of the first substrate .
  • the stages of realization of the chambers and the channels can be implemented simultaneously, according to techniques of dry etching or wet etching.
  • the assembly step may be performed by molecular sealing, anodic sealing, eutectic, or gluing. It can be performed under vacuum.
  • the thinning of the first substrate is carried out while at least the chambers and the channel are under vacuum or under very low pressure.
  • gauges these can be made by metal deposition on the membrane or by doping a semiconductor material.
  • Figures 1 and 2 are a cross-sectional view, respectively, of a diaphragm pump according to an example of the prior art and a microdebeter according to an example of the prior art;
  • FIG. 3 is a sectional view of the flowmeter part of a micropump described in the present application.
  • FIGS. 4A and 4B are diagrammatic views of electrical circuit diagrams of sensors associated with a flowmeter
  • FIG. 5 is a sectional view of the flowmeter part of a micropump described in the present application.
  • FIGS. 6A, 6B are diagrammatic views of electrical circuit diagrams for sensors associated with a flowmeter
  • FIG. 7 is a view from above of the flowmeter part of a micropump described in the present application.
  • FIG. 8 is a sectional view of a micropump described in the present application.
  • FIG. 9 is a view from above of a micropump described in the present application.
  • FIGS. 10A, 10B are top views of micropumps described in the present application
  • FIGS. 11A-11F schematically represent various steps of a method for producing a flow meter described in the present application
  • Figures 12 and 13 are flow measurement results respectively obtained with a micropump implementing an external flow meter and with a micropump with an integrated flow meter.
  • Figures 3 and 4A-4B are presented.
  • Figure 3 is a sectional view along a plane which shows the trace AA 'in Figure 4A (top view).
  • Such a device comprises two membranes 11 ',
  • the cavities 11, 13 may each have, in the plane ij, or plane of the device, a circular shape or a disk shape (clearly shown in FIG. 4A), the diameter of which may be of the order of a few millimeters, for example between 1 mm and 10 mm. Alternatively these cavities may be square or rectangular, this variant is shown schematically in Figure 7 and will be discussed later.
  • the chambers have a depth p, measured in the direction k, of the order of a few microns to a few hundred microns, for example between 10 pm or 50 pm and 100 pm.
  • the depths, measured along the direction k, of chambers 11, 13 and 12 are adjacent or identical.
  • the depth of the channel 12 may be smaller than that of the cavities 11, 13.
  • the pressure drop produced by the restriction is even greater than the restriction is of small section.
  • the pressure difference of the fluid in the chambers 11 and 13 is all the higher. This increases the accuracy of the flow measurement of the fluid between the two chambers, as will be described later.
  • This variant is shown schematically in Figure 3 by a channel 12 whose bottom is in broken lines.
  • the channel 12 may have a width, measured along an axis parallel to the axis i, perpendicular to the direction Fe-Fs of circulation of a fluid in the device, of a few tens of microns, for example between 10 pm and 50 pm.
  • Such a structure can be made in two substrates 20, 30 superimposed and assembled together.
  • Each of these substrates has a thickness, for example, of between 100 ⁇ m and a few hundred ⁇ m, for example between 100 ⁇ m and 500 ⁇ m.
  • Each of these substrates extends in the plane ij, perpendicularly to the axis k.
  • the plan plane ij plane of the device or main plane of the device is also called.
  • the axis j is in a direction aligned with the direction of flow of a fluid in the device and the axis i is perpendicular thereto.
  • each substrate measured along this z axis, may in some cases be very small in front of the extensions side of the device, that is to say before the device dimensions L and 1 measured in the plane ij;
  • L measured along the axis j
  • 1 is for example of the order of ... 1 cm, for example between a few mm, for example still 2 mm or 5 mm and a few cm, for example still 2 cm or 5 cm ..
  • the substrates 20, 30 may each be of a semiconductor material, for example of silicon, or of another material such as a glass, or a metal, or a polymer, or a plastic. Silicon is preferred because it is compatible with collective and precise manufacturing microtechnologies. In addition, this material has good mechanical properties of strength and aging. In the case where the material is silicon, the substrates are bonded together, for example by molecular assembly, or by bonding, for example screen-printing bonding. Molecular sealing has the advantage of not requiring the addition of an adhesive.
  • a measurement of the pressure drop of a fluid flowing in the cavities 11, 12, 13, as indicated in FIG. 3, is carried out using means for measuring the deformation of the membrane on which or in which these means are formed.
  • each membrane 11 ', 13', disposed above a cavity 11, 13, or forming a wall for said cavity is provided with measuring means, for example at least one gauge, which are formed on or in this membrane 11 ', 13'.
  • the 2 membrane portions 11 ', 13' are preferably identical (same geometry, same size, same stiffness).
  • These membranes are, on the other hand, free of means for activating the device as a pump: the activation means of the pump are associated with other cavities, as described below.
  • the deformations due to one actuation of the activation means of the pump and the means forming gages cavities 11, 13 are decorated, which avoids implementing a complex signal processing and inducing measurement inaccuracies.
  • Each gauge is then likened to a resistor and can be associated with means for measuring its own resistance, which makes it possible to measure or measure evaluate the pressure variations in each cavity.
  • each membrane is provided with a set of 4 gauges, forming a Wheatstone bridge.
  • each of the cavities 11, 13 is associated a set of 4 resistors R1 - R4 and R'1 - R'4.
  • the resistors R1 - R4 associated with the first cavity 11 are arranged in a Wheatstone bridge. It is the same for the four resistors R'1 - R'4 associated with the second cavity 13.
  • the four gauges associated with each of the cavities are arranged parallel to each other and parallel to the direction of flow of the fluid.
  • FIG. 4B there is furthermore represented the means 80, 80 ', 81 of amplification and data processing directly from the two bridges.
  • the electrical measurement at the terminals of the two Wheatstone bridges makes it possible to measure the respective pressure in the cavities 11, 13.
  • the difference of these two pressure measurements makes it possible to know the pressure loss created. through channel 12.
  • this assembly requires at least 8 pads 76 connection.
  • the electrical assembly of this assembly is shown schematically in FIG. 4B.
  • the measuring chain of a Wheatstone bridge comprises an amplifier 80, 80 'and an analog / digital converter.
  • the measurement system may then comprise three differential amplifiers 80, 80 ', 81, each of which must be supplied with power supply means.
  • FIGS. 5 and 6A-6B There is therefore another possible assembly, as shown diagrammatically in FIGS. 5 and 6A-6B, comprising two gauges (R3, R4) on or in the first membrane 11 'and two gauges (R1, R2) on or in the second membrane 13 '.
  • This configuration makes it possible, when there exists a difference in pressure between the two membranes, to have an optimum sensitivity value with respect to the respective variations in the value of the four resistances forming the bridge.
  • a peristaltic pump generates, in general, flows in the form of very short pulses and it is advantageous to have a good definition of the maximum intensity and the time width of the pulses.
  • the orientation of the 4 strain gages is such that the measurement of the flow rate is the most sensitive.
  • the membranes 11 ', 13' each have a circular shape, shown in FIG. 6A
  • one of the gauges of each membrane is placed in a radial direction thereof (R4 or R1 in the figure), while that the second (R2 or R3) is placed in an angular direction, or is placed so as to form (the relative orientations indicated are to be considered in projection on a plane defined by the pair of vectors (i, j), or on a plane parallel to the main plane of the device), an angle, here substantially close to a right angle, with the radius of the circle formed by the membrane, at the place where this gauge is arranged.
  • a gauge of a membrane is disposed in the direction of flow of a fluid, while the other gauge of the same membrane is substantially perpendicular thereto.
  • Figure 7 (case of square shaped cavities) reproduces the same arrangement., With a gauge of a membrane disposed in the direction of flow of a fluid, while the other is substantially perpendicular thereto.
  • each of the gauges is preferably located in the vicinity of the edge, or of the embedding (in the substrate in which it is made) of the corresponding membrane, where the stress is maximum (again , in projection in a plane (i, j) or in a plane parallel to the main plane of the device.
  • the gauges RI-R4 are interconnected by electrical lines 36, so that the assembly forms a Wheatstone bridge.
  • the vertices of the bridge are connected to contact pads 31, which makes it possible to connect the flowmeter to an electronic measurement system 34, 35, comprising an amplifier 34.
  • the output of the system (for example the output of the amplifier 80 for FIG. 4B, or the output of the means 35 for FIG. 6B) can be connected to storage means and / or data processing (and in particular the variations of the resistance of the gauges), for example means of the type microprocessor, for example still computer means. These means make it possible to calculate the value of the flow.
  • a display screen (not shown in the figures) allows an operator to see the evolution of flow data during the flow of a fluid.
  • a measuring device of the type of FIGS. 6A and 6B makes it possible to reduce the number of electrical connections between the sensor and its associated electronics (4 connections 31 instead of 8 connections 76 , each connection corresponding to a vertex of a bridge).
  • FIGS. 6A and 6B Another advantage of this structure of FIGS. 6A and 6B is the reduction of the energy consumed by the measurement. Indeed, each bridge is electrically powered and the fact of going from 2 bridges (each deck associated with a room) to 1 single bridge can halve the energy consumption required for measurement.
  • the wiring of the gauges of such a device is also much simpler than that of Figures 4A and 4B, which simplifies the measurement chain.
  • only one amplifier 34 (FIG. 6B) is required. This represents a saving of space and a minimization of electrical consumption: in a configuration with two bridges, so with 3 amplifiers 80, 80 ', 81, each amplifier must be powered.
  • the fact of making the differential measurement before the measurement chain makes it possible to reduce the risk of degradation of information and therefore to minimize the measurement uncertainty related to the electronics of the flow meter.
  • FIG. 7 shows a variant in which the cavities 41, 43 have a shape, in the plane of the device, substantially square or rectangular, each side of which is for example of the order of a few millimeters, for example between 1 mm and 10 mm.
  • the other references in this figure designate elements identical or similar to those which have already been described above with the other figures.
  • a sectional view, along the axis AA ', is identical to that of FIG. 5, and the electrical diagram for mounting the measuring bridge is identical to that described above in connection with FIG. 6B.
  • each gauge is preferably made of a conductive material or a doped semiconductor material. It is for example gold, or aluminum, or titanium, or platinum, or an alloy (eg AISi). Preferably, a conductive material having a high gage factor, for example platinum, is chosen.
  • the gauges are made of a doped semiconductor material such as, for example, p-doped silicon obtained by implantation of boron ions.
  • a sensor made using gauges made of semiconductor material for example doped silicon Bore at a
  • assay of some 10 .mu.m offers a sensitivity 50 to 100 times greater than a sensor using metal gauges.
  • Each of the gauges may be of elongate shape, with a width of a few microns, which may be between 1 ⁇ m and 9 ⁇ m or 10 ⁇ m, and a length of a few tens of microns, which may be between 10 ⁇ m and 100 ⁇ m.
  • the four resistors R1, R2, R3, R4 preferably have nominal (that is to say without deformation) R0 values.
  • the strain gauges are preferably oriented along the ⁇ 010> directions of the crystal lattice of the silicon. This maximizes the piezoresistive effect: the gauges are then more sensitive.
  • Other deformation sensors may be present on the membranes 11 ', 13', for example in order to measure the pressure in one or the other of the membranes.
  • the pressure drop generated in the restriction 12 is preferably greater than the pressure drop generated in the other channels or in the chambers.
  • Pa-Pb aQ, (eq 1) where Q denotes the flow rate in the flow meter and has a coefficient depending on the geometry of the restriction 12 and the viscosity of the fluid. This formula is therefore applicable for any geometry of the section of the channel along the axis j (or in the plane ik).
  • the membranes 11 ', 13' facing each cavity 11, 13 deform. Since the material forming the membranes has a substantially elastic behavior, there is, at first order, a linear relationship between the pressure and the deformation of the membranes, and therefore a linear relationship between the relative variation of the resistance of each gauge and the pressure in the corresponding cavity.
  • the coefficient K also depends on the orientation of the gauge. If two gauges are arranged according to the orientations of Figures 6A and 6B, so axially and angularly, they will have K coefficients of opposite signs. Thus for the resistances of the first membrane 11 'of FIG. 6A, subjected to a pressure Pa, we have:
  • R4 R0 (1 - KPa)
  • R3 R0 (1 + KPa)
  • R2 R0 (1 + KPb)
  • the bridge is powered by voltage supply means V.
  • the imbalance that is the potential difference ⁇ of the Wheatstone bridge is given by the relation:
  • the resistors are not all parallel to each other, and / or that the resistances arranged one and the same membrane are not parallel to each other, and / or that the Wheatstone bridge formed by the four resistors comprises two successive resistances parallel to one another with respect to the other.
  • the resistors are not all parallel to one another.
  • the resistors arranged the same membrane are not parallel. They must advantageously be perpendicular to each other.
  • a membrane may comprise a radially oriented resistance, the other resistance being oriented tangentially.
  • Another preferential condition is that the Wheatstone bridge formed by the four resistors comprises two successive resistances parallel to one another.
  • Wheastone bridge R'1, R'2, R'3 and R'4 makes it possible to measure the pressure at the second membrane 11.
  • the flow rate is then estimated according to the equation 1 equation.
  • a plurality of cavities (or chambers) 9, 11, 13, 15, 17 are formed in the upper face of a first substrate 20, as well as communication conduits 10, 12, 14 , 16.
  • Cavity means a recess or indentation practiced in the surface of a solid.
  • the device comprises 5 cavities:
  • a cavity 15 a cavity 15, called a central cavity
  • the cavities 15, 9, 17 may have, in projection in a plane (i, j) or in the main plane of the device, the shape of a disc, a ring, a polygon, or any other form of the same type, a few millimeters in diameter or diagonal, for example 3 mm or 6 mm, and a depth of the order of a few microns to a few hundred microns, for example between 1 pm or 5 pm and 50 pm or 100 pm or 500 pm.
  • a compression ratio corresponding to the ratio between the volume of fluid displaced by the membrane and the volume of the cavity located opposite the membrane. It is preferable that this compression ratio be the largest possible.
  • the depth of a cavity is preferably less than or equal to 100 ⁇ m.
  • the channel 12 has a width (measured perpendicular to the flow direction of the fluids, along the axis j) of a few tens of microns (typically 50 pm or between 10 pm and 100 pm), while the other communication channels 10, 14, 16 preferably have a larger width (a few hundred microns, for example between 50 pm and 500 pm).
  • the depth of the channels 10 and 12 is preferably identical to the depth of the cavities 9, 11, 13, 15, 17.
  • Entrance 51 and outlet 52 ducts are made in the form of wells opening, respectively, inside, respectively, upstream and downstream cavities 17. They may have a diameter of the order of a few hundred microns, for example between 100 pm and 600 pm or 900 pm, and a depth of the order of a few hundred microns, for example between 100 pm or 300 pm and 600 pm or 900 pm.
  • the inlet ducts 51 and outlet 52 open into said cavities through an orifice bordered by an annular lip 56, 56 '.
  • the lips may have a height substantially equal to the depth of the cavities in which they are located.
  • Clearances 61, 62 are formed in the lower face of the second substrate 30; they come next to the corresponding lips 56, 56 '. They may be annular or have a disc shape, and have a shallow depth, of the order of a few microns, for example 2 microns, or a few tenths of a micron, for example 0.1 microns.
  • disengagement means a recess or notch of shallow depth, typically between 0.1 pm and 3 pm, with respect to that of cavities, of the order of a few tens of microns, for example 50 or 100 pm.
  • the lower face 311 of the second substrate 30 may be considered substantially flat.
  • substantially here means thickness variations of this substrate not exceeding a few microns, for example 3 microns.
  • clearances 61, 62 make it possible to guarantee, during the subsequent step of assembling the substrates, that the apex of the lips 56, 56 'do not touch the lower face of the second substrate 30. Moreover, these clearances will ensure fluid communication. in the case of a membrane not mechanically constrained, between the inlet ducts 51 and outlet 52 and the cavities 9, 17 in which they open.
  • a boss 57 can be made in the upper face of the first substrate 20 and located substantially in the center of the central cavity 31. To avoid contact between the lower face of the second substrate 30 and the top of the boss 57, a clearance 63 is advantageously made in the lower face.
  • the first and second substrates 20, 30 are of silicon, and are assembled by molecular sealing.
  • This type of sealing is particularly suitable for Si-Si or Si-glass type assemblies.
  • This technique is also called fusion sealing, or direct sealing.
  • the second substrate 30 has a substantially flat upper face and its thickness is substantially homogeneous.
  • the term “substantially” covers any variations in thickness of the order of 0.1 pm to 3 pm from the clearances 61-63 made on the underside of the second substrate 30.
  • the diaphragm actuating means may comprise piezoelectric means, for example in the form of pellets 81, disposed on the upper face of the second substrate 30, and disposed on the deformable membranes of the cavities 9, 15, 17. They each rest on a conductive disk 83 and are assembled to them with a conductive adhesive.
  • the thickness of the piezoelectric pellets may be of the order of one hundred microns, for example 125 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • a presentation of the usable piezoelectric materials can be found in the article by Doll et al. entitled "A novel artificial sphincter prothesis driven by a silicon micropump membrane furnace", Sensor. Actuat. A-Phys., 2007, Vol. 139, 203-209.
  • the pellets can be obtained after chemical vapor deposition (CVD for Chemical Vapor Deposition) or sol-gel type. In this case, the thickness of the pellets may have a thickness of less than 1 ⁇ m or a few microns.
  • the conductive discs 83 have a diameter substantially equal to that of the piezoelectric pellets. This diameter may be of the order of 0.5 to 0.85 times the diameter of the cavities in relation to which the discs are arranged.
  • an electrical wire 84 is welded to the upper face of the piezoelectric pads and connected to the conductive tracks.
  • an electrical voltage can be applied, independently, to each piezoelectric pellet.
  • the deformation of a piezoelectric pellet then causes the deformation of the corresponding deformable membrane.
  • the piezoelectric pellets can therefore be used as means for actuating the membranes to deform them. It should be noted that they can also be used as a sensor to measure the movement of the membranes, or their position induced by the deformation.
  • the cavities 11, 13 are each surmounted by a portion of membrane constituted by a portion of the upper substrate 30, and on this portion, rests at least one gauge 11 ', 13' as explained above in connection with Figures 3-7.
  • connections to these gauges are also made on the surface of the substrate 30.
  • FIG. 10A is a schematic view from above of this same system, where only the positions of the different cavities and communication conduits are represented. It can be seen that the two cavities 11, 13 of the flowmeter are arranged between the inlet valve 9 and the main pumping membrane 15. In a symmetrical manner, not shown, they could be arranged between the outlet valve 17 and the main pumping membrane 15.
  • FIG. 10B shows a variant, in which the two cavities 11, 13 of the flowmeter are disposed on either side of the main pumping membrane 15, and the pressure drop is formed by the channels 12, 14 and the main chamber. 15, the pressure drop generated by the chamber 15 being negligible compared to that formed by the channels 12 and 14.
  • the lips, the boss, the upper substrate, the gauges, the activators of the membranes are identical to those described above in connection with Figures 3-9, except for the positions of both chambers and also gauges.
  • FIGS. 11A to 11E illustrate, in cross-section, a deformable membrane micropump for different stages of a manufacturing process.
  • a first substrate 20 (FIG. 11A) formed, for example, from a double-sided polished silicon plate is considered.
  • a second substrate 30 formed, for example, from a silicon on insulator (SOI) plate is considered.
  • a layer of SiO 2 30-2 is thus present between two upper layers 30-1 and 30-3 of silicon.
  • the thickness of the first and second substrates is of the order of a few hundred microns, for example between 100 ⁇ m and 700 ⁇ m.
  • the size of the first and second substrates may be of the order of a few millimeters to a few centimeters.
  • Each substrate may for example form, in the plane ij, a rectangle of 1 cm by 3 cm.
  • the thickness of the lower layer 30-3 of silicon of the second substrate 30 is substantially equal to the thickness of the deformable membranes that will be made thereafter to form the deformable portion of each of the cavities. This thickness can thus be of the order of a few tens to a few hundred microns, for example 10 ⁇ m to 300 ⁇ m, and preferably 50 ⁇ m. As will be detailed below, the lower layer 30-3 of the second substrate makes it possible to precisely define the thickness of the deformable membranes that will be produced.
  • a plurality of cavities 9, 11, 13, 15, 17 are made in the upper face 21S of the first substrate 20, as well as communication conduits 10, 14, 16 and the restriction 12.
  • the shapes are also formed. lips 56, 56 'and the boss 57.
  • Cavity means a recess or indentation practiced in the surface of a solid.
  • a central cavity 15 forms the pumping chamber
  • the two upstream and downstream cavities 9 and 17 form non-return valves and the cavities 11, 13 and the channel 12 will allow flow measurements.
  • the inlet ducts 51 and the outlet ducts 52 are in the form of through-wells, respectively, inside, respectively, of the upstream and downstream cavities 17 and, preferably, not yet passing through with respect to the first substrate 20. They may be located in the center of said cavities.
  • the inlet ducts 51 and outlet 52 open into said cavities by the annular lip 56, 56 '.
  • These lips may have a height substantially equal to the depth of the cavities in which they are located.
  • the clearances 61, 62, 63 are formed in the lower face 311 of the second substrate 30, intended to come opposite the corresponding lips 56, 56 '.
  • the realization of these various elements can implement conventional microelectronics techniques, for example by photolithography followed by etching steps.
  • the etching can be performed by plasma type RIE (Rayonic Ion Etching), which allows to obtain vertical walls.
  • plasma type RIE Rayonic Ion Etching
  • vertical is meant oriented along the vector k of the mark (i, j_, k).
  • first and second substrates 20, 30 are respectively in silicon and in SOI, it is possible to perform a sealing assembly molecular. This technique is also called fusion sealing, or direct sealing of silicon.
  • This step of assembly by molecular sealing comprises a first phase of preparation of the faces of the substrates 20, 30 intended to be assembled, more specifically cleaning and hydration.
  • the substrates 20, 30 are thus cleaned by a wet treatment such as RCA cleaning, described in particular in the previously cited work by Maluf and Williams entitled "An introduction to microelectromechanical Systems Engineering”. This cleaning technique makes it possible to obtain clean and uncontaminated surfaces with a high density of OH groups.
  • the substrates are then aligned and brought into contact with each other.
  • a sealing annealing is carried out at a high temperature for a determined period of time.
  • the temperature may be between 500 ° C and 1250 ° C, for example of the order of 1000 ° C and the annealing time may be of the order of one hour.
  • the assembly of the substrates thus obtained is then solid and durable.
  • the second substrate 30 has not yet undergone a step of producing a deformable membrane.
  • the thickness of the second substrate 30 is therefore substantially identical to its initial thickness, ie a few hundred microns.
  • Possible releases 61, 62, 63 in the lower face 311 have a negligible depth relative to the total thickness of the second substrate 30, and therefore do not modify the overall stiffness of the substrate 30.
  • the manipulation of the second substrate 30 before and during the assembly step has low risk of degradation by breaking or tearing.
  • the first and second substrates 20, 30 have a sufficient thickness which renders negligible any thermal deformation on their part.
  • the spacing between the top of the lips of the first substrate 20 and the lower face 311 of the second substrate 30 can thus be very small, for example of the order of one micron or one tenth of a micron, for example still as mentioned above. There is therefore no risk that following a thermal deformation of one or the other of the substrates, the lips 56, 56 'and the lower face 311 of the second substrate 30 are brought into mutual contact. so that a sealing of these surfaces takes place.
  • the spacing between the vertex of the boss 17 and the underside 311 may also be of the order of one micron or one tenth of a micron.
  • the inlet ducts 51 and outlet 52 may not be through, as shown in Figures 11C and 11D.
  • the assembly step is advantageously carried out under vacuum.
  • the ambient pressure may be, for example, between a few 10 ⁇ 4 mbar and some 10 ⁇ 2 mbar. it avoids that, by thermal expansion of gas trapped in the closed volume formed by the cavities 9, 11, 13, 15, 17 and the ducts 12, 14, 16 significant overpressures do cause excessive mechanical stresses to the interior of said substrates, but also in the assembly zone between the two substrates.
  • the deformable membranes are then produced in the second substrate.
  • this embodiment can be performed by thinning the second substrate 30 over its entire surface, from its upper face 31S.
  • a first mechanical polishing phase of the grinding type can be performed. This technique is described in particular in the article by Pei et al. entitled “Grinding of silicon wafers: A review from historical perspectives", Int. J. Mach. Tool. Manu.,
  • the polishing can be stopped at a few microns or tens of microns above the intermediate layer 30-2 of SiO 2.
  • Thinning up to the intermediate layer 30-2 can be obtained by the known technique of CMP chemical mechanical polishing.
  • dry etching of the RIE type and / or wet etching by means of a KOH or TMAH (tetramethylammonium hydroxide) bath can be carried out.
  • the SiO 2 layer has the advantage of serving as a stop layer, which allows to control precisely the final thickness of the membrane to be formed.
  • the intermediate layer 30-2 of SiO 2 of the second substrate 30 may be etched by dry etching of the RIE type or by chemical etching with hydrofluoric acid (HF).
  • the second substrate 30 then has a substantially flat upper face 31S and essentially comprises the lower layer 30-3 of the initial SOI.
  • the second substrate 30 does not have geometrically defined zones intended to form deformable membranes. Because of its thickness, of the order of a few tens to a few hundred microns, for example 10 pm to 300 pm, and preferably 50 pm, any zone of the second substrate is capable of forming a deformable membrane. Nevertheless, the areas of the second substrate 30 facing the cavities 9, 15, 17 are intended to form deformable membranes for the pump and the areas facing the cavities 11, 13 are intended to form deformable membranes for the sensor.
  • the thinning step can be carried out at atmospheric pressure while the cavities still form a closed volume under vacuum.
  • a pressure force is then applied to the upper face 31S of the second substrate 30, which tends to cause a bending thereof inside the cavities.
  • the boss 57 disposed in the central cavity 15 forms a stop for the second substrate 30 and thus imposes a limit on the bending deflection thereof.
  • the lips 56, 56 'located in the upstream 9 and downstream 17 cavities may also form a stop for the second substrate 30 and also contribute to limiting the maximum possible bending of the second substrate.
  • the conventional steps of micro-fabrication such as the deposition steps, photolithography by photoresist resin deposition by spin, and then engraving.
  • These steps make it possible in particular to form the means for detecting the deformation of the membranes used for the gauges of the flow meter.
  • These means may comprise a plurality of strain gauges, for example disposed on or in at least a portion of the deformable membrane facing the cavities 11, 13, and, for example electrically connected together forming one or two Wheatstone bridges.
  • These strain gauges can be of the piezoresistive or piezoelectric type.
  • the detection means can be made by a conductive level formed on the upper face 31S of the second substrate 30.
  • This conductive level is produced by depositing a metal layer, for example from one of the materials already in use. presented above.
  • This conductive level makes it possible to polarize the piezoelectric pellets and to connect them electrically.
  • the connections of the gages are thus also made to the means 35 or 80, 80 '.
  • the strain gauges are made of a doped semiconductor material such as, for example, p-doped silicon obtained by implantation of boron ions. The advantages of this variant have already been discussed above.
  • the gauges are made directly in the silicon membranes.
  • the gauges can also be made by depositing a layer of polysilicon on the surface of the membranes.
  • Such a technique is presented in the article by Malhaire and Barbier entitled “Design of a polysilicon-on-insulator pressure sensor with original polysilicon layout for harsh environment", 2003, Thin Solid Films, 427, 362-366.
  • the manufacture of piezoelectric doped silicon sensors is also described in WO201092092A1.
  • the sensors may comprise strain gauges made on the membrane, as in the example of FIG.
  • the sensors may comprise strain gauges made in the membrane, as in the examples of FIGS. 3 and 5.
  • interconnections made on the membrane electrically connect the strain gauges to the data processing means.
  • An electrically insulating layer (not shown), for example based on a dielectric such as SiO 2, may be placed on the substrate, thus covering the strain gauges and the interconnections.
  • strain sensors can be added to the other membranes to measure their deformation under the action of the actuators, or under the action of the pressure in the pump.
  • the inlet 51 and outlet 52 pipes are not yet through.
  • An etching step is then performed on the lower face 211 of the first substrate 20 to make these conduits through. The whole is then open and communicates with the external environment.
  • This step is advantageously carried out at the end of the manufacturing process. This avoids contamination of the microchannel interior of the micropump with all kinds of residues or impurities. The risk of clogging or malfunction of the upstream and downstream valves is thus eliminated.
  • the plates are cut to individualize the micropumps thus manufactured.
  • the flow rate generated by a diaphragm pump is measured by the integrated flowmeter.
  • the results are compared with a second sensor (or external flowmeter), commercially available (Sensirion SLG1430-480, Switzerland), placed after the pump, and connected to it by a tube.
  • This tube is first a flexible tube, in one first material (Tygon 11 ), then, in a second step, is replaced by a rigid tube, a first material (Teflon ® ) of diameter and length identical to those of the first tube.
  • This improvement is particularly advantageous in a pumping system comprising a disposable portion (catheter, reservoir ...) and a reusable portion (the pump) which is for example the case of many portable drug delivery system. It is important to have information on the state of the pump (aging) that is not related to the rest of the fluidic system. With a flow sensor integrated in the pump, the performance of the pump can be analyzed precisely, continuously during drug delivery, and each time the consumable parts (reservoir and / or catheter) are changed for a new one. injection period, even if the new catheter and the new reservoir have different hydraulic impedances. It is therefore not necessary to recalibrate the flow meter at each reuse.

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Abstract

On décrit une micropompe à membrane déformable comportant : - une première chambre (15), dont une paroi comporte une première portion de membrane déformable et des moyens d ' actionnement (72, 81, 83) de cette première portion de membrane, - une deuxième chambre (11) munie d'une deuxième portion (11') de membrane déformable et une troisième chambre (13), munie d'une troisième portion (13') de membrane déformable, la deuxième chambre et la troisième chambre étant reliées entre elles par un premier canal (12), au moins l'une d'entre elles étant reliée par un deuxième canal (12, 14) à la première chambre ( 15 ), - chacune des deuxième chambre et troisième chambre (11, 13) comportant des moyens (R1-R4, R'1-R'4) formant jauge de détection, mais n'étant pas munie de moyens d ' activation.

Description

MICROPOMPE A DEBITMETRE ET SON PROCEDE DE REALISATION
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR La présente invention concerne le domaine général de la microfluidique, et porte sur un procédé de fabrication d'une micropompe à membrane déformable, munie d'un débitmètre à membrane déformable, ainsi que sur une micropompe à membrane déformable munie d'un débitmètre.
Les micropompes permettent d'assurer l'écoulement contrôlé d'un fluide dans un microcanal. Elles peuvent intervenir dans de nombreux systèmes microfluidiques tels que, à titre d'exemples, des laboratoires sur puce, des systèmes d'injection de substances médicales ou encore des circuits hydrauliques de refroidissement de puces électroniques.
L'écoulement du fluide peut être obtenu de différentes manières, selon que l'on agit mécaniquement ou non sur le fluide d'intérêt. Une présentation des différentes techniques peut être trouvée dans l'article de Nguyen et al. intitulé « MEMS-Micropumps : A Review », 2002, J. Fluid. Eng., Vol. 124, 384-392.
Les micropompes à membrane déformable appartiennent à la première catégorie de micropompes dans laquelle une action mécanique est appliquée au fluide par l'intermédiaire de ladite membrane, de manière à provoquer le déplacement du fluide dans le microcanal . Le document US2005/0123420 décrit un exemple d'une telle micropompe comportant trois membranes déformables, dont une membrane centrale de pompage et deux membranes secondaires amont et aval.
Comme l'illustre la figure 1, cette micropompe comporte un premier substrat 110 et un second substrat 120 assemblés l'un à l'autre de manière à former un microcanal.
Le premier substrat 110 comporte trois cavités 112-1, 112-2, 112-3 formées dans la face supérieure 111S du substrat et connectées en série.
Le second substrat 120 comporte trois membranes déformables 122-1, 122-2, 122-3 disposées en regard desdites cavités. Il est à noter que le second substrat 120 est formé d'un seul tenant, les membranes déformables étant alors une partie dudit substrat et non pas des pièces rapportées.
La membrane centrale 122-2 et la cavité correspondante 112-2 délimitent ensemble la chambre de pompage de la micropompe. Les membranes amont 122-1 et aval 122-3 forment, avec leurs cavités correspondantes 112-1 et 112-3, des vannes actives.
La déformation des membranes est obtenue à l'aide de pastilles piézoélectriques 131 disposées sur la face supérieure 121S des membranes.
L'écoulement du fluide d'intérêt dans le microcanal de la micropompe est obtenu par déformation contrôlée de la membrane qui augmente ou diminue le volume de la chambre de pompage, con ointement avec l'action des vannes amont et aval. Il s'avère que, pour certaines applications, on cherche à mesurer le débit de la pompe. C'est le cas par exemple des pompes de délivrance de médicament implantables .
Les pompes à membranes péristaltiques de l'état de l'art n'intègrent pas de capteurs permettant de mesure le débit. La seule solution est de connecter un débitmètre en aval ou en amont de la pompe, ce qui complique la réalisation et la miniaturisation du dispositif implantable. Par ailleurs, pour éviter tout biais de mesure, il serait préférable de réaliser la mesure au plus près de la pompe ou même dans la pompe.
Il existe de nombreuses méthodes pour mesurer les débits (fil chaud, effet Coriolis...) .
Une méthode consiste à utiliser deux capteurs de pression disposés consécutivement dans un passage fluidique et séparés par une restriction fluidique. La différence de pression (appelée perte de charge) induite par la dissipation visqueuse dans la restriction fluidique est mesurée par les deux capteurs de pression. Il y a une relation de proportionnalité connue entre le débit et la différence de pression. Ainsi, la mesure de la différence de pression permet de déterminer le débit .
Un exemple de débitmètre formé de deux capteurs de pression distincts est illustré en figure 2 et est décrit dans les documents US6446513B1, US20050204828A1 ainsi que dans l'article de R. E. Oosterbroek et al., paru dans Sensor Actuat a-Phys 77, 167 (1999) . Le fluide passe par un canal central 156 après être entré par une ouverture d'entrée 152 disposée dans la partie inférieure du dispositif. Il ressort par une ouverture de sortie 154, également disposée dans la partie inférieure du dispositif. Des capteurs piézo-résistifs 158, 160 permettent de mesurer les variations de pression, d'une part dans la partie d'entrée, en amont du canal 156, d'autre part dans la partie de sortie, en aval du canal 156. Le dispositif est réalisé à l'aide de deux substrats 162, 164, les canaux d'entrée 152 et de sortie 154 étant réalisés dans le substrat 162 inférieur, le canal central étant quant à lui réalisé dans la partie inférieure du substrat supérieur 164, dans lequel deux canaux traversants permettent un accès aux capteurs piézo- résistifs, respectivement du côté de l'entrée et du côté de la sortie du dispositif.
De manière plus générale il n'existe que très peu d'exemples de pompe fondés sur les technologies MEMS qui intègrent des capteurs mesurant la pression ou le débit de l'écoulement et pas de pompe à membrane, notamment réalisée en technologie MEMS, qui intègre un débitmètre fiable et précis.
EXPOSÉ DE L' INVENTION
On décrit ici une micro pompe à membrane déformable comportant :
- une première chambre, dite chambre de pompage, dont une paroi comporte une première membrane déformable et des moyens d ' actionnement de cette première portion de membrane,
- une deuxième chambre munie d'une deuxième membrane déformable, ou deuxième portion de membrane déformable, et une troisième chambre, munie d'une troisième membrane déformable, ou troisième portion de membrane déformable, la deuxième chambre et la troisième chambre étant reliées entre elles par un premier canal, au moins l'une d'entre elles étant reliée par un deuxième canal à la première chambre.
Chacune des deuxième chambre et troisième chambre comporte des moyens de détection - par exemple sous la forme d'au moins une jauge de détection - pour détecter une déformation de la portion correspondante de membrane sous l'action d'un fluide circulant dans la micropompe, mais n'est pas munie de moyens d ' activâtion .
On décrit donc une pompe à membrane, réalisée par exemple en technologie MEMS, comprenant d'une part au moins une chambre de pompage et, d'autre part, au moins deux chambres dédiées à la mesure du débit, comportant chacune des moyens de détection, par exemple au moins une jauge, ces deux chambres étant séparés par une perte de charge a géométrie fixe.
Par exemple :
- chacune des deuxième chambre et troisième chambre est munie de 4 jauges formant un pont de Wheastone,
- ou bien chacune des deuxième chambre et troisième chambre est munie de 2 jauges, ces 4 jauges formant un pont de Wheastone ; on cherche alors, de préférence, à ce que les 4 jauges du pont de Wheastone ne soient pas toutes parallèles les unes des autres, et/ou les 2 jauges du pont et d'une même membrane ne soient pas parallèles entre elles, et/ou à ca que le pont de Wheastone comporte deux jauges successives parallèles l'une par rapport à l'autre.
Chacune des deuxième chambre et troisième chambre peut être munie de 2 jauges, ces 4 jauges formant un pont de Wheastone et ayant des valeurs nominales identiques.
Plusieurs configurations peuvent être mises en œuvre, par exemple :
la deuxième chambre et la troisième chambre peuvent être toutes deux situées d'un même côté de la première chambre, l'une d'entre elles seulement étant reliée par le deuxième canal à la première chambre,
ou bien la deuxième chambre et la troisième chambre peuvent être situées de part et d'autre de la première chambre, chacune étant reliée par un canal à la première chambre.
Ce dispositif peut comporter en outre au moins une quatrième chambre, reliée à l'une des autres chambres et munie d'une quatrième membrane déformable et de moyens d ' actionnement de cette quatrième membrane.
La quatrième chambre, sa portion de membrane déformable et ses moyens d ' actionnement peuvent former une vanne.
De préférence, le dispositif comporte une cinquième chambre, reliée à l'une des autres chambres, et munie d'une cinquième membrane déformable et de moyens d ' actionnement de cette cinquième membrane. La cinquième chambre, sa portion de membrane déformable et ses moyens d ' actionnement peuvent former une vanne. Dans ce cas, les première, quatrième et cinquième membranes sont actionnées de façon à générer un effet péristaltique entre l'entrée et la sortie de la chambre, comme cela est par exemple décrit dans la demande FR09 57995, non publiée au moment du dépôt de la présente demande ; autrement dit, l'écoulement du fluide d'intérêt dans la micropompe est obtenu par déformation contrôlée de la lere, de la 4eme et de la 5eme membrane, déformation qui augmente ou diminue le volume de la chambre correspondante.
Selon ce mode de réalisation, la quatrième chambre peut être appelée chambre d'entrée et la cinquième chambre peut être appelée chambre de sortie. Dans ce cas, le fluide pompé passe successivement par la quatrième chambre, la première chambre et la cinquième chambre. Les deuxième et troisième chambres sont alors disposées entre la quatrième chambre et la cinquième chambre.
De préférence, un conduit débouche à l'intérieur de la quatrième chambre, et /ou de la 5eme chambre, par une ouverture bordée d'une lèvre en saillie à l'intérieur de ladite quatrième chambre parallèlement à ladite quatrième membrane déformable et/ou 5eme membrane déformable.
Les différentes membranes déformables peuvent être des portions d'une même membrane dont l'épaisseur est, par exemple comprise entre 10 pm et 300 pm.
Chaque membrane recouvre la chambre à laquelle elle est liée ou associée ou dont elle forme l'une des parois ou au moins une partie de l'une de ses parois, la liaison étant réalisée selon une zone dite zone d'encastrement.
Chacune des deuxième et troisième membranes comporte un moyen de mesure de la déformation de la membrane. Ce moyen peut être une jauge de déformation, ou jauge de contrainte, piézoélectrique ou piézorésistive .
De préférence, chaque jauge est placée à l'endroit de la membrane où on peut mesurer une déformation maximale, c'est-à-dire au niveau de la zone d ' encastrement .
Selon un autre mode de réalisation, chacune des troisième et quatrième membranes comportent quatre jauges de contrainte montées en pont de Wheastone. Avantageusement, dans ce cas, les jauges disposées sur une même membrane sont disposées parallèlement les unes des autres.
Selon un mode de réalisation préféré, les troisième et quatrième membranes comportent chacune deux jauges, disposées perpendiculairement l'une de l'autre, l'une étant orientée de manière tangente à l'encastrement. Les quatre jauges, formées sur les troisième et quatrième membranes, sont alors montées selon un même pont de Wheastone.
Les jauges peuvent être disposées et/ou avoir l'une et/ou l'autre des caractéristiques suivantes :
chacune des jauges est localisée au voisinage de l'encastrement ou du bord de la membrane correspondant à la chambre à laquelle cette jauge est associée, - chacune des jauges a une largeur comprise entre 1 pm et 10 pm et une longueur comprise entre 10 pm et 100 pm.
On décrit également un procédé de réalisation d'un débitmètre, notamment du type décrit ci-dessus, comportant au moins les étapes suivantes :
a) on sélectionne un premier substrat et un deuxième substrat,
b) on réalise les chambres et le premier canal dans le premier substrat,
c) on assemble le premier substrat avec le deuxième substrat,
d) puis on réalise une membrane déformable, par amincissement du deuxième substrat,
e) on forme les moyens de détection de la déformation de membranes, sur ou dans ladite membrane, au moins un tel moyen étant positionné au dessus de la deuxième chambre et au moins un tel moyen étant positionné au dessus de la troisième chambre,
f) on forme des moyens d ' actionnement au moins sur la première membrane.
La membrane déformable peut être réalisée par amincissement du deuxième substrat à partir de la face supérieure de celui-ci, par polissage mécanique, ou par polissage mécano-chimique et/ou par gravure.
Le deuxième substrat peut être de type SOI, comportant un substrat semi-conducteur, une couche diélectrique et une couche en matériau semi-conducteur, la couche diélectrique pouvant servir de couche d'arrêt lors de l'amincissement du deuxième substrat.
Un tel procédé peut en outre comporter : - une étape de réalisation d' une quatrième chambre, reliée à l'une des autres chambres et munie d'une quatrième membrane déformable, et une étape de réalisation de moyens d ' actionnement de cette quatrième membrane,
Un tel procédé peut comporter, en outre :
- une étape de réalisation d'une cinquième chambre, reliée à l'une des autres chambres, et munie d'une cinquième membrane déformable, et une étape de réalisation de moyens d ' actionnement de cette cinquième membrane,
et/ou une étape de réalisation de conduits d'entrée et de sortie dans le premier substrat, les conduits d'entrée et de sortie pouvant être d'abord réalisés borgnes dans le premier substrat, puis étant rendus traversant, par amincissement du premier substrat .
Les étapes de réalisation des chambres et des canaux peuvent être mises en œuvre simultanément, selon des techniques de gravure sèche ou de gravure humide .
L'étape d'assemblage peut être réalisée par scellement moléculaire, par scellement anodique, eutectique, ou par collage. Elle peut être réalisée sous vide.
De préférence, l'amincissement du premier substrat est réalisé alors que au moins les chambres et le canal sont sous vide ou sous très faible pression.
En ce qui concerne les jauges, celles-ci peuvent être réalisées par dépôt métallique sur la membrane ou par dopage d'un matériau semi-conducteur. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
On décrira à présent, à titre d'exemples non limitatifs, des modes de réalisation de l'invention, en se référant aux dessins annexés, dans lesquels :
les figures 1 et 2, déjà décrites, sont une vue en coupe transversale, respectivement, d'une pompe à membrane selon un exemple de l'art antérieur et d'un microdébitmètre selon un exemple de l'art antérieur ;
la figure 3 est une vue en coupe de la partie débitmètre d'une micropompe décrite dans la présente demande,
les figures 4A, et 4B sont des vues schématiques de schémas électriques de montage de capteurs associés à un débitmètre,
la figure 5 est une vue en coupe de la partie débitmètre d'une micropompe décrite dans la présente demande,
les figures 6A, 6B sont des vues schématiques de schémas électriques de montage de capteurs associés à un débitmètre,
la figure 7 est une vue de dessus de la partie débitmètre d'une micropompe décrite dans la présente demande,
la figure 8 est une vue en coupe d'une micropompe décrite dans la présente demande,
la figure 9 est une vue de dessus d'une micropompe décrite dans la présente demande,
les figures 10A, 10B sont des vues de dessus de micropompes décrites dans la présente demande, les figures 11A-11F représentent schématiquement diverses étapes d'un procédé de réalisation d'un débitmètre décrites dans la présente demande,
les figures 12 et 13 sont des résultats de mesures de débits obtenus respectivement avec une micropompe mettant en œuvre un débitmètre extérieur et avec une micropompe avec un débitmètre intégré.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
Dans la suite, lorsqu'on parle de « substrat » on peut également comprendre une « couche». Par conséquent on utilise indifféremment l'un ou l'autre de ces termes.
Il est à noter que, sur les dessins, les échelles ne sont pas respectées, pour privilégier la clarté du dessin.
Dans toute la description qui va suivre, on utilise un repère orthonormé (Îr _'_S)' comme représenté sur la figure 3.
Par ailleurs, les termes « inférieur » et « supérieur » utilisés par la suite sont ici à comprendre en termes d'orientation suivant la direction k du repère orthonormé (^, _,k) ·
Les termes « épaisseur », « hauteur » et « profondeur » sont à comprendre en termes de mesure ou de distance suivant la direction k du même repère orthonormé (i, _,k) .
On présente d'abord les moyens permettant de mesurer un débit dans une micropompe péristaltique . Un premier exemple de ces moyens est illustré en figures 3 et 4A-4B. La figure 3 est une vue en coupe le long d'un plan dont on voit la trace AA' en figure 4A (vue de dessus) .
Un tel dispositif comporte 2 membranes 11',
13' disposées en regard de 2 cavités (ou chambres) 11, 13. Ces dernières sont reliées entre elles par un petit canal 12 de petite section. Ce canal va imposer une perte de charge à un liquide qui circule comme indiqué par des flèches Fe (flux d'entrée) et Fs (flux de sortie) sur la figure 3. Il provient d'une autre partie du dispositif, dont on verra des exemples plus loin, ou directement d'une source extérieure ; il passe dans la cavité 11, puis par la restriction ou le canal 12 et enfin la cavité 13 pour continuer comme indiqué par la flèche Fs, là encore faire une autre partie du dispositif ou vers un écoulement extérieur.
Les cavités 11, 13 peuvent chacune avoir, dans le plan ij, ou plan du dispositif, une forme circulaire ou une forme de disque (clairement représentée en figure 4A) , dont le diamètre peut être de l'ordre de quelques millimètres, par exemple compris entre 1 mm et 10 mm. En variante ces cavités peuvent être carrées ou rectangulaires, cette variante est représentée schématiquement en figure 7 et sera commentée plus loin.
Les chambres ont une profondeur p, mesurée suivant la direction k, de l'ordre de quelques microns à quelques centaines de microns, par exemple comprise entre 10 pm ou 50 pm et 100 pm. De préférence les profondeurs, mesurées suivant la direction k, des chambres 11, 13 et du canal 12 sont voisines ou identiques. Pour former une restriction plus étroite la profondeur du canal 12 pourra être inférieure à celle des cavités 11, 13. La perte de charge produite par la restriction est d'autant plus grande que la restriction est de faible section. Ainsi, la différence de pression du fluide dans les chambres 11 et 13 est d'autant plus élevée. Cela accroît la précision de la mesure du débit du fluide entre les deux chambres, comme cela sera ultérieurement décrit. Cette variante est schématisée sur la figure 3 par un canal 12 dont le fond est en traits interrompus.
Le canal 12 peut avoir une largeur, mesurée suivant un axe parallèle à l'axe i, perpendiculaire à la direction Fe-Fs de circulation d'un fluide dans le dispositif, de quelques dizaines de microns, par exemple comprise entre 10 pm et 50 pm.
Une telle structure peut être réalisée dans 2 substrats 20, 30 superposés et assemblés entre eux.
Chacun de ces substrats a une épaisseur par exemple comprise entre 100 pm et quelques centaines de pm, par exemple entre 100 pm et 500 pm.
Chacun de ces substrats s'étend dans le plan ij, perpendiculairement à l'axe k. Pour cette raison, on appelle également le plan ij plan du dispositif ou plan principal du dispositif. L'axe j est suivant une direction alignée avec le sens de circulation d'un fluide dans le dispositif et l'axe i lui est perpendiculaire. L'épaisseur de chaque substrat, mesurée suivant cet axe z, peut, dans certains cas, être très petite devant les extensions latérales du dispositif, c'est-à-dire devant les dimensions L et 1 de dispositif mesurées dans le plan ij ; L (mesurée selon l'axe j) est par exemple comprise entre quelques mm, par exemple 2 mm ou 5 mm, et quelques cm, par exemple 2 cm ou 5 cm, et 1 (mesurée selon l'axe i) est par exemple de l'ordre de ...1 cm, par exemple comprise entre quelques mm, par exemple encore 2 mm ou 5 mm et quelques cm, par exemple encore 2 cm ou 5 cm..
Les substrats 20, 30 peuvent être chacun en un matériau semi-conducteur, par exemple en silicium, ou en un autre matériau tel qu'un verre, ou un métal, ou un polymère, ou un plastique. Le Silicium est préféré car il est compatible avec des microtechnologies de fabrication collectives et précises. De plus, ce matériau a de bonnes propriétés mécaniques de résistance et de vieillissement. Dans le cas où le matériau est du Silicium, les substrats sont liés entre eux par exemple par assemblage moléculaire, ou par collage, par exemple collage par sérigraphie. Le scellement moléculaire a l'avantage de ne pas nécessiter l'ajout d'une colle.
Une mesure de perte de charge d'un fluide circulant dans les cavités 11, 12, 13, comme indiqué sur la figure 3, est réalisée à l'aide de moyens de mesure de la déformation de la membrane sur laquelle ou dans laquelle ces moyens sont formés. Autrement dit, chaque membrane 11', 13', disposée au dessus d'une cavité 11, 13, ou formant une paroi pour ladite cavité, est munie de moyens de mesure, par exemple d'au moins une jauge, qui sont formés sur ou dans cette membrane 11', 13'. Les 2 portions de membrane 11', 13' sont de préférence identiques (même géométrie, même dimension, même raideur) . Ces membranes sont, par contre, libres de moyens pour activer le dispositif en tant que pompe : les moyens d'activation de la pompe sont associés à d'autres cavités, comme décrit plus loin. Ainsi, les déformations dues à 1 ' actionnement des moyens d'activation de la pompe et les moyens formant jauges des cavités 11, 13 sont décorellés, ce qui permet d'éviter de mettre en œuvre un traitement de signal complexe et d'induire des imprécisions de mesure .
Dans un exemple, une seule jauge et disposée au-dessus de chaque cavité 11, 13. Chaque jauge est alors assimilée à une résistance et peut être associée à des moyens de mesure de sa propre résistance., ce qui permet de mesurer ou d'évaluer les variations de pression dans chaque cavité.
Selon un deuxième exemple, illustré en figures 4A et 4B, chaque membrane est munie d'un ensemble de 4 jauges, formant un pont de Wheastone. Autrement dit, à chacune des cavités 11, 13 est associée un ensemble de 4 résistances RI - R4 et R'1 - R'4. Les résistances RI - R4 associées à la première cavité 11 sont disposées en pont de Wheastone. Il en va de même pour les quatre résistances R'1 - R'4 associées à la deuxième cavité 13.
Dans l'exemple illustré en figure 4A, les 4 jauges associées à chacune des cavités sont disposés parallèlement entre elles, et parallèlement au sens d'écoulement du fluide. Sur la figure 4B, on a en outre représenté les moyens 80, 80', 81 d'amplification et de traitement des données issues directement des deux ponts .
Quelle que soit la configuration des jauges ou des résistances, la mesure électrique aux bornes des deux ponts des Wheatstone permet de mesurer la pression respective dans les cavités 11, 13. La différence de ces deux mesures de pression permet de connaître la perte de charge crée par le canal 12.
Comme on le voit sur la figure 4A, ce montage nécessite au moins 8 plots 76 de connexion.
Le montage électrique de cet ensemble est représenté schématiquement en figure 4B. La chaîne de mesure d'un pont de Wheatstone comporte un amplificateur 80, 80' et un convertisseur analogique/numérique. Avec deux ponts, comme sur les figures 4A et 4B, on amplifie deux mesures et on en déterminer la différence. Celle-ci peut être calculée après conversion analogique mais, pour minimiser la dégradation de l'information il est préférable de déterminer la différence avant la conversion analogique. La chaîne de mesure peut alors comporter 3 amplificateurs différentiels 80, 80', 81, chacun devant être alimenté avec des moyens d'alimentation.
Mais ce type de montage peut se révéler encombrant et impliquer une consommation électrique importante .
Il y a donc un autre montage possible, comme schématisé en figures 5 et 6A-6B, comportant 2 jauges (R3, R4) sur, ou dans, la première membrane 11' et 2 jauges (RI, R2 ) sur, ou dans, la deuxième membrane 13'. Cette configuration permet, lorsque qu'il existe une différence de pression entre les deux membranes, d'avoir une valeur de sensibilité optimum par rapport aux variations respectives de la valeur des 4 résistances formant le pont.
Par ailleurs, avec deux ponts de Wheatstone (cas des figures 4A et 4B) la mesure s'effectue à deux instants différents, à moins de dupliquer toute la chaîne de mesure et de faire la différence de mesure des deux ponts simultanément, ce qui est difficile à réaliser. Avec un seul pont à mesurer (cas des figures 6A et 6B) , il n'y a pas de problème de synchronisation et on peut mesurer un débit instantané avec une meilleure précision. En particulier, une pompe péristaltique génère, en général, des débits en forme d'impulsions très courtes et il est avantageux d'avoir une bonne définition de l'intensité maximale et de la largeur temporelle des impulsions.
De préférence, l'orientation des 4 jauges de contraintes est telle que la mesure du débit soit la plus sensible. Par exemple, si les membranes 11', 13' ont chacune une forme circulaire, représentée en figure 6A, l'une des jauges de chaque membrane est placée sur une direction radiale de celle-ci (R4 ou RI sur la figure), tandis que la deuxième (R2 ou R3 ) est placée suivant une direction angulaire, ou est placée de manière à former (les orientations relatives indiquées sont à considérer en projection sur un plan défini par le couple de vecteurs (i, j), ou sur un plan parallèle au plan principal du dispositif) , un angle, ici sensiblement voisin d'un angle droit, avec le rayon du cercle formé par la membrane, à l'endroit où cette jauge est disposée. Une jauge d'une membrane est disposée dans le sens d'écoulement d'un fluide, tandis que l'autre jauge de cette même membrane lui est sensiblement perpendiculaire.
La figure 7 (cas de cavités de forme carrée) reproduit la même disposition., avec une jauge d'une membrane disposée dans le sens d'écoulement d'un fluide, tandis que l'autre lui est sensiblement perpendiculaire.
Dans le cas des figure 6A et 6B, chacune des jauges est de préférence localisée au voisinage du bord, ou de l'encastrement (dans le substrat dans lequel elle est réalisée) de la membrane correspondante, là où la contrainte est maximum (là encore, en projection dans un plan (i, j) ou dans un plan parallèle au plan principal du dispositif.
Comme on le voit sur les figure 6A et 6B, les jauges RI - R4 sont reliées entre elles par des lignes électriques 36, de manière à ce que l'ensemble forme un pont de Wheastone. Les sommets du pont sont reliés à des plots de contact 31, ce qui permet de connecter le débitmètre à un système électronique de mesure 34, 35, comportant un amplificateur 34.
Dans les divers cas exposés ci-dessus, la sortie du système (par exemple la sortie de l'amplificateur 80 pour la figure 4B, ou la sortie des moyens 35 pour la figure 6B) peut être connectée à des moyens de mémorisation et/ou de traitement des données (et notamment les variations des résistances des jauges), par exemple des moyens de type microprocesseur, par exemple encore des moyens informatiques. Ces moyens permettent de calculer la valeur du débit. Un écran de visualisation (non représenté sur les figures) permet à un opérateur de voir l'évolution de données de débit au cours de la circulation d'un fluide.
Par rapport à une structure telle que celle des figures 4A et 4B, un dispositif de mesure du type des figures 6A et 6B permet de réduire le nombre de connections électriques entre le capteur et son électronique associée (4 connexions 31 au lieu de 8 connexions 76, chaque connexion correspondant à un sommet d'un pont) .
Un autre avantage de cette structure des figures 6A et 6B est la réduction de l'énergie consommée par la mesure. En effet, chaque pont est alimenté électriquement et le fait de passer de 2 ponts (chaque pont associé à une chambre) à 1 seul pont permet de diviser par deux la consommation d'énergie nécessaire à la mesure.
Le câblage des jauges d'un tel dispositif est lui aussi beaucoup plus simple que celui des figures 4A et 4B, ce qui simplifie la chaîne de mesure. En outre un seul amplificateur 34 (figure 6B) est nécessaire. Ceci représente un gain de place et une minimisation de consommation électrique : dans une configuration avec deux ponts, donc avec 3 amplificateurs 80, 80', 81, chaque amplificateur doit être alimenté. Par ailleurs le fait d'effectuer la mesure différentielle avant la chaîne de mesure permet de réduire le risque de dégradation d'information et donc de minimiser l'incertitude de mesure liée à l'électronique du débitmètre.
Ces différents avantages sont particulièrement recherchés pour des applications médicales ( implantables ) où il est impératif de réduire la taille de l'électronique, de simplifier le traitement d'information et de réduire la consommation électrique, tout en gardant un niveau de sensibilité optimum. Par ailleurs, pour des débits avec des transitoires rapides (par exemple une pompe à membrane et clapet génère des puises de débits) le calcul de la différence des mesures sur deux ponts de Wheatstone peut impliquer un traitement de signal complexe afin de ne pas perdre en sensibilité, ce problème ne se pose plus avec une mesure de débit à un seul pont de Wheatstone, comme sur las figures 6A et 6B.
On a représenté, en figure 7, une variante dans laquelle les cavités 41, 43 ont une forme, dans le plan du dispositif, sensiblement carrées ou rectangulaires dont chaque côté est par exemple de l'ordre de quelques millimètres, par exemple compris entre 1 mm et 10 mm. Les autres références sur cette figure désignent des éléments identiques ou similaires à ceux qui ont déjà été décrits ci-dessus avec les autres figures. Une vue en coupe, selon l'axe AA', est identique à celle de la figure 5, et le schéma électrique de montage du pont de mesure est identique à celui décrit ci-dessus en liaison avec la figure 6B.
Les autres considérations ci-dessus, relatives aux dimensions des divers éléments de dispositif, aux matériaux qui peuvent être mis en œuvre, et aux moyens de mesure des données s'appliquent à cette variante.
Dans les divers cas présentés ci-dessus, chaque jauge est de préférence en un matériau conducteur ou en un matériau semi-conducteur dopé. Elle est par exemple en or, ou en aluminium, ou en titane, ou en platine, ou en un alliage (par exemple AISi) . De préférence, on choisit un matériau conducteur présentant un facteur de jauge élevé, par exemple le platine. En variante on réalise les jauges en un matériau semi-conducteur dopé tel que, par exemple, le silicium dopé p obtenu par implantation d'ions bore. Un capteur réalisé à l'aide de jauges en matériau semi-conducteur (par exemple du silicium dopé Bore à un
19 —3
dosage de quelques 10 aLcm ) offre une sensibilité 50 à 100 fois plus grande qu'un capteur utilisant des jauges métalliques .
Chacune des jauges peut être de forme allongée, avec une largeur de quelques microns, pouvant être comprise entre 1 pm et 9 pm ou 10 pm, et une longueur de quelques dizaines de microns, pouvant être comprise entre 10 pm et 100 pm.
Dans le cas des figures 3-6B, les 4 résistances RI, R2, R3, R4 ont de préférence des valeurs nominales (c'est-à-dire sans déformation) identiques R0.
Si le matériau des substrats dans lesquels le dispositif est réalisé est du silicium, les jauges de contraintes sont de préférence orientées suivant les directions <010> du réseau cristallin du silicium. Cela permet de maximiser l'effet piézoresistif : les jauges sont alors plus sensibles. D'autres capteurs de déformations peuvent être présents sur les membranes 11', 13', par exemple afin de mesurer la pression dans l'une ou l'autre des membranes.
Lorsqu'un fluide s'écoule dans l'ensemble du réseau formé par la première chambre 11, le canal 12, la deuxième chambre 13, la perte de charge générée par la restriction 12 induit une différence de pression entre les cavités 11 et 13.
Si on désigne par Pa et Pb les pressions respectives dans les chambres 11 et 13, la perte de charge générée dans la restriction 12 est de préférence plus grande que la perte de charge générée dans les autres canaux ou dans les chambres.
A titre d'exemple on rappelle que pour un canal à section carré de coté d, et de longueur L la perte de charge s'écrit: AP = 2$,4-^(Q) OÙ μ est la
d
viscosité du liquide et Q est le débit de l'écoulement. Pour simplifier on utilisera la relation suivante :
Pa-Pb = aQ, (eq 1) où Q désigne le débit dans le débitmètre et a un coefficient fonction de la géométrie de la restriction 12 et de la viscosité du fluide. Cette formule est donc applicable pour toute géométrie de la section du canal suivant l'axe j (ou dans le plan ik ) .
Sous l'action de la pression, les membranes 11', 13' en regard de chaque cavité 11, 13 se déforment. Le matériau formant les membranes ayant un comportement sensiblement élastique, on a, au premier ordre, une relation linéaire entre la pression et la déformation des membranes, et donc une relation linéaire entre la variation relative de la résistance de chaque jauge et la pression dans la cavité correspondante .
Soit K cette relation de proportionnalité
(— = KP ) . La valeur de K est fonction de la raideur des
R
membranes, de la position de la jauge, et des propriétés piezorésistives de la jauge. Le coefficient K dépend aussi de l'orientation de la jauge. Si 2 jauges sont disposées suivant les orientations des figures 6A et 6B, donc de manière axiale et angulaire, elles vont présenter des coefficients K de signes opposés. Ainsi pour les résistances de la première membrane 11' de la figure 6A, soumise à une pression Pa, on a :
R4 = R0(1 - KPa)
R3 = R0(1 + KPa)
De même, pour la deuxième membrane 13' de la figure 6B, soumise à une pression Pb on a :
RI = R0(1 - KPb)
R2 = R0(1 + KPb)
Le pont est alimenté par des moyens 37 d'alimentation en tension V. Le déséquilibre, c'est-à- dire la différence de potentiel Δν du pont de Wheatstone est donné par la relation :
AV _ i¾i¾ - R2R4
~V~ (Rl + R2)(R3 + R4)
(au signe près suivant la convention des signes des tensions). Les variations de résistance étant beaucoup plus petites que la valeur nominale des jauges (AR«RO) on obtient l'équation (2) suivante :
V 2 '
En combinant les équations (1) et (2) on trouve
AV K
aQ
V 2
Cette dernière équation montre que la configuration en pont de Wheatstone décrite ci dessus permet de donner une relation directe entre le débit Q, et la différence de potentiel Δν mesuré aux bornes du pont de Wheastone.
Pour les autres orientations relatives des jauges, on adaptera ces formules.
Comme déjà expliqué ci-dessus, d'une façon générale, notamment dans les configurations des figures 6A et 6B, avec 2 jauges par membrane et par cavité, formant toutes les 4 un pont de Wheastone, il est préférable que les résistances ne soient pas toutes parallèles les unes des autres, et/ou que les résistances disposées une même membrane ne soient pas parallèles entre elles, et/ou que le pont de Wheastone formé par les quatre résistances comporte deux résistances successives parallèles l'une par rapport à l'autre.
D'une façon générale, il est préférable que les résistances ne soient pas toutes parallèles les unes des autres. De plus, il est préférable que les résistances disposées une même membrane ne soient pas parallèles. Elles doivent avantageusement être perpendiculaires l'une par rapport à l'autre. Par exemple, une membrane peut comporter une résistance orientée radialement, l'autre résistance étant orientée selon tangentiellement .
Une autre condition préférentielle est que le pont de Wheastone formé par les quatre résistances comporte deux résistances successives parallèles l'une par rapport à l'autre.
Dans la configuration représentée sur la figure 4A, le premier pont de Wheastone RI, R2, R3 et R4 permet de mesurer la pression au niveau de la membrane 13, selon — =KP . De la même façon, le deuxième
R
pont de Wheastone R'1, R'2, R'3 et R'4 permet de mesurer la pression au niveau de la deuxième membrane 11. On estime alors le débit selon la relation de 1 ' équation 1.
On explique maintenant les autres aspects d'une pompe comportant ces moyens de mesure de débit.
Comme on le voit sur la figure 8, une pluralité de cavités (ou chambres) 9, 11, 13, 15, 17 sont réalisées dans la face supérieure d'un premier substrat 20, ainsi que des conduits de communication 10, 12, 14, 16.
Par cavité, on entend un évidement ou une échancrure pratiqué (e) dans la surface d'un solide.
On peut noter qu'on peut avoir une réalisation avec seulement 3 chambres, une pour le pompage et 2 pour mesurer le débit, en d'autres termes, la configuration de la figure 8 sans les chambres 9 et 17 ; dans ce cas, on ajoute un clapet anti-retour au niveau du conduit d'entrée, et de préférence un clapet anti-retour à l'entrée et à la sortie ..
Dans l'exemple de la figure 8, le dispositif comporte 5 cavités :
- une cavité 15, dite cavité centrale,
- deux cavités amont 9 et aval 17,
- deux cavités 11, 13, communiquant par un conduit 12, cet ensemble ayant la structure déjà décrite ci-dessus en liaison avec les figures 3 et 5.
Les cavités 15, 9, 17 peuvent présenter, en projection dans un plan (i,j) ou dans le plan principal du dispositif, la forme d'un disque, d'un anneau, d'un polygone, ou tout autre forme du même type, de quelques millimètres de diamètre ou de diagonale, par exemple 3 mm ou 6 mm, et d'une profondeur de l'ordre de quelques microns à quelques centaines de microns, par exemple comprise entre 1 pm ou 5 pm et 50 pm ou 100 pm ou 500 pm. En effet, on peut définir un taux de compression, correspondant au ratio entre le volume de fluide déplacé par la membrane et le volume de la cavité située en regard de la membrane. Il est préférable que ce taux de compression soit le plus important possible. Aussi, la profondeur d'une cavité est de préférence inférieure ou égale à 100 pm.
Le canal 12 a une largeur (mesurée perpendiculairement au sens d'écoulement des fluides, selon l'axe j) de quelques dizaines de microns (typiquement 50 pm ou compris entre 10 pm et 100 pm) , alors que les autres canaux de communication 10, 14, 16 ont de préférence une plus grande largeur (quelques centaines de microns, par exemple comprise entre 50 pm et 500 pm) . La profondeur des canaux 10 et 12 est de préférence identique à la profondeur des cavités 9, 11, 13, 15, 17.
Des conduits d'entrée 51 et de sortie 52 sont réalisés sous forme de puits débouchant, respectivement, à l'intérieur, respectivement, des cavités amont 9 et aval 17. Ils peuvent avoir un diamètre de l'ordre de quelques centaines de microns, par exemple compris entre 100 pm et 600 pm ou 900 pm, et une profondeur de l'ordre de quelques centaines de microns, par exemple comprise entre 100 pm ou 300 pm et 600 pm ou 900 pm.
Les conduits d'entrée 51 et de sortie 52 débouchent dans lesdites cavités par un orifice bordé d'une lèvre annulaire 56, 56'. Les lèvres peuvent présenter une hauteur sensiblement égale à la profondeur des cavités dans lesquelles elles sont situées .
Des dégagements 61, 62 sont réalisés dans la face inférieure du second substrat 30 ; ils viennent en regard des lèvres correspondantes 56, 56'. Ils peuvent être annulaires ou avoir une forme de disque, et présentent une faible profondeur, de l'ordre de quelques microns, par exemple 2 pm, ou de quelques dixièmes de micron, par exemple 0,1 pm.
Par dégagement, on entend un évidement ou une échancrure de faible profondeur, typiquement comprise entre 0,1 pm et 3 pm, au regard de celle des cavités, de l'ordre de quelques dizaines de microns, par exemple 50 ou 100 pm. Ainsi, la face inférieure 311 du second substrat 30 peut être considérée comme sensiblement plane. Le terme « sensiblement » désigne ici des variations d'épaisseur de ce substrat ne dépassant pas quelques microns, par exemple 3 pm.
Ces dégagements 61, 62 permettent de garantir, lors de l'étape ultérieure d'assemblage des substrats, que le sommet des lèvres 56, 56 ' ne touche pas la face inférieure du second substrat 30. De plus, ces dégagements assureront une communication fluidique, dans le cas d'une membrane non contrainte mécaniquement, entre les conduits d'entrée 51 et de sortie 52 et les cavités 9, 17 dans lesquelles ils débouchent.
Par ailleurs, un bossage 57 peut être réalisé dans la face supérieure du premier substrat 20 et localisé sensiblement au centre de la cavité centrale 31. Pour éviter le contact entre la face inférieure du second substrat 30 et le sommet du bossage 57, un dégagement 63 est avantageusement réalisé dans la face inférieure.
En variante, il est possible qu'il n'y ait pas de dégagements dans la face inférieure du second substrat 30, qui reste alors plane. La hauteur des lèvres 56, 56' est alors inférieure à la profondeur des cavités amont 9 et aval 17 dans lesquelles elles sont situées. Ainsi, le sommet des lèvres 56, 56' ne touche pas la face inférieure du second substrat. De plus, la communication fluidique, dans le cas d'une membrane non contrainte mécaniquement, entre les conduits d'entrée 51 et de sortie 52 et les cavités 9, 17 dans lesquelles ils débouchent est également assurée. De la même manière, il est possible que le bossage 57 ait une hauteur inférieure à la profondeur de la cavité centrale 15 dans laquelle il est situé.
De préférence, les premier et second substrats 20, 30 sont en silicium, et sont assemblés par scellement moléculaire. Ce type de scellement convient particulièrement à des assemblages de type Si-Si ou Si-verre. Cette technique est également appelée scellement par fusion, ou scellement direct.
Le second substrat 30 présente une face supérieure sensiblement plane et son épaisseur est sensiblement homogène. Le terme « sensiblement » couvre les éventuelles variations d'épaisseur de l'ordre de 0,1 pm à 3 pm provenant des dégagements 61-63 réalisés sur la face inférieure du second substrat 30.
Les moyens d ' actionnement des membranes peuvent comporter des moyens piézoélectriques, par exemple sous forme de pastilles 81, disposées sur la face supérieure du second substrat 30, et disposées sur les membranes déformables des cavités 9, 15, 17. Elles reposent chacune sur un disque conducteur 83 et sont assemblées à ceux-ci à l'aide d'une colle conductrice. L'épaisseur des pastilles piézoélectriques peut être de l'ordre de la centaine de microns, par exemple 125 pm à 200 pm. Une présentation des matériaux piézoélectriques utilisables peut être trouvée dans l'article de Doll et al. intitulé « A novel artificial sphincter prothesis driven by a four-membrane silicon micropump », Sensor. Actuat. A-Phys., 2007, Vol. 139, 203-209. Alternativement, les pastilles peuvent être obtenues après dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour Chemical Vapor Déposition) ou du type sol-gel. Dans ce cas, l'épaisseur des pastilles peut présenter une épaisseur inférieure à 1 pm ou à quelques microns.
Des plots de contact 72 permettent d'assurer l'alimentation électrique de la micropompe avec le système extérieur. Les disques conducteurs 83 présentent un diamètre sensiblement égal à celui des pastilles piézoélectriques. Ce diamètre peut être de l'ordre de 0,5 à 0,85 fois le diamètre des cavités au regard desquelles les disques sont disposés.
Enfin, un fil électrique 84 est soudé à la face supérieure des pastilles piézoélectriques et connecté aux pistes conductrices. Ainsi, une tension électrique peut être appliquée, de manière indépendante, à chaque pastille piézoélectrique. La déformation d'une pastille piézoélectrique entraîne alors la déformation de la membrane déformable correspondante. Les pastilles piézoélectriques peuvent donc être utilisées comme moyen d ' actionnement des membranes pour déformer celles-ci. Il est à noter qu'elles peuvent également être utilisées comme capteur pour mesurer le mouvement des membranes, ou leur position induite par la déformation.
Par ailleurs, les cavités 11, 13 sont chacune surmontée par une portion de membrane, constituée par une partie du substrat supérieur 30, et, sur cette portion, repose au moins une jauge 11', 13' comme expliqué ci-dessus en liaison avec les figures 3-7. Il peut y avoir plusieurs jauges, par exemple 4 jauges pour chacune des cavités 11, 13, comme explique ci-dessus en liaison avec les figures 3-4B ou 2 jauges pour chacune de ces cavités, comme explique ci-dessus en liaison avec les figures 5-6B.
Les connexions à ces jauges sont également réalisées en surface du substrat 30.
Ce type de système est représenté en figure 9 en vue de dessus. Des références identiques à celles des figures précédentes y désignent des mêmes éléments.
On y voit les différentes cavités, les conduits de communication, les lèvres 56, 56 ' et le bossage 57.
La figure 10A est une vue schématique de dessus de ce même système, où seules sont représentées les positions des différentes cavités et conduits de communication. On voit que les deux cavités 11, 13 du débitmètre sont disposées entre la vanne d'entrée 9 et la membrane principale 15 de pompage. De manière symétrique, non représentée, elles pourraient disposées entre la vanne de sortie 17 et la membrane principale de pompage 15.
La figure 10B représente une variante, dans laquelle les deux cavités 11, 13 du débitmètre sont disposées de part et d'autre de la membrane principale 15 de pompage, et la perte de charge est formée par les canaux 12, 14 et la chambre principale 15, la perte de charge générée par la chambre 15 étant négligeable par rapport à celle formée par les canaux 12 et 14. Pour cette variante, les lèvres, le bossage, le substrat supérieur, les jauges, les activateurs des membranes sont identiques à ceux décrits ci-dessus en liaison avec les figures 3-9, sauf pour les positions des deux chambres et également des jauges.
Les figures 11A à 11E illustrent, en coupe transversale, une micropompe à membrane déformable, pour différentes étapes d'un procédé de fabrication.
Les détails, dimensions, matériaux constitutifs de la structure réalisée ont été donnés ci-dessus .
On considère un premier substrat 20 (figure 11A) formé, par exemple, à partir d'une plaque de silicium polie double face.
On considère un deuxième substrat 30 (figure 11B) formé, par exemple, à partir d'une plaque de silicium sur isolant (SOI pour Silicon On Insulator) . Une couche de Si02 30-2 est ainsi présente entre deux couches supérieure 30-1 et inférieure 30-3 de silicium.
L'épaisseur des premier et second substrats est de l'ordre de quelques centaines de microns, par exemple comprise entre 100 pm et 700 pm.
La taille des premier et second substrats peut être de l'ordre de quelques millimètres à quelques centimètres. Chaque substrat peut par exemple former, dans le plan ij, un rectangle de 1 cm sur 3 cm.
L'épaisseur de la couche inférieure 30-3 de silicium du second substrat 30 est sensiblement égale à l'épaisseur des membranes déformables qui seront réalisées par la suite en vue de constituer la partie déformable de chacune des cavités. Cette épaisseur peut ainsi être de l'ordre de quelques dizaines à quelques centaines de microns, par exemple 10 pm à 300 pm, et de préférence 50 pm. Comme il sera détaillé plus loin, la couche inférieure 30-3 du second substrat permet de définir avec précision l'épaisseur des membranes déformables qui seront réalisées.
Selon une première étape, on réalise une pluralité de cavités 9, 11, 13, 15, 17 dans la face supérieure 21S du premier substrat 20, ainsi que des conduits de communication 10, 14, 16 et la restriction 12. On forme également les lèvres 56, 56' et le bossage 57.
Par cavité, on entend un évidement ou une échancrure pratiqué (e) dans la surface d'un solide.
Dans l'exemple illustré, 5 cavités sont ainsi obtenues, une cavité centrale 15, deux cavités amont 9 et aval 17, et deux cavités 11 et 13 qui sont connectées en série avec le reste du dispositif par l'intermédiaire des conduits de communication 10, 14. La cavité centrale 15 forme la chambre de pompage, les deux cavités amont 9 et aval 17 forment des vannes anti-retour et les cavités 11, 13 et le canal 12 vont permettre les mesures de débits.
Les conduits d'entrée 51 et de sortie 52 sont réalisés sous forme de puits débouchants, respectivement, à l'intérieur, respectivement, des cavités amont 9 et aval 17, mais, de préférence, non encore traversants vis-à-vis du premier substrat 20. Ils peuvent être situés au centre desdites cavités.
Les conduits d'entrée 51 et de sortie 52 débouchent dans lesdites cavités par la lèvre annulaire 56, 56'. Ces lèvres peuvent présenter une hauteur sensiblement égale à la profondeur des cavités dans lesquelles elles sont situées. Par ailleurs, dans ce cas, les dégagements 61, 62, 63 sont formés dans la face inférieure 311 du second substrat 30, destinées à venir en regard des lèvres correspondantes 56, 56'.
La réalisation de ces divers éléments peut mettre en œuvre des techniques classiques de microélectronique, par exemple par photolithographie suivie d'étapes de gravure. La gravure peut être réalisée par plasma du type RIE (Rayonic Ion Etching) , ce qui permet d'obtenir des parois verticales. Par « vertical », on entend orienté suivant le vecteur k du repère ( i, j_, k ) .
Des variantes ont été expliquées, concernant l'absence de dégagements dans la face inférieure 311 du second substrat 30, et l'adaptation de la hauteur correspondante des lèvres 56, 56'. Ainsi, lors de l'étape ultérieure d'assemblage des substrats, le sommet des lèvres 16 ne touche pas la face inférieure 311 du second substrat. De la même manière, il est possible de réaliser un bossage 57 dont la hauteur est inférieure à la profondeur de la cavité 15 dans lequel il est situé. On adapte les étapes de réalisation de ces éléments en fonction des dimensions souhaitées. Par exemple, pour une technique de gravure, on adapte les formes de masques et/ou les durées de gravure .
On assemble ensuite lesdits substrats l'un à l'autre.
Si les premier et second substrats 20, 30 sont respectivement en silicium et en SOI, il est possible d'effectuer un assemblage par scellement moléculaire. Cette technique est également appelée scellement par fusion, ou scellement direct de silicium.
Cette étape d'assemblage par scellement moléculaire comporte une première phase de préparation des faces des substrats 20, 30 destinées à être assemblées, plus précisément de nettoyage et d 'hydratation .
Les substrats 20, 30 sont ainsi nettoyés par un traitement humide tel que le nettoyage RCA, décrit notamment dans l'ouvrage précédemment cité de Maluf et Williams intitulé « An introduction to microelectromechanical Systems engineering ». Cette technique de nettoyage permet d'obtenir des surfaces propres et non contaminées, présentant une forte densité de groupements OH.
Comme le montre la figure 11C, les substrats sont ensuite alignés puis mis en contact l'un avec à l'autre.
On effectue enfin un recuit de scellement à haute température pendant une durée déterminée. La température peut être comprise entre 500°C et 1250°C, par exemple de l'ordre de 1000°C et la durée de recuit peut être de l'ordre d'une heure. L'assemblage des substrats ainsi obtenu est alors solide et durable.
On comprend que, lors de l'étape d'assemblage, le second substrat 30 n'a pas encore subi d'étape de réalisation de membrane déformable. L'épaisseur du second substrat 30 est donc sensiblement identique à son épaisseur initiale, soit quelques centaines de microns. Les dégagements éventuellement réalisés 61, 62, 63 dans la face inférieure 311 présentent une profondeur négligeable par rapport à l'épaisseur totale du second substrat 30, et ne modifient donc pas la rigidité globale du substrat 30. Aussi, la manipulation du second substrat 30 avant et pendant l'étape d'assemblage présente des faibles risques de dégradation par cassure ou déchirure.
Par ailleurs, malgré la température élevée appliquée lors du recuit de scellement, les premier et second substrats 20, 30 présentent une épaisseur suffisante qui rend négligeable toute déformation thermique de leur part. L'espacement entre le sommet des lèvres du premier substrat 20 et la face inférieure 311 du second substrat 30 peut ainsi être très faible, par exemple de l'ordre du micron ou du dixième de micron, par exemple encore comme mentionné précédemment. Il n'y a donc pas de risque qu'à la suite d'une déformation thermique de l'un ou l'autre des substrats, les lèvres 56, 56 ' et la face inférieure 311 du second substrat 30 soient mises en contact mutuel de sorte qu'un scellement de ces surfaces ait lieu. Pour la même raison, l'espacement entre le sommet du bossage 17 et la face inférieure 311 peut également être de l'ordre du micron ou du dixième de micron.
Enfin, il est à noter que, lors de cette étape d'assemblage, les conduits d'entrée 51 et de sortie 52 peuvent ne pas être traversant, comme le montrent les figures 11C et 11D. Dans ce cas, l'étape d'assemblage est avantageusement effectuée sous vide. La pression ambiante peut être comprise, par exemple, entre quelques 10~4 mbar et quelques 10~2 mbar . Cela permet d'éviter que, par dilatation thermique de gaz emprisonnés dans le volume clos formé par les cavités 9, 11, 13, 15, 17 et les conduits 12, 14, 16 des surpressions importantes n'engendrent des contraintes mécaniques excessives à l'intérieur desdits substrats, mais également dans la zone d'assemblage entre les deux substrats .
On réalise ensuite les membranes déformables dans le second substrat.
Comme le montre la figure 11D, cette réalisation peut être effectuée par amincissement du second substrat 30 sur toute sa surface, à partir de sa face supérieure 31S.
Une première phase de polissage mécanique du type meulage peut être effectuée. Cette technique est notamment décrite dans l'article de Pei et al. intitulé « Grinding of silicon wafers: A review from historical perspectives », Int. J. Mach. Tool. Manu.,
48 (2008), 1297-1307.
Le polissage peut être arrêté à quelques microns ou dizaines de microns au-dessus de la couche intermédiaire 30-2 de Si02.
L'amincissement jusqu'à la couche intermédiaire 30-2 peut être obtenu par la technique connue du polissage mécano-chimique de type CMP
(acronyme en anglais de Chemical Mechanical Polishing) .
Alternativement ou en combinaison avec cette technique, une gravure sèche de type RIE et/ou une gravure humide au moyen d'un bain de KOH ou de TMAH (tetramethylammonium hydroxide) peut (peuvent ) être effectuée (s) . Dans le cas de la gravure sèche ou humide, la couche de Si02 présente l'avantage de servir de couche d'arrêt, ce qui permet de contrôler avec précision l'épaisseur finale de la membrane à former.
Enfin, la couche intermédiaire 30-2 de Si02 du second substrat 30 peut être gravée par une gravure sèche de type RIE ou par attaque chimique à l'acide fluorhydrique (HF) .
Comme l'illustre la figure 11E, le second substrat 30 présente alors une face supérieure 31S sensiblement plane et comprend essentiellement la couche inférieure 30-3 du SOI initial.
Le second substrat 30 ne présente pas de zones géométriquement définies destinées à former des membranes déformables. Du fait de son épaisseur, de l'ordre de quelques dizaines à quelques centaines de microns, par exemple 10 pm à 300 pm, et de préférence 50 pm, toute zone du second substrat est susceptible de former une membrane déformable. Néanmoins, les zones du second substrat 30 située en regard des cavités 9, 15, 17 sont destinées à former des membranes déformables pour la pompe et les zones en regard des cavités 11, 13 sont destinée à former des membranes déformables pour le capteur.
Il est à noter que l'étape d'amincissement peut être réalisée à la pression atmosphérique alors que les cavités forment encore un volume clos sous vide. Un effort de pression est alors appliqué sur la face supérieure 31S du second substrat 30, qui tend à provoquer une flexion de celui-ci à l'intérieur des cavités. Avantageusement, le bossage 57 disposé dans la cavité centrale 15 forme une butée pour le second substrat 30 et impose ainsi une limite à la flèche de flexion de celui-ci. Les lèvres 56, 56' situées dans les cavités amont 9 et aval 17 peuvent également former une butée pour le second substrat 30 et contribuent également à limiter la flexion maximale possible du second substrat .
Du fait de la planéité de la face supérieure 31S du second substrat 30, il est possible de réaliser sur cette face les étapes classiques de micro-fabrication telles que les étapes de dépôt, de photolithographie par dépôt de résine photosensible à la tournette, puis de gravure. Ces étapes permettent notamment de former les moyens de détection de la déformation des membranes utilisées pour les jauges du débitmètre. Ces moyens peuvent comporter une pluralité de jauges de contraintes, par exemple disposées sur ou dans un moins une partie de la membrane déformable en regard des cavités 11, 13, et, par exemple reliées électriquement entre elles en formant un ou deux ponts de Wheatstone. Ces jauges de contraintes peuvent être de type piézorésistif ou piézoélectrique.
Comme le montre la figure 11E, les moyens de détection peuvent être réalisés par un niveau conducteur réalisé sur la face supérieure 31S du second substrat 30. Ce niveau conducteur est réalisé par dépôt d'une couche métallique, par exemple d'un des matériaux déjà présentés ci-dessus. Ce niveau conducteur permet de polariser les pastilles piézoélectriques et de les connecter électriquement. On réalise également ainsi les connexions des jauges vers les moyens 35 ou 80, 80'. En variante les jauges de contrainte sont réalisées dans un matériau semi-conducteur dopé tel que, par exemple, le silicium dopé p obtenu par implantation d'ions bore. Les avantages de cette variante ont déjà été exposés ci-dessus.
Les jauges sont réalisées directement dans le silicium des membranes. On peut aussi réaliser les jauges en déposant une couche de polysilicium à la surface des membranes. Une telle technique est présentée dans l'article de Malhaire et Barbier intitulé « Design of a polysilicon-on-insulator pressure sensor with original polysilicon layout for harsh environment », 2003, Thin Solid Films, 427, 362-366. La fabrication des capteurs piézoélectriques en silicium dopé est aussi décrite dans le document WO201092092A1.
Les capteurs peuvent comporter des jauges de contraintes réalisées sur la membrane, comme dans l'exemple de la figure 8.
En variante, les capteurs peuvent comporter des jauges de contraintes réalisées dans la membrane, comme dans les exemples des figures 3 et 5. Dans ce cas, des interconnexions, réalisées sur la membrane, relient électriquement les jauges de contraintes aux moyens de traitement de données. Une couche électriquement isolante (non représentée) , par exemple à base d'un diélectrique tel que du Si02, peut être disposée sur le substrat, recouvrant ainsi les jauges de contraintes et les interconnexions.
D'autres capteurs de déformations peuvent être ajouté sur les autres membranes afin d'en mesurer leur déformation sous l'action des actionneurs, ou sous l'action de la pression dans la pompe.
De préférence, à ce stade, les conduits d'entrée 51 et de sortie 52 ne sont pas encore traversants. Une étape de gravure est alors réalisée sur la face inférieure 211 du premier substrat 20 pour rendre ces conduits traversants. L'ensemble est alors ouvert et communique avec l'environnement extérieur.
Cette étape est avantageusement réalisée au terme du procédé de fabrication. Cela permet d'éviter la contamination de l'intérieur du microcanal de la micropompe par toutes sortes de résidus ou d'impuretés. Le risque de bouchage ou de mauvais fonctionnement des vannes amont et aval est ainsi écarté.
Enfin, dans le cas où une pluralité de micropompes est fabriquée simultanément à partir d'une plaque formant le premier substrat et d'une seconde plaque formant le second substrat, les plaques sont découpées pour individualiser les micropompes ainsi fabriquées.
On présente maintenant des résultats expliquant l'intérêt d'un dispositif tel que décrit ci- dessus, avec débitmètre intégré avec une micropompe.
Dans les essais qui ont été menés, le débit généré par une pompe à membrane, du type décrit ci- dessus en liaison avec les figures...8, 9 et 6A, est mesuré par le débitmètre intégré. Les résultats sont comparés avec un second capteur (ou débitmètre externe), du commerce (Sensirion SLG1430-480, Switzerland) , placé après la pompe, et relié à celle-ci par un tube. Ce tube est d'abord un tube souple, en un premier matériau (Tygon11), puis, dans un deuxième temps, est remplacé par un tube rigide, en un premier matériau (Teflon®) de diamètre et de longueur identiques à ceux du premier tube.
Pour ces deux expériences les mesures effectuées sont reportées :
- en figure 12 pour le débitmètre extérieur à la pompe ;
- en figure 13 pour le débitmètre intégré. Les courbes montrent l'évolution du signal du débitmètre pendant plusieurs cycles de pompage. Les fluctuations sont dues au principe de fonctionnement d'une pompe à membrane péristaltique .
Dans le cas de la figure 12 (débitmètre externe) les deux mesures donnent des signaux différents indiquant des débits instantanés différents.
Avec le tube rigide (Teflon®) , les pics sont élevés et pointus alors qu'avec le tube souple
(Tygon®), les pics sont peu élevés et larges. Ceci s'explique par le fait que le tube souple se déforme sous l'action des impulsions de pression générées par la pompe dans le circuit fluidique, modifiant ainsi le débit instantané au point de mesure.
Avec le débitmètre intégré, les deux expériences donnent des signaux très proches (les pic principaux sont de même amplitude et de même largeur) .
On peut en conclure qu'on mesure, avec un débitmètre intégré, exactement le débit instantané dans la pompe, et que cette mesure n'est pas affecté par la connectique du circuit fluidique, et plus généralement, reste indépendante de l'impédance hydraulique de l'ensemble du système fluidique. Ainsi il devient beaucoup plus simple d'analyser les performances de la pompe en analysant l'évolution temporelle du débit instantané, car une modification de la forme des signaux indiquera une modification des performances de la pompe et non une modification des caractéristiques d'impédance hydraulique de l'ensemble du réseau fluidique qui peut évoluer au cours d'une expérience, et d'une expérience à l'autre.
Cette expérience montre que, grâce à un dispositif du type présenté ici, la mesure du débit et l'analyse des performances de la pompe est bien plus précise et plus simple qu'avec un débitmètre placé en amont ou en aval de la pompe.
Cette amélioration est particulièrement avantageuse dans un système de pompage comportant une partie jetable (cathéter, réservoir...) et une partie réutilisable (la pompe) ce qui est par exemple le cas de nombreux système de délivrance de médicament portable. Il est important d'avoir des informations sur l'état de la pompe (vieillissement) qui ne soient pas liées au reste du système fluidique. Avec un capteur de débit intégré à la pompe on peut analyser précisément les performances de la pompe, de manière continue pendant la délivrance de médicament, et à chaque fois que l'on change les parties consommables (réservoir et/ou cathéter) pour une nouvelle période d'injection, même si le nouveau cathéter et le nouveau réservoir présentent des impédances hydrauliques différentes. Il n'est donc pas nécessaire de recalibrer le débitmètre à chaque réutilisation.

Claims

REVENDICATIONS
1. Micropompe à membrane déformable comportant :
- une première chambre (15), dont une paroi comporte une première membrane déformable et des moyens d ' actionnement (72, 81, 83) de cette première membrane, une deuxième chambre (11) munie d'une deuxième (11') membrane déformable et une troisième chambre (13), munie d'une troisième (13') de membrane déformable, la deuxième chambre et la troisième chambre étant reliées entre elles par un premier canal (12), au moins l'une d'entre elles étant reliée par un deuxième canal (12, 14) à la première chambre (15),
- chacune des deuxième chambre et troisième chambre (11, 13) comportant des moyens (R1-R4, R'l-R'4) de détection pour détecter une déformation de la portion correspondante de membrane sous l'action d'un fluide circulant dans la micropompe, mais n'étant pas munie de moyens d ' activation .
2. Micropompe selon la revendication 1, comportant en outre au moins une quatrième chambre (9, 17), reliée à l'une des autres chambres (11, 13, 15) et munie d'une quatrième membrane déformable et de moyens d ' actionnement (81, 83, 72) de cette quatrième membrane .
3. Micropompe à membrane déformable comportant : - une première chambre (15), dont une paroi comporte une première membrane déformable et des moyens d ' actionnement (72, 81, 83) de cette première membrane, une deuxième chambre (11) munie d'une deuxième (11') membrane déformable et une troisième chambre (13), munie d'une troisième (13') de membrane déformable, la deuxième chambre et la troisième chambre étant reliées entre elles par un premier canal (12), au moins l'une d'entre elles étant reliée par un deuxième canal (12, 14) à la première chambre (15), chacune des deuxième chambre et troisième chambre (11, 13) comportant en outre des moyens (R1-R4, R'l-R'4) de détection pour détecter une déformation de la portion correspondante de membrane sous l'action d'un fluide circulant dans la micropompe, mais n'étant pas munie de moyens d ' activation,
- une quatrième chambre (9), reliée à la deuxième chambre (11) par un canal (10) et munie d'une quatrième membrane déformable et de moyens d ' actionnement (81, 83, 72) de cette quatrième membrane,
- et une cinquième chambre (17), reliée à la première chambre (15) ou à la troisième chambre (13) par un canal (16), et munie d'une cinquième membrane déformable et de moyens d ' actionnement (81, 83, 72) de cette cinquième membrane.
4. Micropompe selon la revendication 2 ou 3, la quatrième chambre et /ou la cinquième chambre, la quatrième membrane, et ses moyens d ' actionnement , et/ou la cinquième membrane déformable, et ses moyens d ' actionnement , formant une vanne ou deux vannes.
5. Micropompe selon l'une des revendications 2 à 4, un conduit (51, 52) débouchant à l'intérieur de la quatrième chambre (9, 17), et/ou de la cinquième chambre, par une ouverture bordée d'une lèvre (56, 56') en saillie à l'intérieur de ladite quatrième chambre, et/ou de la cinquième chambre, parallèlement à ladite quatrième membrane déformable, et/ou à ladite cinquième membrane déformable.
6. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 5:
- chacune des deuxième chambre et troisième chambre (11, 13) étant munie de 4 jauges formant un pont de Wheastone ;
- ou bien chacune des deuxième chambre et troisième chambre (11, 13) étant munie de 2 jauges, ces 4 jauges formant un pont de Wheastone, et ayant éventuellement des valeurs nominales identiques.
7. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 6 :
la deuxième chambre et la troisième chambre (11, 13) étant toutes deux situées d'un même côté de la première chambre (15), l'une d'entre elles seulement étant reliée par le deuxième canal (14) à la première chambre,
ou bien la deuxième chambre et la troisième chambre étant situées de part et d'autre de la première chambre, chacune étant reliée par un canal (12, 14) à la première chambre (15) .
8. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 7, les différentes membranes déformables étant des portions d'une même membrane ayant une épaisseur sensiblement constante, par exemple comprise entre 10 pm et 300 pm.
9. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 8, comportant un premier substrat (20) et un second substrat (30) assemblés l'un à l'autre, chacune des chambres étant réalisée dans le premier substrat (20), chaque membrane déformable étant réalisée dans le second substrat (30).
10. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 9, les moyens (R1-R4, R'l-R'4) de détection pour détecter une déformation comportant chacun au moins 2 jauges pour chacune des deuxième et troisième chambres, une des jauges étant placée suivant une direction perpendiculaire à la direction générale d'écoulement d'un fluide dans le dispositif, tandis que l'autre jauge est placée suivant une direction sensiblement parallèle à cette direction générale d'écoulement du fluide dans le dispositif.
11. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 10, chaque moyen (R1-R4, R'l-R'4) de détection pour détecter une déformation comportant au moins une jauge localisée au voisinage de l'encastrement ou du bord de la membrane correspondant à la chambre à laquelle cette jauge est associée.
12. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 11, les moyens (R1-R4, R'l-R'4) de détection pour détecter une déformation comportant chacun une jauge, en un matériau conducteur ou en un matériau semi-conducteur dopé.
13. Micropompe selon l'une des revendications 1 à 12, chacun des moyens (R1-R4, R'l- R'4) de détection pour détecter une déformation comportant au moins une jauge ayant une largeur comprise entre 1 pm et 10 pm et une longueur comprise entre 10 pm et 100 pm.
14. Procédé de réalisation d'une micropompe selon l'une des revendications 1 à 13, comportant les étapes suivantes :
a) on sélectionne un premier substrat (20) et un deuxième substrat (30) ;
b) on réalise les chambres (11, 13, 15) et le premier canal (12) dans le premier substrat (30), c) on assemble le premier substrat (20) avec le deuxième substrat (30),
d) puis on réalise une membrane déformable (11', 13'), par amincissement du deuxième substrat (30), e) on forme les moyens de détection, sur ou dans ladite membrane, des moyens de détection étant positionnés au dessus de la première chambre (11) et des moyens de détection étant positionnés au dessus de la deuxième chambre (13), et des moyens d ' actionnement (72, 81, 83) de cette première membrane.
15. Procédé selon la revendication 14, la membrane déformable étant réalisée par amincissement du deuxième substrat (30) à partir de la face supérieure (31S) de celui-ci, par polissage mécanique, ou par polissage mécano-chimique et/ou par gravure.
16. Procédé selon la revendication 14 ou 15, le deuxième substrat (30) étant de type SOI, comportant un substrat semi-conducteur (30-1), une couche diélectrique (30-2) et une couche en matériau semi-conducteur (30-3).
17. Procédé selon l'une des revendications 14 à 16, comportant en outre une étape de réalisation d'au moins une quatrième chambre (9, 17), reliée à l'une des autres chambres (11, 13, 15) et munie d'une quatrième membrane déformable, et une étape de réalisation de moyens d ' actionnement (72, 81, 83) de cette quatrième membrane.
18. Procédé selon l'une des revendications 14 à 17, comportant en outre une étape de réalisation de conduits d'entrée (51) et de sortie (52) dans le premier substrat (20).
19. Procédé selon la revendication 18, les conduits d'entrée (51) et de sortie (52) étant d'abord réalisés borgnes dans le premier substrat (20), puis étant rendus traversant après l'étape e) , par amincissement du premier substrat .
20. Procédé selon l'une des revendications
14 à 19, les moyens de détection comportant des jauges réalisées par dépôt métallique sur la membrane ou par dopage d'un matériau semi-conducteur.
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