WO2012028355A2 - Photovoltaic cell and method for producing the same - Google Patents
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Definitions
- the invention relates to a solar cell with a crystalline silicon substrate having a p-doped surface, which has a deposited passivation layer, and a method for producing the same.
- a solar cell with a crystalline silicon substrate having a p-doped surface, which has a deposited passivation layer, and a method for producing the same.
- an n-doped front emitter is generally used, which is passivated with silicon nitride (SiN).
- SiN silicon nitride
- the resulting layer system contains a high density of positive charges, which generate an accumulation area on the silicon surface. This field effect has a positive effect on the surface passivation, since minority charge carriers are "repelled" by the interface.
- p-doped ones are also necessary to use.
- SiN in a separation-separated step can be negatively charged via a corona discharge and thus the passivation of p-surfaces can be significantly improved (KJ Weber and H. Jin Improved Silicon surface passivation achieved by negatively charged silicon nitride films Appl. Phys. Lett., 94, 063509 (2009), DOI: 10.1063 / 1.3077157).
- this method appears to be hardly suitable for industrial practice because of probably insufficient long-term stability.
- a very promising option is the use of Al 2 O 3 , which was preferably deposited by ALD (Atomic Layer Deposition)
- the present invention is a solar cell with a substrate made of crystalline silicon having a p-doped surface, which has a deposited passivation layer, wherein the passivation layer is a layer of the system AlxSiy + (CON: H), resulting layer, in particular an AlSiOx- Layer or AISiN: H layer or AISiON: H layer or AISiCN: H layer or AISiOC: H layer.
- the passivation layer has an SiO 2 layer doped in particular in a proportion of between 1 and 50%, Al 2 O 3 or a low SiO 2 -doped Al 2 O 3 layer.
- Al 3 + in a tetrahedral Si0 2 can -
- the doping of a deposited SiO 2 layer with Al 2 O 3 (1-50%) can achieve a comparatively large or higher density of negative charges than with pure Al 2 O 3 .
- a great advantage of this configuration is that, apart from the negative charge, the layer system has the advantages of a Si0 2 layer - it is permeable to hydrogen, fiery, and does not crystallize under the usual firing conditions.
- this embodiment is provided to dope the Al 2 0 3 with a small amount of Si0 2 in order to increase the crystallization temperature and thus to reduce the degradation during firing.
- the passivation layer has an AIN-doped SiN layer.
- SiN is a synthetic material that does not occur directly in nature. Therefore, charge effects by substitution in this substance, at least in mineralogy, have not been thoroughly investigated and documented.
- SiAIN H has the advantage of being able to deliver passivating hydrogen. In this case, it is no longer necessary to switch to a layer stack in combination with SiN to ensure fire stability. Likewise, a high refractive index can be achieved by which the optical properties when used as a front side passivation should be comparable to those of SiN.
- the proposed layer can deliver hydrogen from amino groups and its higher refractive index allows for a high quality mirroring of the cell surface.
- the passivation layer can be realized as a single layer, that are deposited in a single pass, resulting in a reduction in manufacturing costs.
- FIGS. 1A and 1B are schematic diagrams of passivation layers after
- FIGS. 2A to 2C are schematic diagrams of passivation layers according to FIG.
- FIGS. 3A and 3B are schematic diagrams of passivation layers according to FIG.
- FIG. 1A shows that a one-piece Al 2 O 3 passivation layer 2 is arranged on a substrate 1 made of p-doped silicon.
- 1B shows a further known passivation layer variant, in which a two-part passivation layer (1 stack) comprising an underlying Al 2 O 3 partial layer 2 'and an overlying SiN partial layer 3 is arranged on the Si substrate 1.
- Fig. 2A shows the provision of a one-part AlSiO passivation layer 4 on the p-doped Si substrate 1
- Fig. 2B shows as a further embodiment, a two-part layer structure of an underlying AlSiO layer 4 'and an overlying SiN layer 5 on the substrate 1
- FIG. 2C shows, as a further embodiment, a three-part stack comprising a lower, thin SiO 2 layer 6, an overlying AlSiO layer 4 "and a SiN layer 5 'terminating the stack toward the surface.
- FIG. 3A shows another one
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Abstract
Photovoltaic cell comprising a substrate of crystalline silicon having a p-doped surface which comprises a passivation layer deposited thereon, said passivation layer comprising a layer of the system AlxSiy+(CON:H), a resulting layer, especially an AlSiOx layer or AlSiN:H layer or AlSiON:H layer or AlSiCN:H layer or AlSiOC:H layer.
Description
Beschreibung Titel Description title
Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer solchen Solar cell and method for producing such
Die Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einem Substrat aus kristallinem Silizium mit einer p-dotierten Oberfläche, welche eine abgeschiedene Passivie- rungsschicht aufweist, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen. Stand der Technik The invention relates to a solar cell with a crystalline silicon substrate having a p-doped surface, which has a deposited passivation layer, and a method for producing the same. State of the art
Bei industrieüblichen Solarzellen wird allgemein ein n-dotierter Vorderseitenemitter eingesetzt, welcher mit Siliziumnitrid (SiN) passiviert wird. Insbesondere wenn SiN per PECVD direkt auf Silizium abgeschieden wird, enthält das entstehende Schichtsystem eine hohe Dichte an positiven Ladungen, welche auf der Siliziumoberfläche einen Akkumulationsbereich erzeugen. Dieser Feldeffekt hat positive Auswirkungen auf die Oberflächenpassivierung, da so Minoritätsladungsträger vom Interface„abgestoßen" werden. Für neuartige Hocheffizienzsolarzellen ist es notwendig, auch p-dotierteIn industry-standard solar cells, an n-doped front emitter is generally used, which is passivated with silicon nitride (SiN). In particular, when SiN is deposited by PECVD directly on silicon, the resulting layer system contains a high density of positive charges, which generate an accumulation area on the silicon surface. This field effect has a positive effect on the surface passivation, since minority charge carriers are "repelled" by the interface. For novel high-efficiency solar cells, it is also necessary to use p-doped ones
Oberflächen zu passivieren. Hier wirken sich die positiven Ladungen des SiN als nachteilig aus, da in diesem Fall Minoritätsladungstrager (hier Elektronen) zur Siliziumoberfläche gezogen werden. Aus diesem Grunde ist es notwendig, dielektrische Schichten mit negativen Ladungen zur Passivierung zu nutzen. Passivate surfaces. Here, the positive charges of SiN have a negative effect, since in this case minority charge carriers (in this case electrons) are drawn to the silicon surface. For this reason, it is necessary to use dielectric layers with negative charges for passivation.
Es wurde gezeigt, dass SiN in einem von der Abscheidung separierten Schritt über eine Corona-Entladung negativ geladen und so die Passivierung von p-Oberflächen erheblich verbessert werden kann (K. J. Weber and H. Jin Improved Silicon surface passivation achieved by negatively charged Silicon nitride films, Appl. Phys. Lett. 94, 063509 (2009), DOI:10.1063/1.3077157). Dieses Verfahren erscheint jedoch wegen wahrscheinlich unzureichender Langzeitstabilität als für industrielle Praxis kaum geeignet.
Eine sehr vielversprechende Option ist die Verwendung von Al203, welches vorzugsweise per ALD (Atomic Layer Deposition) abgeschieden wurde It has been shown that SiN in a separation-separated step can be negatively charged via a corona discharge and thus the passivation of p-surfaces can be significantly improved (KJ Weber and H. Jin Improved Silicon surface passivation achieved by negatively charged silicon nitride films Appl. Phys. Lett., 94, 063509 (2009), DOI: 10.1063 / 1.3077157). However, this method appears to be hardly suitable for industrial practice because of probably insufficient long-term stability. A very promising option is the use of Al 2 O 3 , which was preferably deposited by ALD (Atomic Layer Deposition)
(B. Hoex, J. Schmidt, R. Bock, P. P. Altermatt, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Excellent passivation of highly doped p-type Si surfaces by the negative-charge-dielectric Al203, Appl. Phys. Lett. 91, 112107 (2007), DOI:10.1063/1.2784168). Dieses Schichtsystem enthält intrinsisch negative Ladung. (B. Hoex, J. Schmidt, R. Bock, PP Altermatt, MCM van de Sanden, and WMM Kessels, Excellent passivation of highly doped p-type Si surfaces by the negative-charge-dielectric Al 2 O 3 , Appl Lett., 91, 112107 (2007), DOI: 10.1063 / 1.2784168). This layer system contains intrinsically negative charge.
Ein nicht vollständig gelöstes Problem ist jedoch die Feuerstabilität der Al203- Passivierung. Es wurde gezeigt, dass die Stabilität in Grenzen durch einen AI203/SiN Stack verbessert werden kann (Jan Schmidt, Boris Veith, Rolf Brendel, Effective surface passivation of crystalline Silicon using ultrathin Al203 films and AI203/SiN Stacks, physica Status solidi (RRL) - Rapid Research However, a not completely solved problem is the fire stability of the Al 2 0 3 passivation. It has been shown that the stability in limits can be improved by an Al 2 O 3 / SiN stack (Jan Schmidt, Boris Veith, Rolf Brendel, Effective surface passivation of crystalline silicon using ultrathin Al 2 O 3 films and AI 2 0 3 / SiN stacks, physica status solidi (RRL) - Rapid Research
Letters, vol. 3 (9), p. 287, 2009, http://dx.doi.org/10.1002/pssr.200903272; siehe auch Fig. 1). Letters, vol. 3 (9), p. 287, 2009, http://dx.doi.org/10.1002/pssr.200903272; see also Fig. 1).
Offenbarung der Erfindung Disclosure of the invention
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Solarzelle mit einem Substrat aus kristallinem Silizium mit einer p-dotierten Oberfläche, welche eine abge- schiedene Passivierungsschicht aufweist, wobei die Passivierungsschicht eine Schicht aus dem System AlxSiy+(CON:H), resultierende Schicht, insbesondere eine AlSiOx-Schicht oder AISiN:H-Schicht oder AISiON:H-Schicht oder AISiCN:H- Schicht oder AISiOC:H-Schicht, aufweist. Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist vorgesehen, dass die Passivierungsschicht eine, insbesondere in einem Anteil zwischen 1 und 50 %, Al203- dotierte Si02-Schicht oder eine gering Si02-dotierte Al203-Schicht aufweist. The present invention is a solar cell with a substrate made of crystalline silicon having a p-doped surface, which has a deposited passivation layer, wherein the passivation layer is a layer of the system AlxSiy + (CON: H), resulting layer, in particular an AlSiOx- Layer or AISiN: H layer or AISiON: H layer or AISiCN: H layer or AISiOC: H layer. According to one aspect of the invention, it is provided that the passivation layer has an SiO 2 layer doped in particular in a proportion of between 1 and 50%, Al 2 O 3 or a low SiO 2 -doped Al 2 O 3 layer.
Der geringe lonenradius von Al3+ erlaubt es diesem, eine tetrahedrale Konfi- guration anzunehmen. In diesem Fall kann Al3+ in ein tetrahedrales Si02-The small ionic radius of Al 3 + allows it to assume a tetrahedral configuration. In this case, Al 3+ in a tetrahedral Si0 2 can -
Netzwerk (bei den meisten Si02-Phasen der Fall) substituiert werden, ohne die Kristallstruktur zu ändern. Durch die unterschiedliche lonenladung entsteht so ein Überschuss negativer Ladung. Da sich aufgrund der großen Bandlucke im
Si02 keine beweglichen Ladungsträger befinden, kann diese Ladung nicht direkt durch ein Loch abgesättigt werden, und es entsteht eine effektive negativ geladene Kristallschicht. Dieses Phänomen ist in der Mineralogie, bzw. Kristallchemie, als isomorphe Substitution bekannt und spielt eine grundlegende Rolle in der Silikatchemie. Network (in most Si0 2 phases of the case) can be substituted without changing the crystal structure. Due to the different ion charge thus creates an excess of negative charge. Because of the big band gap in the Si0 2 are no moving charge carriers, this charge can not be saturated directly through a hole, and there is an effective negatively charged crystal layer. This phenomenon is known in mineralogy, or crystal chemistry, as isomorphic substitution and plays a fundamental role in silicate chemistry.
In der Mikroelektronik ist experimentell ermitteln worden, dass der Ursprung der negativen Ladungen am Al203/Si02-Interface liegt. Es ist anzunehmen dass ein ähnlicher Mechanismus hier eine Rolle spielt; Al203 liegt am Si02/Al203 Interface teilweise vierfach koordiniert vor um den Übergang zwischen den Si02/Al203-Gitterstrukturen energetisch günstig zu gestalten. In microelectronics, it has been experimentally determined that the origin of the negative charges lies at the Al 2 0 3 / Si0 2 interface. It can be assumed that a similar mechanism plays a role here; Al 2 0 3 is partially coordinated on Si0 2 / Al 2 0 3 interface in order to make the transition between the Si0 2 / Al 2 0 3 lattice structures energetically favorable.
In Kenntnis dieser Mechanismen ist anzunehmen, dass durch die Dotierung von einer abgeschiedenen Si02 Schicht mit Al203 (1-50%) eine vergleichbar große, bzw. höhere Dichte an negativen Ladungen wie mit reinem Al203 erzielt werden kann. Ein großer Vorteil dieser Konfiguration besteht darin, dass das Schichtsystem, abgesehen von der negativen Ladung, die Vorteile einer Si02 Schicht besitzt - sie ist durchlässig für Wasserstoff, durchfeuerbar, und kristallisiert bei den üblichen Feuerbedingungen nicht. In einer anderen Ausgestaltung dieser Ausführung ist vorgesehen, das Al203 mit einer geringen Menge an Si02 zu dotieren, um die Kristallisationstemperatur zu erhöhen und so die Degradation beim Feuern zu reduzieren. In view of these mechanisms, it can be assumed that the doping of a deposited SiO 2 layer with Al 2 O 3 (1-50%) can achieve a comparatively large or higher density of negative charges than with pure Al 2 O 3 . A great advantage of this configuration is that, apart from the negative charge, the layer system has the advantages of a Si0 2 layer - it is permeable to hydrogen, fiery, and does not crystallize under the usual firing conditions. In another embodiment of this embodiment is provided to dope the Al 2 0 3 with a small amount of Si0 2 in order to increase the crystallization temperature and thus to reduce the degradation during firing.
Als Vorteile dieser Variante der Erfindung sind aus derzeitiger Sicht vor allem folgende zu nennen: The advantages of this variant of the invention from the current point of view are the following:
- Es besteht Feuer-Stabilität im Schichtaufbau (Stack), da dieser für H* durchlässig ist und es keine Kristallisation gibt. - Das atomare Netzwerk ist SiO-ähnlich, enthält wenig ionisches AI und ist daher leicht durchfeuerbar.
Die Schicht ist durchlässig für 0, weshalb eine Reoxidation der Grenzschicht (des Interface) möglich ist. - There is fire stability in the stack structure, since this is permeable to H * and there is no crystallization. - The atomic network is SiO-like, contains little ionic AI and is therefore easily durchfeuerbar. The layer is permeable to 0, which is why a reoxidation of the interface (the interface) is possible.
- Der Precursor-Verbrauch ist reduziert. - Die Variante baut herstellungstechnisch auf bekannte Verfahren- The precursor consumption is reduced. - The variant is based on manufacturing technology known methods
(etwa PECVD) auf. (about PECVD).
In einer anderen Ausführung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Passivie- rungsschicht eine AIN-dotierte SiN-Schicht aufweist. In another embodiment of the invention, it is provided that the passivation layer has an AIN-doped SiN layer.
Da Si in SiN ebenfalls vierfach koordiniert vorliegt und die Si-N Bondlänge fast identisch zum Si02 ist (160 pm), ist es wahrscheinlich, dass eine isomorphe Substitution auch in diesem System möglich ist. In diesem Fall wäre auch hier die Generation negativer Ladungen möglich. Es sei darauf hingewiesen dass SiN ein synthetischer Werkstoff ist, der in der Natur nicht direkt vorkommt. Daher sind Ladungseffekte durch Substitution in diesem Stoff, zumindest in der Mineralogie, noch nicht eingehend untersucht und dokumentiert. Since Si also four co-ordinate is in the SiN and the SiN bond length is almost identical to the Si0 2 (160 pm), it is likely that a isomorphous substitution is also possible in this system. In this case too, the generation of negative charges would be possible. It should be noted that SiN is a synthetic material that does not occur directly in nature. Therefore, charge effects by substitution in this substance, at least in mineralogy, have not been thoroughly investigated and documented.
SiAIN:H hat den Vorteil, dass es in der Lage ist, passivierenden Wasserstoff zu liefern. In diesem Fall ist es nicht mehr notwendig, auf einen Schichtstapel in Kombination mit SiN auszuweichen, um die Feuerstabilität zu gewährleisten. Ebenso kann ein hoher Brechungsindex erreicht werden, durch den die optischen Eigenschaften bei Einsatz als Vorderseitenpassivierung dem des SiN vergleichbar sein sollten. SiAIN: H has the advantage of being able to deliver passivating hydrogen. In this case, it is no longer necessary to switch to a layer stack in combination with SiN to ensure fire stability. Likewise, a high refractive index can be achieved by which the optical properties when used as a front side passivation should be comparable to those of SiN.
Als Vorteile dieser Ausführung der Erfindung sind aus derzeitiger Sicht folgende zu nennen: As advantages of this embodiment of the invention, the following can be mentioned from the current perspective:
- AI kann auch mit CN = 4 in SiN eingebaut werden; auch dann ergibt sich ein Überschuss negativer Ladungen.
- Die vorgeschlagene Schicht kann Wasserstoff aus Amino-Gruppen liefern, und ihr höherer Brechungsindex erlaubt eine qualitativ hochwertige Verspiegelung der Zellenoberfläche. AI can also be incorporated with CN = 4 in SiN; even then there is an excess of negative charges. The proposed layer can deliver hydrogen from amino groups and its higher refractive index allows for a high quality mirroring of the cell surface.
- Die Passivierungsschicht kann als einzelne Schicht realisiert, also in einem einzigen Durchgang abgeschieden werden, was zu einer Verringerung der Herstellungskosten führt. - The passivation layer can be realized as a single layer, that are deposited in a single pass, resulting in a reduction in manufacturing costs.
Zeichnungen Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Gegenstände werden durch die Zeichnungen veranschaulicht und in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Dabei ist zu beachten, dass die Zeichnungen nur beschreibenden Charakter haben und nicht dazu gedacht sind, die Erfindung in irgendeiner Form einzuschränken. Es zeigen: Drawings Further advantages and advantageous embodiments of the objects according to the invention are illustrated by the drawings and explained in the following description. It should be noted that the drawings have only descriptive character and are not intended to limit the invention in any way. Show it:
Fig. 1A und 1B Prinzipskizzen von Passivierungsschichten nach dem 1A and 1B are schematic diagrams of passivation layers after
Stand der Technik, State of the art,
Fig. 2A bis 2C Prinzipskizzen von Passivierungsschichten gemäß FIGS. 2A to 2C are schematic diagrams of passivation layers according to FIG
einem ersten Aspekt der Erfindung und a first aspect of the invention and
Fig. 3A und 3B Prinzipskizzen von Passivierungsschichten gemäß FIGS. 3A and 3B are schematic diagrams of passivation layers according to FIG
einem zweiten Aspekt der Erfindung. Ausführungsformen der Erfindung a second aspect of the invention. Embodiments of the invention
Fig. 1A zeigt, dass auf einem Substrat 1 aus p-dotiertem Silizium eine einteilige Al203-Passivierungsschicht 2 angeordnet ist. Fig. 1B zeigt eine weitere bekannte Passivierungsschicht-Variante, bei der auf dem Si-Substrat 1 eine zweiteilige Passivierungsschicht (1 Stack) aus einer unterliegenden Al203-Teil- schicht 2' und einer darüberliegenden SiN-Teilschicht 3 angeordnet ist.
Fig. 2A zeigt das Vorsehen einer einteiligen AlSiO-Passivierungsschicht 4 auf dem p-dotierten Si-Substrat 1, Fig. 2B zeigt als weitere Ausführung eine zweiteilige Schichtstruktur aus einer darunterliegenden AlSiO-Schicht 4' und einer darüberliegenden SiN-Schicht 5 auf dem Substrat 1, und Fig. 2C zeigt als weitere Ausführung einen dreiteiligen Stack aus einer unteren, dünnen Si02-Schicht 6, einer darüberliegenden AlSiO-Schicht 4" und einer den Stack zur Oberfläche hin abschließenden SiN-Schicht 5'. FIG. 1A shows that a one-piece Al 2 O 3 passivation layer 2 is arranged on a substrate 1 made of p-doped silicon. 1B shows a further known passivation layer variant, in which a two-part passivation layer (1 stack) comprising an underlying Al 2 O 3 partial layer 2 'and an overlying SiN partial layer 3 is arranged on the Si substrate 1. Fig. 2A shows the provision of a one-part AlSiO passivation layer 4 on the p-doped Si substrate 1, Fig. 2B shows as a further embodiment, a two-part layer structure of an underlying AlSiO layer 4 'and an overlying SiN layer 5 on the substrate 1, and FIG. 2C shows, as a further embodiment, a three-part stack comprising a lower, thin SiO 2 layer 6, an overlying AlSiO layer 4 "and a SiN layer 5 'terminating the stack toward the surface.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung zeigt Fig. 3A eine weitere According to another aspect of the invention, FIG. 3A shows another one
Variante einer einschichtigen Passivierung mittels einer AISi(0)-N:H-Schicht 7 auf dem p-dotierten-Si-Substrat 1, während Fig. 3B eine weitere Stack-Lösung aus einer unteren Si02-Schicht 6' und einer darüber angeordneten, bei der gezeigten Ausführung etwas dickeren AISiN-Schicht 7' zeigt. Variant of a single-layer passivation by means of an AISi (0) -N: H layer 7 on the p-doped Si substrate 1, while Fig. 3B, a further stack solution of a lower Si0 2 layer 6 'and arranged above it , in the embodiment shown slightly thicker AISiN layer 7 'shows.
Alle Figuren sind als rein schematische Darstellungen zu verstehen und sollen nicht in der Praxis gemäß konkreten Produkt- und Technologieanforderungen zu spezifizierende Schichtkonfigurationen vorwegnehmen oder ausschließen.
All figures are to be understood as purely schematic representations and are not intended to anticipate or exclude layer configurations to be specified in practice according to specific product and technology requirements.
Claims
1. Solarzelle mit einem Substrat aus kristallinem Silizium mit einer 1. solar cell with a substrate of crystalline silicon with a
p-dotierten Oberfläche, welche eine abgeschiedene Passivierungsschicht aufweist, p-doped surface having a deposited passivation layer,
wobei die Passivierungsschicht eine Schicht aus dem System wherein the passivation layer is a layer of the system
AlxSiy+(CON:H), resultierende Schicht, insbesondere eine AlSiOx-Schicht oder AISiN:H-Schicht oder AISiON:H-Schicht oder AISiCN:H-Schicht oder AISiOC:H-Schicht, aufweist. AlxSiy + (CON: H), resulting layer, in particular an AlSiOx layer or AISiN: H layer or AISiON: H layer or AISiCN: H layer or AISiOC: H layer.
2. Solarzelle nach Anspruch 1, 2. Solar cell according to claim 1,
wobei die Passivierungsschicht eine, insbesondere in einem Anteil zwischen 1 und 50 %, AI203-dotierte Si02-Schicht oder eine gering Si02- dotierte Al203-Schicht aufweist. wherein the passivation layer one, in particular in a proportion of between 1 and 50%, AI 2 0 3 doped Si0 2 layer, or a low Si0 2 - Al doped comprising 2 0 3 layer.
3. Solarzelle nach Anspruch 1 oder 2, 3. Solar cell according to claim 1 or 2,
wobei die Passivierungsschicht eine AISiOx-Teilschicht und eine SiN- Teilschicht aufweist. wherein the passivation layer comprises an AISiOx sublayer and an SiN sublayer.
4. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, 4. Solar cell according to one of the preceding claims,
wobei die Passivierungsschicht eine SiOx-Teilschicht aufweist, die insbesondere zwischen dem Si-Substrat und der AISiOx-Teilschicht angeordnet und wesentlich dünner als letztere ist. wherein the passivation layer comprises an SiOx sublayer which is in particular arranged between the Si substrate and the AISiOx sublayer and is substantially thinner than the latter.
5. Solarzelle nach Anspruch 1, 5. Solar cell according to claim 1,
wobei die Passivierungsschicht eine AIN-dotierte SiN-Schicht aufweist. wherein the passivation layer comprises an AIN-doped SiN layer.
6. Solarzelle nach Anspruch 1 oder 5, 6. Solar cell according to claim 1 or 5,
wobei die Passivierungsschicht eine SiOx-Teilschicht und eine AISiN- Teilschicht aufweist. wherein the passivation layer comprises a SiOx sublayer and an AISiN sublayer.
7. Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei annähernd x = 2 ist. 7. Solar cell according to one of the preceding claims, wherein approximately x = 2.
8. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, 8. A method for producing a solar cell according to one of the preceding claims,
wobei die Abscheidung der Passivierungsschicht durch Gasphasenab- scheidung, insbesondere durch PECVD unter Einsatz von SiH4, TMA, N20 oder C02 oder NH3, ausgeführt wird. wherein the deposition of the passivation layer by gas phase deposition, in particular by PECVD using SiH 4 , TMA, N 2 0 or C0 2 or NH 3 , is performed.
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