WO2011041809A1 - Method for producing titanium diboride (tib2) layers from molten electrolytes - Google Patents

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Definitions

  • TiBi titanium diboride
  • the present invention relates to a method for producing thin, homogeneous, well-adhering layers of titanium diboride on different metal substrates
  • Titanium diboride (TiB 2 ) is excellently suited as a layer for improving the properties of the substrate materials used because of its hardness and its corrosion resistance to different media.
  • TiB 2 are applied by vapor deposition processes, in particular CVD ("chemical vapor deposition") methods on substrate materials such as steel, hard metal or refractory metal.
  • the aim of the work was therefore to modify the deposition conditions so that both homogeneity and adhesion of the TiB 2 layers on different substrate materials are improved.
  • the base melt electrolyte e.g.
  • Ta is additionally added, for example, in the form of TaCl 5 (tantalum pentachloride) in a concentration of the same concentration.
  • Ta results in a significant improvement in homogeneity and, on the other hand, by forming mixtures of TiB 2 and TaB 2, improved adhesion to the substrate material, as reduced by the difference in the coefficients of thermal expansion between the electrodeposited layer and the substrate material (eg molybdenum) be and are significantly reduced by the layer structure induced by a temperature change stresses in the layer.
  • Exemplary embodiment 1 is a diagrammatic representation of Exemplary embodiment 1:
  • the salt mixture is prepared in eutectic composition and after addition of K 2 TiF 6 (potassium hexafluorotitanate) and KBF 4
  • Embodiment 2 is a diagrammatic representation of Embodiment 1:
  • the thickness of the homogeneously deposited TiB 2 layer is 28 ⁇ .
  • the adhesion of the homogeneous grown on the Mo substrate layer is unchanged even when tested with steep temperature gradients (change in temperature in the range of 400 ° C / minute) on the Mo substrate high, it could be found no chipping.
  • the adhesion of the homogeneous grown on the Mo substrate layer is excellent even when tested with steep temperature gradients (change in temperature in the range of 400 ° C / minute) on the Mo substrate, it could be found no chipping.
  • the salt mixture is in elektischer composition

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Abstract

The invention relates to the electrochemical production of titanium diboride layers from eutectic molten salts in a temperature range of between 500°C and 700°C, by adding tantalum compounds. Electrodeposition occurs when a direct current or a pulsing current is applied in a range of between 1mA/cm2 and 200 mA/cm2, eutectic mixtures of the salts NaCl, KCl, NaF, KF, LiCl and LiF being used as electrolytes. The addition of tantalum compounds ranges from 0.05 to 10 wt.%. Dense, homogeneous and corrosion resistant layers with thicknesses of up to 50 μm are obtained on different metallic substrates (Fe, Mo).

Description

Patentanmeldung :  Patent Application:
Verfahren zur Herstellung von Titandiborid (TiBi)-Schichten aus Schmelzelektrolyten  Process for the preparation of titanium diboride (TiBi) layers from molten electrolytes
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dünner, homogener, gut haftender Schichten aus Titandiborid auf unterschiedlichen Metallsubstraten durch The present invention relates to a method for producing thin, homogeneous, well-adhering layers of titanium diboride on different metal substrates
galvanische Abscheidung aus Schmelzelektrolyten in einem Temperaturbereich zwischen 600°C und 700°C. Electrodeposition of molten electrolytes in a temperature range between 600 ° C and 700 ° C.
Titandiborid (TiB2) eignet sich in hervorragender Weise aufgrund seiner Härte und seiner Korrosionsbeständigkeit gegenüber unterschiedlichen Medien als Schicht zur Verbesserung der Eigenschaften der verwendeten Substratmaterialien. Üblicherweise werden TiB2 über Bedampfungesprozesse, vor allem CVD („chemical vapour deposition")- Verfahren auf Substratmaterialien wie Stahl, Hartmetall oder Refraktärmetall, aufgebracht. Titanium diboride (TiB 2 ) is excellently suited as a layer for improving the properties of the substrate materials used because of its hardness and its corrosion resistance to different media. Usually, TiB 2 are applied by vapor deposition processes, in particular CVD ("chemical vapor deposition") methods on substrate materials such as steel, hard metal or refractory metal.
Für die Herstellung von Schichten mit Dicken größer als wenige Mikrometer ist der For the production of layers with thicknesses greater than a few microns is the
Zeitaufwand für diese Verfahren relativ hoch im Vergleich zu einer elektrochemischen Herstellung, die auch in der Literatur ausfuhrlich beschrieben wurde. Time expenditure for these processes relatively high compared to an electrochemical preparation, which has also been described in detail in the literature.
Der Nachteil der bisher in der Literatur dargestellten elektrochemischen Verfahren liegt darin, dass in vielen Fällen die Homogenität der Schichten nicht ausreichend ist und zudem die Haftung am Substratmaterial als mangelhaft erscheint.  The disadvantage of the electrochemical processes presented so far in the literature is that in many cases the homogeneity of the layers is insufficient and, moreover, the adhesion to the substrate material appears to be deficient.
Ziel der Arbeiten war es daher, die Abscheidebedingungen so zu modifizieren, dass sowohl Homogenität als auch Haftung der TiB2 Schichten auf unterschiedlichen Substratmaterialien verbessert werden. The aim of the work was therefore to modify the deposition conditions so that both homogeneity and adhesion of the TiB 2 layers on different substrate materials are improved.
Dies wird erfindunggemäß dadurch erreicht, dass dem Basis-Schmelzelektrolyten (z.B.  This is achieved according to the invention in that the base melt electrolyte (e.g.
FLINAK in eutektischer Zusammensetzung) neben den Ausgangsmaterialien für die FLINAK in eutectic composition) in addition to the starting materials for the
^elektrochemische Synthese K2TiFe (Kaliumhexafluorotitanat) und KBF4 ^ electrochemical synthesis K 2 TiFe (potassium hexafluorotitanate) and KBF 4
^ ^aii^^trafluoroborat) zusätzlich noch Ta z.B. in Form von TaCl5 (Tantalpentachlorid) in «e P^^dlicher Konzentration zugesetzt wird. In addition, Ta is additionally added, for example, in the form of TaCl 5 (tantalum pentachloride) in a concentration of the same concentration.
Die^itgabe von Ta bewirkt einerseits eine signifikante Verbesserung der Homogenität und andererseits durch Ausbildung von Mischungen aus TiB2 und TaB2 eine verbesserte Haftung am Substratmaterial, da durch die Differenz in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen elektrochemisch abgeschiedener Schicht und dem Substratmaterial (z.B. Molybdän) verringert werden und durch den Schichtaufbau die durch einen Temperaturwechsel induzierten Spannungen in der Schicht deutlich verringert werden. The addition of Ta, on the one hand, results in a significant improvement in homogeneity and, on the other hand, by forming mixtures of TiB 2 and TaB 2, improved adhesion to the substrate material, as reduced by the difference in the coefficients of thermal expansion between the electrodeposited layer and the substrate material (eg molybdenum) be and are significantly reduced by the layer structure induced by a temperature change stresses in the layer.
Ausfuhrungsbeispiel 1: Exemplary embodiment 1:
Nach Vorreinigung der Elektrolytbestandteile des FLINAK-Elektrolyten (Aufschmelzen, Trocknen, Umkristallisieren) wird die Salzmischung in eutektischer Zusammensetzung hergestellt und nach Zugabe von K2TiF6 (Kaliumhexafluorotitanat) und KBF4 After pre-cleaning the electrolyte components of the FLINAK electrolyte (melting, drying, recrystallization), the salt mixture is prepared in eutectic composition and after addition of K 2 TiF 6 (potassium hexafluorotitanate) and KBF 4
(Kaliumtetrafluoroborat) im Verhältnis 1 : 2 nochmals bei 600°C in einem Schutzgasofen unter Verwendung eines Tiegels aus Glaskohlenstoff aufgeschmolzen und für 12 Stunden unter Argon -Atmosphäre gehalten. Zugabe von 0.5 % Ta als TaCls erfolgt ebenfalls. Als Substratmaterial wird eine Stahlplatte mit einer Fläche von 10 cm2 eingesetzt. Anschließend wird für 10 Minuten ein Stromfluß von 40 mA/cm2 zwischen dem Substratmaterial und dem Schmelztiegel (geschalten als Gegenelektrode) über eine Gleichspannung (Spannungsquelle ein Potentiostat Jaissle 1000 TB) generiert. Nach Abschalten des Stroms wird die Probe aus dem Elektrolyten gezogen, mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die Dicke der homogen abgeschiedenen TiB2 Schicht beträgt dabei 22 μιη. Die Haftung (getestet über einen Abzugstest) ist auch nach thermischer Wechselbelastung ausgezeichnet, es findet kein Abplatzen der Schicht nach Prüfung mit steilen (Potassium tetrafluoroborate) in the ratio 1: 2 again at 600 ° C in a protective gas furnace using a crucible of glassy carbon melted and kept for 12 hours under an argon atmosphere. Addition of 0.5% Ta as TaCls also occurs. The substrate material used is a steel plate with an area of 10 cm 2 . Then, for 10 minutes, a current flow of 40 mA / cm 2 is generated between the substrate material and the crucible (connected as counter electrode) via a DC voltage (voltage source, a potentiostat Jaissle 1000 TB). After switching off the flow, the sample is drawn from the electrolyte, washed with water and dried. The thickness of the homogeneously deposited TiB 2 layer is 22 μιη. The adhesion (tested by means of a pull-off test) is also excellent after thermal cycling, there is no chipping of the layer after testing with steep
Temperaturgradienten statt. Temperature gradient instead.
Ausführungsbeispiel 2: Embodiment 2:
Nach Vorreinigung der Elektrolytbestandteile (Aufschmelzen, Trocknen, Umkristallisieren) werden die Salze NaCl, NaF und KF im elektischen Verhältnis bei 550°C  After pre-cleaning of the electrolyte components (melting, drying, recrystallization), the salts NaCl, NaF and KF in the elektischen ratio at 550 ° C.
zusammengeschmolzen und die Schmelze bei 580°C für 6 Stunden-unter Argon Schutzgas homogenisiert. Die Zugabe von K2TiFö (Kaliumhexafluorotitanat) und KBF4 fused together and the melt homogenized at 580 ° C for 6 hours under argon inert gas. The addition of K 2 TiFe (potassium hexafluorotitanate) and KBF 4
(Kaliumtetrafluoroborat) erfolgt wieder im stoichiometrischen Verhältnis 1 :2, die Menge an Ta beträgt 0.2% und wird als Kaliumheptafluorotantalat zugegeben. Als Substrat wird eine Molybdänplatte von 15 cm2 Fläche eingesetzt. Anschließend wird für 15 Minuten ein (Potassium tetrafluoroborate) is again in the stoichiometric ratio 1: 2, the amount of Ta is 0.2% and is added as Kaliumheptafluorotantalat. The substrate used is a molybdenum plate of 15 cm 2 area. Then it will be on for 15 minutes
Stromfluß von 60 mA/cm2 zwischen dem Substratmaterial und dem Schmelztiegel Current flow of 60 mA / cm 2 between the substrate material and the crucible
(geschalten als Gegenelektrode) über eine Gleichspannung (Spannungsquelle ein Potentiostat Jaissle 1000 TB) generiert. Nach Abschalten des Stroms wird die Probe aus dem Elektrolyten gezogen, mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die Dicke der homogen abgeschiedenen TiB2 Schicht beträgt dabei 28 μπι. (switched as counter-electrode) via a DC voltage (voltage source a potentiostat Jaissle 1000 TB) generated. After switching off the flow, the sample is drawn from the electrolyte, washed with water and dried. The thickness of the homogeneously deposited TiB 2 layer is 28 μπι.
Die Haftung der homogen auf dem Mo-Substrat aufgewachsenen Schicht ist auch bei Prüfung mit steilen Temperaturgradienten (Änderung der Temperatur im Bereich von 400°C/Minute) auf dem Mo-Substrat unverändert hoch, es konnte kein Abplatzen festgestellt werden.  The adhesion of the homogeneous grown on the Mo substrate layer is unchanged even when tested with steep temperature gradients (change in temperature in the range of 400 ° C / minute) on the Mo substrate high, it could be found no chipping.
Dies trifft auch bei Prüfung der Korrosionseigenschaften in flüssigen Metallschmelzen von AI-Legierungen zu. This also applies when testing the corrosion properties in liquid metal melts of Al alloys.
Ausfuhrungsbeispiel 3:  Exemplary embodiment 3
Nach Vorreinigung der Elektrolytbestandteile (Aufschmelzen, Trocknen, Umkristallisieren) werden die Salze NaCl, NaF und KF im eutektischen Verhältnis bei 550°C  After pre-cleaning of the electrolyte components (melting, drying, recrystallization), the salts NaCl, NaF and KF in the eutectic ratio at 550 ° C.
zusammengeschmolzen und die Schmelze bei 580°C für 6 Stunden unter Argon Schutzgas homogenisiert. Die Zugabe von K2TiF6 (Kaliumhexafluorotitanat) und KBF4 fused together and homogenized the melt at 580 ° C for 6 hours under argon inert gas. The addition of K 2 TiF 6 (potassium hexafluorotitanate) and KBF 4
(Kaliumtetrafluoroborat) erfolgt wieder im stoichiometrischen Verhältnis 1 :2, die Menge an Ta beträgt 0.2% und wird als Kaliumheptafluorotantalat zugegeben. Als Substrat wird eine Molybdänplatte von 5 cm2 Fläche eingesetzt. Anschließend wird für 20 Minuten ein pulsierender Stromfluß mit einer Frequenz von 100 Hertz und einer Spitzenstromstärke von 40 mA/cm2 zwischen dem Substratmaterial und dem Schmelztiegel (geschalten als (Potassium tetrafluoroborate) is again in the stoichiometric ratio 1: 2, the amount of Ta is 0.2% and is added as Kaliumheptafluorotantalat. The substrate used is a molybdenum plate of 5 cm 2 area. Then, for 20 minutes, a pulsating current flow with a frequency of 100 hertz and a peak current of 40 mA / cm 2 between the substrate material and the crucible (switched as
Gegenelektrode) über eine pulsierende Gleichspannung (Spannungsquelle ein Potentiostat Jaissle 1000 Tb in Kombination mit einem Funktionsgenerator als Steuereinheit ) generiert. Nach Abschalten des pulsierenden Stroms wird die Mo-Platte aus dem Elektrolyten gezogen, mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die Dicke der homogen abgeschiedenen TiB2 Schicht beträgt dabei 24 μιη. Counter electrode) via a pulsating DC voltage (voltage source a potentiostat Jaissle 1000 Tb in combination with a function generator as a control unit) generated. After switching off the pulsating current, the Mo plate is pulled out of the electrolyte, washed with water and dried. The thickness of the homogeneously deposited TiB 2 layer is 24 μιη.
Die Haftung der homogen auf dem Mo-Substrat aufgewachsenen Schicht ist auch bei Prüfung mit steilen Temperaturgradienten (Änderung der Temperatur im Bereich von 400°C/Minute) auf dem Mo-Substrat ausgezeichnet, es konnte kein Abplatzen festgestellt werden.  The adhesion of the homogeneous grown on the Mo substrate layer is excellent even when tested with steep temperature gradients (change in temperature in the range of 400 ° C / minute) on the Mo substrate, it could be found no chipping.
Dies trifft auch bei Prüfung der Korrosionseigenschaften in flüssigen Metallschmelzen von AI-Legierungen zu. This also applies when testing the corrosion properties in liquid metal melts of Al alloys.
Ausfuhrungsbeispiel 4: Exemplary embodiment 4:
Nach Vorreinigung der Elektrolytbestandteile des FLINAK-Elektrolyten (Aufschmelzen, Trocknen, Umkristallisieren) wird die Salzmischung in elektischer Zusammensetzung  After pre-cleaning the electrolyte components of the FLINAK electrolyte (melting, drying, recrystallization), the salt mixture is in elektischer composition

Claims

hergestellt und nach Zugabe von K2TiF6 (Kaliumhexafluorotitanat) und KBF4 (Kaliumtetrafluoroborat) im Verhältnis 1 : 2 nochmals bei 600°C in einem Schutzgasofen unter Verwendung eines Tiegels aus Glaskohlenstoff aufgeschmolzen und für 12 Stunden unter Argon -Atmosphäre gehalten. Zugabe von 1,5 % Ta als TaCl5 erfolgt anschließend ebenfalls. Als Substratmaterial wird eine Stahlplatte mit einer Fläche von 5 cm2 eingesetzt. Anschließend wird für 20 Minuten ein pulsierender Stromfluß mit einer Frequenz 100 Hertz und einer Spitzenstromstärke von 30 mA/cm2 zwischen dem Substratmaterial und dem Schmelztiegel (geschalten als Gegenelektrode) über eine pulsierende Gleichspannung (Spannungsquelle ein Potentiostat Jaissle 1000 TB in Kombination mit einem and after the addition of K 2 TiF 6 (potassium hexafluorotitanate) and KBF 4 (potassium tetrafluoroborate) in the ratio 1: 2 again at 600 ° C in a protective gas furnace using a crucible of glassy carbon melted and held for 12 hours under argon atmosphere. Addition of 1.5% Ta as TaCl 5 is then also carried out. The substrate material used is a steel plate with an area of 5 cm 2 . Then, for 20 minutes, a pulsating current flow with a frequency of 100 Hertz and a peak current of 30 mA / cm 2 between the substrate material and the crucible (connected as counter electrode) via a pulsating DC voltage (voltage source a potentiostat Jaissle 1000 TB in combination with a
Funktionsgenerator) generiert. Zusätzlich wird nach jedem 10. Strompuls ein anodischer Strompuls in der Höhe von 100 mA/cm2 an das Substratmaterial angelegt. Nach Abschalten des Stroms wird die Probe aus dem Elektrolyten gezogen, mit Wasser gewaschen und getrocknet. Die Dicke der homogen abgeschiedenen TiB2 Schicht beträgt dabei 12 μπι. Die Haftung (getestet über einen Abzugstest) ist auch nach thermischer Wechselbelastung ausgezeichnet, es findet kein Abplatzen der Schicht nach Prüfung mit steilen Function generator). In addition, after every 10th current pulse, an anodic current pulse in the amount of 100 mA / cm 2 is applied to the substrate material. After switching off the flow, the sample is drawn from the electrolyte, washed with water and dried. The thickness of the homogeneously deposited TiB 2 layer is 12 μπι. The adhesion (tested by means of a pull-off test) is also excellent after thermal cycling, there is no chipping of the layer after testing with steep
Temperaturgradienten statt. Temperature gradient instead.
Patentansprüche: claims:
1 Verfahren zur elektrochemischen Herstellung von homogenen und dichten Schichten Titandiborid (TiB2) aus Schmelzelektrolyten unter Zusatz von Ta- Verbindungen im 1 Process for the electrochemical production of homogeneous and dense layers of titanium diboride (TiB 2 ) from molten electrolytes with the addition of Ta compounds in
Temperaturbereich zwischen 500 und 700°C. Temperature range between 500 and 700 ° C.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Elektrolyte eutektische Gemische sind und zumindest aus zwei Salzen wie NaCl, KCl, NaF, KF, LiCl und LiF unter Zusatz von im Elektrolyten löslichen Ta- Verbindungen bestehen. 2. The method of claim 1, wherein the electrolytes are eutectic mixtures and at least two salts such as NaCl, KCl, NaF, KF, LiCl and LiF with the addition of soluble in the electrolyte Ta- compounds.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wonach der Zusatz an Ta- Verbindungen im 3. The method according to claim 2, according to which the addition of Ta compounds in
Konzentrationsbereich zwischen 0.05 und 10 Gew.% liegt. Concentration range between 0.05 and 10 wt.% Is.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wonach eine Stromdichte für die Abscheidung im Bereich zwischen 1 mA/cm2 und 200 mA/cm2 verwendet wird. 4. The method of claim 3, wherein a current density for the deposition in the range between 1 mA / cm 2 and 200 mA / cm 2 is used.
5. Verfahren nach Anspruch 3, wonach ein pulsierender Strom (Frequenzbereich zwischen 1 Hertz und 1000 Hertz) im Bereich zwischen 1 mA/cm2 und 200 mA/cm2 verwendet wird. 5. The method of claim 3, wherein a pulsating current (frequency range between 1 Hertz and 1000 Hertz) in the range between 1 mA / cm 2 and 200 mA / cm 2 is used.
6. Verfahren nach Anspruch 3, wonach zusätzlich zu einem pulsierenden Strom zwischen 1 mA/cm2 und 200 mA/cm2 kurzfristig zwischen dem pulsierendem kathodischen Stromfluß periodisch im Bereich von Millisekunden und Mikrosekunden ein anodischer Strom angelegt wird. 6. The method of claim 3, wherein in addition to a pulsating current between 1 mA / cm 2 and 200 mA / cm 2 short-term between the pulsating cathodic current flow periodically in the range of milliseconds and microseconds, an anodic current is applied.
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