WO2011029785A1 - Procede d' assemblage de pieces en materiaux a base de sic par brasage non-reactif, compositions de brasure, et joint et assemblage obtenus par ce procede - Google Patents

Procede d' assemblage de pieces en materiaux a base de sic par brasage non-reactif, compositions de brasure, et joint et assemblage obtenus par ce procede Download PDF

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WO2011029785A1
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Valérie CHAUMAT
Jean-François Henne
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Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
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    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Definitions

  • the present invention relates to a method of assembling parts made of silicon carbide materials by non-reactive brazing, with a non-reactive solder composition, in particular to produce components entirely based on silicon carbide.
  • the assembly process according to the invention is generally carried out at a temperature not exceeding 1450 ° C., preferably between 1210 ° C. and 1450 ° C.
  • the invention further relates to solder compositions, as well as to the moderately refractory joint and assembly obtained by this method.
  • moderately refractory generally means a maximum use temperature of the assembled component, generally between 1000 ° C. and 1100 ° C.
  • silicon carbide materials, is generally meant a material whose SiC content is greater than or equal to 50% by weight, preferably greater than or equal to 80% by weight, more preferably 100% by weight. in the latter case it can be said that the material is made of or composed of silicon carbide.
  • the silicon carbide may be in the form of silicon carbide fibers or silicon carbide powder sintered or bonded by a ceramic binder.
  • silicon carbide-based materials may be in particular pure silicon carbide such as pure silicon carbide a (SiCOC) or ⁇ ( ⁇ ⁇ ), substrates silicon infiltrated silicon carbide (SiSiC), or materials SiC-based composites such as fiber and / or silicon carbide matrix composite materials.
  • SiCOC pure silicon carbide a
  • ⁇ ⁇ substrates silicon infiltrated silicon carbide
  • SiC-based composites such as fiber and / or silicon carbide matrix composite materials.
  • the technical field of the invention can be defined as being soldering at a processing temperature (temperature equivalent to the temperature of the soldering bearing) not generally exceeding 1450 ° C., preferably at a temperature of 1210 ° C. 1450 ° C.
  • the assemblies concerned by the present invention are therefore generally considered “moderately refractory", that is to say that the maximum temperature of use of these assemblies is generally of the order of 1000 ° C. to 1100 ° C.
  • Such a technique is in particular necessary to manufacture structures of the heat exchanger type, and structural silicon carbide components having a temperature of use for example, up to 1000 ° C or 1100 ° C.
  • the purely mechanical assemblies ensure that partial and random contact between parts. Assemblies thus obtained can not be sealed.
  • the mechanical strength is ensured only by the staples and the screws, which is limited. To ensure good mechanical strength of the seal, it is essential to create a good adhesion between the parts to be assembled, which is not possible with the screws or staples.
  • refractory ceramic assemblies Common techniques for making refractory ceramic assemblies are solid phase diffusion welding, and sintering or co-sintering.
  • Diffusion welding is well adapted to assemblies between two metal alloys and very little to the assembly of materials ceramics because the atoms constituting the ceramic diffuse very little at the joint.
  • the process is unacceptable from a mechanical point of view, because it requires compressing substrates and porous and brittle materials such as substrates based on silicon carbide, which may be strongly damaged during this process. mechanical loading in compression.
  • the assembly-sintering or co-sintering of Sic parts also requires high pressures, but also high temperatures and long bearing times, because this process is based on the principle of 1 inter-diffusion between the SiC elements.
  • the shape of the parts must remain simple if uniaxial pressing is used, or require complex tools and preparation including, for example, the manufacture of an envelope, the vacuum tight seal, the hot isostatic compression, the final machining of the envelope, if using the CIC (Hot Isostatic Compression).
  • Brazing is an inexpensive, easy-to-implement technique that is most commonly used. Parts of complex shapes can be made by brazing, and brazing operations are limited to placing between the parts to be assembled or near the joint between the two parts, a solder alloy, called solder, or an alloy of supply, this alloy being capable of wetting and spreading on the interfaces to be assembled to fill the joint between the parts and to melt this alloy. After cooling, the solder solidifies and ensures the cohesion of the assembly.
  • solder compositions for silicon carbide material parts are not sufficiently refractory. These are generally solder compositions consisting of metal alloys having a lower melting point, or even much lower, at 1000 ° C. Such a melting temperature is clearly insufficient for applications at temperatures in the region of 1000 ° C or 1100 ° C.
  • the least reactive alloys are also the least refractory, for example, the AgCuTi alloy with an Ag-Cu matrix and a low concentration Ti active element.
  • the applications more particularly targeted by the invention which are those of a moderately refractory assembly with a use temperature of the assemblies generally ranging up to 1000 ° C., or even 1100 ° C.
  • all the reactive brazing compositions constituted mainly silver or silver-copper, copper, nickel, iron or cobalt, platinum, palladium or gold are therefore excluded because of their high reactivity with silicon carbide.
  • solder alloy formulations solder compositions, more refractory and silicon-rich are presented in documents [1, 2, 3]. These solder compositions exhibit a very little reactive or non-reactive behavior with SiC, which prevents the formation of fragile compounds. This criterion of non-reactivity or very low reactivity is however not a sufficient condition to guarantee good mechanical strength of the brazed joints. Indeed, in the literature, the values of the breaking stresses are very variable as a function of the second element involved in the silicon-based solder composition.
  • Brazing temperatures of the solder compositions of documents [1, 2] and [3] are generally greater than 1300 ° C. These brazing temperatures are, for example, 1355 ° C. for the Ti-Si composition (22-78% by weight), 1355 ° C. for the Cr-Si composition (25-75% by weight), and 1400 ° C. for 1450 ° C for the composition Co-Si, and 1750 ° C for the composition RU 2 S1 3 .
  • the efficiency of this assembly process requires brazing temperatures greater than 1300 ° C to thermodynamically destabilize the layers of passivating silicon oxides that appear spontaneously on the surfaces of silicon carbide, because these oxide layers of silicon interfere with wetting by the solder composition, even if the brazing is carried out under vacuum.
  • the aforementioned brazing alloys rich in silicon and used at a temperature above 1300 ° C are not suitable for brazing substrates made of silicon carbide material whose properties degrade after exposure to 1300 ° C. C, and a fortiori at 1250 ° C and even at 1210 ° C or above. This is particularly the case for some SiC / SiC composites which are degraded beyond 1300 ° C or even 1250 ° C.
  • the document [3] certainly has a Ge-Si solder composition (90% -10%) whose brazing can be implemented at only 1220 ° C.
  • the document [4] presents brazing alloys with an Si content of less than 50% by weight, preferably 10 to 45% by weight, and with addition of at least 2 elements selected from the following group: Li , Be, B, Na, Mg, P, Se, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Ga, Ge, As, Rb, Y, Sb, Te, Cs, Pr, Nd, Ta, W and Tl.
  • Si-Cr-Co ternary solder compositions (11 - 38.5 - 50.5% by weight); Si-Cr-Co (40 - 26 - 34% by weight); Si-Fe-Cr (17.2 - 17.5 - 65.3% by weight); and Si-Fe-Co (20 - 20-60% by weight); and soldering them to respective temperatures of 1230 ° C, 1235 ° C, 1460 ° C and 1500 ° C.
  • solder compositions having soldering temperatures below 1300 ° C. it is simply mentioned that a "strong" bond is obtained and no mechanical test proves that a good mechanical strength of the joints is effectively obtained. . Similarly, the low SiC reactivity / solder is neither mentioned nor mentioned.
  • brazing process which makes it possible to obtain moderately refractory brazed joints (with use up to about 1000 ° C. or even 1100 ° C.) by using brazing cycles that do not generally exceed defined limit temperature between 1210 ° C and 1450 ° C depending on the SiC-based material to be assembled.
  • soldering method for the associated solder composition, for brazing at a temperature below 1450 ° C., preferably between 1210 ° C. and 1450 ° C., silicon carbide of large sizes and / or complex geometries, especially having large brazing surfaces.
  • the brazing composition must make it possible to make a strong connection between the two parts made of silicon carbide material, which implies a non-reactive brazing composition, that is to say chemically compatible with the carbide of silicon, and that does not form brittle compounds with it.
  • a non-reactive brazing composition that is to say chemically compatible with the carbide of silicon, and that does not form brittle compounds with it.
  • non-responsiveness does not guarantee the creation of a strong link as this remains unpredictable.
  • Non-responsiveness is a necessary condition for having a strong but not sufficient connection.
  • the Fe-Si system cited in the literature [3] is non-reactive but its mechanical strength is very low.
  • solder composition must wet the silicon carbide well and adhere to it.
  • solder composition must be compatible with all heating devices, including fast and / or localized heaters.
  • solder composition must allow the formation of joints with good mechanical strength.
  • solder composition must consist of a limited number of elements, in order to facilitate its preparation and its implementation.
  • the solder composition must not contain expensive elements, such as precious metals.
  • the object of the invention is therefore to provide a method of assembly by soldering of parts or components made of silicon carbide materials which, among other things, meets the needs mentioned above, which satisfies, inter alia, the set of requirements and criteria mentioned above, which eliminates the disadvantages, defects, limitations encountered with the processes of the prior art, and which solves the problems of the processes of the prior art.
  • the object of the invention is in particular to provide a method of assembly by brazing of parts or components made of silicon carbide materials which makes it possible to obtain a satisfactory mechanical strength of the assembly above 500 ° C. and up to 1000 ° C, or even 1100 ° C, which uses brazing temperatures of 1450 ° C or less, preferably between 1210 ° C and 1450 ° C, and more preferably below 1300 ° C, and which possibly allows to obtain joints with excellent sealing.
  • a method of assembling at least two pieces of silicon carbide materials by non-reactive brazing in which the parts are brought into contact with each other. with a nonreactive solder composition, the assembly formed by the parts and solder composition is heated to a soldering temperature sufficient to melt the solder composition, and the parts and braze composition are cooled to form after solidification thereof a moderately refractory joint; wherein the nonreactive brazing composition is a binary alloy consisting of percentages by weight, from 46% to 99% of silicon and from 54% to 1% of neodymium.
  • brazing is carried out at a brazing temperature of 1450 ° C or less, preferably 1210 ° C to 1450 ° C.
  • moderately refractory joint is meant that this seal is generally capable of withstanding operating temperatures up to 1000 ° C or 1100 ° C, and generally close to 1000 ° C or 1100 ° C.
  • the process according to the invention which is a brazing process at a temperature generally less than or equal to 1450 ° C, preferably from 1210 ° C to 1450 ° C, more preferably less than or equal to 1300 ° C, implementing a specific solder composition has never been described in the prior art.
  • the specific solder composition used according to the invention which, surprisingly, allows brazing at a temperature generally lower than or equal to 1450 ° C., preferably from 1210 ° C. to 1450 ° C., more preferably lower. or equal to 1300 ° C, parts made of silicon carbide materials is in no way mentioned in the documents of the prior art mentioned above.
  • neodymium in a list of 27 elements, of which at least two must be chosen to form a solder composition with silicon, the latter always being present at less than 50% by weight.
  • Fe, Cr, Co, V, Zn, Ti and Y are preferred.
  • Neodymium is therefore not mentioned among the preferred elements.
  • brazing alloys of this document which are alloys of silicon, chromium and cobalt, alloys of silicon, chromium and iron, and silicon alloys of iron and cobalt, and none of the compositions of solders exemplified in this document contain rare earths, and a fortiori neodymium.
  • the alloys described in this document are much more complex than the binary Si-Nd alloy implemented according to the invention.
  • the brazing alloys of this document are at least ternary polyconstituted alloys whose development and control properties are much more delicate than those of binary alloys.
  • the brazing compositions of the examples provided in document [4] are limited to the SiFeCo, SiFeCr, SiCrCo ternary systems with an Si content of less than 40% by mass. These compositions do not contain rare earths and globally a very small number of elements compared to the list of 27 possible add-on elements. It is proposed in particular a 40% Si-26% Cr-34% Co alloy (% by weight) for implementation around 1200 ° C but no mechanical test is presented that could demonstrate a good mechanical strength of the joints. It should also be added that the solder compositions according to the invention have silicon concentrations greater than 45% by weight. mass, that is to say a concentration of Si greater than those indicated in document [4].
  • the document [4] does not contain any indication that could lead to the preparation of a binary brazing alloy, since it concerns alloys containing at least three elements.
  • the document [4] then contains no indication that may lead to choosing the neodymium, and a fortiori a specific content thereof to prepare a binary alloy alloy compatible with Sic, and ensuring soldering at a temperature generally less than or equal to at 1450 ° C, preferably between 1210 ° C and 1450 ° C, more preferably at 1300 ° C or less than 1300 ° C, parts based Sic, and an effective assembly of these parts.
  • the method according to the invention meets the needs, meets all the requirements and criteria mentioned above, and does not have the disadvantages of the processes of the prior art.
  • the process according to the invention makes it possible for the first time to prepare medium-refractory assemblies, that is to say with a working temperature of up to 1000 ° C. or even 1100 ° C. silicon carbide materials regardless of their geometry, even very complex and / or size.
  • the method according to the invention ensures in all cases, in particular, a good filling of the joint by the solder, an excellent mechanical strength of the assembly at ambient temperature and at high temperature, in particular above 500 ° C. and up to 500 ° C. at 1000 ° C 1100 ° C, and possibly a good seal of the anointed.
  • the method according to the invention is further simple, reliable, easy to implement and inexpensive total.
  • soldering temperatures are possible between 1210 ° C and 1450 ° C and can thus meet different specifications.
  • the assembly obtained according to the invention makes it possible to guarantee a very good mechanical bonding between the silicon carbide-based substrates even for maximum operating temperatures of greater than 500 ° C. and which can be, for example, up to 1000 ° C. or 1100 ° C.
  • the breaks take place in "cohesive" mode, that is to say that the cracks occur in substrates based on silicon carbide and not on the brazed joint.
  • the brazing temperature may be less than or equal to 1300 ° C. and it is therefore possible with the method according to the invention to assemble silicon carbide-based parts, substrates which can not withstand temperatures above 1300 ° C. or even 1250 ° C and even 1210 ° C, as parts, ceramic matrix composite substrates and ceramic fibers with self-healing matrix or SiC infiltrated silicon SiSiC.
  • the process according to the invention makes it possible to braze SiC-based materials which degrade at 1250 ° C. or even 1210 ° C.
  • the process according to the invention is of course applicable to pure SiC, for example sintered SiC, for which brazing temperatures above 1300 ° C. can be used, but also to less stable materials by using solder compositions. adapted to these less thermally stable materials.
  • the brazing carried out by the process according to the invention is reversible. It is thus possible to separate, separate, parts, substrates assembled, for example for repair, melting the brazing alloy in a furnace during a second melting operation of this brazing alloy, without altering the parts, substrates. Parts, substrates can also be separated by chemical attack.
  • the method according to the invention allows the repair of assembled parts made of silicon carbide material. This means that these parts can undergo a second soldering cycle if necessary for repair without degradation of the properties of the joints. This repair capability is possible due to the lack of reactivity or the very low reactivity of brazing alloys implemented according to the invention with silicon carbide.
  • Another remarkable property obtained by the process according to the invention is the homogeneity of the joint obtained after soldering and the very good mechanical behavior of the joints formed.
  • solder compositions according to the invention do not contain any precious chemical element, in particular platinum-family metals, which limits their cost and the cost of the process using them, compared with many compositions of the prior art .
  • the brazed joints obtained by the process according to the invention are generally tight.
  • the method according to the invention is therefore suitable for sealing operations to withstand maximum temperatures between 850 ° C and 1100 ° C depending on the composition of the solder alloy.
  • solder compositions consisting of a Si-Y binary alloy (the concentration of Si being 56 to 70% by weight) and not Si-Nd do not have all the advantageous properties of the compositions. braze according to the invention and had many disadvantages compared to solder compositions implemented according to the invention.
  • the wetting kinetics of SiC by the Si-Y alloy is significantly slower than that of the Si-Nd alloy according to the present invention and the stationary contact angle is greater. Indeed, after 10 minutes at 1255 ° C, the angle is 70 °; the stationary angle is reached in 30 minutes and has a value of 50 °. The same results are obtained at 1270 ° C. To reduce the spreading kinetics of Si-Y alloy, it is necessary to observe a 90 minute plateau at 1135 ° C before brazing at 1255 ° C to 1270 ° C. Thus, from 10 minutes, the contact angle reaches 50 °. After 30 minutes, it is then slightly less than 50 °. A carbon deposit on the Sic still makes it possible to obtain a stationary angle slightly less than 40 ° in 15 minutes.
  • Example No. 1 shows that, surprisingly, the wetting kinetics with the solder composition according to the invention is extremely fast even for a low brazing temperature. Indeed, the stationary contact angle is obtained in less than one minute at 1240 ° C, and this stationary angle obtained is of the order of 20 °.
  • Comparative compression / shear tests were also performed at room temperature with the same protocol for another silicon-based binary system and with another rare earth element Ce (see Comparative Example 12).
  • the breaking stresses obtained with the Si-Nd alloy are surprisingly superior to those obtained with Si-Ce. Indeed, for Si-Ce, the rupture stress values are of the order of 20 MPa whereas they are significantly higher for Si-Nd with an average value of the order of 76 MPa (see Examples 5, 7). , 8, 9 and comparison with Example 11).
  • the Si-Nd alloy of the present invention thus provides many unexpected advantages over the Si-Ce alloy.
  • solder composition according to the invention is further defined by a specific silicon content in the range of 46 to 99% by weight. Surprisingly, it has been found that the advantageous properties of the solder compositions according to the invention are obtained only in this specific range and not outside thereof.
  • the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, from 48% to 51% of silicon and from 52% to 49% of neodymium, for brazing at a temperature of between 1210 ° C. and 1250 ° C. .
  • the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, from 51% to 58% of silicon and from 49% to 42% of neodymium, for brazing at a temperature of between 1250 ° C. and 1300 ° C. according to the composition.
  • the solder composition according to the invention can be advantageously constituted in percentages by weight, from 58% to 65% silicon and from 42% to 35% by weight. neodymium, for brazing at a temperature between 1300 ° C and 1350 ° C depending on the composition.
  • the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, from 65% to 80% of silicon and from 35% to 20% of neodymium, for brazing at a temperature of between 1350 ° C. and 1400 ° C. according to the composition.
  • the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, from 80% to 95% of silicon and from 20% to 5% of neodymium, for brazing at a temperature of between 1400 ° C. and 1430 ° C. according to the composition.
  • the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, from 95% to 99% of silicon and from 5% to 1% of neodymium, for brazing at a temperature of between 1430 ° C. and 1450 ° C. according to the composition.
  • the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, 48.7% of silicon and 51.3% of neodymium for brazing at 1240 ° C .; or the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, 60% silicon and 40% neodymium for brazing at 1315 ° C; or the solder composition according to the invention may advantageously be in percentages by weight, 80% of silicon and 20% of neodymium for brazing at 1395 ° C .; or else the solder composition according to the invention may advantageously be constituted in percentages by weight, of 95% silicon and 5% neodymium for brazing at 1420 ° C.
  • This reinforcement may be made of a material chosen from ceramics such as SiC and C.
  • This reinforcement may be in the form of particles, for example a powder; fiber; a nonwoven fiber; or a fiber fabric.
  • the addition of the reinforcement can be carried out in an amount of 5 to 49% by weight relative to the mass of the composition of the solder.
  • solder composition powder it is possible to form a solder composition powder, to suspend this powder in an organic binder so as to obtain a suspension or paste and to coat at least one surface of the parts to be assembled with the suspension or paste obtained.
  • a surface to be assembled with at least one of the parts to be assembled with the suspension or paste it is possible to coat a surface to be assembled with at least one of the parts to be assembled with the suspension or paste, and then to bring the surfaces to be joined together so that the suspension or paste is interposed therebetween. or the parts to be assembled can be brought into contact by observing an offset between them so as to create a surface capable of receiving the suspension or paste near the joint formed by the surfaces to assemble parts to be assembled, then the suspension or paste can be deposited on this surface.
  • a carbon deposit on at least one of the parts to be joined is not useful.
  • brazing can be performed at a brazing temperature of at least 15 ° C, preferably at least 30 ° C, above the melting temperature of the solder composition.
  • the brazing can be carried out by carrying out a brazing stage at a brazing temperature of 1210 ° C. to 1450 ° C., maintained for a period of 15 to 90 minutes, preferably of 20 to 90 minutes, more preferably of 20 to 90 minutes. at 60 minutes, better 20 to 30 minutes.
  • the brazing stage can be carried out at a soldering temperature of 1250 ° C maintained for a period of 30 minutes for Sic-based substrates not supporting temperatures above 1300 ° C at which substrate degradation occurs. to braze.
  • a first step can be observed at a temperature generally of from 1080 ° C. to 1150 ° C., preferably from 1100 ° C to 1150 ° C, maintained for a period of 30 to 120 minutes, preferably 60 to 120 minutes, more preferably 90 to 120 minutes.
  • the silicon carbide-based materials may be chosen from pure silicon carbides such as pure silicon carbide a (SiCOC) or ⁇ ( ⁇ ⁇ ) and composite materials based on SiC such as fiber composites. and / or silicon carbide matrix.
  • pure silicon carbides such as pure silicon carbide a (SiCOC) or ⁇ ( ⁇ ⁇ ) and composite materials based on SiC such as fiber composites. and / or silicon carbide matrix.
  • the silicon carbide materials may be selected from the non-pressure sintered silicon carbide ("PLS-SiC”); silicon carbide infiltrated Si (“SiSiC” or “RBSC”); porous recrystallized silicon carbide (“RSiC”); silicon graphite (“C-SiC”) made of graphite and covered with a Sic layer; SiC / SiC composites, for example, fiber or "whisker”; SiC / SiC composites with self healing ⁇ matrix; C / SiC composites, for example, carbon fiber or "whisker” and SiC matrix; Sic monocrystals; the composites of SiC with another ceramic, for example SiC / Si 3 N 4 and SiC / TiN composites.
  • said silicon carbide-based materials have a silicon carbide content of at least 50% by weight, preferably at least 80% by weight, and more preferably equal to 100% by weight.
  • the invention also relates to a method of brazing assembly of at least three materials based on silicon carbide in which the following successive steps are carried out: a) at least two pieces of silicon carbide-based materials are assembled by brazing at a brazing temperature Tl, using a composition solder formed by a binary silicon alloy and an element X, said alloy being more refractory than the binary alloy consisting, in percentages by weight, of 46% to 99% of silicon and 54% to 1% of neodymium preferably, the binary alloy consists, in percentages by weight, of 46% to 65% of silicon and 54% to 35% of neodymium; more preferably than the binary alloy consisting in percentages by weight, from 46% to 60% of silicon and from 54% to 40% of neodymium, whereby a first assembly of at least two parts is obtained;
  • soldering at a soldering temperature T2 with the assembly process of at least two pieces of Sic-based materials described above (using a non-reactive solder composition which is a binary alloy); consisting in percentages by mass of 46% to 99% of silicon and 54% to 1% of neodymium) at least one other piece made of silicon carbide material with the assembly of at least two parts obtained in the step a).
  • T1 is greater than T2 by at least 40 ° C.
  • X is chosen from Ti, Zr,
  • the binary silicon and element X alloy has a melting temperature greater than 1350 ° C., and the temperature T1 is 1400 to 1450 ° C.
  • the invention also relates to solder compositions which have been described above in the context of the description of the process according to the invention.
  • the invention also relates to a composition for non-reactively refractory brazing of silicon carbide material parts comprising a non-reactive solder composition as defined above, and furthermore, an addition of a reinforcement as defined above.
  • the invention further relates to a paste, suspension, solder for the non-reactively refractory brazing of silicon carbide material parts comprising a powder of a solder composition according to the invention as defined more top, and a binder, liquid organic cement.
  • the invention further relates to the medium refractory joint, and the assembly comprising at least two pieces of Sic-based materials, obtained by the method according to the invention, described above.
  • Figure 1 is a schematic view showing the arrangement of Sic material boards and the solder composition paste for soldering in a capillary configuration.
  • Figure 2 is a schematic view of the test specimens used for mechanical testing, including compression / shear joints and assemblies prepared in the examples.
  • Fig. 3 is a schematic view showing the arrangement of Sic material boards and solder composition paste for soldering in sandwich configuration.
  • FIG. 4 is a graph which represents the brazing thermal cycle used in example 5.
  • the abscissa is the duration in minutes since the beginning of the heat treatment, and the ordinate is the temperature T in ° C.
  • FIG. 5 is a graph which represents the brazing thermal cycle used in example 7.
  • the abscissa is the duration in minutes since the beginning of the heat treatment, and the ordinate is the temperature T in ° C.
  • FIG. 6 is a graph which represents the brazing thermal cycle used in example 8.
  • the abscissa is the duration in minutes since the beginning of the heat treatment, and the ordinate is the temperature T in ° C.
  • Figure 7 is a schematic view showing the arrangement of the first and second plates of Sic-based material and the solder composition paste SiZr for capillary brazing of the first and second plates in Examples 7 and 8.
  • Fig. 8 is a schematic view showing the disposition of the first and second slab of Sic material brazed with a SiZr solder composition, and of the solder composition SiNd solder paste in the capillary configuration of first and second brazed plates with a third plate in Examples 7 and 8.
  • the first step of the process according to the invention consists, firstly, generally, in preparing, developing a solder composition, in other words a brazing alloy containing silicon, and neodymium.
  • the brazing alloy according to the invention is a neodymium (Nd) -Silicon (Si) binary alloy.
  • the melting temperature of the brazing alloy according to the invention is generally from 1195 ° C. to 1420 ° C., and preferably is less than or equal to 1300 ° C.
  • the most important element of the alloy is silicon.
  • the mass proportions for the Si-Nd binary alloy are 46% to 99% silicon and 54% to 1% neodymium.
  • the solder composition is generally a powdery composition which can be prepared, for example, by first synthesizing from the pure elements an inter-metal compound containing silicon and neodymium.
  • Such an inter ⁇ metallic compound is, for example, by introducing the silicon-for example, in the form of pieces-neodymium-for example, in the form of pieces or other- in the proportions desired for the braze composition, in a refractory crucible made of alumina, for example.
  • the crucible, silicon and neodymium assembly is disposed in a heating apparatus, such as an oven, and is heated to a temperature of generally 1330 ° C to 1450 ° C, preferably under argon, to melting the various constituents of the solder composition and, after cooling, obtaining the desired final inter-metal compound, homogeneous in the form of an ingot.
  • the heating temperature is preferably 1330 ° C for the compositions comprising from 46% to 52% by weight silicon, and is preferably 1450 ° C for the higher silicon compositions.
  • the inter-metallic compound obtained is then milled in any suitable apparatus, for example, in a mortar to obtain a powder of adequate particle size, that is to say, whose grains have, for example, a diameter of 1 to 300 ym and which constitutes the solder composition.
  • the binary solder composition according to the invention can be prepared for example by weighing pure silicon powder, and the powder of the inter-metallic compound NdSi 2 in the proportions selected for the solder composition according to the invention. and then mixing these powders in a "Turbula" for at least 30 minutes.
  • the powder composed of the mixture of inter-metal compound powders and Si constitutes, in this case, the solder composition.
  • Said inter-metal compound can be synthesized, or it is a commercial compound in the form of a powder of inter ⁇ metallic compound of known particle size and purity.
  • these commercially available powders mention may be made, for example, of the powder of the Neyco ® brand dSi 2 compound, with a purity of 99.9% and with a particle size of 50 to 100 ⁇ .
  • the pure silicon powder may be prepared from pieces of pure silicon ground in any suitable apparatus, for example, in a mortar, to obtain a powder of suitable particle size whose grains have, for example, a diameter of 1 to 250 ⁇ m .
  • said pure silicon powder may also be a commercial powder of known particle size and purity.
  • these commercially available powders mention may be made of, for example: pure Si powder, CERAC brand, with a purity of 99.5% or 99.99% and a particle size of about 50 ⁇ m.
  • This reinforcement may be a reinforcement of C or a ceramic such as SiC.
  • This reinforcement may be in the form of particles, for example a powder such as an SiC powder; fibers for example SiC fibers or ceramics; a nonwoven in which fibers are isolated; or a fiber fabric.
  • the added reinforcement such as SiC powder is generally 5 to 49% by weight of the solder composition.
  • the SiC powder may be, for example, a commercial powder, such as the STARCK brand powder, of 98.5% purity and with a particle size of less than 10 ⁇ m.
  • the binder, cement, gel generally decomposes for example between 100 and 300 ° C. without leaving traces. It may be for example a NICROBRAZ ® type cement or a gel (Vitta ® gel).
  • the second step of the process according to the invention generally consists in producing the assembly by brazing itself.
  • the two (or more) surfaces of the pieces of SiC-based materials to be assembled are generally degreased, cleaned, in an organic solvent for example of the ketone, ester, ether or alcohol type, or a mixture of those here, etc.
  • a preferred solvent is acetone or an acetone-ethyl alcohol-ether mixture, for example in the proportions 1/3, 1/3, 1/3; it is also possible to clean the parts successively with several different solvents, for example with acetone and then with ethanol. The pieces are then dried.
  • the pieces of SiC-based materials to be assembled are generally two in number, but it is also possible to assemble simultaneously a larger number of pieces up to 100.
  • piece of SiC-based material is generally meant any element, or entity of any shape and size entering for example, after assembly with one or more other parts, in structures of larger size.
  • material based on silicon carbide is generally meant here all materials comprising at least 50% by weight of carbide silicon, preferably at least 80% by weight of silicon carbide, more preferably 100% by weight of silicon carbide, in the latter case the material consists of only silicon carbide.
  • the silicon carbide-based materials may be chosen from pure silicon carbides such as pure silicon carbide (SiCOC) or ⁇ ( ⁇ ⁇ ) and composite materials based on SiC such as fiber composites and / or with silicon carbide matrix.
  • pure silicon carbides such as pure silicon carbide (SiCOC) or ⁇ ( ⁇ ⁇ )
  • composite materials based on SiC such as fiber composites and / or with silicon carbide matrix.
  • SiC based materials include pure dense silicon carbide or sintered silicon carbide without pressure ("PLS-SiC", ie "PressureLess Sintered Sic”); silicon carbide infiltrated Si (called SiSiC or RBSC containing 5 to 20% Si); porous recrystallized silicon carbide (called RSiC); silicon graphite (C-SiC) made of graphite and covered with a SiC layer for example 0.1 to 1 mm thick; as well as SiC / SiC composites, for example, fiber or "Whiskers”; SiC / SiC composites with self-healing matrix; C / SiC composites, for example carbon fiber or "Whisker” carbon and SiC matrix; and again SiC single crystals; and composites of SiC with another ceramic, for example, composite SiC / Si 3 4 and SiC / TiN.
  • PLS-SiC silicon carbide infiltrated Si
  • RSiC porous recrystallized silicon carbide
  • the process of the invention allows brazing composites with excellent results.
  • the two or more pieces to be assembled may be in the same material, based on silicon carbide, for example in PLS ("Pressureless Sintered") -Sic, or in SiC-SiC composite, or each of the pieces may be of a different material.
  • the suspension, paste of the solder composition described above is spread out, coated, applied homogeneously, uniformly, for example with a brush, a spatula, a brush, or with the aid of a syringe possibly attached to a system. robotized, or using any other means for depositing a layer of solder paste uniformly on the surface of at least one of silicon carbide material parts to be assembled.
  • the coated surface (s) of the dough are then brought into contact with the two parts (31, 32) to be assembled.
  • This brazing configuration illustrated in FIG. 3, is called a "sandwich configuration" because the paste of the solder composition (33) is placed directly between the surfaces (34, 35) of the parts to be assembled.
  • the quantity of paste, suspension of solder composition to be used in this configuration is generally from 10 mg / cm 2 to 30 mg / cm 2 , for example 20 mg / cm 2 .
  • the "sandwich” configuration is applicable for "thin” joints, that is to say with a thickness of less than 200 micrometers, as well as for thick joints, that is to say of a thickness greater than or equal to 200 micrometers.
  • the parts to be assembled for example under the form of plates (1, 2), are brought into contact, without having put a solder composition between them by observing a gap, offset (3) between them, generally a few mm, for example 1 mm, 2 mm to 10 mm so as to create a surface (4) capable of receiving the suspension or paste near the joint (5) formed by the surfaces to be assembled parts to be assembled, then the suspension or paste of solder composition is deposited by example in the form of a solder bead (6) on this surface near the seal, in the vicinity of the seal, at the edge of the joint. During the brazing heat cycle, the solder composition infiltrates the seal.
  • This soldering configuration is called "capillary configuration".
  • capillary configuration With the solder compositions according to the invention, it is possible to perform such a capillary brazing, with an infiltration of the liquid solder into the solder joint during the brazing cycle, without directly disposing the solder composition between the parts to be assembled. as in the case of the "sandwich configuration".
  • the quantity of paste, suspension of solder composition to be used in this capillary configuration is generally from 10 mg / cm 2 to 30 mg / cm 2 , for example 20 mg / cm 2 .
  • Capillary brazing is possible for "thin" joints with a thickness of less than 200 micrometers in the absence of reinforcements previously placed in the joint.
  • Capillary brazing can also be possible for much higher joint thicknesses, for example, up to a few millimeters, for joints in which a "wetting reinforcement" (that is to say that the solder wets well the surface of the reinforcement, this is the case with reinforcements based Sic for example) by the solder composition was disposed between the faces to be soldered.
  • This reinforcement may consist for example of ceramic particles such as SiC, ceramic fibers such as Sic, C particles, SiC fibers.
  • the solder, placed at the edge of the joint goes into the liquid state during the brazing cycle and infiltrates into the joint and wets the reinforcements. Reinforcements thus allow infiltration in thick joints.
  • the seal generally consists of at least 50% by volume of the Si-Nd alloy, the latter having a composition of between 46% and 99% by weight for silicon and 54% and 1% by mass for neodymium. and in general not more than 50% by volume of reinforcements.
  • Parts ready to be brazed are then placed in a heating device such as a furnace or subjected to heating by any other suitable means.
  • the oven is generally under vacuum or under a neutral gas atmosphere.
  • the vacuum is a secondary vacuum, that is to say that the pressure is 10 -3 to 10 ⁇ 5 Pa, for example, 10 ⁇ 4 Pa.
  • the neutral gas is N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethyl-N-(2-aminoethyl)-2-aminoethylene
  • the parts to be assembled are subjected for example in the oven to a thermal cycle.
  • the assembly formed by the parts and solder composition can be brought to the brazing temperature by observing a temperature rise preferably "slow", with one or more temperature ramps from the ambient temperature.
  • This rise in temperature can be done for example with a temperature ramp at a rate of 1 ° C to 5 ° C / minute.
  • the brazing stage is generally carried out at a temperature, which is the brazing temperature, preferably greater than at least 15 ° C., and more preferably at least 30 ° C., at the melting temperature or liquidus temperature.
  • brazing temperature is generally from 1210 ° C. to 1450 ° C., depending on the solder composition and the relative proportions of Nd and Si in this composition.
  • the temperature of the liquidus generally varies from 1195 ° C. to 1420 ° C. and the soldering temperature will therefore vary, for example, as specified above, from 1210 ° C. to 1450 ° C.
  • the highest brazing temperature can be 1435 ° C.
  • Such a melting temperature of the compositions allows, according to another advantage of the process of the invention, a use of the assembly, up to 1000 ° C and even up to 1100 ° C.
  • the recommended composition is between 46% by weight and 52% by weight of Si (ie between 54% and 48% by weight of Nd).
  • the brazing temperatures are higher, typically of the order of 1300 ° C. between 53% and 58% by mass in Si and of the order of 1350 ° C. between 59% and 65% by mass. If, finally, between 1350 ° C and 1450 ° C between 66% and 99% by weight in Si (see examples).
  • soldering temperature is less than 1300 ° C for solder compositions ranging between 46% by weight of Si and 52% by weight (ie between 54% by weight of Nd and 48%), excellent adhesion and a good wetting of the silicon carbide are obtained with a very fast kinetics as shown by the tests of put drop made with these solder compositions, so it is possible (see Example 1) to obtain a stationary contact angle of the order of 20 ° in less than a minute.
  • the joints prepared with solder compositions according to the invention also have excellent mechanical properties.
  • the brazing temperature defined above is maintained for a period of 15 to 90 minutes, preferably 20 to 60 minutes, for example 30 minutes, this is called the soldering bearing.
  • the duration of the brazing stage depends on the size of the parts to be assembled. It can indeed go up to 60 minutes for very large parts with large solder surfaces, typically at least 50x50mm 2 .
  • a brazing stage of the process according to the invention may for example be carried out at a brazing temperature of 1210 ° C. to 1450 ° C. for 30 minutes.
  • the specific temperature of the soldering bearing chosen is a function of the composition of the solder alloy.
  • a homogenization bearing for example at 1100 ° C., is recommended and even essential for large pieces (typically from 50 ⁇ 50 mm 2 ) in order to guarantee thermal homogeneity at the level of the parts to be assembled.
  • This bearing can be replaced by a slow rise in temperature, for example around 1100 ° C.
  • the duration of the first stage depends on the size of the furnace, the dimensions of the parts to be soldered and the tools for holding the parts to be brazed.
  • This first stage which is therefore a homogenization stage is generally observed at a temperature of 1080 ° C. to 1150 ° C., for example 1100 ° C. with a minimum recommended duration of one hour, for example a duration of 60 to 120 ° C. minutes before carrying out the soldering bearing itself under the conditions already mentioned above.
  • Such a first bearing is not essential for small parts.
  • Such a first level is generally recommended and even essential in these two configurations for large parts, ie generally those parts which have soldering surfaces greater than 50x50 mm 2 , in order to guarantee the thermal homogeneity of the parts to be assembled.
  • the duration of these bearings can be increased and for example be fixed at 120 minutes for the first bearing and 90 minutes for the second bearing for parts of very large dimensions, for example with 0.5 m 2 of solder surface or more.
  • a thermal homogenization can also be obtained by eliminating this first step and by making a slow rise in temperature (for example for example of 0.5 ° C./minutes between generally 1080 ° C. and 1150 ° C., preferably between 1100 ° C. ° C and 1150 ° C, so that the exposure time of the assembly in this temperature range is for example of the order of 60 to 90 minutes.
  • a slow rise in temperature for example for example of 0.5 ° C./minutes between generally 1080 ° C. and 1150 ° C., preferably between 1100 ° C. ° C and 1150 ° C, so that the exposure time of the assembly in this temperature range is for example of the order of 60 to 90 minutes.
  • the assembly is cooled to room temperature, for example at 5 ° C. or 6 ° C. per minute.
  • this mechanical strength can be further improved by adding reinforcements in the solder composition.
  • the invention also makes it possible to produce complex objects using, on the one hand, a binary Si-Nd alloy of the compositional range of between 46% and 99% by weight for silicon and 54% and 1% by mass for silicon. neodymium and on the other hand an alloy of another Si-X system more refractory than Si-Nd.
  • the principle is to braze in a first step a first set of elements, pieces (this set includes m elements, where m is an integer from 2 to 10) of Sic-based material, with the most refractory alloy Si -X at a brazing temperature T1. Then, in a second step, this first assembly is completed by brazing other elements, parts made of silicon carbide materials (n number, n being an integer of 1 to 10 ), on the first set, by the method according to the invention, using a second solder alloy Si-Nd at a soldering temperature T2 such that T2 is less than T1.
  • the difference between T1 and T2 be at least 40 ° C so that the joints formed at the first set do not do not melt during the second soldering cycle.
  • the composition of the Si-Nd alloy must be chosen so as to respect the temperature difference of at least 40 ° C between the first brazing with Si-X and the second brazing with Si-Nd.
  • Si-X alloys for the first brazing mention may be made of the Ti-Si, Zr-Si, V-Si, Ru-Si, Re-Si, Hf-Si, Cr-Si and Rh-Si systems.
  • the composition range between 46% and 65% by weight for silicon and 54% and 35% by weight for neodymium is well suited to be associated with Si-X systems having alloys melting above 1350. ° C and allowing brazing between 1400 and 1450 ° C.
  • Two brazing examples with two Si-Nd solder compositions have been made and are detailed in the present invention (Examples 13 and 14).
  • Assemblies of silicon carbide parts comprising seals prepared by the process according to the invention make it possible to produce structures, apparatus and components of complex shapes having high use temperatures of up to 1000 ° C. or even 1100 ° C. with great precision.
  • SiC has a very good chemical resistance to various acids, including hydrofluoric acid and very good resistance to oxidation in air at high temperatures up to 1300 ° C.
  • the method according to the invention can especially be applied to the manufacture of any device, apparatus, structure, component requiring a moderately refractory assembly between at least two substrates, silicon carbide-based parts guaranteeing both good mechanical strength and a satisfactory seal at one assembly.
  • This type of device, device, structure, component can meet needs in different areas:
  • silicon carbide is resistant to many corrosive chemicals such as bases and strong acids.
  • the solder composition of 48.7% by weight of Si and 51.3% by weight of Nd was prepared from pieces of Si and pieces of pure Nd.
  • solder paste thus prepared is used to form a small mass of solder with a mass of the order of 50 mg. This mass of solder is deposited on a previously cleaned SiC plate.
  • solder cluster and plate is placed in a brazing furnace and subjected to a secondary vacuum brazing heat cycle with a single bearing, which is the soldering bearing, at 1240 ° C.
  • the solder mass melts during this heat treatment and forms a drop that is called "drop posed".
  • the wetting angle, contact of the drop is measured in situ for different durations of the soldering bearing.
  • the SiC and its solidified solder drop were cut, coated and polished and were observed by scanning electron microscopy.
  • the SiC / braze interface does not show any reactivity at scanning electron microscopy scale, ie there is no formation of new compound. In particular, there has been no formation of brittle compounds at the interface.
  • the solder composition of 60% by weight of Si and 40% by weight of Nd was prepared from pieces of Si and pieces of pure Nd.
  • the entire solder cluster and plate is placed in a brazing furnace and subjected to a secondary vacuum brazing heat cycle with a single bearing, which is the soldering bearing, at 1315 ° C.
  • the solder mass melts during this heat treatment and forms a drop that is called "drop posed".
  • the wetting angle, contact of the drop is measured in situ for different durations of the soldering bearing.
  • the contact angle is very low and reaches about 15 ° from 3 minutes at 1315 ° C, which corresponds to the stationary angle.
  • the SiC and its solidified solder drop were cut, coated and polished and were observed by scanning electron microscopy.
  • the SiC / braze interface does not show any reactivity at scanning electron microscopy scale, ie there is no formation of new compound. In particular, there has been no formation of brittle compounds at the interface.
  • the braze composition of 80% by weight of Si and 20% by weight of Nd was prepared from pieces of Si and pure Nd pieces.
  • solder paste thus prepared is used to form a small mass of solder with a mass of the order of 50 mg. This mass of solder is deposited on a previously cleaned SiC plate.
  • solder cluster and plate is placed in a brazing furnace and subjected to a secondary vacuum brazing heat cycle with a single bearing, which is the soldering bearing, at 1395 ° C.
  • the solder mass melts during this heat treatment and forms a drop that is called "drop posed".
  • the wetting angle, contact, of the drop is measured in situ for different durations of the soldering bearing.
  • the SiC and its solidified solder drop were cut, coated and polished and were observed by scanning electron microscopy.
  • the SiC / braze interface does not show any reactivity at scanning electron microscopy scale, ie there is no formation of new compound. In particular, there has been no formation of brittle compounds at the interface.
  • the composition of the solder 95% by weight of Si and 5% by weight of Nd was prepared from pieces of Si and pieces of pure Nd. These pieces were weighed respecting the proportions of the solder composition and placed in an alumina crucible. The assembly was placed in an oven and subjected to a thermal cycle with a plateau at 1440 ° C under argon for one hour. Thus, after cooling, an ingot. This ingot is crushed to obtain a powder.
  • solder paste thus prepared is used to form a small mass of solder with a mass of the order of 50 mg. This mass of solder is deposited on a previously cleaned SiC plate.
  • soldering bearing at 1420 ° C.
  • the solder mass melts during this heat treatment and forms a drop that is called "drop posed".
  • the wetting angle, contact of the drop is measured in situ for different durations of the soldering bearing.
  • the SiC / braze interface does not show any reactivity at scanning electron microscopy scale, ie there is no formation of new compound. In particular, there has been no formation of brittle compounds at the interface.
  • This example describes the preparation of bonds, assemblies between two pure sintered silicon carbide silicon parts, by implementing the soldering method according to the invention, the brazing being carried out in a capillary configuration by using a solder composition according to the invention. invention consisting of 48.7% by weight of Si and 51.3% by weight of Nd.
  • the braze of the intended composition namely 48.7% by weight of Si and 51.3% by weight of Nd was prepared as described in Example 1.
  • An organic binder (NICROBRAZ cement) was added to the resulting powder mixture to form a viscous solder paste.
  • Sintered Sic parts to be assembled are plates of dimensions 20x10 mm 2 and thickness 1, 5 mm.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • the substrates, parts are brought into contact leaving a small offset of 1 to 2 mm, so as to leave a space to deposit the solder paste near the seal (this configuration is called capillary configuration).
  • the paste is deposited with a spatula on the available surface at the edge of the joint, in the form of a bead of solder (see Figure 1).
  • the quantity of paste deposited is between 40 and 60 mg for this assembly.
  • the contacted and braze ready parts are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected to a vacuum brazing thermal cycle which includes a single 20 minute dwell at 1250 ° C, which is the soldering bearing.
  • the thermal cycle is represented on the
  • the specimens are shown schematically in Figure 2. They are fixed in a mounting and stressed in shear during a compression test / shear (23) at room temperature.
  • the breaking stresses determined for each of the 3 test pieces are 63 MPa; 61 MPa; and 62 MPa; an average of 62 MPa.
  • This example describes the preparation of bonds, assemblies between two pieces of pure sintered silicon carbide SiC, by implementing the brazing process according to the invention, the brazing being carried out in a "sandwich" configuration by using a solder composition according to the invention consists of 48.7% by weight of Si and 51.3% by weight of Nd. a) Preparation of solder composition, solder paste, and parts to be assembled
  • the braze of the intended composition namely 48.7% by weight of Si and 51.3% by weight of Nd was prepared as described in Example 1.
  • NICROBRAZ ® cement An organic binder (NICROBRAZ ® cement) was added to the resulting powder mixture to form a viscous solder paste.
  • Sintered SiC parts to be assembled are 15x15 mm 2 and 1 mm thick plates.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • solder paste is spread with a brush on the surfaces of substrates, SiC parts to be assembled. Then, the surfaces coated with the paste are brought into contact ( Figure 3). The quantity of paste deposited is between 40 and 60 mg for this assembly.
  • the contacted and braze ready parts are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected, as in Example 5, to a vacuum brazing heat cycle which includes a single 20 minute dwell at 1250 ° C. , which is the soldering bearing.
  • the seal After cooling, the assembly is well assembled.
  • the seal has been characterized by scanning electron microscopy. Reactivity is not demonstrated at the scanning electron microscopy observation scale.
  • the seal is 90% filled and some small gaps are observed.
  • This example describes the preparation of bonds, assemblies between two pure sintered silicon carbide silicon parts, by implementing the soldering method according to the invention, the brazing being carried out in a capillary configuration by using a solder composition according to the invention. invention consisting of 60% by weight of Si and 40% by weight of Nd. This example further describes tests, mechanical tests performed on these assemblies. a) Preparation of solder composition, solder paste, and parts to be assembled
  • the braze of the intended composition namely 60% by weight of Si and 40% by weight of Nd was prepared as described in Example 2.
  • NICROBRAZ ® cement An organic binder (NICROBRAZ ® cement) was added to the resulting powder mixture to form a viscous solder paste.
  • Sintered Sic parts to be assembled are plates of dimensions 20x10 mm 2 and thickness 1.5 mm.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • the substrates, parts are brought into contact leaving a small offset of 1 to 2 mm, so as to leave a space to deposit the solder paste near the seal (this configuration is called capillary configuration).
  • the paste is deposited with a spatula on the available surface at the edge of the joint, in the form of a bead of solder (see Figure 1), as in Example 5.
  • the amount of paste deposited is between 40 and 60 mg for this assembly.
  • Parts brought into contact and ready to be brazed are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected to a thermal cycle of Vacuum brazing which includes a single 20 minute stage at 1330 ° C, which is the soldering bearing.
  • the thermal cycle is represented on the
  • Test pieces (3 test pieces) of mechanical tests were prepared by brazing 2 pieces of dimensions 20x10x1.5 mm J (21, 22) with the solder paste prepared in a) above and under the soldering conditions described in b ) above. Indeed, the mechanics of ceramics being statistical, is prepared for testing more than one specimen but with the same manufacturing process.
  • the specimens are shown diagrammatically in FIG. 2. They are fixed in a mounting and stressed in shear during a compression / shear test (23) at ambient temperature (preferential biasing mode: shearing but this test does not make it possible to obtain pure shear).
  • the test pieces have dimensions identical to those of Example 5 and are tested in the same way. ⁇ Mechanical test results:
  • This example describes the preparation of bonds, assemblies between two pure sintered silicon carbide silicon parts, by implementing the soldering method according to the invention, the brazing being carried out in a capillary configuration by using a solder composition according to the invention.
  • invention consisting of 80% by weight of Si and 20% by weight of Nd.
  • the braze of the intended composition namely 80% by weight of Si and 20% by weight of Nd was prepared as described in Example 3.
  • Sintered Sic parts to be assembled are plates of dimensions 20x10 mm 2 and thickness 1, 5 mm.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • the substrates, parts are brought into contact leaving a small offset of 1 to 2 mm, so as to leave a space to deposit the solder paste near the seal (this configuration is called capillary configuration).
  • the paste is deposited with a spatula on the available surface at the edge of the joint, in the form of a bead of solder (see Figure 1), as in Example 5.
  • the amount of paste deposited is between 40 and 60 mg for this assembly.
  • the contacted and braze-ready parts are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected to a vacuum brazing heat cycle which includes a single 20 minute stage at 1440 ° C, which is the soldering bearing.
  • the thermal cycle is represented on the
  • Test pieces (3 test pieces) of mechanical tests were prepared by brazing 2 pieces of dimensions 20x10x1.5 mm J (21, 22) with the solder paste prepared in a) above and under the soldering conditions described in b ) above. Indeed, the mechanics of ceramics being statistical, is prepared for testing more than one specimen but with the same manufacturing process.
  • the specimens are shown diagrammatically in FIG. 2. They are fixed in a mounting and stressed in shear during a compression / shear test (23) at ambient temperature (preferential biasing mode: shearing but this test does not make it possible to obtain pure shear).
  • test pieces have dimensions identical to those of Example 5 and are tested in the same way.
  • the breaking stresses determined for each of the 3 test pieces are 62 MPa; 129 MPa; and 68 MPa; an average of 86 MPa.
  • This example describes the preparation of bonds, assemblies between two pieces of pure sintered silicon carbide SiC, by implementing the soldering method according to the invention, the brazing being performed in capillary configuration using a solder composition according to the invention consisting of 95% by weight of Si and 5% by weight of Nd.
  • NICROBRAZ ® cement An organic binder (NICROBRAZ ® cement) was added to the resulting powder mixture to form a viscous solder paste.
  • the pieces of SiC sintered assembled are sized plates 20x10 mm 'and a thickness of 1, 5 mm.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • the substrates, parts are brought into contact leaving a small offset of 1 to 2 mm, so as to leave a space to deposit the solder paste near the seal (this configuration is called capillary configuration).
  • the paste is deposited with a spatula on the available surface at the edge of the joint, in the form of a bead of solder (see Figure 1), as in Example 5.
  • the amount of paste deposited is between 40 and 60 mg for this assembly.
  • the contacted and braze-ready parts are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected to a vacuum brazing heat cycle which includes a single 20 minute stage at 1440 ° C, which is the soldering bearing.
  • Test pieces (3 test pieces) of mechanical tests were prepared by brazing 2 pieces of dimensions 20x10x1.5 mm 3 (21, 22) with the solder paste prepared in a) above and under the soldering conditions described in b ) above. Indeed, the mechanics of ceramics being statistical, is prepared for testing more than one specimen but with the same manufacturing process.
  • test pieces are shown diagrammatically in FIG. 2. They are fixed in a mounting and stressed in shear during a test of compression / shear (23) at room temperature (preferential mode of stressing: shear but this test does not allow to obtain pure shear).
  • test pieces have dimensions identical to those of Example 5 and are tested in the same way.
  • the breaking stresses determined for each of the 3 test pieces are 72 MPa; 68 MPa; and 53 MPa; an average of 64 MPa.
  • This example is a comparative example which describes the preparation of bonds, assemblies between two pieces of pure sintered silicon carbide SiC, by a brazing process performed in capillary configuration using a comparative solder composition, not in accordance with the invention constituted 42% by weight of Si and 58% by weight of Nd.
  • the braze of the intended composition namely 42% by weight of Si and 58% by weight of Nd was prepared as described in Example 2, of course modifying the concentrations of Si and Nd.
  • An organic binder (NICROBRAZ cement) was added to the resulting powder mixture to form a viscous solder paste.
  • Sintered Sic parts to be assembled are plates of dimensions 20x10 mm 2 and thickness 1, 5 mm.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • the substrates, parts are brought into contact leaving a small offset of 1 to 2 mm, so as to leave a space to deposit the solder paste near the seal (this configuration is called capillary configuration).
  • the paste is deposited with a spatula on the available surface at the edge of the joint, in the form of a bead of solder (see Figure 1), as in Example 5.
  • the amount of solder paste deposited is between 40 and 60 mg for this assembly.
  • the contacted and braze ready parts are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected to a vacuum brazing heat cycle which includes a single 20 minute stage at 1460 ° C, which is the soldering bearing. c) Observation of the joint
  • Test pieces (3 test pieces) of mechanical tests were prepared by brazing 2 pieces of dimensions 20x10x1.5 mirf (21, 22) with the solder paste prepared in a) above and under the brazing conditions described in b) above. Indeed, the mechanics of ceramics being statistical, is prepared for testing more than one specimen but with the same manufacturing process.
  • the specimens are shown diagrammatically in FIG. 2. They are fixed in a mounting and stressed in shear during a compression / shear test (23) at ambient temperature (preferential biasing mode: shearing but this test does not make it possible to obtain pure shear).
  • test pieces have dimensions identical to those of Example 5 and are tested in the same way.
  • One of the determined breaking stresses is 30 MPa, which is clearly below the average of the breaking stresses obtained in the examples according to the invention made with solder compositions according to the invention which is 76 MPa. and which is also well below the lowest value of the breaking stresses obtained in the examples according to the invention, made with solder compositions according to the invention, which is 53 MPa.
  • Example 11
  • This example describes the preparation of bonds, assemblies between two pieces of pure sintered silicon carbide SiC, by a brazing process carried out in capillary configuration using a comparative brazing composition, not according to the invention, consisting of 59% by weight. Si mass and 41% by mass of Y.
  • the target composition solder namely 59% by weight of Si and 41% by weight of Y was prepared from Si powder and YSi 2 powder.
  • Sintered Sic parts to be assembled are plates of dimensions 20x20 mm 2 and thickness 1 mm.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • the substrates and parts are brought into contact leaving an offset of 1 to 2 mm, so as to leave a space for depositing the solder paste near the seal (this configuration is called the capillary configuration) as in Example 5.
  • the paste is deposited with a spatula on the available surface at the edge of the joint, in the form of a bead of solder (see Figure 1).
  • the quantity deposited is between 50 and 100 mg for this assembly.
  • Parts contacted and ready to be brazed are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected to a secondary vacuum brazing heat cycle.
  • the thermal cycle comprises two levels:
  • Test pieces (4 test pieces) of mechanical tests were prepared by brazing 2 pieces of dimensions 20x10x1 mm 3 (21, 22) with the solder paste prepared in a) above and under the brazing conditions described in b) ci -above. Indeed, the mechanics of ceramics being statistical, is prepared for testing more than one specimen but with the same manufacturing process.
  • test pieces are shown diagrammatically in FIG. 2. They are fixed in a mounting and stressed in compression / shear shear (23) as in Examples 5, 7, 8, 9 and 10 at ambient temperature. ⁇ Mechanical test results:
  • the values of the breaking stresses determined for each of the 4 specimens are 27 MPa; 21 MPa; 21 MPa; 34 MPa; an average of 25 MPa.
  • This example describes the preparation of connections, assemblies between two pieces of carbide silicon Si this pure sintered, by a brazing process performed in capillary configuration using a comparative solder composition, not according to the invention of the Si-Ce system, consisting of 57% by weight of Si and 43% by weight of This.
  • the braze of the intended composition namely 57% by weight of Si and 43% by weight of Ce was prepared from Si powder and CeSi 2 powder.
  • Sintered Sic parts to be assembled are plates of dimensions 20x20 mm 2 and thickness 1 mm.
  • the parts are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • the substrates, parts are brought into contact leaving a shift of 1 to 2 mm, so as to leave a space to deposit the solder paste near the seal (this configuration is called configuration capillary) as in Example 5.
  • the paste is deposited with a spatula on the available surface at the edge of the joint, in the form of a bead of solder (see Figure 1).
  • the quantity deposited is between 50 and 100 mg for this assembly.
  • Parts contacted and ready to be brazed are placed in a secondary vacuum brazing furnace and subjected to a secondary vacuum brazing heat cycle.
  • the thermal cycle includes a single bearing at 1280 ° C for 20 minutes, which is the soldering bearing. c) Observation of the joint.
  • Test pieces (2 test pieces) of mechanical tests were prepared by brazing 2 pieces of dimensions 20x10x1.5 mirf (21, 22) with the solder paste prepared in a) above and under the brazing conditions described in b) above. Indeed, the mechanics of ceramics being statistical, we prepare for testing more than one specimen but with the same manufacturing process.
  • test pieces are shown diagrammatically in FIG. 2. They are fixed in a mounting and stressed in compression shear shear (23) at room temperature according to the same protocol as in Examples 5, 7, 8, 9, 10, and 11. ⁇ Mechanical test results:
  • the values of the breaking stresses determined for each of the two specimens are 10 MPa and 29 MPa; an average of 20 MPa.
  • the assembly of 3 pure sintered Sic plates is carried out by means of two successive solderings at two different soldering temperatures with, respectively, an Si-Nd solder composition and an Si-Zr solder composition.
  • the Si-Zr solder was prepared from a mixture of two powders Si and ZrSi 2 in proportions chosen so as to respect the composition 11.5% mass Zr-88.5% Si mass target. This mixture was then homogenized with "Turbula" for at least 30 minutes. An organic binder (Nicrobraz ® cement or Vitta ® gel) was added to this mixture of powders to form the solder paste. Three SiC plates (2 plates of dimensions 40x40x1 mm 3 and 1 plate of dimensions 50x50x1 wall) are cleaned with acetone then with ethanol and finally dried.
  • a plate of dimensions 50x50x1 mm J (71) is covered with a plate of dimensions 40x40x1 mm 3 (72).
  • a gap (73) is available at the edge of the top plate (72) for depositing the solder paste (74) near the seal (75).
  • the paste is deposited with a spatula on the surface available at the edge of the joint, in the form of a bead of solder
  • the assembly is placed in an oven and subjected to a secondary vacuum brazing heat cycle with a soldering bearing of 20 minutes at 1420 ° C. After cooling, the whole is well brazed.
  • Nd 51.3% Nd (% by weight) was prepared from the pure elements Si and Nd as indicated in Example 1.
  • the solder paste (77) is deposited at the edge of the second seal (78) (FIG. 8), the amount of solder deposited being 420 mg.
  • the assembly is placed in an oven and subjected to a secondary vacuum brazing heat cycle with a homogenization bearing of 2 hours at 1100 ° C followed by a soldering step at 1250 ° C for 30 minutes. After this thermal cycle, the three plates are well brazed.
  • the solder ZrSi has not melted at the time of the second soldering cycle since this solder begins to melt from 1370 ° C, ie 120 ° C above the temperature of the second soldering bearing.
  • the joints thus formed have been characterized by metallography and are well filled by the solders.
  • the assembly of 3 pure sintered Sic plates is carried out by means of two successive solderings at two different soldering temperatures with respectively a Si-Nd solder and a Si-Zr solder, the Si-Nd solder having a composition different from that of Example 13.
  • a first set of two plates is brazed with the Si-Zr solder of composition 11.5% by mass Zr-88.5% Si mass, as detailed in Example 13 with a soldering bearing of 20 minutes at 1420 ° C. plates of the same dimensions as in Example 13) ( Figure 7).
  • This assembly is then brought into contact with the third sintered pure sintered plate of dimensions 40 ⁇ 40 ⁇ 1 mm 3 .
  • the ZrSi solder did not fade at the time of the second soldering cycle since this solder begins to melt from 1370 ° C, ie 40 ° C above the temperature of the second soldering bearing.
  • the joints thus formed have been characterized by metallography and are well filled by the solders.

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Abstract

L'invention concerne un procédé d'assemblage d'au moins deux pièces (1, 2) en matériaux à base de carbure de silicium par brasage non-réactif, dans lequel on met en contact les pièces (1, 2) avec une composition (4) de brasure non-réactive, on chauffe l'ensemble (1, 2, 4) formé par les pièces (1, 2) et la composition (4) de brasure à une température de brasage suffisante pour faire fondre la composition (4) de brasure, et on refroidit les pièces (1, 2) et la composition (4) de brasure afin de former après solidification de celle-ci un joint moyennement réfractaire; dans lequel la composition de brasure (4) non-réactive est un alliage binaire constitué, en pourcentages en masse, de 46% à 99% de silicium et de 54% à 1% de néodyme. L'invention concerne, en outre, ladite composition de brasure.

Description

PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE PIECES EN MATERIAUX A BASE DE SiC PAR BRASAGE NON-RÉACTIF, COMPOSITIONS DE BRASURE, ET JOINT ET ASSEMBLAGE OBTENUS PAR CE PROCÉDÉ .
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention est relative à un procédé d'assemblage de pièces en matériaux à base de carbure de silicium par brasage non-réactif, avec une composition de brasure non-réactive, afin notamment de réaliser des composants entièrement à base de carbure de silicium.
Le procédé d'assemblage selon l'invention est généralement mis en œuvre à une température ne dépassant pas 1450°C, de préférence entre 1210°C et 1450°C.
L'invention a trait, en outre, à des compositions de brasure, ainsi qu'au joint et à l'assemblage moyennement réfractaire obtenus par ce procédé .
On entend généralement par « moyennement réfractaire », une température maximale d'usage du composant assemblé généralement entre 1000°C et 1100°C.
Par matériaux "à base de carbure de silicium", on entend généralement un matériau dont la teneur en Sic est supérieure ou égale à 50% en masse, de préférence supérieure ou égale à 80% en masse, de préférence encore de 100% en masse, dans ce dernier cas on peut dire que le matériau est constitué ou composé de carbure de silicium. Le carbure de silicium peut se présenter sous la forme de fibres de carbure de silicium ou de poudre de carbure de silicium frittée ou liée par un liant en céramique.
Ces matériaux à base de carbure de silicium peuvent être notamment du carbure de silicium pur tel que du carbure de silicium pur a (SiCOC) ou β ( Ξ ίθβ ) , des substrats en carbure de silicium infiltré de silicium (SiSiC) , ou des matériaux composites à base de SiC tels que des matériaux composites à fibres et/ou à matrice de carbure de silicium.
Le domaine technique de 1 ' invention peut être défini comme étant le brasage à une température de mise en œuvre (température équivalente à la température du palier de brasage) ne dépassant pas généralement 1450°C, de préférence à une température de 1210°C à 1450°C.
Les assemblages concernés par la présente invention sont donc généralement considérés comme « moyennement réfractaires » c'est-à-dire que la température maximale d'utilisation de ces assemblages est généralement de l'ordre de 1000°C à 1100°C.
Ces assemblages peuvent rentrer dans la fabrication de composants de formes complexes nécessitant une très bonne tenue mécanique entre les substrats à base de carbure de silicium et éventuellement une étanchéité satisfaisante de part et d'autre du joint. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE
On sait qu' il est difficile de fabriquer des pièces de grandes dimensions en céramique, en particulier, en SiC. En effet, les tolérances après frittage des composants primaires en carbure de silicium de grandes dimensions sont mal maîtrisées et l'usinage de ces composants est inacceptable pour des raisons de coût.
Par ailleurs, et pour les mêmes raisons, il est généralement difficile de fabriquer des pièces de forme complexe avec des composés à base de silicium tels que le carbure de silicium.
Il est donc souvent préférable de fabriquer les pièces ou structures de grande dimension et/ou de forme complexe à partir d'éléments en céramiques de forme simple et/ou de petite taille, puis d'assembler ces éléments pour réaliser la structure finale.
Une telle technique est notamment nécessaire pour fabriquer des structures du type échangeur de chaleur, et des composants de structure en carbure de silicium ayant une température d'utilisation par exemple, jusqu'à 1000°C voire 1100°C.
Du fait des températures élevées, voisines par exemple de 1000°C, mises en œuvre dans les applications des céramiques telles que le carbure de silicium, l'assemblage de ces céramiques par collage avec des adhésifs organiques est exclus, car les températures d'usage de ce type d'assemblage ne peuvent dépasser au maximum 200°C.
Les assemblages purement mécaniques, par exemple par agrafage ou par vissage n'assurent qu'un contact partiel et aléatoire entre les pièces. Les assemblages ainsi obtenus ne peuvent pas être étanches. La tenue mécanique n'est assurée que par les agrafes et les vis, ce qui est limité. Pour assurer une bonne tenue mécanique du joint, il est indispensable de créer une bonne adhérence entre les pièces à assembler, ce qui n'est pas possible avec les vis ou agrafes.
D'autre part, les techniques classiques d'assemblage par soudage faisant intervenir un faisceau d'énergie avec ou sans métal d'apport (soudage TIG, électron ou laser) et impliquant une fusion partielle des parties à assembler sont inutilisables pour l'assemblage de céramiques du fait qu'on ne peut pas faire fondre un substrat ou une pièce en céramique, et que, en particulier, le carbure de silicium se décompose avant fusion.
Des techniques courantes pour réaliser des assemblages réfractaires de céramiques sont le soudage par diffusion en phase solide, et l'assemblage frittage ou cofrittage.
Dans l'assemblage par soudage diffusion, on applique à haute température une pression au niveau des interfaces pour permettre une inter-diffusion atomique entre les deux substrats. La température doit rester toujours inférieure à la température de fusion du matériau le moins réfractaire et il n'y a donc aucune phase liquide dans le système. Ce type d'assemblage est réalisé soit sous presse dans une seule direction, soit dans une enceinte isostatique. Le soudage diffusion est bien adapté aux assemblages entre deux alliages métalliques et très peu à l'assemblage de matériaux céramiques car les atomes constituant la céramique diffusent très peu au niveau du joint. En outre, le procédé est rédhibitoire d'un point de vue mécanique, car il nécessite de mettre en compression les substrats et les matériaux poreux et fragiles comme des substrats à base de carbure de silicium, qui risquent d'être fortement endommagés lors de ce chargement mécanique en compression .
L' assemblage-frittage ou cofrittage de pièces en Sic, nécessite également de hautes pressions mais aussi de hautes températures et durées de palier importantes, car ce procédé est basé sur le principe de 1 ' inter-diffusion entre les éléments en SiC.
En d'autres termes, le soudage par diffusion en phase solide ainsi que l'assemblage frittage présentent le désavantage d'être contraignants du point de vue de leur mise en œuvre car :
pour le soudage diffusion en phase solide, la forme des pièces doit rester simple si l'on utilise un pressage uniaxial, ou bien nécessiter un outillage et une préparation complexes comprenant par exemple la fabrication d'une enveloppe, la fermeture étanche sous vide, la compression isostatique à chaud, l'usinage final de l'enveloppe, si l'on utilise la CIC (Compression Isostatique à Chaud) .
dans le cas du cofrittage ou assemblage frittage, les mêmes problèmes demeurent (forme des pièces, complexité de mise en œuvre) avec en plus la nécessité de contrôler le frittage d'une poudre d'apport à intercaler entre les deux matériaux à assembler . ces deux techniques nécessitent en outre l'utilisation de paliers de longue durée (une à plusieurs heures) à haute température puisque les processus mis en jeu font intervenir la diffusion à l'état solide.
Il ressort de ce qui précède, et en résumé, qu'afin de garantir notamment une bonne tenue mécanique et éventuellement une étanchéité satisfaisante au niveau de l'assemblage, seuls des procédés utilisant une phase liquide, comme le brasage, peuvent être envisagés .
Le brasage est une technique peu coûteuse, facile de mise en œuvre, qui est la plus couramment utilisée. Des pièces de formes complexes peuvent être réalisées en faisant du brasage, et les opérations de brasage se limitent à placer entre les pièces à assembler ou à proximité du joint entre les deux pièces, un alliage de brasage, appelé brasure, ou un alliage d'apport, cet alliage étant capable de mouiller et de s'étaler sur les interfaces à assembler pour remplir le joint entre les pièces et à faire fondre cet alliage. Après refroidissement, la brasure se solidifie et assure la cohésion de l'assemblage.
La plupart des compositions de brasure pour les pièces en matériaux à base de carbure de silicium ne sont pas suffisamment réfractaires . Il s'agit généralement de compositions de brasure constituées par des alliages métalliques ayant un point de fusion inférieur, voire très inférieur, à 1000°C. Une telle température de fusion est nettement insuffisante pour les applications à des températures voisines de 1000°C ou 1100°C.
Par ailleurs, la plupart des éléments chimiques qui font partie de ces compositions de brasure métalliques sont fortement réactifs avec le carbure de silicium dès 500°C et créent des composés fragiles .
Par conséquent, dans le cas d'un brasage à plus haute température et mis en œuvre généralement au-dessus de 1000°C, de telles compositions de brasure ou alliages de brasage attaqueraient chimiquement les matériaux à base de carbure de silicium non seulement pendant l'opération de brasage mais également en fonctionnement par diffusion à l'état solide.
Soulignons en outre que les alliages les moins réactifs sont aussi les moins réfractaires , comme par exemple, l'alliage AgCuTi avec une matrice en Ag-Cu et un élément actif Ti à faible concentration. Pour les applications plus particulièrement visées par l'invention, qui sont celles d'un assemblage moyennement réfractaire avec une température d'utilisation des assemblages pouvant aller généralement jusqu'à 1000°C, voire 1100°C, toutes les compositions de brasure réactives constituées principalement d'argent ou d'argent-cuivre, de cuivre, de nickel, de fer ou de cobalt, de platine, de palladium ou d'or sont donc à exclure du fait de leur forte réactivité avec le carbure de silicium.
Des formulations d'alliages de brasage, compositions de brasure, plus réfractaires et riches en silicium sont présentées dans les documents [1, 2, 3] . Ces compositions de brasure présentent un comportement très peu réactif, voire non-réactif, avec le Sic, ce qui évite la formation des composés fragiles. Ce critère de non-réactivité ou très faible réactivité n'est toutefois pas une condition suffisante pour garantir une bonne tenue mécanique des joints brasés. En effet, dans la littérature, les valeurs des contraintes à rupture sont très variables en fonction du second élément intervenant dans la composition de brasure à base de silicium. Par exemple, pour le système non-réactif Fe—Si (45 % Fe—55 % Si en masse) , le document [3] mentionne une contrainte à rupture en traction extrêmement faible de l'ordre de 2 MPa tandis que pour le système Cr—Si (25% Cr—75% Si en masse) , ce même document donne une valeur plus élevée, de l'ordre de 12 MPa.
Les propriétés notamment mécaniques d'une composition de brasure à base de silicium sont totalement imprévisibles et ne peuvent absolument pas se déduire des propriétés mécaniques de compositions de brasure à base de Si, même très voisines, déjà connues.
En d'autres termes, lorsque l'on cherche à préparer une composition de brasure à base de silicium, notamment pour braser des pièces à base de Sic, il n'est absolument pas possible de se baser sur les propriétés mécaniques éventuellement acceptables présentées par d'autres compositions de brasure connues à base de Si, car toute modification même très faible d'une composition de brasure à base de Si, aussi bien en ce qui concerne la nature du ou des métaux brasés avec le silicium, que leurs proportions, peut conduire à des changements imprévisibles, inattendus, très importants des propriétés de la composition, et en particulier de ses propriétés mécaniques.
En conclusion, il n'existe pas de possibilité de prédire la mécanique d'un système Si-X donné où X est un métal et encore moins la mécanique d'un système en fonction des proportions de X.
Les températures de brasage des compositions de brasure des documents [1, 2] et [3] sont en général supérieures à 1300°C. Ces températures de brasage sont par exemple de 1355°C pour la composition Ti-Si (22 - 78 % en masse), de 1355°C pour la composition Cr-Si (25 - 75 % en masse), de 1400°C à 1450°C pour la composition Co-Si, et de 1750°C pour la composition RU2S13.
En effet, l'efficacité de ce procédé d'assemblage nécessite des températures de brasage supérieures à 1300°C pour déstabiliser thermodynamiquement les couches d'oxydes de silicium passivantes qui apparaissent spontanément sur les surfaces de carbure de silicium, car ces couches d'oxyde de silicium nuisent au mouillage par la composition de brasure, même si le brasage est réalisé sous vide.
Par conséquent, les alliages de brasage susmentionnés, riches en silicium et mis en œuvre à une température supérieure à 1300 °C ne sont pas adaptés au brasage de substrats en matériau à base de carbure de silicium dont les propriétés se dégradent après exposition à 1300°C, et a fortiori à 1250°C et même à 1210°C ou au-delà. C'est notamment le cas de certains composites SiC/SiC qui sont dégradés au-delà de 1300°C voire 1250°C.
Le document [3] présente certes une composition de brasure Ge-Si (90% - 10%) dont le brasage peut être mis en œuvre à seulement 1220°C.
Mais, la tenue mécanique de ce joint (contrainte à rupture en traction entre environ 300 et 400 p.s.i. soit entre 2 et 2, 75 MPa) est très faible et insuffisante pour de nombreuses applications et notamment les applications principalement visées dans la présente, ceci malgré la faible réactivité de cette brasure avec le Sic.
Le document [2] propose (Exemple 3) un alliage Pt—Si dont le brasage est mis en œuvre à 1200°C. La teneur en Pt de cette composition de brasure est très élevée (77% en poids de Pt) ce qui conduit à un procédé très onéreux. Cet inconvénient est rédhibitoire pour la réalisation de grandes pièces brasées .
Enfin, le document [4] présente des alliages de brasage avec une teneur en Si inférieure à 50% en masse, de préférence de 10 à 45% en masse, et avec addition d'au moins 2 éléments choisis dans le groupe suivant : Li, Be, B, Na, Mg, P, Se, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Ga, Ge, As, Rb, Y, Sb, Te, Cs, Pr, Nd, Ta, W et Tl.
Les exemples du document [4] décrivent des compositions de brasure ternaires Si-Cr-Co (11 - 38,5 - 50,5% en masse) ; Si-Cr-Co (40 - 26 - 34 % en masse) ; Si-Fe-Cr (17,2 - 17,5 - 65,3% en masse) ; et Si-Fe-Co (20 - 20 -60% en masse) ; et leur brasage à des températures respectives de 1230°C, 1235°C, 1460°C et 1500°C.
En ce qui concerne les compositions de brasure ayant des températures de brasage inférieures à 1300°C, il est simplement mentionné qu'une liaison « forte » est obtenue et aucun test mécanique ne vient prouver qu'une bonne tenue mécanique des joints est effectivement obtenue. De même, la faible réactivité SiC/brasure n'est ni mentionnée, ni évoquée.
II existe donc, au vu de ce qui précède, un besoin non encore satisfait pour un procédé permettant de réaliser l'assemblage par brasage de pièces en matériaux à base de carbure de silicium, qui assure une tenue mécanique satisfaisante de l'assemblage entre 20°C et 1000°C voire 1100°C, en particulier au-dessus de 500°C et jusqu'à 1000°C voire 1100°C, et éventuellement une étanchéité du joint. Ce procédé doit permettre d'utiliser en particulier des températures de brasage inférieures à 1300°C qui est une température qu'il est absolument indispensable de ne pas dépasser pour certains substrats, pièces à assembler, à base de SiC.
En effet, il est essentiel que les pièces, substrats conservent toute leur intégrité et leurs performances initiales à l'issue de l'opération d'assemblage par brasage. Il existe donc un besoin pour un procédé de brasage utilisant des compositions de brasure qui permettent d' atteindre les températures d'usage souhaitées, à savoir jusqu'à 1000°C voire 1100°C, tout en évitant de soumettre les pièces, substrats en matériaux à base de carbure de silicium à des domaines de température qui pourraient altérer ces matériaux .
En d'autres termes, il existe un besoin pour un procédé de brasage qui permette d'obtenir des joints brasés moyennement réfractaires (avec une utilisation jusque vers 1000°C voire 1100°C) en utilisant des cycles de brasage ne dépassant pas généralement une température limite définie se situant entre 1210°C et 1450°C selon le matériau à base de SiC à assembler.
En effet, de nombreux matériaux à base de carbure de silicium, notamment les composites, sont altérés de manière irréversible au-delà de 1250°C : c'est notamment le cas de composites SiC/SiC à matrice auto-cicatrisante, dans lesquels des verres protègent les fibres de SiC en fonctionnement sous air vers 800°C par exemple. Des pièces en carbure de silicium avec du silicium infiltré sont détruites dès 1410°C qui est la température de fusion du silicium. En revanche le carbure de silicium pur supporte un brasage à 1450°C. Autrement dit, il existe un besoin pour un procédé et une composition de brasure, alliage de brasage, permettant d'une part d'utiliser tout le potentiel réfractaire des substrats à base de carbure de silicium, avec des températures d'usage jusqu'à environ 1000°C voire 1100°C, et permettant d'autre part de braser à une température de brasage inférieure à la température d'altération des substrats, avec une température de brasage inférieure ou égale à 1450 °C, de préférence comprise dans la plage entre 1210°C et 1450°C, de préférence encore inférieure à 1300°C voire mieux inférieure à 1250°C.
Il existe aussi un besoin pour un procédé permettant de réaliser par brasage à une température inférieure ou égale à 1450°C, de préférence entre 1210°C et 1450°C, un assemblage moyennement réfractaire (usage généralement entre 1000°C et 1100°C), de pièces en matériaux à base de carbure de silicium quelles que soient leur forme et/ou leur taille.
II existe en particulier un besoin pour un procédé de brasage, et pour la composition de brasure associée, permettant de réaliser le brasage à une température inférieure à 1450°C, de préférence entre 1210°C et 1450°C, de pièces à base de carbure de silicium de grandes tailles et/ou de géométries complexes, présentant notamment des surfaces à braser importantes .
En outre, aucun des procédés et des compositions de l'art antérieur ne remplit simultanément les critères suivants, mis en évidence par les inventeurs, et qui sont fondamentaux pour réaliser des composants de structure en SiC impliquant des joints, moyennement réfractaires :
1) la composition de brasure doit permettre de réaliser une liaison forte entre les deux pièces en matériau à base de carbure de silicium, ce qui implique une composition de brasure non-réactive, c'est-à-dire chimiquement compatible avec le carbure de silicium, et qui ne forme pas de composés fragiles avec celui-ci. Toutefois, la non-réactivité ne garantit pas la création d'une liaison forte car ceci reste imprévisible. La non-réactivité est une condition nécessaire pour avoir une liaison forte mais pas suffisante. Ainsi, le système Fe-Si cité dans la littérature [3] est non-réactif mais sa tenue mécanique est très faible.
2) la composition de brasure doit bien mouiller le carbure de silicium et bien adhérer à celui-ci .
3) la composition de brasure doit être compatible avec tous les dispositifs de chauffage notamment les dispositifs de chauffage rapides et/ou localisés .
4) la composition de brasure doit permettre la formation de joints présentant une bonne tenue mécanique.
5) la composition de brasure doit être constituée d'un nombre limité d'éléments, afin de faciliter sa préparation et sa mise en œuvre.
6) la composition de brasure ne doit pas contenir d'éléments onéreux, tels que des métaux précieux .
Enfin, le procédé et la brasure associée doivent permettre le brasage, l'assemblage de tout type de matériau à base de carbure de silicium et doivent pouvoir facilement s'adapter à toute céramique spécifique à base de carbure de silicium.
Le but de l'invention est donc de fournir un procédé d'assemblage par brasage de pièces ou composants en matériaux à base de carbure de silicium qui réponde, entre autres, aux besoins cités plus haut, qui satisfait, entre autres, à l'ensemble des exigences et critères mentionnés ci-dessus, qui élimine les inconvénients, défauts, limitations rencontrés avec les procédés de l'art antérieur, et qui résolve les problèmes des procédés de l'art antérieur.
Le but de l'invention est notamment de fournir un procédé d'assemblage par brasage de pièces ou composants en matériaux à base de carbure de silicium qui permette d'obtenir une tenue mécanique satisfaisante de l'assemblage au-dessus de 500°C et jusqu'à 1000°C, voire 1100°C, qui utilise des températures de brasage inférieures ou égales à 1450 °C, de préférence se situant entre 1210°C et 1450°C, et de préférence encore inférieures à 1300°C, et qui éventuellement permette d'obtenir des joints avec une excellente étanchéité.
EXPOSÉ DE L' INVENTION
Ce but, et d'autres encore, sont atteints conformément à l'invention par un procédé d'assemblage d'au moins deux pièces en matériaux à base de carbure de silicium par brasage non-réactif, dans lequel on met en contact les pièces avec une composition de brasure non-réactive, on chauffe l'ensemble formé par les pièces et la composition de brasure à une température de brasage suffisante pour faire fondre la composition de brasure, et on refroidit les pièces et la composition de brasure afin de former après solidification de celle-ci un joint moyennement réfractaire ; dans lequel la composition de brasure non-réactive est un alliage binaire constitué, en pourcentages en masse, de 46% à 99% de silicium et de 54% à 1% de néodyme.
Généralement, le brasage est réalisé à une température de brasage inférieure ou égale à 1450°C, de préférence de 1210°C à 1450°C.
Par joint moyennement réfractaire, on entend que ce joint est généralement capable de résister à des températures de fonctionnement allant jusqu'à 1000°C voire 1100°C, et généralement voisines de 1000°C voire 1100°C.
Le procédé selon l'invention, qui est un procédé de brasage à une température généralement inférieure ou égale à 1450°C, de préférence de 1210°C à 1450°C, de préférence encore inférieure ou égale à 1300°C, mettant en œuvre une composition de brasure spécifique, n'a jamais été décrit dans l'art antérieur.
En particulier, la composition de brasure spécifique mise en œuvre selon l'invention qui, de manière étonnante permet le brasage à une température généralement inférieure ou égale à 1450°C, de préférence de 1210°C à 1450°C, de préférence encore inférieure ou égale à 1300°C, de pièces en matériaux à base de carbure de silicium n'est en aucune manière mentionnée dans les documents de l'art antérieur cités plus haut.
Ainsi, le document [4] mentionne incidemment le néodyme dans une liste de 27 éléments, parmi lesquels au moins deux doivent être choisis pour former une composition de brasure avec le silicium, ce dernier étant toujours présent à moins de 50% en masse. Dans cette liste Fe, Cr, Co, V, Zn, Ti et Y sont préférés. Le néodyme n'est donc pas cité parmi les éléments préférés.
Aucun des alliages de brasage particulièrement préférés de ce document qui sont les alliages de silicium, de chrome et de cobalt, les alliages de silicium , de chrome et de fer, et les alliages de silicium de fer et de cobalt, et aucune des compositions de brasure exemplifiées dans ce document ne contiennent de terres rares, et a fortiori du néodyme.
En outre, les alliages décrits dans ce document sont beaucoup plus complexes que l'alliage binaire Si-Nd mis en œuvre selon l'invention. Les alliages de brasage de ce document sont au minimum des alliages ternaires polyconstitués dont l'élaboration et la maîtrise des propriétés sont beaucoup plus délicates que celles des alliages binaires.
Les compositions de brasure des exemples fournis dans le document [4] sont limitées aux systèmes ternaires SiFeCo, SiFeCr, SiCrCo avec une teneur en Si inférieure à 40% massique. Ces compositions ne contiennent pas de terres rares et globalement un nombre très réduit d'éléments par rapport à la liste des 27 éléments d'ajouts possibles. Il est proposé en particulier un alliage 40%Si-26%Cr-34%Co (% en masse) pour une mise en œuvre vers 1200°C mais aucun essai mécanique n'est présenté qui pourrait démontrer une bonne tenue mécanique des joints. Ajoutons également que les compositions de brasure selon l'invention ont des concentrations en silicium supérieures à 45% en masse, c'est-à-dire une concentration en Si supérieure à celles indiquées dans le document [4] .
Le document [4] ne contient aucune indication pouvant conduire à préparer un alliage de brasage binaire, puisqu'il concerne des alliages contenant au minimum trois éléments. Le document [4] ne contient ensuite aucune indication pouvant conduire à choisir le néodyme, et a fortiori une teneur spécifique en celui-ci pour préparer un alliage de brasure binaire compatible avec le Sic, et assurant un brasage à une température généralement inférieure ou égale à 1450°C, de préférence entre 1210°C et 1450°C, de préférence encore à 1300°C ou à moins de 1300°C, de pièces à base de Sic, et un assemblage effectif de ces pièces.
Le procédé selon l'invention répond aux besoins, satisfait à l'ensemble des exigences et des critères mentionnés ci-dessus, et ne présente pas les inconvénients des procédés de l'art antérieur.
En particulier, le procédé selon l'invention permet pour la première fois la préparation d'assemblages moyennement réfractaires , c'est-à-dire avec une température de mise en œuvre pouvant aller jusqu'à 1000°C voire 1100°C de pièces en matériaux à base de carbure de silicium quelles que soient leur géométrie, même très complexe et/ou leur taille.
Le procédé selon l'invention assure dans tous les cas, notamment, un bon remplissage du joint par la brasure, une excellente tenue mécanique de l'assemblage à température ambiante et à chaud, en particulier au-dessus de 500°C et jusqu'à 1000°C 1100°C, et éventuellement une bonne étanchéité du j oint .
Le procédé selon l'invention est en outre simple, fiable, facile à mettre en œuvre et au total peu onéreux.
En d'autres termes, les multiples avantages et effets surprenants de 1 ' invention peuvent être énumérés comme suit, sans que cette énumération soit considérée comme limitative :
- en fonction de la composition de l'alliage de brasage sélectionné, plusieurs températures de brasage sont possibles entre 1210°C et 1450°C et peuvent ainsi répondre à différents cahiers des charges.
- l'assemblage obtenu selon l'invention permet de garantir un très bon accrochage mécanique entre les substrats à base de carbure de silicium même pour des températures maximales d'utilisation supérieure à 500°C et pouvant aller par exemple jusqu'à 1000°C voire 1100°C. Les ruptures ont lieu en mode "cohésif", c'est-à-dire que les fissures ont lieu dans les substrats à base de carbure de silicium et non pas au niveau du joint brasé.
la température de brasage peut être inférieure ou égale à 1300°C et il est donc possible avec le procédé selon l'invention d'assembler des pièces, substrats à base de carbure de silicium qui ne peuvent pas supporter des températures supérieures à 1300°C, voire 1250°C et même 1210°C, comme des pièces, substrats en composite à matrice céramique et fibres céramiques avec matrice auto-cicatrisante ou en SiC infiltré de silicium SiSiC. En d'autres termes, le procédé selon l'invention permet de réaliser le brasage de matériaux à base de SiC qui se dégradent dès 1250°C, voire 1210°C. Le procédé selon l'invention s'applique bien sûr au Sic pur, par exemple le SiC fritté pour lequel on peut utiliser des températures de brasage supérieures à 1300°C, mais aussi à des matériaux moins stables en mettant en œuvre des compositions de brasure adaptées à ces matériaux moins stables thermiquement.
- de manière surprenante, malgré la température de brasage généralement inférieure à 1450°C, de préférence de 1210°C à 1450°C, de préférence encore inférieure ou égale à 1300°C, mise en œuvre dans le procédé de l'invention, un bon mouillage de la composition de brasure, de l'alliage de brasage selon l'invention sur les surfaces des substrats, pièces, à base de carbure de silicium à assembler, a été constaté. Ainsi, grâce à ce bon mouillage des surfaces, il est possible selon l'invention de faire du brasage capillaire car la composition de brasure selon l'invention peut remplir toute seule le joint entre les pièces pendant l'opération de brasage.
une réactivité extrêmement modérée de l'alliage de brasure sur les substrats à base de carbure de silicium a été observée. Il n'y a pas de zones fragilisantes complexes et poreuses au niveau de 1 ' interface .
le brasage réalisé par le procédé selon l'invention est réversible. Il est ainsi possible de désunir, séparer, les pièces, substrats assemblés, par exemple en vue de leur réparation, en faisant fondre l'alliage de brasage dans un four au cours d'une seconde opération de fusion de cet alliage de brasage, sans altérer les pièces, substrats. Les pièces, substrats peuvent également être séparés par une attaque chimique. En d'autres termes, le procédé selon l'invention permet la réparation des pièces assemblées en matériau à base de carbure de silicium. Cela signifie que ces pièces peuvent subir un second cycle de brasage si besoin pour réparation sans dégradation des propriétés des joints. Cette capacité de réparation est possible du fait de l'absence de réactivité ou de la très faible réactivité des alliages de brasage mis en œuvre selon l'invention avec le carbure de silicium.
une autre propriété remarquable obtenue par le procédé selon l'invention est l'homogénéité du joint obtenu après brasage et le très bon comportement mécanique des joints formés.
il n'est pas nécessaire dans le procédé selon l'invention de métalliser par la brasure les pièces, substrats, en matériau à base de Sic avant l'opération de brasage à une température inférieure à 1300°C, les joints sont bien remplis par la composition de brasure selon l'invention, même en configuration capillaire ;
- il n'est, en outre, pas nécessaire dans le procédé selon l'invention de déposer du carbone sur les pièces, substrats, en matériau à base de Sic avant l'opération de brasage notamment à une température inférieure à 1300°C. La cinétique de mouillage est rapide et l'angle de mouillage est très bon (par exemple inférieur à 20° en moins d'une minute) et les joints sont bien remplis par la composition de brasure selon l'invention, même en configuration capillaire.
les compositions de brasure selon l'invention ne contiennent aucun élément chimique précieux, notamment des métaux de la famille du platine, ce qui limite leur coût et le coût du procédé les mettant en œuvre, par rapport à de nombreuses compositions de l'art antérieur.
les joints brasés obtenus par le procédé selon l'invention sont généralement étanches. Le procédé selon l' invention est par conséquent adapté pour des opérations de scellement devant résister à des températures maximales entre 850°C et 1100°C selon la composition de l'alliage de brasage.
Comme on l'a déjà mentionné plus haut, le comportement des compositions de brasure plus particulièrement pour le brasage du Sic, est extrêmement imprévisible et ne peut en aucun cas se déduire du comportement des compositions de brasure voisines .
Ainsi, il a été mis en évidence que des compositions de brasure constituées par un alliage binaire Si-Y (la concentration en Si étant de 56 à 70% en masse) et non Si-Nd, ne présentaient pas toutes les propriétés avantageuses des compositions de brasure selon l'invention et présentaient de nombreux inconvénients par rapport aux compositions de brasure mises en œuvre selon l'invention.
La cinétique de mouillage du SiC par l'alliage Si-Y est nettement plus lente que celle de l'alliage Si-Nd selon la présente invention et l'angle de contact stationnaire est supérieur. En effet, après 10 minutes à 1255°C, l'angle est de 70° ; l'angle stationnaire est atteint en 30 minutes et a une valeur de 50°. Les mêmes résultats sont obtenus à 1270°C. Pour réduire la cinétique d'étalement de l'alliage Si-Y, il est nécessaire d'observer un palier de 90 minutes à 1135°C avant de faire le palier de brasage entre 1255°C et 1270°C. Ainsi, dès 10 minutes, l'angle de contact atteint 50°. Au bout de 30 minutes, il est alors légèrement inférieur à 50°. Un dépôt de carbone sur le Sic permet encore d'obtenir un angle stationnaire légèrement inférieur à 40° en 15 minutes. L'exemple n°l montre que, de manière étonnante, la cinétique de mouillage avec la composition de brasure selon l'invention est extrêmement rapide même pour une température de brasage basse. En effet, l'angle de contact stationnaire est obtenu en moins d'une minute à 1240°C, et cet angle stationnaire obtenu est de l'ordre de 20°.
Des essais de compression / cisaillement comparables à ceux réalisés sur le système Si-Y ont été réalisés à température ambiante avec la composition de brasure selon l'invention. Les contraintes à rupture obtenues avec l'alliage Si-Nd sont très bonnes et de façon surprenante supérieures à celles obtenues avec Si-Y. En effet, pour Si-Y, les valeurs de contraintes à rupture sont de l'ordre de 25 MPa alors qu'elles sont nettement supérieures pour Si-Nd avec une valeur moyenne de l'ordre de 76 MPa (voir exemples 5, 7, 8, 9 et exemple comparatif 11) . L'alliage Si-Nd de la présente invention apporte donc de nombreux avantages inattendus par rapport à l'alliage Si-Y.
Des essais comparatifs de compression / cisaillement ont également été réalisés à température ambiante avec le même protocole pour un autre système binaire à base de silicium et avec un autre terre rare, l'élément Ce (voir exemple comparatif 12) . Les contraintes à rupture obtenues avec l'alliage Si-Nd sont de façon surprenante supérieures à celles obtenues avec Si-Ce. En effet, pour Si-Ce, les valeurs de contraintes à rupture sont de l'ordre de 20 MPa alors qu'elles sont nettement supérieures pour Si-Nd avec une valeur moyenne de l'ordre de 76 MPa (voir exemples 5, 7, 8, 9 et comparaison avec l'exemple 11) .
L'alliage Si-Nd de la présente invention apporte donc de nombreux avantages inattendus par rapport à l'alliage Si-Ce.
La composition de brasure selon l'invention est en outre définie par une teneur spécifique en silicium dans la plage de 46 à 99% en masse. De manière étonnante, il s'est avéré que les propriétés avantageuses des compositions de brasure selon l'invention n'étaient obtenues que dans cette plage spécifique et non à l'extérieur de celle-ci.
Pour des alliages Si-Nd avec des teneurs en silicium inférieures strictement à 46%, les alliages de brasage sont trop réfractaires et imposeraient des brasages entre 1600°C et 1460°C. De plus, la tenue mécanique n'est pas suffisante comme le montre l'exemple comparatif n°10 avec une contrainte à rupture à 30 MPa en test de compression / cisaillement pour l'alliage avec 42% en masse de Si et 58% en masse de Nd alors que les quatre compositions de brasure conformes à l'invention, présentées dans les exemples donnent des contraintes à rupture supérieures, voire très supérieures à 52 MPa et une moyenne à 76 MPa (voir exemples 5, 7, 8, 9) .
En conséquence, rien ne pouvait laisser prévoir que la mise en œuvre, dans un procédé de brasage de pièces à base de Sic, de la composition spécifique selon l'invention définie par l'association d'un élément spécifique : le néodyme, avec le silicium, dans des proportions spécifiques, pourrait permettre un brasage à une température de 1210 à 1450°C , de préférence de moins de 1300°C, avec tous les effets bénéfiques et avantages énumérés plus haut notamment quant à l'étanchéité du joint et à la tenue mécanique de l'assemblage au-dessus de 500°C sans détérioration des pièces.
La composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 48% à 51% de silicium et de 52% à 49% de néodyme, pour un brasage à une température comprise entre 1210°C et 1250°C.
La composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 51% à 58% de silicium et de 49% à 42% de néodyme, pour un brasage à une température comprise entre 1250°C et 1300°C selon la composition.
La composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 58% à 65% de silicium et de 42% à 35% de néodyme, pour un brasage à une température comprise entre 1300°C et 1350°C selon la composition.
La composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 65% à 80% de silicium et de 35% à 20% de néodyme, pour un brasage à une température comprise entre 1350°C et 1400°C selon la composition.
La composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 80% à 95% de silicium et de 20% à 5% de néodyme, pour un brasage à une température comprise entre 1400°C et 1430°C selon la composition.
La composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 95% à 99% de silicium et de 5% à 1% de néodyme, pour un brasage à une température comprise entre 1430°C et 1450°C selon la composition.
En particulier, la composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 48,7% de silicium et de 51,3 % de néodyme pour un brasage à 1240°C ; ou bien la composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 60% de silicium et de 40% de néodyme pour un brasage à 1315°C ; ou bien la composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 80% de silicium et de 20% de néodyme pour un brasage à 1395°C ; ou bien encore la composition de brasure selon l'invention peut être avantageusement constituée en pourcentages en masse, de 95% de silicium et de 5% de néodyme pour un brasage à 1420°C.
Les différentes compositions de brasure définies par les pourcentages avantageux, précisés ci- dessus ne sont, a fortiori, ni décrites ni suggérées dans l'art antérieur.
Avantageusement, préalablement au brasage, on peut effectuer un ajout d'un renfort dans la composition de brasure.
Ce renfort peut être en un matériau choisi parmi les céramiques telles que le SiC, et le C.
Ce renfort peut se présenter sous la forme de particules, par exemple d'une poudre ; de fibres ; d'un non-tissé de fibres ; ou d'un tissu de fibres.
L'ajout du renfort peut être réalisé en une quantité de 5 à 49% en masse par rapport à la masse de la composition de la brasure.
Avantageusement dans le procédé selon l'invention, on peut former une poudre de composition de brasure, mettre en suspension cette poudre dans un liant organique de façon à obtenir une suspension ou pâte et enduire au moins une surface des pièces à assembler avec la suspension ou pâte obtenue.
Ainsi on peut enduire une surface à assembler d'au moins l'une des pièces a assembler avec la suspension ou pâte, puis mettre en contact les surfaces à assembler des pièces de façon à ce que la suspension ou pâte soit intercalée entre celles-ci, ou bien on peut mettre en contact les pièces à assembler en observant un décalage entre celles-ci de façon à créer une surface susceptible de recevoir la suspension ou pâte à proximité du joint formé par les surfaces à assembler des pièces à assembler, puis on peut déposer la suspension ou pâte sur cette surface.
Préalablement à la mise en contact avec la composition de brasure, un dépôt de carbone sur au moins une des surfaces à assembler des pièces n'est pas utile .
C'est là précisément un autre des avantages du procédé selon l'invention avec Nd-Si par rapport par exemple à Y-Si, que de pouvoir se passer de ce dépôt de carbone, ce qui évite une étape supplémentaire dans le procédé de brasage.
Avantageusement, le brasage peut être effectué à une température de brasage supérieure d' au moins 15°C, de préférence d'au moins 30°C, à la température de fusion de la composition de brasure.
Avantageusement, le brasage peut être réalisé en effectuant un palier de brasage à une température de brasage de 1210°C à 1450°C, maintenue pendant une durée de 15 à 90 minutes, de préférence de 20 à 90 minutes, de préférence encore de 20 à 60 minutes, mieux de 20 à 30 minutes.
De préférence, le palier de brasage peut être effectué à une température de brasage de 1250 °C maintenue pendant une durée de 30 minutes pour des substrats à base de Sic ne supportant pas des températures supérieures à 1300°C auxquelles se produit une dégradation du substrat à braser.
Avantageusement, préalablement au palier de brasage on peut observer un premier palier à une température généralement de 1080°C à 1150°C, de préférence de 1100°C à 1150°C, maintenue pendant une durée de 30 à 120 minutes, de préférence de 60 à 120 minutes, de préférence encore de 90 à 120 minutes.
Avantageusement, les matériaux à base de carbure de silicium peuvent être choisis parmi les carbures de silicium pur tels que le carbure de silicium pur a (SiCOC) ou β ( Ξ ίθβ ) et les matériaux composites à base de Sic tels que les composites à fibres et/ou à matrice de carbure de silicium.
Plus particulièrement, les matériaux à base de carbure de silicium peuvent être choisis parmi le carbure de silicium fritté sans pression ("PLS-SiC") ; le carbure de silicium infiltré Si ("SiSiC" ou "RBSC") ; le carbure de silicium recristallisé poreux ("RSiC") ; le graphite silicium ("C-SiC") constitué de graphite et recouvert par une couche de Sic ; les composites SiC/SiC, par exemple, à fibres ou à « whiskers » ; les composites SiC/SiC à matrice auto¬ cicatrisante ; les composites C/SiC, par exemple, à fibres ou à « whiskers » de carbone et à matrice SiC ; les monocristaux de Sic ; les composites du Sic avec une autre céramique, par exemple les composites SiC/Si3N4 et SiC/TiN.
Généralement, lesdits matériaux à base de carbure de silicium ont une teneur en carbure de silicium au moins égale a 50% en masse, de préférence au moins égale à 80% en masse, et de préférence encore égale à 100% en masse.
L' invention a trait également à un procédé d'assemblage par brasage d'au moins trois pièces en matériaux à base de carbure de silicium dans lequel on réalise les étapes successives suivantes : a) on assemble par brasage à une température de brasage Tl, au moins deux pièces en matériaux à base de carbure de silicium, à l'aide d'une composition de brasure constituée par un alliage binaire de silicium et d'un élément X, ledit alliage étant plus réfractaire que l'alliage binaire constitué, en pourcentages en masse, de 46% à 99% de silicium et de 54% à 1% de néodyme, de préférence que l'alliage binaire constitué, en pourcentages en masse, de 46% à 65% de silicium et de 54% à 35% de néodyme ; de préférence encore que l'alliage binaire constitué en pourcentages en masse, de 46% à 60% de silicium et de 54% à 40% de néodyme, moyennant quoi on obtient un premier assemblage d'au moins deux pièces ;
b) on assemble, par brasage à une température de brasage T2, avec le procédé d'assemblage d'au moins deux pièces en matériaux à base de Sic décrit plus haut (qui utilise une composition de brasure non réactive qui est un alliage binaire, constitué en pourcentages en masse de 46% à 99% de silicium et de 54% à 1% de néodyme) au moins une autre pièce en matériau à base de carbure de silicium avec l'assemblage d'au moins deux pièces obtenu dans l'étape a) .
Avantageusement, Tl est supérieure à T2 d'au moins 40°C.
Avantageusement, X est choisi parmi Ti, Zr,
V, Ru, Re, Hf, Cr, et Rh. Avantageusement, l'alliage binaire de silicium et d'un élément X a une température de fusion supérieure à 1350°C, et la température Tl est de 1400 à 1450°C.
L' invention concerne également les compositions de brasure, qui ont été décrites plus haut dans le cadre de l'exposé du procédé selon l'invention.
L' invention a également trait à une composition pour le brasage moyennement réfractaire non-réactif de pièces en matériaux à base de carbure de silicium comprenant une composition de brasure non- réactive telle que définie ci-dessus, et en outre, un ajout d'un renfort tel que défini plus haut.
L'invention a trait en outre à une pâte, suspension, de brasure pour le brasage moyennement réfractaire non-réactif de pièces en matériaux à base de carbure de silicium comprenant une poudre d'une composition de brasure selon l'invention telle que définie plus haut, et un liant, cément organique liquide.
L'invention concerne, en outre, le joint moyennement réfractaire, et l'assemblage comprenant au moins deux pièces en matériaux à base de Sic, obtenus par le procédé selon l'invention, décrit ci-dessus.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif en relation avec les dessins joints, dans lesquels : BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
La Figure 1 est une vue schématique montrant la disposition des plaques de matériau à base de Sic et de la pâte de composition de brasure pour le brasage en configuration capillaire.
La figure 2 est une vue schématique des éprouvettes utilisées pour les essais mécaniques, notamment en compression / cisaillement des joints et assemblages préparés dans les exemples.
La figure 3 est une vue schématique montrant la disposition des plaques de matériau à base de Sic et de la pâte de composition de brasure pour le brasage en configuration « sandwich ».
La Figure 4 est un graphique qui représente le cycle thermique de brasage utilisé dans l'exemple 5. En abscisse est portée la durée en minutes depuis le début du traitement thermique, et en ordonnée est portée la température T en °C.
La Figure 5 est un graphique qui représente le cycle thermique de brasage utilisé dans l'exemple 7. En abscisse est portée la durée en minutes depuis le début du traitement thermique, et en ordonnée est portée la température T en °C.
La Figure 6 est un graphique qui représente le cycle thermique de brasage utilisé dans l'exemple 8. En abscisse est portée la durée en minutes depuis le début du traitement thermique, et en ordonnée est portée la température T en °C.
La Figure 7 est une vue schématique montrant la disposition de la première et de la deuxième plaques en matériau à base de Sic et de la pâte de composition de brasure SiZr pour le brasage en configuration capillaire de la première et de la deuxième plaques dans les exemples 7 et 8.
La Figure 8 est une vue schématique montrant la disposition de la première et de la deuxième plaque en matériau à base de Sic brasées avec une composition de brasure SiZr, et de la pâte de la composition de brasure SiNd pour le brasage en configuration capillaire de la première et de la deuxième plaques brasées avec une troisième plaque dans les exemples 7 et 8.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
La première étape du procédé selon l'invention consiste, tout d'abord, généralement, à préparer, élaborer une composition de brasure, en d'autres termes un alliage de brasage contenant du silicium, et du néodyme.
L'alliage de brasage selon l'invention est un alliage binaire néodyme (Nd) - Silicium (Si) .
La température de fusion de l'alliage de brasage selon l'invention est généralement de 1195°C à 1420°C, de préférence elle est inférieure ou égale à 1300°C. L'élément prépondérant de l'alliage est le silicium.
Les proportions massiques pour l'alliage binaire Si-Nd sont de 46% à 99% de silicium et de 54% à 1% de néodyme.
Des proportions avantageuses et des proportions particulièrement avantageuses ont été indiquées plus haut. La composition de brasure est, généralement, une composition pulvérulente qui peut être préparée, par exemple, en synthétisant, tout d'abord, à partir des éléments purs un composé inter- métallique contenant du silicium, et du néodyme.
La synthèse d'un tel composé inter¬ métallique se fait, par exemple, en introduisant le silicium -par exemple, sous la forme de morceaux- le néodyme -par exemple, sous la forme de morceaux ou autres- dans les proportions voulues pour la composition de brasure, dans un creuset réfractaire en alumine, par exemple.
L'ensemble formé par le creuset, le silicium et le néodyme est disposé dans un appareil de chauffage, tel qu'un four, et est chauffé à une température généralement de 1330°C à 1450°C, de préférence sous argon, pour faire fondre les différents constituants de la composition de brasure et obtenir après refroidissement le composé inter-métallique final désiré, homogène sous la forme d'un lingot. La température de chauffage est de préférence de 1330 °C pour les compositions comprenant de 46% à 52% en masse de silicium, et elle est de préférence de 1450°C pour les compositions plus riches en silicium. Le composé inter-métallique obtenu est ensuite broyé dans tout appareil adéquat, par exemple, dans un mortier pour obtenir une poudre de granulométrie adéquate, c'est-à-dire, dont les grains ont, par exemple, un diamètre de 1 à 300 ym et qui constitue la composition de brasure. Ou bien, la composition de brasure binaire selon l'invention peut être préparée par exemple en pesant de la poudre de silicium pur, et de la poudre du composé inter-métallique NdSi2 dans les proportions retenues pour la composition de brasure selon l'invention et en mélangeant ensuite ces poudres dans un « Turbula » pendant au moins 30 minutes.
La poudre composée du mélange des poudres de composé inter-métallique et de Si constitue, dans ce cas, la composition de brasure.
Ledit composé inter-métallique peut être synthétisé, ou bien il s'agit un composé du commerce se présentant sous la forme d'une poudre de composé inter¬ métallique de granulométrie et de pureté connues. Parmi ces poudres du commerce, on peut citer, par exemple : la poudre du composé dSi2 de marque Neyco®, de pureté 99, 9 % et de granulométrie de 50 à 100 μπι.
La poudre de silicium pur peut être préparée à partir de morceaux de silicium pur broyé dans tout appareil adéquat, par exemple, dans un mortier, pour obtenir une poudre de granulométrie adéquate dont les grains ont, par exemple, un diamètre de 1 à 250 ym.
Au lieu d'être ainsi préparée, ladite poudre de silicium pur peut également être une poudre du commerce de granulométrie et de pureté connues. Parmi ces poudres du commerce, on peut citer, par exemple : la poudre de Si pur, de marque CERAC , de pureté de 99,5 % ou 99, 99 % et de granulométrie de l'ordre de 50 ym. Selon l'invention, on peut effectuer, en outre, un ajout d'un renfort dans la composition de brasure préalablement au brasage, afin notamment d'améliorer la tenue mécanique de l'assemblage.
Ce renfort peut être un renfort de C ou d'une céramique telle que le SiC.
Ce renfort peut se présenter sous la forme de particules, par exemple d'une poudre telle qu'une poudre de SiC ; de fibres par exemple de fibres de SiC ou de céramiques; d'un non-tissé dans lequel des fibres sont isolées ; ou d'un tissu de fibres.
Le renfort ajouté tel qu'une poudre de SiC représente, généralement, de 5 à 49% en poids de la composition de brasure. La poudre de SiC peut être, par exemple, une poudre commerciale, telle que la poudre de marque STARCK , de pureté 98,5 % et de granulométrie inférieure à 10 ym.
La poudre de composition de brasure, (Si et Nd) éventuellement additionnée du renfort tel qu'une poudre de SiC, est mise en suspension de manière classique dans un liant, cément, gel organique liquide, de préférence à la fois visqueux et collant, afin d'obtenir une pâte, suspension de composition de brasure éventuellement additionnée d'un renfort permettant un étalement homogène sur les surfaces des pièces, substrats en matériau à base de carbure de silicium à braser.
Le liant, cément, gel se décompose généralement par exemple entre 100 et 300 °C sans laisser de traces. Il peut s'agir par exemple d'un cément de type NICROBRAZ® ou d'un gel (gel Vitta®) . La deuxième étape du procédé selon l'invention consiste généralement à réaliser l'assemblage par brasage proprement dit.
Préalablement à l'assemblage, les deux (ou plus) surfaces des pièces en matériaux à base de SiC à assembler sont généralement dégraissées, nettoyées, dans un solvant organique par exemple du type cétone, ester, éther, alcool, ou un mélange de ceux-ci, etc.
Un solvant préféré est l'acétone ou un mélange acétone-alcool éthylique-éther par exemple dans les proportions 1/3, 1/3, 1/3 ; on peut aussi nettoyer les pièces successivement avec plusieurs solvants différents par exemple avec de l'acétone puis de l'éthanol. Les pièces sont ensuite séchées.
Les pièces en matériaux à base de SiC à assembler sont en général au nombre de deux, mais on peut aussi assembler simultanément un plus grand nombre de pièces pouvant aller jusqu'à 100.
Par pièce en matériau à base de SiC, on entend généralement tout élément, ou entité de forme et de taille quelconques entrant par exemple, après assemblage avec une ou plusieurs autres pièces, dans des structures de plus grande dimension.
Selon l'invention, il est possible d'assembler, avec à chaque fois d'excellents résultats, des pièces de géométrie, forme complexe et/ou de grande taille, par exemple avec 0,5 m2 de surface à braser ou plus .
Par matériau à base de carbure de silicium, on entend généralement ici tous les matériaux comprenant au moins 50% en masse de carbure de silicium, de préférence au moins 80% en masse de carbure de silicium, de préférence encore 100% en masse de carbure de silicium, dans ce dernier cas le matériau est constitué, composé, uniquement de carbure de silicium.
Les matériaux à base de carbure de silicium peuvent être choisis parmi les carbures de silicium pur tels que le carbure de silicium pur (SiCOC) ou β ( Ξ ίθβ ) et les matériaux composites à base de Sic tels que les composites à fibres et/ou à matrice de carbure de silicium.
Comme exemples de matériaux à base de Sic, on peut citer le carbure de silicium dense pur ou carbure de silicium fritté sans pression ("PLS-SiC", à savoir « PressureLess Sintered Sic », en anglais) ; le carbure de silicium infiltré Si (appelé SiSiC ou RBSC contenant 5 à 20 % Si) ; le carbure de silicium recristallisé poreux (appelé RSiC) ; le graphite silicium (C-SiC) constitué de graphite et recouvert par une couche de Sic par exemple de 0,1 à 1 mm d'épaisseur ; ainsi que les composites SiC/SiC, par exemple, à fibres ou à « Whiskers » ; les composites SiC/SiC à matrice auto-cicatrisante ; les composites C/SiC, par exemple, à fibres ou à « Whiskers » de carbone et à matrice SiC ; et encore les monocristaux de SiC ; et les composites du SiC avec une autre céramique, par exemple, les composites SiC/SÎ3 4 et SiC/TiN.
Il a été constaté, de manière surprenante, que le procédé de l'invention permettait un brasage des composites avec d'excellents résultats. Les deux pièces ou plus à assembler peuvent être en un même matériau, à base de carbure de silicium par exemple en PLS (« Pressureless Sintered ») -Sic, ou en composite SiC-SiC ou chacune des pièces peut être en un matériau différent.
La suspension, pâte de la composition de brasure décrite précédemment, est étalée, enduite, appliquée de manière homogène, uniforme, par exemple avec une brosse, une spatule, un pinceau, ou à l'aide d'une seringue éventuellement fixée à un système robotisé, ou à l'aide de tout autre moyen permettant de déposer une couche de pâte de brasure uniforme, sur la surface d'au moins l'une des pièces en matériau à base de carbure de silicium à assembler. Puis on met en contact la ou les surface (s) enduite (s) de pâte des deux pièces (31, 32) à assembler. Cette configuration de brasage, illustrée sur la Figure 3 est appelée « configuration sandwich » car la pâte de la composition de brasure (33) est placée directement entre les surfaces (34, 35) des pièces à assembler.
La quantité de pâte, suspension de composition de brasure à mettre en œuvre dans cette configuration est généralement de 10 mg/cm2 à 30 mg/cm2, par exemple de 20 mg/cm2.
La configuration « sandwich » s'applique aussi bien pour des joints « fins », c'est-à-dire d'une épaisseur inférieure à 200 micromètres, que pour des joints épais, c'est-à-dire d'une épaisseur supérieure ou égale à 200 micromètres.
Ou bien comme cela est représenté sur la
Figure 1, les pièces à assembler par exemple sous la forme de plaques (1, 2), sont mises en contact, sans avoir mis de composition de brasure entre elles en observant un écart, décalage (3) entre celles-ci, généralement de quelques mm, par exemple de 1 mm, 2 mm, à 10 mm de façon à créer une surface (4) susceptible de recevoir la suspension ou pâte à proximité du joint (5) formé par les surfaces à assembler des pièces à assembler, puis on dépose la suspension ou pâte de composition de brasure par exemple sous la forme d'un cordon de brasure (6) sur cette surface à proximité du joint, au voisinage du joint, au bord du joint. Pendant le cycle thermique de brasage, la composition de brasure liquide s'infiltre dans le joint.
Cette configuration de brasage est appelée « configuration capillaire ». Avec les compositions de brasure selon l'invention, il est possible de réaliser un tel brasage capillaire, avec une infiltration de la brasure liquide dans le joint de brasage pendant le cycle de brasage, sans disposer directement la composition de brasure entre les pièces à assembler comme dans le cas de la « configuration sandwich ».
La quantité de pâte, suspension de composition de brasure à mettre en œuvre dans cette configuration capillaire est généralement de 10 mg/cm2 à 30 mg/cm2, par exemple de 20 mg/cm2.
Le brasage capillaire est possible pour des joints « fins » d'une épaisseur inférieure à 200 micromètres en l'absence de renforts placés au préalable dans le joint.
Le brasage capillaire peut aussi être possible pour des épaisseurs de joint très supérieures, pouvant aller par exemple jusqu'à quelques millimètres, pour des joints dans lesquels un « renfort mouillage » (c'est-à-dire que la brasure mouille bien la surface du renfort, c'est le cas avec des renforts à base de Sic par exemple) par la composition de brasure a été disposé entre les faces à braser. Ce renfort peut être constitué par exemple par des particules de céramique telle que le SiC, des fibres de céramique telle que le Sic, des particules de C, des fibres de Sic. La brasure, placée au bord du joint, passe à l'état liquide pendant le cycle de brasage et s'infiltre dans le joint et mouille les renforts. Les renforts permettent ainsi l'infiltration dans les joints épais. Le joint est en général constitué d'au moins 50% en volume de l'alliage Si-Nd, ce dernier ayant une composition comprise entre 46% et 99% en masse pour le silicium et 54% et 1% en masse pour le néodyme et en général d'au plus 50% en volume de renforts.
Les pièces prêtes à être brasées sont alors disposées dans un dispositif de chauffage tel qu'un four ou soumises à un chauffage par tout autre moyen adéquat .
Le four est généralement sous vide ou sous atmosphère de gaz neutre.
Généralement, le vide est un vide secondaire, c'est-à-dire que la pression est de 10-3 à 10~5 Pa, par exemple, de 10~4 Pa.
De préférence, le gaz neutre est de
1 ' argon . L'invention permet même d'utiliser de l'argon de qualité commerciale (avec généralement 5 ppm d'02) .
Les pièces à assembler sont soumises par exemple dans le four à un cycle thermique.
Ainsi l'ensemble formé par les pièces et la composition de brasure peut-il être amené à la température de brasage en observant une montée en température de préférence « lente », avec une ou plusieurs rampes de température depuis la température ambiante .
Cette montée en température peut se faire par exemple avec une rampe de température à raison de 1°C à 5°C/minute.
Le palier de brasage est généralement réalisé à une température, qui est la température de brasage, de préférence supérieure d'au moins 15°C, et de préférence encore d'au moins 30°C, à la température de fusion ou température de liquidus de la composition de brasure, alliage de brasage retenue. Cette température de brasage est généralement de 1210 °C à 1450°C selon la composition de brasure et les proportions relatives de Nd et de Si dans cette composition .
En effet, selon les compositions, la température du liquidus varie généralement de 1195°C à 1420°C et la température de brasage variera donc, par exemple, comme précisé plus haut, de 1210°C à 1450°C.
On a mentionné 1210°C pour le point le plus bas de la température de brasage car le procédé fonctionne même avec un écart de 15°C entre la température de fusion et la température de brasage, mais un écart d'au moins 30°C est généralement préférable pour les grandes pièces, et la température de brasage la plus basse est alors de 1225°C. De même, la température de brasage la plus haute peut être de 1435°C.
Une telle température de fusion des compositions permet, selon un autre avantage du procédé de l'invention, une utilisation de l'assemblage, jusqu'à 1000°C et même jusqu'à 1100°C.
Pour un brasage aux plus basses températures, c'est-à-dire à une température de brasage entre 1210°C et 1250°C, la composition recommandée est comprise entre 46% massique et 52% massique de Si (soit entre 54% et 48% en masse de Nd) .
Pour des teneurs en Si supérieures, les températures de brasage sont plus élevées, typiquement de l'ordre de 1300°C entre 53% et 58% massique en Si et de l'ordre de 1350°C entre 59% et 65% massique en Si, enfin entre 1350°C et 1450°C entre 66% et 99% massique en Si (voir exemples) .
De manière surprenante, bien que la température de brasage soit inférieure à 1300°C pour les compositions de brasure comprises entre 46% massique de Si et 52% massique (soit entre 54% en masse de Nd et 48%) , un excellent accrochage et un bon mouillage du carbure de silicium sont obtenus avec une cinétique très rapide comme le montrent les essais de goutte posée réalisés avec ces compositions de brasure, ainsi il est possible (voir exemple 1), d'obtenir un angle de contact stationnaire de l'ordre de 20° en moins d'une minute.
Cet excellent mouillage est indispensable pour que la qualité des joints formés soit bonne, car il assure une bonne qualité du remplissage du joint, mais il ne permet pas toujours de garantir un bon comportement mécanique car cette dernière propriété n'est pas prévisible. Or, de manière étonnante, les joints préparés avec des compositions de brasure selon l'invention possèdent aussi d'excellentes propriétés mécaniques .
Le mouillage est bien sûr tout aussi bon pour les compositions plus riches en silicium et mises en œuvre à plus haute température (voir exemples 2, 3 et 4) .
La température de brasage définie plus haut est maintenue pendant une durée de 15 à 90 minutes, de préférence de 20 à 60 minutes, par exemple de 30 minutes, c'est ce que l'on appelle le palier de brasage.
La durée du palier de brasage dépend de la taille des pièces à assembler. On peut en effet aller jusqu'à 60 minutes pour de très grandes pièces avec de grandes surfaces à braser, à savoir typiquement au moins 50x50mm2.
Un palier de brasage du procédé selon l'invention pourra être par exemple réalisé à une température de brasage de 1210°C à 1450°C pendant 30 minutes. La température spécifique du palier de brasage choisie est fonction de la composition de l'alliage de brasage.
Un palier d'homogénéisation par exemple à 1100°C est recommandé voire indispensable pour les grandes pièces (typiquement à partir de 50x50 mm2) afin de garantir l'homogénéité thermique au niveau des pièces à assembler.
Il est à noter que la cinétique de mouillage étant déjà très bonne, il n'est pas utile d'accélérer le mouillage, déjà excellent, ce premier palier est dans le cas des compositions Nd-Si selon l'invention essentiellement voire uniquement un palier d' homogénéisation .
Ce palier peut être remplacé par une montée en température lente, par exemple vers 1100°C.
La durée du premier palier dépend de la taille du four, des dimensions des pièces à braser et des outillages de maintien des pièces à braser.
Ce premier palier qui est donc un palier d'homogénéisation est généralement observé à une température de 1080°C à 1150°C, par exemple de 1100°C avec une durée minimale recommandée d'une heure, par exemple une durée de 60 à 120 minutes avant de réaliser le palier de brasage proprement dit dans les conditions déjà mentionnées ci-dessus.
Aussi bien dans la configuration capillaire que dans la configuration « sandwich », un tel premier palier n'est pas indispensable pour les petites pièces. Un tel premier palier est généralement recommandé voire indispensable dans ces deux configurations pour les grandes pièces, à savoir généralement les pièces qui ont des surfaces à braser supérieures à 50x50 mm2, afin de garantir l'homogénéité thermique au niveau des pièces à assembler.
La durée de ces paliers peut être augmentée et par exemple être fixée à 120 minutes pour le premier palier et 90 minutes pour le second palier pour des pièces de très grandes dimensions, par exemple avec 0,5 m2 de surface à braser ou plus .
Ou bien, une homogénéisation thermique peut également être obtenue en supprimant ce premier palier et en effectuant une montée en température lente (à raison par exemple de 0 , 5 °C/minutes entre généralement 1080°C et 1150°C, de préférence entre 1100°C et 1150°C, de façon à ce que la durée d'exposition de l'assemblage dans ce domaine de température soit par exemple de l'ordre de 60 à 90 minutes.
Comme le premier palier, une telle montée en température lente est conseillée, voire indispensable, pour les grandes pièces dans les deux configurations .
En fin de cycle de brasage, suite au palier de brasage, on refroidit l'assemblage jusqu'à la température ambiante à raison par exemple de 5°C ou de 6°C par minute.
Pendant le refroidissement, la brasure se solidifie et l'assemblage des pièces en matériau à base de carbure de silicium est effectif aussi bien dans le cas où l'on a utilisé une configuration « sandwich » que dans le cas où l'on a utilisé une configuration « capillaire ». Les assemblages réalisés par le procédé selon l'invention ont été soumis à des tests de compression / cisaillement (voir Figure 2) à température ambiante. La contrainte à rupture moyenne obtenue est de l'ordre de 76 MPa.
Comme on l'a déjà précisé, cette tenue mécanique peut être encore améliorée en ajoutant des renforts dans la composition de brasure.
Enfin, l'invention permet aussi de réaliser des objets complexes en utilisant d'une part un alliage binaire Si-Nd du domaine de composition compris entre 46% et 99% en masse pour le silicium et 54% et 1% en masse pour le néodyme et d'autre part un alliage d'un autre système Si-X plus réfractaire que Si-Nd.
Le principe consiste à braser dans une première étape un premier ensemble d'éléments, pièces (cet ensemble comprend m éléments, où m est un nombre entier de 2 à 10) en matériau à base de Sic, avec l'alliage le plus réfractaire Si-X à une température de brasage Tl. Puis dans une seconde étape, on complète ce premier ensemble par brasage d'autres éléments, pièces en matériaux à base de carbure de silicium (au nombre de n, n étant un entier de 1 à 10), sur le premier ensemble, par le procédé selon l'invention, à l'aide d'un second alliage de brasage Si-Nd à une température de brasage T2 telle que T2 soit inférieure à Tl .
On obtient finalement un assemblage de m + n pièces.
En pratique, il est recommandé que l'écart entre Tl et T2 soit au moins de 40°C de façon à ce que les joints formés au niveau du premier ensemble ne fondent pas lors du second cycle de brasage. La composition de l'alliage Si-Nd doit être choisie de façon à respecter l'écart de température d'au moins 40°C entre le premier brasage avec Si-X et le second brasage avec Si-Nd. Parmi les alliages Si-X possibles pour le premier brasage, on peut citer les systèmes Ti- Si, Zr-Si, V-Si, Ru-Si, Re-Si, Hf-Si, Cr-Si, Rh-Si. Par exemple, le domaine de composition entre 46% et 65% en masse pour le silicium et 54% et 35% en masse pour le néodyme est bien adapté pour être associé avec des systèmes Si-X présentant des alliages fondant au-delà de 1350°C et permettant un brasage entre 1400 et 1450°C. Deux exemples de brasage avec deux compositions de brasure Si-Nd ont été réalisés et sont détaillés dans la présente invention (exemples 13 et 14) .
Les assemblages de pièces en carbure de silicium comportant des joints préparés par le procédé selon l'invention permettent de réaliser des structures, appareils, composants de formes complexes ayant des températures d'utilisation élevées pouvant aller jusqu'à 1000°C voire 1100°C avec une grande précision .
On sait en effet que les propriétés du carbure de silicium :
- grande dureté ;
grande rigidité
faible densité
bas coefficient de dilatation ;
résistance à la rupture élevée ;
- bonne résistance au choc thermique ; ainsi que sa très bonne conductivité en font un matériau incontournable pour les présentes et les futures applications industrielles, en particulier à haute température.
De plus, le SiC présente une très bonne résistance chimique aux divers acides, y compris l'acide fluorhydrique et une très bonne résistance à l'oxydation sous air à haute température jusqu'à 1300°C.
En d'autres termes, le procédé selon l'invention peut notamment s'appliquer à la fabrication de tout dispositif, appareil, structure, composant, nécessitant un assemblage moyennement réfractaire entre au moins deux substrats, pièces à base de carbure de silicium en garantissant à la fois une bonne tenue mécanique et une étanchéité satisfaisante au niveau de 1 ' assemblage .
Ce type de dispositif, appareil, structure, composant peut répondre à des besoins dans différents domaines :
le domaine du génie thermique, notamment pour concevoir des échangeurs de chaleur très performants car le carbure de silicium présente une bonne conductivité thermique et une bonne tenue aux hautes températures dans des environnements extrêmes.
le domaine du génie mécanique pour réaliser dans des dispositifs embarqués des composants légers, rigides, réfractaires , résistant à l'abrasion et résistant aux sollicitations mécaniques.
- le domaine du génie chimique car le carbure de silicium est résistant à de nombreux produits chimiques corrosifs comme par exemple les bases et les acides forts.
le domaine du génie nucléaire pour la réalisation du gainage des combustibles.
- les domaines de l'optique spatiale
(miroir de télescope en SiC) et de l'aéronautique (pièce en composite SiC/SiC) .
l'électronique de puissance qui utilise des substrats en Sic.
L'invention va maintenant être décrite au moyen des exemples suivants donnés bien entendu à titre illustratif et non limitatif.
Exemple 1 :
Cet exemple décrit des essais de goutte posée réalisés avec une composition, alliage de brasure selon l'invention de composition 48,7% en masse de Si et 51,3% en masse de Nd sur du Sic a pur fritté, en observant un unique palier de brasage à 1240°C. a) Préparation de la composition de brasure et de la pâte de brasure
La brasure de composition visée 48,7% en masse de Si et 51,3% en masse de Nd a été préparée à partir de morceaux de Si et de morceaux de Nd pur.
Ces morceaux ont été pesés en respectant les proportions de la composition de brasure et placés dans un creuset en alumine. L'ensemble a été placé dans un four et soumis à un cycle thermique avec un palier à 1330°C sous argon pendant une heure. On obtient ainsi, après refroidissement, un lingot. Ce lingot est concassé pour obtenir une poudre.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté à ce mélange de poudres afin de former une pâte visqueuse. b) Essai de « goutte posée » à 1240°C
La pâte de brasure ainsi préparée est utilisée pour former un petit amas de brasure d'une masse de l'ordre de 50 mg. Cet amas de brasure est déposé sur une plaque de SiC préalablement nettoyée.
L'ensemble de l'amas de brasure et de la plaque est placé dans un four de brasage et soumis à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire avec un seul et unique palier, qui est le palier de brasage, à 1240°C.
L'amas de brasure fond lors de ce traitement thermique et forme une goutte que l'on appelle « goutte posée ».
L'angle de mouillage, contact de la goutte est mesuré in situ pour différentes durées du palier de brasage .
En moins d'une minute à 1240°C, un angle de mouillage d'environ 20° a été observé. Au bout d'une heure à 1240°C l'angle est toujours de l'ordre de 20° ce qui correspond à l'angle stationnaire .
Après solidification, le SiC et sa goutte de brasure solidifiée ont été découpés, enrobés et polis et ont été observés par microscopie électronique à balayage. L' interface SiC/brasure ne présente pas de réactivité à l'échelle de la microscopie électronique à balayage, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de formation de nouveau composé. En particulier, il n'y a pas eu de formation de composés fragiles à l'interface.
Exemple 2 :
Cet exemple décrit des essais de goutte posée réalisés avec une composition, alliage de brasure selon l'invention de composition 60% en masse de Si et 40% en masse de Nd sur du SiC a pur fritté, en observant un unique palier de brasage à 1315°C. a) Préparation de la composition de brasure et de la pâte de brasure
La brasure de composition visée 60% en masse de Si et 40% en masse de Nd a été préparée à partir de morceaux de Si et de morceaux de Nd pur.
Ces morceaux ont été pesés en respectant les proportions de la composition de brasure et placés dans un creuset en alumine. L'ensemble a été placé dans un four et soumis à un cycle thermique avec un palier à 1440°C sous argon pendant une heure. On obtient ainsi, après refroidissement, un lingot. Ce lingot est concassé pour obtenir une poudre.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté à ce mélange de poudres afin de former une pâte visqueuse . b) Essai de « goutte posée » à 1315°C La pâte de brasure ainsi préparée est utilisée pour former un petit amas de brasure d'une masse de l'ordre de 50 mg. Cet amas de brasure est déposé sur une plaque de SiC préalablement nettoyée.
L'ensemble de l'amas de brasure et de la plaque est placé dans un four de brasage et soumis à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire avec un seul et unique palier, qui est le palier de brasage, à 1315°C.
L'amas de brasure fond lors de ce traitement thermique et forme une goutte que l'on appelle « goutte posée ».
L'angle de mouillage, contact de la goutte est mesuré in situ pour différentes durées du palier de brasage.
L'angle de contact est très faible et atteint environ 15° dès 3 minutes à 1315°C, ce qui correspond à l'angle stationnaire .
Après solidification, le SiC et sa goutte de brasure solidifiée ont été découpés, enrobés et polis et ont été observés par microscopie électronique à balayage.
L' interface SiC/brasure ne présente pas de réactivité à l'échelle de la microscopie électronique à balayage, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de formation de nouveau composé. En particulier, il n'y a pas eu de formation de composés fragiles à l'interface.
Exemple 3 :
Cet exemple décrit des essais de goutte posée réalisés avec une composition, alliage de brasure selon l'invention de composition 80% en masse de Si et 20% en masse de Nd sur du SiC a pur fritté, en observant un unique palier de brasage à 1395°C. a) Préparation de la composition de brasure et de la pâte de brasure
La brasure de composition visée 80% en masse de Si et 20% en masse de Nd a été préparée à partir de morceaux de Si et de morceaux de Nd pur.
Ces morceaux ont été pesés en respectant les proportions de la composition de brasure et placés dans un creuset en alumine. L'ensemble a été placé dans un four et soumis à un cycle thermique avec un palier à 1440°C sous argon pendant une heure. On obtient ainsi, après refroidissement, un lingot. Ce lingot est concassé pour obtenir une poudre.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté à ce mélange de poudres afin de former une pâte visqueuse . b) Essai de « goutte posée » à 1395°C
La pâte de brasure ainsi préparée est utilisée pour former un petit amas de brasure d'une masse de l'ordre de 50 mg. Cet amas de brasure est déposé sur une plaque de SiC préalablement nettoyée.
L'ensemble de l'amas de brasure et de la plaque est placé dans un four de brasage et soumis à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire avec un seul et unique palier, qui est le palier de brasage, à 1395°C. L'amas de brasure fond lors de ce traitement thermique et forme une goutte que l'on appelle « goutte posée ».
L'angle de mouillage, contact, de la goutte est mesuré in situ pour différentes durées du palier de brasage .
Après 30 secondes à 1395°C, un angle de mouillage de l'ordre de 20° a été observé. Cet angle correspond à l'angle stationnaire .
Après solidification, le SiC et sa goutte de brasure solidifiée ont été découpés, enrobés et polis et ont été observés par microscopie électronique à balayage.
L' interface SiC/brasure ne présente pas de réactivité à l'échelle de la microscopie électronique à balayage, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de formation de nouveau composé. En particulier, il n'y a pas eu de formation de composés fragiles à l'interface. Exemple 4 :
Cet exemple décrit des essais de goutte posée réalisés avec une composition, alliage de brasure selon l'invention de composition 95% en masse de Si et 5% en masse de Nd sur du SiC a pur fritté, en observant un unique palier de brasage à 1420°C. a) Préparation de la composition de brasure et de la pâte de brasure
La brasure de composition visée 95% en masse de Si et 5% en masse de Nd a été préparée à partir de morceaux de Si et de morceaux de Nd pur. Ces morceaux ont été pesés en respectant les proportions de la composition de brasure et placés dans un creuset en alumine. L'ensemble a été placé dans un four et soumis à un cycle thermique avec un palier à 1440°C sous argon pendant une heure. On obtient ainsi, après refroidissement, un lingot. Ce lingot est concassé pour obtenir une poudre.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté à ce mélange de poudres afin de former une pâte visqueuse. b) Essai de « goutte posée » à 1420°C
La pâte de brasure ainsi préparée est utilisée pour former un petit amas de brasure d'une masse de l'ordre de 50 mg. Cet amas de brasure est déposé sur une plaque de SiC préalablement nettoyée.
L'ensemble de l'amas de brasure et de la plaque est placé dans un four de brasage et soumis à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire avec un seul et unique palier, qui est le palier de brasage, à 1420°C.
L'amas de brasure fond lors de ce traitement thermique et forme une goutte que l'on appelle « goutte posée ».
L'angle de mouillage, contact de la goutte est mesuré in situ pour différentes durées du palier de brasage .
Dès 15 secondes à 1420°C, un angle de mouillage d'environ 20° a été observé. Cet angle correspond à l'angle stationnaire . Après solidification, le SiC et sa goutte de brasure solidifiée ont été découpés, enrobés et polis et ont été observés par microscopie électronique à balayage.
L' interface SiC/brasure ne présente pas de réactivité à l'échelle de la microscopie électronique à balayage, c'est-à-dire qu'il n'y a pas de formation de nouveau composé. En particulier, il n'y a pas eu de formation de composés fragiles à l'interface.
Les exemples 5 à 10 décrivent des expériences d'assemblage par brasage.
Exemple 5 :
Cet exemple décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium SiC a pur fritté, en mettant en œuvre le procédé de brasage selon l'invention, le brasage étant réalisé en configuration capillaire en utilisant une composition de brasure selon l'invention constituée de 48,7% en masse de Si et de 51,3% en masse de Nd.
Cet exemple décrit en outre des essais, tests mécaniques réalisés sur ces assemblages. a) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir 48,7% en masse de Si et 51,3% en masse de Nd a été préparée de la manière décrite dans l'exemple 1. Un liant organique (cément NICROBRAZ ) a été ajouté au mélange de poudres obtenu afin de former une pâte de brasure visqueuse.
Les pièces en Sic fritté à assembler sont des plaques de dimensions 20x10 mm2 et d'épaisseur 1 , 5 mm .
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Les substrats, pièces sont mis en contact en laissant un petit décalage de 1 à 2 mm, de façon à laisser un espace pour déposer la pâte de brasure à proximité du joint (cette configuration est appelée configuration capillaire) . La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure (voir la figure 1) . La quantité de pâte déposée est comprise entre 40 et 60 mg pour cet assemblage. b) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises à un cycle thermique de brasage sous vide qui comprend un seul palier de 20 minutes à 1250°C, qui est le palier de brasage.
Le cycle thermique est représenté sur la
Figure 4. c) Observation du joint
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Il n'y a pas de « manque » et une réactivité n'est pas mise en évidence à l'échelle d' observation de la microscopie électronique à balayage . d) Préparation des éprouvettes d'essais mécaniques et résultats des essais mécaniques
Des éprouvettes (3 éprouvettes) d'essais mécaniques ont préparées par brasage de 2 pièces de dimensions chacune 20x10x1,5 mm3 (l'épaisseur de l'éprouvette brasée est donc 1,5 + 1,5 = 3 mm) (21, 22) avec la pâte de brasure préparée en a) ci-dessus et dans les conditions de brasage décrites en b) ci- dessus. En effet, la mécanique des céramiques étant statistique, on prépare en vue des essais plus d'une éprouvette mais avec le même procédé de fabrication.
Les éprouvettes sont schématisées sur la Figure 2. Elles sont fixées dans un montage et sollicitées en cisaillement lors d'un test de compression / cisaillement (23) à température ambiante.
II est à noter que ce test ne permet pas de garantir du cisaillement pur mais c'est le mode préférentiel. Ce test permet cependant de comparer les assemblages entre eux. · Résultats des essais mécaniques :
Les contraintes à rupture déterminées pour chacune des 3 éprouvettes sont 63 MPa ; 61 MPa ; et 62 MPa ; soit une moyenne de 62 MPa.
Il est à noter que les valeurs de contraintes à rupture de jonctions, assemblages du type SiC/brasure riche en Si/SiC peuvent être plus ou moins dispersées du fait du caractère fragile des matériaux céramiques .
Exemple 6 :
Cet exemple décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium SiC a pur fritté, en mettant en œuvre le procédé de brasage selon l'invention, le brasage étant réalisé en configuration « sandwich » en utilisant une composition de brasure selon l'invention constituée de 48,7% en masse de Si et de 51,3% en masse de Nd. a) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir 48,7% en masse de Si et 51,3% en masse de Nd a été préparée de la manière décrite dans l'exemple 1.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté au mélange de poudres obtenu afin de former une pâte de brasure visqueuse.
Les pièces en SiC fritté à assembler sont des plaques de dimensions 15x15 mm2 et d'épaisseur 1 mm.
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
La pâte de brasure est étalée avec un pinceau sur les surfaces de substrats, pièces en SiC à assembler. Puis, les surfaces enduites avec la pâte sont mises en contact (Figure 3.) . La quantité de pâte déposée est comprise entre 40 et 60 mg pour cet assemblage. b) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises, comme dans l'exemple 5, à un cycle thermique de brasage sous vide qui comprend un seul palier de 20 minutes à 1250°C, qui est le palier de brasage.
Le cycle thermique est représenté sur la Figure 4. Le cycle est le même que celui de l'Exemple 5 , figure 4. c) Observation du joint
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Une réactivité n'est pas mise en évidence à l'échelle d'observation de la microscopie électronique à balayage. Le joint est rempli à 90% et quelques petits manques sont observés.
Exemple 7 :
Cet exemple décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium SiC a pur fritté, en mettant en œuvre le procédé de brasage selon l'invention, le brasage étant réalisé en configuration capillaire en utilisant une composition de brasure selon l' invention constituée de 60 % en masse de Si et de 40 % en masse de Nd. Cet exemple décrit en outre des essais, tests mécaniques réalisés sur ces assemblages. a) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir 60% en masse de Si et 40% en masse de Nd a été préparée de la manière décrite dans l'exemple 2.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté au mélange de poudres obtenu afin de former une pâte de brasure visqueuse.
Les pièces en Sic fritté à assembler sont des plaques de dimensions 20x10 mm2 et d'épaisseur 1,5 mm .
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Les substrats, pièces sont mis en contact en laissant un petit décalage de 1 à 2 mm, de façon à laisser un espace pour déposer la pâte de brasure à proximité du joint (cette configuration est appelée configuration capillaire) . La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure (voir la figure 1), comme dans l'exemple 5. La quantité de pâte déposée est comprise entre 40 et 60 mg pour cet assemblage. b) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises à un cycle thermique de brasage sous vide qui comprend un seul palier de 20 minutes à 1330°C, qui est le palier de brasage.
Le cycle thermique est représenté sur la
Figure 5. c) Observation du joint
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Il n'y a pas de « manque » et une réactivité n'est pas mise en évidence à l'échelle d' observation de la microscopie électronique à balayage . d) Préparation des éprouvettes d'essais mécaniques et résultats des essais mécaniques
Des éprouvettes (3 éprouvettes) d'essais mécaniques ont préparées par brasage de 2 pièces de dimensions 20x10x1,5 mmJ (21, 22) avec la pâte de brasure préparée en a) ci-dessus et dans les conditions de brasage décrites en b) ci-dessus. En effet, la mécanique des céramiques étant statistique, on prépare en vue des essais plus d'une éprouvette mais avec le même procédé de fabrication.
Les éprouvettes sont schématisées sur la figure 2. Elles sont fixées dans un montage et sollicitées en cisaillement lors d'un test de compression / cisaillement (23) à température ambiante (mode de sollicitation préférentiel : cisaillement mais ce test ne permet pas d'obtenir du cisaillement pur) . Les éprouvettes ont des dimensions identiques à celles de l'exemple 5 et sont testées de la même façon. · Résultats des essais mécaniques :
Les contraintes à rupture déterminées pour chacune des 3 éprouvettes sont 87 MPa ; 105 MPa ; et 76 MPa ; soit une moyenne de 89 MPa. Exemple 8 :
Cet exemple décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium SiC a pur fritté, en mettant en œuvre le procédé de brasage selon l'invention, le brasage étant réalisé en configuration capillaire en utilisant une composition de brasure selon l'invention constituée de 80% en masse de Si et de 20% en masse de Nd.
Cet exemple décrit en outre des essais, tests mécaniques réalisés sur ces assemblages. a) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir 80% en masse de Si et 20% en masse de Nd a été préparée de la manière décrite dans l'exemple 3.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté au mélange de poudres obtenu afin de former une pâte de brasure visqueuse. Les pièces en Sic fritté à assembler sont des plaques de dimensions 20x10 mm2 et d'épaisseur 1 , 5 mm .
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Les substrats, pièces sont mis en contact en laissant un petit décalage de 1 à 2 mm, de façon à laisser un espace pour déposer la pâte de brasure à proximité du joint (cette configuration est appelée configuration capillaire) . La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure (voir la figure 1), comme dans l'exemple 5. La quantité de pâte déposée est comprise entre 40 et 60 mg pour cet assemblage. b) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises à un cycle thermique de brasage sous vide qui comprend un seul palier de 20 minutes à 1440°C, qui est le palier de brasage.
Le cycle thermique est représenté sur la
Figure 6. c) Observation du joint
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Il n'y a pas de « manque » et une réactivité n'est pas mise en évidence à l'échelle d'observation de la microscopie électronique à balayage . d) Préparation des éprouvettes d'essais mécaniques et résultats des essais mécaniques
Des éprouvettes (3 éprouvettes) d'essais mécaniques ont préparées par brasage de 2 pièces de dimensions 20x10x1,5 mmJ (21, 22) avec la pâte de brasure préparée en a) ci-dessus et dans les conditions de brasage décrites en b) ci-dessus. En effet, la mécanique des céramiques étant statistique, on prépare en vue des essais plus d'une éprouvette mais avec le même procédé de fabrication.
Les éprouvettes sont schématisées sur la figure 2. Elles sont fixées dans un montage et sollicitées en cisaillement lors d'un test de compression / cisaillement (23) à température ambiante (mode de sollicitation préférentiel : cisaillement mais ce test ne permet pas d'obtenir du cisaillement pur) .
Les éprouvettes ont des dimensions identiques à celles de l'exemple 5 et sont testées de la même façon.
• Résultats des essais mécaniques :
Les contraintes à rupture déterminées pour chacune des 3 éprouvettes sont 62 MPa ; 129 MPa ; et 68 MPa ; soit une moyenne de 86 MPa.
Exemple 9 :
Cet exemple décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium SiC a pur fritté, en mettant en œuvre le procédé de brasage selon l'invention, le brasage étant réalisé en configuration capillaire en utilisant une composition de brasure selon l'invention constituée de 95% en masse de Si et de 5% en masse de Nd.
Cet exemple décrit en outre des essais, tests mécaniques réalisés sur ces assemblages. e) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir
95% en masse de Si et 5% en masse de Nd a été préparée de la manière décrite dans l'exemple 4.
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté au mélange de poudres obtenu afin de former une pâte de brasure visqueuse.
Les pièces en SiC fritté à assembler sont des plaques de dimensions 20x10 mm'' et d'épaisseur 1 , 5 mm .
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Les substrats, pièces sont mis en contact en laissant un petit décalage de 1 à 2 mm, de façon à laisser un espace pour déposer la pâte de brasure à proximité du joint (cette configuration est appelée configuration capillaire) . La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure (voir la figure 1), comme dans l'exemple 5. La quantité de pâte déposée est comprise entre 40 et 60 mg pour cet assemblage. f) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises à un cycle thermique de brasage sous vide qui comprend un seul palier de 20 minutes à 1440°C, qui est le palier de brasage.
Le cycle thermique est représenté sur la Figure 6 et est identique à celui de l'exemple 8. g) Observation du joint
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Il n'y a pas de « manque » et une réactivité n'est pas mise en évidence à l'échelle d' observation de la microscopie électronique à balayage . h) Préparation des éprouvettes d'essais mécaniques et résultats des essais mécaniques
Des éprouvettes (3 éprouvettes) d'essais mécaniques ont préparées par brasage de 2 pièces de dimensions 20x10x1,5 mm3 (21, 22) avec la pâte de brasure préparée en a) ci-dessus et dans les conditions de brasage décrites en b) ci-dessus. En effet, la mécanique des céramiques étant statistique, on prépare en vue des essais plus d'une éprouvette mais avec le même procédé de fabrication.
Les éprouvettes sont schématisées sur la figure 2. Elles sont fixées dans un montage et sollicitées en cisaillement lors d'un test de compression / cisaillement (23) à température ambiante (mode de sollicitation préférentiel : cisaillement mais ce test ne permet pas d'obtenir du cisaillement pur) .
Les éprouvettes ont des dimensions identiques à celles de l'exemple 5 et sont testées de la même façon.
• Résultats des essais mécaniques :
Les contraintes à rupture déterminées pour chacune des 3 éprouvettes sont 72 MPa ; 68 MPa ; et 53 MPa ; soit une moyenne de 64 MPa.
Exemple 10 :
Cet exemple est un exemple comparatif qui décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium SiC a pur fritté, par un procédé de brasage réalisé en configuration capillaire en utilisant une composition de brasure comparative, non conforme à l'invention constituée de 42% en masse de Si et de 58% en masse de Nd.
Cet exemple décrit en outre des essais, tests mécaniques réalisés sur ces assemblages. a) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir 42% en masse de Si et 58% en masse de Nd a été préparée de la manière décrite dans l'exemple 2 en modifiant bien entendu les concentrations en Si et Nd. Un liant organique (cément NICROBRAZ ) a été ajouté au mélange de poudres obtenu afin de former une pâte de brasure visqueuse.
Les pièces en Sic fritté à assembler sont des plaques de dimensions 20x10 mm2 et d'épaisseur 1 , 5 mm .
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Les substrats, pièces sont mis en contact en laissant un petit décalage de 1 à 2 mm, de façon à laisser un espace pour déposer la pâte de brasure à proximité du joint (cette configuration est appelée configuration capillaire) . La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure (voir la figure 1), comme dans l'exemple 5. La quantité de pâte de brasure déposée est comprise entre 40 et 60 mg pour cet assemblage . b) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises à un cycle thermique de brasage sous vide qui comprend un seul palier de 20 minutes à 1460°C, qui est le palier de brasage. c) Observation du joint
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Il n'y a pas de « manque » et une réactivité n'est pas mise en évidence à l'échelle d' observation de la microscopie électronique à balayage . d) Préparation des éprouvettes d'essais mécaniques et résultats des essais mécaniques
Des éprouvettes (3 éprouvettes) d'essais mécaniques ont préparées par brasage de 2 pièces de dimensions 20x10x1,5 mirf (21, 22) avec la pâte de brasure préparée en a) ci-dessus et dans les conditions de brasage décrites en b) ci-dessus. En effet, la mécanique des céramiques étant statistique, on prépare en vue des essais plus d'une éprouvette mais avec le même procédé de fabrication.
Les éprouvettes sont schématisées sur la figure 2. Elles sont fixées dans un montage et sollicitées en cisaillement lors d'un test de compression / cisaillement (23) à température ambiante (mode de sollicitation préférentiel : cisaillement mais ce test ne permet pas d'obtenir du cisaillement pur) .
Les éprouvettes ont des dimensions identiques à celles de l'exemple 5 et sont testées de la même façon.
• Résultats des essais mécaniques :
Une des contraintes à rupture déterminées est de 30 MPa, ce qui est nettement en-dessous de la moyenne des contraintes à rupture obtenues dans les exemples conformes à l'invention réalisés avec des compositions de brasure selon l'invention qui est de 76 MPa, et qui est aussi nettement en-dessous de la valeur la plus basse des contraintes à rupture obtenues dans les exemples conformes à l'invention, réalisés avec des compositions de brasure selon l'invention, qui est de 53 MPa. Exemple 11 :
Cet exemple décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium SiC a pur fritté, par un procédé de brasage réalisé en configuration capillaire en utilisant une composition de brasure comparative, non conforme à l'invention, constituée de 59% en masse de Si et de 41% en masse de Y.
Cet exemple décrit en outre des essais, tests mécaniques réalisés sur ces assemblages. a) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir 59% en masse de Si et 41% en masse de Y a été préparée à partir de poudre de Si et de poudre de YSi2.
Ces poudres ont été pesées en respectant les proportions de la composition de brasure visée. Elles ont ensuite été mélangées au « Turbula » pendant au moins 30 minutes pour obtenir un mélange de poudres homogène .
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté à ce mélange de poudres afin de former une pâte visqueuse . Les pièces en Sic fritté à assembler sont des plaques de dimensions 20x20 mm2 et d'épaisseur 1 mm.
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Les substrats, pièces sont mis en contact en laissant un décalage de 1 à 2 mm, de façon à laisser un espace pour déposer la pâte de brasure à proximité du joint (cette configuration est appelée configuration capillaire) comme dans l'exemple 5. La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure (voir la figure 1) . La quantité déposée est comprise entre 50 et 100 mg pour cet assemblage. b) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire. Le cycle thermique comprend deux paliers :
un premier palier de 90 minutes à
1135 °C;
un second palier qui est le palier de brasage à 1270°C. c) Observation du joint
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Il n'y a pas de « manque » et une réactivité à l'échelle de la microscopie électronique à balayage n'est pas mise en évidence à l'échelle de la microscopie électronique à balayage. d) Préparation des éprouvettes d'essais mécaniques et résultats des essais mécaniques
Des éprouvettes (4 éprouvettes) d'essais mécaniques ont préparées par brasage de 2 pièces de dimensions 20x10x1 mm3 (21, 22) avec la pâte de brasure préparée en a) ci-dessus et dans les conditions de brasage décrites en b) ci-dessus. En effet, la mécanique des céramiques étant statistique, on prépare en vue des essais plus d'une éprouvette mais avec le même procédé de fabrication.
Les éprouvettes sont schématisées sur la figure 2. Elles sont fixées dans un montage et sollicitées en cisaillement par compression / cisaillement (23) comme dans les exemples 5, 7, 8, 9 et 10 à température ambiante. · Résultats des essais mécaniques :
Les valeurs des contraintes à rupture déterminées pour chacune des 4 éprouvettes sont 27 MPa ; 21 MPa ; 21 MPa ; 34 MPa ; soit une moyenne de 25 MPa.
Les valeurs de ces contraintes à rupture sont nettement inférieures à celles des exemples 5, 7, 8, et 9, dont la moyenne est de 76 MPa.
Exemple 12 :
Cet exemple décrit la préparation de liaisons, assemblages entre deux pièces en carbure de silicium Sic ce pur fritté, par un procédé de brasage réalisé en configuration capillaire en utilisant une composition de brasure comparative, non conforme à l'invention du système Si-Ce, constituée de 57% en masse de Si et de 43% en masse de Ce.
Cet exemple décrit en outre des essais, tests mécaniques réalisés sur ces assemblages. a) Préparation de la composition de brasure, de la pâte de brasure, et des pièces à assembler
La brasure de composition visée, à savoir 57% en masse de Si et 43% en masse de Ce a été préparée à partir de poudre de Si et de poudre de CeSi2.
Ces poudres ont été pesées en respectant les proportions de la composition de brasure visée. Elles ont ensuite été mélangées au « Turbula » pendant au moins 30 minutes pour obtenir un mélange de poudres homogène .
Un liant organique (cément NICROBRAZ®) a été ajouté à ce mélange de poudres afin de former une pâte visqueuse .
Les pièces en Sic fritté à assembler sont des plaques de dimensions 20x20 mm2 et d'épaisseur 1 mm .
Les pièces sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Les substrats, pièces sont mis en contact en laissant un décalage de 1 à 2 mm, de façon à laisser un espace pour déposer la pâte de brasure à proximité du joint (cette configuration est appelée configuration capillaire) comme dans l'exemple 5. La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure (voir la figure 1) . La quantité déposée est comprise entre 50 et 100 mg pour cet assemblage. b) Brasage
Les pièces mises en contact et prêtes à être brasées sont placées dans un four de brasage sous vide secondaire et soumises à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire. Le cycle thermique comprend un palier unique à 1280°C pendant 20 minutes, qui est le palier de brasage. c) Observation du joint.
Après refroidissement, l'ensemble est bien assemblé. Le joint a été caractérisé en microscopie électronique à balayage. Il n'y a pas de « manque » et une réactivité à l'échelle de la microscopie électronique à balayage n'est pas mise en évidence à l'échelle de la microscopie électronique à balayage. d) Préparation des éprouvettes d'essais mécaniques et résultats des essais mécaniques
Des éprouvettes (2 éprouvettes) d'essais mécaniques ont préparées par brasage de 2 pièces de dimensions 20x10x1,5 mirf (21, 22) avec la pâte de brasure préparée en a) ci-dessus et dans les conditions de brasage décrites en b) ci-dessus. En effet, la mécanique des céramiques étant statistique, on prépare en vue des essais plus d'une éprouvette mais avec le même procédé de fabrication.
Les éprouvettes sont schématisées sur la figure 2. Elles sont fixées dans un montage et sollicitées en cisaillement par compression / cisaillement (23) à température ambiante selon le même protocole que dans les exemples 5, 7, 8, 9, 10, et 11. · Résultats des essais mécaniques :
Les valeurs des contraintes à rupture déterminées pour chacune des 2 éprouvettes sont 10 MPa et 29 MPa ; soit une moyenne de 20 MPa.
Les valeurs de ces contraintes à rupture sont nettement inférieures à celles des exemples 5, 7, 8, et 9, conformes à l'invention dont la moyenne est de 76 MPa.
Exemple 13 :
Dans cet exemple, on réalise l'assemblage de 3 plaques de Sic a pur fritté à l'aide de deux brasages successifs à deux températures de brasage différentes avec respectivement une composition de brasure Si-Nd et une composition de brasure Si-Zr.
La brasure Si-Zr a été préparée à partir d'un mélange de deux poudres Si et ZrSi2 dans des proportions choisies de façon à respecter la composition 11,5% masse Zr-88,5% masse Si visée. Ce mélange a ensuite été homogénéisé au « Turbula » pendant au moins 30 minutes. Un liant organique (cément Nicrobraz® ou gel Vitta®) a été ajouté à ce mélange de poudres afin de former la pâte de brasure. Trois plaques en SiC (2 plaques de dimensions 40x40x1 mm3 et 1 plaque de dimensions 50x50x1 mur) sont nettoyées à l'acétone puis à l'éthanol et enfin séchées.
Une plaque de dimensions 50x50x1 mmJ (71) est recouverte avec une plaque de dimensions 40x40x1 mm3 (72) . Un espace (73) est disponible au bord de la plaque supérieure (72) pour déposer la pâte de brasure (74) à proximité du joint (75) . La pâte est déposée avec une spatule sur la surface disponible au bord du joint, sous la forme d'un cordon de brasure
(74), la quantité de brasure déposée étant 200 mg
(Figure 7 ) .
L'ensemble est placé dans un four et soumis à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire avec un palier de brasage de 20 minutes à 1420°C. Après refroidissement, l'ensemble est bien brasé.
Cet ensemble est ensuite mis en contact avec la troisième plaque (76) de Sic a pur fritté de dimensions 40x40x1 mm3 comme indiqué sur la figure 8. La pâte de brasure SiNd de composition 48,7 ~6 Si
51,3% Nd (% massique) a été préparée à partir des éléments purs Si et Nd comme indiqué dans l'exemple 1. La pâte de brasure (77) est déposée au bord du second joint (78) (figure 8), la quantité de brasure déposée étant 420 mg. L'ensemble est placé dans un four et soumis à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire avec un palier d'homogénéisation de 2 heures à 1100°C suivi d'un palier de brasage à 1250°C pendant 30 minutes. Après ce cycle thermique, les trois plaques sont bien brasées. La brasure ZrSi n'a pas fondu au moment du second cycle de brasage puisque cette brasure commence à fondre à partir de 1370°C, soit 120°C au- dessus de la température du second palier de brasage. Les joints ainsi formés ont été caractérisés par métallographie et sont bien remplis par les brasures.
Exemple 14 :
Dans cet exemple, on réalise l'assemblage de 3 plaques de Sic a pur fritté à l'aide de deux brasages successifs à deux températures de brasage différentes avec respectivement une brasure Si-Nd et une brasure Si-Zr, la brasure Si-Nd ayant une composition différente de celle de l'exemple 13.
Un premier ensemble de deux plaques est brasé avec la brasure Si-Zr de composition 11,5% masse Zr-88,5% masse Si, comme détaillée dans l'exemple 13 avec un palier de brasage de 20 minutes à 1420°C (plaques de mêmes dimensions que dans l'exemple 13) (Figure 7 ) .
Cet ensemble est ensuite mis en contact avec la troisième plaque de Sic a pur fritté de dimensions 40x40x1 mm3.
La pâte de brasure Si-Nd de composition
60% Si - 40% Nd (% massique) a été préparée à partir des éléments purs Si et Nd comme indiqué dans l'exemple 2. La pâte de brasure est déposée au bord du second joint (Figure 8 ), la quantité de brasure déposée étant 400 mg. L'ensemble est placé dans un four et soumis à un cycle thermique de brasage sous vide secondaire avec un palier d'homogénéisation de 2 heures à 1100°C suivi d'un palier de brasage à 1330°C pendant 30 minutes.
Après ce cycle thermique, les trois plaques sont bien brasées. La brasure ZrSi n'a pas fondu au moment du second cycle de brasage puisque cette brasure commence à fondre à partir de 1370°C, soit 40°C au- dessus de la température du second palier de brasage. Les joints ainsi formés ont été caractérisés par métallographie et sont bien remplis par les brasures.
REFERENCES
[1] Gasse A., Coing-Boyat G., Bourgeois G., "Method using a thick joint for joining parts in SiC-based materials by refractory brazing and refractory thick joint thus obtained"', Brevet US-A-5 975 407, 1999.
[2] Gasse A., "Method for assembling parts made of materials based on SiC by non-reactive refractory brazing, brazing composition , and joint and assembly obtained by said method", Demande US-A1- 2003/0038166.
[3] Heap H., "Method for assembling parts made of materials based on SiC by non-reactive refractory brazing, brazing composition , and joint and assembly obtained by said method" , Brevet US-A- 2003/0038166, 1974.
[4] Montgomery F.C., Streckert H. H., Braze for Silicon Carbide bodies, Brevet US-A-5 447 683, 1995.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé d'assemblage d'au moins deux pièces en matériaux à base de carbure de silicium par brasage non-réactif, dans lequel on met en contact les pièces avec une composition de brasure non-réactive, on chauffe l'ensemble formé par les pièces et la composition de brasure à une température de brasage suffisante pour faire fondre la composition de brasure, et on refroidit les pièces et la composition de brasure afin de former après solidification de celle-ci un joint moyennement réfractaire ; dans lequel la composition de brasure non-réactive est un alliage binaire constitué, en pourcentages en masse, de 46% à 99% de silicium et de 54% à 1% de néodyme.
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la température de brasage est inférieure ou égale à 1450°C, de préférence la température de brasage est de 1210°C à 1450°C.
3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite composition de brasure est un alliage binaire, constitué en pourcentages en masse, de 48% à 51% de silicium et de 52% à 49% de néodyme, par exemple de 48,7% de silicium et de 51,3% de néodyme.
4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite composition de brasure est un alliage binaire, constitué en pourcentages en masse, de 51% à 58% de silicium, et de 49% à 42% de néodyme.
5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite composition de brasure est un alliage binaire, constitué en pourcentages en masse, de 58% à 65% de silicium, et de 42% à 35% de néodyme, par exemple de 60% de silicium et de 40% de néodyme.
6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite composition de brasure est un alliage binaire, constitué en pourcentages en masse, de 65% à 80% de silicium, et de 35% à 20% de néodyme, par exemple de 80% de silicium et de 20% de néodyme.
7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite composition de brasure est un alliage binaire, constitué en pourcentages en masse, de 80% à 95% de silicium, et de 20 de néodyme, par exemple de 95% de silicium et de 5% de néodyme.
8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ladite composition de brasure est un alliage binaire, constitué en pourcentages en masse, de 95% à 99% de silicium, et de 5% à 1% de néodyme.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel, préalablement au brasage, on effectue un ajout d'un renfort dans la composition de brasure.
10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel le renfort est en un matériau choisi parmi les céramiques telles que le SiC, et le C.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, dans lequel le renfort se présente sous la forme de particules, par exemple d'une poudre ; de fibres ; d'un non-tissé de fibres ; ou d'un tissu de fibres.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, dans lequel ledit ajout d'un renfort est réalisé en une quantité de 5 à 49 % en masse par rapport à la masse de la composition de la brasure.
13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel on forme une poudre de composition de brasure, on met en suspension cette poudre dans un liant organique de façon à obtenir une suspension ou pâte et en ce qu'on enduit au moins une surface des pièces à assembler avec la suspension ou pâte obtenue .
14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel on enduit une surface à assembler d'au moins l'une des pièces à assembler avec la suspension ou pâte, puis on met en contact les surfaces à assembler des pièces de façon à ce que la suspension ou pâte soit intercalée entre celles-ci.
15. Procédé selon la revendication 13, dans lequel les pièces à assembler sont mises en contact en observant un décalage entre celles-ci de façon à créer une surface susceptible de recevoir la suspension ou pâte à proximité du joint formé par les surfaces à assembler des pièces à assembler, puis on dépose la suspension ou pâte sur cette surface.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le brasage est effectué à une température de brasage supérieure d' au moins 15°C, de préférence d'au moins 30°C, à la température de fusion de la composition de brasure.
17. Procédé selon la revendication 16, dans lequel le brasage est réalisé en effectuant un palier de brasage à une température de brasage de 1210 °C à 1450°C, maintenue pendant une durée de 15 à 90 minutes, de préférence de 20 à 90 minutes, de préférence encore de 20 à 60 minutes, mieux de 20 à 30 minutes.
18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le palier de brasage est effectué à une température de brasage de 1250 °C maintenue pendant une durée de 30 minutes.
19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 17 et 18, dans lequel préalablement au palier de brasage, on observe un premier palier à une température de 1080°C à 1150°C, de préférence de 1100°C à 1150°C, maintenue pendant une durée de 30 à 120 minutes, de préférence de 60 à 120 minutes, de préférence encore de 90 à 120 minutes.
20. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les matériaux à base de carbure de silicium sont choisis parmi les carbures de silicium pur tels que le carbure de silicium pur a (SiCOC) ou β ( Ξ ίθβ ) et les matériaux composites à base de Sic tels que les composites à fibres et/ou à matrice de carbure de silicium.
21. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les matériaux à base de carbure de silicium sont choisis parmi le carbure de silicium fritté sans pression ("PLS-SiC") ; le carbure de silicium infiltré Si ("SiSiC" ou "RBSC") ; le carbure de silicium recristallisé poreux ("RSiC") ; le graphite silicium ("C-SiC") constitué de graphite et recouvert par une couche de Sic ; les composites SiC/SiC, par exemple, à fibres ou à « whiskers » ; les composites SiC/SiC à matrice auto¬ cicatrisante ; les composites C/SiC, par exemple, à fibres ou à « whiskers » de carbone et à matrice SiC ; les monocristaux de SiC ; les composites du SiC avec une autre céramique, par exemple les composites SiC/Si3N4 et SiC/TiN.
22. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel lesdits matériaux à base de carbure de silicium ont une teneur en carbure de silicium au moins égale à 50% en masse, de préférence au moins égale à 80% en masse, et de préférence encore égale à 100 ~6 en masse .
23. Procédé d'assemblage par brasage d'au moins trois pièces en matériaux à base de carbure de silicium dans lequel on réalise les étapes successives suivantes :
a) on assemble par brasage à une température de brasage Tl, au moins deux pièces en matériaux à base de carbure de silicium, à l'aide d'une composition de brasure constituée par un alliage binaire de silicium et d'un élément X, ledit alliage étant plus réfractaire que l'alliage binaire constitué, en pourcentages en masse, de 46% à 99% de silicium et de 54% à 1% de néodyme, de préférence que l'alliage binaire constitué en pourcentages en masse de 46% à 65% de silicium et de 54% à 35% de néodyme, de préférence encore que l'alliage binaire constitué en pourcentages en masse de 46% à 60% de silicium et de 54% à 40% de néodyme ; moyennant quoi on obtient un premier assemblage d' au moins deux pièces ;
b) on assemble, par brasage à une température de brasage T2, avec le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, au moins une autre pièce en matériau à base de carbure de silicium avec l'assemblage d'au moins deux pièces obtenu dans 1 ' étape a) .
24. Procédé selon la revendication 23, dans lequel Tl est supérieure à T2 d'au moins 40°C.
25. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 et 24, dans lequel X est choisi parmi Ti, Zr, V, Ru, Re, Hf, Cr, et Rh.
26. Procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 25, dans lequel l'alliage binaire de silicium et d'un élément X a une température de fusion supérieure à 1350°C, et la température Tl est de 1400 à 1450°C.
27. Composition de brasure telle que définie dans l'une quelconque des revendications 1 et 3 à 8.
28. Composition pour le brasage non-réactif de pièces en matériaux à base de carbure de silicium comprenant une composition de brasure non-réactive selon la revendication 27 et, en outre, un ajout d'un renfort .
29. Pâte, suspension, de brasure pour le brasage moyennement réfractaire non-réactif de pièces en matériaux à base de carbure de silicium comprenant une poudre d'une composition de brasure non-réactive selon la revendication 27 et un liant, cément organique liquide .
30. Joint moyennement réfractaire susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 22.
31. Assemblage comprenant au moins deux pièces en matériaux à base de Sic, susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 22.
32. Assemblage comprenant au moins trois pièces en matériaux à base de Sic, susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 23 à 26.
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