WO2009052356A3 - Procédés et compositions conductrices destinés à être utilisés dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteur - Google Patents

Procédés et compositions conductrices destinés à être utilisés dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteur Download PDF

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Abstract

Des modes de réalisation de l'invention portent sur un dispositif à semi-conducteur au silicium, et sur une pâte à l'argent conductrice destinés à être utilisés dans la face avant d'un dispositif de pile solaire.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2566823B1 (fr) 2010-05-04 2016-10-05 E. I. du Pont de Nemours and Company Pâtes pour film épais contenant des oxydes de plomb-tellure-bore, et leur utilisation dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs
US8696948B2 (en) * 2011-08-11 2014-04-15 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing lead—tellurium—lithium—titanium—oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
US8691119B2 (en) * 2011-08-11 2014-04-08 E I Du Pont De Nemours And Company Thick film paste containing lead-tellurium-lithium-titanium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
CN103871541B (zh) * 2012-05-03 2017-04-12 苏州晶银新材料股份有限公司 太阳能电池中背电极用导电浆料
TWI745562B (zh) 2017-04-18 2021-11-11 美商太陽帕斯特有限責任公司 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1321441A1 (fr) * 2001-12-21 2003-06-25 Shoei Chemical Inc. Verre et pâte conductrice l'utilisant
EP1713095A2 (fr) * 2005-04-14 2006-10-18 E.I. Dupont De Nemours And Company Méthode de fabrication de dispositif semiconducteur et compositions conductrices utilisées
EP1713092A2 (fr) * 2005-04-14 2006-10-18 E.I.Du pont de nemours and company Compositions conductrices et méthode pour leur utilisation dans la fabrication de dispositifs semiconducteurs
EP1713091A2 (fr) * 2005-04-14 2006-10-18 E.I.Du pont de nemours and company Méthode de fabrication d'un dispositif semiconducteur et composés conducteurs utilisés dans celui-ci

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1321441A1 (fr) * 2001-12-21 2003-06-25 Shoei Chemical Inc. Verre et pâte conductrice l'utilisant
EP1713095A2 (fr) * 2005-04-14 2006-10-18 E.I. Dupont De Nemours And Company Méthode de fabrication de dispositif semiconducteur et compositions conductrices utilisées
EP1713092A2 (fr) * 2005-04-14 2006-10-18 E.I.Du pont de nemours and company Compositions conductrices et méthode pour leur utilisation dans la fabrication de dispositifs semiconducteurs
EP1713091A2 (fr) * 2005-04-14 2006-10-18 E.I.Du pont de nemours and company Méthode de fabrication d'un dispositif semiconducteur et composés conducteurs utilisés dans celui-ci

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