WO2005085890A3 - Detecteur de champ magnetique - Google Patents

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WO2005085890A3 PCT/GB2005/000741 GB2005000741W WO2005085890A3 WO 2005085890 A3 WO2005085890 A3 WO 2005085890A3 GB 2005000741 W GB2005000741 W GB 2005000741W WO 2005085890 A3 WO2005085890 A3 WO 2005085890A3
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Univ Cambridge Tech
Peter Littlewood
Meera Parish
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Abstract

L'invention concerne une structure de détection de champ magnétique utilisant la magnétorésistance comme signal. Cette structure comprend un réseau non homogène d'éléments semi-conducteurs interconnectés pouvant présenter différentes formes. Le réglage ou la sélection des propriétés physiques des éléments permet d'ajuster l'ensemble de la réponse magnétorésistive de sorte qu'elle soit importante et sensiblement linéaire sur une plage donnée de champs magnétiques. Ces structures de détection peuvent être utilisées, par exemple, dans des têtes de lecture de disques durs. D'autres modes de réalisation peuvent trouver une application dans la détection de champs de niveau bas ou élevé, certains de ces modes de réalisation présentant un intérêt particulier lorsque la stabilité thermique constitue un facteur important.
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Title
PARISH M M ET AL: "Non-saturating magnetoresistance in heavily disordered semiconductors", NATURE NATURE PUBLISHING GROUP UK, vol. 426, no. 6963, 13 November 2003 (2003-11-13), pages 162 - 165, XP002330399, ISSN: 0028-0836 *

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