WO2003012461A1 - High frequency measuring device comprising a plurality of measuring probes and a method for producing the same - Google Patents

High frequency measuring device comprising a plurality of measuring probes and a method for producing the same Download PDF

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WO2003012461A1
WO2003012461A1 PCT/EP2002/008355 EP0208355W WO03012461A1 WO 2003012461 A1 WO2003012461 A1 WO 2003012461A1 EP 0208355 W EP0208355 W EP 0208355W WO 03012461 A1 WO03012461 A1 WO 03012461A1
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WO
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measuring
arrangement according
probes
carrier
measuring arrangement
Prior art date
Application number
PCT/EP2002/008355
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German (de)
French (fr)
Inventor
Eckhard Ehlermann
Walter Strasser
Original Assignee
Barnfield & Hedges Investment Ltd.
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Application filed by Barnfield & Hedges Investment Ltd. filed Critical Barnfield & Hedges Investment Ltd.
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06772—High frequency probes

Definitions

  • the present invention relates to high-frequency measuring devices and, in particular, to a measuring arrangement for carrying out high-frequency measurements on conductor structures on wafers and to a method for producing such a measuring arrangement.
  • Measuring arrangements of this type are used as so-called probe or needle cards when testing integrated circuits on wafers or are used to test other electronic components, such as microchips, or their components.
  • electronic circuits to be tested as are used today in many telecommunications and computer applications, increasingly generate or process high-frequency signals.
  • the integrated circuits of a wafer are usually checked for functionality and electrical properties before being installed in a housing and end devices. This requires measuring probes that mechanically attach to the contact points of the chip and transmit the measuring signal to the actual measuring devices.
  • round needle-like measuring probes are used for this purpose, which make contact with the contact points of the chip and transmit the measuring signal according to the principle of the coaxial line from and to the measuring devices.
  • the chips on the market today have several 100 contacts that have to be controlled or read out simultaneously with a corresponding measuring arrangement. Since the chips on a wafer generally only have an extension of a few cm 2 , the individual measuring probes are distributed closely next to one another around the chip. This high density of the measuring probes can lead to undesired interference between the individual probes due to the stray fields of the lines of the measuring probes. This mutual interference is particularly relevant at high frequencies of the measurement signal.
  • impedance-controlled measuring arrangements are becoming increasingly important in the increasingly high-frequency measurements. Changes in the impedance along the measuring probe and its feed lines lead to the known reflections and losses of the measuring signal, which can significantly impair the quality of the measurements. This applies in particular to the contact points during the transition from the chips to the measuring probes.
  • measuring signals with frequencies up to 30 megahertz and under certain conditions up to 200 megahertz can be analyzed. However, this is often not sufficient for the ever faster circuits.
  • Another problem with this single needle technology is its relatively high wear.
  • a multiplicity of measuring probes are generally arranged around the chip in accordance with the contact points. To carry out the measurement, the wafer with the chip is then brought up from below to the contact ends of the measuring probes, which are mechanically placed on the corresponding contact points. Due to manufacturing tolerances both for the measuring arrangement or the measuring probes and for the chip to be tested, it can happen that not all measuring probes get contact or only poor contact with their associated contact points at the same time.
  • a measuring arrangement should therefore ensure that, despite the unavoidable manufacturing tolerances, it is possible for all measuring probes of the measuring arrangement to make contact with the respective contact points.
  • DE 199 45 176 A1 discloses a measuring arrangement in which the measuring probes consist of telescopic contact pins which can adjust their length in such a way that they can compensate for any unevenness in the planar conductor structure of the chip to be tested. Furthermore, they are designed such that, at least over a certain axial area of the contact pins, they have a constant wave resistance with the neighboring contact pins and thus achieve a certain impedance control.
  • this measuring arrangement is complex to manufacture and relatively inflexible when adapting to different conductor structures of the chips.
  • the measuring arrangement known from EP 0 331 282 A1 uses a flexible membrane for the contact tips and their leads, with which unevenness in the contacts of the chip to be tested can be compensated. Due to the elasticity of the membrane, however, the conductor tracks adhering to it can also shift relative to one another, which in turn has a disadvantageous effect on the constancy of the impedance of the measuring probes.
  • the present invention solves this problem by a measuring arrangement according to claim 1 and a method for producing the same according to claim 18.
  • Advantageous embodiments of the invention are described in the dependent claims.
  • the invention then provides a measuring arrangement for high-frequency measurements with a plurality of measuring probes for contacting conductor structures on wafers or the like.
  • the measuring probes comprise coplanar and freely floating contact tips, which are fixed by means of at least one carrier near their contact-side end so that they have a fixed position to one another.
  • a measuring probe typically comprises two or three contact tips, in the first case consisting of a signal conductor S and a ground conductor G (G stands for Engl. "ground”), ie a so-called SG arrangement, and in the second case usually consists of a juxtaposition of the ground conductor - signal conductor - ground conductor (GSG).
  • GSG ground conductor
  • the measurement signal then runs as a wave between the contact tips, the GSG arrangement having the advantage that it allows the measurement signal to be shielded from the outside, so that interfering interference with the adjacent measurement probes can be prevented.
  • GSG arrangement having the advantage that it allows the measurement signal to be shielded from the outside, so that interfering interference with the adjacent measurement probes can be prevented.
  • other arrangements are also conceivable, for example GS, SGS, and in particular also individual contact tips fixed to the carrier, or individual contact tips which assume the function of an insulator.
  • a measuring probe thus functionally combines several contact tips to form a measuring probe, of which in turn
  • the measuring arrangement according to the invention uses, contrary to the classic conventional round measuring probes, coplanar, d. H. flat, side-by-side contact tips. Due to the coplanar arrangement of the individual
  • Signal conductors and ground conductors are arranged coplanar in or on a dielectric such that they are resilient and free in the
  • the measuring probes make it possible for the measuring probes to better adapt to any unevenness in the planar conductor structure of the chip to be tested, thus ensuring that a high contact quality can be achieved when the measuring probes are simultaneously contacted with their associated contact points.
  • the flexible coplanar contact tips lead to low-wear contacting of the chips to be tested.
  • the difficulty of coping with measuring arrangements is to keep the position of the measuring probes or their coaxial cable feeds relative to one another constant during the measurements in order to avoid impedance fluctuations and thus the quality of the measurement not to interfere.
  • a carrier fixes the contact tips near their contact-side end, ie near the Area of the contact tips with which the contact points of the chip to be tested are probed in a fixed position to one another. This ensures that the contact tips have a fixed geometry and position with respect to one another and maintain this throughout the entire measuring process.
  • This fixed mutual position of the contact tips to one another has the effect that the wave resistance of the individual measuring probes remains essentially constant over their entire length and thus prevents undesired reflections and losses of the measuring signal.
  • the constancy of the geometry of the measuring probes is also a prerequisite for an optimized frequency behavior of the measuring probes. It is thus achieved that the impedance of the coplanar measuring probes is essentially dispersion-free, that is to say independent of the measuring frequency. In this way, the invention makes it possible to transmit measurement signals at high frequencies with little interference and with little loss.
  • a typical application of the measuring arrangement according to the invention is, for example, a so-called MMIC chip (Monolytic Microwave Integrated Circuit) as used in the GSM power modules.
  • MMIC chip Monitoring Microwave Integrated Circuit
  • a high degree of modularity of the measuring arrangement is desirable so that the measuring arrangement can carry the result and can be used in a versatile and flexible way compatible with different chip layouts.
  • the measuring probes or individual contact tips are preferably detachably attached to the carrier, can individual measuring probes or contact tips can be removed or added in a simple manner in order to satisfy the individual chip layout.
  • the measuring probes or contact tips are preferably fastened to the carrier in such a way that the contact tips of the measuring probes are at an acute angle to the plane of the conductor structure of the chip to be tested, i. H. on their associated contacts.
  • the contact tip literally digs into the contact point of the chip and mechanically removes dust, dirt or oxidized contact points, which in turn increases the contact quality.
  • an acute contact angle between the contact point and contact tip is also more tolerant of unevenness on the planar chip layout, so that simultaneous contact of the measuring probes is ensured.
  • An angle of approximately 7 ° is particularly preferably used.
  • a further modularization and thus expansion of the field of application of the measuring arrangement is preferably achieved in that the carrier can be positioned around the conductor structure of the chip to be measured in accordance with the layout of the contact points.
  • the flexibility is therefore not only by removing and adding individual measuring probes or contact tips, but also by combining several measuring probes into a group, which are fixed to a carrier, and thus can be variably positioned as a group on the sides of the chip.
  • the measuring arrangement comprises a plurality of carriers, each of which has a large number of measuring probes or contact tips, e.g. B. about 100 or more, so that z. B. all four sides of a rectangular chip layout can be connected in a simple manner.
  • the easiest way to achieve such high densities of measuring probes is to fix the measuring probes in the carrier essentially parallel to one another.
  • the geometric layout of the measuring probes is preferably designed such that frequencies can also be measured over 200 megahertz, ie can be transmitted without excessive losses.
  • the carrier or carriers are preferably attached to a carrier card. In order to obtain the advantage of flexibility and modularity in this case as well, the connection of the measuring probes to the carrier card is also designed to be detachable.
  • Ceramic or plastic both of which have the function of an insulator, are used as the preferred material for the supports of the measuring arrangement.
  • the wave resistance of the measuring probes is to be kept constant along the entire measuring path from the contact point to the actual test station. This is preferably achieved in that the measuring probes or the contact tips are arranged correspondingly geometrically.
  • One way to achieve the constancy of the wave resistance along the conductors of the measuring probes is that the distances between the conductors vary accordingly, i.e. for example, by increasing the distance between the contact tips of the measuring probes from the contact points with the chip to the measuring devices.
  • the thickness of the conductors can also be varied without the distances between the centers of the conductors changing. A combination of varying the distance and varying the thickness of the conductors is also advantageous.
  • the present invention provides a lithographic-galvanoplastic method for producing the coplanarly arranged measuring probes or contact tips. This process combines the advantages of a very precise etching technique with relatively low manufacturing costs. With these methods, the measuring probes can be manufactured in a simple and inexpensive manner, which is therefore suitable for series production. It can be used to produce geometrically precise contact tips with a very precisely defined wave resistance and thus low reflection of the measurement signal.
  • Fig. 1 shows a lateral cross section through a wafer testing station with a built-in invention
  • Fig. 2 is a three-dimensional representation of a planar
  • Measuring probe with three contact tips such as are used in the measuring arrangement according to the invention.
  • Fig. 3 shows a lateral cross section through an inventive
  • Fig. 4 is a schematic plan view of measuring probes or contact tips according to the invention during the
  • Fig. 5 is a plan view of an arrangement of measuring probes or contact tips according to the invention and schematically an associated contacted chip.
  • FIG. 1 shows an example of a wafer test station (wafer prober) for high-frequency measurements, which contains a measuring arrangement (probe card) 14 according to the invention.
  • a wafer test station wafer prober
  • a measuring arrangement probe card 14 according to the invention.
  • Carrier cards 4 of the measuring arrangement 14 are fastened to a housing section 10 of the wafer testing station, which leaves a rectangular measuring opening free, in such a way that they leave a viewing area 16 approximately in the middle of the measuring opening.
  • a multiplicity of measuring probes 2 or contact tips are preferably detachably or adhesively connected to the carrier cards 4.
  • a wafer 6 with the conductor structures 20 to be measured is arranged on a holder (so-called chucks) 8 that can be raised and lowered.
  • the contact tips 18 of the respective measuring probes 2 point at an acute angle in the direction of the conductor structures 20 located on the wafer 6.
  • the wafer 6 itself is fixed, for example sucked on, to the holder 8, which ensures that the wafer 6 for carrying out the measurements in
  • the direction of the measuring arrangement 14 can be moved until the contact tips 18 of the measuring probes 2 come into contact with the contact points of the conductor structures 20 of the wafer 6 to be measured.
  • the housing 10 protects the measuring arrangement 14 against environmental influences, light and electromagnetic interference.
  • a CCD camera 12 permits the control and adjustment of the measuring arrangement via a control computer (not shown). Instead of the CCD camera 12, a conventional optical microscope can also be used.
  • the measuring arrangement is preferably designed for high-frequency measurements above 200 megahertz and allows measurements up to 50 GHz.
  • FIG. 2 shows a three-dimensional, perspective representation of a planar measuring probe 2, the planar arrangement of the contact tips 18 being used in the measuring arrangement according to the invention.
  • the contact tips 18 are arranged in a planar manner next to one another in such measuring probes 2, so that there is a freely resilient arrangement of the conductors of the measuring probe 2, which allows a high contact quality.
  • a configuration of two ground conductors 28 (G) and a signal conductor 30 (S) is shown here by way of example, which together form a measuring probe 2.
  • G ground conductors 28
  • S signal conductor 30
  • the contact tips 18 are also connected to the coaxial connection 22 of the measurement signal, the contact tips 28 and 30 being conducted inside the dielectric 24 along a coplanar conductor structure 28 'and 30' to the coaxial connection 22.
  • This design allows inexpensive and precise manufacture of the contact tips 18, which also enables series production.
  • 3 shows a sectional side view of an exemplary embodiment of a measuring arrangement according to the invention.
  • a plurality of measuring probes 2 or contact tips 18 are bundled and fixed to the underside of the carrier card 4 by means of a combination of a carrier body 42 and a carrier 36.
  • the carrier body 42 is preferably made of ceramic, and the carrier 36 made of plastic. Both carrier body 42 and carrier 36 are detachable, e.g. B. connected by a screw to the carrier card 4.
  • Each carrier 36 connects a plurality of measuring probes 2 or contact tips 18 in a fixed geometric position, preferably parallel to one another, and fixes them in this position.
  • the contact tips 18, which are grouped into a plurality of measuring probes 2 are usually fastened to the carrier 36 with the aid of an adhesive.
  • the geometric arrangement of the probes, for which the impedance is as constant as possible, is preferably determined with the aid of field theoretical calculations.
  • a computer program is preferably used which solves the field theoretical equations using three-dimensional finite element methods.
  • FIG. 3 also shows a plan view 48 of contact tips 18 of a measuring arrangement according to the invention bundled by a carrier body 42 or carrier 36 the measuring probes 2 with the carrier card 4.
  • the light areas illustrate the contact tips
  • the darkly shaded areas represent the individual contact tips. They are preferably kept essentially parallel near the connection points by being fixed by means of the carrier body 42 or the carrier 36.
  • the measuring probes are preferably detachably attached to the carrier card 4.
  • the detachable connection is preferably designed as a high-frequency connector or contact spring.
  • the carrier card 4 is made of epoxy resin.
  • the contact tips 18 of the measuring probes 2 protrude through the fastening according to the invention just so much beyond the supports 36 and 42 that they are one have sufficient flexibility when contacting the contacts of the conductor structures and still maintain a firmly defined position relative to one another. Flexibility plays an important role in guaranteeing good contact quality with the conductor structures of the wafer to be measured.
  • the contact tips Due to the flexibility of the contact tips, in particular variations in the height of the contacts of the conductor structures to be measured can be compensated, but also manufacturing tolerances of the measuring probes or the measuring arrangement itself. This can ensure that all measuring probes have contact with the contact points of the conductor structures.
  • the firmly defined geometric position of the measuring probes increases the constancy of the impedance of the measuring probes along the measuring lines, so that undesired reflections and attenuations of the measuring signal can be avoided.
  • the surface of the carrier body 42 connected to the carrier 36 is beveled in a preferred embodiment. This way they hit
  • Ladder structures and their contact points This has the desired effect that the contact tips dig into the contact points and remove any oxide layers or other contaminants on the contact surface. This further improves the contact quality.
  • An angle of approximately 7 ° between the measuring probe 2 and the plane of the wafer 6 is preferably selected. Particularly advantageous with this
  • Design of the carrier 36 and the carrier body 42 is that the carrier 36 is already used in the manufacture of the measuring probes on the panel 32 and the measuring probes are only subsequently attached to the carrier body 42 and thus the measuring arrangement as a complete element 40 of the measuring arrangement.
  • FIG. 5 shows schematically a chip 50 which is located, for example, on a waver 6 in the waver test station of FIG. 1 and whose contact points 52 are simultaneously touched with an arrangement of measuring probes 2 or contact tips 18 of a preferred embodiment.
  • the contact points 52 of the chip include both high-frequency connections (G or S) and direct current connections (DC), such as the voltage supply for the chip or further ground connections (G) for the chip.
  • G or S high-frequency connections
  • DC direct current connections
  • a GSG arrangement of the contact tips i.e. a measuring probe, shields the between the contact tips running wave of the measurement signal towards the outside, so that interfering interference with the adjacent measuring probes can be prevented or at least reduced.
  • the course of the distance between the individual contact tips 18 of such a measuring probe 2 and between the individual measuring probes 2 and their geometric layout is determined for the special connection configuration 52 of the chip 50 by means of a field theoretical simulation program. As shown in the embodiment of FIG. 5, high-frequency measurements and direct current measurements can be carried out simultaneously on a chip, so that all connections of the chip can be checked with only one measurement setup.
  • the individual contact tips 18 are arranged freely floating next to one another in the region 54 and are fastened to the carrier 36 in the region 56, in which they preferably run parallel, preferably by means of an adhesive connection.
  • measuring probes according to the invention are shown during the manufacturing process.
  • the arrangements of measuring probes 2 or contact tips 18 are still on a panel 32, on which they are produced by means of a lithographic-galvanoplastic method known from the prior art, before they are removed from them and installed in the measuring arrangement.
  • Several measuring probes 2 are each combined to form a measuring probe group 40 which is later fixed to the measuring arrangement with a carrier 36 and which are connected to the carrier card 4 via the connection points 44.
  • a silicon wafer is vapor-deposited with a metal layer, onto which a light-sensitive lacquer is applied. This is then exposed through a mask which essentially corresponds to a negative structure of the arrangement of the measuring probes to be produced.
  • the development of the lacquer accordingly creates a structure with depressions corresponding to the structure of the arrangement of the measuring probes or contact tips to be produced. These depressions are then galvanically filled with an electrically conductive material, which ultimately forms the conductors of the measuring probes, before the metal layer is removed.
  • the individual measuring probes or contact tips are then closed with a Täger held together before they are used and installed in the measuring arrangement.

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Abstract

The invention relates to a high frequency measuring device comprising a plurality of measuring probes for contacting conductive structures (5) on wafers and the like. Said measuring probes (2) comprise contact tips (18) which are arranged in a coplanar and freely suspended manner and are fixed by means of at least one carrier (36) close to their contact-side end, in such a way that they are fixed in relation to each other. The invention also relates to a method for producing one such measuring device.

Description

Meßanordnung für Hochfrequenzmessungen mit mehreren Meßsonden und ein Verfahren zur Herstellung derselben Measuring arrangement for high-frequency measurements with several measuring probes and a method for producing the same
Die vorliegende Erfindung betrifft Hochfrequenzmeßgeräte und insbesondere eine Meßanordnung zum Durchführen von Hochfrequenzmessungen an Leiterstrukturen auf Wafern sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Meßanordnung.The present invention relates to high-frequency measuring devices and, in particular, to a measuring arrangement for carrying out high-frequency measurements on conductor structures on wafers and to a method for producing such a measuring arrangement.
Meßanordnungen dieser Art werden als sogenannte Sonden- oder Nadelkarten bei der Prüfung von integrierten Schaltkreisen auf Wafern eingesetzt oder dienen zum Testen anderer elektronischer Bauelemente, wie zum Beispiel Mikrochips, oder deren Komponenten. Derartige zu testende elektronische Schaltungen, wie sie heute in vielen Telekommunikations- und Computeranwendungen verwendet werden, erzeugen bzw. verarbeiten zunehmend auch Hochfrequenzsignale. Üblicherweise werden die integrierten Schaltkreise eines Wafers vor dem Einbau in ein Gehäuse und Endgeräte auf ihre Funktionsfähigkeit und elektrischen Eigenschaften hin geprüft. Dazu bedarf es Meßsonden, die mechanisch auf den Kontaktstellen des Chip aufsetzen und das Meßsignal zu den eigentlichen Meßgeräten übertragen.Measuring arrangements of this type are used as so-called probe or needle cards when testing integrated circuits on wafers or are used to test other electronic components, such as microchips, or their components. Such electronic circuits to be tested, as are used today in many telecommunications and computer applications, increasingly generate or process high-frequency signals. The integrated circuits of a wafer are usually checked for functionality and electrical properties before being installed in a housing and end devices. This requires measuring probes that mechanically attach to the contact points of the chip and transmit the measuring signal to the actual measuring devices.
Herkömmlicherweise werden dazu runde nadelartige Meßsonden verwendet, die den Kontakt mit den Kontaktstellen des Chip herstellen und das Meßsignal nach dem Prinzip der Koaxialleitung von und zu den Meßgeräten übertragen. Typischerweise haben die heute auf dem Markt befindlichen Chips mehrere 100 Kontakte, die mit einer entsprechenden Meßanordnung gleichzeitig angesteuert bzw. ausgelesen werden müssen. Da die auf einem Wafer befindlichen Chips in der Regel nur eine Ausdehnung von einigen cm2 besitzen, sind die einzelnen Meßsonden eng nebeneinander um den Chip verteilt. Diese hohe Dichte der Meßsonden kann aufgrund der Streufelder der Leitungen der Meßsonden zu unerwünschten Interferenzen zwischen den einzelnen Sonden führen. Diese gegenseitige Störung ist insbesondere bei hohen Frequenzen des Meßsignals relevant. Ein weiterer Parameter neben der Übertragungsfrequenz, der ganz entscheidend die Eigenschaften der Meßanordnung beeinflußt, ist der Wellenwiderstand (Impedanz) der Leitungen, auf welchen die Meßsignale übertragen werden. Auch dieser wird entscheidend von der geometrischen Anordnung der Leitungen der Meßsonden zueinander bestimmt und liegt z. B. bei 28 oder 50 Ohm. Die Geometrie der Anordnung der Meßsonden spielt daher eine wichtige Rolle für die Qualität der Messung, insbesondere bei Hochfrequenzmessungen.Conventionally, round needle-like measuring probes are used for this purpose, which make contact with the contact points of the chip and transmit the measuring signal according to the principle of the coaxial line from and to the measuring devices. Typically, the chips on the market today have several 100 contacts that have to be controlled or read out simultaneously with a corresponding measuring arrangement. Since the chips on a wafer generally only have an extension of a few cm 2 , the individual measuring probes are distributed closely next to one another around the chip. This high density of the measuring probes can lead to undesired interference between the individual probes due to the stray fields of the lines of the measuring probes. This mutual interference is particularly relevant at high frequencies of the measurement signal. Another parameter in addition to the transmission frequency, which has a very decisive influence on the properties of the measuring arrangement, is the characteristic impedance (impedance) of the lines on which the measuring signals are transmitted. This is also decisively determined by the geometrical arrangement of the lines of the measuring probes to one another and lies, for. B. at 28 or 50 ohms. The geometry of the arrangement of the measuring probes therefore plays an important role in the quality of the measurement, particularly in the case of high-frequency measurements.
Aufgrund der Frequenzabhängigkeit der Impedanz gewinnen impedanzkontrollierte Meßanordnungen bei den zunehmend hochfrequenteren Messungen eine wachsende Bedeutung. Änderungen der Impedanz entlang der Meßsonde und ihren Zuleitungen führen zu den bekannten Reflexionen und Verlusten des Meßsignals, welche die Qualität der Messungen erheblich beeinträchtigen können. Dies gilt insbesondere auch an den Kontaktstellen beim Übergang von den Chips zu den Meßsonden.Because of the frequency dependence of the impedance, impedance-controlled measuring arrangements are becoming increasingly important in the increasingly high-frequency measurements. Changes in the impedance along the measuring probe and its feed lines lead to the known reflections and losses of the measuring signal, which can significantly impair the quality of the measurements. This applies in particular to the contact points during the transition from the chips to the measuring probes.
In herkömmlichen Anordnungen von runden Einzelmeßsonden können dabei Meßsignale mit Frequenzen bis 30 Megahertz und unter bestimmten Bedingungen bis 200 Megahertz analysiert werden. Dies ist jedoch für die immer schneller werdenden Schaltkreise oft nicht ausreichend. Ein weiteres Problem dieser Einzelnadeltechnologie ist ihr relativ hoher Verschleiß. Wie vorstehend erwähnt, sind bei einer solchen Meßanordnung in der Regel eine Vielzahl von Meßsonden gemäß den Kontaktstellen um den Chip angeordnet. Zur Durchführung der Messung wird der Wafer mit dem Chip dann von unten an die Kontaktenden der Meßsonden herangeführt, welche auf die entsprechenden Kontaktstellen mechanisch aufsetzen. Aufgrund von Herstellungstoleranzen sowohl bei der Meßanordnung bzw. den Meßsonden als auch bei dem zu prüfenden Chip, kann es vorkommen, daß nicht alle Meßsonden gleichzeitig Kontakt bzw. nur schlechten Kontakt mit ihren zugehörigen Kontaktstellen bekommen. Eine Meßanordnung sollte daher gewährleisten, daß trotz der unvermeidbaren Herstellungstoleranzen ein Kontakt aller Meßsonden der Meßanordnung mit den jeweiligen Kontaktstellen möglich ist. Die DE 199 45 176 A1 offenbart eine Meßanordnung, bei der die Meßsonden aus teleskopartigen Kontaktstiften bestehen, die ihre Länge derart verstellen können, daß sie eventuelle Unebenheiten der zu prüfenden planaren Leiterstruktur des Chip ausgleichen können. Des weiteren sind sie so ausgebildet, daß sie, wenigstens über einen bestimmten axialen Bereich der Kontaktstifte, einen konstanten Wellenwiderstand mit den benachbarten Kontaktstiften aufweisen und somit eine gewisse Impedanzkontrolle erzielen. Diese Meßanordnung ist jedoch aufwendig herzustellen und relativ unflexibel bei der Anpassung an verschiedene Leiterstrukturen der Chips.In conventional arrangements of round individual measuring probes, measuring signals with frequencies up to 30 megahertz and under certain conditions up to 200 megahertz can be analyzed. However, this is often not sufficient for the ever faster circuits. Another problem with this single needle technology is its relatively high wear. As mentioned above, in such a measuring arrangement, a multiplicity of measuring probes are generally arranged around the chip in accordance with the contact points. To carry out the measurement, the wafer with the chip is then brought up from below to the contact ends of the measuring probes, which are mechanically placed on the corresponding contact points. Due to manufacturing tolerances both for the measuring arrangement or the measuring probes and for the chip to be tested, it can happen that not all measuring probes get contact or only poor contact with their associated contact points at the same time. A measuring arrangement should therefore ensure that, despite the unavoidable manufacturing tolerances, it is possible for all measuring probes of the measuring arrangement to make contact with the respective contact points. DE 199 45 176 A1 discloses a measuring arrangement in which the measuring probes consist of telescopic contact pins which can adjust their length in such a way that they can compensate for any unevenness in the planar conductor structure of the chip to be tested. Furthermore, they are designed such that, at least over a certain axial area of the contact pins, they have a constant wave resistance with the neighboring contact pins and thus achieve a certain impedance control. However, this measuring arrangement is complex to manufacture and relatively inflexible when adapting to different conductor structures of the chips.
Die aus der EP 0 331 282 A1 bekannte Meßanordnung verwendet für die Kontaktspitzen und deren Zuleitungen eine flexible Membran, mit der Unebenheiten der Kontakte des zu prüfenden Chip kompensiert werden können. Durch die Elastizität der Membran können sich jedoch auch die auf ihr haftenden Leiterbahnen relativ zueinander verschieben, was sich wiederum nachteilig auf die Konstanz der Impedanz der Meßsonden auswirkt.The measuring arrangement known from EP 0 331 282 A1 uses a flexible membrane for the contact tips and their leads, with which unevenness in the contacts of the chip to be tested can be compensated. Due to the elasticity of the membrane, however, the conductor tracks adhering to it can also shift relative to one another, which in turn has a disadvantageous effect on the constancy of the impedance of the measuring probes.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verschleißarme Meßanordnung zu schaffen, die insbesondere für Messungen in einem hohen Frequenzbereich geeignet ist und bei hoher Kontaktqualität der Kontaktspitzen einen möglichst konstanten Wellenwiderstand der Meßsonden gewährleistet.It is an object of the present invention to provide a low-wear measuring arrangement which is particularly suitable for measurements in a high frequency range and which ensures a constant wave resistance of the measuring probes with a high contact quality of the contact tips.
Die vorliegende Erfindung löst diese Aufgabe durch eine Meßanordnung nach Anspruch 1 und ein Verfahren zum Herstellen desselben nach Anspruch 18. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.The present invention solves this problem by a measuring arrangement according to claim 1 and a method for producing the same according to claim 18. Advantageous embodiments of the invention are described in the dependent claims.
Danach schafft die Erfindung eine Meßanordnung für Hochfrequenzmessungen mit mehreren Meßsonden zum Kontaktieren von Leiterstrukturen auf Wafern oder dergleichen. Die Meßsonden umfassen koplanar und freischwebend angeordnete Kontaktspitzen, die mittels mindestens eines Trägers nahe ihres kontaktseitigen Endes so fixiert sind, daß sie eine feste Lage zueinander haben.The invention then provides a measuring arrangement for high-frequency measurements with a plurality of measuring probes for contacting conductor structures on wafers or the like. The measuring probes comprise coplanar and freely floating contact tips, which are fixed by means of at least one carrier near their contact-side end so that they have a fixed position to one another.
Typischerweise umfaßt eine Meßsonde zwei oder drei Kontaktspitzen, wobei sie im ersten Fall aus einem Signalleiter S und einem Masseleiter G (G steht für engl. "ground") besteht, d.h. einer sog. S-G-Anordnung, und im zweiten Fall üblicherweise aus einer Nebeneinanderanordnung von Masseleiter - Signalleiter - Masseleiter (G-S-G). Das Meßsignal läuft dann als Welle zwischen den Kontaktspitzen entlang, wobei die G-S-G-Anordnung den Vorteil besitzt, daß sie eine Abschirmung des Meßsignals nach außen erlaubt, so daß störende Interferenzen mit den benachbarten Meßsonden verhindert werden können. Es sind jedoch auch andere Anordnungen denkbar, z.B. G-S, S-G-S, und insbesondere auch einzelne, an den Träger fixierte Kontaktspitzen, oder einzelne Kontaktspitzen, die die Funktion eines Isolators übernehmen. Eine Meßsonde faßt also mehrere Kontakspitzen funktioneil zu einer Meßsonde zusammen, von denen wiederum mehrere mittels eines Trägers gruppiert werden.A measuring probe typically comprises two or three contact tips, in the first case consisting of a signal conductor S and a ground conductor G (G stands for Engl. "ground"), ie a so-called SG arrangement, and in the second case usually consists of a juxtaposition of the ground conductor - signal conductor - ground conductor (GSG). The measurement signal then runs as a wave between the contact tips, the GSG arrangement having the advantage that it allows the measurement signal to be shielded from the outside, so that interfering interference with the adjacent measurement probes can be prevented. However, other arrangements are also conceivable, for example GS, SGS, and in particular also individual contact tips fixed to the carrier, or individual contact tips which assume the function of an insulator. A measuring probe thus functionally combines several contact tips to form a measuring probe, of which in turn several are grouped by means of a carrier.
Die erfindungsgemäße Meßanordnung verwendet, entgegen den klassisch herkömmlichen runden Meßsonden, koplanare, d. h. flache, nebeneinander angeordnete Kontaktspitzen. Durch die koplanare Anordnung der einzelnenThe measuring arrangement according to the invention uses, contrary to the classic conventional round measuring probes, coplanar, d. H. flat, side-by-side contact tips. Due to the coplanar arrangement of the individual
Leiter (Signalleiter S, Masseleiter G) der Kontaktspitze der Meßsonde wird die kompakte Geometrie runder Kontaktspitzen aufgehoben, wodurch eineConductor (signal conductor S, ground conductor G) of the contact tip of the measuring probe, the compact geometry of the round contact tips is eliminated, which results in a
Biegsamkeit und damit die gewünschte Flexibilität der koplanaren Kontaktspitzen erreicht wird. Signalleiter und Masseleiter sind dabei koplanar in oder an einem Dielektrikum derart angeordnet, daß sie sich federnd und frei imFlexibility and thus the desired flexibility of the coplanar contact tips is achieved. Signal conductors and ground conductors are arranged coplanar in or on a dielectric such that they are resilient and free in the
Raum befinden. Es wird dadurch möglich, daß sich die Meßsonden besser an eventuelle Unebenheiten der planaren Leiterstruktur des zu prüfenden Chip anpassen und somit gewährleistet ist, daß beim gleichzeitigen Kontaktieren der Meßsonden mit ihren zugehörigen Kontaktstellen eine hohe Kontaktqualität erzielt werden kann. Außerdem führen die flexiblen koplanaren Kontaktspitzen zu einer verschleißarmen Kontaktierung der zu prüfenden Chips.Space. This makes it possible for the measuring probes to better adapt to any unevenness in the planar conductor structure of the chip to be tested, thus ensuring that a high contact quality can be achieved when the measuring probes are simultaneously contacted with their associated contact points. In addition, the flexible coplanar contact tips lead to low-wear contacting of the chips to be tested.
In diesem Zusammenhang ist bei Meßanordnungen, und insbesondere bei solchen, die Einzelmeßsonden verwenden, die Schwierigkeit zu bewältigen, die Lage der Meßsonden bzw. ihrer Koaxialkabelzuleitungen relativ zueinander während der Durchführung der Messungen konstant zu halten, um Impedanzschwankungen zu vermeiden und damit die Qualität der Messung nicht zu beeinträchtigen. Bei der erfindungsgemäßen Meßanordnung fixiert ein Träger die Kontaktspitzen nahe ihres kontaktseitigen Endes, d.h. nahe des Bereichs der Kontaktspitzen, mit dem die Kontaktstellen des zu prüfenden Chip angetastet werden, in einer festen Lage zueinander. Somit wird sichergestellt, daß die Kontaktspitzen zueinander eine feste Geometrie und Lage einnehmen und diese während des gesamten Meßvorgangs beibehalten. Diese feste gegenseitige Lage der Kontaktspitzen zueinander bewirkt, daß der Wellenwiderstand der einzelnen Meßsonden über ihre gesamte Länge im wesentlichen konstant bleibt und damit unerwünschte Reflexionen und Verluste des Meßsignals verhindert. Die Konstanz der Geometrie der Meßsonden ist auch Voraussetzung für ein optimiertes Frequenzverhalten der Meßsonden. Somit wird erreicht, daß die Impedanz der koplanar angeordneten Meßsonden im wesentlichen dispersionsfrei, d.h. unabhängig von der Meßfrequenz ist. Auf diese Weise wird es durch die Erfindung ermöglicht, Meßsignale mit hohen Frequenzen störungs- und verlustarm zu übertragen.In this context, the difficulty of coping with measuring arrangements, and in particular those using single measuring probes, is to keep the position of the measuring probes or their coaxial cable feeds relative to one another constant during the measurements in order to avoid impedance fluctuations and thus the quality of the measurement not to interfere. In the measuring arrangement according to the invention, a carrier fixes the contact tips near their contact-side end, ie near the Area of the contact tips with which the contact points of the chip to be tested are probed in a fixed position to one another. This ensures that the contact tips have a fixed geometry and position with respect to one another and maintain this throughout the entire measuring process. This fixed mutual position of the contact tips to one another has the effect that the wave resistance of the individual measuring probes remains essentially constant over their entire length and thus prevents undesired reflections and losses of the measuring signal. The constancy of the geometry of the measuring probes is also a prerequisite for an optimized frequency behavior of the measuring probes. It is thus achieved that the impedance of the coplanar measuring probes is essentially dispersion-free, that is to say independent of the measuring frequency. In this way, the invention makes it possible to transmit measurement signals at high frequencies with little interference and with little loss.
Bevorzugt werden mit der erfindungsgemäßen Meßanordnung mit einigen der Kontaktspitzen Hochfrequenzmessungen und mit anderenWith the measuring arrangement according to the invention, preference is given to high-frequency measurements with some of the contact tips and with others
Gleichstrommessungen durchgeführt, d.h. es werden sog. "mixed Signals" gemessen. Dies hat den Vorteil, daß mit einer Anordnung und ohne Umbau der Meßanordnung sowohl die Hochfrequenzanschlüsse des zu prüfenden Chip als auch die Spannungsversorgung und die Masseanschlüsse gemessen und überprüft werden können. Dies erspart ein zeitaufwendiges Umbauen der Meßanordnung oder ein nacheinander durchzuführendes Messen einzelner Anschlüsse des Chip. Es werden also vorteilhafterweise bei der Erfindung alle Anschlüsse des Chip gleichzeitig angetastet. Ein gleichzeitiges Antasten mehrerer Anschlüsse des Chip mit mehreren einzelnen herkömmlichen Meßsonden wäre aufgrund der geringen Abstände der Anschlüsse untereinander schon aus geometrischen Gründen nicht möglich. Die Kontaktauslegung der Chips ist je nach Anwendung, Einsatzbereich und Hersteller unterschiedlich. Ein typischer Einsatzbereich der erfindungsgemäßen Meßanordnung ist beispielsweise ein sog. MMIC Chips (Monolytic Microwave Integrated Circuit) wie er bei den GSM-Power Modulen verwendet wird. Damit die Meßanordnung dem Folge tragen kann und möglichst vielfältig und flexibel mit verschiedenen Chiplayouts kompatibel einsetzbar ist, ist eine hohe Modularität der Meßanordnung erwünscht. Indem die Meßsonden bzw. einzelne Kontaktspitzen bevorzugt lösbar an dem Träger befestigt sind, können auf einfache Weise einzelne Meßsonden oder Kontaktspitzen entfernt oder hinzugefügt werden, um dem individuellen Chiplayout zu genügen.Direct current measurements carried out, ie so-called "mixed signals" are measured. This has the advantage that both the high-frequency connections of the chip to be tested and the voltage supply and the ground connections can be measured and checked with an arrangement and without converting the measuring arrangement. This saves a time-consuming retrofitting of the measuring arrangement or a measurement of individual connections of the chip to be carried out one after the other. In the invention, all connections of the chip are therefore advantageously touched simultaneously. Simultaneously probing several connections of the chip with several individual conventional measuring probes would not be possible due to the short spacing of the connections from one another, for geometric reasons alone. The contact design of the chips differs depending on the application, area of application and manufacturer. A typical application of the measuring arrangement according to the invention is, for example, a so-called MMIC chip (Monolytic Microwave Integrated Circuit) as used in the GSM power modules. A high degree of modularity of the measuring arrangement is desirable so that the measuring arrangement can carry the result and can be used in a versatile and flexible way compatible with different chip layouts. By the measuring probes or individual contact tips are preferably detachably attached to the carrier, can individual measuring probes or contact tips can be removed or added in a simple manner in order to satisfy the individual chip layout.
Vorzugsweise sind die Meßsonden bzw. Kontaktspitzen derart an dem Träger befestigt, daß die Kontaktspitzen der Meßsonden unter einem spitzen Winkel auf die Ebene der Leiterstruktur des zu prüfenden Chip, d. h. auf ihre zugehörigen Kontakte, auftreffen. Damit gräbt sich förmlich die Kontaktspitze in die Kontaktstelle des Chip und entfernt somit mechanisch Staub, Dreck oder oxidierte Kontaktstellen, wodurch wiederum die Kontaktqualität erhöht wird. Daneben ist ein spitzer Kontaktwinkel zwischen Kontaktstelle und Kontaktspitze auch toleranter gegenüber Unebenheiten auf dem planaren Chiplayout, so daß ein gleichzeitiger Kontakt der Meßsonden sichergestellt wird. Besonders bevorzugt wird ein Winkel um etwa 7° verwendet.The measuring probes or contact tips are preferably fastened to the carrier in such a way that the contact tips of the measuring probes are at an acute angle to the plane of the conductor structure of the chip to be tested, i. H. on their associated contacts. The contact tip literally digs into the contact point of the chip and mechanically removes dust, dirt or oxidized contact points, which in turn increases the contact quality. In addition, an acute contact angle between the contact point and contact tip is also more tolerant of unevenness on the planar chip layout, so that simultaneous contact of the measuring probes is ensured. An angle of approximately 7 ° is particularly preferably used.
Eine weitere Modularisierung und damit Erweiterung des Einsatzbereiches der Meßanordnung wird bevorzugt dadurch erreicht, daß die Träger um die zu messende Leiterstruktur des Chip entsprechend deren Layout der Kontaktstellen positionierbar ist. Die Flexibilität wird also nicht nur durch Entfernen und Hinzufügen einzelner Meßsonden bzw. Kontaktspitzen, sondern auch durch Zusammenfassen von mehreren Meßsonden zu einer Gruppe, die an einem Träger fixiert sind, und damit als Gruppe variabel an den Seiten des Chip positioniert werden kann.A further modularization and thus expansion of the field of application of the measuring arrangement is preferably achieved in that the carrier can be positioned around the conductor structure of the chip to be measured in accordance with the layout of the contact points. The flexibility is therefore not only by removing and adding individual measuring probes or contact tips, but also by combining several measuring probes into a group, which are fixed to a carrier, and thus can be variably positioned as a group on the sides of the chip.
Vorzugsweise umfaßt die Meßanordnung mehrere Träger, die jeweils eine große Zahl von Meßsonden bzw. Kontaktspitzen, z. B. etwa 100 oder mehr, aufnehmen können, so daß z. B. alle vier Seiten eines rechteckigen Chiplayouts auf einfache Weise konnektiert werden können. Derart hohe Dichten von Meßsonden erreicht man am einfachsten dadurch, daß die Meßsonden im Träger im wesentlichen parallel zueinander fixiert sind.Preferably, the measuring arrangement comprises a plurality of carriers, each of which has a large number of measuring probes or contact tips, e.g. B. about 100 or more, so that z. B. all four sides of a rectangular chip layout can be connected in a simple manner. The easiest way to achieve such high densities of measuring probes is to fix the measuring probes in the carrier essentially parallel to one another.
Bevorzugt ist das geometrische Layout der Meßsonden derart gestaltet, daß Frequenzen auch über 200 Megahertz meßbar sind, d. h. ohne zu starke Verluste übertragen werden können. Der oder die Träger sind bevorzugt an einer Trägerkarte befestigt. Um auch in diesem Fall den Vorteil der Flexibilität und Modularität zu erhalten, ist die Verbindung der Meßsonden mit der Trägerkarte ebenfalls lösbar gestaltet.The geometric layout of the measuring probes is preferably designed such that frequencies can also be measured over 200 megahertz, ie can be transmitted without excessive losses. The carrier or carriers are preferably attached to a carrier card. In order to obtain the advantage of flexibility and modularity in this case as well, the connection of the measuring probes to the carrier card is also designed to be detachable.
Als bevorzugtes Material der Träger der Meßanordnung wird Keramik oder Kunststoff verwendet, die beide die Funktion eines Isolators erfüllen.Ceramic or plastic, both of which have the function of an insulator, are used as the preferred material for the supports of the measuring arrangement.
In der erfindungsgemäßen Meßanordnung soll der Wellenwiderstand der Meßsonden entlang der gesamten Meßstrecke vom Kontaktpunkt bis zur eigentlichen Prüfstation konstant gehalten werden. Bevorzugt wird das dadurch erreicht, daß die Meßsonden bzw. die Kontaktspitzen entsprechend geometrisch angeordnet sind. Eine Möglichkeit, die Konstanz des Welienwiderstandes entlang der Leiter der Meßsonden zu erzielen, besteht darin, daß die Abstände der Leiter zueinander entsprechend variieren, d.h. zum Beispiel indem der Abstand der Kontaktspitzen der Meßsonden von den Kontaktstellen mit dem Chip bis zu den Meßgeräten vergrößert wird. Alternativ kann auch die Dicke der Leiter variiert werden, ohne daß sich die Abstände der Mittelpunkte der Leiter zueinander verändern. Vorteilhaft ist auch eine Kombination aus Variation des Abstandes und Variation der Dicke der Leiter.In the measuring arrangement according to the invention, the wave resistance of the measuring probes is to be kept constant along the entire measuring path from the contact point to the actual test station. This is preferably achieved in that the measuring probes or the contact tips are arranged correspondingly geometrically. One way to achieve the constancy of the wave resistance along the conductors of the measuring probes is that the distances between the conductors vary accordingly, i.e. for example, by increasing the distance between the contact tips of the measuring probes from the contact points with the chip to the measuring devices. Alternatively, the thickness of the conductors can also be varied without the distances between the centers of the conductors changing. A combination of varying the distance and varying the thickness of the conductors is also advantageous.
Als Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Meßanordnung stellt die vorliegende Erfindung ein lithographisch-galvanoplastisches Verfahren zur Herstellung der koplanar angeordneten Meßsonden bzw. Kontaktspitzen zur Verfügung. Dieses Verfahren verbindet die Vorteile einer sehr präzisen Ätztechnik mit relativ geringen Herstellungskosten. Mit diesen Verfahren lassen sich die Meßsonden auf einfache und kostengünstige, und damit für die Serienproduktion geeigneten Weise herstellen. Es können damit geometrisch präzise Kontaktspitzen mit sehr genau definiertem Wellenwiderstand und somit niedriger Reflexion des Meßsignals gefertigt werden.As a method for producing a measuring arrangement according to the invention, the present invention provides a lithographic-galvanoplastic method for producing the coplanarly arranged measuring probes or contact tips. This process combines the advantages of a very precise etching technique with relatively low manufacturing costs. With these methods, the measuring probes can be manufactured in a simple and inexpensive manner, which is therefore suitable for series production. It can be used to produce geometrically precise contact tips with a very precisely defined wave resistance and thus low reflection of the measurement signal.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele. In der Beschreibung wird auf die beigefügte schematische Zeichnung Bezug genommen. Darin zeigen: Fig. 1 einen seitlichen Querschnitt durch eine Waferprüfstation mit einer eingebauten erfindungsgemäßenFurther advantageous refinements of the invention result from the following description of preferred exemplary embodiments. In the description, reference is made to the attached schematic drawing. In it show: Fig. 1 shows a lateral cross section through a wafer testing station with a built-in invention
Meßanordnung;measuring arrangement;
Fig. 2 eine dreidimensionale Darstellung einer planarenFig. 2 is a three-dimensional representation of a planar
Meßsonde mit drei Kontaktspitzen, wie sie bei der erfindungsgemäßen Meßanordung verwendet werden;Measuring probe with three contact tips, such as are used in the measuring arrangement according to the invention;
Fig. 3 einen seitlichen Querschnitt durch eine erfindungsgemäßeFig. 3 shows a lateral cross section through an inventive
Meßanordnung und eine Draufsicht auf eine darin verwendete Anordnung von Kontaktspitzen;Measuring arrangement and a top view of an arrangement of contact tips used therein;
Fig. 4 eine schematische Draufsicht auf erfindungsgemäße Meßsonden bzw. Kontaktspitzen während desFig. 4 is a schematic plan view of measuring probes or contact tips according to the invention during the
Herstellungsvorgangs; undManufacturing process; and
Fig. 5 eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Anordnung von Meßsonden bzw. Kontaktspitzen sowie schematisch einen zugehörigen kontaktierten Chip.Fig. 5 is a plan view of an arrangement of measuring probes or contact tips according to the invention and schematically an associated contacted chip.
Nachfolgend sind in den verschiedenen Figuren einander entsprechende Bauteile mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.Components that correspond to one another are identified in the various figures with the same reference symbols.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel einer Waferprüfstation (Waferprober) für Hochfrequenzmessungen, die eine erfindungsgemäße Meßanordnung (Sondenkarte) 14 enthält. Der Grundaufbau einer solchen Waferprüfstation ist an sich bekannt. Es wird beispielsweise auf die WO 01/36985 A1 von einem der Anmelder Bezug genommen, deren Inhalt hier durch Bezugnahme mit aufgenommen wird. An einem Gehäuseabschnitt 10 der Waferprüfstation, der eine rechteckige Meßöffnung freiläßt, sind am Rande dieser Meßöffnung Trägerkarten 4 der Meßanordnung 14 derart befestigt, daß sie etwa in der Mitte der Meßöffnung einen Sichtbereich 16 freilassen. An der Unterseite der Trägerkarten 4 sind eine Vielzahl von Meßsonden 2 bzw. Kontaktspitzen vorzugsweise lösbar oder geklebt mit den Trägerkarten 4 verbunden. Unterhalb der Meßanordnung 14, bevorzugt jedoch noch eingeschlossen vom Gehäuse 10, ist ein Wafer 6 mit den zu messenden Leiterstrukturen 20 auf einer heb- und senkbaren Halterung (sog. Chucks) 8 angeordnet. Die Kontaktspitzen 18 der jeweiligen Meßsonden 2 zeigen dabei in spitzen Winkel in Richtung der auf dem Wafer 6 befindlichen Leiterstrukturen 20. Der Wafer 6 selbst ist auf der Halterung 8 fixiert, z.B. angesaugt, die dafür sorgt, daß der Wafer 6 zur Durchführung der Messungen in Richtung der Meßanordnung 14 bewegbar ist, solange bis die Kontaktspitzen 18 der Meßsonden 2 in Kontakt mit den Kontaktstellen der zu messenden Leiterstrukturen 20 des Wafers 6 kommt. Das Gehäuse 10 schützt die Meßanordnung 14 gegen Umwelteinflüsse, Licht und elektromagnetische Interferenzen. Eine CCD-Kamera 12 erlaubt über einen Steuercomputer (nicht gezeigt) die Kontrolle und Justierung der Meßanordnung. Anstelle der CCD-Kamera 12 kann auch ein konventionelles optisches Mikroskop verwendet werden. Die Meßanordnung ist bevorzugt ausgelegt für Hochfrequenzmessungen über 200 Megahertz und erlaubt Messungen bis zu 50 GHz.1 shows an example of a wafer test station (wafer prober) for high-frequency measurements, which contains a measuring arrangement (probe card) 14 according to the invention. The basic structure of such a wafer test station is known per se. For example, WO 01/36985 A1 is referred to by one of the applicants, the content of which is hereby incorporated by reference. Carrier cards 4 of the measuring arrangement 14 are fastened to a housing section 10 of the wafer testing station, which leaves a rectangular measuring opening free, in such a way that they leave a viewing area 16 approximately in the middle of the measuring opening. On the underside of the carrier cards 4, a multiplicity of measuring probes 2 or contact tips are preferably detachably or adhesively connected to the carrier cards 4. Below In the measuring arrangement 14, but preferably still enclosed by the housing 10, a wafer 6 with the conductor structures 20 to be measured is arranged on a holder (so-called chucks) 8 that can be raised and lowered. The contact tips 18 of the respective measuring probes 2 point at an acute angle in the direction of the conductor structures 20 located on the wafer 6. The wafer 6 itself is fixed, for example sucked on, to the holder 8, which ensures that the wafer 6 for carrying out the measurements in The direction of the measuring arrangement 14 can be moved until the contact tips 18 of the measuring probes 2 come into contact with the contact points of the conductor structures 20 of the wafer 6 to be measured. The housing 10 protects the measuring arrangement 14 against environmental influences, light and electromagnetic interference. A CCD camera 12 permits the control and adjustment of the measuring arrangement via a control computer (not shown). Instead of the CCD camera 12, a conventional optical microscope can also be used. The measuring arrangement is preferably designed for high-frequency measurements above 200 megahertz and allows measurements up to 50 GHz.
In Fig. 2 ist eine dreidimensionale, perspektivische Darstellung einer planaren Meßsonde 2 gezeigt, deren planare Anordnung der Kontaktspitzen 18 bei der erfindungsgemäßen Meßanordnung eingesetzt wird. Entgegen der herkömmlichen koaxialen Bauweise sind bei derartigen Meßsonden 2 die Kontaktspitzen 18 planar nebeneinander angeordnet, so daß sich eine frei federnde Anordnung der Leiter der Meßsonde 2 ergibt, die eine hohe Kontaktqualität erlaubt. Beispielhaft ist hier eine Konfiguration aus zwei Masseleitern 28 (G) und einem Signalleiter 30 (S) gezeigt, die zusammen eine Meßsonde 2 ergeben. Es können jedoch durchaus andere Konstellationen, die z. B. nur aus zwei Kontaktspitzen 18 bestehen, realisiert werden. Die Kontaktspitzen 18 werden von einem Dielektrikum 24 gehalten. Über dieses sind die Kontaktspitzen 18 auch mit dem Koaxialanschluß 22 des Meßsignals verbunden, wobei die Kontaktspitzen 28 und 30 im Inneren des Dielektrikums 24 entlang einer koplanaren Leiterstruktur 28' und 30' zum Koaxialanschluß 22 geleitet werden. Diese Bauart läßt eine kostengünstige und präzise Herstellung der Kontaktspitzen 18 zu, die auch eine Serienfertigung ermöglicht. In Fig. 3 ist eine seitliche Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Meßanordnung dargestellt. Mehrere Meßsonden 2 bzw. Kontaktspitzen 18 sind gebündelt mittels einer Kombination eines Trägerkörpers 42 und eines Trägers 36 an der Unterseite der Trägerkarte 4 fixiert. Der Trägerkörper 42 ist bevorzugt aus Keramik, und der Träger 36 aus Kunststoff hergestellt. Beide, Trägerkörper 42 und Träger 36, sind lösbar, z. B. mittels einer Schraube, mit der Trägerkarte 4 verbunden. Jeder Träger 36 verbindet eine Vielzahl von Meßsonden 2 bzw. Kontaktspitzen 18 in einer festen geometrischen Lage, vorzugsweise parallel zueinander, und fixiert sie in dieser Lage. Üblicherweise werden die zu mehreren Meßsonden 2 gruppierten Kontaktspitzen 18 mit Hilfe eines Klebers an den Träger 36 befestigt. Die geometrische Anordnung der Sonden, für die sich eine möglichst konstante Impedanz ergibt, wird bevorzugt mit Hilfe feldtheoretischer Berechnungen ermittelt. Dazu wird vorzugsweise eine Computerprogramm eingesetzt, das die feldtheoretischen Gleichungen mittels dreidimensionaler Finite-Elemente- Methoden löst.2 shows a three-dimensional, perspective representation of a planar measuring probe 2, the planar arrangement of the contact tips 18 being used in the measuring arrangement according to the invention. Contrary to the conventional coaxial design, the contact tips 18 are arranged in a planar manner next to one another in such measuring probes 2, so that there is a freely resilient arrangement of the conductors of the measuring probe 2, which allows a high contact quality. A configuration of two ground conductors 28 (G) and a signal conductor 30 (S) is shown here by way of example, which together form a measuring probe 2. However, other constellations, e.g. B. consist of only two contact tips 18 can be realized. The contact tips 18 are held by a dielectric 24. Via this, the contact tips 18 are also connected to the coaxial connection 22 of the measurement signal, the contact tips 28 and 30 being conducted inside the dielectric 24 along a coplanar conductor structure 28 'and 30' to the coaxial connection 22. This design allows inexpensive and precise manufacture of the contact tips 18, which also enables series production. 3 shows a sectional side view of an exemplary embodiment of a measuring arrangement according to the invention. A plurality of measuring probes 2 or contact tips 18 are bundled and fixed to the underside of the carrier card 4 by means of a combination of a carrier body 42 and a carrier 36. The carrier body 42 is preferably made of ceramic, and the carrier 36 made of plastic. Both carrier body 42 and carrier 36 are detachable, e.g. B. connected by a screw to the carrier card 4. Each carrier 36 connects a plurality of measuring probes 2 or contact tips 18 in a fixed geometric position, preferably parallel to one another, and fixes them in this position. The contact tips 18, which are grouped into a plurality of measuring probes 2, are usually fastened to the carrier 36 with the aid of an adhesive. The geometric arrangement of the probes, for which the impedance is as constant as possible, is preferably determined with the aid of field theoretical calculations. For this purpose, a computer program is preferably used which solves the field theoretical equations using three-dimensional finite element methods.
Fig. 3 zeigt auch durch einen Trägerkörper 42 bzw. Träger 36 gebündelte Kontaktspitzen 18 einer erfindungsgemäßen Meßanordnung in einer Draufsicht 48. Wie der Draufsicht 48 entnommen werden kann, sind die Kontaktspitzen 18 der Meßsonden 2 am kontaktseitigen Ende 19 geringer beabstandet als an den Anschlußstellen 44 der Meßsonden 2 mit der Trägerkarte 4. Es sei angemerkt, daß in Fig. 3 die hellen Bereiche die Kontaktspitzen veranschaulichen, während in Fig. 5 die dunkel schattierten Bereiche die einzelnen Kontaktspitzen darstellen. Bevorzugt werden sie nahe der Anschlußstellen durch die Fixierung mittels des Trägerkörpers 42 bzw. des Trägers 36 im wesentlichen parallel gehalten.3 also shows a plan view 48 of contact tips 18 of a measuring arrangement according to the invention bundled by a carrier body 42 or carrier 36 the measuring probes 2 with the carrier card 4. It should be noted that in FIG. 3 the light areas illustrate the contact tips, while in FIG. 5 the darkly shaded areas represent the individual contact tips. They are preferably kept essentially parallel near the connection points by being fixed by means of the carrier body 42 or the carrier 36.
Um die Meßanordnung flexibel an verschiedene Layouts der Leiterstrukturen der Wafer anpassen zu können, sind die Meßsonden bevorzugt lösbar an der Trägerkarte 4 befestigt ist. Die lösbare Verbindung ist vorzugsweise als Hochfrequenzstecker oder Kontaktfeder ausgebildet. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Trägerkarte 4 aus Epoxidharz hergestellt. Die Kontaktspitzen 18 der Meßsonden 2 ragen durch die erfindungsgemäße Befestigung gerade so viel über die Träger 36 und 42 hinaus, daß sie eine ausreichende Flexibilität beim Kontaktieren der Kontakte der Leiterstrukturen aufweisen und dennoch eine fest definierte Lage zueinander beibehalten. Die Flexibilität spielt eine wichtige Rolle, um eine gute Kontaktqualität mit den Leiterstrukturen des zu messenden Wafers zu garantieren. Es können durch die Flexibilität der Kontaktspitzen insbesondere Variationen der Höhe der Kontakte der zu messenden Leiterstrukturen ausgeglichen werden, aber auch Herstellungstoleranzen der Meßsonden bzw. der Meßanordnung selbst. Damit kann sichergestellt werden, daß alle Meßsonden Kontakt mit den Kontaktstellen der Leiterstrukturen haben. Auf der anderen Seite erhöht die fest definierte geometrische Lage der Meßsonden die Konstanz der Impedanz der Meßsonden entlang der Meßleitungen, so daß unerwünschte Reflexionen und Dämpfungen des Meßsignals vermieden werden können.In order to be able to flexibly adapt the measuring arrangement to different layouts of the conductor structures of the wafers, the measuring probes are preferably detachably attached to the carrier card 4. The detachable connection is preferably designed as a high-frequency connector or contact spring. In a preferred embodiment, the carrier card 4 is made of epoxy resin. The contact tips 18 of the measuring probes 2 protrude through the fastening according to the invention just so much beyond the supports 36 and 42 that they are one have sufficient flexibility when contacting the contacts of the conductor structures and still maintain a firmly defined position relative to one another. Flexibility plays an important role in guaranteeing good contact quality with the conductor structures of the wafer to be measured. Due to the flexibility of the contact tips, in particular variations in the height of the contacts of the conductor structures to be measured can be compensated, but also manufacturing tolerances of the measuring probes or the measuring arrangement itself. This can ensure that all measuring probes have contact with the contact points of the conductor structures. On the other hand, the firmly defined geometric position of the measuring probes increases the constancy of the impedance of the measuring probes along the measuring lines, so that undesired reflections and attenuations of the measuring signal can be avoided.
Die mit dem Träger 36 in Verbindung stehende Fläche des Trägerkörpers 42 ist in einer bevorzugten Ausführungsform abgeschrägt. Dadurch treffen dieThe surface of the carrier body 42 connected to the carrier 36 is beveled in a preferred embodiment. This way they hit
Kontaktspitzen 18 unter einem spitzen Winkel auf die Ebene derContact tips 18 at an acute angle to the level of
Leiterstrukturen und deren Kontaktstellen. Dies hat den gewünschten Effekt, daß sich die Kontaktspitzen in die Kontaktstellen eingraben und ggf. vorhandene Oxidschichten bzw. andere Verschmutzungen der Kontaktoberfläche entfernen. Dadurch wird die Kontaktqualität weiter verbessert. Bevorzugt wird ein Winkel um etwa 7° zwischen der Meßsonde 2 und der Ebene des Wafers 6 gewählt. Besonders vorteilhaft bei dieserLadder structures and their contact points. This has the desired effect that the contact tips dig into the contact points and remove any oxide layers or other contaminants on the contact surface. This further improves the contact quality. An angle of approximately 7 ° between the measuring probe 2 and the plane of the wafer 6 is preferably selected. Particularly advantageous with this
Ausgestaltung des Trägers 36 und des Trägerkörpers 42 ist, daß der Träger 36 schon bei der Herstellung der Meßsonden auf dem Nutzen 32 verwendet wird und die Meßsonden erst nachher als komplettes Element 40 der Meßanordnung am Trägerkörper 42 und damit der Meßanordnung befestigt werden.Design of the carrier 36 and the carrier body 42 is that the carrier 36 is already used in the manufacture of the measuring probes on the panel 32 and the measuring probes are only subsequently attached to the carrier body 42 and thus the measuring arrangement as a complete element 40 of the measuring arrangement.
In Fig. 5 ist schematisch ein Chip 50 gezeigt, der sich beispielsweise auf einem Waver 6 in der Waverprüfstation der Fig. 1 befindet und dessen Kontaktstellen 52 mit einer Anordnung von Meßsonden 2 bzw. Kontaktspitzen 18 einer bevorzugten Ausführungsform gleichzeitig angetastet werden. Die Kontaktstellen 52 des Chip umfassen dabei sowohl Hochfrequenzanschlüsse (G oder S) als auch Gleichstromanschlüsse (DC), wie beispielsweise die Spannungsversorgung des Chip oder weitere Masseanschlüsse (G) des Chip. Eine G-S-G-Anordnung der Kontaktspitzen, also eine Meßsonde, schirmt die zwischen den Kontaktspitzen laufende Welle des Meßsignals nach außen hin ab, so daß störende Interferenzen mit den benachbarten Meßsonden verhindert bzw. zumindest vermindert werden können.5 shows schematically a chip 50 which is located, for example, on a waver 6 in the waver test station of FIG. 1 and whose contact points 52 are simultaneously touched with an arrangement of measuring probes 2 or contact tips 18 of a preferred embodiment. The contact points 52 of the chip include both high-frequency connections (G or S) and direct current connections (DC), such as the voltage supply for the chip or further ground connections (G) for the chip. A GSG arrangement of the contact tips, i.e. a measuring probe, shields the between the contact tips running wave of the measurement signal towards the outside, so that interfering interference with the adjacent measuring probes can be prevented or at least reduced.
Der Abstandsverlauf zwischen den einzelnen Kontaktspitzen 18 einer derartigen Meßsonde 2 und zwischen den einzelnen Meßsonden 2 sowie deren geometrisches Layout wird für die spezielle Anschlußkonfiguration 52 des Chip 50 mittels eines feldtheoretischen Simulationsprogramms bestimmt. Wie in der Ausführungsform der Fig. 5 gezeigt, können gleichzeitig Hochfrequenzmessungen und Gleichstrommessungen an einem Chip durchgeführt werden, so daß mit nur einem Meßaufbau sämtliche Anschlüsse des Chip geprüft werden können. Die einzelnen Kontaktspitzen 18 sind im Bereich 54 freischwebend nebeneinander angeordnet und sind im Bereich 56, in dem sie bevorzugt parallel verlaufen, bevorzugt mittels einer Klebeverbindung an dem Träger 36 befestigt.The course of the distance between the individual contact tips 18 of such a measuring probe 2 and between the individual measuring probes 2 and their geometric layout is determined for the special connection configuration 52 of the chip 50 by means of a field theoretical simulation program. As shown in the embodiment of FIG. 5, high-frequency measurements and direct current measurements can be carried out simultaneously on a chip, so that all connections of the chip can be checked with only one measurement setup. The individual contact tips 18 are arranged freely floating next to one another in the region 54 and are fastened to the carrier 36 in the region 56, in which they preferably run parallel, preferably by means of an adhesive connection.
In Fig. 4 sind erfindungsgemäße Meßsonden während des Herstellungsverfahrens gezeigt. Bei diesem Zwischenschritt befinden sich die Anordnungen von Meßsonden 2 bzw. Kontaktspitzen 18 noch auf einem Nutzen 32, auf dem sie mittels eines aus dem Stand der Technik bekannten lithographisch-galvanoplastischen Verfahrens hergestellt werden, bevor sie von diesem entfernt und in die Meßanordnung eingebaut werden. Mehrere Meßsonden 2 sind jeweils zu einer Meßsondengruppe 40 zusammengefaßt, die später mit einem Träger 36 an die Meßanordnung fixiert wird und über die Anschlußstellen 44 mit der Trägerkarte 4 verbunden werden.4, measuring probes according to the invention are shown during the manufacturing process. In this intermediate step, the arrangements of measuring probes 2 or contact tips 18 are still on a panel 32, on which they are produced by means of a lithographic-galvanoplastic method known from the prior art, before they are removed from them and installed in the measuring arrangement. Several measuring probes 2 are each combined to form a measuring probe group 40 which is later fixed to the measuring arrangement with a carrier 36 and which are connected to the carrier card 4 via the connection points 44.
Bei dem lithographisch-galvanoplastischen Verfahren zur Herstellung wird ein Siliziumwafer mit einer Metallschicht bedampft, auf welche ein lichtempfindlicher Lack aufgetragen wird. Dieser wird anschließend durch eine Maske, die im wesentlichen einer Negativstruktur der herzustellenden Anordnung der Meßsonden entspricht, belichtet. Die Entwicklung des Lackes erzeugt demnach eine Struktur mit Vertiefungen entsprechend der Struktur der herzustellenden Anordnung der Meßsonden bzw. Kontaktspitzen. Diese Vertiefungen werden dann galvanisch mit einem elektrisch leitenden Material, welches schließlich die Leiter der Meßsonden bildet, aufgefüllt, bevor die Metallschicht entfernt wird. Die einzelnen Meßsonden bzw. Kontaktspitzen werden abschließend mit einem Täger zusammengehalten, bevor sie vom Nutzen genommen und in die Meßanordnung eingebaut werden. In the lithographic-galvanoplastic manufacturing process, a silicon wafer is vapor-deposited with a metal layer, onto which a light-sensitive lacquer is applied. This is then exposed through a mask which essentially corresponds to a negative structure of the arrangement of the measuring probes to be produced. The development of the lacquer accordingly creates a structure with depressions corresponding to the structure of the arrangement of the measuring probes or contact tips to be produced. These depressions are then galvanically filled with an electrically conductive material, which ultimately forms the conductors of the measuring probes, before the metal layer is removed. The individual measuring probes or contact tips are then closed with a Täger held together before they are used and installed in the measuring arrangement.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Meßanordnung für Hochfrequenzmessungen mit mehreren Meßsonden (2) zum Kontaktieren von Leiterstrukturen (20) auf Wafern (6) oder dergleichen, wobei die Meßsonden (2) koplanar und freischwebend angeordnete Kontaktspitzen (18) umfassen, die mittels mindestens eines Trägers (36) nahe ihres kontaktseitigen Endes so fixiert sind, daß sie eine feste Lage zueinander haben.1. Measuring arrangement for high-frequency measurements with a plurality of measuring probes (2) for contacting conductor structures (20) on wafers (6) or the like, the measuring probes (2) comprising contact tips (18) arranged in a coplanar and free-floating manner, which by means of at least one carrier (36) are fixed near their contact-side end so that they have a fixed position to each other.
2. Meßanordnung nach Anspruch 1 , bei der die Meßsonden (2) lösbar an den Träger (36) befestigt sind.2. Measuring arrangement according to claim 1, wherein the measuring probes (2) are releasably attached to the carrier (36).
3. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der oder jeder Träger (36) an einer Trägerkarte (4) befestigt ist.3. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, in which the or each carrier (36) is attached to a carrier card (4).
4. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Meßsonden (2) lösbar mit der Trägerkarte (4) verbunden sind.4. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, in which the measuring probes (2) are detachably connected to the carrier card (4).
5. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Meßsonden (2) derart auf dem Träger (36) angeordnet sind, daß die Kontaktspitzen (18) einen spitzen Winkel mit der Ebene der Leiterstruktur (20) einschließen.5. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, wherein the measuring probes (2) are arranged on the carrier (36) such that the contact tips (18) enclose an acute angle with the plane of the conductor structure (20).
6. Meßanordnung nach Anspruch 5, bei welcher der Winkel etwa 7 Grad beträgt.6. Measuring arrangement according to claim 5, wherein the angle is about 7 degrees.
7. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der oder jeder Träger (36) um die zu messende Leiterstruktur (20) entsprechend deren Layout positionierbar ist.7. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, in which the or each carrier (36) can be positioned around the conductor structure (20) to be measured in accordance with its layout.
8. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Meßsonden (2) durch den Träger (36) im wesentlichen parallel zueinander fixiert sind. 8. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, in which the measuring probes (2) by the carrier (36) are fixed substantially parallel to each other.
9. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welche mehrere Träger (36) mit jeweils etwa 100 oder mehr Meßsonden (2) umfaßt.9. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, which comprises a plurality of carriers (36), each with about 100 or more measuring probes (2).
10. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit der Frequenzen auch über 200 MHz meßbar sind.10. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, with which frequencies can also be measured over 200 MHz.
11. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Meßsonden (2) derart geometrisch angeordnet sind, daß der Wellenwiderstand entlang der Leiter der Meßsonden (2) konstant bleibt.11. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, in which the measuring probes (2) are arranged geometrically such that the wave resistance along the conductor of the measuring probes (2) remains constant.
12. Meßanordnung nach Anspruch 11 , bei der die Konstanz des Wellenwiderstands entlang der Leiter der Meßsonden (2) durch Variation des Abstandes der Leiter erreicht wird.12. Measuring arrangement according to claim 11, wherein the constancy of the wave resistance along the conductor of the measuring probes (2) is achieved by varying the distance of the conductors.
13. Meßanordnung nach Anspruch 11 , bei der die Konstanz des Wellenwiderstandes entlang der Leiter der Meßsonden (2) durch Variation der Dicke der Leiter erreicht wird.13. Measuring arrangement according to claim 11, wherein the constancy of the wave resistance along the conductor of the measuring probes (2) is achieved by varying the thickness of the conductor.
14. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der oder jeder Träger (36) aus Keramik oder Kunststoff hergestellt ist.14. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, wherein the or each carrier (36) is made of ceramic or plastic.
15. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die dazu ausgebildet ist, in einem Meßvorgang mit einigen der Kontaktspitzen (18) Hochfrequenzmessungen und mit anderen Gleichstrommessungen durchzuführen.15. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, which is designed to carry out high-frequency measurements and with other direct current measurements in one measuring operation with some of the contact tips (18).
16. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher die Meßsonden (2) jeweils zwei oder drei koplanar und freischwebend angeordnete Kontaktspitzen (18) umfassen.16. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, wherein the measuring probes (2) each comprise two or three coplanar and freely floating contact tips (18).
17. Meßanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei welcher der oder die Träger (36) jeweils mehr als drei koplanar und freischwebend angeordnete Kontaktspitzen (18) in fester Lage zueinander fixiert. 17. Measuring arrangement according to one of the preceding claims, in which the carrier or carriers (36) each fix more than three coplanar and free-floating contact tips (18) in a fixed position to each other.
18. Verfahren zur Herstellung einer Meßanordnung (14) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die koplanar angeordneten Meßsonden (2) mittels eines photolitographischen Verfahrens hergestellt werden.18. A method for producing a measuring arrangement (14) according to one of the preceding claims, in which the coplanar measuring probes (2) are produced by means of a photolithographic method.
19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem das photolitographische Verfahren ein lithographisch-galvanoplastisches Verfahren ist. 19. The method of claim 18, wherein the photolithographic process is a lithographic-galvanoplastic process.
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