WO2001058015A2 - Method for producing a component that comprises a piezoelectric substrate and a surface acoustic wave identification mark - Google Patents

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WO2001058015A2
WO2001058015A2 PCT/DE2001/000379 DE0100379W WO0158015A2 WO 2001058015 A2 WO2001058015 A2 WO 2001058015A2 DE 0100379 W DE0100379 W DE 0100379W WO 0158015 A2 WO0158015 A2 WO 0158015A2
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blank
deactivated
saw
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Stefan Berek
Ulrich Knauer
Markus Mohr
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Siemens Aktiengesellschaft
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6403Programmable filters
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406Filters characterised by a particular frequency characteristic

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a component with a piezoelectric substrate and conductive substructures attached to it, in particular surface wave (OF) components, a method for producing a set of several components and a surface wave identification mark ("OF -ID -Day") .
  • OF surface wave
  • a method for producing an electroacoustic SAW filter is described in "Reproducable fabrication of surface acoustic wave filters", by.-E. Bulst and E. Willibald-Riha, Telecom Report, _10 (1987) 247. It comprises a single-crystalline piezoelectric substrate with an active surface on which metallic structures are attached. These structures include an electroacoustic transducer, which mediates a clear relationship between an electrical signal at this transducer and a surface acoustic wave on the active surface and other structures. These further structures serve to modify an acoustic surface wave propagating on the active surface, which occurs in particular through partial reflection.
  • SAW components are not only suitable as filters, but can also be used as sensors and identification tags ("ID tags"). See also the article “Acoustic Surface Waves - Technology for Innovations” by W. -E. Bulst and C. Ruppel, Siemens magazine Spezial, spring 1995, p. 2 and the essay "RF-powered wellness SAW sensors” by G. Scholl, F. Schmidt, T. Ostertag, 0. Sczesny and C. Seisenberger; RF-Powered Wireless SAW Sensors. Sensor99 Proceedings, Vol. 2 (1999) C7.2, ⁇ . 227-232).
  • SAW ID tags surface wave identification marks
  • the coding is generally represented by the individual placement of reflectors or transducers, the number of possible reflectors or transducers determining the strength of the coding. Larger SAW components can have 30 or more single exposures.
  • the manufacturing process is based on a blank, the at least one piezoelectric substrate and several includes conductive substructures to be further processed in an individualization process in such a way that at least one of the substructures present on the blank is deactivated or removed.
  • the blank has many substructures, e.g. B. more than twenty reflectors on a SAW ID tag blank.
  • a part is deactivated and / or removed from the set of existing partial structures and thus individualized in relation to the blank.
  • a SAW ID tag blank there is a component in the form of a coded SAW ID tag.
  • the method is not limited to SAW ID tags, but also covers other applications of components of the type mentioned, e.g. B. SAW filter.
  • a partial structure When a partial structure is removed in the individualization process, it is removed from the piezoelectric substrate using suitable methods.
  • the substructures When deactivated, the substructures are deactivated in such a way that they can no longer perform the intended function on the component. This can e.g. B. by cutting or partial removal of the substructures, e.g. B. lines happen.
  • This method has the advantage that the areas for deactivating or removing the unused substructures are generally larger than the substructures themselves, and therefore the individualization process needs to be less high-resolution than the basic process for producing the substructures on the blank , It follows that the customization process can be carried out using standard methods that are quick and comparatively inexpensive.
  • the blanks can conveniently be made in stock, e.g. B. from a specialized manufacturer, and later shipped to the end customer and customized depending on the order.
  • standard manufacturing methods only need to be expanded by one coding process.
  • a first spatial resolution in the individualization process is less than a second spatial resolution in the basic process for producing the substructures of the blank that are to be removed and / or deactivated.
  • the customization is thus shifted from an expensive to an inexpensive structuring.
  • a high-resolution lithography may be required to produce the partial structures in the basic process, but a lower-resolution, and thus faster and cheaper, lithography may be used to remove the partial structures in individualization.
  • the partial structures are produced with a smallest dimension determined by the first spatial resolution of the individual process, and so the first spatial resolution is matched to the required fineness of the partial structures.
  • a typical minimum structure size is 0.3 ⁇ m.
  • the individualization process is preceded by the basic process for the production of the blank without intermediate storage as a process step for the production of the component, because the transition from the basic process to the individualization process can thus take place at low cost, e.g. B. within a production line.
  • an additional etching process can be saved and no additional process steps or systems are required.
  • the blanks are first coated, e.g. B. with positive or negative resist, and then exposed. After the exposure, the latent image is developed, then the structures exposed by the exposure process are etched away, usually by wet chemical etching processes or dry etching processes. After stripping, the individualized component is available.
  • Mask manufacturing can be used, fast steppers, - programmable masks can be used in standard exposure systems or freely programmable laser lithography systems. In general, however, other lithography methods for 2D structuring can also be used, e.g. B. electron beam process.
  • the structures released for the etching attack can be etched away when the etching mask is developed with an alkaline developer (organic or inorganic).
  • an alkaline developer organic or inorganic
  • the thickness of the thinner conductive layers is typically less than 100 nm.
  • the blank to be individualized is advantageously selected from a set of identical blanks, in particular after a quality control.
  • the object is also achieved in that a set with several components of the type described above is produced from a set of several similar blanks, and at least one partial structure per blank is deactivated and / or removed in the subsequent individualization process for each of these blanks.
  • This can e.g. B. happen that on a Several blanks are produced within a basic process and then individualized after a wafer or other substrate. This can be followed by a separation.
  • it is also advantageous to process already isolated blanks at the same time.
  • Typical component sizes are (2 x 2) mm 2 for SAW high-frequency filters, (7.3 x 2.4) mm 2 for 20-bit SAW ID tags and (11.5 x 1.5) mm 2 for 32-bit SAW ID tags.
  • Typical SAW speeds are 3000 m / s to 4000 m / s at 50 MHz to 2.5 GHz.
  • the method is not restricted to components with these values.
  • This z. B. allows ongoing coding in one step, z. B. with 16 4-bit SAW ID tags, the encodings from 0 (binary 0000) to 15 (binary 1111).
  • the component is a surface wave identification mark ("SAW ID tag") which is produced by one of the methods mentioned. Due to the generally individual coding of the SAW ID tag, particularly efficient production is possible.
  • SAW ID tag surface wave identification mark
  • At least one partial structure, in particular all partial structures, is present in the OFW-ID tag using thin-film technology, in particular with a thickness of less than 100 nm, because an etching process can be saved in this way.
  • FIG. 1 shows a flowchart of the process sequence for individualizing SAW ID tags
  • FIG. 2 shows an individualized SAW ID tag and its signal response when actuated
  • FIG. 3 shows a blank B for producing the SAW ID tags
  • FIGS. 4 to 6 each show a SAW ID tag.
  • FIG. 2 above shows a top view of an individualized SAW ID tag T in the form of a reflective SAW delay line, as is shown, for example, in FIG. B. for remote readable identification of objects.
  • An input / output transducer W applied to a piezoelectric substrate S transmits surface waves via the substrate S in the direction of metallic reflectors R, which are attached to the substrate S one behind the other, that is to say locally varying.
  • metallic reflectors R which are attached to the substrate S one behind the other, that is to say locally varying.
  • the substrate S is single-crystal of lithium niobate (LiNb0 3 ), which is preferably used for SAW ID tags T and temperature sensors.
  • quartz can also be used, in particular for frequency-accurate components with a low temperature response and mechanical sensors, or lithium tantalate (Li-Ta0 3 ), in particular for HF filters, the reflectors R are made of aluminum.
  • the substructures can also consist of Al-Cu-Al layer systems.
  • the typical relative layer thickness of the substructures, based on the acoustic wavelength, is 1% to 3% for surface wave resonators and 8% to 12% for high-frequency filters
  • FIG. 2 shows the reflection signal corresponding to the upper partial image as a plot of the reflection in the time domain (S11) against a time t.
  • the reflection signals are given as reflection peaks P.
  • Each reflection peak P corresponds to a (partial) reflection and thus to the presence of a reflector R.
  • the position of each reflection peak P is, ideally linear, correlated with the transit time of the signal and from it with the distance to the input / output converter W (arrows ).
  • the positions of the individual reflection peaks P and their combination correspond to a special code or identification number that can be designed individually for each component.
  • General methods can be used for coding, e.g. B. pulse position coding, on-off coding or a combination of these methods.
  • B. pulse position coding e.g., on-off coding or a combination of these methods.
  • Bit pattern coding can be achieved in this way.
  • each SAW ID tag T is coded differently. This uniqueness distinguishes it from many common SAW components such as SAW filters, so that the processes known in SAW technology cannot be easily transferred to the manufacture of SAW ID tags.
  • a process flow for the individualization of SAW ID tags T is shown as a flow chart in FIG.
  • a typical manufacturing process of an SAW ID tag T comprises the following steps:
  • a set of several blanks B is manufactured in a basic process ("front end"), typically by means of lithography on a 3-inch or 4-inch wafer.
  • the structurally identical blanks B have all possible partial structures within a construction type, e.g. B. all possible reflectors R, which are combined in a reflector array A.
  • the blanks B can be processed immediately or stored temporarily.
  • For blank B it is decided whether it should be individualized. If the decision is negative, blank B is placed in the assembly where it is isolated and checked (“backend", see (8)). If the decision is positive, blank B is individualized.
  • the decision to individualize can depend on a selection of blanks B, e.g. B. via a quality control.
  • the individualization decision can e.g. B. also look so that when a suitable blank B is individualized, when another workpiece is present it is not individualized.
  • the wafer on which a set of blanks B or the reflector arrays A are located is coated. This can be done, for example, using a high-speed resist and a softbake in a variable temperature profile.
  • the latent paint image is then developed using an organic developer (puddle development).
  • the exposed illuminators R are etched away by an extended puddie time.
  • This method is of course not limited to SAW ID tags, but can also be used for other SAW components, such as SAW filters, mechanical sensors or temperature probes.
  • Figure 3 shows a blank B after supervision (step 1). For better comparison with FIG. 2 (top) it is shown individually and not on the wafer.
  • each of the 4 reflectors R which are combined in a reflector array A.
  • the reflector array A is divided into 4 sub-arrays PA1, PA2, PA3, PA4, from each of which a reflector R is selected for coding.
  • the other reflectors R are deactivated or removed. This can e.g. B. correspond to a bit pattern (from left to right: 1000 0100 0001 1000).
  • other types of coding are also possible.
  • FIG. 4 shows a supervision of an individualized SAW ID tag T after work step (5).
  • the photoresist is represented by slashes. You can see the exposed, developed and etched away areas on which there is no longer any photoresist.
  • the dimension of the exposure area required for the individualization is significantly larger than the maximum dimension of a partial structure, here at least one reflector R. This is particularly noticeable if the partial structure itself still has an internal structure.
  • FIG. 5 shows a further individualized SAW ID tag T 'after work step (5).
  • the photoresist is represented by slashes.
  • this SAW ID tag T ' which was produced from the same set of the same blanks B as that in FIG. 4, a different set of substructures was removed.
  • FIG. 6 shows a supervision of an SAW ID tag T * using several output converters 0 for coding.
  • the SAW ID tag T * has been individualized and coded analogously to the SAW ID tag T in FIG.
  • the SAW ID tag T * now comprises partial structures 1.0 in the form of an input converter I and a plurality of output converters 0.
  • Surface waves are introduced into the SAW ID tag T * by means of the input converter I, which is equipped with an antenna L1. These waves are picked up by the output transducers 0 and forwarded to an output antenna L2 via a common busbar G.
  • the position of the output transducers 0 relative to the output antenna L2 determines the chronological sequence of the signals radiated via the output antenna L2, by means of which coding can be implemented.
  • the SAW ID tag T * with output converters 0 is not limited to the configuration shown in this figure. Rather, others, e.g. B. parallel and / or serially wired output converters 0 can be used, for example by using only one antenna with parallel connection of input and output converters 1.0. Reflectors R and output converter 0 can also be present together on an SAW ID tag.

Abstract

The invention relates to a method for producing a component that comprises a piezoelectric substrate and a surface acoustic wave identification mark. According to the inventive method, a component (T, T', T*) is produced from a blank (B) that is provided with an piezoelectric substrate (S) and a plurality of conductive sub-structures (W, R, I, O) attached thereto. The inventive method is further characterized in that at least one of the sub-structures (W, R, I, O) is deactivated and/or removed in an individualization step.

Description

Beschreibungdescription
Verfahren zur Herstellung eines Bauteils mit piezoelektrischem Substrat und Oberflächenwellen-IdentifizierungsmarkeMethod for producing a component with a piezoelectric substrate and surface wave identification mark
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils mit einem piezoelektrischen Substrat und darauf angebrachten leitenden Teilstrukturen, insbesondere von Oberflächenwellen- (OF -) Bauteilen, ein Verfahren zur Herstellung eines Satzes von mehreren Bauteilen sowie eine Oberflächen- wellen-Identifizierungsmarke ("OF -ID-Tag") .The invention relates to a method for producing a component with a piezoelectric substrate and conductive substructures attached to it, in particular surface wave (OF) components, a method for producing a set of several components and a surface wave identification mark ("OF -ID -Day") .
Ein Verfahren zur Herstellung eines elektroakustischen OFW- Filters ist in "Reproducable fabrication of surface acoustic wave filters", von .-E. Bulst und E. Willibald-Riha, Telecom Report, _10 (1987) 247 beschrieben. Es umfaßt ein einkristallines piezoelektrisches Substrat mit einer aktiven Oberfläche, auf welcher metallische Strukturen angebracht werden. Diese Strukturen umfassen einen elektroakustischen Wandler, welcher eine eindeutige Beziehung zwischen einem elektrischen Signal an diesem Wandler und einer akustischen Oberflächenwelle auf der aktiven Oberfläche vermittelt und weiteren Strukturen. Diese weiteren Strukturen dienen dazu, eine sich auf der aktiven Oberfläche ausbreitende akustische Ober- flächenwelle zu modifizieren, welches insbesondere durch teilweise Reflexion geschieht.A method for producing an electroacoustic SAW filter is described in "Reproducable fabrication of surface acoustic wave filters", by.-E. Bulst and E. Willibald-Riha, Telecom Report, _10 (1987) 247. It comprises a single-crystalline piezoelectric substrate with an active surface on which metallic structures are attached. These structures include an electroacoustic transducer, which mediates a clear relationship between an electrical signal at this transducer and a surface acoustic wave on the active surface and other structures. These further structures serve to modify an acoustic surface wave propagating on the active surface, which occurs in particular through partial reflection.
Zur Anwendung eines elektroakustischen OFW-Bauelements als Filter wird weiterhin verwiesen auf den Aufsatz "Surface acoustic wave filters for digital radio ^relay Systems" von G. Riha, H. Stocker und P. Zebis, Telecom Report, 10 (1987) 241.For the use of an electroacoustic SAW component as a filter, reference is also made to the article "Surface acoustic wave filters for digital radio ^ relay systems" by G. Riha, H. Stocker and P. Zebis, Telecom Report, 10 (1987) 241.
OFW-Bauelemente sind allerdings nicht nur als Filter geeignet, sondern können auch als Sensoren und Identifizierungs- marken ("ID-Tags") eingesetzt werden. Siehe hierzu den Aufsatz "Akustische Oberflächenwellen - Technologie für Innovationen" von W. -E. Bulst und C. Ruppel, Siemens-Zeitschrift Spezial, Frühjahr 1995, S. 2 und den Aufsatz "RF-powered wi- reless SAW-Sensors" von G. Scholl, F. Schmidt, T. Ostertag, 0. Sczesny und C. Seisenberger; RF-Powered Wireless SAW Sensors. Sensor99 Proceedings, Bd. 2 (1999) C7.2, Ξ. 227-232).SAW components are not only suitable as filters, but can also be used as sensors and identification tags ("ID tags"). See also the article "Acoustic Surface Waves - Technology for Innovations" by W. -E. Bulst and C. Ruppel, Siemens magazine Spezial, spring 1995, p. 2 and the essay "RF-powered wellness SAW sensors" by G. Scholl, F. Schmidt, T. Ostertag, 0. Sczesny and C. Seisenberger; RF-Powered Wireless SAW Sensors. Sensor99 Proceedings, Vol. 2 (1999) C7.2, Ξ. 227-232).
Bisher werden OFW-Bauteile so hergestellt, daß deren variierende OFW-Teilstrukturen in einem Lithographieprozeß einzeln plaziert werden, d. h. pro Teilstruktur ein Belichtungsstep durchgeführt wird oder für unterschiedliche OFW-Bauteile un- terschiedliche Masken verwendet werden. Da die Abmessung der zu erzeugenden Strukturen in der Regel im Mikrometer- oder Submikrometer-Bereich liegt, ist zu deren Belichtung eine hochauflösende und teure Lithographie notwendig. Jeder Belichtungsstep pro Bauteil verursacht erhöhte Fertigungskosten bzw. einen geringen Bauteildurchsatz.So far SAW components have been manufactured in such a way that their varying SAW substructures are placed individually in a lithography process, i. H. one exposure step is carried out for each substructure or different masks are used for different SAW components. Since the dimensions of the structures to be produced are generally in the micrometer or submicrometer range, high-resolution and expensive lithography is necessary to expose them. Each exposure step per component causes increased manufacturing costs or a low component throughput.
Dies ist insbesondere nachteilig bei Oberflächenwellen-Iden- tifizierungsmarken ("OFW-ID-Tags") , welche innerhalb eines Einsatzgebietes oft individuell kodiert sein müssen. Bei- spielsweise wird bei einem OFW-ID-Tag die Kodierung in der Regel durch individuelle Plazierung von Reflektoren oder Wandlern dargestellt, wobei die Zahl der möglichen Reflektoren oder Wandler die Stärke der Kodierung bestimmt. Bei größeren OFW-Bauteilen kann es zu 30 oder mehr Einzelbelich- tungen kommen.This is particularly disadvantageous in the case of surface wave identification marks ("SAW ID tags"), which often have to be individually coded within an area of application. For example, in the case of an SAW ID tag, the coding is generally represented by the individual placement of reflectors or transducers, the number of possible reflectors or transducers determining the strength of the coding. Larger SAW components can have 30 or more single exposures.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Möglichkeit zur einfachen und schnellen Herstellung von Bauteilen mit einem piezoelektrischen Substrat und darauf angebrachten leitenden Teilstrukturen bereitzustellen.It is the object of the present invention to provide a possibility for the simple and fast production of components with a piezoelectric substrate and conductive substructures attached thereon.
Die Lösung der Aufgabe geschieht mittels der Verfahrens gemäß einem der Patentansprüche 1 oder 9 und mittels einer Vorrichtung gemäß einem der Patentanspruch 11 oder 12.The object is achieved by means of the method according to one of the claims 1 or 9 and by means of a device according to one of the claims 11 or 12.
Das Herstellungsverfahren beruht darauf, einen Rohling, der mindestens ein piezoelektrisches Substrat und darauf mehrere leitende Teilstrukturen umfaßt, in einem Individualisierungsprozeß so weiterzuverarbeiten, daß mindestens eine der auf dem Rohling vorhandenen Teilstrukturen deaktiviert bzw. entfernt wird.The manufacturing process is based on a blank, the at least one piezoelectric substrate and several includes conductive substructures to be further processed in an individualization process in such a way that at least one of the substructures present on the blank is deactivated or removed.
Typischerweise weist der Rohling viele Teilstrukturen auf, z. B. mehr als zwanzig Reflektoren auf einem OFW-ID-Tag-Rohling. Aus der Menge der vorhanden Teilstrukturen wird ein Teil deaktiviert und/oder entfernt und damit in Bezug auf den Roh- ling individualisiert. Beispielsweise liegt nach der Individualisierung eines OFW-ID-Tag-Rohlings ein Bauteil in Form eines kodierten OFW-ID-Tags vor. Das Verfahren ist nicht auf OFW-ID-Tags beschränkt, sondern erfaßt auch andere Anwendungen von Bauteilen der genannten Art, z. B. OFW-Filter.Typically, the blank has many substructures, e.g. B. more than twenty reflectors on a SAW ID tag blank. A part is deactivated and / or removed from the set of existing partial structures and thus individualized in relation to the blank. For example, after the individualization of a SAW ID tag blank, there is a component in the form of a coded SAW ID tag. The method is not limited to SAW ID tags, but also covers other applications of components of the type mentioned, e.g. B. SAW filter.
Bei der Entfernung einer Teilstruktur im Individualisierungsprozeß wird diese mittels geeigneter Methoden vom piezoelektrischen Substrat entfernt. Bei der Deaktivierung werden die Teilstrukturen jeweils so deaktiviert, daß sie eine vorgese- hene Funktion am Bauteil nicht mehr erfüllen können. Dies kann z. B. durch Zertrennen oder teilweise Entfernung der Teilstrukturen, z. B. Leitungen, geschehen.When a partial structure is removed in the individualization process, it is removed from the piezoelectric substrate using suitable methods. When deactivated, the substructures are deactivated in such a way that they can no longer perform the intended function on the component. This can e.g. B. by cutting or partial removal of the substructures, e.g. B. lines happen.
Aus diesem Verfahren ergibt sich der Vorteil, daß die Flächen zur Deaktivierung bzw. Entfernung der nicht verwendeten Teilstrukturen in der Regel größer dimensioniert sind als die Teilstrukturen selbst, und daher der Individualisierungsprozeß weniger hochauflösend zu sein braucht als der Grundprozeß zur Herstellung der Teilstrukturen auf dem Rohling. Es folgt, daß der Individualisierungsprozeß mit Standardmethoden durchführbar ist, die schnell und vergleichsweise preiswert sind.This method has the advantage that the areas for deactivating or removing the unused substructures are generally larger than the substructures themselves, and therefore the individualization process needs to be less high-resolution than the basic process for producing the substructures on the blank , It follows that the customization process can be carried out using standard methods that are quick and comparatively inexpensive.
Die Rohlinge können günstigerweise auf Lager gefertigt, z. B. bei einem spezialisierten Hersteller, und später zum Endabnehmer verschickt und auftragsabhängig individualisiert werden. Es ergibt sich als weiterer Vorteil, daß Standard-Herstellungsverfahren lediglich um einen Kodierprozeß erweitert werden brauchen.The blanks can conveniently be made in stock, e.g. B. from a specialized manufacturer, and later shipped to the end customer and customized depending on the order. There is a further advantage that standard manufacturing methods only need to be expanded by one coding process.
Es ist günstig, wenn eine erste Ortsauflösung im Individualisierungsprozeß geringer ist als eine zweite Ortsauflösung im Grundprozeß zur Herstellung der zu entfernenden und/oder zu deaktivierenden Teilstrukturen des Rohlings. Die Individuali- sierung wird so von einer teuren auf eine preiswerte Strukturierung verlagert. Beispielsweise kann zur Herstellung der Teilstrukturen im Grundprozeß eine hochauflösende Lithographie benötigt werden, zur Entfernung der Teilstrukturen in Individualisierung aber eine niedriger auflösende, und damit schnellere und preiswertere Lithographie verwendet werden.It is advantageous if a first spatial resolution in the individualization process is less than a second spatial resolution in the basic process for producing the substructures of the blank that are to be removed and / or deactivated. The customization is thus shifted from an expensive to an inexpensive structuring. For example, a high-resolution lithography may be required to produce the partial structures in the basic process, but a lower-resolution, and thus faster and cheaper, lithography may be used to remove the partial structures in individualization.
Es ist vorteilhaft, wenn die Teilstrukturen mit einer von der ersten Ortsauflösung des Individualprozesses bestimmten kleinsten Abmessung hergestellt werden, und so die erste Ortsauflösung auf die benötigte Feinheit der Teilstrukturen abgestimmt ist. Eine typische minimale Strukturgröße beträgt 0,3 μm.It is advantageous if the partial structures are produced with a smallest dimension determined by the first spatial resolution of the individual process, and so the first spatial resolution is matched to the required fineness of the partial structures. A typical minimum structure size is 0.3 μm.
Es ist vorteilhaft, wenn im Individualisierungsprozeß zur De- aktivierung und/oder Entfernung von Teilstrukturen ein Lithographieverfahren verwendet wird, weil dieses zuverlässig, genau und vergleichsweise preiswert, z. B. gegenüber mechanischen Methoden wie Micromachining, verwendbar ist.It is advantageous if a lithography method is used in the individualization process for deactivating and / or removing partial structures, because this is reliable, accurate and comparatively inexpensive, e.g. B. compared to mechanical methods such as micromachining.
Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn dem Individualisierungsprozeß der Grundprozeß zur Herstellung des Rohlings ohne Zwischenlagerung als Verfahrensschritt zur Herstellung des Bauteils vorausgeht, weil so der Übergang vom Grundprozeß zum Individualisierungsprozeß kostengünstig erfolgen kann, z. B. innerhalb einer Fertigungsstraße. Beispielsweise kann ein zusätzlicher Ätzprozeß eingespart werden, und es werden keine zusätzlichen Prozeßschritte oder Anlagen benötigt. Typischerweise werden beim Lithographieverfahren zur Individualisierung die Rohlinge zunächst belackt, z. B. mit Positiv- oder Negativ-Resist, und danach belichtet. Nach der Belichtung wird das latente Bild ausentwickelt, dann werden die durch den Belichtungsprozeß freigelegten Strukturen weggeätzt, üblicherweise durch naßchemische Ätzprozesse oder Trok- kenätzverfahren. Nach dem Entlacken liegt das individualisierte Bauteil vor.It is particularly advantageous if the individualization process is preceded by the basic process for the production of the blank without intermediate storage as a process step for the production of the component, because the transition from the basic process to the individualization process can thus take place at low cost, e.g. B. within a production line. For example, an additional etching process can be saved and no additional process steps or systems are required. Typically in the lithography process for individualization, the blanks are first coated, e.g. B. with positive or negative resist, and then exposed. After the exposure, the latent image is developed, then the structures exposed by the exposure process are etched away, usually by wet chemical etching processes or dry etching processes. After stripping, the individualized component is available.
Es ist vorteilhaft, wenn bei der Lithographie schnelle Pattern-Generatoren, die üblicherweise in derIt is advantageous if in the case of lithography fast pattern generators, which are usually used in the
Maskenfertigung eingesetzt werden, schnelle Stepper, - programmierbare Masken in Standard-Belichtungsanlagen oder frei programmierbare Laser-Lithographiesysteme verwendet werden. Allgemein können aber auch andere Lithographieverfahren zur 2D-Strukturierung eingesetzt werden, z. B. Elektronenstrahlverfahren.Mask manufacturing can be used, fast steppers, - programmable masks can be used in standard exposure systems or freely programmable laser lithography systems. In general, however, other lithography methods for 2D structuring can also be used, e.g. B. electron beam process.
Bei dünneren Leitschichten können bereits beim Entwickeln der Ätzmaske mit einem alkalischen Entwickler (organisch oder anorganisch) die dem Ätzangriff freigegebenen Strukturen weggeätzt werden. Die Dicke der dünneren Leitschichten ist - je nach Frequenz und Anwendung - typischerweise kleiner als 100 nm.In the case of thinner conductive layers, the structures released for the etching attack can be etched away when the etching mask is developed with an alkaline developer (organic or inorganic). Depending on the frequency and application, the thickness of the thinner conductive layers is typically less than 100 nm.
Günstigerweise wird der zu individualisierende Rohling aus einem Satz gleicher Rohlinge ausgewählt, insbesondere nach einer Qualitätskontrolle.The blank to be individualized is advantageously selected from a set of identical blanks, in particular after a quality control.
Die Aufgabe wird auch dadurch gelöst, daß aus einem Satz mehrerer gleichartiger Rohlinge ein Satz mit mehreren Bauteilen der oben beschriebenen Art hergestellt wird, und es bei jedem dieser Rohlinge im nachfolgenden Individualisierungsprozeß mindestens eine Teilstruktur pro Rohling deaktiviert und/oder entfernt wird. Dies kann z. B. dadurch geschehen, daß auf ei- nem Wafer oder anderem Substrat mehrere Rohlinge innerhalb eines Grundprozesses hergestellt und danach individualisiert werden. Eine Vereinzelung kann sich daran anschließen. Es ist aber auch die gleichzeitige Bearbeitung schon vereinzelter Rohlinge vorteilhaft.The object is also achieved in that a set with several components of the type described above is produced from a set of several similar blanks, and at least one partial structure per blank is deactivated and / or removed in the subsequent individualization process for each of these blanks. This can e.g. B. happen that on a Several blanks are produced within a basic process and then individualized after a wafer or other substrate. This can be followed by a separation. However, it is also advantageous to process already isolated blanks at the same time.
Beispielsweise werden 3-Zoll- oder 4-Zoll-Wafer verwendet. Typische Bauteilgrößen sind (2 x 2) mm2 für OFW-Hochfrequenz- filter, (7,3 x 2,4) mm2 für 20-bit-OFW-ID-Tags und (11,5 x 1,5) mm2 für 32-bit-OFW-ID-Tags . Typische OFW-Geschwindigkei- ten betragen 3000 m/s bis 4000 m/s bei 50 MHz bis 2,5 GHz. Selbstverständlich ist das Verfahren nicht auf Bauteile mit diesen Werten beschränkt.For example, 3 inch or 4 inch wafers are used. Typical component sizes are (2 x 2) mm 2 for SAW high-frequency filters, (7.3 x 2.4) mm 2 for 20-bit SAW ID tags and (11.5 x 1.5) mm 2 for 32-bit SAW ID tags. Typical SAW speeds are 3000 m / s to 4000 m / s at 50 MHz to 2.5 GHz. Of course, the method is not restricted to components with these values.
Es wird zudem bevorzugt, wenn innerhalb des Individualisierungsprozesses für jeden der gleichzeitig behandelten Rohlinge ein jeweils unterschiedlicher Satz von Teilstrukturen deaktiviert und/oder entfernt wird. Dadurch wird z. B. eine laufende Kodierung in einem Arbeitsschritt ermöglicht, z. B. bei 16 4-bit-OFW-ID-Tags die Kodierungen von 0 (binär 0000) bis 15 (binär 1111) .It is also preferred if a different set of substructures is deactivated and / or removed for each of the blanks treated simultaneously within the individualization process. This z. B. allows ongoing coding in one step, z. B. with 16 4-bit SAW ID tags, the encodings from 0 (binary 0000) to 15 (binary 1111).
Es ist vorteilhaft, wenn das Bauteil eine Oberflächenwellen- Identifikationsmarke ("OFW-ID-Tag") ist, das nach einem der genannten Verfahren hergestellt wird. Aufgrund der in der Regel individuellen Kodierung der OFW-ID-Tag ist eine besonders rationelle Fertigung möglich.It is advantageous if the component is a surface wave identification mark ("SAW ID tag") which is produced by one of the methods mentioned. Due to the generally individual coding of the SAW ID tag, particularly efficient production is possible.
Es ist insbesondere vorteilhaft, wenn mindestens eine Teil- Struktur in Form eines Eingangs-/Ausgangs-Wandlers zur Wandlung von elektromagnetischen in Oberflächenwellen und umgekehrt aufweist, sowie mehrere lokal variierende Teilstrukturen in Form von Reflektoren, wobei durch eine Position der Reflektoren eine Kodierung bestimmt wird. Bei der Herstellung wird mindestens ein Reflektor entfernt. Es ist auch günstig, wenn mindestens eine Teilstruktur ein Eingangswandler zur Wandlung von elektromagnetischen in Oberflächenwellen ist, und mehrere Teilstrukturen in Form von Ausgangs andlern vorliegen, wobei durch eine Position der Ausgangswandlern eine Kodierung bestimmt wird. Bei der Herstellung wird mindestens ein Ausgangswandler entfernt.It is particularly advantageous if at least one partial structure in the form of an input / output converter for converting electromagnetic waves into surface waves and vice versa, as well as several locally varying partial structures in the form of reflectors, a coding being determined by a position of the reflectors , At least one reflector is removed during manufacture. It is also favorable if at least one substructure is an input transducer for converting electromagnetic waves into surface waves, and several substructures are in the form of output transducers, a coding being determined by a position of the output transducers. At least one output converter is removed during manufacture.
Es wird dabei besonders bevorzugt, wenn bei dem OFW-ID-Tag mindestens eine Teilstruktur, insbesondere sämtliche Teil- Strukturen, in Dünnschichttechnik, insbesondere mit einer Dicke kleiner als 100 nm vorliegen, weil so ein Ätzprozeß eingespart werden kann.It is particularly preferred if at least one partial structure, in particular all partial structures, is present in the OFW-ID tag using thin-film technology, in particular with a thickness of less than 100 nm, because an etching process can be saved in this way.
In den folgenden Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zur Herstellung individualisierter Bauteile in Form von OFW-ID- Tags und ein damit hergestellter OFW-ID-Tag schematisch näher dargestellt.In the following exemplary embodiments, a method for producing individualized components in the form of SAW ID tags and a SAW ID tag produced therewith are shown schematically in more detail.
Figur 1 zeigt als Flußdiagramm den Prozeßablauf zur Individualisierung von OFW-ID-Tags,FIG. 1 shows a flowchart of the process sequence for individualizing SAW ID tags,
Figur 2 zeigt ein individualisiertes OFW-ID-Tag und dessen Signalantwort bei Betätigung, Figur 3 zeigt einen Rohling B zur Fertigung der OFW- ID-Tags, Figuren 4 bis 6 zeigen jeweils ein OFW-ID-Tag.FIG. 2 shows an individualized SAW ID tag and its signal response when actuated, FIG. 3 shows a blank B for producing the SAW ID tags, FIGS. 4 to 6 each show a SAW ID tag.
Figur 2 oben zeigt eine Aufsicht auf ein individualisiertes OFW-ID-Tag T in Form einer reflektiven OFW-Verzögerungslei- tung, wie es z. B. zur fernauslesbaren -Identifizierung von Objekten einsetzbar ist.FIG. 2 above shows a top view of an individualized SAW ID tag T in the form of a reflective SAW delay line, as is shown, for example, in FIG. B. for remote readable identification of objects.
Ein auf einem piezoelektrischen Substrat S aufgebrachter Ein- gangs-/Ausgangs-Wandler W sendet über das Substrat S Oberflä- chenwellen in Richtung metallischer Reflektoren R aus, welche hintereinander, also lokal variierend, auf dem Substrat S angebracht sind. Bei Auftreffen der Oberflächenwellen auf den Reflektoren R wird jeweils ein Teil der Oberflächenwellen reflektiert, und dann im Eingangs-/Ausgangs-Wandler W detek- tiert .An input / output transducer W applied to a piezoelectric substrate S transmits surface waves via the substrate S in the direction of metallic reflectors R, which are attached to the substrate S one behind the other, that is to say locally varying. When the surface waves hit the A portion of the surface waves is reflected in each case by reflectors R and is then detected in the input / output converter W.
Das Substrat S ist einkristallin aus Lithiumniobat (LiNb03) , das bevorzugt für OFW-ID-Tags T und Temperatursensoren verwendet wird. Allgemein können unter anderem auch Quarz, insbesondere für frequenzgenaue Bauteile mit geringem Temperaturgang und mechanische Sensoren, oder Lithiumtantalat (Li- Ta03) , insbesondere für HF-Filter, verwendet werden, die Reflektoren R bestehen aus Aluminium. Für eine hohe Leistung können die Teilstrukturen auch aus Al-Cu-Al-Schichtsystemen bestehen.The substrate S is single-crystal of lithium niobate (LiNb0 3 ), which is preferably used for SAW ID tags T and temperature sensors. In general, quartz can also be used, in particular for frequency-accurate components with a low temperature response and mechanical sensors, or lithium tantalate (Li-Ta0 3 ), in particular for HF filters, the reflectors R are made of aluminum. For high performance, the substructures can also consist of Al-Cu-Al layer systems.
Die typische relative, auf die akustische Wellenlänge bezogene Schichtdicke der Teilstrukturen beträgt 1% bis 3% bei Oberflächenwellen-Resonatoren und 8% bis 12% bei HochfrequenzfilternThe typical relative layer thickness of the substructures, based on the acoustic wavelength, is 1% to 3% for surface wave resonators and 8% to 12% for high-frequency filters
Figur 2 unten zeigt das dem oberen Teilbild entsprechende Reflexionssignal als Auftragung der Reflexion im Zeitbereich (Sll) gegen eine Zeit t. Die Reflexionssignale sind als Re- flexionspeaks P gegeben.FIG. 2 below shows the reflection signal corresponding to the upper partial image as a plot of the reflection in the time domain (S11) against a time t. The reflection signals are given as reflection peaks P.
Jedes Reflexionspeak P entspricht einer (Teil-) Reflexion und damit einem Vorhandensein eines Reflektors R. Die Position jedes Reflexionspeaks P ist, im Idealfall linear, mit der Laufzeit des Signals und daraus mit dem Abstand zum Eingangs- /Ausgangs-Wandler W korreliert (Pfeile) . Den Positionen der einzelnen Reflexionspeaks P und deren Kombination entspricht ein spezieller Code bzw. eine Kennummer, die individuell je Bauteil gestaltbar ist.Each reflection peak P corresponds to a (partial) reflection and thus to the presence of a reflector R. The position of each reflection peak P is, ideally linear, correlated with the transit time of the signal and from it with the distance to the input / output converter W (arrows ). The positions of the individual reflection peaks P and their combination correspond to a special code or identification number that can be designed individually for each component.
Zur Kodierung können allgemeine Methoden verwendet werden, z. B. Puls-Positions-Kodierung, on-off-Kodierung oder eine Kombination dieser Verfahren. Beispielsweise kann ein Vorhanden- sein eines Reflektors R als "Ein"-Zustand interpretiert werden, und das Fehlen eines Reflektors R entsprechend als "Aus"-Zustand. Dadurch läßt sich eine Bitmuster-Kodierung erreichen.General methods can be used for coding, e.g. B. pulse position coding, on-off coding or a combination of these methods. For example, an existing be a reflector R to be interpreted as an "on" state, and the absence of a reflector R accordingly as an "off" state. Bit pattern coding can be achieved in this way.
In der Regel ist jedes OFW-ID-Tag T unterschiedlich kodiert. Diese Einzigartigkeit unterscheidet es von vielen gängigen OFW-Bauelementen wie OFW-Filtern, so daß die in der OFW-Tech- nik bekannten Verfahren nicht ohne weiteres auf die Herstel- lung der OFW-ID-Tags übertragbar sind.As a rule, each SAW ID tag T is coded differently. This uniqueness distinguishes it from many common SAW components such as SAW filters, so that the processes known in SAW technology cannot be easily transferred to the manufacture of SAW ID tags.
Ein solches OFW-ID-Tag T wird bisher durch eine herkömmliche, zeit- und kostenintensive Einzelaufbringung der Teilstrukturen hergestellt.Such an SAW ID tag T has so far been produced by conventional, time-consuming and costly application of the substructures.
In Figur 1 ist als Flußdiagramm ein Prozeßablauf zur Individualisierung von OFW-ID-Tags T dargestellt.A process flow for the individualization of SAW ID tags T is shown as a flow chart in FIG.
Links der gestrichelten Linie sind Arbeitsschritte zur Standardfertigung für OFW-Massenbauteile aufgetragen, rechts davon Arbeitsschritte zum Individualisierungsprozeß, insbesondere zur Kodierung von ID-Tags.To the left of the dashed line are work steps for standard production for SAW mass components, to the right of these work steps for the individualization process, in particular for coding ID tags.
Ein typischer Herstellungsprozeß eines OFW-ID-Tags T umfaßt folgende Arbeitsschritte:A typical manufacturing process of an SAW ID tag T comprises the following steps:
(1) Zu Beginn einer Fertigung wird in einem Grundprozeß ein Satz mehrerer Rohlinge B auf Waferebene gefertigt ("Frontend") , typischerweise mittels Lithographie auf einem 3-Zoll- oder 4-Zoll-Wafer. Die baugleichen Rohlinge B weisen alle innerhalb eines Bautyps möglichen Teilstrukturen auf, z. B. alle möglichen Reflektoren R, die in einem Reflektorarray A zusammengefaßt sind. Die Rohlinge B können sofort weiterverarbeitet oder zwischengelagert werden. (2) Für den Rohling B wird entschieden, ob er individualisiert werden soll. Bei negativer Entscheidung wird der Rohling B in den Aufbau gegeben, wo er vereinzelt und geprüft wird ("Backend", siehe (8) ) . Bei positiver Ent- Scheidung wird der Rohling B individualisiert. Die Entscheidung zur Individualisierung kann von einer Auswahl der Rohlinge B abhängig sein, z. B. über eine Qualitätskontrolle.(1) At the start of production, a set of several blanks B is manufactured in a basic process ("front end"), typically by means of lithography on a 3-inch or 4-inch wafer. The structurally identical blanks B have all possible partial structures within a construction type, e.g. B. all possible reflectors R, which are combined in a reflector array A. The blanks B can be processed immediately or stored temporarily. (2) For blank B it is decided whether it should be individualized. If the decision is negative, blank B is placed in the assembly where it is isolated and checked ("backend", see (8)). If the decision is positive, blank B is individualized. The decision to individualize can depend on a selection of blanks B, e.g. B. via a quality control.
Die Individualisierungsentscheidung kann z. B. auch so aussehen, daß bei einem Vorliegen eines geeigneten Rohlings B eine Individualisierung vorgenommen wird, beim Vorliegen eines anderen Werkstücks nicht individualisiert wird.The individualization decision can e.g. B. also look so that when a suitable blank B is individualized, when another workpiece is present it is not individualized.
(3) Als erster Schritt im Individualisierungsprozeß wird der Wafer, auf dem sich ein Satz Rohlinge B bzw. die Reflek- torarrays A befinden, belackt. Dies kann beispielsweise mittels eines Highspeed-Resists und einem Softbake in einem variablen Temperaturprofil geschehen.(3) As a first step in the individualization process, the wafer on which a set of blanks B or the reflector arrays A are located is coated. This can be done, for example, using a high-speed resist and a softbake in a variable temperature profile.
(4) Es folgt eine Freibelichtung der aus dem Reflektorarray A zu entfernenden Reflektoren R mit einem I-line- Stepper .(4) There follows an exposure of the reflectors R to be removed from the reflector array A with an I-line stepper.
(5) Danach wird das latente Lackbild mittels eines organischen Entwicklers ausentwickelt (Puddle-Entwicklung) . Die freibelichteten Reflektoren R werden durch eine verlängerte Puddiezeit weggeätzt.(5) The latent paint image is then developed using an organic developer (puddle development). The exposed illuminators R are etched away by an extended puddie time.
(6) Entlacken der Wafer im Stripper NMP.(6) Stripping the wafers in the stripper NMP.
(7) Optische Kontrolle der individualisierten OFW-Bauteile T.(7) Optical inspection of the individualized SA components T.
Nach der Individualisierung kann sich z. B. (8) Aufbau der OFW-Bauteile T, indem diese vereinzelt und geprüft werden ("Backend")After individualization, e.g. B. (8) Structure of the SA components T by separating and checking them ("backend")
anschließen. Durch diese Art der Individualisierung ergeben sich neben der Möglichkeit des Einsatzes schneller und preiswerter Standardprozesse mit vergleichsweise geringer Auflösung auch die Vorteile, daß ein zusätzlicher Ätzprozeß mit vorbereitenden Prozeßschritten wie Aufheizen des Fotolacks nach dem Entwickeln eingespart wird, und der Ätzprozeß ein Teilprozeß der Strukturentwicklung ist und daher keine zusätzlichen Prozeßschritte oder Anlagen benötigt.connect. This type of individualization offers, in addition to the possibility of using fast and inexpensive standard processes with a comparatively low resolution, the advantages that an additional etching process with preparatory process steps such as heating the photoresist after development is saved, and the etching process is a sub-process of the structural development and therefore no additional process steps or plants are required.
Dieses Verfahren ist selbstverständlich nicht auf OFW-ID-Tags beschränkt, sondern auch auf andere OFW-Bauteile anwendbar, wie OFW-Filter, mechanische Sensoren oder Temperatursonden..This method is of course not limited to SAW ID tags, but can also be used for other SAW components, such as SAW filters, mechanical sensors or temperature probes.
Figur 3 zeigt in Aufsicht einen Rohling B nach Schritt (1) . Er ist zum besseren Vergleich mit Figur 2 (oben) vereinzelt dargestellt, und nicht auf dem Wafer.Figure 3 shows a blank B after supervision (step 1). For better comparison with FIG. 2 (top) it is shown individually and not on the wafer.
Bei diesem Bauteiltyp sind 4 verschiedene Positionen für je- den der 4 Reflektoren R möglich, welche in einem Reflektorarray A zusammengefaßt sind. Das Reflektorarray A ist in 4 Teilarrays PA1, PA2, PA3, PA4 unterteilt, aus denen jeweils ein Reflektor R zur Kodierung ausgesucht wird. Die anderen Reflektoren R werden deaktiviert oder entfernt. Dies kann z. B. einem Bitmuster (v.l.n.r.: 1000 0100 0001 1000) entsprechen. Es sind aber auch andere Kodierungsarten möglich.With this type of component, 4 different positions are possible for each of the 4 reflectors R, which are combined in a reflector array A. The reflector array A is divided into 4 sub-arrays PA1, PA2, PA3, PA4, from each of which a reflector R is selected for coding. The other reflectors R are deactivated or removed. This can e.g. B. correspond to a bit pattern (from left to right: 1000 0100 0001 1000). However, other types of coding are also possible.
Figur 4 zeigt in Aufsicht ein individualisiertes OFW-ID-Tag T nach Arbeitsschritt (5) . Der Fotolack ist durch Schrägstriche dargestellt. Man erkennt die belichteten, entwickelten und weggeätzten Bereiche, auf denen sich kein Fotolack mehr befindet. Pro Teil- array PA1, PA2, PA3, PA4 wurden drei Reflektoren R entfernt, deren ehemalige Position gestrichelt dargestellt ist. Weiterhin vorhanden sind die unter dem Fotolack befindlichen Reflektoren R sowie der Eingangs-/Ausgangs-Wandler W.FIG. 4 shows a supervision of an individualized SAW ID tag T after work step (5). The photoresist is represented by slashes. You can see the exposed, developed and etched away areas on which there is no longer any photoresist. For each partial array PA1, PA2, PA3, PA4, three reflectors R were removed, the former position of which is shown in broken lines. The reflectors R under the photoresist and the input / output converter W are also available.
Nach einem Entfernen des Fotolacks ergibt sich der in Figur 2 oben dargestellte OFW-ID-Tag T.After removal of the photoresist, the SAW ID tag T shown in FIG. 2 results.
Man erkennt deutlich, daß die Dimension der bei der Individualisierung notwendigen Belichtungsfläche signifikant größer ist als die maximale Dimension einer Teilstruktur, hier mindestens eines Reflektors R. Dies macht sich insbesondere vor- teilhaft bemerkbar, falls die Teilstruktur selbst noch eine innere Struktur aufweist.It can clearly be seen that the dimension of the exposure area required for the individualization is significantly larger than the maximum dimension of a partial structure, here at least one reflector R. This is particularly noticeable if the partial structure itself still has an internal structure.
Figur 5 zeigt in Aufsicht ein weiteres individualisiertes OFW-ID-Tag T' nach Arbeitsschritt (5) . Der Fotolack ist durch Schrägstriche dargestellt.FIG. 5 shows a further individualized SAW ID tag T 'after work step (5). The photoresist is represented by slashes.
Bei diesem OFW-ID-Tag T', das aus dem gleichen Satz von gleichen Rohlingen B hergestellt wurde wie dasjenige in Figur 4, wurde im Unterschied dazu ein unterschiedlicher Satz von Teilstrukturen entfernt. Dies kann z. B. einem binären Bitmuster (v.l.n.r.: 0100 0100 1000 0001) entsprechen.In contrast, in this SAW ID tag T ', which was produced from the same set of the same blanks B as that in FIG. 4, a different set of substructures was removed. This can e.g. B. correspond to a binary bit pattern (from left to right: 0100 0100 1000 0001).
Figur 6 zeigt in Aufsicht ein OFW-ID-Tag T* unter Verwendung mehrerer Ausgangswandler 0 zur Kodierung.FIG. 6 shows a supervision of an SAW ID tag T * using several output converters 0 for coding.
Der OFW-ID-Tag T* ist analog zum OFW-ID-Tag T in Figur 4 individualisiert und kodiert worden. In dieser Figur umfaßt der OFW-ID-Tag T* nun Teilstrukturen 1,0 in Form eines Eingangs- wandlers I und mehrerer Ausgangswandler 0. Mittels des Eingangswandlers I, der mit einer Antenne Ll ausgerüstet ist, werden Oberflächenwellen in das OFW-ID-Tag T* eingeleitet. Diese Wellen werden von den Ausgangswandlern 0 aufgenommen und über eine gemeinsame Sammelschiene G an eine Ausgangsantenne L2 weitergeleitet. Durch die Position der Ausgangswandler 0 relativ zur Ausgangsantenne L2 wird die zeitliche Abfolge der über die Ausgangsantenne L2 abgestrahlten Signale bestimmt, durch die eine Kodierung implementierbar ist.The SAW ID tag T * has been individualized and coded analogously to the SAW ID tag T in FIG. In this figure, the SAW ID tag T * now comprises partial structures 1.0 in the form of an input converter I and a plurality of output converters 0. Surface waves are introduced into the SAW ID tag T * by means of the input converter I, which is equipped with an antenna L1. These waves are picked up by the output transducers 0 and forwarded to an output antenna L2 via a common busbar G. The position of the output transducers 0 relative to the output antenna L2 determines the chronological sequence of the signals radiated via the output antenna L2, by means of which coding can be implemented.
Auf dem Rohling waren noch je vier Teilarrays PA1*, ... , PA4* mit jeweils vier Ausgangswandlern vorhanden. Durch den Individualisierungsprozeß sind pro Teilarray PA1*, ... ,PA4* drei Ausgangswandlern entfernt worden (gestrichelt) und ein Aus- gangswandlern 0 ist übrig geblieben.There were four subarrays PA1 *, ..., PA4 * each with four output converters on the blank. As a result of the individualization process, three output converters per partial array PA1 *, ..., PA4 * have been removed (dashed lines) and one output converter 0 remains.
Statt einer Entfernung der drei Ausgangswandler pro Teilarray PA1*, ... ,PA4* können diese auch deaktiviert werden, z. B. durch eine Unterbrechung der Verbindung zu einer oder beiden Sammelschienen G.Instead of removing the three output converters per sub-array PA1 *, ..., PA4 *, they can also be deactivated, e.g. B. by interrupting the connection to one or both busbars G.
Der OFW-ID-Tag T* mit Ausgangswandlern 0 ist nicht auf die in dieser Figur dargestellte Konfiguration beschränkt. Vielmehr können auch andere, z. B. parallel und/oder seriell verdrah- tete Ausgangswandler 0 verwendet werden, beispielsweise unter mittels nur einer Antenne bei Parallelschaltung von Eingangs- und Ausgangswandlern 1,0. Auch können Reflektoren R und Ausgangswandler 0 gemeinsam auf einem OFW-ID-Tag vorhanden sein. The SAW ID tag T * with output converters 0 is not limited to the configuration shown in this figure. Rather, others, e.g. B. parallel and / or serially wired output converters 0 can be used, for example by using only one antenna with parallel connection of input and output converters 1.0. Reflectors R and output converter 0 can also be present together on an SAW ID tag.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (T,T',T*) aus einem Rohling (B) , welcher ein piezoelektrisches Substrat (S) und darauf angebracht mehrere leitende Teilstrukturen (W,R) aufweist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a ß in einem Individualisierungsprozeß mindestens eine der Teilstrukturen (W,R, 1,0) deaktiviert und/oder entfernt wird.1. A method for producing a component (T, T ', T *) from a blank (B) which has a piezoelectric substrate (S) and attached to it several conductive substructures (W, R), characterized in that ß in an individualization process at least one of the substructures (W, R, 1,0) is deactivated and / or removed.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine erste Ortsauflösung im Individualisierungsprozeß geringer ist als eine zweite Ortsauflösung in einem Grundprozeß zur Herstellung der zu entfernenden und/oder zu deaktivieren- den Teilstrukturen des Rohlings (B) .2. The method according to claim 1, wherein a first spatial resolution in the individualization process is less than a second spatial resolution in a basic process for producing the substructures of the blank (B) to be removed and / or deactivated.
3. Verfahren nach Ansprüche 2, bei dem die Teilstrukturen (W,R, 1,0) mit einer von der ersten Ortsauflösung bestimmten minimalen Abmessung hergestellt werden.3. The method according to claim 2, wherein the substructures (W, R, 1,0) are produced with a minimum dimension determined by the first spatial resolution.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Individualisierungsprozeß mindestens eine Teilstruktur (R,0) mittels eines Lithographieverfahrens entfernt wird.4. The method according to any one of the preceding claims, in which at least one partial structure (R, 0) is removed in the individualization process by means of a lithography method.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Rohling (B) aus einem Satz, umfassend mehrere gleiche Rohlinge (B) , ausgewählt wird.5. The method according to any one of the preceding claims, wherein the blank (B) from a set comprising a plurality of identical blanks (B) is selected.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Bauteil (T,T',T*) eine Oberflächenwellen-Identifikations- marke ist,6. The method according to any one of the preceding claims, wherein the component (T, T ', T *) is a surface wave identification mark,
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem7. The method according to claim 6, wherein
- eine Teilstruktur (W) ein Eingangs-/Ausgangs-Wandler (W) ist,a substructure (W) is an input / output converter (W),
- mindestens eine Teilstruktur (R) ein Reflektor (R) ist, - in dem Individualisierungsprozeß mindestens ein Reflektor (R) deaktiviert und/oder entfernt wird.- at least one partial structure (R) is a reflector (R), - At least one reflector (R) is deactivated and / or removed in the individualization process.
8. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem - eine Teilstruktur (W) ein Eingangswandler (I) ist,8. The method according to claim 6, wherein - a substructure (W) is an input converter (I),
- mindestens eine Teilstruktur (R) ein Ausgangswandler (0) ist,- at least one substructure (R) is an output converter (0),
- in dem Individualisierungsprozeß mindestens ein Ausgangswandler (0) deaktiviert und/oder entfernt wird.- At least one output converter (0) is deactivated and / or removed in the individualization process.
9. Verfahren zur Herstellung eines Satzes von mehreren Bauteilen (T,T',T*) aus einem Satz von mehreren gleichen Rohlingen (B) , von denen jedes ein jeweiliges piezoelektrisches Substrat (1) und darauf aufgebracht jeweilige mehrere leiten- de Teilstrukturen (W,R, 1,0) umfaßt, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a ß bei jedem der Rohlinge (B) im nachfolgenden Individualisierungsprozeß mindestens eine Teilstruktur (W,R, 1,0) pro Rohling (B) deaktiviert und/oder entfernt wird.9. Method for producing a set of several components (T, T ', T *) from a set of several identical blanks (B), each of which has a respective piezoelectric substrate (1) and a plurality of conductive partial structures applied thereon ( W, R, 1.0), characterized in that ß is deactivated and / or removed in each of the blanks (B) in the subsequent individualization process at least one substructure (W, R, 1.0) per blank (B).
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem in dem Individualisierungsprozeß für jeden Rohling (B) ein jeweils unterschiedlicher Satz von Teilstrukturen deaktiviert und/oder entfernt wird.10. The method according to claim 9, wherein in the individualization process for each blank (B) a different set of substructures is deactivated and / or removed.
11. Oberflächenwellen-Identifikationsmarke (T,T'), aufweisend11. Surface wave identification mark (T, T '), having
- ein piezoelektrisches Substrat (S),- a piezoelectric substrate (S),
- mindestens eine Teilstruktur in Form eines Eingangs- /Ausgangs-Wandlers (W) , - mindestens eine leitfähige Teilstruktur in Form eines Reflektors (R) , durch deren Position auf dem Substrat (S) eine Kodierung bestimmbar ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a ß die Oberflächenwellen-Identifikationsmarke (T,T') aus einem Rohling (B) mit mehreren Reflektoren (R) so hergestellt wurde, daß mindestens ein Reflektor (R) des Rohlings (B) mittels eines Individualisierungsprozesses deaktiviert und/oder entfernt wurde.- At least one partial structure in the form of an input / output transducer (W), - At least one conductive partial structure in the form of a reflector (R), through whose position on the substrate (S) a coding can be determined, characterized in that the surface waves -Identification mark (T, T ') from a blank (B) with several reflectors (R) was made so that at least one reflector (R) of the blank (B) by means of of an individualization process has been deactivated and / or removed.
12. Oberflächenwellen-Identifikationsmarke (T*), aufweisend - ein piezoelektrisches Substrat (S) ,12. Surface wave identification mark (T *), comprising - a piezoelectric substrate (S),
- mindestens eine Teilstruktur in Form eines Eingangswandlers (I) ,- at least one partial structure in the form of an input converter (I),
- mindestens eine leitfähige Teilstruktur in Form eines Ausgangswandlers (0) , durch deren Position auf dem Substrat (S) eine Kodierung bestimmbar ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a ß die Oberflächenwellen-Identifikationsmarke (T*) aus einem Rohling mit mehreren Ausgangswandlern (0) so hergestellt wurde, daß mindestens ein Ausgangswandler (0) des Rohlings (B) mittels eines Individualisierungsprozesses deaktiviert und/oder entfernt wurde.- At least one conductive substructure in the form of an output transducer (0), through whose position on the substrate (S) a coding can be determined, characterized in that the surface wave identification mark (T *) is produced from a blank with a plurality of output transducers (0) was that at least one output converter (0) of the blank (B) was deactivated and / or removed by means of an individualization process.
13. Oberflächenwellen-Identifikationsmarke (T,Tf,T*) nach einem der Ansprüche 11 oder 12, bei der die Teilstrukturen in Dünnschichttechnik, insbesondere in einer Dicke kleiner als 100 nm vorliegen. 13. Surface wave identification mark (T, T f , T *) according to one of claims 11 or 12, in which the partial structures are present in thin-film technology, in particular in a thickness of less than 100 nm.
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