UA77998C2 - Plant for ion-plasmous sputtering - Google Patents
Plant for ion-plasmous sputtering Download PDFInfo
- Publication number
- UA77998C2 UA77998C2 UA20040705246A UA20040705246A UA77998C2 UA 77998 C2 UA77998 C2 UA 77998C2 UA 20040705246 A UA20040705246 A UA 20040705246A UA 20040705246 A UA20040705246 A UA 20040705246A UA 77998 C2 UA77998 C2 UA 77998C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- arc
- switch
- output
- ignition
- cathode
- Prior art date
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 16
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- -1 titanium ions Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід відноситься до області іонно-плазмового напилювання і може бути використаний при нанесенні 2 захисних і декоративних покриттів на різні вироби.The invention relates to the field of ion-plasma spraying and can be used when applying 2 protective and decorative coatings to various products.
Відомі пристрої для вакуумного напилювання матеріалів під дією високоенергетичних плазмових і іонних потоків, що засновані на процесах випару генеруючого матеріалу катодною плямою вакуумної дуги - потужнострумового низьковольтного розряду, що розвивається винятково в парах матеріалу електродів. На базі цих пристроїв створені установки "Булат 1,2,3" ХФТІ М.Харків (метод КІБ), які використовують випарники 70 тугоплавких речовин і плазменні прискорювачі з холодним катодом, що витрачається; установка ПУСК 77-1 МВТУ ім.Баумана, М.Москва, ВУ2-МБС З ОС, м. Сморгонь, Беларусь і інші (1, 2). Ці пристрої містять вакуумну камеру, випарники з катодом і анодом, вузол підпалювання вакуумної дуги, арматуру з нагрівачами виробів, що підлягають напилюванню, засобу іонного очищення, відкачувальну вакуумну систему, блоки живлення й управління, блок опорної напруги, фокусуючі соленоїди та ін. 19 Пристрій працює таким чином: процес нанесення покриття полягає в переведенні матеріалу катода (наприклад титана) у плазмовий стан, прискоренні руху квазінейтральної металевої плазми в напрямку виробів, що покриваються, забезпеченні плазмохімічної реакції з реактивним газом (азотом), що подається у вакуумну камеру, і осадженні його на виробах. Після створення в камері робочого тиску «1.102Па при накладанні різниці потенціалів між анодом і катодом і ініціюванні розряду за допомогою вузла підпалювання, між анодом і катодом 720 виникає дуговий електричний розряд. При цьому відбувається ерозія катода в катодних мікроплямах. Матеріал катода з великою енергією викидається з мікроплям у вигляді так званих катодних струменів. Металева плазма, що утворюється в процесі генерації, у результаті взаємодії з електричним і магнітним полями соленоїда додатково іонізується, частково автосепарується і її рух прискорюється в напрямку виробів, що покриваються.There are known devices for vacuum sputtering of materials under the action of high-energy plasma and ion flows, which are based on the processes of evaporation of the generating material by the cathode spot of the vacuum arc - a high-current low-voltage discharge that develops exclusively in pairs of electrode material. On the basis of these devices, the "Bulat 1,2,3" HFTI M.Kharkiv installations (KIB method) were created, which use evaporators of 70 refractory substances and plasma accelerators with a cold, expendable cathode; installation of PUSK 77-1 MVTU named after Bauman, Moscow, VU2-MBS Z OS, Smorgon, Belarus and others (1, 2). These devices include a vacuum chamber, evaporators with a cathode and anode, a vacuum arc ignition unit, fittings with heaters for the products to be sprayed, an ion cleaning agent, a pumping vacuum system, power and control units, a reference voltage unit, focusing solenoids, etc. 19 The device works as follows: the coating process consists in transferring the cathode material (for example, titanium) to the plasma state, accelerating the movement of a quasi-neutral metal plasma in the direction of the products to be coated, ensuring a plasma-chemical reaction with a reactive gas (nitrogen) supplied to the vacuum chamber, and its deposition on products. After the working pressure of 1.102Pa is created in the chamber, when the potential difference between the anode and the cathode is applied and the discharge is initiated using the ignition unit, an arc electric discharge occurs between the anode and the cathode 720. At the same time, cathode erosion occurs in cathode microspots. The cathode material is ejected from the microspot with high energy in the form of so-called cathode jets. As a result of the interaction with the electric and magnetic fields of the solenoid, the metal plasma formed during the generation process is additionally ionized, partially autoseparates, and its movement is accelerated in the direction of the covered products.
Як результат прикладання до оснащення з виробами негативного потенціалу позитивні іони при влученні на виріб сч 29 додатково прискорюються в дебаєвському подвійному шарі. Подача в камеру азоту приводить до плазмохімічної (9 реакції з утворенням нітриду титану. Перед нанесенням покриття поверхня виробів очищається від забруднень і активізується послідовним бомбардуванням іонами азоту і потім титана. Іонне очищення разом з ретельним очищенням виробів перед розміщенням у вакуумну камеру дозволяють одержати достатню адгезію покриття до підкладки. со 30 Така конструкція установки має ряд істотних недоліків, що обмежують її технологічні можливості: (о) а) - розмір і кількість виробів, що покриваються, обмежено площею 2-4дм?; Фу б) - збільшення корисної площі за рахунок збільшення числа випарників веде до ускладнення вакуумного устаткування і нерівномірності товщини і кольоровості покриття по висоті камери. - 35 Найбільш близьким по технічній суті є пристрій установки ВУ-1100 "Д", що випускається Сморгонським М заводом оптичного верстатобудування, до складу якої входить вакуумна камера з вертикальним катодом (наприклад, з титана), у верхній частині катода встановлений пристрій підпалювання зі схемою керування, а в нижній - механічний пристрій гасіння дуги; арматура з нагрівачами для виробів, електрод системи іонного очищення, відкачувальна вакуумна система з блоком керування, джерело газів із блоком напуску газів, система « іонного очищення і керований силовий випрямляч |З). зAs a result of the application to equipment with products of negative potential, positive ions, upon hitting the product of Ч29, are additionally accelerated in the Debye double layer. The supply of nitrogen to the chamber leads to a plasma-chemical (9) reaction with the formation of titanium nitride. Before applying the coating, the surface of the products is cleaned of impurities and activated by successive bombardment with nitrogen and then titanium ions. to the substrate. со 30 Such a design of the installation has a number of significant disadvantages that limit its technological capabilities: (о) а) - the size and number of covered products is limited to an area of 2-4 dm?; Fu b) - the increase of the usable area due to the increase in the number of evaporators leads to the complication of the vacuum equipment and the unevenness of the thickness and color of the coating along the height of the chamber. - 35 The closest in technical terms is the device of the VU-1100 "D" installation, produced by the Smorgon M factory of optical machine tool construction, which includes a vacuum chamber with a vertical cathode (for example, made of titanium), an ignition device with a circuit is installed in the upper part of the cathode control, and in the lower one - a mechanical device for extinguishing the arc; armature with heaters for products, electrode of ion purification system, pumping vacuum system with control unit, gas source with gas inlet unit, ion purification system and controlled power rectifier |Z). with
Установка працює таким чином: у вакуумну камеру завантажуються вироби і розміщаються на арматурі; за с допомогою відкачувальної вакуумної системи і блоку керування відбувається вакуумування камери до тиску )» -2.103 Па, потім виріб обезгажується при температурі х 2002С за допомогою нагрівачів арматури і піддаються тонкому очищенню за допомогою системи іонного очищення - безпосередньо електродом системи іонного очищення, розміщеним у камері. Цикл підготовчих операцій, в основному, закінчений. -і Починається цикл напилювання виробів (наприклад, нітридом титана - ТІМ). Блок напуску газів встановлює в -1 камері тиск реакційного газу (наприклад, азоту - М3) -2.107"Па. Вмикається силовий випрямляч і напруга живлення дуги подається на катод (-708), блок керування включає пристрій підпалювання, що ініціює розвиток дугового се) розряду від верхнього кінця катода до нижнього. Дуга (при струмі х120А), пробігаючи по катоду за час свого с 50 життя в 300-400тс, попадає в механічний пристрій гасіння дуги, де в залежності від його конструкції, тиску в камері і струму дуги відбувається її автоматичне гасіння за час від 60 до б0Отс. Потім процес повторюється со автоматично за допомогою схеми (блоку) підпалювання.The installation works as follows: products are loaded into the vacuum chamber and placed on the armature; with the help of the pumping vacuum system and the control unit, the chamber is evacuated to a pressure of )" -2.103 Pa, then the product is degassed at a temperature of x 2002С with the help of armature heaters and subjected to fine cleaning using the ion purification system - directly by the electrode of the ion purification system placed in the chamber . The cycle of preparatory operations is basically over. -i The cycle of sputtering products begins (for example, with titanium nitride - TIM). The gas inlet unit sets the pressure of the reaction gas (for example, nitrogen - M3) in -1 chamber to -2.107"Pa. The power rectifier is turned on and the arc supply voltage is applied to the cathode (-708), the control unit includes an ignition device that initiates the development of the arc se) discharge from the upper end of the cathode to the lower. The arc (at a current of x120A), passing through the cathode during its 50 s life in 300-400ts, enters the mechanical arc extinguishing device, where, depending on its design, the pressure in the chamber and the arc current, its automatic extinguishing during the time from 60 to b0Os. Then the process is repeated automatically with the help of the ignition circuit (block).
Матеріал катоду (титан), що випаровується дуговим розрядом, разом з реакційним газом (азотом - М 5) утворює сполуку (нітрид титану - ТІМ), що осаджується на вироби. Інтенсивність осадження, тобто товщина і колірний відтінок по висоті камери залежать від тиску реакційного газу, струму дуги, часу життя і часуThe material of the cathode (titanium) evaporated by the arc discharge together with the reaction gas (nitrogen - M 5) forms a compound (titanium nitride - TIM), which is deposited on the products. The intensity of the deposition, that is, the thickness and color shade along the height of the chamber, depend on the pressure of the reaction gas, the arc current, the lifetime and time
Ге) гасіння дуги і величини опорної напруги, що подається на вироби (у випадку струмопровідних виробів) блоком опорної напруги. їмо) Відома установка для іонно-плазмового напилювання має істотні недоліки унаслідок недосконалої системи керування часом життя і гасіння дуги: 6о0 а) відбувається підвищений знос нижньої частини катода і, як наслідок, вихід усього катода з ладу (вартість катода 5 4000); б) товщина і колірний відтінок покриття виробів мають суттєву нерівномірність по висоті камери.Ge) quenching of the arc and the magnitude of the reference voltage applied to the products (in the case of conductive products) by the block of reference voltage. eat) The well-known installation for ion-plasma sputtering has significant disadvantages due to an imperfect system of managing the life time and extinguishing the arc: 6о0 a) there is increased wear of the lower part of the cathode and, as a result, the failure of the entire cathode (the cost of the cathode is 5,4000); b) the thickness and color shade of the coating of the products have a significant unevenness in the height of the chamber.
В основу винаходу поставлена задача: підвищити технологічні можливості установки для іонно-плазмового напилювання шляхом удосконалення системи керування часом життя і гасіння дуги, у результаті чого 65 зменшується знос катода, збільшується термін його служби, а також підвищується рівномірність товщини і колірного відтінку покриттів виробів.The invention is based on the task of increasing the technological capabilities of the ion-plasma sputtering installation by improving the system of managing the life time and extinguishing the arc, as a result of which 65 the wear of the cathode is reduced, its service life is increased, and the uniformity of the thickness and color shade of the product coatings is increased.
Поставлена задача вирішена тим, що установка для іонно-плазмового напилювання, що містить вакуумну камеру з встановленим у ній вертикальним катодом, арматуру для розміщення виробів з нагрівачами, пристрій підпалювання дуги, схему підпалювання дуги, блок опорної напруги, зв'язаний з вертикальним катодом, системуThe task is solved by the fact that the installation for ion-plasma sputtering, which contains a vacuum chamber with a vertical cathode installed in it, fittings for placing products with heaters, an arc ignition device, an arc ignition circuit, a reference voltage unit connected to a vertical cathode, system
Юнного очищення з електродом, відкачувальну вакуумну систему з блоком керування, джерело газів із блоком напуску газів, керований силовий випрямляч, згідно винаходу містить додатковий пристрій підпалювання дуги з комутатором, комутатор напрямку руху дуги, логічний блок схеми підпалювання дуги, логічний блок керування комутатором пристрою підпалювання дуги, логічний блок керування комутатором напрямку руху дуги, реле блокування керованого силового випрямляча, таймер-синхронізатор з першим і другим пристроєм завдання й 7/о індикації, при цьому таймер-синхронізатор першим виходом з'єднаний із входом реле блокування силового випрямляча, вихід якого з'єднаний із входом силового випрямляча, другий вихід таймера-синхронізатора з'єднаний паралельно з входами логічних блоків схеми підпалювання дуги, керування комутатором підпалювання, керування комутатором напрямку руху дуги відповідно, вихід логічного блоку схеми підпалювання з'єднаний із входом схеми підпалювання, вихід логічного блоку керування комутатором підпалювання з'єднаний із входом 7/5 Керування комутатором підпалювання, при цьому вихід логічного блоку керування комутатора напрямку руху дуги з'єднаний із входом керування відповідного комутатора; вихід схеми підпалювання з'єднаний з перемикаючим контактом комутатора підпалювання, при цьому один з вихідних контактів комутатора з'єднаний з першим пристроєм підпалювання, а другий контакт відповідно з другим пристроєм підпалювання, при цьому перемикаючий контакт комутатора напрямку руху дуги з'єднаний з виходом силового випрямляча, а перший вихідний контакт цього комутатора з'єднаний з верхнім кінцем катода, другий вихідний контакт цього комутатора з'єднаний з нижнім кінцем катода.Young cleaning with an electrode, a pumping vacuum system with a control unit, a source of gases with a gas supply unit, a controlled power rectifier, according to the invention contains an additional arc ignition device with a switch, an arc movement direction switch, a logic block of the arc ignition scheme, a logic block for controlling the switch of the ignition device arcs, a logic unit for controlling the switch of the direction of arc movement, a controlled power rectifier blocking relay, a timer-synchronizer with the first and second task devices and 7/o indication, while the first output of the timer-synchronizer is connected to the input of the power rectifier blocking relay, the output of which connected to the input of the power rectifier, the second output of the timer-synchronizer is connected in parallel with the inputs of the logic blocks of the arc ignition circuit, control of the ignition switch, control of the switch of the direction of arc movement, respectively, the output of the logic block of the ignition circuit is connected to the input of the ignition circuit, the output logical unit of the controller ignition switch is connected to input 7/5 Control of the ignition switch, while the output of the logic control unit of the arc movement direction switch is connected to the control input of the corresponding switch; the output of the ignition circuit is connected to the switching contact of the ignition switch, while one of the output contacts of the switch is connected to the first ignition device, and the second contact, respectively, to the second ignition device, while the switching contact of the arc movement direction switch is connected to the output of the power rectifier, and the first output contact of this commutator is connected to the upper end of the cathode, the second output contact of this commutator is connected to the lower end of the cathode.
Таким чином, запропонований новий алгоритм роботи установки за рахунок уведення зазначених блоків і взаємозв'язку між ними, дозволяє регулювати час життя і гасіння дуги під час процесу напилювання, виключити процес гасіння дуги, що в кінцевому рахунку приводить до зменшення зносу катода, підвищує рівномірність с об ТОВЩИНИ й однорідності колірного відтінку покриття виробів і, як результат, підвищує технологічні можливості установки. іо)Thus, the proposed new algorithm of the installation due to the introduction of the specified blocks and the relationship between them allows you to adjust the lifetime and extinguishing of the arc during the sawing process, to exclude the process of extinguishing the arc, which ultimately leads to a decrease in wear of the cathode, increases the uniformity of about the THICKNESS and homogeneity of the color shade of the product coating and, as a result, increases the technological capabilities of the installation. io)
Блок-схема установки представлена на кресленні. Установка містить: вакуумну камеру - 1, вертикальний катод - 2 з першим пристроєм підпалювання - З і другим пристроєм підпалювання - 4, арматуру з нагрівачами для виробів - 5, електрод системи іонного очищення - 6, систему іонного очищення - 7, відкачувальну вакуумну со зо систему (ОВС) - 8, блок керування відкачувальною вакуумною системою - 9, джерело газів - 10, блок напуску газів - 11, комутатор пристрою підпалювання дуги - 12, комутатор напрямку руху дуги - 13, схема підпалювання Ме - 14, реле блокування силового випрямляча - 15, керований силовий випрямляч - 16, логічний блок схеми Ге! підпалювання - 17, логічний блок керування комутатором підпалювання - 18, логічний блок керування комутатором напрямку руху дуги - 19, таймер-синхронізатор - 20, перший пристрій завдання й індикації -21, другий пристрій ї-The block diagram of the installation is presented in the drawing. The installation includes: a vacuum chamber - 1, a vertical cathode - 2 with a first ignition device - Z and a second ignition device - 4, fittings with heaters for products - 5, an electrode of an ion purification system - 6, an ion purification system - 7, a pumped vacuum tank system (OVS) - 8, pump-out vacuum system control unit - 9, gas source - 10, gas inlet unit - 11, arc ignition device switch - 12, arc direction switch - 13, ME ignition circuit - 14, power rectifier blocking relay - 15, controlled power rectifier - 16, logic block of the Ge! ignition - 17, logic unit for controlling the ignition switch - 18, logic unit for controlling the arc direction switch - 19, timer-synchronizer - 20, the first task and indication device -21, the second device -
Зв Завдання й індикації - 22, блок опорної напруги - 23. ї-Tasks and indications - 22, reference voltage block - 23.
Установка працює таким чином: - у вакуумну камеру - 1 завантажуються вироби і розміщаються на арматурі - 5, за допомогою відкачувальної вакуумної системи - 8 і блоку керування - 9 відбувається вакуумування камери до тиску «- 2.10Па, потім вироби обезгажуються за температури «- 2002С за допомогою нагрівачів і піддаються тонкому очищенню за допомогою « системи іонного очищення - 7 електродом - б системи іонного очищення (7), розміщеним у камері. Цикл - с підготовчих операцій закінчений.The installation works as follows: - the products are loaded into the vacuum chamber - 1 and placed on the armature - 5, with the help of the pumping vacuum system - 8 and the control unit - 9, the chamber is evacuated to a pressure of "- 2.10 Pa, then the products are degassed at a temperature of "- 2002С with the help of heaters and are subjected to fine cleaning with the help of " ion cleaning system - 7 by the electrode - b of the ion cleaning system (7) placed in the chamber. The cycle of preparatory operations is over.
Починається цикл напилювання виробів (наприклад, нітридом титану ТіМ). Блок (11) напуску газів за )» допомогою джерела газів (10) встановлює в камері робочий тиск реакційного газу (наприклад, азоту - М2) --2.10-Па. Вмикається силовий випрямляч (16). Вмикається таймер-синхронізатор (20) і подає імпульс установки визначеної тривалості на логічні блоки (17, 18 і 193. По передньому фронті імпульсу установки комутатори (12 це. і 13) встановлюються в положення, при якому силовий випрямляч (16) підключається до верхнього кінця катода -І (2), а вихід схеми підпалювання (14) комутатором (12) підключається до нижнього (протилежного) пристрою (4) катода (2). По задньому фронті імпульсу запуску логічним блоком (17) активується схема підпалювання (14), яка ее, за допомогою пристрою підпалювання (4) збуджує розвиток дугового розряду від нижнього кінця катода (2) доThe cycle of sputtering products begins (for example, TiM titanium nitride). The block (11) of the gas inlet with the help of the gas source (10) sets the working pressure of the reaction gas (for example, nitrogen - M2) in the chamber - 2.10-Pa. The power rectifier (16) turns on. The timer-synchronizer (20) is turned on and supplies a setting pulse of a certain duration to the logic blocks (17, 18 and 193. On the leading edge of the setting pulse, the switches (12 and 13) are set to the position in which the power rectifier (16) is connected to the upper end of the cathode -I (2), and the output of the ignition circuit (14) is connected by the switch (12) to the lower (opposite) device (4) of the cathode (2). The ignition circuit (14) is activated by the logic unit (17) on the trailing edge of the start pulse , which ee, with the help of the ignition device (4), excites the development of an arc discharge from the lower end of the cathode (2) to
Ге) 20 верхнього в силу того, що такий ланцюг силового випрямляча (16) замикається через верхній кінець катода (2).Ge) 20 upper due to the fact that such a circuit of the power rectifier (16) is closed through the upper end of the cathode (2).
Після закінчення часу життя дуги, установлюваного за допомогою пристрою завдання й індикації (21) (наприклад со З10тс для тиску 2.107Па і струму дуги 7200А) таймер-синхронізатор (20) через реле блокування (15) відключає силовий випрямляч (16) на час 0,01-10тс, що встановлюється за допомогою другого пристрою завдання й індикації (22). Наступним імпульсом запуску відбувається переключення силового випрямляча (16) на нижній 99 кінець катода (2) і пристрою підпалювання (3). Дуга розвивається у протилежному напрямку. При значенні часу гФ) установки другого пристрою завдання й індикації (22) від 0,01 до 0,1тс гасіння дуги практично припиняється, і т вона циркулює по катоду (2) безупинно, від одного кінця до іншого.After the end of the life of the arc, set with the help of the task and indication device (21) (for example, with Z10ts for a pressure of 2.107Pa and an arc current of 7200A), the timer-synchronizer (20) through the blocking relay (15) turns off the power rectifier (16) for time 0 ,01-10ts, which is set using the second task and indication device (22). The next start pulse switches the power rectifier (16) to the lower 99 end of the cathode (2) and the ignition device (3). The arc develops in the opposite direction. When the value of the time gF) of setting the second task and indication device (22) is from 0.01 to 0.1 ts, the extinguishing of the arc practically stops, and it circulates around the cathode (2) continuously, from one end to the other.
Параметри повинні мати визначені значення в межах х/- 20905.Parameters must have defined values within x/- 20905.
У такий спосіб запропоноване обладнання установки дозволяє регулювати в необхідних за технологією межах 60 цас життя і гасіння (розвороту) дуги, виключити необхідність застосування механічного пристрою гасіння дуги і як наслідок підвищити технологічні можливості установки шляхом виключення підвищеного зносу катода, підвищення рівномірності товщини й однорідності колірного відтінку покриттів виробів.In this way, the proposed equipment of the installation allows you to adjust the life and extinguishing (reversal) of the arc within the limits of 60 kas required by technology, eliminate the need to use a mechanical device for extinguishing the arc and, as a result, increase the technological capabilities of the installation by eliminating increased wear of the cathode, increasing the uniformity of the thickness and uniformity of the color shade product coatings.
Джерела інформації: 1. Дороднов А.М., Петросов В.А. Про фізичні принципи і типи вакуумних технологічних плазмових пристроїв. бо Журнал технічної фізики. -Т.51, вип.Мо3.- 1981.Sources of information: 1. Dorodnov A.M., Petrosov V.A. About the physical principles and types of vacuum technological plasma devices. bo Journal of technical physics. - Vol. 51, issue Mo3. - 1981.
2. Патент Великобританії -Мо1322670. -1973. 3. Патент України -Ме11022. -1996. Пристрій для іонно-плазмової обробки виробів.2. British patent - Mo1322670. -1973. 3. Patent of Ukraine - Me11022. -1996. Device for ion-plasma processing of products.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA20040705246A UA77998C2 (en) | 2004-07-01 | 2004-07-01 | Plant for ion-plasmous sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA20040705246A UA77998C2 (en) | 2004-07-01 | 2004-07-01 | Plant for ion-plasmous sputtering |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA77998C2 true UA77998C2 (en) | 2007-02-15 |
Family
ID=37834274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA20040705246A UA77998C2 (en) | 2004-07-01 | 2004-07-01 | Plant for ion-plasmous sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA77998C2 (en) |
-
2004
- 2004-07-01 UA UA20040705246A patent/UA77998C2/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6806652B1 (en) | High-density plasma source using excited atoms | |
| US5015493A (en) | Process and apparatus for coating conducting pieces using a pulsed glow discharge | |
| US10056237B2 (en) | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment | |
| US20170029937A1 (en) | Method of coating high aspect ratio features | |
| CA2846177C (en) | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment | |
| US7750575B2 (en) | High density plasma source | |
| US20100276283A1 (en) | Vacuum coating unit for homogeneous PVD coating | |
| CN109338292B (en) | Vacuum coating device for inner wall of pipe fitting and production process | |
| KR19990024032A (en) | Cathode arc deposition equipment | |
| JP6113743B2 (en) | Reactive sputtering process | |
| RU2496913C2 (en) | Unit for ion-ray and plasma processing | |
| US10407767B2 (en) | Method for depositing a layer using a magnetron sputtering device | |
| US6083356A (en) | Method and device for pre-treatment of substrates | |
| KR19990024033A (en) | Cathode arc deposition equipment | |
| UA77998C2 (en) | Plant for ion-plasmous sputtering | |
| KR100584938B1 (en) | Tool steel having a complex coating layer and method of the same | |
| RU2138094C1 (en) | Facility for applying thin-film coatings | |
| KR200436092Y1 (en) | A vacuum evaporation coating apparatus for ion nitriding treatment | |
| CN114411099B (en) | Vacuum coating system and coating method | |
| RU1834911C (en) | Process of product treatment in plants for vacuum-plasma spray on coating | |
| RU2146724C1 (en) | Method for depositing composite coatings | |
| RU2058428C1 (en) | Device for vacuum plating | |
| RU2423754C2 (en) | Method and device to manufacture cleaned substrates or pure substrates exposed to additional treatment | |
| RU1812239C (en) | Method for vacuum machining of metal articles | |
| RU2116707C1 (en) | Device for generation of low-temperature gas- discharge plasma |