Институт Физики Полупроводников Им. В. Е. Лашкарева Национальной Академии Наук Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Им. В. Е. Лашкарева Национальной Академии Наук УкраиныfiledCriticalИнститут Физики Полупроводников Им. В. Е. Лашкарева Национальной Академии Наук Украины
Priority to UAU200902171UpriorityCriticalpatent/UA42339U/ru
Publication of UA42339UpublicationCriticalpatent/UA42339U/ru
Светоизлучающее устройство на основе квантовых точек теллурида кадмия исполнен в виде одно- или многослойной полимерной матрицы с квантовыми точками. Квантовые точки изготовлены из нанокристаллов теллурида кадмия. Пленка полимерной матрицы изготовлена их нетопленого полиэлектролита полидиаладиаминамодиум хлорид.
UAU200902171U2009-03-122009-03-12Светоизлучающее устройство на основе квантовых точек теллурида кадмия
UA42339U
(ru)
Thin film transistor, method of fabricating the same, organic light emitting diode display device including the same and method of fabricating the same