UA16620U - Device for measuring surface impedance of a superconductor - Google Patents
Device for measuring surface impedance of a superconductor Download PDFInfo
- Publication number
- UA16620U UA16620U UAU200602036U UAU200602036U UA16620U UA 16620 U UA16620 U UA 16620U UA U200602036 U UAU200602036 U UA U200602036U UA U200602036 U UAU200602036 U UA U200602036U UA 16620 U UA16620 U UA 16620U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- resonator
- superconductor
- microwave
- superconductors
- dielectric
- Prior art date
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000037311 normal skin Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Корисна модель, що пропонується, належить до галузі мікрохвильової техніки для визначення поверхневого 2 імпедансу надпровідників у мікрохвильовому, зокрема, міліметровому діапазоні хвиль та може застосовуватися в тих галузях народного господарства та науки, де мікрохвильові властивості надпровідників є основними та/або обумовлюють характеристики мікрохвильових приладів. Він може застосовуватися також для вимірювання мікрохвильових властивостей нормальних провідників та для безконтактного моніторингу їх провідності.The proposed useful model belongs to the field of microwave technology for determining the surface 2 impedance of superconductors in the microwave, in particular, millimeter wave range and can be used in those fields of economy and science where the microwave properties of superconductors are the main and/or determine the characteristics of microwave devices. It can also be used for measuring the microwave properties of normal conductors and for non-contact monitoring of their conductivity.
Вимірювання поверхневого імпедансу 27 5-КетіХе є технічною задачею для визначення мікрохвильових 70 властивостей надпровідників, а також науково-дослідною задачею визначення поверхневого опору Ка та поверхневого реактансу Хе зазначених матеріалів. Вимірювання поверхневого опору К 5 надпровідників становить складну задачу, тому що ця величина є дуже малою. Наприклад, навіть у мм діапазоні при температурі рідкого азоту (77К) для плівки високотемпературного надпровідника УВа 5Си53075-5-7мОмМ. При зниженні частоти Ка зменшується пропорційно квадрату частоти. На відміну від нормальних провідників з 19 нормальним скін-ефектом для надпровідників поверхневий реактанс не дорівнює поверхневому опору і його треба вимірювати також |Менде Ф.Ф., Спицьін А.И. Поверхностньій импеданс сверхпроводников // Киев: Наукова думка, 1985, 240с.|.Measuring the surface impedance of 27 5-KeHe is a technical task for determining the microwave 70 properties of superconductors, as well as a scientific research task of determining the surface resistance Ka and the surface reactance Xe of the specified materials. Measuring the surface resistance K 5 of superconductors is a difficult task because this value is very small. For example, even in the mm range at the temperature of liquid nitrogen (77K) for the film of the high-temperature superconductor UVa 5Cy53075-5-7mΩM. When the frequency decreases, Ka decreases in proportion to the square of the frequency. In contrast to normal conductors with a normal skin effect, for superconductors the surface reactance is not equal to the surface resistance and it must also be measured | Mende FF, Spitsyn A.I. The surface impedance of superconductors // Kyiv: Naukova dumka, 1985, 240 p.|.
Для вимірювання та дослідження імпедансних властивостей надпровідників у мікрохвильовому діапазоні найчастіше використовуються резонансні методи. При цьому вимірюються величини добротності та резонансні частоти резонатора без зразка та з ним. Відмінність відомих методів полягає лише в типах резонаторів, що використовуються, формах зразків, способах їх розміщення в резонаторах, методиці досліджень (2пі-МЖцап Зпеп.Resonance methods are most often used to measure and study the impedance properties of superconductors in the microwave range. At the same time, the Q values and resonance frequencies of the resonator without and with the sample are measured. The difference between the known methods lies only in the types of resonators used, the shapes of the samples, the methods of placing them in the resonators, the research methodology (2pi-MZhtsap Zpep.
Нідп-Тетрегайте Зирегсопдисіїпуд Місгомжламе Сігсцйв. - Вовіоп-опдоп.: Агпесп Нове, 1994. 272рі4. Як правило, одні і ті ж резонатори використовуються для вимірювання К 5 і Хе. Найважливішими характеристиками всіх способів вимірювання імпедансних властивостей є їх точність та чуттєвість. Обидві характеристики залежать від того, яку частину від загальних втрат в резонаторі складають втрати енергії в надпровіднику. вNidp-Tetregaite Zyregsopdisiipud Misgomzhlame Sigsciv. - Voviop-opdop.: Agpesp Nove, 1994. 272ri4. As a rule, the same resonators are used to measure K 5 and Xe. The most important characteristics of all methods of measuring impedance properties are their accuracy and sensitivity. Both characteristics depend on what part of the total losses in the resonator are energy losses in the superconductor. in
Останні дуже малі порівняно з втратами в нормальних металах, тому останні бажано виключити зовсім.The latter are very small compared to losses in normal metals, so it is desirable to exclude the latter altogether.
З цією метою для розробки техніки вимірювання мікрохвильового поверхневого опору було запропоновано використовувати циліндричні діелектричні резонатори з об'ємними коливаннями нижчих типів, у яких торцевими стінками були надпровідні плівки на діелектричних підкладках (субстратах) |МаліегеКа У. апа УМУїКег СИ. оFor this purpose, it was proposed to use cylindrical dielectric resonators with volumetric oscillations of lower types, in which the end walls were superconducting films on dielectric substrates (substrates) for the development of a technique for measuring microwave surface resistance. at
Ассигасу Ізвцез іп Зипасе Кевзівіапсе Меазигетепів ої Нідпй Тетрегаїшге Зирегсопдисіоге изіпуд Оієіесііс суAssigasu Izvcez ip Zipase Kevziviapse Meazigetepiv oi Nidpy Tetregaishge Zyregsopdisioge izipud Oieiesiis su
Кезопайг (Соітесієй), ІЕЕЄ Ттапв. Аррі. З,урегсопаисі. - 2001. - Мої.11, Мо4. - Р.4140-4147). Перевагою такого пристрою є те, що електродинамічна задача стосовно цього резонатора розв'язується прямо і процес о вимірювання не потребує калібрування за відомими зразками. Важливо також, що резонатор можна виготуватиіз «о діелектрика з дуже малими втратами, тобто з малим тангенсом втрат (наприклад, для сапфіру при Т-77К у вмм діапазоні хвиль ідб5«10 7), що забезпечує високу точність та чуттєвість вимірювань). -Kezopaig (Soitesii), IEEEE Ttapv. Arri. With, uregsopaisi. - 2001. - Moi.11, Mo4. - R.4140-4147). The advantage of such a device is that the electrodynamic problem in relation to this resonator is solved directly and the measurement process does not require calibration according to known samples. It is also important that the resonator can be made from a dielectric with very low losses, i.e. with a small loss tangent (for example, for sapphire at T-77K in the Vmm wave range idb5"10 7), which ensures high accuracy and sensitivity of measurements). -
Основним недоліком відомого пристрою є необхідність вимірювання двох плівок. Тобто в даному випадку вимірюється величина, яка є середньою для двох зразків надпровідника, що знижує точність вимірювання.The main disadvantage of the known device is the need to measure two films. That is, in this case, the value is measured, which is the average for two samples of the superconductor, which reduces the accuracy of the measurement.
Недоліком є також практична неможливість використати діелектричний резонатор з нижчими типами « дю коливань у міліметровому діапазоні через надмірне зменшення розмірів резонатора і пов'язану з цим трудність -о ефективного зв'язку резонатора з лініями передачі, що додатково зменшує точність та чуттєвість способу с вимірювання. :з» Найбільш близьким по технічній суті аналогом (прототипом) є пристрій для вимірювання поверхневого мікрохвильового імпедансу плівок високотемпературних надпровідників |СПеграк М.Т., Вагаппік А.А., РгокорепкоThe disadvantage is also the practical impossibility of using a dielectric resonator with lower types of oscillations in the millimeter range due to excessive reduction in the size of the resonator and the related difficulty of effectively connecting the resonator to the transmission lines, which additionally reduces the accuracy and sensitivity of the measurement method. :z" The closest technical analogue (prototype) is a device for measuring the surface microwave impedance of films of high-temperature superconductors |Spegrak M.T., Vagappik A.A., Rgokorepko
Ми.М., ВРіїром Ми.Е, Мівемісй 5. Ассигаїе Місгожшаме Тесппідое ої Зипасе Кевзівіапсе Меазигетепі ої - 395 Іагде-агеа НТЗ Ріїтв ивіпд Заррпіге Опцавіоріїсаї Кезопайог // ІЕЕ Тгапз. оп Аррі. Зирегсопа. - 2003. -МоІ.13, Мо2, - Р.3570-3573). Цей пристрій має квазіоптичний діелектричний резонатор, виконаний у формі тіла (о) обертання - циліндра, основу якого розміщено на поверхні надпровідника. Оскільки циліндричний резонатор має б» дві основи, то обидві основи стикуються з надпровідниками, тобто створюється сандвіч із двох надпровідників - плоских плівок, між якими знаходиться діелектричний циліндричний диск. Резонатор зв'язується з ко 50 мікрохвильовими генератором та приймачем за допомогою діелектричних хвилеводів. У резонаторі збуджуються о хвилі типу шепочучої галереї, які є азимутальними хвилями вищого порядку, що дає змогу збільшити розміри резонатора у міліметровому діапазоні, а використання діелектричних хвилеводів допомогло підвищити ефективність збудження резонатора. Сама геометрія резонатора допускає послідовний розв'язок електродинамічної задачі на основі рівнянь Максвела. Пристрій допускає вимірювання також температурної 59 залежності поверхневого реактансу плівок надпровідників (СПпеграк М.Т., Вагаппік А.А., РгоКорепко мМи.М., с Міивемісп 5. Місгожаме ітредапсе сНагасіегігайоп ої Іагде-агеа НТ5 їйїтве: поме! арргоасп, ЗирегсопаисіїмнуMy.M., VRiirom My.E, Mivemisy 5. Assigaie Misgozhshame Tesppidoe oi Zipase Kevziviapse Meazigetepi oi - 395 Iagde-agea NTZ Riitv ivipd Zarrpige Optsavioriisai Kezopayog // IEE Tgapz. op Arri. Ziregsop. - 2003. -MoI.13, Mo2, - R.3570-3573). This device has a quasi-optical dielectric resonator made in the form of a body (o) of rotation - a cylinder, the base of which is placed on the surface of the superconductor. Since the cylindrical resonator has two bases, both bases are connected to superconductors, that is, a sandwich is created from two superconductors - flat films, between which there is a dielectric cylindrical disk. The resonator is connected to the ko 50 microwave generator and receiver using dielectric waveguides. Whispering gallery waves, which are higher-order azimuthal waves, are excited in the resonator, which makes it possible to increase the dimensions of the resonator in the millimeter range, and the use of dielectric waveguides has helped to increase the efficiency of resonator excitation. The very geometry of the resonator allows a consistent solution of the electrodynamic problem based on Maxwell's equations. The device also allows measuring the temperature dependence of the surface reactance of superconductor films (SPpegrak M.T., Vagappik A.A., RgoKorepko mmy.M., s Miyvemisp 5. Misgozhame itredapse sNagasiegigayop oi Iagde-agea NT5 yyitve: pome! arrgoasp, Ziregsopaisiimnu
Зсіепсе апа Тесппоіоду, моі.17, Мо7, р.899-903, 2004).Zsiepse apa Tesppoiodu, moi.17, Mo7, r.899-903, 2004).
Перевагою цього пристрою є можливість проведення імпедансних вимірювань надпровідників у широкому діапазоні мікрохвильових частот, включаючи міліметровий діапазон. бо Недоліком цього пристрою є необхідність використовувати дві плівки в одному акті вимірювання. У цьому випадку для вимірювання індивідуальних мікрохвильових характеристик треба провести цілий цикл із трьох вимірювань різних пар, складених із трьох різних плівок (процедура "гоипа горіп", див. вище 2пі-Жуап Зпеп.The advantage of this device is the ability to perform impedance measurements of superconductors in a wide range of microwave frequencies, including the millimeter range. because the disadvantage of this device is the need to use two films in one act of measurement. In this case, in order to measure the individual microwave characteristics, it is necessary to carry out a whole cycle of three measurements of different pairs made of three different films ("goip horip" procedure, see above 2pi-Zhuap Zpep.
Нідп-Тетрегайште Зирегсопацисіпуд Місгомжаме Сігсицйв. - Вовіоп-І опдоп.: Апесп Ноизе, 1994. 272рі), що дуже непрактично. бо В основу корисної моделі поставлена задача удосконалити відомий пристрій для вимірювання поверхневого імпедансу надпровідників шляхом зведення кількості вимірювань до одного, що дозволить підвищити точність вимірювань індивідуальних характеристик надпровідникових матеріалів.Nidp-Tetregaishte Zyregsopatsisipud Misgomjame Sigsitsiv. - Voviop-I opdop.: Apesp Noise, 1994. 272ri), which is very impractical. Because the useful model is based on the task of improving the known device for measuring the surface impedance of superconductors by reducing the number of measurements to one, which will allow to increase the accuracy of measurements of individual characteristics of superconductor materials.
Поставлена задача вирішується тим, що у пристрої для вимірювання поверхневого імпедансу надпровідників,The problem is solved by the fact that the device for measuring the surface impedance of superconductors,
Що містить квазіоптичний діелектричний резонатор, виконаний у вигляді тіла обертання, основа якого розташована на поверхні надпровідника, та пов'язаний з мікрохвильовим генератором та приймачем за допомогою діелектричних хвилеводів, згідно корисній моделі твірна тіла обертання не паралельна осі його обертання, а дотичні до твірної у будь-якій її точці складають з основою кут, не більший 909,Containing a quasi-optical dielectric resonator made in the form of a body of rotation, the base of which is located on the surface of a superconductor, and connected to the microwave generator and receiver by means of dielectric waveguides, according to a useful model, the generator of the body of rotation is not parallel to the axis of its rotation, but tangent to the generator in any of its points make an angle with the base not greater than 909,
Суть корисної моделі пояснюють ілюстрації: на Фіг1 зображено схему пристрою для вимірювання 7/0 імпедансних властивостей надпровідників; на Фіг2 показано резонатор у пристрої-прототипі; на Фіг.3-5 показано геометрію трьох резонаторів - тіл обертання, що відповідають зазначеній вимозі залишатися високодобротними з однією плівкою надпровідника.The essence of the useful model is explained by the illustrations: Fig. 1 shows the scheme of the device for measuring 7/0 impedance properties of superconductors; Fig. 2 shows the resonator in the prototype device; Fig. 3-5 shows the geometry of three resonators - bodies of rotation, which meet the specified requirement to remain high-Q with one superconductor film.
Запропонований пристрій для вимірювання мікрохвильового поверхневого імпедансу містить у собі діелектричний резонатор 1, виконаний у вигляді тіла обертання, основа якого розташована на поверхні 7/5 надпровідника 2 (плівка на підкладці 3). Діелектричні хвилеводи 4 з одного боку закриті узгодженими навантаженнями 5, а з іншого - під'єднані до генератора 6 та приймача 7. Діаметр тіла обертання вибраний таким чином, щоб по периметру основи тіла укладалося задане число довжин хвиль (210). Для виготовлення резонатора слід вибирати матеріал з малими діелектричними втратами (лейкосапфір, високоомний кремній, алмаз та інші). Як видно із Фіг.3, твірна тіла обертання може бути дугою, що утворює півкулю, відрізком 20 прямої лінії, що утворює зрізаний конус (Фіг.4), дугою зі спряженою прямою, що утворює "сллющену каплю" (Фіг.5). Така форма тіла обертання забезпечує малі радіаційні втрати та належну ефективність взаємодії мікрохвильового поля з надпровідником.The proposed device for measuring microwave surface impedance contains a dielectric resonator 1, made in the form of a body of rotation, the base of which is located on the surface 7/5 of the superconductor 2 (film on the substrate 3). Dielectric waveguides 4 are closed by matched loads 5 on one side, and connected to generator 6 and receiver 7 on the other. The diameter of the body of rotation is selected in such a way that a given number of wavelengths (210) fit around the perimeter of the base of the body. For the manufacture of the resonator, you should choose a material with low dielectric losses (leukosapphire, high-resistance silicon, diamond, and others). As can be seen from Fig. 3, the generator of the body of rotation can be an arc forming a hemisphere, a segment 20 of a straight line forming a truncated cone (Fig. 4), an arc with a conjugate straight line forming a "flaked drop" (Fig. 5). This shape of the body of rotation ensures low radiation losses and proper efficiency of the interaction of the microwave field with the superconductor.
Запропонований пристрій працює таким чином: у діелектричному резонаторі 1 дзеркальними діелектричними хвилеводами збуджуються хвилі шепочучої галереї. Спектр резонансних частот резонатора вимірюється по 25 схемі "на проходження" при слабкому зв'язку резонатора з хвилеводами. При цьому вимірюється добротність С), після чого визначається поверхневий опір згідно з виразом ЗThe proposed device works as follows: in dielectric resonator 1, whispering gallery waves are excited by mirror dielectric waveguides. The spectrum of resonance frequencies of the resonator is measured according to the 25 scheme "for passage" with a weak connection of the resonator to the waveguides. At the same time, the Q factor C) is measured, after which the surface resistance is determined according to the expression Z
Не - в -Мо5Not - in -Mo5
Ав де К і Ав обчислюються, а 45 вимірюється попередньо. Зокрема, коефіцієнт К дуже близький до 1, а (ав) 30 коефіцієнт А зараз обчислюється аналітичне тільки для півкулі, в інших випадках для обчислення цих с коефіцієнтів можна використати сучасні комерційні програмні продукти (наприклад, Місгомаме зіцайо), призначені для розрахунку мікрохвильових структур. ісе)Av where K and Av are calculated, and 45 is measured beforehand. In particular, the coefficient K is very close to 1, and (ав) 30 the coefficient A is currently calculated analytically only for the hemisphere, in other cases, modern commercial software products (for example, Misgomame zitayo) designed for calculating microwave structures can be used to calculate these coefficients. ise)
Для визначення температурної залежності поверхневого реактансу вимірюються температурні залежності со частоти резонатора з нормальним металом, який характеризується нормальним скін-ефектом, та частотиTo determine the temperature dependence of the surface reactance, the temperature dependences of the frequency of the resonator with a normal metal, which is characterized by the normal skin effect, and the frequency are measured
Зо резонатора з надпровідником. Вимірюється також температурна залежність Ка нормального провідника. Ці дані ж дозволяють отримати залежність АХе(Т). При можливості проводити вимірювання у широкому температурному інтервалі можна також визначити і абсолютне значення поверхневого реактансу, застосовуючи відомі теоретичні моделі поверхневого імпедансу, та зіставляючи їх з експериментальними залежностями АХе(Т). «From a resonator with a superconductor. The temperature dependence of Ka of a normal conductor is also measured. These data make it possible to obtain the dependence of AHe(T). If it is possible to carry out measurements in a wide temperature range, it is also possible to determine the absolute value of the surface reactance, using known theoretical models of the surface impedance, and comparing them with the experimental dependences of AHe(T). "
Запропонований пристрій для вимірювання імпедансних властивостей надпровідників було змодельовано, 40 використовуючи тефлоновий резонатор у формі півкулі та зрізаного конусу в діапазоні частот 35-40ГГц. Діаметр но) с основи дорівнював 7мм. Кут о зрізаного конусу (висота дорівнювала ЗОмм) зменшувався від 0 до З0 е. з» Вимірювалися резонансні частоти та добротність. Пристрій випробуваний на добре відомих провідниках (мідь, титан). Визначалися (д5 тефлона та коефіцієнт Ах» для півкулі, а також Аз в залежності від кута а для конуса.The proposed device for measuring the impedance properties of superconductors was modeled 40 using a Teflon resonator in the shape of a hemisphere and a truncated cone in the frequency range of 35-40 GHz. The diameter of the base was equal to 7 mm. The angle o of the truncated cone (the height was 30 mm) decreased from 0 to 30 e. z» Resonance frequencies and Q-factor were measured. The device is tested on well-known conductors (copper, titanium). (d5 of Teflon and coefficient Ах» for the hemisphere, as well as Аз depending on the angle а for the cone were determined.
Отримано результати по поверхневому опору, добре узгоджені із довідниковими даними.The surface resistance results are in good agreement with the reference data.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200602036U UA16620U (en) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | Device for measuring surface impedance of a superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200602036U UA16620U (en) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | Device for measuring surface impedance of a superconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA16620U true UA16620U (en) | 2006-08-15 |
Family
ID=37504410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAU200602036U UA16620U (en) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | Device for measuring surface impedance of a superconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA16620U (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104076205A (en) * | 2013-03-04 | 2014-10-01 | 中国科学院物理研究所 | Measuring whispering-gallery-mode resonator |
-
2006
- 2006-02-24 UA UAU200602036U patent/UA16620U/en unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104076205A (en) * | 2013-03-04 | 2014-10-01 | 中国科学院物理研究所 | Measuring whispering-gallery-mode resonator |
| US9588061B2 (en) | 2013-03-04 | 2017-03-07 | Institute Of Physics, Chinese Academy Of Sciences | Measuring whispering-gallery-mode resonator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ansari et al. | Design and application of the CSRR-based planar sensor for noninvasive measurement of complex permittivity | |
| Kumar et al. | Measurement of dielectric constant and loss factor of the dielectric material at microwave frequencies | |
| Stuchly et al. | A new aperture admittance model for open-ended waveguides | |
| Chalapat et al. | Wideband reference-plane invariant method for measuring electromagnetic parameters of materials | |
| Chen et al. | Amendment of cavity perturbation method for permittivity measurement of extremely low-loss dielectrics | |
| Roelvink et al. | A planar transmission-line sensor for measuring the microwave permittivity of liquid and semisolid biological materials | |
| Hasar | Unique permittivity determination of low-loss dielectric materials from transmission measurements at microwave frequencies | |
| Bobowski et al. | Permittivity and conductivity measured using a novel toroidal split-ring resonator | |
| Hasar | Permittivity measurement of thin dielectric materials from reflection-only measurements using one-port vector network analyzers | |
| Liu et al. | Improve planar multiple split-ring sensor for microwave detection applications | |
| Krupka et al. | High Q-factor microwave Fabry-Perot resonator with distributed Bragg reflectors | |
| Samant et al. | Design of coplanar dual band resonator sensor for microwave characterization of dispersive liquids | |
| McLaughlin et al. | Miniature open-ended coaxial probes for dielectric spectroscopy applications | |
| Krupka et al. | Use of Whispering-Gallery Modes and Quasi-${\rm TE} _ {0 {np}} $ Modes for Broadband Characterization of Bulk Gallium Arsenide and Gallium Phosphide Samples | |
| Colpitts | Temperature sensitivity of coaxial probe complex permittivity measurements: Experimental approach | |
| UA16620U (en) | Device for measuring surface impedance of a superconductor | |
| Li et al. | Design of a cylindrical cavity resonator for measurements of electrical properties of dielectric materials | |
| Costa et al. | Dielectric permittivity measurement technique based on waveguide FSS filters | |
| Wendel | Dielectric measurements at GHz frequencies | |
| Zhu et al. | Characterization of substrate material using complementary split ring resonators at terahertz frequencies | |
| Tiwari et al. | Quad band metamaterial inspired planar sensor for dispersive material testing | |
| Hasar | Procedure for accurate and stable constitutive parameters extraction of materials at microwave frequencies | |
| Kharkovsky et al. | Response of microwave dielectric-slab-loaded rectangular waveguide resonators to wall displacements | |
| Minasyan et al. | Computer modeling of microwave stripline resonators for non-invasive sensing | |
| Popovic et al. | Precision open-ended coaxial probe for dielectric spectroscopy of breast tissue |