Львівський Національний Університет Імені Івана Франка
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Львівський Національний Університет Імені Івана ФранкаfiledCriticalЛьвівський Національний Університет Імені Івана Франка
Priority to UAU201513115UpriorityCriticalpatent/UA107956U/en
Publication of UA107956UpublicationCriticalpatent/UA107956U/en
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, при якому їх опромінюють, а потім термовідпалюють. Сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр. Температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.Method for radiation treatment of transistor temperature sensors at which they are irradiated and then thermally annealed. The sensors are irradiated with X-rays at a dose of 4000 ÷ 4250 Gy. The annealing is carried out at a temperature of 130 ÷ 135 ° C for 120 ± 5 min.
UAU201513115U2015-12-302015-12-30
METHOD OF RADIATION TREATMENT OF TRANSISTOR TEMPERATURE SENSORS
UA107956U
(en)