TWM633405U - 天線裝置 - Google Patents

Abstract

一種天線裝置，包括差動天線及第一平衡不平衡轉換器。差動天線包括第一輻射體、連接於第一輻射體的第一表面的第一天線埠及第二天線埠。第一天線埠與第二天線埠對第一輻射體的正投影對稱於第一輻射體的中點。第一平衡不平衡轉換器位於第一輻射體的第一表面的一側，其於第一表面所在的第一平面的正投影重疊於第一表面。第一平衡不平衡轉換器包括第一埠、第一走線、電性連接於第一天線埠的第一耦合結構及電性連接於第二天線埠的第二耦合結構。第一走線連接第一埠。第一耦合結構與第二耦合結構均不直接接觸第一走線。

Description

天線裝置

本新型創作是有關於一種裝置，且特別是有關於一種天線裝置。

隨著電子、通訊等技術之高度發展及應用，近來電子裝置的設計逐漸走向微型化發展，且對於天線的效能的要求日漸提升。另一方面，一般通訊設備對於天線的場型對稱性也有要求。然而，常見的雙饋入天線雖然具有良好的場型對稱性，其外部饋入信號線的配置需要佔用相當的空間而難以微型化。因此如何讓微型化的天線具有良好的場型對稱性為本領域亟需解決的問題。

本新型創作提供一種天線裝置，天線裝置包括具多層結構的第一平衡不平衡轉換器以及差動天線，第一平衡不平衡轉換器具有良好的單端訊號及雙端訊號轉換功能，且天線裝置保有良好的場型對稱性以及天線效能。

本新型創作的一種天線裝置，包括一差動天線及一第一 平衡不平衡轉換器(balance-to-unbalance converter,BALUN)。差動天線包括一第一輻射體、一第一天線埠及一第二天線埠。第一輻射體包括一第一表面。第一天線埠連接於第一輻射體的第一表面。第二天線埠連接於第一輻射體的第一表面。第一天線埠與第二天線埠對第一輻射體的正投影對稱於第一輻射體的中點。第一平衡不平衡轉換器位於第一輻射體的第一表面的一側，第一平衡不平衡轉換器於第一表面所在的一第一平面的正投影重疊於第一表面。第一平衡不平衡轉換器包括一第一埠、一第一走線、一第一耦合結構及一第二耦合結構。第一走線連接第一埠，且沿一第一方向延伸。第一耦合結構電性連接於第一天線埠。第二耦合結構電性連接於第二天線埠。第一耦合結構與第二耦合結構均不直接接觸第一走線。第一耦合結構於第一平面的正投影與第二耦合結構於第一平面的正投影均被第一走線於第一平面的正投影等分。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一耦合結構包括一第一導體層，第二耦合結構包括一第二導體層。第一導體層與第二導體層位於第一走線與第一輻射體之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一耦合結構包括第一導體層，第二耦合結構包括第二導體層。第一走線位於第一導體層與第一輻射體之間，且位於第二導體層與第一輻射體之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一耦合結構包括第一導體層及連接於第一導體層的兩第一側牆結構，第二耦合結 構包括第二導體層及連接於第二導體層的兩第二側牆結構。第一走線位於兩第一側牆結構之間與兩第二側牆結構之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一耦合結構包括由第一導體層與兩第一側牆結構共同形成的一第一U型槽，第二耦合結構包括由第二導體層與兩第二側牆結構共同形成的一第二U型槽。第一U型槽的開口與第二U型槽的開口背向第一輻射體。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一耦合結構包括由第一導體層與兩第一側牆結構共同形成的第一U型槽，第二耦合結構包括由第二導體層與兩第二側牆結構共同形成的第二U型槽。第一U型槽的開口與第二U型槽的開口朝向第一輻射體。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一耦合結構包括第一導體層及電性連接於第一導體層的一第一接地埠。第一導體層包括相對的一第一邊與一第二邊，第一邊與第二邊於第一平面的正投影均與第一走線於第一平面的正投影交會，且第一天線埠於第一平面的正投影靠近第一邊於第一平面的正投影。第一接地埠於第一平面的正投影靠近第二邊於第一平面的正投影。

在本新型創作的一實施例中，上述的天線裝置適於操作於一輻射頻段。第一天線埠於第一平面的正投影與第一接地埠於第一平面的正投影之間的連線，在第一方向上的長度分量，介於屬於輻射頻段的一波長的0.2倍至0.3倍之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的第二耦合結構包括第二導體層及電性連接於第二導體層的一第二接地埠。第二導體 層包括相對的一第三邊與一第四邊。第三邊與第四邊於第一平面的正投影均與第一走線於第一平面的正投影交會，且第二天線埠於第一平面的正投影靠近第三邊於第一平面的正投影。第二接地埠於第一平面的正投影靠近第四邊於第一平面的正投影。

在本新型創作的一實施例中，上述的天線裝置適於操作於輻射頻段。第二天線埠於第一平面的正投影與第二接地埠於第一平面的正投影之間的連線，在第一方向上的長度分量，介於屬於輻射頻段的波長的0.2倍至0.3倍之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的天線裝置更包括一第一接地層與位於第一接地層上方的一第二接地層，第一平衡不平衡轉換器位於第一接地層與第二接地層之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的天線裝置適於操作於輻射頻段。第一輻射體包括接觸第一天線埠的一第一連接部以及接觸第二天線埠的一第二連接部，第一輻射體在沿著第一連接部與第二連接部的連線方向上的長度介於屬於輻射頻段的波長的0.4倍至0.6倍之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的差動天線更包括位於第一輻射體的一第二表面的一側的一第二輻射體及連接於第一輻射體與第二輻射體的多個導通孔。第二輻射體於第一表面所在的第一平面的正投影重疊於第一表面。

在本新型創作的一實施例中，上述的差動天線更包括一第三天線埠及一第四天線埠。第三天線埠連接於第一輻射體的第 一表面。第四天線埠連接於第一輻射體的第一表面。第三天線埠與第四天線埠對第一輻射體的正投影對稱於第一輻射體的中點。天線裝置更包括一第二平衡不平衡轉換器，位於第一輻射體的第一表面的側。第二平衡不平衡轉換器於第一表面所在的第一平面的正投影重疊於第一表面。第二平衡不平衡轉換器包括一第二埠、一第二走線、一第三耦合結構及一第四耦合結構。第二走線連接第二埠，且沿一第二方向延伸。第二方向垂直於第一方向，且第一走線與第二走線位於相異的平面上。第三耦合結構電性連接於第三天線埠。第四耦合結構電性連接於第四天線埠。第三耦合結構與第四耦合結構均不直接接觸第二走線。第三耦合結構於第一平面的正投影與第四耦合結構於第一平面的正投影均被第二走線於第一平面的正投影等分。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一耦合結構包括第一導體層，第二耦合結構包括第二導體層，第一導體層與第二導體層位於第一走線與第一輻射體之間。第三耦合結構包括一第三導體層，第四耦合結構包括一第四導體層，第二走線位於第三導體層與第一輻射體之間，且位於第四導體層與第一輻射體之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的第一走線位於第三耦合結構與第四耦合結構之間，第一走線與第三耦合結構之間的距離相同於第一走線與第四耦合結構之間的距離。

在本新型創作的一實施例中，上述的第二走線位於第一耦合結構與第二耦合結構之間，第二走線與第一耦合結構之間的 距離相同於第二走線與第二耦合結構之間的距離。

基於上述，本新型創作的天線裝置可通過第一平衡不平衡轉換器將第一埠的單端訊號轉換為雙端訊號並傳輸至差動天線，或將差動天線的雙端訊號轉換為單端訊號。由於第一耦合結構與第二耦合結構均不直接接觸第一走線，且第一耦合結構與第二耦合結構於第一平面的正投影均被第一走線於第一平面的正投影等分，由此可知第一平衡不平衡轉換器具備多層結構。第一平衡不平衡轉換器可通過多層結構之間的配合調整第一平衡不平衡轉換器的耦合量，並且，第一平衡不平衡轉換器保有良好的單端訊號及雙端訊號轉換功能。由差動天線以及具多層結構的第一平衡不平衡轉換器組合而成的天線裝置仍可保有良好的場型對稱性以及天線效能。

為了讓本新型創作的上述特徵及優點能夠更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下。

A1:第一方向

A2:第二方向

A3:第三方向

B1:第一連接部

B2:第二連接部

C1:中點

C2:輔助線

E1:第一邊

E2:第二邊

E3:第三邊

E4:第四邊

F1、F2、F3、J1、J2、J3、J4、J5、J6、K1、K2、K3、K4、K5、K6:線

G1:第一接地埠

G2:第二接地埠

G3:第三接地埠

G4:第四接地埠

GL1:第一接地層

GL2:第二接地層

GL3:第三接地層

GL4:第四接地層

GH1、GH2、GH3、GH4:避讓孔

I:連線方向

IL1、IL2:絕緣層

L1:長度

L2、L3:長度分量

S1:第一表面

S2:第二表面

U1:第一U型槽

U2:第二U型槽

W:厚度

W1、W2:開口寬度

100a、100b、100c:天線裝置

110a、110b、110c:差動天線

112a1、112b1、112c1:第一輻射體

112a2:第二輻射體

114a1、114b1、114c1:第一天線埠

114a2、114b2、114c2:第二天線埠

114c3:第三天線埠

114c4:第四天線埠

116a:導通孔

120a、120b、120c:第一平衡不平衡轉換器

120a1、120b1、120c1:第一耦合結構

120a2、120b2、120c2:第二耦合結構

121a、121b、121c:第一埠

122a1、122b1、122c1:第一導體層

122a2、122b2、122c2:第二導體層

123a、123b、123c:第一走線

124a1、124b1:第一側牆結構

124a2、124b2:第二側牆結構

125a:側柱

126a、126b:側板

128a1、128a2、128b1、128b2、128c1、128c2:連接柱

129b1、129b2、139c1、139c2:連接板

130c:第二平衡不平衡轉換器

130c1:第三耦合結構

130c2:第四耦合結構

131c:第二埠

132c1:第三導體層

132c2:第四導體層

133c:第二走線

200a、200b、200c:第一平面

210a、210b、210c:第一區

220a、220b、220c:第二區

圖1A是根據本新型創作的一實施例的天線裝置的示意圖。

圖1B是圖1A的差動天線的示意圖。

圖1C是圖1A的第一平衡不平衡轉換器的示意圖。

圖1D是圖1A的天線裝置的上視圖。

圖1E是圖1A的天線裝置的側視圖。

圖1F是圖1E的天線裝置的部分元件的爆炸圖。

圖2A是圖1C的兩連接柱的頻率-相位差的關係圖。

圖2B是圖1A的天線裝置的頻率-增益的關係圖。

圖3A至圖3C分別繪示圖1A的天線裝置在不同頻率下的角度-增益的關係圖。

圖4A是根據本新型創作的另一實施例的天線裝置的示意圖。

圖4B是圖4A的天線裝置的上視圖。

圖4C是圖4A的天線裝置的側視圖。

圖5是圖4A的兩連接板的頻率-相位差的關係圖。

圖6A是根據本新型創作的一實施例的天線裝置的示意圖。

圖6B是圖6A的天線裝置的上視圖。

圖6C是圖6A的天線裝置的側視圖。

圖7A是圖6A的第一埠以及兩連接柱的頻率-S參數的關係圖。

圖7B是圖6A的第二埠以及兩連接板的頻率-S參數的關係圖。

圖7C是圖6A的第一埠及第二埠的頻率-S21的關係圖。

圖7D是圖6A的兩連接柱以及兩連接板的頻率-相位差的關係圖。

圖7E是圖6A的第一埠及第二埠的頻率-S參數的關係圖。

圖7F是圖6A的天線裝置的頻率-增益的關係圖。

圖8A至圖8C分別繪示圖6A的第一埠啟動時的天線裝置的 角度-增益的關係圖。

圖9A至圖9C分別繪示圖6A的第二埠啟動時的天線裝置的角度-增益的關係圖。

參照本實施例之圖式以更全面地闡述本新型創作。然而，本新型創作亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。相同或相似之標號表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。

圖1A是根據本新型創作的一實施例的天線裝置的示意圖。在此提供由一第一方向A1、一第二方向A2及一第三方向A3構成的座標系統以利構件描述，第一方向A1、第二方向A2及第三方向A3彼此垂直。請參閱圖1A，本實施例的天線裝置100a包括一差動天線110a及一第一平衡不平衡轉換器(balanced-to-unbalanced converter,BALUN)120a。第一平衡不平衡轉換器120a適於將一單端訊號轉換為一雙端訊號並傳輸至差動天線110a。或者，天線裝置100a適於通過第一平衡不平衡轉換器120a將差動天線110a接收到的雙端訊號轉換為單端訊號。

單端訊號為以一條傳輸線傳輸的訊號。在此，第一平衡不平衡轉換器120a的一第一埠121a適於自一外部電路(未示出)接收單端訊號並通過一第一走線123a傳輸單端訊號。習知的雙端訊號為分別通過兩條線傳輸的兩訊號，兩訊號的振幅相等且相位 相反(意即，兩訊號的相位差為180度)。

具體來說，當天線裝置100a透過差動天線110a輸出訊號時，天線裝置100a通過第一平衡不平衡轉換器120a的一第一耦合結構120a1及一第二耦合結構120a2將單端訊號轉換為雙端訊號並傳輸至差動天線110a後輸出。當天線裝置100a接收訊號時，天線裝置100a藉由第一平衡不平衡轉換器120a將差動天線110a接收的雙端訊號轉換為單端訊號後通過第一走線123a傳輸至第一埠121a。

如圖1A所示，差動天線110a包括一第一輻射體112a1、一第一天線埠114a1及一第二天線埠114a2。第一輻射體112a1包括一第一表面S1。第一天線埠114a1及第二天線埠114a2連接於第一輻射體112a1的第一表面S1。差動天線110a適於通過第一天線埠114a1及第二天線埠114a2連接第一平衡不平衡轉換器120a。

在此，第一表面S1座落於一第一平面200a，第一平面200a為一虛擬平面。第一平面200a可視作是第一輻射體112a1的第一表面S1的延伸，藉此可將天線裝置100a區分為一第一區210a(第一平面200a的上方區域)以及一第二區220a(第一平面200a的下方區域)。第一輻射體112a1還包括相對於第一表面S1的一第二表面S2。第二表面S2位於第一區210a。

圖1B是圖1A的差動天線的示意圖。在圖1B中，差動天線110a的部分元件以透視方式呈現。本實施例的差動天線110a還包括位於第一輻射體112a1的第二表面S2的上方的一第二輻射 體112a2，以及連接於第一輻射體112a1與第二輻射體112a2的多個導通孔(via)116a。

第一輻射體112a1的第一表面S1與第二輻射體112a2的上表面在第三方向A3上間隔一厚度W。藉此，第一輻射體112a1、第二輻射體112a2以及這些導通孔116a可被視為是具有厚度W的輻射體。當然，差動天線110a的設置不以此為限。在其他實施例中，差動天線110a可不包括第二輻射體112a2以及這些導通孔116a。使用者可根據其需求設置差動天線110a。

如圖1B所示，第二輻射體112a2及這些導通孔116a與第一天線埠114a1及第二天線埠114a2連接於第一輻射體112a1的相對兩平面，且位於第一平面200a的相對兩側。第一區210a包括用於發送及接收訊號的第一輻射體112a1、第二輻射體112a2以及這些導通孔116a，第二區220a包括用於傳輸訊號的第一天線埠114a1以及第二天線埠114a2。在此，差動天線110a具有九個導通孔116a，這些導通孔116a彼此大致為等間距排列，但不限於此。

圖1C是圖1A的第一平衡不平衡轉換器的示意圖。在圖1C中，第一平衡不平衡轉換器120a的部分元件以透視方式呈現。請同時參閱圖1A及圖1C，第一平衡不平衡轉換器120a連接於第一天線埠114a1以及第二天線埠114a2而位於第二區220a(圖1A)。

如圖1C所示，第一平衡不平衡轉換器120a包括第一埠121a、第一走線123a、第一耦合結構120a1及第二耦合結構120a2。 第一走線123a連接第一埠121a，且沿第一方向A1延伸。第一耦合結構120a1電性連接於第一天線埠114a1。第二耦合結構120a2電性連接於第二天線埠114a2。

第一耦合結構120a1位於第二耦合結構120a2及第一埠121a之間，且第一耦合結構120a1與第二耦合結構120a2的結構相似。第一耦合結構120a1與第二耦合結構120a2均不直接接觸第一走線123a。

在此，第一耦合結構120a1包括一第一導體層122a1及連接於第一導體層122a1的兩第一側牆結構124a1，第二耦合結構120a2包括一第二導體層122a2及連接於第二導體層122a2的兩第二側牆結構124a2，但不限於此。第一側牆結構124a1由多個側柱125a以及一側板126a組成。第二側牆結構124a2由多個側柱125a以及一側板126a組成。側柱125a沿第三方向A3設置於側板126a與第一導體層122a1之間且設置於側板126a與第二導體層122a2之間。

在此，第一導體層122a1的四個轉角及第二導體層122a2的四個轉角皆為圓角，側板126a的四個轉角為圓角及直角的組合，但不限於此。例如，在未繪示的其他實施例中，第一導體層122a1、第二導體層122a2以及側板126a的這些轉角可為直角、圓角或多邊形，或圓角、直角及多邊形的組合。

兩第一側牆結構124a1設置於第一導體層122a1的兩側，而與第一導體層122a1共同形成一第一U型槽U1。兩第二側 牆結構124a2設置於第二導體層122a2的兩側，而與第二導體層122a2共同形成一第二U型槽U2。

第一走線123a穿設於第一U型槽U1以及第二U型槽U2，而位於兩第一側牆結構124a1與兩第二側牆結構124a2之間。在此，第一U型槽U1以及第二U型槽U2的開口背向第一輻射體112a1(圖1A)，而使第一導體層122a1與第二導體層122a2位於第一走線123a與第一輻射體112a1之間，但不限於此。

第一導體層122a1及第二導體層122a2不直接接觸第一走線123a，第一導體層122a1及第二導體層122a2位於同一平面(第一層)，第一走線123a以及側板126a位於另一平面(第二層)，兩平面彼此平行，而使第一平衡不平衡轉換器120a具有多層結構。

如圖1C所示，第一走線123a可視為是被第一耦合結構120a1及第二耦合結構120a2包覆，使用者可調整通過此具有包覆性的第一耦合結構120a1及第二耦合結構120a2以調整第一平衡不平衡轉換器120a的耦合量。

例如，第一U型槽U1具有一開口寬度W1(圖1D)，第二U型槽U2具有另一開口寬度W2(圖1D)。開口寬度W1、W2取決於兩側板126a之間的距離。使用者可通過調整開口寬度W1、W2以調整第一平衡不平衡轉換器120a的耦合量。

在習知的天線裝置中，平衡不平衡轉換器為單層結構且需要通過兩條走線以傳輸雙端訊號，使用者通過調整兩走線之間的間距以控制平衡不平衡轉換器的耦合量。請回到圖1C，在本實 施例中，第一平衡不平衡轉換器120a通過第一U型槽U1以及第二U型槽U2的開口寬度W1、W2調整耦合量，且通過第一平衡不平衡轉換器120a將單端訊號轉換為雙端訊號而不需要額外的走線。

當然，第一平衡不平衡轉換器120a的設置方式不以此為限。在未繪示的另一實施例中，第一平衡不平衡轉換器120a的兩第一側牆結構124a1及兩第二側牆結構124a2可再往圖1C的下方(第三方向A3的相反方向)延伸。兩第一側牆結構124a1可在第一走線123a的下方往朝向彼此的方向延伸而連接，而使第一耦合結構120a1形成一O型槽。同樣地，兩第二側牆結構124a2可在第一走線123a的下方往朝向彼此的方向延伸而連接，而使第二耦合結構120a2形成另一O型槽。第一走線123a穿設於兩O型槽之間，以改變第一平衡不平衡轉換器120a的耦合量。

在未繪示的另一實施例中，第一平衡不平衡轉換器120a不包括兩第一側牆結構124a1及兩第二側牆結構124a2。第一導體層122a1及第二導體層122a2設於第一走線123a及第一輻射體112a1之間。由此可知，使用者可根據其需求調整第一耦合結構120a1及第二耦合結構120a2的設置方式，以增進天線裝置100a的效能。

第一耦合結構120a1還包括電性連接於第一導體層122a1的一第一接地埠G1，第二耦合結構120a2還包括電性連接於第二導體層122a2的一第二接地埠G2。如圖1C所示，第一接地埠G1 設於側板126a且沿第三方向A3背向第一導體層122a1延伸，第二接地埠G2設於側板126a且沿第三方向A3背向第二導體層122a2延伸。

圖1C還繪示天線裝置100a的一第一接地層GL1，第一接地層GL1具有一個避讓孔GH1以避讓第一埠121a。第一埠121a穿過避讓孔GH1而與外部電路連接。第一接地埠G1及第二接地埠G2連接於第一接地層GL1。

在此，第一平衡不平衡轉換器120a還包括兩連接柱128a1、128a2。連接柱128a1設於第一導體層122a1，且連接柱128a2設於第二導體層122a2，連接柱128a1、128a2沿第三方向A3背向側板126a(意即，朝向圖1A所示的第一輻射體112a1)延伸。連接柱128a1適於連接第一天線埠114a1，連接柱128a2適於連接第二天線埠114a2。

由此可知，圖1A所示的第一天線埠114a1(通過連接柱128a1)與第一接地埠G1(通過第一側牆結構124a1)電性連接於第一導體層122a1的相對兩面。圖1A所示的第二天線埠114a2(通過連接柱128a2)與第二接地埠G2(通過第二側牆結構124a2)電性連接於第二導體層122a2的相對兩面。

圖1D是圖1A的天線裝置的上視圖。圖1D中的部分元件(例如，第一平衡不平衡轉換器120a)以透視方式呈現，且以點鏈線繪示通過第一輻射體112a1的一中點C1的輔助線C2。請參閱圖1D，各元件對第一輻射體112a1的正投影可視作是各元件對 第一平面200a的正投影。在此，第一天線埠114a1與第二天線埠114a2對第一輻射體112a1(第一平面200a)的正投影對稱於第一輻射體112a1的中點C1，更特定地，對稱於輔助線C2。第一天線埠114a1的中心與第二天線埠114a2的中心對第一輻射體112a1(第一平面200a)的正投影與中點C1(輔助線C2)的距離相同。

如圖1B及圖1D所示，第一輻射體112a1還包括接觸第一天線埠114a1的一第一連接部B1以及接觸第二天線埠114a2的一第二連接部B2，第一連接部B1對第一輻射體112a1的正投影重疊於第一天線埠114a1對第一輻射體112a1的正投影。第二連接部B2對第一輻射體112a1的正投影重疊於第二天線埠114a2對第一輻射體112a1的正投影。

第一輻射體112a1在沿著第一連接部B1與第二連接部B2的一連線方向I上具有一長度L1。在此，第一連接部B1與第二連接部B2的連線方向I與第一方向A1平行。

天線裝置100a適於操作於一輻射頻段。長度L1介於屬於輻射頻段的一波長的0.4倍至0.6倍之間，例如是0.5倍。換言之，第一輻射體112a1的尺寸根據天線裝置100a的輻射頻段而改變。此外，第二輻射體112a2的面積小於第一輻射體112a1的面積，但不限於此。例如，在未繪示的其他實施例中，第二輻射體112a2的面積可大於或等於第一輻射體112a1的面積。

第一平衡不平衡轉換器120a於第一表面S1所在的第一平面200a的正投影重疊於第一表面S1(圖1B)。如圖1D所示，第 一耦合結構120a1於第一平面200a的正投影與第二耦合結構120a2於第一平面200a的正投影均被第一走線123a於第一平面200a的正投影等分。換言之，第一耦合結構120a1與第二耦合結構120a2於第一平面200a的正投影與第一走線123a於第一平面200a的正投影重疊，而使第一平衡不平衡轉換器120a形成多層結構。

如圖1D所示，第一導體層122a1包括相對的一第一邊E1與一第二邊E2，第一邊E1與第二邊E2於第一平面200a的正投影均與第一走線123a於第一平面200a的正投影交會。第二導體層122a2包括相對的一第三邊E3與一第四邊E4。第三邊E3與第四邊E4於第一平面200a的正投影均與第一走線123a於第一平面200a的正投影交會。在此，第一邊E1、第二邊E2、第三邊E3及第四邊E4彼此平行且沿第二方向A2延伸。第三邊E3位於第一邊E1及第四邊E4之間。

第一天線埠114a1於第一平面200a的正投影靠近第一邊E1於第一平面200a的正投影。第一接地埠G1於第一平面200a的正投影靠近第二邊E2於第一平面200a的正投影。第二天線埠114a2於第一平面200a的正投影靠近第三邊E3於第一平面200a的正投影。第二接地埠G2於第一平面200a的正投影靠近第四邊E4於第一平面200a的正投影。換言之，第一天線埠114a1與第一接地埠G1的正投影位於第一導體層122a1的相對兩側邊。第二天線埠114a2與第二接地埠G2的正投影位於第二導體層122a2的相 對兩側邊。

第一天線埠114a1於第一平面200a的正投影與第一接地埠G1於第一平面200a的正投影之間的連線，在第一方向A1上的長度分量L2，介於屬於天線裝置100a的輻射頻段的其中一波長(中心波長)的0.2倍至0.3倍之間，例如是0.25倍。第二天線埠114a2於第一平面200a的正投影與第二接地埠G2於第一平面200a的正投影之間的連線，在第一方向A1上的長度分量L3，介於屬於天線裝置100a的輻射頻段的波長的0.2倍至0.3倍之間，例如是0.25倍。

圖1E是圖1A的天線裝置的側視圖。圖1F是圖1E的天線裝置的部分元件的爆炸圖。圖1F繪示圖1E的第一接地層GL1、一第二接地層GL2、一第三接地層GL3以及一第四接地層GL4與第一平衡不平衡轉換器120a的爆炸圖，在此省略部分元件(例如，差動天線110a)以利構件描述。

請同時參閱圖1E及圖1F，天線裝置100a更包括位於第一接地層GL1上方的第二接地層GL2，第一平衡不平衡轉換器120a位於第一接地層GL1與第二接地層GL2之間。在此，天線裝置100a更包括第三接地層GL3以及第四接地層GL4。

第三接地層GL3位於第二接地層GL2與第四接地層GL4之間，第四接地層GL4位於第三接地層GL3與第一接地層GL1之間。任兩接地層之間設有絕緣層IL2。第二接地層GL2上還設有另一絕緣層IL1。第一平衡不平衡轉換器120a的第一接地埠G1 及第二接地埠G2與第一接地層GL1電性連接。

第一接地層GL1、第二接地層GL2、第三接地層GL3及第四接地層GL4適於屏蔽外部雜訊，以避免外部雜訊干擾天線裝置100a的訊號。使用者可通過電子設備的電路板(未示出)的線路布局以實現第一接地層GL1、第二接地層GL2、第三接地層GL3及第四接地層GL4的設置並以此實現天線裝置100a的架設，但不以此為限。

值得一提的是，如圖1F所示，第二接地層GL2、第三接地層GL3以及第四接地層GL4分別具有多個避讓孔GH2、GH3、GH4，以避讓第一平衡不平衡轉換器120a的各元件。換言之，第二接地層GL2、第三接地層GL3以及第四接地層GL4不與第一平衡不平衡轉換器120a接觸，以避免導致第一平衡不平衡轉換器120a失效。此外，第一接地層GL1具有避讓孔GH1。

具體而言，第二接地層GL2具有兩個避讓孔GH2以避讓兩連接柱128a1、128a2。第三接地層GL3具有一個避讓孔GH3以避讓第一導體層122a1及第二導體層122a2。第四接地層GL4具有一個避讓孔GH4以避讓第一側牆結構124a1、第二側牆結構124a2以及第一走線123a。天線裝置100a(圖1A)通過第一接地埠G1及第二接地埠G2連接於第一接地層GL1而接地。第一埠121a穿過避讓孔GH1而與第一接地層GL1之間間隔一絕緣間隙(isolating gap)，以使第一埠121a與第一接地層GL1電性隔離。當然，接地層及避讓孔的設置方式不以此為限，而可隨第一平衡不 平衡轉換器120a的設置方式而改變。

此外，如圖1E所示，連接柱128a1連接於第一天線埠114a1，連接柱128a2連接於第二天線埠114a2。因此，如圖1D所示，連接柱128a1對第一輻射體112a1的正投影重疊於第一天線埠114a1對第一輻射體112a1的正投影。連接柱128a2對第一輻射體112a1的正投影重疊於第二天線埠114a2對第一輻射體112a1的正投影。

以下藉由軟體模擬天線裝置100a以及天線裝置100a的部分元件在不同情況下的各項表現。

圖2A是圖1C的兩連接柱的頻率-相位差的關係圖。請參閱圖2A，在此模擬通過第一平衡不平衡轉換器120a輸出至連接柱128a1及連接柱128a2(圖1C)的雙端訊號之間的相位差。在頻率為20GHz至35GHz的範圍內，相位差介於-176度至-181度之間。由此可知，本實施例的第一平衡不平衡轉換器120a的單端訊號及雙端訊號轉換功能有良好的表現。

圖2B是圖1A的天線裝置的頻率-增益的關係圖。請參閱圖2B，本實施例的天線裝置100a在頻率為26.5GHz至29.5GHz之間具有良好的增益(增益值大於5dB)。

圖3A至圖3C分別繪示圖1A的天線裝置在不同頻率下的角度-增益的關係圖。實線表示天線裝置100a沿第一方向A1及第三方向A3的平面上的角度-增益的關係，虛線表示天線裝置100a沿第二方向A2及第三方向A3的平面上的角度-增益的關係。 圖3A至圖3C分別表示在頻率為25.6GHz、27.5GHz以及29.5GHz時的天線裝置100a的角度-增益的關係圖。請同時參閱圖3A至圖3C，天線裝置100a的角度-增益的關係具有良好的對稱性而大致呈鏡射分布。由此可知，本實施例的天線裝置100a保有良好的效能。

簡言之，第一平衡不平衡轉換器120a具有良好的單端訊號及雙端訊號轉換功能，天線裝置100a在具有多層結構的第一平衡不平衡轉換器120a的情況下仍可保有良好的增益值且天線裝置100a的角度-增益的關係圖保有良好的對稱性。

圖4A是根據本新型創作的另一實施例的天線裝置的示意圖。圖4B是圖4A的天線裝置的上視圖。圖4C是圖4A的天線裝置的側視圖。為了清楚表示結構之間的相對關係，圖4B部分元件以透視呈現。

請先同時參閱圖1A及圖4A，本實施例的天線裝置100b與上述實施例相似，兩者的差異在於：本實施例的第一平衡不平衡轉換器120b的第一U型槽U1及第二U型槽U2的開口朝向第一輻射體112b1。第一走線123b位於第一導體層122b1與第一輻射體112b1之間，且位於第二導體層122b2與第一輻射體112b1之間。此外，本實施例的差動天線110b的輻射體(第一輻射體112b1)為單層結構而不包括第二輻射體112a2及這些導通孔116a(圖1B)。

此時第一接地埠G1設於第一導體層122b1，第二接地埠G2設於第二導體層122b2。兩連接柱128b1分別設於兩第一側牆 結構124b1的兩側板126b，兩連接柱128b2分別設於兩第二側牆結構124b2的兩側板126b。此外，第一平衡不平衡轉換器120b還包括兩連接板129b1、129b2。其中一連接板129b1連接兩連接柱128b1及第一天線埠114b1。另一連接板129b2連接兩連接柱128b2及第二天線埠114b2。

請參閱圖4B，第一天線埠114b1對第一平面200b的正投影位於兩連接柱128b1對第一平面200b的正投影的連線上。第二天線埠114b2對第一平面200b的正投影位於兩連接柱128b2對第一平面200b的正投影的連線上。

請同時參閱圖1C及圖4C，本實施例的第一走線123b的設置方式與上述實施例相似，兩者的差異在於：本實施例的第一走線123b位於第三接地層GL3的避讓孔GH3。

圖5是圖4A的兩連接板的頻率-相位差的關係圖。藉由軟體模擬通過第一平衡不平衡轉換器120b輸出至連接板129b1及連接板129b2(圖4A)的雙端訊號之間的相位差。請參閱圖5，在頻率為20GHz至35GHz的範圍內，相位差介於-174度至-182度之間。由此可知，本實施例的第一平衡不平衡轉換器120b的單端訊號及雙端訊號轉換功能有良好的表現。藉此，本實施例的天線裝置100b與上述實施例具有相似的功效，在此不再贅述。

圖6A是根據本新型創作的一實施例的天線裝置的示意圖。圖6B是圖6A的天線裝置的上視圖。圖6C是圖6A的天線裝置的側視圖。為了清楚表示結構之間的相對關係，圖6A及圖6B 的部分元件以透視呈現。

請同時參閱圖6A至圖6B，本實施例的第一平衡不平衡轉換器120c具有與圖1A所示的第一平衡不平衡轉換器120a相似的結構。第一導體層122c1及第二導體層122c2位於第一走線123c與第一輻射體112c1之間。

在此，差動天線110c更包括一第三天線埠114c3及一第四天線埠114c4。天線裝置100c更包括一第二平衡不平衡轉換器130c，第三天線埠114c3及第四天線埠114c4電性連接於第二平衡不平衡轉換器130c。

第三天線埠114c3及第四天線埠114c4連接於第一輻射體112c1的第一表面S1。如圖6B所示，第三天線埠114c3與第四天線埠114c4對第一輻射體112c1的正投影對稱於第一輻射體112c1的中點C1，更特定地，對稱於穿過中點C1的輔助線C2。在此，中點C1至第一天線埠114c1、第二天線埠114c2、第三天線埠114c3以及第四天線埠114c4的中心的距離相等，但不限於此。

第一平衡不平衡轉換器120c與第二平衡不平衡轉換器130c同位於第一輻射體112c1的第一表面S1的一側(意即，位於如圖6C所示的第二區220c)。如圖6A所示，第二平衡不平衡轉換器130c包括一第二埠131c、一第二走線133c、一第三耦合結構130c1及一第四耦合結構130c2。

第二走線133c連接第二埠131c，且沿第二方向A2延伸。第三耦合結構130c1電性連接於第三天線埠114c3。第四耦合結構 130c2電性連接於第四天線埠114c4。第三耦合結構130c1位於第四耦合結構130c2及第二埠131c之間。第三耦合結構130c1與第四耦合結構130c2均不直接接觸第二走線133c。第二走線133c位於第三導體層132c1與第一輻射體112c1之間，且位於第四導體層132c2與第一輻射體112c1之間。

由此可知，本實施例的第二平衡不平衡轉換器130c與圖4A所示的第一平衡不平衡轉換器120b具有相同的結構。換言之，本實施例的天線裝置100c的平衡不平衡轉換器為圖1A的第一平衡不平衡轉換器120a及圖4A的第一平衡不平衡轉換器120b的組合。

如圖6B所示，第二平衡不平衡轉換器130c於第一表面S1(圖6A)所在的第一平面200c的正投影重疊於第一表面S1。第三耦合結構130c1於第一平面200c的正投影與第四耦合結構130c2於第一平面200c的正投影均被第二走線133c於第一平面200c的正投影等分。

第一走線123c部分位於第三耦合結構130c1與第四耦合結構130c2之間，第一走線123c與第三耦合結構130c1之間的距離相同於第一走線123c與第四耦合結構130c2之間的距離。第二走線133c部分位於第一耦合結構120c1與第二耦合結構120c2之間，第二走線133c與第一耦合結構120c1之間的距離相同於第二走線133c與第二耦合結構120c2之間的距離。

由此可知，第三耦合結構130c1與第四耦合結構130c2 對稱設置於第一走線123c的兩側，第一耦合結構120c1與第二耦合結構120c2對稱設置於第二走線133c的兩側。

如圖6A及圖6C所示，第一走線123c與第二走線133c位於相異的平面上。第一走線123c位於第四接地層GL4的避讓孔GH4，第二走線133c位於第三接地層GL3的避讓孔GH3，以避免第一走線123c及第二走線133c的訊號彼此干擾。並且，第三耦合結構130c1包括第三接地埠G3，第四耦合結構130c2包括第四接地埠G4，第三接地埠G3及第四接地埠G4與第一接地層GL1電性連接。

以下藉由軟體模擬第一平衡不平衡轉換器120c以及第二平衡不平衡轉換器130c在不連接至差動天線110c的情況下的各項表現。

圖7A是圖6A的第一埠以及兩連接柱的頻率-S參數的關係圖。請參閱圖7A，線J1表示第一埠121c(圖6A)的回波損耗(S11參數)、線J2表示連接柱128c1(圖6B)的回波損耗(S11參數)、線J3表示連接柱128c2(圖6B)的回波損耗(S11參數)。線K1表示連接柱128c1以及連接柱128c2之間的隔離度(S21)，線K2表示第一埠121c以及連接柱128c1之間的隔離度，且線K3表示第一埠121c以及連接柱128c2之間的隔離度。

如圖7A所示，第一平衡不平衡轉換器120c在各項特性中皆有良好的表現。特別是在頻率為26.5GHz至29.5GHz的區間下，連接柱128c1及連接柱128c2的回波損耗(S11參數)較低，第 一埠121c與連接柱128c1以及第一埠121c與連接柱128c2之間的隔離度較高，而使第一平衡不平衡轉換器120c具有良好的效能。

圖7B是圖6A的第二埠以及兩連接板的頻率-S參數的關係圖。請參閱圖7B，線J4表示第二埠131c(圖6A)的回波損耗(S11參數)、線J5表示連接板139c1(圖6B)的回波損耗(S11參數)、線J6表示連接板139c2(圖6B)的回波損耗(S11參數)。線K4表示連接板139c1以及連接板139c2之間的隔離度，線K5表示第二埠131c以及連接板139c1之間的隔離度，且線K6表示第二埠131c以及連接板139c2之間的隔離度。

如圖7B所示，天線裝置100c在各項特性中皆有良好的表現。特別是在頻率為26.5GHz至29.5GHz的區間下，連接板139c1及連接板139c2的回波損耗(S11參數)較低，第二埠131c與連接板139c1以及第二埠131c與連接板139c2之間的隔離度較高，而使第二平衡不平衡轉換器130c具有良好的天線效能。

圖7C是圖6A的第一埠及第二埠的頻率-S21的關係圖。圖7C表示第一埠121c及第二埠131c(圖6A)之間的隔離度。請同時參閱圖6A及圖7C，第一埠121c以及第二埠131c之間的隔離度與頻率大致呈正相關。第一埠121c以及第二埠131c之間具有良好的隔離度，以避免第一埠121c以及第二埠131c的訊號彼此干擾。

圖7D是圖6A的兩連接柱以及兩連接板的頻率-相位差的關係圖。請參閱圖7D，實線表示第一平衡不平衡轉換器120c輸 出至連接柱128c1以及連接柱128c2(圖6B)的雙端訊號之間的相位差，其值介於168度至178度之間。虛線表示第二平衡不平衡轉換器130c輸出至連接板139c1以及連接板139c2(圖6B)的雙端訊號之間的相位差，其值介於171度至179度之間。

請先同時參考圖2A及圖7D，由於第一平衡不平衡轉換器120c及第二平衡不平衡轉換器130c(圖6A)之間會相互影響，而使圖7D的連接柱128c1以及連接柱128c2之間的相位差(實線)的範圍(165度至180度)與圖2A所示的相位差的範圍(-175度至-185度)稍有差異。

請再同時參考圖5及圖7D，圖7D的連接板139c1以及連接板139c2之間的相位差(虛線)的範圍(170度至180度)與圖5所示的相位差的範圍(-174度至-181度)稍有差異。

由此可知，在同時具備第一平衡不平衡轉換器120c及第二平衡不平衡轉換器130c的情況下，第一平衡不平衡轉換器120c及第二平衡不平衡轉換器130c各自的單端訊號及雙端訊號轉換功能仍有不錯的表現。

以下藉由軟體模擬第一平衡不平衡轉換器120c以及第二平衡不平衡轉換器130c在連接至差動天線110c的情況下的各項表現。於模擬中，整體電路所在的基板的介電系數為3.38，導體層之間的間距為5密爾(mil,0.001英寸)，所繪示之差動天線110c的邊長為2.3毫米(mm)，第一走線123c與第二走線133c的寬度均為0.127毫米，第一耦合結構120c1與第二耦合結構120c2的長 度(平行於第一走線123c的延伸方向)為1.2毫米，寬度(正交於第一走線123c的延伸方向)為0.9652毫米、第三耦合結構130c1與第四耦合結構130c2的長度(平行於第二走線133c的延伸方向)為1.2毫米，寬度(正交於第二走線133c的延伸方向)為0.9652毫米。

圖7E是圖6A的第一埠及第二埠的頻率-S參數的關係圖。請參閱圖7E，線F1表示第一埠121c(圖6A)的回波損耗(S11參數)，線F2表示第二埠131c(圖6A)的回波損耗(S11參數)，線F3表示第一埠121c及第二埠131c之間的隔離度。

在此，天線裝置100c的第一埠121c及第二埠131c分別具有低回波損耗(S11參數)，特別是在頻率為26.5GHz至29.5GHz時，回波損耗(S11參數)皆在-10dB以下，表示第一埠121c及第二埠131c的能量大致進入天線裝置100c中，而可節省能量。並且，第一埠121c及第二埠131c之間具有良好的隔離度，以避免彼此之間的訊號干擾。

圖7F是圖6A的天線裝置的頻率-增益的關係圖。請參閱圖7E，實線表示第一埠121c的頻率-增益的關係，虛線表示第二埠131c的頻率-增益的關係。由此可知，第一埠121c及第二埠131c的頻率-增益的關係有良好的表現，特別是在頻率為26.5GHz至29.5GHz時，增益值大於5dB。

圖8A至圖8C分別繪示圖6A的第一埠啟動時的天線裝置的角度-增益的關係圖。圖8A至圖8C分別表示圖6A的天線裝置100c在頻率為26.5GHz、27.5GHz以及29.5GHz時的角度-增 益的關係。此時天線裝置100c的第一埠121c啟動(意即，第一平衡不平衡轉換器120c啟動)，且第二埠131c未啟動(意即，第二平衡不平衡轉換器130c未啟動)。

請參閱圖8A至圖8C，實線表示圖6A的天線裝置100c沿第一方向A1及第三方向A3的平面上的角度-增益的關係。虛線表示天線裝置100c沿第二方向A2及第三方向A3的平面上的角度-增益的關係。如圖8A至圖8C所示，此時天線裝置100c的角度-增益的關係大致為對稱分布，由此可知天線裝置100c具有良好的效能。

圖9A至圖9C分別繪示圖6A的第二埠啟動時的天線裝置的角度-增益的關係圖。圖9A至圖9C分別表示圖6A的天線裝置100c在頻率為26.5GHz、27.5GHz以及29.5GHz時的角度-增益的關係。此時天線裝置100c的第二埠131c啟動(意即，第二平衡不平衡轉換器130c啟動)，且第一埠121c未啟動(意即，第一平衡不平衡轉換器120c未啟動)。

請參閱圖9A至圖9C，實線表示圖6A的天線裝置100c沿第一方向A1及第三方向A3的平面上的角度-增益的關係。虛線表示圖6A的天線裝置100c沿第二方向A2及第三方向A3的平面上的角度-增益的關係。如圖9A至圖9C所示，此時天線裝置100c的角度-增益的關係大致為對稱分布，由此可知天線裝置100c具有良好的效能。

簡言之，本實施例的第一平衡不平衡轉換器120c以及第 二平衡不平衡轉換器130c具有良好的單端訊號及雙端訊號轉換功能。天線裝置100c在具有多層結構設計的第一平衡不平衡轉換器120c以及多層結構設計的第二平衡不平衡轉換器130c的情況下仍可保有良好的增益，且天線裝置100c的角度-增益的關係圖具有良好的對稱性。

綜上所述，本新型創作的天線裝置的第一平衡不平衡轉換器的第一走線不直接接觸第一耦合結構及第二耦合結構，且第一耦合結構與第二耦合結構於第一平面的正投影均被第一走線於第一平面的正投影等分，由此可知第一平衡不平衡轉換器具備多層結構。第一走線穿設於第一耦合結構形成的第一U型槽及第二耦合結構形成的第二U型槽。使用者可通過調整第一U型槽及第二U型槽的開口寬度以調整第一平衡不平衡轉換器的耦合量。第一平衡不平衡轉換器具有多種實施樣態，例如，第一U型槽及第二U型槽的開口背向第一輻射體，或是第一U型槽及第二U型槽的開口朝向第一輻射體，以使第一走線設置於不同平面中。此外，透過軟體模擬可知，此具備多層結構的第一平衡不平衡轉換器具有良好的單端訊號及雙端訊號轉換功能。天線裝置包括差動天線以及具多層結構的第一平衡不平衡轉換器，天線裝置仍可保有良好的頻率-增益關係，天線裝置的角度-增益關係保持良好的對稱性。由此可知，天線裝置保有良好的場型對稱性以及天線效能。

使用者更可結合上述兩相異樣態的第一平衡不平衡轉換器，例如，在一實施例中，天線裝置具有第一平衡不平衡轉換器 以及第二平衡不平衡轉換器，第一平衡不平衡轉換器的第一U型槽及第二U型槽的開口背向第一輻射體，第二平衡不平衡轉換器的第一U型槽及第二U型槽的開口朝向第一輻射體。第一走線及第二走線位於不同平面而彼此避讓。透過軟體分析此天線裝置的各項性質，此時第一平衡不平衡轉換器及第二平衡不平衡轉換器分別保有良好的單端訊號及雙端訊號轉換功能，且天線裝置保持良好的頻率-增益關係，天線裝置的角度-增益關係保持良好的對稱性。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

A1:第一方向

A2:第二方向

A3:第三方向

S1:第一表面

S2:第二表面

100a:天線裝置

110a:差動天線

112a1:第一輻射體

112a2:第二輻射體

114a1:第一天線埠

114a2:第二天線埠

120a:第一平衡不平衡轉換器

120a1:第一耦合結構

120a2:第二耦合結構

121a:第一埠

122a1:第一導體層

122a2:第二導體層

123a:第一走線

124a1:第一側牆結構

124a2:第二側牆結構

200a:第一平面

210a:第一區

220a:第二區

Claims (17)

1. 一種天線裝置，包括： 一差動天線，包括： 一第一輻射體，包括一第一表面； 一第一天線埠，連接於該第一輻射體的該第一表面；以及 一第二天線埠，連接於該第一輻射體的該第一表面，其中該第一天線埠與該第二天線埠對該第一輻射體的正投影對稱於該第一輻射體的一中點；以及 一第一平衡不平衡轉換器(balance-to-unbalance converter, BALUN)，位於該第一輻射體的該第一表面的一側，該第一平衡不平衡轉換器於該第一表面所在的一第一平面的正投影重疊於該第一表面，該第一平衡不平衡轉換器包括： 一第一埠； 一第一走線，連接該第一埠，且沿一第一方向延伸； 一第一耦合結構，電性連接於該第一天線埠；以及 一第二耦合結構，電性連接於該第二天線埠； 其中該第一耦合結構與該第二耦合結構均不直接接觸該第一走線，該第一耦合結構於該第一平面的正投影與該第二耦合結構於該第一平面的正投影均被該第一走線於該第一平面的正投影等分。
2. 如請求項1所述的天線裝置，其中該第一耦合結構包括一第一導體層，該第二耦合結構包括一第二導體層，該第一導體層與該第二導體層位於該第一走線與該第一輻射體之間。
3. 如請求項1所述的天線裝置，其中該第一耦合結構包括一第一導體層，該第二耦合結構包括一第二導體層，該第一走線位於該第一導體層與該第一輻射體之間，且位於該第二導體層與該第一輻射體之間。
4. 如請求項1所述的天線裝置，其中該第一耦合結構包括一第一導體層及連接於該第一導體層的兩第一側牆結構，該第二耦合結構包括一第二導體層及連接於該第二導體層的兩第二側牆結構，該第一走線位於該兩第一側牆結構之間與該兩第二側牆結構之間。
5. 如請求項4所述的天線裝置，其中該第一耦合結構包括由該第一導體層與該兩第一側牆結構共同形成的一第一U型槽，該第二耦合結構包括由該第二導體層與該兩第二側牆結構共同形成的一第二U型槽，該第一U型槽的開口與該第二U型槽的開口背向該第一輻射體。
6. 如請求項4所述的天線裝置，其中該第一耦合結構包括由該第一導體層與該兩第一側牆結構共同形成的一第一U型槽，該第二耦合結構包括由該第二導體層與該兩第二側牆結構共同形成的一第二U型槽，該第一U型槽的開口與該第二U型槽的開口朝向該第一輻射體。
7. 如請求項1所述的天線裝置，其中該第一耦合結構包括一第一導體層及電性連接於該第一導體層的一第一接地埠，該第一導體層包括相對的一第一邊與一第二邊，該第一邊與該第二邊於該第一平面的正投影均與該第一走線於該第一平面的正投影交會，且該第一天線埠於該第一平面的正投影靠近該第一邊於該第一平面的正投影，該第一接地埠於該第一平面的正投影靠近該第二邊於該第一平面的正投影。
8. 如請求項7所述的天線裝置，其中該天線裝置適於操作於一輻射頻段，該第一天線埠於該第一平面的該正投影與該第一接地埠於該第一平面的該正投影之間的連線，在該第一方向上的長度分量，介於屬於該輻射頻段的一波長的0.2倍至0.3倍之間。
9. 如請求項1所述的天線裝置，其中該第二耦合結構包括一第二導體層及電性連接於該第二導體層的一第二接地埠，該第二導體層包括相對的一第三邊與一第四邊，該第三邊與該第四邊於該第一平面的正投影均與該第一走線於該第一平面的正投影交會，且該第二天線埠於該第一平面的正投影靠近該第三邊於該第一平面的正投影，該第二接地埠於該第一平面的正投影靠近該第四邊於該第一平面的正投影。
10. 如請求項9所述的天線裝置，其中該天線裝置適於操作於一輻射頻段，該第二天線埠於該第一平面的該正投影與該第二接地埠於該第一平面的該正投影之間的連線，在該第一方向上的長度分量，介於屬於該輻射頻段的一波長的0.2倍至0.3倍之間。
11. 如請求項1所述的天線裝置，更包括一第一接地層與位於該第一接地層上方的一第二接地層，該第一平衡不平衡轉換器位於該第一接地層與該第二接地層之間。
12. 如請求項1所述的天線裝置，其中該天線裝置適於操作於一輻射頻段，該第一輻射體包括接觸該第一天線埠的一第一連接部以及接觸該第二天線埠的一第二連接部，該第一輻射體在沿著該第一連接部與該第二連接部的連線方向上的長度介於屬於該輻射頻段的一波長的0.4倍至0.6倍之間。
13. 如請求項1所述的天線裝置，其中該差動天線更包括位於該第一輻射體的一第二表面的一側的一第二輻射體及連接於該第一輻射體與該第二輻射體的多個導通孔，該第二輻射體於該第一表面所在的該第一平面的正投影重疊於該第一表面。
14. 如請求項1所述的天線裝置，其中該差動天線更包括： 一第三天線埠，連接於該第一輻射體的該第一表面；以及 一第四天線埠，連接於該第一輻射體的該第一表面，其中該第三天線埠與該第四天線埠對該第一輻射體的正投影對稱於該第一輻射體的該中點； 該天線裝置更包括： 一第二平衡不平衡轉換器，位於該第一輻射體的該第一表面的該側，該第二平衡不平衡轉換器於該第一表面所在的該第一平面的正投影重疊於該第一表面，該第二平衡不平衡轉換器包括： 一第二埠； 一第二走線，連接該第二埠，且沿一第二方向延伸，其中該第二方向垂直於該第一方向，且該第一走線與該第二走線位於相異的平面上； 一第三耦合結構，電性連接於該第三天線埠；以及 一第四耦合結構，電性連接於該第四天線埠，其中該第三耦合結構與該第四耦合結構均不直接接觸該第二走線，該第三耦合結構於該第一平面的正投影與該第四耦合結構於該第一平面的正投影均被該第二走線於該第一平面的正投影等分。
15. 如請求項14所述的天線裝置，其中該第一耦合結構包括一第一導體層，該第二耦合結構包括一第二導體層，該第一導體層與該第二導體層位於該第一走線與該第一輻射體之間，該第三耦合結構包括一第三導體層，該第四耦合結構包括一第四導體層，該第二走線位於該第三導體層與該第一輻射體之間，且位於該第四導體層與該第一輻射體之間。
16. 如請求項14所述的天線裝置，其中該第一走線位於該第三耦合結構與該第四耦合結構之間，該第一走線與該第三耦合結構之間的距離相同於該第一走線與該第四耦合結構之間的距離。
17. 如請求項14所述的天線裝置，其中該第二走線位於該第一耦合結構與該第二耦合結構之間，該第二走線與該第一耦合結構之間的距離相同於該第二走線與該第二耦合結構之間的距離。

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