TWM625809U - 微波抑制結構 - Google Patents
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Abstract
本創作揭示一種微波抑制結構,包括:一微波抑制腔體,連接於一加熱腔體,該加熱腔體內具有微波功率源;以及至少一組週期性抑制結構,該些組週期性抑制結構各自包含複數個抑制片,在每一組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距為定值,且距離該加熱腔體越遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距越大。本創作之微波抑制結構具有容易加工製造、降低製造成本,且容易調整微波抑制結構的抑制能力。
Description
本創作係有一種微波抑制結構,更特別是有關於一種用於連續式微波加熱系統的微波抑制結構。
傳統加熱方式,例如火焰、熱風、電熱、蒸汽等,都是利用熱傳導的原理將熱量從被加熱物外部傳入內部,逐步使物體中心溫度升高。要使物質中心部位達到所需的溫度,需要一定的時間,導熱性較差的物體所需的時間就更長。
微波是頻率在300MHz到300GHz的電磁波,通常是作為資訊傳遞而用於雷達、通訊技術中。近年來也應用在各種工農業上,用於加熱、乾燥或裂解物質。常用的微波功率頻率是915MHz和2450MHz,可以使極性物質分子之間互相摩擦產生熱量及發熱。使用中,可根據加熱材料的形狀、大小、含水量來選擇。微波加熱是使被加熱物本身成為發熱體,不需要熱傳導的過程,內外同時加熱,因此能在短時間內達到加熱效果。且微波加熱時,物體各部位通常都能均勻滲透電磁波,產生熱量,因此均勻性大大改善。在微波加熱中,微波能只能被加熱物體吸收而生熱,加熱室內的空氣與相應的容器都不會發熱,所以熱效率極高,生產環境也明顯改善。
過去的微波加熱設備的設計多是單一批次式腔體。若要連續入料,則需要使用具有開口的微波加熱系統。然而,在輸入輸出的開口端,若沒有做好抑制結構,通常會造成微波微波能量在入出口的洩漏。
有鑑於上述問題,有必要提出一種用於連續式微波加熱系統的
微波抑制結構,以解決上述問題。
本創作之主要目的係在於提出一種微波抑制結構,能有效地抑制微波在輸入輸出的開口端的強度。
為實現上述主要目的,本創作提出一種微波抑制結構,包括:一微波抑制腔體,連接於一加熱腔體,該加熱腔體內具有微波功率源;以及至少一組週期性抑制結構,該些組週期性抑制結構各自包含複數個抑制片,在每一組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距為定值,且距離該加熱腔體越遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距越大。
根據本創作之一特徵,該些組週期性抑制結構係兩組週期性抑制結構。
根據本創作之一特徵,該些組週期性抑制結構係三組週期性抑制結構。
根據本創作之一特徵,該些組週期性抑制結構中的該些抑制片數目係至少3片以上。
根據本創作之一特徵,該些抑制片的長度是該微波功率源的微波波長的四分之一。
根據本創作之一特徵,該些抑制片的寬度係介於1公厘至4公厘之間。
根據本創作之一特徵,距離該加熱腔體越遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的數目越少。
根據本創作之一特徵,距離該加熱腔體最近的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距係介於1公厘至12公厘之間。
根據本創作之一特徵,距離該加熱腔體最遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距係介於12公厘至60公厘之間。
根據本創作之一特徵,該微波抑制結構更包含一吸波裝置。
綜上所述,本創作之微波抑制結構,具有以下功效:
1.微波抑制結構容易加工製造。
2.微波抑制結構製造成本降低。
3.整體微波抑制結構長度減少。
4.容易調整微波抑制結構的抑制能力。
100:連續式微波加熱系統
110:加熱腔體
120:微波功率源
122:微波能量
130:微波抑制結構
131:微波抑制腔體
132、132a、132b、132c:週期性抑制結構
135:吸波裝置
140:排氣模組
150:輸送帶
155:滾輪
180:物料
d1、d2、d3:間距
L:抑制片的長度
W:抑制片的寬度
為讓本創作之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂,下文特舉數個較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
第1圖為連續式微波加熱系統之實施例的結構側面示意圖。
第2圖為本創作之微波抑制結構之實施例的結構側面示意圖。
雖然本創作可表現為不同形式之實施例,但附圖所示者及於本文中說明者係為本創作可之較佳實施例。熟習此項技術者將瞭解,本文所特定描述且在附圖中繪示之裝置及方法係考量為本創作之一範例,非限制性例示性實施例,且本創作之範疇僅由申請專利範圍加以界定。結合一例示性實施例繪示或描述之特徵可與其他實施例之諸特徵進行結合。此等修
飾及變動將包括於本創作之範疇內。
現請參考第1圖,其為連續式微波加熱系統100之實施例的結構側面示意圖。該連續式微波加熱系統100,包括:一加熱腔體110、複數個微波功率源120、一微波抑制結構130,一排氣模組140、一輸送帶150。該加熱腔體110具有兩個開口,以讓該輸送帶150穿過該加熱腔體110,該輸送帶150下方設有滾輪155以支撐該輸送帶150,該輸送帶150上承載有受加熱的物料180。該輸送帶150可以是連續輸送,或是步進式輸送。連續輸送是指,固定傳送速度往前傳送;步進式輸送是指,每次傳送會前進一段距離,停留一段時間。圖中黑色箭頭即為物料行進方向。
該些微波功率源120提供微波能量122到該加熱腔體110內,該微波功率源120的微波頻率係選自950MHz、2450MHz或5800MHz之一。由於該加熱腔體110具有兩個開口,所以微波能量會由該加熱腔體110的兩個開口洩漏出去。該微波抑制結構130連接在該加熱腔體110的兩個開口,用以抑制由該加熱腔體110的兩個開口所洩漏出來的微波能量122。該微波抑制結構130包含有至少一週期性抑制結構132,且更包含有一吸波裝置135。受加熱的物料180在該加熱腔體110內加熱時候會產生氣體,該排氣模組140用於將受加熱的物料180所產生的氣體排出該加熱腔體110。
微波對不同性質的物料有不同的作用,對乾燥作業有利。因為水分子對微波的吸收最好,所以含水量高的部位,吸收微波功率多於含水量較低的部位這就是選擇加熱的特點。烘乾木材、紙張等產品時,利用這一特點可以做到均勻加熱和均勻乾燥。值得注意的是有些物質當溫度愈高、吸收性愈好,造成惡性循環,出現局部溫度急劇上升造成過乾,甚至炭化,對這類物質進行微波加熱時,要注意制定合理的加熱製程。
現請參考第2圖,其為本創作之微波抑制結構之實施例的結構
側面示意圖。圖中黑色箭頭即為物料行進方向。該微波抑制結構130,能有效地抑制微波能量在輸入輸出的開口端的強度。該微波抑制結構130,包括:一微波抑制腔體131,連接於一加熱腔體110;以及至少一組週期性抑制結構132a、132b、132c等,該些組週期性抑制結構132(132a、132b、132c)各自包含複數個抑制片,在每一組週期性抑制結構132a、132b、132c中的該些抑制片的間距d1、d2、d3為定值,且距離該加熱腔體越遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距越大。例如在第2圖中,d1小於d2,且d2小於d3。
在一實施例中,該些組週期性抑制結構係兩組週期性抑制結構132a與132b。在一實施例中,該些組週期性抑制結構係三組週期性抑制結構132a、132b、132c。在一實施例中,該些組週期性抑制結構係具有超過三組週期性抑制結構。需注意,在圖中雖然只有三組週期性抑制結構132a、132b、132c,但事實上不限於一組以上的數目。該些組週期性抑制結構132a、132b、132c中的該些抑制片數目係至少3片以上。
該些抑制片的長度L是該微波功率源120的微波波長的四分之一。在一實施例中,該微波功率源120的微波頻率係選自2450MHz,因此可得知該微波功率源120的微波波長。該些抑制片的寬度W係介於1公厘至4公厘之間。
在一實施例中,距離該加熱腔體越遠的該組週期性抑制結構132c中的該些抑制片的數目越少。亦即,該週期性抑制結構132b的該些抑制片數目少於該週期性抑制結構132a的該些抑制片數目。該週期性抑制結構132c的該些抑制片數目少於該週期性抑制結構132b的該些抑制片數目。
在一實施例中,距離該加熱腔體最近的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距係介於1公厘至12公厘之間。距離該加熱腔體最遠的
該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距係介於12公厘至60公厘之間。以第2圖說明,d1係介於1公厘至12公厘之間,d3係介於12公厘至60公厘之間。
綜上所述,本創作之微波抑制結構,具有以下功效:
1.微波抑制結構容易加工製造。
2.微波抑制結構製造成本降低。
3.整體微波抑制結構長度減少。
4.容易調整微波抑制結構的抑制能力。
雖然本創作已以前述較佳實施例揭示,然其並非用以限定本創作,任何熟習此技藝者,在不脫離本創作之精神和範圍內,當可作各種之更動與修改。如上述的解釋,都可以作各型式的修正與變化,而不會破壞此發明的精神。因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
130:微波抑制結構
131:微波抑制腔體
132、132a、132b、132c:週期性抑制結構
d1、d2、d3:間距
L:抑制片的長度
W:抑制片的寬度
Claims (10)
- 一種微波抑制結構,包括:一微波抑制腔體,連接於一加熱腔體,該加熱腔體內具有微波功率源;以及至少一組週期性抑制結構,該些組週期性抑制結構各自包含複數個抑制片,在每一組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距為定值,且距離該加熱腔體越遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距越大。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,該些組週期性抑制結構係兩組週期性抑制結構。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,該些組週期性抑制結構係三組週期性抑制結構。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,該些組週期性抑制結構中的該些抑制片數目係至少3片以上。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,該些抑制片的長度是該微波功率源的微波波長的四分之一。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,該些抑制片的寬度係介於1公厘至4公厘之間。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,距離該加熱腔體越遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的數目越少。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,距離該加熱腔體最近的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距係介於1公厘至12公厘之間。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,距離該加熱腔體最遠的該組週期性抑制結構中的該些抑制片的間距係介於12公厘至60公厘之間。
- 如請求項1所述之微波抑制結構,其中,該微波抑制結構更包含一吸波裝置。
Priority Applications (1)
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TW110211725U TWM625809U (zh) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | 微波抑制結構 |
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TW110211725U TWM625809U (zh) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | 微波抑制結構 |
Publications (1)
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TWM625809U true TWM625809U (zh) | 2022-04-21 |
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ID=82198272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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TW110211725U TWM625809U (zh) | 2021-10-05 | 2021-10-05 | 微波抑制結構 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM625809U (zh) |
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2021
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