TWM590098U - 具抗刮疏水層結構的金屬用具 - Google Patents

Abstract

一種具抗刮疏水層結構的金屬用具，其包含層疊之：一金屬層；一第一抗刮疏水層以及一第二抗刮疏水層，該第一與第二抗刮疏水層層疊於該金屬層至少局部表面；其中：該第一與第二抗刮疏水層係利用常壓低溫電漿沈積於該金屬層表面；本新型利用常壓低溫電漿進行製備，使得沈積之抗刮疏水層得以牢固地附著於物體表面，不易被刮除或損壞，且運用常壓低溫電漿之鍍層技術，可大幅降低製造成本，再透過控制抗刮疏水層之化學鍵結成分，使其產生具有緊密的有機化學鍵結，使得其具有可撓曲特性，不易因為彎曲或彎折而產生龜裂或裂痕，係一新穎且實用之創作。

Description

具抗刮疏水層結構的金屬用具

一種鋁製用具，特別是一種具抗刮疏水層結構的金屬用具。

為了使產品更為耐用與延長使用壽命，業者會在產品表面鍍製能抗刮耐磨的鍍層，例如廚房用具為了達到不沾、避免金屬生鏽或是在反覆使用的過程中造成物體表面刮損等目的，通常會在物體表面塗製不沾、防鏽或防刮塗層，此類塗層多數含有氟烷化合物。

目前已發展出利用電漿產生鍍層的技術，多數採用低氣壓真空鍍膜製程，但所製得鍍膜之抗刮疏水性普遍不佳，且低氣壓電漿製造成本較高，而抽真空產生低氣壓狀態則極為費時。前述低氣壓真空鍍膜製程之鍍膜不僅抗刮疏水性不佳外，並較不具備可撓曲特性，彎折後容易出現龜裂或裂痕，多數僅能使用於玻璃或金屬等不具備撓曲性之硬質基板，應用性相對不足。

再者，塗層中所含的氟烷化合物成分進入人體或是環境中，可能干擾人體或生物內分泌系統，甚至影響胎兒及孩童的智能體格的發育。國際癌症研究署也將此種氟烷化合物歸為可能對人類有致癌性的第2B級致癌物。

因此有必要發展出另一種抗刮疏水層結構來改善前揭既有技術之缺陷。

為了解決目前低氣壓真空鍍膜製程與鍍製層抗刮疏水性不佳與不具備可撓曲特性，以及塗層中含氟化合物可能對人體或環境造成危害的缺點，本新型提供一種具抗刮疏水層結構的金屬用具，其包含層疊之：一金屬層；一第一抗刮疏水層以及一第二抗刮疏水層，該第一與第二抗刮疏水層層疊於該金屬層至少局部表面；其中：該第一與第二抗刮疏水層係利用常壓低溫電漿沈積於該金屬層表面。

其中，該金屬層係鋁製之金屬廚房用具或用於食物夾取盛裝之金屬器具。

其中，該第一與第二抗刮疏水層包含一有機含碳矽烷之氣體、液體或溶液態單體。

其中，該有機含碳矽烷之氣體、液體或溶液態單體進一步包含氧為有機含碳矽氧烷之氣體、液體或溶液態單體。

其中，該有機含碳矽烷之氣體、液體或溶液態單體包含四甲基二矽氧烷氣體、六甲基二矽氧烷或正己烷。

藉由上述說明可知，本新型具備以下優點：

1. 本新型利用常壓低溫電漿進行表面處理與鍍製，使得沈積之抗刮疏水層得以牢固地附著於物體表面，不易被刮除或損壞，且本新型運用常壓低溫電漿之鍍層技術，可大幅降低製造成本，因此克服習知技術之缺失。

2. 本新型透過控制抗刮疏水層之化學成分，使其沈積時可產生緊密的有機化學鍵結，使得該抗刮疏水層具有可撓曲特性，不易因為彎折或彎曲產生龜裂或裂痕，增加本新型的應用範疇。

請參考圖1，本新型提供一種具抗刮疏水層結構的金屬用具，其包含一金屬層M；以及層疊於該金屬M表面之一第一抗刮疏水層L1與一第二抗刮疏水層L2，該第一與第二抗刮疏水層L1、L2層疊於該金屬層M至少局部表面。該金屬層M較佳是與該金屬製用具與食材接觸面，例如圖2a、2b所示之鍋具內表面上層疊之該第一與第二抗刮疏水層L1、L2，該金屬層M較佳為鋁製之金屬用具，例如廚具(如圖2a所示之煮鍋或圖2b所示之平底鍋)等用於烘、烤、炒、炸、煮使用之廚房金屬用具，以及用於食物夾取或盛載的金屬器具。

而本新型該第一與第二抗刮疏水層L1、L2鍍製於該金屬層M表面的方法，較佳是利用常壓電漿鍍製方法，其步驟包含：

清潔待處理之該金屬M表面；此清潔步驟為非必要之步驟，可實施或可不實施，視該金屬M表面之狀態而定。

抗刮疏水層第一階段沈積：將該金屬M以常壓低溫電漿形式將第該抗刮疏水層L1沈積於該金屬M表面。本新型所提供之沈積方法較佳係首先通入一壓縮(高壓)空氣於一電漿頭中，透過該電漿頭之該壓縮空氣經常壓電漿源產生電漿噴流(plasma jet)，並同時通入第一有機含碳矽烷之氣體或液體，使該第一抗刮疏水層L1形成於該金屬M。該壓縮空氣較佳去除其空氣中所含濕度後再通入該電漿頭中能避免濕度水氣與後續沈積之單體或氣體產生反應而影響沈積效果。

抗刮疏水層第二階段沈積：前述第一階段處理後之該金屬M同樣利用常壓低溫電漿將第二有機含碳矽烷之氣體或液體沉積於該第一抗刮疏水層L1表面形成一第二抗刮疏水層L2。該抗刮疏水層第二階段沈積包含通入0.11-10 MPa之一壓縮氬氣、電漿頭至該物體表面距離為0.1-10 cm、該物體表面相對於該電漿頭之移動速度為≧0.01 cm/s、工作時間為≧ 1 s、功率為5-5000 watts、頻率為5-5000  kHz。

本新型該抗刮疏水層L1、L2的材質除了前述的有機含碳矽烷之氣體、液體或溶液態單體外，亦可進一步包含氧成為有機含碳矽氧烷之氣體、液體或溶液態單體，一較佳實施例可例如四甲基二矽氧烷(tetramethyldisiloxane, TMDSO)、六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane, HMDSO)以及正己烷 (hexane)。而該四甲基二矽氧烷較佳係於抗刮疏水層第一階段沈積時使用，而六甲基二矽氧烷 (HMDSO)、正己烷 (hexane)則較佳係抗刮疏水層第二階段沈積時使用。

本新型於常壓低溫電漿沉積抗刮疏水層係以常壓低溫製程，在維持沉積抗刮疏水層高附著度，不易脫落或刮除的功效外，亦相對節省能源。另外，本新型所形成之該第一與第二抗刮疏水層L1、L2因產生化學鍵結成分，具有可撓曲的特性，能隨著該金屬層M的彎曲或撓折不產生龜裂或裂痕，適用廚房用具，例如鋁製之金屬廚房用具或用於食物夾取盛裝之金屬器具。

請參考表1，其為本新型就該第一與第二抗刮疏水層L1、L2之較佳實施例，此些實施例僅為本新型較佳數據之呈現，並非用以限定本新型僅包含該些實施例，上述所指之數據範圍皆已經實驗證明其確效性。

表1。

實施例	項目	數值
1	沈 積 抗 刮 疏 水 層 階段 一	壓縮空氣 (Compressed air gases for creating plasma jet)	0.11-10 MPa
四甲基二矽氧烷 (TMDSO)	10-400 sccm
工作距離 (Substrate distance from the nozzle of the plasma jet)	0.1-10 cm
物體相對於電漿頭之移動速度 (Substrate speed)	≧0.01cm/s
物體曝露電漿噴流下之時間 (Exposed duration in the plasma jet)	≧1 s
功率 (Power)	5-5000 watts
頻率 (Frequency)	5-5000 kHz
沈 積 抗 刮 疏 水 層 階段 二	壓縮氬氣 (Argon gases for creating plasma jet)	0.11-10 MPa
六甲基二矽氧烷 (HMDSO)	10-400 sccm
正己烷 (hexane)	0.5-400 sccm
工作距離 (Substrate distance from the nozzle of the plasma jet)	0.1-10 cm
物體表面速度 (Substrate speed)	≧0.01 cm/s
物體曝露電漿噴流下之時間 (Exposed duration in the plasma jet)	≧ 1 s
功率 (Power)	5-5000 watts
頻率 (Frequency)	5-5000  kHz

取本新型沈積該第一與第二抗刮疏水層L1、L2之實施例，並對應測試其表面硬度(Surface hardness)、抗刮強度(Scratch resistance)以及疏水性(Hydrophobic surface)，如以下表2。自表2測試結果可知，本新型的該第一與第二抗刮疏水層L1、L2具有優異的表面硬度與抗刮強度，表面硬度達到4H以上的優異表現，且表面能測試數據證實本新型具有疏水特性。

表2。

測試項目	數值
表面硬度 (Surface hardness)/ 鉛筆測試 (Pencil test)	≧4H
抗刮強度 (Scratch resistance) / 可耐100g荷重下100次循環之#0000鋼絲絨抗刮測試	≧60 cycles
疏水性 (Hydrophobic surface) / 去離子水接觸角 (Deionized-water contact angle)	≧ 90 o

上述僅為本新型的較佳實施例而已，並非用以限定本新型主張的權利範圍，凡其它未脫離本新型所揭示的精神所完成的等效改變或修飾，均應包括在本新型的主張範圍內。

M‧‧‧金屬層 L1‧‧‧第一抗刮疏水層 L2‧‧‧第二抗刮疏水層

圖1為本新型抗刮疏水層鍍製於金屬層表面示意圖。 圖2a與圖2b為本新型之金屬用具較佳實施例示意圖。

M‧‧‧金屬層

L1‧‧‧第一抗刮疏水層

L2‧‧‧第二抗刮疏水層

Claims (5)

1. 一種具抗刮疏水層結構的金屬用具，其包含層疊之： 一金屬層； 一第一抗刮疏水層以及一第二抗刮疏水層，該第一與第二抗刮疏水層層疊於該金屬層至少局部表面；其中： 該抗刮疏水層係利用常壓低溫電漿沈積於該金屬層表面。
2. 如申請專利範圍第1項之具抗刮疏水層結構的金屬用具，該金屬層係鋁製之金屬廚房用具或用於食物夾取盛裝之金屬器具。
3. 如申請專利範圍第1或2項之具抗刮疏水層結構的金屬用具，該第一與第二抗刮疏水層包含一有機含碳矽烷之氣體、液體或溶液態單體。
4. 如申請專利範圍第3項之具抗刮疏水層結構的金屬用具，該有機含碳矽烷之氣體、液體或溶液態單體進一步包含氧為有機含碳矽氧烷之氣體、液體或溶液態單體。
5. 如申請專利範圍第3項之具抗刮疏水層結構的金屬用具，該有機含碳矽烷之氣體、液體或溶液態單體包含四甲基二矽氧烷、六甲基二矽氧烷或正己烷。

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