TWM587823U - 複合光伏結構 - Google Patents

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Abstract

本新型係於一透明基板上設有一第一光伏單元，於第一光伏單元上方疊置有一與第一光伏單元並聯的第二光伏單元；其第一光伏單元係設於一第二透明電極層上，其第一光伏單元上方覆設有一與一第一透明電極層電氣連接的第一透明導電層，其第二光伏單元係設於第一透明導電層上，且於第二光伏單元上方覆設有一與第二透明電極層電氣連接的第二透明導電層；俾，獲致一種可以大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，並有效增加電流量，不影響整體結構厚度，且製程成本低的複合光伏結構。

Description

複合光伏結構
本新型係於太陽能光電技術有關，旨在提供一種可以大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，有效增加電流量，不影響整體結構厚度，且製程成本低的複合光伏結構。
薄膜型電池的研究是再生能源中受眾人期待的一個方向。雖然現今已商業化的多數太陽能電池是以矽為其主要材料，不過薄膜型電池因其製程簡單、材質輕盈、可撓曲等特性而受到業界與學術界的矚目。
目前在製備薄膜型電池時，可以透過塗佈(Coating)為製備太陽能電池薄膜之技術手段，其優點在於能夠使得該薄膜具有較佳之平整性與均勻性。而進一步可以R2R製程即是一種具有潛力用以大面積製備太陽能電池的技術，其在產業界已有配合，例如，一種可撓性顯示器(flexible display)的製備，基於可撓性顯示器「軟」之特性，R2R製程即可良好地配合其運作，得以在較低成本之下生產這些具有可塑性、重量輕、耐衝擊等優點。
薄膜型電池之光電轉換裝置在結構上有很多種，其中一種稱為有機高分子光伏結構，或是鈣鈦礦光伏結構，其相關結構如第1圖所示，主要係於一透明基板(11)上設有一光伏單元(12)，該光伏單元(12)之一上表層(123)及一下表層(121)係分別為一透明電子傳遞層及一透明電洞傳遞層，且於該上表層(123)及該下表層(121)之間設有一透明主動層(122)。
其中，該透明基板(11)之板面上設有形成絕緣的一第一透明電極層(131)及一第二透明電極層(132)，該光伏單元(12)係設於該第二透明電極層(132)上，於該光伏單元(12)之該上表層(123)處覆設一與該第一透明電極層(131)電氣連接的一透明導電層(141)，於該光伏單元(12)側面與該透明導電層(141)之間設有一絕緣層(142)。
類似第1圖所示之習用光伏結構，雖然具有光電轉換適應光頻譜廣，結構薄、可以在僅需要180℃以下的製程條件作業及前述的低照度光電轉換等多項優點；惟，在低照度環境下受限於入射光源照度低，即便在有效高光電轉換效率下轉換之電流產出亦低。
有鑑於此，本新型即在提供一種可以大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，有效增加電流量，不影響整體結構厚度，且製程成本低的複合光伏結構。
本新型之複合光伏結構，係於一透明基板上設有一第一光伏單元，於該第一光伏單元上方疊置一與該第一光伏單元並聯的第二光伏單元；該第一光伏單元及該第二光伏單元之上表層及下表層係分別為一透明電子傳遞層及一透明電洞傳遞層，該第一光伏單元及該第二光伏單元且各自在其所屬之上表層及下表層之間設有一透明主動層；其中：該透明基板之板面上設有形成絕緣的一第一透明電極層及一第二透明電極層，該第一光伏單元係以其下表層與該第二透明電極層接觸的型態設於該第二透明電極層上；該第一光伏單元之上表層處覆設有一與該第一透明電極層電氣連接的第一透明導電層；該第二光伏單元係以其下表層與該第一透明導電層接觸的型態設於該第一透明導電層上；該第二光伏單元之上表層處覆設有一與該第二透明電極層電氣連接的第二透明導電層；該第一透明導電層係沿著該第一光伏單元側面延伸至該第一透明電極層，該第一光伏單元側面與該第一透明導電層之間設有一第一絕緣材料；該第二透明導電層係沿著該第二光伏單元側面、該第一透明導電層側面及該第一光伏單元側面延伸至該第二透明電極層，該第二光伏單元側面、該第一透明導電層側面及該第一光伏單元側面與該第二透明導電層之間設有一第二絕緣材料。
利用上述技術特徵，可獲致一種可以大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，並有效增加電流量，不影響整體結構厚度，且製程成本低的複合光伏結構。
依據上述技術特徵，該複合光伏結構係於該透明基板之板面與該第一透明電極層及該第二透明電極層之間設有一光學硬化層。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元及該第二光伏單元係為有機光伏單元。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元及該第二光伏單元係為鈣鈦礦光伏單元。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元係為有機光伏單元，該第二光伏單元係為鈣鈦礦光伏單元。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元係為有機光伏單元。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元及該第二光伏單元係為有機光伏單元；該第一光伏單元及該第二光伏單元之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元及該第二光伏單元之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元及該第二光伏單元之透明主動層係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元及該第二光伏單元係為鈣鈦礦光伏單元；該第一光伏單元及該第二光伏單元之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元及該第二光伏單元之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元及該第二光伏單元之透明主動層可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元係為有機光伏單元，該第二光伏單元係為鈣鈦礦光伏單元；該第一光伏單元之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元之透明主動層係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第二光伏單元之透明主動層可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
依據上述技術特徵，該第一光伏單元係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元係為有機光伏單元；該第一光伏單元之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元之透明主動層可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳；該第二光伏單元之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第二光伏單元之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元之透明主動層係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
依據上述技術特徵，該第一透明電極層及該第二透明電極層係可由ITO、IZO或AZO經蒸鍍或濺鍍於該透明基板，厚度以50~200nm為佳。
依據上述技術特徵，該第一透明導電層係以溶劑調製之奈米銀、PEDOT、CNT其中之一或其組合經塗佈乾燥而成，厚度以200nm~5um為佳。
依據上述技術特徵，該第二透明導電層係以Ag、Au、Pt或Pd經蒸鍍構成，厚度以50~200nm為佳。
依據上述技術特徵，該光學硬化層係可以為壓克力、環氧樹脂、二氧化矽其中之一或其組合，厚度以1um~5um為佳。
依據上述技術特徵，該第一絕緣層及該第二絕緣層係可以由聚酯高分子聚合物(Polyesters polymer)，以印刷塗佈經90~140℃熱風下烘乾10分鐘烘乾後而成。
本新型所揭露的複合光伏結構，主要利用於透明基板上設置相互疊置並聯的第一、第二光伏單元之技術特徵，可在不影響整體結構厚度之條件下，大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，有效增加電流量，不但製程成本低，且相對符合小體積產品之應用需求。
本新型主要提供一種可以大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，有效增加電流量，不影響整體結構厚度，且製程成本低的複合光伏結構，如第2圖所示，本新型之複合光伏結構，係於一透明基板(20)上設有一第一光伏單元(30)，於該第一光伏單元(30)上方疊置一與該第一光伏單元(30)並聯的第二光伏單元(40)；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之上表層(33)、(43)及下表層(31)、(41)係分別為一透明電子傳遞層及一透明電洞傳遞層，該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)且各自在其所屬之上表層(33)、(43)及下表層(31)、(41)之間設有一透明主動層(32)、(42)；其中：
該透明基板(20)之板面上設有形成絕緣的一第一透明電極層(51)及一第二透明電極層(52)，該第一光伏單元(30)係以其下表層(31)與該第二透明電極層(52)接觸的型態設於該第二透明電極層上(52)；該第一光伏單元(30)之上表層(33)處覆設有一與該第一透明電極層(51)電氣連接的第一透明導電層(61)。
該第二光伏單元(40)係以其下表層(41)與該第一透明導電層(61)接觸的型態設於該第一透明導電層(61)上；該第二光伏單元(40)之上表層(43)處覆設有一與該第二透明電極層(52)電氣連接的第二透明導電層(62)。
以及，該第一透明導電層(61)係沿著該第一光伏單元(30)側面延伸至該第一透明電極層(51)，該第一光伏單元(30)側面與該第一透明導電層(61)之間設有一第一絕緣材料(71)；該第二透明導電層(62)係沿著該第二光伏單元(40)側面、該第一透明導電層(61)側面及該第一光伏單元(30)側面延伸至該第二透明電極層(52)，該第二光伏單元(40)側面、該第一透明導電層(61)側面及該第一光伏單元(30)側面與該第二透明導電層(62)之間設有一第二絕緣材料(72)。
原則上，本新型之複合光伏結構，於實際應用時，係可將數量不等的複合光伏結構串聯為光伏電池組體，並且以ALD噴塗構成三氧化二鋁或二氧化矽進行沉積阻隔達成氣阻封裝，或是利用玻璃基板或透明塑料板等透明封裝材料完成氣阻封裝，即可利用於透明基板(20)上設置相互疊置並聯的第一、第二光伏單元(30)、(40)之設計，在不影響整體結構厚度之條件下，大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，有效增加電流量，不但製程成本低，且相對符合小體積產品之應用需求。
再者，本新型之複合光伏結構，係可如第3圖所示，進一步於該透明基板(20)之板面與該第一透明電極層(51)及該第二透明電極層(52)之間設有一光學硬化層(80)；於實施時，該光學硬化層(80)係可以為壓克力、環氧樹脂、二氧化矽其中之一或其組合，厚度以1um~5um為佳，可利用光學硬化層(80)之設置，增加整體複合光伏結構之機械結構強度。
本新型之複合光伏結構，於實施時，係能夠以該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元的實施樣態呈現；或者以該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元的實施樣態呈現；或者以該第一光伏單元(30)係為有機光伏單元，該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元的實施樣態呈現；或者以該第一光伏單元(30)係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元的實施樣態呈現。
至於，該該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之上表層(31)、(41)係個別為透明電子傳遞層或是透明電洞傳遞層，則可視實際之電極配置而做相對應之調整。
本新型之複合光伏結構，於該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元之實施樣態下；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明主動層(32)、(42)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
本新型之複合光伏結構，於該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元之實施樣態下；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明主動層(32)、(42)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
本新型之複合光伏結構，於該第一光伏單元(30)係為有機光伏單元，該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元之實施樣態下；該第一光伏單元(30)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明主動層(32)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明主動層(42)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
本新型之複合光伏結構，於該第一光伏單元(30)係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元之實施要態下；該第一光伏單元(30)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明主動層(32)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明主動層(42)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
本新型之複合光伏結構，於實施時，該第一透明電極層(51)及該第二透明電極層(52)係可由ITO、IZO或AZO經蒸鍍或濺鍍於該透明基板(20)，厚度以50~200nm為佳。
本新型之複合光伏結構，於實施時，該第一透明導電層(61)係以溶劑調製之奈米銀、PEDOT、CNT其中之一或其組合經塗佈乾燥而成，厚度以200nm~5um為佳。
本新型之複合光伏結構，於實施時，該第二透明導電層(62)係以Ag、Au、Pt或Pd經蒸鍍構成，厚度以50~200nm為佳。
本新型之複合光伏結構，於實施時，該第一絕緣層(71)及該第二絕緣層(72)係可以由聚酯高分子聚合物(Polyesters polymer)，以印刷塗佈經90~140℃熱風下烘乾10分鐘烘乾後而成。
本新型進一步揭露一複合光伏結構製造方法，如第4圖至第12圖所示，本新型之複合光伏結構製造方法，係包括下列步驟：
a.建置透明電極層材料(50)，提供一透明基板(20)，於該透明基板(20)之板面設置一預先設定厚度的透明電極層材料(50)。
b.建置第一光伏單元(30)，於該透明電極層材料(50)上依序建置第一光伏單元(30)之各層材料，該第一光伏單元(30)之上表層(33)及下表層(31)係分別為一透明電子傳遞層及一透明電洞傳遞層，且於該第一光伏單元(30)之上表層(33)及下表層(31)之間設有一透明主動層(32)。
c.建置第一絕緣層(71)，於該第一光伏單元(30)之上表層刻劃出至少一道貫穿該透明電極層材料(50)的第一絕緣材料通道(21)，且於各該第一絕緣材料通道(21)中填覆絕緣材料，使於各該第一絕緣材料通道(21)中形成一第一絕緣層(71)，且由各該第一絕緣層(71)將該透明電極層材料(50)區隔出相對位於該第一光伏單元(30)下方的第一透明電極層(51)及相對位於該第一光伏單元(30)外部的第二透明電極層(52)。
d.建置第一透明導電層(61)，於各該第一絕緣層(71)之側面位置處刻劃出自該第一光伏單元(30)之上表層(33)貫通至該透明電極層材料(50)的第一透明導電材料通道(22)，且於該第一光伏單元(30)之上表層(33)表面及各該第一透明導電材料通道(22)中覆設透明導電材料，使形成一覆設於該第一光伏單元(30)之上表層且沿著各該第一絕緣層(71)之側面與該第一透明電極層(51)電氣連接的第一透明導電層(61)。
e.建置第二光伏單元(40)，於該第一光伏單元(30)頂面之第一透明導電層(61)上依序建置第二光伏單元(40)之各層材料，該第二光伏單元(40)之上表層(43)及下表層(41)係分別為一透明電子傳遞層及一透明電洞傳遞層，且於該第二光伏單元(40)之上表層(43)及下表層(41)之間設有一透明主動層(42)。
f.建置第二絕緣層(72)，於該第二光伏單元(40)之上表層(43)刻劃出至少一道貫通至該透明電極層材料(50)的第二絕緣材料通道(23)，且於各該第二絕緣材料通道(23)中填覆絕緣材料，使於各該第二絕緣材料通道(23)中形成一第二絕緣層(72)。
g.建置第二透明導電層(62)，於各該第二絕緣層(72)之側面位置處刻劃出自該第二光伏單元(40)之上表層(43)貫通至該透明電極層材料(50)的第二透明導電材料通道(24)，且於該第二光伏單元(40)之上表層(43)表面及各該第二透明導電材料通道(24)中覆設透明導電材料，使形成一覆設於該第二光伏單元(40)之上表層(43)且沿著各該第二絕緣層(72)之側面與該第二透明電極層(52)電氣連接的第二透明導電層(62)。
h.成品區隔，於該第二透明導電層(62)表面刻劃出貫通至該透明電極層材料(50)的裁切通道(25)，進而區隔出於該透明基板(20)上建置形成至少一於一第一光伏單元(30)上方疊置並聯一第二光伏單元(40)的複合光伏結構(如第2圖所示)。
同樣的，本新型之複合光伏結構製造方法，於實施時，係可進一步於該透明基板(20)之板面設有一光學硬化層(80)(如第3圖所示)，該透明電極層材料(50)係設於該光學硬化層(80)上；於實施時，該光學硬化層(80)係可以為壓克力、環氧樹脂、二氧化矽其中之一或其組合，厚度以1um~5um為佳，利用光學硬化層(80)之設置，增加整體複合光伏結構之機械結構強度。
本新型之複合光伏結構製造方法，於實施時，係能夠以該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元的實施樣態呈現；或者以該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元的實施樣態呈現；或者以該第一光伏單元(30)係為有機光伏單元，該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元的實施樣態呈現；或者以該第一光伏單元(30)係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元的實施樣態呈現。
本新型之複合光伏結構製造方法，於該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元之實施樣態下；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明主動層(32)、(42)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
本新型之複合光伏結構製造方法，於該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元之實施樣態下；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明主動層(32)、(42)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
本新型之複合光伏結構製造方法，於該第一光伏單元(30)係為有機光伏單元，該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元之實施樣態下；該第一光伏單元(30)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明主動層(32)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明主動層(42)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
本新型之複合光伏結構製造方法，於該第一光伏單元(30)係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元之實施要態下；該第一光伏單元(30)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明主動層(32)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明主動層(42)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
本新型之複合光伏結構製造方法，於實施時，該透明電極層材料(50)係可由ITO、IZO或AZO經蒸鍍或濺鍍於該透明基板(20)，厚度以50~200nm為佳。
本新型之複合光伏結構製造方法，於實施時，該第一透明導電層(61)係以溶劑調製之奈米銀、PEDOT、CNT其中之一或其組合經塗佈乾燥而成，厚度以200nm~5um為佳。
本新型之複合光伏結構製造方法，於實施時，該第二透明導電層(62)係以Ag、Au、Pt或Pd經蒸鍍構成，厚度以50~200nm為佳。
本新型之及該第二絕緣層(72)係可以由聚酯高分子聚合物(Polyesters polymer)，以印刷塗佈經90~140℃熱風下烘乾10分鐘烘乾後而成，於實施時，該第一絕緣層(71)及該第二絕緣層(72)係可以由聚酯高分子聚合物(Polyesters polymer)，以印刷塗佈經90~140℃熱風下烘乾10分鐘烘乾後而成。
具體而言，本新型所揭露的複合光伏結構，主要利用於透明基板上設置相互疊置並聯的第一、第二光伏單元之技術特徵，可在不影響整體結構厚度之條件下，大幅提升全方位的聚光增益光電反應面積，有效增加電流量，不但製程成本低，且相對符合小體積產品之應用需求。
以上所述之實施例僅係為說明本新型之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本新型之內容並據以實施，當不能以之限定本新型之專利範圍，即大凡依本新型所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本新型之專利範圍內。
[先前技術]
(11)‧‧‧透明基板
(12)‧‧‧光伏單元
(121)‧‧‧下表層
(122)‧‧‧透明主動層
(123)‧‧‧上表層
(131)‧‧‧第一透明電極層
(132)‧‧‧第二透明電極層
(141)‧‧‧透明導電層
(142)‧‧‧絕緣層
[本新型]
(20)‧‧‧透明基板
(21)‧‧‧第一絕緣材料通道
(22)‧‧‧第一透明導電材料通道
(23)‧‧‧第二絕緣材料通道
(24)‧‧‧第二透明導電材料通道
(25)‧‧‧裁切通道
(30)‧‧‧第一光伏單元
(31)‧‧‧下表層
(32)‧‧‧透明主動層
(33)‧‧‧上表層
(40)‧‧‧第二光伏單元
(41)‧‧‧下表層
(42)‧‧‧透明主動層
(43)‧‧‧上表層
(50)‧‧‧透明電極層材料
(51)‧‧‧第一透明電極層
(52)‧‧‧第二透明電極層
(61)‧‧‧第一透明導電層
(62)‧‧‧第二透明導電層
(71)‧‧‧第一絕緣層
(72)‧‧‧第二絕緣層
(80)‧‧‧光學硬化層
第1圖係為一習用光伏結構之剖視圖。 第2圖係為本新型第一實施例之複合光伏結構之剖視圖。 第3圖係為本新型第二實施例之複合光伏結構之剖視圖。 第4圖係為本新型之複合光伏結構製造方法基本流程圖。 第5圖係為本新型當中之透明電極層材料建置完成圖。 第6圖係為本新型當中之第一光伏單元建置完成圖。 第7圖係為本新型當中之第一絕緣層完成圖。 第8圖係為本新型當中之第一透明導電層建置完成圖。 第9圖係為本新型當中之第二光伏單元建置完成圖。 第10圖係為本新型當中之第二絕緣層建置完成圖。 第11圖係為本新型當中之第二透明導電層建置完成圖。 第12圖係為本新型當中之第一透明電極層及第二透明電極層分割完成圖。

Claims (15)

  1. 一種複合光伏結構，係於一透明基板(20)上設有一第一光伏單元(30)，於該第一光伏單元(30)上方疊置一與該第一光伏單元(30)並聯的第二光伏單元(40)；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之一上表層(33)、(43)及一下表層(31)、(41)係分別為一透明電子傳遞層及一透明電洞傳遞層，該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)且各自在其所屬之該上表層(33)、(43)及該下表層(31)、(41)之間設有一透明主動層(32)、(42)；其中： 該透明基板(20)之板面上設有形成絕緣的一第一透明電極層(51)及一第二透明電極層(52)，該第一光伏單元(30)係以其該下表層(31)與該第二透明電極層(52)接觸的型態設於該第二透明電極層上(52)；該第一光伏單元(30)之該上表層(33)處覆設有一與該第一透明電極層(51)電氣連接的第一透明導電層(61)；該第二光伏單元(40)係以其該下表層(41)與該第一透明導電層(61)接觸的型態設於該第一透明導電層(61)上；該第二光伏單元(40)之該上表層(43)處覆設有一與該第二透明電極層(52)電氣連接的第二透明導電層(62)；該第一透明導電層(61)係沿著該第一光伏單元(30)側面延伸至該第一透明電極層(51)，該第一光伏單元(30)側面與該第一透明導電層(61)之間設有一第一絕緣材料(71)；該第二透明導電層(62)係沿著該第二光伏單元(40)側面、該第一透明導電層(61)側面及該第一光伏單元(30)側面延伸至該第二透明電極層(52)，該第二光伏單元(40)側面、該第一透明導電層(61)側面及該第一光伏單元(30)側面與該第二透明導電層(62)之間設有一第二絕緣材料(72)。
  2. 如請求項1所述之複合光伏結構，其中，該複合光伏結構係於該透明基板(20)之板面與該第一透明電極層(51)及該第二透明電極層(52)之間設有一光學硬化層(80)。
  3. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元。
  4. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元。
  5. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)係為有機光伏單元，該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元。
  6. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元。
  7. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之該透明主動層(32)、(42)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
  8. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元(30)及該第二光伏單元(40)之該透明主動層(32)、(42)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
  9. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)係為有機光伏單元，該第二光伏單元(40)係為鈣鈦礦光伏單元；該第一光伏單元(30)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)之該透明主動層(32)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第二光伏單元(40)之該透明主動層(42)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳。
  10. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一光伏單元(30)係為鈣鈦礦光伏單元，該第二光伏單元(40)係為有機光伏單元；該第一光伏單元(30)之透明電子傳遞層係可以由PEDOT:PSS、Poly(3-hexylthiophene) (P3HT)及Poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA) 經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳；該第一光伏單元(30)之透明電洞傳遞層係可以為含PDPP3T:PCBM之主成分經溶劑稀釋後以狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，結構層厚度以1~100nm為佳；該第一光伏單元(30)之該透明主動層(32)可以由CH3NH3PbI3、CsPbBr3、CsPbI3、FAPbI3、FAPbBr3其中之一或其組合經溶劑稀釋後以狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘烘乾成形，層厚度以200~800nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電子傳遞層係可以由PEI、PEIE為主成分經狹縫塗佈後以90~140℃熱風烘乾3分鐘後成形，厚度以0.5~10nm為佳；該第二光伏單元(40)之透明電洞傳遞層係可以為經溶劑稀釋的PEDOT：PSS為主成分(PEDOT：PSS)，包含有複數EDOT(3,4-亞乙二氧噻吩單體)的聚合物及複數聚苯乙烯磺酸鈉(sodium-p-styrenesulfonate,PSS)混合而成，如以醇類或極性溶劑(如乙醇)稀釋後經狹縫塗佈90~140℃氮氣氣氛下烘乾5分鐘後烘乾成形，層厚度以100~500nm為佳；該第二光伏單元(40)之該透明主動層(42)係可以為溶劑稀釋的P3HT/PCBM、PCPDTBT/PCBM，其中P3HT/PCBM為有複數聚3-己烷基噻吩(poly(3-hexylthiophene),P3HT(p型材料))聚合物半導體及複數苯基-C61丁酸甲酯(phenyl-C61-butyric acid methylester,PCBM(n型材料))混合而成，以臨二甲苯稀釋後經狹縫塗佈後90~140℃氮氣氣氛下烘乾3分鐘烘乾成形，厚度以100~500nm為佳。
  11. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一透明電極層(51)及該第二透明電極層(52)係可由ITO、IZO或AZO經蒸鍍或濺鍍於該透明基板(20)，厚度以50~200nm為佳。
  12. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一透明導電層(61)係以溶劑調製之奈米銀、PEDOT、CNT其中之一或其組合經塗佈乾燥而成，厚度以200nm~5um為佳。
  13. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第二透明導電層(62)係以Ag、Au、Pt或Pd經蒸鍍構成，厚度以50~200nm為佳。
  14. 如請求項2所述之複合光伏結構，其中，該光學硬化層(80)係可以為壓克力、環氧樹脂、二氧化矽其中之一或其組合，厚度以1um~5um為佳。
  15. 如請求項1或2所述之複合光伏結構，其中，該第一絕緣層(71)及該第二絕緣層(72)係可以由聚酯高分子聚合物(Polyesters polymer)，以印刷塗佈經90~140℃熱風下烘乾10分鐘烘乾後而成。
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