TWM561911U - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本揭示提供一種基板處理裝置，包含：一旋轉台，其內部包含一第一氣體通道和一第二氣體通道；一抽氣單元，與該旋轉台連接，用於使該第一氣體通道內保持在一負壓狀態，進而將該基板保持在該旋轉台上；以及一氣體供應單元，與該旋轉台連接，用於供應一保護氣體，其中該保護氣體經由該第二連接通道吹出在該基板上並環繞該旋轉台之基板承載部。

Description

基板處理裝置

本揭示是關於一種基板處理裝置，特別是關於一種具有雙氣源管路之基板處理裝置。

在傳統的單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中，為了避免噴灑在基板上的蝕刻液體流至基板背(底)面而造成真空吸盤的污染以及破壞其真空吸取之能力。目前業界是採用在單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置旁另增設一個固定式的噴氣裝置，其是以朝向基板背面噴氣的方式將流至基板背面的液體吹落。然而，此類型的噴氣裝置無法與旋轉的基板同步旋轉作動，如此難以達到全面性的保護。

然而，倘若要將上述的噴氣裝置整合在傳統的單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中以使得噴氣裝置能與基板同步旋轉作動則存在一定的困難。舉例來說，在傳統的單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中，為了以真空吸取的方式將基板保持在旋轉台上，通常會在旋轉台內組裝氣體管路，以發揮真空吸取功能。此類型的裝置由於內部僅需安裝一條氣體管路，故只需藉由將氣體管路牽引至轉軸中心或者是搭配特殊接頭設計，即可避免旋轉台旋轉時造成氣體管路繞曲的問題。然而，當單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置中配置兩條以上的氣體管路時，裝設在旋轉台內部的兩條氣體管路存在隨著旋轉台的 轉動而彼此纏繞在一起的風險。

有鑑於此，有必要提出一種具有雙氣源管路之基板處理裝置，以解決習知技術中存在的問題。

為解決上述習知技術之問題，本揭示之目的在於提供一種具有雙氣源管路之基板處理裝置，其可有效地解決現有技術中因兩條氣體管路會隨著旋轉台的轉動而彼此纏繞在一起的問題。

為達成上述目的，本揭示提供一種基板處理裝置，包含：一旋轉台，用於保持一基板，並且可繞著一中央軸旋轉，該旋轉台內部包含一第一氣體通道和一第二氣體通道，其中該第一氣體通道之一端位在該旋轉台之基板承載部，且另一端位在旋轉台之第一位置，以及該第二氣體通道之一端位在該旋轉台的該基板承載部，且另一端位在旋轉台之第二位置；一抽氣單元，與該旋轉台之該第一位置連接，用於使該第一氣體通道內保持在一負壓狀態，進而將該基板保持在該旋轉台上；以及一氣體供應單元，與該旋轉台之該第二位置連接，用於供應一保護氣體，其中該保護氣體經由該第二連接通道吹送至該基板背面上，該保護氣體用於防止施加在該基板上的處理流體沿該基板的背面流至該基板承載部。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該抽氣單元包含：一第一軸封，環繞且包覆住該旋轉台之該第一位置，包含一第一連接通道；一第一氣室，設置在該第一軸封與該旋轉台之間，並且和該第一氣體通道連通；以及一抽氣設備，與該第一軸封之該第一連接通道連接，用於將該第一連接通道、該第一氣室和該第一氣體通道內的氣體抽出。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該氣體供應單元包含：一第二軸封，環繞且包覆住該旋轉台之該第二位置，包含一第二連接通道；一第二氣室，並且和該第二氣體通道連通，設置在該第二軸封與該旋轉台之間；以及一氣體供應設備，與該第二連接通道連接，用於在該第二連接通道、該第二氣室和該第二氣體通道內注入該保護氣體。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，當該旋轉台旋轉時，該抽氣單元與該氣體供應單元保持固定不轉動。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，基板處理裝置還包含一氣體分流環，環繞地設置在該基板承載部周圍，用於將該氣體供應單元供應之該保護氣體分流至複數個出氣通道，並且該保護氣體通過該複數個出氣通道送至該基板背面上。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該氣體分流環之邊緣與該基板之邊緣相隔一距離，使得該保護氣體會在該基板上產生從該基板之背面之中間周圍吹向該基板背面之邊緣的氣流。

於本揭示其中之一較佳實施例當中，該保護氣體包含氮氣

本揭示提供一種基板處理裝置，包含：一旋轉台，用於保持一基板；一驅動單元，與該旋轉台連接，用於驅動該旋轉台轉動；一第一軸封，環繞且包覆住該旋轉台之一部分，包含一第一連接通道；以及一第一氣室，設置在該第一軸封與該旋轉台之間，其中該第一軸封之該第一連接通道連接該第一氣室與外部環境，以及其中該旋轉台內部形成有一第一氣體通道，其一端連通至該第一氣室，以及另一端連通至該旋轉台之基板承載部。

於本揭示其中之一較佳實施例，當中基板處理裝置還包含一抽氣設備，與該第一軸封之該第一連接通道連接，其中該抽氣設備用於將該第一連接通道、該第一氣室和該第一氣體通道內的氣體抽出，使得該第一氣體通道內保持在一負壓狀態，進而將該基板保持在該旋轉台上。

於本揭示其中之一較佳實施例，當該轉軸與該旋轉台轉動時，該第一軸封保持固定不轉動。

於本揭示其中之一較佳實施例，基板處理裝置還包含：一第二軸封，環繞且包覆住該旋轉台之一部分，包含一第二連接通道；以及一第二氣室，設置在該第二軸封與該旋轉台之間，其中該第二軸封之該第二連接通道連接該第二氣室與外部環境，以及其中該旋轉台內部形成有一第二氣體通道，其一端連通至該第二氣室，以及另一端連通至該旋轉台之該基板承載部。

於本揭示其中之一較佳實施例，當該轉軸與該旋轉台轉動時，該第二軸封保持固定不轉動。

於本揭示其中之一較佳實施例，基板處理裝置還包含一氣體供應設備，與該第二軸封之該第二連接通道連接，用於在該第二連接通道、該第二氣室和該第二氣體通道內注入一保護氣體，使得該保護氣體通過該第二連接通道送至該基板背面上。

於本揭示其中之一較佳實施例，基板處理裝置還包含一氣體分流環，環繞地設置在該基板承載部周圍，用於將該保護氣體分流至複數個出氣通道，並且該保護氣體通過該複數個出氣通道送至該基板背面上

本揭示還提供一種基板處理裝置，包含：一旋轉台，具有： 一轉軸；一基板承載部，位在該轉軸上並可由該轉軸驅動來旋轉，該基板承載部用於保持一基板，並使該基板可旋轉，該轉軸內部包含一第一氣體通道和一第二氣體通道可和該轉軸一起旋轉，該第一氣體通道用以施加一真空至該基板上，該第二氣體通道用以施加保護氣體於該基板的背面上環繞該基板承載部的位置，藉此以防止處理該基板的流體沿該基板的背面流至該基板承載部；一抽氣單元，與該第一通道相連通；以及一氣體供應單元，與該第二通道相連通。

於本揭示其中之一較佳實施例，該基板為四方形。

相較於先前技術，本揭示藉由在實心的旋轉台內設計兩條獨立的氣體通道，並且在旋轉台的轉軸上對應兩條氣體通道之開口的位置分別連接兩個氣體單元，且該兩個氣體單元不會隨著旋轉台旋轉而轉動，如此可有效地避免現有技術中因兩條氣體管路會隨著旋轉台的轉動而彼此纏繞在一起的問題。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧基板

10‧‧‧旋轉台

11‧‧‧基板承載部

111‧‧‧真空吸盤

112‧‧‧分流盤

12‧‧‧轉軸

13‧‧‧第一氣體通道

14‧‧‧第二氣體通道

20‧‧‧驅動單元

30‧‧‧抽氣單元

31‧‧‧第一軸封

311‧‧‧第一連接通道

32‧‧‧第一氣室

33‧‧‧第一接頭

40‧‧‧氣體供應單元

41‧‧‧第二軸封

411‧‧‧第二連接通道

42‧‧‧第二氣室

43‧‧‧第二接頭

50‧‧‧氣體分流環

51‧‧‧第一環

52‧‧‧第二環

53‧‧‧狹縫

60‧‧‧分流氣室

P1‧‧‧第一位置

P2‧‧‧第二位置

Z‧‧‧中央軸

F‧‧‧對應第6圖之部分

E‧‧‧對應第7圖之部分

T1~T12‧‧‧出氣通道

R‧‧‧距離

A-A‧‧‧割面線

C‧‧‧氣流

第1圖顯示本揭示之較佳實施例之基板處理裝置之方塊圖；第2圖顯示本揭示之較佳實施例之基板處理裝置之立體圖；第3圖顯示第2圖之旋轉台之基板處理裝置之平面剖面圖；第4圖顯示第2圖之旋轉台之基板處理裝置之另一平面剖面圖；第5圖顯示第2圖之旋轉台之基板處理裝置之立體剖面圖；第6圖顯示第5圖之E部分之放大圖；第7圖顯示第5圖之F部分之放大圖； 第8圖顯示本揭示之較佳實施例之基板處理裝置之零件爆炸圖；第9圖顯示第8圖之基板處理裝置之氣體分流環與基板之仰視圖；以及第10圖顯示第9圖之沿著A-A割面線之剖面圖。

為了讓本揭示之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本揭示較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參照第1圖，其顯示本揭示之較佳實施例之基板處理裝置1之方塊圖。基板處理裝置1包含旋轉台10、驅動單元20、抽氣單元30、和氣體供應單元40，其中驅動單元20與旋轉台10電性連接，用於驅動旋轉台10轉動，以及抽氣單元30和氣體供應單元40亦分別與旋轉台10連接以提供負壓(真空)及微正壓保護氣體。

請參照第2圖至第5圖，第2圖顯示本揭示之較佳實施例之基板處理裝置1之立體圖，第3圖顯示第2圖之旋轉台之基板處理裝置1之平面剖面圖，第4圖顯示第2圖之旋轉台之基板處理裝置1之另一平面剖面圖，以及第5圖顯示第2圖之旋轉台之基板處理裝置1之立體剖面圖。應當注意的是，驅動單元20以及抽氣單元30與氣體供應單元40之部分元件，例如抽氣設備和氣體供應設備，未顯示於第2圖至第5圖中。旋轉台10包含基板承載部11、轉軸12、第一氣體通道13、和第二氣體通道14，其中基板承載部11是用於將基板承載且保持於其上。轉軸12可藉由皮帶、齒輪、鏈條等連接件與驅動單元20連接，以接收來自於驅動單元20的動力，進而帶動轉軸12繞著中央軸Z轉動。連帶地，當轉軸轉動時，會帶動基板承載部11及基板一起轉動。在本揭示之較佳實施例中，基板為四方形基板，如長方形或正方 形。驅動單元20可為一電動馬達。

如第3圖和第4圖所示，第一氣體通道13和第二氣體通道14形成在轉軸12內部，且第一氣體通道13和第二氣體通道14彼此獨立且不連通。第一氣體通道13之一端開口位在基板承載部11，以及另一端開口位在轉軸12的第一位置P1。該第一和第二氣體通道13、14可和該轉軸12一起旋轉。第二氣體通道14之一端開口同樣位在基板承載部11，以及另一端開口位在轉軸12的第二位置P2。應當注意的是，第一氣體通道13和第二氣體通道14之位在基板承載部11的兩開口彼此相隔一橫向距離，進而可避免氣流干擾問題。較佳地，第一氣體通道13的開口位在基板承載部11靠近中央軸Z的位置，而第二氣體通道14的開口則位在第一氣體通道13開口的外側。

如第3圖和第6圖所示，其中第6圖顯示第5圖之E部分之放大圖。第3圖之抽氣單元30包含第一軸封31、第一氣室32、抽氣設備(未顯示)、和第一接頭33。抽氣設備可為一真空幫浦。第一軸封31環繞且包覆住轉軸12的第一位置P1。第一氣室32設置在第一軸封31與旋轉台10之轉軸12之間，且和第一氣體通道13相通。第一軸封31包含第一連接通道311，其連通第一氣室32與外部環境，其中第一接頭33組裝在第一連接通道311之位在第一軸封31之外部的開口，並且第一接頭33是用於與抽氣設備連接。

藉此設計，當抽氣設備進行抽氣作業時，第一連接通道311、第一氣室32和第一氣體通道13內的氣體被抽出，使得第一連接通道311、第一氣室32和第一氣體通道13內部呈現負壓狀態。

如第3圖和第5圖所示，第5圖之基板承載部11包含真空吸盤111和分流盤112，其中真空吸盤111覆蓋在分流盤112，且真空吸盤111是用 於與基板接觸。較佳地，真空吸盤111為多孔材質，如此空氣可經由真空吸盤111上的孔洞從真空吸盤111其中一面流通置另一面。第一氣體通道13之開口位在分流盤112上。藉此設計，當抽氣單元30之抽氣設備進行抽氣作業時，位在真空吸盤111與基板之間的空氣會經由真空吸盤111的孔洞流向分流盤112，接著分流盤112的空氣會匯聚在第一氣體通道31之開口，參考第3圖最後空氣再依序經由第一氣體通道13第一氣室32和第一連接通道311而被抽出，如此可將基板穩定地保持在旋轉台10之真空吸盤111上。

另一方面，當使用傳統的單晶圓旋轉清洗蝕刻裝置處理非圓形基板時，由於非圓形基板具有多邊形特徵，因此存在噴灑在基板上的蝕刻液體流至基板背面的風險，因此會導致蝕刻液體流至真空吸盤111的開口處，進而污染真空吸盤111並且破壞其真空吸取之能力。因此，在本揭示中，為了避免基板承載部11不受噴灑在基板上的蝕刻液或處理流體污染，藉由在旋轉台10內部增設第二氣體通道14並藉由氣體供應單元40提供保護氣體，以在基板上提供從基板背面中心周圍吹向基板背面邊緣的氣流C(第10圖)，進而可有效地避免處理流體汙染基板承載部11之問題，其相應的具體結構及特徵將於下詳述。

如第3圖、第4圖、和第7圖所示，其中第7圖顯示第5圖之F部分之放大圖。第4圖之氣體供應單元40包含第二軸封41、第二氣室42、氣體供應設備(未顯示)、和第二接頭43。氣體供應設備可為一氮氣鋼瓶提供氮氣源。第二軸封41環繞且包覆住轉軸12的第二位置P2。第二氣室42設置在第二軸封41與旋轉台10之轉軸12之間，且和第二氣體通道14相連通。第二軸封41包含第二連接通道411，其連通第二氣室42與外部環境，其中第二 接頭43組裝在第二連接通道411之位在第二軸封41之外部的開口，並且第二接頭43是用於與氣體供應設備連接。藉此設計，當氣體供應設備提供保護氣體時，保護氣體會注入第二連接通道411、第二氣室42和第二氣體通道14內，進而吹送至基板上。較佳地，氣體供應設備可為一氮氣鋼瓶提供氮氣源。

請參照第8圖、第9圖和第10圖所示，第8圖顯示本揭示之較佳實施例之基板處理裝置1之零件爆炸圖，第9圖顯示第8圖之基板處理裝置1之氣體分流環50與基板2之仰視圖，以及第10圖顯示第9圖之沿著A-A割面線之剖面圖。當保護氣體經由第二氣體通道14吹送至基板2上時，為了讓吹出的保護氣體到達基板2的各邊緣，必須通過設置適當的氣體分流元件來讓保護氣體朝四面八方均勻的吹出。因此，本揭示的基板處理裝置1還包含氣體分流環50，其環繞地設置在旋轉台10之基板承載部11周圍，如第8圖所示用於將氣體供應單元40供應之保護氣體分流至複數個出氣通道T1至T12，並且保護氣體通過複數個出氣通道T1至T12吹送至基板2上。

如第3圖所示，當氣體分流環50組裝在旋轉台10之基板承載部11周圍後，氣體分流環50與旋轉台10之間形成有環形的分流氣室60，並且第二氣體通道14會與分流氣室60連通，使得保護氣體可充滿在分流氣室60內部。又，如第8圖所示，氣體分流環50包含第一環51和第二環52。第一環51在面對第二環52之表面形成有複數個環形排列的凹槽，如此當第一環51和第二環52互相組裝疊置後，在第一環51和第二環52之間會形成複數個環形排列的出氣通道T1至T12。舉例來說在本實施例中氣體分流環50包含12個出氣通道T1至T12，惟不侷限於此。再者，如第10圖所示，氣體分流環50 在靠近基板2邊緣之一側，其第一環51和第二環52並非是密封式組裝，而是在第一環51和第二環52之末端保留可讓保護氣體通過的狹縫53。藉此設計，充滿在分流氣室60內部的保護氣體，可經由不同的出氣通道T1至T12，分散在氣體分流環50內部，接著通過對應的狹縫53排出，進而吹在基板2上。

如第9圖和第10圖所示，氣體分流環50之邊緣與基板2之邊緣相隔一距離R，如此保護氣體會在基板2上產生從基板2之背(底)面之中心周圍吹向基板2背面之邊緣的氣流C。即，通過對應的狹縫53排出的保護氣體會先吹拂在基板2的背面環繞中心之周圍位置，接著保護氣體會沿著基板2之背面朝基板2背面之邊緣前進。如此，當噴灑在基板2上的蝕刻液體流至基板2背面時，通過保護氣體在基板2上產生的氣流C，可有效地阻止蝕刻液體繼續朝向旋轉台10之基板承載部11流動，進而可有效地避免蝕刻液體汙染基板承載部11之問題。

應當注意的是，在本揭示中，當旋轉台10旋轉時，抽氣單元30與氣體供應單元40皆是保持固定不轉動。並且，藉由在實心的旋轉台10內部開設通道以作為氣體傳輸使用，而非採用傳統之在中空的轉軸內部裝設實體的氣體管路的方式，如此，當本揭示的旋轉台10旋轉時，不會有氣體管路繞曲的問題。

綜上所述，本揭示藉由在實心的旋轉台內設計兩條獨立的氣體通道，並且在旋轉台的轉軸上對應兩條氣體通道之開口的位置分別連接兩個氣體單元，且該兩個氣體單元不會隨著旋轉台旋轉而轉動，如此可有效地避免現有技術中因兩條氣體管路會隨著旋轉台的轉動而彼此纏繞在一起的問題。此外，通過在基板上施加從背面中心周圍吹向邊緣的氣流，可 防止噴灑在基板上的蝕刻液體流至基板背面，進而防止蝕刻液體汙染或破壞真空吸盤之問題。

以上僅是本揭示的較佳實施方式，應當指出，對於所屬領域技術人員，在不脫離本揭示原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本揭示的保護範圍。

Claims (18)

1. 一種基板處理裝置，包含：一旋轉台，用於保持一基板，並且可繞著一中央軸旋轉，該旋轉台內部包含一第一氣體通道和一第二氣體通道，其中該第一氣體通道之一端位在該旋轉台之基板承載部，且另一端位在旋轉台之第一位置，以及該第二氣體通道之一端位在該旋轉台的該基板承載部，且另一端位在旋轉台之第二位置；一抽氣單元，與該旋轉台之該第一位置連接，用於使該第一氣體通道內保持在一負壓狀態，進而將該基板保持在該旋轉台上；以及一氣體供應單元，與該旋轉台之該第二位置連接，用於供應一保護氣體，其中該保護氣體經由該第二氣體通道吹送至該基板背面上，該保護氣體用於防止施加在該基板上的處理流體沿該基板的背面流至該基板承載部。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該抽氣單元包含：一第一軸封，環繞且包覆住該旋轉台之該第一位置，包含一第一連接通道；一第一氣室，設置在該第一軸封與該旋轉台之間，並且和該第一氣體通道連通；以及一抽氣設備，與該第一軸封之該第一連接通道連接，用於將該第一連接通道、該第一氣室和該第一氣體通道內的氣體抽出。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中該氣體供應單元包含：一第二軸封，環繞且包覆住該旋轉台之該第二位置，包含一第二連 接通道；一第二氣室，設置在該第二軸封與該旋轉台之間，並且和該第二氣體通道連通；以及一氣體供應設備，與該第二連接通道連接，用於在該第二連接通道、該第二氣室和該第二氣體通道內注入該保護氣體。
4. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中當該旋轉台旋轉時，該抽氣單元與該氣體供應單元保持固定不轉動。
5. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，還包含一氣體分流環，環繞地設置在該基板承載部周圍，用於將該氣體供應單元供應之該保護氣體分流至複數個出氣通道，並且該保護氣體通過該複數個出氣通道吹送至該基板背面上。
6. 如申請專利範圍第5項所述之基板處理裝置，其中該氣體分流環之邊緣與該基板之邊緣相隔一距離，使得該保護氣體會在該基板上產生從該基板之背面之中間周圍吹向該基板背面之邊緣的氣流。
7. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中該保護氣體包含氮氣。
8. 一種基板處理裝置，包含：一旋轉台，用於保持一基板；一驅動單元，與該旋轉台連接，用於驅動該旋轉台轉動；一第一軸封，環繞且包覆住該旋轉台之一部分，包含一第一連接通道；以及一第一氣室，設置在該第一軸封與該旋轉台之間，其中該第一軸封之該第一連接通道連接該第一氣室與外部環境，以及其中該旋轉台內部形 成有一第一氣體通道，其一端連通至該第一氣室，以及另一端連通至該旋轉台之基板承載部。
9. 如申請專利範圍第8項所述之基板處理裝置，還包含一抽氣設備，與該第一軸封之該第一連接通道連接，其中該抽氣設備用於將該第一連接通道、該第一氣室和該第一氣體通道內的氣體抽出，使得該第一氣體通道內保持在一負壓狀態，進而將該基板保持在該旋轉台上。
10. 如申請專利範圍第8項所述之基板處理裝置，其中當該旋轉台轉動時，該第一軸封保持固定不轉動。
11. 如申請專利範圍第8項所述之基板處理裝置，還包含：一第二軸封，環繞且包覆住該旋轉台之一部分，包含一第二連接通道；以及一第二氣室，設置在該第二軸封與該旋轉台之間，其中該第二軸封之該第二連接通道連接該第二氣室與外部環境，以及其中該旋轉台內部形成有一第二氣體通道，其一端連通至該第二氣室，以及另一端連通至該旋轉台之該基板承載部。
12. 如申請專利範圍第11項所述之基板處理裝置，其中當該旋轉台轉動時，該第二軸封保持固定不轉動。
13. 如申請專利範圍第11項所述之基板處理裝置，還包含一氣體供應設備，與該第二軸封之該第二連接通道連接，用於在該第二連接通道、該第二氣室和該第二氣體通道內注入一保護氣體，使得該保護氣體通過該第二連接通道送至該基板背面上。
14. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理裝置，還包含一氣體分流環，環 繞地設置在該基板承載部周圍，用於將該保護氣體分流至複數個出氣通道，並且該保護氣體通過該複數個出氣通道送至該基板背面上。
15. 如申請專利範圍第14項所述之基板處理裝置，其中該氣體分流環之邊緣與該基板之邊緣相隔一距離，使得該保護氣體會在該基板上產生從該基板之背面之中間周圍吹向該基板背面之邊緣的氣流。
16. 如申請專利範圍第13項所述之基板處理裝置，其中該保護氣體包含氮氣。
17. 一種基板處理裝置，包含：一旋轉台，具有：一轉軸；一基板承載部，位在該轉軸上並可由該轉軸驅動來旋轉，該基板承載部用於保持一基板，並使該基板可旋轉，該轉軸內部包含一第一氣體通道和一第二氣體通道可和該轉軸一起旋轉，該第一氣體通道用以施加一真空至該基板上，該第二氣體通道用以施加保護氣體於該基板的背面上環繞該基板承載部的位置，藉此以防止處理該基板的流體沿該基板的背面流至該基板承載部；一抽氣單元，與該第一氣體通道相連通；以及一氣體供應單元，與該第二氣體通道相連通。
18. 如申請專利範圍第17項所述之基板處理裝置，其中該基板為四方形。