TWM560396U - 複合多層石墨薄片結構、散熱結構與電子裝置 - Google Patents

Abstract

本新型創作揭露一種複合多層石墨薄片結構、散熱結構與電子裝置。散熱結構包括一複合多層石墨薄片結構及一黏著層。複合多層石墨薄片結構包括一石墨材料層、一陶瓷材料層、一輻射散熱層。石墨材料層具有相對的一第一表面及一第二表面。陶瓷材料層設置於第一表面上。輻射散熱層設置在陶瓷材料層上，且陶瓷材料層夾置於石墨材料層與輻射散熱層之間。黏著層設置於第二表面上，且散熱結構通過黏著層黏著在熱源上。本案具有均向導熱功能而可達到較佳散熱效果。

Description

複合多層石墨薄片結構、散熱結構與電子裝置

本新型創作係關於一種具有均向導熱功能的複合多層石墨薄片結構、散熱結構與具有該散熱結構的電子裝置。

隨著科技的發展，針對電子裝置的設計與研發，莫不以薄型化及高效能為優先考量。在要求高速運算的情況下，電子裝置的電子元件不可避免地將產生較以往更多的熱量，但高溫的作業環境不僅將影響電子元件的特性，過高的溫度更可能造成電子元件永久性的損壞。

在習知的散熱領域中，使用石墨薄片的散熱結構已應用多時，然而，因石墨薄片為異方向導熱材料，僅在平面方向(xy方向)具有均溫的導熱功能，無法真正在z方向上將熱能散逸出，因此其散熱效果仍有待改進。

本新型創作的目的為提供一種具有均向導熱功能，可快速將熱源產生的熱量散逸至外界而達到較佳散熱效果的複合多層石墨薄片結構、散熱結構與具有該散熱結構的電子裝置。其中，來自於石墨烯材料的複合多層石墨薄片結構與散熱結構除了本身具有高導熱性外，更能夠提供更高的可撓曲性並使整體結構更強壯，可適用於不同形狀的熱源外形。此外，本新型創作的複合多層石墨薄片結構與散熱結構更具有電磁波屏蔽效果。

為達上述目的，依據本新型之一種複合多層石墨薄片結構， 包括一石墨材料層、一陶瓷材料層以及一輻射散熱層。陶瓷材料層設置於石墨材料層上。輻射散熱層設置在陶瓷材料層上，且陶瓷材料層夾置於石墨材料層與輻射散熱層之間。

為達上述自的，依據本新型之一種散熱結構，與一熱源配合，並包括一複合多層石墨薄片結構以及一黏著層。複合多層石墨薄片結構包括一石墨材料層、一陶瓷材料層及一輻射散熱層。石墨材料層具有相對的一第一表面及一第二表面。陶瓷材料層設置於石墨材料層的第一表面上。輻射散熱層設置在陶瓷材料層上，且陶瓷材料層夾置於石墨材料層與輻射散熱層之間。黏著層設置於石墨材料層的第二表面上。其中，散熱結構通過黏著層黏著在熱源。

在一實施例中，石墨材料層包括一石墨烯材料與一石墨微片材料，石墨烯材料的含量為石墨微片材料的1%至80%之間。

在一實施例中，石墨材料層的厚度介於15微米至100微米之間。

在一實施例中，陶瓷材料層的材質是選自於下列所構成之群組：氧化鋁、氧化鋯、氧化鋅、氧化矽、氮化鋁、氮化硼、及其組合。

在一實施例中，陶瓷材料層的厚度介於5微米至100微米之間。

在一實施例中，輻射散熱層的材料包括石墨顆粒。

在一實施例中，輻射散熱層的厚度介於0.1微米至30微米之間。

在一實施例中，黏著層的材料是選自於下列所構成之群組：壓克力膠、環氧膠、熱熔膠、雙面膠帶、及其組合。

在一實施例中，散熱結構為可撓性結構。

為達上述目的，依據本新型之一種電子裝置，包括一熱源以及一散熱結構。散熱結構設置於熱源，並包括一複合多層石墨薄片結構以及一黏著層。複合多層石墨薄片結構包括一石墨材料層、一陶瓷材料層及一輻射散熱層。石墨材料層具有相對的一第一表面及一第二表面。陶瓷材料層設置於石墨材料層的第一表面上。輻射散熱層設置在陶瓷材料層上， 使陶瓷材料層夾置於石墨材料層與輻射散熱層之間。黏著層設置於石墨材料層的第二表面上。其中，散熱結構通過黏著層黏著在熱源。

承上所述，在本新型創作的複合多層石墨薄片結構、散熱結構與具有該散熱結構的電子裝置中，散熱結構包括複合多層石墨薄片結構以及黏著層，其中，複合多層石墨薄片結構的輻射散熱層設置在陶瓷材料層上，而陶瓷材料層夾置於石墨材料層與輻射散熱層之間，且散熱結構通過黏著層黏著在熱源上，由於石墨材料層具有良好的xy平面的導熱性，再通過陶瓷材料層在z方向上從石墨材料層將熱能導引出後，搭配輻射散熱層將熱量輻射至空間中，藉此可達到均向導熱特性而快速將熱源產生的熱量散逸至外界，提高電子裝置的散熱效果。另外，本新型創作的複合多層石墨薄片結構與散熱結構能夠提供薄型化與更高可撓曲性並使電子裝置的整體結構更強壯，可因應不同外觀形狀的電子元件(熱源)的高散熱需求。此外，本新型創作的複合多層石墨薄片結構與散熱結構更具有電磁波屏蔽效果。

1、3‧‧‧散熱結構

11、31‧‧‧複合多層石墨薄片結構

111、111a、311‧‧‧石墨材料層

1111‧‧‧石墨微片材料

1112‧‧‧石墨烯材料

112、312‧‧‧陶瓷材料層

113、313‧‧‧輻射散熱層

12、32‧‧‧黏著層

2‧‧‧電子裝置

d1、d2、d3、d4‧‧‧厚度

D1、D2、D3‧‧‧方向

H‧‧‧熱源

O、O1‧‧‧物件

S‧‧‧溶劑

S1‧‧‧第一表面

S2‧‧‧第二表面

圖1為本新型一實施例的一種散熱結構的示意圖。

圖2A至圖2G分別為本新型的散熱結構的製造過程示意圖。

圖3為本新型一實施例之電子裝置的示意圖。

以下將參照相關圖式，說明依本新型創作較佳實施例之複合多層石墨薄片結構、散熱結構與具有該散熱裝置的電子裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。

圖1為本新型一實施例的一種散熱結構1的示意圖。如圖1所示，本實施例的散熱結構1可與一熱源配合應用，散熱結構1可包括一複合多層石墨薄片結構11以及一黏著層12。其中，複合多層石墨薄片結構11包括一石墨材料層111、一陶瓷材料層112及一輻射散熱層113。

石墨材料層111具有相對的一第一表面S1及一第二表面 S2。於此，第一表面S1可為上表面，而第二表面S2可為下表面。陶瓷材料層112設置於石墨材料層111的第一表面S1上，而輻射散熱層113設置在陶瓷材料層112上，且陶瓷材料層112夾置於石墨材料層111與輻射散熱層113之間。

黏著層12設置於石墨材料層111的第二表面S2上。於此，黏著層12設置於石墨材料層111遠離陶瓷材料層112的表面(第二表面S2)上。因此，本實施例的散熱結構1之複合多層石墨薄片結構11是一種三明治結構，底下的一層為石墨材料層111，中間為陶瓷材料層112，而最上面的是輻射散熱層113，且是通過黏著層12使複合多層石墨薄片結構11可黏著在熱源，以將熱源所產生的熱量帶走並散逸至外界。

請參照圖2A至圖2G所示，以說明散熱結構的製造過程及其技術特徵。其中，圖2A至圖2G分別為本新型的散熱結構的製造過程示意圖。

首先，先將一石墨微片材料1111與一石墨烯材料1112加入一溶劑S中並攪拌，以均勻混合形成一漿料。在實施上，如圖2A所示，可先將一石墨微片材料1111加入一溶劑S中並攪拌，以均勻混合形成一溶液。其中，石墨微片材料1111的重量百分比可為0.1%至10%之間。較佳者，石墨微片材料1111的重量百分比可介於0.2%至10%之間。本實施例的石墨微片材料1111為粉末狀，並包含複數個石墨微片(或稱奈米石墨片，graphite nanoplatelet)，石墨微片可為天然石墨或人工石墨。其中，石墨微片的尺寸可介於5微米至200微米之間，其厚度可介於0.1微米至0.5微米之間。另外，溶劑S可例如為水、二甲基甲醯胺(DMF)、四氫呋喃(THF)、酮類、醇類、醋酸乙脂、或甲苯。本實施例的溶劑S是以水為例。在不同的實施例中，當溶劑S為酮類時，其可為N-甲基吡咯烷酮(NMP)、或丙酮；當溶劑S為醇類時，其可為乙醇(Ethanol)、或乙二醇(Ethylene glycol)。此外，溶劑S亦可為上述溶劑(水、二甲基甲醯胺、四氫呋喃、酮類、或醇類)的任意混合，並不限定。此外，在不同的實施例中，溶劑S中亦可含有樹脂接合劑。樹脂接合劑可為聚脂(polyester)、壓克力樹脂、水相壓克力樹脂、聚胺脂、水相聚胺脂、或聚偏氟乙烯等，但不限於上述，也可為 任意極性及非極性接著劑．其添加量為整體溶劑S的5%以內。

之後，如圖2B所示，再將一石墨烯材料1112加入該溶液中並攪拌，以均勻混合形成一漿料。其中，石墨烯材料1112的含量為石墨微片材料1111的含量的1%至80%之間。於此，攪拌時間可為5分鐘至30分鐘之間，只要可以使石墨微片材料1111、石墨烯材料1112與溶劑S可以均勻混合而形成漿料即可。石墨烯材料1112是以石墨烯為基底的材料，並可為天然石墨或人工石墨。石墨烯材料1112包含複數個石墨烯粒子，而石墨烯粒子的尺寸介於1微米至50微米之間，其厚度可介於0.002微米至0.02微米之間。在不同的實施例中，亦可先將石墨烯材料1112加入溶劑S中攪拌均勻，再加入石墨微片材料1111後攪拌均勻；或者，將石墨微片材料1111與石墨烯材料1112同時加入溶劑S中攪拌均勻，本新型並不限制。

因此，完成後的漿料中包含溶劑S、石墨微片材料1111及石墨烯材料1112，且均勻混合而呈粘稠狀(如果凍)。在此漿料中，石墨微片材料1111的重量百分比可介於0.1%至10%之間，較佳者，石墨微片材料1111的重量百分比可為0.2%至10%之間，且石墨烯材料1112的含量可為石墨微片材料1111含量的1%至80%之間。

接著，如圖2C所示，再將漿料塗佈於一物件O上並乾燥漿料，以形成一石墨材料層111。於此步驟中，物件O例如高分子材料、金屬、陶瓷、紙類、或布類，但不限於為基板，而塗佈方式可為塗佈、或印刷。其中，塗佈方式可為噴射塗佈(spray coating)、或旋轉塗佈(spin coating)，而印刷可為噴墨列印(inkjet printing)、或網版印刷(screen printing)，均不限定；於此，塗佈或印刷的厚度可例如約為10微米至500微米之間。另外，於乾燥過程中，例如可將具有漿料的物件O置放於烤箱內烘烤，以去除漿料內的溶劑S(例如水分)後形成石墨材料層111。其中，乾燥溫度需低於攝氏500度且高於室溫，而乾燥時間可介於1分鐘至24小時之間。因此，如圖2D所示，於乾燥製程之後，乾燥後的石墨材料層111的厚度d1將介於15微米至100微米之間(15μm≦d1≦100μm)。在一些實施例中，可再進行壓實石墨材料層111的製程。其中，可例如以滾輪輾壓乾燥後的石墨材料層111。

在不同的實施例中，若物件O為非平面物件時，例如其表面為圓弧狀時，如圖2G所示，則一樣可將漿料塗佈於圓弧狀之物件O1的外側表面上並乾燥，以形成一石墨材料層111a，再利用符合石墨材料層111a形狀的治具壓實乾燥後的石墨材料層111a。因此，可因應不同的熱源外觀形狀，或者可提供較大面積貼附熱源，以形成符合熱源外觀形狀的結構，以因應不同形狀的電子元件的高散熱需求。

之後，再將一陶瓷材料加入另一溶劑中並攪拌，以均勻混合形成另一漿料(圖未繪示)，並將該另一漿料塗佈於石墨材料層111上並乾燥該另一漿料，以形成一陶瓷材料層112於石墨材料層111上，如圖2D所示。於此，同樣地，可將陶瓷材料與溶劑混合後形成膏狀物，再塗佈在石墨材料層111的上表面上經乾燥後形成陶瓷材料層112。其中，陶瓷材料層112的材質可例如選自於下列所構成之群組：氧化鋁、氧化鋯、氧化鋅、氧化矽、氮化鋁、氮化硼、及其組合，但不限於上述材質。另外，陶瓷材料層112的厚度d2可介於5微米至100微米之間(5μm≦d2≦100μm)。

接著，如圖2E所示，再形成一輻射散熱層113在陶瓷材料層112上，使陶瓷材料層112夾置於石墨材料層111與輻射散熱層113之間，以形成複合多層石墨薄片結構11。其中，輻射散熱層113的材料可包括粉狀的石墨顆粒，該石墨顆粒可為天然石墨或人工石墨。於此，可將石墨顆粒與溶劑混合後形成膏狀物，再塗佈在陶瓷材料層112上經乾燥後形成輻射散熱層113。其中，輻射散熱層113的厚度d3可介於0.1微米至30微米之間(0.1μm≦d2≦30μm)。

之後，如圖2F所示，移除物件O。於此，可利用例如刀件插入石墨材料層111與物件O之間，以破除石墨材料層111與物件O之間的真空狀態而與物件O分離，以得到石墨材料層111、陶瓷材料層112與輻射散熱層113堆疊的三層結構：複合多層石墨薄片結構11。

在一些實施例中，可按上述過程在物件O上製作出石墨材料層111後，再將氧化鋁顆粒與樹脂加入溶劑中分散、攪拌均勻，其中，氧化鋁與樹脂的比例可例如為5：1，氧化鋁與樹脂的總固含量為20wt%，並以間隙塗佈的方式塗佈在石墨材料層111上，加熱使其乾燥後形成陶瓷 材料層112。於此，陶瓷材料層112的厚度例如為5微米。之後，再將石墨顆粒與樹脂分散於溶劑中，石墨顆粒與樹脂的比例可例如為1：1，石墨顆粒與樹脂的總固含量為5wt%，再以噴塗方式塗佈於陶瓷材料層112上，乾燥後形成輻射散熱層113，以得到複合多層石墨薄片結構11。於此，輻射散熱層113的厚度例如為1微米。完成石墨材料層111、陶瓷材料層112與輻射散熱層113的薄膜後，再將薄膜從物件O上取下。

在另一些實施例中，可按上述過程在物件O上製作出石墨材料層111後，再將氧化鋁顆粒與矽膠均勻攪拌，其中，氧化鋁與矽膠的比例可例如為7：3，並以網版印刷的方式塗佈在石墨材料層111上，加熱使其固化後形成陶瓷材料層112。於此，陶瓷材料層112的厚度例如為10微米。之後，再將石墨顆粒與樹脂分散於溶劑中，石墨顆粒與樹脂的比例可例如為2：1，石墨顆粒與樹脂的總固含量為20wt%，再以間隙塗佈的方式塗佈於陶瓷材料層112上，乾燥後形成輻射散熱層113，以得到複合多層石墨薄片結構11。於此，輻射散熱層113的厚度例如為10微米。完成石墨材料層111、陶瓷材料層112與輻射散熱層113的薄膜後，再將薄膜從物件O上取下。

在又一些實施例中，可按上述過程在物件O上製作出石墨材料層111後，再將氧化鋁顆粒與樹脂加入溶劑中分散、攪拌均勻，其中，氧化鋁與樹脂的比例可例如為5：1，氧化鋁與樹脂的總固含量為20wt%，並以間隙塗佈的方式塗佈在石墨材料層111上，加熱使其乾燥後形成陶瓷材料層112。於此，陶瓷材料層112的厚度例如為5微米。之後，再將石墨顆粒與樹脂分散於溶劑中，石墨顆粒與樹脂的比例可例如為1：1，石墨顆粒與樹脂的總固含量為10wt%，再以凹版印刷方式塗佈於陶瓷材料層112上，乾燥後形成輻射散熱層113，以得到複合多層石墨薄片結構11。於此，輻射散熱層113的厚度例如為5微米。完成石墨材料層111、陶瓷材料層112與輻射散熱層113的薄膜後，再將薄膜從物件O上取下。

最後，形成一黏著層12於石墨材料層111遠離陶瓷材料層112的表面上，以得到散熱結構1，如圖1所示。於此，黏著層12是形成於石墨材料層111的第二表面S2上，且其材料可選自於下列所構成之群 組：壓克力膠、環氧膠、熱熔膠、雙面膠帶、及其組合，而其厚度d4可介於0.5微米至50微米之間(0.5μm≦d4≦50μm)。因此，散熱結構1的整體厚度相當薄，例如可介於20微米至250微米之間。

另外，請參照圖3所示，其為本新型一實施例之電子裝置2的示意圖。電子裝置2包括一熱源H以及一散熱結構3。散熱結構3設置於熱源H上。散熱結構3包括一複合多層石墨薄片結構31以及一黏著層32。複合多層石墨薄片結構31包括一石墨材料層311、一陶瓷材料層312及一輻射散熱層313。石墨材料層311具有相對的一第一表面S1及一第二表面S2。陶瓷材料層312設置於石墨材料層311的第一表面S1上。輻射散熱層313設置在陶瓷材料層312上，使陶瓷材料層312夾置於石墨材料層311與輻射散熱層313之間。黏著層32設置於石墨材料層311的第二表面S2上。其中，散熱結構3通過黏著層32黏著在熱源H上。散熱結構3的其他技術特徵可參見散熱結構1的相同元件，在於不再贅述。

承上，本實施例的散熱結構1、3為一可撓性結構而具有撓曲性，並可分別通過黏著層12、32黏著在熱源H而可適用於不同形狀的發熱元件，使電子裝置2具有較佳散熱效果。由於複合多層石墨薄片結構11、31的石墨材料層111、311內含的石墨微片材料與石墨烯材料具有良好的xy平面(即方向D1、D2所構成的平面)的導熱性，可快速地將熱能通過黏著層12、32由熱源H導引出；另外，為了使熱能可散逸至外界，更在石墨材料層111、311上設置一層陶瓷材料層112、312，通過陶瓷材料層112、312在z方向(D3方向)上從石墨材料層111、311快速將熱能由熱源H中導引出後，再通過輻射散熱層113、313將熱量輻射至空間中，以達到將熱能從熱源H中帶出而散逸至外界的目的，藉此達到均向導熱特性而提高電子裝置2的散熱效果。另外，本實施例的散熱結構1、3的整體厚度相當薄，並具有較佳散熱效果及薄型化特點，可符合現今電子產品輕薄化散熱裝置的要求。

於習知技術中，單以石墨微片製成的石墨薄片的xy平面的熱傳導係數約為200瓦特/公尺-K左右，但在本新型的一實施例中，於石墨微片材料(石墨微片)中添加10%的石墨烯材料(石墨烯)後形成的散熱 結構中，石墨材料層的導熱係數可達500瓦特/公尺-K，而陶瓷材料層在垂直方向(D3方向)的導熱係數可大於等於20瓦特/公尺-K，且輻射散熱層可協助將熱量輻射至外界空間中。因此，當本新型的散熱結構應用於電子裝置例如CPU、記憶體或其他熱源的導熱及散熱時，可快速地將熱能導引出且散逸至外界，或者可再配合散熱裝置(例如散熱鰭片、散熱風扇或熱管、或其組合)的使用即可達到快速地降低電子元件的溫度。另外，本新型更可因應不同的電子裝置的熱源外觀形狀，提供較大面積貼附熱源，以形成符合熱源外觀形狀的散熱結構，以因應不同形狀的電子元件的高散熱需求。另外，來自於石墨烯材料除了使散熱結構本身具有高導熱性外，更能夠提供更高的可撓曲性並使整體結構更強壯，可適用於不同形狀的熱源外形。此外，在電磁波屏蔽的性能上，在一實施例中，複合多層石墨薄片結構與散熱結構可具37dB~45dB的電磁波屏蔽效果。

綜上所述，在本新型創作的複合多層石墨薄片結構、散熱結構與具有該散熱結構的電子裝置中，散熱結構包括複合多層石墨薄片結構以及黏著層，其中，複合多層石墨薄片結構的輻射散熱層設置在陶瓷材料層上，而陶瓷材料層夾置於石墨材料層與輻射散熱層之間，且散熱結構通過黏著層黏著在熱源上，由於石墨材料層具有良好的xy平面的導熱性，再通過陶瓷材料層在z方向上從石墨材料層將熱能導引出後，搭配輻射散熱層將熱量輻射至空間中，藉此可達到均向導熱特性而快速將熱源產生的熱量散逸至外界，提高電子裝置的散熱效果。另外，本新型創作的複合多層石墨薄片結構與散熱結構能夠提供薄型化與更高可撓曲性並使電子裝置的整體結構更強壯，可因應不同外觀形狀的電子元件(熱源)的高散熱需求。此外，本新型創作的複合多層石墨薄片結構與散熱結構更具有電磁波屏蔽效果。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本新型之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

Claims (17)

1. 一種複合多層石墨薄片結構，包括：一石墨材料層；一陶瓷材料層，設置於該石墨材料層上；以及一輻射散熱層，設置在該陶瓷材料層上，且該陶瓷材料層夾置於該石墨材料層與該輻射散熱層之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之複合多層石墨薄片結構，其中該石墨材料層包括一石墨烯材料與一石墨微片材料，該石墨烯材料的含量為該石墨微片材料的1%至80%之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述之複合多層石墨薄片結構，其中該石墨材料層的厚度介於15微米至100微米之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之複合多層石墨薄片結構，其中該陶瓷材料層的材質是選自於下列所構成之群組：氧化鋁、氧化鋯、氧化鋅、氧化矽、氮化鋁、氮化硼、及其組合。
5. 如申請專利範圍第1項所述之複合多層石墨薄片結構，其中該陶瓷材料層的厚度介於5微米至100微米之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述之複合多層石墨薄片結構，其中該輻射散熱層的材料包括石墨顆粒。
7. 如申請專利範圍第1項所述之複合多層石墨薄片結構，其中該輻射散熱層的厚度介於0.1微米至30微米之間。
8. 一種散熱結構，與一熱源配合，並包括：一複合多層石墨薄片結構，包括：一石墨材料層，具有相對的一第一表面及一第二表面；一陶瓷材料層，設置於該石墨材料層的該第一表面上；及一輻射散熱層，設置在該陶瓷材料層上，且該陶瓷材料層夾置於該石墨材料層與該輻射散熱層之間；以及一黏著層，設置於該石墨材料層的該第二表面上；其中，該散熱結構通過該黏著層黏著在該熱源上。
9. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該石墨材料層包括一石墨 烯材料與一石墨微片材料，該石墨烯材料的含量為該石墨微片材料的1%至80%之間。
10. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該石墨材料層的厚度介於15微米至100微米之間。
11. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該陶瓷材料層的材質是選自於下列所構成之群組：氧化鋁、氧化鋯、氧化鋅、氧化矽、氮化鋁、氮化硼、及其組合。
12. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該陶瓷材料層的厚度介於5微米至100微米之間。
13. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該輻射散熱層的材料包括石墨顆粒。
14. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該輻射散熱層的厚度介於0.1微米至30微米之間。
15. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該黏著層的材料是選自於下列所構成之群組：壓克力膠、環氧膠、熱熔膠、雙面膠帶、及其組合。
16. 如申請專利範圍第8項所述之散熱結構，其中該散熱結構為可撓性結構。
17. 一種電子裝置，包括：一熱源；以及一散熱結構，設置於該熱源，該散熱結構包括：一複合多層石墨薄片結構，包括：一石墨材料層，具有相對的一第一表面及一第二表面；一陶瓷材料層，設置於該石墨材料層的該第一表面上；及一輻射散熱層，設置在該陶瓷材料層上，使該陶瓷材料層夾置於該石墨材料層與該輻射散熱層之間；以及一黏著層，設置於該石墨材料層的該第二表面上；其中，該散熱結構通過該黏著層黏著在該熱源上。