TWM515649U - Ic升溫裝置 - Google Patents
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Description
本創作係關於一種IC升溫裝置及方法,更精確的說,係關於一種適用於IC效能測試過程中,對IC進行加熱並偵測溫度的IC升溫裝置及方法。特定而言,在可攜式裝置(如手機)的電路板上,為了增加電池可用空間,小尺寸IC可用空間減少,進而導致小尺寸IC設置的密度增加,因此在操作時容易受到電池發熱及CPU的溫度影響,且難以散熱,而常使小尺寸IC處於高溫下。因此,需要測試小尺寸IC在高溫(例如,工規:Tc(Case Temperature)85℃)下的運作是否正常。其中,小尺寸IC定義為尺寸在8mm*8mm以下,針腳間距(pin-to-pin pitch)在0.65mm以下。與傳統大尺寸IC重視降溫不同,小尺寸IC的需求係著重於能在高溫環境下操作,本創作的IC升溫裝置及方法可將小尺寸IC快速升溫至特定溫度,並確保小尺寸IC能維持恆溫且其溫度精確以進行測試。
一般而言,在封裝完成之積體電路元件(IC)的測試中,常見為最終測試(Final Test),以及可靠度測試(Reliability Test)。在IC的最終測試中,會對受測IC進行加溫,在受測IC到達預定溫度時,測試受測IC是否能在高溫下進行運作,其測試時間較短。而可靠度測試(Reliability Test)係在使受測IC維持在高溫下,持續操作並進行測試,藉以瞭解其穩定度,此程序通常稱之為燒機(Burn-
in)。在燒機程序進行期間,需要長時間對受測IC進行烘烤,且受測IC需要維持在預定溫度下,長時間(例如二至三週)操作並進行測試。
以目前的現有IC加熱手段,其一為採用加熱板加熱,需依賴人力將IC於加熱板上加熱至預定溫度,從加熱板移動至插座(socket),再安裝至插座上進行效能測試,此時,受測IC離開加熱板後,由於無法以加熱板繼續對受測IC加熱,從加熱板移動至插座(socket)的速度,插座與受測IC之間的接觸以及空氣對流會使受測IC溫度降低,無法使受測IC恆溫,因而導致受測IC無法在相同的溫度下進行測試,導致測試結果不一。
另一種IC加熱手段,係採用熱風槍針對IC進行加熱,然其具有以下缺點:(1)由於熱風槍係以熱風針對特定範圍進行加熱,其受熱不均,且無法控制加熱溫度,容易過熱或未達目標溫度,即便以隔熱設計將受測IC阻擋並隔熱,亦難以避免熱風槍影響周圍元件溫度;(2)即便IC達到特定溫度,當熱風槍停止加熱,對IC測試時難以使IC保持恆溫;(3)熱風槍加熱時,同時會對周圍元件以及PCB板進行加熱,使得測試IC效能時,測試結果會受到周圍元件升溫影響而不精確;(4)小尺寸IC測試時,需要放置於插座內並以手測蓋覆蓋以保持電性接觸,然而,熱風槍對小尺寸IC進行加熱時,會受到手測蓋及插座阻隔,熱風槍難以對小尺寸IC加熱;(5)進行測試時,無法判定IC本身溫度,更難以得知需要加熱的時間。
再一種IC加熱手段為採用流動式冷暖氣(thermal stream)設備,然而此設備昂貴,體積龐大,且耗電量極高,需要配合壓縮氣及壓縮機才能操作,其溫度感測器常設置在冷暖氣之流動路線上,因此,溫度感測器難以精確反應個別IC的溫度。此外,雖然流動式冷暖氣可與受測IC本身的熱電耦(Thermal
couple)連接以獲得受測IC的溫度,然而測試階段的IC多半不具有熱電耦,若欲獲得受測IC之溫度,需要以流動式冷暖氣連接溫度感測器,再與受測IC接觸或貼附以感測其溫度,此方法極為不便,且獲得的溫度並不精確。由於流動式冷暖氣類似於熱風槍,係採用氣流流動針對IC加熱並維持恆溫,然而,受到前述手測蓋及插座之阻隔,同樣難以對小尺寸IC進行加熱及恆溫,且類似的,亦會產生上述使用熱風槍產生的各種問題。即便針對多個IC設置個別的溫度感測器,然而此方法在後續對其他IC升溫測試中,仍需再次設置個別的溫度感測器,因此嚴重造成不便且影響IC的測試效率。
為了解決上述問題,本創作的目的在於提供一種IC升溫裝置,用於將一被測裝置加熱至特定溫度之下進行測試,其包含壓塊、熱感元件、加熱片、絕緣片、輸入/出端及溫度控制器。其中,壓塊具有基底及表面,表面用於直接接觸該被測裝置。熱感元件設置在壓塊內部,加熱片設置於壓塊上並接觸基底,絕緣片設置在加熱片上,輸入/出端,係設置於絕緣片上,至少包含電源線及訊號線,且電源線與加熱片電性連接,訊號線與熱感元件電性連接。溫度控制器與電源線及訊號線連接,用於將電源供應至電源線並控制加熱片之溫度,且透過訊號線量測熱感元件之電性以計算獲得被測裝置之溫度,其中,壓塊用於將加熱片之熱能傳導至被測裝置。
較佳的,溫度控制器可包含使用者介面,用於供使用者控制加熱片之溫度並顯示被測裝置之溫度。
較佳的,絕緣片可包含基座及設置在基座上之複數個隔熱壁,其中複數個隔熱壁之配置可包含環狀配置、片狀配置及塊狀配置。
較佳的,絕緣片更可包含通孔,供電源線及訊號線分別與加熱片及熱感元件連接。
根據本創作的另一個態樣,提供一種IC升溫裝置,用於將一被測裝置(Device under test,DUT)加熱並測試該被測裝置之溫度,係包含壓塊、熱感元件、加熱片、絕緣片及輸入/出端。壓塊具有基底及表面,表面用於直接接觸被測裝置;熱感元件設置在壓塊內部;加熱片設置於壓塊上並接觸基底;絕緣片設置在加熱片上;輸入/出端設置於絕緣片上,至少包含電源線及訊號線,且電源線與加熱片電性連接,訊號線與熱感元件電性連接,被配置以透過電源線供給電源使加熱片加熱,且透過訊號線偵測熱感元件之電性。
較佳的,更可包含溫度控制器,與電源線及訊號線連接,用於將電源供應至電源線並控制加熱片之溫度,且透過訊號線量測熱感元件之電性以計算獲得被測裝置之溫度,其中壓塊用於將加熱片之熱能傳導至被測裝置。
較佳的,溫度控制器可包含使用者介面,用於供使用者控制加熱片之溫度並顯示被測裝置之溫度。
較佳的,絕緣片可包含基座及設置在基座上之複數個隔熱壁,其中複數個隔熱壁之配置包含環狀配置、片狀配置及塊狀配置。
較佳的,絕緣片更可包含通孔,供電源線及訊號線分別與加熱片及熱感元件連接。
根據本創作的再一個態樣,提供一種IC升溫方法,適用於上述之IC升溫裝置,其包含下列步驟:將溫度控制器連接輸入/出端之電源線及訊號線以分別電性連接加熱片及熱感元件;使用溫度控制器透過電源線控制加熱片加
熱;以壓塊接觸被測裝置,將加熱片之熱能傳導至被測裝置;控制溫度控制器透過訊號線檢測熱感元件之電性;使用溫度控制器根據電阻值計算獲得被測裝置之溫度。
承上所述,根據本創作提供之IC升溫裝置及方法,相較於現有技術,其中採用接觸式熱傳導之壓塊,可在IC升溫性能測試過程中,對IC採用直接接觸式加熱及溫度量測,較習知技術通過風扇進行熱對流之方法具有快速、方便、簡單、便宜、省電及環保等特性。此外,透過具有複數個隔熱牆之隔熱片所建立之複數個隔熱空氣壁,可有效阻絕加熱時熱能不必要的散失,以提昇熱感元件升溫的速度。再者,本創作溫度測量器通過電源線及訊號線之封閉迴路,在壓塊與被測裝置達成熱平衡的同時,可精確量測被測裝置之溫度,且可針對小尺寸被測裝置隨時採用不同設置,達成高度的適應性並加速量測效率。
10‧‧‧壓塊
100‧‧‧基底
102‧‧‧表面
104‧‧‧突起部
12‧‧‧熱感元件
122、142‧‧‧電極
14‧‧‧加熱片
142‧‧‧電極
146‧‧‧通孔
16、16’、16”‧‧‧絕緣片
162‧‧‧基座
164、164’、164”‧‧‧隔熱壁
166‧‧‧通孔
18、72a、72b‧‧‧溫度控制器
181‧‧‧使用者介面
182‧‧‧顯示螢幕
I/O‧‧‧輸入/出端
PLUG‧‧‧插座
DUT‧‧‧被測裝置
PL‧‧‧電源線
SL‧‧‧訊號線
20‧‧‧殼體
6、71a、71b‧‧‧IC升溫性能測試設備
61‧‧‧鎖定構造
62‧‧‧IC插座蓋體
63‧‧‧連接介面
64‧‧‧IC插座
65‧‧‧卡合構造
66、73‧‧‧印刷電路板
67‧‧‧突起構造
68‧‧‧鎖孔
DUT1、DUTa、DUTb、DUTc‧‧‧被測IC裝置
本創作之上述及其他特徵及優勢將藉由參照附圖詳細說明其例示性實施例而變得更顯而易知,其中:第1圖為根據本創作之IC升溫裝置之實施例之剖視圖。
第2圖為根據本創作之IC升溫裝置之壓塊之俯視示意圖。
第3A圖為根據本創作之IC升溫裝置之絕緣片之第一實施例之俯視示意圖。
第3B圖為根據本創作之IC升溫裝置之絕緣片之第二實施例之俯視示意圖。
第3C圖為根據本創作之IC升溫裝置之絕緣片之第三實施例之俯視示意圖。
第4圖為根據本創作之IC升溫裝置之溫度控制器之示意圖。
第5圖為根據本創作之IC升溫方法之實施例繪示之流程圖。
第6A及6B圖為根據本創作之IC升溫方法之實施例之操作示意圖。
第7圖為根據本創作之IC升溫方法之另一實施例之操作示意圖。
為利 貴審查員瞭解本創作之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效,茲將本創作配合附圖,並以實施例之表達形式詳細說明如下,而其中所使用之圖式,其主旨僅為示意及輔助說明書之用,未必為本創作實施後之真實比例與精準配置,故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本創作於實際實施上的權利範圍,合先敘明。
於此使用,詞彙“與/或”包含一或多個相關條列項目之任何或所有組合。當“至少其一”之敘述前綴於一元件清單前時,係修飾整個清單元件而非修飾清單中之個別元件。
第1圖為根據本創作之IC升溫裝置之實施例之剖視圖。如第1圖所示,本創作之IC升溫裝置1,用於將一被測裝置DUT加熱並測試被測裝置DUT之溫度,係包含壓塊10、熱感元件12、加熱片14、絕緣片16、輸入/出端I/O、溫度控制器18。
其中,壓塊10具有基底100及表面102,表面102用於直接接觸待測裝置DUT。表面102可由基底100突起,且包含複數個突起部104可用於
接觸被測裝置DUT時,保留空隙避免被測裝置DUT與壓塊10過度密合,而導致測量結束後,當被測裝置DUT與壓塊10分離時,被測裝置DUT被壓塊10吸附。。此處,壓塊10可例如由一導熱材料諸如銅或類似物製成,並以快速導熱作為設計取向。而被測裝置DUT可預先與印刷電路板(PCB)電性接觸,並與IC性能檢測裝置連接,此係為本領域具有通常知識者熟知之技術,故不在此贅述。
請參閱第2圖,其繪示根據本創作的IC升溫裝置的壓塊俯視圖。如第2圖所示,此處壓塊10包含有四個突起部104,其間留有空隙,但不以此為限,當針對極小尺寸之IC時,亦可不設置此突起部104。較佳者,壓塊10除了可針對IC進行升溫之外,亦可針對以晶圓級晶片封裝(Wafer-Level Chip Scale Packaging)方式之IC進行測試,其面積大小可為少於8mmX8mm大小之晶片。
再者,熱感元件12,設置在壓塊10內部,熱感元件12具有兩個電極122,較佳的,電極122可設置在熱感元件12的一端,以方便後續與訊號線連接。通常而言,熱感元件12可為主動或被動元件,包含電阻、電容及電感,熱感元件12亦可由多層具有不同熱膨脹係數之材料構成,也可為熱感IC、電晶體或二極體。較佳者,溫度改變會造成熱感元件12的電性改變,且熱感元件12係能與被測裝置DUT及壓塊10快速達到熱平衡。此處,熱感元件12可為感應器電阻,電阻值隨著溫度的變化而改變,且形變程度隨溫度的變化較一般的固定電阻要大很多,其通常廣泛應用於各種電子元件中,例如湧流電流限制器、溫度感應器、可復式保險絲、及自動調節的加熱器等。熱感元件12可使用純金屬、陶瓷或聚合物,並適用於不同的溫度響應範圍,且具有不同的溫度響應性質。
加熱片14係設置於壓塊10之基底102上方,並直接接觸壓塊10。加熱片14亦設置有電極142,可供後續與電源線連接,以達成加熱之目的。加熱
片14之設置可採用將電熱阻絲貼附於PCB上,並採用絕緣設計。較佳的,加熱片14至少可加熱至85℃以上,其中可包含通孔,用於允許與熱感元件12連接的電源線PL通過。
絕緣片16設置在加熱片14上方,用於阻絕加熱片14與上方元件之間的熱傳導。請參閱第3A圖,其為根據本創作的IC升溫裝置的實施例繪示的絕緣片之第一實施例之俯視圖。如第3A圖所示,絕緣片16除了將加熱片14與其他上方元件絕緣之外,還可包含基座162及設置在基座上的複數個隔熱壁164,其中,隔熱壁164之設置係為了阻絕空氣之熱對流,透過經由隔熱壁164所產生之複數個空氣壁,利用空氣導熱較差之特性,進而可降低加熱片14對壓塊10加熱時,熱對流造成的熱量散失,因此,隔熱壁164可進一步減少加熱時間,使被測裝置DUT快速達到預定溫度。較佳者,隔熱壁164可如第3A圖所示,採用環狀隔熱壁設置,但不以此為限。此環狀隔熱壁除可防止複數個隔熱壁164之間之空氣之熱對流,還可平均分配壓塊10按壓至被測裝置DUT時的壓力,且絕緣片16可例如由工業塑膠等隔熱絕緣材料製成。此外,絕緣片16還包含通孔166,用於允許電源線PL與訊號線SL通過以分別與加熱片14及熱感元件12電性連接,進而避免額外佈線造成的成本及所需空間的增加。
請參閱第3B圖,其為根據本創作的IC升溫裝置的實施例繪示的絕緣片之第二實施例之俯視圖。如第3B圖所示,絕緣片16’之複數個隔熱壁164’與前一實施例不同的是,係採用複數個平行片狀之隔熱壁設置,因而可防止複數個平行之隔熱壁164’之間之空氣進行熱對流,同時亦可平均分配壓塊10按壓至被測裝置DUT時的壓力。
請參閱第3C圖,其為根據本創作的IC升溫裝置的實施例繪示的絕緣片之第三實施例之俯視圖。如第3B圖所示,絕緣片16”之複數個隔熱壁164”與前一實施例不同的是,係採用複數個塊狀之隔熱壁設置,複數個塊狀之隔熱壁
164”除了可降低其間之空氣之熱對流,同樣可平均分配壓塊10按壓至被測裝置DUT時的壓力。但本創作之隔熱壁不限於3A-3C圖之配置,也可為環狀配置、片狀配置及塊狀配置中之任意組合。
請復參考第1圖,本創作的IC升溫裝置1還包含輸入/出端I/O,其設置於絕緣片16上,並可進一步內設於殼體20中。輸入/出端I/O至少包含電源線PL及訊號線SL,且電源線PL與加熱片14電性連接,訊號線SL與熱感元件12電性連接。亦即,電源線PL可穿過通孔166與加熱片14之電極142連接,且訊號線SL可通過通孔166及通孔144與熱感元件12之電極122電性連接。較佳者,輸入/出端I/O可採用通用序列匯流排(USB)之插座PLUG,且電源線PL及訊號線SL可透過USB規格之插座。此處採用USB插座之敘述僅為舉例,實質應用並不以此為限。
此外,溫度控制器18與電源線PL及訊號線SL連接,形成封閉迴路(close loop),用於將電源供應至該電源線PL,以控制該加熱片14之溫度。溫度控制器18還透過訊號線SL量測熱感元件12之電性,特定而言,溫度控制器18量測被測裝置DUT之電壓及電流,並加以計算以獲得被測裝置DUT之溫度。具體而言,溫度控制器18可包含控制單元,例如中央處理器(Central Processing Unit,CPU)或微控制器(Micro Controlling Unit,MCU),或實現上述控制及計算之韌體、硬體或軟體,其可外接電源或由內部蓄電池供應本創作的IC升溫裝置所需之電能。
請參閱第4圖,係為根據本創作之IC升溫裝置之溫度控制器之示意圖。較佳者,溫度控制器18還可進一步包含使用者介面181及顯示其之顯示螢幕182,供使用者控制加熱片14之溫度以及顯示所計算的熱感元件12所感測之溫度。
此外,根據本創作的較佳實施例,溫度控制器18可具有反饋控制功能,使用者可透過使用者介面設定被測裝置DUT之測試溫度,當被測裝置DUT
達到預定之測試溫度,溫度控制器18自動停止控制加熱片14進行升溫。相反的,當IC降溫超過一閾值時,溫度控制器18亦可偵測被測裝置DUT未達預定溫度,其控制加熱片14繼續加熱,使IC可達測試溫度。此外,此閾值係為可設定的,舉例而言,閾值可設定為1℃,當受測裝置DUT降溫超過1℃時,溫度控制器18控制加熱片14繼續進行加熱。此設置可免除使用者需對溫度隨時監測之不便,並使被測裝置DUT能始終維持在穩定之測試溫度。
相較於現有技術,本創作的IC升溫裝置採用接觸式熱傳導之壓塊,可在IC升溫性能測試過程中,對晶片採用直接接觸式加熱及溫度量測,其耗電量低(約6W),相較於習知技術通過熱風槍(1500W)或冷暖機(4-5000W)進行熱對流的技術而言,具有快速、方便、簡易、便宜且省電,環保且不需壓縮氣等特性。此外,透過具有複數個隔熱牆之隔熱片,可有效阻絕熱能不必要的散失,以減少熱感元件到達預定溫度的時間,進而提昇測試效率。再者,本創作於特定實施例中,溫度測量器通過電源線及訊號線,在壓塊與被測裝置達成熱平衡的同時,可精確量測被測裝置之溫度,達成高度的適應性及加速量測效率。
現將參閱附圖進一步詳細說明根據本創作的IC升溫方法的流程。第5圖為根據本創作之IC升溫方法之實施例繪示之流程圖。本創作的IC升溫方法用於將一被測裝置加熱並測試該被測裝置之溫度,其同時適用於上述的IC升溫裝置,包含下列步驟:S401:將溫度控制器連接輸入/出端之電源線及訊號線以分別電性連接加熱片及熱感元件。如前述實施例中所提到,溫度控制器可透過USB連接線連接至插座,以為了後續量測步驟所準備,且電源線及訊號線可透過絕緣片之通孔,分別與加熱片及熱感元件連接。此外,溫度控制器亦可以一包含處理器之晶片替代,與電腦設備連接,透過軟體端進行量測及加熱片溫度控制。此外,溫度控制器18可具有實施前述反饋控制功能之硬體、軟體或韌體,使用者
可透過使用者介面設定被測裝置DUT之測試溫度,當被測裝置DUT達到預定之測試溫度,溫度控制器18自動停止對加熱片14進行升溫。相反的,當IC降溫超過一閾值時,溫度控制器18亦可偵測被測裝置DUT未達預定溫度,其控制加熱片14繼續加熱,使IC可達測試溫度。此設置可免除使用者需對溫度隨時監測之不便,並使被測裝置DUT能始終維持在穩定之測試溫度。
S402:使用溫度控制器透過電源線控制加熱片加熱。在本步驟中,透過使用者介面控制溫度控制器,使得加熱片達到欲測試之預定溫度。
S403:以壓塊接觸被測裝置,將加熱片之熱能傳導至被測裝置。並可以複數個突起部對應接觸被測裝置,使得在前述實施例中之被測裝置、熱感元件、壓塊及加熱片達到一熱平衡狀態。再者,在使用溫度控制器透過電源線控制加熱片加熱之步驟中,更包含使用絕緣片之複數個隔熱壁進行隔熱。
S404:控制溫度控制器透過訊號線檢測熱感元件之電阻值;S405:使用溫度控制器根據電阻值計算獲得被測裝置之溫度。
請參閱第6A-6B圖,其為根據本創作之IC升溫方法之實施例之操作示意圖。如第6A圖所示,在IC升溫性能測試步驟前,被測IC裝置DUT1已放置在IC升溫性能測試設備6之IC插座64上,且第1圖中所述之IC升溫裝置1係設置在半開啟之可動式IC插座蓋體62內部,並透過連接介面63連接至溫度控制器。IC插座64透過印刷電路板66外接於IC性能檢測設備。較佳者,IC插座蓋體62係透過IC插座64周圍的鎖孔68固設於印刷電路板66之上。此外,IC插座蓋體62可包含一鎖定構造61,其位於IC升溫裝置1之上方,係在IC升溫裝置1與被測IC裝置DUT1接觸時能鎖緊,以確保IC升溫裝置1之壓塊能緊密貼合於被測IC裝置DUT1。IC插座蓋體62之開合部位還可包含一突起構造67,供位於IC插座蓋體62側邊之卡合構造65能勾住該突起構造57以使IC插座蓋體52能緊密蓋合。接著,進行IC升溫性能測試,如第6B圖所示,在進行IC升溫性能測試步驟的同時,壓
塊之複數個突出部直接接觸被測IC裝置DUT1。此時,執行本創作的IC升溫方法之實施例中的步驟S401至S405,可快速檢測出被測IC裝置DUT1之溫度,並同時透過性能檢測設備測試被測IC裝置DUT1之工作性能,檢測完畢後,僅需置換被測IC裝置DUT1便可進入次輪之檢測流程。
請參閱第7圖,其為根據本創作之IC升溫方法之另一實施例之操作示意圖。在第7圖中,複數個被測IC裝置DUTa、DUTb及DUTc被裝載在印刷電路板73上方。在本實施例中,將詳細說明採用IC升溫性能測試設備71a及71b進行選擇性升溫之實施例,其中,被測IC裝置DUTa及DUTc為欲進行升溫之標的物,而被測IC裝置DUTb係維持在常溫或正常工作溫度下。如圖所示,IC升溫性能測試設備71a及71b可分別被裝載在欲進行升溫之標的物上,即被測IC裝置DUTa及DUTc上方。此處,IC升溫性能測試設備71a及71b之細節類似於第6A-6B圖中所述之IC升溫性能測試設備6,故省略其重複描述。IC升溫性能測試設備71a及71b分別連接於個別之溫度控制器72a與72b,並設定不同之測試溫度,舉例而言,如圖中所示將溫度控制器72a設定為攝氏85度,以及將溫度控制器72a設定為攝氏95度。如此,可在將被測IC裝置DUTb維持在常溫或正常工作溫度之前提下,個別對被測IC裝置DUTa及DUTc以不同溫度升溫,並測試其工作效能。如此,可進一步達成對測試標的物進行選擇性升溫,而不會影響被測IC裝置DUTa及DUTc周圍元件或印刷電路板73之溫度,以進一步提昇測試的精確度與可靠度。
綜上所述,本創作的IC升溫裝置及方法採用直接接觸式熱傳導之壓塊,對IC採用接觸式加熱及溫度量測,除了可適用於小尺寸IC之外,相較於習知技術通過風扇進行熱對流之技術更具備有快速、方便、簡單、便宜、省電及環保等特性。此外,透過具有複數個隔熱牆之隔熱片,可有效阻絕熱能不必要的散失,以減少加熱時間,使受測裝置快速達到預定溫度,且隔熱片可以環
狀、片狀或塊狀分布以平均分散壓力。再者,本創作於特定實施例中,溫度測量器通過電源線及訊號線,在壓塊與被測裝置達成熱平衡的同時,可精確偵測被測裝置之溫度,達成高度的適應性及加速量測效率。
當本創作的實施例參考其例示性實施例被特別顯示及描述時,其可為所屬技術領域具有通常知識者理解的是,在不脫離由以下申請專利範圍及其等效物所定義之本創作的精神及範疇內,可對其進行形式及細節上的各種變更。
10‧‧‧壓塊
100‧‧‧基底
102‧‧‧表面
104‧‧‧突起部
12‧‧‧熱感元件
122‧‧‧電極
14‧‧‧加熱片
142‧‧‧電極
146‧‧‧通孔
16‧‧‧絕緣片
162‧‧‧基座
164‧‧‧隔熱壁
166‧‧‧通孔
18‧‧‧溫度控制器
I/O‧‧‧輸入/出端
PLUG‧‧‧插座
DUT‧‧‧被測裝置
PL‧‧‧電源線
SL‧‧‧訊號線
20‧‧‧殼體
Claims (9)
- 一種IC升溫裝置,用於將一被測裝置(Device under test,DUT)加熱至一特定溫度下進行測試,係包含:一壓塊,具有一基底及一表面,該表面用於直接接觸該被測裝置;一熱感元件,係設置在該壓塊內部;一加熱片,設置於該壓塊上並接觸該基底;一絕緣片,係設置在該加熱片上;一輸入/出端,係設置於該絕緣片上,至少包含一電源線及一訊號線,且該電源線與該加熱片電性連接,該訊號線與該熱感元件電性連接;以及一溫度控制器,與該電源線及該訊號線連接,用於將電源供應至該電源線並控制該加熱片之溫度,且透過該訊號線量測該熱感元件之電性以計算獲得該被測裝置之溫度,其中該壓塊用於將該加熱片之熱能傳導至該被測裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之IC升溫裝置,其中該溫度控制器包含一使用者介面,用於供使用者控制該加熱片之溫度並顯示該被測裝置之溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述之IC升溫裝置,其中該絕緣片包含一基座及設置在該基座上之複數個隔熱壁,其中該複數個隔熱壁之配置包含環狀配置、片狀配置及塊狀配置。
- 如申請專利範圍第3項所述之IC升溫裝置,其中該絕緣片更包含一通孔,供該電源線及該訊號線分別與該加熱片及該熱感元 件連接。
- 一種IC升溫裝置,用於將一被測裝置(Device under test,DUT)加熱至一特定溫度下進行測試,係包含:一壓塊,具有一基底及一表面,該表面用於直接接觸該被測裝置;一熱感元件,係設置在該壓塊內部;一加熱片,設置於該壓塊上並接觸該基底;一絕緣片,係設置在該加熱片上;以及一輸入/出端,係設置於該絕緣片上,至少包含一電源線及一訊號線,且該電源線與該加熱片電性連接,該訊號線與該熱感元件電性連接,被配置以透過該電源線供給電源使該加熱片加熱,且透過該訊號線偵測該熱感元件之電性。
- 如申請專利範圍第5項所述之IC升溫裝置,更包含一溫度控制器,與該電源線及該訊號線連接,用於將電源供應至該電源線並控制該加熱片之溫度,且透過該訊號線量測該熱感元件之電性以計算獲得該被測裝置之溫度,其中該壓塊用於將該加熱片之熱能傳導至該被測裝置。
- 如申請專利範圍第6項所述之IC升溫裝置,其中該溫度控制器包含一使用者介面,用於供使用者控制該加熱片之溫度並顯示該被測裝置之溫度。
- 如申請專利範圍第5項所述之IC升溫裝置,其中該絕緣片包含一基座及設置在該基座上之複數個隔熱壁,其中複數個隔熱壁之配置包含環狀配置、片狀配置及塊狀配置。
- 如申請專利範圍第8項所述之IC升溫裝置,其中該絕緣片更包含一通孔,供該電源線及該訊號線分別與該加熱片及該熱感元件連接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104212417U TWM515649U (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | Ic升溫裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104212417U TWM515649U (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | Ic升溫裝置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM515649U true TWM515649U (zh) | 2016-01-11 |
Family
ID=55639634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104212417U TWM515649U (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | Ic升溫裝置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TWM515649U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI701447B (zh) * | 2019-03-15 | 2020-08-11 | 鴻勁精密股份有限公司 | 具溫控單元之測試裝置及其應用之測試分類設備 |
TWI752563B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-01-11 | 鴻勁精密股份有限公司 | 接合機構及其應用之作業設備 |
-
2015
- 2015-07-31 TW TW104212417U patent/TWM515649U/zh unknown
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI701447B (zh) * | 2019-03-15 | 2020-08-11 | 鴻勁精密股份有限公司 | 具溫控單元之測試裝置及其應用之測試分類設備 |
TWI752563B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-01-11 | 鴻勁精密股份有限公司 | 接合機構及其應用之作業設備 |
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