TWM455997U - 耦合饋入式微帶天線 - Google Patents

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TWM455997U
TWM455997U TW102201320U TW102201320U TWM455997U TW M455997 U TWM455997 U TW M455997U TW 102201320 U TW102201320 U TW 102201320U TW 102201320 U TW102201320 U TW 102201320U TW M455997 U TWM455997 U TW M455997U
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insulating
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zhi-shen Zhou
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Unictron Technologies Corp
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Description

耦合饋入式微帶天線
　　本創作有關於一種微帶天線，在製作微帶天線的過程中，不需要在絕緣基材上設置通孔，可減少微帶天線的製程步驟及使用的材料，並有利於降低微帶天線的製作成本。
　　相較於一般的天線，微帶天線(Microstrip Antenna)具有平面結構、可大量生產及方便整合在主動元件或電路板…等優點，因而被大量的應用在各種無線傳輸裝置上，例如全球定位系統GPS(Global Positioning System)或無線射頻辨識(RFID)。
　　請參閱第１Ａ圖及第１Ｂ圖，分別為習用微帶天線之上側示意圖及下側示意圖。如圖所示，習用之微帶天線10包括一絕緣基材11、一第一導電層13、一第二導電層15、一饋入區171及一導電元件173，其中第一導電層13位於絕緣基材11的上表面，而第二導電層15則位於絕緣基材11的下表面。導電元件173貫穿絕緣基材11、第一導電層13及第二導電層15，並電性連接第一導電層13。
　　設置在絕緣基材11上表面的第一導電層13可作為微帶天線10的幅射體，而設置在絕緣基材11下表面的第二導電層15則為接地面。在透過微帶天線10進行無線訊號的接收時，無線訊號會由第一導電層13經由饋入區171及導電元件173輸入，而在進行無線訊號的發射時，訊號則會經由導電元件173及饋入區171傳送至第一導電層13，並經由第一導電層13發射無線訊號。
　　在設置微帶天線10的過程中，需要預先在絕緣基材11、第一導電層13及第二導電層15上設置穿孔，並將導電元件173穿過上述元件的穿孔，其中導電元件173與第一導電層連接的區域為饋入區171。然而在絕緣基材11、第一導電層13及第二導電層15上設置穿孔，不僅不利於提高微帶天線10的製程效率，亦會增加微帶天線10的製作成本。
　　本創作之一目的，在於提供一種微帶天線，主要於絕緣基材相對的兩個表面上分別設置第一導電層及第二導電層，並於第二導電層上設置至少一隔絕區，而隔絕區內則設置至少一饋入單元。饋入單元可用以連接訊號饋入端，其中饋入單元經由電磁耦合(Electromagnetic Coupling)與第一導電層形成電性連結，藉此將可透過微帶天線進行無線訊號的接收與傳送。
　　本創作之一目的，在於提供一種微帶天線，僅需要在一個導電層上設置隔絕區，並於隔絕區內設置饋入單元，使得微帶天線可進行無線訊號的接收與傳送。此外亦可省去在絕緣基材上設置通孔的步驟，不僅有利於簡化微帶天線的製程步驟，亦可降低微帶天線的製作成本。
　　本創作之一目的，在於提供一種微帶天線，可透過饋入單元之面積的大小調整電磁耦合的量，當絕緣基材的高度增加時，可增加饋入單元的面積，以提高電磁耦合的量，使得微帶天線可透過饋入單元經由電磁耦合(Electromagnetic Coupling)與第一導電層形成電性連結，藉此進行訊號的接收與發送。
　　本創作之一目的，在於提供一種微帶天線，其中微帶天線包括複數種不同的共振頻率，且微帶天線的複數個共振頻率分別與隔絕區的周長、第一導電層之邊長及對角線長度相關，並可透過隔絕區的周長、第一導電層之邊長及對角線長度之改變來調整微帶天線的共振頻率。
　　本創作之一目的，在於提供一種微帶天線，主要於絕緣基材相對的兩個表面上分別設置第一導電層及第二導電層，並於第二導電層上設置至少一隔絕區，而隔絕區內則設置至少一饋入單元。此外亦可進一步在第一導電層及/或第二導電層上設置至少一第一絕緣單元及/或至少一第二絕緣單元，藉此將可在不改變微帶天線之尺寸、體積及材料的前提下，降低微帶天線的共振頻率。
　　本創作之一目的，在於提供一種圓極化微帶天線，主要於絕緣基材相對的兩個表面上分別設置第一導電層及第二導電層，並於第二導電層上設置至少一隔絕區，而隔絕區內則設置至少一饋入單元，此饋入單元具有至少一凸出分枝，可利用此一凸出分枝與饋入單元其他區域之相對角度關係或尺寸與形狀上的調整，進而達成圓極化天線的目的。
　　為達到上述目的，本創作提供一種微帶天線，用以連結一訊號饋入端，並用以接收與傳送無線訊號，包括：一絕緣基材，包括一第一表面及一第二表面，且第一表面與第二表面相對；至少一第一導電層，設置於絕緣基材的第一表面；至少一第二導電層，設置於絕緣基材的第二表面，其中第二導電層包括至少一隔絕區，且隔絕區為第二導電層內或沿第二導電層周邊未設置導電材料的區域；及至少一饋入單元，設置於絕緣基材的第二表面，並位於第二導電層之隔絕區內，用以連結訊號饋入端，其中隔絕區用以分隔第二導電層及饋入單元，且饋入單元經由電磁耦合，與隔著絕緣基材的第一導電層形成電性連結。
　　在本創作微帶天線一實施例中，其中第一導電層包括至少一延伸部，且延伸部位於絕緣基材的至少一側面，使得第一導電層由絕緣基材的第一表面延伸至至少一側表面。
　　在本創作微帶天線一實施例中，其中隔絕區為矩形、圓形、橢圓形、長橢圓形、多邊形、有至少一凸出分枝的幾何形狀或任意幾何形狀。
　　在本創作微帶天線一實施例中，其中饋入單元為矩形、圓形、橢圓形、長橢圓形、環狀、中空幾何形狀、有至少一凸出分枝的幾何形狀或任意幾何形狀。
　　在本創作微帶天線一實施例中，其中饋入單元連結一電路板或一同軸線之訊號饋入端，而第二導電層則連結電路板或同軸線之接地端。
　　在本創作微帶天線一實施例中，包括一第一共振頻率及一第二共振頻率，且第一共振頻率及第二共振頻率分別與第一導電層之邊長及對角線的長度相關，並可由第一導電層之邊長及對角線的長度的改變來調整第一共振頻率及第二共振頻率。
　　在本創作微帶天線一實施例中，包括一第三共振頻率，且第三共振頻率與隔絕區的周長相關，並可由隔絕區的周長調整第三共振頻率。
　　在本創作微帶天線一實施例中，包括至少一第一絕緣單元，設置於第一導電層內，且第一絕緣單元為第一導電層內未設置導電材料的區域。
　　在本創作微帶天線一實施例中，其中第一絕緣單元為圓弧形、橢圓弧形、不規則弧形、方形、長條形、具有至少三分枝的幾何形狀、X形或任意幾何形狀。
　　在本創作微帶天線一實施例中，包括至少一第二絕緣單元，設置於第二導電層內，且第二絕緣單元為第二導電層內未設置導電材料的區域。
　　在本創作微帶天線一實施例中，其中第二絕緣單元為圓弧形、橢圓弧形、不規則弧形、方形、長條形、具有至少三分枝的幾何形狀、X形或任意幾何形狀。
　　在本創作微帶天線一實施例中，其中饋入單元及隔絕區設置在第二導電層的邊緣或周邊。
10‧‧‧微帶天線
11‧‧‧絕緣基材
13‧‧‧第一導電層
15‧‧‧第二導電層
171‧‧‧饋入區
173‧‧‧導電元件
20‧‧‧微帶天線
21‧‧‧絕緣基材
211‧‧‧第一表面
213‧‧‧第二表面
22‧‧‧電路板
221‧‧‧訊號饋入端
223‧‧‧接地端
23‧‧‧第一導電層
24 ‧‧‧同軸線
241‧‧‧訊號饋入端
243‧‧‧接地端
25‧‧‧第二導電層
261‧‧‧第一導電黏合單元
263‧‧‧第二導電黏合單元
271‧‧‧饋入單元
2711‧‧‧凸出分枝
2713‧‧‧開孔
273‧‧‧隔絕區
2731‧‧‧凸出分枝
28‧‧‧絕緣單元
30‧‧‧微帶天線
32‧‧‧第一絕緣單元
33‧‧‧第一導電層
34‧‧‧第二絕緣單元
35‧‧‧第二導電層
371‧‧‧饋入單元
373‧‧‧隔絕區
第１Ａ圖：為習用微帶天線之上側示意圖；
第１Ｂ圖：為習用微帶天線之下側示意圖；
第２Ａ圖：為本創作微帶天線一實施例的上側示意圖；
第２Ｂ圖：為本創作微帶天線一實施例的下側示意圖；
第２Ｃ圖：為本創作微帶天線一實施例的仰視圖；
第３圖：為本創作微帶天線一實施例的返回損失特性圖；
第４圖：為本創作微帶天線又一實施例的剖面示意圖；
第５圖：為本創作微帶天線又一實施例的剖面示意圖；
第６圖：為本創作微帶天線又一實施例的上側示意圖；
第７圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第８圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第９圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第10圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第11圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第12圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第13圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第14圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第15圖：為本創作微帶天線又一實施例的仰視圖；
第16圖：為本創作微帶天線一實施例的之軸比與角度之對應圖；
第17Ａ圖：為本創作微帶天線又一實施例的上側示意圖；
第17Ｂ圖：為本創作微帶天線又一實施例的下側示意圖；
第18圖：為本創作微帶天線又一實施例的俯視圖；
第19圖：為本創作微帶天線又一實施例的俯視圖；及
第20圖：為本創作微帶天線又一實施例的俯視圖。
　　雖然已透過舉例方式在圖式中描述了本創作的具體實施方式，並在本文中對其作了詳細的說明，但是本創作還允許有各種修改和替換形式。本創作之圖式內容可為不等比例，圖式及其詳細的描述僅為特定型式的揭露，並不為本創作的限制，相反的，依據專利範圍之精神和範圍內進行修改、均等構件及其置換皆為本創作所涵蓋的範圍。
　　請參閱第２Ａ圖、第２Ｂ圖及第２Ｃ圖，分別為本創作微帶天線一實施例的上側示意圖、下側示意圖及仰視圖。如圖所示，本創作所述之微帶天線20主要包括一絕緣基材21、至少一第一導電層23、至少一第二導電層25、至少一饋入單元271及至少一隔絕區273。
　　絕緣基材21可為介電材質或磁性材質，並包括一第一表面211及一第二表面213，其中第一表面211與第二表面213相對，例如第一表面211可為上表面，而第二表面213則為下表面。
　　在本創作一實施例中，第一導電層23設置在絕緣基材21的第一表面211上，而第二導電層25則設置在絕緣基材21的第二表面213上，使得第一導電層23與第二導電層25相對。第二導電層25上設置至少一隔絕區273，其中隔絕區273為第二導電層25內未設置導電材料的區域。饋入單元271設置於絕緣基材21的第二表面213，並位於第二導電層25之隔絕區273內，其中隔絕區273可用以分隔第二導電層25及饋入單元271。
　　微帶天線20之饋入單元271可連接一訊號饋入端，使得微帶天線20可進行無線訊號的傳送及接收。在本創作一實施例中，第二導電層25亦可連接一接地端。
　　本創作所述之微帶天線20主要經由電磁耦合的原理，由饋入單元271與隔著絕緣基材21的第一導電層23建立電性連結，使得微帶天線20可用以進行無線訊號的接收或發射。相較於習用之微帶天線10而言，本創作所述之微帶天線20不用在絕緣基材11、第一導電層13及第二導電層15上設置穿孔，亦不用將導電單元173穿過絕緣基材11、第一導電層13及第二導電層15上的穿孔，藉此將可簡化微帶天線20的製程步驟及減少材料的使用，並達到降低微帶天線20之製作成本的目的。
　　在實際應用時可調整饋入單元271之面積的大小及饋入單元271與第一導電層13的相對位置關係，來改變電磁耦合的大小或能量，饋入單元271的部分面積或全部面積與第一導電層13重疊或完全不重疊。例如當絕緣基材21的高度增加時，可增加饋入單元271的面積，或者是增加饋入單元271與第一導電層13相互重疊的面積，以提高電磁耦合的能量，使得饋入單元271能隔著絕緣基材21與第一導電層13建立電性連結，讓微帶天線20能進行訊號的收發。
　　在本創作一實施例中，微帶天線20包括至少兩個共振頻率，其中第一共振頻率與第一導電層23之邊長L1相關，而第二共振頻率則與第一導電層23之邊長L2相關。在實際應用時亦可透過第一導電層23之邊長或對角線的長度改變，來調整微帶天線20的第一共振頻率及第二共振頻率。
　　在本創作一實施例中，請配合參閱第３圖所示，其中第一導電層23之邊長L1的長度約為30.0mm；第一導電層23之邊長L2的長度約為29.5mm；第一共振頻率M1約為1.530GHz，其返回損失約為-15.5 dB；第二共振頻率M2約為1.590GHz，其返回損失約為-19.2 dB。
　　本創作實施例所述之微帶天線20亦可包括一第三共振頻率M3，其中第三共振頻率M3與隔絕區273的周長相關。在實際應用時可透過改變隔絕區273的周長來調整微帶天線20的第三共振頻率。請配合參閱第３圖所示，在本創作一實施例中，隔絕區273的周邊總長度約為26mm，而第三共振頻率M3則約為2.310GHz，其返回損失約為-21.3 dB。
　　如上述實施例所述，本創作之微帶天線20可具有複數種共振頻率，並可透過隔絕區273的周長、第一導電層23之邊長及對角線的長度調整微帶天線20的共振頻率，藉此以提高微帶天線20的適用範圍。
　　在本創作一實施例中，請配合參閱第４圖及第５圖，微帶天線20可連接一電路板22或一同軸線24，其中饋入單元271透過第一導電黏合單元261連接電路板22或同軸線24之訊號饋入端221/241，而第二導電層25則透過第二導電黏合單元263連接電路板22或同軸線24之接地端223/243。
　　在本創作另一實施例中，亦可於隔絕區273及未設置第二導電黏合單元263之第二導電層25上設置絕緣材料28，絕緣材料28不僅可用以保護微帶天線20，亦有利於進行微帶天線20與電路板22或同軸線24的連接。
　　在本創作一實施例中，請配合參閱第６圖所示，第一導電層23亦可包括至少一延伸部231，其中延伸部231位於絕緣基材21的至少一側表面215，使得第一導電層23由絕緣基材21之第一表面211延伸至絕緣基材21的至少一側表面215，且第一導電層之延伸部231並不與第二導電層25相連接。
　　此外本創作所述之饋入單元271及隔絕區273可設置在第二導電層25內部，如第２Ｂ及２Ｃ圖所示，而在不同實施例中，饋入單元271及隔絕區273亦可設置在第二導電層25的邊緣或周邊，如第７及８圖所示。
　　隔絕區273可為矩形、圓形、橢圓形、長橢圓形或任意幾何形狀，如第７、９、10及11圖所示，此外隔絕區273亦可為多邊形，如第12及13圖所示。在不同實施例中，隔絕區273更可包括至少一凸出分枝2731，如第８、12、13及15圖所示。
　　位於隔絕區273內部之饋入單元271的形狀可與隔絕區273近似，如第７、８、９及12圖所示，亦可不與隔絕區273近似，如第10、11、13、14及15圖所示。此外饋入單元271可為矩形、圓形、橢圓形或長橢圓形，如第７、９、10、11及13圖所示，饋入單元271亦可為多邊形或任意幾何形狀，如第８、12、14及15圖所示。在不同實施例中，饋入單元271可包括至少一凸出分枝2711，如第８、12、14及15圖所示，或使得饋入單元271為環狀或中空幾何形狀，並包括一開孔2713，如第11圖所示。
　　微帶天線20之饋入單元271可以具有至少一凸出分枝2711，經由改變凸出分枝2711的尺寸或形狀，或者是調整凸出分枝2711與饋入單元271其他區域之相對角度，可以讓微帶天線20產生圓極化或線性極化。在本創作一實施例中，請配合參閱第８圖所示，饋入單元271之凸出分枝2711為細長條狀且與其底部成直角關係，其中L3的長度約為8.5mm，L4的長度約為8mm，凸出分枝2711與其底部之寬度皆約為1mm，如此則微帶天線20可形成圓極化特性。請配合參閱第16圖所示，為微帶天線20之軸比(Axial Ratio)與角度之對應圖，其中第一導電層23之正上方方向(天頂方向Zenith Direction)為0度，該微帶天線20的軸比小於3，換言之該微帶天線20具有優越的圓極化特性。
　　請參閱第17Ａ圖及第17Ｂ圖，分別為本創作微帶天線又一實施例的上側示意圖及下側示意圖。如圖所示，本創作所述之微帶天線30主要包括一絕緣基材21、至少一第一導電層33、至少一第二導電層35、至少一第一絕緣單元32、至少一第二絕緣單元34、至少一饋入單元371及至少一隔絕區373。
　　在本創作一實施例中，第一導電層33設置在絕緣基材21的第一表面211上，而第二導電層35則設置在絕緣基材21的第二表面213上，使得第一導電層33與第二導電層35相對。第二導電層35上設置至少一隔絕區373，其中隔絕區373為第二導電層35內未設置導電材料的區域。饋入單元371設置於絕緣基材21的第二表面213，並位於第二導電層35之隔絕區373內，其中隔絕區373可用以分隔第二導電層35及饋入單元371。
　　在本創作一實施例中，第一導電層33上可設置至少一第一絕緣單元32，其中第一絕緣單元32為第一導電層33內未設置導電材料的區域。在本創作另一實施例中，第二導電層35上可設置至少一第二絕緣單元34，其中第二絕緣單元34為第二導電層35內未設置導電材料的區域，且第二絕緣單元34可位於隔絕區373與第二導電層35之至少一邊緣之間。
　　在實際應用時，可分別於微帶天線30之絕緣基材21的第一表面211及第二表面213上設置第一絕緣單元32及第二絕緣單元34，當然亦可僅於微帶天線30之絕緣基材21的第一表面211上設置第一絕緣單元32，或是僅於微帶天線30之絕緣基材21的第二表面213上設置第二絕緣單元34。
　　第一絕緣單元32及第二絕緣單元34分別為第一導電層33及第二導電層35上未建置導電材料的區域，並可為第一導電層33及第二導電層35上的複數個槽孔。由於第一導電層33及/或第二導電層35上的電流無法通過第一絕緣單元32及/或第二絕緣單元34，因此透過第一絕緣單元32及/或第二絕緣單元34的設置，將會增加訊號電流在第一導電層33及/或第二導電層35上的路徑長度，並達到降低微帶天線30之共振頻率的目的。
　　在本創作實施例中，僅需要在第一導電層33及/或第二導電層35上設置複數個第一絕緣單元32及/或第二絕緣單元34，便可在不增加第一導電層33及/或第二導電層35之面積的前提下，降低微帶天線30的共振頻率。
　　此外在本創作實施例中，在降低微帶天線30之共振頻率時，亦不需要更換使用介電係數較高的絕緣基材21。換言之，在製作本創作所述之微帶天線30的過程中，製造商可大量製作相同尺寸及材質的第一導電層33、第二導電層35及/或絕緣基材21，並僅需要在第一導電層33及/或第二導電層35上設置第一絕緣單元32及/或第二絕緣單元34，即可改變微帶天線30之共振頻率，藉此將有利於大幅降低微帶天線30的製作成本。
　　第一絕緣單元32可為圓弧形、橢圓弧形、不規則弧形、方形、長條形、具有至少三分枝的幾何形狀、X形或任意幾何形狀，如第18、19及20圖所示，此外第二絕緣單元34亦可為圓弧形、橢圓弧形、不規則弧形、方形、長條形、具有至少三分枝的幾何形狀、X形或任意幾何形狀。
　　在本創作中所述之連接指的是一個或多個物體或構件之間的直接連接或者是間接連接，例如可在一個或多個物體或構件之間存在有一個或多個中間連接物。
　　說明書之系統中所描述之也許、必須及變化等字眼並非本創作之限制。說明書所使用的專業術語主要用以進行特定實施例的描述，並不為本創作的限制。說明書所使用的單數量詞(如一個及該個)亦可為複數個，除非在說明書的內容有明確的說明。例如說明書所提及之一個裝置可包括有兩個或兩個以上之裝置的結合，而說明書所提之一物質則可包括有多種物質的混合。
　　以上所述者，僅為本創作之較佳實施例而已，並非用來限定本創作實施之範圍，即凡依本創作申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本創作之申請專利範圍內。
20‧‧‧微帶天線
21‧‧‧絕緣基材
213‧‧‧第二表面
25‧‧‧第二導電層
271‧‧‧饋入單元
273‧‧‧隔絕區

Claims (14)

  1. 一種微帶天線，用以接收與傳送無線訊號，包括：
    一絕緣基材，包括一第一表面及一第二表面，且該第一表面與該第二表面相對；
    至少一第一導電層，設置於該絕緣基材的第一表面；
    至少一第二導電層，設置於該絕緣基材的第二表面，其中該第二導電層包括至少一隔絕區，且該隔絕區為該第二導電層內未設置導電材料的區域；及
    至少一饋入單元，設置於該絕緣基材的第二表面，並位於該第二導電層之該隔絕區內，用以連結一訊號饋入端，其中該隔絕區用以分隔該第二導電層及該饋入單元，且該饋入單元經由電磁耦合，與隔著該絕緣基材的該第一導電層形成電性連結。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，其中該第一導電層包括至少一延伸部，且該延伸部位於該絕緣基材的至少一側面，使得該第一導電層由該絕緣基材的第一表面延伸至該至少一側表面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，其中該隔絕區為矩形、圓形、橢圓形、長橢圓形、多邊形、有至少一凸出分枝的幾何形狀或任意幾何形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，其中該饋入單元之部分面積或全部面積隔著該絕緣基材與該第一導電層重疊。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，其中該饋入單元為矩形、圓形、橢圓形、長橢圓形、環狀、中空幾何形狀、有至少一凸出分枝的幾何形狀或任意幾何形狀。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，其中該饋入單元包括至少一凸出分枝，透過調整該凸出分枝的尺寸、形狀或該凸出分枝與該饋入單元其他區域之間的角度，可使得該微帶天線產生圓極化特性。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，其中該饋入單元連結一電路板或一同軸線之訊號饋入端，而該第二導電層則連結該電路板或該同軸線之接地端。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，包括一第一共振頻率及一第二共振頻率，且該第一共振頻率及該第二共振頻率分別與該第一導電層之邊長及對角線的長度相關，並可由該第一導電層之邊長及對角線長度的改變來調整該第一共振頻率及該第二共振頻率。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之微帶天線，包括一第三共振頻率，且該第三共振頻率與該隔絕區的周長相關，並可由改變該隔絕區的周長來調整該第三共振頻率。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，包括至少一第一絕緣單元，設置於該第一導電層內，且該第一絕緣單元為該第一導電層內未設置導電材料的區域。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之微帶天線，其中該第一絕緣單元為圓弧形、橢圓弧形、不規則弧形、方形、長條形、具有至少三分枝的幾何形狀、X形或任意幾何形狀。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，包括至少一第二絕緣單元，設置於該第二導電層內，且該第二絕緣單元為該第二導電層內未設置導電材料的區域。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之微帶天線，其中該第二絕緣單元為圓弧形、橢圓弧形、不規則弧形、方形、長條形、具有至少三分枝的幾何形狀、X形或任意幾何形狀。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之微帶天線，其中該饋入單元及該隔絕區設置在該第二導電層的邊緣或周邊。
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