TWM435367U - Black film structure - Google Patents

Description

1V1^^5367 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作是有關於—種黑膜結構，制是有關於一種 降低反射率之光學結構與減少可見光各波長之反射 率差異之黑膜結構與製造方法。 【先前技術】 現7 夕手機、家電或鏡框等，大多喜歡以黑色凸 時尚感，以增加其工藝價值。尤以資訊產品為甚， 例=電腦、通訊產品及、;肖費者電子產品。舉例而言，例 如筆記型電腦外框、相機鏡頭邊框、液晶螢幕外框、電 視外框、平板電腦及手機外框皆常見此類型之設計。 目前，手機、家電或鏡框等染黑色之方法同樣多為 塗黑漆、烤漆或黏上—層黑色勝臈。其t黑漆大多缺乏 壳面效果，因而減少黑色特有的時尚感。烤漆或黑色膠 膜車=容易有亮面效果，而產生更多時尚感，但烤漆或黑 ，膠膜容易因碰撞或觸使得顏色脫落，導致折舊而^ ^其“值。因此需要一種不易磨損的黑膜，以維持外觀。 【新型内容】 一日有鑑於上述習知技藝之問題，本創作之其中—目的 ^是在提供一種黑膜結構，以解決一般黑膜結構容 損且反射率太高之問題。 緣是，為達上述目的，本創作之黑膜結構，其包含： 3 M435367 第^光吸收層例如為透明之連接層，此連接層位於第 ^光吸收層上；具有第_厚度之第二光吸收層，此第二 光吸收層位於連接層上，且第—厚度之大小係與例如可 見光反射率呈對應關係；具有第二厚度之調整層，此調 整層位於第二光吸收層上，此調整層可例如使可見光各 波長反射率之差異性變小；以及基材此基材可例如位 於調整層上或第一光吸收層下。 其中，本創作之黑膜結構藉由第一光吸收層、連 層與第二光吸收層形成—具有降低可見纽射率之光學 ^冓，此光學結構之可見光反射率係例如與第二光吸收 ，之第-厚度呈對應關係。舉例而言，此光學結構之可 =反射率可例如與第二光吸收層之第—厚度成正比。 夕，本創作之黑膜結構更藉由改變調整層之第二 長反射率之差異性變小，藉以減少黑膜： :之=產生偏移之現象。詳言之，因為改變調整層之 第-厚度可使得反射率波蜂於可見絲段中， =波長偏移或短波長偏移’進㈣免黑膜結構之顏色 產生偏紅或偏藍的現象。 ^ 為钬中、第％吸收層與第二光吸收層的材質可例如 為鉻、鈦或其他具有低反射率之金屬，且第二 ㈣如小於約30nm，且第一厚度較佳為約二 =5nm的區間内，調整層之第二厚度介於約— 至約15〇nm之間’而第二厚度較佳為約65邮。 其中’調整層與連接層之材質為梦氧化物或紹氧化 物等低折射率材料，基材係為坡璃、金屬或高分子材料。 個下述’依本創作之黑膜結構，其可具有一或多 少夕卜(^磨t創作可藉由調整層以保護黑膜結構，藉此減 率之(1)二創1可精由調整層以減少可見光各波長反射 的現象二、曰此避免黑膜結構之色澤產生偏紅或偏藍 率之(】)二創：可稭由調整層以減少可見光各波長反射 旱之差異性，猎此增加黑膜結構之均勾度。 ⑷此黑膜結構可藉由第—光吸收層、連接層鱼第 光學結構降低反射率，藉此增加黑膜 【實施方式】 圖。：ί閱^1圖’其係為本創作之黑膜結構之示意 "Θ中，…膜結構包含第一光吸收層2，此第一光嗯 連生接一:一 ^接層3,連接層3上形成—第二光吸收層4，其中 ^層3係用以連接第一光吸收層2與第二光吸收層私 上更形成調整層5’用以產生保護作用， =減> 外在磨損。其卜第—光吸收層2與第二光吸 :4之材貝例如為低反射率之鉻或鈦，連接層3盘調 整層5之材質例如為可透光之石夕氧化物或銘氧化物等低 M435367 折射率材料。此外，黑膜結構更可包含基材工，此基材！ 可例如位於第-光吸收層2下，亦或位於㈣層5上。 當基材丨位料同之位置時，會使得從調整層5 ^方向觀看此黑膜結構時，此黑膜結構所顯示之色澤盘 :==等另外’基材1之材質可例如為金屬: ，參閱第3圖，其係為本創作之第二光吸收層 =度對可見光平均反射率之示意圖。如第ι圖與第3 =斤:’於本創作之實施财’第_光吸收層2、連接 吸收光線崎低紐反射率。 光吸收層2下為例，位於基材;位於第一 甘珂1上之第一光吸收層2係 二？、中鉻材質具有良好鍍率、緻密性與附著力。此 =先吸收層2之厚度範圍例如為5〇nmi 35〇咖，更 ^為75細至130nm，且較佳厚度係為1〇〇咖。此外， 第一光吸收層2之厚度變化與黑膜 =直接關係。此外，連接層3之厚度 在本ΓΓ 7Gnm至9Gnm ’且較佳厚度係為。 在本創作之黑膜結财，第二光財| 4 層，其中此第二光吸收層4之第一厚度A盘反射光= 二光平均反射率呈對應關係。舉例而言，此第二： 層4之第一厚度八與反射光之可見 於特定範圍内呈正比關係。詳言第圖：；可例如 々域一 } 如第3圖之本創作 之第-光吸收層4之第-厚度Α對可見光平均 示意圖中所示，當第二光吸收層4之第1度Mi M435367 =’可見光平均反射率為5 96%; #第二光吸收層4之 ^-厚度A為如時，可見光平均反射率為3 48%; 虽第二光吸收層4之第一厚度八為1〇nm時，可見光平 均反射率為1.52%;當第二光吸收層4之第—厚度八為 5nm時’可見光平均反射率為〇 94〇/。。综前所述，若第 「光吸收層4之第-厚度A越薄時’則可見光平均反射

率有越小之趨勢。但，若第二光吸收層4之第一厚度A 小於6 nm fl夺’其可見光之平均反射率便會微幅上升。此 外，第二光吸收層4之較佳第一厚度a約為6nm至16 5 nm此區間内。 凊參閱第5圖，其係為本創作黑膜結構之可見光反 射率對可見光波長之示意圖。如第丨圖與第5圖所示， 調整^5位於第二光吸收層4上，此調整層5之第二厚 度B範圍係為50nm至15〇nm之間。其中，當調整層5 之第二厚度B變厚時，可見光波長較長之紅光區之反射 率係跟著增加，因此導致反射光之顏色偏黃，且可見光 反射率最大差異值e亦增加。更具體的來說，當調整層 5之第二厚度B大於9〇nm時，反射光之顏色偏黃，且 可見光反射率最大差異值e將接近5%。其中，調整層5 之較佳厚度係為65nm，調整層5之第二厚度B為65nm 日夺可見光反射率最大差異值小於1%。更具體的來說， 虽s周整層5之第二厚度b為65nm時，黑膜結構反射之 顏色較為平均，使黑膜結構之顏色不會因為反射率波峰 於可見光區段中，往長波長偏移或往短波長偏移而產生 色澤偏紅或偏藍的現象。換言之，當調整層5之第二厚 7 M435367 度B為65nm，且第二光吸收層4之第一厚度A為i5nm 時’可見光反射率最大差異值不僅小於，且比無調整 層5之差異值更小。如此一來，黑膜結構所顯現出的顏 色會較均勻’但色澤度會較不黑。 ^ »月參閱第2圖，其係為本創作黑膜結構之光學示意 圖。如第1圖與第2圖所示，光線al照射黑膜結構後產 生反射光a2與射入調整層5之第一折射光a3，第一折 射光a3接觸到第二光吸收層4後產生第一反射光“與 第二折射光Μ，其中第一反射光a4與反射光a2所對應 波長之光線發生破壞性干涉，藉此吸收反射光a2所對應 波長之光線。 u 射入第二光吸收層4之第二折射光bl接觸到連接層 3後產生第二反射光b2與第四折射光cl，第二反射光 b2於第二光吸收層4反覆折射與反射產生複數個不同光 矛王差之第二反射光b2，此複數個不同光程差之第二反射 光b2接觸調整層5時產生複數個不同光程差之第三折射 光b3，此複數個不同光程差之第三折射光^3與所對應 波長之反射光a2發生破壞性干涉，藉此吸收反射光a2 所對應波長之光線。 射入連接層3之第四折射光cl碰觸到第一光吸收層 2後產生第三反射光C2，第三反射光c2觸到第二光吸收 層4後產生第四反射光c3，第二光吸收層4中反覆折射 與反射產生之複數個不同光程差之第二反射光b2於連 接層3中折射出複數個不同光程差之第五折射光d，此 M435-367 複數個不同光程差之第五折射光d與第五折射光d所對 應波長之光線發生破壞性干涉，藉此吸收第五折射光d 所對應波長之光線。 詳言之’本創作藉由改變調整層5之第二厚度B與 第二光吸收層4之第一厚度A後，即可改變黑膜結構對 可見光各波長之反射率。其中，改變調整層5之第二厚 度B係可用以調整可見光各波長之反射率之差異性，使 黑膜結構反射之光線更平均。其中，改變第二光吸收層 4之第一厚度A係可用以降低可見光各波長之反射率， 藉此降低黑膜結構之可見光平均反射率。 清參閱第4圖，其係為本創作黑膜結構之製造方法 之流程圖。如第1圖與第4圖所示，以黑膜結構之基材 1 生位於第一光吸收層2下為例，本創作之黑膜結構之製 造方法，包含下列步驟：於步驟S1，提供一基材丨。於 步驟S2’形成第一光吸收層2於此基材丨上。於步驟§3、， 形成，接層3於第一光吸收層2上。於步驟以，形成具 有一第一厚度A之第二光吸收層4於連接層3上。以及 於步驟S5’形成具有—第二厚度B之調整層5於該第二 光吸收層4 _L。另外’當基材丨位於調整層$上時 =膜結構之製造方法可例如於步驟si後，依序進行 S丄:：驟S4 '步驟S3與步㈣。亦或者，可例如依序 調'm:步:外S3、步驟S4與步驟S5，且基材1與 第一“二 前述之第一光吸收層2、連接層3、 先及收層4及調整層5之形成方法係例如為賤錢、 ☆鍍、化學沉積（ChemiCal Vapor Dep〇sm〇n， 9 M435367 cvd)、電漿化學氣相沉積（Plasma ―时㈤叫心⑹ Vapor Deposition，PECVD)或塗佈等沉積方法其中第 -光吸收層2與第二光吸收層4之材質係例如為絡、欽 等低反射率之材質。其中’調整層5與連接層3之材質 係例如為矽氧化物、氮化物或鋁氧化物等低折射率^ 質，且基材1之材質係例如為玻璃、金屬或高分子材料。 此外，第二光吸收層4之第一厚度A例如為小於—， 且杈佳為6 nm至16.5 nm此區間。該調整層5之該第二 厚度B例如為介於5Gnn^15()nm之間1較佳為二二# 以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任 :本：二之！神與範疇’而對其進行之等效修改或變 更，均應包$於後附之申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 第1圖係為本創作之黑膜結構之示意圖。

第2圖係為本創作之黑膜結構之光學示意圖。 第3圖係為本創作之黑膜結構之第一厚度對 平均反射率之示意圖。 第4圖係為本創作之黑臈結構之製造方法之流程 圖0

係為本創作之黑膜結構 見光波長之示意圖。 之可見光反射率對可 【主要元件符號說明】 M435367 1 :基材 2:第一光吸收層 3 :連接層 4 :第二光吸收層 5 :調整層 51 :提供基板 52 :形成第一光吸收層 52 :形成連接層 53 :形成第二光吸收層 54 :形成調整層 A :第一厚度 B :第二厚度 al :光線 a2 :反射光 a3 :第一折射光 a4 :第一反射光 bl :第二折射光 b2 :第二反射光 b3 :第三折射光 cl :第四折射光 c2 :第三反射光 c3 :第四反射光 d :第五折射光 e:可見光反射率最大差異值

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍·· 種黑膜結構，其包含·· 一第一光吸收層； 透明之連接層，位於該第一光吸收層上； /、有第一厚度之一第二光吸收層，位於該連接 曰 其中該第二光吸收層之該第一厚度小於 30nm ; 、 具有一第二厚度之一調整層，位於該第二光吸收 二上，其中該調整層之該第二厚度介於5〇nm至 率之"：里藉以減少一反射光中可見光之各波長反射 平之差異性；以及 2. 基材，位於1 2亥第—光吸收層下或該調整層上。 =申請專利範圍第1項所述之黑臈結構，豆中該第 =;收層與該第二光吸收層之材質係為-低反射 年材質。

   如申請專利範圍第2 反射率材質為鉻或鈦 項所述之黑膜結構，其中該低 12 6. 1 如申請專利刚i項所述之黑膜結構，其中該第 ，吸收層之該第-厚度之大小係與該反射光之可 見光反射率呈一對應關係。 2 ^申請專利範圍第4項所述之黑膜結構，其中該對 應關係係正比關係。 M435367 折射率物質為碎氧化物、氮化物或銘氧化物。 7.如申請專利範圍第1項所述之黑膜結構，其中該基 材之材質係為玻璃、金屬或高分子材料。 13