TWM267636U - Linear type semiconductor light-emitting apparatus - Google Patents

Description

M267636 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係關於一種半導體發光裝置，特別是關於一種 利用線型光導體與發光二極體發光技術的半導體發光裝 置。 【先前技術】 發光二極體（Light Emitting Diode，LED)係一種利用半導體 材料中之電子、電洞相結合而釋放能量的發光元件，主要 應用於顯示用途，由於其兼具體積小、壽命長、驅動電壓 低、反應速率高以及耗電量低等優點，故亦逐漸應用於照 明系統中。目前此種半導體光源的技術發展，所使用的基 f原理大部份為點光源，當其擴大應用至線光源或面光源 日守，通常係利用半導體之點光源組合成線光源後再加以應 用。例如液晶顯示器（LCD)的背光模組，其背光源通常是

使用 β 陰極金光燈(C〇ld Cathode Fluorescent Lamp，CCFL)或 LED 組成線光源之後，再側向地進入一楔型或長方型之光導板 ，利用光導板以垂直方式導出光線而形成面光源。由於 CCFL之發光效率約為7〇lm/w，以目前白光㈣的最高發 光效率可達74lm/W的情況，隨著半㈣技術之日益精進， LED有大幅超越CCFL發光效率的趨勢，另一方面，由於 需利用汞蒸氣做為放電物質，並不符環保與健康之 主流’歐盟已宣佈自二00六年開始，禁止含汞白勺ccfl在 歐盟地區銷售，故白光咖的發展已益形重要且更具商機 M267636 而線型及面型半導體光源之技術亦有待進一步發展。

有關線型半導體光源的技術方編 6639349號之專利中，揭賴專札編號弟 北^ 揭心了一種具有雙重發光模式的LCD

: 匕括有—螢光燈管及-設置於燈管管壁上的LED 光源，除了螢光燈管可自行發來休會… ^ ^ 管壁上的登光體做為第二=LED照射於燈 ~币尤你，其型態可為線型或JL他巒 =式種=國專利公開案編號第2〇〇4_— 種㈣的LED光源，料連之複數個娜設置於 h官中，亚將螢光體應用於光導管之管壁纽合於光導 g ’且其先導官之型態可為線型或任意形狀。 力以：二在ΐ述之專利案中’其對螢光體之塗佈應用並未 二Γ光源型態欲達到均勻之發光效果，則 分佈須為均勻狀態，由於勞光體係屬 :=f材料’此就成本之考量而言並不經濟，而且上 =專7之先源料較為繁複，在製造上也較困難，故 專利雖然具有LED之優點，“深具改良空間。 【新型内容】 本創作之主要目的在於提供一種、‘ Μ ^ ^ 動器，配合漸層式的螢光體分佈，二達驅 降低之效益’且兼具高亮度散熱 ;以 及環保等優點。 X兀双手回可〒以 依據本創作之實施態樣，—種線型半導 ^:一線型導光體；一半導體發光元件，設置於該線型； M267636 ，體之一端，而該線型導光體導引該半導體發光元件所發 =線；以及一螢光體組成，其濃度分別隨遠離該“ 體叙光70件之距離由疏至密地分佈在該線型導光體中該 螢光體組成反射該半導體發光元件所發出之光線，$ 線型半導體發光裝置的長度方向上各處發光的亮度實^ 相同。 、、 依據本創作之另一實施態樣，提供一種線型半導體發 光裝置包含一線型導光體；二半導體發光元件，分別言^ 置於该線型導光體之兩端，而該線型導光體導引該些 體發光元件所發出之光線；1乂及一螢光體組成，“八 ，隨遠離該些半導體發光元件之輯由疏至密料佈^ 3導光體中，該螢光體組成反射該些半導體發光元件所 ^出之光線，使得該線型半導體發光裝置的長度方 處發光的亮度實質上相同。 透明ί = 含一線型透明導管及一設置在該線型 其十中的V光層，螢光體組成可分佈於該線型透明導 二或该導光層中；肖線型透明導管可為實心或空心，JL材 二：士塑膠或玻璃。半導體發光裝置之發光為白光；^導 =70件可為發光二極體或雷射二極體，所使用之發光 在藍光至紫外光之間，而螢光體組成則包含綠色 忠光體及紅色螢光體。 茲將參照附隨之圖式，說明關於本創作之較詳細内容 及其具體可行之較佳實施例。 【實施方式】 一言明 > 閱第1圖，其為依據本創作之第一實施例的線型 半¥體务光裝置之示意圖。如圖所示，此線型半導體發光 M267636 裝置包含一透明塑膠管110、螢光體12〇、一發光二極體 130以及一基座140。其中，該透明塑膠管11〇呈長條狀 ，赉光一極體130係藉由基座而與透明塑勝管η。之 一端相結合並可與外部電源相連接，而螢光體12〇則以漸 層的方式，由靠近發光二極體13〇的一端至遠離發光二極 體130的鳊由疏至岔地分佈，此螢光體120可塗佈於透 明塑膠官no之官璧上，或者與透明塑膠管ιι〇之材質相 混合而形成於透明塑膠管11〇之管體中。 、 在此線型半導體發光裝置的結構中，做為光源的發光 二極體130所使用的波長範圍為藍光到紫外光，為配合此 么光了極體13G所釋放之人射光15()的波長範圍，榮光體 120係以綠色及紅色之螢光體混合而成，故當此入射光 150輻射進入透明塑膠管11〇中時，入射光15 與透明塑膠中的榮光體12M目配合而產生白光16〇 八備光體12G係依據距離光源之遠近而採漸層式 =面明塑膠管⑽所呈現之合成白…亮 度方面疋均勻的。 於本貫施例中，發夹-托辨 驊决扶冲μ 么先一極體13〇亦可利用一雷射二極 上 乍為光導管的透明塑膠管110之構造可為實心 或空心，其材質可為任意導光性佳之 替代之；當透明塑膠管110 =〆以玻璃 於透。之管壁的外二二=體1™ 半導示2依::創作之第二實施例的線型 “ θ 圖所不，此線型半導體發光 M267636 衮置包含一透明塑膠管21〇、螢光體22〇、一第一發光二 j 230、—第二發光二極體放、一第一基座⑽以及 一第二基座245。第一發光二極體230與第二發光二極體 235刀另】藉由第一基座24〇與第二基座而設置於長條 狀透明塑膠管210之兩端；榮光體22〇以漸層分佈的方式 ，由透明塑膠管210之兩端至中間區域由疏至密地分佈， 而在透明塑膝管210之中間區域達到最高濃度。 本貫施例在構造及材質的應用上大致相似於第—實施 J兩者主要之差異在於本實施例增加了一《源，故榮光 體220之分佈亦隨光源之增加而改變。與第一實施例相似 地，做為光源的第一發光二極體23〇與第二發光二極體 2所使用的波長範圍為藍光到紫外光，為使合成之輻射 先為均勾之白光260，螢光體22〇之組成成份係與此二光 源:釋放之入射光25〇的波長範園相配合，以綠色及紅色 之螢光體混合而成。透明塑膠管21〇可為實心或空心，μ ，體220可形成於透明塑膠管21〇之管壁上或混合於管= 體源之發光二極體可由雷射二極體替代，而螢光 --光源之波長相配合《爰，可將入射光250轉換為宾 度均勻之混成白光·。 ㈣為冗 式的本創作之線型半導體發光裝置利用漸層方 勺忠先體刀佈，不僅可產生亮度 先二極體或雷射二極體做為光源，其發光效率高、二 ’且較观更為縣，不射應用於液晶顯示;= M267636 模組，亦可應用於一般之照明系統。 雖然本創作已以較佳實施例揭露如上 限定本創作之實施範圍，任何熟習 :=非用以 創作之保護範圍當視後附之二 本 【圖式簡單說明】 實施例之線型半導體發光 第1圖係依據本創作之第 裝置之示意圖。 之第二實施例之線型半導體發光 弟2圖係依據本創作 裝置之示意圖。 主要元件符號說明】 110透明塑膠管 120螢光體 130發光二極體 140基座 150入射光 160白光 210透明塑膠管 220螢光體 230第一發光二極體 235第二發光二極體 240 % 一基座 245弟二基座 250入射光 260白光

Claims (1)

1. M267636 九、申請專利範圍： 1· 一種線型半導體發光裝置，包含： 一線型導光體； 一半導體發光元件，設置於該線型導光體之一端， 而忒線型導光體導引該半導體發光元件所發出之光線； 以及 赏光體組成，其濃度隨遠離該半導體發光元件之 距離由疏至密地分佈在該線型導光M中，_螢光體組居 反射》亥半$體金光元件所發出之光線，使得該線型半導 粗毛光衣置的長度方向上各處發光的亮度實質上相同。 2.如申請專㈣圍第！項所述之㈣半導體發絲置，其 中該線型導光體包含一線型透明導管及一設置在該線型 透明導管中的導光層。 I如申Ϊ專利範圍第2項所述之線型半導體發光裝置，其 中該螢光體組成係分佈在該線型透明導管中。 〃 4·:申請專利範圍第2項所述之線型半導體發光裝置，1 "亥k光體組成係分佈在該導光層中。 :申咕專利乾圍第！項所述之線型半導體發光 發光為白光。 且具 6·=申料利範圍第5項所述之線型半導體發光 體發光r所發出之先線的波長範圍是由藍; 體’。、 而忒赏光體組成包含綠色螢光體及紅色螢光 如申明專利乾圍第！項所述之線型半導體發光裝置，其 M267636 中該半導體菸来_ &8. 如申請專利範圍=包含發光二極體。 中該半導體發光元件Η述之線型半導體發光裝置 9. 如申請專利範圍ΓΠ 二極體。 罘2項所述之線型半導體發光裝置 1Ω 型透明導管之材質包含塑膠。 10·如申凊專利範圚 固乐2項所述之線型半導體發光裝置 中该線型透明導管之材質包含玻璃。 L tri專利範圍第3項所述之線型半導體發光裝置 中该線型透明導管包含實心構造。 12·:申請專利範圍第3項所述之線型半導體發光裝置 中該線型透明導管包含空心構造。 申明專利範圍第4項所述之線型半導體發光裝置，其 H線型透明導管包含實心構造，且該導光層係設置於 該線型透明導管之外壁表面上。 、 女申明專利範圍第4項所述之線型半導體發光裝置 中該線型透明導管包含空心構造。 •如申％專利範圍第14項所述之線型半導體發光裝置 中該導光層係設置於該線型透明導管之外壁表面上 如申明專利範圍第丨4項所述之線型半導體發光裝置 中该導光層係設置於該線型透明導管之内壁表面上。 17· —種線型半導體發光裝置，包含： 一線型導光體； 二半導體發光元件，分別設置於該線型導光體之兩 端’而該線型導光體導引該些半導體發光元件所發出之 其 其 其 其 其 其 其 其 12 1VI267636 · — •‘ 4 光線；以及 一 赏光體組成，其濃度分別隨遠離該些半導體發光· 兀件之距離由疏至密地分佈在該線型導光體中，該螢光： 版、、且成反射.亥些半導體發光元件所發出之光線，使得該· 、、泉里半導體發光裝置的長度方向上各處發光的亮度實質 上相同。 18.如申請專利範圍第17項所述之線型半導體發光裝置，其 中該線型導光體包含一線型透明導管及一設置在該線型 透明導管中的導光層。 — 19·如申明專利範圍第18項所述之線型半導體發光裝置，其 中忒k光體組成係分佈在該線型透明導管中。 如申明專利範圍第18項所述之線型半導體發光裝置，其 中該螢光體組成係分佈在該導光層中。 如申明專利範圍第17項所述之線型半導體發光裝置，其 發光為白光。 女申明專利範圍第21項所述之線型半導體發光裝置，其 φ 中該^半導體發光元件所發出之光線的波長範圍是由藍 光至紫外光，而該螢光體組成包含綠色螢光體及紅色螢 光體。 23·如申請專利範圍第17項所述之線型半導體發光裝置，其 中該些半導體發光元件包含發光二極體。 24.如申請專利範圍第口項所述之線型半導體發光裝置，其_ 2中该些半導體發光元件包含雷射二極體。 如申明專利範圍第18項所述之線型半導體發光裝置，其 13 M267636 26. 27. 28. 29. 30. 31. 32. 中該f型透明導管之材質包含塑膠。 申月專範圍第18項所述之線型半導體發光 中該，透明導管之材質包含玻璃。 置其 如申睛專利範圍第19項所述之線型半導體發光裝 中該線型透明導管包含實心構造。 、，/、 t申請專利範圍第19項所述之線型半導體發光裝置，盆 中该線型透明導管包含空心構造。 /、 =申請專利範圍第2G項所述之線型半導體發光裝置，立 中该線型透明導管包含實心構造， 該線型透明導管之外壁表面上。&先層係設置於 專利範圍第20項所述之線型半導體發光裝置， 中该線型透明導管包含空心構造。 專利範圍第30項所述之線型半導體發光裝置’ 光層係設置於該線型透明導管之外壁表面上。 利範圍第30項所述之線型半導體發光裝置， 以光層係設置於該線型透明導管之内壁表面上。 14