TWM257573U - Relay device with dual tunable intermediate frequency band widths - Google Patents

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TWM257573U
TWM257573U TW93207475U TW93207475U TWM257573U TW M257573 U TWM257573 U TW M257573U TW 93207475 U TW93207475 U TW 93207475U TW 93207475 U TW93207475 U TW 93207475U TW M257573 U TWM257573 U TW M257573U
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TW
Taiwan
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coupled
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TW93207475U
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Jr-Hau Lu
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Unitel Dev Technology Corp
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M257573 9、創作說明(l) 一、 【新型所屬 本創作係有 可藉由調整其第 第二頻寬之重疊 寬可調式之中繼裝置 二、 【先前技術 按一般行動 工器、低雜訊放 器,升頻器;高 一印刷電路板上 (例如中華電信’ 計’其中頻濾波 強度係固定的, 成收訊不佳之缺 三、【新型内容 本創作之目 置,其可藉由調 訊號之第二頻寬 中頻頻寬可調式 為達上述之 裝置’其包括: 行該應用系統所 接至該多工器, 身所產生的雜訊 之技術領域】 關於一種行動電話之中繼裴置,尤指一種 一中頻訊號之第一頻寬及第二中頻訊號之 性,糟以降低該射頻訊銳干擾之雙中頻頻 Π之中繼裝置(例如基地台)其通常將多 、降頻器、頻率合成器、中頻滤波 功:放:電路;以及多工器等元件配置於 。惟’習知之中繼裝置係,對特定業者 ‘二大二大或遠傳電信等)之要求所設 =二! 一個且其頻率、頻寬及訊號之 點,誠屬美中不足之處。易文到干擾,造 ] 的係提供一種雙中頻頻會> 整其第-中頻式 置藉以降低該射頻訊號干擾之雙 ^的:本=作之雙中頻頻寬可調式之中繼 i 夕工器,耦接至一應用系統,用以執 發射之該射頻訊號;低雜訊放大電路,耦 用以放大該射頻訊號並降低該中繼裝置本 ;第一中頻單元,耦接至該低雜訊放大電
第5頁 M257573 四、創作說明(2) 路’用以將該射頻訊?虎執4亍降頻至'第一中頻,並對該第 一中頻執行升頻、放大及帶通慮波後,使該射頻訊號具有 一第一頻寬後輸出,第^一中頻早元’麵接至該第一中頻單 元,用以將該具有第一頻寬之頻訊號執行降頻至一第二中 頻,並對該第二中頻執行升頻、放大及帶通慮波後,使該 射頻號具有一第二頻寬後輸出輸出,其中該第一頻寬及 該第二頻寬係可局部重疊;控制器,耦接至該第一中頻單 元及該第二中頻單元,用以控制提供至該第—中頻單元及 該第二中頻單元中之頻率;高功率放大電路,輕接至該第 元’其具有良好的線性度,可將該射頻訊號以升 至咼功率,以增加該射頻訊號之涵蓋範圍;以及第二多工 :丄高功率放大電4,用以將該射頻訊號:行; ϋίΐ植Γ藉由調整該第一中頻之第-頻寬及第 : 第-頻寬之重疊性’藉以降低該射頻訊號之干 四、【實施方式】 請參照圖1,其繪示根據本之 中頻頻寬可調式之中繼裝置之示意圖佳:施例之雙 之雙中頻頻寬可調式之中繼裝置主要包括”二”作 控制器5 ;高中頻單元3 ;第二中頻單元4 ; 成。其中,在本中繼Λ Γ及第二多工器7所組合而 構,其中-個用以執:=實施例中係包括兩個上述之結 之功能,惟其結構=傳:功能,而另-個則執行下傳 構白相冋,因此本實施例中將只針對 M257573 四、創作說明(3) 單元加以說明。 其中,該第一多工器1,耦接至一應用系統(例如 GSM、CDMA、WCDMA或DCS等通訊系統),用以執行該應用系 統所發射之該射頻訊號,其中該射頻訊號之頻率例如但不 限於為1 805MHz ;該低雜訊放大電路(LNA)2,係耦接至該 第一多工器1,用以放大該射頻訊號並降低該中繼裝置本 身所產生的雜訊·,該第一中頻單元3,耦接至該低雜訊放 大電路2,用以將該射頻訊號執行降頻至一第一中頻(丨F ) 例如但不限於為140MHz,並對該第一中頻執行升頻、放大 及帶通慮波後,使該射頻訊號具有一第一頻寬例如但不限 於為15MHz後輸出。 該第二中頻單元4,係耦接至該第一中頻單元3,用以 將該具有第一頻寬之頻訊號執行降頻至一第二中頻例如但 不限於為70MHz,並對該第二中頻執行升頻、放大及帶通 慮波後,使該射頻訊號具有一第二頻寬例如但不限於為 15MHz後輸出,其中該第一頻寬及該第二頻寬係為可調, 以便使該第一頻寬及該第二頻寬局部或全部重疊,再藉由 射頻訊號之邏輯”及”(RF AND)作用,使該第一頻寬及該第 二頻寬重疊之部份存在,而不重疊之部份消失,藉以增強 該射頻訊號之抗干擾能力。 抑該控制器5,係耦接至該第一中頻單元3及該第二中頻 單元4,用以控制提供至該第一中頻單元3及該第二中頻單 元4中之,。頻率;該高功率放大電路(HpA)6,係耦接至該第 一中頻單元4 ’其具有良好的線性度,可將該射頻訊號提
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升至高功率,以增加該射頻訊號之涵蓋範目 多工器7,耦接至該高功率放 及》玄第一 執行頻帶合成後輸出。 ,以將該射頻訊號 請參照’纟❹根據本 二中頻f元4之詳細方塊示意圖。如圖所之及第第 一中頻:兀3進一步包括:降頻器31 ;頻率合成器32 ;低 通濾波器33 ;第一放大器34 ;升頻器35 以及帶通濾波器37。 # A裔36 ’ 其中’。亥降頻器3 2 ’係耦接至該低雜訊放大電路2, 其利用差頻之方式,使该射頻訊號降頻至所需要的一第一 中頻訊號,其頻率例如但不限於為14〇MHz ;該頻率合成器 32,係辆接至該降頻器32及該控制器5,接受該控制器5 控制以提供該降頻器32-穩定之差頻信號,達到將 訊號降頻至第一中頻之目的;該低通濾波器33,係耦接至 該降頻器3 2,用以對該第一中頻訊號執行低通濾波;該第 一放大器3 4,耦接至該低通濾波器3 3,用以對該第一中頻 訊號執行放大處理;該升頻器3 5,係搞接至該第一放大器 3 4及該頻率合成器3 2,其利用差頻之方式,使該第一中頻 訊號升頻至所該射頻訊號之頻率;以及該帶通濾波器3 7, 係耦接至該第二放大器3 6,用以使該射頻訊號具有該第一· 頻寬。 如圖2所示,本創作之第二中頻單元4進一步包括:降 頻器41 ;頻率合成器42 ;低通濾波器43 ;第一放大器44 ; 升頻器45 ;第二放大器46 ;以及帶通濾波器47。
第8頁 M257573 四、創作說明(5) 其中’該降頻器42,係耦接至該帶通濾波器37,其利 用差頻之方式,使該具有第一頻寬之射頻訊號降頻至所需 要的第二中頻訊號,其頻率例如但不限於為70MHz ;該頻 率合成器4 2,係耦接至該降頻器4 2及該控制器5,接受該 控制器5之控制以提供該降頻器42 —穩定之差頻信號,達 到將該射頻訊號降頻至第二中頻之目的;該低通濾波器 43、’係耦接至該降頻器42,用以對該第二中頻訊號執行低 通濾波^該第一放大器44,耦接至該低通濾波器43,用以 對該第二中頻訊號執行放大處理;該升頻器45,係耦接至 該第一放大器44及該頻率合成器42,其利用差頻之方式, 使忒第一中頻訊號升頻至所該射頻訊號之頻率;以及該帶 5 ί S ’係耦接至該第二放大器46,用以使該射頻訊 ;;t ?第二頻寬。其中’肖第一頻寬及該第二頻寬係為 方,以便使該第一頻寬及該第二頻寬可局部或全部重 Ϊ窗:2射頻訊號之邏輯"及"(RF AND)作用,使該第- 失i第二頻寬重疊之部份存在,而不重疊之部份消 藉以增強該射頻訊號之抗干擾能力。 第一之:f裝[可藉由調整其第-中頻訊號之 该射頻訊號干擾之雙中頻頻寬可調式藉以降低 終飾2作所揭示★,乃較佳實施例,舉… =3=創作之技術思想而為熟習該項技 、心者俱不脫本創作之專利權範_。 *上所陳’本創作無論就目的、手段與功效,在在顯
M257573 g、創作說明(6) 示其迥異於習知之技術特徵,且其首先創作合於實用,亦 在在符合新型之專利要件,懇請 貴審查委員明察,並祈 早曰賜予專利,俾嘉惠社會,實感德便。 〇
第10頁 M257573 圖式簡單說明 五、【圖式之簡單說明】 圖1是一示意圖,其繪示根據本創作之一較佳實施例 之雙中頻頻寬可調式之中繼裝置之方塊示意圖。 圖2是一示意圖,其繪示根據本創作之第一中頻單元3 及第二中頻單元4之詳細方塊示意圖。 【圖式元件標號說明】 第一多工器1 低雜訊放大電路2 1 第一中頻單元3 降頻器3 1 頻率合成器32 低通滤波器3 3 第一放大器34 升頻器3 5 第二放大器36 帶通濾波器37 第二中頻單元4 降頻器4 1 頻率合成器42 低通遽波器4 3 第一放大器44 升頻器45 第二放大器46 帶通濾波器47 控制器5 高功率放大電路6 第二多工器7
第11頁

Claims (1)

  1. M257573 五、申請專利範圍 A Μ 2 · 一種雙中頻頻寬可調式之中繼裝置,用U + 基地台之一射頻訊號,其包括: 阳从中繼 “一第一多工1 ’麵接至一應用系統,用以勃么…田 系統所發射之該射頻訊號; 執仃該應用 一低雜訊放大電路,耦接至該第一多工器,用^大 錢頻訊號並降低該中繼裝置本身所產生的雜訊用以放大 一第一中頻單元,耦接至該低雜訊放大 ’ 該射頻訊號執行降頻至一第一中頻,並對該第:中 升頻、放大及帶通慮波後,使該射頻訊號 ,2 後輸出; 力第一頻寬 一第二中頻單元,耦接至該第一中頻單元, 具有第一頻寬之頻訊號執行降頻至一第二中頻, _ = 二中頻執行升頻、放大及帶通慮波後,使該射頻訊浐2 ^ ^二頻寬後輸出輸出,其中該第一頻寬及該第二‘ ^係 一控制器,耦接至該第一中頻單元及該第二中頻w 元,用以控制提供至該第一中頻單元及該第-:’押早 之頻率; —中頻早疋中 一高功率放大電路,耦接至該第二中頻星;^ θ ,Μ平疋,其具有 良好的線性度,可將該射頻訊號提升至高功率 ^ 刀午’以增加該 射頻訊號之涵蓋範圍;以及 一第《—多工器’麵接至該南功率放大電败 ^ 电絡,用以將該 射頻訊號執行頻帶合成後輸出; 俾’藉由調整該第一中頻之第一頻寬及第二中頻之第
    第12頁 "" 〜 ---- M257573 五、申請專利範圍 二頻寬之重疊 2·如申請 中繼裝置,其 該第一中頻訊 號之頻率較佳 3.如申請 中繼裝置,其 一降頻器 方式,使該射 一頻率合 控制器之控制 之目的; 一低通濾 訊號執行低通 性,藉 專利範 中該射 號之頻 係為7 0 專利範 中該第 ’耦接 頻訊號 成器, 提供該 以降低該射頻訊號之干擾。 圍第1項所述之雙中頻頻寬可調式之 頻訊號之頻率較佳係為1 805MHz,而率較佳係為1 4 0 Μ Η z,該第二中步貝气 MHz。 。 圍第1項所述之雙中頻頻寬可調式之 一中頻單元進一步包括: 至該低雜訊放大電路,其利用差頻 降頻至所需要的該第一中頻訊號;之 耦接至該降頻器及該控制器,接受今 降頻器一穩定之差頻信號,達到降g 波器, 濾波; 第一放大器, 放大處 ,耦接 式,使 中頻訊號執行 一升頻器 利用差頻之方 之頻率; 一第二放大器, 號;以及 一帶通滤波器, 訊號具有該第一頻寬 4.如申請專利範 耦接至該降頻器,用以對該第一中 搞接至该低通濾、波器,用以對兮 理; Μ眾 至該第一放大器及該頻率合成器, 該第一中頻訊號升頻至所該射頻邙= 轉接至該升頻器,用以放大該射頻訊j 輕接至該第二放大器’用以使該射頻 圍第3項所述之雙中頻頻寬可調式之 頻
    第13頁 M257573 五、申請專利範圍 中繼裝置,其中該第一放大器及該第二放大器係為〜般放 大器或低雜訊放大器。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之雙中頻頻寬可調式之 中繼裝置,其中該第一頻寬較佳係為15 MHz。 6.如申請專利範圍第1項所述之雙中頻頻寬可調式之 中繼裝置,其中該第二中頻單元進一步包括: 一降頻器,耦接至該第一中頻單元之該帶通濾波器, 其利用差頻之方式,使該射頻訊號降頻至所需要的讀第二 中頻訊號; 一頻率合成器,耦接至該降頻器及該控制器,接受該 控制器之控制提供該降頻器一穩定之差頻信號,達到降頻 之目的; 一低通濾波器,耦接至該降頻器,用以對該第二中頻 訊號執行低通濾波; 一第一放大器,耦接至該低通濾波器,用以對讀 中頻訊號執行放大處理; _ 一升頻器,耦接至該第一放大器及該頻率合成器, 利用差頻之方式,使該第二中頻訊號升頻至所該射頰訊號 之頻率; … 號;以及 第二放大器,耦接至該升頻器,用以放大該射頻訊 該射頻 一帶通遽波斋’麵接至兮链-说 取芝邊第一放大窃,用以使 訊號具有該第二頻寬。 7.如申請專利範圍第6 項所述之雙中頻頻寬可調式 之
    M257573 五、申請專利範圍 中繼裝置,其中該第一放大器及該第二放大器係為一般放 大器或低雜訊放大器。 8. 如申請專利範圍第6項所述之雙中頻頻寬可調式之 中繼裝置,其中該第二頻寬較佳係為15 MHz。 9. 如申請專利範圍第1項所述之雙中頻頻寬可調式之 中繼裝置,其中該第一頻寬及該第二頻寬係可局部或全部 重疊,且其重疊性係可調整。 Φ
    第15頁
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