TWI930407B - 包括電容器打線的晶片電容器 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種晶片電容器，包含：基底；多個電容器打線，位於基底上；以及模製層，安置於基底上以覆蓋電容器打線。電容器打線中的各者包含：核心電極線，具有打線形狀；外部電極線，覆蓋核心電極線的至少一部分；以及介電線，插置於核心電極線與外部電極線之間。

Description

包括電容器打線的晶片電容器

相關申請案的交叉參考

本專利申請案主張2022年3月28日在韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案第10-2022-0038397號的優先權，所述申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。

本揭露是關於一種包含電容器打線的晶片電容器。

為了實現具有若干功能的高效能電子裝置，多個主動組件及被動組件安裝於佈線板的表面上。被動組件用於主動組件之間的有效信號交換且可包含電阻器、電感器、電容器等等。舉例而言，為了實現高效能電子裝置，多個電容器可安裝於佈線板上，且在此情況下，可增加電容器在佈線板上的安裝面積。正進行許多研究以減小電容器在佈線板上的安裝面積且改良電容器的效能。

本發明概念的實施例提供可容易按比例縮小的晶片電容器。

本發明概念的實施例提供具有高性能及高可靠性特性的晶片電容器。

根據本發明概念的實施例，晶片電容器可包含：基底；多個電容器打線，位於基底上；以及模製層，安置於基底上以覆蓋電容器打線。電容器打線中的各者可包含：核心電極線，具有打線形狀；外部電極線，覆蓋核心電極線的至少一部分；以及介電線，插置於核心電極線與外部電極線之間。

根據本發明概念的實施例，晶片電容器可包含：基底，具有彼此相對的頂部表面及底部表面，基底包含在頂部表面處的第一基底接墊及在底部表面處的第二基底接墊；多個電容器打線，安置於基底的頂部表面上且連接至第一基底接墊；以及模製層，安置於基底的頂部表面上以覆蓋電容器打線。電容器打線中的各者可包含：核心電極線，具有打線形狀；外部電極線，覆蓋核心電極線的至少一部分；以及介電線，插置於核心電極線與外部電極線之間。電容器打線中的各者可具有在核心電極線的縱向方向上彼此相對的第一末端部分及第二末端部分。在電容器打線中的各者的第一末端部分處，核心電極線可連接至第一基底接墊中的一者。在電容器打線中的各者的第二末端部分處，外部電極線可連接至第一基底接墊中的另一者。

現將參考隨附圖式更全面地描述本發明概念的實例實施例，在隨附圖式中繪示實例實施例。

應理解，儘管術語第一、第二、第三等可在本文中用以描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，但此等元件、組件、區域、層及/或部分不應受此等術語限制。除非上下文另外指示，否則此等術語僅用於將一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分區分開，例如作為命名約定。因此，在不脫離本發明的教示的情況下，可將下文在本說明書的一個部分中所論述的第一元件、組件、區域、層或部分稱為本說明書的另一部分中或申請專利範圍中的第二元件、組件、區域、層或部分。另外，在某些情況下，即使在本說明書中未使用「第一」、「第二」等來描述術語，但在申請專利範圍中仍可將術語稱為「第一」或「第二」，以將不同的所主張的元件彼此區分開。

圖1為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。圖2為示意性地示出圖1的電容器打線的透視圖，圖3A為沿著圖2的線A-A'截取的截面圖，且圖3B為沿著圖2的線B-B'截取的截面圖。圖4為示出接合圖2的電容器打線的方法的概念圖。

參考圖1，晶片電容器500可包含基底100、安裝於基底100上的多個電容器打線WCAP以及安置於基底100上以覆蓋電容器打線WCAP的模製層150。

基底100可包含彼此相對的頂部表面100U及底部表面100L。基底100可包含處於或鄰近基底100的頂部表面100U的第一基底接墊110，以及處於或鄰近基底100的底部表面100L的第二基底接墊120，且第一基底接墊110可經由基底100中的內部線電連接至第二基底接墊120。基底100的頂部表面100U及第一基底接墊110的頂部表面可共面（例如，處於相同豎直位準）或可位於不同平面上。基底100的底部表面100L及第二基底接墊120的底部表面可共面（例如，處於相同豎直位準）或位於不同平面上。如本文中所使用的諸如「相同」、「相等」、「平面」、「共面」、「平行」以及「垂直」的術語涵蓋包含可例如由於製造製程而發生的變化的一致或近似一致。除非上下文或其他另外陳述，否則本文中可使用術語「實質上」來強調此含義。第一基底接墊110及第二基底接墊120可由以下形成或包含以下：導電材料（例如，金屬材料）中的至少一者。在實施例中，基底100可為印刷電路板、中介層基底或再分佈基底。

電容器打線WCAP可安裝於基底100的頂部表面100U上且可電連接至第一基底接墊110。電容器打線WCAP中的各者可由打線接合方法連接至第一基底接墊110中的對應者。電容器打線WCAP中的一些可安裝於基底100上以在平行於基底100的頂部表面100U的水平方向HD上彼此間隔開，且電容器打線WCAP中的其他者可安裝於基底100上以在垂直於基底100的頂部表面100U的豎直方向VD上堆疊，使得其在平面圖中重疊。

參考圖2、圖3A以及圖3B，電容器打線WCAP中的各者可包含核心電極線10、覆蓋核心電極線10的至少一部分的外部電極線30、插置於核心電極線10與外部電極線30之間的介電線20以及覆蓋外部電極線30的至少一部分的鈍化線40。本文中所描述的不同線亦可描述為層。

核心電極線10可具有打線形狀且可在特定方向上延長。特定方向可稱為核心電極線10的縱向方向LD，且垂直於縱向方向LD的方向可稱為寬度方向WD。在實施例中，如圖3B中所繪示，核心電極線10當在寬度方向WD中截取的截面圖中查看時可具有圓形形狀（例如，環形形狀）。在另一實施例中，不同於圖式中所示的內容，核心電極線10當在寬度方向WD中截取的截面圖中查看時可具有四邊形形狀（例如，矩形形狀）。核心電極線10可由第一金屬形成或可包含第一金屬，且例如，第一金屬可包含Au、Ag、Pd、Cu或Al中的至少一者。

介電線20可覆蓋核心電極線10的至少一部分且可在核心電極線10與外部電極線30之間的縱向方向LD上延伸。介電線20可包圍核心電極線10的外部圓周表面10os且可沿著核心電極線10的外部圓周表面10os或在縱向方向LD上延伸。介電線20可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：陶瓷材料（例如，氧化鋁（Al ₂O ₃））。

外部電極線30可覆蓋介電線20的至少一部分且可在介電線20與鈍化線40之間的縱向方向LD上延伸。外部電極線30可包圍介電線20的外部圓周表面20os且可沿著介電線20的外部圓周表面20os或在縱向方向LD上延伸。外部電極線30可由介電線20自核心電極線10電斷開或分離。

外部電極線30可由具有低於核心電極線10的熔點的材料（例如，金屬合金）中的至少一者形成。另外，外部電極線30可由具有小於核心電極線10的機械強度的材料（例如，金屬合金）中的至少一者形成。作為實例，外部電極線30可由以下形成或包含以下：不同於第一金屬的第二金屬或第二金屬的合金。在實施例中，外部電極線30可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：砷銅合金、鋁鈰合金、鋁鈧合金、銀鍺合金、銀鈀合金、鋁銦合金、菲爾德金屬（field's metal）、砷銻合金、鋁鎂合金、鎂鐠合金、砷錫合金、鋁矽合金、金鎂合金、鋁金合金、銀鋁合金、金鑭合金、鋁銅合金、銀鈣合金、鋁鈣合金、銀砷合金、銀鈰合金、金鈰合金、銀鑭合金、鎂鎳合金、金鎘合金、銀銻合金、銀鎂合金、銀鍶合金、巴比金屬（Babbitt metal）、鋁鍺合金、鎂鍶合金、金碲合金、鋁鋅合金、金矽合金、金銻合金、金鍺合金、銀碲合金、鎂鋅合金或銀鉛合金。

鈍化線40可覆蓋外部電極線30的至少一部分且可在外部電極線30上在縱向方向LD上延伸。鈍化線40可包圍外部電極線30的外部圓周表面30os且可沿著外部電極線30的外部圓周表面30os且在縱向方向LD上延伸。外部電極線30可插置於介電線20與鈍化線40之間。鈍化線40可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：絕緣或陶瓷材料（例如，氧化鋁（Al ₂O ₃））或金屬材料（例如，Au、Ni以及Pd）。

核心電極線10的末端部分10E可由介電線20的末端部分20E包圍。介電線20的末端部分20E可不覆蓋有外部電極線30及鈍化線40且可暴露於外部。外部電極線30的末端部分30E可鄰近於介電線20的末端部分20E且可覆蓋有鈍化線40。

可經由核心電極線10的末端部分10E（例如，端子部分）將第一電壓V1施加至核心電極線10，且可將第二電壓V2施加至外部電極線30。第一電壓V1及第二電壓V2可彼此不同。作為實例，第一電壓V1及第二電壓V2中的一者可為電源電壓，且第一電壓V1及第二電壓V2中的另一者可為接地電壓。第一電壓V1可例如自可經由一或多個打線或其他導電組件連接至核心電極線10的末端部分10E的電源供應。第二電壓V2可例如自可經由一或多個打線或導電組件連接至外部電極線30的相對末端部分的接地節點供應。由於核心電極線10及外部電極線30施加有不同電壓，因此電荷可積聚於介電線20中。電容器打線WCAP中的各者可為具有打線形狀的電容器。

參考圖1及圖4，電容器打線WCAP中的各者可由打線接合方法連接至對應第一基底接墊110。電容器打線WCAP中的各者可具有在縱向方向LD上彼此相對的第一末端部分E1及第二末端部分E2。在電容器打線WCAP中的各者的第一末端部分E1中，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法連接至對應第一基底接墊110中的一者。電容器打線WCAP中的各者的第一末端部分E1可包含外部電極線30的末端部分30E，且電容器打線WCAP中的各者的第二末端部分E2可包含外部電極線30的相對末端部分。在電容器打線WCAP中的各者的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法連接至對應第一基底接墊110中的另一者。如圖4中可見，在第一末端部分E1處，外部電極線30並不接觸任何第一基底接墊110，且因此在第一末端部分E1處不電連接至第一基底接墊。類似地，在第二末端部分E2處，核心電力線10與任何第一基底接墊絕緣且並不接觸且在第二末端部分處不電連接至第一基底接墊。

返回參考圖1，可設置模製層150以包封或密封電容器打線WCAP。模製層150可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：絕緣材料（例如，環氧基模製化合物）。

晶片電容器500可更包含分別安置於基底100的第二基底接墊120上的下部連接端子130。下部連接端子130可分別電連接至第二基底接墊120。下部連接端子130可包含導柱、凸塊以及焊球中的至少一者，且可由導電材料形成或包含導電材料。下部連接端子130可電連接至外部端子，且可將晶片電容器500連接至電路的其他組件，例如形成於電路板上。

晶片電容器500可為設置有電容器打線WCAP的晶片類型電容器。晶片電容器500在豎直方向VD上可具有厚度，且晶片電容器500的厚度500T可等於或小於1毫米。晶片電容器500可經由基底100的第二基底接墊120及下部連接端子130電連接至外部端子。

根據本發明概念的實施例，晶片電容器500可為設置有電容器打線WCAP的晶片類型電容器。由於電容器打線WCAP中的各者具有打線形狀，因此容易減小電容器打線WCAP中的各者的大小可為可能的，且在此情況下，可能可減小晶片電容器500的大小且增加設置於晶片電容器500中的電容器打線WCAP的整合密度可為可能的。因此，可容易減小晶片電容器500的大小且增加晶片電容器500的靜電電容。另外，由於電容器打線WCAP中的各者由打線接合方法安裝於基底100上，因此電容器打線WCAP可容易安裝於基底100上。因此，可能可容易改良晶片電容器500的可靠性。

因此，可能可提供可容易按比例縮小且具有高效能及高可靠性特性的晶片電容器500。

圖5至圖12為示例性地示出安裝圖1的電容器打線的各種方法的概念圖。

參考圖5及圖8，電容器打線WCAP可由打線接合方法連接至基底100的第一基底接墊110中的對應者。電容器打線WCAP可具有在電容器打線WCAP的延長或長度方向上彼此相對的第一末端部分E1及第二末端部分E2。電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2可由球接合方法或楔接合方法連接至對應第一基底接墊110，如參考圖4描述。連接至對應第一基底接墊110的電容器打線WCAP可具有拱形形狀，使得電容器打線WCAP的至少部分與基底100分離（例如，電容器打線WCAP的部分與基底110之間可形成間隙）。另外，儘管未繪示，但在一些實施例中，在第一末端部分E1處第一基底接墊110與介電線20之間可形成水平間隙，使得在第一末端部分E1處電容器打線WCAP可彎曲遠離第一基底接墊110的頂部表面及基底100的頂部表面，例如當彼等頂部表面共面時。類似地，在第二末端部分E2處第一基底接墊110與鈍化線40之間可形成水平間隙，使得在第二末端部分E2處電容器打線WCAP可彎曲遠離第一基底接墊110的頂部表面及基底100的頂部表面，例如當彼等頂部表面共面時。另外，在一些實施例中，第一基底接墊110的頂部表面在基底100的頂部表面上方（如各種其他圖式中所描繪）。

在實施例中，如圖5中所繪示，電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2可接觸對應第一基底接墊110。舉例而言，如參考圖4所描述，在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法接觸對應第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法接觸對應第一基底接墊110中的另一者。在另一實施例中，如圖6中所繪示，焊球200可插置於電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2中的各者與對應第一基底接墊110中的各者之間，使得電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2經由焊球200連接至對應第一基底接墊110中的各者。舉例而言，如參考圖4所描述，在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法經由焊球200連接至對應第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP中的各者的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法經由焊球200連接至對應第一基底接墊110中的另一者。應理解，當元件稱為「連接」或「耦接」至或「在」另一元件「上」時，元件可直接連接或耦接至或在另一元件上，或可存在介入元件。相比之下，當元件稱為「直接連接」或「直接耦接」至另一元件，或稱為「接觸」另一元件或「與」另一元件「接觸」時，接觸點處不存在介入元件。焊球200可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：導電材料（例如，金屬材料）。電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2中的各者的部分可插入至焊球200中。在其他實施例中，如圖7中所繪示，導電凸塊210可插置於電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2中的各者與對應第一基底接墊110中的各者之間。舉例而言，如參考圖4所描述，在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法經由導電凸塊210連接至對應第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法經由導電凸塊210連接至對應第一基底接墊110中的另一者。導電凸塊210可由以下中的至少一者形成或包含中的至少一者：導電材料（例如，金屬材料）。在另一其他實施例中，如圖8中所繪示，電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2可接觸對應第一基底接墊110，且增強圖案220可分別安置於對應第一基底接墊110上。舉例而言，如參考圖4所描述，在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法接觸對應第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法接觸對應第一基底接墊110中的另一者。可設置增強圖案220以分別覆蓋電容器打線WCAP的第一末端部分E1及第二末端部分E2。增強圖案220可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：導電材料（例如，金屬材料）。

參考圖9至圖11，多個電容器打線WCAP可由打線接合方法連接至對應第一基底接墊110。連接至對應第一基底接墊110的電容器打線WCAP中的各者可包含拱形形狀部分。

在實施例中，如圖9中所繪示，電容器打線WCAP的第一末端部分E1可共同連接至對應第一基底接墊110中的一者，且電容器打線WCAP的第二末端部分E2可共同連接至對應第一基底接墊110中的另一者。舉例而言，在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，如參考圖4所描述，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法共同連接至對應第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法共同連接至對應第一基底接墊110中的另一者。電容器打線WCAP彼此可具有不同長度且可安裝於對應第一基底接墊110上以在豎直方向VD上彼此間隔開。

在另一實施例中，如圖10中所繪示，電容器打線WCAP的第一末端部分E1可共同連接至對應第一基底接墊110中的一者，且電容器打線WCAP的第二末端部分E2可共同連接至對應第一基底接墊110中的另一者。舉例而言，在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，如參考圖4所描述，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法共同連接至對應第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法共同連接至對應第一基底接墊110中的另一者。電容器打線WCAP可具有相同長度且可安裝於對應第一基底接墊110上以在水平方向HD上彼此間隔開。應注意圖10的電容器打線WCAP在自截面圖查看時亦可在豎直方向VD上彼此間隔開，使得截面圖將如圖9所示。

在其他實施例中，如圖11中所繪示，電容器打線WCAP的第一末端部分E1可共同連接至對應第一基底接墊110中的一者，且電容器打線WCAP的第二末端部分E2可分別連接至對應第一基底接墊110的不同者。舉例而言，在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，如參考圖4所描述，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法共同連接至對應第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP的第二末端部分E2中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法連接至對應第一基底接墊110中的不同者。在此情況下，接地電壓可共同施加至電容器打線WCAP，且不同電源電壓可分別施加至電容器打線WCAP。在一個實施例中，兩個打線也可彼此水平地間隔開。

參考圖12，電容器打線WCAP可由針腳接合方法連接至對應第一基底接墊110。在此情況下，電容器打線WCAP可包含延伸以在電容器打線WCAP的延長方向（例如，縱向方向LD）上彼此間隔開的外部電極片段。參考圖2至圖4描述的外部電極線30可在核心電極線10的縱向方向LD上劃分為外部電極片段。舉例而言，在電容器打線WCAP的一個末端部分中，如參考圖4所描述，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法連接至對應第一基底接墊110中的一者。電容器打線WCAP的外部電極片段可由針腳接合方法分別連接至對應第一基底接墊110中的其他者。在此情況下，核心電極線10可由外部電極片段共用。連接至對應第一基底接墊110的電容器打線WCAP可包含多個拱形形狀部分。

圖13為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。為了簡潔起見，在不重複其重疊描述的情況下，與參考圖1至圖4所描述的晶片電容器中相同的元件可由相同附圖標號識別。

參考圖13，晶片電容器500可更包含堆疊於基底100上的至少一個上部基底300。上部基底300可在豎直方向VD上與基底100間隔開。在實施例中，多個上部基底300可在豎直方向VD上堆疊於基底100上。上部基底300可在豎直方向VD上與基底100間隔開且可在豎直方向VD上彼此間隔開。

各上部基底300可具有彼此相對的頂部表面300U及底部表面300L。上部基底300可包含處於或鄰近於上部基底300的頂部表面300U的第一上部基底接墊310及處於或鄰近於上部基底300的底部表面300L的第二上部基底接墊320。上部基底300的頂部表面300U及第一上部基底接墊310的頂部表面可共面或在不同平面中，且上部基底300的底部表面300L及第二上部基底接墊320的底部表面可共面或在不同平面上。第一上部基底接墊310可經由上部基底300中的內部線電連接至第二上部基底接墊320。第一上部基底接墊310及第二上部基底接墊320可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：導電材料（例如，金屬材料）。在實施例中，上部基底300可為印刷電路板、中介層基底或再分佈基底。

電容器打線WCAP可安裝於基底100的頂部表面100U及上部基底300的頂部表面300U及底部表面300L上。電容器打線WCAP中的一些可電連接至基底100的第一基底接墊110且可由打線接合方法連接至第一基底接墊110，所述方法包含先前結合圖1至圖12所描述的方法。電容器打線WCAP中的其他者可電連接至上部基底300的第一上部基底接墊310及第二上部基底接墊320且可由打線接合方法連接至第一上部基底接墊310及第二上部基底接墊320，所述方法包含先前結合圖1至圖12所描述的方法。電容器打線WCAP中的一些可安置於基底100與上部基底300之間（例如，在基底100與最下部上部基底300之間）。電容器打線WCAP中的一些可安置於鄰接上部基底300之間。

在上部基底300堆疊於基底100上的情況下，電容器打線WCAP可安裝於基底100的頂部表面100U及上部基底300中的各者的頂部表面300U及底部表面300L上。電容器打線WCAP中的一些可電連接至基底100的第一基底接墊110且可由打線接合方法連接至第一基底接墊110。電容器打線WCAP中的其他者可電連接至上部基底300中的各者的第一上部基底接墊310及第二上部基底接墊320且可由打線接合方法連接至第一上部基底接墊310及第二上部基底接墊320。電容器打線WCAP中的一些可安置於最下部上部基底300與基底100之間且一些可安置於鄰近上部基底300之間。

晶片電容器500可更包含基底100與上部基底300之間的上部連接端子330。上部連接端子330可連接至基底100的第一基底接墊110中的對應者且可連接至上部基底300的第二上部基底接墊320中的對應者。上部基底300可經由上部連接端子330電連接至基底100。

在上部基底300堆疊於基底100上的情況下，上部連接端子330可額外安置於上部基底300之間。上部連接端子330可連接至上部基底300中的一者的第一上部基底接墊310中的對應者且可連接至上部基底300中的另一者的第二上部基底接墊320中的對應者。上部基底300可經由上部連接端子330彼此電連接且可電連接至基底100。上部連接端子330可包含以下中的至少一者或可為以下中的至少一者：導柱、凸塊以及焊球，且可由導電材料形成或包含導電材料。

晶片電容器500可更包含設置導電打線350以將基底100電連接至上部基底300。導電打線350中的各者可連接至上部基底300的第一上部基底接墊310中的對應一者（或上部基底300中的各者）且可連接至基底100的第一基底接墊110中的對應一者。上部基底300可經由導電打線350電連接至基底100。

模製層150可安置於基底100上以覆蓋上部基底300。模製層150可延伸至基底100與上部基底300之間的區域中以覆蓋上部連接端子330的側表面。模製層150可設置於基底100與上部基底300之間以填充電容器打線WCAP與上部連接端子330之間的空間。

在上部基底300堆疊於基底100上的情況下，模製層150可延伸至上部基底300之間的區域中以覆蓋上部基底300之間的上部連接端子330的側表面。模製層150可設置於上部基底300之間以填充電容器打線WCAP與上部連接端子330之間的空間。可設置模製層150以包封或密封上部基底300、電容器打線WCAP、上部連接端子330以及導電打線350。

除了前述特徵，在本實施例中的晶片電容器500可與參考圖1至圖4所描述的晶片電容器實質上相同。在本實施例中，可增加嵌入於晶片電容器500中的電容器打線WCAP的整合密度，且因此容易增加晶片電容器500的靜電電容可為可能的。

舉例而言，晶片電容器500的各電容器打線WCAP可連接於基底上的兩個接墊（例如，兩個第一上部基底接墊310、兩個第二上部基底接墊320或兩個基底接墊110）之間。有效地，彼等接墊中的各者使用先前結合圖1至圖12所描述的方法連接至各電容器打線WCAP的核心電極線10或外部電極線30。彼等接墊中的各者可接著經由內部基底佈線以及連接端子330及/或導電打線350（或在後面的實施例中所描述的其他連接組件）連接至個別基底接墊120及下部連接端子130。參考圖3B所描述的第一電壓V1經由第一下部連接端子130及兩個接墊中的一者供應至各電容器打線WCAP的核心電極線10。參考圖3B所描述的第二電壓V2可經由第二下部連接端子130及兩個接墊中的另一者供應至各電容器打線WCAP的外部電極線30。以此方式，各電容器打線WCAP可用作電容器。此外，根據此等實例，單一晶片電容器500可包含由電容器打線WCAP構成的多個不同電容器。

圖14為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。為了簡潔起見，在不重複其重疊描述的情況下，與參考圖13所描述的晶片電容器中相同的元件可由相同附圖標號識別。

參考圖14，晶片電容器500可更包含基底100與上部基底300之間的支撐圖案340。支撐圖案340可由絕緣材料形成或包含絕緣材料且可安置於基底100上以支撐上部基底300。在實施例中，多個上部基底300可在豎直方向VD上堆疊於基底100上，且支撐圖案340可額外安置於上部基底300之間。亦描述為支撐柱或支撐導柱的支撐圖案340可用於支撐上部基底300。

模製層150可安置於基底100上以覆蓋上部基底300。模製層150可延伸至基底100與上部基底300之間的區域中以覆蓋支撐圖案340的側表面。模製層150可設置於基底100與上部基底300之間以填充電容器打線WCAP與支撐圖案340之間的空間。

在上部基底300堆疊於基底100上的情況下，模製層150可延伸至上部基底300之間的區域中且可覆蓋上部基底300之間的支撐圖案340的側表面。模製層150可設置於上部基底300之間以填充電容器打線WCAP與支撐圖案340之間的空間。可設置模製層150以密封或包封上部基底300、電容器打線WCAP、支撐圖案340以及導電打線350。

除了前述特徵，在本實施例中的晶片電容器500可與參考圖13所描述的晶片電容器實質上相同。

圖15為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。為了簡潔起見，在不重複其重疊描述的情況下，與參考圖13所描述的晶片電容器中相同的元件可由相同附圖標號識別。

參考圖15，晶片電容器500可更包含基底100與上部基底300之間的底部填充層360（或多個底部填充層）。底部填充層360可設置於基底100與上部基底300之間以填充電容器打線WCAP與上部連接端子330之間的空間。在上部基底300堆疊於基底100上的情況下，底部填充層360可額外安置於上部基底300之間。底部填充層360可設置於上部基底300之間以填充電容器打線WCAP與上部連接端子330之間的空間。底部填充層360可包含絕緣聚合物材料（例如，環氧基）或非導電薄膜（non-conductive film；NCF）。

模製層150可安置於基底100上以覆蓋上部基底300。模製層150可覆蓋上部基底300及底部填充層360的側表面。可設置模製層150以密封或包封上部基底300、底部填充層360、電容器打線WCAP以及導電打線350。

除了前述特徵，在本實施例中的晶片電容器500可與參考圖13所描述的晶片電容器實質上相同。

圖16為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。為了簡潔起見，在不重複其重疊描述的情況下，與參考圖13所描述的晶片電容器中相同的元件可由相同附圖標號識別。

參考圖16，晶片電容器500可包含在豎直方向VD上堆疊於基底100上的上部基底300，且在實施例中，上部基底300可堆疊以形成樓梯結構。電容器打線WCAP可安裝於基底100的頂部表面100U及上部基底300中的各者的頂部表面300U及底部表面300L上。

晶片電容器500可更包含設置於上部基底300與基底100之間及上部基底300之間的底部填充層360或多個底部填充層360。在上部基底300與基底100之間及上部基底300之間，底部填充層360可填充電容器打線WCAP之間的空間。底部填充層360可實質上與圖15的底部填充層360相同且可包含或可為例如非導電薄膜（NCF）。

在實施例中，電容器打線WCAP中的至少一者的電容器打線WCAP可安裝於上部基底300的樓梯結構的部分上且可連接至上部基底300。在實施例中，至少一個電容器打線WCAP可電連接至上部基底300中的一者的對應第一上部基底接墊310及上部基底300中的另一者的對應第一上部基底接墊310。在實施例中，至少一個電容器打線WCAP可安裝以不斷連接至上部基底300及基底100且可不斷連接至上部基底300的對應第一上部基底接墊310及基底100的對應第一基底接墊110。

晶片電容器500可更包含設置導電打線350以將基底100電連接至上部基底300。導電打線350可安裝於上部基底300的樓梯結構的部分上且可連接至上部基底300。在實施例中，導電打線350可電連接至上部基底300中的一者的對應第一上部基底接墊310及上部基底300中的另一者的對應第一上部基底接墊310。在實施例中，導電打線350可安裝以不斷連接至上部基底300及基底100且可不斷連接至上部基底300的對應第一上部基底接墊310及基底100的對應第一基底接墊110。

模製層150可安置於基底100上以覆蓋上部基底300。模製層150可覆蓋上部基底300及底部填充層360的側表面。可設置模製層150以密封或包封上部基底300、底部填充層360、電容器打線WCAP以及導電打線350。上文所描述的晶片電容器500可為半導體封裝，包含封裝基底（例如，基底100）及形成於封裝基底上的多個晶片（例如，300），且包含例如以圖1至圖12及/或圖13至圖16中所描述的方式形成於其上的電容器。因此，晶片電容器500亦可描述為封裝電容器500。

圖17至圖20為示意性地示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的部分的透視圖。為了簡潔起見，在不重複其重疊描述的情況下，與參考圖1至圖4所描述的晶片電容器中相同的元件可由相同附圖標號識別。

參考圖17至圖20，晶片電容器500可更包含安置於基底100的頂部表面100U上的至少一個導柱結構140。導柱結構140可為由絕緣材料形成的絕緣導柱或由導電材料形成的導電導柱。在導柱結構140為導電導柱的情況下，導柱結構140可由與第一基底接墊110相同的材料（例如，相同金屬材料）形成或包含所述材料且可經由基底100中的內部線電連接至圖1的第二基底接墊120。

導柱結構140可在豎直方向VD上具有高度，且在實施例中，導柱結構140的高度140H可在30微米至150微米的範圍內。導柱結構140可在水平方向HD上具有直徑，且在實施例中，導柱結構140的直徑140D可為約120微米。在多個導柱結構140設置於基底100的頂部表面100U上的情況下，導柱結構140之間的間距（例如，距離）可為約140微米。諸如「約」或「大致」的術語可反映僅以較小相對方式及/或以並不顯著地更改某些元件的操作、功能性或結構的方式變化的量、大小、定向或佈局。舉例而言，自「約0.1至約1」的範圍可涵蓋諸如0.1左右的0%至5%的偏差及1左右的0%至5%的偏差的範圍，尤其在此偏差維持與所列範圍相同的效果的情況下。

可設置電容器打線WCAP中的至少一者以纏繞在導柱結構140周圍。電容器打線WCAP可具有在電容器打線WCAP的縱向或延長方向（例如，在參考圖2至圖4所描述的核心電極線10的縱向或延長方向LD上）上彼此相對的第一末端部分E1及第二末端部分E2，如參考圖5至圖12所描述。

作為實例，參考圖17，可設置電容器打線WCAP以纏繞導柱結構140，且電容器打線WCAP的第一末端部分E1可連接至第一基底接墊110中的一者。電容器打線WCAP的第二末端部分E2可連接至第一基底接墊110中的另一者。此允許使用可增加各電容器打線的電容的更長的打線。

作為另一實例，參考圖18，多個導柱結構140可設置於基底100上，且可設置電容器打線WCAP以纏繞在多個導柱結構140a及導柱結構140b周圍。電容器打線WCAP的第一末端部分E1可連接至第一基底接墊110中的一者，且電容器打線WCAP的第二末端部分E2可連接至導柱結構140a及導柱結構140b的一個140b。在此情況下，導柱結構140a及導柱結構140b的一個140b可為導電導柱。

作為其他實例，參考圖19，可設置多個電容器打線WCAP1、電容器打線WCAP2以及電容器打線WCAP3以纏繞在導柱結構140周圍。電容器打線WCAP1、電容器打線WCAP2以及電容器打線WCAP3的第一末端部分E1可共同連接至第一基底接墊110中的一者，且電容器打線WCAP1、電容器打線WCAP2以及電容器打線WCAP3的第二末端部分E2可共同連接至第一基底接墊110中的另一者。舉例而言，在電容器打線WCAP1、電容器打線WCAP2以及電容器打線WCAP3的第一末端部分E1中的各者中，如參考圖4所描述，核心電極線10的末端部分10E可由球接合方法或楔接合方法共同連接至第一基底接墊110中的一者。在電容器打線WCAP1、電容器打線WCAP2以及電容器打線WCAP3的第二末端部分E2中的各者中，外部電極線30的相對末端部分可由楔接合方法共同連接至第一基底接墊110中的另一者。此處不同電容器打線可充當並聯連接的電容器。

作為又一其他實例，參考圖20，可設置多個電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2以纏繞導柱結構140。可設置為電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2中的一者的第一電容器打線WCAP1以順時針方向纏繞在導柱結構140周圍，且可設置為電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2中的另一者的第二電容器打線WCAP2以逆時針方向纏繞在導柱結構140周圍。第一電容器打線WCAP1的第一末端部分E1a及第二電容器打線WCAP2的第一末端部分E1b可共同連接至第一基底接墊110中的一者，且第一電容器打線WCAP1的第二末端部分E2a及第二電容器打線WCAP2的第二末端部分E2b可共同連接至第一基底接墊110中的另一者。

在本實施例中，由於設置電容器打線WCAP用於纏繞在至少一個導柱結構140周圍，因此可增加電容器打線WCAP的靜電電容。另外，在設置電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2以如參考圖20所描述的相對方向纏繞在導柱結構140周圍的情況下，可取消電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2的電感。

圖21為示意性地示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的部分的透視圖，且圖22為示意性地示出沿著圖21的線C-C'截取的部分的截面圖。

參考圖21及圖22，晶片電容器500可更包含安置於基底100的頂部表面100U上的至少一個導柱結構140，且導柱結構140可實質上與參考圖17至圖20所描述的導柱結構140相同。

在實施例中，可設置多個電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2以纏繞在導柱結構140周圍。電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2中的各者可包含已參考圖2至圖4所描述的核心電極線10、外部電極線30以及其間的介電線20，且可更包含包圍外部電極線30的額外介電線25。額外介電線25可由實質上與介電線20相同的材料形成或包含與所述材料。

電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2的第一電容器打線WCAP1的第一末端部分E1a及電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2的第二電容器打線WCAP2的第一末端部分E1b可共同連接至第一基底接墊110中的一者。因此，第一電壓V1可共同施加至第一電容器打線WCAP1的核心電極線10及第二電容器打線WCAP2的核心電極線10。

第一電容器打線WCAP1的第二末端部分E2a可連接至第一基底接墊110中的另一者。在此情況下，可將不同於第一電壓V1的第二電壓V2施加至第一電容器打線WCAP1的外部電極線30，且因此電荷可積聚於第一電容器打線WCAP1的介電線20中。第二電容器打線WCAP2的第二末端部分E2b可連接至第一基底接墊110中的另一者。在此情況下，可將不同於第一電壓V1的第三電壓V3施加至第二電容器打線WCAP2的外部電極線30，且因此電荷可積聚於第二電容器打線WCAP2的介電線20中。

在實施例中，施加於第一電容器打線WCAP1的外部電極線30的第二電壓V2可不同於施加於第二電容器打線WCAP2的外部電極線30的第三電壓V3。在此情況下，電荷可積聚於第一電容器打線WCAP1及第二電容器打線WCAP2的額外介電線25中。因此，可增加電容器打線WCAP1及電容器打線WCAP2的靜電電容，且容易增加晶片電容器500的靜電電容可為有可能的。

圖23為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。

參考圖23，晶片電容器500可包含基底100、安裝於基底100上的多個電容器打線WCAP以及安置於基底100上以覆蓋電容器打線WCAP的模製層150。

基底100可為包含支撐基底400及多個引線410的引線框。支撐基底400及引線410可由金屬材料中的至少一者形成或包含金屬材料中的至少一者。可設置支撐基底400以支撐安置於其上的電容器打線WCAP，但在實施例中，可省略支撐基底400。

電容器打線WCAP可電連接至引線410且可由打線接合方法連接至引線410。電容器打線WCAP可實質上與參考圖2至圖4所描述的電容器打線WCAP相同。電容器打線WCAP中的各者可具有在電容器打線WCAP的縱向或延長方向（例如，在參考圖2至圖4所描述的核心電極線10的縱向或延長方向LD上）上彼此相對的第一末端部分E1及第二末端部分E2，如參考圖5至圖12所描述。電容器打線WCAP中的各者的第一末端部分E1可連接至引線410中的一者。在電容器打線WCAP中的各者的第一末端部分E1中，電容器打線WCAP中的各者的核心電極線10可由球接合方法或楔接合方法連接至引線410中的一者。電容器打線WCAP中的各者的第二末端部分E2可連接至引線410中的另一者。在電容器打線WCAP中的各者的第二末端部分E2中，電容器打線WCAP中的各者的外部電極線30可由楔接合方法連接至引線410中的另一者。

可設置模製層150以包圍支撐基底400及電容器打線WCAP且覆蓋引線410的末端部分。電容器打線WCAP可連接至引線410的末端部分。引線410的相對末端部分可暴露於模製層150外部且可連接至外部端子。模製層150可由以下中的至少一者形成或包含以下中的至少一者：絕緣材料（例如，環氧基模製化合物）。

圖24為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。為了簡潔起見，在不重複其重疊描述的情況下，與參考圖23所描述的晶片電容器中相同的元件可由相同附圖標號識別。

參考圖24，晶片電容器500可包含基底100、安裝於基底100上的至少一個電容器打線WCAP以及安置於基底100上以覆蓋電容器打線WCAP的模製層150。

基底100可為包含支撐基底400及多個引線410的引線框，且支撐基底400及引線410可由金屬材料中的至少一者形成或包含金屬材料中的至少一者。晶片電容器500可更包含設置用於將引線410中的一者電連接至支撐基底400的導電打線350。可經由引線410中的一者及導電打線350將第一電壓V1施加至支撐基底400。

電容器打線WCAP可電連接至引線410中的對應一者及支撐基底400且可由打線接合方法連接至對應引線410及支撐基底400。電容器打線WCAP可實質上與參考圖2至圖4所描述的電容器打線WCAP相同。電容器打線WCAP可具有在電容器打線WCAP的縱向或延長方向（例如，在參考圖2至圖4所描述的核心電極線10的縱向或延長方向LD上）上彼此相對的第一末端部分E1及第二末端部分E2，如參考圖5至圖12所描述。電容器打線WCAP的第一末端部分E1可連接至對應引線410或支撐基底400。在電容器打線WCAP的第一末端部分E1中，核心電極線10可由球接合方法或楔接合方法連接至對應引線410或支撐基底400。電容器打線WCAP的第二末端部分E2可連接至支撐基底400或對應引線410。在電容器打線WCAP的第二末端部分E2中，外部電極線30可由楔接合方法連接至支撐基底400或對應引線410。

可經由支撐基底400將第一電壓V1施加至電容器打線WCAP的外部電極線30或核心電極線10。可經由對應引線410將不同於第一電壓V1的第二電壓V2施加至電容器打線WCAP的核心電極線10或外部電極線30。

可設置模製層150以密封或包封支撐基底400、電容器打線WCAP以及導電打線350且覆蓋引線410的末端部分。引線410的相對末端部分可暴露於模製層150外部且可連接至外部端子。

根據本發明概念的實施例，晶片電容器可為設置多個電容器打線的晶片類型電容器。由於電容器打線中的各者具有打線形狀，因此容易減小電容器打線中的各者的大小可為可能的，且在此情況下，減小晶片電容器的大小且增加設置於晶片電容器中的電容器打線的整合密度可為可能的。因此，可容易減小晶片電容器的大小且增加晶片電容器的靜電電容。另外，由於電容器打線中的各者由打線接合方法安裝於基底上，因此電容器打線可容易安裝於基底上。因此，容易改良晶片電容器的可靠性可為可能的。

因此，可能可提供可容易按比例縮小且具有高效能及高可靠性特性的晶片電容器。

儘管本發明概念的實例實施例已特定繪示且描述，但所屬領域具有通常知識者應理解，在不背離隨附申請專利範圍的精神及範疇的情況下，本文中可進行形式及細節上的變化。

10:核心電極線 10E、20E、30E:末端部分 10os、20os、30os:外部圓周表面 20:介電線 25:額外介電線 30:外部電極線 40:鈍化線 100:基底 100L、300L:底部表面 100U、300U:頂部表面 110:第一基底接墊 120:第二基底接墊 130:下部連接端子 140、140a、140b:導柱結構 140D:直徑 140H:高度 150:模製層 200:焊球 210:導電凸塊 220:增強圖案 300:上部基底 310:第一上部基底接墊 320:第二上部基底接墊 330:上部連接端子 340:支撐圖案 350:導電打線 360:底部填充層 400:支撐基底 410:引線 500:晶片電容器 500T:厚度 A-A'、B-B'、C-C':線 E1、E1a、E1b:第一末端部分 E2、E2a、E2b:第二末端部分 HD:水平方向 LD:縱向方向 V1:第一電壓 V2:第二電壓 V3:第三電壓 VD:豎直方向 WCAP:電容器打線 WCAP1:第一電容器打線 WCAP2:第二電容器打線 WCAP3:第三電容器打線 WD:寬度方向

圖1為示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的截面圖。 圖2為圖1的電容器打線的示意性透視圖。 圖3A為沿著圖2的線A-A'截取的截面圖，且圖3B為沿著圖2的線B-B'截取的截面圖。 圖4為示出接合圖2的電容器打線的方法的概念圖。 圖5至圖12為示例性地示出安裝圖1的電容器打線的各種方法的概念圖。 圖13至圖16為截面圖，其中各者示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器。 圖17至圖20為示意性地示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的部分的透視圖。 圖21為示意性地示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器的部分的透視圖。 圖22為示意性地示出沿著圖21的線C-C'截取的部分的截面圖。 圖23及圖24為截面圖，其中各者示出根據本發明概念的實施例的晶片電容器。

100:基底

100L:底部表面

100U:頂部表面

110:第一基底接墊

120:第二基底接墊

130:下部連接端子

150:模製層

500:晶片電容器

500T:厚度

HD:水平方向

VD:縱向方向

WCAP:電容器打線

Claims (20)

1. 一種晶片電容器，包括： 基底； 多個電容器打線，位於所述基底上；以及 模製層，安置於所述基底上以覆蓋所述電容器打線， 其中所述電容器打線中的各者包括： 核心電極線，具有打線形狀； 外部電極線，覆蓋所述核心電極線的至少一部分；以及 介電線，插置於所述核心電極線與所述外部電極線之間。
2. 如請求項1所述的晶片電容器，其中所述外部電極線包括其熔點低於所述核心電極線的熔點的材料。
3. 如請求項1所述的晶片電容器，其中： 所述核心電極線包括第一金屬，以及 所述外部電極線包括不同於所述第一金屬的第二金屬。
4. 如請求項1所述的晶片電容器，其中所述電容器打線中的各者由打線接合方法連接至所述基底。
5. 如請求項1所述的晶片電容器，其中： 所述電容器打線中的各者具有在所述核心電極線的縱向方向上彼此相對的第一末端部分及第二末端部分，以及 在所述電容器打線中的各者的所述第一末端部分處，所述核心電極線由球接合方法或楔接合方法連接至所述基底。
6. 如請求項5所述的晶片電容器，其中，在所述電容器打線中的各者的所述第二末端部分處，所述外部電極線由楔接合方法連接至所述基底。
7. 如請求項1所述的晶片電容器，其中： 所述基底具有彼此相對的頂部表面及底部表面， 所述基底包括在所述頂部表面處的第一基底接墊及在所述底部表面處的第二基底接墊， 所述電容器打線安置於所述基底的所述頂部表面上，以及 所述電容器打線中的各者連接至所述第一基底接墊中的對應第一基底接墊。
8. 如請求項7所述的晶片電容器，其中： 所述電容器打線中的各者具有在所述核心電極線的縱向方向上彼此相對的第一末端部分及第二末端部分，以及 在所述電容器打線中的各者的所述第一末端部分處，所述核心電極線由球接合方法或楔接合方法連接至所述對應第一基底接墊中的一者。
9. 如請求項8所述的晶片電容器，其中，在所述電容器打線中的各者的所述第二末端部分處，所述外部電極線由楔接合方法連接至所述對應第一基底接墊中的另一者。
10. 如請求項7所述的晶片電容器，更包括分別安置於所述基底的所述底部表面及所述第二基底接墊上的下部連接端子。
11. 如請求項7所述的晶片電容器，其中所述基底為印刷電路板、中介層基底或再分佈基底。
12. 如請求項1所述的晶片電容器，其中： 所述基底為包含多個引線的引線框，以及 所述電容器打線中的各者連接至所述引線中的對應引線。
13. 如請求項12所述的晶片電容器，其中所述電容器打線中的各者由球接合方法或楔接合方法連接至所述對應引線。
14. 如請求項1所述的晶片電容器，更包括在垂直於所述基底的頂部表面的豎直方向上堆疊於所述基底上的上部基底， 其中所述上部基底具有彼此相對的頂部表面及底部表面， 其中所述上部基底的所述底部表面面向所述基底的所述頂部表面，以及 其中所述電容器打線安裝於所述基底的所述頂部表面、所述上部基底的所述頂部表面以及所述上部基底的所述底部表面中的至少一者上。
15. 如請求項14所述的晶片電容器，其中： 所述電容器打線由打線接合方法連接至所述基底的所述頂部表面、所述上部基底的所述頂部表面以及所述上部基底的所述底部表面中的至少一者，以及 設置所述模製層以覆蓋所述電容器打線及所述上部基底。
16. 如請求項14所述的晶片電容器，更包括在所述基底與所述上部基底之間的上部連接端子， 其中設置所述上部連接端子以將所述基底電連接至所述上部基底。
17. 如請求項14所述的晶片電容器，更包括： 支撐圖案，在所述基底與所述上部基底之間；以及 導電打線，將所述基底電連接至所述上部基底。
18. 如請求項14所述的晶片電容器，更包括所述基底與所述上部基底之間的底部填充層， 其中所述電容器打線中的至少一些安置於所述底部填充層中。
19. 如請求項14所述的晶片電容器，其中： 所述上部基底為在所述豎直方向上堆疊於所述基底上的多個上部基底中的一者，以及 所述上部基底經堆疊以具有樓梯結構。
20. 一種晶片電容器，包括： 基底，具有彼此相對的頂部表面及底部表面，所述基底包括在所述頂部表面處的第一基底接墊及在所述底部表面處的第二基底接墊； 多個電容器打線，安置於所述基底的所述頂部表面上且連接至所述第一基底接墊；以及 模製層，安置於所述基底的所述頂部表面上以覆蓋所述電容器打線， 其中所述電容器打線中的各者包括： 核心電極線，具有打線形狀； 外部電極線，覆蓋所述核心電極線的至少一部分；以及 介電線，插置於所述核心電極線與所述外部電極線之間， 其中所述電容器打線中的各者具有在所述核心電極線的縱向方向上彼此相對的第一末端部分及第二末端部分， 其中，在所述電容器打線中的各者的所述第一末端部分處，所述核心電極線連接至所述第一基底接墊中的一者，以及 其中，在所述電容器打線中的各者的所述第二末端部分處，所述外部電極線連接至所述第一基底接墊中的另一者。