TWI845937B

TWI845937B - 天線饋入耦合模組及電子裝置

Info

Publication number: TWI845937B
Application number: TW111117249A
Authority: TW
Inventors: 許倬綱; 賀敏慧
Original assignee: 富智康國際股份有限公司
Priority date: 2022-05-07
Filing date: 2022-05-07
Publication date: 2024-06-21
Also published as: TW202345453A

Abstract

一種天線饋入耦合模組，應用於具有金屬邊框及至少一電子組件的電子裝置，金屬邊框與電子組件間隔形成收容天線饋入耦合模組的狹縫，天線饋入耦合模組包括基體、至少一耦合饋入單元、主動電路、金屬層及非導電層；耦合饋入單元與主動電路分別設置於基體相對的兩個表面，耦合饋入單元朝向金屬層設置，為金屬層耦合饋入電訊號，金屬層傳導電訊號至金屬邊框，以使金屬邊框輻射無線訊號；非導電層設置於金屬層與耦合饋入單元之間；主動電路切換耦合饋入單元的饋入電訊號。還提供一種具有該天線饋入耦合模組之電子裝置。

Description

天線饋入耦合模組及電子裝置

本申請涉及通訊技術領域，尤其涉及天線饋入耦合模組及電子裝置。

隨著無線通訊技術之進步，行動電話、個人數位助理等電子裝置不斷朝向功能多樣化、輕薄化、以及資料傳輸更快、更有效率等趨勢發展。然而其相對可容納天線之空間亦就越來越小，且隨著無線通訊技術之不斷發展，天線之頻寬需求不斷增加。因此，如何於有限之空間內設計出具有較寬頻寬及較佳效率之天線，係天線設計面臨之一項重要課題。

本申請提供一種天線饋入耦合模組及電子裝置，所述天線饋入耦合模組可設置於電子裝置內，且與金屬輻射體配合，進而涵蓋多個頻段，以提升頻寬並兼具最佳天線效率。

一種天線饋入耦合模組，應用於具有金屬邊框及至少一電子組件的電子裝置中，金屬邊框與至少一電子組件間隔設置形成一狹縫，天線饋入耦合模組設置於狹縫中，天線饋入耦合模組包括基體、至少一耦合饋入單元、主動電路、金屬層及非導電層；至少一耦合饋入單元與主動電路分別設置於基體相對的兩個表面，且至少一耦合饋入單元朝向金屬層而設置，至少一耦合饋入單元之一側設置有至少一訊號饋電點，訊號饋電點電性連接至主動電路，至少一耦合饋入單元為金屬層耦合饋入電訊號，所述金屬層傳導所述電訊號至所述金屬邊框，以使金屬邊框輻射無線訊號；非導電層設置於金屬層與至少一耦合饋入單元之間，並覆蓋至少一耦合饋入單元；主動電路用以切換至少一耦合饋入單元的饋入電訊號。

一種電子裝置，包括上述之天線饋入耦合模組。

上述天線饋入耦合模組及電子裝置可激發出多個輻射模態，進而涵蓋多個頻段，以提升頻寬並兼具最佳天線效率。

100:天線饋入耦合模組

11:基體

111:第一表面

112:第二表面

113:穿孔、過孔

Patch:耦合饋入單元

Patch 1:第一耦合饋入單元

Patch 2:第二耦合饋入單元

Pa、Pb:路徑

121:訊號饋電點

port1:第一訊號饋電點

port2:第二訊號饋電點

13:主動電路

131:切換開關

132:第一可調元件

133:第二可調元件

14:連接器

300:電子裝置

303:電池

304:金屬邊框

305:背板

306:接地面

307:中框

308:容置空間

309:狹縫

311:第一縫隙

312:第二縫隙

313:第一部分

314:第二部分

315:第三部分

316:接地點

151:第一匹配單元

152:第二匹配單元

161:第一饋入源

162:第二饋入源

圖1為本申請較佳實施例提供之天線饋入耦合模組之示意圖；圖2為圖1所示天線饋入耦合模組於另一角度下之示意圖；圖3A至圖3C為本申請較佳實施例提供之天線饋入耦合模組另一角度之示意圖；圖4為本申請較佳實施例提供之天線饋入耦合模組設置於電子裝置的金屬邊框一側之示意圖；圖5為圖4所示天線饋入耦合模組與金屬邊框於另一角度下之示意圖；圖6為本申請較佳實施例提供之天線饋入耦合模組應用至電子裝置之示意圖；圖7為圖6所示天線饋入耦合模組中主動電路之電路連接示意圖；圖8為圖6所示天線饋入耦合模組之電流路徑示意圖；圖9A至圖9C為圖3A至圖3C所示之天線饋入耦合模組之S參數(散射參數)曲線圖；圖10A至圖10C為圖3A至圖3C所示之天線饋入耦合模組之效率曲線圖。

為使本申請實施例之目的、技術方案與優點更加清楚，下面將結合本申請實施例中之附圖，對本申請實施例中之技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述之實施例係本申請一部分實施例，而不係全部之實施例。基於本申請中之實施例，所屬領域具有通常知識者於沒有做出創造性勞動前提下所獲得之所有其他實施例，均屬於本申請保護之範圍。

需要說明的是，本申請實施例中“至少一個”係指一個或者多個，多個係指兩個或兩個以上。除非另有定義，本文所使用之所有之技術與科學術語與所屬領域具有通常知識者通常理解之含義相同。本申請之說明書中所使用之術語僅是為描述具體之實施例之目不是旨在於限制本申請。

應理解，本申請中除非另有說明，“/”表示或的意思。例如，A/B可表示A或B。本申請中之“A與/或B”僅僅係一種描述關聯物件之關聯關係，表示可存於僅存於A、僅存於B以及存於A與B這三種關係。

需要說明的是，本申請實施例中，“第一”、“第二”等詞彙，僅用於區分描述之目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性，亦不能理解為指示或暗示順序。限定有“第一”、“第二”之特徵可明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特徵。於本申請實施例之描述中，“示例性的”或者“例如”等詞用於表示作例子、例證或說明。本申請實施例中被描述為“示例性的”或者“例如”之任何實施例或設計方案不應被解釋為比其它實施例或設計方案更優選或更具優勢。確切而言，使用“示例性的”或者“例如”等詞旨於以具體方式呈現相關概念。

需要說明的是，本申請實施例中，術語“高度”係指於垂直於參考地層之方向上之投影長度。術語“中心”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示之方位或位置關係為基於附圖所示之方位或位置關係，僅係為便於描述本申請與簡化描述，而不是指示或暗示所指之裝置或元件必須具有特定之方位、以特定之方位構造與操作，因此不能理解為對本申請之限制。

請一併參閱圖1圖2及圖3B，可以理解，本申請較佳實施例提供一種天線饋入耦合模組100。所述天線饋入耦合模組100包括基體11、至少一耦合饋入單元Patch、主動電路13(參圖2)、連接器14(參圖2)、金屬層15及非金屬層16(參圖3B)。

所述基體11可為介質基板，例如，印刷電路板(printed circuit board，PCB)，陶瓷(ceramics)基體或其他介質基板，於此不做具體限定。所述基體11包括第一表面111及第二表面112，所述第二表面112與所述第一表面111相對設置。

請一併參閱圖3A，於本申請實施例中，天線饋入耦合模組100包括第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2。第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2整體呈金屬薄片狀。第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2設置於所述基體11之第一表面111。所述第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2可藉由穿孔(過孔)113連接至所述基體11之第二表面112。

請一併參閱圖3A，於其中一個實施例中，第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2均整體呈矩形貼片形狀，其表面並未設置任何縫隙、切槽、斷點等。第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2之一側均對應設置有至少一訊號饋電點121。所述訊號饋電點121用以藉由匹配電路(圖未示，參後詳述)通過穿孔(過孔)113電連接至相應之饋入源(圖未示，參後詳述)，進而將電訊號分別饋入至所述第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2。

可以理解，於本申請實施例中，所述第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2為矩形貼片形狀，亦可根據不同的輻射頻率調整貼片的形狀及面積，並不對至少一耦合饋入單元Patch之具體形狀及結構進行限定。

所述第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2間隔設置。第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2之面積分配可依據頻寬需求做比例調整，如此藉由大面積提供較寬頻耦合效果。例如，第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2靠近輻射體(輻射體可為，但不局限於，金屬邊框、鐵件、PCB軟板上之銅箔、或LDS製程中的導體等等)時，兩者非接觸，如此可透過耦合將訊號傳遞至輻射體，並由輻射體來發射/接收無線訊號。顯然，當耦合饋入單元之面積分配越大，則透過耦合將訊號由輻射體發射/接收時，所得頻寬越寬，進而實現大面積提供較寬頻耦合效果。

可以理解，請再次參閱圖2及圖3A，於本申請實施例中，所述主動電路13設置於所述基體11之第二表面112上。所述基體11之第二表面112上佈設有連接線路(圖未示)。所述連接線路連接至所述主動電路13。所述主動電路13可包括切換開關，與/或其他可變換阻抗之可調元件(圖未示，參後詳述)。所述主動電路13可藉由所述連接線路電連接至所述第一耦合饋入單元 Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2及所述連接器14。例如，於其中一個實施例中，所述基體11上還設置有穿孔(過孔)113，所述第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2可透過所述穿孔(過孔)113連接至所述基體11之第二表面112，並藉由所述第二表面112上之連接線路連接至所述主動電路13。

所述連接器14設置於所述基體11之第二表面112上，即設置於所述主動電路13所在表面。於其中一些實施例中，所述連接器14可與所述主動電路13間隔設置，且彼此電連接。當然，於本申請實施例中，並不對所述連接器14與所述主動電路13之具體位置關係及連接關係等進行限制。例如，於其中一個實施例中，所述主動電路13可設置於所述連接器14內，即所述連接器14可用以收容所述主動電路13。所述連接器14電連接至所述主動電路13，且連接至相應之傳輸線，進而藉由所述傳輸線實現所述天線饋入耦合模組100之訊號傳輸，例如實現訊號之送出或送入。

可以理解，所述傳輸線可為，但不局限於，同軸電纜(coaxial cable)，柔性印刷電路板(Flexible Printed Circuit Board，FPCB)或其他傳輸線等。

請一併參閱圖3B及圖3C，所述非導電層16設置於所述金屬層15與所述至少一耦合饋入單元Patch之間，並覆蓋所述至少一耦合饋入單元Patch。具體地，所述非導電層16覆蓋於所述基體11之第一表面111上，並覆蓋第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2。於其中一個實施例中，所述非導電層16可由非導電材料製成，例如，由耐燃材料FR4、氧化鋁(AL₂O₃)、Arlon材料、陶瓷(ceramics)等其中一種或多種形成，於此不做具體限定。

所述金屬層15對應非導電層16遠離基體11的一側設置。所述金屬層15可以根據訊號輻射的需求設置為不同的尺寸或形狀。於其中一個實施例中，請參閱圖3B，所述金屬層15對應非導電層16的尺寸設置，即所述金屬層15在第一方向上的投影面積與所述非導電層16在所述第一方向上的投影面積相同，且所述金屬層15在第一方向上的投影面積大於第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2在第一方向上的投影面積。其中，所述第一方向可以為所述金屬層15及所述非導電層16朝向基體11的方向，或者沿基體11的厚度方向，參圖3B所示的X方向。於其中另一個實施例中，請參閱圖3C，所述金屬層15對應第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2的尺寸設置，即所述金屬層15在第一方向上的投影面積與第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2在所述第一方向上的投影面積大致相同，第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2在第一方向上的投影位置與金屬層15在第一方向上的投影位置對應，且第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2位於金屬層15在第一方向上的投影範圍內；所述金屬層15在第一方向上的投影面積小於所述非導電層16在第一方向上的投影面積，且所述金屬層15位於所述非導電層16在所述第一方向上的投影範圍內。

所述第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2分別透過訊號饋電點121從所述主動電路13饋入電訊號，並將電訊號耦合至所述金屬層15，以使所述金屬層15可進一步傳導電訊號至輻射體(輻射體可為，但不局限於，金屬邊框、鐵件、PCB軟板上之銅箔、或LDS製程中的導體等等)。另外，所述天線饋入耦合模組100還可利用所述主動電路13之切換開關，以切換多模態，進而實現多個寬頻操作。

例如，於其中一個實施例中，第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2間隔設置，且藉由與所述金屬層15與輻射體抵接設置，進而可使輻射體用以接收4G/5G中頻訊號(頻率範圍為1.7GHz-2.2GHz)、高頻訊號(頻率範圍為2.3GHz-2.7GHz)、超高頻(ultra high band，UHB)訊號(頻率範圍為3.3GHz-5GHz)、GPS訊號(頻率範圍為1.5GHz-1.6GHz)、Wi-Fi訊號(頻率範圍為2.4GHz，5GHz)等。

當然，於本申請實施例中，並不對所述天線饋入耦合模組100之頻率進行限制。例如，可藉由調整所述天線饋入耦合模組100之形狀、長度、寬度、面積等參數，以調整所需之頻率。另外，所述至少一耦合饋入單元Patch之形狀、長度、寬度、面積等參數，亦可根據所需之頻率進行調整。

可以理解，請一併參閱圖4及圖5，所述天線饋入耦合模組100可以應用於具有金屬邊框304及至少一電子組件303的電子裝置300中。所述金屬邊框304與所述至少一電子組件303間隔設置形成一狹縫309。所述天線饋入耦合模組100可設置於所述狹縫309中。其中，所述天線饋入耦合模組100設置有金屬層15之一側朝向並抵接所述金屬邊框304設置，同時，至少一耦合饋入單元Patch(例如圖3A至圖3C所示之第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2)也朝向所述金屬邊框304設置，所述基體11設置有主動電路13及連接器14的一側間隔所述至少一電子組件303設置。

可以理解，於本申請實施例中，並不對所述金屬邊框304之具體結構，與/或其與其他元件之連接關係等進行限制。例如，所述金屬邊框304可連接至地(即所述金屬邊框304接地處理)，或者不連接至地。又如，所述金屬邊框304上可設置或未設置任何斷點、斷槽、縫隙等。

可以理解，請一併參閱圖6，於本申請實施例中，當所述天線饋入耦合模組100可應用於一電子裝置300時，天線饋入耦合模組100可致使所述電子裝置300發射、接收無線電波以傳遞、交換無線訊號。所述電子裝置300可為掌上型通訊裝置(例如行動電話)、折疊機、智慧穿戴裝置(例如手錶，耳機等)、平板電腦、個人數位助理(personal digital assistant，PDA)等，於此不做具體限制。

可以理解，所述電子裝置300可採用以下一種或多種通訊技術：藍牙(bluetooth，BT)通訊技術、全球定位系統(global positioning system，GPS)通訊技術、無線保真(wireless fidelity，Wi-Fi)通訊技術、全球移動通訊系統(global system for mobile communications，GSM)通訊技術、寬頻碼分多址(wideband code division multiple access，WCDMA)通訊技術、長期演進(long term evolution，LTE)通訊技術、5G通訊技術、SUB-6G通訊技術以及未來其他通訊技術等。

於本申請實施例中，以所述電子裝置300為手機為例加以說明。

請再次參閱圖6，於其中一實施例中，所述電子裝置300至少包括金屬邊框304、電池303、背板305、接地面306及中框307。

所述金屬邊框304由金屬或其他導電材料製成。所述背板305可由金屬或其他導電材料製成。所述金屬邊框304設置於所述背板305之邊緣，並與所述背板305共同形成一容置空間308。所述金屬邊框304相對所述背板305之一側設置有一開口(圖未標)，用於容置一顯示單元(圖未示)。所述顯示單元具有一顯示平面，該顯示平面裸露於該開口。可以理解，所述顯示單元可結合觸摸感測器組合成觸控屏。觸摸感測器又可稱為觸控面板或觸敏面板。

可以理解，於本申請實施例中，所述顯示單元具有高屏占比。即所述顯示單元之顯示平面之面積大於70%之電子裝置之正面面積，甚至可做到正面全螢幕。具體於本申請實施例中，所述全螢幕是指除了所述電子裝置300上開設之必要之槽孔以外，所述顯示單元之左側、右側、下側均可無縫隙地連接至所述金屬邊框304。

所述接地面306可由金屬或其他導電材料製成。所述接地面306可設置於所述金屬邊框304與所述背板305共同圍成之所述容置空間308內，且連接至所述背板305。

所述中框307由金屬或其他導電材料製成。所述中框307之形狀及尺寸可小於所述接地面306。所述中框307疊設於所述接地面306上。於本實施例中，所述中框307為設置於所述顯示單元與所述接地面306之間之金屬片。所述中框307用於支撐所述顯示單元、提供電磁屏蔽、及提高所述電子裝置300之機構強度。

可以理解，於本實施例中，所述金屬邊框304、所述背板305、所述接地面306及所述中框307可構成一體成型之金屬框體。所述背板305、所述接地面306及所述中框307為大面積金屬，因此可共同構成所述電子裝置300之系統接地面(圖未標)。

所述電池303設置於所述中框307上，用以為所述電子裝置300之電子元件、模組、電路等提供電能。所述電池303與所述金屬邊框304間隔設置，進而於兩者之間形成狹縫309。

可以理解，於其他實施例中，所述電子裝置300還可包括以下一個或多個元件，例如處理器、電路板、記憶體、輸入輸出電路、音訊元件(例如麥克風及揚聲器等)、多媒體元件(例如前置攝像頭與/後置攝像頭)、感測器元件(例如接近感測器、距離感測器、環境光感測器、加速度感測器、陀螺儀、磁感測器、壓力感測器及/或溫度感測器等)等，於此不再贅述。

請一併參閱圖5及圖6，可以理解，當所述天線饋入耦合模組100應用至所述電子裝置300時，所述天線饋入耦合模組100可設置於所述狹縫309內，且大致垂直所述接地面306所在平面設置。所述金屬邊框304之一部分可構成輻射體。具體地，所述金屬邊框304上設置有第一縫隙311及第二縫隙312。所述第一縫隙311及第二縫隙312隔斷所述金屬邊框304，以將所述金屬邊框304至少劃分為間隔設置之第一部分313、第二部分314及第三部分315。其中所述第一部分313、第二部分314及第三部分315均能夠用以輻射無線訊號。所述第二部分314可電連接至所述系統接地面，例如所述接地面306，即接地。

可以理解，於其中一個實施例中，所述第一縫隙311及第二縫隙312可與所述狹縫309連通，並填充有絕緣材料，例如塑膠、橡膠、玻璃、木材、陶瓷等，但不以此為限。

可以理解，於其中一個實施例中，所述第三部分315靠近所述第二縫隙312之一側設置有接地點316。所述接地點316之一端電連接至所述第三部分315，另一端電連接至所述中框307，即接地。而所述天線饋入耦合模組100設置於所述第一部分313與所述接地點316之間之所述狹縫309內，且大致垂直所述接地面306所在平面設置。

可以理解，當所述天線饋入耦合模組100設置於所述狹縫309內時，所述天線饋入耦合模組100上之金屬層15朝向並抵接所述第一部分313，第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2朝向所述第一部分313。所述連接器14設置於所述基體11之另一表面，即背向所述第一部分313設置。所述連接器14之一端電連接至所述中框307，另一端與所述基體11電連接。

在另一些實施例中，所述天線饋入耦合模組100對應第一部分313、第二縫隙312及第三部分315設置，天線饋入耦合模組100上之金屬層15朝向並抵接第一部分313及第三部分315，且第一耦合饋入單元Patch 1朝向第三部分315，第二耦合饋入單元Patch 2朝向第一部分313。從而使得天線饋入耦合模組100可同時向第一部分313和第三部分315饋入電訊號。

請一併參閱圖6及圖7，第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2包括相應之訊號饋電點(例如第一訊號饋電點port1、第二訊號饋電點port2，即前面所述之訊號饋電點121)。每一訊號饋電點121分別藉由相應之匹配單元電連接至相應之饋入源。例如，所述第一耦合饋入單元Patch 1之第一訊號饋電點port1藉由第一匹配單元151電連接至第一饋入源161。所述第二耦合饋入單元Patch 2之第二訊號饋電點port2藉由第二匹配單元152電連接至第二饋入源162。

所述天線饋入耦合模組100中之主動電路13連接至所述連接器14。如圖7所示，所述主動電路13包括切換開關131及第一可調元件132、第二可調元件133。其中，所述切換開關131之一端電連接至所述連接器14，另一端藉由相應之第一可調元件132、第二可調元件133電連接至對應之饋入源。例如，所述切換開關131藉由第一可調元件132電連接至所述第一饋入源161，藉由第二可調元件133電連接至所述第二饋入源162。即，所述匹配電路至少包括第二匹配單元151及第二匹配單元152。

藉由所述第一耦合饋入單元Patch 1、第二耦合饋入單元Patch 2與所述金屬層15耦合電訊號，並藉由所述金屬層15傳導電訊號至所述第一部分313，並藉由所述第一部分313進一步耦合電訊號至第二部分314及第三部分315，所述第一耦合饋入單元Patch 1、第二耦合饋入單元Patch 2與所述第一部分313、第二部分314、第三部分315耦合共振出具有可調性之模態。另外，還可控制所述第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2之間之耦合狀態，透過耦合分別產生可調性且天線效率佳之獨立模態。再者，藉由所述主動電路13中之切換開關131之切換，可切換多模態，並使用多個可調元件(例如第一可調元件132、第二可調元件133)實現多個頻段包覆。

請一併參閱圖8，為所述電子裝置300之電流路徑示意圖。其中，設置有訊號饋電點port1之第一耦合饋入單元Patch 1可激發中頻及高頻(參路徑Pa)模態，利用狹縫309可耦合共振出中頻及高頻頻段，兼具最佳天線效率，使得所述第一耦合饋入單元Patch 1之工作頻率範圍可涵蓋中頻頻段(1.71GHz-2.17GHz)及高頻頻段(2.3GHz-2.69GHz)。

設置有訊號饋電點port2之第二耦合饋入單元Patch 2可激發超高頻(UHB)模態及5G Sub 6 NR模態(參路徑Pb)，利用狹縫309可耦合共振出UHB頻段及5G Sub 6 NR頻段，兼具最佳天線效率。使所述第二耦合饋入單元Patch 2之工作頻率範圍可涵蓋超高頻頻段(3.3GHz-5GHz)及5G Sub 6 NR頻段(例如，5G Sub 6 N77頻段(3.3GHz-4.2GHz)、5G Sub 6 N78頻段(3.3GHz-3.8GHz)與5G Sub 6 N79頻段(4.4GHz-5GHz)。

在本發明一實施例，所述切換開關131為中頻、高頻、UHB及5G Sub 6 NR切換開關，用以切換中頻、高頻、UHB及5G Sub 6 NR頻段。

所述天線饋入耦合模組100可應用至電子裝置300中，以提升天線效率頻寬並具有最佳天線效率，且利用所述切換開關131之切換，可有效提升天線頻率覆蓋範圍。具體地，於其中一個實施例中，所述天線饋入耦合模組 100適用之工作頻率範圍涵蓋中頻1.71GHz至2.17GHz、高頻2.3GHz至2.69GHz、超高頻3.3GHz至5GHz，並可支援5G Sub 6 N77/N78/N79頻段。

所述天線饋入耦合模組100藉由將所述第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2設置為獨立之片體，並在適當位置設置相應之訊號饋電點，並藉由所述金屬層15以及電子裝置300之金屬邊框304(例如，第一部分313)作為金屬輻射體，於狹縫309中由所述金屬層15及金屬邊框304與所述第一耦合饋入單元Patch 1與第二耦合饋入單元Patch 2耦合能量共振出模態，涵蓋中、高頻、超高頻、5G Sub 6 N77、5G Sub 6 N78、5G Sub 6 N79頻段，藉以大幅提升其頻寬與天線效率，亦可涵蓋全球常用5G之通訊頻段之應用，以及支援LTE-A(LTE-Advanced之簡稱，是LTE技術之後續演進)之載波聚合應用(Carrier Aggregation，CA)要求。

請一併參閱圖9A至圖9C，為所述天線饋入耦合模組100之第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2設置不同之金屬層15(如圖3A未設置金屬層15及圖3B至圖3C所示之金屬層15)時之S參數(散射參數)曲線圖。其中，如圖9A所示，所述第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2未設置金屬層15，並藉由切換開關131切換以產生可調性且天線效率佳之獨立模態，以使第一耦合饋入單元Patch 1涵蓋中頻1.71GHz-2.17GHz及高頻2.3GHz-2.69GHz；使第二耦合饋入單元Patch 2涵蓋超高頻3.3GHz-5GHz及5G Sub 6 N77/N78/N79頻段。如圖9B所示，所述第一耦合饋入單元Patch 1、第二耦合饋入單元Patch 2及圖3B所示之金屬層15藉由切換開關131切換以產生可調性且天線效率佳之獨立模態，以使所述第一耦合饋入單元Patch 1涵蓋中頻1.71GHz-2.17GHz及高頻2.3GHz-2.60GHz；使所述第二耦合饋入單元 Patch 2涵蓋超高頻3.3GHz-5GHz及5G Sub 6 N77/N78/N79頻段。如圖9C所示，所述第一耦合饋入單元Patch 1、第二耦合饋入單元Patch 2及圖3C所示之金屬層15藉由切換開關131切換以產生可調性且天線效率佳之獨立模態，以使所述第一耦合饋入單元Patch 1涵蓋中頻1.71GHz-2.17GHz及高頻2.3GHz-2.69GHz；使所述第二耦合饋入單元Patch 2涵蓋超高頻3.3GHz-5GHz及5G Sub 6 N77/N78/N79頻段。

可以理解，藉由所述切換開關131切換至不同之訊號饋電點，可控制其頻率模態，以涵蓋中頻1.71GHz-2.17GHz、高頻2.3GHz-2.69GHz，超高頻3.3GHz-5GHz，並可支援5G Sub 6 N77/N78/N79頻段。

請一併參閱圖10A至圖10C，為所述天線饋入耦合模組100之第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2設置不同之金屬層15(如圖3A未設置金屬層15及圖3B至圖3C所示之金屬層15)時之效率曲線圖。其中，圖10A為所述天線饋入耦合模組100中所述第一耦合饋入單元Patch 1及第二耦合饋入單元Patch 2未設置金屬層15，並藉由切換開關131切換以產生可調性且天線效率佳之獨立模態時，各耦合餽入單元之輻射效率(圖中所示為Rad.)值及總效率(圖中所示為Tot.)值。圖10B為所述天線饋入耦合模組100中所述第一耦合饋入單元Patch 1、第二耦合饋入單元Patch 2及圖3B所示之金屬層15藉由切換開關131切換以產生可調性且天線效率佳之獨立模態時，各耦合餽入單元之輻射效率(圖中所示為Rad.)值及總效率(圖中所示為Tot.)值。圖10C為所述天線饋入耦合模組100中所述第一耦合饋入單元Patch 1、第二耦合饋入單元Patch 2及圖3C所示之金屬層15藉由切換開關131切換以產生可調性且天線效率佳之獨立模態時，各耦合饋入單元之輻射效率(圖中所示為Rad.) 值及總效率(圖中所示為Tot.)值。

顯然，藉由設置所述切換開關131，並使得所述切換開關131切換至不同之訊號饋電點，以控制頻率模態，進而在涵蓋至中頻(1.71GHz-2.17GHz)，高頻(2.3GHz-2.69GHz)，超高頻(3.3GHz-5GHz)，並可支援5G Sub 6 N77/N78/N79頻段時，具有較佳之輻射效率。

以上所述，僅為本發明的較佳實施例，並非是對本發明作任何形式上的限定。另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其它變化，當然，這些依據本發明精神所做的變化，都應包含在本發明所要求保護的範圍之內。

11:基體

111:第一表面

112:第二表面

113:穿孔、過孔

Patch1:第一耦合饋入單元

Patch2:第二耦合饋入單元

13:主動電路

14:連接器

15:金屬層

16:非金屬層

Claims

一種天線饋入耦合模組，應用於具有金屬邊框及至少一電子組件的電子裝置中，所述金屬邊框與所述至少一電子組件間隔設置形成一狹縫，所述天線饋入耦合模組設置於所述狹縫中，其改良在於，所述天線饋入耦合模組包括基體、第一耦合饋入單元、第二耦合饋入單元、主動電路、連接器、金屬層及非導電層；所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元與所述主動電路分別設置於所述基體相對的兩個表面，且所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元朝向所述金屬層設置，所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元之一側設置有至少一訊號饋電點，所述至少一訊號饋電點電性連接至所述主動電路，所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元為所述金屬層耦合饋入電訊號，所述金屬層傳導所述電訊號至所述金屬邊框，以使所述金屬邊框輻射無線訊號；所述非導電層設置於所述金屬層與所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元之間，並覆蓋所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元，所述金屬層在第一方向上的投影面積與所述第一耦合饋入單元與所述第二耦合饋入單元在所述第一方向上的投影面積相同，所述第一耦合饋入單元與所述第二耦合饋入單元在所述第一方向上的投影位置與所述金屬層在所述第一方向上的投影位置對應；所述主動電路用以切換所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元的饋入電訊號；以及所述基體包括相對設置的第一表面及第二表面，所述基體設置有貫通所述第一表面與所述第二表面之至少一通孔，所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元設置於所述第一表面上，所述主動電路與所述連接器設置於所述第二表面上，所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元通過所述至少一通孔電性連接至所述主動電路。
如請求項1所述之天線饋入耦合模組，其中所述第一表面朝向所述金屬層設置。
如請求項1所述之天線饋入耦合模組，其中所述主動電路包括切換開關及多個可調元件，藉由將所述切換開關切換至相應之所述可調元件及所述至少一訊號饋電點，進而控制所述天線饋入耦合模組之頻率模態，以涵蓋中頻頻段、高頻頻段、超高頻(UHB)頻段、GPS頻段、Wi-Fi 2.4G頻段、Wi-Fi 5G頻段、授權頻譜輔助接入(LAA)頻段、及5G Sub 6 NR頻段。
如請求項1所述之天線饋入耦合模組，其中所述金屬層位於所述非導電層在所述第一方向上的投影範圍內。
如請求項1所述之天線饋入耦合模組，其中所述金屬層在所述第一方向上的投影覆蓋所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元在所述第一方向上的投影。
如請求項1所述之天線饋入耦合模組，其中所述非導電層由耐燃材料FR4、氧化鋁、Arlon材料、陶瓷其中一種或多種形成。
如請求項1所述之天線饋入耦合模組，其中所述第一耦合饋入單元及所述第二耦合饋入單元為完整之導電片體。
一種電子裝置，所述電子裝置包括如請求項1至7中任一項所述之天線饋入耦合模組。