TWI843612B

TWI843612B - 中子捕獲治療系統

Info

Publication number: TWI843612B
Application number: TW112123292A
Authority: TW
Inventors: 劉淵豪; 盧威驊; 貢秋平; 徐浩磊
Original assignee: 大陸商中硼（廈門）醫療器械有限公司
Priority date: 2021-02-09
Filing date: 2022-01-27
Publication date: 2024-05-21

Abstract

一種中子捕獲治療系統，設置中子遮罩空間來儘量避免或降低中子的洩漏或對室內其他設備的輻射損傷和輻射污染。本發明的中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將所述帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，中子捕獲治療系統整體容納在混凝土構造的建築物中，混凝土構造的建築物中形成中子遮罩空間。

Description

中子捕獲治療系統

本發明係關於一種輻射線照射系統；特別關於一種中子捕獲治療系統。

隨著原子科學的發展，例如鈷六十、直線加速器、電子射束等放射線治療已成為癌症治療的主要手段之一。然而傳統光子或電子治療受到放射線本身物理條件的限制，在殺死腫瘤細胞的同時，也會對射束途徑上大量的正常組織造成傷害；另外由於腫瘤細胞對放射線敏感程度的不同，傳統放射治療對於較具抗輻射性的惡性腫瘤(如：多行性膠質母細胞瘤(glioblastoma multiforme)、黑色素細胞瘤(melanoma))的治療成效往往不佳。

為了減少腫瘤周邊正常組織的輻射傷害，化學治療(chemotherapy)中的標靶治療概念便被應用於放射線治療中；而針對高抗輻射性的腫瘤細胞，目前也積極發展具有高相對生物效應(relative biological effectiveness,RBE)的輻射源，如質子治療、重粒子治療、中子捕獲治療等。其中，中子捕獲治療便是結合上述兩種概念，如硼中子捕獲治療，借由含硼藥物在腫瘤細胞的特異性集聚，配合精準的中子射束調控，提供比傳統放射線更好的癌症治療選擇。

以往的中子捕獲治療系統多基於反應堆，核反應爐本身價格昂貴且使用受限，也存在不安全因素，設施複雜，難以醫用。因此，有必要提出一種新的技術方案以解決上述問題。

為了解決上述問題，本發明一方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部包括離子源和加速器，離子源用於產生帶電粒子，加速器對離子源產生的帶電粒子加速以獲得所需能量的帶電粒子束，中子束生成部包括靶材、射束整形體和準直器，靶材設置在射束傳輸部和射束整形體之間，加速器產生的帶電粒子束經射束傳輸部照射到靶材並與靶材作用產生中子，產生的中子依次通過射束整形體和準直器形成治療用中子束，中子捕獲治療系統整體容納在混凝土構造的建築物中並包括照射室、加速器室和射束傳輸室，注射有藥劑的被照射體在照射室內進行治療用中子束照射的治療，加速器室至少部分容納帶電粒子束生成部，射束傳輸室至少部分容納射束傳輸部，中子束生成部至少部分容納在照射室和射束傳輸室的分隔壁內。中子捕獲治療系統基於加速器運行更加安全可靠，且具有更加緊湊的結構和合理的佈局，能夠應用於醫院等治療場所。

作為一種優選地，中子捕獲治療系統還包括藥劑控制室，中子捕獲治療系統還包括用於在照射治療時對被照射體注射藥劑的藥劑注射裝置，藥劑注射裝置包括藥劑通過組件、藥劑容納機構和藥劑控制機構，藥劑通過組件設置在藥劑控制室和照射室之間，藥劑容納機構、藥劑控制機構設置在藥劑控制室內並在藥劑控制室內進行被照射體的藥劑注射的控制，可以避免照射室內的操作，提高安全性和可靠性，同時避免照射室中的中子輻射線影響藥劑容納機構和藥劑控制機構。

作為一種優選地，中子捕獲治療系統還包括治療台、治療台定位裝置和治療台定位裝置的屏蔽裝置。治療台定位裝置的屏蔽裝置能夠降低或避免中子捕獲治療系統產生的中子及其他放射線對治療台定位裝置造成的輻射損傷，增加使用壽命。

進一步地，治療台定位裝置包括機械臂，機械臂用於支撐和定位治療台，機械臂包括至少一個臂部，屏蔽裝置包括包圍臂部的機械臂護套，機械臂護套上設置有防碰撞保護機構。

更進一步地，治療台定位裝置還包括線性軸，機械臂設置在線性軸和治療台之間，線性軸包括固定到建築物中的滑軌和與機械臂連接的支座，支座帶動治療台和機械臂一同沿滑軌滑動，屏蔽裝置包括滑軌遮蓋件。滑軌遮蓋件能夠降低支座沿滑軌滑動時造成的輻射線洩露。

作為一種優選地，建築物中形成中子屏蔽空間，中子屏蔽空間形成在射束傳輸室或照射室內，混凝土為含硼重晶石混凝土或在混凝土表面設置中子屏蔽板以形成中子屏蔽空間。由於中子捕獲治療過程中會產生大量的中子，尤其是中子束生成部附近，設置中子屏蔽空間來儘量避免或降低中子的洩漏或對室內其他設備的輻射損傷和輻射污染。

作為一種優選地，建築物內設置有用於中子捕獲治療系統運行的電纜，或用於氣體、液體通過的管狀件，或用於在建築物內固定安裝的杆狀件，或支撐電纜或管狀件的支撐裝置；支撐裝置、管狀件或杆狀件的材料90%(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca、Ti中的至少一種元素構成，設置管狀件、固定杆及電纜、管狀件的支撐裝置且選用被中子照射後產生二次輻射較少的材料能夠降低輻射損傷及輻射污染；或者，電纜、管狀件或杆狀件的外周設置環狀屏蔽裝置，環狀屏蔽裝置包括內套、外套和設置在內套、外套之間的屏蔽材，設置環狀屏蔽裝置能夠降低中子捕獲治療系統產生的中子對建築物內設置的電纜、管狀件、固定杆的輻射損傷及輻射污染。

作為一種優選地，中子捕獲治療系統還包括輔助設備，輔助設備至少部分設置在加速器室或射束傳輸室中，輔助設備包括冷卻設備或絕緣氣體充氣回收設備或提供壓縮空氣的空壓設備或提供真空環境的真空泵。

進一步地，冷卻設備的冷卻介質硬度小於 60mg/L，採用冷卻設備對中子捕獲治療系統的待冷卻組件進行冷卻，提高設備使用壽命；冷卻設備的冷卻介質採用軟水，冷卻過程中水管不容易結垢從而影響換熱效率。更進一步地，冷卻設備用於離子源或加速器或靶材的冷卻。

進一步地，加速器包括提供加速能量的加速器高壓電源，加速器高壓電源內設置絕緣氣體，避免加速器高壓電源內部的電子元件擊穿；絕緣氣體充氣回收設備為加速器高壓電源提供絕緣氣體或將絕緣氣體從加速器高壓電源內回收，在相關設備進行維護、檢修時能夠對絕緣氣體進行回收，提高絕緣氣體的利用率。

本發明第二方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，中子捕獲治療系統整體容納在混凝土構造的建築物中，建築物內設置有用於中子捕獲治療系統運行的電纜，或用於氣體、液體通過的管狀件，或用於在建築物內固定安裝的杆狀件；電纜、管狀件或杆狀件的外周設置環狀屏蔽裝置。設置環狀屏蔽裝置能夠降低中子捕獲治療系統產生的中子對建築物內設置的電纜、管狀件、固定杆的輻射損傷及輻射污染。

作為一種優選地，環狀屏蔽裝置包括內套、外套和設置在內套、外套之間的屏蔽材。

進一步地，內套或外套的材料90%(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca、Ti中的至少一種元素構成。

進一步地，內套或外套的材料為PVC。

進一步地，外套作為中子緩速體，緩速後的中子能夠被屏蔽材更好的吸收。

進一步地，屏蔽材由中子屏蔽材料構成。

進一步地，屏蔽材為含硼的樹脂。

作為另一種優選地，管狀件為通風管或消防管，杆狀件為支撐杆或螺杆。

作為另一種優選地，帶電粒子束生成部包括加速器，中子束生成部包括靶材、射束整形體和準直器，靶材設置在射束傳輸部和射束整形體之間，加速器產生的帶電粒子束經射束傳輸部照射到靶材並與靶材作用產生中子，產生的中子依次通過射束整形體和準直器形成治療用中子束。

進一步地，射束整形體包括反射體、緩速體、熱中子吸收體、輻射屏蔽體和射束出口，緩速體將自靶材產生的中子減速至超熱中子能區，反射體包圍緩速體並將偏離的中子導回至緩速體以提高超熱中子射束強度，熱中子吸收體用於吸收熱中子以避免治療時與淺層正常組織造成過多劑量，輻射屏蔽體圍繞射束出口設置在反射體後部用於屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量，準直器設置在射束出口後部以彙聚中子束。

本發明協力廠商面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，中子捕獲治療系統整體容納在混凝土構造的建築物中並包括照射室和藥劑控制室，注射有藥劑的被照射體在照射室內進行中子束照射的治療，照射室具有與藥劑控制室隔開的分隔壁，中子捕獲治療系統還包括藥劑注射裝置，藥劑注射裝置包括藥劑通過組件，藥劑通過組件設置在藥劑控制室和照射室之間，藥劑通過組件包括用於注射藥劑的藥劑通過件和用於至少部分容納藥劑通過件的容納件，容納件設置在分隔壁內並形成藥劑通過件通過分隔壁的通道。藥劑注射裝置通過穿過分隔壁的藥劑通過組件將藥劑注射到照射室內的被照射體，避免照射室內的操作，提高安全性和可靠性；設置容納件一方面便於藥劑通過件通過，另一方面隔開混凝土壁，防止灰塵等污染藥劑通過件。

作為一種優選地，藥劑注射裝置用於在照射治療時對被照射體注射藥劑。

作為一種優選地，藥劑注射裝置還包括藥劑容納機構和藥劑控制機構，藥劑容納機構、藥劑控制機構設置在藥劑控制室內並在藥劑控制室內進行被照射體的藥劑注射的控制，可以避免照射室中的中子輻射線影響藥劑容納機構和藥劑控制機構。進一步地，藥劑通過件與藥劑容納機構連接並通過藥劑控制機構將藥劑注射到被照射體內。

作為一種優選地，容納件設置在分隔壁在厚度方向上的貫穿孔內。

進一步地，貫穿孔的中心軸線與地面、沿分隔壁的厚度方向垂直於地面的平面均相交，可以降低輻射洩漏。

進一步地，在分隔壁朝向藥劑控制室的第一側壁上貫穿孔的中心到地面的距離大於在分隔壁朝向照射室的第二側壁上貫穿孔的中心到地面的距離。

進一步地，貫穿孔的個數為2個或2個以上，在其中一個堵塞或遇到其他問題時備用。

作為一種優選地，容納件材料為PVC，被中子照射後的產物不具有放射性或放射性活度極低，降低產生的二次輻射。

作為一種優選地，藥劑通過件至少部分由中子屏蔽材料製成，可以降低照射室的中子輻射線對藥劑通過件內的含硼藥物產生影響。

本發明第四方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，中子捕獲治療系統整體容納在混凝土構造的建築物中，混凝土構造的建築物中形成中子屏蔽空間。由於中子捕獲治療過程中會產生大量的中子，尤其是中子束生成部附近，設置中子屏蔽空間來儘量避免或降低中子的洩漏或對室內其他設備的輻射損傷和輻射污染。

作為一種優選地，中子捕獲治療系統包括照射室和射束傳輸室，射束傳輸室至少部分容納射束傳輸部，中子束生成部至少部分容納在照射室和射束傳輸室的分隔壁內，中子屏蔽空間形成在射束傳輸室或照射室內。

作為另一種優選地，在混凝土表面設置中子屏蔽板以形成中子屏蔽空間。

進一步地，中子屏蔽板通過支撐組件設置在混凝土表面，支撐組件的一側與混凝土連接，支撐組件的另一側與中子屏蔽板連接。

更進一步地，中子屏蔽板為含硼的PE板；支撐組件的材料為鋁合金；支撐組件為相互連接的2個L形板狀件。

作為另一種優選地，中子捕獲治療系統還包括輔助設備，在輔助設備周圍設置中子屏蔽板以形成中子屏蔽空間，降低中子捕獲治療過程中的中子對輔助設備的輻射損傷和輻射污染。

進一步地，帶電粒子束生成部包括離子源和加速器，離子源用於產生帶電粒子，加速器對離子源產生的帶電粒子加速以獲得所需能量的帶電粒子束，中子捕獲治療系統還包加速器室和射束傳輸室，加速器室至少部分容納帶電粒子束生成部，射束傳輸室至少部分容納射束傳輸部，輔助設備至少部分設置在加速器室或射束傳輸室中。

進一步地，設置輔助設備間用於容納或包圍輔助設備，輔助設備間至少部分由支撐組件及固定在支撐組件上的中子屏蔽板構造。

更進一步地，輔助設備間包括門及其移動機構，移動機構能夠將門打開以供操作者進入輔助設備間的內部，便於進行設備檢修等。

更進一步地，移動機構包括導軌和滑杆，門能夠通過滑杆沿導軌在水準方向滑動。

更進一步地，移動機構還包括提升組件和滑輪，提升組件能夠將門在豎直方向抬高從而將滑輪置於門的底部，門能夠借助滑輪沿水準方向滑動，更加省力。

本發明第五方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部、中子束生成部、治療台和治療台定位裝置，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，治療台定位裝置包括機械臂，機械臂用於支撐和定位治療台，中子捕獲治療系統還包括治療台定位裝置的屏蔽裝置，機械臂包括至少一個臂部，屏蔽裝置包括包圍臂部的機械臂護套。治療台定位裝置的屏蔽裝置能夠降低中子捕獲治療系統產生的中子及其他放射線對治療台定位裝置造成的輻射損傷，增加使用壽命。

作為一種優選地，機械臂護套的材料至少部分為中子屏蔽材料，防止該臂部及設置在該臂部的機構內的金屬部件、電子器件等被中子活化而失效或損壞。進一步地，機械臂護套的材料至少部分為含硼的玻璃纖維樹脂複合材料，玻璃纖維複合材料具有一定強度且不易被中子活化，硼能夠吸收中子。

作為另一種優選地，治療台定位裝置還包括線性軸，機械臂設置在線性軸和治療台之間，將治療台連接到線性軸並能夠使治療台和機械臂一同沿線性軸平移。進一步地，中子捕獲治療系統包括照射室和準備室，線性軸構造為固定到照射室或準備室內的滑軌和與機械臂連接的支座，支座沿滑軌滑動，屏蔽裝置包括滑軌蓋簾，滑軌蓋簾與支座一起移動並始終覆蓋滑軌的裸露部分。

作為另一種優選地，機械臂護套包括第一、第二殼體，第一、第二殼體固定連接在一起並包圍臂部。進一步地，第一、第二殼體的材料為含硼的玻璃纖維樹脂複合材料，玻璃纖維複合材料具有一定強度且不易被中子活化，硼能夠吸收中子，防止該臂部及設置在該臂部的機構內的金屬部件、電子器件等被中子活化而失效或損壞。

作為另一種優選地，機械臂護套包括第一、第二殼體和第三、第四殼體，第一、第二殼體固定連接在一起並包圍臂部，第三、第四殼體固定連接在一起並包圍第一、第二殼體，治療台定位裝置還包括防碰撞保護機構，防碰撞保護機構包括感測器，感測器設置在第一、第三殼體之間和/或第二、第四殼體之間。

進一步地，第一、第二殼體的材料為含硼的玻璃纖維樹脂複合材料，第三、第四殼體的材料為玻璃纖維樹脂複合材料，感測器的殼體為鋁合金；或者第三、第四殼體的材料為含硼的玻璃纖維樹脂複合材料；玻璃纖維複合材料具有一定強度且不易被中子活化，硼能夠吸收中子，防止該臂部及設置在該臂部的機構內的金屬部件、電子器件等被中子活化而失效或損壞。

進一步地，第三或第四殼體上與感測器相應的位置設置通孔，通孔用於感測器的電源、通信電纜穿過。

進一步地，第一、第二殼體上設置容納感測器的容納腔，感測器設置在容納腔內並過盈安裝在第一、第三殼體之間和/或第二、第四殼體之間。

進一步地，第一、第三殼體之間和/或第二、第四殼體之間設置有間隙，間隙用於安裝感測器或感測器的電源、通信電纜通過。

進一步地，防碰撞保護機構還包括感測器控制組件和人機界面，感測器為壓力感測器，感測器將第三或第四殼體上受到的壓力轉換為壓力信號並傳輸到感測器控制組件，將並在人機界面進行數值顯示；當感測器接收到的壓力信號超過預設值時，超過預設值的壓力信號優先傳輸到感測器控制組件並在人機界面進行報警顯示。

作為另一種優選地，治療台定位裝置還包括防碰撞保護機構，防碰撞保護機構包括感測器，感測器設置在機械臂護套上或機械臂護套與臂部之間。

進一步地，防碰撞保護機構還包括感測器控制組件和人機界面，感測器發出的信號傳輸到感測器控制組件，並在人機界面進行顯示，感測器控制組件根據接收到的信號進行相應控制。

進一步地，治療台定位裝置還包括驅動機構，中子捕獲治療系統還包括治療台控制裝置，治療台控制裝置與驅動機構連接並通過控制驅動機構來控制機械臂的運動，感測器控制組件將接收到的信號傳輸到治療台控制裝置進行相應控制。

本發明第六方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部、中子束生成部、治療台和治療台定位裝置，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，中子捕獲治療系統整體容納在混凝土構造的建築物中，治療台定位裝置包括線性軸和機械臂，機械臂設置在線性軸和治療台之間用於支撐和定位治療台，線性軸包括固定到建築物中的滑軌和與機械臂連接的支座，支座帶動治療台和機械臂一同沿滑軌滑動，中子捕獲治療系統還包括治療台定位裝置的屏蔽裝置，屏蔽裝置包括滑軌遮蓋件。治療台定位裝置的屏蔽裝置能夠降低或避免中子捕獲治療系統產生的中子及其他放射線對治療台定位裝置造成的輻射損傷，增加使用壽命，滑軌遮蓋件能夠降低支座沿滑軌滑動時造成的輻射線洩露。

作為一種優選地，滑軌遮蓋件的材料包括中子屏蔽材料。

作為另一種優選地，中子捕獲治療系統包括照射室，被照射體在照射室中進行中子束的照射治療，滑軌固定在照射室內的固定表面。

進一步地，滑軌遮蓋件與支座一起移動並始終覆蓋滑軌的裸露部分。

作為一種優選地，固定表面設置中子屏蔽板，滑軌遮蓋件設置在支座和中子屏蔽板之間。

作為另一種優選地，滑軌遮蓋件包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分均包括依次連接的平板。

進一步地，各平板之間依次滑動連接或樞轉連接。

進一步地，滑軌遮蓋件由滑軌遮蓋件的支撐件支撐，第一部分和第二部分在沿支座滑動方向靠近支座的一端與支座固定連接，另一端與支撐件固定連接。

更進一步地，支撐件的材料為被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料，中子屏蔽板覆蓋支撐件；或者，支撐件的材料包括中子屏蔽材料，中子屏蔽板與支撐件匹配。

本發明第七方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，中子捕獲治療系統整體容納在混凝土構造的建築物中，建築物內設置有用於中子捕獲治療系統運行的電纜，或用於氣體、液體通過的管狀件，或用於在建築物內固定安裝的杆狀件，或支撐電纜或管狀件的支撐裝置；支撐裝置、管狀件或杆狀件的材料90%(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca、Ti中的至少一種元素構成。設置管狀件、固定杆及電纜、管狀件的支撐裝置且選用被中子照射後產生二次輻射較少的材料能夠降低輻射損傷及輻射污染。

作為一種優選地，支撐裝置、管狀件或杆狀件的材料為鋁合金或塑膠或橡膠。

作為另一種優選地，支撐裝置包括用於電纜穿過並支撐電纜的穿線管，穿線管沿電纜延伸方向延伸並圍繞電纜延伸方向周向至少部分封閉。

進一步地，穿線管在垂直於電纜延伸方向的橫截面形狀為圓形、多邊形、∨形、＜形、凵形或匚形。

進一步地，穿線管通過連接件固定在建築物中的牆壁或地板或天花板上。

進一步地，中子捕獲治療系統包括照射室、加速器室和控制室，被照射體在照射室中進行中子束的照射治療，加速器室至少部分容納帶電粒子束生成部，控制室用於進行中子束的照射治療的控制，穿線管佈置在照射室、加速器室或控制室內。

作為另一種優選地，支撐裝置包括支撐架，支撐架用於承載管狀件或電纜並對其導向。

進一步地，支撐架具有支撐管狀件或電纜的承載面，支撐架以承載面平行於地面或承載面垂直於地面的方式固定。更進一步地，支撐架包括側板和以預定間隔連接在側板之間的多個橫板，橫板形成承載面。

進一步地，中子捕獲治療系統包括加速器室和射束傳輸室，加速器室至少部分容納帶電粒子束生成部，射束傳輸室至少部分容納射束傳輸部，支撐架設置在加速器室或射束傳輸室內。

本發明第八方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，中子捕獲治療系統還包括冷卻設備，冷卻設備的冷卻介質硬度小於60mg/L。採用冷卻設備對中子捕獲治療系統的待冷卻組件進行冷卻，提高設備使用壽命；冷卻設備的冷卻介質採用軟水，冷卻過程中水管不容易結垢從而影響換熱效率。

作為一種優選地，帶電粒子束生成部包括離子源和加速器，離子源用於產生帶電粒子，加速器對離子源產生的帶電粒子加速以獲得所需能量的帶電粒子束，冷卻設備用於離子源或加速器的冷卻。

作為另一種優選地，中子束生成部包括靶材，帶電粒子束與靶材作用產生中子束，冷卻設備用於靶材的冷卻，增加靶材的使用壽命。

進一步地，冷卻設備的冷卻介質硬度小於17mg/L，冷卻過程中水管不容易結垢從而影響換熱效率，尤其是換熱部分採用銅管的情況下；或者冷卻設備的冷卻介質的導電率小於10μS/cm，可以適應在高電壓條件下的使用要求，防止在高電壓環境下產生漏電流及對中子束的生成產生干擾。

進一步地，冷卻設備的冷卻介質為去離子水，去離子水的導電率為0.5-1.5μS/cm。

作為一種優選地，冷卻設備包括外迴圈裝置、內迴圈裝置和換熱器；內迴圈裝置將冷卻介質輸送到中子捕獲治療系統的待冷卻組件吸熱，然後將吸熱升溫後的冷卻介質輸送到換熱器與外迴圈裝置輸送到換熱器的冷凍水進行熱量交換，將降溫後的冷卻介質再輸送到待冷卻組件吸熱，外迴圈裝置能夠持續不斷地提供冷凍水到換熱器並回收吸熱升溫後的冷凍水。

進一步地，外迴圈裝置包括冷源機組、第一泵和和控制冷源機組、第一泵的第一控制裝置，外迴圈裝置將從換熱器出來的吸熱升溫後的冷凍水輸送到冷源機組進行冷卻，將冷卻後的冷凍水經過第一泵加壓送到換熱器，第一控制裝置控制冷凍水的輸送。

進一步地，內迴圈裝置包括過濾器、第二泵和控制過濾器、第二泵的第二控制裝置，內迴圈裝置的一端與待冷卻組件連接，內迴圈裝置的另一端與換熱器連接，冷卻介質吸收待冷卻組件的熱量後經過第二泵加壓送到換熱器與冷凍水進行換熱，冷卻降溫後的冷卻介質經過過濾器過濾後再送進待冷卻組件內部換熱，第二控制裝置控制冷卻介質的輸送。

進一步地，內迴圈裝置包括穩壓回路或冷卻介質補充回路，穩壓回路、冷卻介質補充回路由第二控制裝置進行控制；外迴圈裝置包括冷凍水補充回路，冷凍水補充回路由第一控制裝置進行控制。

本發明第九方面提供了一種中子捕獲治療系統，包括帶電粒子束生成部、射束傳輸部和中子束生成部，帶電粒子束生成部產生帶電粒子束，射束傳輸部將帶電粒子束傳輸至中子束生成部，中子束生成部產生治療用中子束，帶電粒子束生成部包括離子源和加速器，離子源用於產生帶電粒子，加速器對離子源產生的帶電粒子加速以獲得所需能量的帶電粒子束，加速器包括提供加速能量的加速器高壓電源，加速器高壓電源內設置絕緣氣體。加速器高壓電源內設置絕緣氣體，避免加速器高壓電源內部的電子元件擊穿。

作為一種優選地，中子捕獲治療系統還包括輔助設備，輔助設備包括絕緣氣體充氣回收設備，絕緣氣體充氣回收設備為加速器高壓電源提供絕緣氣體或將絕緣氣體從加速器高壓電源內回收，在相關設備進行維護、檢修時能夠對絕緣氣體進行回收，提高絕緣氣體的利用率。

作為一種優選地，絕緣氣體充氣回收設備包括氣源、分別與氣源和加速器高壓電源連接的貯存容器，氣源包括容納有絕緣氣體的容器。

進一步地，絕緣氣體充氣回收設備還包括真空泵，在進行充氣之前，啟動真空泵對絕緣氣體充氣回收設備的貯存容器、管道、元件等抽真空以排出設備內的空氣。

進一步地，絕緣氣體充氣回收設備還包括壓縮機，為充氣、回收(回充)過程提供動力。

進一步地，絕緣氣體充氣回收設備還包括設置在貯存容器和加速器高壓電源之間的乾燥裝置，除去回收的絕緣氣體中的大部分水分子使氣體維持在相對乾燥的狀態。

進一步地，絕緣氣體充氣回收設備還包括設置在貯存容器和加速器高壓電源之間的過濾裝置，將回收的絕緣氣體中的油、大顆粒雜質等去除以維持絕緣氣體的純度。

進一步地，絕緣氣體充氣回收設備還包括設置在氣源的容器和加速器高壓電源之間的製冷裝置、壓縮裝置，在將絕緣氣體從加速器高壓電源內回充到氣源的容器內時，製冷裝置將絕緣氣體轉化為液態，壓縮裝置將氣態或液態的絕緣氣體進行壓縮，從而灌裝到氣源的容器內。

作為一種優選地，中子束生成部包括靶材、射束整形體和準直器，靶材設置在射束傳輸部和射束整形體之間，加速器產生的帶電粒子束經射束傳輸部照射到靶材並與靶材作用產生中子，產生的中子依次通過射束整形體和準直器形成治療用中子束。

本發明的中子捕獲治療系統，基於加速器運行更加安全可靠，且具有更加緊湊的結構和合理的佈局，能夠應用於醫院等治療場所。

100:硼中子捕獲治療系統

10:射束產生裝置

11:帶電粒子束生成部

111:離子源

112:加速器

1121:加速器高壓電源(ELV)

12:射束傳輸部

121:射束方向切換組件

13、13’:(第一)中子束生成部、第二中子束生成部

131:射束整形體

1311:反射體

1312:緩速體

1313:熱中子吸收體

1314:輻射屏蔽體

1315:射束出口

132:準直器

14:輔助設備

141:冷卻設備

1411:外迴圈裝置

1411a:冷源機組

1411b:第一泵

1411c:第一控制裝置

1411d:冷凍水補充回路

1412:內迴圈裝置

1412a:過濾器

1412b:第二泵

1412c:第二控制裝置

1412d:穩壓回路

1412e:冷卻介質補充回路

1413:換熱器

142:絕緣氣體充氣回收設備

1421:氣源

1422:貯存容器

1423:過濾裝置

1424:乾燥裝置

1425:製冷裝置

1426:壓縮裝置

143:真空泵

101、101’:(第一)照射室、第二照射室

102:加速器室

103:射束傳輸室

104:控制室

105:輔助設備間

1051:門

1051a:門支撐組件

1052:移動機構

1052a:導軌

1052b:滑杆

1052c:提升組件

1052d:滑輪

1052e:千斤頂

1052f:連接板

1053:固定件

1054:開口

20:治療台

30:輻射屏蔽裝置

40:射束收集器

50:藥劑注射裝置

51:藥劑通過組件

511:藥劑通過件

512:容納件

513:貫穿孔

52:藥劑容納機構

53:藥劑控制機構

60:中子屏蔽板

61:支撐組件

70A:治療台定位裝置

71a:線性軸

711a:滑軌

712a:支座

72a:機械臂

721a、721a’:臂部

73a:驅動機構

74a:防碰撞保護機構

741a:感測器

742a:感測器控制組件

743a:人機界面

70B:治療台定位裝置的屏蔽裝置

71b:滑軌遮蓋件

711b、712b:第一、第二部分

7111b、7121b:連接板

713b:支撐件

72b、72b’:機械臂護套

721b、722b、723b、724b:第一、第二、第三、第四殼體

726b:間隙

727b:通孔

70C:治療台控制裝置

80A:穿線管

80B:支撐架

81b:側板

82b:橫板

90A:管狀件

90B:杆狀件

91:環狀屏蔽裝置

911:內套

912:外套

913:屏蔽材

200:被照射體

A:滑動方向

C:傳輸管

CP:待冷卻組件

D1、D2:距離

M:腫瘤細胞

N:中子束

P:帶電粒子束

S:承載面

S1、S2:第一、第二側壁

T:靶材

W1、W2:分隔壁

X:貫穿孔的中心軸線

第1圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統結構示意圖。

第2圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統的冷卻設備的模組示意圖。

第3圖係第2圖中的外迴圈裝置的模組示意圖。

第4圖係第2圖中的內迴圈裝置的模組示意圖。

第5圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統的絕緣氣體充氣回收設備的模組示意圖。

第6圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統平面佈局示意圖。

第7圖係第6圖中的控制室和照射室之間的分隔壁的示意圖。

第8(a)、(b)圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統的照射室和射束傳輸室的分隔壁在朝向射束傳輸室的一側上設置的中子屏蔽板及支撐組件的佈局示意圖，其中，8(a)為中子屏蔽板的佈局示意圖，8(b)為支撐組件的佈局示意圖。

第9圖係第8(a)、(b)圖中的中子屏蔽板及支撐組件的固定方式的示意圖。

第10圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統的射束傳輸室內設置的輔助設備間的示意圖。

第11圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統的治療台定位裝置的示意圖。

第12圖係第11圖在另一方位的示意圖。

第13圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統的治療台定位裝置及其控制裝置的模組圖。

第14圖係第11圖的治療台定位裝置的滑軌遮蓋件的一實施例的示意圖。

第15圖係第11圖的治療台定位裝置的滑軌遮蓋件的另一實施例的示意圖。

第16圖係第11圖的治療台定位裝置的機械臂護套的一實施例的示意圖。

第17圖係本發明實施例的中子捕獲治療系統的穿線管和支撐架的佈局示意圖。

第18圖係本發明實施例中的中子捕獲治療系統的環狀屏蔽裝置的示意圖。

下面結合附圖對本發明的實施例做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。

如圖1，本實施例中的中子捕獲治療系統優選為硼中子捕獲治療系統100，硼中子捕獲治療系統100是利用硼中子捕獲療法進行癌症治療的裝置。硼中子捕獲療法通過對注射有硼(B-10)的被照射體200照射中子束N來進行癌症治療，被照射體200服用或注射含硼(B-10)藥物後，含硼藥物選擇性地聚集在腫瘤細胞M中，然後利用含硼(B-10)藥物對熱中子具有高捕獲截面的特性，藉由¹⁰B(n,α)⁷Li中子捕獲及核分裂反應產生⁴He和⁷Li兩個重荷電粒子。兩荷電粒子的平均能量約為2.33MeV，具有高直線能量轉移(Linear Energy Transfer,LET)、短射程特徵，α短粒子的直線能量轉移與射程分別為150keV/μm、8μm，而⁷Li重荷粒子則為175keV/μm、5μm，兩粒子的總射程約相當於一個細胞大小，因此對於生物體造成的輻射傷害能侷限在細胞層級，便能在不對正常組織造成太大傷害的前提下，達到局部殺死腫瘤細胞的目的。

硼中子捕獲治療系統100包括射束產生裝置10和治療台20，射束產生裝置10包括帶電粒子束生成部11、射束傳輸部12和(第一)中子束生成部13。帶電粒子束生成部11產生如質子束的帶電粒子束P；射束傳輸部12，將帶電粒子束P傳輸至中子束生成部13；中子束生成部13產生治療用中子束N並照射向治療台20上的被照射體200。

帶電粒子束生成部11包括離子源111和加速器112，離子源111用於產生帶電粒子，如H^-、質子、氘核等；加速器112對離子源111產生的帶電粒子加速以獲得所需能量的帶電粒子束P，如質子束。

中子束生成部13包括靶材T、射束整形體131、準直器132，加速器112產生的帶電粒子束P經射束傳輸部12照射到靶材T並與靶材T作用產生中子，產生的中子依次通過射束整形體131和準直器132形成治療用中子束N並照射向治療台20上的被照射體200。靶材T優選為金屬靶材。依據所需的中子產率與能量、可提供的加速帶電粒子能量與電流大小、金屬靶材的物化性等特性來挑選合適的核反應，常被討論的核反應有⁷Li(p,n)⁷Be及⁹Be(p,n)⁹B，這兩種反應皆為吸熱反應。兩種核反應的能量閾值分別為 1.881MeV和2.055MeV，由於硼中子捕獲治療的理想中子源為keV能量等級的超熱中子，理論上若使用能量僅稍高於閾值的質子轟擊金屬鋰靶材，可產生相對低能的中子，不需太多的緩速處理便可用於臨床，然而鋰金屬(Li)和鈹金屬(Be)兩種靶材與閾值能量的質子作用截面不高，為產生足夠大的中子通量，通常選用較高能量的質子來引發核反應。理想的靶材應具備高中子產率、產生的中子能量分佈接近超熱中子能區(將在下文詳細描述)、無太多強穿輻射產生、安全便宜易於操作且耐高溫等特性，但實際上並無法找到符合所有要求的核反應。本領域技術人員熟知的，靶材T也可以由Li、Be之外的金屬材料製成，例如由Ta或W及其合金等形成。加速器10可以是直線加速器、迴旋加速器、同步加速器、同步迴旋加速器。

射束整形體131能夠調整帶電粒子束P與靶材T作用產生的中子束N的射束品質，準直器132用以彙聚中子束N，使中子束N在進行治療的過程中具有較高的靶向性。射束整形體131進一步包括反射體1311、緩速體1312、熱中子吸收體1313、輻射屏蔽體1314和射束出口1315，帶電粒子束P與靶材T作用生成的中子由於能譜很廣，除了超熱中子滿足治療需要以外，需要盡可能的減少其他種類的中子及光子含量以避免對操作人員或被照射體造成傷害，因此從靶材T出來的中子需要經過緩速體1312將其中的快中子能量(>40keV)調整到超熱中子能區(0.5eV-40keV)並盡可能減少熱中子(<0.5eV)，緩速體1312由與快中子作用截面大、超熱中子作用截面小的材料製成，本實施例中，緩速體1312由D₂O、AlF₃、Fluental、CaF₂、Li₂CO₃、MgF₂和Al₂O₃中的至少一種製成；反射體1311包圍緩速體1312，並將穿過緩速體1312向四周擴散的中子反射回中子射束N以提高中子的利用率，由具有中子反射能力強的材料製成，本實施例中，反射體1311由Pb或Ni中的至少一種製成；緩速體1312後部有一個熱中子吸收體1313，由與熱中子作用截面大的材料製成，本實施例中，熱中子吸收體1313由Li-6製成，熱中子吸收體1313用於吸收穿過緩速體1312的熱中子以減少中子束N中熱中子的含量，避免治療時與淺層正常組織造成過多劑量，可以理解，熱中子吸收體也可以是和緩速體一體的，緩速體的材料中含有Li-6；輻射屏蔽體1314用於屏蔽從射束出口1315以外部分滲漏的中子和光子，輻射屏蔽體1314的材料包括光子屏蔽材料和中子屏蔽材料中的至少一種，本實施例中，輻射屏蔽體1314的材料包括光子屏蔽材料鉛(Pb)和中子屏蔽材料聚乙烯(PE)。可以理解，射束整形體131還可以有其他的構造，只要能夠獲得治療所需超熱中子束即可。準直器132設置在射束出口1315後部，從準直器132出來的超熱中子束向被照射體200照射，經淺層正常組織後被緩速為熱中子到達腫瘤細胞M，可以理解，準直器132也可以取消或由其他結構代替，中子束從射束出口1315出來直接向被照射體200照射。本實施例中，被照射體200和射束出口1315之間還設置了輻射屏蔽裝置30，屏蔽從射束出口1315出來的射束對被照射體正常組織的輻射，可以理解，也可以不設置輻射屏蔽裝置30。靶材T設置在射束傳輸部12和射束整形體131之間，射束傳輸部12具有對帶電粒子束P進行加速或傳輸的傳輸管C，本實施例中，傳輸管C沿帶電粒子束P方向伸入射束整形體131，並依次穿過反射體1311和緩速體1312，靶材T設置在緩速體1312內並位於傳輸管C的端部，以得到較好的中子射束品質。可以理解，靶材可以有其他的設置方式，還可以相對加速器或射束整形體是可運動的，以方便換靶或使帶電粒子束與靶材均勻作用。

硼中子捕獲治療系統100還包括輔助設備14，輔助設備14可以包括用於提供帶電粒子束生成部11、射束傳輸部12、中子束生成部13運轉的前提條件的任何輔助設備。一實施例中，輔助設備14包括冷卻設備141、提供壓縮空氣的空壓設備、絕緣氣體充氣回收設備142、提供真空環境的真空泵143等，本發明對此不作具體限定。

冷卻設備141可以用於帶電粒子束生成部11、靶材T及其他輔助設備14等待冷卻組件CP的冷卻，提高設備使用壽命。冷卻設備141的冷卻介質可以為軟水，冷卻過程中水管不容易結垢從而影響換熱效率，尤其是換熱部分採用銅管的情況下，如硬度小於60mg/L；用於帶電粒子束生成部11、靶材T的冷卻時，為適應在高電壓條件下的使用要求，防止在高電壓環境下產生漏電流及對中子束的生成產生干擾，冷卻介質必須具備極低的電導率，如冷卻介質的導電率小於10μS/cm。本實施例中，設置兩套冷卻設備，一套採用軟水，硬度小於17mg/L；一套採用去離子水，導電率為0.5-1.5μS/cm；可以理解，還可以採用其他類型的冷卻介質。

如圖2，冷卻設備141包括外迴圈裝置1411、內迴圈裝置1412和換熱器1413；內迴圈裝置1412將冷卻介質(如軟水或去離子水)輸送到待冷卻組件CP吸熱，然後將吸熱升溫後的冷卻介質輸送到換熱器1413與外迴圈裝置1411輸送到換熱器1413的冷凍水進行熱量交換，將降溫後的冷卻介質再輸送到待冷卻組件CP吸熱，如此循環往復；外迴圈裝置1411能夠持續不斷地提供冷凍水到換熱器1413並回收吸熱升溫後的冷凍水。外迴圈裝置1411設置在室外，即容納硼中子捕獲治療系統100的建築物(下文詳述)外部，以將熱量排出到大氣，本實施例中，設置在建築物樓頂；內迴圈裝置1412和換熱器1413設置在室內，即容納硼中子捕獲治療系統100的建築物內部，以吸收待冷卻組件CP的熱量；可以理解，也可以有其他的設置，如將換熱器放置在室外。

如圖3，外迴圈裝置1411可以包括冷源機組1411a、第一泵1411b及控制冷源機組1411a、第一泵1411b的第一控制裝置1411c等，將從換熱器1413出來的吸熱升溫後的冷凍水輸送到其冷源機組1411a進行冷卻，冷卻後的冷凍水經過第一泵1411b加壓送到換熱器1413，第一控制裝置1411c控制冷凍水的輸送。如圖4，內迴圈裝置1412可以包括過濾器1412a、第二泵1412b及控制過濾器1412a、第二泵1412b的第二控制裝置1412c等，內迴圈裝置1412的一端與待冷卻組件CP連接，另一端與換熱器1413連接，冷卻介質在末端吸收待冷卻組件CP的熱量後經過第二泵1412b加壓送到換熱器1413與冷凍水進行換熱，冷卻降溫後的冷卻介質經過過濾器1412a過濾後再送進待冷卻組件CP內部換熱，第二控制裝置1412c控制冷卻介質的輸送。當冷卻介質採用去離子水時，冷卻介質在迴圈過程中受各種因素影響使得電導率不斷提高，通過過濾器維持冷卻介質的電導率符合要求，還可以設置電導率感測器(圖未示)來檢測過濾器1412a出口的冷卻介質的電導率，確保符合要求。本實施例中，換熱器1413也由第一控制裝置1411c進行控制，可以理解，也可以具有單獨的控制裝置或者由第二控制裝置1412c進行控制。

內迴圈裝置1412還可以包括穩壓回路1412d並由第二控制裝置1412c進行控制。一實施例中，穩壓回路1412d可以包括緩衝罐、氮氣罐、壓力感測器等，通過壓力感測器檢測氮氣罐內的壓力，當壓力小於設定值時往緩衝罐補充氮氣，增加壓力，保證系統內的正壓，防止空氣進入系統內部。外迴圈裝置1411、內迴圈裝置1412還可以分別包括冷凍水補充回路1411d、冷卻介質補充回路1412e並由第一、第二控制裝置1411c、1412c分別進行控制，冷凍水/冷卻介質不足時會發出報警提示並通過冷凍水補充回路1411d/冷卻介質補充回路1412e進行補充；外迴圈裝置1411、內迴圈裝置1412還可以包括溫度感測器、調節閥、壓力感測器等，並由第一、第二控制裝置1411c、1412c進行控制；可以理解，冷卻設備141還可以有其他的構造。

加速器112包括提供加速能量的加速器高壓電源(ELV)1121，為了防止加速器高壓電源1121內部的電子元件擊穿，需要為加速器高壓電源1121提供絕緣氣體(如設置在加速器高壓電源1121的殼體內)，絕緣氣體可以採用SF6，可以理解，也可以採用其他絕緣氣體。通過絕緣氣體充氣回收設備142為加速器高壓電源1121提供絕緣氣體或將絕緣氣體從加速器高壓電源1121內回收，在相關設備進行維護、檢修時能夠對絕緣氣體進行回收，提高絕緣氣體的利用率。

如圖5，絕緣氣體充氣回收設備142包括氣源1421(如容納有SF6的鋼瓶)、分別與氣源1421和加速器高壓電源1121連接的貯存容器1422。初始狀態，氣源1421的容器內容納有絕緣氣體；然後先將絕緣氣體從氣源1421的容器內充氣到貯存容器1422，再將絕緣氣體從貯存容器1422內充氣到ELV內，ELV即可以開始正常工作；當需要打開ELV進行維護、檢修等時，將絕緣氣體從ELV內回收到貯存容器1422內，維護、檢修結束後，再將絕緣氣體從貯存容器1422內充氣到ELV內；當絕緣氣體充氣回收設備 142的貯存容器1422、管道、元件等需要維護或出現故障需要檢修時，可以將絕緣氣體從貯存容器1422內回充到氣源1421的容器內回到初始狀態，維護、檢修結束後，再重新進行充氣。

絕緣氣體充氣回收設備142還可以包括設置在貯存容器1422和ELV之間的過濾裝置1423、乾燥裝置1424，在將絕緣氣體從ELV內回收到貯存容器1422內時，過濾裝置1423將回收的絕緣氣體中的油、大顆粒雜質等去除以維持絕緣氣體的純度，乾燥裝置1424除去回收的絕緣氣體中的大部分水分子使氣體維持在相對乾燥的狀態。過濾裝置1423可以採用濾網，乾燥裝置1424可以是電加熱乾燥，也可以是通過其他方式進行乾燥或過濾；本實施中，絕緣氣體先經過過濾裝置1423再經過乾燥裝置1424，可以理解，也可以是先乾燥再過濾，過濾裝置1423、乾燥裝置1424還可以是一體的；還可以包括水分檢測元件或油分檢測元件或雜質檢測元件。

絕緣氣體充氣回收設備142還可以包括設置在氣源1421的容器和貯存容器1422之間的製冷裝置1425、壓縮裝置1426，在將絕緣氣體從貯存容器1422內回充到氣源1421的容器內時，製冷裝置1425將絕緣氣體轉化為液態，壓縮裝置1426將氣態或液態的絕緣氣體進行壓縮，從而灌裝到氣源1421的容器內，可以理解，製冷裝置1425、壓縮裝置1426的先後順序不做限定，製冷裝置1425、壓縮裝置1426還可以是一體的。

絕緣氣體充氣回收設備142還可以包括真空泵，在進行充氣之前，啟動真空泵對絕緣氣體充氣回收設備142的貯存容器1422、管道、元件等抽真空以排出設備內的空氣。加速器高壓電源1121也可以設置有真空泵143，在對ELV進行充氣和ELV工作之前對ELV抽真空以排出空氣。絕緣氣體充氣回收設備142還可以包括壓縮機，為上述充氣、回收(回充)過程提供動力。絕緣氣體充氣回收設備142還可以包括閥門、真空度檢測元件、壓力檢測元件等，對上述充氣、回收(回充)過程進行控制。可以理解，絕緣氣體充氣回收設備142還可以有其他的構造。

結合圖6所示，硼中子捕獲治療系統100整體容納在混凝土構造的建築物中，具體來說，包括(第一)照射室101、加速器室102和射束傳輸室103，治療台20上的被照射體200在照射室101中進行中子束N照射的治療，加速器室102至少部分容納帶電粒子束生成部11(如離子源111、加速器112)，射束傳輸室103至少部分容納射束傳輸部12，中子束生成部13至少部分容納在照射室101和射束傳輸室103的分隔壁W1內，輔助設備14至少部分設置在加速器室102或射束傳輸室103中。

硼中子捕獲治療系統100還可以包括第二照射室101’，射束產生裝置10還包括與第二照射室101’對應的第二中子束生成部13’，射束傳輸部12包括射束方向切換組件121，通過射束方向切換組件121射束傳輸部12可選擇地將帶電粒子束生成部11產生的帶電粒子束P傳輸到第一中子束生成部13或第二中子束生成部13’，從而向第一照射室101或第二照射室101’內發射射束。應當理解，照射到第二照射室101’內的中子束N，可以用於第二照射室101’內的治療台20’上的另一被照射體的中子束N照射的治療，還可以用於樣品檢測等，本發明對此不作限定。

應當理解，射束產生裝置10還可以有其他的構造。如當存在第三照射室時，可以增加第三中子束生成部與第三照射室對應，中子束生成部的數量與照射室的數量相對應，本發明實施例對中子束生成部的數量不做具體限定；設置一個帶電粒子束生成部從而傳輸到各中子束生成部，可以有效降低系統成本，可以理解，射束產生裝置也可以包括多個帶電粒子束生成部，從而傳輸到各中子束生成部，可以在多個照射室同時產生多個中子束進行照射。

在本發明一實施例中，射束方向切換組件121包括使帶電粒子束P方向偏轉的偏轉磁鐵(圖未示)，如與第一照射室101對應的偏轉磁鐵接通，則將射束導入到第一照射室101，本發明對此不作具體限定。硼中子捕獲治療系統100還可以包括射束收集器40，在不需要射束時收集射束或在治療前等進行帶電粒子束P的輸出確認等，射束方向切換組件121能夠使帶電粒子束P脫離正規軌道而引向射束收集器。

硼中子捕獲治療系統100還可以包括準備室(圖未示)、控制室104和其他用於輔助治療的空間(圖未示)。每一個照射室可以配置一個準備室，用於進行照射治療前固定被照射體到治療台、被照射體模擬擺位、治療計畫模擬等準備工作。控制室104用於控制加速器、射束傳輸部、治療台等，對整個照射過程進行控制和管理，管理人員在控制室內還可以同時監控多個照射室，圖中僅示意出控制室的一種配置方式，可以理解，控制室還可以有其他的配置。

由於在硼中子捕獲治療過程中需持續給藥，硼中子捕獲治療系統100還包括藥劑注射裝置50，用於在照射治療時對被照射體200注射含硼(B-10)藥物。藥劑注射裝置50包括設置在藥劑控制室(本實施中為控制室104)和照射室101之間的藥劑通過組件51，藥劑通過組件51包括用於注射含硼(B-10)藥物的藥劑通過件511和用於至少部分容納藥劑通過件 511的容納件512，照射室101具有與藥劑控制室隔開的分隔壁W2，容納件512設置在分隔壁W2內並形成藥劑通過件511通過分隔壁W2的通道，容納件512還可以支撐藥劑通過件511。本實施例中，容納件512固定設置在分隔壁W2內，如過盈安裝，可以理解，也可以通過其他方式進行設置。容納件512一方面便於藥劑通過件511通過，另一方面隔開混凝土壁，防止灰塵等污染藥劑通過件511。圖中僅示意出向第一照射室101內的被照射體200注射硼藥的裝置，可以理解，其他照射室內的被照射體的硼藥注射也可以採用同樣的藥劑注射裝置50。

藥劑注射裝置50還可以包括藥劑容納機構52和藥劑控制機構53，藥劑容納機構52、藥劑控制機構53可以設置在藥劑控制室內並在藥劑控制室內進行被照射體200的含硼(B-10)藥物注射的控制，可以避免照射室101中的中子輻射線影響藥劑容納機構52和藥劑控制機構53，如使藥劑控制機構53中的電子元件不能正常工作或與容納在藥劑容納機構52中的含硼藥物發生反應。藥劑通過件511與藥劑容納機構52連接並通過藥劑控制機構53將含硼(B-10)藥物注射到被照射體200內。藥劑容納機構52可以採用輸液袋或輸液瓶等，藥劑控制機構53可以與藥劑通過件511連接並控制藥劑通過件511內含硼(B-10)藥物的流動，如採用泵提供液體(含硼(B-10)藥物)流動的動力，還可以控制流速，還可以具有檢測、報警等功能。藥劑通過件511可以為一次性輸液管等，如包括插入被照射體的針頭、針頭保護套、軟管、與藥劑容納機構52連接的接頭等。藥劑通過件511也可以至少部分由中子屏蔽材料製成，如針頭、設置在照射室101內的軟管部分，可以降低照射室的中子輻射線對藥劑通過件511內的含硼藥物產生影響。

結合圖7，本實施例中，容納件512設置在分隔壁W2在厚度方向上的貫穿孔513內，貫穿孔513的中心軸線X與地面、沿分隔壁W2的厚度方向垂直於地面的平面均相交，即貫穿孔513以水準、豎直方向均傾斜的方式穿過分隔壁W2以降低輻射洩漏，貫穿孔513的中心軸線X為直線，可以理解，貫穿孔513還可以有其他的設置方式，如貫穿孔513的中心軸線X為折線或曲線，貫穿孔513的橫截面可以為圓形、方形等。一實施例中，在分隔壁W2朝向控制室104的第一側壁S1上貫穿孔513的中心到地面的距離D1大於在分隔壁W2朝向照射室101的第二側壁S2上貫穿孔513的中心到地面的距離D2；如沿分隔壁W2從控制室104到照射室101的方向上貫穿孔513的中心到地面的距離逐漸減小。本實施例中，容納件512為設置在貫穿孔513內的管狀件，管狀件的外壁與貫穿孔的內壁配合，管狀件的內壁形狀不限，可以理解，容納件512也可以是設置有藥劑通過件511穿過的孔的盒體，還可以是1個或多個卡扣等。

容納件512為PVC的，被中子照射後的產物不具有放射性或放射性活度極低，降低產生的二次輻射，可以理解，也可以採用其他被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料。容納件512及貫穿孔513在每個分隔壁上可以設置至少2個，在其中一個堵塞或遇到其他問題時備用。

照射治療時注射含硼(B-10)藥物的過程：開始照射治療前選擇合適的藥劑通過件511並將藥劑通過件511與藥劑容納機構52、藥劑控制機構53連接，將藥劑通過件511穿過容納件512放置到照射室101內合適的位置，當被照射體200在照射室101完成定位並確定好治療計畫後，藥劑控制室內的操作者打開藥劑控制機構53，照射室101的醫師將針頭保護套取下並將針頭插入被照射體200或在被照射體200進行定位前插入被照射體200，醫師離開照射室101後，操作者在控制室104內控制中子束照射到被照射體並控制含硼(B-10)藥物的注射。可以理解，照射治療前含硼(B-10)藥物的注射也可以採用同樣的藥劑注射裝置50(除容納件512外)，進入照射室101前將藥劑通過件511斷開，如拔出針頭或採用留置針，進入照射室101後再將藥劑通過件511重新接上或換新的藥劑通過件511；也可以在準備室內進行照射前的含硼(B-10)藥物注射或照射治療時的含硼(B-10)藥物注射的相關控制，此時準備室就作為藥劑控制室。可以理解，藥劑注射裝置50還可以應用於其他類型的中子捕獲治療系統，含硼(B-10)藥物也可以替換為其他藥劑。

由於中子捕獲治療過程中會產生大量的中子，尤其是產生中子的靶材T附近，需儘量避免中子的洩漏。一實施例中，形成至少部分空間(如射束傳輸室103、照射室101、101’)的混凝土為添加了中子屏蔽材料的混凝土，如含硼重晶石混凝土，以形成中子屏蔽空間。另一實施例中，室內(如射束傳輸室103、照射室101、101’的天花板、地板、牆壁)混凝土表面設置中子屏蔽板60，如含硼的PE板，以形成中子屏蔽空間，可以理解，中子屏蔽板60與混凝土表面可以是緊貼的，也可以是間隔預定距離的；可以在整個混凝土壁的表面設置，也可以僅設置在部分區域，如在照射室中心區域的地板表面設置中子屏蔽板，而在照射室的入口區域的地板表面不設置中子屏蔽板，兩個區域之間通過坡道連接以形成高度差。中子屏蔽板60通過支撐組件61設置在混凝土表面，如圖8(a)、(b)示意出了照射室101和射束傳輸室103的分隔壁W1在朝向射束傳輸室103的一側上設置的中子屏蔽板60及支撐組件61的佈局，圖9示意出了中子屏蔽板60及支撐組件61的固定方式，中子屏蔽板60由多塊組合形成，分隔壁W1的混凝土上通過膨脹螺栓按預設間距設置長條形的支撐組件61，中子屏蔽板60的每一塊依次通過螺釘固定在支撐組件61上的相應位置，即支撐組件61的一側與混凝土連接，支撐組件61的另一側與中子屏蔽板60連接。本實施例中，支撐組件61為通過螺栓連接的2個L形板狀件，可以理解，支撐組件61及固定方式也可以有其他的設置，如支撐組件61至少部分由型材構造，也可以將中子屏蔽板60直接固定在混凝土表面；分隔壁W1上用於容納中子束生成部13的容納槽的側壁也可以設置中子屏蔽板60。

為降低中子捕獲治療過程中的中子對室內其他設備的輻射損傷和輻射污染，如輔助設備14，可以在輔助設備14周圍設置中子屏蔽板60形成屏蔽空間；如圖10，一實施例中，在射束傳輸室103內設置輔助設備間105，用於容納或包圍輔助設備14等。輔助設備間105至少部分由支撐組件61及固定在支撐組件61上的中子屏蔽板60構造(圖中僅示意出部分中子屏蔽板)，本實施例中，輔助設備間105設置在射束傳輸室103的拐角處並共用射束傳輸室103的部分牆壁、地板，支撐組件61、固定在支撐組件61上的中子屏蔽板60與射束傳輸室103的部分牆壁、地板共同形成容納並包圍輔助設備14的空間，即固定在支撐組件61上的中子屏蔽板60形成立方體的容納空間的三個面，射束傳輸室103的部分牆壁、地板形成立方體的容納空間的另外三個面。輔助設備間105還可以具有門1051及其移動機構1052，移動機構1052用於在如設備檢修時將門1051打開以供操作者進入輔助設備間105內部，移動機構1052包括導軌1052a和滑杆1052b，門1051能夠通過滑杆1052b沿導軌1052a在水準方向滑動，本實施例中，門1051由門支撐組件1051a及固定在門支撐組件1051a上的中子屏蔽板60構造，滑杆1052b固定連接到門支撐組件1051a，如設置在門1051的頂端，導軌1052a與輔助設備間105的支撐組件61固定連接，可以理解，移動機構1052還可以有其他構造，如門是轉動的。移動機構1052還可以包括提升組件1052c和滑輪1052d，提升組件1052c用於將門1051在豎直方向抬高從而將滑輪1052d置於門1051的底部，使得門1051能夠借助滑輪1052d沿水準方向滑動；本實施例中，提升組件1052c構造為千斤頂1052e和固定在門支撐組件1051a上的連接板1052f，將千斤頂1052e作用在連接板1052f上，使得門1051通過滑杆1052b沿導軌1052a在豎直方向滑動從而將門1051在豎直方向抬高，可以理解，提升組件1052c也可以有其他的構造。輔助設備間105還可以包括門1051關閉時的固定件1053，將門1051與輔助設備間105固定在一起，用於加強固定，防止側翻，本實施例中，固定件1053構造為L形板，L形板的兩個側板分別及門支撐組件1051a和輔助設備間105的支撐組件61或中子屏蔽板60固定。輔助設備間105還可以具有開口1054，用於管道、線纜等通過，本實施例中，開口1054設置在靠近牆壁和地板的拐角處。輔助設備間105的支撐組件61及門支撐組件1051a由相互連接的型材構造，可以理解，輔助設備間105也可以有其他構造，還可以在其他空間內設置輔助設備間。

中子屏蔽板60為含硼的PE板，支撐組件61、門支撐組件1051a、導軌1052a、滑杆1052b、固定件1053的材料為鋁合金，可以理解，中子屏蔽板60的材料還可以為其他中子屏蔽材料，在不同位置根據需要可以具有不同的厚度，表面可以進行其他裝飾或開槽安裝其他元件；鋁合金可以替換為其他具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料，如碳纖維複合材料或玻璃纖維複合材料。

結合圖11-圖13，照射室101、101’內還可以設置治療台定位裝置70A及治療台定位裝置的屏蔽裝置70B，治療台定位裝置70A包括線性軸71a和機械臂72a，機械臂72a設置在線性軸71a和治療台20之間用於支撐和定位治療台20，將治療台20連接到線性軸71a並能夠使治療台20和機械臂72a一同沿線性軸71a平移。本實施例中線性軸71a安裝到照射室的天花板，機械臂72a整體上朝向照射室的地板延伸，可以理解，線性軸71a也可以安裝到其他表面，如牆壁或地板；線性軸71a構造為固定到天花板的滑軌711a和與機械臂72a連接的支座712a，支座712a沿滑軌711a滑動，可以理解，也可以為其他構造。線性軸71a直接固定在天花板上，不額外設置線性軸固定機構如鋼結構龍門架，減少照射室內的鋼的用量，降低固定機構被中子活化造成的二次輻射。機械臂72a為連接支座712a和治療台20的多軸機械臂，包括多個臂部721a(721a’)。

由於支座712a連接著機械臂72a沿滑軌711a滑動，天花板或其他固定表面上設置的中子屏蔽板60需預留出滑動空間，會造成滑軌裸露和輻射洩漏，因此，屏蔽裝置70B包括滑軌遮蓋件71b，滑軌遮蓋件71b與支座712a一起移動始終覆蓋滑軌711a裸露部分。屏蔽裝置70B還包括包圍機械臂72a的至少一個臂部721a(721a’)的機械臂護套72b，機械臂護套72b的材料至少部分為中子屏蔽材料，防止該臂部及設置在該臂部的機構內的金屬部件、電子器件等被中子照射後失效或損壞，如含硼的玻璃纖維複合材料，可以理解，也可以為其他屏蔽材料。

治療台定位裝置70A還可以包括驅動機構73a，照射室101、101’或控制室104內還可以設置治療台控制裝置70C。治療台控制裝置70C與驅動機構73a連接並通過控制驅動機構73a來控制線性軸71a和機械臂72a的運動，線性軸71a和機械臂72a的位置資訊也可以回饋到治療台控制裝置70C，驅動機構73a可以設置在線性軸71a或機械臂72a上，如支座712a或至少一個臂部721a上。

治療台定位裝置70A還可以包括防碰撞保護機構74a，防碰撞保護機構74a包括感測器741a、感測器控制組件742a及人機界面743a，感測器741a設置在機械臂護套72b上，可以理解，也可以設置在機械臂護套72b與機械臂72a之間。當機械臂72a或機械臂護套72b的邊緣接觸到其他物體或有其他物體到達感測器741a設定範圍時等便觸發感測器741a發出信號，感測器741a發出的信號傳輸到感測器控制組件742a，並在人機界面743a進行顯示，感測器控制組件742a將接收到的信號傳輸到治療台控制裝置70C進行相應控制如治療台控制裝置70C控制驅動機構73a停止驅動線性軸71a和機械臂72a的運動，即控制治療台20停止運動。可以理解，也可以是感測器控制組件根據接收到的信號進行相應控制；操作者根據人機界面的顯示還可以手動控制驅動機構停止驅動；也可以不是控制治療台停止運動，而是執行其他的安全操作，如進行碰撞前的逆運動。感測器741a可以是機械感測器、光電感測器、雷達感測器、超聲波感測器、鐳射測距儀等，還可以設置在其他位置。

線性軸71a及其驅動機構73a可以通過固定件或支撐件(圖未示)安裝到照射室101、101’的固定表面，固定件、支撐件可以由鋁型材構造，如滑軌711a通過固定件固定在天花板，支座712a及線性軸71a的驅動機構73a通過支撐件固定或支撐在天花板，滑軌遮蓋件71b設置在支座712a和線性軸71a的固定表面的中子屏蔽板60之間。如圖14、圖15，一實施例中，滑軌遮蓋件71b包括第一部分711b和第二部分712b，第一部分711b和第二部分712b均包括依次連接的平板並由滑軌遮蓋件的支撐件713b支撐，第一部分711b和第二部分712b在沿支座712a滑動方向A靠近支座712a的一端通過連接板7111b、7121b與支座712a固定連接，另一端與支撐件713b固定連接，可以理解，固定連接的方式可以是螺釘連接、粘接等；第一部分711b和第二部分712b的各平板之間依次滑動連接(如圖14中左側所示的第一部分711b)或樞轉連接(如圖14中右側所示的第二部分712b)，可以理解，各平板之間還可以為其他連接方式，圖中僅為示意不同的連接方式，可以根據需要第一、第二部分711b、712b選擇相同或不同的連接方式。支撐件713b可以與線性軸71a及其驅動機構73a的固定件或支撐件連接從而固定，也可以直接固定到固定表面，支撐件713b為鋁合金的，滑軌遮蓋件71b的材料包括含硼的PE或其他中子屏蔽材料，中子屏蔽板60覆蓋支撐件713b並與滑軌遮蓋件71b一起將線性軸71a、線性軸71a的驅動機構73a及其安裝部分遮擋起來(除支座712a穿過中子屏蔽板60的部分外)，可以理解，鋁合金可以替換為其他具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料；支撐件713b也可以由中子屏蔽材料製成，此時，中子屏蔽板60可以不覆蓋支撐件713b，而是與其匹配，中子屏蔽板60、支撐件713b、滑軌遮蓋件71b一起將線性軸71a、線性軸71a的驅動機構73a及其安裝部分遮擋起來(除支座712a穿過中子屏蔽板60的部分外)。支座712a沿滑軌711a運動過程中，滑軌遮蓋件71b的第一、第二部分711b、712b進行伸縮，從而降低整個運動過程中中子的洩露。

結合圖16，本實施例中，包圍臂部721a的機械臂護套72b包括第一、第二殼體721b、722b，第一、第二殼體721b、722b固定連接在一起並包圍臂部721a及設置在該臂部721a的驅動機構73a(如電機、電路板等)或控制機構(如感測器控制組件742a或治療台控制裝置70C的組成部分)。第一、第二殼體721b、722b的材料為含硼的玻璃纖維複合材料，玻璃纖維複合材料具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或放射性活度極低，防止產生二次輻射，硼能夠吸收中子，防止該臂部及設置在該臂部的驅動機構或控制機構內的金屬部件、電子器件等被中子照射後失效或損壞。可以理解，第一、第二殼體的材料也可以為其他具有一定強度的中子屏蔽材料。

本實施例中，包圍臂部721a’的機械臂護套72b’除包括第一、第二殼體721b、722b外，還包括第三、第四殼體723b、724b，第三、第四殼體723b、724b固定連接在一起並包圍第一、第二殼體721b、722b，感測器741a設置在第一、第三殼體721b、723b之間和第二、第四殼體722b、724b之間。感測器741a的個數可以有多個，分佈在臂部721a的四周。第一、第二殼體721b、722b上設置容納感測器741a的容納腔725b，感測器741a設置在容納腔725b內並過盈安裝在第一、第三殼體721b、723b之間和第二、第四殼體722b、724b之間，具體地，第一、第三殼體721b、723b之間和第二、第四殼體722b、724b之間設置有間隙726b，間隙726b用於安裝感測器741a。感測器741a的電源、通信電纜等可以從間隙726b穿過連接到感測器控制組件742a，也可以在第三、第四殼體723b、724b上與感測器741a相應的位置設置通孔727b(圖未示)，通孔727b用於感測器741a的電源、通信電纜等穿過。可以理解，感測器741a也可以採用其他安裝方式。本實施例中，感測器741a為壓力感測器，感測器741a將第三、第四殼體723b、724b上受到的壓力轉換為壓力信號並傳輸到感測器控制組件742a，並在人機界面743a進行數值顯示；當感測器741a接收到的壓力信號超過預設值時，超過預設值的壓力信號優先傳輸到感測器控制組件742a並在人機界面743a進行報警顯示，如通過燈光或聲音報警，感測器控制組件742a將該信號傳輸到治療台控制裝置70C，控制線性軸71a和機械臂72a停止運動，也可以是操作者手動操作停止線性軸71a和機械臂72a的運動。

第三、第四殼體723b、724b的材料為玻璃纖維樹脂複合材料，具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或放射性活度極低，防止產生二次輻射，可以理解，也可以採用其他具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料。可以理解，也可以將第三、第四殼體的材料替換為含硼的玻璃纖維複合材料，即機械臂護套72b最外層的殼體採用夠吸收中子的材料，防止設置在該臂部的驅動機構或控制機構內的金屬部件、電子器件等被中子照射後失效或損壞，而第一、第二殼體的材料不做限定。感測器741a的殼體為鋁合金的，避免使用傳統的鋼材被中子照射後產生半衰期較長的放射性同位素，如鈷60，從而產生二次輻射，可以理解，鋁合金可以替換為其他具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料。可以理解，感測器741a也可以僅設置在第一、第三殼體721b、723b之間或第二、第四殼體722b、724b之間。

第一、第二殼體721b、722b之間和第三、第四殼體723b、724b之間固定連接的方式可以是螺釘連接、焊接等，連接件為鋁合金的，具有一定強度且鋁被中子活化產生的放射性同位素半衰期較短，鋁合金可以替換為其他具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料。

本實施例中，第三、第四殼體723b、724b及感測器741a設置在活動範圍較大的臂部721a’，活動範圍較小的臂部721a僅設置第一、第二殼體721b、722b。可以理解，也可以在機械臂72a所有的臂部均設置第三、第四殼體723b、724b及感測器741a；沒有設置驅動機構73a的臂部也可以不設置機械臂護套72b，此時臂部由具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料製成，如鋁合金，也可以由中子屏蔽材料製成。

可以理解，治療台定位裝置70A可以不包括線性軸，此時，屏蔽裝置70B也不包括滑軌遮蓋件71b；準備室內也可以設置與照射室101、101’內同樣的治療台20、治療台定位裝置70A及治療台定位裝置的屏蔽裝置70B。

可以理解，還可以對其他報警、監測、監控設備等設置輻射屏蔽裝置。

為實現系統各設備的運轉、治療過程中的控制，需要設置電源、通信、控制電纜並合理佈置。如圖17，在照射室101、控制室104和加速器室102內設置穿線管80A，穿線管80A用於電纜穿過並支撐電纜，穿線管80A沿電纜延伸方向延伸並圍繞電纜延伸方向周向至少部分封閉，穿線管80A在垂直於電纜延伸方向的橫截面形狀可以是圓形、多邊形、∨形、＜形、凵形、匚形等，穿線管80A通過連接件(如螺栓)固定在牆壁或地板或天花板上。本實施例中穿線管80A沿天花板與牆壁的拐角佈置在照射室101、控制室104和加速器室102內，可以理解，80A也可以設置在其他位置或其他空間，穿線管80A的尺寸可以根據容納的電纜數量進行設計。在加速器室102、射束傳輸室103設置支撐架80B，由於加速器112、射束傳輸部12、輔助設備14等具有較多的電源、通信、控制電纜及液體(如冷卻介質)或氣體(如絕緣氣體)管道，設置支撐架80B以承載並對其導向，支撐架80B具有支撐電纜或管道的承載面S，支撐架80B以承載面S平行於地面的方式固定在地面或天花板或其他物體上，或以承載面S垂直於地面的方式固定在牆壁上，根據需要也可以在其他空間內設置支撐架80B。圖中僅示意出了射束傳輸室103內沿射束傳輸部12設置的支撐架80B，支撐架80B以承載面S平行於地面的方式固定在地面，支撐架80B由側板81b和以預定間隔連接在側板81b之間的多個橫板82b構造，橫板82b形成承載面S。穿線管80A和支撐架80B的材料為鋁合金；可以理解，鋁合金可以替換為其他具有一定強度且被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料，如90%(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca、Ti中的至少一種元素構成。

為系統的正常運行及安全要求，室內還設置有管狀件90A(如通風管、消防管等用於氣體、液體通過的管道)、杆狀件90B(為固定安裝各種設備所需的支撐杆、螺杆等固定杆)，這些一般由鋼材製成，被中子照射後會產生半衰期較長的放射性同位素，如鈷60，從而產生二次輻射，為降低對管道、固定杆的輻射損傷及輻射污染，管狀件90A(包括上文之冷卻介質、絕緣氣體管道)或杆狀件90B可以由被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料(如90%(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca、Ti中的至少一種元素構成，包括鋁合金、塑膠或橡膠等)製成或在管狀件90A或杆狀件90B外周設置環狀屏蔽裝置91。如圖18，一實施例中，環狀屏蔽裝置91包括內套911、外套912和設置在內套911、外套912之間的屏蔽材913；內套911、外套912為PVC的管狀件，內套911、外套912的橫截面形狀可以根據具體需求進行設置，可以理解，內套911、外套912也可以由其他被中子照射後的產物不具有放射性或被中子照射後的產物放射性活度低或被中子照射後產生的放射性同位素半衰期短的材料製成，如內套911、外套912的材料90%(重量百分比)以上由C、H、O、N、Si、Al、Mg、Li、B、Mn、Cu、Zn、S、Ca、Ti中的至少一種元素構成，外套912也可以作為中子緩速體，緩速後的中子能夠被屏蔽材 913更好的吸收；屏蔽材913由中子屏蔽材料構成，如含硼的樹脂。一實施例中，將液態的含硼樹脂填充到PVC的內套911、外套912之間，含硼樹脂凝固後形成環狀屏蔽裝置91的整體，然後將環狀屏蔽裝置91沿其中心軸線所在的平面切割分為兩部分從兩側包住電纜、管狀件90A或杆狀件90B，再通過膠粘、捆紮等方式將兩部分固定連接，可以理解，屏蔽材913還可以採用其他中子屏蔽材料或以其他形式設置在內套911、外套912之間，環狀屏蔽裝置91也可以以其他方式設置在管狀件90A或杆狀件90B外周，如在管狀件90A或杆狀件90B安裝前將其穿入環狀屏蔽裝置91的內套911內。可以理解，還可以在電纜外周也設置環狀屏蔽裝置91，進一步降低電纜被中子照射後產生的二次輻射。

儘管上面對本發明說明性的具體實施方式進行了描述，以便於本技術領域的技術人員理解本發明，但應該清楚，本發明不限於具體實施方式的範圍，對本技術領域的普通技術人員來講，只要各種變化在所附的權利要求限定和確定的本發明的精神和範圍內，這些變化是顯而易見的，都在本發明要求保護的範圍之內。